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Habilitao tcnica em

Eletrnica

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Eletrnica Analgica

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Eletrnica
Volume 2

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Eletrnica
Eletrnica analgica

Luiz Fernando Teixeira Pinto


Rmulo Oliveira Albuquerque

2011

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Presidncia
Joo Sayad
Vice-presidncia
Ronaldo Bianchi, Fernando Vieira de Mello
DIRETORIA DE PROJETOS EDUCACIONAIS
Direo: Fernando Jos de Almeida
Gerncia: Monica Gardelli Franco, Jlio Moreno
Coordenao Tcnica: Maria Luiza Guedes
Equipe de autoria Centro Paula Souza
Coordenao geral: Ivone Marchi Lainetti Ramos
Coordenao da srie Eletrnica: Jun Suzuki
Autores: Luiz Fernando Teixeira Pinto, Rmulo
Oliveira Albuquerque
Reviso tcnica: Luiz Tetsuharu Saito
Equipe de Edio
Coordenao geral: Carlos Tabosa Seabra,
Rogrio Eduardo Alves
Coordenao editorial: Luiz Marin

Edio de texto: Roberto Matajs


Secretrio editorial: Antonio Mello
Revisora: Marcia Menin
Direo de arte: Bbox Design
Diagramao: LCT Tecnologia
Ilustraes: Nilson Cardoso
Pesquisa iconogrfica: Completo Iconografia
Capa
Fotografia: Eduardo Pozella, Carlos Piratininga
Tratamento de imagens: Sidnei Testa
Abertura captulos: Lize Streeter/Dorling Kindersley/
Getty Images

O Projeto Manual Tcnico Centro Paula Souza Coleo Tcnica Interativa oferece aos alunos da instituio contedo relevante formao tcnica,
educao e cultura nacional, sendo tambm sua finalidade a preservao e a divulgao desse contedo, respeitados os direitos de terceiros.
O material apresentado de autoria de professores do Centro Paula Souza e resulta de experincia na docncia e da pesquisa em fontes como livros,
artigos, jornais, internet, bancos de dados, entre outras, com a devida autorizao dos detentores dos direitos desses materiais ou contando com a permissibilidade legal, apresentando, sempre que possvel, a indicao da autoria/crdito e/ou reserva de direitos de cada um deles.
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Agradecemos as pessoas retratadas ou que tiveram trechos de obras reproduzidas neste trabalho, bem como a seus herdeiros e representantes legais,
pela colaborao e compreenso da finalidade desse projeto, contribuindo para que essa iniciativa se tornasse realidade. Adicionalmente, colocamo-nos
disposio e solicitamos a comunicao, para a devida correo, de quaisquer equvocos nessa rea porventura cometidos em livros desse projeto.

O Projeto Manual Tcnico Centro Paula Souza Coleo Tcnica Interativa, uma iniciativa do Governo do Estado de So Paulo, resulta de um
esforo colaborativo que envolve diversas frentes de trabalho coordenadas pelo Centro Paula Souza e editado pela Fundao Padre Anchieta.
A responsabilidade pelos contedos de cada um dos trabalhos/textos inseridos nesse projeto exclusiva do autor. Respeitam-se assim os diferentes enfoques, pontos de vista e ideologias, bem como o conhecimento tcnico de cada colaborador, de forma que o contedo exposto pode no
refletir as posies do Centro Paula Souza e da Fundao Padre Anchieta.

Dados Internacionais de Catalogao na Publicao (CIP)


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Coordenador de Ensino Mdio e Tcnico
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Coordenadora de Formao Inicial e
Educao Continuada
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Coordenador de Desenvolvimento
e Planejamento
Joo Carlos Paschoal Freitas
Coordenador de Infraestrutura
Rubens Goldman

P659
Pinto, Luiz Fernando Teixeira
Eletrnica: eletrnica analgica / Luiz Fernando Teixeira Pinto,
Rmulo Oliveira Albuquerque (autores); Luiz Tetsuharu Saito
(revisor); Jun Suzuki (coordenador). -- So Paulo: Fundao Padre
Anchieta, 2011 (Coleo Tcnica Interativa. Srie Eletrnica, v. 2)
Manual tcnico Centro Paula Souza
ISBN 978-85-8028-046-3
1. Eletrnica analgica I. Albuquerque, Rmulo Oliveira II. Saito,
Luiz Tetsuharu III. Suzuki, Jun IV. Ttulo
CDD 607

Coordenador de Gesto Administrativa


e Financeira
Armando Natal Maurcio
Coordenador de Recursos Humanos
Elio Loureno Bolzani
Assessora de Comunicao
Gleise Santa Clara
Procurador Jurdico Chefe
Benedito Librio Bergamo

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Apresentao
Em cursos anteriores, abordamos os temas circuitos eltricos em corrente cont
nua e em corrente alternada. Vimos que a montagem de um circuito eltrico
feita interligando, com fios, componentes passivos diversos. Nos circuitos eltri
cos, os dispositivos que controlam o fluxo da corrente costumam ser mecnicos,
tais como chaves, potencimetros e outros.
Em um circuito eletrnico, mesmo tendo alguns componentes mecnicos, o
fluxo de corrente , em geral, controlado por outros dispositivos, chamados
de ativos, interligados em uma placa. Em eletrnica, em vez de usar apenas
componentes mecnicos no circuito para controlar o fluxo de corrente, so uti
lizados tambm dispositivos eletrnicos, isto , podemos dizer que a eletricida
de controla a eletricidade. Essa a principal diferena entre circuito eltrico e
circuito eletrnico.
A eletrnica fundamentada em dispositivos semicondutores, ou seja, compo
nentes feitos de um material denominado semicondutor, que apresenta caracte
rsticas totalmente distintas dos materiais condutores metlicos e dos isolantes.
A partir da decada de 1950, a utilizao dos dispositivos eletrnicos semicondu
tores provocou mudanas significativas na sociedade, pois possibilitou a monta
gem de aparelhos eletrnicos com aplicaes em ramos de atividade industrial,
comercial e residencial, entre outros.
O avano em pesquisa e desenvolvimento de dispositivos semicondutores pos
sibilitou o surgimento de empresas especializadas em eletrnica, conhecidas,
em conjunto, como indstria eletrnica. Essas empresas comearam a produzir
bens de consumo eletrnicos, como aparelhos de rdio e televiso, telefones e
computadores. Tambm modificaram significativamente os meios de comu
nicao, sobretudo com a criao do satlite e, mais tarde, da internet. H
50 anos um acontecimento local levava horas para ser difundido e chegar ao
conhecimento de outras pessoas de comunidades distantes. Hoje sua transmis
so praticamente instantnea ou com atraso de poucos segundos, e tudo isso
graas pesquisa e ao desenvolvimento de dispositivos semicondutores e outros
componentes da indstria eletrnica.
Bons estudos!
Os autores

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Sumrio
17 Captulo 1
Instrumentos

diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

1.1 Osciloscpio analgico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.5.5 Anlise grfica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

1.2 Composio de movimentos. . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2.5.6 Teste de diodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

1.3 Tenso dente de serra. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

2.6 Diodo varicap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

1.4 Osciloscpio padro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2.7 Diodo Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

1.5 Medio de tenso contnua. . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Vilax/Shutterstock

2.5.4 Modelos (circuitos equivalentes) para

1.6 Medio de tenso alternada. . . . . . . . . . . . . . . . . 29


1.7 Gerador de funes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

59 Captulo 3
Aplicaes de diodos semicondutores

1.7.1 Ciclo de trabalho. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3.1 Retificador de meia onda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

1.8Offset de tenso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.2 Retificador de meia onda com filtro capacitivo. . . 63

1.9Multmetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.3 Retificador de onda completa. . . . . . . . . . . . . . . . 65

1.9.1 Instrumentos True RMS. . . . . . . . . . . . . . . . 33

Capa: Thais Alves de Godoy,


aluna do Centro Paula Souza
Foto: Eduardo Pozella e
Carlos Piratininga

3.3.1 Retificador de onda completa com


center tap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

35 Captulo 2
Semicondutores

3.3.2 Retificador de onda completa em ponte. . . 68


3.4 Retificador de onda completa com filtro

2.1 Classificao dos materiais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

capacitivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

2.2 Semicondutor intrnseco. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.5 Ponte retificadora como componente. . . . . . . . . . 71

2.3 Semicondutor extrnseco. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

3.6 Dobrador de meia onda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

2.3.1 Semicondutor tipo N. . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

3.7 Grampeador de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

2.3.2 Semicondutor tipo P . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

3.8Limitadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

2.4 Juno PN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

3.9 Diodo Zener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

2.4.1 Juno PN com polarizao reversa . . . . . . 43


2.4.2 Juno PN com polarizao direta. . . . . . . . 43

Gordon Heeley/Shutterstock

2.5 Diodo de juno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

81 Captulo 4
Transistores bipolares

2.5.1 Curva caracterstica do diodo. . . . . . . . . . . 45

4.1 Construo bsica e princpio de funcionamento.82

2.5.2 Diodo polarizado diretamente . . . . . . . . . . 47

4.1.1Funcionamento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

2.5.3 Diodo polarizado reversamente. . . . . . . . . 48

4.2 Operao do transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

Vilax/Shutterstock

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Sumrio
4.4 Regies de operao: reta de carga. . . . . . . . . . . . 88
4.5 Potncia dissipada: dissipadores. . . . . . . . . . . . . . . 92
4.6 Conexo Darlington. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
4.7 Teste de transistores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
wikemedia.org

4.8 Leitura dos cdigos em semicondutores. . . . . . . . 95


4.8.1Pro-Electron. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.8.2 Joint Electron Device Engineering

5.4 Anlise de amplificadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116


5.4.1 Circuito equivalente CC de um
amplificador emissor comum. . . . . . . . . . . 116
5.4.2 Circuito equivalente CA de um amplificador
emissor comum para pequenos sinais. . . . 117
5.4.3 Amplificador EC com realimentao
parcial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
5.4.4 Mais sobre amplificador EC com resistncia

Council (Jedec). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97

de fonte e carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127

4.8.3 Japanese Industrial Standard (JIS) . . . . . . . . 97

5.5 Amplificador coletor comum. . . . . . . . . . . . . . . . 128

4.8.4 Outras formas de especificao. . . . . . . . . . 98

5.6 Amplificadores de potncia. . . . . . . . . . . . . . . . . 131

4.9 Circuitos de polarizao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

5.6.1 Amplificador classe A. . . . . . . . . . . . . . . . . 132

4.9.1 Polarizao por corrente de base

5.6.2 Amplificador classe B. . . . . . . . . . . . . . . . . 132

constante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

5.6.3 Amplificador classe AB. . . . . . . . . . . . . . . 134

4.9.2 Polarizao por divisor de tenso na base.101

5.6.4 Amplificador classe C. . . . . . . . . . . . . . . . . 135

4.10 Reguladores de tenso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

5.6.5 Amplificador classe D . . . . . . . . . . . . . . . . 136

4.10.1 Regulador de tenso em srie . . . . . . . . . 104


4.10.2 Reguladores integrados de trs
terminais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

139 Captulo 6
Transistor efeito de campo
6.1 Transistor efeito de campo de juno. . . . . . . . . 140

111 Captulo 5
Amplificadores

6.1.1 Curvas caractersticas de dreno. . . . . . . . . 143


6.1.2 Curva caracterstica de transferncia . . . . 144

5.1 Capacitores de acoplamento. . . . . . . . . . . . . . . . 112

6.1.3Transcondutncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145

5.2 Capacitores de desacoplamento. . . . . . . . . . . . . 113

6.1.4 O princpio de funcionamento como

5.3 Amplificador emissor comum de pequenos

amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146

sinais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

6.1.5 Polarizao do JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148

5.3.1 Modelo simplificado do transistor em

6.1.6 Amplificador de pequenos sinais. . . . . . . . 155

baixas frequncias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

Dmitry Eliuseev/Shutterstock

4.3 Curvas caractersticas de coletor. . . . . . . . . . . . . 87

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Sumrio
6.2 Transistor MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
6.2.1 Funcionamento do MOSFET tipo
crescimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
6.2.2 Funcionamento do MOSFET tipo
depleo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
6.2.3 Polarizao e amplificador. . . . . . . . . . . . . 163

8.2 Circuito integrado 555 como astvel. . . . . . . . . . 255


8.3 Circuito integrado 555 como biestvel. . . . . . . . 259

261 Captulo 9
Transistor unijuno

6.2.4 Inversor CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163

9.1 Oscilador de relaxao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264

6.2.5 MOSFET de potncia. . . . . . . . . . . . . . . . . 164

9.2 Gerador de dente de serra . . . . . . . . . . . . . . . . . 265

167 Captulo 7
Amplificadores diferenciais e operacionais
7.1 Amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
7.1.1 Amplificador diferencial com fonte de
corrente simples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
7.1.2 Amplificador diferencial com

Bragin Axeley/Shutterstock

8.1.2 Cadeia de monoestveis. . . . . . . . . . . . . . . 254

269 Captulo 10
Tiristores
10.1SCR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
10.1.1 Modos de operao . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
10.1.2 SCRs comerciais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
10.1.3 Teste do SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274

realimentao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173

10.1.4 Disparo por CC e carga CC. . . . . . . . . . . 275

7.2 Amplificador operacional integrado. . . . . . . . . . . 176

10.1.5 Disparo por CC com carga CA. . . . . . . . 277

7.2.1 Amplificadores bsicos. . . . . . . . . . . . . . . . 179

10.1.6 Disparo CA com carga CA . . . . . . . . . . . 278

7.2.2 Caractersticas de um amplificador

10.1.7 Retificador de onda completa

operacional real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192

controlado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280

7.2.3 Erros de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197

10.1.8 Circuitos de disparo em CA. . . . . . . . . . . 283

7.2.4 Aplicaes lineares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200

10.1.9 Disparo por pulso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285

7.2.5 Aplicaes no lineares . . . . . . . . . . . . . . . 231

10.1.10 Transformador de pulsos . . . . . . . . . . . . 286


10.2DIAC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288

245 Captulo 8
Temporizador 555

10.2.1 DIACs comerciais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289


10.3TRIAC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289

8.1 Circuito integrado 555 como monoestvel. . . . . 249

10.3.1 Modos de operao. . . . . . . . . . . . . . . . . 290

8.1.1 Aplicaes do monoestvel . . . . . . . . . . . . 251

10.3.2 TRIACs comerciais. . . . . . . . . . . . . . . . . . 292

Sergei Devyatkin/Shutterstock

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Sumrio

Captulo 1

10.4 Aplicaes do DIAC e do TRIAC . . . . . . . . . . 292


10.4.1 Chave esttica CA assncrona . . . . . . . . 292
10.4.2 Chave esttica CA sncrona . . . . . . . . . . 293
10.4.3 Controlador de luminosidade dimmer 294
10.4.4 Luz automtica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
10.5 PUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
10.6 Circuito integrado TCA 785 . . . . . . . . . . . . . . 298
10.7 IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
10.7.1 Corrente de cauda . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
10.7.2 Diodo em antiparalelo . . . . . . . . . . . . . . 302
10.7.3 IGBT ligado em paralelo . . . . . . . . . . . . . 303

305 Captulo 11
Optoeletrnica
11.1 Sensores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
11.1.1 Fotorresistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
11.1.2 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
11.1.3 Fototransistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
11.1.4 Clula solar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .311
11.2 Emissores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .313
11.3 Acoplador ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .314
11.4 Interruptor ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
11.5 Refletor ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318

321 Referncias bibliogrficas

daVid J. Green - electrical/alamy/otHer imaGeS

Instrumentos

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eletrnica 2

CAPTULO 1

Existem diferentes modelos de osciloscpios. Vamos conhecer alguns de seus


componentes e as respectivas funes. Os modelos mais simples so dotados
de um tubo de raios catdicos (TRC) com uma tela transparente revestida de
material fluorescente. Quando o feixe de eltrons incide em sua superfcie, deixa
uma impresso (um ponto luminoso) visvel na parte externa da tela do tubo.
A trajetria do feixe de eltrons pode ser alterada antes de atingir a tela fluores
cente. O desvio ocorre em decorrncia das tenses aplicadas entre placas coloca
das horizontal e verticalmente, permitindo que a forma de onda seja visualizada.

este captulo, apresentaremos uma breve introduo sobre trs ins


trumentos frequentemente utilizados nos cursos de eletrnica e na
indstria: o osciloscpio, o gerador de funes e o multmetro.
O primeiro empregado para observar e medir as formas de onda de tenso; o
segundo, para gerar diversas formas de onda de tenso; e o terceiro, de uso mais
comum, para medir tenso, corrente e resistncia, entre outras funes.

1.1 Osciloscpio analgico


O osciloscpio um instrumento utilizado para visualizar a forma de onda dos
sinais, possibilitando anlises qualitativa e quantitativa dos componentes eletr
nicos que geram as diversas formas de onda (figura 1.1).
Figura 1.1
(a) Osciloscpio analgico
e (b) osciloscpio digital.

O material empregado para cobrir a tela do TRC chamado de fsforo. Existem


vrios tipos de fsforo, um para cada aplicao. Por exemplo, o P1 usado para
observao visual de fenmenos de mdia velocidade e tem persistncia de cerca
de 15 ms depois de o feixe ser removido. J o P7 utilizado para observao de
fenmenos lentos, com persistncia de cerca de 10 s, ideal para uso em equipa
mentos de monitorao de pacientes em hospitais. O grande inconveniente que
a tela pode ser danificada caso o feixe de eltrons seja mantido em um mesmo
ponto por muito tempo.
Ao redor do TRC existe uma blindagem magntica feita de uma liga especial
de ao. Sua funo inibir a ao de campos magnticos externos que possam
distorcer o feixe de eltrons. importante ressaltar que a deflexo do feixe de
eltrons (desvio) pode ser efetuada com a aplicao de um campo eltrico por
meio de placas ou um campo magntico gerado por bobinas indutoras. No caso
do osciloscpio, a deflexo eletrosttica, ou seja, d-se atravs de placas, pois
bobinas so adequadas somente em baixas frequncias. Por exemplo, nos tubos
de TV, a frequncia da ordem de 15 kHz, enquanto, no osciloscpio, atinge
centenas de MHz.

Vilax/Shutterstock

A figura 1.2 uma representao esquemtica do TRC e seus principais eletro


dos de controle do feixe de eltrons.

Figura 1.2
Estrutura simplificada de
um tubo de raios catdicos.

MAT

a)

b)

18

Gordon Heeley/Shutterstock

grade de
controle

placas de
deflexo
vertical
tela revestida
de material
fluorescente

revestimento interno de Aquadag


filamento e
catodo

anodo de
focalizao

anodo de
acelerao

placas de
deflexo
horizontal

19

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eletrnica 2

MAT (muito alta tenso) uma tenso aplicada na superfcie do Aqua


dag. O circuito fechado por meio dela.
Catodo Fonte de emisso do feixe de eltrons. Consiste em um pequeno
cilindro coberto por uma camada de material (xido de terras raras) que
emite eltrons ao ser aquecido.
Filamento Est localizado no interior do catodo, mas isolado dele. Ao
ser submetido a uma tenso, o filamento se aquece e emite calor. O catodo,
por estar prximo, tambm se aquece, provocando a emisso do feixe de
eltrons.

CAPTULO 1

Se for aplicada uma tenso senoidal de frequncia suficientemente alta entre


as placas verticais, o ponto se deslocar rapidamente de baixo para cima e, por
causa da rapidez do movimento e da persistncia da luminosidade na tela, ser
visualizada uma linha contnua na vertical.

Figura 1.4

A figura 1.4 apresenta as imagens observadas na tela frontal em quatro situaes:


quando a tenso aplicada nas PDV nula, quando a placa superior positiva, quan
do a placa superior negativa e com a tenso senoidal de frequncia suficientemen
te alta. importante notar que o tamanho do trao est relacionado amplitude da
tenso: quanto maior a tenso, maior o tamanho do trao na vertical. Portanto,
possvel medir o valor da tenso.

Vista frontal da tela


do osciloscpio:
(a) tenso nula
entre as PDV,
(b) placa superior positiva,
(c) placa superior negativa e
(d) tenso senoidal.

Grade de controle Permite aumentar ou diminuir o fluxo de eltrons do


catodo para o anodo.
Anodo de focalizao Eletrodo que funciona como uma lente, direcio
nando o feixe para a tela.
Anodo de acelerao Ligado a uma tenso positiva, esse eletrodo tem a
funo de acelerar os eltrons em direo tela, para que adquiram energia
suficiente para produzir um ponto e gerar a fluorescncia.
Placas de deflexo vertical (PDV) Nelas aplicada a tenso do sinal
que se deseja ver na tela. O movimento do feixe de eltrons na vertical de
pende da polaridade e intensidade da tenso.
Placas de deflexo horizontal (PDH) Nelas aplicada a tenso dente
de serra. A finalidade dessas placas manter constante a velocidade do feixe de
eltrons e possibilitar que ele se desloque da esquerda para a direita na tela.
Figura 1.3
PDV submetidas a tenses
contnuas e alternada:
(a) tenso nula,
(b) placa superior positiva,
(c) placa superior negativa e
(d) tenso senoidal
entre as placas.

Aquadag Material condutor base de grafite que tem a funo de coletar


os eltrons emitidos pelos tomos da tela de fsforo (emisso secundria,
que ocorre depois de os eltrons provenientes do catodo atingirem a tela).

Uma tenso aplicada entre as PDV provocar um movimento do feixe na verti


cal. A figura 1.3 mostra as PDV submetidas a vrias condies de tenso, inclu
sive tenso nula.

a)

b)

c)

d)

O mesmo raciocnio utilizado na anlise das PDV vale para as PDH, isto ,
aplicando uma tenso entre essas placas, o feixe se deslocar na horizontal. A
figura 1.5 mostra as placas vistas de cima e de frente.
Figura 1.5
Vista de cima (VC) e vista
frontal (VF) das PDH.

VC

VF

a)

20

b)

c)

d)

Na figura 1.6, observam-se as vrias trajetrias dos feixes (imagens superiores) e


as possibilidades para a tenso aplicada nas PDH (imagens inferiores).
21

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eletrnica 2

CAPTULO 1

1.3 Tenso dente de serra


Uma tenso dente de serra (DS), indicada na figura 1.8, cresce linearmente com
o tempo, sendo usada como base de tempo para deslocar linearmente o feixe de
eltrons na horizontal.

Figura 1.8
Tenso dente de serra (DS).

VC
+V

VF

a)

b)

c)

d)

Figura 1.6
Vista de cima e vista frontal quando as PDH so submetidas a tenses contnuas e alternadas:
(a) tenso nula, (b) placa esquerda positiva, (c) placa esquerda negativa e (d) tenso senoidal.

Figura 1.7
Tela frontal mostrando o
ponto de incidncia do
feixe de eltrons para
diferentes combinaes
de tenses aplicadas
nas PDV e PDH.

1.2 Composio de movimentos

Caso seja aplicada entre as PDH uma tenso dente de serra de frequncia suficien
temente alta, aparecer, por causa da persistncia do material qumico depositado
na superfcie da tela, uma linha contnua na horizontal. Se a tenso entre as PDV
for nula, o feixe estar centralizado (figura 1.9a). Caso a placa superior seja positiva
em relao inferior, o feixe ser atrado para cima (figura 1.9b). Se a placa superior
for negativa em relao inferior, o feixe se deslocar para baixo (figura 1.9c).

Figura 1.9
Tela frontal com tenso dente
de serra aplicada nas PDH:
(a) tenso nula nas PDV,
(b) tenso positiva nas PDV e
(c) tenso negativa nas PDV.

Se for aplicada tenso ao mesmo tempo nas PDV e PDH, haver uma composi
o de movimentos. Como resultado, o feixe de eltrons se deslocar de acordo
com a intensidade e polaridade das tenses aplicadas, como exemplificado na
figura 1.7.
DS

DS

DS

DS

DS

DS

DS

DS

DS

+V
0

V
a)

b)

Se um osciloscpio estiver calibrado, possvel medir a tenso observando o des


locamento do feixe na tela. Levemos em conta os exemplos da figura 1.9. Supon
do que o ganho esteja calibrado em 2 V/diviso, no primeiro caso, sem tenso
(referncia 0 V), o trao permanecer no meio. No segundo exemplo, como o
feixe subiu trs divises, a tenso medida 2 (V/div)3(div) = 6 V (em relao
referncia adotada). No terceiro caso, adotando a mesma referncia, como o des
locamento foi trs divises para baixo, o valor o mesmo, mas negativo: 6 V.
22

c)

Ganho, no caso
do osciloscpio,
refere-se amplitude
do sinal visto na tela.

23

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eletrnica 2

Se fosse aplicada uma tenso quadrada (+6 V/6 V) de mesma frequncia do


dente de serra, o que seria observado na tela do osciloscpio? E se o dente de
serra tivesse a frequncia reduzida pela metade? As figuras 1.10a e 1.10b mos
tram essas possibilidades.

Os principais controles do osciloscpio so:


Chave Liga Liga/desliga o osciloscpio e possibilita o ajuste de intensidade de
brilho.
Chave AC/GND/DC Na posio AC, insere internamente um capacitor, im
pedindo a passagem de tenses contnuas; deve ser usada para medir a ondula
o (ripple) de uma tenso. Na posio GND, aterra o amplificador vertical, es
tabelecendo o zero de referncia. Na posio DC, deixa passar o sinal e a com
ponente contnua deve ser utilizada quando se deseja observar um sinal de valor
mdio. A figura 1.12 mostra as trs condies.

Figura 1.10
Tenso dente de serra
aplicada nas PDH com
(a) tenso quadrada
de mesma frequncia
nas PDV e
(b) tenso quadrada
de frequncia duas
vezes maior nas PDV.

CAPTULO 1

1a varredura

2a varredura
1a varredura
PDH

Figura 1.12

PDH

2a varredura

Chave seletora de entrada.


AC

PDV

entrada
vertical

PDV

a)

b)

para o amplificador vertical

DC

GND

Podemos concluir que, para visualizar determinada forma de onda na tela do os


ciloscpio, a frequncia da forma de onda deve ser maior que a do dente de serra.
Na prtica, para isso, ajustamos a frequncia do dente de serra (base de tempo)
at aparecer na tela mais de um ciclo da forma de onda.

1.4 Osciloscpio padro


Vamos conhecer outras particularidades do osciloscpio analgico padro. Esse
equipamento apresenta, na maioria das vezes, um painel frontal semelhante ao
da figura 1.11 (osciloscpio de dois canais); a posio dos botes no painel de
controle pode ser diferente, dependendo do fabricante. Antes de tudo, preciso
saber identificar as funes dos botes no painel de controle frontal e como se
estabiliza a imagem da forma de onda na tela.
Figura 1.11
Tela frontal do osciloscpio
analgico padro.

Volts/div

Volts/div

Time/div

Volts/div Permite alterar a sensibilidade na vertical, associando cada diviso


na vertical a um valor em volts. Por exemplo, 1 V/div significa que, se o sinal
ocupar uma diviso, porque a tenso aplicada entre as placas verticais 1 V.
Controle de posio vertical (Y pos) Desloca o trao na vertical.
Controle de posio horizontal (X pos) Desloca o feixe horizontalmente.
Time/div Varredura ou base de tempo. Gradua, em segundos, cada diviso
da tela na horizontal. Essencialmente, muda a frequncia do dente de serra. Por
exemplo, o valor 1 ms/div significa que, se um ciclo do sinal ocupar uma diviso
na horizontal, seu perodo ser de 1 ms.
Chave INT/EXT/REDE Na posio INT, permite a utilizao do sincronis
mo interno. Na posio EXT, d acesso entrada de sincronismo externo. Na
posio REDE, sincroniza a varredura com a rede eltrica.

AC

DC

GND

INT

EXT

REDE

SINCR

Chave +/ Permite selecionar a polaridade de sincronismo da forma de onda


na tela.
Liga

24

Foco

Cal.

Canal A
Entr. Vertical

Canal B

Entr. Horiz. (Sincr. Ext.).

Nvel de sincronismo (SINCR) Permite o ajuste de sincronismo, ou seja, d


estabilidade para a forma de onda, mantendo a onda parada na tela.
25

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eletrnica 2

Cal. Sada de um sinal (onda quadrada) interno de frequncia e amplitudes


definidas (em geral 1 V PP/1 kHz); utilizado para calibrao (figura 1.13).

Figura 1.14

Sada calibrada,
ligada ao canal 1.

Volts/div
CaL

Canal 1

R2
(1 M)

Time/div
1 ms

Volts/div

Circuito de entrada
do osciloscpio:
(a) sem capacitor de
compensao,
(b) com capacitor de
compensao e
(c) formas de onda
com compensao e
sem compensao. Os
valores das resistncias
esto em megaohm.

Ve

Ve
R1
(9 M)

Figura 1.13

CAPTULO 1

para osciloscpio
C2

a)

R1
(9 M)

C1

R2
(1 M)

C2

para osciloscpio

b)

Canal 2

C1 correto

C1 muito pequeno

C1 muito alto

Na figura 1.13, a sada calibrada est ligada ao canal 1 por pontas de prova, pelas
quais o osciloscpio recebe a informao do meio exterior (o sinal). As pontas
podem ser atenuadas ou no. Ponta atenuada significa que um sinal de 10 V PP
dividido por 10 e, portanto, efetivamente o osciloscpio recebe 1 V PP. Ento, ao
ler esse valor na tela do osciloscpio, necessrio multiplic-lo por 10. Na ponta
de prova sem atenuao, o valor que aparece na tela igual ao valor medido.

c)

A figura 1.15 mostra o aspecto de uma ponta de prova.


Figura 1.15
Ponta de prova.

As pontas de prova com atenuao possuem uma chave que pode estar na posi
o x1 ou x10. Alm disso, existe outro ajuste na ponta de prova, que o capaci
tor de compensao, explicado a seguir.
De maneira geral, o circuito da figura 1.14a representa a ponta de prova com a
impedncia de entrada (R 2) do osciloscpio (que normalmente 1 M M) e
a resistncia de atenuao (R1, que vale 9 M se a impedncia de entrada for 1
M). C2 representa a capacitncia parasitria, que decorrente da fiao.
Na figura 1.14b observa-se o circuito com compensao. Sem nenhuma com
pensao, a forma de uma onda quadrada apresenta uma distoro que pode
ocorrer por sobretenso (overshoot) ou subtenso (undershoot). A compensao
feita por um capacitor varivel colocado na ponta de prova para que resulte em
uma forma de onda perfeitamente quadrada. A figura 1.14c representa as formas
de onda.
Para que a compensao resulte em uma forma de onda quadrada perfeita
na tela do osciloscpio, a relao entre os componentes da figura 1.14b
dada por:

C1 =

26

R2
C2 (1.1)
R1

Vilax/Shutterstock

muito comum
o uso apenas do
mltiplo da unidade
nos casos em que
ela est claramente
subentendida
(nesse caso, o
ohm). A inteno
do emprego neste
livro proporcionar
ao leitor uma viso
ampla do que se
encontra na prtica.

Entradas verticais Conectores que permitem entrar com um sinal no amplifi


cador vertical antes de ser aplicado nas PDV. No caso de osciloscpio duplo ca
nal, so duas entradas. Por exemplo, ligando o sinal calibrado (1 V PP/1 kHz) ao
canal 1 e ajustando Volts/div = 1 V/div e Time/div = 1 ms/div, aparecer na tela
do osciloscpio a forma de onda da figura 1.16a. Caso os ajustes sejam Volts/div
= 0,5 V/div e Time/div = 0,5 ms/div, a mesma onda quadrada aparecer como na
27

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eletrnica 2

CAPTULO 1

figura 1.16b. Na figura 1.16c, os ajustes considerados foram Volts/div = 0,2 V/div
e Time/div = 0,2 ms/div.
Figura 1.16
Sinal quadrado de
1 Vpp /1 kHz:
(a) 1 V/div e 1 ms/div,
(b) 0,5 V/div e 0,5 ms/div e
(c) 0,2 V/div e 0,2 ms/div.

5 divises

1 diviso

a)

a)

2,5 divises

b)

c)

b)

De acordo com a figura 1.17, para obter a mxima preciso, deve-se escolher o
menor V/div possvel que permita o surgimento do trao na tela (figura 1.17a).

1.6 Medio de tenso alternada


c)

Qual das trs imagens mais adequada para visualizao? Com certeza a da tela
representada na figura 1.16c, pois apresenta mais preciso. Portanto, as escolhas
do ganho vertical e da base de tempo so dois fatores importantes para boa vi
sualizao da imagem.

1.5 Medio de tenso contnua


Uma tenso contnua aparece na tela do osciloscpio como uma linha contnua.
Para medir seu valor, conta-se na tela o nmero de divises, a partir da referncia
zero, e multiplica-se esse nmero por volts/diviso:

Figura 1.17
Medindo 5 V:
(a) 5 V/div,
(b) 1 V/div e
(c) 2,5 V/div.

A tenso alternada apresenta duas variveis bsicas que podem ser mensuradas:
a tenso de pico a pico e o perodo.
O procedimento para medir a tenso alternada semelhante ao utilizado para me
dir a tenso contnua, ou seja, escolher adequadamente o ganho vertical (V/div) e
a base de tempo (ms/div). A figura 1.18 mostra uma tenso senoidal de 10V P
(20 V PP) e frequncia de 1 kHz para diferentes ajustes do ganho vertical. Em
todos os casos a base de tempo est fixada em 0,2 ms/div e o ganho vertical
varia em 5 V/div (figura 1.18a), 20 V/div (figura 1.18b) e 2 V/div (figura 1.18c).
Claramente o melhor ajuste do ganho vertical o primeiro, em que o sinal
ocupa a maior parte da tela sem perder informao.

Figura 1.18
Trs representaes
medindo uma tenso
senoidal de 20 VPP/1 kHz
com ganho vertical ajustado
em: (a) 5 V/div, (b) 20 V/div
e (c) 2 V/div.

4 divises
1 diviso

medida = no de divises

volts
diviso

Para realizar a medio, deve-se obter a linha contnua ajustando a base de tem
po em 1 ms/div, manter a entrada em GND e deslocar o trao para uma posio
adequada na primeira linha, por exemplo.
Escolha um ganho vertical compatvel com o valor a ser medido. Em geral, a tela
tem oito divises. Portanto, a mxima tenso que pode ser medida se o ganho
vertical for 1 V/div ser 8 V; qualquer valor acima de 8 V far com que o trao
saia da tela (levando em conta que o zero est na primeira linha). Evite utilizar
um valor muito pequeno, pois fica difcil ler o nmero de divises.
28

5 divises
a)

b)

c)

Para a medida do perodo, ou seja, o inverso da frequncia, a escolha da base de


tempo fundamental. Na figura 1.19, em todos os casos o ganho vertical est
fixado em 5 V/div e a base de tempo varia em 0,2 ms/div, 2 ms/div e 50 s/div.
29

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eletrnica 2

Observe que a figura 1.19a permite melhor visualizao para efetuar medidas de
tempo e tenso.

CAPTULO 1

No caso de onda quadrada, definido como:


DC% =

TH
100 (1.2)
T

Figura 1.21
Ciclo de trabalho de uma
onda quadrada em:
(a) 80%,
(b) 50% e
(c) 20%.

em que TH a durao do tempo alto e T o perodo.


A figura 1.21 mostra exemplos de valores de ciclo de trabalho de uma onda
quadrada.
a)

b)

c)

TH

TH

TH

Figura 1.19
Trs representaes
medindo perodo de
senoide de 1 kHz com
ganho horizontal ajustado
em: (a) 0,2 ms/div,
(b) 2 ms/div e
(c) 50 s/div.

1.7 Gerador de funes


um instrumento utilizado para gerar sinais eltricos de diversas formas de
onda (senoidal, quadrada, triangular) de diferentes frequncias (normalmente,
de 1 Hz a 10 MHz) e amplitudes variadas.

Em geral o painel do gerador de funes tem um frequencmetro digital (figura


1.20), que permite visualizar o valor da frequncia que est sendo ajustada. O
sinal sai do gerador de funes atravs de um cabo com conector BNC igual ao
usado no osciloscpio.

display: frequncia/amplitude

a)

b)

c)

Para a onda triangular, o ciclo de trabalho definido como:


DC% =

Figura 1.20
Aspecto geral de um
gerador de funes.

As ondas quadradas e triangulares permitem adicionar um ciclo de trabalho e


tambm uma tenso CC (offset).

T+
100 (1.3)
T

ajuste: amplitude/frequncia

em que T+ o tempo que a onda fica com inclinao positiva e T o perodo da


onda triangular.
A figura 1.22 apresenta exemplos de valores de ciclo de trabalho de uma onda
triangular.

Power
Ampli

Freq

botes de controle

offset

%Duty

Figura 1.22
Ciclo de trabalho de uma
onda triangular em:
(a) 80%,
(b) 50% e
(c) 20%.

sada de sinal

1.7.1 Ciclo de trabalho


O ciclo de trabalho ou duty cicle (DC) definido apenas para as ondas quadrada
e triangular.
30

a)

b)

c)

31

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eletrnica 2

CAPTULO 1

Figura 1.25
Bragin Axeley/Shutterstock

O painel frontal de um gerador de funes se assemelha ao da figura 1.23.


Figura 1.23

Dmitry Eliuseev/Shutterstock

wikemedia.org

Gerador de funes
comercial.

(a) Multmetro analgico


e (b) multmetro digital.

1.8 Offset de tenso


Figura 1.24
Onda senoidal
(a) sem offset,
(b) com 4 V de offset e
(c) com 4 V de offset.

Se a uma tenso alternada for adicionada uma tenso CC, ela passa a ter um
offset (deslocamento), que pode ser positivo ou negativo. A figura 1.24 mostra as
trs situaes possveis: sinal sem offset (0 V), com offset positivo (4 V) e com
offset negativo (4 V).

(b)

Em geral, os multmetros analgicos so usados para medir as trs principais


grandezas tenso, corrente e resistncia eltrica , assim como para efetuar
testes em transistores. Nos primrdios da indstria eletrnica, os multmetros
analgicos eram amplamente utilizados, pois o preo dos digitais era elevado.
Atualmente os digitais so mais robustos e baratos que os analgicos.

4V
0

4 V

a)

(a)

b)

c)

Os multmetros digitais permitem realizar as mesmas medidas dos analgicos


e tambm: capacitncia, indutncia, frequncia, temperatura, entre outras. Os
multmetros digitais apresentam impedncia de entrada da ordem de 10 M,
bem maior que a maioria dos analgicos (a impedncia depende da escala
usada).

1.9.1 Instrumentos True RMS

1.9 Multmetro
O multmetro um dos instrumentos mais usados em eletrnica, podendo ser
digital ou analgico. A figura 1.25a mostra o painel frontal de um multmetro
analgico e a figura 1.25b, o de um multmetro digital.
O multmetro analgico tem um ponteiro que se desloca sobre um painel com
escalas graduadas que permitem a leitura do valor mensurado. No multmetro
digital a leitura do valor medido aparece em um display digital.
32

Os instrumentos digitais possuem outro recurso que os analgicos no tm: a


possibilidade de medida do valor eficaz de tenses no senoidais. Os instrumen
tos No True RMS medem apenas o valor eficaz de uma tenso alternada pu
ramente senoidal (sem distoro); se o sinal apresentar distoro, a medida ser
incorreta. Um instrumento True RMS mede o valor eficaz de qualquer forma de
onda. A tabela 1.1 mostra uma comparao entre as leituras realizadas por esses
instrumentos. Observe que existem dois tipos de instrumentos True RMS, um
com acoplamento CA e o outro com acoplamento CA + CC (quando a tenso
CA tem nvel CC).
33

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ELETRNICA 2

True RMS
Sinal de entrada

No True RMS

Acoplamento
CA + CC

Acoplamento
CA

Senoide pura

verdadeiro

verdadeiro

verdadeiro

Retificada completa

verdadeiro

56,5% abaixo

57,9% abaixo

Retificada meia onda

verdadeiro

22,9% abaixo

22,2% abaixo

Quadrada

verdadeiro

verdadeiro

11,0% abaixo

Triangular

verdadeiro

verdadeiro

4,0% abaixo

Tabela 1.1
comparao entre
instrumentos no true
rmS e true rmS.

Captulo 2

Como se v na tabela 1.1, apenas para uma senoide pura as leituras so coinci
dentes. Nos outros casos, h uma diferena quando o instrumento usado No
True RMS.

Semicondutores

34

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eletrnica 2

2.1 Classificao dos materiais


De maneira bem simples, a classificao dos materiais em relao a seu compor
tamento eltrico feita dividindo-os em isolantes e condutores.

CAPTULO 2

A figura 2.2a mostra, de maneira simplificada, a estrutura do tomo de Si, que


possui quatro eltrons na ltima camada, conhecida como camada de valncia.
Para facilitar o entendimento, representamos, na figura 2.2b, o tomo de silcio
somente com o ncleo e a camada de valncia.

Os condutores so materiais que permitem a passagem da corrente eltrica em


seu interior quando submetidos a uma diferena de potencial, pois possuem
cargas eltricas livres. Exemplos: alumnio, cobre, ferro etc.
Os isolantes so materiais que, em condies normais, no permitem a passagem
da corrente eltrica em seu interior, pois no possuem cargas eltricas livres.
Exemplos: madeira, plsticos, porcelana, fenolite etc.
Existe outro tipo de material que apresenta caractersticas eltricas intermedi
rias entre os isolantes e os condutores: os semicondutores (que tambm poderiam
ser chamados de semi-isolantes). Esses materiais tm sido muito utilizados na in
dstria eletrnica desde a decada de 1950, tanto na construo de componentes
como na de circuitos integrados. Os principais semicondutores so o silcio e o
germnio, apesar de existir grande variedade de outros materiais.
A classificao dos materiais quanto capacidade de conduzir ou no a corrente
eltrica pode ser feita de acordo com sua condutividade ou resistividade. A figu
ra 2.1 mostra a classificao dos materiais segundo sua condutividade.
Figura 2.1
Classificao dos materiais
segundo sua condutividade.

Isolantes

10 20

Semicondutores

10 16

10 8

10 12

10 0

10 4

( ohm 1 cm 1

10 4

Estrutura simplificada
do tomo de Si
(a) com todas as camadas
e (b) com o ncleo e a
camada de valncia.

Ncleo

Si

(a)

(b)

Como o nmero de eltrons igual ao nmero de prtons, o tomo dito neu


tro. Muitas vezes nos referimos ao silcio como cristal de silcio, porque o ar
ranjo geomtrico de seus tomos feito de forma simtrica e regular em todas as
direes, motivo pelo qual chamado de cbico. Nesse arranjo um tomo de Si
se liga a quatro tomos vizinhos por ligaes covalentes, em que cada tomo
fornece um eltron, formando, na ltima camada, oito eltrons, o que configura
uma situao estvel. A figura 2.3 ilustra, no plano, o arranjo espacial dessa
configurao.
Figura 2.3

10 8
Cobre
Ferro

Germnio

Silcio

Vidro

Diamante

Slica fundida

Condutividade

Metais

Figura 2.2

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Estrutura cristalina do Si
temperatura de
0 K (273 C)
comportamento
de isolantes.

2.2 Semicondutor intrnseco


O semicondutor em seu estado puro chamado de intrnseco, tendo pouca ou
nenhuma utilidade quando est nessas condies. Como dissemos, os princi
pais semicondutores usados so o silcio (Si) e o germnio (Ge); existem outros,
porm no sero abordados neste livro. O estudo de semicondutores pode ser
feito de duas maneiras: por meio do conceito de bandas de energia (anlise que
utiliza conceitos da Fsica) ou por meio do conceito de ligao covalente (que
uma abordagem da Qumica). Usaremos a segunda por apresentar significado
mais concreto.
36

importante notar que, nas condies indicadas na figura 2.3, o silcio se com
porta como isolante, pois no existem cargas livres. No entanto, com o aumento
da temperatura, a energia trmica fornecida ao cristal provoca a quebra de
37

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eletrnica 2

algumas ligaes covalentes, liberando, assim, eltrons de valncia. Os espaos


vazios deixados por causa de tais rompimentos se comportam como cargas el
tricas positivas, denominadas lacunas ou buracos.

CAPTULO 2

A figura 2.6 mostra o instante seguinte, em que um eltron de valncia com


energia suficiente pode preencher a lacuna, demonstrando que ela se deslocou
para a direita, no sentido do polo negativo da bateria.

A figura 2.4 representa a mesma estrutura da figura 2.3, mas com algumas das
ligaes covalentes rompidas. A quantidade de energia necessria para quebrar
uma ligao depende do tipo do semicondutor; no caso do Ge, 0,72 eV e, no
do Si, 1,1 eV.

Figura 2.6
Cristal de Si submetido
a um campo eltrico
(tenso eltrica) num
instante t2 > t1.

campo eltrico

eltron livre

Figura 2.4
Estrutura do Si a uma
temperatura acima de 0K
(acima de 273 C)
gerao de pares
eltron-lacuna.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

lacuna
eltron livre

Si

bordas do cristal

Si

Si

lacuna

Si

Si

Si

A aplicao de uma diferena de potencial na estrutura do silcio possibilita o mo


vimento dessas cargas eltricas (eltron livre e lacuna): os eltrons se dirigem para o
polo positivo da fonte externa e as lacunas, para o polo negativo. A maneira como
ocorre a movimentao dos eltrons j foi abordada em eletrodinmica, mas e as
lacunas, como se movimentam contribuindo para a formao da corrente eltrica?

Esse fenmeno se repete para outro eltron de valncia, como ilustra a figura
2.7. Assim, existe no semicondutor uma corrente de eltrons livres da direita
para a esquerda e uma corrente de lacunas da esquerda para a direita, e essas
correntes se somam. importante notar que os eltrons de valncia que se
deslocam para a esquerda eventualmente encontraro a borda do cristal e,
portanto, o polo positivo da bateria, transformando-se em eltrons livres. A
corrente total no cristal ser a soma do fluxo de eltrons com o fluxo de lacu
nas: IT = Ie +Il.
Figura 2.7

eltron livre

Na figura 2.5, o eltron livre est representado por um ponto preto e sua ausn
cia (a lacuna), na ligao covalente, por um ponto branco. O sentido do campo
eltrico tal que o eltron se movimenta para a esquerda, onde est o polo posi
tivo da bateria que fornece a ddp.

Cristal de Si submetido
a um campo eltrico
(tenso eltrica) em
um instante t3 > t2.

campo eltrico

Para entendermos o mecanismo de conduo de eltrons e lacunas, considere


mos as figuras 2.5, 2.6 e 2.7.
Si

lacuna

Si

Si

Si
lacuna

bordas do cristal

Figura 2.5
Cristal de Si submetido a
um campo eltrico (tenso
eltrica) em um instante t1.

campo eltrico

2.3 Semicondutor extrnseco

eltron livre

Si

Si
lacuna

bordas do cristal

38

Si

Si

Na prtica, no usamos o semicondutor intrnseco, e sim o extrnseco. O


semicondutor extrnseco obtido pela adio de elementos chamados de
impurezas (tipos de tomos), cuja principal finalidade alterar algumas pro
priedades eltricas, principalmente a resistividade em relao ao fluxo de
eltrons. Existem dois tipos de semicondutores extrnsecos: o material N e
o material P.
39

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eletrnica 2

2.3.1 Semicondutor tipo N


obtido adicionando ao cristal puro (de silcio ou germnio) um material pen
tavalente, isto , que tem em sua ltima camada cinco eltrons de valncia. Em
geral, o material mais utilizado o fsforo (P).

Figura 2.8
(a) tomo de fsforo ligado
a quatro tomos de silcio;
(b) o quinto eltron livre
gera um on positivo preso
estrutura cristalina.

O que acontece, ento, quando tomos de fsforo so adicionados ao cristal do


semicondutor? Tomemos como exemplo um semicondutor de silcio. Alguns de
seus tomos sero substitudos pelo tomo do fsforo, e, como o nmero de to
mos da impureza muito menor que o de tomos do semicondutor, essa impu
reza se ligar a quatro tomos de silcio, conforme ilustra a figura 2.8a. Observe
que cada tomo de silcio contribui com um eltron para que ocorra uma ligao
compartilhada, sobrando um eltron. Esse quinto eltron est fracamente ligado
ao tomo, bastando uma energia diminuta para torn-lo livre. O importante
dessa situao que no foi gerada nenhuma lacuna (figura 2.8b).

Si

quinto eltron livre

Si

quinto eltron

Si

Si

Si

Si

Si

(a)

(b)

Si

CAPTULO 2

Dependendo da aplicao, essa uma condio indesejvel. Nos computadores,


por exemplo, uma falha no cooler (responsvel por evitar o superaquecimento
dos componentes semicondutores) pode causar travamento. Essa uma desvan
tagem do semicondutor quando comparado com a vlvula terminica, mas
mesmo assim os pontos positivos superam de longe os negativos.

2.3.2 Semicondutor tipo P


obtido adicionando quantidades controladas de impureza trivalente ao ma
terial puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo desse tipo de impureza o
boro (B). Como o boro trivalente, seus trs eltrons de valncia sero compar
tilhados com quatro tomos de silcio das vizinhanas, porm uma das ligaes
no se completar. A ausncia de um eltron nessa ligao poder se comportar
como lacuna (figura 2.9). E como isso acontece?

Como os eltrons esto em maioria no material, so chamados de portadores


majoritrios e as lacunas, de portadores minoritrios. extremamente impor
tante notar que a quantidade de impureza adicionada determina a principal ca
racterstica eltrica, que a condutividade, pois, quanto maior o nmero de
eltrons livres existentes, maior a capacidade de conduzir. Outro ponto funda

40

Figura 2.9
(a) tomo de boro ligado
a quatro tomos de Si
abaixo da temperatura
de ionizao;
(b) a vaga (lacuna)
preenchida por um
eltron de valncia de um
tomo prximo, gerando
um on negativo preso
estrutura cristalina acima da
temperatura de ionizao.

Inicialmente, em temperaturas prximas do zero absoluto, os eltrons de valn


cia de um tomo vizinho ao da impureza no tm energia suficiente para preen
cher a ligao, e, portanto, o material se comporta como isolante. Conforme a
temperatura aumenta, um eltron de valncia do tomo vizinho recebe energia
suficiente para se deslocar e ocupa a vaga na ligao no completada com um dos
eltrons do boro. Desse modo, como o tomo estava neutro e passa a ter um
eltron a mais, torna-se um on negativo. A vaga deixada por esse eltron pode
se comportar como lacuna. Ento, foi gerada lacuna sem o aparecimento de
eltron livre, e por isso o material chamado de P.

Si

Esse processo pode ser mais bem compreendido se imaginarmos a temperatura


variando do zero absoluto. A partir desse valor, o quinto eltron est preso;
portanto, no existe portador de carga livre e o material se comporta como iso
lante. Aumentando gradativamente a temperatura, o quinto eltron liberado
e o material passa a conduzir corrente eltrica. Quanto mais a temperatura au
menta, mais ligaes covalentes comeam a se quebrar, gerando mais eltrons
livres e lacunas. Assim, o material torna-se neutro, motivo pelo qual recebe o
nome de semicondutor tipo N. Observe na figura 2.8 que o cristal neutro,
pois para cada quinto eltron liberado a impureza fica ionizada positivamente.

Vlvula terminica
um dispositivo
eletrnico constitudo
de um filamento, um
catodo e um anodo
no interior de um
tubo de vidro no qual
h vcuo ou gs sob
baixa presso. Nela,
a corrente eltrica
s pode passar
em um sentido.

mental que a temperatura afeta significativamente essa propriedade, porque,


quanto maior a temperatura, maior o nmero de eltrons e de lacunas.

Si

Si

Si

ligao no
completada

Si

Si

Si

Si

Si

Si
o eltron de valncia
desta posio se moveu
para outra posio

Si

Si

Si

Si
(a)

(b)

Se a temperatura aumentar mais ainda, alm da temperatura de ionizao, sero


gerados os pares eltron-lacuna. Nesse caso, as lacunas so portadores majorit
rios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

41

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eletrnica 2

CAPTULO 2

2.4 Juno PN

2.4.1 Juno PN com polarizao reversa

Se uma barra de material P ligada metalurgicamente a uma barra de material


N, cria-se uma juno PN, cujas caractersticas permitem a produo de todos
os dispositivos eletrnicos.

Quando a tenso aplicada tem polaridade como a indicada na figura 2.11,


isto , o lado P negativo em relao ao lado N, a largura da regio de deple
o aumentar, elevando a altura da barreira de potencial e dificultando a
passagem dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro.
Atravs da juno existir uma corrente constituda de portadores minori
trios, os quais dependem apenas da temperatura. Essa corrente chamada
de corrente reversa de saturao (IS) e sua intensidade da ordem de nA (Si)
ou A (Ge).

A diferena de concentrao de lacunas e eltrons livres entre as duas regies da


juno PN possibilita a ocorrncia de um fenmeno chamado de difuso: des
locamento (corrente eltrica) de lacunas do lado P para o N e de eltrons livres
do lado N para o P.

Figura 2.11

A difuso no um processo contnuo, pois o deslocamento de eltrons e lacunas


faz surgir uma regio de cargas negativas (tomos de impurezas receptoras que
aceitaram esses eltrons) e positivas fixas (figura 2.10). Nessa regio, denomina
da regio de cargas espaciais (RCE) ou regio de depleo, no existem cargas
livres, uma vez que, em razo do campo eltrico gerado pelas cargas espaciais,
caso aparea uma carga livre (eltron livre ou lacuna), ela ser acelerada por esse
campo, deslocando-se para o lado N ou P. As cargas fixas criam uma barreira
de potencial que se ope difuso de mais portadores majoritrios lacunas no
lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por IDifuso.
Os portadores minoritrios de ambos os lados da juno esto movimentando-se
aleatoriamente por causa da temperatura. Se algum dos portadores minoritrios
(aqueles gerados pela temperatura) eltrons livres no lado P ou lacunas no lado
N se aproximar da RCE, ser acelerado pelo campo eltrico existente nessa re
gio e passar para o outro lado da juno. Essa corrente chamada de corrente
de deriva (IDeriva).

Juno PN com
polarizao reversa.
largura com polarizao
largura sem
polarizao

IDeriva = ls

As duas correntes podem ser observadas na figura 2.10.


Quando a juno est em equilbrio, a soma das correntes da juno zero, isto
, IDeriva = IDifuso.
Figura 2.10

2.4.2 Juno PN com polarizao direta

Juno PN em aberto
mostrando as duas
correntes: de difuso
e de deriva.

IDifuso

IDeriva

42

O que acontece se invertermos a polaridade da tenso na figura 2.11? Imagine


a tenso da bateria comeando de zero. Inicialmente, como a corrente des
prezvel, toda a tenso externa aplicada na juno, diminuindo a barreira. No
entanto, a corrente comea a aumentar quando a tenso aplicada na juno for
de aproximadamente 0,6 V.
A princpio, toda a tenso estar aplicada diretamente na regio da juno,
baixando a barreira de potencial e tornando desprezvel a queda de tenso no
material N e no P. Desse modo, a corrente controlada pela variao da altura
da barreira (regio no linear da curva caracterstica). medida que a corren
te aumenta, a tenso externa se distribui entre o material e a barreira. Nesse
instante a corrente comea a ser controlada pela resistncia direta do material,
passando a ter comportamento aproximadamente linear com a tenso.
43

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eletrnica 2

A corrente total atravs da juno (I) constituda de duas correntes: a de sa


turao e a de difuso (figura 2.12). A corrente de difuso muito maior que a
de saturao.

Figura 2.12
Juno PN com
polarizao direta.

2.5 Diodo de juno


Diodo de juno um componente constitudo de uma juno PN, tendo todas
as suas caractersticas, ou seja, permite a passagem da corrente em um nico
sentido quando adequadamente polarizado (polarizao direta) e bloqueia a cor
rente quando a polaridade da tenso inverte (polarizao reversa).
A figura 2.13 mostra a representao esquemtica do diodo de juno com seus
terminais hmicos anodo (A) e catodo (K) , seu smbolo e exemplos de dio
dos comerciais.

IDifuso

Figura 2.13

N
anodo

I = ID - IS (2.1)

Bogdan Ionescu/Shutterstock

Da figura 2.12, podemos concluir que:

I = IS (e

VD
VT

- 1) (2.2)

em que:
IS a corrente reversa de saturao,
VD a tenso aplicada na juno,
uma constante que vale aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si.
V T uma constante que depende da temperatura, valendo 26 mV tempera
tura ambiente (T = 300 K).
Com a juno polarizada diretamente (VD > 0), I positiva; com a juno pola
rizada reversamente (VD < 0), I negativa.

(b)

(a) Diodo de juno com


terminais hmicos,
(b) smbolo do diodo
de juno e
(c) diodos de uso geral.

(c)

em que ID a corrente de difuso.


A equao da corrente atravs da juno dada por:

catodo

(a)

IDeriva = ls

44

CAPTULO 2

2.5.1 Curva caracterstica do diodo


O grfico da figura 2.14 mostra a curva caracterstica de um diodo de juno de
silcio, que corresponde equao:
VD

I = IS (e VT - 1)

No grfico da figura 2.14, possvel observar a corrente resultante da tenso


aplicada no diodo em trs regies bem definidas:
1. Regio de polarizao direta: VD > 0,6 V
2. Regio de polarizao reversa: VD < 0 V
3. Regio de ruptura: VD < VBK
45

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eletrnica 2

Figura 2.14
Curva caracterstica de um
diodo de juno de Si.

CAPTULO 2

Id

Diodo de Si
(Silcio)

Parameter

Value

V
BK
0.000

Reserva

0.500

Vd

I = IS (e

- 1) (2.2)

em que:
IS a corrente reversa de saturao,
VD a tenso aplicada no diodo,
uma constante que depende da forma como o diodo foi construdo e
V T uma constante que depende da temperatura, valendo aproximadamente
26 mV a 20 C.
Portanto, para VD > 0 e VD >> 26 mV, o termo negativo dentro dos parnteses
desprezado:

I = IS (e

VD
VT

Para VD < 0 e em mdulo muito maior que 26 mV, a expresso da corrente ser
aproximadamente igual IS.
Existe um valor de tenso que provoca a ruptura da juno, destruindo o diodo
por efeito Joule (aumento excessivo de calor). Essa tenso de ruptura (break
down) representada por VD < VBK, que na literatura costuma aparecer como
VBR e no manual dos fabricantes como VRRM (mxima tenso reversa de pico
repetitiva). Em alguns casos, o diodo construdo especialmente para operar
nessa regio, como o diodo Zener.
46

Units

4001

4002

4003

4004

4005

4006

4007

50

100

200

400

600

800

1000

VRRM

Peak Repetitive Reverse Voltage

IF(AV)

Average Rectified Forward Current,


.375 lead length @ TA = 75 C

1.0

IFSM

Non-Repetitive Peak Forward Surge


Current 8.3 ms Single Half-Sine-Wave

30

TSTG

Storage Temperature Range

55 to +175

Operating Junction Temperature

55 to +175

Direta

Quando em polarizao direta, a expresso matemtica que representa o com


portamento do diodo a mesma equao dada para a corrente atravs da juno,
ou seja:
VD
VT

Folha de dados
parcial diodos de uso geral.

General Purpose Rectifiers


Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted

Symbol

Ruptura

Tabela 2.1

A tabela 2.1 apresenta os dados de diodos de uso geral, para 1 A (IF(AV)) e de


diferentes tenses reversas.

TJ

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.

2.5.2 Diodo polarizado diretamente


O comportamento similar ao da juno PN. Em conduo, um diodo de sil
cio apresenta queda de tenso de aproximadamente 0,7 V. Assim, por exemplo,
podemos estimar a corrente de um circuito de 10 V e 1 k simplesmente escreven
do a equao da malha: 10 = 1 k I + 0,7. Da tiramos que:

I=

10 0, 7
9, 3mA (2.3)
1k

O circuito do exemplo est ilustrado na figura 2.15.


importante observar que, para efeito de clculo, consideramos que a queda de
tenso, no caso de diodo polarizado diretamente, 0,7 V. Alguns autores ado
tam 0,6 V, mas na prtica no faz muita diferena.
Figura 2.15
R
1k

Circuito com diodo


polarizado diretamente.

9,35 mA
10 V

47

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2.5.3 Diodo polarizado reversamente


Quando o diodo est polarizado reversamente, a corrente que se estabelece atra
vs dele da ordem de nA, ou seja, praticamente nula (figura 2.16). Essa corren
te reversa, tambm chamada de corrente de fuga, depende de aspectos fsicos do
material, como dopagem e dimenses, e de fatores externos, entre eles a tempe
ratura de trabalho (o valor dobra a cada aumento de 10 C). Importante: quan
do o diodo est polarizado reversamente, a tenso da fonte est aplicada nos
terminais do diodo, o qual deve ter capacidade para suportar a tenso reversa;
caso contrrio, pode ocorrer um fenmeno denominado avalanche, que, em ge
ral, causa a ruptura da juno.

CAPTULO 2

O grfico da figura 2.17 representa a curva caracterstica para esse modelo e o


circuito equivalente.
Figura 2.17
ID
polarizao
reserva

Diodo ideal (chave):


(a) curva caracterstica e
(b) circuito equivalente.

polarizao
direta

VD

>0
VD _

VD < 0

Figura 2.16
Circuito com diodo
polarizado reversamente.

R
1k

a)

R
1k

~0
=

10 V

VD = 10 V
10 V

A corrente de fuga a soma da corrente reversa de saturao com a corrente


superficial. A corrente de saturao depende da dopagem do semicondutor e da
temperatura de trabalho; a corrente superficial, das dimenses fsicas do diodo,
variando de acordo com a tenso aplicada. Por essa razo, observando a curva do
diodo em polarizao reversa, possvel notar uma ligeira inclinao, que indica
um pequeno aumento na corrente quando a tenso aumenta.

b)

A figura 2.18a representa um circuito com um diodo real (1N4001) ligado a uma
bateria de 100 V e a figura 2.18b mostra o mesmo circuito, porm com o diodo
substitudo por uma chave fechada. No primeiro caso, a corrente vale 99,2 mA
e, no segundo, 100 mA, mas na prtica essa diferena de valores desprezada, o
que significa que o modelo pode ser usado.

Alm do modelo adotado pelo fabricante do simulador, existem modelos simples


que o projetista de circuitos pode utilizar, dependendo da complexidade e da
preciso que ele deseja obter.
Por exemplo, no caso do diodo, quando polarizado reversamente, representado
por um circuito aberto (chave aberta); quando ligado em polarizao direta,
utiliza-se um dos modelos ou circuitos equivalentes descritos a seguir.

Modelo 1 Diodo ideal


o circuito equivalente (modelo) mais simples. Consiste em representar o diodo
por uma chave fechada (curto-circuito), quando polarizado diretamente, e por
um circuito aberto, quando polarizado reversamente.
48

(a) Simulao e
(b) circuito com
o modelo 1.

1N4001

1k

1k

chave

100 mA

99,2 mA
100 V

2.5.4 Modelos (circuitos equivalentes) para diodo


Estabelecer um modelo para um componente eletrnico (resistor, fonte de tenso,
fonte de corrente, capacitor e indutor) significa represent-lo em um circuito por
meio de componentes bsicos, o que permite usar as leis de circuito para analis-lo.

Figura 2.18

100 V

a)

b)

Existe alguma limitao no uso desse modelo? Essa forma de representar um


diodo pode sempre ser usada? Na figura 2.19, em vez de 100 V, a bateria utiliza
da de 1,5 V. Nesse caso, a diferena entre as duas medidas alta (66%), o que
significa que o modelo no adequado.

Figura 2.19
(a) Simulao e
(b) circuito com o
modelo 1 (inadequado).

1N4001

1k

1k

chave

1,5 mA

0,95 mA
1,5 V

1,5 V
a)

b)

49

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eletrnica 2

Ento, conclui-se que, se o valor da tenso da bateria for da mesma ordem de


grandeza da barreira de potencial (0,6 V), o modelo de chave no pode ser usado.

CAPTULO 2

ID

Modelo 2 Bateria

RD

Um modelo mais elaborado considera o diodo conduzindo corrente eltrica


como se fosse uma pequena bateria de 0,6 V (valor a partir do qual o diodo ini
cia a conduo). Portanto, se a tenso aplicada no diodo for menor que 0,6 V, ele
se comportar como uma chave aberta; se a tenso estiver acima de 0,6 V, o
diodo ser substitudo por uma bateria de 0,6 V. A figura 2.20 mostra a curva
caracterstica representativa desse modelo e o circuito equivalente.

0,6 V VD

0,6 V

a)

b)

A figura 2.23a mostra o valor da corrente em um diodo real e no circuito com o


modelo, com resistncia direta de 5 e resistncia de carga de 1 k.

Figura 2.20
Modelo com bateria:
(a) curva caracterstica e
(b) circuito equivalente.

> 0,6 V
VD _

VD < 0

ID

0,6 V

> 0,6 V
VD _

VD < 0

VD

Figura 2.22
Modelo que considera
resistncia direta:
(a) curva caracterstica e
(b) circuito equivalente.

1N4001

1k

1k

0,6 V

0,6 V
a)

b)

0,95 mA

1,5 V

a)

Figura 2.21

Figura 2.23
(a) Simulao e (b) circuito
com o modelo 3.

b)

Na figura 2.21, pode-se verificar que os valores obtidos no diodo real e no mo


delo so muito prximos.

(a) Simulao e
(b) circuito com o modelo 2.

A figura 2.24 reproduz a mesma anlise, porm com uma resistncia de carga
menor, 100 .

1N4001

1k

1k

0,6 V

Figura 2.24
0,95 mA
1,5 V

0,90 mA
1,5 V

a)

1N4001
100

100

b)

O modelo com bateria deve ser usado quando a tenso de polarizao for maior
que 0,6 V e da mesma ordem de grandeza.

Modelo 3 Bateria e resistncia (modelo linearizado por


trechos de reta)
Pode-se obter maior preciso levando em conta a resistncia do diodo quando est
em conduo. A figura 2.22a ilustra a curva caracterstica linearizada por dois
trechos de reta, que representa a bateria em srie com resistncia de baixo valor.

0,6 V

8,57 mA

8,54 mA
1,5 V

50

0,89 mA

1,5 V

a)

(a) Circuito com diodo


simulao no MicroCap
e (b) circuito com o
modelo que representa
dois trechos de reta.

1,5 V

b)

Podemos observar que, nos dois casos (1 k e 100 ), os valores das correntes
so muito prximos; no primeiro (1 k), a diferena se deve ao fato de que o
trecho linearizado no coincide com a curva. Assim, quanto maior o valor da
corrente, mais a curva coincide com a reta.
51

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eletrnica 2

2.5.5 Anlise grfica


Um circuito com diodo pode ser examinado de duas maneiras: analitica
mente, usando qualquer um dos modelos apresentados no item 2.5.4, ou gra
ficamente, por meio de sua curva caracterstica. importante conhecer esse
tipo de anlise, pois apresenta alguns conceitos que sero utilizados na anlise
de circuitos com transistores.
A anlise grfica consiste em representar no mesmo grfico a curva do diodo e
a curva do gerador. O gerador tem fora eletromotriz igual a VCC e resistncia
interna R. A interseo dos dois grficos a soluo (corrente e tenso nos dois
bipolos).
Consideremos que a equao do diodo seja:

ID = IS (e

VD
VT

CAPTULO 2

A interseo entre a reta e a curva do diodo determina um ponto, chama


do ponto Q (ponto quiescente), que a soluo. Considerando VCC = 3 V,
R = 80 e o diodo 1N4001, a soluo ID = 28 mA e VD = 0,7 V. Essa
soluo apresenta os mesmos valores encontrados no modelo com bateria, ana
lisado no item 2.5.4.

2.5.6 Teste de diodos


Em muitas situaes de trabalho na rea eletrnica, necessrio realizar testes
em semicondutores para saber quais so seus terminais (anodo e catodo) e ve
rificar se esto com defeito (aberto em curto-circuito ou com fuga). O teste de
semicondutores baseia-se no fato de que, sob polarizao direta, uma juno
PN apresenta resistncia baixa (10 , por exemplo) e, sob polarizao reversa,
resistncia alta (> 1 M).
O teste de semicondutores pode ser realizado com um multmetro digital ou
analgico na posio ohmmetro. Por exemplo, ao selecionar ohmmetro em
um multmetro analgico e posicionar as pontas de prova nos terminais de um
diodo, ocorrero as duas situaes indicadas na figura 2.26.

1)

e a do gerador:

Ateno: a polaridade indicada no ohmmetro na figura 2.26 a polaridade da


bateria interna, que o contrrio da indicao externa, ou seja, o terminal ver
melho est ligado internamente ao polo negativo da bateria.

VD = VCC R ID,

Figura 2.26

cujo grfico uma reta conhecida como reta de carga. A representao grfica da
figura 2.25b ilustra a interseo dos dois grficos.
Figura 2.25

Vcc

Anlise grfica:
(a) circuito e
(b) curva caracterstica
e reta de carga.

Diodo polarizado
(a) diretamente e
(b) reversamente.

a)
50

a)

b)

reta de
carga
30

(mA)

40

20
10
0,000
0,000

52

0,500

1,000
VD (V)

1,500

b)

2,000

2,500

3,000

A figura 2.27 mostra como realizar o teste usando o multmetro digital, com
a chave posicionada no smbolo do diodo. Quando o diodo est em boas con
dies, em polarizao direta, o display exibe um valor de tenso de 650 a 700
mV e, em polarizao reversa, uma barra vertical do lado esquerdo, indicando
resistncia muito alta (figura 2.27a). Se no display aparecem zeros, o diodo est
em curto-circuito (figura 2.27b). Quando se v a barra vertical nos dois sentidos,
o diodo est aberto (figura 2.27c).
53

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eletrnica 2

CAPTULO 2

Figura 2.27

Figura 2.28

Teste com multmetro digital:


(a) diodo em bom estado,
(b) diodo em curto-circuito e
(c) diodo aberto.

1 000
900
800
700
600

Varicap:
(a) smbolo;
(b) curva de capacitncia
e tenso reversa;
(c) exemplos de
varicaps comerciais.

T = 25 oC

500
400
300
200
anodo

catodo

10

20

30

40

Reserva Voltage

a)

a)

a)

b)

MVAM108
MVAM109
MVAM115
MVAM125

b)

b)

CASE 182-02, STYLE 1


(TO-226AC)

MBRP3045N
Schottky Barrier Rectifier

a)

b)

1. anodo
2

2. catodo
3

3. anodo

TO220

2
2. catodo

1. anodo

c)

A figura 2.29 ilustra a aplicao tpica de varicap em circuito de rdio AM. Os


diodos podem ser localizados por seu smbolo caracterstico.

c)

Figura 2.29

c)

+
To IF

AGC

2.6 Diodo varicap


Um diodo varicap ou varactor uma juno PN que funciona com polarizao
reversa (figura 2.28). Sua principal caracterstica permitir que a capacitncia
associada regio de carga espacial
c) seja alterada de acordo com a tenso rever
sa aplicada. A capacitncia associada regio de carga espacial inversamente
proporcional raiz quadrada da tenso aplicada. Esse tipo de diodo usado em
circuitos de sintonia de rdio, TVs, osciladores controlados por tenso (VCO),
sintetizadores de frequncia e qualquer aparelho em que for necessrio obter
uma capacitncia varivel controlada por meio eletrnico.
54

Aplicao tpica de
diodo varicap em
circuito de rdio AM.

MVAM
xxx

MVAM
xxx

Tuning Voltage
MVAMxxx

55

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eletrnica 2

CAPTULO 2

2.7 Diodo Schottky

Exemplos

O diodo Schottky ou de barreira usado para comutar em alta frequncia, pois


nele no ocorre recombinao (lacuna encontrando eltron livre). Esse fenmeno
no observado porque o dispositivo feito de um material N e um metal. A
juno resultante se comporta como um diodo, em que o anodo o metal e o
catodo o semicondutor, permitindo que o dispositivo seja comutado de cortado
para em conduo e vice-versa muito mais rpido que um diodo comum. Outra
caracterstica do diodo de barreira est relacionada queda de tenso. Nesse mo
delo, o valor da ordem de 0,3 V, menor que em diodos tradicionais. O diodo
Schottky utilizado em fontes chaveadas que operam em dezenas de quilohertz
e na proteo contra transientes de tenso elevados. A figura 2.30 mostra os as
pectos construtivo e fsico desse diodo e seu smbolo.

1. Determine a corrente no diodo D (ideal) da figura 2.31.


Figura 2.31

3k
R1

18 V

Figura 2.30

6V

6k
R2

Diodo Schottky:
(a) aspecto construtivo,
(b) smbolo e
(c) aspecto fsico.

metal

anodo

material N

a)

catodo

anodo

catodo

b)

Soluo:
Para resolver o circuito, basta aplicar o teorema de Thvenin entre os pontos A e
B, chegando ao circuito da figura 2.32.
Figura 2.32

DO-204AL(DO-41)

RTh
2k

Major Ratings and Characteristics


Characteristics

10DF.

lF(AV)
VRRM ange
lFSM
VF

@1A,T =25C
J

@T J=25C
TJ

ange

D1

Units

VTh

100to 800

12 V

34

1.2

100

ns

-65to150

6V
B

Fonte: http://www.datasheetcatalog.net/pt/datasheets_pdf/I/O/D/F/IODFI.shtml

c)

O diodo est polarizado diretamente (o anodo positivo em relao ao catodo).


A corrente ser igual a (considerando diodo ideal):
I=

56

12 V 6 V
= 3 mA
2k
57

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ELETRNICA 2

2. Determine a tenso Vs no esquema da figura 2.33, considerando os diodos ideais.


Figura 2.33

Captulo 3

3k
D1

20 V
A

D2

5V

D3
Vs

5V

Soluo:
O circuito ser analisado de acordo com os possveis estados para os diodos.
Como so trs diodos, admitemse oito combinaes, pois cada diodo pode estar
em conduo ou cortado. Algumas dessas combinaes so altamente improv
veis ou impossveis e, portanto, sero descartadas. Por exemplo, aparentemente, a
bateria de 20 V promove a conduo dos trs diodos. Iniciemos a anlise imagi
nando que os trs diodos esto conduzindo. Para essa situao, h uma incon
sistncia, pois o ponto A estaria com trs valores de tenso (5 V, 0 V e 5 V), o
que no possvel.
Vamos considerar outra combinao (aparentemente a mais provvel), que D1
e D2 cortados e D3 em conduo (figura 2.34).
Figura 2.34
3k
D1

20 V
A

D2

5V

D3
Vs

5V

Nesse caso, se o diodo D3 est em conduo, seu anodo est em 5 V. Conse


quentemente, D2 est em polarizao reversa com 5 V e D1, com 10 V. Assim,
a suposio inicial (D1 e D2 cortados e D3 em conduo) verdadeira.
Resposta final: Vs = 5 V.
58

Aplicaes
de diodos
semicondutores

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eletrnica 2

CAPTULO 3

Ve

Vrede

alimentao de todos os circuitos eletrnicos feita por meio de


tenso contnua, porm a tenso na rede alternada. Os circuitos
que convertem tenso CA em CC so chamados de conversores
ou retificadores. Sua funo converter a tenso senoidal em pulsante, que,
em seguida, filtrada e eventualmente aplicada em um regulador de tenso. O
dispositivo utilizado para obter a retificao o diodo de juno, estudado no
captulo anterior.

Quando a tenso de entrada (Ve) for positiva, o diodo conduzir e a tenso na


carga ser igual tenso de entrada descontando 0,7 V. Se a tenso de pico de
entrada (VP) for muito maior que 0,7 V, a tenso na carga ser praticamente igual
a Ve. No semiciclo negativo (Ve< 0), o diodo estar cortado e toda a tenso estar
aplicada entre seus terminais; por isso, o diodo deve ter uma tenso de ruptura
maior que VP. A figura 3.1 apresenta situaes do circuito e formas de onda.
A funo de um retificador manter uma tenso contnua na sada. A tenso na
carga tem um componente contnuo, aqui denominado VCC (VDC, em ingls),
que se calcula por:

VCC =

VP
(3.1)

Portanto, a corrente na carga vale:

ICC =

VCC
(3.2)
RL

Obs.: a tenso mdia (VCC) medida por um voltmetro CC.


60

VL

VP
Ve

a)

0
D
+
Vrede

Ve

RL

VD = 0

VL Ve

VP

VP

VCC

VL

b)
D

3.1 Retificador de meia onda


O circuito retificador de meia onda composto por um nico diodo acoplado
na sada de um transformador. Graas a essa configurao, aps a passagem
pelo diodo, observam-se somente semiciclos positivos, pois durante o semiciclo
negativo a tenso na carga nula.

RL

0
0

Ve

Vrede

VD = Ve

RL

VL = 0

diodo conduz

diodo corta

VD

VP
d)

c)

Figura 3.1
Para essa mesma forma de onda, o valor da tenso eficaz (medida por um volt
metro True RMS) dado por:

VRMS =

VP
(3.3)
2

Obs.: a tenso eficaz medida por um voltmetro True RMS AC + DC.

(a) Circuito retificador


de meia onda;
(b) circuito equivalente
no semiciclo positivo;
(c) circuito equivalente
no semiciclo negativo;
(d) formas de onda
de entrada, na carga
e no diodo.

As expresses anteriores so verdadeiras quando o valor de pico muito maior


que 0,7 V; caso contrrio, deve-se subtrair 0,7 V de VP (figura 3.2). Nesse caso,
os valores da tenso mdia e da tenso eficaz so calculados, respectivamente, por:

VCC =

VP 0, 7

VRMS =

VP 0, 7
2
61

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eletrnica 2

CAPTULO 3

Consideremos que no circuito da figura 3.1 VP = 17 V e o diodo 1N4001 com


RL = 100 .

V CC =

V P 0,7

VRMS =

V P 0,7
2

Os valores so:
VCC =

VP

VP 0,7 V

0,7 V

17 0, 7
5, 2 V
= 5, 2 V , ICC >
= 52 mA e
100

valor eficaz =

17 V
= 8, 5 V
2

Podemos observar que esses valores esto bem abaixo dos limites.

3.2 Retificador de meia onda com filtro capacitivo


Figura 3.2
Formas de onda de entrada
e sada quando a entrada
da ordem de grandeza
da barreira de potencial.

importante lembrar que o diodo deve ser dimensionado de acordo com seus
valores de corrente e tenso.

Dimensionamento do diodo
Os principais limites eltricos encontrados em um datasheet de diodo so:

Datasheet um
documento com
especificaes do
componente.

VRRM = mxima tenso de pico reversa


VRMS = mxima tenso eficaz
VCC = mxima tenso CC reversa
IAV = mxima corrente contnua
IFSM = mxima corrente de surge

Figura 3.3

V (V)

VP
2
VP
p

Para uma tenso retificada de meia onda, se o valor de pico for muito maior que
o ripple, este pode ser estimado aproximadamente por:

Para o diodo 1N4001, por exemplo, os limites so:


VRRM = 50
62

VP
RL

VCC >

VRRM > VP

VRMS >

ripple

Tenso senoidal com


nvel de offset ilustrando
o conceito de ripple.

Para esse retificador de meia onda, os valores das tenses e corrente do diodo
devem ter no mnimo os seguintes limites:

IAV >

Esse tipo de retificador apresenta, alm do diodo retificador, um capacitor asso


ciado em paralelo com a carga. A funo do capacitor diminuir o ripple. Quan
to menor for o ripple da tenso de sada de um retificador, melhor ser sua qua
lidade. A figura 3.3 ajuda a entender o que ripple. Nela, uma tenso senoidal de
1 V de pico est sobreposta a uma tenso CC (tambm chamada de nvel de
offset) de 4 V. Se usarmos um voltmetro CC para medir essa tenso, ele indica
r exatamente 4 V.

IAV = 1A

VRMS = 35 V

VCC = 50 V

Vripple =

VP
(3.4)
f CR
63

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eletrnica 2

em que:
VP o valor da tenso de pico alternada (em volts),
C o valor da capacitncia do capacitor (em farads),
f a frequncia (em Hz) do riplle (meia onda de 60 Hz e onda completa de
120 Hz) e
R o valor da carga (em ohms).

Figura 3.4
Retificador de meia onda
com filtro capacitivo:
(a) circuito e
(b) formas de onda da
tenso na carga e de
entrada (secundrio
do transformador).

A figura 3.4 mostra o circuito e as formas de onda da tenso na carga (RL) e na


entrada do retificador, para uma tenso senoidal de alimentao.

CAPTULO 3

Na figura 3.4b, durante o intervalo de tempo T1, o diodo conduz, porque o va


lor da tenso de entrada maior que o valor da tenso na carga. Desse modo, o
capacitor se carrega at atingir o valor de pico da tenso de entrada.
Durante o intervalo de tempo T2, a tenso de entrada menor que a tenso na
carga. Assim, o diodo corta a corrente e o capacitor se descarrega na carga RL
(na prtica, a carga um circuito qualquer que consome corrente, como um
receptor de rdio). Quando novamente a tenso de entrada passa a ser maior que
a tenso na carga, o diodo volta a conduzir, repondo a carga perdida durante o
intervalo T2.
Observe que, ao aumentar a capacitncia, o tempo de carga diminui e, conse
quentemente, o valor de pico da corrente no diodo aumenta. Por isso, preciso
ter cuidado ao projetar circuitos com valores de capacitncia elevados.

RL

3.3 Retificador de onda completa


Um retificador de onda completa formado por dois diodos, aproveitando, por
tanto, os dois semiciclos da tenso senoidal da rede. Em consequncia, o valor
da tenso contnua na carga aumenta e o ripple diminui, em comparao com o
circuito de meia onda.

a)

Nos retificadores de onda completa, a conexo dos diodos pode ser feita de duas
maneiras, resultando em dois tipos de retificadores com caractersticas distintas:
com center tap e em ponte.

100 000

offset

tenso na carga

60 000

3.3.1 Retificador de onda completa com center tap


20 000
tenso de entrada
T1

T2

20 000

T1=tempo de carga

T2=tempo de descarga

60 000

100 000

b)

Esse tipo de retificador utiliza um transformador com tomada central (center


tap). Os diodos so ligados em cada uma das sadas opostas ao center tap e, como
resultado, obtm-se duas tenses defasadas de 180 entre si.
Ao aplicar tenso no primrio do transformador, observa-se que, durante o semi
ciclo positivo da tenso de entrada, o diodo D1 conduz e o D2 corta. No semiciclo
negativo da tenso de entrada, invertem-se as condies: D2 conduz e D1 corta.
As figuras 3.5b, 3.5c, 3.5d e 3.5e mostram as formas de onda no secundrio do
transformador e na carga. Observe que as duas tenses dos terminais em relao
ao terra (terminal central do secundrio) esto defasadas de 180 entre si. Con
sideraremos como tenso de entrada cada uma das tenses no secundrio, entre
uma extremidade e o terra (center tap), com valor de pico igual a VP e defasadas
de 180, isto :
Vsec1 = VPsent

64

Vsec2 = VPsent

65

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eletrnica 2

CAPTULO 3

A corrente mdia na carga obtida por:


Vsec1

D1

VL
IL

RL
Vrede

Vsec2

D2

ICC =

2 VP
(3.6)
RL

Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um voltme
tro RMS) calculado por:
VRMS =

VP

a)

VP

(3.7)

Dimensionamento do diodo

Vsec1

Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:

VP
b)

VRRM > 2VP


Como a corrente mdia por diodo a metade da corrente mdia na carga:
IAV >

0
V D1

VP
RL

Mxima tenso eficaz: VRMS >

2 . VP

VP
2

c)

Mxima tenso contnua reversa: VCC >


VP

Vsec2

2 VP

As figuras 3.6 e 3.7 mostram o comportamento dos diodos nos semiciclos posi
tivo e negativo. Para facilitar a compreenso, eles esto representados no modelo
simplificado (chave fechada e chave aberta).

VP
d)

No semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta (figura 3.6).


VP

VL

Figura 3.6
Vsec1

(a) Circuito do retificador


de onda completa
com center tap;
(b) tenso de entrada Vsec1;
(c) tenso no diodo D1;
(d) tenso de entrada
Vsec2; (e) tenso na carga.

66

Calcula-se a tenso contnua na carga por:

VCC =

2 VP
(3.5)

VL

e)

Figura 3.5

D1

RL

Vrede

IL

Retificador de onda
completa com center
tap conduo no
semiciclo positivo.

+
Vsec2

VD

Note que ela o dobro da tenso CC no caso de meia onda.


67

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eletrnica 2

CAPTULO 3

Figura 3.9

No semiciclo negativo, o diodo D2 conduz e o diodo D1 corta, mas o sentido da


corrente na carga no muda (figura 3.7).

Retificador de onda
completa em ponte
conduo no
semiciclo positivo.

Figura 3.7
Retificador de onda
completa com center
tap conduo no
semiciclo negativo.

D1

Vsec1

VL

IL
VD

D2

VL

RL

Ve

RL

Vrede

D1

D3

D4

D2

+ Vsec2

3.3.2 Retificador de onda completa em ponte

Como mostra a figura 3.10, no semiciclo negativo, invertem-se as condies:


os diodos D2 e D3 conduzem e os diodos D1 e D4 esto cortados; o sentido da
corrente na carga continua o mesmo.
Figura 3.10

O retificador de onda completa apresentado na figura 3.8 no necessita de trans


formador com tomada central (somente quando h inteno de transformar a
tenso) e utiliza quatro diodos. A tenso de entrada (Ve) pode ser tanto a tenso
da rede como a do secundrio de um transformador.
Figura 3.8

D1

Retificador de onda
completa em ponte.

D1

D2

+
V
P

VL

RL
D3

VL

RL

Ve
D3

D4

D4

Observando a tenso senoidal aplicada na entrada, pode-se perceber que, du


rante o semiciclo positivo da tenso de entrada, os diodos D1 e D4 esto pola
rizados diretamente e os diodos D2 e D3 cortados. Como existem dois diodos
conduzindo ao mesmo tempo e eles esto em srie, a queda de tenso ser de
1,4 V. Isso significa que, para haver tenso na carga, a tenso de entrada deve
ser maior que 1,4 V.
68

D2

Retificador de onda
completa em ponte
conduo no
semiciclo negativo.

A mxima tenso de pico inversa que cada diodo deve suportar aproximada
mente VP, em que VP o valor de pico da tenso senoidal de entrada.
A figura 3.11 ilustra as formas de onda de entrada e na carga. Observe a perda de
tenso (1,4 V) ao longo do caminho da corrente. Esse valor deve ser descontado
no clculo da tenso mdia e da tenso eficaz na carga.
69

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eletrnica 2

Figura 3.11
Formas de onda: (a) de
entrada e (b) na carga.

VP

CAPTULO 3

grficos das tenses no secundrio e na carga para um valor de pico de tenso de


entrada igual a 100 V, em circuito meia onda com capacitor.

Ve

D1

Vsec1

VP

VL

a)

VP

VL

RL
Vrede

b)

D2

Vsec2
a)

Calcula-se a tenso contnua na carga por:

VCC

100 000

2 ( VP 1, 4 V )
=

tenso na carga

80 000

Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um voltme
tro RMS) obtido por:
VRMS =

VP 1, 4 V

60 000

40 000

20 000

0 000

Dimensionamento do diodo

20 000

Vsec1

Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:

80 000

VP
>
RL

Mxima tenso eficaz: VRMS >

100 000

b)

VP
2

Mxima tenso contnua reversa: VCC >

2 VP

3.4 Retificador de onda completa com filtro


capacitivo
Como apresentado no retificador de meia onda, a adio de um capacitor di
minui o ripple e aumenta o valor da tenso contnua. A figura 3.12 mostra os
70

Vsec2

40 000

60 000

VRRM > VP
IAV

Observando a figura 3.12, possvel notar o aumento em relao aos valores


mdio e eficaz, assim como a diminuio do ripple, em comparao com o retifi
cador de meia onda, que utiliza valores semelhantes de capacitor e carga.

3.5 Ponte retificadora como componente


Para construir um retificador em ponte, podem ser utilizados quatro diodos ou
um nico componente com os quatro diodos conectados internamente. A figura
3.13 mostra o smbolo de uma ponte retificadora.

Figura 3.12
Retificador de onda
completa com filtro
capacitivo:
(a) circuito e
(b) formas de onda da
tenso na carga e de
entrada (secundrio
do transformador).

71

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eletrnica 2

CAPTULO 3

3.7 Grampeador de tenso

Figura 3.13
Ponte com indicao
dos terminais.

um circuito que adiciona um nvel CC (positivo ou negativo) a uma tenso


alternada. No semiciclo negativo (figura 3.15a), o diodo conduz e o capacitor se
carrega com o valor de pico da tenso de entrada (20 V). No semiciclo positivo
(figura 3.15b), o diodo corta e a tenso na sada passa a ser 20sent + 20.
Observe que esse circuito a primeira parte do dobrador de tenso apresentado
na seo 3.6. A figura 3.15c mostra a forma de onda.

AC

20 . sen . t (V)

um circuito eletrnico utilizado para obter valores elevados de tenses CC a


partir de tenso CA. No circuito da figura 3.14a, a entrada senoidal, com VP de
pico. No semiciclo negativo, o capacitor (C1) se carregar com o valor de pico da
tenso de entrada e, com a polaridade indicada na figura 3.14b, o diodo D1 con
C
D2
duzir e o D2 estar cortado. 1No semiciclo positivo
(figura 3.14c),
o diodo D1
Vs
cortar e o D2 conduzir, fazendo C2 se carregar at aproximadamente 2VP.
C1

Figura 3.14

VP . sen . t

(a) Dobrador de meia onda;


(b) carga de C1 durante
o semiciclo negativo;
(c) carga de C2 durante
o semiciclo positivo.

D2
D1

C1

VP . sen . t

a) D1

VP . sen . t

D1

a)

+
+

VP . sen . t
VP . sen . t

C1
+
+
C1
+
+
C1
+
+

72

D1

b)

D2

D1

b)

D2
D2

+
+
+
+

D1

c)

D1
D1

20 V

20 . sen . t (V)

D2

b)

Vs
Vs ( V )

40 000
30 000
20 000
10 000
2 000
c)

Vs
C2

b)
Vs = 2 . VP
+ V+s = 2 . VP
C2
Vs = 2 . VP
++
C2
++
C2

Vs

C
+
+

Vs
C2

C2

D1

+
+

a)

Vs
C2

Vs
C2

D
+

C2

D2

VP . sen . t

C1

VP
C1
+

VP . sent
VPC1

VP . sent VP
+
VP . sent

D2

D2

a)

Grampeador positivo:
(a) semiciclo negativo,
(b) semiciclo positivo e
(c) forma de onda.

Vs

C
+
+

3.6 Dobrador de meia onda

Figura 3.15

Se o diodo for invertido senoide, ser adicionado um valor mdio negativo.

3.8 Limitadores
So circuitos que limitam a tenso entre dois valores, usados, em geral, para pro
teger um circuito contra excesso de tenso. Na figura 3.16a, enquanto a tenso
de entrada for menor que 3,7 V (3 V da bateria e 0,7 V do diodo), o diodo per
manecer cortado e a tenso de sada ser igual de entrada (Vs = Ve); quando
Ve for maior que 3,7 V, o diodo conduzir e a tenso de sada ser constante,
igual a 3,7 V (3 + 0,7). A figura 3.16b mostra a curva de transferncia, que
o grfico que relaciona a tenso de sada com a de entrada, e a figura 3.16c, as
formas de onda de entrada e de sada.

c)
c)

73

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eletrnica 2

Figura 3.16

CAPTULO 3

Soluo:

(a) Circuito limitador,


(b) curva de transferncia
e (c) formas de onda
de entrada e de sada.

Vs

Ve = 10 . senw . t . (V)
3V

a)

a) Existem dois pontos de transio. O primeiro ocorre em 2,3 V e o segundo,


em 6,7 V. Se Ve < 2,3 V, o diodo D1 conduzir e o D2 cortar; portanto, a sada
ser igual a 2,3 V. Se Ve > 2,3 V e Ve < 6,7 V, os dois diodos estaro cortados;
assim, a sada ser igual entrada. Se Ve > 6,7 V, o diodo D2 conduzir e o D1
cortar; desse modo, a sada ser igual a 6,7 V.
b) Figura 3.18

Figura 3.18

3,7 V
2

Vs (V)

Vs = 2,3 V

Vs = Ve

0,7 V

Ve = 10 . sen . t (V)

8
10
10 000 8 000 6 000

4 000

2 000

0 000
Ve (V)

2.000

3,7 V

6 000

Ve = 10 . sen . t (V)
6V

3V

8 000 10 000

b)
b)

Ve < 2,3 V
Vs = 6,7 V

10
5

6,7 V

Ve (V) 0

Ve = 10 . sen . t (V)

6V

3V

10

c)

6V

2,3 V < Ve < 6,7 V

c)

3V

Ve _
> 6,7 V

10
5

Vs (V)

3,7 V

10

10

Ve (V)

8,0
6,7 V
6,0

Vs (V)

Exemplo
Com base no circuito da figura 3.17:

5
10
10

4,0

Vs (V)

a) desenhar a curva de transferncia (Vs Ve);


b) desenhar a tenso na sada, considerando a entrada senoidal, com 10 Vpico, em
modelo com bateria (0,7 V).

2,3 V
2,0

2,3 V
6,7 V

5
0,0

0,0

2,0 2,3 V

4,0

Ve (V)

6,0

6,7 V

8,0

10

Figura 3.17
R
+
10 VP

Ve

D1

3.9 Diodo Zener


D2

Vs

3V

74

6V

Os diodos Zener so projetados para operar na regio de ruptura, onde gran


des variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenso, permitindo,
assim, que se construa um regulador de tenso. A figura 3.19 mostra a curva
caracterstica com a regio de operao, no joelho, o smbolo e o aspecto fsico
do diodo Zener.
75

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eletrnica 2

Figura 3.19

CAPTULO 3

Exemplos de diodos Zener comerciais: 1N4729A para 3,6 V, 1N4730A para 3,9 V
e 1N4735A para 6,2 V.

Diodo Zener:
(a) curva caracterstica,
(b) smbolo e
(c) aspecto fsico.

Se escolhermos o 1N4735A de 1 W, a mxima corrente que ele pode conduzir :


VZnom
VZmx

IZmx = 1 W/6,2 V = 161 mA

VZmn
IZmn

e a mnima aproximadamente 16 mA.


Figura 3.20
IZmx

VL = VZ

Rs

a)

Circuito regulador
com Zener.

Is
VE

b)

RL
IL

c)

A regio de trabalho do diodo Zener est compreendida entre IZmn (menor cor
rente que mantm a regulagem) e IZmx (mxima corrente antes de ocorrer a
destruio do componente por efeito Joule). Esto associados aos valores de cor
rente mxima e mnima os valores de tenso (que so muito prximos). A tenso
nominal a tenso de especificao (VZnom). Outra especificao importante a
potncia mxima que o diodo pode dissipar (PZmx). Esse valor est relacionado
tenso aproximadamente por:
PZmx = VZnom IZmx (visto que VZnom aproximadamente igual a VZmx).

No circuito da figura 3.20, a resistncia RS deve ser dimensionada conside


rando que o circuito mantenha a regulao mesmo que a carga varie entre um
mximo e um mnimo e ao mesmo tempo a tenso de entrada varie entre dois
limites (Vemx e Vemn) e a potncia dissipada no Zener no exceda o limite
(PZmx). Para que o Zener regule de maneira correta, a corrente no pode cair
abaixo de um mnimo (IZmn) nem superar um valor mximo, pois nesses casos
o Zener sofrer danos.
Exemplo
Considere o diodo Zener 1N4735 de 0,5 W (VZ = 6,2 V, IZmx = 80 mA e
IZmn = 8 mA) instalado no circuito da figura 3.21. Determine os limites que
pode ter RL para que o Zener opere na regio de regulao.
Figura 3.21

Em geral, podemos estimar IZmn por:

IZmn =

Dz

Iz

IZmx
10

e IZmx =

PZmx
VZnom

Os valores de potncia mais conhecidos so: 0,25 W, 0,5 W, 1 W, 5 W, 10 W e


50 W.

Rs
60
Ve

Is

12 V
Iz

Dz

RL
IL

VL

Os valores de tenso Zener esto compreendidos entre 3,3 V e 75 V.


76

77

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eletrnica 2

Soluo:
Considerando que o Zener est operando normalmente (VL = VZ = 6,2 V), a
corrente IS valer sempre:
IS =

12 V 6, 2 V
= 96, 6 mA
0, 06 k

CAPTULO 3

A corrente na carga ser igual a: IL = 96,6 80 = 16,6 mA, o que significa


uma resistncia de:
RL =

6, 2 V
= 376
16, 6 mA

O que acontece se RL diminuir seu valor? Passar a drenar maior valor de cor
rente, fazendo diminuir a corrente no Zener. Portanto, pode-se admitir que
RLmn est associado menor corrente no Zener. Vamos impor ento IZ = IZmn
= 8 mA. Nessas condies, a corrente na carga RL vale:
Figura 3.22

Rs
60
Ve
12 V

96,6 mA
Dz
8 mA

RL
IL

VL

IL = 96,6 8 = 88,6 mA, o que significa uma resistncia de:


RL =

6, 2 V
= 70
88, 6 mA

No entanto, se RL aumentar seu valor, consequentemente a corrente na carga


diminuir e a corrente no Zener aumentar. Por exemplo, se RL for infinito (cir
cuito aberto), toda a corrente em RS (96,6 mA) circular no Zener, o que resul
tar em sua destruio. Para evitar isso, necessrio que exista uma resistncia
de carga que drene o excesso de corrente. Consideremos agora o caso limite su
perior de corrente no Zener.
Figura 3.23

Rs

60
Ve
12 V

96,6 mA
Dz
80 mA

78

RL

VL

IL

79

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Captulo 4

Transistores
bipolares

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eletrnica 2

CAPTULO 4

Cada uma das regies do transistor apresenta caractersticas prprias:


A base a regio mais estreita, menos dopada (com menor concentrao de
impureza) e extremamente fina.
O emissor a regio mais dopada (com maior concentrao de impureza), onde
so emitidos os portadores de carga (eltrons no caso de transistor NPN e lacu
nas no caso de transistor PNP).

O coletor a regio mais extensa, porque nela que a potncia se dissipa.

transistor foi desenvolvido nos laboratrios da Bell em Murray


Hill, New Jersey, Estados Unidos, em 1947 pelos cientistas John
Bardeen, Walter Brattain e William Shockley. O desenvolvimento
desse componente semicondutor foi de grande relevncia para a histria da eletr
nica e da informtica, pois ele est presente em inmeras invenes eletroeletrni
cas, modificando vertiginosamente nossa sociedade.

4.1 Construo bsica e princpio de


funcionamento
O termo transistor a contrao de duas palavras em ingls: transfer resistor
(resistor de transferncia). Existem dois tipos bsicos de transistores de acordo
com o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP.
A figura 4.1 ilustra, de maneira simplificada, sua simbologia e a estrutura interna
(na forma de sanduche). A construo fsica diferente.
Analisando a figura 4.1, possvel observar que no existe simetria, isto , as
regies NPN no possuem as mesmas dimenses, como s vezes a literatura
sugere, e, portanto, no possvel confundir o emissor com o coletor. As
reas cinza de cada lado da juno representam as regies de carga espacial ou
de depleo.
Figura 4.1
Tipos de transistor e
simbologia:
(a) NPN e (b) PNP.

Vamos entender como um transistor funciona, tomando como exemplo o tran


sistor NPN, por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreen
der a operao de trabalho do PNP, basta inverter o sentido das tenses e cor
rentes. Consideremos uma situao em que as duas junes foram polarizadas
diretamente, assim as correntes que circulam sero altas (da ordem de mA). Se
as duas junes estiverem polarizadas reversamente, todas as correntes sero pra
ticamente nulas. No entanto, se a juno da base com o emissor for polarizada
diretamente e a outra juno polarizada reversamente, tambm as correntes de
coletor e emissor sero altas, aproximadamente de mesmo valor. Como se expli
ca isso? Em polarizao normal (como amplificador), a juno base-emissor
polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente.
Na configurao ilustrada na figura 4.2, como a juno base-emissor est polari
zada diretamente, os eltrons so emitidos no emissor (que possui alta dopagem),
isto , passa a existir uma corrente (de eltrons) indo do emissor para a base. Os
eltrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase todos atin
gem a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno base-coletor, onde
so acelerados pelo campo eltrico e direcionados para o coletor. Dos eltrons
emitidos no emissor, apenas pequena parcela (1% ou menos) consegue se recombi
nar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros (99% ou mais)
atingem a juno do coletor. Observe que externamente o sentido indicado o
convencional para as trs correntes: de base (IB), de coletor (IC) e de emissor (IE). A
maneira como o transistor est conectado chamada de ligao base comum.

C
emissor

coletor

E
emissor

N
base

Figura 4.2

B
E
smbolo

base

82

4.1.1 Funcionamento

coletor

B
C
smbolo

eltrons livres
N
P

IE
E

EE
IB

Transistor: ligao
base comum.

IC

Rc

C
VCC

83

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eletrnica 2

4.2 Operao do transistor


Na estrutura definida na figura 4.2 ligao base comum , a juno base-emis
sor polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente. A polarizao
direta faz aparecer um fluxo de eltrons indo do emissor para a base e, como essa
regio muito estreita e com baixa dopagem, poucos eltrons se recombinam
com lacunas existentes na base (1% ou menos dos eltrons emitidos). Quase todos
os eltrons emitidos conseguem atingir a regio de carga espacial da juno base
-coletor, onde so acelerados em direo ao coletor. A corrente de base originada
da corrente das lacunas, que se difunde no emissor, e dos eltrons, que se recom
binam com lacunas na base. A corrente de base apresenta valor muito pequeno,
normalmente 200 vezes menor que a de emissor. Retorne figura 4.2 e observe a
indicao das trs correntes do transistor, considerando o sentido convencional.

CAPTULO 4

Podemos representar o transistor como indicado na figura 4.4. Nesse caso, a li


gao chamada de emissor comum. A polarizao das duas junes continua
como antes, juno base-emissor polarizada diretamente e juno base-coletor
reversamente. A operao a mesma da ligao base comum.
Figura 4.4
I

C Rc

C
N
VCC

RB

Em um transistor podemos adotar a seguinte relao entre as trs correntes:

IB

VBB

I E = IC + I B
Define-se =

Transistor: ligao
emissor comum.

IE

IC
(4.1)
IE

como o ganho de corrente na ligao base comum. Importante: o parmetro a


um nmero sem unidade, menor que 1, porm prximo de 1 (ex.: a = 0,99).

Para essa configurao, define-se o ganho de corrente como:

A configurao ilustrada na figura 4.2 est agora representada pelo circuito el


trico da figura 4.3, com o smbolo usual do transistor NPN.

IC
(4.2)
IB

Nesse caso, o valor do parmetro b muito maior que 1 e tambm no tem


unidade (ex.: b = 300).

Figura 4.3
Representao por meio
de esquema eltrico de
um transistor NPN do
circuito da figura 4.2.

V
CE

I
V

EE

V
BE

V
CB
I
B

A relao entre os dois parmetros dada por:

CC

(4.3) e =
(4.4)
+1
1

A configurao ilustrada na figura 4.4 est agora representada pelo circuito el


trico da figura 4.5, com o smbolo usual do transistor NPN.
Figura 4.5

Em um transistor podemos adotar a seguinte relao entre as trs tenses:

VCE = VBE + VCB


Note que a tenso abreviada por V e que a primeira letra do ndice representa
o ponto de maior potencial; por exemplo, no caso da tenso entre a base e o
emissor (VBE), a base mais positiva. Em um transistor PNP, a notao para
essa mesma tenso VEB.
84

R
V
BB

I
B

I
C

V
CB
V
VBE

V
CC

Representao por meio


de esquema eltrico de
um transistor NPN do
circuito da figura 4.4.

CE

85

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eletrnica 2

CAPTULO 4

A relao entre as tenses continua valendo, ou seja:

4.3 Curvas caractersticas de coletor

VCE = VBE + VCB

So grficos que relacionam a corrente de coletor com a tenso entre coletor e


emissor, considerando como parmetro a corrente de base. Essas representaes
so chamadas tambm de curvas caractersticas de sada. No circuito represen
tado no grfico da figura 4.7a, a corrente de base fixada em determinado valor
por exemplo, 1 mA. A tenso entre coletor e emissor varivel e, para cada
valor de VCE, atribuda uma medida de corrente de coletor. Em seguida, esses
valores so colocados em um grfico (ICVCE), como mostra a figura 4.7b.

A figura 4.6 apresenta alguns exemplos de transistores comerciais.


Figura 4.6

Sergei Devyatkin/Shutterstock

Transistores comerciais.

Analisando o primeiro grfico, possvel notar que na regio de saturao, para


uma pequena variao em VCE, ocorre aumento demasiado de IC. Quando a
juno base-coletor passa a ser polarizada reversamente, o transistor entra na
regio ativa, tambm chamada de regio de amplificao. A partir desse ponto,
a corrente de coletor praticamente no varia quando VCE aumenta. Nessa regio,
o transistor se comporta como fonte de corrente constante. Na prtica, ocorre
aumento na corrente de coletor quando VCE se eleva por efeito Early. Como a
polarizao reversa da juno base-coletor aumenta, a largura da regio de carga
espacial avanar mais na base e, portanto, mais eltrons emitidos podero ser
capturados em direo ao coletor.

regio de saturao

200

regio ativa

A tabela 4.1 mostra parte da folha de dados dos transistores BC546, BC547 e
BC548 (NPN) com os principais limites.

120

IC (mA)

IC (mA)

160
150

80

40

Tabela 4.1
Caractersticas
eltricas mximas.

Caractersticas

Smbolo
BC546

Tenso coletor-emissor

BC547

Unidade

VCEO

45
30

BC546

80
VCBO

BC548

0,00 1,00 2,00 3,00

50

4,00

5,00

a)

6,00 7,00

8,00

9,00 10,00

VCE (V)

Curvas caractersticas
de coletor do
transistor MJE240.

IB = 5 mA
IB = 4 mA
IB = 3 mA
IB = 2 mA

IB = 1 mA

IB = 0
0,00

1,00 2,00 3,00

4,00

5,00

6,00

b)

7,00

8,00

9,00 10,00

V (V)
CE

Para IB = 1 mA, IC = 150 mA, o que significa um ganho de aproximadamente:

=
V

30
VEBO

Corrente de coletor (CC)

IC

100

mA

Potncia dissipada

Pd

625

mW

Tenso emissor-base

65

BC548

BC547

86

Valor

600
560
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0

Figura 4.7

IC
= 150
IB

Nessas condies, poderamos esperar que, se IB aumentasse para 2 mA, o


valor da corrente de coletor tambm dobraria. Isso, porm, no acontece,
pois IC aumenta aproximadamente para 260 mA. Outra expectativa seria em
relao s curvas caractersticas, que deveriam estar espaadas igualmente,
mas o que se verifica que a separao diminui medida que as correntes
aumentam. A explicao para esse fato que o ganho de corrente no se
mantm constante, e sim varia conforme a corrente de coletor.
87

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eletrnica 2

Muitas vezes o
ganho de corrente
vem com a notao
hFE, isto , b = hFE.

O grfico da figura 4.8 foi obtido da folha de dados do transistor BC548 e mos
tra a dependncia do ganho com a corrente de coletor para dada temperatura e
tenso coletor-emissor.

Ganho normalizado de corrente h

FE

Figura 4.8
Dependncia do ganho
de corrente com a
corrente de coletor.

2,0

VCE = 10 V

1,5

CAPTULO 4

Para traarmos essa reta, utilizamos dois pontos:


Primeiro ponto: igualando IC = 0 na equao anterior, obtemos VCE = VCC,
que fisicamente representa o corte. Como no corte as duas junes esto po
larizadas reversamente e, portanto, todas as trs correntes so muito pequenas
(nA), podemos admitir que nessas condies o transistor uma chave aberta
(figura 4.10b).

TA = 25 oC

Obs.: para cortar um transistor de Si, basta fazer VBE < 0 V; para um transistor
de Ge, VBE < 0,4 V.

1,0
0,8
0,6

Figura 4.10

0,4

Transistor no corte:
(a) circuito e
(b) modelo simplificado.

0,3
0,2

IC = 0
0,2

0,5

1,0

2,0

5,0

10

20

50

100

200

IC corrente de coletor (mA)

IC = 0

RC
20

VCC
10 V

RBB

4.4 Regies de operao: reta de carga


O circuito da figura 4.9 simboliza um transistor com as curvas caractersticas
apresentadas na figura 4.7b.
Figura 4.9

VCC
10 V

RBB
VCE = VCC

VCE = VCC
VBB = 0

VBB = 0

Como possvel observar na figura 4.8, o ganho de corrente (hFE) varia com a
corrente de coletor, temperatura e tenso coletor-emissor. O grfico do ganho de
corrente normalizado, isto , para a corrente de 4 mA, o ganho 100%. Para
correntes menores ou maiores que 4 mA, o ganho apresenta outros valores: para
0,4 mA, por exemplo, o ganho ser 70% do ganho a 4 mA.

RC
20

a)

b)

Segundo ponto: fazendo VCE = 0, obtemos IC = VCC/RC, que fisicamente re


presenta a saturao. Na saturao, o transistor se comporta como uma chave
fechada e as duas junes esto polarizadas diretamente. Para garantirmos que
o transistor sature, temos de impor algumas condies, uma delas considerar
VCE 0. No entanto, para obtermos essa condio, devemos ter IC<IB;
como o ganho de corrente de um transistor varia entre um mnimo e um mxi
mo, usamos o valor mnimo (mn); portanto, IC < mnIB.

Figura 4.11

A figura 4.11a mostra o circuito de um transistor na saturao e a figura 4.11b, o


modelo simplificado para ele (chave fechada).

Transistor na saturao:
(a) circuito e
(b) modelo simplificado.

Ligao emissor comum.


IC

RC
20

RBB

VCC
10 V

VCE
VBB
IC (sat) =

VCC
RC

RC
20

RBB

Na figura 4.9, o equacionamento do circuito de coletor resulta em:


VCC = RC x IC + VCE
Essa a equao de uma reta, chamada de reta de carga, que representada no
plano ICVCE das curvas caractersticas de coletor.
88

VBB

IC (sat) =

VCC
10 V

VBB
a)

RC

RBB

~ 0
VCE (sat) =

IB > IB (sat)

VCC

IB > IB (sat)

RC
20

VCC
10 V

VCE (sat) ~
=0

b)

Aps a determinao desses dois pontos, devemos uni-los, traando a reta de carga.
89

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eletrnica 2

CAPTULO 4

Figura 4.13

Obrigatoriamente, o ponto de operao, tambm chamado de ponto quiescen


te, representado por Q (valores de IBQ, ICQ, VCEQ), estar sempre em cima da
reta de carga.

Amplificao:
(a) circuito e
(b) anlise grfica.

ICA + IC
RC

Figura 4.12

RBB

Curvas caracterstica de
coletor com a reta de carga.

VCEQ+ VCE

IBQ+ IB

saturao

600

VCC

VBB

500

a)

400
IC (mA)
Q

300
ICQ = 273 mA

IBQ = 2 mA

IB

500

200

100

saturao

600
IC (mA)

400

Q IBQ = 2 mA

300

0.00

1.00

2.00

3.00

6.00
5.00
VCE (V)
VCEQ = 4,6 V
4.00

7.00

8.00

9.00

10.00

200

corte

100
0

0,00 1,00

2,00

3,00

4,00

5,00

6,00

7,00

8,00

9,00

10,00
corte

V CE

No grfico da figura 4.12, observe que, no ponto Q, temos IBQ = 2 mA,


ICQ = 273 mA e VCEQ = 4,6 V. Os limites da reta de carga so a saturao, quan
do VCE = 0, e o corte, quando IB = 0. Entre esses dois pontos (saturao e corte),
o transistor opera como amplificador, isto , a relao entre IC e IB dada por
IC = IB. Nessa regio (regio ativa), o transistor usado como amplificador.

b)

Para entender como o transistor passa a funcionar como amplificador, considere o


circuito apresentado na figura 4.13a. Nessa situao, um pequeno valor de tenso
alternada somado tenso de polarizao VBB. Desse modo, no semiciclo positi
vo, a corrente de base se eleva acima de IBQ, fazendo a corrente de coletor aumen
tar proporcionalmente e a tenso de coletor diminuir. A tenso obtida no coletor
costuma ser maior que a tenso aplicada na base, ou seja, houve amplificao de
tenso. Alm disso, essa configurao causa defasagem de 180 na tenso de sada
em relao de entrada. O grfico da figura 4.13b mostra essa operao.

Figura 4.14
a)

b)

Influncia da localizao
do ponto Q:
(a) meio da reta,
(b) prximo da saturao e
(c) prximo do corte.

c)

Q
Q

Com base nessa anlise, podemos concluir que o ponto de operao (Q) deve ser
bem localizado para que seja possvel obter a mxima sada de pico a pico sem
distoro. A melhor localizao no meio da reta de carga (VCEQ = VCC/2), pois
permite um valor VCC de mxima sada. Observe os trs casos representados na
figura 4.14. No primeiro (figura 4.14a), a mxima sada de pico a pico possvel
de 10 V, antes que ocorra o ceifamento (distoro) por saturao ou corte; nos
outros dois (figuras 4.14b e 4.14c), de 4 V em ambos os casos, se a entrada
aumentar, o sinal de sada distorcer.
90

00

55

10 V

0 0

22

44

10 V

0 0

6
6

88

10 V

91

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eletrnica 2

CAPTULO 4

4.5 Potncia dissipada: dissipadores

Figura 4.16
Sistema de arrefecimento
de uma CPU de
computador.

Em um transistor, a maior parte da potncia dissipada no coletor. A potncia


dissipada calculada aproximadamente por:
PD = VCEIC

Timothy Hodgkinson/Shutterstock

Em relao capacidade de dissipar potncia, os transistores podem ser classifica


dos em trs tipos: de baixa potncia (ex.: BC548 e BC109), de mdia potncia (ex.:
BD140 e TIP41) e de alta potncia (ex.: 2N3055). A figura 4.15 mostra os princi
pais encapsulamentos de transistores de baixa, mdia e alta potncia. Observe que
os encapsulamentos preveem local para a colocao do dissipador alguns apre
sentam furos que facilitam a unio entre o transistor e o dissipador.
Figura 4.15
Encapsulamentos usuais.
ventilador cooler

dissipador

David J. Green - electrical/Alamy/Other Images

pasta de silicone

Como vimos, os semicondutores so sensveis s variaes de temperatura. Uma


das maneiras de amenizar a ao do excesso de temperatura nesses dispositivos
prender ao corpo do transistor uma placa metlica chamada dissipador de
calor. Os dissipadores de calor usados em eletrnica so feitos de alumnio ou
cobre. Os dissipadores de alumnio so mais baratos, porm menos eficientes
que os de cobre.
Por vezes, o dissipador est acoplado a um pequeno ventilador, chamado cooler,
que auxilia a retirada do ar quente para o meio externo. A figura 4.16 mostra o
sistema de arrefecimento da CPU de um computador. Observe que esse sistema
constitudo de um dissipador fixado CPU por parafusos e pasta de silicone,
que facilita a transferncia de calor e elimina as bolhas de ar, e de um cooler, que
aspira o ar quente prximo ao dissipador.
92

CPU (CI)

4.6 Conexo Darlington


Conexo Darlington uma ligao realizada entre dois transistores quando
se deseja obter um transistor equivalente com valor de ganho de corrente
elevadssimo.
Figura 4.17
(a) Conexo Darlington e
(b) transistor equivalente.

c
TR1

VBE1

TR2

VBE

TR
E

VBE2
a)

b)

93

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eletrnica 2

Figura 4.18
(a) Exemplo de conexo
Darlington (PNP),
(b) circuito equivalente e
(c) grfico do ganho de
corrente conforme IC.

CAPTULO 4

O transistor equivalente tem ganho de corrente igual a = 12 , em que 1 e


2 so os ganhos dos transistores TR1 e TR2, respectivamente. A tenso baseemissor quando em conduo vale VBE = VBE1 + VBE2.

Figura 4.20
Polarizando reversamente
(a) a juno coletor-base e
(b) a juno emissor-base.

Esse tipo de conexo usado na sada de estgios de potncia, em fontes de ali


mentao e em qualquer situao em que for necessrio obter variaes de cor
rente extremamente baixas com fornecimento de grandes correntes.
E

TIP125/126/127

10K

a)

b)

1K

R1

1
1.Base

R1 = 8 K
R2 = 0.12 K

TO220
2.Collector

A que concluso podemos chegar depois de analisar as situaes representadas


nas figuras 4.19 e 4.20? Testando dois a dois, nos dois sentidos, os terminais de
um transistor, quando encontramos valor de resistncia alta entre dois terminais,
de uma forma ou de outra, o terminal que sobrou a base!

R2
E

100
-0,1

3.Emitter

a)

-1
lc(A), Corrente de coletor

b)

-10

c)

Para saber qual terminal o coletor e qual o emissor, devemos usar o multmetro
analgico com escala de resistncia R x 10 k ou de maior valor. Na figura 4.21,
mede-se a resistncia reversa das duas junes; a do emissor a de menor valor,
pois sua dopagem maior.

4.7 Teste de transistores

Figura 4.21

Para testar transistores, so usados os mesmos princpios do diodo, com alguns


procedimentos adicionais. Observe que, nas situaes representadas na figura
4.19, utiliza-se multmetro analgico com a chave na posio ohmmetro na es
cala de resistncia Rx1.

Identificao do
emissor e do coletor.

Figura 4.19
Transistor polarizado
(a) reversamente e
(b) diretamente.

a)

b)

Agora veja, na figura 4.20, o que acontece quando o multmetro ligado entre
emissor (E) e coletor (C): em qualquer um dos casos existir sempre uma juno
polarizada reversamente.
94

4.8 Leitura dos cdigos em semicondutores


possvel conhecer o valor da resistncia de um resistor lendo a faixa colorida
ao redor dele. De maneira semelhante, os semicondutores (transistor, diodo e
circuito integrado, entre outros) tambm apresentam uma codificao que per
mite saber se o material germnio ou silcio e se o componente um transistor
ou um diodo, alm de outras informaes. Existem associaes que elaboram
essas codificaes; as mais conhecidas so: Pro-Electron, Joint Electron Device
Engineering Council (Jedec) e Japanese Industrial Standard (JIS).
95

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eletrnica 2

CAPTULO 4

4.8.1 Pro-Electron

Portanto, o dispositivo em questo um diodo Zener industrial de 12 V.

Trata-se da norma europeia. Vamos tomar como exemplo um semicondutor com


a especificao BC 548 A. Com base nessa especificao, conclui-se que esse se
micondutor um transistor de silcio. Essa informao obtida observando as
duas letras iniciais: a segunda letra (C) identifica o tipo de componente um
transistor , e a primeira letra (B), o tipo de material silcio. Os trs nmeros
(548) servem para identificar o tipo especfico de transistor, ou seja, sua famlia.
A ltima letra (chamada de sufixo) indica o grupo de ganho de corrente , nesse
caso baixo ganho (A).

BZX84 a srie, que pode ter dispositivos de vrias tenses. A srie tem a ver
com mxima potncia. Por exemplo: a srie BZX84 para o 3 W, enquanto a
srie BZX85 para 1,3 W, BZX55 para 0,55 W etc

4.8.2 Joint Electron Device Engineering Council (Jedec)


Essa norma norte-americana e apresenta a seguinte codificao:

dgito letra

De modo geral, a regra :

nmero de srie

[sufixo]
grupo de ganho

letra letra [letra] nmero de srie

nmero de srie (100 a 9999)

[sufixo]
Indica grupo do ganho

Nmero de srie (100 a 9999)

sempre N
nmero de terminais menos 1

A terceira letra indica aplicao industrial


Segunda letra indica a aplicao

Quando existir sufixo, indicar o grupo de ganho.

Primeira letra indica o material

primeira letra - indica o material: A: germnio (Ge); B: silcio (Si); C: arse


nieto de glio (GaAs).
segunda letra - identifica o tipo de componente: A: diodo de RF; B: variac;
C: transistor, AF, pequeno sinal; D: transistor, AF, potncia; E: diodo tnel;
F: transistor, HF, pequeno sinal; K: dispositivo de efeito Hall; L: transistor,
HF, potncia; N: acoplador ptico; R: tiristor, baixa potncia; T: tiristor,
potncia; Y: retificador; Z: diodo Zener.
terceira letra - em alguns componentes, serve para informar a aplicao
industrial: Pode ser W, X, Y ou Z.
sufixo - indica o grupo de ganho de corrente : A: baixo ganho; B: mdio
ganho; C: alto ganho; sem sufixo: qualquer ganho.
Exemplo: BZX84C12
B = Si, Z = Zener
As trs informaes seguintes no caso, X84 poderiam ser nmeros com
trs algarismos (de 100 a 999) se o dispositivo fosse dirigido ao consumidor co
mum, ou uma letra (Z, X ou Y) no caso de equipamentos industriais, seguido
de nmeros com dois algarismos, que variam de 10 a 99.
C12 refere-se tenso de regulao, 12 V no caso.
96

Exemplos: 1N4001 (diodo), 2N2222A (transistor), 2N5444 (triac), 2N6399


(SCR), 1N475A (Zener), 2N3821 (JFET).

4.8.3 Japanese Industrial Standard (JIS)


A norma japonesa apresenta a seguinte codificao:
dgito duas letras nmero de srie

[sufixo]
grupo de ganho

nmero de srie (100 a 9999)


rea de aplicao
nmero de terminais menos 1

As letras indicam a rea de aplicao de acordo com o cdigo:


SA: PNP, transistor de alta frequncia;
SB: PNP, transistor de udio;
SC: NPN, transistor de alta frequncia;
SD: NPN, transistor de udio;
SE: diodo;
SF: tiristor;
SJ: FET/MOSFET canal P;
SK: FET/MOSFET canal N;
SM: triac;
SR: retificador.
97

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eletrnica 2

CAPTULO 4

4.8.4 Outras formas de especificao

b) A relao entre IB e IC dada pelo , logo:

Alm das normas Pro-Electron, Jedec e JIS, alguns fabricantes tm a prpria


forma de apresentar a especificao e a identificao de seus componentes por
meio de prefixos. Veja os exemplos:

IB =

MCR: Motorola, tiristor (ex.: MCR106);


MJ: Motorola, dispositivo de potncia em invlucro metlico (ex.: MJ15004);
MJE: Motorola, dispositivo de potncia em invlucro plstico (ex.:
MJE13003);
MPS: Motorola, dispositivo de baixa potncia em invlucro plstico (ex.:
MPS3638);
MRF: Motorola, transistor para HF, VHF e micro-ondas;
RCA: RCA;
RCS: RCS;
TIC: Texas Instruments, tiristor em invlucro plstico (ex.: TIC106,
TIC226C);
TIP: Texas Instruments, transistor de potncia em invlucro plstico (ex.:
TIP36).

IC 2 mA
=
0, 01 mA = 10 A

200

c) Equacionando a malha de entrada: 5 = RBBIB + 0,7V, obtemos:


RBB =

5 0, 7
= 430 k
10 A

Como VCE = 4 V, o transistor se encontra na regio ativa.


2. Analise o circuito da figura 4.23 e calcule RB e RC para que o transistor sature
com IC = 40 mA.
Dados: mn = 100, VCEsat = 0 V e VBEsat = 0,7 V.
Figura 4.23

Exemplos
1. No circuito da figura 4.22, considere as seguintes informaes:

lCsat

IC = 2 mA, = 200 e transistor de Si. Calcule:

RC
RB

a) VCE
b) IB
c) RBB

5V

10 V

lBsat

Qual o estado do transistor (saturado/cortado/regio ativa)?


Figura 4.22
2 mA

Soluo:

3K
10 V

RBB
VCE
5V

lB

Com o transistor saturado, toda a tenso da fonte estar aplicada em RC. Assim,
o valor pode ser calculado por:
RC =

Soluo:
a) Equacionando a malha de sada: 10 = 3 K2 mA + VCE, obtemos:

A corrente de base deve ser:


IB

VCE = 10 6 = 4 V
98

10 V
= 0, 25 k = 250
40 mA

ICsat 40 mA
=
IB 0, 4 mA
m n
100
99

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eletrnica 2

Como a corrente de coletor dada por IC = IB, ento:

Portanto, a resistncia de base deve ser:


RB

CAPTULO 4

5 0, 7
= 10, 75 k
0, 4 mA

IC = .

VCC VBE
V
CC
RB
RB

Como o ganho de corrente de uma famlia de transistor pode variar entre um


valor mnimo e um valor mximo, podemos concluir que esse tipo de polariza
o altamente instvel com a troca de transistor e temperatura.

Para isso, adotado o valor comercial de 10 k.

4.9 Circuitos de polarizao


Polarizar um transistor significa determinar valores de tenso e corrente que se
mantenham estveis de acordo com a temperatura de trabalho, o desgaste das
partes internas caractersticas de vida til do componente e a prpria substitui
o do componente. Ao polarizar um transistor, preciso levar em conta que
valores de ponto de operao (ponto Q, quiescente) estabelecidos devem garantir
baixo grau de distoro, de modo a no prejudicar o sinal amplificado.
Considerando amplificadores de pequenos sinais, a melhor localizao do ponto
Q no meio da reta de carga, isto , a tenso coletor-emissor (VCE) deve medir
aproximadamente metade da tenso da fonte (VCC). Isso garantir que a sada de
pico a pico seja a mxima possvel e sem distoro do sinal. A seguir apresentam
-se dois tipos de polarizao: por corrente de base constante e por divisor de
tenso na base.

4.9.1 Polarizao por corrente de base constante


o circuito de polarizao mais simples e consiste em aplicar uma corrente
constante na base, como exemplificado na figura 4.24.

4.9.2 Polarizao por divisor de tenso na base


O circuito de polarizao por corrente de base constante explicado na seo
4.9.1 apresenta algumas caractersticas importantes que devem ser levadas em
conta. Esse tipo de polarizao, alm de depender muito do valor , apresenta
alta instabilidade com o aumento de temperatura. Isso pode acarretar um efeito
conhecido por disparo trmico, ou seja, um ciclo em que, a cada aumento de
temperatura, ocorre uma elevao de corrente e, consequentemente, outro au
mento de temperatura.
possvel, porm, polarizar o transistor de maneira que no fique vulnervel
variao de . Na configurao da figura 4.25, chamada de circuito de polariza
o por divisor de tenso na base, a realimentao negativa em CC estabiliza o
ponto Q, isto , quando a temperatura aumenta, a corrente de emissor e a tenso
VE tambm aumentam. No entanto, como a tenso na base (VB) constante,
obrigatoriamente VBE diminui, despolarizando a base e reduzindo as correntes
que tinham aumentado com a temperatura. Claramente, o circuito possui um
controle interno por causa dessa realimentao.

Figura 4.24

Figura 4.25

Circuito de polarizao por


corrente de base constante.

lB
RC

RB

(a) Circuito de
polarizao por divisor
de tenso na base e
(b) circuito com
equivalente na base.

lC
VCC

lC

R1

RC
VCC

l1

VBE

VCE

VCC

VB

VCE
R2

O clculo dessa corrente determinado por:

IB =

100

RC

RTH

VBE
l2

RE

lE

(a)

VTH

RE

(b)

VCC VBE VCC

RB
RB
101

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eletrnica 2

Para analisar o circuito, tomemos o equivalente Thvenin na base (figura 4.25a):


VTh =

R2
R R
.VCC e RTh = 1 2
R1 + R2
R1 + R2

V Th = RThIB + VBE + REIE


e, como IE IC e IB =

IC
:

IC

VTh VBE
RTh
+ RE

VTh VBE
RE

4. R2 0,1mnRE (em geral, escolhe-se um valor igual a 0,1mnRE. Em


momento oportuno vamos avaliar que a escolha de um valor muito baixo para
R2 leva a uma diminuio na impedncia de entrada). No faremos a deduo
dessa expresso, mas ela intuitiva, ou seja, R2 no pode ser de grande valor,
pois nesse caso a condio de corrente de base desprezvel no seria verdadeira.

U1
R2 , em que U2 = 0,7 + VRE e U1 = VCC U2.
U2

Exemplo

RTh
, ento:
m n

Portanto, teremos um circuito no qual o ponto de operao (corrente de coletor)


no depende de .
A seguir, descrevem-se os passos para determinar os valores das resistncias do
circuito de polarizao de divisor de tenso na base. Essas orientaes so de ca
rter essencialmente prtico, e pode-se at afirmar que constituem uma receita,
com fundamentao terica nas expresses anteriores.
Em geral, so especificados a tenso de alimentao (VCC), a corrente quiescente
de coletor e o transistor que ser utilizado; portanto, so conhecidos mn e mx.
Para que toda a receita tenha validade, devemos admitir que o valor da corren
te de base seja muito menor que o da corrente descendo pelo divisor de tenso,
como se a base estivesse aberta.
Passos para determinar os valores do divisor

102

3. Como IC = IE e VRC = 4VRE, ento RC = 4RE.

R1 =

resultando:

Se calcularmos os componentes de forma que RE >>

VRE 0,1 VCC


=
IE
IE

5. Conhecido o valor de R2 para calcular R1, preciso lembrar que os dois resis
tores esto em srie, portanto:

I
VTh = RTh C + VBE + IC RE

IC =

2. Como IC conhecido, possvel calcular RE:

RE =

Observando o circuito equivalente da figura 4.25b, temos as seguintes equaes


na malha de entrada:

CAPTULO 4

Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso na base, considerando


os valores da tenso de alimentao, o tipo de transistor e o valor da corrente de
coletor.
Dados: VCC = 12 V, mn = 100 e ICQ = 5 mA.
Soluo:
VRE = 0,1VCC = 0,112 V = 1,2 V
Ento:
RE =

VRE 1, 2 V
=
= 240 RC = 4RE = 4240 = 960
IE
5 mA

R2 0,1 m n RE = 0,1 100 240 = 2 400

R1 =

U1
10,1
R2 =
2, 4 k = 12, 7 k
U2
1, 9

1. Adotar os seguintes percentuais da tenso de alimentao:

Valores adotados: RE = 220 , RC = 820 , R2 = 2k2 e R1 = 12 k.

VCE = 0,5VCC, VRE = 0,1VCC e VRC= 0,4VCC.

Esses valores so comerciais e prximos dos valores calculados.


103

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eletrnica 2

4.10 Reguladores de tenso

CAPTULO 4

Dados: VBE = 0,7 V e = 100.

Como vimos no captulo 2, a tenso senoidal deve ser retificada e filtrada antes
de alimentar um circuito com componentes eletrnicos. Hoje, as fontes retifi
cadoras fornecem tenso de sada com baixos valores de ripple, porm alguns
componentes eletrnicos no suportam nenhum valor mnimo de ripple. Nes
ses casos, recomenda-se a utilizao de reguladores de tenso para amenizar a
variao de tenso contnua que alimenta o circuito eletrnico. Os circuitos
reguladores de tenso podem ser construdos utilizando transistores e circuitos
integrados especficos.

Figura 4.27

TR
Rs
150

RL

15 V

100
6V

4.10.1 Regulador de tenso em srie


Sabemos que o diodo Zener um regulador paralelo que pode ser instalado em
paralelo com a carga. Nessas condies, enquanto a corrente no Zener estiver
dentro da faixa de regulao, a tenso de sada na carga se mantm aproxima
damente constante.
Figura 4.26

O regulador de tenso em srie consiste basicamente no regulador Zener da fi


gura 4.26a, acrescido de um seguidor de emissor (amplificador coletor comum).
As figuras 4.26b e 4.26c ilustram o circuito desse regulador. Observe que o cir
cuito da figura 4.26c essencialmente o mesmo da figura 4.26b.

(a) Regulador com Zener;


(b) e (c) circuitos de
regulador de tenso em
srie com transistor.

Soluo:
A tenso em RS 15 6 = 9 V; portanto, a corrente vale:
IS =

Rs

VL =VR

Is
VE

Dz

Iz

RL

VE

RS
TR
Dz

lL

TR

RL

RS
VL

VE

ls

A tenso na carga 6 0,7 = 5,3 V; portanto, a corrente na carga vale:

lB
Vz

Dz

IL

9V
= 60 mA
0,15 k

VL
RL

IL =

5, 3 V
= 53 mA
0,1 k

lz

A corrente de base vale IS =


(a)

(b)

(c)

53 mA
= 0, 53 mA
100

e a corrente no Zener, IZ = 60 mA 0,53 mA = 59,47 mA.


Os reguladores de tenso em srie apresentam vantagens quando comparados
com os reguladores de tenso em paralelo, principalmente considerando que
nos circuitos em srie somente o Zener utilizado pode ser de menor potncia e
o valor de impedncia de sada, baixo, caractersticas tcnicas importantes para
uma fonte retificadora.
Exemplo
A figura 4.28 apresenta um circuito com regulador de tenso em srie. Conside
rando os dados a seguir, calcule:
VL, VCE, IZ, PZ, PTR, PRs e IC.
104

A potncia dissipada PZ = 6 V59,47 mA = 356,82 mW.


A tenso entre coletor e emissor vale
VCE = 15 5,3 = 9,7 V e a potncia dissipada, PTR = 9,7 V53 mA = 514,1
mW. A potncia dissipada em RS PRs = 9 V60 mA = 540 mW.

4.10.2 Reguladores integrados de trs terminais


So reguladores que requerem poucos componentes externos ou nenhum para
auxiliar sua operao. Esto disponveis em diversos valores de tenso e cor
rente e em vrios modelos de encapsulamento; o mais comum o TO-220.
105

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eletrnica 2

Regulador de tenso fixa

XX representa o
valor de tenso
regulada na sada.
Por exemplo: 7805
fornece na sada
tenso regulada de
5 V e 7912, tenso
regulada de 12 V.

O regulador integrado de trs terminais um circuito que fornece uma tenso


altamente regulada a partir de uma tenso qualquer (em geral, utilizado na
sada de um retificador com filtro). Esse componente pode fornecer tenses
reguladas positivas ou negativas com valores entre 5 V e 24 V. Uma de suas
aplicaes na construo de um regulador no local, pois ele elimina pro
blemas associados distribuio das tenses quando existe uma nica fonte
de alimentao. Os reguladores integrados possuem proteo interna contra
sobrecarga de corrente e elevao de temperatura. Esto disponveis em vrios
encapsulamentos. Os modelos mais conhecidos so o TO-220 e o TO-3, com
capacidade de corrente de at 2 A (deve-se consultar o datasheet, pois, depen
dendo do fabricante, esse valor pode mudar).

CAPTULO 4

em que o ganho de corrente do transistor (mdia ou alta potncia) e IREG a


corrente no regulador.
(a)

(b)
Ic
Ve

Ve

IN

Vs

OUT
GND

C1

R1

IB

IREG

0,33F

C2

KA78XXE
2

Os reguladores
78XX e 79XX tm
pinagem diferente
um do outro e, caso
a corrente solicitada
esteja prxima da
mxima, deve ser
usado dissipador.

TO-220

Figura 4.28
Encapsulamentos
TO-220 para reguladores
(a) 78XX e
(b) 79XX.

TO-220

GND

(a)

IL = IREG + (IREG

IN

(b)

A figura 4.30 mostra uma aplicao do regulador KA78XXE como fonte de


corrente. Observe que a tenso regulada (V XX) fornecida pelo componente
aplicada no resistor R1, e, portanto, a corrente e a tenso em R1 so constantes.
Desse modo, a corrente na carga tambm ser constante e valer:
IL =

A figura 4.29a apresenta a configurao bsica para esses reguladores. impor


tante enfatizar que, para funcionamento adequado, a entrada deve ter tenso m
nima de XX + 2,5 V. Assim, no caso do regulador 7805, para obter 5 V na sada,
o valor de entrada mnimo tem de ser 7,5 V. Existe tambm um valor de tenso
de entrada mximo, que, em geral, no pode exceder 40 V ( importante consul
tar o valor exato no datasheet do fabricante). Recomenda-se o uso dos capacitores
C1 e C2, porm, sem eles, o circuito funciona. O C1 deve ser utilizado quando
o capacitor do filtro do retificador estiver distante do regulador e o capacitor C2
melhora a resposta transiente de proteo contra rudos.
O circuito da figura 4.29b apresenta um regulador para tenso positiva com re
foro de corrente na sada. Nesse modelo, a corrente de sada (IL) calculada por:
IL = IREG + (IREG

106

VBE
)
R1

(a) Circuito bsico para


reguladores de sada fixa
positiva ou negativa e
(b) sada de alta corrente.

em que o ganho de corrente do transistor (mdia ou alta potncia) e IREG a


corrente no regulador.
1. GND
2. Input
3. Outout

1. Input
2. GND
3. Outout
1

Figura 4.29
O circuito da figura 4.29b apresenta um regulador para tenso positiva com re
foro de corrente na sada. Nesse modelo, a corrente de sada (IL) calculada por:

A figura 4.28 mostra a pinagem para encapsulamento TO-220 para reguladores


da famlia 78XX e 79XX.

0,1F

IL = IREG + (IREG VBE/R1)

As principais famlias de reguladores integrados de trs terminais so:


78XX: reguladores de tenso fixa positiva;
79XX: reguladores de tenso fixa negativa.

Vs

VXX
+ IQ
R1

em que VXX a tenso regulada para o circuito integrado 7805, por exemplo,
VXX = 5 V e IQ a corrente de polarizao, normalmente da ordem de A.
Figura 4.30
Ve

KA78XXE
2

0,33F
IQ

3
Co

Vs
0,1F
R1

Regulador de corrente
constante.

Vxx
lL
RL

VBE
)
R1

107

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eletrnica 2

Regulador de tenso ajustvel


Esse regulador (figura 4.31) fornece uma tenso de referncia da ordem de 1,25 V
e indicado para a construo de fontes ajustveis. Existe grande variedade de
modelos, entre os quais o mais conhecido o LM317, que fornece at 1 A de
corrente (dependendo do encapsulamento) na faixa de tenso entre 1,25 V e 35 V.
Esse modelo necessita de um circuito com dois resistores e possui proteo contra
sobrecorrente e sobrecarga trmica.
Figura 4.31
Regulador de
tenso ajustvel:
(a) circuito bsico e
(b) circuito completo.

(a)
III

Ve

OUT

LM317

R1

ADJ
Vref =1,25 V

IAdj

I2

C1: no funcional, mas recomendado, em especial se o filtro do retificador no


estiver prximo do regulador.
C2: melhora a resposta transiente e deve ser usado, principalmente, para prevenir
que rudos prejudiquem o funcionamento de dispositivos ligados na sada do
regulador.
C3: melhora a rejeio ao ripple da fonte, sobretudo quando o ajuste feito com
ganho elevado. Caso esse capacitor seja usado, melhor colocar os diodos de
proteo.
D1 e D2: so utilizados para providenciar um caminho de baixa impedncia
caso a entrada seja zero, evitando que os capacitores se descarreguem na sada do
circuito integrado.

Vs

CAPTULO 4

I1

Exemplos
1. Calcule a mxima e a mnima tenso na sada do regulador do circuito da fi
gura 4.32. Considere desprezvel a corrente de polarizao do circuito integrado.

R2

D1
1N4002

(b)
Input

Ve

Figura 4.32

Adjust
C1

Vref=1,25 V

IAdj

IN

Output

LM317

Vs
R1
240

D2
1N4002

Ve

10F

0,1F

OUT
470

C2
R2

LM317
ADJ

C3

Vs

10F

3K3

O LM317 gera uma tenso de referncia fixa de 1,25 V entre o terminal de sada
(OUT) e o terminal de ajuste (ADJ). Em uma primeira anlise, se considerar
mos a corrente de polarizao (I ADJ) desprezvel em relao s outras correntes,
podemos afirmar que I1 = I2. Ento, equacionando na malha de sada, temos:
I1 =

108

R
1, 25
1, 25 V
= 1, 25 (1 + 2 )
e VS = 1, 25 + R2 I2 = 1, 25 + R2
R1
R1
R1

Soluo:
A tenso de sada dada pela expresso:
VS = 1, 25 (1 +

R2
)
R1

Se levarmos em conta IADJ, devemos incluir na expresso acima o termo R2IADJ.


importante ressaltar que as resistncias R1 e R2 devem ter valores baixos para
garantir que a corrente de polarizao seja desprezvel. Uma aproximao razo
vel considerar que a soma das duas resistncias no exceda 5 k.

em que R1 = 470 e R2 = 3k3 (0 a 3k3).

As funes dos demais componentes do circuito apresentado na figura 4.30b so


as seguintes:

VS( mx ) = 1, 25 (1 +

A sada mxima quando R2 = 3k3:


3 300
) = 10 V
470
109

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ELETRNICA 2

A sada mnima quando R2 vale zero:


VS(m n) = 1, 25 (1 +

0
) = 1, 25 V
470

Captulo 5

2. No exemplo 1, qual deve ser a mnima tenso de entrada para que o circuito
funcione para qualquer valor da sada?
Soluo:
Para que a sada seja regulada, necessrio que a entrada seja 2,5 V maior que a
tenso de sada; portanto, a entrada deve ser: 10 + 2,5 = 12,5 V.

Amplificadores

110

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eletrnica 2

CAPTULO 5

em 10 kHz vale 1,6 . Nessas condies, a amplitude de pico a pico na sada


determinada pelo divisor de tenso de 2 V PP, constitudo por R1 e R2.

Ve (V)
6

C
10uF

R1
1K

Vs

xistem basicamente dois tipos de amplificadores: os de pequenos si


nais e os de potncia.

Os amplificadores de potncia tm como finalidade ampliar o sinal fornecido


pelos pr-amplificadores o suficiente para fazer um alto-falante funcionar.

Vg=2.senw.t(V)
-

R2
1K

Ve

Vs (V)
1

4V

0
2Vpp
-1

(a)

(b)

A figura 5.2 apresenta o mesmo circuito da figura 5.1a, mas utilizando um ca


pacitor de acoplamento com valor de 0,01 F. Esse valor de capacitncia ina
dequado, pois sua reatncia na frequncia de 10 kHz vale 1,6 k, que, ao ser
somada (vetorialmente) a R1 e R2, resulta em um valor de sada de 1,6 V PP.

Figura 5.1
a) Circuito com capacitor
de acoplamento bem
dimensionado e
b) formas de onda
de entrada e sada.

5.1 Capacitores de acoplamento


Ve (V)
6

Um capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal CA de um ponto a


outro, sem perda significativa do sinal. Por exemplo, no circuito da figura 5.1a,
se o capacitor estiver bem dimensionado (XC << R1 + R2), aparecer em R2
somente a parte alternada da tenso de entrada (Vg), cuja amplitude definida
pelo divisor de tenso composto por R1 e R2, ou seja, o capacitor ter reatncia
desprezvel (comporta-se como um curto-circuito) diante de R1 + R2.
Para um bom acoplamento:

R1
1K

C
0.01uF

Vs

+
Vg=2.senw.t(V)
4V

R2
1K

Ve

1
C >>
2fmn (R1 + R2 )

em que fmn a menor frequncia de operao do circuito.


Na figura 5.1a, considere que na entrada do circuito existe um gerador CC de
4V conectado em srie, alimentado por uma tenso alternada de 4 V PP e fre
quncia de 10 kHz. A figura 5.1b mostra as formas de onda na entrada (Ve) e na
sada (Vs) do circuito, para um capacitor de acoplamento de 10 F cuja reatncia

4Vpp

2
0
Vs (V)
1

XC << R1 + R2 ou

112

4Vpp

A funo dos amplificadores de pequenos sinais, chamados de pr


-amplificadores, aumentar a amplitude do sinal da ordem de mV fornecido
por uma fonte, como um microfone, toca-CD etc. Esses amplificadores operam
na regio linear das curvas caractersticas e, portanto, a distoro (deformao)
do sinal minimizada. Outra caracterstica desses modelos permitir a anlise
usando parmetros com valores praticamente constantes, pelo fato de o transis
tor estar operando na regio linear. Esses sinais, mesmo depois de amplificados,
no possuem potncia suficiente para fazer um alto-falante funcionar.

Acoplar significa
deixar passar apenas
o sinal, bloqueando
a componente
contnua.

1,6Vpp

-1

(a)

(b)

Figura 5.2

5.2 Capacitores de desacoplamento


Outro tipo de acoplamento existente em um amplificador o de um ponto
no ligado ao terra. O capacitor que executa esse acoplamento chamado de
capacitor bypass ou capacitor de desacoplamento. Na figura 5.3, a amplitude do
sinal em R2 (tanto em CC como em CA) dada pelo divisor de tenso quando
o capacitor no est conectado.

a) Circuito com capacitor


de acoplamento mal
dimensionado e
b) formas de onda
de entrada e sada.

113

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eletrnica 2

CAPTULO 5

Figura 5.3

Figura 5.5

R1
1K

R1
1K

DCV

2VRMS
R2
1K

R2
1K

4V

(a)

(b)

Ao acionarmos a chave que interliga o capacitor ao circuito (figura 5.4), notare


mos que a tenso em R2 ter apenas a componente contnua e seu valor ser
equivalente ao especificado pelo divisor de tenso. Ateno: essa observao
vlida somente se o capacitor apresentar reatncia muito menor que R1//R2. No
caso da componente alternada, o valor da tenso CA ser praticamente nulo,
pois os terminais de R2 estaro em curto-circuito para CA.

Capacitor de
desacoplamento ligado:
a) medida da tenso CC e
b) medida da tenso CA.

R1
1K

ACV

2VRMS
R2
1K

4V

R2
1K

Pode-se calcular rbe aproximadamente por:

(b)

5.3 Amplificador emissor comum de pequenos


sinais
Quando polarizamos um transistor, aplicamos uma tenso de polarizao CC
(VBEQ) na base, uma tenso CC entre coletor e emissor (VCEQ), uma corrente
CC na base (IBQ) e uma corrente CC de emissor (IEQ). Nessas condies, ao
aplicarmos um sinal na entrada do amplificador, a tenso oscilar acima e abaixo
de VBE. Portanto, existir uma variao de tenso ao redor do ponto quiescente
(VBE), provocando variao de corrente de emissor (IE) e, em consequncia,
variao de tenso entre coletor e emissor (VCE).
Um amplificador de pequenos sinais se a amplitude do sinal for suficientemen
te baixa para que sua operao ocorra na regio linear da curva IEVBE.
A figura 5.5 mostra um sinal aplicado na base (VBE) e a resposta (IE).
114

VBE v be
=
IE
ie

rbe =
(a)

VBE

Nesse grfico, define-se a resistncia incremental ou resistncia dinmica da jun


o base-emissor como:

rbe =

R1
1K

DCV

2VRMS

4V

ACV

2VRMS

4V

Figura 5.4

Curva IE VBE de
um transistor.

IE

Capacitor de
desacoplamento desligado:
a) medida da tenso CC e
b) medida da tenso CA.

25 mV
IE

em que IE a corrente quiescente de emissor e 25 mV uma constante tempe


ratura de 25 C.
A anlise de amplificadores aqui realizada considera os modelos simplificados
de Ebers Moll para determinar os principais parmetros CA, como ganho de
tenso, impedncia de entrada e impedncia de sada.

5.3.1 Modelo simplificado do transistor em baixas


frequncias
Esse modelo para pequenos sinais, pois despreza as capacitncias parasitrias
das junes. Observe as simplificaes a seguir, usadas para representar um sinal
(figura 5.6).
ic = IC: variao da corrente de coletor ao redor do ponto Q;
ib = IB: variao da corrente de base ao redor do ponto Q;
vbe = VBE: variao da tenso base-emissor ao redor do ponto Q;
vce = VCE: variao da tenso coletor-emissor ao redor do ponto Q.
115

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eletrnica 2

Figura 5.6
a) Sinais de corrente e
tenso em um transistor e
b) modelo simplificado
para pequenos sinais.

(a)

IC

IB

(b)

VCE

ic

abertos e as correntes e tenses presentes, contnuas (ponto quiescente). A an


lise desse circuito consiste em determinar o ponto quiescente, como visto an
teriormente.

B.ib

ib

Figura 5.8
Circuito equivalente CC do
amplificador da figura 5.7.

Vce

VBE

rbe

Vbe

CAPTULO 5

Rc
R1
Ve

5.4 Anlise de amplificadores

Figura 5.7
Estgio de um amplificador
EC completo.

Vcc

R2

A anlise de amplificadores pode ser feita por parmetros CC, quando se leva em
conta a polarizao, conforme explicado anteriormente, ou por parmetros CA,
que considera a determinao do ganho, como veremos a seguir.
A figura 5.7 mostra um estgio de um amplificador emissor comum (EC) com
pleto com os capacitores de acoplamento (C1 e C2) e de desacoplamento ou
bypass (CE). O smbolo Vg representa a fonte do sinal a ser amplificado e RS, sua
resistncia interna ou de sada (pode representar a sada de um estgio amplifi
cador). Os resistores R1, R2, RC e RE so de polarizao e RL a resistncia de
carga ou a impedncia de entrada do estgio seguinte.

TR

RE

5.4.2 Circuito equivalente CA de um amplificador emissor


comum para pequenos sinais
A figura 5.9 apresenta o circuito equivalente CA de um amplificador emissor
comum para pequenos sinais. Para obter esse circuito, os capacitores e as fontes
CC so considerados curto-circuito (V = 0) e as correntes e tenses so varia
es: VBE, VCE, IB, IE e IC. Nesse circuito, preciso determinar as impe
dncias de entrada e sada e os ganhos de tenso e corrente.

Rc
R1
Rs

Vg

C1

C2
Ve

TR

Figura 5.9
Vs
RL

Circuito equivalente CA do
amplificador da figura 5.7.

Vcc

Rs

R2
RE

CE

Ve

+
Vg

R2

Vs

TR
Rc

RL

R1

A resposta global a superposio das respostas no circuito na anlise CC e no


circuito na anlise CA.

5.4.1 Circuito equivalente CC de um amplificador emissor


comum
A figura 5.8 apresenta o circuito equivalente CC de um amplificador emissor
comum. Para obter esse circuito, os capacitores so considerados circuitos
116

Amplificador EC com resistncia de fonte nula e carga infinita


Para fazermos a anlise CA desse circuito, devemos considerar que o valor da
resistncia da fonte (RS) do sinal nula e o valor da carga (RL) ligada na sada
infinito. A figura 5.10 mostra o circuito nessas condies.
117

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eletrnica 2

Figura 5.10

CAPTULO 5

Note, na figura 5.11b, que o sinal de entrada do gerador de sinais (Vg) igual ao
sinal aplicado na base (Ve). Para esse circuito, a impedncia de entrada (Ze) no
gerador Vg :

Amplificador EC com
RS = 0 e RL infinita.

Ze = R1//R2//Ze(base)
Rc
C1
+
Vg

em que:

C2

R1

Vs

Ve

TR

Vcc

Ze( base ) =

R2
RE

O ganho de tenso entre a sada (Vs) e a entrada (Ve) na base calculado por:

CE

AV =

Observe que o circuito equivalente CC do circuito da figura 5.10 igual ao da


figura 5.8 e o circuito equivalente CA est indicado na figura 5.11a.
Figura 5.11
a) Circuito equivalente
CA do amplificador
da figura 5.8 e
b) transistor substitudo
pelo modelo.

Ve rbe (ib + ib )
=
= rbe (1 + ) rbe
ib
ib

R
VS
RC ic
RC ib
RC ib
C
=
=
=
rbe
Ve rbe (ib + ic ) rbe (ib + ib ) rbe (1 + ) ib

em que rbe a resistncia incremental da juno base-emissor definida ante


riormente e o ganho de corrente na configurao emissor comum. O sinal
negativo na expresso do ganho indica defasagem de 180 entre os valores de
entrada e de sada.
O circuito equivalente da sada obtido aplicando Thvenin na sada do circuito
da figura 5.11a. Desse modo, a resistncia vista com a fonte de corrente eliminada
(aberta) RC e a tenso em vazio AVVe.

Vs
Ve

A impedncia de sada (Zs) calculada por:

TR
+

(a)

Vg

R2

R1

Rc

Zs = RC
O circuito da figura 5.12 representa o circuito equivalente CA do amplificador
da figura 5.10.

Transistor

Ve

(b)

R1

Vg
Ze

iz

Figura 5.12

ic
Vs

Zs

Ve

B.iz
B

Rc

R2

Vs

Circuito equivalente CA do
amplificador da figura 5.10.

Av.Ve
Vg

Ze

rbe
Ze(base)

ie

Como RL infinita, ento Vs = AVVe e, nesse caso, Vg = Ve.


118

119

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eletrnica 2

Exemplo

VB =

Com base no amplificador da figura 5.13:

CAPTULO 5

2k 2
12 V = 1, 86 2k 2
2k 2 + 12 k

Em seguida, VE:

a) determine o valor quiescente de VCE e IC;

VE = 1,86 0,7 = 1,16 V

b) determine o valor da tenso na sada de pico a pico, considerando uma tenso


no gerador (Vg) de 40 mV PP;

Portanto:

c) desenhe as formas de onda da tenso nos pontos A, B, C e D.

IC = I E

Dados: = 300 e VBE = 0,7 V.

IE =

Figura 5.13

116
, V
220

VRC = 0,82 k5,2 mA = 4,26 V


VCE = 12 (4,26 + 1,16) = 6,58 V e VC = 12 4,26 = 7,74 V
Rc
A

R1
C1

Rs

C2
C

Ve

b) O valor da resistncia incremental da juno base-emissor vale:


Vs

TR

RL

Vcc

rbe =

25 mV 25 mV
=
= 4, 8
IE
5, 2 mA

R2

Vg

RE

A impedncia olhando na base :

CE

Ze( base ) rbe = 300 4, 8 = 1440

Impedncia de entrada:

Soluo:
a) Calculamos primeiro os valores quiescentes (figura 5.14):
Figura 5.14

Ze = R1 //R2 //Ze( base ) = 12 k // 2k 2 / /1, 44 k = 811


Impedncia de sada:

RC
820

VB
R2
2K2

Zs = 820

IC

R1
12K
Ve

TR

RE2
220
IE

VCE

Vcc
12 V

O ganho de tenso entre a base (Ve) e a sada (Vs) vale:

VE

AV =

RC
820
=
= 170
rbe
4, 8

O modelo para CA do amplificador o da figura 5.15:


120

121

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eletrnica 2

CAPTULO 5

Amplificador EC com resistncia de fonte e carga

Figura 5.15
Rs
1K
Vg
40 mVpp

Ve

Zs
0,82 K

0,81 K

-170.Ve

Vs

Ze
RL
1K

Para esse modelo, consideramos uma resistncia de fonte (RS) e uma resistncia
de carga (RL), conforme ilustra a figura 5.17. A resistncia da fonte pode repre
sentar tambm a resistncia de sada do estgio anterior e a de carga, a resistncia
de entrada do estgio seguinte.
Figura 5.17
Amplificador EC com
resistncia de fonte e carga.

Podemos determinar a tenso Ve:


Ve =

Rc

0, 81 k
40 mVPP = 17, 8 mVPP
1 k + 0, 81 k

R1

Portanto, o valor do gerador :

+
Vg

AVVe = 17017,8 mVPP = 3VPP

C2

C1

Rs

Ve

Vs

TR

RL

Vcc

R2

RE

CE

A tenso na carga vale:


VL =

1k
3 VPP = 1, 77 VPP
1 k + 0, 82 k

c) As principais formas de onda no circuito, com base nos resultados anteriores,


esto indicadas na figura 5.16:

Observe que o retngulo tracejado no circuito da figura 5.18 o mesmo circuito


analisado anteriormente. Assim, podemos usar o modelo da figura 5.17 para
represent-lo, adicionando a carga (RL) e a resistncia da fonte (RS).
(a)

Figura 5.16

(a)

A
0

40 mVpp

+
Vg
Vg

B
1,86V

Rs

Ve

Rs

Ve

Vs

a) Circuito equivalente
CA do amplificador
da figura 5.17 e
b) transistor substitudo
pelo modelo.

RL

Rc

R2

R1

Figura 5.18

RL

Rc

TR

R2

R1

+-

TR

Vs

17,8mVpp

0
C

(b)
(b)

C
7,7V

Transistor
Transistor

3Vpp

Ve
Ve

0
D
0

1,77 V

R2

Vg
Vg

R1
Ze
Ze

122

R1

R2

ib

ic
Vs

ic

Vs
RL

.ib
B

ib

Rc

.ib

B
Ze(base)
Ze(base)

RL

Rc

ie
ie

rbe
Erbe
E

123

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eletrnica 2

A impedncia de entrada calculada da mesma forma que nos modelos apresen


tados, mas a tenso na entrada (Ve) agora uma parcela da tenso do gerador
(Vg) por causa do divisor de tenso existente constitudo por RS e Ze.
Ze = R1//R2//Ze(base)

Ve =

Ze
Vg
Ze + Rs

CAPTULO 5

de trabalho, deixando o ganho altamente instvel. Para tornar o circuito estvel


e reduzir a distoro, aplica-se realimentao negativa em CA.
A figura 5.20 mostra um amplificador EC com realimentao negativa em CA
por meio do resistor RE1. Esse resistor no tem capacitor de desacoplamento em
paralelo, o que causa a realimentao em CA. Tal realimentao (negativa) di
minui a distoro e torna o ganho do circuito menos dependente do parmetro
rbe. Do ponto de vista de CC, a resistncia do emissor RE1 + RE2.
Figura 5.20

O circuito da figura 5.19 representa o circuito equivalente CA do amplificador


da figura 5.17.

Rc

Figura 5.19

R1

Circuito equivalente CA do
amplificador da figura 5.17.

Rs

Vg

Zs

Ve
Av.Ve
Ze

C2

C1

Vs
Vg

Vs

Ve

RL

TR

Vcc

R2

RE1
RE2

Na sada do circuito, em decorrncia da carga RL, tambm haver uma diviso


de tenso. Portanto, o valor da tenso de sada ser dada por:
VS =

CE

A figura 5.21 apresenta o circuito equivalente para pequenos sinais. Observe que
o capacitor de CE deixa em curto-circuito o resistor RE2, e, portanto, esse resistor
no aparece no circuito equivalente CA, somente RE1.

RL
A V Ve
RL + R C

Figura 5.21
(a)

Vs

sendo:

Ve

R
AV = C
rbe

Vg

TR

R1

VS
R
= C
Ve
rbe

RE1

Ve ib

Vg

R1

Ze

Vs

.ib
B

Rc

R2

Ze(base)

a) Circuito equivalente
CA do amplificador
com realimentao
da figura 5.20 e
b) circuito com modelo
do transistor.

ic

Transistor

(b)

Como visto anteriormente, o amplificador EC tem o ganho, entre a base e o


coletor, dado por:

Rc

R2

5.4.3 Amplificador EC com realimentao parcial

AV =

Amplificador EC com
realimentao negativa
resistncia de fonte
nula e carga infinita.

ie

rbe
E

RE1

Note que o ganho do amplificador depende do parmetro rbe, entre outros fato
res. Esse parmetro influenciado pelo tipo de transistor e por sua temperatura
124

125

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eletrnica 2

Analisando o circuito da figura 5.21, podemos notar que o resistor RE1 aparece
no circuito equivalente CA, fazendo a realimentao CA. Perceba que no existe
capacitor de desacoplamento em paralelo com o resistor RE1. O ganho com a
realimentao entre a base e a sada dado por:
AV =

VS VS
RC
=
=
rbe + RE1
Vg Ve

CAPTULO 5

5.4.4 Mais sobre amplificador EC com resistncia de fonte


e carga
O amplificador EC da figura 5.23 apresenta o mesmo circuito do amplificador da
figura 5.20, com a adio das resistncias de fonte (RS) e carga (RL). Como j
dito, a resistncia de fonte do sinal pode representar tambm a resistncia de sada
do estgio anterior, e a de carga, a resistncia de entrada do estgio seguinte.
Figura 5.23

Se RE1 >>> rbe, o ganho torna-se praticamente estvel. Nesse caso, o ganho
determinado por:

Amplificador EC com
realimentao carga
finita e resistncia de
fonte no nula.

Rc

AV =

VS VS
R
=
C
Vg Ve
RE1

R1
Rs
+

Nessa configurao, o ganho no depende do transistor, mas somente da relao


entre as resistncias RC e RE1. Nessas condies, dizemos que a realimentao
estabilizou o ganho. Na prtica, o ganho varia quando substitumos o transistor,
mas uma variao muito pequena.

Vg

C2

C1

Ve

TR

Vs
RL

Vcc

R2

RE1
RE2

CE

A anlise CA do circuito da figura 5.20 pode ser feita considerando o circuito


equivalente CA da figura 5.21, resultando no circuito simplificado da figura 5.22.
Figura 5.22
Circuito equivalente AC
do circuito da figura 5.20.

Zs

Ve

Vg

Vs

Av.Ve

O modelo utilizado para calcular a tenso de sada para determinado valor de


tenso de entrada o mesmo apresentado anteriormente, com exceo de que
nesse modelo existe um divisor de tenso na entrada (RS e Ze) e na sada (Zs e
RL). A figura 5.24 ilustra o circuito equivalente.

Ze

Figura 5.24
Rs

Vg

Para o circuito da figura 5.20, a impedncia que o gerador Vg percebe dada


por:

Rc

Ve

Ze

Av.Ve

Modelo CA do circuito
da figura 5.23.

Vs

RL

Ze = R1//R2//Ze(base)
e a impedncia olhando na base:

126

As impedncias de entrada e de sada so dadas por:


Ze = R1//R2//Ze(base), Ze(base) = (rbe + RE1) e Zs = RC.

Ze(base) = (rbe + RE1)

O ganho de tenso entre a base e a sada calculado por:

Note que a impedncia de entrada olhando na base aumentou muito seu valor.
A impedncia de sada dada por: Zs = RC.

AV =

Vs
R
C
Ve
RE1
127

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eletrnica 2

CAPTULO 5

5.5 Amplificador coletor comum

Figura 5.26

Como vimos, ao ligarmos uma fonte de alta impedncia de sada a uma carga
de baixo valor, a maior parte da tenso estar na resistncia interna da fonte.
Para evitar que isso acontea, devemos intercalar um circuito com alta im
pedncia de entrada e baixa impedncia de sada entre a sada da fonte e a
carga, conforme ilustra a figura 5.25. Quando inserimos um transistor nesse
circuito, ele passa a ser chamado de amplificador coletor comum, tambm co
nhecido por seguidor de emissor ou buffer. As principais caractersticas desse
circuito so: altssima impedncia de entrada, baixa impedncia de sada e
ganho unitrio.
Esses circuitos so usados em vrias aplicaes, como no estgio de sada de
amplificadores, em que necessrio efetuar o casamento da impedncia
do alto-falante (em geral 4 a 8 ) com a impedncia de sada do amplifi
cador. Essa configurao tambm utilizada para construir um regulador
de tenso em srie.

Amplificador
coletor comum.
R1
C1

Ve

TR

R2

Vg

Vcc

C2

VS

RE

A anlise CC do amplificador da figura 5.26 igual do amplificador emissor


comum, ou seja, com os resistores R1 e R2 polarizando a base do transistor de tal
forma que VCE seja aproximadamente a metade de VCC.

Figura 5.25
Figura 5.27

a) Carga de baixo
valor ligada na sada
de circuito com alta
impedncia de sada e
b) buffer como interface.

R1
10 K

Rs
10K

VB

(a)
VL =1 V
Vg
10V

(b)

R2
10 K

RL
1K

Rs
10 K

Vg
10 V

Amplificador coletor
comum anlise CC.

TR

Vcc
12 V

0,7 V

VE

RE
5K

VL=10 V

Buffer

RL
1K

Considerando o circuito da figura 5.27, podemos determinar alguns valores,


como:
tenso na base: VB =

10 k
.12 V = 6 V ;
10 k + 10 k

tenso de emissor: VE = VB 0,7 = 5,3 V;


corrente de emissor: IE =
A figura 5.26 mostra o amplificador coletor comum, que um circuito com rea
limentao negativa introduzida por RE.
128

5, 3 V
= 1, 06 mA ;
5k

tenso coletor-emissor: VCE = 12 VE = 12 5,3 = 6,7 V.

129

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eletrnica 2

A anlise CA feita usando o mesmo raciocnio utilizado para o amplificador


emissor comum. A figura 5.28 mostra o circuito equivalente CA com o transistor
substitudo pelo modelo de Ebers Moll, capacitores e fontes CC em curto-circuito.
Figura 5.28
Circuito equivalente CA
do circuito da figura 5.26.

Ve

ic

ib
ib

B
Vg

R1/R2

rbe
Vs

E
RE

CAPTULO 5

5.6 Amplificadores de potncia


As principais caractersticas desejveis em um amplificador so: linearidade, efi
cincia, potncia na sada e ganho de tenso. Dificilmente todas elas esto pre
sentes ao mesmo tempo no amplificador, porque, em geral, uma caracterstica
afeta outra (ou outras) melhorar a linearidade, por exemplo, pode comprome
ter a eficincia. Assim, o que o projetista deve fazer definir quais caractersticas
devem ser atendidas em detrimento de outras.
Os amplificadores de potncia so usados no ltimo estgio de um amplificador;
por isso, normalmente tm como carga um alto-falante. Como esses circuitos
trabalham com sinais elevados, sua anlise no ser feita usando os modelos
utilizados.
Os amplificadores de potncia se dividem em classes. As mais conhecidas so:

Para esse circuito, o ganho entre a base e a sada calculado por:


AV =

Vs
Ve

em que Vs = RE (1 + ) ib e Ve = rbe ib + (1 + ) ib

AV =

Vs
RE (1 + )
1
=
Ve re '+ (1 + ) RE

Impedncia de entrada
A impedncia de entrada do circuito vale:
Ze = R2//R1//Ze(base)
em que Ze(base) a impedncia olhando na base e pode ser calculada por:
Ze( base ) =

130

Ve (RE (1 + ) + re' ) ib
=
= re' + (1 + ) RE RE
ib
ib

Classe A
Classe B
Classe AB
Classe C
Classe D
Os amplificadores classes A, B e AB operam de forma linear; os classe C, na
ressonncia; e os classe D, no modo de chaveamento. Cada modelo indicado
para uma aplicao especfica: classes A, B e AB em amplificadores de udio de
equipamentos de grande porte, classe C em radiofrequncia (RF) e classe D em
equipamentos portteis.
As classes so caracterizadas pela localizao do ponto de operao e durao da
conduo do transistor de sada em cada semiciclo. Um amplificador apresen
ta linearidade se operar em uma regio linear das curvas caractersticas. Desse
modo, a relao entre a sada e a entrada linear e, portanto, o sinal de sada ter
a mesma forma do sinal de entrada, porm com sinal amplificado.
Define-se a eficincia () ou rendimento de um amplificador como a relao en
tre a potncia obtida na carga e a potncia CC fornecida pela fonte ao circuito de
sada. A eficincia ideal 1, valor impossvel de atingir, pois nesse caso nenhuma
potncia seria dissipada no circuito amplificador. O rendimento calculado por:

P
potncia do sinal entregue para a carga
= CA
PCC
potncia CC fornecida ao ciircuito de sada

que normalmente resulta um valor alto. Por exemplo: se = 200 e RE = 5 k,


ento Ze(base) = 2005 k = 1 M.

em que PCA a potncia CA fornecida carga e PCC a potncia CC que a fonte


fornece ao circuito amplificador.

A impedncia de entrada ser limitada pelos valores das resistncias e po


larizao dos resistores R1 e R 2. Por exemplo: se R1 = R 2 = 100 k, ento
Ze = 100 k//100 k//1 M = 47,6 k.

A figura 5.29 mostra, de maneira simplificada, o diagrama de blocos de um


amplificador genrico. A carga, representada por RL, pode ser um alto-falante
ou um motor.
131

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eletrnica 2

Note tambm que existe um intervalo em que os dois transistores esto cortados;
nesse momento que a tenso de entrada menor que 0,6 V, e isso causa distoro.

+ Vcc

PCC

Pr amplificadores

CAPTULO 5

Estgio de potncia

Essa distoro chamada de distoro por cruzamento (crossover) e aparece por


que o transistor s comea a conduzir quando a tenso VBE excede 0,6 V apro
ximadamente. Quanto menor a amplitude do sinal, maior a distoro.

PCA

Figura 5.31
a) Amplificador classe B,
b) formas de onda de
entrada e sada e
c) reta de carga e sinal
de entrada e sada.

RL
(a)
TR1
Vs

-+
Figura 5.29

5.6.1 Amplificador classe A

Diagrama de blocos
de um amplificador.

a classe de amplificadores com a maior linearidade (menor grau de distor


o), porm com o menor rendimento, de aproximadamente 25% no mximo.
Isso significa que, para obter 10 W de potncia na carga, a fonte deve ter po
tncia de 40 W.

Figura 5.30

TR2

Ve

Vs

1V

RL

Cross over

0V

-1V
-2V

Ic

(b)
Reta de carga

sinal de entrada

A polarizao no circuito de um amplificador classe A feita de tal modo que o


transistor fica conduzindo enquanto tiver sinal de entrada, portanto em 360
(figura 5.30). A polarizao igual dos transistores amplificadores de baixo
sinal, estudados anteriormente.

Amplificador classe A:
a) circuito e
b) formas de onda
e reta de carga.

Ve

2V

0
distoro por crossover

sinal de saida

Ic

(c)
Rc
C2

R1
C1

Ve

(a)

TR

RL

A figura 5.32 mostra um circuito que no necessita de fonte simtrica. Nesse


caso, a fonte de alimentao para polarizar o transistor TR 2 o capacitor CL, que
tem valor elevado (tipicamente 1000 F) e consegue manter a carga.

Vcc

R2
RE

VCE

Figura 5.32

CE

Amplificador classe B
com fonte simples.

(b)

TR1
CL
+ - Vs
+ -

5.6.2 Amplificador classe B


O amplificador classe B polarizado no corte (correntes quiescentes nulas); por
tanto, a potncia em CC baixa e o rendimento alto. A figura 5.31 mostra um
circuito classe B denominado push-pull com sada complementar e as formas de
onda de entrada (Ve) e sada (Vs). No semiciclo positivo do sinal de entrada, a con
duo feita pelo transistor TR1 (NPN) e, no semiciclo negativo, pelo TR2 (PNP).
Observe que, para a configurao classe B, necessrio o uso de fonte simtrica e
os transistores devem estar na configurao coletor comum (seguidor de emissor).
132

Ve

TR2

RL

133

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eletrnica 2

5.6.3 Amplificador classe AB


Esse amplificador um intermedirio entre os classes A e B em termos de
eficincia e distoro. Nessa classe, os transistores so polarizados um pou
co acima do corte com uma tenso prxima de 0,6 V. A partir desse valor,
quando a tenso de entrada (Ve) se torna positiva, o transistor TR1 conduz no
semiciclo positivo e, quando a tenso de entrada fica negativa, TR 2 conduz
no semiciclo negativo, eliminando o crossover.

CAPTULO 5

mos um par Darlington no lugar de cada um dos transistores de sada dos cir
cuitos da figura 5.32. Observe a necessidade de colocar quatro diodos em vez de
dois (figura 5.34).
Figura 5.34

A figura 5.33a mostra esse conceito com as baterias B1 e B2 polarizando os


transistores TR1 e TR2, respectivamente. Na prtica, as baterias so substitudas
por tenses obtidas por meio do divisor de tenso ou por diodo. No circuito da
figura 5.33b, a tenso em R2 representa a bateria B1, que polariza TR1, e a tenso
em R3 representa a bateria B2, que polariza TR2. No circuito da figura 5.33c, a
tenso de polarizao obtida nos diodos D1 e D2. A polarizao por diodos
prefervel, pois a tenso no depender da alimentao VCC.

TR1
TR2

Ve

TR3

RL

TR4

Figura 5.33
Amplificador classe AB:
a) eliminando o crossover;
b) polarizao com
divisor de tenso e
c) polarizao por diodos.

Aumento do ganho
de corrente do
estgio de sada.

+Vcc

+Vcc

(a)

B1
Ve

B2

-Vcc

TR1

5.6.4 Amplificador classe C

RL

TR2
-Vcc
+Vcc

(b)

Ve

+Vcc
(c)

R1
R2

R4

R1

TR1
D1

R3
TR2

Os amplificadores classe C tm rendimento maior que os classes A, B e AB, pois


o transistor conduz somente uma pequena parte do semiciclo positivo. A diferen
a principal entre os classe C e os outros que o ganho mximo em uma nica
frequncia, chamada de ressonncia. A figura 5.35 mostra o circuito e o compor
tamento do ganho de acordo com a frequncia. Quando o sinal de entrada atinge
a frequncia de ressonncia estabelecida, o transistor comea a conduzir e o cir
cuito LC (chamado de circuito tanque) passa a oscilar no ganho mximo.

RL

TR1

Figura 5.35

D2

Ve
R4

TR2

RL
C

Ganho
C2

Vs

C1

-Vcc

-Vcc

Ve

Amplificador classe C:
a) circuito e
b) curva de resposta
em frequncia.

Vcc

RL

RB

f0

A fonte (VCC) que polariza o transistor TR2 tambm pode ser eliminada, adi
cionando um capacitor de grande valor em srie com a carga, como foi feito no
classe B. O ganho de corrente do estgio de sada pode ser aumentado se inserir
134

(a)

(b)

135

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eletrnica 2

CAPTULO 5

Figura 5.37

O ganho mximo na frequncia de ressonncia (fo), que pode ser calculada por:
fo =

1
2 LC

Observe que no existe polarizao de base; o sinal que providencia essa polari
zao.

onda triangular
de alta
frequncia

A ideia bsica consiste em converter o sinal de udio (Vs) em um sinal de onda


quadrada modulado em PWM (modulao por largura de pulso) de frequncia
muito maior que a de udio. Depois, efetua-se a filtragem, recuperando o sinal
de udio (figura 5.36).

V S

VS

VC
TR2

C1

Os componentes representados por L e C compem o filtro passa-baixa de rede,


constituda por R1 e C1, compensando a reatncia indutiva da bobina do alto
-falante. Dessa maneira, o filtro enxerga uma carga resistiva em alta frequncia.

VT
VC
Comparador

entrada
de udio

TR1

-V

Nessa classe de amplificadores, os transistores operam como chave. No corte a


corrente zero e na saturao a tenso zero. Desse modo, a potncia dissipada
muito baixa, a eficincia aumenta e, portanto, a fonte de alimentao requer
menor potncia. Esse tipo de amplificador largamente usado em equipamentos
portteis.

Diagrama de blocos de
um amplificador classe D.

-Comp

R1

5.6.5 Amplificador classe D

Figura 5.36

Amplificador classe
D bsico.

+V

Vs

Estgio de
saida de
potncia

+V

+V

-V

-V

VS

VS

FPB

Carga

A tenso de sada do comparador (VC) :


VC = +V, se Vs > V T, e VC= V, se Vs < V T.
Essa tenso (VC) aplicada na entrada de um amplificador fonte comum com um
par complementar de transistores MOS, que operaro como chave (figura 5.37).
Para VC = +V, o transistor TR1 corta e o TR2 conduz a sada VS = V, se a queda
de tenso atravs de TR2 for desprezvel. Similarmente, se VC = V, TR1 conduz
e TR2 corta a sada VS = +V.
136

137

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Captulo 6

Transistor
efeito de campo

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eletrnica 2

CAPTULO 6

Figura 6.1
D (dreno)

D
N

G (porta)

P+

Existem muitas diferenas entre o transistor efeito de campo e o transistor bipo


lar; as principais so:
Controle do fluxo da corrente: no FET por tenso e no BJT por corrente.
Impedncia de entrada: no FET muito alta (> 1 M) e no BJT baixa (por
causa da juno PN polarizada diretamente).
Tipo de portador: no FET um eltron livre ou lacuna e no BJT so eltron
e lacuna.
Ganho de tenso: no FET menor que no BJT.

6.1 Transistor efeito de campo de juno


A figura 6.1a mostra, de maneira simplificada, a estrutura fsica de um transistor
efeito de campo de juno canal N. As figuras 6.1b e 6.1c ilustram a simbologia
para canal N e canal P, respectivamente. Observe que o dispositivo tem trs
terminais: o dreno (D, drain em ingls), a fonte (S, source) e a porta (G, gate). A
dopagem da regio da porta muito maior que a do canal; desse modo, a regio
de depleo (regio de carga espacial) ser muito maior do lado do canal.
Observe nas figuras 6.1b e 6.1c que a posio da seta no meio ou prxima
fonte pode sugerir que possvel trocar o dreno pela fonte, o que permitido
em alguns modelos, mas no em todos; a simbologia em que a seta est mais
prxima fonte identifica os dispositivos que permitem essa troca. Na literatura
sobre o tema, possvel encontrar as duas simbologias. O sentido da seta indica
o sentido de conduo, como em um diodo comum de juno ponte-canal (PN).
140

G
S

transistor efeito de campo (FET, field effect transistor) um dis


positivo que controla o fluxo de corrente por meio da tenso
aplicada em um de seus terminais, diferentemente do transistor
bipolar (BJT, bipolar junction transistor), em que o fluxo de corrente depende da
corrente aplicada em seus terminais. O princpio de funcionamento desse dispo
sitivo est baseado na modulao aplicada em seus elementos (portas), que vai
controlar a corrente que circular em uma regio denominada canal.

Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (metal


-oxide-semiconductor FET ), tambm chamado de IGMOS (insulated gate MOS)
ou transistor MOS, e JFET (junction FET ). Os MOSFETs so mais usados,
principalmente em circuitos integrados e como dispositivos de potncia. Esses
transistores podem ser encontrados com polaridades de canal N e canal P.

a) Estrutura fsica
de JFET canal N,
b) simbologia para
JFET canal N e
c) simbologia para
JFET canal P.

S (fonte)

(a)

(b)

(c)

Para entendermos o funcionamento, vamos analisar o modelo JFET canal


N. Para o modelo JFET canal P, basta inverter o sentido da corrente e das
tenses.
Consideremos inicialmente, na figura 6.2a, a tenso VDS = 0 e a tenso VGS
polarizando reversamente a juno PN. Nessas condies, o canal entre o dreno
e a fonte est totalmente aberto e com determinado valor de resistncia. Como a
tenso aplicada nessa resistncia zero, a corrente tambm zero (ID = 0). Se
elevarmos a tenso de porta, a polarizao reversa aumenta, o que faz a regio de
carga espacial avanar no canal at fech-lo totalmente (figura 6.2b). Observe
que a regio de depleo avana mais no canal do que no lado da porta, porque
a dopagem da porta maior.
Figura 6.2
a) Polarizao da porta
com tenso negativa e
b) fechamento
total do canal.

Regio de carga
especial
D

P
N

ID

ID
G

VGS

N
VDS = 0

VGS = VP

N
S

(a)

(b)

141

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eletrnica 2

CAPTULO 6

Figura 6.4

O valor da tenso de porta (VP) que provoca o fechamento total do canal


chamada de tenso de pinamento (pinch-off, em ingls), apresentando valor
negativo para canal N e positivo para canal P.

D
N

Agora, vamos considerar VGS = 0 e aplicar uma tenso entre o dreno e a fonte
com a polaridade indicada na figura 6.3. O que acontece com a corrente quando
VDS varia?
Inicialmente, como o valor de VDS baixo, a regio do canal praticamente no
se altera e, dentro de certos limites, o dispositivo se comporta como resistncia
(figura 6.3a). medida que VDS aumenta (figura 6.3b), a corrente de dreno se
eleva, causando queda de tenso ao longo do canal e seu afunilamento. A cor
rente de dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tenso VA e entre o
ponto B e a fonte uma tenso VB, ou seja, VA > VB. Essas tenses so aplicadas
na juno de maneira reversa, e no ponto onde a tenso reversa maior a re
gio de carga espacial avana mais no canal, isto , o estreitamento maior
prximo ao dreno.

Figura 6.3
a) Polarizao do
dreno com tenso
pequena (0,1 V) e
b) pinamento
atingido (VP).

ID

ID = IDSS

ID

A
P

VA

VDS

G
VDS = |VP|

Aspecto do canal quando


a tenso de dreno
aumenta alm de VP.

ID = IDSS

G
VDS > |VP|

N
S

6.1.1 Curvas caractersticas de dreno


A figura 6.5 ilustra o grfico do comportamento do JFET canal N com VP = 2 V,
VGS = 0 e tenso de dreno variando. Quando VDS = 0, a corrente de dreno ID
tambm zero. Conforme VDS aumenta e se mantm com valor menor que VP, o
comportamento o de um resistor, isto , se a tenso de dreno se eleva, o valor da
corrente de dreno aumenta proporcionalmente. A regio de operao chamada
de regio hmica. medida que a tenso de dreno se aproxima da tenso de
pinamento, o canal se aproxima do estreitamento mximo e a curva comea a
se inclinar. Se a tenso aumenta alm desse valor, a variao da corrente de dreno
praticamente no existe. Diz-se que o dispositivo entrou na regio de saturao
ou de amplificao.

VB

Vamos considerar um exemplo em que a tenso de porta VGS = 1 V e a tenso


de dreno est variando. Nesse caso, obtm-se uma curva semelhante da figura
6.5, porm com valor de corrente na saturao menor que IDSS.

N
S

O significado de
saturao no FET
oposto ao do
transistor bipolar.
O valor da tenso
de dreno para
a qual ocorre o
pinamento mximo
VDS = 2V = |VP|.

Figura 6.5
(a)

(b)

5.000m

lDSS

Regio ohmica

regio de saturao

142

lD (mA)

4.000m

O estreitamento mximo ocorre quando o valor da tenso de dreno igual


(em mdulo) de pinamento. Se a tenso de dreno continua aumentando,
o dispositivo passa a se comportar como fonte de corrente constante. Isso
porque as regies de carga espacial no se unem e o estreitamento aumenta
ao longo do canal (figura 6.4). Desse modo, a corrente de dreno se mantm
aproximadamente constante em IDSS. Na prtica, existe pequeno aumento
em ID quando VDS se eleva alm de VP. Se a tenso de dreno continuar au
mentando, provocar a ruptura da juno, destruindo o dispositivo. Essa
tenso designada por BVDSS.

Curva caracterstica de
dreno para VGS = 0 V para
JFET com VP = 2 V.

VGS =0

3.000m
2.000m
1.000m
0.000m
0.000

1.000

2.000

3.000

4.000

5.000

6.000

7.000

8.000

VDS (V)

143

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eletrnica 2

Figura 6.6
Curva caracterstica de dreno
para diversos valores de VGS.

CAPTULO 6

A figura 6.6 mostra a curva caracterstica de dreno para alguns valores de VGS.
Observe que elas no so equidistantes nem lineares.

Figura 6.7b
Curva caracterstica
de transferncia.
(b)

5.000m

lD (MA)

VGS = 0 V

5.0
4,6

lDSS

4.000m

lD (MA)

4.0

3.000m

VDS = 4 V

VGS = - 0,5 V

3.0
2,6

2.000m
VGS = - 1 V

3.0

1.000m
VGS = - 1,5 V

1,2
1.0

VGS = - 2 V

0.000m
0.000

1.000

2.000

3.000

4.000

5.000

6.000

7.000

8.000

VDS (V)
2.0

-1.5

VP

-1.0

-0,5

0.0

0,3
0.0

VGS (V)

6.1.2 Curva caracterstica de transferncia


Figura 6.7a
Curvas caractersticas
de dreno.

Consideremos, para o grfico da figura 6.7a, um dispositivo com VDS = 4 V.


Associado a cada valor de VGS existe um valor de ID. Se desenharmos o grfico
de IDVGS, obteremos a curva caracterstica de transferncia, pois os valores de
entrada so transferidos para a sada. A figura 6.7a mostra como obter nas curvas
caractersticas de dreno os dados para desenhar o grfico da figura 6.7b.

ID = IDSS (1

(a)
5.000m

em que IDSS a corrente de dreno na saturao para VGS = 0 e VP a tenso de


pinamento.

lD (MA)

4.000m

3.000m

6.1.3 Transcondutncia

VGS = - 0,5 V

2,6 MA

Esse um importante parmetro de um FET, definido por:

2.000m
VGS = - 1 V

1,2 MA

gm =

1.000m
VGS = - 1,5 V

0,3 MA

IDS
2 IDSS
V
2 IDSS
=
(1 GS ) =
VGS
VP
VP
VP

ID

IDSS

(6.2)

VGS = - 2 V

0.000

1.000

2.000

3.000

4.000
VDS (V)

144

VGS 2
) (6.1)
VP

VGS = 0 V

4,6 MA

0.000m

A equao que relaciona corrente de dreno com tenso de porta dada aproxi
madamente por:

5.000

6.000

7.000

8.000

Esse parmetro numericamente igual inclinao (derivada) em determi


nado ponto da curva de transferncia. A figura 6.8 mostra o significado da
transcondutncia.
145

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eletrnica 2

CAPTULO 6

Figura 6.9

Figura 6.8
Obteno da
transcondutncia a partir
da curva de transferncia.

Amplificador dreno comum:


a) circuito,
b) curvas de dreno
com reta de carga e
c) curva de transferncia
mostrando a relao
entre a entrada (VGS)
e a sada (ID ou VDS).

RD
2K

(a)

lD(mA)
5.0
4,6

lDSS

VDD
10 V

VDS

4.0

VGG = 0,5 V

VGS

Ve

3.0
2,6
ID

-2.0

VP

-1.5

-1.0

2.0
1.0

VGS

0,25 Vpp

(b)

5.0

VGS = 0V

4.0

-0.5

0.0

VGS = 0,25V

0.0

VGS(V)

3.0

VGS = 0,5V
Q

2.0

VGS = 0,75V
B

VGS = 1V

1.0
0.0

VGS = 1,25V

0.000

2.000

4.000

6.000

8.000

10.00

Resistncia de sada
A resistncia de sada representa fisicamente a inclinao da curva na regio de
saturao. Ela pode ser determinada por:

rO =

lD (MA)
5.0
4,6
4.0

VDS
(6.3)
IDS

B
3.0
2,6

Em um circuito ideal, o valor de rO deveria ser infinito, isto , na regio de sa


turao, para determinada variao de tenso de dreno, a variao da corrente
de dreno seria zero e, portanto, as curvas ficariam paralelas ao eixo horizontal.

2.0
id =

A
1.0

6.1.4 O princpio de funcionamento como amplificador


-2.0

Consideremos o circuito da figura 6.9, amplificador dreno comum. O JFET uti


lizado nesse circuito apresenta as caractersticas indicadas na figura 6.7. Na entra
da, a tenso da bateria polariza a porta em 0,5 V (ponto Q). Se a esse valor de
tenso adicionada uma tenso senoidal de 0,25 V de pico (VGS = vgs = 0,25
V), a tenso de porta varia entre 0,25 V e 0,75 V, deslocando o ponto quies
cente entre A e B na reta de carga. Consequentemente, a tenso entre o dreno e
a fonte tambm varia. Como essa variao maior que a da tenso de porta, h
ganho de tenso no dispositivo. Para no ocorrer distoro, a variao deve acon
tecer em um trecho aproximadamente linear das curvas de dreno ou de transfe
rncia. O ganho de tenso nos amplificadores com FET costuma ser menor que
nos amplificadores com transistor bipolar (BJT).
146

ID

-1.5

-1.0
VGS (V)

-0.5

0.0

0.0

Ve = Vgs = VGS

(c)

Outra maneira de mostrar o princpio de operao do FET como amplificador


por meio da curva de transferncia (IDVGS). Na figura 6.9c, essa curva est re
presentada com um sinal de 0,25 V de pico aplicado ao redor do ponto quiescen
te VGSQ = 0,5 V. A variao da tenso de porta provoca alterao na corrente
147

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eletrnica 2

CAPTULO 6

Figura 6.11

de dreno, que, ao passar pela resistncia de dreno, volta a ocasionar variao de


tenso no dreno. O ganho de tenso ento calculado por:

Formas de onda do
circuito da figura 6.9a
para VGSQ = 1,5 V.

1,2 Vpp

10
VDSQ = 9,4 V

V
R ID
(6.4)
AV = S = D
VGS
Ve

As formas de onda da entrada e da sada esto representadas na figura 6.10. Para


essas condies, o ganho de tenso pode ser determinado por:

0,5 Vpp

VGSQ = 1,5 V

VDS 3, 32 V
V
AV = S =
=
= 6, 64
0, 5 V
Ve VGS

-2

Nesse caso, a sada 6,64 vezes maior que a entrada e defasada de 180. Pode
mos apresentar essa informao de outro modo, dizendo simplesmente que o
ganho vale 6,64.

Note que houve reduo da amplitude do sinal e elevao do grau de distoro,


ocasionando mudanas na localizao do ponto Q.

Figura 6.10
Formas de onda do
circuito da figura 6.9a
para VGSQ = 0,5 V.

Polarizao fixa
6.5
6.0

VDSQ

5.0
4.0
3.0
2.5

-250

0,5 Vpp

3,32 Vpp

-350

VGSQ

Retorne ao circuito da figura 6.9a e veja como a polarizao est ocorrendo;


falta um caminho para a corrente reversa da juno PN. No circuito da figura
6.12, tambm h polarizao, porm o caminho para a corrente reversa pela
resistncia RG. Se durante a polarizao a corrente reversa desprezada, a queda
de tenso na resistncia RG tende a zero e, portanto, VGS = VGG. Para que a re
sistncia de entrada apresente o maior valor possvel, recomenda-se que o resistor
RG tenha resistncia elevada. Como na prtica a corrente reversa no zero e
depende da temperatura, a tenso efetivamente de polarizao diminuiria.

-450

Figura 6.12

-550

RD
2K

-650
-750

C2

ID

D
C1
RG

6.1.5 Polarizao do JFET


Quando estudamos transistor bipolar, vimos que polarizar um transistor sig
nifica localizar seu ponto quiescente (Q). Essa polarizao garante que, ao va
riarmos a tenso de entrada, o ponto Q se desloca na reta de carga de tal modo
que permanece na regio de amplificao ou regio ativa (regio do patamar das
curvas de dreno). Se o ponto Q no for bem localizado, pode ocorrer aumento
da distoro no sinal de sada.
Vamos analisar o que ocorrer com o ponto Q representado na figura 6.10a se o
sinal aplicado continuar tendo amplitude de 0,5 V PP, porm alterando VGSQ para
1,5 V. Observe na figura 6.11 como passam a ser as formas de onda.
148

Ve

VDS

1M
VGG

VGS

Amplificador fonte comum


com polarizao fixa.

VS
VDD
10 V

A figura 6.13 ilustra a determinao do ponto Q de maneira direta, isto , com


VGSQ = 0,5 V. Para isso, desenha-se a reta de carga do dreno e observa-se onde
ela intercepta a curva de VGS = 0,5. essa interseo que determina o ponto
Q para os outros valores. Assim:
IDQ = 2,6 mA e VDSQ = 10 2 K2,6 mA = 4,8 V, que igual ao valor obtido
diretamente no grfico da figura 6.13.
149

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eletrnica 2

Figura 6.13
Determinao do ponto
Q polarizao fixa.

Na figura 6.15, com a determinao do ponto Q, podemos obter os seguintes


valores:

ID (MA)
5.0

VGS = 0 V

4.0

VGSQ = 0,52 V e IDQ = 2,57 mA.


VGS = - 0,25 V

Portanto:

3.0
2,6

Q VGS = - 0,5 V

VDSQ = 10 (0,2 + 2)2,57 mA = 4,35 V

VGS = - 0,75 V

2.0

VGS = - 1 V

1.0

0.0

CAPTULO 6

Figura 6.15

VGS = - 1,25 V

lD (MA)
5

0.000

2.000

4.000

6.000

4.8

8.000

Reta de carga da fonte


VGS = -RS.lD

10.00

Curva de transferncia e
reta de carga da fonte.

VGS (V)

3
2,57

Autopolarizao

O circuito de polarizao fixa usa duas fontes: VDD e VGG. O circuito da figura
6.14, conhecido por autopolarizao, utiliza somente a fonte VDD para polarizar
o dreno e a porta. Nesse caso, a polarizao ocorre por meio da tenso em RS,
isto , VGS= RSID, admitindo que a corrente reversa desprezvel; portanto, a
queda de tenso em RGG tambm pode ser considerada igual a zero.
Figura 6.14
Amplificador fonte comum
com autopolarizao.

RD

ID

2K
C2

Vs

C1

VDD

VDS

10 V

VGS
Ve

RGG
1M

RS
200

CS

-1.5

-2

-1
VGS (V)

-0.5

-0,52

Um dos problemas que os transistores efeito de campo apresentam a variao de


parmetros. Por exemplo, para um mesmo tipo de transistor, o valor de VP pode
variar entre dois limites, alterando, consequentemente, o ponto de operao. A
figura 6.16 mostra o que acontece com o ponto Q quando consideramos duas
curvas-limite, uma para um transistor com VP = 2 V e outra com VP = 1,8 V
para dois valores de resistncia de fonte: RS = 200 e RS = 1000 . Observe
que, quanto maior o valor de RS, menor a variao (DID), porm o ponto de
operao se dar em uma regio menos linear e de menor ganho.

Figura 6.16
Influncia da variao do
ponto Q quando VP e
IDSS so diferentes e para
diferentes valores de RS.
lD (mA)
5

RS = 200 Ohms

Para o circuito da figura 6.14, so vlidas as equaes:

VGS = RSID (6.5) e


RS = 1 K

VDS = VDD (RS + RD)ID(6.6)


No circuito de autopolarizao, ao desenhar a reta de carga no circuito de dre
no, a determinao do ponto Q no to simples como no caso do circuito de
polarizao fixa, pois o valor de VGSQ imposto por uma fonte separada (VGG).
Para determinar o ponto Q no circuito de autopolarizao, aconselhvel usar
a curva de transferncia. A interseo dessa curva com a reta de carga da fonte
determina o ponto Q.
150

lD
VP = - 2 V

VP = - 1,8 V

2
lD

-2

-1.5

-1

-0.5

VGS (V)

151

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eletrnica 2

Polarizao por divisor de tenso


Como vimos no circuito de autopolarizao, o resistor RS deve ter o maior valor
de resistncia possvel para que variaes nos parmetros do FET no causem
mudanas no ponto Q. Isso, porm, leva o circuito a operar com baixos valores
de corrente e, em consequncia, baixo ganho de tenso. Uma soluo para traba
lhar com valores de RS maiores est indicada no grfico da figura 6.17.

Figura 6.17
Reta de carga da fonte para
1) autopolarizao e
2) polarizao por
divisor de tenso.

lD (mA)

CAPTULO 6

Observe que aparentemente a fonte VGG polariza a porta de maneira direita, mas
de fato isso no acontece, pois a tenso aplicada em RS alta o bastante para
que VGS < 0.
Desse modo, podemos obter:
VGG =

R R
R1
VDD e RG = R1 //R2 = 1 2 (6.8)
R1 + R2
R1 + R2

Polarizao por corrente constante

4
RS = 1 K
2

Considere um circuito em que na fonte seja colocado um gerador de corrente


constante de valor ISS; portanto, ID = ISS. Essa situao corresponde a ter um
valor de RS extremamente elevado; a consequncia que se houver variao de
parmetro a variao de corrente zero.

Figura 6.19

lD (mA)

0
-2

-1.5

-1

-0.5

Circuito de polarizao
por fonte de corrente
constante.

0.5

1.5

VGS (V)

4
3

Nesse grfico, podemos observar que a inclinao das duas retas a mesma (a
inclinao depende do valor da resistncia). Observe que a reta 2 se estende para
valores de VGS positivos.

2
1

Os circuitos da figura 6.18 permitem obter o grfico da reta 2 da figura 6.17.


A equao da reta 2 :

-2.50

-2.00

-1.50

-1.00

VGG = VGS + RSID ou VGS = VGG RSID (6.7)

C2

ID

Figura 6.18
a) Polarizao por
divisor de tenso e
b) circuito equivalente
de porta.

C1

R1

lD

RD

Ve

lD

VDD

RD

VDD

lSS

-0.50

0.0

RD
VS
RL

TR1

RG

VDS

TR2
VGS2
RS

RG

R2

RS

(a)

152

VGG

Cs

VGS
RS.lD

RS

VSS

(b)

153

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eletrnica 2

Na figura 6.19, o dispositivo TR1 um transistor amplificador e TR 2 um tran


sistor que fonte de corrente constante. Para determinarmos RS, devemos im
por um valor de ID por exemplo, 2 mA , consultar a curva de transferncia
e determinar qual valor de VGS corresponde a esse valor em ID. Supondo que a
curva usada seja a mxima (VP = 2 V), o valor determinado ser de aproxima
damente 0,68 V. Ento, o valor estimado para RS ser de:

Symbol

V(BR)GSs

VGS(off)

Exemplo de JFET comercial

IGSS

Vamos considerar apenas um exemplo de JFET comercial, o BF245A. A


figura 6.20 mostra a pinagem e o aspecto desse dispositivo; na tabela 6.1,
encontram-se os limites mximos; e a tabela 6.2 apresenta algumas caracte
rsticas eltricas.

Parameter

0.4
1.6
3.2

2.2
3.8
7.5

Gate-Source Cut-off Voltage

VDS = 15 V, ID = 10 nA

-0.5

-8

Gate Reverse Current

VGS = 20 V, VGS = 0

nA

IDSS

BF245A
BF245AB
BF245C
Common Source Forward
Transconductance

VGS = 15 V, VGS = 0

2
6
12

6.5
15
25

mA

VGS = 15 V, VGS = 0, f = 1 KHz

6.5

Tabela 6.2

(a)

Parameter

Value

Units

VDG

Drain-Gate Voltage

30

VGS

Gate-Source Voltage

30

IGF

Forward Gate Current

10

mA

PD

Total Device Dissipation @ TA = 25 C


Derate above 25 C

350
2.8

mW
mW/C

- 55 ~ 150

Operating and Storege Junction


Temperature Range

gm . vgs

vgs

id

id
vds

vgs

154

Algumas caractersticas
fsicas do JFET BF245
(TC = 25 C).

Figura 6.21
D

TJ, TSTG

Zero-Gate Voltage Drain Current

G S
D

Symbol

Units

VDS = 15 V, ID = 200 A

BF245A
BF245AB
BF245C

Gate-Source

A figura 6.21 apresenta o circuito equivalente do FET para frequncias baixas (as
capacitncias parasitas no so levadas em conta).

Limites mximos do JFET


BF245A (TC = 25 C).

Max.

30

6.1.6 Amplificador de pequenos sinais

Tabela 6.1

Typ.

On Characteristics

gfs

TO-92

Min.

VDS = 0, IG = 1 A

Gate-Source Breakdown Voltage

Figura 6.20
Aspecto fsico do
JFET BF245A, com
encapsulamento TO-92.

Test Condition
Off Characteristics

VGS

0, 68 V
RS =
= 0, 34 K = 340 (6.19)
2 mA

CAPTULO 6

vds

ro

a) FET e
b) modelo simplificado
para pequenos sinais.

(b)

O conceito de circuito equivalente para pequenos sinais semelhante ao apre


sentado no estudo do transistor bipolar, possibilitando estimar o valor do ganho.
Nesse circuito, a entrada representada por uma juno polarizada reversamente
e o circuito equivalente, em consequncia, por um circuito aberto. J o circuito
equivalente de sada representado por uma fonte de corrente cujo valor depende
da tenso entre a porta (G) e a fonte (S) de tenso, em que o fator de propor
cionalidade chamado de transcondutncia (gm), j definida na seo 6.1.3.
A resistncia rO a resistncia de sada, que idealmente infinita, mas na prtica
tem um valor. A figura 6.22a apresenta um amplificador fonte comum com auto
polarizao e a figura 6.22b, o circuito equivalente.
155

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eletrnica 2

RD

C2

D
C1

Ve

VGS
RGG
1M

RS
200

VDD

10 V

CS

id

D
Metal

Ve

ro

gm . vgs

RG

RD

Fonte (S)

Gate(G)

(a)

Metal

Fonte (S)

P+

Substrato P

P+
Substrato N

SB

SB

Figura 6.22

A determinao do ganho de tenso pode ser:


Ganho = A V =

VS gm v gs .(rO //RD )
=
= gm .(rO //RD ) gm .RD (6.10)
Ve
v gs

6.2 Transistor MOSFET


Como visto no incio deste captulo, existe mais de um tipo de transistor efeito
de campo. O transistor de juno (JFET) usa a tenso reversa aplicada em uma
juno PN para variar a largura da regio de carga espacial na regio do canal,
alterando, desse modo, sua condutividade. O outro tipo de transistor efeito de
campo o MOSFET (metal-oxide-semiconductor FET ) ou IGFET (insulated gate
FET ). Esse dispositivo controla tambm a condutividade do canal condutor por
meio da tenso aplicada entre o canal e a porta, criando um caminho que conec
ta o dreno e a fonte com um isolante. Assim, mesmo invertendo a tenso, no
haver corrente de porta.
Existem basicamente dois tipos de MOSFET: depleo e intensificao; crescimen
to ou acumulao (enhancement), cada um deles podendo ter canal N ou canal P.
A figura 6.23 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs
tipo intensificao, um canal N e outro canal P.
O MOSFET fabricado com uma base chamada substrato (no caso de MOS
FET canal N, essa regio P). Duas regies fortemente dopadas tipo N so cria
das no substrato, originando o dreno e a fonte. Uma camada isolante de dixi
156

Dreno(D)

xido de Si

N+

(b)

importante recordar que, para obter o circuito equivalente, os capacitores e a


fonte CC devem ser colocados em curto-circuito. As tenses e correntes repre
sentadas na figura 6.22b so variaes.

Gate(G)

xido de Si

Dreno(D)

Vs
N+

a) Amplificador
fonte comum e
b) circuito equivalente.

Estrutura fsica de
MOSFETs:
a) canal N e
b) canal P, com as
respectivas simbologias.

VS

VDS

Figura 6.23

do de silcio ultrapuro com espessura entre 3 nm e 20 nm depositada sobre a


regio do substrato entre o dreno e a fonte. No incio da indstria eletrnica,
aplicava-se uma camada de metal (o M de MOSFET) sobre a camada de dixido.
Atualmente, para atender s necessidades tecnolgicas, essa camada de silcio
policristalino.

ID

2K

CAPTULO 6

D
SB

G
S

D
G

S
(a)

D
SB

G
S

S
(b)

Na maior parte das aplicaes, o substrato ligado fonte (S), o que no altera
o funcionamento do circuito. Existem casos em que o substrato pode funcionar
como uma segunda porta, fazendo com que uma tenso aplicada no substrato
altere a corrente de dreno. Em nossas anlises, consideraremos o substrato sem
pre ligado fonte.

6.2.1 Funcionamento do MOSFET tipo crescimento


Para entendermos a operao desse dispositivo, vamos considerar o MOSFET
tipo crescimento canal N da figura 6.24, que mostra a polaridade das tenses
(VGS e VDS) e o sentido da corrente de dreno (ID).
Com a aplicao de uma tenso positiva na porta, os eltrons (minoritrios) do
substrato so atrados para a regio abaixo do xido de porta e as lacunas livres
do substrato se movem para baixo. Na regio de silcio abaixo da porta, quando
a densidade de cargas livres negativas for maior que a de positivas, ser induzido
um canal condutor, ligando a regio da fonte do dreno. Nessa condio, o valor
da tenso de porta resultante chamado de tenso de limiar (threshold voltage,
V T). O valor de V T controlado durante a fabricao do dispositivo, podendo
variar de 1 V a 5 V. Quanto maior a diferena de tenso entre os valores de VGS
e de V T, maior ser a induo de cargas negativas no canal, o que, consequente
mente, aumentar a condutividade do canal, ou seja, a condutividade do canal
proporcional a VGS V T. Portanto, a corrente de dreno controlada pelo valor
da tenso de porta.
157

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eletrnica 2

CAPTULO 6

Figura 6.24

Figura 6.26

MOSFET tipo crescimento


com tenses de polarizao.

MOSFET tipo crescimento


com VGS > VT e
VDS > VGS VT.

VDS > VGS - VT


VGS > VT

ID
G

VGS > VT

S
N+

ID

N+

canal induzido

N+

Substrato P

N+

canal induzido

SB

Substrato P
SB

Se levarmos em conta o aumento da tenso VDS, a corrente de dreno se elevar, e,


inicialmente para pequenos valores de VDS, a corrente de dreno ser proporcional
tenso de dreno. O transistor, ento, se comportar como resistncia controlada
por tenso. Aumentando o valor de VDS, para VDS = VGS V T = VDSsat (tenso de
saturao), o canal prximo ao dreno ficar muito estreito (figura 6.25).

A figura 6.27 mostra a curva de dreno para um valor de VGS e as trs regies de
operao (triodo, saturao e corte).
Figura 6.27

Figura 6.25
MOSFET tipo crescimento
com VGS VT e VDS =
VGS VT = VDSsat.

Regies de operao
do MOSFET.

VDS = VGS - VT

ID
Saturao
Triodo

VGS > VT

ID
D

N+

N+

canal induzido
Corte
VGS < VT

Substrato P
SB

Continuando a anlise, vamos considerar a tenso de dreno aumentando alm


da tenso de saturao. Nesse caso, observaremos o estreitamento aumentando
no sentido da fonte (figura 6.26), e, a partir desse valor, a corrente de dreno
ficar praticamente constante.
158

VDSsat = VGS - VT

VDS

A figura 6.28a apresenta as curvas de dreno para um transistor com V T = 1 V,


e a figura 6.28b, a operao com baixo VDS, demonstrando que possvel utili
zar esse dispositivo como resistncia controlada por tenso.
159

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eletrnica 2

CAPTULO 6

6.2.2 Funcionamento do MOSFET tipo depleo


ID

ID

VGS = +5 V

VGS = +5 V
VGS = +4 V
VGS = +3 V

VGS = +4 V

VGS = +2 V

VGS = +3 V
VGS = +2 V

Quando estudamos o JFET, vimos que a condutividade do canal pode ser al


terada aumentando a polarizao reversa, isto , fazendo com que a regio de
depleo (regio desprovida de portadores de cargas livres) avance sobre o canal.

Figura 6.30

A figura 6.30 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs


tipo depleo, um canal N e outro canal P. Observe que eles possuem um ca
nal ligando o dreno fonte, isto , mesmo sem tenso de porta haver corren
te de dreno.

Estrutura fsica de
MOSFETs tipo depleo:
a) canal N e
b) canal P, com as
respectivas simbologias.

VGS = VT = +1 V

a)

b)

VDS

50

100

150

200

VDS(mV)
Metal

Figura 6.28
a) Curvas caractersticas
de dreno MOSFET tipo
crescimento canal N e
b) operao do MOSFET
como resistncia
controlada por tenso.

Fonte (S)

Gate(G)

Metal

Dreno(D)

Fonte (S)

Gate(G)

Dreno(D)

xido de Si

A figura 6.29 mostra a curva de transferncia ou de transcondutncia. A parte ini


cial da curva representa o momento em que VGS = VT. Quando VGS menor que
VT, a corrente de dreno praticamente nula. Quando maior, o dispositivo entra
em conduo e a corrente de dreno passa a ser controlada pela tenso de porta.

N+

N+

canal difundido

P+

canal difundido

Substrato P

Substrato N
SB

SB

A corrente para VGS 0 muito pequena, da ordem de alguns nA. Quando


VGS > 0, a corrente de dreno se eleva devagar e depois acentuadamente com
o aumento de VGS. O fabricante indica um valor de tenso de porta para o qual a
corrente de dreno atinge determinado valor por exemplo, 20 A. A corrente ID
(on) representa o valor mximo da corrente de dreno e VGS (on), o valor de tenso
de porta correspondente. A relao entre a corrente de dreno e a tenso de dreno
aproximadamente quadrtica, isto :

xido de Si

P+

D
SB

SB

G
S

(a)

(b)

ID = K ( VGS VT )2 (6.11)
Figura 6.31

em que a constante K est relacionada com parmetros fsicos.


Figura 6.29
Curva caracterstica
de transferncia.

MOSFET tipo depleo


canal N operando com:
a) VGS = 0, b) VGS > 0
e c) VGS < 0.

A figura 6.31 ilustra a operao de acordo com VGS no modo depleo.

ID

ID(on)
VDS

VDS

VGS = 0

N+

ID

N
Substrato P

IDSS

160

N+

VGS > 0

VGS(on)

VGS

(a)

ID

N+

N+
Substrato P

SB

VT

VDS
VGS < 0

N+

N+
Substrato P

SB

(b)

ID

SB

(c)

161

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eletrnica 2

Quando a porta positiva em relao ao canal, os eltrons so atrados do subs


trato, aumentando a condutividade do canal (figura 6.31). Quando a porta
negativa, os eltrons so repelidos para fora do canal, diminuindo a condutivi
dade deste. Se a tenso de porta suficientemente negativa, o estreitamento do
canal pode atingir o valor mximo, anulando a corrente de dreno. A figura 6.32
apresenta as curvas caractersticas de dreno. Analisando-as, possvel verificar
como ocorre a variao de tenso nos modos depleo e crescimento.
Figura 6.32
Curvas caractersticas
de dreno MOSFET tipo
depleo canal N.

CAPTULO 6

6.2.3 Polarizao e amplificador


O conceito de polarizao e a anlise dos circuitos so os mesmos abordados no
estudo do JFET (seo 6.1.5).

6.2.4 Inversor CMOS


Em qualquer circuito lgico digital, o elemento bsico o inversor CMOS
(complementary metal-oxide-semiconductor). Esse dispositivo consiste em dois
transistores tipo crescimento, um canal N (TR1) e outro canal P (TR2), como
mostra a figura 6.34.

ID

Figura 6.34
Inversor CMOS.

VGS = +4 V
Modo
Crescimento

VGS = +2 V

TR2
Vs

VGS = 0

TR1

Modo

VGS = 2 V

Ve

Depleo

VGS = VT = 4 V

VDD

VDS

A figura 6.33 mostra a curva de transferncia ou de transcondutncia.


Figura 6.33
Curva caracterstica
de transferncia.

Na figura 6.35a, em que Ve = VDD, pode-se admitir que o transistor TR1 (canal N)
conduz, pois a tenso aplicada entre a porta e a fonte maior que V T, e o tran
sistor TR2 (canal P) est cortado, uma vez que a tenso entre a porta e a fonte
zero, portanto menor que V T. Observe que a fonte de TR2 est conectada em
VDD. A figura 6.35b ilustra a condio em que TR 2 substitudo por uma chave
aberta e TR1 representa uma resistncia de baixo valor RDS.
Figura 6.35

ID

Modo
Depleo

a) Inversor CMOS com


entrada alta (Ve = VDD) e
b) circuito equivalente.

Modo
Crescimento

TR2
IDSS

Vs = 0
TR1

Vs = 0

VDD

VDD

RDS

Ve = VDD
VT

VGS

(a)

162

(b)

163

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eletrnica 2

Se a entrada for nvel lgico 0 ou 0 V, TR1 cortar, pois a tenso entre a porta
e a fonte ser menor que V T, enquanto a tenso aplicada entre a porta e a fonte
do transistor TR2 ser negativa (VDD), induzindo um canal P; desse modo, TR 2
conduzir e a sada ser alta, ou seja, VDD (figura 6.36).

CAPTULO 6

A figura 6.37 mostra a pinagem, o aspecto e algumas caractersticas eltricas


do MOSFET de potncia IRF2804S-7P, para uso automotivo, e a tabea 6.3, os
limites mximos.
Figura 6.37
Aspecto fsico e algumas
caractersticas eltricas
do IRF2804S-7P.

Figura 6.36
a) Inversor CMOS com
entrada baixa (Ve = 0) e
b) circuito equivalente.

VDSS = 40 V
RDS(on) = 1.6 m

G
S

RDS

TR2
Vs = VDD
TR1

S (Pin 2, 3 ,5,6,7)
G (Pin1)

ID = 160 A

SS

Vs = VDD
VDD

Tabela 6.3

VDD

Limites mximos
do IRF2804S-7P.

Ve = 0

(a)

Parameter

Max.

ID @ TC = 25 C

Continuous Drain Current, VGS @ 10 V (Silicon Limited)

320

ID @ TC = 100 C

Continuous Drain Current, VGS @ 10 V (See Fig. 9)

230

ID @ TC = 25 C

Continuous Drain Current, VGS @ 10 V (Package


Limited)

160

Pulsed Drain Current j

1360

Maximum Power Dissipation

330

Linear Derating Factor

2.2

W/C

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) k

630

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value o

1050

(b)

A principal vantagem dessa tecnologia em relao s outras seu baixo consumo


de energia, o que tem permitido a fabricao de aparelhos portteis como cal
culadoras, relgios digitais e outros dispositivos alimentados, por exemplo, com
uma nica pilha.

IDM
PD @ TC = 25 C

6.2.5 MOSFET de potncia


A inveno do MOSFET de potncia veio suprir a deficincia dos transistores bi
polares de potncia utilizados em eletrnica (transistores de potncia so aqueles
que suportam correntes de no mnimo 1 A).
Os transistores bipolares de potncia so controlados por corrente. Assim, para
controlar uma corrente de valor elevado, necessria uma corrente de base rela
tivamente alta. Para cortar o transistor com rapidez, a corrente reversa de base
deve ter valor elevado, porm, por possuir lacunas como portadores de carga, o
tempo para mudana de estado tambm aumenta. Os MOSFETs podem ope
rar com grandes velocidades de comutao quando ligados em tenses abaixo
de 200 V.
Os MOSFETs de potncia tm aparncia diferente dos outros transistores e, por
isso, so chamados de MOSFETs verticais (V-MOS, do ingls vertical MOS
FET ). H vrios tipos de MOSFETs, projetados para diversas aplicaes. Um
deles, por exemplo, de estrutura similar do transistor tradicional, usado espe
cificamente nos estgios de sada de amplificadores de udio.
164

EAS (tested)

Units

mJ

IAR

Avalanche Current j

EAR

Repetitive Avalanche Energy n

TJ
TSTG

Operating Jusction anda


Storage Temperature Range

-55 to +
175

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6
mm from
case)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbfin
(1.1Nm)

See Fig. 12a,


12b, 15, 16

A
mJ

165

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Captulo 7

Amplificadores
diferenciais
e operacionais

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eletrnica 2

7.1 Amplificador diferencial


O amplificador diferencial (AD) um circuito com duas entradas nas quais so
aplicadas tenses V1 e V2 e uma sada VS. importante conhecer o amplifica
dor diferencial, pois ele o primeiro estgio de um amplificador operacional,
que ser estudado na seo 7.2; assim, o AD estabelece algumas das principais
caractersticas do circuito.
Vamos considerar uma condio ideal (figura 7.1), em que as tenses de entrada
apresentam os mesmos valores, ou seja, V1 = V2. Nesse caso, a tenso de sada
ser nula. Isso acontece porque o AD um circuito que apresenta uma tenso de
sada proporcional diferena entre os dois terminais de entrada, rejeitando os
sinais de entrada quando estes forem iguais.

Amplificador
Diferencial
Ideal
V2

possvel medir a qualidade de um amplificador diferencial utilizando a figura


de mrito conhecida por razo de rejeio em modo comum (RRMC), defini
da como:

RRMC =

Ad
AC

Figura de mrito
um parmetro
usado para avaliar
o desempenho de
um dispositivo ou
procedimento em
relao a outros de
mesma finalidade.

ou, em decibis (dB):


RRMC (dB) = 20 log

Ad
AC

Pelo exposto anteriormente, podemos concluir que, no caso de um amplificador


diferencial ideal, o valor de AC deve ser zero, mas, na prtica, os valores de Ad e AC
dependem dos componentes usados na fabricao do AD, como veremos a seguir.

Figura 7.1
Amplificador diferencial.

V1

CAPTULO 7

VS

Nos circuitos da figura 7.2, vamos admitir que os transistores so idnticos e a


fonte de corrente ideal (IE1 + IE2 = IO = constante).
Figura 7.2
IC1

IC2

RC
S

Q1

No caso ideal:

VS2
Q2
VBE2

VBE1
V1

VCC

RC

VS1

Dois exemplos
de amplificador
diferencial discreto.

IE1

V2

IE2

VS = A d Vd = A d ( V1 V2 ) (7.1)
Io

em que Ad o ganho diferencial de tenso e Vd = V1 V2 o sinal diferena ou


sinal erro.

(a)
(b)
RC

Ento, se V1 = V2, Vd = 0 e, portanto, VS = 0.

V1

IC1
Vs
TR1

IC2

RC

TR2

VBE1

Na prtica, sempre existir uma pequena tenso na sada mesmo quando V1=V2
(situao chamada de modo comum). No caso de um AD real, a expresso da
tenso de sada em relao s entradas dada por:

VM1.senwt
E

VCC
V2

VBE2
IE1

IE2

Io

VS = AdVd + ACVC(7.2)
em que VC =
comum.
168

( V1 + V2 )
o sinal em modo comum e AC o ganho em modo
2

No circuito da figura 7.2b, vamos considerar a tenso na entrada 2 constante


(V2 = E) e a tenso na entrada 1 como V1 = VM1sent + E, isto , uma ten
so alternada senoidal com nvel mdio E.
169

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eletrnica 2

Quando V1 = V2 = E, os dois transistores conduziro a mesma corrente (IE1=IE2


= IO/2), pois admitimos inicialmente transistores idnticos. Nessas condies, a
tenso entre o coletor e o terra de cada transistor ser:

VS1 = VS 2 = VCC RC

IO
2

Portanto, a tenso entre os coletores valer:


VS = VS2 VS1 = 0

Analisando os grficos, podemos notar que o sinal na sada 1 (VS1) est defasado
de 180 em relao entrada 1 (V1) e o sinal na sada 2 (VS2) est em fase com
a entrada 1. Com base nessa anlise, considerando a sada no coletor de TR2, a
entrada 1 ser chamada de no inversora (+) e a entrada 2, de inversora ().

7.1.1 Amplificador diferencial com fonte de corrente


simples
Na prtica, nunca encontraremos dois transistores idnticos (VBE e diferentes)
e a fonte de corrente nunca ser ideal. A figura 7.4 ilustra o circuito de um AD
prtico, em que a fonte VCC funciona como a fonte de corrente.

Quando VS1 > VS2, o transistor TR1 conduzir mais corrente que TR2; ento,
IC1 aumentar, diminuindo VS1 (lembre que VS1 = VCC RC1IC1). No mesmo
instante a corrente IC2 diminuir e VS2 aumentar (lembre que IO = IE1 + IE2 =
constante; se IE1 aumentar, IE2 deve diminuir).
Levando em conta a anlise feita na figura 7.2 e adotando transistores idnticos
e fonte de corrente ideal, podemos admitir que para essas condies o ganho
diferencial de tenso, considerando a sada nos coletores, :
Ad =

VS1( pico )
VM1

VS 2( pico )
VM1

Figura 7.4
Amplificador diferencial real.
RC

Figura 7.3

VM1
0
-VM1
V1
E
0
VS2

VS1
V1

VS2

0
VS1

VCC - RC . IO
2

TR2

TR1
VBE1

em que VS1( pico ) = VS 2( pico )

VCC
VBE2

V2

RE
VCC

O valor da fonte de corrente calculado admitindo V1 = V2 = 0 (condies


quiescentes). Assim:

IO =

( VCC 0, 7) VCC

RE
RE

Para esse circuito, o ganho diferencial, considerando a sada nos coletores, pode
ser calculado por:

VCC - RC . IO
2

RC

VS

Nesse caso, a sada foi considerada na entrada 1; se a sada for considerada entre
os coletores, o ganho ser o dobro. A figura 7.3 mostra as principais formas de
onda para diferentes valores de tenso.

Formas de onda
amplificador
diferencial discreto.

CAPTULO 7

Ad =

VS1
VS1
RC
=
=
Vd ( V2 V1 ) 2 rbe

Ad =

RC
2 rbe

em que rbe a resistncia incremental da juno base-emissor.


170

171

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eletrnica 2

7.1.2 Amplificador diferencial com realimentao

Seu valor pode ser estimado por:


rbe =

25 mV
a 25 C,
IE

em que IE a corrente quiescente de emissor.


O ganho diferencial pode ser estimado tambm por meio da funo dos par
metros h (hbridos):

Ad =

Figura 7.6
RC

V1

RC
2RE

O circuito da figura 7.5, chamado de amplificador diferencial com polarizao


por espelho de corrente, muito usado em circuitos integrados.

RC

VS

VS1

VS2

TR1
VBE1
V1

VCC

TR2
VBE2

V2

TR3
VBE3

VCC

TR2

VCC
VBE2

RE1

V2

RE2
RE
VCC

Para determinar o ganho de tenso considerando a sada nos coletores, pode-se


utilizar:
Ad =

Figura 7.5
RC

VS2
TR1

VBE1

Levando em conta que sempre desejvel um ganho em modo comum com


menor valor possvel, uma alternativa seria aumentar o valor da resistncia RE
o mximo possvel (observe, na equao anterior, que RE inversamente pro
porcional a AC). No entanto, essa soluo provocaria diminuio nas correntes
de polarizao, reduzindo o ganho. Para manter o mesmo valor de corrente, se
RE aumentar, deve-se aumentar proporcionalmente VCC, o que na prtica no
possvel. Uma soluo mais correta seria substituir RE por um transistor TR3,
pois esse dispositivo simula alta resistncia sem que seja necessrio um valor de
VCC alto. Assim, obtm-se um valor de AC muito baixo.

Amplificador diferencial
com realimentao.

RC

VS

VS1

O ganho em modo comum do circuito calculado por: A C =

172

O circuito da figura 7.4 tem ganho instvel, pois rbe apresenta valores diferentes
para um mesmo tipo de transistor, alm de suas caractersticas tcnicas variarem
de acordo com a temperatura de trabalho. Uma forma de contornar esses proble
mas aplicar realimentao no circuito. Na figura 7.6, a realimentao aplica
da em RE1, e, consequentemente, RE2 diminui o ganho, mantendo o circuito
estvel. Em tal configurao, se os transistores forem substitudos ou ocorrer
variao de temperatura, o valor do ganho no se altera. Os resistores de reali
mentao costumam ter valores equivalentes: RE1 = RE2 = REX .

hfe RC
R
= C
2 hie
2 rbe

h
em que rbe = ie , considerando hfe = .
hfe

Esquema de amplificador
diferencial com polarizao
por espelho de corrente.

CAPTULO 7

RC
2 (rbe + REX )

,
Se REX >> rbe as variaes em re provocadas pela troca de transistor ou variao
na temperatura sero compensadas por REX . Assim, o ganho ser estvel, poden
do ser determinado por:

Ad =

RC
2 REX

ou segundo os parmetros hie e hfe:


Ad =

RC
hie
2(
+ REX )
hfe

173

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Exemplos

d) Se V1 = 20 mVp e V2 = 0, ento Vd = V2 V1 = V1.

1. Para o amplificador diferencial da figura 7.7, pede-se:

Como:

a) a corrente de polarizao (IO);


b) as correntes IE1 e IE2 e as tenses VS1, VS2 e VS em condies quiescentes
(V1 = V2 = 0);
c) o ganho diferencial (Ad);
d) o grfico de VS1t e de VS2t para V1 = 20 mVp, senoidal, e V2 = 0.

VS1 = Ad(V2 V1) = 113(0 20 mV) = 2,27 Vp,


isto , defasado de 180 em relao entrada V1, e VS2 tem a mesma amplitude,
porm em fase com V1.
Figura 7.8

Figura 7.7

20 mV

V1

2k2

2k2
VS1

VS

0
- 20 mV

VS2
TR2

TR1

12 V

VS1

8,61 V
6,34 V
4,07 V
0

V1

VS2

2k2

8,61 V
6,34 V
4,07 V
0

12 V

2. Para o amplificador diferencial da figura 7.9, pede-se:


a) IO, IE1, IE2, IC1, IC2, VS1 e VS2 em condies quiescentes;
b) o ganho diferencial, considerando a sada em um dos coletores;
c) as sadas VC1 e VC2 para V1 = 100 mVp, senoidal.

Soluo:
a) com V1 = V2 = 0,

IO =

(12 0, 7) = 5,14 mA

Figura 7.9

2k 2

b) IC1 = IC2 = IE1= IE2 =

IO
= 2,57 mA
2

2k2

2k2

VS1

VS1Q = VCC RCIC1 = 12 2k22,57 mA = 6,34 V = VS2Q = tenses quies


centes de coletor.

VS2

VS
TR2

TR1
100

12 V

100

Portanto, em condies quiescentes: VS = VS2 VS1 = 0


c) A d =

RC
25 mV
25 mV
; rbe =
=
= 9, 7
IE
2, 57 mA
rbe

Portanto:

Ad =
174

V1

2k2
12 V

2 200
= 113
2 9, 7
175

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eletrnica 2

Soluo:
a) IO = (VCC 0,7)/(REX /2 + RE) = (12 0,7)/(50 + 2200) = 5 mA
IC1 = IC2 = IE1 = IE2 = 2,5 mA
VS1 = VS2 = 12 2k22,5 mA = 6,5 V (em condies quiescentes)
b) Ad = RC/2(re + REX); re = 25 mV/2,5 mA = 10
Ad = 2200/2(10 + 100 ) = 10
c) V1 = 100 mV; V2 = 0; V1 V2 = 100 mV = 0,1 V. Portanto:
VS1 = Ad(V1 V2) = 100,1 = 1 V, defasado de 180 em relao a V1.

Reguladores Podem ser utilizados para a montagem de reguladores de


tenso em srie ou paralelo, com sada positiva ou negativa, com proteo
contra curto-circuito etc.
Circuitos de amostragem e reteno Esses circuitos so usados na con
verso de analgico para digital, e, por causa da impedncia de entrada mui
to alta, os amplificadores operacionais so adequados, principalmente os que
tm entrada com FET.
O amplificador operacional tem alto ganho de acoplamento direto (no possui
capacitor de acoplamento interestgios), alta resistncia de entrada e baixa resis
tncia de sada.
A figura 7.10 apresenta os vrios estgios amplificadores transistorizados, sua
simbologia e o circuito equivalente.

7.2 Amplificador operacional integrado


O amplificador operacional (AO) foi desenvolvido na decada de 1960. De incio
montado em uma placa com componentes discretos (transistores, resistores e
capacitores), hoje, com o avano da indstria eletrnica e o desenvolvimento de
dispositivos minsculos, construdo em circuitos integrados, conhecidos por
chips (pastilhas de silcio), com dezenas de transistores e outros componentes de
pequenas dimenses.

CAPTULO 7

entradas

amplificador
diferencial de
entrada

176

a) Diagrama de
blocos de um AO,
b) simbologia e
c) circuito equivalente.

amplificador
deslocador
de nvel

segundo
amplificador
diferencial

amplificador
de potncia

(a)

+VCC
V2

Os amplificadores operacionais tm diferentes aplicaes em eletrnica, como:


Amplificadores lineares Trata-se de sua principal aplicao, nos casos em
que necessrio obter ganho estvel independentemente da temperatura,
tempo e mudanas no ganho de tenso em malha aberta.
Amplificadores no lineares Amplificam o sinal de uma polaridade e
no da outra por exemplo, em retificadores de preciso.
Comparadores Por apresentarem altssimo ganho, possibilitam que a sa
da seja alterada de nvel alto para baixo ou vice-versa, quando as tenses de
entrada esto em valores prximos a dcimos de mV.
Filtros Permitem maior seletividade do filtro, pois possvel obter atenua
es maiores que 20 dB/decada, impedncia de entrada muito alta e de sada
muito baixa, no havendo, portanto, necessidade de efetuar casamentos de
impedncia. Possibilidade de ganho de tenso.
Amplificadores logartmicos Usados quando na malha de realimentao
h dispositivos no lineares, como diodos e transistores, proporcionando rela
o logartmica entre a sada e a entrada. Esses circuitos so chamados muitas
vezes de compressores e expansores (comuns em circuitos de udio ou vdeo).
Multivibradores So basicamente os circuitos biestvel, monoestvel e es
tvel. A grande vantagem em relao aos circuitos digitais que a alimentao
pode ser maior, oferecendo, portanto, a possibilidade de adicionar potncia.
Geradores de forma de onda Geram diferentes formas de onda: senoi
dais, quadradas (tempos alto e baixo variveis) e triangulares (inclinaes
positiva e negativa variveis).

Figura 7.10

Vd

VS

V1

-VCC

(b)

Ro

VS

V2

Vd

Ri

Av . Vd

V1

(c)

177

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eletrnica 2

Figura 7.12

Como o circuito interno extremamente complexo, as anlises sero feitas com


base no circuito equivalente indicado na figura 7.10c. Observando-o, possvel
definir os seguintes parmetros de um amplificador operacional modelo LM741:
Resistncia de entrada sem realimentao (Ri) a resistncia equiva
lente entre as duas entradas, uma das principais caractersticas de um AO.
Idealmente, deveria ser infinita; no caso do LM741, da ordem de 2 M.
Resistncia de sada sem realimentao (RO) a resistncia do equiva
lente Thvenin que uma carga (RL) enxerga quando ligada sada. Ideal
mente, deveria valer 0 ; na prtica e no caso do LM741, da ordem de 75 .
Ganho de tenso em malha aberta (AV) o ganho de tenso em CC em
malha aberta. Idealmente, deveria ser infinito; para o LM741, da ordem
de 200000 V.
Outros parmetros que no aparecem na figura 7.10c, ainda considerando o
LM741, so:
Largura de faixa a faixa de frequncias para as quais o ganho constan
te. Idealmente, deveria ser infinita; no caso do LM741, da ordem de 10 Hz.
Slew rate Especificado em V/s, esse parmetro d uma medida de quan
to a sada responde a um degrau de tenso na entrada. Idealmente, deveria
ter valor infinito; no caso do LM741, de cerca de 0,5 V/s.
Tenso de offset de entrada a diferena entre as VBE dos transistores do
primeiro par diferencial. Idealmente, essa diferena deveria ser zero; no caso
do LM741, da ordem de 2 mV.
No circuito da figura 7.10c, define-se o sinal diferena ou sinal erro como
Vd=V2 V1.
A principal forma de alimentar um AO usando fonte simtrica ou fonte dupla
(+VCC e VCC), que pode ser obtida com circuitos integrados especficos das fa
mlias 78XX para a fonte positiva e 79XX para a negativa. A tenso de saturao
(mxima tenso de sada), determinada pelo valor da fonte, , na prtica, cerca
de 10% menor que a alimentao.
A entrada positiva (+) chamada de no inversora, porque a tenso nela aplicada
apresenta resposta na sada sem alterar sua fase (figura 7.11). A entrada negativa
() recebe o nome de inversora, porque a tenso nela aplicada tem resposta na
sada defasada de 180 (figura 7.12).
Figura 7.11
AO em malha aberta com
entrada inversora aterrada:
a) entrada no inversora
positiva e sada positiva e
b) entrada no inversora
negativa e sada negativa.

+
1,5 V

1,5 V

-Vcc

-Vcc

+
1,5 V

VCC
+

VS = -VSAT
-Vcc

1,5 V

VCC
+
VS = +VSAT
-Vcc

(a)

AO em malha aberta
com entrada no
inversora aterrada:
a) entrada inversora
positiva e sada negativa e
b) entrada inversora
negativa e sada positiva.

(b)

Em relao s figuras 7.11 e 7.12, poderamos generalizar escrevendo que:


Se V+ > V, a sada satura positivamente
Se V+ < V, a sada satura negativamente.
Se V+ = V, a sada deveria ser nula, o que na prtica no acontece por causa
dos erros de offset.
Quando o AO configurado em malha aberta, como nas figuras 7.11 e 7.12, ele
est sem realimentao (a sada no est ligada entrada) e, como a sada tende a
saturar facilmente porque o ganho extremamente elevado, no pode ser usado
como amplificador. Para obter um amplificador com o ganho estabilizado, deve
-se aplicar realimentao negativa no AO, e isso feito ligando a sada entrada
inversora com uma rede de resistncias.

7.2.1 Amplificadores bsicos


Esses circuitos servem de base para todas as outras aplicaes lineares, sempre
com realimentao negativa (sada conectada com a entrada inversora).

Amplificador no inversor
A figura 7.13 mostra o circuito bsico do amplificador no inversor com rea
limentao negativa. Para determinar a expresso do ganho desse circuito,
preciso considerar:
Ganho em malha aberta infinito.

AV =
VS = -VSAT

Vs = +VSAT

(a)

178

VCC

VCC

CAPTULO 7

VS
V
V
= ou Vd = S = S = 0
Vd
AV

No h diferena de potencial entre as duas entradas.


Resistncia de entrada infinita.

(b)

Se Ri = 0, ento a corrente nas entradas zero: I+ = I = 0.


179

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eletrnica 2

Figura 7.13

CAPTULO 7

Exemplos

Amplificador no inversor.
I+

1. Determine a tenso na sada do circuito e a corrente na sada do AO no esque


ma da figura 7.14.

+ VCC
+

Vd
I-

Ve

- VCC
R2

V1

R1

Figura 7.14

+ VCC

I1

V2

Vs
2V

- VCC

Vs
4k

I2
1k

Soluo:

Ganho de tenso em malha fechada

O ganho do circuito vale:

O ganho de tenso em malha fechada (Av) ou com realimentao calculado


por:

A Vf =

A Vf =

VS
Ve

Podemos admitir que:


Como a tenso em R1 igual tenso de entrada, as duas entradas esto
curto-circuito:

VS
R
4k
= 1+ 2 = 1+
=5
Ve
R1
1k

Portanto:
VS = 52 V = 10 V
Outra forma de resolver pela anlise do circuito, considerando que o AO ideal.
Figura 7.15

+ VCC
+

Ve = V1 = R1I1

2V

A resistncia de entrada infinita est com valor infinito, pois I1 = I2, portanto:
VS = (R1I1 + R2I2)

2V

- VCC

Vs
4k

1k

Substituindo essas duas condies na expresso anterior, temos:

(a)
+ VCC

A Vf

V
R I + R2I2 (R1 + R2 ) I1 R1 + R2
R
= S = 1 1
=
=
= 1+ 2
Ve
R1.I1
R1.I1
R1
R1

2V

- VCC

Como I+ zero, a impedncia de entrada desse circuito infinita (na prtica,


como I+ no zero, e sim da ordem de nA, a impedncia da ordem de centenas
de M). Essa configurao, por causa de sua alta resistncia de entrada, muito
utilizada em circuitos em que se deseja obter sinal de sensores.
180

+ VCC

2V

1k

Vs

(b)

- VCC

4k
I2

I1

2V

4k

2V 1k

V2

Vs

I2

I1

(c)

181

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eletrnica 2

Podemos admitir que a tenso no resistor de 1 k igual ao valor de entrada,


pois as duas entradas tm o mesmo potencial. Devemos, ento, calcular a cor
rente nesse resistor, que igual corrente no resistor de 4 k.
I1 =

CAPTULO 7

A figura 7.17 mostra como os grficos das tenses de entrada e de sada so cons
trudos. Observe que a tenso de sada dez vezes maior que a de entrada e os
valores esto em fase.

2V
= 2 mA = I2
1k

Figura 7.17

2,0
1,2

A seguir, calculamos a tenso em R 2:

Ve(V)

0,4
-0,4
-1,2

V2 = 4 k2 mA = 8 V

-2,0

Assim:

10,0
6,0

VS = V1 + V2 = 2 V + 8 V = 10 V

Vs(V)

Observe que o mesmo resultado obtido usando a expresso do ganho.

2,0
-2,0
-6,0
10,0

2. Construa os grficos das tenses de entrada e de sada do circuito da figura


7.16, considerando que a tenso senoidal de entrada de 2 V de pico.

Saturao da sada curva de transferncia

Figura 7.16
+ VCC
+
Ve
2.senw.t(V)

- VCC

Vs
4k

1k

Como vimos, a mxima tenso que se pode obter na sada de um AO chamada


de tenso de saturao (Vsat). Esse valor depende do valor da tenso de alimenta
o. Na prtica, a tenso de saturao inferior de alimentao e assimtrica,
ou seja, se a alimentao for +12 V/12 V, a saturao positiva aproximada
mente 11 V e a negativa, 10,5 V. Para facilitar a resoluo do exerccio a seguir,
vamos consider-las iguais, em mdulo, com o mesmo valor da tenso da fonte.
A curva caracterstica de transferncia representa a relao entre as variveis de
sada e de entrada de um sistema, isto , representado graficamente por VSVe.
No caso de um amplificador, tal relao dada pelo ganho VS = AVfVe, vlida
dentro da regio linear.
Exemplo
Dado o circuito da figura 7.18, desenhe a curva de transferncia, considerando
Vsat(+) = +12 V e Vsat() = 12 V.

Soluo:
O circuito tem os mesmos valores do circuito do exemplo 1, portanto o ganho
vale 5.

+
-

Ve

Vs

-12 V

A sada ser:
VS = 52 sent (V) = 10 sent (V)

Figura 7.18

+12 V

4k

1k

Isso significa que a sada ser uma senoide de 10 V de pico e em fase com a
entrada.
182

183

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eletrnica 2

O ganho de tenso pode ser obtido pela anlise do circuito ou pela expresso do
ganho do amplificador no inversor para essa condio.

Soluo:
A equao que relaciona a sada com a entrada :

AVf = 1; o ganho , portanto, igual a 1 (tenso de sada igual de entrada).

VS = 5Ve
Ela vlida para qualquer valor de entrada? No, somente para os da regio
linear, cujos limites so:
Ve(m x) =

VS(m x)
A Vf

CAPTULO 7

12 V
= 2, 4 V ,
5

Alm disso, tal circuito tem outras duas caractersticas: a resistncia de entrada
altssima (centenas de megaohms) e a de sada praticamente nula (dcimos de
ohms). Em que situaes se usa um circuito desse tipo? Basicamente, ele pode ser
utilizado como interface entre um circuito com alta resistncia de sada e uma car
ga de valor pequeno ou como reforador de corrente. Observe o exemplo a seguir.

para valores positivos e negativos, j que a saturao simtrica.

Deseja-se transferir para a carga de 2 k a maior tenso possvel de um gerador


de 12 V e resistncia interna de 10 k. Veja o que acontece se o gerador for liga
do diretamente carga (figura 7.21).

Portanto, para a primeira equao, temos:

A tenso na carga (VL) ser:

VS = 5Ve, para Ve 2,4V e Ve -2,4 V

VL =

Graficamente:

2k
12 V = 2 V
10 k + 2 k
Figura 7.21

(a)

Figura 7.19
12 V

VG

6V

-1 V

RL
2k

12 V

1V

-2 V

a) Gerador ligado
diretamente carga e
b) buffer utilizado
como interface entre
gerador e carga.

RG
10 k

Vs(V)

VL

Ve(V)

2V

-6 V
+ VCC

-12 V

(b)

Buffer ou seguidor de tenso

RG
10 k
VG

O circuito buffer ou seguidor de tenso um amplificador no inversor em uma


condio especial, R2 = 0 e R1 = infinito, como mostra a figura 7.20.
Figura 7.20

12 V

+
-V

CC

12 V

RL
2k

VL = 12 V

+ VCC

Seguidor de tenso.
+
Ve

- VCC

Vs

Como o buffer tem resistncia de entrada muito alta, a tenso na entrada no


inversora 12 V (lembre que a corrente atravs do 10 k nula). Uma vez que
as duas entradas tm o mesmo potencial e a entrada inversora est ligada sada,
a tenso de sada ser de 12 V.
Agora, vejamos um exemplo de aplicao do buffer como reforador de corrente.
Uma carga consome 20 mA, alimentada pelo terminal de sada de um micro

184

185

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eletrnica 2

Figura 7.22
Buffer como reforador
de corrente.

controlador, que fornece a corrente mxima de 1 mA. Est claro que a carga no
pode ser ligada diretamente sada do microcontrolador. O que devemos fazer?
Inserir um buffer entre a carga e a sada do microcontrolador (figura 7.22).

CAPTULO 7

A expresso mostra que o ganho estvel, ou seja, no depende do AO, mas


apenas da relao entre as resistncias R2 e R1. O sinal negativo significa que a
tenso de sada est defasada de 180 em relao de entrada.
A resistncia de entrada desse circuito R1, por causa do terra virtual na entrada
inversora, isto , a fonte de sinal Ve enxerga a resistncia R1 ligada entre seus
terminais.

IL = 20 mA

Microcontrolador

Exemplos

+V
CC
Imx = 1 mA

Microcontrolador

Imx = 1 mA

IL = 20 mA

1. Qual a indicao do voltmetro na figura 7.24?

+
- VCC

carga

Figura 7.24

carga

(a)

R2
4 k7

(b)

R1
1k

+ VCC

DCV

+
1,5 V

Nessa configurao, a corrente fornecida carga pelo buffer e no pelo micro


controlador.

Vs

- VCC

Amplificador inversor
O amplificador inversor (figura 7.23) tem realimentao negativa como o no
inversor, porm o sinal a ser amplificado aplicado na entrada inversora.

Soluo:
O ganho do circuito vale:

Figura 7.23
Amplificador inversor.

A Vf =

R2
I2

R1

+ VCC
-

I1

Vs

Vd = 0

Isso significa um valor de tenso de sada 4,7 vezes maior que a de entrada e
defasada de 180; portanto, a sada vale 4,7 V.
2. Determine, na figura 7.25, a intensidade e o sentido da corrente na sada do AO.

+
Ve

4k 7
= 4, 7
1k

- VCC

Figura 7.25
5k

+ VCC

1k
-

A obteno da expresso do ganho (VS/VE) feita considerando resistncia de


entrada e ganho em malha aberta infinitos:

2V

Vs

500
- VCC

A Vf =

186

VS
R
= 2
Ve
R1
187

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Soluo:

Soluo:

O ganho do circuito :

Em um amplificador operacional, todas as correntes e a tenso invertem de sen


tido na sada. Portanto, a corrente na sada do amplificador operacional valer
21 mA, entrando; se convencionarmos que saindo positivo, entrando ser ne
gativo.

A Vf =

R2
5k
=
= 5
R1
1k

Como a tenso de entrada vale Ve = 2 V, a tenso de sada :


VS = (5)(2 V) = 10 V

4. Considerando que a entrada senoidal, qual a mxima amplitude que pode


ter a tenso de entrada no circuito da figura 7.27 para que a sada no sature,
distorcendo a senoide de sada?

Figura 7.27

Figura 7.26
+ VCC
-

5k

AO1

I2
+ VCC

1k
-

Ve

IAO

I1
2V

- VCC

10 V
--

AO2
+

500
IL

1k

- VCC

Agora vamos calcular as correntes no circuito:

Soluo:

2V
= 2 mA = I2 (lembre que as duas entradas esto ligadas virtualmente).
I1 =
1k

O circuito da figura 7.27 constitudo de dois amplificadores ligados em casca


ta: o primeiro estgio um amplificador no inversor de ganho 5 e o segundo,
um amplificador inversor de ganho 5. O ganho total o produto dos ganhos
individuais, isto :

A corrente na carga vale:


IL =

10 V
= 20 mA
0, 5 k

Como na sada do AO existe um n, aplicando a primeira lei de Kirchhoff,


pode-se determinar a corrente na sada do AO (que est fornecendo corrente):
IAO = I2 + IL = 1 mA + 20 mA = 21 mA
3. O que acontece com a corrente na sada do AO da questo anterior se for
invertida a polaridade da tenso de entrada (Ve = 2 V)?
188

4k

+
+

+ VCC

1k

- VCC

Vs

5k

VS1

A VT =

Vs
500

VS VS VS1
=

= ( 5) 5 = 25
Ve VS1 Ve

Quando a sada for a mxima possvel, a entrada ser a mxima permitida, isto :
Ve( mx ) =

VS( mx )
A VT

10 V
= 0, 4 V
25

A figura 7.28 mostra as trs formas de onda na condio-limite, ou seja,


Ve = 0,4sent (V).
189

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Figura 7.28

Figura 7.29
a) Corrente em excesso
na sada do AO e
b) sada com reforo
de corrente.

400
200

Ve(mV)

0
-200

+18 V
+

t(s)

202 mA

-400

200 mA

2V

-18 V
4k

VS1 (V)

0
-1

Vs

741

t(s)

50

2 mA

1k

-2

(a)

10
5

VS(V)

0
-5

t(s)

+18 V

+18 V
+

-10

10,7 V

741
2V

4k

Sada de potncia
A mxima corrente na sada (entrando ou saindo) de um AO da ordem de mA
(por exemplo, para o LM741, de 25 mA). Como vimos, caso seja necessrio
alimentar uma carga com uma corrente maior, preciso colocar entre o AO e a
carga um transistor de potncia na configurao coletor (buffer).
No circuito da figura 7.29a, a corrente na sada do AO de 202 mA (veja o
exemplo 2 desta seo), valor que o circuito integrado no tem condies de
fornecer (no caso do LM741, quando a corrente ultrapassar aproximadamente
25 mA, a sada vai a zero enquanto permanecer a condio de corrente elevada).
A soluo colocar um transistor de potncia entre a carga e o AO, conforme
ilustrado na figura 7.29b.

10 V
= 0, 2 A = 200 mA = IE = IC
50

A corrente de base igual corrente na sada do AO, portanto:


IAO = IB =

190

2 mA
Vs = 10 V
200 mA

1k

50

(b)

O circuito da figura 7.30 permite que a entrada seja alternada. TR1 conduz no
semiciclo positivo do sinal de entrada e TR2, no semiciclo negativo.
Figura 7.30

Tomando o exemplo da figura 7.29b, vamos considerar que o transistor utilizado


apresenta = 100 e calcular os valores de corrente do AO. Como a tenso no re
sistor de 1 k vale 2 V (os dois terminais tm mesmo potencial), a corrente de
2 mA. Esse valor o mesmo no resistor de 4 k, no qual, portanto, a tenso vale
8 V. A tenso na carga a soma das duas tenses; logo, 2 + 8 = 10 V. Sabendo que
a corrente na carga de 50 de 10 V, podemos determinar a corrente na carga:
IL =

0,7 V

-18 V

Amplificador
inversor classe B.

5k
+12 V

2k

+12 V
-

TR1

+
Ve
-

Vs

+
-12 V

TR2

RL
50

-12 V

IC 200 mA
=
= 2 mA , que um valor compatvel com o AO.

100
191

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Tabela 7.2
Caractersticas eltricas da srie LM741.

7.2.2 Caractersticas de um amplificador operacional real


Na prtica, um AO apresenta limitaes tcnicas e fsicas que devem ser obser
vadas para que os circuitos funcionem adequadamente. Comearemos mostran
do a pinagem e os tipos de encapsulamento mais usados. A figura 7.31 ilustra os
dois tipos de encapsulamento mais conhecidos: o TO-99 e o DIP-8.

Electrical Characteristics (Note 5)

Paramater

Metal can Package

Figura 7.31

NC

Encapsulamentos
(a) TO-99 e (b) DIP 8.

Metal can8 Package


V

OFFSET NULL 1

INVERTING INPUT 2
OFFSET NULL 1
NON-INVERTING INPUT 3
INVERTING INPUT 2

NC
8
7

+
-

(a)

6 OUTPUT
V

5 OFFSET NULL
6 OUTPUT

(a)

+
NON-INVERTING INPUT

Input Offset
Voltage

LM741A

Conditions
Min
TA = 25C
RS 10 k
RS 50

Typ

Max

0.8

0.3

TAMIN TA TAMAX
RS 50
RS 10 k

Min

LM741C

Typ

Max

1.0

5.0

4.0

Average
Input Offset
Voltage
Drift

5 OFFSET NULL

LM741
Min

Units

Typ

Max

2.0

6.0

mV
mV

7.5

mV
mV

6.0

mV/C

15

Dual-In-Line or S.O. Package


OFFSET
NULL 1
Dual-In-Line

Tabela 7.1
Limites mximos
da srie LM741.

NC
or S.O.8 Package

INVERTING
OFFSETINPUT
NULL

2
1

7
8

V
NC

NON-INVERTING
INVERTING
INPUT
INPUT

3
2

6
7

OUTPUT
V

V
NON-INVERTING
INPUT

4
3

5
6

OFFSET NULL
OUTPUT

OFFSET NULL

(b)
(b)

Em um datasheet, obtm-se os limites mximos e as caractersticas eltricas de


um AO, como mostram as tabelas 7.1 e 7.2.

Absolute Maximum Ratings


If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor
Sales Office/ Distributors for availability and specifications.

Supply Voltage
Power Dissipation (Note 3)
Differential Input Voltage

LM741

LM741C

22 V

22 V

18 V

500 mW

500 mW

500 mW

30 V

30 V

30 V

15 V

15 V

15 V

Output Short Circuit Duration

Continuous

Continuous

Continuous

Operating Temperature Range

-55C to + 125C

-55C to + 125C

-0C to + 70C

Storage Temperature Range

-65C to + 150C

-65C to + 150C

-65C to + 150C

Input Voltage (Note 4)

192

LM741A

Input Offset
Voltage
Adjustment
Range
Input Offset
Current

TA = 25C, VS = 20 V

10

TA = 25C

15

3.0

TAMIN TA TAMAX

Average
Input Offset
Current
Drift
Input Bias
Current

Input
Resistence

Input
Voltage
Range

Large Signal
Voltage
Gain

mV

15

30

20

200

70

85

500

20

200

nA

300

nA

nA/C

0.5

TA = 25C

30

80

80

0.210

TAMIN TA TAMAX
TA = 25C, VS = 20 V

1.0

TAMIN TA TAMAX ,
VS = 20 V

0.5

6.0

500

80

1.5
0.3

2.0

0.3

nA

0.8

mA
M
M

TA = 25C

12

TAMIN TA TAMAX

2.0

500

12

13

200

TA = 25C, RL 2 k
VS = 20 V, VO = 15 V
VS = 15 V, VO = 10 V

50

50

TAMIN TA TAMAX ,
RL 2 k,
VS = 20 V, VO = 15 V
VS = 15 V, VO = 10 V
VS = 5 V, VO = 2 V

35
10

25

13

V
V

20

15

200

V/mV
V/mV

V/mV
V/mV
V/mV

193

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Tabela 7.2
Caractersticas eltricas da srie LM741.
Electrical Characteristics (Note 5)

Paramater

Output
Voltage
Swing

LM741A

Conditions
Min
VS = 20 V
RL 10 k
RL 2 k

Typ

LM741
Max

12
10

TA = 25C
TAMIN TA TAMAX

10
10

25

CommonMode
Rejection
Ratio

TAMIN TA TAMAX
RS 10 k,VCM = 12 V
RS 50 k,VCM = 12 V

80

95

Supply
Voltage
Rejection
Ratio

TAMIN TA TAMAX ,
VS = 20 V to VS = 5 V
RS 50 k
RS 10 k,

Bandwidth
(Note 6)

TA = 25C

Slew Rate

TA = 25C, Unity Gain

Max

Min

Typ

86

Units
Max
V
V

Output
Short
Circuit
Current

TA = 25C, Unity Gain

Typ

16
15

VS = 15 V
RL 10 k
RL 2 k

Transient
Response
Rise Time
Overshoot

Min

LM741C

35
40

0.25
6.0

0.437

1.5

0.3

0.7

77

0.8
20

12
10

25

70

96

14
13

90

96

0.3
5

70

77

14
13

V
V

25

mA
mA

90

dB
dB

96

0.3
5

dB
dB

ms
%

MHz

0.5

0.5

V/ms

Qual o significado de tudo isso? Observe a escala de ganho e considere 10 e 100


e a marca entre eles. Qual o valor correspondente a essa marca? Lembre que a
escala no linear. Para encontrarmos o valor que corresponde marca entre 10
e 100, devemos determinar o valor em dB. Como a escala em decibis linear,
podemos fazer uma interpolao linear, isto , 100 corresponde a 40 dB; logo,
10 corresponde a 20 dB e a marca entre 20 e 40 dB, a 30 dB. O valor da relao
entre VS e Ve pode, ento, ser determinado:
30 dB = 20 log(

VS
V
) log( S ) = 1, 5
Ve
Ve

fcil determinar a marca entre 10 e 100 em uma calculadora cientfica. Faa a


seguinte operao: digite 1,5 e clique em 10X; o valor resultante ser 31,6. Por
tanto, a marca entre 10 e 100 vale 31,6.

Vs/Ve

20.log(Vs/Ve) (dB)

105

100

104

80

103

60

102

40

10

20

Curva em malha aberta


Inclinao: -20dB/decada

curva em malha fechada

10

100

1k

10k

100k

1M

aproximao por trecho de retas


curva real

Ganho de tenso e largura de faixa


Esses dois parmetros esto interligados, como veremos a seguir. No caso ideal,
o ganho de tenso e a largura de faixa so infinitos. Na prtica, o ganho varia
com a frequncia e a temperatura. A figura 7.32 apresenta um exemplo de curva
de resposta em frequncia de um amplificador operacional de ganho em malha
aberta 100000.
Note que a escala de frequncia utilizada no grfico logartmica, possibilitando
que sejam representados valores distantes, como 1 Hz e 1 MHz. O eixo vertical,
em que est indicado o ganho, pode apresentar o valor em logaritmo ou em de
cibis. Se o ganho dado pela relao entre a tenso de sada e a de entrada (VS/
VE), a escala logartmica, com valores de 1 a 100000. Na escala em decibis,
que linear, os limites so 0 dB e 100 dB.
194

Figura 7.32
Um parmetro que aparece como frequncia de ganho unitrio (fU) ou band
width.

Curva de resposta em
frequncia em malha aberta
e em malha fechada.

Slew rate
Slew rate (SR) a taxa de variao da tenso de sada de acordo com o tempo
em resposta a um degrau de tenso na entrada. Para entender essa definio,
observe a figura 7.33, em que um pulso aplicado na entrada de um seguidor
de tenso.
195

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eletrnica 2

CAPTULO 7

7.2.3 Erros de offset

+ VCC

5 s

15 s

5V

5V
+

Ve

- VCC

Vs
0

Em razo dos descasamentos no primeiro estgio diferencial, quando as entra


das so nulas, surge na sada uma tenso CC (positiva ou negativa). Em alguns
circuitos, como amplificadores de udio, basta colocar um capacitor de acopla
mento que esse problema eliminado. No entanto, quando se deseja amplificar
pequenas tenses contnuas, como as obtidas em alguns sensores, importante
efetuar o ajuste de offset. As principais causas dos erros de offset so apresentadas
a seguir.
Tenso de offset de entrada
A tenso de offset de entrada (Vio) gerada no primeiro estgio do AO (figura
7.34). Ela pode ser calculada por Vio = VBE2 VBE1, em que VBE2 e VBE1 so os
valores de tenso base-emissor dos transistores do primeiro par diferencial. No
datasheet apresentado no quadro 7.2, podemos encontrar o valor de tenso offset
de 2 mV.
Figura 7.34

Figura 7.33
Resposta de um
seguidor de tenso a
um pulso de entrada.

+ VCC

A taxa de variao ou slew rate da tenso na sada do AO determinada pela


relao:
SR =

Suponha um amplificador que amplifica um sinal de at 20 kHz. Determine a


amplitude mxima do sinal de entrada para que o sinal de sada no tenha dis
toro. Considere um AO com SR = 0,5 V/s.
Soluo:
Para no haver distoro, SR > 2p20103Vmx
ou Vmx <

196

0,5 105
= 4V .
2 p 20 103

Vs = 0

+
- VCC

(a)

Isso significa que a tenso de sada no pode ser mais rpida que 1 V/s. Caso
contrrio, a sada no responder, resultando em um sinal com distoro.

Exemplo

Vs = 0

V 5 V
=
= 1 V/ms
t 5 s

A distoro decorrente do slew rate ser tanto maior quanto maior for a fre
quncia e/ou a amplitude do sinal. Para que um sinal de sada senoidal no seja
distorcido, necessrio que o AO tenha slew rate maior que 2pfVmx, em
que f a frequncia do sinal e Vmx seu valor de pico.

+ VCC

Vio

a) Tenso de offset de
sada decorrente da tenso
de offset de entrada e
b) anulao da tenso
de offset de sada.

- VCC

(b)

Corrente de polarizao de entrada


A corrente de polarizao de entrada (IP) definida como o valor mdio das duas
correntes de entrada, ou seja:

IP =

IB1 + IB 2
2

Ela pode ampliar a tenso aplicada na entrada inversora, pois, ao passar pela re
sistncia equivalente que existe nessa entrada, desenvolve uma tenso em relao
entrada aterrada, ampliando a diferena de tenso. Para eliminar ou minimizar
tal problema, colocada na outra entrada uma resistncia de valor igual ao da
resistncia equivalente, cujo valor igual a R = R1//R2 (figura 7.35).
Na prtica, a colocao da resistncia na entrada no inversora no elimina to
talmente a tenso de offset na sada; a correo deve ser efetuada por meio de
circuitos adequados.
197

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Figura 7.35
a) Erro de offset causado
pela corrente de
polarizao de entrada
em mV e
b) correo do erro.

Figura 7.36
+15 V
R1

Ve

R2
IB1
IB2

R2

+Vcc
-

-15 V

+15 V

+15 V

R1

Ve

100 k

3k

100

-15 V

(a)

IB1
IB2

Rp = R1//R2

R2

R1 - 100

100 k

33 k
-15 V

V_

-15 V

(a)

R2

Circuitos de ajuste da
tenso de offset de sada.

+15 V

Vs

V+

Vs

DCV

-Vcc

R1

100

(b)
+Vcc

+Vcc
DCV

3 +

741

-Vcc

2 -

(b)

-Vcc

10 k

(c)

Corrente de offset de entrada


Define-se a corrente de offset de entrada (Iio) como a diferena entre as duas cor
rentes de entrada do AO. Segundo o datasheet da tabela 7.2, tipicamente o valor
de 20 nA. A equao que determina esse valor : Iio = IB2 IB1.
Correo da tenso de offset de sada
Como as correntes de polarizao nas entradas no so iguais, a correo do
erro de offset na sada feita aplicando uma pequena tenso CC em uma das
entradas. A figura 7.36 mostra trs maneiras de fazer o ajuste; a da figura 7.36c
s pode ser realizada se o AO tiver terminais para ajuste de offset.
O circuito da figura 7.36a usado quando o sinal aplicado na entrada inverso
ra. A tenso CC (V+) utilizada para efetuar o ajuste de offset na sada obtida do
divisor de tenso constitudo pelos resistores de 100 k e 100 e pelo potenci
metro de 33 k. A tenso CC pode variar entre +15 mV e 15 mV e aplicada
na entrada no inversora.
O circuito da figura 7.36b usado quando se aplica o sinal na entrada no
inversora. Portanto, a tenso CC de correo aplicada na entrada inversora,
podendo variar entre +15 mV e 15 mV.
Se as duas entradas forem utilizadas para aplicar o sinal, necessrio que o AO
tenha terminais adequados para fazer o ajuste de offset. Para o modelo LM741, o
ajuste realizado com um milivoltmetro conectado na sada at obter Ve = 0, o que
feito por meio do potencimetro.
198

Curva caracterstica de transferncia


A curva de transferncia em malha aberta o grfico que relaciona a tenso de
sada (VS) com a tenso diferencial de entrada (Vd = V+ V). A figura 7.37 ilus
tra o grfico de um AO com ganho em malha aberta de 100000.
Figura 7.37

+ VCC

Curva caracterstica
de transferncia.

V+

Vs(V)

Vd
-

V-

- VCC

Vs

10

-0,1
0,1

Vd(V+ - V-) (mV)

-10

199

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eletrnica 2

Razo de rejeio em modo comum (RRMC)


Esse parmetro informa a medida da rejeio do sinal em modo comum, isto ,
quando as entradas apresentam valores idnticos.

RRMC = 20.log

Ad
VS
V
; Ad =
e AC = S
AC
V2 V1
VC

Quanto maior o valor da RRMC, melhor o ganho do AO. O valor ideal para
esse parmetro tende a ser infinito.

7.2.4 Aplicaes lineares

CAPTULO 7

Observe que a tenso de sada do circuito da figura 7.38a est relacionada com
as tenses de entrada pela expresso:
VS = (

Rf
R
R
Ve1 + f Ve 2 + f Ve 3 )
R1
R2
R3

Porm, se as resistncias de entrada forem todas iguais, como ilustrado na figura


7.38b, a expresso passa a ser:

VS =

Rf
( Ve1 + Ve 2 + Ve3 )
R

Os circuitos aqui apresentados so baseados nos estudados na seo Amplifica


dores bsicos.

Note que, nesse caso, a tenso de sada passa a ser proporcional soma das ten
ses de entrada.

Amplificador somador inversor

Agora, se todas as resistncias forem iguais, como apresentado na figura 7.38c,


a expresso da sada :

Esse circuito utilizado para somar algebricamente as tenses. Entre suas apli
caes esto a converso de analgico para digital e vice-versa, a construo
de misturadores de sinais (mixers) e sistemas de controle PID (proporcional,
integral e derivativo). Derivado do amplificador inversor, ele tem mais de uma
entrada. O nmero de entradas limitado mxima corrente de sada. A figura
7.38 mostra um amplificador inversor com trs entradas.
Figura 7.38
Amplificador
somador inversor:
a) todas as resistncias
diferentes,
b) resistncias de
entrada iguais e
c) todas as
resistncias iguais.

Rf

Rf

+V

R1
Ve1
Ve2

+
- VCC

R3

Vs

Ve3

R
Ve2

+
- VCC

O nome operacional vem de certas aplicaes como essa, que efetua aplicaes
matemticas.

1. Determine a tenso de sada (VS) do circuito da figura 7.39.

Ve1

R2

Nesse caso, a sada ser igual soma das tenses de entrada, ou seja, invertida.

Exemplos

+ VCC

CC

VS = ( Ve1 + Ve 2 + Ve 3 )

Figura 7.39

Vs

If

Ve3

(a)

(b)

I1

+ VCC

1k
-

I2

5V

+ VCC

R
Ve1

R
Ve2

- VCC

Ve3

2k
I3

5V

1k

4k

+
- VCC

Vs

Vs

5V

(c)

200

201

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eletrnica 2

Soluo:
Consideremos primeiramente a soluo direta que usa a expresso:
VS = (

Rf
R
R
Ve1 + f Ve 2 + f Ve 3 )
R1
R2
R3

CAPTULO 7

Com os valores obtidos da tenso de acordo com o tempo, possvel representar


graficamente essa funo. Outra maneira de representar seria somando ponto a
ponto, o que, na prtica, impossvel, pois existem infinitos pontos (basta con
siderar alguns deles).
Os grficos das entradas esto representados na figura 7.41.
Figura 7.41

em que Rf = 1 k, R1 = 1 k, R2 = 2 k, R3 = 4 k e Ve1 = Ve2 = Ve3 = 5 V.

5
4

Ento:

3
2

Ve1(V)

VS = (

1k
1k
1k
.5 +
.5 +
.5) = 8, 75 V
1k
2k
4k

0
2
1

Ve2(V)

Por anlise de circuito:

0
-1
-2

I1 =

5V
5V
5V
= 5 mA , I2 =
= 2, 5 mA e I3 =
= 1, 25 mA
1k
2k
4k

A corrente no resistor de realimentao If = 5 + 2,5 + 1,25 = 8,75 mA e,


portanto, a tenso em Rf vale VRf = 1 k8,75 mA = 8,75 V; a tenso de sada
est relacionada com a tenso em Rf por VS = VRf, VS = 8,75 V.
2. Desenhe as formas de onda nas entradas (Ve1, Ve2) e na sada (VS) do circuito
da figura 7.40.
Figura 7.40
1k

1k
+ VCC

1k

Ve1

4V

Ve2
2.sen(w.t)(V)

Vs(V)

-2
-4
-6

t1

t2

t3

t4

Amplificador somador no inversor

Figura 7.42

Uma alternativa ao circuito inversor o da figura 7.42, que derivado do ampli


ficador no inversor. Para simplificar a anlise desse circuito, vamos considerar
somente o caso em que as resistncias de entrada so iguais e a de realimentao
regulvel, possibilitando um valor de sada igual soma das entradas.

Amplificador somador no
inversor:
a) circuito genrico e
b) circuito para trs
entradas (N = 3).

Vs
R

(N-1).R

- VCC

+ VCC

2.R

Soluo:
Observe que uma das entradas alternada (senoidal) e a outra contnua, porm
isso no atrapalha o funcionamento, pois o circuito soma instantaneamente uma
entrada com a outra e depois inverte o resultado (todas as resistncias so iguais).
A representao matemtica pode ser expressa por:

Ve1

+
- VCC

R
Ve2

+VCC
-

Vs

R
Ve1

VeN

-VCC

R
Ve2

Vs

R
Ve3

(a)

(b)

VS = Ve1 + Ve2 = 4 + 2sent


202

203

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Para o circuito da figura 7.42, a tenso de sada em relao s entradas dada por:

O valor da tenso na entrada no inversora decorrente apenas de Ve1 vale:

VS = Ve1 + Ve2 + Ve3

V+ Ve1 =

Nesse caso, a resistncia de realimentao vale 2R e todas as outras, R.


Exemplo

1k

1k
Ve1
2V

1k
1 V = 0, 5 V
1k + 1k

Portanto, a tenso na entrada no inversora de 1,5 V e, como o ganho do am


plificador no inversor vale 2, a tenso de sada de 3 V, mesmo valor obtido
usando a expresso.

Figura 7.43
1k

O valor da tenso na entrada no inversora decorrente apenas de Ve2 vale:


V+ Ve 2 =

Determine a tenso na sada do circuito da figura 7.43.

1k
2 V = 1V
1k + 1k

Amplificador diferencial

Vs

uma combinao dos circuitos inversor e no inversor, muito usado em ins


trumentos de medida de grandezas fsicas (temperatura, presso, deslocamento
etc.). A figura 7.45 ilustra um circuito bsico.

1k
Ve2
1V

R1

Soluo:
R1

Podemos usar a expresso da sada em relao s entradas, isto :


Ve2

Outra maneira de resolver por anlise de circuito. Para isso, vamos aplicar o
Teorema da Superposio. Primeiro, determinamos a tenso na entrada no in
versora aplicada por Ve1 (figura 7.44a). Com isso, o circuito resultante passa a ser
o ilustrado na figura 7.44b.

1k

1k

1k

+VCC

+VCC
V+(Ve2)

R2

R2
( Ve 2 Ve1 )
R1
R2
o ganho diferencial de tenso (Ad).
R1

-VCC

No entanto, se R2 = R1, a expresso passa a ser:

Ve2
1V

(a)

VS =

em que

+
1k

-VCC
1k

1k

V+(Ve1)

A expresso da tenso de sada em relao s entradas :

Figura 7.44

Ve1
2V

Vs

-VCC

VS = Ve1 + Ve2 = 2 + 1 = 3 V

1k

Amplificador diferencial.

+VCC

Ve1

1k

Figura 7.45

R2

(b)

VS = Ve 2 Ve1

ou seja, o circuito realiza a diferena entre as duas tenses de entrada.


204

205

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eletrnica 2

Em qualquer um dos casos, se Ve1 = Ve2 (modo comum), a tenso na sada valer
zero (VS = 0). Na prtica, existir uma pequena tenso na sada em decorrncia
dos erros de offset e do descasamento entre os dois resistores R2 (que deveriam
ser iguais) e os dois resistores R1. Uma forma de minimizar os erros de offset
utilizar resistores com tolerncia perto de 1%. Outro problema consiste na
baixa resistncia de entrada determinada por R1 e R2. Se, por exemplo, uma
fonte de sinais (Ve1 e Ve2) apresenta determinado valor de resistncia interna, ao
ser conectada em um circuito, esse valor passa a ser somado s resistncias que
esto em srie com a fonte. Uma possvel soluo colocar em cada entrada um
circuito buffer, que, por causa de sua altssima resistncia de entrada, isola a fonte
de sinal do amplificador (figura 7.46).

CAPTULO 7

Soluo:
O ganho diferencial vale:
Ad =

10 k
= 10
1k

e o sinal diferena:
Vd = 1,5 1 = 0,5 V
Portanto, a tenso de sada pode ser calculada por:

Figura 7.46
Amplificador diferencial
com circuito offset
em cada entrada.

Buffer
isolador

VS = 10 0, 5 V = 5 V
b)

Buffer
isolador

R1

+
Ve1

R2

R1

+
Ve2

Figura 7.48
Vs

Fonte de sinal com resistncia interna de 50


Fonte de sinal com resistncia interna de 100

R2

50

1k

10 k

Ve1
1V

Exemplos

+VCC
100

1. Determine a tenso de sada em cada um dos circuitos das figuras a seguir.

Ve2
1,5 V

a)

1k

Vs

+
- VCC
10 k

Figura 7.47
1k

10 k

Ve1
1V

+VCC
1k

Ve2
1,5 V

206

Vs

+
-VCC
10 k

Soluo:
O amplificador diferencial o mesmo do exerccio anterior, porm nessa con
figurao as fontes de sinais possuem resistncia interna que deve ser somada
s resistncias em srie de 1 k, modificando o ganho. Por anlise de circuito,
obtemos a tenso de sada: 4,7 V.
207

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eletrnica 2

CAPTULO 7

em um mesmo encapsulamento, exceto o resistor RG, que posicionado exter


namente, permitindo o ajuste do ganho.

c)
Figura 7.49

Figura 7.50
-

Ve1
1V

AO1
+

50

1k

- Vcc

+Vcc
AO2
+

100
Ve2
1,5 V

Amplificador de
instrumentao.

+ Vcc

10 k

10 k

+ Vcc

1k

AO3
+

- Vcc

+Vcc

+
Vs

Ve1

10 k

+Vcc

- Vcc

+ Vcc

10 k

- Vcc
R

RG

+
10 k - Vcc

10 k

VS

+
- Vcc

Ve2

VREF

Soluo:
Nessa configurao, entre cada fonte de sinal e entrada do amplificador diferen
cial foi inserido um buffer, porm, por causa da altssima resistncia de entrada,
as tenses de entrada nos pontos indicados passam a valer: ponto 1: 1 V; ponto
2: 1,5 V; ponto 3: 1 V; ponto 4: 1,5 V.
Portanto, independentemente das resistncias internas das fontes, o valor da ten
so sempre aparece nas entradas do diferencial (pontos 3 e 4). Assim, o valor na
sada :
VS =

10 k
(1, 5 1) = 5 V
1k

Amplificador de instrumentao
um amplificador diferencial utilizado em circuitos de instrumentos de me
didas de grandezas fsicas (temperatura, massa, deslocamento, fora etc.) e
tambm em instrumentao mdica (por exemplo, aparelhos de presso ar
terial e ECG).
O circuito da figura 7.45 (visto anteriormente) pode ser considerado um am
plificador de instrumentao por causa de sua altssima resistncia de entra
da, porm, quando h necessidade de mudar seu ganho, as duas resistncias
devem ser alteradas ao mesmo tempo, o que torna sua operao um tanto
complicada.

Para o circuito da figura 7.50, considere VREF = 0. Nessa condio, a tenso de


sada em relao s entradas dada por:
VS = (1 +

2R
) ( Ve 2 Ve1 )
RG

em que 1 +

2R
o ganho diferencial (Ad).
RG

Se VREF for diferente de zero, esse valor ser adicionado a VS.


Um exemplo de amplificador de instrumentao o AD620, da Analog Devi
ces. Esse modelo permite variar o ganho com um resistor externo. A figura 7.51
mostra o encapsulamento.
Figura 7.51

RG

-IN

+IN

-VS

RG

+VS

OUTPUT

REF

AD620

Amplificador de
instrumentao AD620,
da Analog Devices.

TOP VIEW

O circuito da figura 7.50 mais prtico, pois nesse caso utiliza-se um nico re
sistor para mudar o ganho (RG). Alm disso, seus componentes esto integrados
208

209

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eletrnica 2

IN (2) e +IN (3): terminais de entrada em que se aplicam os sinais externos.


VS (4) e +VS (7): terminais de alimentao simtrica.
REF (5): terminal de entrada em que se aplica uma tenso para adicionar a VS;
se esse terminal estiver aterrado (caso mais comum), a sada ser dada pela ex
presso:
VS = (1 +

49, 4 k
) ( Ve 2 Ve1 )
RG

Soluo:
No circuito, Ve1 = 6 V e Ve2 =

R
12 .
R+5k

O ganho do circuito vale:


G = 1+

22k
=4
1k

OUTPUT (6): terminal de sada.

Como o ganho do estgio de sada 1, a tenso de sada pode ser calculada por:

RG (1 e 8): entre esses terminais, deve ser colocado o resistor RG, que permitir
determinar o ganho, calculador por:

VS = 4 ( Ve 2 Ve1 ) = 4 (

G = 1+

49, 4 k
49, 4 k
ou RG =
RG
G 1

R
12 6)
R+5

A tabela 7.3 mostra a resistncia de acordo com a temperatura, a tenso em R e


a tenso de sada.

Exemplos

Figura 7.52

CAPTULO 7

1. Considere no circuito da figura 7.52 um voltmetro analgico (V) de 10 V de


fim de escala e uma resistncia (R) que varia com a temperatura conforme a
equao R = 5000 + 100T, em que T a temperatura em graus Celsius e R
a resistncia em ohms. Com base nessas informaes, construa uma escala de
temperatura que varie de 0 C at o valor mximo que pode ser medido, com
intervalos de 10 C.

T (C)

R ()

Ve2 (V)

VS (V)

5000

6,0

10

6000

6,5

2,7

20

7000

7,0

30

8000

7,4

6,9

40

9000

7,7

8,5

50

10000

8,0

10

Tabela 7.3

2k
5k

12 V

Ve2

Com base nos dados da tabela, possvel elaborar uma escala que relaciona
tenso com temperatura, assim como inferir outros valores intermedirios de
temperatura (5, 15, 25, 35 e 45 C).

+ Vcc

5k
Ve1

Ve1

10 k

+
1k

- Vcc
2k

5k

10 k

+ Vcc
-

10 k
Ve2

+Vcc

10 k

VS

+
-Vcc

0
0

10
2

20
4

30
6

40
8

50 oC
10 V

-Vcc

210

211

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eletrnica 2

2. Qual a expresso da tenso na sada do circuito da figura 7.53 em relao s


entradas VS = f (V1, V2, V3)?

CAPTULO 7

principal diferena a necessidade de polarizar a sada em metade do valor de


VCC. Para isso, recomenda-se o uso do divisor de tenso constitudo pelas duas
resistncias R.

Figura 7.53
2R

Vx

+Vcc

Figura 7.54

Amplificador inversor
com fonte nica.

+
R

- Vcc
Vy

2R

+Vcc

+Vcc

R
-

+
- Vcc

R2

VS

C1

Vz
2R

Soluo:
Para encontrarmos essa expresso, devemos iniciar a anlise pela entrada que
estiver mais afastada da sada e ir avanando para as sadas que estiverem mais
prximas. Por exemplo, iniciamos com a entrada V X e a sada no ponto A. O
ganho entre o ponto A e V X 2, logo: VA = 2VX, que uma das entradas
do circuito somador; a outra V Y. A sada desse somador inversor dada por:
VB = [V Y + (2VX)] = V Y 2VX

3
C2

Ve

-Vcc

+Vcc

R1

+
RL

Observe que os capacitores devem se comportar como curto-circuito na menor


frequncia de operao e ser dimensionados de acordo com a resistncia que
esto enxergando em srie. As expresses que apresentam esses valores so:
C1

1
1
e C2
em que fCi a frequncia de corte
2 fci R1
2 fCi RL

inferior do circuito.

A tenso de sada VS est relacionada com as entradas por:

Figura 7.55

VS = 4 ( VZ VB ) = 4 [ VZ ( VY 2 VX )] = 4 VZ + 4 VY + 8 VX

Amplificador inversor com


fonte nica em condies
quiescentes (Ve = 0).
R2

Amplificadores com fonte nica


1

O amplificador operacional pode operar com uma nica fonte, em geral a positi
va. No entanto, existem aplicaes em que o AO no tem a entrada para a fonte
negativa. A seguir, veremos como deve ser usado o AO polarizado com fonte
simples em aplicaes como amplificador inversor e no inversor. Tais aplica
es so similares ao uso do transistor em classe A, implicando que a sada seja
polarizada com metade de VCC, o que otimiza a mxima sada de pico a pico.

2
C1

+Vcc

R1
R
Vcc

5
C2

RL

Amplificador inversor com fonte nica


O circuito muito semelhante ao circuito com fonte simtrica, pois o ganho
tambm especificado pela relao entre as resistncias R1 e R2 (figura 7.54). A
212

213

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eletrnica 2

Em condies quiescentes (Ve = 0), as tenses, contnuas, nos pontos indicados


na figura 7.55 sero:
Ponto 3: por causa do divisor de tenso e do valor da resistncia de entrada
do AO ser muito alta,
V3 = V+ =

VCC
2

Ponto 2: pelo fato de as entradas estarem no mesmo potencial,


V2 = V = V+ =

VCC
2

Ponto 4: como a corrente que circula em R2 nula, seus terminais esto no


mesmo potencial; portanto, a tenso no ponto 4 igual a V2 e metade do
valor de VCC.
Ponto 5: nesse ponto a tenso vale zero, pois o capacitor C2 isola a carga da
sada do AO.

Observando as formas de onda da figura 7.56, conclumos que:


O circuito defasa de 180 os sinais de entrada e sada.
A amplitude de pico a pico do sinal na sada do AO de 4 Vpp, portanto 10
vezes maior que a de entrada.
Na sada do AO a tenso varia ao redor de metade de VCC, isto , 6 V.
Na carga o valor da tenso de 4 Vpp, mas variando ao redor de zero, ou seja,
o capacitor retira o nvel CC de 6 V.
Amplificador no inversor com fonte nica
O circuito de um amplificador no inversor com fonte nica est indicado na fi
gura 7.57. Note que so necessrios trs capacitores para que a polarizao ocorra
em metade de VCC.
Figura 7.57
Amplificador no inversor
com fonte nica.

Quando um sinal aplicado, as tenses variam prximas a valores quies


centes.
Vamos considerar um circuito em que a alimentao seja de 12 V, R1 = 1 k
e R 2 = RL = 10 k. Alm disso, a tenso de entrada senoidal de 0,4 V de
pico a pico com frequncia suficiente para fazer os capacitores se comportarem
como se estivessem em curto-circuito. A figura 7.56 mostra as formas de onda
de entrada, sada e carga do AO em um circuito com essas caractersticas.

CAPTULO 7

Vcc

2
+Vcc

C1

Figura 7.56
Formas de onda de entrada,
sada e carga do AO.

200
100

Ve(mV)

0
-100

5
C3

+
Ve

RL
R2

R1
C2

-200

8
6

V2 (V)

4
2
0

2
1

V3(V)

0
-1
-2

214

A figura 7.58 mostra o circuito em repouso (condies quiescentes), isto ,


Ve = 0. A tenso em cada um dos pontos indicados vale:
Ponto 1: zero por imposio (condies quiescentes).
Ponto 2: metade de VCC, por causa do divisor de tenso com resistncias de
valores iguais.
Ponto 3: metade de VCC, pois as entradas do AO apresentam mesmo poten
cial (ligadas virtualmente).
Ponto 4: metade de VCC, pois no circula corrente nos resistores R2 e R1,
uma vez que o capacitor C2 est aberto.
Ponto 5: zero, pois nesse ponto h ausncia de sinal.
215

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eletrnica 2

Figura 7.58

CAPTULO 7

Observando as formas de onda da figura 7.59, conclumos que:

Amplificador no
inversor com fonte
nica em condies
quiescentes (Ve = 0).

Vcc

2
+Vcc

C1

As tenses de entrada e sada esto em fase.


A amplitude de pico a pico do sinal na sada do AO de 4 Vpp, portanto 10
vezes maior que a de entrada.
Na sada do AO a tenso varia ao redor de metade de VCC, isto , 6 V.
Na carga o valor da tenso de 4 Vpp, porm variando ao redor de zero, ou
seja, o capacitor retira o nvel CC de 6 V.

5
C3

+
R

Integrador
R2

RL

R1
C2

O circuito conhecido por integrador capaz de efetuar a integrao de um


sinal. O operador matemtico usado para calcular a rea abaixo de uma funo
entre dois intervalos chama-se integral. Esse circuito utilizado em sistemas
de controle PID (proporcional, integral e derivativo) para modificar a forma de
onda por exemplo, para transformar uma onda quadrada em triangular. A
figura 7. 60a mostra o circuito bsico e a figura 7.60b, o circuito prtico.
Figura 7.60

Vamos considerar agora um circuito em que a alimentao seja de 12 V, R1 = 1 k


e R2 = RL = 9 k. Alm disso, a tenso de entrada senoidal de 0,4 V de pico a
pico com frequncia suficiente para fazer os capacitores se comportarem como se
estivessem em curto-circuito. A figura 7.59 mostra as formas de onda de entrada,
sada e carga do AO em um circuito com essas caractersticas.

C
R
Ve

+Vcc
R

+
-Vcc

Figura 7.59
Formas de onda de entrada,
sada e carga do AO.

Integrador:
(a) circuito bsico e
(b) circuito prtico.

Rp

Vs

Ve

(a)

+Vcc

+
-Vcc

Vs

(b)

200
100

Ve(V)

0
-100
-200

A expresso matemtica da sada em relao entrada :

V4 (V)

6
4

VS =

1
Ve dt
RC

V5(V)

em que o smbolo do operador matemtico integral.

Em matemtica, emprega-se a integral para calcular a rea abaixo de uma fun


o. Veja, na figura 7.61, o grfico da funo y = x2 e considere dois valores de x,
x1 = 2 e x2 = 4, para os quais y vale respectivamente y1 = 4 e y2 = 16.

1
0
-1
-2

216

Como calcular a rea hachurada? Uma vez que essa rea no representa nenhu
ma forma conhecida (tringulo, quadrado, crculo etc.), a soluo somente pode
ser encontrada usando o operador integral.
217

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eletrnica 2

Figura 7.61

CAPTULO 7

A frequncia de corte do circuito vale:

Uso do operador integral


para clculo de rea.

fC =

16

1
1
=
= 156 Hz
2 RP C 2 10 103 0,1 106
Figura 7.62
Rp
10 k

4
2

C
0.1

R
1k

RP
R

Em consequncia, o circuito que efetuava a integrao para qualquer frequncia


do sinal de entrada agora realiza para determinadas frequncias. O circuito se
comporta como integrador, porm somente para frequncias maiores que a fre
quncia de corte (fC), que dada por:

Observe que o circuito pode se comportar como um filtro passa-baixa, j que,


acima da frequncia de corte, o sinal atenuado.
Exemplo
Considere o circuito integrador da figura 7.62. Qual a forma de onda da sada se
a entrada for uma onda quadrada?
218

+Vcc
Vs

+
Ve

-Vcc

Soluo:
O ganho em CC vale 10 (20 dB). Se a frequncia aumenta, o ganho diminui,
por causa da reduo da reatncia do capacitor. Por exemplo, na frequncia de
corte, de 17 dB, ou seja, 3 dB abaixo do ganho no patamar.
A figura 7.63 apresenta a curva de resposta em frequncia do ganho do circuito.

Figura 7.63
Curva de resposta em
frequncia do ganho do
circuito da figura 7.62.

30.000

20.000

1
fC =
2 RP C

17
Ganho( dB)

Reforando o que foi dito, o circuito somente se comportar como integrador


para frequncias muito maiores que a frequncia de corte e como amplificador
inversor para frequncias muito menores.

Voc lembra por que o dispositivo se chama amplificador operacional? Porque


ele realiza inmeras operaes, entre elas a integrao. Vamos conhecer outras
caractersticas desse circuito.
O circuito da figura 7.60a no usado por causa das limitaes do AO, porque
entra em saturao facilmente. Podemos observar que o capacitor um circuito
aberto em CC e, nessas condies, o ganho muito elevado. Dessa maneira,
qualquer tenso CC, por menor que seja, leva o AO a saturar. Entretanto, na
prtica, para o circuito da figura 7.60b, colocamos um resistor em paralelo ao
capacitor, o que resulta em uma realimentao em CC, limitando o ganho a:

Circuito integrador.

10.000

-20dB/decada
0.000

-10.000

-20.000

-30.000

10

100

156

1k

10k

100k

f(Hz )

219

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eletrnica 2

Figura 7.65

Observe que o grfico mostra a variao da amplitude quando a frequncia


aumenta. A taxa de atenuao de 20 dB/decada. Esse valor maior que a
frequncia de corte, pois o ganho diminui 10 vezes em razo de a frequncia
aumentar 10 vezes.
O que acontece com a forma de onda da tenso na sada (VS) se a entrada for
uma onda quadrada? A resposta vai depender da frequncia de operao.

CAPTULO 7

Resposta a uma onda


quadrada de frequncia
2 kHz e amplitude 1 VP.

1.5
1.0
0.5

Ve (V)

0.0

0.25

0.50

0.75

-0.5

Se a frequncia da onda quadrada for bem menor que 10 Hz, a sada ser como
indicado na figura 7.64.

-1.0
-1.5

Figura 7.64
Resposta a uma onda
quadrada de frequncia
10 Hz e amplitude 1 VP.

2.0
1.0

1.500
1.000

Vs(V)

0.500

Ve(V)

0.000

0.50

0.75

-2.0

-1.000
-1.500

0.25

-1.0

t(ms)

-0.500

0.0

0.000

50.000

100.000

150.000

12.000
8.000

Figura 7.66

4.000

Vs(V)

0.000

t(ms)

-4.000

Circuito integrador como


filtro passa-baixa:
a) entrada e
b) sada.

-8.000
12.000

0.000

50.000

100.000

150.000

Ve (V)

-2

Note que a sada uma onda quadrada (com uma pequena distoro) invertida
e amplificada 10 vezes.

(a)
12

O que acontece se a frequncia for muito maior que a de corte? O circuito se


comportar como integrador e a forma de onda da sada ser semelhante da
figura 7.65. A sada ser uma onda triangular e invertida, reforando o conceito
de integral.
Outra anlise possvel imaginarmos o circuito como um filtro passa-baixa.
Considere que a entrada obtida somando uma tenso senoidal de 50 Hz e 1
V de pico a uma tenso senoidal de 2 kHz e 0,2 V de pico que funciona como
rudo indesejvel. A figura 7.66a mostra o sinal de entrada e a figura 7.66b, a
sada aps a filtragem.
220

Vs(V)

12

(b)

221

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Diferenciador

Figura 7.68
R

O diferenciador oposto ao integrador, ou seja, apresenta na sada uma tenso


proporcional derivada da tenso de entrada. Esse circuito usado em sistemas de
controle, na gerao de pulsos e como filtro.

+Vcc

Rs

A derivada tambm um operador matemtico, igual inclinao ou tangente


em determinado ponto de um grfico. O grfico da figura 7.67a representa a
funo y = 5x e o da figura 7.67b, a funo y = x 2. A derivada da funo para
x = 2 uma tangente.

+Vcc

C
-

Ve

Diferenciador:
a) circuito bsico e
b) circuito prtico.

Ve

Vs

-Vcc

+
-Vcc

(a)

Vs

(b)

Figura 7.67
Conceito de derivada.
y

10

16

Na prtica, no se usa o circuito da figura 7.68a, pois o capacitor (C) instalado


na entrada suscetvel a rudo
( XC =

A
2

A
2

a)

b)

Nos dois grficos, a derivada (inclinao) no ponto A numericamente igual


tangente passando pelo ponto A. Est claro que a derivada constante no caso
da figura 7.67a e depende do ponto escolhido no caso da 7.67b.
No circuito da figura 7.68a, a tenso de sada ser proporcional derivada da
tenso de entrada, podendo ser representada por:
dV
VS = R C e
dt

1
),
2f C

ocasionando alta frequncia, o que levaria a sada saturao. Utiliza-se, ento,


o circuito da figura 7.68b. O resistor (R) limita o ganho em frequncias altas,
mas o circuito s opera como diferenciador para frequncias muito maiores que
a frequncia de corte, definida por:
fC =

1
2 RS C

Para frequncias maiores que a frequncia de corte, o circuito se comportar


como amplificador inversor de ganho:

R
RS

Exemplo
Considere o circuito da figura 7.69. Qual a forma de onda da tenso na sada se
o sinal de entrada for uma onda triangular? E se for uma onda quadrada?

em que d significa variao muito pequena (infinitesimal).


Por vezes isso vem escrito da seguinte forma:
Ve
VS = R C
t
em que D (delta) representa variao finita.
Portanto,
222

Figura 7.69

R
10 k
Rs
C
1 k 0.01uF

Circuito diferenciador.

+ Vcc
-

Ve

+
-Vcc

Vs

Ve
a variao da tenso de entrada de acordo com o tempo.
t
223

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eletrnica 2

Soluo:
A forma de onda da sada depende da frequncia do sinal em relao frequncia
de corte, que, nesse caso, vale:
fC =

CAPTULO 7

O diferenciador pode se comportar como filtro passa-alta, conforme ilustra a


figura 7.72, em que a frequncia de corte vale 16 kHz.
30

1
= 16 000 Hz
2 10 0, 01 106

17

20

Ganho( dB)

10

Se o sinal de entrada for uma onda triangular de frequncia bem menor que a
de corte, o circuito ser diferenciador e a onda de sada ser quadrada, pois a
derivada de uma rampa uma constante. A figura 7.70 apresenta as formas de
onda de entrada e sada nessas condies.

-30

1.5

Ve(V)

-10

-20

Figura 7.70
Resposta de um
diferenciador a uma
entrada triangular.

-40

0.0

100

1k

f(Hz )

10k

16

70k

-1.5

Vs(V)

2.0

Filtros ativos

0.0

Filtros so circuitos que deixam passar sinais de determinadas frequncias, atenu


ando as outras e de acordo com essas caractersticas. Existem os seguintes filtros:

Figura 7.72
Curva de resposta em
frequncia do circuito
da figura 7.69.

2.0

Outra aplicao do diferenciador obter pulsos a partir de uma onda quadrada


(figura 7.71).
Figura 7.71
Resposta de um
diferenciador a uma
entrada quadrada.

1.5
1.0
0.5

Ve(V)

0.0
-0.5
-1.0
-1.5

10
5

Vs(V)

0
-5
-10

Filtro passa-alta (FPA).


Filtro passa-baixa (FPB).
Filtro passa-faixa (FPF).
Filtro rejeita-faixa (FRF).
Os filtros podem ser construdos apenas com elementos passivos (resistores, ca
pacitores e indutores) ou com elementos passivos e ativos, como os com amplifi
cador operacional, que permitem obter uma sada amplificada e com muito mais
seletividade. Outra vantagem dos filtros com AO em relao aos filtros passivos
a resistncia de entrada muito elevada e a resistncia de sada muito baixa, o que
possibilita ligar o filtro a uma carga sem modificar a frequncia de corte.
Em razo da grande diversidade de circuitos, consideraremos aqui somente o
filtro passa-baixa e o filtro passa-alta, de primeira e de segunda ordens. Os filtros
de primeira ordem tm atenuao de 20 dB/decada e os de segunda ordem, de
40 dB/decada.
Filtro passa-baixa de primeira ordem
A figura 7.73 mostra o circuito e a curva de resposta em frequncia de um FPB
de primeira ordem. A frequncia de corte dada por:
fC =

224

1
2 R C

225

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eletrnica 2

O mdulo do ganho calculado por:

Acima da frequncia de corte, o ganho atenuado de 20 dB/decada.

Ganho =

(a)
R
1k

+ Vcc
+

Ve

R2
9k

Ganho =

aproximao por trechos de retas

30

Ganho (dB)

A Vf

2
1+ f
f

10
f
1+
1600

Se f = 1600 Hz, o ganho vale:

20

17

10

Ganho =

-20dB/decada
0

-10

-20

Para o circuito da figura 7.73a, a expresso do mdulo do ganho em relao


frequncia :

(b)
curva real

f
1+
fC

Ganho = 20 log

-Vcc

R1
1k

A Vf

e, em decibis:

Vs

C
0.01uF

CAPTULO 7

10
1600
1+
1600

10
1 + (1)2

= 7, 07

e, em decibis:
10

100

1k

1,6

10k

60k

Ganho = 20 log 7, 07 = 17 dB

f(Hz )

Filtro passa-alta de primeira ordem


Figura 7.73
Filtro passa-baixa de
primeira ordem:
(a) circuito e
(b) curva de resposta.

A expresso da tenso de sada (VS) em relao entrada (Ve) dada por:


Ganho =

VS
=
Ve

A Vf
1 + j(

f
)
fC

O ganho um nmero complexo, ou seja, tem mdulo e fase. Nesse caso, AVf
o ganho de malha fechada determinado pelos resistores R1 e R2 por exemplo,
AVf = 10 ou 20 dB e fC a frequncia de corte, dada por:
1
1
fC =
=
= 1600 Hz
3
2 R C 2 10 0,1 106
226

Essa configurao obtida invertendo as posies de R e C, como no circuito


da figura 7.74a.
Para obter a frequncia de corte, utiliza-se a expresso vista anteriormente:
fC =

1
2 R C

Nesse caso, o mdulo do ganho vale:


Ganho =

A Vf
f
1+ C
f

A Vf

e Ganho = 20 log
2
1 + fC
f

227

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eletrnica 2

Figura 7.74

C
0.1u

Filtro passa-alta de primeira


ordem:
a) circuito e
b) curva de resposta.

Esse valor equivalente ao obtido no grfico da figura 7.74b.

+Vcc
+
Vs

R
1k

Ve

O filtro passa-baixa de segunda ordem (figura 7.75) usa dois capacitores e dois
resistores para impor a frequncia de corte. Para obter uma resposta mais pla
na possvel, o ganho de malha fechada do amplificador no inversor deve ser
aproximadamente 1,58. Portanto, a relao entre os resistores : R2 = 0,58R1.
Assim, a frequncia de corte determinada por:

R2
9k

(a)
Ganho (dB)

curva real

Para finalizar, o valor de tenso : VS = 0,31Ve = 0,315 = 1,55 VP


Filtro passa-baixa de segunda ordem

-Vcc

R1
1k

aproximao por trechos de retas

30

fC =

20

17

CAPTULO 7

1
2 R C

-20dB/decada

Por exemplo, se R1 = 1 k, R2 = 0,58 k e C = 0,1 F, a frequncia de corte ser:

10

fC =

-10

1
1600 Hz
2 10 0,1 106
3

Figura 7.75
Filtro passa-baixa de
segunda ordem:
a) circuito e
b) curva de resposta.

-20

-30

10

100

f(Hz)

1k

1,6

C
0,1 F

10k

(b)

R
1k

Exemplo

+
-

R
1k

+Vcc
Vs

+
-

Ve

R2
0.58 k

-Vcc

0,1 F

Considere que no circuito da figura 7.74a a entrada senoidal, de frequncia


50Hz e amplitude 5 VP. Qual a amplitude da tenso na sada?

R1
1k

(a)

Soluo:

Ganho(dB)

Para calcularmos a amplitude da sada, precisamos determinar o ganho nessa


frequncia. Podemos, ento, utilizar a expresso do mdulo do ganho.
fC =

1
= 1600 Hz
2 10 0,1 106
3

curva real

aproximao por trechos de retas

20
10
4
1
0

-40dB/dcada

-10
-20

Para f = 50 Hz:

-30

Ganho =

10
1600
1+
50

10
1 + 1024

= 0, 31

e, em decibis: |Ganho| = 20log0,31 = 10,1 dB


228

-40
-50

10

100

1k

f(Hz)

1,6k

10k

(b)

229

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eletrnica 2

Figura 7.76
Filtro passa-alta de
segunda ordem:
a) circuito e
b) curva de resposta.

CAPTULO 7

Filtro passa-alta de segunda ordem

7.2.5 Aplicaes no lineares

O filtro passa-alta de segunda ordem obtido invertendo as posies de R e


C no filtro passa-baixa de segunda ordem da figura 7.75a. A relao entre os
resistores a mesma, ou seja, R2 = 0,58R1, e a frequncia de corte tambm
calculada por:

As aplicaes no lineares ocorrem pelo fato de o AO ter ganho muito elevado


e, consequentemente, qualquer diferena de tenso aplicada nos terminais de
entrada suficiente para levar a sada a saturar.

Comparador de zero no inversor


fC =

1
2 R C

No circuito comparador de zero no inversor (figura 7.77a), a tenso aplicada


na entrada inversora, que simultaneamente comparada com 0 V. A figura 7.77b
mostra a curva de transferncia para valores de tenso de entrada maiores ou
menores que 0 V. Observe que a sada satura positivamente se Ve > 0 e negati
vamente se Ve < 0.

R
1k

Figura 7.77
C
0,1 F

C
0,1 F

+Vcc
+
_

Ve
-Vcc

R
1k

+Vcc

Vs
R2

0.58 k

Ve

(a)

(a)
Ganho (dB)
20

curva real

Vs
Ve
-Vsat
(b)

aproximao por trechos de retas

Outra caracterstica desse circuito a forma de onda na sada: se a entrada for


senoidal, a sada ser uma onda quadrada em fase com a senoidal e de mesma
frequncia (figura 7.78).

10
4
1 0
-10

+Vsat

-Vcc

R1
1k

Comparador de zero
no inversor:
a) circuito e
b) curva de transferncia.

Vs

-40dB/decada

Figura 7.78

-20
-30
-40

0.5

-50

Ve(V) 0.0

-60
-70
-80 10

-0.5
100

f(Hz)

1k

1,6k

10k

(b)

Observe no grfico da figura 7.76a a atenuao de 40 dB/decada abaixo da fre


quncia de corte. Isso significa que, se a frequncia diminuir 10 vezes, o ganho
ser atenuado em 100 vezes. Por exemplo, se o sinal de entrada for senoidal e
de frequncia 700 Hz, o ganho valer 10 dB ou 0,31. Se a frequncia diminuir
para 70 Hz, o ganho ser de 50 dB ou 0,0031. Todos esses valores de ganho
foram obtidos da curva de resposta em frequncia.
230

Formas de onda:
a) entrada e
b) sada.

1.0

-1.0

(a)

+Vsat 15
10
5
Vs(V) 0
-5
-Vsat 10
15

(b)

231

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eletrnica 2

CAPTULO 7

Comparador de zero inversor

Comparador de zero inversor com histerese

No circuito comparador de zero inversor (7.79a), a tenso deve ser aplicada na


entrada inversora, e a entrada no inversora, conectada ao terra. A figura 7.79b
apresenta a curva de transferncia (VSVe). Note que a sada satura negativa
mente se Ve > 0 e positivamente se Ve < 0.

Os dois circuitos comparadores apresentados, por causa dos altssimos ganhos,


so suscetveis a rudos para valores de tenso de entrada prximos a zero. Se a
tenso de entrada estiver passando por zero (ou fixar-se em 0 V) e aparecer um
rudo de sinal na entrada, a tenso da sada oscilar entre +Vsat e Vsat at que a
amplitude de uma das entradas supere a amplitude do rudo. Para amenizar esse
problema, aplica-se histerese para valores de tenso prximos a 0 V. A histerese,
alm de proteger a entrada do circuito contra rudos, acelera a mudana de esta
do. Veja o circuito e a curva de transferncia na figura 7.81.

Figura 7.79
Comparador de
zero inversor:
a) circuito e
b) curva de transferncia.

Vs
+Vsat

+Vcc
-

Figura 7.81
+Vcc

Ve

Vs

Vs

Vs

Ve

-Vcc
(a)

+Vsat
Histerese

-Vsat

-Vcc

Ve

Comparador de zero
inversor com histerese:
a) circuito e
b) curva de transferncia.

R2

(b)

V2

V1

Ve

R1
-Vsat

Outra caracterstica desse circuito a forma de onda na sada: se a entrada for


senoidal, a sada ser uma onda quadrada defasada de 180 em relao entrada
e de mesma frequncia (figura 7.80).

(a)

(b)

A transio de +Vsat para Vsat ocorre quando Ve > V1 e a de Vsat para +Vsat,
quando na entrada V3 < V2.

Figura 7.80
Formas de onda:
a) entrada e
b) sada.

1.0

As tenses de limiar podem ser calculadas por:

0.5
Ve(V)

0.0

(a)

V1 =

R1
R1
Vsat ( + ) e V2 =
Vsat ( )
R1 + R2
R1 + R2

-0.5

Um exemplo de aplicao dessa configurao no primeiro circuito de frequen


cmetros digitais.

-1.0

+Vsat

Vs(V)

(b)

A amplitude da histerese depende do nvel de rudo do local em que o circuito


est instalado: em locais com alto nvel de rudo, o circuito requer histerese
maior; em locais com baixo nvel do rudo, histerese menor. O valor da histerese
definido como: H = V1 V2.

Comparador de nvel
-Vsat

232

Em um circuito comparador de nvel, so aplicadas tenso (Ve) em uma das en


tradas e tenso de referncia (VR) na outra. A figura 7.82 mostra um comparador
de nvel e sua curva de transferncia.
233

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eletrnica 2

Em que situaes esse circuito utilizado? Em qualquer uma em que seja neces
srio comprovar se uma condio verdadeira ou no. Por exemplo, queremos
saber se a gua de um reservatrio atingiu determinado nvel ou no. Se no
atingiu, a sada do comparador mantm a bomba ligada. Quando a gua do
reservatrio atinge o nvel estimado, a sada do AO se altera e a bomba desli
gada. Note que, para essas condies, o nvel mximo do reservatrio deve ser
associado aplicao de tenso em uma das entradas e de tenso de referncia na
outra. O mesmo raciocnio vale para situaes com outras grandezas; em vez de
nvel, a tenso pode estar associada a temperatura, posio etc.

Figura 7.82
Comparador de
nvel inversor:
a) circuito e
b) curva de transferncia.

V+ =

CAPTULO 7

R 10
2 k 10 V
= 4 V ; V = v
Rv + 9
2k +3k

Logo, para que o LED acenda, V+ > V- ou:


4>

R v 10
Rv < 6 K
Rv + 9

Monoestvel
Vs
+Vsat

+Vcc
+
Ve

Vs

VR

- Vcc

VR

Ve

Um monoestvel tem dois estados: um estvel e um instvel. O circuito muda do


estado estvel para o instvel quando recebe uma ao externa (pulso). O circuito
se mantm instvel por um tempo determinado, que depende de um resistor e um
capacitor. Depois desse tempo, o circuito volta automaticamente para o estado
estvel. Existem vrias maneiras de construir um monoestvel. A figura 7.84
mostra um circuito monoestvel com AO e as formas de onda obtidas na sada.
Figura 7.84

-Vsat
(a)

a) Circuito monoestvel
disparado manualmente e
b) formas de onda.

(b)

Exemplo

+Vcc
-

No circuito da figura 7.83, para quais valores de Rv o LED acende?

Figura 7.83

- Vcc

CH

+10 V
- Vcc
9k

3k

Vs

+
R2

R1
(a)

+Vcc
+

Rv

2k

1k

+Vsat

+Vsat

- Vcc
0,7 V
0

Soluo:
Para que o LED acenda, a tenso na sada deve ser alta e, consequentemente, a
tenso na entrada no inversora tem de ser maior que a tenso na entrada inver
sora, isto :
234

.V

sat

-Vsat

-Vsat
Ti
(b)

235

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eletrnica 2

O circuito monoestvel inicia a operao no estado estvel, com a sada em +Vsat


e o diodo D conduzindo com tenso em C, limitada em 0,7 V. Por meio do di
visor de tenso, parte da tenso de sada (Vsat) realimentada para a entrada
no inversora quando Vsat > 0,7 V. Nessas condies, a sada permanece em
+Vsat, caracterizando o estado estvel.
Quando se aciona momentaneamente a chave CH, uma tenso negativa im
posta na entrada no inversora, ocasionando saturao negativa (Vsat) na sada.
Nessas condies, parte da tenso realimentada segue para a entrada no inver
sora, mantendo a sada em nvel baixo mesmo que a chave seja desacionada. A
partir desse instante, o capacitor comea a se carregar, reduzindo a tenso para
Vsat (observe que o diodo corta). Quando a tenso no capacitor atinge Vsat,
a sada aumenta para +Vsat e o circuito retorna ao estado estvel.
Apesar de se encontrar no estado estvel, o circuito no permite novo disparo,
pois isso faria com que a durao do estado instvel fosse menor. Outro dispa
ro pode ser aplicado apenas quando o circuito se recuperar totalmente (chave
fechada momentaneamente).
A durao do estado instvel dada por: Ti = R C ln

1
1

CAPTULO 7

Astvel
O astvel um oscilador de onda quadrada que funciona por meio da carga de
um capacitor. A figura 7.86 mostra o circuito bsico. Nele, a sada oscila entre
+Vsat e Vsat quando as tenses de entrada so comparadas entre si. A tenso na
entrada inversora igual tenso no capacitor e a tenso na entrada no inver
sora uma parcela da tenso de sada.
Se VC = V > V+, a sada ser Vsat; do contrrio, +Vsat.
Considerando, por convenincia, que a saturao positiva igual negativa, ento:
V+ =

R1
Vsat = Vsat
R1 + R2

O perodo das oscilaes calculado por:


T = 2 R C In

1+
R1
, em que =
.
1
R1 + R2
Figura 7.86

R1
em que =
, que determina qual parcela da sada realimentada para
R1 + R2

Astvel simtrico:
a) circuito e
b) formas de onda.

a entrada no inversora.

+Vcc

VC

A recuperao pode ser mais rpida se for feita com um resistor de valor bem
menor que R (figura 7.85).

Vs

+
R2

- Vcc

Figura 7.85

Monoestvel de
recuperao rpida.

R1

D2

Rrec

(a)

+ Vcc
Vs

D1

Vs

+Vsat

+
CH

- Vcc

R2

Vc
0

- Vcc

R1

-Vsat
TL

Quando a sada muda para Vsat e o circuito entra no estado instvel, o capa
citor passa a se carregar por R. Quando o circuito retorna ao estado estvel, o
capacitor se carrega por Rrec, que tem valor de resistncia muito menor que R.
236

TH
T

(b)

237

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eletrnica 2

Como o circuito simtrico, os tempos alto (TH) e baixo (TL) so iguais, ou


seja:
TH = TL = R C In

1+
1

Quando necessrio que o tempo alto seja diferente do baixo, pode-se usar o
circuito da figura 7.87.
Figura 7.87

CAPTULO 7

Nesse circuito, quando a sada alta, o diodo D1 conduz e o capacitor passa a se


carregar por R4 (10 k), determinando o tempo alto. Quando a sada baixa, o
diodo D2 conduz e o capacitor passa a se carregar por R3, determinando o tempo
baixo. Os tempos alto e baixo so calculados, respectivamente, por:
TH = R 4 C In

1+
1+
e TL = R3 C In
1
1

Comparador de janela

Astvel assimtrico:
a) circuito e
b) formas de onda.

R3
20 k

D1

Esse circuito detecta quando o valor de uma tenso est compreendido entre
dois limites (figura 7.88). Na prtica, como a cada valor de tenso est associado
o valor de uma varivel fsica, o circuito pode ser usado para detectar um inter
valo de temperatura, de intensidade luminosa ou sonora etc.

R4
10 k

D2

Figura 7.88

+Vcc

VC
-

C
0,1uF

VS

VR2
4V

D2

R2
10 k

- Vcc

Comparador de janela:
a) circuito e
b) curva de transferncia.

+ Vcc

Ve

R1
10 k

Vs

+ Vcc
-

D1

RL
1k

+
VR1
2V

(a)

(a)
Vs

15

+Vsat

Vsat

10

Vs(V)

Vc

+ .Vsat

- .Vsat

4
Ve(V)

(b)

-Vsat
TH

TL

(b)

238

As tenses de referncia VR1 e VR2 so obtidas de divisores de tenso, e a tenso


de entrada Ve, de um divisor de tenso em que uma das resistncias um sensor
que converte a variao de uma grandeza fsica em variao de resistncia.
239

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eletrnica 2

Retificador de meia onda


No circuito da figura 7.88, para Ve < 0, a sada do AO positiva, polarizando o
diodo D2 de maneira direta e o diodo D1 reversamente. O fluxo da corrente por
R3 e o circuito opera como um amplificador inversor de ganho

R3
.
R1

Uma caracterstica interessante desse circuito que ele consegue retificar sinais
com amplitude bem menores que 0,6 V. Isso porque a tenso de conduo do
diodo reduzida a
0, 7 V
, em que AV o ganho em malha aberta.
AV

Retificador de onda completa

A tenso na sada desse circuito pode ser determinada por:


VS =

CAPTULO 7

R3
Ve
R2

Analisando o circuito da figura 7.89a, possvel notar que, mantendo a entrada


positiva, o diodo D2 corta e o diodo D1 conduz, e a corrente circula por R2. A
tenso de sada obtida de R3 e do anodo de D1, que est ligado entrada inver
sora, e, por estar ligada virtualmente ao terra, a sada Vs nula.

R
2k

R
2k

Como R3 = R1, a amplitude da tenso de sada a mesma da de entrada.


R1
1k

R1
1k

+Vcc

R2
1k

Ve

+
Ve

D2

R3
1k

+Vcc

+
D2

- Vcc

Vs
F

+
- Vcc

R
2k

Vs

R
2k

+Vcc

B
-

D1

Circuito retificador
de onda completa.

D1

Figura 7.89
Retificador de meia onda:
a) circuito e
b) formas de onda
de entrada e sada.

Figura 7.90

Existem vrios circuitos que executam essa funo, mas vamos considerar o da
figura 7.90, pois ele permite variar o ganho por R1.

(a)

- Vcc
(a)

Ve

A figura 7.91a mostra o circuito no semiciclo positivo. Nessas condies, D1


conduz e D2 corta. A corrente, ao entrar em R1, calculada por:

Vs

Ve
V
, e a tenso no primeiro resistor R, por: U1 = e R
R
R1
1

1
0
0

O ponto D tem mesmo potencial que o E, e, como no entra corrente por E, os


pontos E e B tem mesmo potencial. Alm disso, por causa do curto-circuito vir
tual, o ponto B tem mesmo potencial que o A (terra). Assim, U1 = U2. A corrente
no ponto F determinada por

-0
-1
-1
-2

(b)

240

R
Ve
, e a tenso, por U3 = VS =
Ve .
R1
R1

241

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eletrnica 2

Figura 7.91

CAPTULO 7

Assim, a tenso de sada :

Retificador de
onda completa:
a) semiciclo positivo e
b) semiciclo negativo.

Ve

R
2k

R1

R
2k

R
2k

VS = V + (

U3
Ve

U1

R1
1k

R1

+
-

Ve

U2

+ Vcc

Podemos, ento, concluir que o mdulo do ganho o mesmo para entrada po


sitiva ou negativa.

+Vcc

+
E

Vs

+
- Vcc

Ve V
R
)R =
Ve
R1 R
R1

- Vcc

R
2k

(a)

R
2k
Ve
Ve
R1

R1
1k

R
2k
Ve

V
R

R1

R
2k

D1

R1

+Vcc

B
-

Ve

Vs
F

+
- Vcc
V
R

V
R

+Vcc

D2

- Vcc

R
2k
(b)

No semiciclo negativo (figura 7.91b), a corrente segue por R1. Nessas condies,
D2 conduz e D1 corta. Assim, passa a existir uma corrente circulando por D2.
Considerando que a tenso no ponto E V, a corrente em D2 determinada por
V/R. Portanto, a corrente no ponto C a diferena entre a corrente de entrada
e a corrente em D2:
Ve V

R1 R
Esse valor o mesmo encontrado no ponto F; logo, a tenso na resistncia de
realimentao vale:
(
242

Ve V
)R
R1 R
243

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Captulo 8

Temporizador 555

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.2

(6)

Diagrama de blocos
do CI 555.

(4)

(8)
5k
R1

1
+
-

(5)

R
Q

5k
R2

(3)

circuito integrado (CI) 555 utilizado basicamente como tem


porizador, astvel e biestvel em diversas aplicaes industriais
e em projetos simples com finalidades educativas. Esse disposi
tivo foi desenvolvido inicialmente como NE-5555 pela Signetics na decada de
1970. Hoje fabricado por mais empresas, como a Fairchild (NE555), a Natio
nal Semiconductor (LM555), a Motorola (MC1555), a Philips (NE555), a RCA
(CA555) e a Sanyo (LC7555).
Dentro do envoltrio que condiciona esse dispositivo, h 23 transistores, dois
diodos e 16 resistores (figura 8.1).

Figura 8.1
Circuito interno do CI 555.
Control voltage
5

6K8

R4
Q9

Q21

Discharge
Gnd.

4
7
1

7K

(1)

Os pinos do dispositivo 555 so representados pelos terminais numerados de 1 a


8 na figura 8.2 e apresentam as seguintes finalidades:
1. GND (terra).
2. Trigger (disparo).
3. Sada.
4. Reset.
5. Control (controle de tenso).
6. Threshold (limiar).
7. Descarga.
8. VCC.
Entre os vrios tipos de encapsulamento para esse dispositivo, o mais utilizado
o DIP (dual in line package) de quatro pares de pinos (figura 8.3a.)

R13

R10

10K

R5

Q11 Q12

4K7

Q20

3
R14

Q13

220

Q16

Output

Q24

Q15

Q25
R6

GND

TRIGGER

R9

+Vcc

Esquema de
encapsulamento DIP
de oito pinos.

DISCHARGE

R15

R16

OUTPUT

100

RESET

Para entendermos o funcionamento desse circuito, vamos usar o diagrama de


blocos da figura 8.2, uma vez que quase impossvel fazer uma anlise pelo
esquema do circuito interno.
246

(7)

TR

Figura 8.3
R8
Q10

Q14

5k
R3

Q3

100K

Reset

Q22

Q19

Q4

Q1
Q2

Trigger

R7

5K

5K

Threshold

R12

3K9

Q8

5K

Q6 Q7

R3

1K

R2

4K7

Q5

830

R1

4K7

8
4K7

Vcc

(2)

THRESHOLD
CONTROL
VOLTAGE

Existe um dispositivo, denominado 556, que armazena no encapsulamento dois


circuitos integrados 555 (figura 8.4). Essa verso tem 16 pinos.
247

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eletrnica 2

Figura 8.4

10

COMP

Buffer de sada.
(3)

GE
R

COMP
6

TR
IG

GE
R

OU
TP
UT

Figura 8.7
Q

CO
N

TR

OL

VO

8
COMP

FILP-FLOP

RE
SE

LT
AG
E

OL

GE
TH

RE
SH

AR
CH
DI
S

FILP-FLOP

COMP

4: Buffer de sada o estgio de potncia do 555, responsvel pela razovel


capacidade de corrente que esse dispositivo pode fornecer ou consumir (aproxi
madamente 200 mA).

TR
IG

T
RE
SE

11

12

OU
TP
UT

OL
TR

CO
N

RE
SH
TH

13

GN

D
OL

GE
AR
CH
DI
S

cc

14

VO

LT
AG
E

Dispositivo 556, com dois


circuitos integrados 555.

CAPTULO 8

5: Transistor de descarga Opera como chave nas seguintes situaes: quando


Q = 1, satura descarregando o capacitor externo; quando Q = 0, atua como chave
aberta.
Figura 8.8

Retomando a figura 8.2, podemos observar o divisor constitudo por trs resisto
res de 5 k. Foram esses componentes que deram origem ao nome 555.

(6)

5k
R1

Os blocos indicados nessa figura so:

(6)

5k
R2
(2)

R
S

5k
R1

5k
R2

+
-

5k
R3

(7)

R
S

+
-

(2)
5k
R3

(1)

Figura 8.5

(5)

Transistor de descarga:
a) saturado e
b) cortado.

(4)

(8)

(5)

1 e 2: Comparadores So elementos que promovem uma resposta na sada


pela comparao das entradas: se V+ > V, a sada ser alta; se V+ < V, ser zero
(figura 8.5).

(4)

(8)

(7)

(1)

(a)

(b)

Comparador.

Vs
V+

8.1 Circuito integrado 555 como monoestvel

V-

Como vimos no captulo 7, um circuito monoestvel tem dois estados: um est


vel e um instvel; trata-se do primeiro modo de operao. A figura 8.9a mostra
o circuito bsico e a figura 8.9b, os componentes internos desse circuito.
3: Flip-flop RS (FF RS) um biestvel (figura 8.6a) que muda de estado de
acordo com o nvel das entradas e com a tabela verdade (TV) da figura 8.6b.
Figura 8.6

R1

a) Flip-flop RS e
b) tabela verdade.

Reset
R

(a)

248

Figura 8.9a
+Vcc

QF

QF

0
0
1
1

0 QA
1 1
0 0
1 ?

QA
0
1
?

R
7

Ve

555

CH
5
0,01uF

CI 555 como monoestvel:


circuito bsico.

3
1

Vs

(b)

249

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.9b

Figura 8.10

CI 555 como monoestvel:


circuito com diagrama
de blocos interno.

Formas de onda no
monoestvel.

Pino 2

(6)

RD

(8)
R1
5k

(4)
1

Pino 3 (sada)

+
(5)
0,01uF

2V
cc
3

R2
5k

3
R3
5k

(1)

(3)

Vcc

(2)

CH

Pino 6 (pino 7, capacitor)

R
5

2 VCC
3

(7)

TR

Ti

A durao do estado instvel determinada por:


Observe, na figura 8.9b, as tenses de referncia nas entradas dos comparadores.
A tenso de valor 2/3 VCC est aplicada na entrada inversora (pino 5) do com
parador 1 e comparada com a tenso no inversora (pino 6), que a tenso
no capacitor. A tenso de referncia de valor VCC /3 est aplicada na entrada no
inversora do comparador 2 e comparada com a tenso no pino 2.

Observaes

Para o circuito em anlise, a condio estvel ocorre quando VS = 0, pois nesse


caso a base do transistor TR est com nvel alto e o transistor saturado; portanto,
o capacitor C no consegue se carregar. Se a chave CH est aberta, a tenso no
pino 2 passa a valer VCC, maior que VCC /3; logo, S = 0.

1. O fabricante recomenda que o valor do resistor de temporizao (R) no


seja baixo R 1 k, por questes de segurana), para evitar a saturao do
transistor, pois quando o TR est saturado, a corrente que circula por ele
determinada por:

Como estamos admitindo que a sada zero, podemos concluir que o transistor
interno est saturado, e, assim, a tenso nos pinos 6 e 7 vale zero, apresentando
valor menor que 2/3 VCC; portanto, R = 0. Como as entradas do FF so iguais a
zero, o estado mantido (ver, na figura 8.6b, a TV do FF RS), e a sada perma
nece em zero indefinidamente.

ICsat =

Se a chave CH pressionada momentaneamente, o pino 2 passa a valer zero,


o que faz com que a sada do comparador 2 e, portanto, a entrada S sejam 1.
Essas condies (S = 1 e R = 0) levam FF a ter valor 1 e, logo, Q = 0, cortando
TR e impondo 1 (VCC) na sada. Observe que, mesmo quando a chave aberta,
S=R = 0, o que mantm o estado atual.
A partir da, o capacitor comea a se carregar com constante de tempo RC, o
que leva a tenso a tender para +VCC. Quando a tenso no capacitor, que a mes
ma do pino 6, superior a 2/3 VCC, temos R = 1 e S = 0, o que impe Q=0
e, portanto, Q = 0. Como consequncia, TR satura, descarregando de modo
instantneo o capacitor e fazendo a sada reduzir a zero. A figura 8.10 mostra
graficamente a operao do monoestvel.
250

Ti = 1,1RC

VCC
R

2. A durao do pulso de disparo (tempo que o pino 2 fica em zero) deve


ser menor que a durao da temporizao (Ti).

8.1.1 Aplicaes do monoestvel


Existem inmeras aplicaes do circuito monoestvel. Vamos analisar duas de
las: como temporizador e como divisor de frequncias.

Temporizador
Quando usado como temporizador (timmer), o circuito permite ligar e desligar
automaticamente uma carga (lmpada, motor, alarme etc.) durante um interva
lo que pode ser alterado por meio de ajuste do tempo.
251

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.12

Observe a figura 8.11, que mostra o circuito bsico para acionamento de um


rel. A chave CH1 dispara o circuito e inicia a contagem do tempo, e a chave
CH2 interrompe a contagem e zera o tempo. A resistncia de temporizao
a soma de R e RV. Desse modo, possvel variar o tempo do contador. O
diodo D1 no funcional; ele protege a sada do dispositivo quando a sada
est em zero.

Vcc

555

Figura 8.11

4
CH2

CH1

R
7

0,01uF

555
2

Vs

2.Te

RV
+

(a)

+Vcc
8

6
3

0,01uF

Temporizador.

R2

R
7

R1

Divisor de frequncias.

+Vcc

Ve

Vcc
0
Vcc

Vs

Vs

Ts

(b)

Ti

3.Te

D1

Ve

Vcc
0

Vs

(c)

Ts
Vcc

Ti

Divisor de frequncias
possvel ajustar o tempo de temporizao (Ti) no circuito bsico da figura
8.9a, de maneira que ele passe a operar como divisor de frequncias. Nessas
condies, o sinal de entrada tem frequncia f e o sinal de sada,
f , em que n um nmero inteiro (2, 3, 4...).
n

1
No circuito da figura 8.12a, o sinal de entrada tem frequncia fe Te = .
fe

Assim, Ti deve ser calculado prevendo que, no instante em que a sada estiver
em zero, a entrada tem de estar em alta. As figuras 8.12b e 8.12c mostram dois
casos, como divisor por 2 e como divisor por 3, respectivamente.
Exemplo
Considere, na figura 8.12a, que o sinal de entrada tem frequncia de 1 kHz
(Te = 1 ms). Calcule R para que a sada tenha frequncia de 500 Hz (Ts = 2 ms).

Soluo:
Existem diferentes valores de R que podem resultar em um divisor por 2.
A figura 8.13 apresenta o sinal de entrada e o de sada.
Figura 8.13
Ts=1ms
0,25ms
0,5ms

0,5ms

Exemplo de divisor
por 2 com entrada de
frequncia 1 kHz.

0,5ms

Ti
Ts=2ms

Ts=2ms

Dado: C = 100 nF.


252

253

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.15

Nessa figura, vamos admitir que Ti = 1,75 ms (existem outros valores que satis
fazem a soluo). Nessas condies, R pode ser calculado.

Disparo pela borda no


circuito do monoestvel.

Como Ti = 1,1RC, ento:


R=

CH pressionada
momentaneamente

V2

1, 75 103
16 k
11
, 100 109

Vcc

t1

VS

8.1.2 Cadeia de monoestveis

Vcc

Essa configurao chamada de cadeia porque vrios monoestveis esto in


terligados em sequncia, de maneira que um monoestvel dispara o seguinte,
enquanto est ocorrendo a descida do pulso. A finalidade principal permitir
que sejam ligadas atividades sequenciais com durao determinada de tempo
(figura 8.14).
Figura 8.14
Cadeia de monoestveis:
a) diagrama de blocos e
b) diagrama de tempos.

Incio

M1

M2

M3

Ti=10s

Ti=20s

Ti=15s

+Vcc
R2

R1

4
7

C1

555
CH

M4

0,01uF

Ti=25s

Vs

(a)

Incio

M1

8.2 Circuito integrado 555 como astvel

10s

M2

20s

O circuito bsico apresentado na figura 8.16a, e seu diagrama de blocos inter


nos, na figura 8.16b.

M3

O disparo pela borda


acontece quando a tenso
no pino 2 (trigger) muda
de +VCC para zero, e essa
variao transformada
em um pulso por meio de
um circuito diferenciador
(R1 e C1 na figura 8.15).
Tal procedimento usado
para que a sada de um
monoestvel dispare o
monoestvel subsequente
(cadeia de monoestveis).

254

M4

15s
25s

(b)

Quando desejamos que ocorra disparo pela borda do pulso, basta colocarmos
um diferenciador na entrada R1 e no capacitor C1 (figura 8.15). A chave CH, ao
ser pressionada, liga o capacitor ao terra, fazendo com que no pino 2 momenta
neamente seja aplicado 0 V, o que dispara o monoestvel, iniciando a temporiza
o. C1, ento, comea a se carregar por R1.

Como o circuito da figura 8.16 um oscilador, devemos considerar uma sada


em cada instante e analisar o circuito a partir desse ponto. Nessa anlise,
vamos levar em conta as seguintes informaes: sada alta (Q = 1); capacitor
carregando-se (Q = 0); transistor interno cortado com tenso tendendo a +VCC
(figura 8.17a).
Quando h tenso em C, existe tenso em VC = V2 = V6. Nesse momento, se a
tenso em C maior que
2
VCC , ento R = 1 e S = 0, o que impe: Q = 0 (reset) e Q = 1.
3
255

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.16
Astvel:
a) circuito bsico e
b) circuito com diagrama
de blocos interno.

+Vcc

+Vcc

(4)

(4)

RA

555
5
0,01uF

Vcc

0V

Icarga

RA

6
2

RA

RA

+Vcc

Vcc

0V

S
Icarga

3 Vs

Idescarga
RB

(7)

(a)

(a)
(8)

(4)

R1
5k

RA

(5)
2V
cc
3

Figura 8.18
12

R
Q

R2
5k

Vs(V)

(3)

TL

TH

S
Vcc

(2)

Capacitor:
a) carga e
b) descarga.

(b)

0,01uF

Figura 8.17

(7)
C

(6)

RB

Idescarga

+
5

RB

8
Vc(V)

(7)

R3
5k

Formas de onda da
tenso na sada (VS) e
no capacitor (VC) do
circuito da figura 8.16a.

TR
C

(1)

(b)

0
T

Um transistor
levado condio de
corte (ou cortado)
quando torna todas
as correntes nulas
e tenta aplicar
novamente tenso
no circuito.

256

Com isso, a sada (pino 3) vai a zero e o transistor TR satura, fazendo com que
o capacitor se descarregue por meio de RB e do transistor interno (figura 8.17b).

O perodo das oscilaes dado por:

V
Quando a tenso em C fica abaixo de CC , ento R = 0 e S = 1, o que impe:
3
Q = 1 e Q = 0.

T = TH + T L

Desse modo, o transistor interno levado condio de corte e o capacitor


volta a se carregar (a partir de VCC /3), e o ciclo se repete.

em que TH o tempo alto e TL o tempo baixo. Assim:

A figura 8.18 mostra as formas de onda no capacitor e na sada do circuito da


figura 8.16a.

TH = 0,69(R A + RB)C e TL = 0,69R AC.


257

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eletrnica 2

CAPTULO 8

Figura 8.20

Se RB >> RA, os tempos alto e baixo sero aproximadamente iguais, sempre. Lem
bre que a resistncia R A deve ser maior que 1 k para proteger o transistor interno.
+Vcc(12 V)

Genericamente, o tempo pode ser determinado pelas expresses:


8

4
7

TH = 0,69RcargaC e TL = 0,69RdescargaC.
555

Rcarga a resistncia que o capacitor enxerga durante a carga e Rdescarga a resis


tncia que o capacitor enxerga na descarga.

5
0,01uF

Observe que, se os caminhos da carga e da descarga puderem ser controlados,


possvel administrar os tempos alto e baixo. Por exemplo, no circuito da figura
8.19a, a carga do capacitor feita por R1 + R2 (34 k) e a descarga, por R 2//R3
(33 k//5 k), resultando nas formas de onda da figura 8.19b.

R2
33 k

R3
5k
D

C
100nF

(a)

12

Figura 8.19

6
2
3 V
s

R1
1k

a) Circuito com tempo alto


muito menor que o baixo e
b) formas de onda.

Vs(V)

+Vcc(12V)

a) Circuito com tempo alto


muito maior que o baixo e
b) formas de onda.

4
7

555
5
0,01uF

6
2
3 V
s

R1
1k
R2
33 k

R3
5k

Vc(V)
4

(b)

100nF

(a)

12

Vs(V)

8.3 Circuito integrado 555 como biestvel

O circuito integrado 555 pode ser usado como biestvel controlado por tenso.
Nessa configurao, ele chamado de Schmitt Trigger. Observe, na figura 8.21,
que o sinal de entrada aplicado nos pinos 2 e 6, por meio de um capacitor C1.
Os resistores R1 e R2 polarizam as entradas 2 e 6 com a tenso:

V2 = V6 =

Vc(V)

(b)

No entanto, se o diodo for invertido, o tempo alto ser muito menor que o
baixo, como mostra a figura 8.20a. O diodo D conduz na carga do capacitor,
que feita por R1 + (R 2//R3), ou seja, 1 k + (33 k//5 k). Na descarga, o
diodo corta e o capacitor descarrega por R 2 (33 k), resultando nas formas de
onda da figura 8.20b.
258

R2
Vcc
R1 + R2

Quando R1 = R 2 = R, a tenso de polarizao Vcc /2. Vimos que, se a tenso no


pino 6 for maior que 2/3 Vcc, R = 1; se maior que 1/3 Vcc , S = 0 e, portanto,
VS = 0.
Quando a tenso nos pinos 6 e 2 fica menor que 1/3 Vcc , temos R = 0 e S = 1,
o que impe na sada a tenso VCC.
259

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ELETRNICA 2

Figura 8.21
Schmitt trigger:
a) circuito e
b) formas de onda.

+Vcc
8

4
7

R1
C1

Ve

V2

555

2
R2

Captulo 9

3 V
s

5
C2
0,01uF

(a)

Ve
(V)

2
0
-2
-4
12

V2
(V)

8
4
0
12

VS
(V)

8
4
0

(b)

260

Transistor
unijuno

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eletrnica 2

CAPTULO 9

2. Se entre as bases for aplicada uma tenso VBB, com o emissor aberto entre as
resistncias RB1 e RB2, aparecer uma tenso, chamada de razo intrnseca de
disparo, dada por:

VRB1 =

em que =

omo o nome diz, o transistor unijuno (UJT) tem somente uma


juno. Sua estrutura fsica se constitui de uma barra de material
N levemente dopada, na qual so difundidas impurezas tipo P
com maior concentrao que o material N. Existe tambm o UJT complemen
tar, em que a barra de material P e a base de material N. A figura 9.1 mostra a
estrutura fsica, o smbolo e o circuito equivalente.

Figura 9.1
B2

UJT:
a) estrutura fsica,
b) smbolo e
c) circuito equivalente.

RB1
VBB = VBB
RB1 + RB 2
RB1
, com valendo entre 0,6 e 0,8.
RB1 + RB 2

3. Se for aplicada uma tenso Ve a partir de zero, quando a tenso for igual a
Vd+VBB, o diodo ficar polarizado e comear a conduzir. A partir desse
momento, a ao de regenerao (realimentao positiva) far com que a corrente
de emissor se eleve, sendo limitada unicamente por RB1. Dizemos, ento, que o
UJT disparou. O UJT voltar ao corte se a tenso de emissor ficar abaixo de
uma tenso denominada tenso de vale (V V). A figura 9.2a mostra a curva
caracterstica com a indicao dos principais pontos e a figura 9.2b, a famlia de
curvas do dispositivo 2N2646.
Figura 9.2

UJT

(a)
RB2

B2

VE

a) Curva caracterstica de
um UJT e
b) curvas do UJT 2N2646.

regio de resistncia negativa

regio de corte
VP

E
P+ N

Vd
Ve
E

B1

(a)

n Vbb

regio de saturao

Vbb

RB1

B2

Vv
B1

B1

(b)

VE (V)

(b)

Observe na figura 9.1a que E o terminal de emissor, B1 o terminal de base 1 e


B2 o terminal de base 2.

20
18
16

A barra de uma extremidade outra tem uma resistncia chamada de resistncia


interbases (RBB), igual a RB1 + RB2, em que RB1 representa a resistncia da jun
o at a base 1 e RB2, a resistncia da juno at a base 2. O valor da resistncia
interbases est entre 5 e 10 k.
No circuito equivalente da figura 9.1c, o diodo representa a juno, e os resisto
res em srie RB1 e RB2, a resistncia interbases entre B1 e B2.

Pontos de pico

14
12

VBB = 30 V

10

VBB = 20 V

VBB = 10 V

6
VBB = 5 V

O funcionamento do UJT pode ser descrito em trs etapas:


1. Quando, inicialmente, no h tenso aplicada no UJT, se for colocado um
ohmmetro entre B1 e B2, a resistncia medida ser RBB.
262

IE

Iv

(c)

2
2

IB2=0
10 12

14

16

18

20

IE (mA)

263

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eletrnica 2

CAPTULO 9

9.1 Oscilador de relaxao

O perodo das oscilaes calculado por:

As principais aplicaes do UJT so como oscilador e temporizador. A figura 9.3


ilustra o circuito bsico do oscilador de relaxao.

T = R C ln

Figura 9.3
Circuito bsico do
oscilador de relaxao.
RB2

Vc

B2

E
VR

B1

Vcc

B1
RB1

1
1

Ao realizar a configurao do circuito descrito na figura 9.3, o resistor RB1 deve,


em geral, ser menor que 100 , e o resistor R, maior que 3 k e menor que
3 M. O limite inferior do resistor R definido para que o UJT no sature,
isto , se R ficar abaixo desse valor, o UJT pode disparar, entrando na regio
de saturao e impossibilitando que o dispositivo oscile. J o limite superior
do resistor R estabelecido para que a corrente de emissor seja maior que a
corrente no ponto de pico (IP). A faixa da tenso de alimentao costuma ser de
10 a 35V. Essa faixa determinada levando em considerao que o sinal deve
ter amplitude aceitvel e que o valor mximo limitado pela mxima potncia
que o UJT pode dissipar.
O resistor RB2 usado para compensar a variao em VP segundo a temperatura,
pois VP diminui com a temperatura e RB2 aumenta.

Para entendermos o funcionamento do oscilador de relaxao, vamos considerar


que, ao ligarmos o circuito, o capacitor est descarregado. Como, nessas con
dies, Ve = 0, o UJT est cortado, e o capacitor C comea a se carregar com
constante de tempo R C. Quando a tenso em C atinge a tenso de disparo
VP, o UJT conduz bruscamente e o capacitor passa a se descarregar pelo UJT e
pela resistncia RB1 (com valor entre 27 e 47 ). Quando a tenso no capacitor
fica abaixo da tenso de vale, o UJT corta e a carga do capacitor recomea. No
entanto, a partir do valor de tenso V V, o ciclo se repete.

9.2 Gerador de dente de serra


Uma onda da tenso dente de serra tem a forma indicada na figura 9.5. A eleva
o da tenso linear e com tempo de subida (Ts), normalmente chamado de
tempo de trao (tem a ver com o dente de serra do osciloscpio), muito maior
que o tempo de descida (Td), em geral denominado tempo de retrao.
Figura 9.5
Forma de onda da
tenso dente de serra.

A figura 9.4 mostra as formas de onda no capacitor e em RB1.


Figura 9.4
Formas de onda do
oscilador de relaxao:
a) capacitor e
b) RB1.

VC

VP

Ts

VV

Td

(a)
VP

(b)

264

Pode-se obter uma forma de onda dente de serra de vrios modos, todos eles
baseados na maneira como o capacitor se comporta enquanto est se carre
gando. Se o capacitor se carrega por meio de uma resistncia, a tenso cresce
exponencialmente, pois a corrente de carga sobre o capacitor no constante.
Se a carga feita por uma corrente constante, a tenso varia linearmente com o
tempo, como ilustrado na figura 9.6.
265

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eletrnica 2

CAPTULO 9

Figura 9.6

Figura 9.8

(a) Carga de um capacitor


por uma corrente
constante e (b) tenso de
acordo com o tempo.

Vc

I
)
C 2

I
I
) > ( )
C 2
C 1
(

+Vcc

I
)
C 1

R1

RE

IE = I

Vc
I

TR1
IC = IE

(a)

RB2

B2
TR2

R2

(b)

Circuito prtico do gerador


de dente de serra.

B1

RB1

A tenso no capacitor de acordo com o tempo quando um capacitor carregado


por uma corrente constante I dada por:

VC =

I
t
C

Exemplo

Essa expresso representa uma reta, em que

I
a inclinao da reta.
C

Logo, a carga ser rpida se a corrente for alta e/ou o capacitor tiver valor baixo.
No circuito da figura 9.7a, a resistncia R do circuito 9.3 foi substituda pela
fonte de corrente I. A figura 9.7b apresenta o grfico da tenso no capacitor.

No circuito da figura 9.8, considere: R1 = 2 k, R 2 = 10 k, RE = 500 , C


= = 200 nF, RB1 = 33 , RB2 = 1 k, VCC = 12 V, UJT com = 0,8 e V V = 2
V e VBE = VD = 0,7 V. Desenhe o grfico da tenso no capacitor indicando os
principais valores de tempo e tenso.
Soluo:
Para calcularmos o perodo, devemos admitir I = IE = IC.
No circuito da figura 9.9:

Figura 9.7
Oscilador dente de serra:
(a) circuito e (b) forma
de onda no capacitor.

VC
RB2

VC

E
VR

B1

B2
B1
RB1

(a)

VR1 =

VP

2k
12 = 2 V
2 k + 10 k

Vcc

Figura 9.9
VV

+12 V

(b)

R1
2k

RE
500

IE = I

0,7 V
TR1
Ic = IE

Pode-se determinar o perodo das oscilaes pela expresso:

( V VV ) C
T= P
I
A figura 9.7a mostra o smbolo de uma fonte de corrente, porm esse compo
nente no existe na prtica. Portanto, necessrio montar uma fonte de corrente
utilizando alguns dispositivos eletrnicos. A figura 9.8 ilustra o gerador de dente
de serra com uma fonte de corrente prtica.
266

R2

RB2
1k
B2
TR2

10 k
C
200n

B1
RB1
33

267

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ELETRNICA 2

A tenso em RE :

Captulo 10

VRE = 2 0,7 = 1,3 V


Portanto, a corrente vale:
IE = IC = I =

1, 3 V
= 2, 6 mA
0, 5 k

A tenso no ponto de pico (tenso de disparo) :


VP = VD + VCC = 0,7 + 0,8 12 = 10,3 V
E o perodo das oscilaes:
T=

( VP VV ) C
I

T=

(10, 3 2) 200 109


= 0, 638 ms
2, 6 103

A figura 9.10 mostra o grfico de VC t no regime permanente (forma de onda


efetivamente obtida em um osciloscpio).
Figura 9.10
VC
10,3 V

2V

268

0,638ms

Tiristores

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eletrnica 2

CAPTULO 10

Controle de potncia Atua na variao da potncia entregue a um dispositivo


(motor, resistncia, lmpada etc.), por meio do ajuste do disparo.
Amplificador Atua como amplificador tudo ou nada, por meio da diferena
das correntes de porta e de anodo.

10.1.1 Modos de operao

iristores so dispositivos semicondutores com aplicaes em controle da potncia CA para cargas resistivas indutivas, como motores,
solenoides e elementos aquecedores. Eles so compostos por quatro
camadas (PNPN) e podem ter dois, trs ou quatro terminais. Entre a vasta gama
de componentes, os principais so: SCR, DIAC, TRIAC, PUT e SCS.

10.1 SCR
O SCR (silicon controlled rectifier, retificador controlado de silcio) um dispositivo com funo semelhante de um diodo (conduz em um nico sentido), com
diversas aplicaes em eletrnica industrial. Fisicamente, consiste da juno de
quatro camadas P e N alternadas entre si, com trs terminais: anodo (A), catodo
(K) e porta ou gate (G). A figura 10.1 mostra a estrutura simplificada, o smbolo
e a curva caracterstica de um SCR.

O funcionamento do SCR depende dos valores de corrente e tenso a que est


submetido. Vamos analisar uma situao em que a porta aberta (IG) est com
corrente igual a zero e com tenses aplicadas. O SCR pode, ento, operar de trs
modos:
1. Se a tenso aplicada no anodo for negativa em relao tenso aplicada no
catodo, dizemos que o SCR est no bloqueio reverso. Nessa condio, ele se
comporta de maneira idntica a um diodo normal, cortado. Assim como no
diodo comum, quando a tenso reversa excede a tenso de breakdown (UBR), o
dispositivo destrudo (figura 10.2).
Figura 10.2
IA = 0

IA = 0
IG = 0

SCR no modo de bloqueio


reverso chave aberta.

RL

RL

UA = -E

UA = -E

E<UBR

E<UBR

Figura 10.1
Retificador controlado
de silcio:
a) estrutura simplificada,
b) smbolo e
c) curva caracterstica.

IA

IA

A (anodo)

IG2 > IG1

G (porta)

N
K (Catodo)

(a)

IA

UG

IG1

IH

IA

UA

IG = 0

UBR

IG

UA

UH

UBO

UA

K
(b)

2. Se a tenso aplicada no anodo for positiva em relao tenso aplicada no


catodo e menor que a tenso de breakover (UBO), dizemos que o SCR est no
bloqueio direto, isto , continua cortado (figura 10.3).

(c)

RL
IA = 0

Na figura 10.1a, podemos observar que a corrente principal (IA) entra pelo terminal do anodo (A) e segue at o catodo (K), como ocorre em um diodo comum.
A porta (G) permite que se aplique uma corrente (com intensidade menor que a
aplicada no anodo), que controla a conduo do SCR.
As principais aplicaes do SCR so:
Retificador Atua como um diodo comum, com a diferena de que possvel
controlar a tenso retificada.
Interruptor Atua como chave de estado slido.
270

IG = 0

Figura 10.3

RL

SCR no modo de
bloqueio direto.

IA = 0
UA = E

E < UBO

UA = E

E < UBO

3. Se a tenso na bateria continuar aumentando, ao atingir um valor maior ou


igual tenso UBO, o SCR passa a conduzir bruscamente, entrando em estado de
conduo. Quando isso acontece, dizemos que o SCR disparou. Nessa condio,
o dispositivo se comporta como chave fechada, porm com queda de tenso
elevada em seus terminais (figura 10.4). Essa diferena de tenso aumenta a po271

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eletrnica 2

tncia a ser dissipada pelo SCR, que necessita, ento, de um dissipador sua
principal desvantagem em comparao com uma chave mecnica.
Figura 10.4
SCR em conduo
aps disparo.

RL

PD =U.I

RL

IA 0
IG = 0

~ 1V
UA =

~ 1V
UA =

E UBO

E UBO

O termo disparo utilizado em analogia ao que acontece a um projtil de


flagrado por arma de fogo, ou seja, uma mudana brusca de condio, pois o
projtil parte do repouso para o movimento em fraes de segundo.
No caso do SCR, o disparo (ou conduo) ocorre quando algum mecanismo
externo provoca pequena variao em suas correntes internas. Para compreender
melhor, observe a figura 10.5. Nessa configurao, a estrutura do SCR utiliza
dois transistores, um PNP e outro NPN, ligados entre si por uma realimentao
positiva (regenerao). Em tal modelo, ao ocorrer variao em qualquer uma das
correntes internas, por menor que seja, haver amplificao do sinal, fazendo
com que as correntes aumentem at os dois transistores saturarem. A passagem
do corte para a conduo extremamente rpida, por causa da realimentao
positiva interna, motivo pelo qual se emprega o termo disparo.
Figura 10.5
Estrutura de quatro
camadas do SCR e
circuito equivalente.

A (anodo)
A (anodo)

P
N
G (porta)

G (porta)

P
G

N
K (catodo)

TR1

K (catodo)

CAPTULO 10

Retomando a figura 10.4, podemos identificar pontos do circuito nos quais al


guns dos fatores citados esto atuando, por exemplo: a tenso aplicada; a tenso
de breakover (UBO): o mecanismo que causa esse incio de processo (surgimento
de uma corrente inicial) se a corrente de porta for nula e o valor da tenso (em
geral varia de 30 a 1000 V e depende do SCR e de sua aplicao).
Depois que o SCR atinge o estado de conduo, para fazer o dispositivo cortar
novamente necessrio que a tenso de anodo, ou seja, a corrente (IA), fique
abaixo de um valor chamado de tenso de manuteno (UH), tambm conhecido
por corrente de manuteno (IH). Para conhecer o valor dessa corrente, preciso
consultar o manual do fabricante, pois varia para cada tipo de SCR, por exem
plo: no TIC106 da ordem de 2 mA e no TIC126, de 40 mA.
Vimos que a porta (G) o terminal no qual se aplica a corrente que inicia o pro
cesso de disparo quando a tenso de anodo ainda bem menor que UBO. Quanto
maior a corrente aplicada, menor ser o valor da tenso de anodo necessria para
disparar o SCR. Aps o disparo, a porta pode ser desligada (aberta ou colocada
em curto com o catodo), pois o SCR continuar a conduzir. O desligamento (reset
ou corte) do dispositivo feito quando a corrente de anodo diminuir abaixo da
corrente de manuteno (IH) ou quando a tenso de anodo cair abaixo da tenso
de manuteno (UH). Em determinadas aplicaes, uma tenso reversa de anodo
pode acelerar a mudana de estado de um SCR.

10.1.2 SCRs comerciais


A diversidade de modelos SCR tanta que praticamente existe um para cada
aplicao. Um exemplo de uso geral o SCR da famlia 106, que apresenta alta
sensibilidade (dispara com corrente de porta da ordem de A). Essa famlia
possui as seguintes caractersticas tcnicas: encapsulamento TO-220; furo para
dissipador; corrente mxima eficaz (IT(RMS)) de 4 A e mxima contnua (IT(DC))
de 2,6 A; corrente de pico no repetitiva (ITSM) de 20 A.
As letras antes do nmero da famlia indicam o fabricante (TIC Texas, MCR
Motorola, C GE etc.) e a letra na sequncia do nmero determina o valor de
UBO (no manual aparece como VDRM) e UBR (no manual aparece como VRRM).

TR2
K

TIC

106 B
mxima tenso
famlia
fabricante

Vrios fatores podem aumentar as correntes internas e levar o SCR ao disparo,


entre eles:
Valor da tenso aplicada nos terminais.
V
Variao de tenso de acordo com o tempo excessiva
.

t
Aumento de temperatura.
Incidncia de luz (LASCR SCR ativado por luz).
Injeo de corrente atravs de terminal de porta.
272

A tabela 10.1 indica o valor de tenso UBO (V) de acordo com a letra que aparece
posteriormente ao nmero, para os modelos SCR da famlia 106.
Ao projetarmos um circuito com SCR, devemos ficar atentos aos valores de UBO,
UBR e corrente mxima: os de UBO e UBR podem ser determinados pela letra
que aparece aps o nmero que identifica a famlia, e a corrente mxima, pela
famlia a que o SCR pertence.
273

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eletrnica 2

Tabela 10.1
Cdigo de letras
dos modelos SCR
da famlia 106.

Valor de UBO (V)

Letra
F

50

100

200

300

CAPTULO 10

10.1.4 Disparo por CC e carga CC


O disparo por CC utilizado no chaveamento de cargas (lmpadas, eletroms,
motores etc.) quando ligadas por longos perodos. Nessa configurao, neces
srio prever o disparo e o desligamento do SCR (reset). A figura 10.7 mostra dois
exemplos de circuito para ligar e desligar uma carga com duas posies alterna
tivas para a carga.
Figura 10.7
RL

RL

400

Circuitos de (a) disparo e


(c) reset usando chave
NA (normal aberta) e
com posies alternativas
para a carga; circuitos de
(b) disparo e (d) reset
usando chave NF (normal
fechada) e com posies
alternativas para a carga.

CH1

CH2

CH1

CH2

(a)
CH1
R1

(b)
RL

Vcc

arruela

Vcc
CH2

CH1

R2

parafuso

RL

R1
CH2

Figura 10.6
(a) Aspecto fsico
da famlia 106 e
(b) montagem do
dissipador.

Vcc

Vcc

R2

A figura 10.6 mostra o aspecto fsico do transistor da famlia 106. Note que o
encapsulamento o TO-220 e que h um furo para a colocao de dissipador.

(c)

(d)

bucha isolante

isolante

dissipador
A

arruela

(a)

(b)

Observe, nos circuitos dessa figura, que so necessrios elementos de disparo e


de reset quando a carga ligada em corrente contnua. Na figura 10.7a, o disparo
feito pressionando momentaneamente a chave CH1 (normal aberta), e o desli
gamento do SCR, pressionando CH2 (tornando a tenso de anodo menor que a
de manuteno). Na figura 10.7b, o disparo feito abrindo momentaneamente
a chave CH1, e o reset, abrindo a chave CH2.

porca

10.1.3 Teste do SCR


O SCR pode ser testado com um multmetro analgico utilizando uma es
cala de resistncia capaz de fornecer corrente maior que a de manuteno
caracterstica de cada modelo. Para testarmos se o SCR est em bom estado,
utilizamos as pontas de prova e colocamos o polo positivo da bateria interna
(que corresponde ao negativo externo) no anodo e o negativo da bateria inter
na (que corresponde ao positivo externo) no catodo; nessas condies, a escala
do instrumento deve indicar zero de corrente. Mantendo a ponta de prova no
anodo, tocamos com a mesma ponta de prova na porta; agora, o SCR deve
disparar, indicando corrente, e se manter nessa condio mesmo depois que
retirarmos o terminal da porta.
274

R1

R1

Vamos supor que um SCR da famlia 106 ser utilizado para comandar uma
lmpada a ser ligada em 110 V (155 V de pico), consumindo 2 A. Como a tenso
est acima de 100 V, consultando a tabela 10.1, observamos que o indicado o
106B (valor de UBO 200 V); como garantia, recomenda-se que seja instalado um
dissipador de calor nesse SCR.

O circuito da figura 10.8 um biestvel que liga alternadamente as cargas RL1


e RL2 (por exemplo, lmpadas para 12 V) por meio das chaves CH1 e CH2,
respectivamente.
Figura 10.8
Biestvel com SCR.
CH1

RL1

2k2
SCR1
TIC 106 B
3k3

RL2

C
SCR2
TIC 106B

CH2
2k2

Vcc
12 V

3k3

275

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eletrnica 2

Analisando esse circuito, podemos observar que inicialmente os dois SCRs esto
cortados. Ao pressionarmos CH1, o SCR1 dispara, ligando a carga RL1, e o capa
citor C passa a se carregar at atingir VCC por RL2 e SCR1 (figura 10.9a). A carga
RL1 fica ligada e o capacitor C est carregado com VCC.

10.1.5 Disparo por CC com carga CA


Nesse caso, o disparo feito por uma tenso CC, e o corte do SCR, pela prpria
tenso de alimentao CA senoidal ao passar por zero.

Quando pressionamos a chave CH2, o SCR 2 dispara e curto-circuita o anodo ao


catodo, aplicando a tenso armazenada no capacitor entre o anodo e o catodo do
SCR1, que passa para a condio de corte. O capacitor comea a se carregar por
RL1 e SCR 2 at VCC (figura 10.9b).

Figura 10.11

UL
Ve

CH2

CH1
RL1

Circuitos de disparo em
CC com carga CA.

RL

Figura 10.9
Biestvel com SCR:
a) disparando SCR1 e
b) disparando SCR2.

CAPTULO 10

RG

UG

RL2
C

2k2
SCR1

SCR2

TIC 106 B

TIC 106B

2k2
Vcc

3k3

3k3

(a)
CH1

CH2
RL1

2k2
SCR1
TIC 106 B

RL2
+
+

2k2

SCR2

Vcc

Analisando a figura 10.11, a princpio com a chave (CH) aberta, podemos ob


servar que, por causa da ausncia de sinal na porta, o SCR no dispara e, con
sequentemente, no h tenso em UL. Quando a chave fecha, uma corrente
aplicada na porta, disparando o SCR no momento em que a tenso de anodo fica
positiva em relao ao catodo no semiciclo positivo. Quando a tenso de anodo
inverter a polaridade, mesmo com a chave fechada, o SCR cortar. A figura
10.12 mostra as formas de onda da entrada e da carga quando a chave fecha no
instante t1 e abre no instante t2.

Figura 10.12
Circuitos de disparo em
CC com carga CA: formas
de onda da entrada
(Ve) e da carga (UL).

TIC 106 B

3k3

3k3
CH fechada

(b)

CH aberta

VM
Ve

Outra situao que pode ser analisada quando a carga indutiva, como na
bobina de um rel. Nesse circuito, devemos colocar um diodo em paralelo com
a bobina, conforme indicado na figura 10.10. Do contrrio, o SCR no entra em
corte por causa da fora contraeletromotriz que aparece em seus terminais en
quanto tende a entrar na condio de corte.

-VM
VM
VL

Figura 10.10
Acionamento de uma
carga indutiva em CC.

CH1
D
R1
CH2
R2

276

Vcc

Podemos notar que, quando a chave fecha, o SCR dispara; nesse instante,
aplicada a tenso de entrada (Ve) na carga (descontando aproximadamente 1 V
de queda de tenso no SCR). Quando a chave abre, a tenso est no mximo;
desse modo, o SCR continua a conduzir at o fim do semiciclo positivo, pas
sando, ento, a cortar. Nessa aplicao, o SCR usado como chave.
277

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eletrnica 2

importante observar que, por falta de sincronismo, ao ligar a chave pela


primeira vez, se a tenso estiver em seu valor mximo e a carga for resistiva, a
corrente pode assumir valores muito elevados, destruindo a carga ou o prprio
SCR. Para evitar esses danos, existem circuitos que disparam o SCR somente
quando a tenso de entrada est prxima de zero (ZVS, sigla de zero voltage
switching, chaveamento de tenso em zero).

10.1.6 Disparo CA com carga CA


Nessa configurao, a tenso da rede CA usada para disparar o SCR. Con
sidere que na figura 10.13a o circuito de disparo ajustado de maneira que
o SCR receba um sinal na porta quando a tenso da rede tiver atingido um
ngulo chamado de ngulo de disparo (F). Em tal condio, o SCR dispara,
reduzindo a tenso para aproximadamente 1 V, valor considerado desprezvel
em comparao com a tenso de pico da rede (VM). Quando a tenso ficar
abaixo da tenso de manuteno, o SCR cortar at comear o prximo semi
ciclo positivo. Se o controle de disparo no sofrer alteraes, quando a tenso
passar pelo ngulo de fase F, novamente a porta receber um sinal e voltar
a disparar o SCR. A figura 10.13b mostra as formas de onda da tenso de en
trada, carga e SCR.

CAPTULO 10

Variando o ngulo de disparo, as tenses valor mdio (VCC) e valor eficaz


(VRMS) aplicadas na carga tambm sofrero variaes, conforme as seguintes
equaes:
VCC =

VM (1 + cos F )
(10.1)
2

VRMS =

sen(2F ) (10.2)
1
( F +
)

VM
2

em que F expresso em radianos.


As figuras 10.14a e 10.14b mostram, respectivamente, o grfico da tenso con
tnua e o da tenso eficaz na carga em funo do ngulo de disparo para uma
tenso senoidal de valor de pico VM = 155 V.
Figura 10.14
Retificador de meia
onda controlado:
a) grfico da tenso
contnua em funo do
ngulo de disparo e
b) grfico da tenso
eficaz em funo do
ngulo de disparo.

50

(a)

45
40

Figura 10.13

35

a) Circuito retificador de
meia onda controlado e
b) formas de onda de
entrada, carga e SCR.

30

Vcc

RL

25
20

Controle
de
Disparo

Ve

15
10
5
0

(a)

1,5
0F (rd)

2,5

70
.t

60

-VM
VRMS

50

VM

VRMS

VL

40

Vcc
.t

0
VM

0F

0F

0F

.t

0
-VM

30
20

VSCR

278

0,5

80

(b)

VM
Ve

(a)

10
0

(b)

(b)

0,5

1,5

2,5

3 0 (rd)
F

279

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eletrnica 2

CAPTULO 10

Figura 10.15b

Exemplos

Formas de onda de tenso


na entrada e na carga.

VM

Se F = 0:
Ve

VCC =

155 (1 + cos 0) 155


=
= 49, 3 V e
2

VRMS =

.t

-VM

155 1
sen(2, 0)
155

( 0 +
)=
= 77, 5 V
2

2
2

VM

VRMS

VL

VCC

Se F = 180 = p rd:

.t

0
0F

0F =45

VCC =
VRMS

0F

155 (1 + cos 180o )


=0 e
2
As tenses valor mdio (VCC) e valor eficaz (VRMS) podem ser determinadas
por:

sen(2 )
155 1
)=0
=

( +

2
2

Experimente calcular a tenso mdia e a eficaz para diferentes ngulos e valores


de disparo. Depois, utilize as informaes dos grficos para realizar os mesmos
clculos.

10.1.7 Retificador de onda completa controlado


Em geral, o retificador de meia onda no tem muitas aplicaes, pois no apre
senta bom desempenho quando alimentado na tenso da rede. O circuito retifi
cador de onda completa usa o semiciclo negativo para obter valores elevados de
VCC e VRMS para o mesmo valor de tenso de pico.
Como o valor mdio (tenso contnua) da tenso na carga pode ser controlado,
possvel aplicar essa configurao em carga de baterias, controle de mquinas
CC e controle de potncia de equipamentos, uma vez que o valor eficaz pode
ser variado.

VCC =

VM (1 + cos F )
(10.3)

VRMS =

VM
2

sen(2F )
1
) (10.4)
( F +

em que F expresso em radianos.


As figuras 10.16a e 10.16b mostram, respectivamente, o grfico da tenso
contnua e o da tenso eficaz na carga em funo do ngulo de disparo para
VM = 155 V.
Figura 10.16a
Retificador de onda
completa controlado:
grfico da tenso
contnua em funo do
ngulo de disparo.

100
90

A figura 10.15 ilustra o circuito retificador de onda completa controlado e as


formas de onda da tenso na entrada e na carga.

70
60
VCC

Figura 10.15a
Circuito retificador de onda
completa controlado.

RL
D1

30
Circuito
de Controle
de Disparo

D2

D4

50
40

D3

Ve

280

80

20
10
0,5

0F (rd)

1,5

2,5

281

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eletrnica 2

Figura 10.16b
Retificador de onda
completa controlado:
grfico da tenso
eficaz em funo do
ngulo de disparo.

CAPTULO 10

aquecedores, no podendo ser usado em cargas exclusivamente CC, como car


regadores de bateria.

120
110

10.1.8 Circuitos de disparo em CA

100
90

O disparo em CA se divide em dois tipos:

80
70

Disparo vertical O sinal de porta uma tenso cujo valor varia at atingir a
tenso de disparo de porta (VGT). Essa tenso aplicada na porta pela descarga
de um capacitor (figura 10.18a).

60
VCC

50
40
30
20
10
0
0

0,5

1,5

2,5

0F (rd)

Disparo horizontal feito por meio de pulsos de disparos obtidos de osci


ladores de relaxao ou de circuitos integrados (por exemplo, TCA 785). Esses
pulsos so aplicados na porta em um instante correspondente ao ngulo de dis
paro desejado (figura 10.18b).
Figura 10.18

Se a carga for colocada antes da ponte, como indicado na figura 10.17a, podemos
observar na entrada e na carga as formas de onda ilustradas na figura 10.17b.

Circuitos de disparo
(a) vertical e
(b) horizontal.

Figura 10.17
Controle de
potncia em CA:
(a) circuito e
(b) formas de onda.

RL

D1

D3

0F
Circuito
de Controle
de Disparo

Ve

(a)

D4

D2

Existem vrios circuitos de disparo; a figura 10.19 apresenta o mais simples.


Observe, nesse circuito, que o ngulo de disparo de no mximo 90, pois a
tenso de porta est em fase com a tenso de anodo. Entretanto, possvel variar
o ngulo de disparo ajustando o potencimetro varivel RV. Ao aumentar a re
sistncia de porta (RG = RV + R), a corrente de porta diminui e, consequente
mente, a tenso de anodo necessria para disparar o SCR deve ser maior; assim,
quanto maior RV, maior o ngulo de disparo. Note tambm que o diodo D
protege a porta contra tenso reversa no semiciclo negativo.

(a)
VM

Ve

.t

(b)

-VM
VM

RV

VRMS

Figura 10.19

RL

VL
.t

0
0F

RG1

R
Ve

0F1

(b)

a) Circuito de disparo,
b) forma de onda na carga
para RG1 e
c) forma de onda na
carga para RG2 > RG1.

(b)

Conforme observamos na figura 10.17b, mesmo a tenso apresentando valor


eficaz, a tenso contnua valer zero. Por isso, esse circuito recomendado ex
clusivamente para controlar a potncia em uma carga CA, como lmpadas e
282

(a)

RG2 > RG1


0F2

(c)

283

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eletrnica 2

possvel configurar um circuito para que o SCR dispare alm de 90. Nesse
caso, devemos atrasar a tenso de porta em relao tenso de anodo. O circuito
da figura 10.20 um exemplo de configurao que permite ngulo de dispa
ro maior que 90. No semiciclo positivo, o capacitor se carrega por RV + R.
Quando a tenso atinge aproximadamente VGT + 0,7 V, o SCR dispara para um
ngulo determinado pelo potencimetro. O capacitor se descarrega e, quando
comea o semiciclo negativo, o diodo D2 conduz, fazendo com que a tenso em
C seja igual tenso da rede. Dessa maneira, ao iniciar o prximo semiciclo po
sitivo, a tenso no capacitor ser igual a zero, garantindo que o ngulo de disparo
continue o mesmo.

CAPTULO 10

10.1.9 Disparo por pulso


O disparo por pulso recomendado quando se deseja equalizar as diferenas
entre as tenses de porta de disparo (VGT), pois estas apresentam variaes mes
mo para SCRs da mesma famlia. Observe nos grficos 1 e 2 da figura 10.22 as
tenses obtidas na carga do capacitor em constantes de tempos diferentes.
Figura 10.22
VG

Consequncias da
velocidade de crescimento
da tenso na porta.

Figura 10.20

Circuito de disparo com


rede RC defasadora.

RL

Rv

VGT1
VGT2

D2
R

t
Ve

D1

t1

t2

Para ngulos de disparo prximos de 180, pode ser adicionada mais uma rede
defasadora (figura 10.21).
Figura 10.21
Circuito de disparo com
dupla rede defasadora.

RL
D1

R1

D2

Rv

Comparando esses grficos, quanto mais rpida for a variao da tenso na


porta (VGT), menor ser a diferena no tempo (t) e, portanto, menor o ngu
lo de disparo. Quando a variao da tenso de porta for instantnea (pulso)
e com amplitude superior ao valor mximo para VGT, no haver retardo, isto
, todos os SCRs sero disparados nesse instante, at aqueles que tiverem VGT
diferentes.
O principal dispositivo usado para o disparo por pulso o UJT. Alm desse
componente, necessrio o circuito de oscilador de relaxao estudado no
captulo 9. A figura 10.23 mostra esse circuito.

R2

Ve

D3

D4

C2

Figura 10.23
Circuito de disparo
por pulso com UJT.

RS

C1

Vz

Nesse circuito, o capacitor C1 se carrega por R1 + RV, ocasionando um atraso. A


seguir, C2 se carrega por R2, produzindo um atraso adicional. Quando a tenso
em C2 atinge VGT, o SCR dispara. Como o circuito alimentado com uma tenso
retificada, no h necessidade de diodo de proteo na porta. Esse circuito no
adequado para controlar potncia, pois VGT tem valor baixo, e uma pequena varia
o em VGT (provocada por uma troca de SCR) levaria a uma mudana no ngulo
de disparo para um mesmo posicionamento de RV.
284

Ve

Retificador
em
Ponte

Dz

VC

VL
RL

VRB1

RB1

285

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eletrnica 2

Observe que a alimentao do oscilador obtida da tenso da rede, o que


fundamental, pois mantm o sincronismo. O uso da tenso CA garante que, ao
iniciar o semiciclo, o capacitor C comea a se carregar a partir do zero, o que no
aconteceria se o circuito fosse alimentado por uma tenso CC. A figura 10.24
mostra as principais formas de onda do circuito da figura 10.23.

CAPTULO 10

Normalmente, o transformador de pulsos utilizado para isolar os dois circui


tos, mas pode ser usado tambm para controlar a tenso CC no resistor RB1
quando ela atingir valor prximo de VGT, no momento em que o UJT estiver
cortado (figura 10.26).
Figura 10.26

Figura 10.24
Formas de onda do
circuito da figura 10.23.

Vz
Vp

Vc

Dz
Vv
VRB1

RL

RB1

RL

Dz

Dz
C

Td

RL

Oscilador de relaxao com


acoplamento:
a) direto,
b) capacitivo e
c) transformador de pulsos.

RB1

Td

(a)

0F

0F

(b)

(c)

Na configurao apresentada no circuito da figura 10.27, os dois SCRs em anti


paralelo e o transformador de pulsos de 1:1:1 controlam uma carga CA.

0F

Figura 10.27
Controle de potncia
CA com SCR.

10.1.10 Transformador de pulsos


Sua finalidade transferir os pulsos de disparo do oscilador para a porta do
tiristor. Essa transferncia ocorre por meio dos enrolamentos no primrio e no
secundrio, porm sem aumento ou diminuio de sua amplitude, pois os enro
lamentos esto isolados um do outro.
Existem dois tipos bsicos de transformador de pulsos. Um deles formado por
um enrolamento no primrio e um no secundrio, e o outro, por um enrola
mento no primrio e dois no secundrio, designados respectivamente por 1:1 e
1:1:1. A figura 10.25 mostra o aspecto fsico, o esquema de ligaes internas e
os dois tipos de transformador de pulsos o ponto () indica a polaridade do
enrolamento.

RL
R
SCR1
sec1

sec2

VRB1

- +
+ -

Pr

Ve

SCR2

Figura 10.25
Transformador de pulso:
a) esquema de ligaes
internas,
b) 1:1 e
c) 1:1:1.

1:1:1
1
2
3

Pri
Sec 1
Sec 2

a)

6
5
4

1:1

b)

c)

Observe que, durante o semiciclo positivo, o UJT dispara para um ngulo de


disparo determinado por R e C, gerando um pulso que aplicado no primrio
e nos secundrios (sec1 e sec2). Os dois SCRs recebem pulsos em suas portas,
mas apenas o SCR1 dispara, pois o anodo positivo em relao a seu catodo. No
semiciclo negativo, gerado um pulso de disparo aplicado nos dois SCRs, porm
somente o SCR 2 dispara.
A figura 10.28 apresenta as formas de onda do circuito da figura 10.25.

286

287

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eletrnica 2

CAPTULO 10

10.2.1 DIACs comerciais

Figura 10.28
Formas de onda de
entrada e da carga do
circuito da figura 10.25.

Os DIACs comerciais mais usados so o DB3 (encapsulamento DO-35) e o


BR100 (encapsulamento DO-41), como ilustrado na figura 10.30. Os dois apre
sentam tenso de disparo da ordem de 32 V.

VM

Ve

.t

Figura 10.30

-VM
VM

SCR1

2.6 -0.1

SCR1

62.5+0.5

VIS

VL
.t

0F

0.8+0.06

SCR2

SCR2

a)

Figura 10.29
DIAC:
a) estrutura fsica
simplificada,
b) smbolo e
c) curva caracterstica.

5.1-0.1

SCR1

b)

10.2 DIAC

10.3 TRIAC

O DIAC (DIode AC) um dispositivo formado tambm por quatro camadas, po


rm pode conduzir nos dois sentidos e para qualquer polaridade de tenso quando
o valor aplicado ultrapassar a tenso de breakover (UBO). O DIAC volta a cortar
quando a tenso ou corrente fica abaixo da tenso de manuteno (UH) ou corren
te de manuteno (IH). Em geral, a tenso de disparo da ordem de 32 V para a
maioria dos DIACs.

O TRIAC (TRIode AC) foi desenvolvido para controlar potncia em CA e atuar


em baixas frequncias, em aplicaes como chave esttica, controle de temperatu
ra, circuitos de partida de motores de induo, equipamentos de solda etc. Algu
mas das caractersticas tcnicas do SCR podem ser consideradas para o TRIAC,
entre elas a corrente de manuteno e a mxima tenso que pode ser aplicada com
a porta aberta, porm no caso do TRIAC, como o dispositivo funciona com ten
ses nos dois sentidos, no existe mxima tenso reversa.

O DIAC foi desenvolvido para operar com o TRIAC, que ser apresentado na
prxima seo. A figura 10.29 mostra a estrutura interna, o smbolo e a curva
caracterstica.

A figura 10.31 apresenta a estrutura simplificada e o smbolo desse dispositivo.


Figura 10.31
MT2

MT2

UH
UH

TRIAC:
a) estrutura simplificada e
b) smbolo.

IH
-UBO

Tipos de encapsulamento
para DIAC:
a) DB3 e
b) BR100.

-IH

UBO

MT1

G
MT1

a)

288

b)

c)

a)

b)

289

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CAPTULO 10

Figura 10.34

Em relao configurao do circuito, o TRIAC pode corresponder monta


gem equivalente de dois SCRs ligados em antiparalelo (figura 10.32), com as
seguintes diferenas:
O TRIAC necessita de dissipador.
Por ser um nico dispositivo, utiliza somente um fusvel.
Pode ser disparado de quatro modos.
O circuito de disparo deve ser projetado corretamente, pois, se o sinal do
pulso de disparo for muito longo, pode ocorrer perda de controle, pelo fato
de o TRIAC conduzir nos dois sentidos.

RL

RG

RL

RG

Vcc

VGG

RL

RL
RG

IT

IG

RG

VCC

IT

VCC

Ve

(d)

(c)

(b)

A figura 10.33 mostra a forma de onda na carga para as duas configuraes da


figura 10.32.
Figura 10.33
Formas de onda da
tenso na carga dos
circuitos da figura 10.32.

IG

VGG

VGG

(a)

VCC

(b)

RL

Ve

IG

IT

VGG

(a)

Figura 10.32
Dois SCRs:
a) em antiparalelo e
b) equivalncia
entre um TRIAC.

IT

IG

Modos de disparo
do TRIAC.

RL

VM

Observe a figura 10.34. Os modos de disparo a e b so mais utilizados que os


modos c e d, pois necessitam de um valor de corrente de porta menor para acio
nar a mesma corrente principal (IT).
Quando opera com carga CC e disparo CC, o TRIAC tem comportamento
idntico ao do SCR, ou seja, requer um circuito de corrente ou de tenso para
ser cortado.
Exemplo

Ve

.t

-VM
VM

VRMS

No circuito da figura 10.35, o TRIAC um temporizador que aciona um rel de


estado slido. Determine:
a) os modos de disparo do TRIAC (ver figura 10.34);
b) o tempo de temporizao (tempo que a lmpada fica acesa).

VL

Figura 10.35
.t

+12 V

0F

1k

10 k
7

555

CH
5

10.3.1 Modos de operao


Diferentemente do SCR, que s pode conduzir com o anodo positivo em relao
ao catodo e com a corrente de porta entrando pela porta, o TRIAC tem quatro
modos de conduo.
290

0,01uF

1000 F

1k

TIC 226

110 V
60 Hz

3
1

291

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CAPTULO 10

Soluo:

10.4.2 Chave esttica CA sncrona

O TRIAC opera nos modos a e c e o tempo de temporizao :

Nos dois circuitos apresentados na figura 10.37, a carga resistiva. Se ao acio


narmos a chave coincidir de a tenso de entrada estar passando pelo valor de
pico (o disparo randmico), a corrente pode assumir valor muito alto em
relao corrente nominal (aproximadamente 10 vezes superior em determi
nada parte do ciclo). Para evitar que esse problema ocorra, existem circuitos
que s permitem o disparo do tiristor quando a tenso estiver prxima de zero
(disparo sncrono). Tais circuitos (figura 10.38) so chamados de ZVS (zero
voltage switching, chaveamento de tenso em zero).

Ti = 1,1 10 103 1000 10 6 = 11 s

10.3.2 TRIACs comerciais


Existem vrios tipos de TRIAC, que se diferenciam pela capacidade de corrente
e tenso. Uma srie muito conhecida a de encapsulamento TO-220.
A figura 10.36 mostra o TIC226D, um TRIAC com capacidade de corrente
8 A e tenso 400 V. A letra D, posterior ao nmero, indica a tenso mxima
recomendada, isto , A = 100 V, B = 200 V, C = 300 V, D = 400 V etc.
Sugere-se utilizar dissipador quando a corrente for superior a 1 A.
Figura 10.36
Exemplo de TRIAC
comercial.

TIC226D

MT1
MT2
G

O uso do disparo sncrono tem algumas caractersticas:


A complexidade do circuito aumenta conforme o uso de dispositivos mais
especficos.
O fator de potncia melhora (a corrente passa a ser senoidal). A radiofre
quncia emitida diminui.
O pulso aplicado na porta deve ter durao mnima, pois a amplitude da
tenso baixa no momento do disparo.
Circuitos controladores proporcionais podem ser construdos mais
facilmente.
Figura 10.38
TRIAC com controle
de ZVS associado.

10.4 Aplicaes do DIAC e do TRIAC


RL

O TRIAC indicado como chave CA em circuitos de controle de potncia.


Vejamos a seguir algumas aplicaes.

10.4.1 Chave esttica CA assncrona


No circuito da figura 10.37b, o TRIAC tem a mesma funo que a chave me
cnica do circuito da figura 10.37a. Observe que a chave (CH) no segundo
circuito no precisa suportar a mesma capacidade de corrente da chave usada
no primeiro, ou seja, na figura 10.37a a chave deve ter capacidade para supor
tar um valor de corrente na carga, enquanto na figura 10.37b pode ser um reed
switch, termostato ou outra chave para baixa corrente, pois aciona o TRIAC.

Ve

ZVS

Figura 10.37
a) Chave mecnica ligando
a carga e
b) chave de estado slido
esttica com TRIAC.

RL

Ve

(a)

292

RL

CH

Ve

(b)

RG

CH

Os grficos da figura 10.39 mostram as curvas caractersticas de um controlador


proporcional em funcionamento, que um circuito liga/desliga com chavea
mento no tempo t e no perodo T. Assim, o TRIAC est em disparo sncrono,
reduzindo a radiofrequncia e melhorando o fator de potncia. A potncia mdia
entregue carga depende da relao entre o tempo que o TRIAC est conduzin
do (tON) e o perodo (T):
t ON
. No entanto, a variao da potncia ocorre quando se altera tON.
T
293

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Figura 10.39
Representao grfica
do princpio do controle
proporcional.

CAPTULO 10

passe para a rede, pois isso causaria interferncia em aparelhos de rdio e TV


que estivessem ligados na mesma rede eltrica. O filtro constitudo por Rs e Cs
chamado de snubber e deve ser usado quando a carga indutiva, como em um
motor, e quando se quer evitar falso disparo.

ton

10.4.4 Luz automtica


T

ton

O circuito da figura 10.41, conhecido por luz automtica ou luz crepuscular,


utilizado quando se deseja ligar e desligar automaticamente uma lmpada na
ausncia e presena de luz natural. Seu principal dispositivo o LDR (light de
pendent resistor, resistor dependente de luz), pois aumenta sua condutividade
quando exposto luz. A maior vantagem desse circuito em relao aos similares
que utilizam transistores ou amplificador operacional que no necessita de
alimentao em CC.

toff

Figura 10.41

10.4.3 Controlador de luminosidade dimmer


O TRIAC utilizado em aparelhos que controlam a luminosidade de lmpadas,
pois atua na variao de sua potncia. Uma das maneiras de variar a potncia
por meio do controle de fase, ou seja, variando o ngulo de disparo.

R1

+
-

Figura 10.40
Circuito de um controlador
de luminosidade (dimmer).

Carga

Snubber

Filtro de RF
R1
3k3

Ve

Cf
0.1 F

220k

C1
0.1 F

RS
47
R2
15k

C2
0.1 F

CS
0.1 F

No circuito da figura 10.40, o filtro constitudo por Lf e Cf um passa-baixa.


Sua funo evitar que a radiofrequncia gerada, ao acionarmos o TRIAC,
294

Ve

A figura 10.40 mostra um circuito de controle de luminosidade (dimmer). Seu


princpio de funcionamento muito parecido com o do circuito que utiliza um
SCR. Inicialmente, o capacitor C1 se carrega por R1 e RV e, depois, C2 se carre
ga por R2 at que a tenso de disparo do DIAC seja atingida, fazendo com que
C2 se descarrege.

Lf
120 H

Circuito de uma
luz automtica
anoitecer/amanhecer.

RV
C

RLDR

No circuito da figura 10.41, se no ambiente em que o LDR estiver instalado no


houver luz, a lmpada ficar acesa. Isso acontece porque na ausncia de luz sua
resistncia alta e, portanto, o capacitor se carrega at atingir sua tenso de dis
paro em cada semiciclo, o que ocasiona o disparo do TRIAC. Quando o LDR
iluminado, sua resistncia diminui, impedindo que a tenso no capacitor atinja
a tenso de disparo do DIAC; consequentemente, o TRIAC no recebe sinal na
porta e a lmpada permanecer apagada.

10.5 PUT
O PUT (programmable unijunction transistor, transistor unijuno programvel)
um dispositivo formado por quatro camadas que foi desenvolvido para suprir
uma deficincia tcnica apresentada nos circuitos com UJT, ou seja, dependncia
do perodo das oscilaes com a razo intrnseca de disparo

1
T = R C ln 1
295

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eletrnica 2

Figura 10.43

A figura 10.42 mostra a estrutura simplificada, o smbolo e o circuito equivalen


te do PUT.
Figura 10.42

Unijuno programvel:
a) estrutura simplificada,
b) smbolo e
c) circuito equivalente.

(A)

P
N

UAK

R2

G
K

UAK

UAK

Anodo

CAPTULO 10

a)

(G)

R2

1. ANODO
Vcc

R1

2. GATE
3. CATODO

K
RL

Gate

2N6027

VBE

TR2

R1

VG

1
2

b)

TO-92

c)

a) Circuito de um oscilador
de relaxao com PUT,
b) PUT substitudo pelo
circuito equivalente,
c) aspecto fsico do PUT e
d) curva caracterstica
do PUT.

VA

a)

TR1

RL

UAK

Vcc

Catodo

b)

VA

(K)

c)
VF
VV
IGAO

Considere o circuito de um oscilador de relaxao da figura 10.43a. A tenso


na porta dada pelo divisor de tenso constitudo por R1 e R2, que pode ser
calculada por:
VG =

R1
VCC
R1 + R2

Para que os transistores internos conduzam, necessrio que:


UAK VBE + VG ou
UAK VBE +

IP

IV

IF

IA

d)

Analisando os circuitos e a curva caracterstica das figuras 10.43a, 10.43b e 10.43d,


podemos notar que inicialmente o capacitor C est descarregado; portanto, UAK <
< VBE + VG. Desse modo, o PUT est cortado e C continua a se carregar por R.
Quando UAK = VBE + VG, o PUT dispara e, ento, C se descarrega pelo PUT e por
RL. A descarga muito mais rpida que a carga, pois R >>> RL. A figura 10.44
mostra as formas de onda da tenso no capacitor e na carga da figura 10.43a.
Figura 10.44
VC

R1
VCC
R1 + R2

VP

(a)

Formas de onda da tenso


no capacitor e na carga do
circuito da figura 10.43a.

VV

Essa expresso similar condio de disparo do UJT, isto :

VP

VP VD + VCC

(b)

em que a razo intrnseca de disparo, calculada em funo das resistncias


internas do UJT por:
=

RB1
RB1 + RB 2

Quando comparamos as expresses que fornecem a tenso de disparo do PUT


(UAK) e a do UJT (VP), podemos admitir que os resistores externos R1 e R2
determinam o disparo do PUT. Da a denominao unijuno programvel,
pois o valor de h pode ser programado por dois resistores externos. A figura
10.43c mostra o modelo PUT da famlia 2N6027 e a figura 10.43d, a curva
caracterstica.
296

Para determinarmos o perodo das oscilaes, podemos calcular:


T = R C ln

1
1

em que a relao de disparo () dada pelos resistores externos R1 e R2, por


meio da expresso:
=

R1
R1 + R2
297

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eletrnica 2

10.6 Circuito integrado TCA 785


Esse circuito tem a funo de driver de tiristores (SCR ou TRIAC), capaz de ge
rar pulsos de disparo sincronizados com a tenso da rede, com ngulo de disparo
variando de 0 a 180 (controle de fase).
Vejamos seu funcionamento resumidamente no exemplo a seguir. Um pulso
dente de serra (pino 10, V10) gerado internamente e comparado com uma ten
so de referncia V11 obtida de um divisor de tenso externo com tenso varivel.
Se o valor da tenso do dente de serra maior que o valor da tenso de referncia,
o CI gera um pulso positivo (pino 15), que aplicado na porta do tiristor (SCR
ou TRIAC). No semiciclo negativo, tambm gerado um pulso positivo para o
mesmo ngulo (pino 14). A figura 10.45 mostra a pinagem e a tabela 10.2,
o nome de cada pino.
Figura 10.45
Pinagem do TCA 785.

CAPTULO 10

Pino

Notao

Funo

12

C12

13

14
15

Q1
Q2

Sada de pulso positivo no semiciclo positivo


Sada de pulso positivo no semiciclo negativo

16

VS

Alimentao CC

Controla a largura do pulso de sada


Aumenta a largura do pulso

A figura 10.46 ilustra um circuito de controle de potncia por controle de fase


usando o TCA 785 e um TRIAC. O ngulo de disparo pode ser ajustado con
tinuamente de 0 a 180 com o auxlio de um potencimetro externo de 10
k. Durante o semiciclo positivo, o TRIAC recebe um pulso positivo na porta
vindo do pino 15. Durante o semiciclo negativo, a porta do TRIAC tambm
recebe um pulso positivo, porm proveniente do pino 14. A durao do pulso
de aproximadamente 100 s.

GND

16

VS

Q2

15

Q2

QU

14

Q1

Q1

13

VSYNC

12

C12

11

V11

QZ

10

C10

4.7 k
9W

R9

1N4005

VREF

Rsync
220 k

Carga

10 K

Pinos do TCA 785


e suas funes.

Pino
1

Notao
GND

Funo

470 F
16 V-

GND

BAY
61

220 V~

2
3
4

Q2
QU
Q1

VSYNC

6
7

298

I
QZ

Sada complementar do pino 15


Sada de pulso positivo
Sada 1 invertida
Tenso de sincronismo
Inibe as sadas quando aterrada
Sada em coletor aberto

VREF

Tenso de referncia de 3,1 V

9
10

R
C10

Resistncia que ajusta a rampa


Capacitor da rampa

11

V11

Tenso de controle

0.22 F
250 V~

15 V

Aplicao do TCA 785


em controle de potncia
por controle de fase.

Sada de pulsos de disparo

0.47 k

Tabela 10.2

Figura 10.46

BAY
61

16

15

14

13

12

2.2 F (MKH)

11

2.2 k

10

Capacitor
da rampa

4.7 k
BAY 61

150 k
TXC 10
M 60

BAY 61

Potencimetro
de Controle de
ngulo de Disparo

10 k

C12
150 pF

2.2 k

C10

0.1 F
100
k

47 pF

299

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eletrnica 2

10.7 IGBT
O IGBT (insulated gate bipolar transistor, transistor bipolar de porta isolada) um
dispositivo que apresenta como circuito de entrada um MOSFET e como circuito
de sada um transistor bipolar (BJT). Antes de conhecermos o IGBT, vamos re
lembrar algumas caractersticas tcnicas e detalhes do BJT e do MOSFET.

CAPTULO 10

O MOSFET apresenta uma impedncia de entrada elevada e no consome cor


rente (figura 10.48). Alm disso, o circuito de controle mais simples, porm a
queda de tenso entre dreno e fonte maior que a queda de tenso entre coletor
e emissor, em comparao com um transistor bipolar. Quando em conduo, o
MOSFET se comporta como resistor (rdson) com coeficiente de temperatura po
sitivo; o valor desse resistor depende da tenso entre porta e fonte (VGS).

Desde a decada de 1950 pesquisadores da rea de eletrnica tentavam desen


volver dispositivos capazes de aliar potncia, velocidade de comutao, eficin
cia e baixas perdas na operao. Nos anos 1970 o transistor bipolar era o nico
transistor de potncia utilizado, quando foi criado o MOSFET de potncia,
usado at os dias de hoje.

Figura 10.48
RL
80 A
0A
Circuito de
Controle

O transistor bipolar apresenta as seguintes caractersticas: possui corrente de


base relativamente alta para poder saturar (turn-on), relativamente lento para
cortar (turn-off ) e tem sensibilidade ao disparo trmico (thermal runaway) em
decorrncia do coeficiente de temperatura negativo.
O MOSFET um dispositivo controlado por tenso e tem coeficiente de tem
peratura positivo, que protege contra disparo trmico e permite maior fre
quncia de operao.
Vamos agora comparar algumas informaes tcnicas do BJT e do MOSFET,
que demonstram as qualidades de cada um desses dispositivos de potncia.

80 A

Levando em conta os aspectos tcnicos positivos do MOSFET e do BJT aqui


apresentados, recomenda-se o IGTB em aplicaes de potncia, pois rene em
um nico dispositivo as vantagens do MOSFET e do BJT. Alm disso, a estru
tura fsica do IGBT a combinao das estruturas desses dois dispositivos (figu
ra 10.49).

Pelo fato de a porta (gate) ser isolada, o MOSFET apresenta relao entre a
corrente principal e a de entrada (ganho) extremamente alta. Esse ganho de
corrente elevado porque no h corrente de porta; a nica corrente que existe
a transitria que carrega a capacitncia associada.

Figura 10.49
C
Oxide

Gate Polysilicon

Caso o BJT seja usado para controlar a corrente em uma carga, ser necessria
uma corrente de base relativamente alta

P-

N+
G

N- EPI

rb

Por exemplo, se a corrente de coletor vale 80 A e = 20, ento a corrente de base


valer 4 A, que um valor elevado para um transistor bipolar ou um circuito
integrado de controle manipular (figura 10.47).

rb

N+ Buffer Layer
p+ Substrate
E

Collector

a)

b)

Figura 10.47

Transistor de potncia
chaveando uma
corrente elevada.

RL
80 A
4A
Circuito de
Controle

G
G

= 20

84 A

c)

300

Transistor bipolar de porta


isolada: (a) estrutura fsica,
(b) circuito equivalente,
(c) e (d) smbolos.

Emiter
N+

P+

IC
IB = .

MOSFET de potncia
chaveando uma
corrente elevada.

d)

301

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eletrnica 2

O IGBT utilizado principalmente em:


Inversores de frequncia (circuitos que produzem tenso alternada a partir
de tenso contnua).
Sistemas de controle de trao em trlebus e nibus eltricos.
Aquecimento indutivo.
Controle de motores CA.
Fontes de alimentao.
Transmisso em corrente contnua.
Carregadores de bateria.

10.7.1 Corrente de cauda


O IGBT apresenta algumas limitaes, entre elas menor velocidade de chave
amento que o MOSFET. Quando o IGBT vai da conduo para o corte, ao
contrrio do MOSFET, a corrente no chega a zero imediatamente. Por causa de
recombinaes entre lacunas e eltrons, a corrente de coletor (IC) demora para se
anular, apesar de a tenso entre coletor e emissor (VCE) j ser mxima. Esse final
de corrente, chamado de corrente de cauda (current tail) (figura 10.50), limita a
operao em frequncias elevadas.
Figura 10.50
IGBT comutando
da saturao para o
corte com detalhe da
corrente de cauda.

CAPTULO 10

(caracterstica obtida em MOSFET de potncia). A tabela 10.3 resume as prin


cipais caractersticas dos trs dispositivos.

Caractersticas

Transistor bipolar

MOSFET

IGBT

Forma de controle

Corrente

Tenso

Tenso

Complexidade do
circuito de controle

Complexo

Simples

Simples

Impedncia de entrada

Baixa

Alta

Alta

Frequncia

Baixa (< 100 kHz)

Alta (< 1 MHz)

Mdia

Tenso de saturao

Baixa

Alta

Baixa

rea de operao
segura (SOA)

Estreita

Larga

Larga

Tabela 10.3
Principais caractersticas
do transistor bipolar, do
MOSFET e do IGBT.

A rea de operao segura (safe operating area, SOA) definida como a fronteira
em que possvel operar sem que o dispositivo seja destrudo. A figura 10.51
apresenta um exemplo de SOA de um IGBT.
Figura 10.51

IC

SOA do IGBT
IXSH30N60B2.

VCE
50
45

CURRENT
TAIL

IC - Amperes

40
35
30
25
20
15

Tj = 125C

10

RG = 10 ohms

dV/dT < 10V/ns

0
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600

VCE - Volts

10.7.2 Diodo em antiparalelo


Quando o IGBT for usado para controle de motores, um diodo (diodo de co
mutao) deve ser colocado em paralelo com o dispositivo para sua proteo. As
especificaes tcnicas desse diodo ser ultrarrpido e ter baixa queda de tenso
e baixa corrente de fuga.
Nessa configurao, o IGBT utilizado como chave, ligando e desligando uma
carga de alta potncia. Para isso, tem de apresentar baixa queda de tenso (ca
racterstica obtida em um transistor bipolar) e poder operar em frequncias altas
302

10.7.3 IGBT ligado em paralelo


O IGBT pode ser ligado em paralelo quando se deseja aumentar a capacidade de
corrente, obter melhorias trmicas e para redundncia. Entretanto, as variaes
de parmetros entre os dispositivos que sero associados em paralelo podem
resultar em compartilhamento diferente da corrente. Alm disso, em geral, a
temperatura e a configurao influenciam a operao do IGBT em paralelo.
303

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Captulo 11

Optoeletrnica

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eletrnica 2

CAPTULO 11

400 nm. Radiao com comprimento logo acima de 700 nm chamada de in


fravermelha (infrared, IR) e com comprimento abaixo de 400 nm, ultravioleta,
no mais visvel.

11.1 Sensores
Sensor um dispositivo que apresenta uma variao (reversvel) por exemplo,
em sua resistncia ao ser exposto radiao luminosa.

11.1.1 Fotorresistor

ste captulo apresenta conceitos bsicos dos dispositivos semiconduto


res usados em optoeletrnica. De modo geral, os dispositivos optoele
trnicos podem ser divididos em duas grandes reas: os sensores e
os emissores (h tambm dispositivos de acoplamento, que so o resultado da
combinao de sensores e emissores).
Um dispositivo optoeletrnico:

um sensor de luz que altera sua resistncia ao ser exposto luz. O LDR, estu
dado no captulo anterior, o dispositivo mais conhecido.
A figura 11.2 mostra o aspecto fsico, os smbolos e a curva de resposta espectral
de um LDR padro. Observe que a sensibilidade mais alta ao redor do compri
mento de onda 550 nm.
Figura 11.2

1. Detecta e/ou responde a um sinal de luz.


2. Emite ou modifica luz coerente ou no coerente.
3. Utiliza luz para seu funcionamento interno.

LDR:
a) smbolos e
b) curva de resposta
espectral.

100
90
80
70

Resposta relativa

A palavra optoeletrnica a unio de ptica e eletrnica, ou seja, refere-se a


dispositivos eletrnicos sensveis ao da luz. Mas qual a definio fsica de luz?
Luz a energia radiante transmitida atravs de ondas eletromagnticas de compri
mento entre 0,3 m e 30 m. Nessa faixa, chamada de espectro eletromagntico,
encontra-se a luz visvel ao olho humano (0,38 m a 0,78 m), e as radiaes ul
travioleta (UV) e infravermelha (IR) ocupam as extremidades.

60
50
40
30
20
10

Figura 11.1
Espectro eletromagntico
com destaque para
a parte visvel.

Comprimento da onda (nm)


1024

1022

1020

1018

1016

1012

1010

1022

108

106

104

102

100

10-16

10-14

10-12

10-10

10-8

10-6

10-4

100

108

102

104

106

108

v (Hz)

(m)

Visible spectrum

400

500

600

700

A figura 11.1 mostra o espectro eletromagntico para todos os tipos de onda,


com destaque para a radiao luminosa visvel. Em uma extremidade localiza-se
o vermelho, com 700 nm de comprimento de onda, e na outra, o violeta, com
306

400 500 600 700 800 900

a)

b)

O LDR usado em circuitos de proteo, alarmes, instrumentos de medida de


luminosidade e nas situaes em que for necessrio detectar variao ou presen
a de luz no espectro visvel ou fora dele.
As figuras a seguir apresentam alguns exemplos de circuitos com aplicao de
LDR. A figura 11.3 mostra um sensor de presena de luz com temporizador.
Na ausncia de luz, a resistncia do dispositivo elevada e, portanto, a tenso
no pino 2 deve ser maior que 4 V (um tero de 12 V), valor que pode ser ob
tido com a regulagem do potencimetro. Quando a luz incide no LDR, sua
resistncia diminui e a tenso no pino 2 reduz para abaixo de 4 V, disparan
do o LM555, que, por estar configurado como monoestvel, liga a lmpada
durante determinado tempo, por meio do capacitor de 1000 F e do resistor
de 10 k.
307

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eletrnica 2

Figura 11.3
Sensor de presena de
luz com temporizador.

Se for aplicada uma tenso externa de maneira a polarizar reversamente a jun


o, a largura da regio de carga espacial (r.c.e.) ou regio de depleo aumenta
r (figura 11.5b).

+12 V
10 k
1k

CAPTULO 11

10 k

Figura 11.5

on negativo
on positivo

555

1000 F

110 V
60Hz

1k

TIC 226

r.c.e

r.c.e
a)

O circuito da figura 11.4 de um alarme com trava. Sua base um amplificador


operacional usado como comparador de nvel, que, por causa de seu altssimo
ganho, torna o circuito extremamente sensvel. Nesse circuito, o LDR ilumina
do por uma fonte de luz. Se o potencimetro estiver ajustado para valores de
tenso na entrada no inversora menores que 6 V, a sada do AO baixa (prxima
de zero), mantendo o SCR cortado. Quando a iluminao sobre o LDR inter
rompida, mesmo que rapidamente, a tenso no pino 3 fica maior que no pino 2 e
a sada do AO eleva prximo a 12 V, disparando o SCR e ligando o rel e o alar
me. Mesmo que a luz volte a atingir o LDR, o SCR continuar conduzindo.
Figura 11.4
+12 V

+12 V
10 k
10 k

1N4001

10 k

7
741

3 +

6
1N4001

2k2

TIC
106A

10 k

Alarme com trava.

Juno PN:
a) em aberto,
b) polarizada reversamente
e iluminada,
c) smbolo.

- Eltron Livre
+ Lacuna

RL

IT

b)

c)

Se a regio de carga espacial for iluminada com radiao de comprimento de


onda adequada, ligaes covalentes sero quebradas (na regio de carga espacial
existem ons da impureza e tomos de silcio), gerando pares eltron-lacuna. O
campo eltrico acelerar os eltrons para a regio N e as lacunas para a regio P,
e externamente aparecer uma corrente IT igual a:
IT = IL + ID(11.1)
em que IL a corrente gerada pela luz e ID a corrente reversa de saturao ou
corrente no escuro (dark).
Tipicamente, os valores para dispositivos construdos de silcio so IL da ordem
de 10 A e ID da ordem de 1 nA.
A figura 11.6a mostra o circuito com o fotodiodo polarizado reversamente e a fi
gura 11.6b, as curvas caractersticas em funo da intensidade luminosa e a reta
de carga. As intersees da reta com as curvas de intensidade luminosa determi
nam os pontos de operao. Em intensidade luminosa alta, o fotodiodo pratica
mente um curto-circuito (o ponto de operao est localizado na parte superior
da reta). Em luminosidade baixa (ambiente escuro), a corrente praticamente
zero; toda a tenso da fonte estar no diodo.
Figura 11.6
a) Circuito com fotodiodo
polarizado reversamente e
b) curva caracterstica.

RL

RL

308

11.1.2 Fotodiodo

Quando uma juno PN criada, eltrons livres se deslocam, por difuso, do


lado N para o P, e lacunas, do lado P para o N. Na condio de equilbrio (sem
tenso externa), no lado P prximo juno existem ons negativos, e no lado N,
ons positivos (figura 11.5a). O campo eltrico resultante impede que o processo
de difuso continue.

4 mW/cm
3 mW/cm

Vcc

Vcc
IT

2 mW/cm

IT

1 mW/cm
escuro
u

a)

b)

309

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eletrnica 2

CAPTULO 11

11.1.3 Fototransistor

Figura 11.9
Fotodarlington: smbolo.

O fototransistor funciona exatamente como um transistor, porm sua base no


excitada por corrente externa, e sim por luz (figura 11.7a) existem fototran
sistores que permitem a injeo de corrente na base alm da luz. Do ponto de
vista funcional, um fototransistor pode ser entendido como um transistor co
mum em cuja base foi colocado um fotodiodo (figura 11.7b).
Figura 11.7

(a)

a) Fototransistor e
b) circuito equivalente.

(b)
RL
RL

RL
C

11.1.4 Clula solar

lC

lC

IL

IL

N
Vcc

Vcc

Vcc

( 1+

) IL

Como vimos, a incidncia de luz sobre uma juno PN gera pares eltron-lacuna;
ento, os eltrons movimentam-se para o lado P e as lacunas, para o lado N,
aparecendo entre as extremidades da juno uma tenso. Se no existir circuito
externo, a tenso ter valor VOC (open circuit, tenso em vazio). Se ligarmos uma
resistncia aos terminais do dispositivo, uma corrente ser fornecida ao circuito
externo.

A corrente de coletor vezes maior que a corrente de base, isto , a sensibilida


de vezes maior, porm a mxima frequncia de operao vezes menor que
a do fotodiodo. A expresso a seguir determina a corrente de coletor:
IC = IL = (IL + ID)(11.2)

O dispositivo assim construdo chama-se clula fotovoltaica, quando no se es


pecifica a radiao incidente; quando a radiao incidente a solar, o dispositivo
recebe o nome de clula solar (figura 11.10).
O material bsico usado na construo de uma clula fotovoltaica o silcio em
uma das trs formas: monocristalino, policristalino ou amorfo.
Figura 11.10

A figura 11.8 mostra o aspecto fsico de um fototransistor; observe que muito


semelhante ao fotodiodo.

Clula solar.

O fotodarlington basicamente um transistor comum ligado a um fototransis


tor na configurao Darlington (figura 11.9). Apresenta ganho elevado, porm a
resposta em frequncia bem menor que do fototransistor.
310

Neijia/Shutterstock

Fototransistor:
aspecto fsico.

Dario Sabljak/Shutterstock

Figura 11.8

311

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eletrnica 2

CAPTULO 11

A figura 11.11 apresenta grficos referentes potncia e corrente em funo da


tenso. Neles podemos observar as curvas caractersticas de uma clula solar e
identificar alguns valores, como a corrente de curto-circuito (ISC) e a tenso em
vazio (VOC).

Potncia (w)

1,25

0,500
0,456

Pm

0,375

0,75

0,250

0,50

0,125

0,25

Vmp

Voc
0,10

0,20

0,30

0,40

0,50

0,60

0,70

Tenso (v)

Tenso (v)
Potncia (Watts)

Corrente (Amperes)

0.50
1,00
0.90

Ponto de
Potncia
Mxima

lmp

0.75

0.40
0.30

0.50

0.20

0.25

0.10
Vmp
0.10

0.20

0.30

0.40

0.50

0.60

0.70

Tenso (v)

As clulas solares so usadas para transformar a energia solar em energia eltrica.


Como a tenso que uma nica clula pode produzir muito baixa (tipicamente
VOC = 0,6 V), as clulas so associadas em srie e em paralelo para aumentar a
capacidade de corrente. Por esse motivo, um painel solar constitudo de vrias
clulas.
As principais aplicaes dos painis solares so:
Equipamentos eletrnicos de estaes remotas de transmisso.
Carregadores de bateria.
Iluminao residencial e pblica.
Alimentao de relgios e calculadoras.
Satlites de comunicao.
Bombas hidrulicas para irrigao.
Locais de difcil acesso rede eltrica.
312

Figura 11.12

0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80

Exemplos de painis solares.

11.2 Emissores
So dispositivos que emitem luz ao serem percorridos por uma corrente eltrica.
Isso ocorre quando uma juno PN, polarizada diretamente, percorrida por uma
corrente de valor adequado e uma radiao luminosa emitida. O dispositivo
assim construdo chamado de LED (light emitting diode, diodo emissor de luz).
O LED uma juno PN; portanto, tem algumas caractersticas eltricas do
diodo, como: apresenta queda de tenso quando est conduzindo (de 1,5 V a 2 V,
dependendo da cor da radiao), possui mxima tenso reversa (em geral, peque
na) e conduz corrente em apenas um sentido. A figura 11.13 mostra o smbolo e
exemplos de LEDs comerciais. A identificao dos terminais (anodo e catodo)
costuma ser feita de duas maneiras: pela diferena de tamanho entre os terminais,
sendo o anodo maior, ou por meio de um chanfro, que identifica o catodo.

Figura 11.13
A (anodo)

Smbolo e exemplos de
diodos emissores de luz.

K (catodo)
a)

Ivaschenko Roman/Shutterstock

1,00

lsc

Archman/Shutterstock

Corrente (Amperes)

Johannes Kornelius /Shutterstock

Figura 11.11
Curvas caractersticas de
uma clula solar radiao
incidente de 1000 W/m2.

O tamanho do LED (os maiores tm 10 mm de dimetro e os menores, 3 mm)


e a cor determinam a intensidade da corrente que ele deve consumir. Quanto
maior a corrente, maior a luminosidade; excesso de corrente pode danificar ou
diminuir a vida til do componente.
313

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eletrnica 2

CAPTULO 11

Figura 11.15

Quando os LEDs surgiram, eram usados basicamente em displays e como indi


cadores de ligado/desligado. Hoje, o display de LCD os substituiu com vanta
gens, porm tm sido utilizados em lmpadas e TVs de alta definio.

Acoplador ptico.
Acoplador ptico

A polarizao de um LED consiste basicamente em estabelecer uma corrente em


seus terminais. Como a queda de tenso pode variar de 1,5 V a 2 V para LEDs
da mesma famlia, se o LED precisar ser trocado, a intensidade da corrente pode
sofrer alteraes e, consequentemente, alterar a luminosidade.
Entre os vrios circuitos que polarizam o LED, o da figura 11.14a o mais usa
do, por sua simplicidade. Para calcular o valor de R, basta conhecer a corrente e
a queda de tenso. Por exemplo, se VLED = 2 V e a intensidade da corrente de
20 mA, ento o valor de R deve ser de:
R=

12 2
10 V
=
= 0, 5 k = 500
20 mA 20 mA

O circuito da figura 11.14b mais elaborado e fornece corrente constante para


o LED. A resistncia do resistor R determina o valor da corrente independen
temente da queda de tenso. Supondo que a corrente no LED seja de 20 mA, o
valor de R ser dado por:
R=

12 6
6V
=
= 0, 3 k = 300
20 mA 20 mA

Figura 11.14
Circuitos de
polarizao do LED:
a) simplificado e
b) corrente constante.

+12 V
R

+12 V

I = IE = IC

10 k

+
R

Diodo IR

Foto
Sensor

As principais caractersticas de um acoplador ptico so:


Mxima tenso de isolao a mxima tenso que pode ser aplicada
entre a entrada e a sada. Os valores podem ser da ordem de 5 kV.
Mxima resistncia de isolao a resistncia entre a entrada e a sada.
Pode atingir valores da ordem de 1011 .
Capacitncia de isolao Como a entrada e a sada so condutores e esto
separadas por um meio isolante, h uma capacitncia parasita associada.
Essa capacitncia limita a frequncia de operao, pois em frequncias ele
vadas passar a existir uma corrente entre a entrada e a sada mesmo que os
valores de tenso sejam baixos.
Relao de transferncia (CTR) determinada pela relao entre a cor
rente da sada (Is) e a da entrada (Ie):
CTR% =

Is
100
Ie

O acoplador ptico mais usado o que tem como sensor de sada um foto
transistor. Um exemplo o 4N25 (figura 11.16), que apresenta relao de
transferncia maior que 20% e tenso de isolao entre a entrada e a sada
de 5300 V RMS .
Figura 11.16

6V

a)

b)

NC

1 - Anodo
2 - Catodo
3 - NC
4 - Emissor
5 - Coletor
6 - Base

Acoplador ptico com


fototransistor 4N25.

11.3 Acoplador ptico


O acoplador ptico ou isolador ptico (figura 11.15) um bloco que tem in
ternamente um diodo emissor infravermelho e um sensor ptico (fotodiodo,
fototransistor, fotoSCR, fototriac, fotodarlington etc.). Sua aplicao mais im
portante isolar eletricamente os circuitos de controle e de potncia.
314

A figura 11.17 mostra o acoplador ptico 4N29, com fotodarlington como sen
sor de sada. A relao de transferncia de 500% e a tenso de isolao de
2500VRMS.
315

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eletrnica 2

CAPTULO 11

Figura 11.20

Figura 11.17
Acoplador ptico com
fotodarlington 4N29:
pinagem e dados.

MT

1: Anode
2: Cathode
3: NC
4: Emitter
5: Collector
6: Base

VF

IF

Zero
Crossing
Detector

MT

Um acoplador muito utilizado em potncia o da famlia MOC30XX, que


driver de TRIAC, sem ZVS, apresentando isolao de 7,5 kV entre a entrada e a
sada (figura 11.18).

A figura 11.21 mostra um acoplador ptico com TRIAC e ZVS, e a figura 11.22,
um exemplo de aplicao.
Figura 11.21

Figura 11.18

Acoplador ptico
com fototriac.

Anode
Cathode
NC

Esquema simplificado
de um acoplador ptico
com TRIAC e ZVS.

Main Term

Main Term

1. Anode
2. Cathode
3. NC
4. Main Terminal
5. Substrate do not connect
6. Main Terminal

Acoplador ptico com


TRIAC e ZVS MOC2061.

Figura 11.22
IFT

A figura 11.19 apresenta uma aplicao tpica do MOC3011 como driver de


TRIAC que funciona como chave de estado slido. A isolao total entre o
circuito de controle e o de potncia. A corrente no LED de entrada deve ser no
mnimo 10 mA e no mximo 50 mA. Observe que no existe sincronismo entre
a chave CH e o TRIAC. Isso significa que, se a chave for fechada no instante
em que a tenso da rede estiver passando pelo pico, pode ocorrer um pico de
corrente (surge).

Aplicao de acoplador
ptico com fototriac.

Zero
Crossindo
Circuit

TRIAC DRIVER

t1

Figura 11.19

t2

IGT

MT2

II

lL

Entrada
CA

Acoplador ptico com


TRIAC e ZVS:
a) circuito e
b) formas de onda.

RG MT1 RL
TRIAC de Potncia
a)

Corrente no LED emissor (lFT)


Entrada CA

CH
Vcc

corrente no TRIAC driver

RL

150

1
2

6 150
MOC3011M

TRIAC

Tenso no TRIAC principal


corrente na carga
b)

Se for necessrio inserir controle de disparo em zero, pode-se usar isolador p


tico com TRIAC e chaveamento em zero (figura 11.20). Ao ser aplicada uma
corrente de entrada (IF), o TRIAC somente conduzir quando a tenso estiver
prxima de zero; com isso, no ocorrer rudo de alta frequncia nem surge de
corrente (inrush current).
316

No circuito apresentado na figura 11.22, podemos observar que no instante t1


injetada uma corrente na entrada do acoplador ptico e o TRIAC driver no
dispara. No entanto, quando a tenso est passando prxima de zero, ou seja,
no instante em que a rede vai do semiciclo positivo para o negativo, o TRIAC
driver dispara, fornecendo um pulso de corrente para o TRIAC de potncia, que
317

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eletrnica 2

CAPTULO 11

Figura 11.25

tambm dispara, ligando a carga. Se o sinal de corrente mantido na entrada, o


processo volta a ocorrer toda vez que a tenso passar pelo zero. Quando o sinal
retirado no instante t2, o TRIAC no corta imediatamente, e sim quando a
tenso da rede passar por zero.
1 2

11.4 Interruptor ptico


Esse dispositivo possui um emissor e um receptor pticos em um mesmo bloco,
exatamente como o acoplador ptico, porm com uma abertura, na qual um
anteparo pode ser colocado para impedir que o feixe luminoso atinja o receptor
(figura 11.23).
Figura 11.23
Interruptor ptico:
a) esquema eltrico, e
b) aplicao.

IF

IC

+
VF

4 3

A figura 11.25 apresenta um exemplo de refletor ptico, o QRE00034. Esse


refletor consiste de um diodo infravermelho e um transistor NPN montados
lado a lado, sem contato com a superfcie e com filtragem para a luz do dia. A
distncia entre sensor e refletor deve ser de 4 mm.

+
Interruptor
ptico

VCE
-

Refletor ptico.

Catodo
Coletor
Anodo
Emissor

a)

b)

O interruptor ptico utilizado principalmente para monitorar a posio de um


eixo e medir sua rotao.
A figura 11.24 mostra o interruptor ptico TLP 507A, seus pinos, algumas carac
tersticas eltricas e limites. O modelo apresentado um sensor fotodarlington.
Figura 11.24
Interruptor ptico
TLP 507A.

3
1. Cathode
2. Anode
3. Emitter
4. Collecitos

11.5 Refletor ptico


O refletor ptico tem funcionamento semelhante ao do interruptor, pois possui o
emissor e o receptor em um mesmo conjunto, assim como um anteparo externo
que pode influenciar a transmisso do feixe. A grande diferena est na maneira
como feita essa interveno: em vez de ficar entre o emissor e o receptor, o feixe
apontado para o anteparo, que pode ser refletivo ou no.
318

319

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Referncias
bibliogrficas

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REFERNCIAS BIBLIOGR FICAS

ALBUQUERQUE, R. O.; SEABRA, A. C. Utilizando eletrnica com AO, SCR,


TRIAC, UJT, PUT, CI 555, LDR, LED, FET. So Paulo: rica, 2009.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circui
tos. 8 ed. So Paulo: Prentice Hall, 2006.
CAPUANO, F. G.; MARINO, M. A. P. Laboratrio de eletricidade e eletrnica.
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CIPELLI, M. V.; SANDRINI, W. J. Teoria e desenvolvimento de projetos de cir
cuitos eletrnicos. 14 ed. So Paulo: rica, 1991.
CRESESB. Tutorial de energia solar: princpios e aplicaes. Disponvel em:
<http://www.cresesb.cepel.br>. Acesso em: nov. 2009.
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS. Application note AN-3003: applications
of random phase crossing TRIAC drivers. Disponvel em: <http://www.fairchild
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GENERAL ELECTRIC CORPORATION. SCR manual. 6 ed. New York:
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MALVINO, A. P. Eletrnica. 4 ed. So Paulo: McGraw-Hill, 1997. v. 1.
SEDRA, A. S.; SMITH, K. Microeletrnica. 5 ed. So Paulo: Prentice Hall,
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TEXAS INSTRUMENTS SERIES. Digital integrated circuits and operational:
amplifier and optoelectronic circuit design. New York: McGraw-Hill, 1976.

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