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oanozar6 “Transistor de efito ce campo —Wikipéia, a encilopédaire Transistor de efeito de campo Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre. FET ¢ 0 acrénimo em inglés de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o préprio nome diz, an funciona através do efeito de um campo ekitrico na jungdo, Este a> tipo de transitor tem muitas aplicagdes na area de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs tm como principal caracteristica uma elevada impedancia de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedancias podendo substituir transformadores em determinadas situagdes,além di usados para amplificar fiequéncias altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. A Wikipédia possui o portal Portal de eletrénica indice = 1 Composigao = 2 Polarizagdo = 3. Categorias = 4 Historia FET de alta-poténeia canal-N Composi¢ao Os FETs podem ser compostos por germinio ou sflicio combinados & pequenas quantidades de fosforo e boro, que sio substncias ““dopantes” (isto é, que alteram as caracteristicas elétricas).Os transistores de silcio so os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germiinio so usados somente para 0 controle de grandes poténcias. Polarizagao Um FET para uso geral apresenta trés terminais: porta (gate), fonte (source) ¢ dreno (drain), que permitem seis formas de polarizagdo, sendo trés as mais usadas: fonte comum (fonte ligado 4 entrada e saida simultaneamente), porta comum (porta ligada & entrada e saida simuiltaneamente) e dreno comum (dreno ligado a entrada e saida simultaneamente). Categorias O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias: hepssptwhiediacrgiwindaxprpile=Transistor_do_sto_de_camposprintable=yes 12 casas “Trarsisor de eft ce campo —Wipéa a eciclopéia lire = MOSFET tipo Intensificagio; = MOSFET tipo Deplegao. Os termos deplesao e intensificago definem o seu modo bisico de Gate, operagdo, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Oxido sourezite eo Semicondutor. Historia ay Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e por Corte em segio de um MOSFET Oskar Heil em 1934, Em 1960 John Atalla desenvolveu 0 MOSFET baseado nas teorias de William Shockley sobre o eftito de campo.!] tipo-n Ligacées externas = Transistor datasheet (http2/geocities. yahoo.com br/componenteseletronicos/index. htm) * O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (http2/www.gta.ufij.br/grad/01_1/igtb/Pagina IGBT-htm) Referéncias 1. Patentes (httpy/www.electro.patent-invent.convelectricity/inventions/fet.html) Obtida de "https/pt. wikipedia. orgiw/index.php ?title=Transistor_de_efeito_de_campo&oldid~45813052" Categorias: Componentes eletrdnicos | Dispositivos semicondutores | Transistores = Esta pagina foi modificada pela tikima vez.4(s) 20h02min de 6 de junho de 2016 = Este texto é disponibilizado nos termos da licenga Creative Commons - Atribuigio - Compartitha Igual 3.0 Nao Adaptada (CC BY-SA 3.0); pode estar sujeito a condigdes adicionais. Para mais detalhes, consulte as Condiges de Uso. hepssptwhiediacrgiwindaxprpile=Transistor_do_sto_de_camposprintable=yes 22