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UNIVERSIDAD VERACRUZANA

FACULTAD INSTRUMENTACIN ELECTRNICA

CARRERA
INGENIERA EN INSTRUMENTACIN ELECTRNICA

EXPERIENCIA EDUCATIVA

PROFESOR

DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS

M. En I.B Luis Julin Varela


Lara

MATRIC
ULA

NOMBRE DEL ALUMNO

zS140204 Emmanuel Gonzalez Guzmn


77
Hctor Javier Neri
zS140114
88

CLAVE

Practica 3

SABER ACTIVIDAD
TERI
CO
Diodos

FECHA

REGULADORES
DE
31 de Marzo
VOLTAJE CON DIODO
de 2016
ZENER.

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CIRCUITOS DE APLICACIN
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
INSTRUMENTACION ELECTRONICA

Contenido
Objetivo.............................................................................................................. 1
Planteamiento del problema y solucin..............................................................2
OPERACIN BSICA DE UN BJT........................................................................3
Corrientes del transistor.................................................................................. 5
Curvas caractersticas del colector..................................................................5
Nuevo Conocimiento de la Prctica.....................................................................7
Datasheet del Transistor 2N3904......................................................................10
Hiptesis por incisos......................................................................................... 11
Lista de Materiales............................................................................................ 11
Procedimiento................................................................................................... 11
Resultados........................................................................................................ 13
Esquemtico del Primer inciso............................................................................ 3
Esquemtico del segundo................................................................................... 3
Anlisis de resultados......................................................................................... 4
Conclusiones....................................................................................................... 4
Bibliografa.......................................................................................................... 5

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INSTRUMENTACION ELECTRONICA

Objetivo

Analizar tericamente y de forma experimental el funcionamiento de los


transistores BJT
para comprender como funciona la en dichos
componentes y observar su comportamiento ante las variaciones de
voltaje y corriente.

Analizar el comportamiento de los transistores BJT y su aplicacin como


interruptor ante distintas seales de diferente frecuencia.

Planteamiento del problema y solucin


El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura
plana epitaxial de la figura (a). Las tres regiones se llaman emisor, base y
colector. En las figuras (b) y (c) se muestran representaciones fsicas de los dos
tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una regin p
(npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una regin n (pnp).
El trmino bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como
portadores de corriente en la estructura de transistor.

La

unin pn que une la regin de la base y la regin del emisor se llama unin
base-emisor. La unin pn que une la regin de la base y la regin del colector
se llama unin base-colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor
conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B
y C por emisor, base y colector, respectivamente. La regin de la base est
ligeramente dopada y es muy delgada en comparacin con las regiones del
emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente seccin explica la razn de esto). La figura muestra los smbolos
esquemticos para los transistores npn y pnp.
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OPERACIN BSICA DE UN BJT


Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn
deben estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La
operacin del pnp es la misma que para el npn excepto en que los roles de los
electrones y huecos, las polaridades del voltaje de polarizacin y las
direcciones de la corriente se invierten.

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Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de


valencia abandonan las estructura cristalina de la base, se transforman en
electrones libres en el conductor de la base metlica y producen la corriente de
base externa. La mayora de los electrones libres que entraron a la base no se
recombinan con huecos porque es muy delgada. A medida que los electrones
libres se desplazan hacia la unin BC polarizada en inversa, son arrastrados a
travs del colector por la atraccin del voltaje de alimentacin positivo del
colector. Los electrones libres se desplazan a travs del colector hacia el
circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base,
como se indica. La corriente de emisor es un poco ms grande que la corriente
de colector debido a la pequea corriente de base que se desprende de la
corriente total inyectada a la base proveniente del emisor.

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Corrientes del transistor


Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su smbolo
esquemtico se muestran en la figura (a); las correspondientes a un transistor
pnp se muestran en la figura (b). Observe que la flecha en el emisor en el
interior de los smbolos de transistor apunta en la direccin de la corriente

IE
convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de emisor

IC
suma de la corriente de colector
siguiente manera

es la

IB
y la corriente de base

, expresada de la

I E IC I B

Curvas caractersticas del colector


Con un circuito como el mostrado en la figura 4-10(a) se puede generar un
conjunto de curvas caractersticas del colector que muestren cmo vara la

IC
corriente en el colector

, con el voltaje en el colector con respecto al emisor,

VCE

IB
, con valores especificados de corriente de base,

VBB
diagrama del circuito que tanto

. Observe en el

VCC
como

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son fuentes de voltaje variable.

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VBB
Suponga que
se ajusta para que produzca un cierto valor de IB y que Vcc
es cero. En esta condicin, tanto la unin base-emisor como la unin basecolector estn polarizadas en directa porque la base est a aproximadamente
0.7 V, en tanto que el emisor y el colector estn a 0 V. La corriente de base
circula a travs de la unin base-emisor debido a la trayectoria de baja
impedancia.

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Nuevo Conocimiento de la Prctica


El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Para ser utilizado como amplificador, el punto de trabajo debe situarse
aproximadamente en el centro de la recta de carga debido a que si se desplaza
a la zona de saturacin la intensidad de colector se hace mxima y deja de
responder a los incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la zona
de corte la intensidad de colector se hace cero y el transistor no conduce.
Entre el corte y la saturacin, el transistor funciona como amplificador, ya que,
a cada intensidad de base (del orden de microamperios) corresponde una
intensidad de colector amplificada (del orden de miliamperios).
Si en la entrada del circuito provocamos mediante una seal exterior un
aumento de intensidad de base, se produce un aumento de intensidad de
colector y lo mismo si disminuye. Las seales aplicadas a la base se ven as
reflejadas en el colector, pero amplificadas desde el orden de microamperios al
orden de miliamperios.
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Si la intensidad de base rebasa el punto de saturacin la intensidad de colector
no puede seguirla y la seal de salida se ve recortada. Si la intensidad de base
se anula tambin lo hace la de colector, recortando la seal de salida por el
otro extremo.
Es importante pues, que la polarizacin determine el punto de trabajo en la
zona media de la recta de carga para evitar as recortes en la seal de salida.
Aun as, la amplitud mxima de la seal de entrada quedar limitada por los
puntos de corte y saturacin, si no queremos recortes en la salida.
Un amplificador lineal amplifica una seal sin distorsin, de tal suerte que la
seal de salida es una rplica amplificada exacta de la seal de entrada. La
figura muestra un transistor polarizado mediante divisor de voltaje con una
fuente de ca senoidal acoplada capacitivamente a la base por conducto de C1,
y una carga acoplada capacitivamente al colector por conductor de C2. Los
capacitores de acoplamiento bloquean la corriente directa y de este modo
evitan que la resistencia de fuente interna, Rs y la resistencia de carga, RL,
cambien los voltajes de polarizacin de cd en la base y colector. Los
capacitores aparecen idealmente como cortos ante la seal de voltaje. El
voltaje de fuente senoidal hace que el voltaje en la base vare senoidalmente
sobre y por debajo de su nivel de polarizacin de cd, VBQ. La variacin
resultante de la corriente en la base produce una variacin ms grande de la
corriente en el colector debido a la ganancia de corriente del transistor.

A medida que la corriente senoidal en el colector se incrementa, el voltaje en el


colector decrece. La corriente en el colector vara por encima y por debajo de
su valor de punto Q, ICQ, en fase con la corriente en la base. El voltaje senoidal
en el colector con respecto al emisor vara por encima y por debajo de su valor
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de punto Q, VCEQ, desfasado 180 con respecto al voltaje en la base, como
ilustra la figura. Un transistor siempre produce una inversin de fase entre el
voltaje en la base y el voltaje en el colector.
La operacin que se acaba de describir puede ser ilustrada sobre la recta de
carga en ca, como muestra la figura. El voltaje senoidal en la base produce una
corriente en la base que vara por encima y por debajo del punto Q sobre la
recta de carga en ca, como lo muestran

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Datasheet del Transistor 2N3904

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Hiptesis por incisos


A) Se espera que se incremente la Beta con el incremento de la
corriente de base
B) Se espera que el circuito funcione de manera correcta a frecuencias
bajas y que presente comportamientos anormales a seales de
frecuencia ms alta.

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Lista de Materiales
1.
2.
3.
4.
5.

Multmetro - Ideal modelo 61-322


Transistores ( 2N3904)
Protoboard
Jumpers
Resistencias(39K y 120
, 30 , )
6. Caimanes
7.
Software(Multisim,
Fritzing)
8. Fuentes
9. Osciloscopio
10.Generador
de seales

Procedimiento
Parte 1

Se mont el circuito siguiente en el Protoboard, variando la resistencia


en la base del transistor de manera que la corriente sea igual a 10uA.
Se midi la corriente de colector y el voltaje colector-emisor variando la
fuente VCC en incrementos de 0.5V desde 0-12V.
Con los resultados obtenidos se realiz una grfica de IC y VCE.
Se repiti el procedimiento anterior con diferentes valores de base
(50uA, 100uA, 150uA, 250uA).

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Parte 2
Se
mont el
circuito siguiente en el Protoboard calculando la resistencia de base del
transistor para que este opere como un interruptor ante seales
cuadradas de 0 a 5V.
Se aliment el circuito con una seal cuadrada de 100Hz y se analiz el
comportamiento de este en el osciloscopio.
Se increment la frecuencia de la seal hasta el rango de los mega
Hertz, comparando el comportamiento de este paso con el anterior.
Utilizando la seal de 100Hz se midi la velocidad de las variaciones de
la seal en VBB y VCE con ayuda del osciloscopio.

Resultados

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Esquemtico del Primer inciso


Esquemtico del segundo

Anlisis de resultados
1. Despus de tomar las medidas con los diferentes transistores se puede
observar que la de ambos transistores presenta un incremento
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conforme se aumenta la corriente que circula por la base del transistor,
lo cual nos proporciona una mayor corriente de salida.

2. Despus de analizar las seales obtenidas en el circuito se puede notar


que el circuito presenta un funcionamiento adecuado a frecuencias de
hasta 1KHz, y al incrementar esta comienza a aparecer ruido en la seal
hasta provocar un mal funcionamiento. Tambin se puede observar que
el transistor no presenta aumento en su temperatura, mientras que la
resistencia s.

Conclusiones
Al haber realizado la prctica se puede concluir que los transistores son
dispositivos bastante complejos que forman parte de muchos de los sistemas
electrnicos que se encuentran actualmente en la vida diaria. Por lo tanto es
necesario tomar en cuenta varios factores sobre su funcionamiento para que
tengan el desempeo que se desea.
Los transistores nos ofrecen una gran cantidad de aplicaciones en distintos
mbitos debido a su gran versatilidad.
Tambin se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base
se puede obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base as se puede
comprobar que este tipo de dispositivos se pueden utilizar como
amplificadores, lo cual tiene un gran nmero de aplicaciones en el mbito de la
instrumentacin.
Mediante la utilizacin del osciloscopio se puede observar las ondas que se
generaron mediante la elaboracin de un circuito que utiliza el transistor como
un conmutador y se logr apreciar su comportamiento ante seales cuadradas
a diferentes frecuencias. De esta manera se puede saber cul es el la
tolerancia de frecuencia que presentan los transistores para obtener un
funcionamiento ptimo, adems del tiempo de respuesta de dichos
componentes. Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran
medida, el diseo de los circuitos electrnicos. Se puede comentar que con el
invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que
en casi todos los aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron
los distintos tipos de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura
bsica y las simbologas utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y

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que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos
tipos de transistores.
Adems de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los
transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.
Todo lo aprendido en esta prctica presenta una gran fuente de conocimiento
respecto al funcionamiento de sistemas electrnicos y dispositivos
semiconductores lo cual es de gran relevancia dentro del programa educativo
de la carrera.

Bibliografa
[1] El transistor BJT y su uso en la electrnica | Panama Hitek.
(2013). Panama Hitek. Retrieved 16 April 2016, from
http://panamahitek.com/el-transistor-bjt-y-su-uso-en-la-electronica/

[2] EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR BJT. (2016). Sc.ehu.es. Retrieved


16 April 2016, from
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/Paginas/Pagin
a0.htm

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[3] Curvas caractersticas y regin de operacin del transistor BJT.
(2016).Academia.edu. Retrieved 16 April 2016, from
https://www.academia.edu/8650813/Curvas_caracter%C3%ADsticas_y_regi
%C3%B3n_de_operaci%C3%B3n_del_transistor_BJT

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