Você está na página 1de 18

9/10/2012

ENGENHARIA MECNICA

IMPERFEIES EM SLIDOS
1

Manuel Houmard
mhoumard@ufmg.br
Sala 3304 Bloco 1 Escola de Engenharia

INTRODUO

Grandes nmeros de defeitos ou imperfeies existem


em todos os materiais puros e ligas,
ligas monofsicos e
polifsicos, brutos ou processados.
Defeito cristalino: Irregularidade na rede cristalina
com uma ou mais das suas dimenses na ordem de
um dimetro atmico.
A maioria
i i das
d
propriedades
i d d
d
dos
materiais
t i i so

influenciadas pela presena de imperfeies.


Os defeitos exercem um papel importante na difuso,
transformao de fase e deformao dos materiais.

9/10/2012

QUESTES PARA TRATAR

De onde aparecem os defeitos ?

Quais so os tipos de defeitos existentes nos slidos ?

Pode o nmero e o tipo de defeito variar ou ser


controlado ?
Como os defeitos afetam as propriedades dos
materiais ?
So defeitos indesejveis ?

SOLIDIFICAO
|

A solidificao resulta da moldagem do material fundido.

Duas etapas:
Formao de ncleos
y Crescimento dos ncleos para formao dos cristais estrutura
y

Inicia com o material fundido (completamente lquido) e os


cristais crescem at se encontrarem.

ncleos
lquido

Crescimento dos
cristais

Estrutura de gros

9/10/2012

SOLIDIFICAO
|

Os gros podem ser:


y
y

Equiaxiais (~ o mesmo tamanho em todas as direes)


Colunares (gros alongados)
~ 8 cm

heat
flow
Columnar in
area with less
undercooling

Shell of
equiaxed grains
due to rapid
cooling (greater
T) near wall

O processo de fabricao responsvel da maioria dos defeitos

TIPOS DE IMPERFEIES
|
|
|

|
|

|
|
|
|
|

Vacncias (lacunas)
tomo intersticial
tomo substitucional

Defeitos
f
pontuais
p

Discordncias aresta
Discordncias espiral

Defeitos lineares

Superfcies
p
externas
Contorno entre fases
Defeitos de empilhamento
Contorno de gro
Contorno de macla (twin)

Defeitos planares
6

9/10/2012

DEFEITOS PONTUAIS - LACUNAS

Vacncias ou lacunas:
Stios atmicos vagos na estrutura.
estrutura

Vacncia
distoro
do plano

(vazio)

Os defeitos pontuais so formados durante a


solidificao do cristal e processamento dos materiais.
Resultado do deslocamento dos tomos de suas
posies normais.

DEFEITOS PONTUAIS - AUTO-INTERSTICIAIS

Auto-Intersticial:
tomo do cristal que se encontra comprimido no
interior de um stio intersticial, um pequeno
espao vazio que normalmente no ocupado.

di
distoro

do plano

Autointersticial

9/10/2012

NMERO DE LACUNAS EM EQUILBRIO

O nmero de lacunas em equilbrio varia com a


temperatura:
Energia necessria para
formao de uma lacuna

N de lacunas
em equilbrio

Q
Nv
v
= exp
kT
N

N total de
stios atmicos

Temperatura absoluta
em kelvin

Constante de Boltzmann
(1,38 x 10 -23 J/tomo-K)
(8,62 x 10 -5 eV/tomo-K)

Cada stio da rede


um stio potencial
para formao da lacuna

MEDIR A ENERGIA DE ATIVAO

Podemos obter Qv a partir de um experimento:

Nv
= exp
N

Q v
kT

ln

Nv

Nv
N

Inclinao
-Q v /k

N
Dependncia
exponencial

T
Concentrao de defeitos

1/T
A partir de um grfico experimental
de ln Nv/N versus 1/T possvel
10
determinar a energia de ativao

9/10/2012

ESTIMATIVA DA CONCENTRAO DE LACUNAS


|

Calcule o n de lacunas em equilbrio por m3 de Cobre a


uma temperatura de 1000C.
= 8,4 g /cm 3

ACu = 63,5 g/mol


Q v = 0,9 eV/tomo NA = 6,02 x 1023 tomos/mol
0.9 eV/tomo
Q
N
v = exp
v
| Resposta:
-4
|

Dados:

Para 1 m3 , N = x

kT = 2.7 x 10

NA
ACu

1273K
8,62 x 10-5 eV/tomo-K

x 1 m3 = 8.0 x 1028 stios


11

Nv = (2,7 x 10-4)(8,0 x 1028) stios = 2,2 x 1025 lacunas/m3

DEFEITOS PONTUAIS - IMPUREZAS


Dois resultados de impurezas (B) adicionados ao hospedeiro (A):
|

Soluo slida de B em A (distribuio aleatria de defeitos):


Os tomos do
soluto ou tomos
de impurezas
tomam o lugar
dos tomos
hospedeiros ou os
substituem.

OU
Soluo slida
Substitucional
((ex.,, Cu em Ni))

Soluo slida
Intersticial
(ex., C em Fe)

Os tomos de
impureza
preenchem os
espaos vazios
ou interstcios
que existem entre
os tomos
hospedeiros.

Soluo slida de B em A mais partculas de uma nova fase


(usualmente para grandes quantidades de B):
Nova segunda fase de partculas
composio diferente
normalmente estruturas diferentes.

12

9/10/2012

IMPUREZAS SUBSTITUCIONAIS

Fatores que influenciam na formao de soluo slida


substitucionais:
b tit i
i
Regra de Hume-Rothery

1. Diferena de raio atmico dos dois tipos de tomos < 15%


Pode promover distores na rede e assim formao de nova fase

2. Ter mesma estrutura cristalina


3 Eletronegatividades prximas
3.
Maior diferena de eletronegatividade dos
tendncia de formar compostos intermetlicos.

tomos,

maior

4. Mesma ou maior valncia que o hospedeiro


Um metal ter maior tendncia de dissolver um outro metal
de maior valncia do que um de menor valncia.

13

APLICAO DA REGRA DE HUMEROTHERY

Elemento

1- Quem se dissolveria
mais no Zn, o Al ou a
Ag?
2. Mais Zn ou Al no
Cu?

Cu
C
H
O
Ag
Al
Co
Cr
Fe
Ni
Pd
Zn

Raio
Estrutura
atmico cristalina
(nm)
0.1278
0.071
0.046
0.060
0.1445
0 1431
0.1431
0.1253
0.1249
0.1241
0.1246
0.1376
0.1332

Eletronegatividade

Valncia

CFC

1.9

+2

CFC
CFC
HC
CCC
CCC
CFC
CFC
HC

1.9
1.55
1
1.8
1.6
1.8
1.8
2.2
1.6

+1
+3
3
+2
+3
+2
+2
+2
+2

14

9/10/2012

ESPECIFICAO DA COMPOSIO

Porcentagem em peso (%p):

C1 =

m1
x 100
m1 + m2

m1 e m2 = massa dos elementos 1 e 2

Porcentagem atmica (%a):

C 1' =

n1
x 100
n1 + n 2

n1 = nmero de moles do componente 1

Converso usando os pesos atmicos ou densidades

15

DEFEITOS LINEARES - DISCORDNCIAS


|

Discordncias ou deslocaes:
so defeitos lineares em torno do qual alguns tomos esto
desalinhados.
y escorregamento entre os planos cristalinos resulta quando se
move as discordncias.
y produz uma deformao permanente (plstica).
y Esto associadas com a cristalizao do material e a sua
deformao (maior ocorrncia), podendo ser uma linha
adicional ou a ausncia de uma linha de tomos.
y

Esquema do zinco (HC):


antes da deformao:

aps ensaio de trao:


escorregamentos

16

9/10/2012

DEFEITOS LINEARES - DISCORDNCIAS


|

Discordncia aresta, linha ou cunha ():

- Defeito associado com a distoro produzida no


pela p
presena
de um semireticulado cristalino p
plano extra de tomos.
- Vetores de Burgers (b) so perpendiculares
discordncia para este tipo de defeito.
|

Discordncia espiral ou hlice:

- Defeito associado com a distoro criada no


reticulado cristalino quando planos normalmente
paralelos
l l
so
unidos
id
para formar
f
uma rampa

helicoidal.
- Vetores de Burgers (b) so paralelos
discordncia.
Vetor de Burgers (b): expressa a magnitude e a direo da distoro
da rede cristalina

17

DISCORDNCIA DE ARESTA
|

Envolve um plano
extra de tomos.
O vetor de Burgers
perpendicular
a
direo da linha de
discordncias.
Envolve
zonas de
trao e compresso.

18

9/10/2012

MOVIMENTO DE DISCORDNCIA DE ARESTA

O movimento de discordncia (durante uma deformao)


ocorre atravs do pulo sucessivo de um semi
semi-plano
plano de
tomos (da esquerda para a direito aqui).
As ligaes durante o escorregamento so quebradas e
reformadas sucessivamente .

a
b

19

DISCORDNCIA ESPIRAL
|

Produz distores na rede

Linha de
discordncia
Vetor de Burgers b,
paralelo direo da
linha de discordncia

Linha AB linha da discordncia


- posio dos tomos acima do plano
de escorregamento crculos abertos
- abaixo crculos fechados

20

Monocristal de SiC - Linhas escuras:


degraus de escorregamento superficiais

10

9/10/2012

ARESTA, ESPIRAL, E DISCORDNCIAS MISTAS


Mistas

aresta
A discordncia pura espiral
B discordncia pura aresta
entre A e B discordncia mista

espiral

21

VISUALIZAO DAS DISCORDNCIAS

Discordncias observadas por micrografia eletrnica de


transmisso (MET - 450x) numa liga de titnio:

22

11

9/10/2012

DISCORDNCIAS E ESTRUTURAS CRISTALINAS


Escorregamentos de discordncias
preferidos nas direes e planos
empacotados.
p
plano empacotado (de baixo)

Vista de dois
planos
empacotados.

direes empacotadas
plano empacotado (de cima)

Comparao entre estruturas cristalinas:


CFC: muitos planos e direo empacotados;
HC: somente um plano, e trs direes;
CCC: nenhum

Amostras usadas
em teste de trao:

Planos de
escorregamento
preferencial
Mg (HC)

Al (CFC)

23

DEFEITOS PLANARES EM SLIDOS

Defeitos Interfaciais so contornos que possuem duas


di
dimenses
e, normalmente,
l
separam regies
i
d
dos
materiais de diferentes estruturas cristalinas e/ou
orientaes cristalogrficas.
Essas imperfeies incluem:
y
y
y

y
y

Superfcies externas
Defeitos de empilhamento
Contorno entre fases: Existem em materiais com mltiplas
fases, atravs dos quais h uma mudana repentina nas
caractersticas fsicas e/ou qumicas.
Contorno de gro
24
Contorno de macla ou twin

12

9/10/2012

SUPERFCIE EXTERNA
A superfcie externa o tipo mais bvio, ao longo do
qual termina a estrutura do cristal.

Os tomos da superfcie no esto ligados ao n


mximo de vizinhos mais prximos, isso implica num
estado energtico maior que no interior do cristal.

25

FALHA DE EMPILHAMENTO

A falha de empilhamento se encontra em metais CFC


quando existe uma interrupo na sequencia de
empilhamento ABCABCABC...

26

13

9/10/2012

CONTORNO DE GROS
|

Materiais
policristalinos
so
formados
por
monocristais
com
diferentes
orientaes

cristalogrficas.
A fronteira entre os monocristais uma parede, que
corresponde a um defeito bidimensional (planar).
Este defeito refere-se ao contorno que separa dois
pequenos
p
q
gros ((ou cristais),
g
)
com diferentes
orientaes cristalogrficas, presentes num material
policristalino.
No interior do gro todos os tomos esto arranjados
segundo um nico modelo e nica orientao,
caracterizada pela clula unitria.

27

CONTORNO DE GROS ( ENTRE FASES)

Caractersticas:
- Empacotamento menos eficiente
- Energia mais elevada
- Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
- Favorece a difuso

28

14

9/10/2012

CONTORNO DE MACLA
|

Este tipo de contorno, tambm denominado de Twins


(cristais gmeos), um tipo especial de contorno de gro,
onde existe uma simetria em espelho da rede
cristalina.
Os tomos de um lado do contorno so imagens dos
tomos do outro

29

DEFEITOS VOLUMTRICOS OU DE MASSA


|

Defeitos em trs dimenses introduzidos durante o


processamento do material e/ou fabricao do
componente.
Tipos de defeitos volumtricos:
y
y
y
y
y

Incluses: Presena de impurezas estranhas.


Precipitados:
Aglomerados
de
partculas
com
composio diferente da matriz (hospedeiro).
P
Porosidade:
id d
O i i
Origina-se
d id a presena de
devido
d gases,
durante o processamento do material.
Fases: Ocorre quando o limite de solubilidade
ultrapassado.
Estrias segregacionais: Presente principalmente em
materiais semicondutores dopados.

30

15

9/10/2012

INCLUSES E PRECIPITADOS
Incluses:
IIncluses
l de
d xido
id de
d cobre
b (Cu
(C 2O) em
cobre de alta pureza (99,26%),
laminado a frio e recozido a 800C.
Precipitados:

Precipitados em matriz metlica de


Alumnio AA 3104 utilizada para a
fabricao de latas.
31

POROSIDADE

Compactado
C
d
d
de
p
de
d
f
ferro,
compactao uniaxial em matriz
de duplo efeito, a 550 Mpa.

Compactado de p de ferro aps


sinterizao a 1150C, por
120min
em
atmosfera
de
hidrognio.
32

16

9/10/2012

SEGUNDA FASE

Micro-estrutura composta
por veios de grafita sobre
uma matriz perltica.

Gro de perlita: Constitudo


por lamelas alternadas de
duas fases: ferrita (Fe-) e
cementita (Carboneto de
ferro).

33

EXAME MICROSCPICO

Cristalitos (gros) e
consideravelmente de
bastante grandes.

contorno de gro variam


tamanho; eles podem ser

Um nico cristal de quartzo, ou diamante, ou Si.


y Postes de iluminao feitos em Al e lates de lixo
gros evidentes a olho nu.
y

Cristalitos (gros) podem ser bastante reduzidos (mm


ou menor) necessrio observao com um
microscpio.
Aula de laboratrio de materiais

34

17

9/10/2012

CONCLUSO
|

Defeitos pontuais, lineares e planares existem em


slidos.
O numero e tipo de defeitos pode ser variado e
controlado (ex. A temperatura controla a
concentrao de lacunas).
Os defeitos modificam as propriedades dos materiais
(ex. Os contornos de gros controlam o
escorregamento das discordncias dentro de um
gro).
Os defeitos podem ser desejados ou indesejados (ex.
As deslocaes podem ser boas ou no dependendo se
a deformao plstica desejada).

35

18