Universidad Nacional De Colombia - Sede Bogota

Facultad De Ingeniera
ctrica Y Electro
nica
Departamento De Ingeniera Ele

nica Ana
loga-II
Electro
2016-III

Fuentes de Corriente BJT y Mosfet

1.

Objetivo General

Dise
nar e implementar distintas topologas de fuentes de corriente con transistores tipo BJT y Mosfet para medir sus
caractersticas elctricas.

2.

Materiales
Transistor BJT LM3086-LM3046.
Transistor MOSFET CD4007.
Resistencias.
Protoboard.

3.
3.1.

Pr
actica
Fuente de Corriente con Z
ener

En la primera seccion de la practica se implementara una fuente de corriente cuyos principales componentes son
dos dispositivos discretos: el transistor bipolar y el diodo zener.
3.1.1.

Trabajo Previo

Deberan dise
nar una fuente de corriente con un diodo zener y un transistor. El diodo zener debe ser cuidadosamente
seleccionado, y su punto de polarizacion debera ser fijado para que circule una corriente de aproximadamente el 20 %
de la corriente maxima que pueda soportar el dispositivo. Consideren en el dise
no la corriente que pueda estar tomando
la base del transistor. Recuerden que los valores de las resistencias de dise
no se deben normalizar al seriado E24 al
5 %.
En la hoja de datos del transistor 2N 2222A encontraran el valor del beta de dicho transistor as como datos acerca
del voltaje de saturacion a diversos valores de la corriente de colector. Esta informacion es clave para calcular cual es
el valor maximo que puede tener la resistencia de carga RL .
3.1.2.

Durante la pr
actica

Lleven al laboratorio 10 resistencias normalizadas comprendidas entre 100 hasta un valor superior al maximo de
la resistencia de carga, que de acuerdo a sus calculos llevara al transistor fuera de su operacion en region activa directa.
Mdanlas cuidadosamente y anoten esos valores. Con base en sus medidas, construyan una grafica de la corriente de
salida de la fuente en funcion de la resistencia de carga.


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3.2.

nica Ana
loga-II
Electro
2016-III

Espejos de Corriente BJT

Para la implementaci
on de las fuentes de corriente se utilizara un arreglo de transistores bipolares en un circuito
integrado, el CA3046, LM 3046, o LM 3086 seg
un el fabricante. La ventaja de utilizar este arreglo de transistores es
que al encontrarse en el mismo substrato de silicio y a la misma temperatura, existe una reduccion en la diferencia de
los parametros del par de transistores necesarios para construir fuentes espejo de corriente. Hay cinco (5) transistores
en este integrado, incluyendo un par diferencial. Adicionalmente, se debe recordar SIEMPRE conectar el pin 13 de
este integrado al voltaje mas negativo en nuestro sistema.
3.2.1.

Trabajo Previo

Dise
ne las siguientes fuentes de corriente:
1. Espejo Basico
2. Espejo Compensado en la base
3. Espejo Wilson
Realice simulaciones del comportamiento electrico del circuito para anticiparse a los resultados que tendra en los
experimentos. Recuerde incorporar en sus simulaciones el modelo SPICE del integrado.
3.2.2.

Durante la pr
actica

Implemente los tres circuitos espejos de corriente, mida la corriente de salida I0 , y la corriente de referencia IREF
para cada una de las topologas. Varie la resistencia de carga y aseg
urese de observar el Efecto Early. Para observar los
efectos de la variacion del voltaje colector-emisor (Efecto Early), reemplace la carga con varias resistencias standar (7
u 8), para obtener un voltaje de salida que vare en el rango: 1V -11V . El voltaje de salida corresponde al voltaje entre
el colector y emisor de Q2 para las dos primeras topologias. Para la fuente Wilson, corresponde al potencial entre el
colector del transistor Q3 y el emisor de Q2. Asegurese de medir tambien el valor correspondiente a la corriente de
salida, tomando lecturas del voltaje que cae sobre la carga. Haga esta operacion para las tres topologas.

3.3.

Espejos de Corriente Mosfet

En esta seccion de la practica se dise

nar
a e implementara un espejo de corriente que se basa en Mosfets. Volveremos
a aprovechar el circuito integrado CD4007, ya que con el mismo podemos implementar espejos tanto con transistores
de canal N, como con transistores de canal P.
3.3.1.

Trabajo Previo

Dise
ne las siguientes fuentes de corriente:
1. Espejo Basico Canal N
2. Espejo Basico Canal P
Realice simulaciones del comportamiento electrico del circuito para anticiparse a los resultados que tendra en los
experimentos. Recuerde incorporar en sus simulaciones el modelo SPICE del integrado.
3.3.2.

Durante la Pr
actica

Lleven al laboratorio siete resistencias normalizadas comenzando con 100 , y que vayan creciendo hasta llegar a
un valor superior al RL m
aximo que de acuerdo a sus calculos llevara al Mosfet fuera de la region de saturacion. Con
base en sus medidas, construyan una grafica de la corriente de salida de la fuente en funcion de la resistencia de carga.
Ahora construyan tambien una grafica del voltaje entre drenador y fuente VDS del transistor conectado a la carga, en
funcion de la resistencia de carga utilizada.