Diapositivas de Semiconductores

TEMA 1.
SEMICONDUCTORES
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
4.
Densidad de portadores en un semiconductor
5. Transporte de portadores en un semiconductor
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
1.1. SLIDOS CRISTALINOS
Slidos cristalinos
Una posible clasificacin de los

materiales atendiendo a su estructura
cristalina: cristalinos, policristalinos,
amorfos.
Los slidos cristalinos son agrupaciones

peridicas de una estructura base, que
por traslacin reproduce todo el material
cristalino.
Existen siete sistemas cristalinos
En particular nos va a interesar el

sistema cbico (centrado en las caras)
dado que es el sistema en el que
cristalizan la mayora de los materiales
slidos electrnicos.
http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
D. Pardo, et al. 1999
Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades elctricas
Los Semiconductores son materiales que poseen propiedades intermedias de

conduccin.
Los materiales semiconductores ms importantes son
Silicio
Germanio
GaAs
D. Pardo, et al. 1999
Ambos cristalizan en el sistema cbico con red centrada en las caras.
Para comprender mejor esta definicin es necesario recordar la clasificacin de los

elementos segn su capacidad de conduccin; en la naturaleza encontramos
materiales:
Conductores
Aislantes
Semiconductores
Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades

elctricas
Metales, semiconductores, aislantes
Pero cuales son las caractersticas fsicas

que diferencian a cada uno de ellos?.
Debemos ahondar un poco mas en el
estudio de la fsica de los componentes.
Los materiales que encontramos en
nuestro medio son la combinacin
ordenada o estructurada de una serie de
elementos conocidos como tomos
Estos se unen entre s para formar las
molculas y la unin de estas forma a la
vez los diferentes elementos de la
naturaleza.
Desde el punto de vista electrnico nos

interesa la CONDUCTIVIDAD elctrica del
material electrones libres que puedan ser
arrastrados por un campo elctrico (o
potencial) y contribuyan a una corriente
www.textoscientificos.com
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
1.2. SEMICONDUCTORES
Anlisis Fsico: La existencia de electrones libres (que puedan dar corriente) es

una cuestin energtica:
tomo aislado de H (nmero atmico 1)
Durante el estudio del tomo, muchos cientficos han tratado de explicar como esta formado y
ordenado este, existen muchas teoras algunas de las cuales se contradicen; se pueden citar
algunos modelos: Modelo Atmico de Dalton, Rutherford, Bohr y Schrdinger.
www.sc.ehu.es
colos.inf.um.es
Las energas discretas que puede tener el electrn son:
cte
En 2
n
http://www.quimicaweb.net
Semiconductores
http://www.politecnicocartagena.com
Silicio : Si
Descubridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ao : 1823
Etimologa : del latn silex
En estado puro tiene propiedades fsicas y qumicas parecidas a las del diamante.
El dixido de silicio (slice) [SiO2] se encuentra en la naturaleza en gran variedad de
formas: cuarzo, gata, jaspe, nice, esqueletos de animales marinos.
Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En estado muy puro y
con pequeas trazas de elementos como el boro, fsforo y arsnico constituye el material
bsico en la construccin de los chips de los ordenadores.
tomo aislado de Si
(nmero atmico 14)
Los dos primeros niveles (E1 y E2) acomodan: 2 y 8 electrones
Estos electrones estn ligados al tomo y no pueden ser perturbados
En el tercer nivel E3 restan 4 electrones Son los llamados electrones de

valencia Pueden ser fcilmente liberados de sus posiciones para formar
enlaces.
10
Los cristales de semiconductores estn formados por tomos donde los vecinos
ms cercanos estn enlazados de manera covalente (mas o menos polar).
Los materiales semiconductores ms importantes cristalizan en el sistema cbico con red

centrada en las caras:
GaAs: estructura
Zinc-Blenda
Si, Ge: estructura

diamante
http://www.esacademic.com
Cortesa de wie@acsu.buffalo.edu
Estos SC tienen en su ultimo orbital 4 electrones de valencia (que estn atrapados en los
enlaces).
Sin embargo, el electrn puede abandonar el enlace y pasar a ser electrn libre (mvil en el
cristal) y formar parte de una corriente si recibe energa
Trmica (ejemplos: 0 K, 300 K)
ptica
Elctrica
11
Los cristales de semiconductores Modelo de bandas de energa

Niveles electrnicos de un slido que es la unin de N tomos (N del orden de 2023)
Aparecen superpuestos los niveles de energa atmicos de los N tomos
Cada nivel se ensancha y forma una banda de valores discretos de energa
(aunque muy juntos) para contener los 4N electrones.
2 tomos de Si
1 tomo de Si
n=3
N tomos de Si
n=3
n=3
n=2
n=2
n=2
n=1
n=1
n=1
4N
electrones
Banda de
electrones de
Valencia
Electrones
8N
electrones
2N
electrones
12
Modelo de bandas de energa: Clasificacin
Las energas que tienen los electrones en el cristal son semejantes a las que tienen
en los tomos libres pero los electrones deben obedecer al principio de exclusin
de Pauli (no puede haber dos e- en el mismo estado cuntico)
En los slidos, debido a la interaccin entre los tomos que forman el cristal, aparece un
desdoblamiento de estados desdoblamiento de energas.
Cada nivel en el tomo forma una banda. Para la distancia intertomica de equilibrio pueden
las bandas estar
Solapadas METAL
Separadas (0.5-4 eV) SEMICONDUCTOR
Muy separadas (> 4eV) AISLANTE
Aparece un GAP de
energas no
permitidas: Eg
http://www.esacademic.com
13
Introduccin: conceptos bsicos
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
14
Cristal Semiconductor intrnseco:
A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones

a travs de sus bandas de energa
Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando

enlaces.
Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar

libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
Representacin
bidimensional de la
estructura cristalina
del Si
El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura

cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre (e-), pero
tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
15
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca

E
Banda de conduccin
nn=p
=p==nni i
Eg (Ge) 0,7 eV
Eg (Si) 1,1 eV
T=0K
Eg
Banda prohibida
T>0K
n: n electrones/m3
Banda de valencia
FFI-UPV.es
p: n electrones/m3
ni: densidad intrnseca
de portadores
16
En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y

de huecos son iguales:
T>0K
nn=p
=p==nni i
n: nmero de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conduccin
p: nmero de huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia
ni: concentracin intrnseca de portadores
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
T=300 K
GaAs
Si
Ge
ni (port./cm3)
1.8106
1.51010
2.41013
Eg: GAP (eV)
1.42
1.12
0.66
Conductividad
(-1 cm-1)
2.4 10-9
4.5 10-6
17
Estructura de un metal
+
+
+
+
+
+
++
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1023 e- libres/cm3
+
+
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
Estructura de un semiconductor
1013 e- libres/cm3
FFI-UPV.es
18
Dependencia con la Temperatura: Grfico ni = f(T)
ni f ( t )
-3
T>0K
Eg
3
AT 2 e 2kT
FFI-UPV.es
50
50
FFI-UPV.es
18
Concentracinintrnseca(10
intrnseca(1018 mm-3) )
Concentracin
40
40
3
Eg
Eg
23
2
AT e
2 kT
2kT
Ge
Ge
30
30
nni AT e
i
20
20
10
10
00
250
250
SiSi
275
275
300
300
325
325
350
350
375
375
400
400
TT(K)
(K)
19
Semiconductor Intrnseco:
Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro contiene

una cantidad insignificante de tomos de impurezas. En l se cumple: n =p = n
n =p = ni
Semiconductor Extrnseco:
En la prctica nos interesa controlar la concentracin de portadores en un

semiconductor (n o p).
De este modo se pueden modificar las propiedades elctricas: conductividad
Para ello se procede al proceso de DOPADO:
Un pequeo porcentaje de tomos del SC intrnseco se sustituye por tomos de otro

elemento (impurezas o dopantes).
Estas impurezas sustituyen a los tomos de Silicio en el cristal formando enlaces.
De este modo podemos
Favorecer la aparicin de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p)

Favorecer la aparicin de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).
20
Caso particular del Silicio
Material extrnseco Tipo n:
Se ha dopado con elementos pentavalentes

(As, P o Sb) que tienen 5 electrones en la
ltima capa: IMPUREZA DONADORA.
Al formarse la estructura cristalina, el quinto

electrn no estar ligado en ningn enlace
covalente.
Con muy poca energa (slo la trmica, 300 K)

el 5 electrn se separa del tomo y pasa la
banda de conduccin.
La impureza fija en el espacio quedar
IONIZADA (cargada positivamente)
En un semiconductor tipo n, los dopantes contribuyen a la

existencia extra de electrones, lo cul aumenta
enormemente la conductividad debida a electrones .
http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
nn >>p
>>p
21
Material extrnseco Tipo P:
Cuando se sustituye un tomo de Si por un

tomo como (Boro, Galio) que tienen 3
electrones en la ltima capa: IMPUREZA
ACEPTADORA.
Al formarse el cristal, los tres electrones forman

el enlace covalente con los tomos de Si, pero
queda un hueco (un enlace vacante).
A ese hueco se pueden mover otros electrones

que dejarn a su vez otros huecos en la Banda de
Valencia.
La impureza fija en el espacio quedar cargada
negativamente
En un semiconductor tipo p, los dopantes contribuyen a la

existencia extra de huecos sin haber electrones en la banda
de conduccin.
pp >>n
>>n
22
Donadores y aceptadores para el Si

1
He
1,008
4,003
10
Li
Be
Ne
6,941
9,012
10,811
12,011
14,007
15,999
18,998
20,183
11
12
13
14
15
16
17
18
Na
Mg
Al
Si
Cl
Ar
22,990
24,305
26,982
28,086
30,974
32,064
35,453
39,948
19
20
30
31
32
33
34
35
36
Ca
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
39,10
40,08
65,37
69,72
72,59
74,92
78,96
79,91
83,80
37
38
Rb
Sr
85,47
87,62
55
56
Cs
Ba
132,91
137,33
...
...
...
48
49
50
51
52
53
54
Cd
In
Sn
Sb
Te
Xe
112,40
114,82
118,89
121,75
127,60
126,90
131,30
80
81
82
83
84
85
86
Hg
Tl
Pb
Bi
Po
At
Rn
200,59
204,37
207,19
208,98
(210)
(210)
(222)
FFI-UPV.es
23
Resumiendo, semiconductores extrnsecos
Material extrnseco Tipo N:
Sb
+
Impurezas del grupo V de la tabla peridica.

Con muy poca energa se ionizan (pierden
un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un

semiconductor tipo N son Electrones libres
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Impurezas grupo V
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Electrones libres
300K
Sb
+
Sb
+
Sb
+
tomos de impurezas ionizados

Material extrnseco Tipo P
Al
-
Impurezas del grupo III de la tabla peridica

A T=300 K todos los tomos de impureza
han captado un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un

semiconductor tipo P son Huecos: Actan como
portadores de carga positiva.
Al
-
Al
-
Huecos libres
Al
-
Al
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
300K
tomos de impurezas ioniza

24
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
25
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Ley de accin de masas
En un semiconductor tanto intrnseco como extrnseco, se cumple:

2
np
np==nni i2
n: nmero de e- /volumen
p: nmero de h+ /volumen
ni: concentracin intrnseca
A una Temperatura dada: el producto de las densidades de los dos tipos de

portadores e mantiene constante
En un semiconductor extrnseco, el incremento de un tipo de portador tiende a reducir el

otro.
Ley de cuasi-neutralidad elctrica (general)
NNAA+n
+n==NNDD+p
+p
Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas
NA: densidad de impurezas aceptadoras

ND: densidad de impurezas donadoras
26
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Leyes de accin de masas y de cuasi-neutralidad elctrica. Casos particulares
NNAA+n
+n==NNDD+p
+p
2
np
np==nni i2
NA: dens. iimpurezas aceptadoras

ND: dens. impurezas donadoras
Semiconductor intrnseco:
NA = ND = 0 p = n = ni
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
ni2
NA = 0; n ND p
ND
2
n
ND = 0; p NA n i
NA
27
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
28
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
El movimiento de electrones y huecos (partculas cargadas) da lugar a

una corriente.
Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrnicos

Que a su vez controlan la corriente en la malla en la que estn situados.
Veamos los diferentes fenmenos a los que estn expuestos los

portadores:
Movimiento aleatorio trmico
Arrastre o desplazamiento
Difusin
29
Movimiento aleatorio trmico
En equilibrio trmico, los portadores dentro del semiconductor estn siempre en

movimiento trmico aleatorio.
La mecnica estadstica nos dice que: un portador a una temperatura T tiene una
energa trmica media de 3KBT/2
Esta energa trmica le sirve para moverse (convertirla en energa cintica) a una
velocidad trmica : vth
m*: masa efectiva del portador
KB: Constante de Boltzmann
1 * 2 3
m vth K B T
2
2
KBT (300K): 0.026 eV
El portador se mueve rpidamente dentro del cristal en

todas las direcciones alternando recorridos libres y
colisiones con los tomos de la red.
En equilibro trmico y sin campo elctrico aplicado

(E=0), el movimiento de todos los portadores se cancela
y la corriente media en cualquier direccin es nula.
Albella. J. M. et al, 1996
30
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva
Movimiento de los portadores
Cuando se aplica E: los portadores sufren una
fuerza igual a :
F= - e E para electrones (acelerados en sentido
opuesto al campo)
Albella. J. M. et al, 1996
F= e E para huecos (acelerados en el sentido
del campo)
Movimiento de un electrn
bajo la accin de un E
Estas fuerzas proporcionan una aceleracin (2 ley de Newton) una velocidad

media neta que se puede escribir (estadsticamente, en media)
e p
vdp
E pE
*
mp
e
vdn *n E n E
mn
mn*: masa efectiva de electrones
n: tiempo medio entre choques

n: movilidad de electrones
Los valores: m*, , son propios de cada tipo

de portador y del semiconductor.
En general mp*> mn*, y n=p vdn>vdp
31
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (II)
Clculo de las corrientes de arrastre
Consideramos un pedazo de semiconductor homogneo de rea A transversal y

longitud L.
Eext
vp = pE
vn = -nE
L
FFI-UPV.es
Semiconductor tipo N homogneo:
La corriente elctrica (n de portadores que atraviesan una superficie por unidad de tiempo) es:
I n e A n vdn e A n n E
32
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (III)
Semiconductor tipo N homogneo, en el que se cumple:
El campo elctrico es constante y depende de
la diferencia de potencial externo aplicado entre extremos:
La resistencia de la muestra est relacionada con su

conductividad/resistividad:
E V
Rn n
L 1 L
A n A
Sustituyendo en la ecuacin anterior, obtenemos que en un semiconductor se cumple la Ley

de OHM:
I n e A n n
V
V V
A n
L
L Rn
Siendo la conductividad del semiconductor debida a los electrones
n e n n
33
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (IV)
De manera anloga en un semiconductor tipo P homogneo:
V
I p e A p vdp e A p p E e A p p
L
La corriente de arrastre de huecos:
De nuevo, la resistencia de la muestra est relacionada

con su conductividad/resistividad:
Sustituyendo obtenemos :
Ip e A p p
Rp p
V V
V
A p
L Rp
L
1 L
L
A p A
con:
p e p p
34
Corrientes de deriva/arrastre/desplazamiento en SC
En un semiconductor con ambos tipos de portadores:
I I n I p A ( n p )
V
L
I
V
( n p )
A
L
J ( n p ) E T E
Extrnsecos
Intrnsecos
p = n = ni
FFI-UPV.es
.
n >> p
qnn
p >> n
qpp
= e(nn + pp)
= e ni(n + p)
www.textoscientificos.com
ni f ( t )
Eg
3
AT 2 e 2kT
35
Fenmenos de difusin (I)
La difusin ocurre como consecuencia de la no-homogeneidad de concentracin

los portadores se difunden desde donde la concentracin es mas alta hacia donde
es ms baja.
dn
n
dx
n = 0
FFI-UPV.es
Cmo son partculas cargadas este movimiento da lugar a corrientes de difusin:

obedecen a la Ley de Fick:
F D
dN
dx
D: coeficiente de difusin
N: concentracin de portadores
36
Fenmenos de difusin (II)
Las corrientes de difusin de electrones y de huecos, se pueden calcular partiendo

del flujo como:
dn
I n eAF e A Dn
Dn: coeficiente de difuson de electrones
dx
dp
I p eAF e A D p
Dp: coeficiente de difuson de huecos
dx
Los signos indican que la corriente de difusin de huecos es opuesta a su gradiente.
Corrientes TOTALES (arrastre+ difusin)
La corriente total en un semiconductor en general (con ambos tipos de portadores)

debe obtenerse por la suma de las componentes de arrastre ms las de difusin de
ambos tipos de portadores:
dn
I n e A n n E Dn
dx
I In I p
dn

I p e A n n E Dn
dx
Mara Jess Martn
Martnez
: mjmm@usal.es
37
Fenmenos de generacin-recombinacin (g-r) (I)
En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen

una energa trmica:
Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un

hueco en la BV Se genera un par e-h: fenmeno de generacin.
Gth=2
Gth
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G th

(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.
Tambin un electrn de la BC puede pasar a la BV (desaparece un

par electrn-hueco) fenmeno de recombinacin.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : R th
(nmero de pares recombinados por unidad de volumen y de tiempo)
n0
Rth=1
Rth
Es importante resaltar como en equilibrio, ambos fenmenos se

compensan:
RRth ==GGth
th
th
nn0pp0 ==nni22
0 0
i
p0
FFI-UPV.es
(de manera que se mantiene la validez de la ley de accin de masas). Siendo n0 y p0 son
las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en equilibrio.
38
Fenmenos de g-r (II)
En situaciones de NO equilibrio trmico:
luz
EJEMPLO INYECCION OPTICA
Hacemos incidir sobre el SC un rayo de luz cuya

energa es igual o superior que el GAP del material.
==hh>>GAP
GAPSC
SC
h: Cte de planck: 4.14 10-15 eV s

: frecuencia de la radiacin
Si la energa de los fotones es absorbida por un
electrn de la BV que pasa a la BC se produce el

fenmeno ADICIONAL de generacin llamado
FOTO-generacin aumento de la
cantidad de portadores (tanto electrones como huecos)
Este fenmenos es la base de los fotodetectores:

La consecuencia es que tiene lugar un aumento de
la conductividad que depende de la iluminacin
FOTO-CONDUCTIVIDAD.
A
Fotoconductividad del Si
GAPSC
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
FFI-UPV.es
39
Fenmenos de g-r (III)
Luz
En situaciones de NO equilibrio trmico: Inyeccin ptica
Tenemos una nueva componente g-r : FOTOGENERACION

h >GAPSC
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G L

(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.
GL
Ahora el nmero de electrones y de huecos en las bandas de valencia

y conduccin ser:
FFI-UPV.es
n=n0+ n
p=p0+ p
= e(n n+p p) = 0+
Aumento de conductividad
debido a la iluminacin
FFI-UPV.es
De manera que ahora ya no se cumple la ley de accin de masas.
Debido a esa generacin extra los g-r intentarn reestablecer el

equilibrio: aumentarn los fenmenos de recombinacin:
RECOMBINACION RADIATIVA: U Al final habr una densidad
estacionaria de portadores (diferente de equlibrio).
2
np
np>>nni i2
40
Fenmenos de g-r (III)
De modo, que en total, bajo situaciones de NO equilibrio trmico:
EJEMPLO de Inyeccin ptica
El nmero de portadores generados GLOBAL por foto-conductividad se puede expresar como:
n = GL
p= GL
GL: nmero de portadores que se generan/ (m3 s)

: tiempo de vida media por recombinacin (s)
Finalmente, debemos considerar las 4 componentes mencionadas
Luz
h >GAPSC
GL
Gth
Rth
FFI-UPV.es
41
Agradecimientos
Jose Antonio Gomez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica.

Universidad Politcnica de Valencia.
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica.Universidad
de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.
Albella J. M, y Martnez-Duart, J.M. Fundamentos de electrnica fsica y
microelectrnica. Ed. Addison Wesley/UA Madrid, 1996
http://www.textoscientificos.com/imagenes/quimica/variacion-conductividad.gif
http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 (Fisica del estado slido).
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/67/Celdi1.PNG
http://www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt
http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
http://colos.inf.um.es/carmfisica/FisicaCurricu/GO_AtomoSchrodinger.html
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica_/cuantica/principios/caja/atomo_bohr2.gif
http://www.quimicaweb.net/grupo_trabajo_fyq3/tema4/imagenes/Bohratommodel.png
42

Diapositivas de Semiconductores

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Diapositivas de Semiconductores

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TEMA 1.

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Densidad de portadores en un semiconductor

5. Transporte de portadores en un semiconductor

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

1.1. SLIDOS CRISTALINOS

Una posible clasificacin de los

Los slidos cristalinos son agrupaciones

Existen siete sistemas cristalinos

En particular nos va a interesar el

D. Pardo, et al. 1999

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

1.1. SLIDOS CRISTALINOS

Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades elctricas

Los Semiconductores son materiales que poseen propiedades intermedias de

D. Pardo, et al. 1999

Ambos cristalizan en el sistema cbico con red centrada en las caras.

Para comprender mejor esta definicin es necesario recordar la clasificacin de los

1.1. SLIDOS CRISTALINOS

Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades

Metales, semiconductores, aislantes

Pero cuales son las caractersticas fsicas

Desde el punto de vista electrnico nos

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Densidad de portadores en un semiconductor

5. Transporte de portadores en un semiconductor

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Anlisis Fsico: La existencia de electrones libres (que puedan dar corriente) es

tomo aislado de H (nmero atmico 1)

Las energas discretas que puede tener el electrn son:

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Los dos primeros niveles (E1 y E2) acomodan: 2 y 8 electrones

Estos electrones estn ligados al tomo y no pueden ser perturbados

En el tercer nivel E3 restan 4 electrones Son los llamados electrones de

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Los materiales semiconductores ms importantes cristalizan en el sistema cbico con red

Si, Ge: estructura

Trmica (ejemplos: 0 K, 300 K)

Los cristales de semiconductores Modelo de bandas de energa

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Modelo de bandas de energa: Clasificacin

Separadas (0.5-4 eV) SEMICONDUCTOR

Muy separadas (> 4eV) AISLANTE

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Densidad de portadores en un semiconductor

5. Transporte de portadores en un semiconductor

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Cristal Semiconductor intrnseco:

A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones

Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando

Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar

El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura

Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca

En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y

Eg: GAP (eV)