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UNIVERSIDAD VERACRUZANA
CARRERA
INGENIERA EN INSTRUMENTACIN ELECTRNICA
EXPERIENCIA EDUCATIVA
PROFESOR
DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
MATRIC
ULA
CLAVE
Practica 3
SABER ACTIVIDAD
TERI
CO
Diodos
FECHA
REGULADORES
DE
31 de Marzo
VOLTAJE CON DIODO
de 2016
ZENER.
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CIRCUITOS DE APLICACIN
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
INSTRUMENTACION ELECTRONICA
Contenido
Objetivo.............................................................................................................. 1
Planteamiento del problema y solucin..............................................................2
OPERACIN BSICA DE UN BJT........................................................................3
Corrientes del transistor.................................................................................. 5
Curvas caractersticas del colector..................................................................5
Nuevo Conocimiento de la Prctica.....................................................................7
Datasheet del Transistor 2N3904......................................................................10
Hiptesis por incisos......................................................................................... 11
Lista de Materiales............................................................................................ 11
Procedimiento................................................................................................... 11
Resultados........................................................................................................ 13
Esquemtico del Primer inciso............................................................................ 3
Esquemtico del segundo................................................................................... 3
Anlisis de resultados......................................................................................... 4
Conclusiones....................................................................................................... 4
Bibliografa.......................................................................................................... 5
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Objetivo
La
unin pn que une la regin de la base y la regin del emisor se llama unin
base-emisor. La unin pn que une la regin de la base y la regin del colector
se llama unin base-colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor
conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B
y C por emisor, base y colector, respectivamente. La regin de la base est
ligeramente dopada y es muy delgada en comparacin con las regiones del
emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente seccin explica la razn de esto). La figura muestra los smbolos
esquemticos para los transistores npn y pnp.
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IE
convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de emisor
IC
suma de la corriente de colector
siguiente manera
es la
IB
y la corriente de base
, expresada de la
I E IC I B
IC
corriente en el colector
VCE
IB
, con valores especificados de corriente de base,
VBB
diagrama del circuito que tanto
. Observe en el
VCC
como
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VBB
Suponga que
se ajusta para que produzca un cierto valor de IB y que Vcc
es cero. En esta condicin, tanto la unin base-emisor como la unin basecolector estn polarizadas en directa porque la base est a aproximadamente
0.7 V, en tanto que el emisor y el colector estn a 0 V. La corriente de base
circula a travs de la unin base-emisor debido a la trayectoria de baja
impedancia.
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Si la intensidad de base rebasa el punto de saturacin la intensidad de colector
no puede seguirla y la seal de salida se ve recortada. Si la intensidad de base
se anula tambin lo hace la de colector, recortando la seal de salida por el
otro extremo.
Es importante pues, que la polarizacin determine el punto de trabajo en la
zona media de la recta de carga para evitar as recortes en la seal de salida.
Aun as, la amplitud mxima de la seal de entrada quedar limitada por los
puntos de corte y saturacin, si no queremos recortes en la salida.
Un amplificador lineal amplifica una seal sin distorsin, de tal suerte que la
seal de salida es una rplica amplificada exacta de la seal de entrada. La
figura muestra un transistor polarizado mediante divisor de voltaje con una
fuente de ca senoidal acoplada capacitivamente a la base por conducto de C1,
y una carga acoplada capacitivamente al colector por conductor de C2. Los
capacitores de acoplamiento bloquean la corriente directa y de este modo
evitan que la resistencia de fuente interna, Rs y la resistencia de carga, RL,
cambien los voltajes de polarizacin de cd en la base y colector. Los
capacitores aparecen idealmente como cortos ante la seal de voltaje. El
voltaje de fuente senoidal hace que el voltaje en la base vare senoidalmente
sobre y por debajo de su nivel de polarizacin de cd, VBQ. La variacin
resultante de la corriente en la base produce una variacin ms grande de la
corriente en el colector debido a la ganancia de corriente del transistor.
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de punto Q, VCEQ, desfasado 180 con respecto al voltaje en la base, como
ilustra la figura. Un transistor siempre produce una inversin de fase entre el
voltaje en la base y el voltaje en el colector.
La operacin que se acaba de describir puede ser ilustrada sobre la recta de
carga en ca, como muestra la figura. El voltaje senoidal en la base produce una
corriente en la base que vara por encima y por debajo del punto Q sobre la
recta de carga en ca, como lo muestran
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Lista de Materiales
1.
2.
3.
4.
5.
Procedimiento
Parte 1
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Parte 2
Se
mont el
circuito siguiente en el Protoboard calculando la resistencia de base del
transistor para que este opere como un interruptor ante seales
cuadradas de 0 a 5V.
Se aliment el circuito con una seal cuadrada de 100Hz y se analiz el
comportamiento de este en el osciloscopio.
Se increment la frecuencia de la seal hasta el rango de los mega
Hertz, comparando el comportamiento de este paso con el anterior.
Utilizando la seal de 100Hz se midi la velocidad de las variaciones de
la seal en VBB y VCE con ayuda del osciloscopio.
Resultados
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Anlisis de resultados
1. Despus de tomar las medidas con los diferentes transistores se puede
observar que la de ambos transistores presenta un incremento
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conforme se aumenta la corriente que circula por la base del transistor,
lo cual nos proporciona una mayor corriente de salida.
Conclusiones
Al haber realizado la prctica se puede concluir que los transistores son
dispositivos bastante complejos que forman parte de muchos de los sistemas
electrnicos que se encuentran actualmente en la vida diaria. Por lo tanto es
necesario tomar en cuenta varios factores sobre su funcionamiento para que
tengan el desempeo que se desea.
Los transistores nos ofrecen una gran cantidad de aplicaciones en distintos
mbitos debido a su gran versatilidad.
Tambin se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base
se puede obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base as se puede
comprobar que este tipo de dispositivos se pueden utilizar como
amplificadores, lo cual tiene un gran nmero de aplicaciones en el mbito de la
instrumentacin.
Mediante la utilizacin del osciloscopio se puede observar las ondas que se
generaron mediante la elaboracin de un circuito que utiliza el transistor como
un conmutador y se logr apreciar su comportamiento ante seales cuadradas
a diferentes frecuencias. De esta manera se puede saber cul es el la
tolerancia de frecuencia que presentan los transistores para obtener un
funcionamiento ptimo, adems del tiempo de respuesta de dichos
componentes. Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran
medida, el diseo de los circuitos electrnicos. Se puede comentar que con el
invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que
en casi todos los aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron
los distintos tipos de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura
bsica y las simbologas utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y
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que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos
tipos de transistores.
Adems de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los
transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.
Todo lo aprendido en esta prctica presenta una gran fuente de conocimiento
respecto al funcionamiento de sistemas electrnicos y dispositivos
semiconductores lo cual es de gran relevancia dentro del programa educativo
de la carrera.
Bibliografa
[1] El transistor BJT y su uso en la electrnica | Panama Hitek.
(2013). Panama Hitek. Retrieved 16 April 2016, from
http://panamahitek.com/el-transistor-bjt-y-su-uso-en-la-electronica/
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[3] Curvas caractersticas y regin de operacin del transistor BJT.
(2016).Academia.edu. Retrieved 16 April 2016, from
https://www.academia.edu/8650813/Curvas_caracter%C3%ADsticas_y_regi
%C3%B3n_de_operaci%C3%B3n_del_transistor_BJT
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