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C0
RL
C0
RL
D0
L0
L0
AS redes snubbers son circuitos pequeos pero esenciales en las fuentes conmutadas para controlar la
reactancia del circuito. Las redes snubbers mejoran el
rendimiento de los transistores de potencia proporcionando
mayor eficiencia y menor interferencia EMI, posibilidad de
funcionamiento a una frecuencia de conmutacin ms elevada,
menor tamao y peso del semiconductor.
Bsicamente, una red snubber puede absorber la energa de
los elementos reactivos del circuito. Los beneficios son
amortiguacin del circuito, control de las tasas de cambio de
voltaje (dv/dt) o corriente y (di/dt), o proteccin de sobretensiones. Una snubber limita el estrs que debe soportar el
interruptor, mantenindolo dentro de su rea de operacin
segura, aumentando la fiabilidad del mismo. El uso de una
snubber reduce el total de prdidas de conmutacin del
circuito, pero quizs lo ms importante es que reduce las
perdidas en el transistor y por lo tanto las necesidades de
refrigeracin del circuito [1]. Cuando est bien diseada, el
dispositivo interruptor tiene menor disipacin de potencia
promedio y una disipacin de potencia mxima mucho menor.
Las snubber pueden ser combinadas y una aplicacin
determinada puede tener 2 o 3 redes fusionadas para controlar
tanto la corriente como el voltaje del dispositivo interruptor.
Este tipo de redes pueden ser pasivas o activas. En este
trabajo nos enfocaremos en las pasivas, cuyos elementos se
limitan a resistencias, condensadores, inductores y diodos. Las
redes activas incluyen transistores y circuitos adicionales.
(a)
(b)
D0
C0
RL
L0
(c)
Fig. 1. Circuitos convertidores buck (a), boost (b) y
buck-boost (c).
R
CS
RS
(a)
L
C
(2)
CS
RS
1
2
RS
(b)
Lp
Cp
(3)
fS
TX2
1
2R S C S
(4)
MUR140
V2
50V
C
300uF
RL
2
0
V1 = 0
V2 = 10
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 2u
PER = 5u
R2
1meg
CS
V
10 LP C P
10
2RS f P
RS
(5)
RS
IRF840
CS
200V
100V
100V
0V
3.501ms
3.502ms
V(TX1:2)
3.503ms
3.504ms
3.505ms
3.506ms
3.507ms
3.508ms
3.509ms
3.510ms
0V
Time
fP
1
2 LpCp
3.506ms
3.507ms
V(TX1:2)
3.508ms
3.509ms
3.510ms
3.511ms
3.512ms
3.513ms
3.514ms
3.515ms 3.516ms
Time
(1)
100V
donde:
Lp Inductancia parsita
Cp Capacidad parsita
0V
3.511ms
3.512ms
V(TX1:2)
3.513ms
3.514ms
3.515ms
3.516ms
3.517ms
3.518ms
3.519ms
3.520ms 3.521ms
Time
DS
RS
DS
RS
t CONM
CS
RS
CS
(a)
(b)
D
MUR140
20
200uH
V2
20Vdc
0
DS
V1 = 0
V2 = 10 V
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
(7)
1
2
10C S
C S 20 f CONM
donde:
C
200u
donde:
3.5099ms
3.5100ms
3.5101ms
V(M2:D)
I(M2:D)*2
RS
CS
3.5103ms
3.5104ms
3.5105ms
3.5106ms
3.5107ms
3.5108ms
Time
0
IRF840
3.5102ms
40
RS
20
RS
LS
LS
DS
DS
3.51000ms
3.51001ms
3.51002ms
V(M2:D)
I(M2:D)*2
3.51003ms
3.51004ms
3.51005ms
3.51006ms
3.51007ms
3.51008ms
3.51009ms
Time
CS
It
V
(6)
(a)
(b)
40
D
C
200u
MUR140
L
200uH
RL
15
V2
20Vdc
RS
LS
DS
20
0
0
V1 = 0
V2 = 10
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
3.5198ms
3.5199ms
3.5200ms
V(L3:1)
I(M3:D)*2
3.5201ms
3.5202ms
3.5203ms
3.5204ms
3.5205ms
3.5206ms
3.5207ms
Time
IRF840
V1
LS
Vt
I
(8)
donde:
t Tiempo de subida de la corriente
V Tensin a la que est sometido el inductor
I Corriente mxima que atraviesa el inductor
El tiempo de subida se elige de acuerdo a las caracterticas
del semiconductor y se calcula LS. Se adopta una constante de
tiempo L/R aproximadamente 10 veces menor que el semiperodo de conmutacin, para garantizar la correcta descarga de
la energa almacenada en el inductor en cada ciclo.
Despejando RS:
RS
10LS
t CONM
LS 20 f CONM
(9)
B. Snubber No Disipativas
Los principios bsicos de las snubbers no disipativas son
los mismos que los de las disipativas, diferencindose de stas
por el hecho de no proporcionar amortiguacin.
1) Snubber 3D-2C-1L de tensin: Una red snubber de
tensin controla la tensin mediante la transferencia de
energa a un condensador; cuando la snubber es no disipativa
esa energa se recicla de nuevo hacia la fuente o hacia la carga.
Existen pocos tipos bsicos de snubbers de tensin no
disipativas, que operan en un solo flanco de la forma de onda
de conmutacin y se restablecen en el otro extremo. Todas las
snubbers no disipativas son polarizadas y en algunas aplicaciones el diseo se vuelve muy complejo cuando se combina
con redes snubbers de corriente.
La Fig. 15 presenta la aplicacin de una red 3D-2C-1L en
un circuito convertidor genrico, con funcin de controlar la
dv/dt. En general, los capacitores C1 y C2 son iguales en
valor y la frecuencia de resonancia de la snubber (2C+1L) es
mucho mayor que la frecuencia de conmutacin.
C1
D
LS
D1
D2
D3
C2
donde:
fCONM Frecuencia de conmutacin del convertidor
Para el convertidor boost analizado, I=6.0A y V=35.8V.
Eligiendo un t=400ns, el valor del inductor snubber es
LS=2.4uH y el de la resistencia snubber RS=2.4. En la Fig.
13 puede verse la forma de onda de VDS en su flanco descendente y la forma de onda de IDS en su flanco ascendente, para
el circuito de la Fig. 12 sin red RLD.
40
20
3.51990ms
3.51995ms
3.52000ms
V(M3:D)
I(M3:D)
3.52005ms
3.52010ms
3.52015ms
3.52020ms
3.52025ms
3.52030ms
3.52035ms
Time
Fig. 13. VDS e IDS sin red snubber RLD, graficadas en un intervalo de
200ns. El pico de IDS alcanza los 27A en un tiempo de 60ns.
C3
200u
R2
15
C1
D
MUR140
LS
C2
0
L
V1 = 0
V2 = 10
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
200uH
IRF840
V1
V2
20Vdc
0
0
It
CS
2V
D2
D3
D1
donde:
40V
30V
20V
10V
0V
3.5099ms
3.5100ms
V(L2:1)
3.5101ms
3.5102ms
3.5103ms
3.5104ms
3.5105ms
3.5106ms
3.5107ms
3.5108ms
Time
(a)
40V
(10)
20V
donde:
C Valor de cada uno de los capacitores
t Tiempo de subida de la tensin
V Tensin mxima en el transistor
I Corriente mxima en el transistor
0V
3.5099ms
3.5100ms
V(D5:1,C4:1)
3.5101ms
3.5102ms
3.5103ms
3.5104ms
3.5105ms
3.5106ms
3.5107ms
3.5108ms
Time
(b)
40V
20V
0V
3.5099ms
3.5100ms
I(D5)
3.5101ms
3.5102ms
3.5103ms
3.5104ms
3.5105ms
3.5106ms
3.5107ms
3.5108ms
Time
LS
2t R2
CS 2
(11)
donde:
tR Tiempo de restablecimiento
(c)
Fig. 16. Tensin VDS (a), tensin en los capacitores snubber VCS
(b), corriente a travs de los capacitores ICS (c). Formas de onda
durante el flanco de subida de VDS, en un intervalo de 1us.
40V
30V
I LS
C S (V )
2 LS
10V
0V
3.5180ms
3.5185ms
V(M1:D)
3.5190ms
3.5195ms
3.5200ms
3.5205ms
Time
20V
(12)
(a)
3.5210ms
3.5215ms
3.5220ms
3.5225ms
DATOS BIOGRFICOS
40V
20V
0V
3.5180ms
3.5185ms
V(D5:1,C4:1)
3.5190ms
3.5195ms
3.5200ms
3.5205ms
3.5210ms
3.5215ms
3.5220ms
3.5225ms
3.5210ms
3.5215ms
3.5220ms
3.5225ms
Time
(b)
40V
20V
0V
3.5180ms
3.5185ms
-I(C6)
3.5190ms
3.5195ms
3.5200ms
3.5205ms
Time
(c)
Fig. 17. Tensin VDS (a), tensin en los capacitores snubber VCS (b),
corriente a travs de los capacitores ICS (c). Formas de onda durante el
flanco de bajada de VDS, en un intervalo de 5us.