TALLER DE SISTEMAS DIGITALES 1

Dopaje en semiconductores
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro
(tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades
elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como
un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. El nmero
de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeo. Cuando se agregan un
pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de
tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan
muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice
que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
Semiconductores de Grupo
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de
silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V.
Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al
Silicio.
Tipo n .
se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la
aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores.
Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta
forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo
introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a
diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la
energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original).
Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern
los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de
impurezas introducidos.

Tipo p.
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la
formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman
aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres,
como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es
neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido
a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una
ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos,
generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros
sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que
en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin
directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.El siguiente es un
ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta
un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Clase de diodos
TIPOS DE DIODOS.
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

Los diodos detectores tambin denominados d

o de contacto puntual, estn hechos de germa
caracterizan por poseer una unin PN muy dim
permite operar a muy altas frecuencias y con
pequeas. Se emplea por ejemplo, en recepto
para separar la componente de alta frecuencia
de la componente de baja frecuencia (informa
Esta operacin se denomina deteccin.

DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no
conducen. Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo
rectificar una seal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de
corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar.

DIODO ZNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de
mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran
polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se
les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4
voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta
como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

DIODO VARACTOR

El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es

un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan
como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los
hace muy tiles como elementos de sintona en receptores de radio y
televisin. Son tambin muy empleados en osciladores, multiplicadores,
amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de
UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs)

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP;
si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.

DIODO LSER
Los diodos lser, tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son
LEDs que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja,
fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados
en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos compactos
(CDs) que contienen datos, msica, pelculas, etc., as como en sistemas de
comunicaciones para enviar informacin a travs de cables de fibra ptica.
Tambin se emplean en marcadores luminosos, lectores de cdigos de barras y
otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR
Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada
de tensin correspondiente a su tensin umbral. Trabajan en polarizacin
directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los
diodos Zner.

DIODO TNEL
Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por
poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva
una regin de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores,
amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones
de alta frecuencia.

DIODO PIN
Su nombre deriva de su formacin P(material P), I(zona intrnseca)y N(material
N) Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por
voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de
diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos desarrollados para trabajar
a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos
comunes est limitada por su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan
los portadores de carga en atravesar la unin PN. Los ms conocidos son los
diodos Gunn, PIN e IMPATT.

DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de
resistencia negativa similar a las de los diodos tnel.

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de
portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una
cada de voltaje directa muy equea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy
rpidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de
alta frecuencia.

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya
corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la
cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor
cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se
genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy
utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin,
contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones
pticas y otras aplicaciones.