Circuitos de disparo sin aislamiento El circuito de disparo es una parte integral de un

convertidor de potencia, y consiste en dispositivos semiconductores de potencia. Las

salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en que el circuito de disparo
se excita a los dispositivos de conmutacin es una funcin directa de la conmutacin por
consiguiente, las caractersticas del circuito de disparo son elementos clave para obtener
la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseo
de un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de compuerta y las
necesidades de dispositivos como tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores
bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de campo metal-oxido semiconductor
(MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). EXCITADOR DE
COMPUERTA PARA MOSFET Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y
tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga
muy pequea, del orden de los nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET
depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de
encendido se puede reducir conectando un circuito RC como se ve en la figura, para
cargar con mayor rapidez la capacitancia de compuerta. Cuando se conecta un voltaje a la
compuerta, la corriente inicial de carga de la capacitancia es IG = VG / RS y el valor de
estado permanente de voltaje de compuerta es VGS = RGVG / (RS + R1 + RG) donde RS
es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta. EXCITADOR DE BASE
PARA BJT La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de
activacin, encendido, y el tiempo de desactivacin, apagado. Se puede reducir el tiempo
de encendido permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin, dando
como resultado una B forzada baja al principio. Despus de la activacin puede aumentar
la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para mantener el transistor en
la regin de casi saturacin. El tiempo de desactivacin se puede reducir invirtiendo la
corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin. Al
aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de
almacenamiento. En la siguiente figura se muestra una forma de onda tpica de la corriente
de base. Aparte de una forma fija de corriente de base, como se muestra en la figura
anterior, la B forzada Bf se puede controlar en forma continua para que coincida con las
variaciones de corriente del colector. Las tcnicas de uso comn para optimizar la
activacin de la base de un transistor son: 1) 2) 3) 4) Control de encendido Control de
apagado Control proporcional en base Control por antisaturacin Control de encendido La
correccin de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la figura.
Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el resistor R1 y
el valor inicial de esa corriente es: IB= (VI - VBE)/R1 Y el valor final de la corriente de base
es: IBS= (VI - VBE)/R1 + R2 Control de apagado Si el voltaje de entrada de la figura se
cambia a V2 durante el apagado, el VC se suma a V2 como el voltaje inverso a travs del
transistor. Por lo tanto, habr un pico de la corriente de base durante el apagado. Control
proporcional en base. Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la
demanda de carga, la corriente de encendido de la base cambia en proporcin a la
corriente del colector. Control de saturacin Si el transistor se excita muy rpido, el tiempo
de almacenamiento que es proporcional a la corriente de base, aumenta, y se reduce la
velocidad de conmutacin. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento operando el
transistor con una saturacin gradual, en lugar de muy rpida. Esto se puede hacer
sujetador el voltaje de colector a emisor a un valor predeterminado, la corriente del colector
es: IC = (VCC -VCM)/RC Donde VCM es el voltaje sujetador y VCM> VCD(Sat)