INFORME PRCTICA N.

, 6 DE JUNIO DE 2015

Caracterizacin de Transistores de Unin Bipolar

BJT (Curva Caracterstica y Polarizacin)
Daniel Alejandro Rodrguez Chvez [25451381], Julin Camilo Navarrete Rubio [25451582] y Nicols Ospina
Mendivelso [25451691], Universidad Nacional de Colombia, Electrnica analoga I [2016509-2], Grupo 2

AbstractBipolar junction transistors are threeterminal devices for controlling an output current
from a control voltage. They have similarities in
their behavior with the diodes. Their functioning
could be affected by temperature. These are more
stable to the electric static compared to MOSFET.

transistor de unin bipolar y experimentar con

algunas tcnicas estndar de polarizacin.

Index TermsBJT, transistor, polarization,

emitter, collector, base, active, saturation, reverseactive, cutoff.
ResumenLos transistores de unin Bipolar son
dispositivos de tres terminales que permiten controlar una corriente de salida a partir de un voltaje
de control. Presentan similitudes en su comportamiento como ocurre en el diodo. Su funcionamiento
puede afectarse por la temperatura. Son ms estables a la esttica respecto al MOSFET.

A. Entendimiento del Comportamiento Fsico del

Transistor de unin Bipolar

Palabras ClaveBJT, transistor, polarizacin,

emisor, colector, base, activo, saturacin, activo
inverso, corte.

I. Introduccin
OS transistores han tenido distintos
modelos bajo los cuales la electrnica ha
evolucionado; entre esos, dos son los principales
que dominan en el mercado, y uno con el que ms
se trabaj durante la historia de la electrnica
en el siglo XX y se conocieron los elementos
necesarios como la estimacin ideal necesaria
de los modelos: el Transistor de Unin Bipolar
BJT, por sus siglas en ingls. Es ste transistor
el que trasciende parte de la caracterizacin
y funcionamiento principal del funcionamiento
fsico del diodo en tres (3) terminales, aunque
todos los tipos compartan cierto efecto en su
operacin con el mismo comportamiento fsico
que tiene el diodo. ste Informe, se enfoca
en el entendimiento de ste transistor con los
objetivos de caracterizar el transistor de unin
bipolar obteniendo algunos de sus parmetros
importantes y las curvas que describen su
funcionamiento y lograr familiaridad con el

II. Marco Terico

De los dos transistores importantes en el campo

de la electrnica, el Transistor de Unin Bipolar,
es el que comparte ms caractersticas fsicos
con el diodo en su comportamiento. Consta de
3 sustratos con dopado opuesto entre los que
comparte rea de contacto nicamente, es decir,
ninguno de los sustratos con igual dopado tendrn
unin directa entre sus reas de contacto. Puede
sobreentenderse que, por ser un componente de
3 sustratos unidos, habr uno con sustratos de
tipo p y dos de tipo n, como otro con dos de
tipo p y uno de tipo n, bajo lo cual, cabe decir
que el primer mencionado tiene el nombre de
npn y el siguiente tiene el de pnp. Cada sustrato
mantiene una conexin metlica. Sus terminales
tienen el nombre que se distingue por su papel
en el funcionamiento de este componente con
una polarizacin particular que causa uno de 4
estados de comportamiento fsico distinguibles
en l: el estado activo. En otros estados sus
nombres no hacen mrito a su participacin en
el estado del transistor, pero con estos nombres
que, a continuacin, se dar a entender cules son
al momento de explicar la polarizacin de este
transistor para el estado activo, ser con los que
siempre se reconocer la terminal especfica para
cualquier caso. [1]
1) Estados del Transistor de Unin Bipolar:
Estado Activo o de la Regon Activa.: Se tomar
para explicar el concepto y para lo cual hicieron
la prueba y nombraron las terminales con el
transistor tipo npn. Para ese caso de estudio en

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

la teorizacin del BJT y para el estado activo

en s, se mantienen establecidas diferenciales de
potencial una mayor a otra de una terminal ms
externa hasta la otra, es decir, para el caso con el
que usaremos el transistor BJT de tipo npn, una
terminal de tipo n de dopado estndar respecto a
las dems, mantiene el voltaje mayor, mientras la
de en medio, con un dopado de densidad menor
respecto a los dems sustratos y menor extencin
hasta el otro sustrato de proporcin considerable,
mantiene un diferencial de potencial mayor respecto a la ltima terminal por describir de tipo n
que resulta de mayor densidad de dopado respecto
a las dems y a consideracin una comveniente
mayor longitod, al menos respecto al sutrato
tipo p. La polarizacin sugiere que las uniones
estn dadas, la primera descrita, en inversa, y
la segunda en directa. Pero la particularidad con
la cual estn dadas las dimensiones que tambin
se describieron de los sutratos y la densidad de
dopaje, es que las caractersticas que ocurren
entre las uniones, se ven cambiadas respecto a lo
que podra conseguir inducir, el conocimiento
respecto a lo que ocurre por aparte, entre una
unin de un diodo en polarizacin directa e inversa.

Figura 1: Modelo aproximado de una construccin del transistor BJT

Es decir, la unin que se polariza en inversa, resulta afectada por dicha difusin de portadores de
modo forzado en el sustrato de en medio de modo
que la difusin de portadores para esta unin crea
una regin de agotamiento mucho menor, por el
dominio que tiene el sustrato de densidad mayor
a las otras dos en la recombinacin de portadores,
es decir, la corriente de difusin de la unin
polarizada en directo que va desde el sustrato con
mayor densidad de tipo n resulta pasando hasta
el sustrato con el cual no se tiene contacto, valga
decir que, por la menor densidad del sustrato del
medio causa en la unin polarizada en directo
tenga una corriente de saturacin mucho menor
casi despreciable. Los nombres que se les dan a
estas terminales por los sucesos descritos llevan
el nombre de emisor, base y colector, en su orden
por ser el sustrato de mayor densidad de dopado
el que emite la corriente que en sentido real,
En la unin que se encuentra en polarizacin distribuye en el transistor, mientras el sustrato
directa, hay una recombinacin de portadores de en medio resulta la base de estudio al socomo ocurre con un diodo normal con la misma meterse al cambio para la relacin de todos los
polarizacin, con la diferencia de que la longitud sustratos, y el otro sustrato colecta los portadores
de difusin de portadores cambia su distribusin que continuarn la distribucin de la corriente de
en uno de los dos sustratos de forma libre o difusin de la unin polarizada en directo. Esta
aproximadamente cercana a la formacin expo- nominacin hecha a las termina es son la que
nencial, es decir, resulta forzado para que alcance suele usarse sin importar el estado del transistor.
a llegar al lmite con el otro sustrato con una Puede detallarse que estaba implicado el que los
formacin especial. Se sobreentendiente entonces valores de los diferenciales de potencial entre los
que se habla de que la distribucin exponencial en diferentes sustratos fuese unos mayores a otros,
el sustrato de en medio puesto que es de longitud y as mismo los otros estados bajo los cuales
ms corta necesariamente. Esto quiere decir que, puede entrar el transistor, resultan distinguidos
la formacin especial resulta en una curvatura por las polarizaciones que puede darse en estas
muy cercana a una distribucin lineal. El que terminales. No sobra aclarar que este estado del
uno de los otros sustratos sea ms denso, implica componente, muestra una corriente aproximadaque ayudar a que dicha longitud de difusin en mente constante por cuestin de que la cada de
el sustrato del medio sea empujada a la misma voltaje bajo la cual la corriente de difusin requiecurvatura de forma lineal aproximada de la que re para que resulte siendo mayor a la corriente
se habl anteriormente.
de saturacin y resulte conduciendo la unin en

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

directa, es constante, de aproximadamente de

0.7 V como el hecho de que las dimensiones sean
fijas; a esto hay que sumarle que, para el mayor
provecho del componente para entregar la mayor
corriente posible, la construccin de los sustratos
puede aproximarse al presentado en la figura 7.
Puede verse que el rea de contacto de las uniones, en el colector nombrada como C es mayor
en comparacin a la unin entre base y emisor.
Emisor no es, necesariamente ms amplio a base
en volumen, puesto que, uno de las condiciones
que ayuda con el correcto funcionamiento del
sustrato es que la densidad del dopado sea mayor
al de la base, pero realmente puede influir el
volumen porque ac ocurre tambin una longitud
de difusin, pero no es el tema a importar, por
eso se toma un modelo de que ilustre el caso para
la explicacin de la mejor manera para entender.
2) Estados del transistor de unin bipolar:
Los distintos estados que el transistor de unin
bipolar mantiene, resultan de otras configuraciones con la polarizacin que se le otorgue a las
terminales, respecto a la base. una tabla para
conocer dichos estados es la tabla I
UBE

UCB

Zona de Operacin

aplicacin

Directo

Inverso

Activo

Amplificacin

Directo

Directo

Saturacin

interruptor
encendido

Inverso

Inverso

corte

interruptor
apagado

Inverso

Directo

activo inverso

No deseado

Cuadro I: Tabla de la relacin entre las distintas

uniones y su polarizacin respecto al estado al que
entra el transistor
Para el estado de saturacin, las dos uniones
resultan en polarizacin directa, lo que genera
dos corrientes de salida, tanto en colector como
en emisor. En estado de corte las dos uniones
resultan en polarizacin inversa. En estos estados
descritos, la polarizacin cumple el papel que
sucede en un diodo normal, sin ningn efecto
forzado de la operacin de las distintas caractersticas de las uniones en semejanza al de un
diodo como s ocurre en el estado activo. Para la
ltima polarizacin, slo resta decir que no suele
ser deseada, la corriente suele ser mayor puesto
que en la unin colector base, resulta teniendo

un rea de contacto mayor, lo que hace de la

corriente de saturacin, un valor mayor, pero unos
trmino terico llamado y resultan siendo
menores, cuales son apropiados para la aplicacin
de amplificacin.

B. Trminos Terico para El Entendimiento del

Comportamiento del transistor de sus Operaciones
La corriente que pasa por el colector, por causa
de la corriente de difusin resulta descrita con

vBE

iC = IS e VT

(1)

Valga la aclaracin de que, por ser sentido

convencional, la corriente resulta en la direccin
de colecto a emisor. Esto implica que la relacin
entre las corrientes de las terminales se relacionan
como

iB + iC = iE

(2)

Y por simplificacin los trminos y mencionados antes se relacionan con las corrientes como

iB = iC
iC = iE

(3)
(4)

y, finalmente los trminos y se relacionan

como

=
+1
=

(5)
(6)

El comportamiento de los estados del transistor

se representa por la grfica 12

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

Figura 3: Circuito para la formacin de la curva

caracterstica del BJT

Figura 2: Curvas caractersticas del transistor

BJT [2]
Otras formas de representar las frmulas.
VBE

ic = isc e VT (1 +

VCE
)
VA

B. Segunda parte
Para los primeros clculos de las distintas
configuraciones se consider que el valor de
era igual a 100

(7)

Ib =

Is VVBE
e T

(8)

Ie =

Is VVBE
e T

(9)

C.
III. Procedimiento
A. Primera parte
Por errores de no revisar bien los datos tomados, la primera parte no puede ser descrita con
sostenimiento, sobretodo en anlisis, ya que, la
bitcora se tuvo que entregar y hubo confianza en
tener todos los datos anotados en el informe.
Bsicamente, se mont el esquema descrito
como sigue de la figura 10 y se tomaron los
datos que no pueden presentarse por lo descrito
antes. Se tomaron 20 datos, de los cuales 10,
correspondan a la corriente con un voltaje Vs
de modo que, al registrar con el multmetro, la
corriente presentaba una variacin considerable.
10 datos fueron con voltajes de 1 en 1 voltaje
aproximadamente, y otros ms puntualmente de
nicamente la regin triodo, es decir donde se
vea variar la corriente de una en una milsima
de amperio, hasta el valor aproximado de 9 V

Figura 4: Configuracin para el primer modelo de

polarizacin
1) Configuracin I: Sabiendo que ib es igual a
0.1 mA se llevaron a cabo los siguientes clculos.
ic = ib = 10mA

(10)

Como la cada de tensin en vCE es de 6 V se

asume que el voltaje en el colector debe ser de 6
voltios y por ende la resistencia Rc tuvo un valor
de:

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

Despus por medio de una R1 determinada

por el usuario, se despejan las ecuaciones y se
Vcc Vc 10V 6V
Rc =
=
= 400 390 (11) encuentra el valor de R , donde los resultados
2
ic
10mA
fueron los siguientes R1 = 12 k y R2 = 5658.66
Por ultimo para determinar Rb se toma en
5.6 k.
cuenta la diferencia de potencial que cae en la
resistencia sobre la corriente propuesta.
Rc =

Vcc Vb 10V 0.7V

=
= 93 100 (12)
ib
0.1mA

Figura 6: Configuracin para el tercer modelo de

polarizacin

Figura 5: Configuracin para el segundo modelo

de polarizacin
2) Configuracin II: El proceso es similar a la
configuracin vista anteriormente, compartiendo
ademas los valores de ib = 0.1 mA e ic = 10 mA
los nicos que cambian son vC con un valor de 8
V y vC con un valor de 2 V
Rc =

Vcc Vc 10V 8V
=
= 200 180 (13)
ic
10mA

Ve Vee 2V 0V
=
= 200 180 (14)
ic
10mA
Para calcular los valores de R1 y R2 es necesario primero calcular el voltaje y resistencia thevenin asociados a la entrada del circuito donde:
Re =

R1
R1 + R2
R1 R2
=
R1 + R2

VT H = VCC

ie = (1 + )ib

RT H

VT H VBE(on)
ib =
RT H + (1 + )Re

3) Configuracin III: Con una ib de 0.01 mA se

obtiene una ic de 1mA por ende Rb y Rc quedaron
determinados de la siguiente manera al considerar
un vC con un valor de 4 V y vC con un valor de
-2 V .

Rc =

Re =

Vcc Vc 10V 4V
=
= 6k 5.1k (15)
ic
1mA

Ve Vee 2V + 10V
=
= 8k 6.8k (16)
ic
1mA

Por ultimo para el calculo de Rb

VBE = VB VE 0.7v = VB + 2v VB = 1.3v
(17)

Rb =

Vbb Vb 0V + 1.3V
=
= 130k 120k
ic
0.01mA
(18)

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

la figura 8 el del transisitor empleado era de

153, pero para verificar como este variaba con
A. Curvas caractersticas del transistor
respecto a la temperatura se uso un cautin el
El objetivo de esta seccin fue verificar el com- cual elevo la temperatura de este a 35 C lo cual
portamiento de la corriente IC contra la tensin como muestra la figura 11 hizo que las curvas
VBE por lo que en primera instancia como lo aumentaran de nivel y que el beta aumentara a
dicta el procedimiento se empleo un generador 154 13. Aunque a grandes rasgos el cambio no
de seales a fin de evidenciar la relacin que fue muy notorio, se puede notar la influencia que
existe entre la tensin en la base (VB ) con la genera la temperatura sobre el elemento y como
corriente IC , esta fue interpretada gracias a la este puede diferir sus resultados respecto a esta
resistencia RC la cual permiti obtener la curva variable.
de transferencia de tensiones de Vi VS VO , cabe
notar que el uso de la seal AC fue con el objetivo
de que al usar el modo XY del osciloscopio la
curva de la seal pudiera evidenciarse gracias a
la variacin de la misma, de igual modo la seal
DC permiti el desplazamiento de dicha seal, es
importante tener en cuenta que la recomendacin
de usar una tensin inicial DC de VB era con la
finalidad de evitar la polarizacin en inversa y de
igual modo, no caer en la zona corte. El resultado
de esta prctica se expone en la grfica 7
IV. Anlisis de Resultados

Figura 8: Grfica Ic vs Vce con una intensidad de

parmetro Ib de 1193 A

Figura 7: Curva de transferencia de tensiones VBE

VS Vo
Nota: La seal DC para obtener esta curva se
obtuvo al variar la amplitud de la seal de 0.2V
a 0.3V aproximadamente.
Debido a la falta de datos por el mal manejo
de estos y a la incertidumbre generada respecto al
procedimiento de medicin propuesto en la gua se
opto por usar el instrumento trazador de curvas y
mediante este se obtuvo la grfica de la corriente
IC con respecto a VCB , esta se expone en la grfica
8. Vale la pena notar que el trazador permite
obtener no una sino varias curvas permitiendo que
el estudio de la relacin corriente IC vs VBE sea
mucho mas sencillo, adicional a esto se oberv que
a un corriente cercana de 1mA como lo muestra

En esta seccin se propuso usar una tensin en

la base de 10V. con la finalidad de evitar quemar
el transistor por exceso de potencia en los terminales Colector Emisor, sin embargo para estudiar
de manera mas concisa la grfica IC vs VCE , se
prefiri disminuir la tensin. Aunque vale la pena
resltar que la funcionalidad del potenciometro
era la misma relacin que se logra al disminuir
la tensin de alimentacin, sin embargo se opto
por este metodo debido a que usa tensiones y
corrientes mucho mas inferiores, con lo cual se
logra la condicin previamente propuesta. Para
ver el comportamiento de dichas curvas se invita
al lector a ver las figuras 9 y 10

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

Figura 9: Grfica Ic vs Vce que reflejan las regiones

de operacin del BJT

Figura 11: Grfica Ic vs Vce con una intensidad de

parmetro Ib de 1218 A

Figura 12: Valor de beta para el primer BJT de

prueba

Figura 10: Grfico IC VS VCB con tensiones inferior a Vb propuesta (10V)

Nota: La imagen 9 permite estudiar la cuatro

zonas del transistor, esta ultima zona por lo generar denominada Regin ruptura no se menciona
mucho debido a que en muchas aplicaciones es indeseable y esta misma puede generar el deterioro
del elemento.

Figura 13: Valor de beta para el segundo BJT de

prueba

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

B. Polarizacin del transistor

En esta ultima seccin se implement los valores hallados en la seccin procedimiento por lo
que los resultados obtenidos de cada circuito se
exponen en la tabla ??.
Cuadro II: Valores de V , I, R para la polarizacin
del transistor
Datos

Valor
Teorico

Valor
Experimental

Temperatura
50 C

Rb
Rc
ib
Vbe
Vce

93 k
400
0,1 mA
0,7 V
6,0 V

100 k
390
0,093 mA
5,615 V

0,096 mA
0,773 V
5,410 V

Rb1
Rb2
Rc
Re
Ve
Vc
Vce
ib

5.658 k
12 k
200
200
2V
8V
6V
0,1 mA

5,6 k
12 k
180
180
2,030 V
8,060 V
6,030 V
0,081 mA

2,079 V
8V
5,921 V
0,079 mA

Rb
Rc
Re
Ve
Vc
Vce
ib

120 k
6 k
8 k
-2 V
4V
6V
0,010 mA

120 k
5,1 k
6,8 k
-1,545 V
3,800 V
5,345 V
0,010 mA

Cuadro II:Valores de V, I, R para las diferentes

configuraciones de polarizacion propuestas ademas de
su respectiva variacin debida a la influencia de la
temperatura .

Mediante esta tabla es posible estudiar las relaciones que existen entre la corriente de la base, la
tensiones en cada una de las partes del transistor
y el efecto de la temperatura, los cuales como se
puede notar no distan mucho con este parametro,
sin embargo a temperaturas mas elevadas y con
tensiones mucho mas elevadas es posible notar
como estas variables pueden ser alteradas por el
efecto de la temperatura sobre el BJT.
V. Respuesta a las preguntas
1) Que comportamiento se observa en Vo ? en
comparacin a la entrada sinusoidal Vs
Respuesta/.
La seal de salida tendr una componente
DC asociada a la polarizacin del transistor y
una seal AC asociada a las variaciones de la

seal sinusoidal de la entrada, la cual poseer

una serie de alteraciones provocadas por las
caractersticas del transistor dependiendo de
la zona de operacin en la que se encuentre
polarizado.
2) Para cul valor mnimo de VBE el transistor
cambia su estado a encendido?
Respuesta/.
Por debajo de los 0.5 voltios la corriente en el
colector es insignificantemente pequea casi
de cero amperios, mientras que en el intervalo que va entre 0.6 y 0.8 voltios se encuentra
la mayor parte de la gama de corrientes del
transistor en Ic dentro del cual puede considerarse al transistor como encendido, muy
similar al comportamiento del diodo del que
a su vez conserva las variaciones asociadas a
temperatura.
3) Qu regiones de operacin puede identificar
en los grficos?
Respuesta/.
Pueden ser observadas las 3 regiones de
operacin que son saturacin, activa directa
y ruptura, lo cual puede ser verificado en
la figura 9, cabe recalcar que alcanzar esta
ltima regin no es muy recomendable debido a que el transistor puede averiarse al
experimentar fenmenos como ruptura por
avalancha y/o perforacin
4) Qu puede concluir acerca del beta del transistor?
Respuesta/.
Beta representa la ganancia de corriente emisor comn, en algunos casos esta se considera
un valor fijo, sin embargo, cabe recalcar que
se encuentra influenciada por 3 factores de
los cuales solo uno es capaz de alterar el
apropiado funcionamiento de los montajes, el
ancho de la regin de base, el dopaje relativo
de las regin base-emisor y por ltimo la
temperatura lo cual obliga el uso de bases
especiales que permitan disipar la calor y evitar que se altere el proceso de amplificacin o
tambin en montajes que deban experimentar temperaturas limites debidas a disipacin
de potencia por ejemplo al tener que realizar
regulaciones de voltaje y/o corriente.

INFORME PRCTICA N. , 6 DE JUNIO DE 2015

VI. Conclusiones
El BJT no presenta problemas con la esttica
como se vio con el transistor MOSFET.
El transistor BJT presenta caractersticas
similares a las que se encuentran en el diodo,
que permite familiarizarse con l, de acuerdo
a lo conocido en el diodo.
El BJT es sensible a la temperatura como se
puede presentar en el diodo tambin.
Referencias

[1] Sedra S. Adel, Kenneth C. Smith, diodos, Circuitos

Microelectrnicos, 5ta Ed., Oxford University press, 2004,
consultado el 6 de junio de 2015.
[2] Donald A. Neamen, Microelectronics, circuit analysis and
design, Ideal Operational Amplifiers and Op-Amp circuits,
4ta Ed., McGraw-Hill, consultado el 6 de junio de 2015.
[3] National Semiconductor, LM3945/LM3046/LM3086
Transistor Arrays,diciembre 1994, consultado el 6 de junio
de 2015.