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ISSN: 1665-3521
alex@fis.cinvestav.mx
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnologa
de Superficies y Materiales A.C.
Mxico
Aguilar, J.O.; Snchez-Pool, G.; Lpez-Mata, C.; Acosta, R.; Hernndez, J.; Gmez-Daza, O.;
Campos, J.
Degradacin de pelculas delgadas de sulfuro de cobre en ambiente costero
Superficies y vaco, vol. 23, nm. 1, marzo, 2010, pp. 6-12
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnologa de Superficies y Materiales A.C.
Distrito Federal, Mxico
1. Introduccin
Las caractersticas pticas de las pelculas
semiconductoras de sulfuro de cobre depositadas por el
mtodo de bao qumico se han reportado en trabajos
anteriores [1-7]. Poseen propiedades pticas casi ideales
[3] para el control de la radiacin solar, con una
transmitancia en la regin espectral del visible que va de
15% a 60%, de 5 a 50% en el cercano infrarrojo y de 0.1 a
1% en el ultravioleta. La reflectancia tiene valores de 5 a
10% en las tres regiones espectrales de inters. Las
propiedades pticas de dichas pelculas se pueden
modificar en funcin de su espesor, el cual est relacionado
directamente con la temperatura, duracin del depsito
qumico y la concentracin de la solucin qumica. La
tcnica ms utilizada para la obtencin de estas pelculas es
el bao qumico, por su bajo costo y facilidad de depositar
pelculas en reas grandes, mayores a un metro cuadrado.
Sin embargo, se pueden utilizar otras tcnicas como el
sputtering [8], roco piroltico [9] y evaporacin [10]
entre otras.
Las pelculas semiconductoras reportadas en [1-4]
presentaron problemas de estabilidad ambiental, se
degradaban al ser expuestas al medio ambiente durante
tiempos prolongados, esto propiciaba su desprendimiento
del sustrato. Este problema condujo a buscar una manera
de proteger las pelculas del medio ambiente. Fernndez y
Nair [11] presentaron caractersticas pticas de pelculas de
*ovidio@uqroo.mx
100
g = 620 nm
80
c = 834 nm
100-R(%)
60
< g
> c
40
20
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
Regin
Espectral
Ultravioleta
Regin
Espectral
Visible
Regin
Espectral
Cercano infrarrojo
80
CS1-23-S
Transmitancia (%)
70
CS1-23-A
60
CS1-02-A
50
CS1-02-S
40
30
20
10
0
250
350
450
550
650
750
850
950
1050
Regin
Espectral
Ultravioleta
Regin
Espectral
Visible
Regin
Espectral
Cercano infrarrojo
40
Reflectancia (%)
35
CS1-02-A
30
CS1-02-S
25
CS1-23-S
20
CS1-23-A
15
10
5
0
250
350
450
550
650
750
850
950
1050
2. Experimental
2.1 Pelculas delgadas semiconductoras de CuS
Las pelculas semiconductoras de CuS se depositaron por
bao qumico sobre hojas de PET de 5 x 5 cm y 0.1 mm de
7
Pelcula
70 nm
110 nm
CS1-31
CS2-31
CS1-28
CS2-28
CS1-23
CS2-23
Nomenclatura
CS1-21
CS1-17
CS2-21
CS2-17
CS1-09
CS2-09
CS1-02
CS2-02
3. Resultados y Discusin
Las pelculas de CuS son un semiconductor tipo p y su
conductividad elctrica () es tpicamente > 2 x 103 -1cm1
. Utilizando resultados de la teora electromagntica
clsica para la reflexin de ondas electromagnticas bajo
incidencia normal y suponiendo que se satisface que
2c
>
o r (c es la velocidad de la luz, 0 =8.85x10-12 F m-
2.2. Caracterizacin
c 0
(1)
R(% ) = 100 1 4
c =
c 0
1/ 2
(105 cm-1)
(2)
que =
2c
g *d
, donde
31 das de envejecimiento
28 das de envejecimiento
Figura 4. Micrografas de pelculas de CuS con 28 y 31 das de envejecimiento, expuestas al ambiente (izquierda) y almacenadas en bolsas con slica
desecante (derecha).
1240
g = cte *
3/ 2
(3)
Pelcula
Envejecimiento
(das)
Espesor
(nm)
TUV
(%)
RUV
(%)
TVIS
(%)
RVIS
(%)
1.5
50.8
5.5
25.7
2.9
4.8
2.8
3.4
4.3
48.3
35.4
40.3
5.1
3.2
4.6
CS1-23-S (slica)
23
CS1-23-A (ambiente)
CS1-02-S (slica)
CS1-02-A (ambiente)
70
2
60
(a)
carbono
53.29
51.66
50.91
47.76
50
43.63
38.95
40
oxgeno
31.85
30
31.38
30.63
26.78
30.05
21.93
19.85
22.84
20
22.18
cobre
10
azufre
11.15
11.48
7.46
7.41
12.11
10.81
5.76
5.6
4.52
0
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
50.33
50
43.71
carbono
43.1
43.04
38.95
40
30.05
30
37.98
cobre
26.18
25.92
27.33
25.79
24.1
oxgeno
20
25.26
19.85
22.17
21.88
21.77
19.4
11.15
azufre
9.43
8.94
8.91
8.59
10
6.17
0
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
9.5
8.53
8.38
8.18
7.72
8
7
6
5
4
3.27
3.77
3.61
3.53
2.37
2
1
0
0
10
15
20
25
30
35
4. Conclusiones
11
12