UNIDAD 1

UJT

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

TRANSISTORES UNIUNIN UJT

A continuacin examinaremos un importante miembro de la familia de los tiristores, conocido como TRANSISTOR
UNIUNIN (UJT) o tambin como transistor de doble base o bibase. El transistor uniunin es en realidad un tipo
especial de transistor que se usa como un interruptor electrnico y no como dispositivo amplificador. Adems
puede usarse para generar formas de onda repetitivas que pueden servir para ejecutar muchas funciones tiles
en circuitos electrnicos.
Examinaremos ahora las caractersticas fsicas y elctricas del transistor UJT bsico y veremos como se usa
como interruptor electrnico y generador de forma de onda.
CONSTRUCCIN BSICA
Como lo indica su nombre, el transistor uniunin solo tiene una unin de material semiconductor. El dispositivo
consiste bsicamente en un bloque o barra de material semiconductor tipo N que tiene un pequeo granulo de
material tipo P fusionado en su estructura, como se muestra en la figura 1. A cada extremo de la barra de tipo N
se suelda una terminal, como se muestra y estas dos terminales se llaman base 1 y base 2. Se suelda asimismo
otra terminal al granulo de tipo P, a la cual se denomina emisor. Estas terminales se designan comnmente B1, B2
y E como se indica.

Figura 1
La barra de tipo N esta levemente dopada y por eso tiene pocos portadores mayoritarios que puedan soportar la
circulacin de corriente. Esto significa que la resistencia entre las terminales de base 1 y base 2 es bastante
elevada. La mayora de los transistores uniunin muestran una resistencia entre sus bases que esta comprendida
aproximadamente entre 5 y 9 k.
La zona en la cual se encuentran el granulo del tipo P y la barra del tipo N formando la unin PN tiene
caractersticas similares a las de un diodo de unin PN. Por eso, podemos representar el transistor uniunin por
el circuito equivalente. Este circuito equivalente consta de dos resistencias y un diodo que tiene el extremo del
ctodo conectado entre las resistencias. El funcionamiento del transistor uniunin es mucho ms fcil de
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comprender cuando se usa este circuito equivalente (figura 2) en lugar de la estructura bsica dibujada en la
figura 1.
Base 2

rB2
Emisor

rB1

Base 1

figura 2
El smbolo que se emplea comnmente en los esquemas para representar el transistor uniunin se indica en la
figura 3. La flecha en la terminal del emisor apunta hacia dentro para indicar que el transistor tiene un emisor del
tipo P.

B2
E

B1
Figura 3

FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento de un transistor UJT resulta mas aparente cuando se analiza su circuito equivalente. La figura
2 muestra que el circuito equivalente del transistor uniunin est polarizado en condiciones normales. Obsrvese
que hay conectada una fuente de tensin externa entre las terminales de la base 1 y la base 2, de manera que la
base 2 sea positiva con respecto a la base 1. Se conecto otra fuente de tensin externa entre las terminales del
emisor a base 1 de manera que el emisor sea positivo con respecto a la base 1. Entre el lado positivo de la fuente
y la terminal de emisor se intercala una resistencia. Est resistencia sirve nicamente para limitar a un nivel
seguro la intensidad de la corriente que pasa por el emisor.

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Si la tensin de la fuente no es lo bastante alta para polarizar el sentido directo del diodo del circuito equivalente,
las dos resistencias intercaladas en el circuito equivalente solo dejarn pasar una corriente pequea entre las
terminales de base 1 y de base 2. Esto significa que la tensin de VBB se distribuye sobre rB1 y rB2. La relacin
de la tensin entre los extremos de rB1 y la tensin de alimentacin se conoce como relacin de conductividad
intrnseca y se representa por la letra griega (eta). Esta relacin puede expresarse matemticamente as:
Relacin de conductividad intrnseca () = VB1/VBB
Puesto que la cada de tensin que se produce en rB1 y rB2 es proporcional a los valores de sus resistencias, la
relacin de conductividad intrnseca tambin es igual al cociente de r B1 dividido por la resistencia total entre las
terminales B1 y B2 (rB1+rB2). Esto puede expresarse matemticamente como:
= rB1/rB1+rB2
Esta ltima ecuacin muestra que la relacin de conductividad intrnseca viene determinada bsicamente por las
dos resistencias internas. Su valor viene determinado, por tanto por la construccin fsica del dispositivo y no
puede regularse variando VBB VS. La relacin de conductividad intrnseca se especifica para cada tipo de
transistor uniunin que se hace y los valores tpicos oscilan desde aproximadamente 0.5 hasta 0.8. Conociendo
la relacin de conductividad intrnseca de un transistor determinado, puede constatarse la tensin existente entre
los extremos de rB1 correspondientes a cualquier valor dado de la tensin aplicada. Puede hacerse el clculo
transponiendo simplemente la primera ecuacin indicada anteriormente, con lo que se obtiene:

VB1 = VBB
Esta ecuacin afirma simplemente que la tensin entre sus extremos de rB1 es igual a la relacin de conductividad
intrnseca multiplicada por VBB. Por ejemplo si un transistor UJT tiene una relacin de conductividad intrnseca de
0.5 y si somete a una tensin VBB de 20 V la tensin en los extremos de rB1 ser igual a 0.5 x 20 = 10V.
El transistor UJT funciona de la forma que se acaba de describir mientras VS no sea lo bastante alta para
polarizar el diodo den sentido directo y hacerlo conducir. Sin embargo, el transistor mostrar unas caractersticas
bastante distintas cuando VS sea lo bastante elevada para polarizar el diodo en sentido directo. Para que ocurra
esto es preciso que VS aumente hasta que la tensin que aparezca entre las terminales del emisor y base1 sea
ms alta que la que hay en los extremos de la resistencia de base1 y la tensin requerida para poner el diodo en
estado de conduccin que es aproximadamente 0.7V. En otras palabras la tensin en los extremos de la
resistencia de base1 hace que el diodo se polarice en sentido inverso y esta tensin tiene que cancelarse por
completo por la tensin de entrada en oposicin a aquella. Entonces la tensin de entrada tiene que aumentar en
un valor adicional de 0.7V por encima de VB1 para que el diodo se polarice en sentido directo por una tensin que
sea lo bastante alta para hacerlo conducir.
El valor de la tensin requerido de entrada para producir el encendido del diodo se llama tensin de pico y se
designa generalmente Vp. El valor de Vp viene determinado por la tensin de alimentacin, la relacin de
conductividad intrnseca y la tensin que se precisa para poner el diodo en estado de conduccin. Esta relacin
puede mostrarse matemticamente como sigue:
Tensin pico Vp= VBB + Vd

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Esta ecuacin afirma simplemente que Vp es igual al producto de la relacin de conductividad intrnseca por la
tensin de alimentacin ms la tensin requerida para hacer conducir el diodo.
Generalmente los fabricantes no indican el valor Vp correspondiente a un transistor UJT particular ya que vara
con la tensin VBB por ejemplo si un transistor tiene una de 0.6 y una VBB de 10V su tensin de pico ser:
Vp = (0.6)(10)+0.7
Vp = 6+0.7
Vp = 6.7V
Esto significa que el diodo conducir cuando la tensin de entrada llegue a 6.7V:
Hasta alcanzarse el valor Vp el diodo conduce solo una corriente inversa muy pequea que circula por la terminal
de emisor. Sin embargo, cuando se alcanza el valor Vp, el diodo cambia al estado de conduccin y deja pasar
corriente en sentido directo por su unin PN y por la terminal del emisor. Esta corriente se produce debido a que
el diodo se disparo, pero tambin tiene lugar otra accin adicional. Al empezar a circular la corriente en el sentido
directo, se inyectan muchos portadores de carga en la barra de tipo N levemente dopada y son barridos hacia la
terminal de base 1 que es negativa con respecto al emisor. Esta corriente de portadores de carga hace aumentar
la conductividad de la barra entre el emisor y b1 que desde luego significa que luego se reduce la resistencia de
base1.
Esta resistencia menor hace que la corriente aumente aun ms y se inyectan ms portadores de carga de la
barra, lo que a su vez hace descender an ms el valor de la resistencia de base1. Esto a su vez hace aumentar
la corriente aun ms. Esta accin es acumulativa y empieza a producirse cuando se alcanza el valor Vp. Llegado
ese momento se dice que el transistor UJT ha sido encendido o disparado y est en estado de conduccin.

Vs

Figura 4
Si se hace aumentar mas la tensin de alimentacin la accin acumulativa que se acaba de describir resulta aun
mas aparente. Al aumentar VS aumenta IE rpidamente debido a la disminucin de la resistencia de base 1.
Adems esta disminucin del valor de resistencia 1 hace que la cada de tensin de entrada que aparece entre
las terminales de emisor y base 1, disminuya aun cuando aumente del valor la corriente de entrada. El transistor
UJT muestra, pues una caracterstica de resistencia negativa despus de ser disparado.
Si se aumenta aun ms el valor de VS, IE continuar aumentando pero acaba llegndose a un punto en que la
tensin de entrada deja de disminuir y en realidad empieza a aumentar levemente. Este punto marca el fin de la
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regin de resistencia negativa. Mas all de este punto un aumento de I E se ve acompaado de un ligero aumento
de VE.
Hasta aqu solo hemos considerado la accin que tiene lugar entre las terminales de emisor y base1 cuando
enciende el UJT. Hemos visto que la resistencia de base 1 disminuye pero es importante recordar que la
resistencia de base 2 tambin disminuye en cierta cantidad, pues algunos de los portadores de carga inyectados
entran en esa porcin de la barra de tipo N. sin embargo, la disminucin del valor de la resistencia de base 2 es
pequea en comparacin con la de base 1.
Significa esto que la resistencia total de la barra se reduce una vez que el transistor enciende y esto trae consigo
un aumento de la corriente que pasa por estas dos resistencias y la fuente de tensin. Sin embargo la resistencia
de base 2 no disminuye mucho, y por eso deja que la corriente aumente hasta un valor elevado.
La accin mas importante tiene lugar entre las terminales de emisor y base 1. Es precisamente esta parte del
transistor la que proporciona las caractersticas ms tiles. Las dos caractersticas ms importantes son la
facultad de pasar al estado de conduccin al alcanzarse un valor especfico de Vp, y la caracterstica de
resistencia negativa que tiene lugar durante cierto periodo de tiempo despus de haber encendido el UJT.

CARACTERSTICAS V-I
La accin que tiene lugar entre las terminales de emisor y base 1 de un transistor UJT se muestra grficamente a
continuacin. La curva de esta figura muestra la relacin entre la corriente que circula por emisor de un transistor
uniunin tpico y la tensin que aparece entre sus terminales de emisor y base1. Podra trazarse una curva como
esta empleando un circuito como el ilustrado en la figura 4. Podran observarse los valores de VE y IE mientras se
hace variar VS entre amplios lmites.

Figura 5
La figura 5 muestra que cuando VE es igual a cero circula por la terminal de emisor una pequea corriente
negativa. Se trata de una corriente de prdida de pequea intensidad que circula de izquierda a derecha a travs
de diodos debido a la tensin relativamente grande en los extremos de la resistencia de base 1. Al aumentar VE se
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opone a VB1 y la corriente de prdida disminuye. Cuando VE es igual a VB1 la corriente se reduce a cero y todo
aumento interior de VE da lugar a que circule una corriente positiva de pico, se considera que el transistor esta en
el estado de conduccin. La corriente que circula en ese momento se llama corriente de pico y se designa Ip
como se muestra en la figura 5.
Sobrepasndose el punto Vp, VE disminuye al aumentar IE lo que da al dispositivo una caracterstica de
resistencia negativa. Esta resistencia negativa contina hasta que V E empieza de nuevo. El punto en que VE
alcanza su valor mnimo y empieza a aumentar se denomina la tensin de valle y se designa Vv. La corriente que
circula en ese momento se denomina corriente de valle o Iv. Mas all de l punto Vv, V E aumenta levemente al
aumentar IE y el transistor ya no muestra una resistencia negativa.
APLICACIONES DEL TRANSISTOR UNIUNIN
La caracterstica de resistencia negativa del transistor UJT hace que sea til para generar seales repetitivas. En
la figura 6 se muestra un circuito que se emplea comnmente para este fin. Este circuito se llama comnmente
oscilador de relajacin y es capaz de generar dos tipos de formas de ondas que pueden usarse en una diversidad
de aplicaciones
+VBB

R1
VE
VR2
CE

R2

Figura 6

Cuando se energiza el circuito el condensador se carga por la resistencia 1. Cuando la tensin entre los extremos
del condensador alcanza el valor Vp del transistor, este enciende y la resistencia entre las terminales de emisor y
base1 disminuye. Esto permite al condensador descargarse por el transistor y la resistencia 2. La tensin en el
condensador desciende rpidamente al valor Vv del transistor, y esto hace que el transistor cese de conducir o se
bloquee. Al apagarse el transistor, el condensador empieza a cargarse de nuevo y contina as hasta volver a
alcanzarse el valor Vp. Esto pone en estado de conduccin entre el transistor con lo que el condensador puede
descargarse hasta alcanzarse la tensin Vp y descendiendo rpidamente a Vv. La tensin aparece entre las
terminales de emisor y base1 del transistor flucta como se muestra en la figura 7. Obsrvese que esta tensin
sigue la forma de dientes de cierra y que despus del encendido inicial vara nicamente entre Vv y Vp.
Cada vez que se descarga el condensador es forzado el paso momentneo de corriente por R2. Estos impulsos
momentneos de corriente hacen que la tensin presente en la resistencia dos flucte correspondientemente en
forma de impulsos. Estos impulsos momentneos de tensin se muestran en la figura 7. Obsrvese que los
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impulsos son muy estrechos o agudos y que se produce un impuso cada vez que se descarga el condensador.
Se notar tambin que la tensin nunca desciende por completo hasta cero. Siempre se producir una pequea
cada de tensin entre los extremos de la resistencia dos debido a circular una corriente de poca intensidad por el
transistor aun cuando el dispositivo este en el estado bloqueado.

VR2

10s

Figura 7
El nmero de seales completas de diente de sierra o impulsos que se producen en cada segundo puede
variarse ajustando la resistencia 1. Si la resistencia 1 disminuye, el condensador se cargar ms rpidamente y el
circuito funcionar a una frecuencia ms alta. Cuando R1 aumenta de valor, el condensador tarda mas en
cargarse en Vp y la frecuencia disminuye. Tambin puede variarse la frecuencia sustituyendo el valor por otro
ms grande o ms pequeo. Un condensador ms grande se carga ms despacio, mientras que un condensador
ms pequeo se carga ms rpidamente.
Las formas de diente de sierra e impulsos producidos por el oscilador de relajacin pueden usarse para realizar
diversas funciones en circuitos electrnicos. Pero el transistor UJT tambin se usa en aplicaciones en las que no
haga falta que oscile continuamente. Por ejemplo, el transistor UJT puede funcionar como un elemento biestable
y conmutarse del estado de conduccin al estado de bloqueo, o viceversa, al recibir una seal de entrada
apropiada. El dispositivo puede usarse tambin como un divisor de frecuencia. Otra importante aplicacin es su
uso como dispositivo disparador. El transistor UJT es capaz de producir impulsos de corriente que se prestan
idneamente para disparar el SCR. En efecto el transistor UJT podra usarse para disparar el SCR del circuito de
control de semi-onda. En otras palabras, la tensin en los extremos del condensador podra servir para disparar el
transistor UJT y este a su vez podra generar los impulsos de disparo necesarios para encender el tiristor en el
momento oportuno Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales. El UJT se usa
frecuentemente como dispositivo de disparo para SCRs- y TRIACs., otras aplicaciones incluyen osciladores no
senoides, como generadores de dientes de sierra, control de fase, circuitos de sincronizacin

Funcionamiento UJT

Cuando el emisor y base 1, VEB1 es menor que cierto valor denominado voltaje de pico Vp el UJT esta cortado y
no puede fluir corriente del emisor a base1 ( IE = o) pues la unin esta polarizada inversamente
Vp < Vb1 + Vp
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El valor de voltaje del emisor que origina que la unin pn se polarizan en forma directa se denomina como VP
Cuando VEB1 sobrepasa a VP en la pequea cantidad el UJT se dispara o conduce. esto es la unin se polariza en
forma directa, principia a fluir IE cuando esto sucede. el circuito emisor a base es prcticamente un circuito en
corto y la corriente fluye instantneamente de una terminal o otra
Las mayora de los circuitos con UJT el pulso de corriente de emisor a base es de corta duracin , y el UJT
rpidamente regresa al estado de corte el valor del voltaje pico del UJT viene dado como
Vp = Vbb + Vpn

Vp = Vbb + 0.7v

Despus de pasar a encendido del UJT opera en una regin de resistencia negativa hasta cierto valor de I E
como se muestra en la curva caracterizada siguiente

Como puede verse despus del punto pico (VE = VP. IE = Ip) el voltaje VE decrece mientras lE continua creciendo,
produciendo as la caracterstica de resistencia negativa mas all de punto de valle (V E = VV, IE = lV) el dispositivo
esta saturado y VE crece un poco al crecer IE.
El mecanismo por el cual el UJT se dispara, se muestra en la curva caracterstica.Como el voltaje del emisor VE
alcanza el voltaje pico VP, comienza o fluir una pequea corriente, el UJT cae bruscamente a un pequeo voltaje
ente las terminales de emisor base, a este pequeo voltaje se le denomina voltaje de valle VV
Esta cada brusca ocurre debido al drstico crecimiento del numero de portales de carga disponible en la regin
de b1 cuando la corriente del emisor comienza a fluir haca el cuerpo del dispositivo.
Visto de fuera parece como si rb1 se cae casi a cero ohms en un tiempo muy pequeo
Cuando rb1 cae a un valor cercano a cero el circuito emisor base permite que un condensador extremo vaci
su carga a travs de un dispositivo. Dado que rb1 mantiene su valor original durante ese periodo no se produce
una corriente instantnea grande proveniente de la fuente b2 hacia b1 .
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Oscilador de relajacin
Este tipo de circuito es tambin bsico en otros circuitos de disparo y sincronizacin
+VBB

R1
VE
VR2
CE

R2

Funcionamiento
Cuando se aplica la alimentacin, el capacitor se carga a travs de R1, hasta que alcanza el voltaje de pico VP en
este punto la unin se polariza en forma directa y al caracterstica del emisor pasa a regin de resistencia
negativa (VE decrece, IE crece).
El capacitor se descarga enseguida y rpidamente a travs de la unin polarizada en forma directa (rb y R 2).
Cuando el voltaje del capacitor desciende hasta el voltaje del punto valle V V, el UJT se apaga, el capacitor
principal se descarga nuevamente y el ciclo se repite, se muestra de onda del voltaje del emisor.
Durante el tiempo que se descarga el capacitor, el UJT conduce, por lo consiguiente se desarrolla un voltaje en
R2 como se indica en la figura

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Condiciones de encendido y apagado

En el oscilador de relajacin se deben cumplir ciertas condiciones para el UJT se encienda y se apague
confiablemente.
En primer lugar R1 no debe limitar a IE en el punto pico, en menos de IP.para ello la cada de voltaje de R1 en el
punto pico debe ser mayor que IPR1.
La condicin para encender es
VBB VP > IP R1

R1 < (VBB VP) / IP

Para asegurar el apagado del UJT en el punto valle, R 1 debe ser suficientemente grande para que IE (en el punto
valle) pueda decrecer abajo del valor especifico para Iv. Esto significa que el voltaje en R1 en el punto valle debe
ser menor que IvR1
As la condicin de apagado es
VBB VV < IV R1

R1 > (vBB - VV) / lv.

De este modo para un encendido y apagado apropiado R1 queda adentro del rango
(VBB VP) / IP > R1 > (VBB - Vv) / lv
Para determinar cual es el valor CE que se debe utilizar, depende la frecuencia de oscilacin que esta dada por
f = 1/t, donde t = R1CE (f = frecuencia, t = tiempo).

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