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APOSTILA ELTRICA-2 E ELETRNICA-1

MDULO - 2

AULA DIODO LED - TRANSISTORES

10

LED - caractersticas gerais


TRANSISTORES - funcionamento
Polarizao de transistores - testes prticos
Polarizao de transistores - anlise terica

DIODO LED

Caractersticas (fonte: Wikipedia)

O diodo emissor de luz, tambm conhecido pela sigla em


em ingls LED (Light Emitting Diode), funciona como um
diodo comum com relao a polarizao, ou seja, para
conduzir necessita de uma polarizao direta (tenso
positiva no nodo e negativa no ctodo).
Sua funcionalidade bsica a emisso de luz em locais e
instrumentos onde se torna mais conveniente a sua
utilizao no lugar de uma lmpada. Especialmente
utilizado em produtos de microeletrnica como
sinalizador de avisos, tambm pode ser encontrado em
tamanho maior, como em alguns modelos de sinaleiras.

O LED um diodo semicondutor (juno P-N) que


quando energizado emite luz visvel por isso LED (Diodo
Emissor de Luz). A luz no monocromtica (como em
um laser), mas consiste de uma banda espectral
relativamente estreita e produzida pelas interaes
energticas do eltron. O processo de emisso de luz
pela aplicao de uma fonte elctrica de energia
chamado eletroluminescncia.
Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro
da estrutura, prximo juno, ocorrem recombinaes
de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a
energia possuda por esse eltron, que at ento era livre,
seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de
luz.
No silcio e no germnio, que so os elementos bsicos
dos diodos e transistores, entre outros componentes
eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma
de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido a
opacidade do material), e os componentes que
trabalham com maior capacidade de corrente chegam a
precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para
ajudar na manuteno dessa temperatura em um
patamar tolervel.
J em outros materiais, como o arseneto de glio (GaAs)
ou o fosfato de glio (GaP), o nmero de ftons de luz
emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante
eficientes.
A forma simplificada de uma juno P-N de um LED
demonstra seu processo de eletroluminescncia. O
material dopante de uma rea do semicondutor contm
tomos com um eltron a menos na banda de valncia
em relao ao material semicondutor. Na ligao, os ons
desse material dopante (ons "aceitadores") removem
eltrons de valncia do semicondutor, deixando
"lacunas" (ou buracos), portanto, o semicondutor tornase do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o material
dopante contm tomos com um eltron a mais do que o
semicondutor puro em sua faixa de valncia. Portanto, na
ligao esse eltron fica disponvel sob a forma de
eltron livre, formando o semicondutor do tipo N.
Os semicondutores tambm podem ser do tipo
compensados, isto , possuem ambos os dopantes (P e
N). Neste caso, o dopante em maior concentrao
determinar a que tipo pertence o semicondutor. Por
exemplo, se existem mais dopantes que levariam ao P do
que do tipo N, o semicondutor ser do tipo P. Isso
implicar, contudo, na reduo da mobilidade dos

LED: vista interna


chip
semicondutor
copo refletor
lente
figura 1

terminais de
polarizao
figura 1a
ANODO (A)

CATODO

CATODO

ANODO
ANODO

ELETRNICA

CATODO (K)

figura 1b

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LED ALTO BRILHO

EXERCCIOS PROPOSTOS

2) Calcule a tenso no ponto indicado para


que o LED1 funcione normalmente com uma
1) Calcule o valor do resistor para que o diodo corrente de 10mA, polarizado pelo resistor
LED funcione com um brilho mdio (1,5V e de 1k.
10mA).

R?

+10V

+12V

1k

120Vac

R= ?

1,5V
LED 1

10mA

3) Calcule o valor do resistor R para que circule


uma corrente de 10mA pelo circuito formado pelo
gerador de corrente alternada de 120Vac e
retificado, sabendo que a tenso de polarizao do
LED1 de 2V.

LED 1

10mA

2V
LED 1

Caractersticas bsicas
Imed = 10mA
Vmed. = 1,5V

figura 1
102

figura 1

figura 1

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ELETRNICA

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TRANSISTOR

P N

Coletor

Emissor

figura 1

figura 2

Base

N P

Emissor

Coletor

Base

aspectos fsicos de vrios invlucros de transistores

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figura 3a

figura 3b

aspectos fsicos de transistores montados em superfcie (SMD)

figura 4

N P

Emissor

Carregado
negativamente
Coletor

Base

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corrente entre coletor-emissor, pois estes canais tem
dimenses considerveis.
Caso no seja aplicado uma polarizao entre baseemissor, no haver corrente entre coletor-emissor, pois a
barreira na juno base-emissor no permitir.
Na figura 5, temos os smbolos dos transistores NPN e
PNP. A seta no emissor indica a polarizao direta e
sentido de corrente para a juno base-emissor, tanto no
caso NPN (figura 5a), como no caso PNP (figura 5b).
figura 5

Base

Coletor

NPN
Emissor

Emissor

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Um dos transistores mais utilizados em


nosso treinamento o BC548 e BC558, cuja
disposio dos terminais mostrada
(Coletor-Base-Emissor da esquerda para a
direita).
Tambm utilizaremos o BD135 ao BD140,
alm da codificao TIP.

disposio dos terminais nos


transistores mais populares

Base
PNP
Coletor

Resumo
Aplicando-se uma polarizao direta na juno baseemissor, teremos um grande fluxo entre coletor/emissor
devido o acmulo de lacunas na juno base-emissor e
consequentemente, da captao dos eltrons do coletor
(anlise com transistor PNP).
Sem polarizao entre base-emissor, o transistor se
comporta como chave aberta entre coletor-emissor, pois
no haver corrente circulante.
Nas figuras abaixo, podemos ver uma srie de transistores
com seus respectivos terminais. Esta tabela deve ser
utilizada pelo aluno inexperiente, para identificao dos
terminais e auxlio em vrias montagens.

tipos de invlucro e a disposio de componentes

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Polarizao de transistores testes prticos

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ELETRNICA

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ponta preta no terminal negativo
da bateria ou fonte.
3 - Coloque e mantenha a ponta
vermelha do multmetro no
coletor do transistor, que dever
medir os mesmos 6V anteriores.
4 Aplique um curto entre base e
emissor (de forma momentnea)
que pode ser feito com um
pedao de fio ou chave de fenda.

5 Durante a aplicao do curto observe a tenso


que aparece no coletor do transistor.
Resultados: considerando que a fonte de
alimentao possui 12V, durante o curto baseemissor do transistor, a tenso de coletor cair at
0V.
Interpretao: podemos dizer que durante a
aplicao do curto entre emissor e base, a
resistncia entre emissor e coletor ficou muito alta,
devido a retirada da corrente que circulava
anteriormente por base e emissor.
Ateno: caso as tenses indicadas no tenham
sido obtidas, verifique se o transistor
realmente PNP e se os terminais coletor e
emissor foram ligados aos potenciais corretos
(coletor via resistor para o negativo e emissor
via resistor para o positivo).
CONCLUSES PRTICAS:
MEDIO 1: O TRANSISTOR COMPORTOU-SE
COMO UMA CHAVE ABERTA (CORTADO)
MEDIO 2: O TRANSISTOR COMPORTOU-SE
COMO UMA CHAVE FECHADA (SATURADO)
MEDIO 3: O TRANSISTOR COMPORTOU-SE
INICIALMENTE COMO UMA CHAVE FECHADA E
APS O CURTO BASE-EMISSOR COMO UMA
CHAVE ABERTA (SATURADO E APS
CORTADO)

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POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN (BC548)


Medio 1
1 - Solde um dos resistores de 1k no coletor do
transistor (terminal externo) deixando a outra ponta
do resistor livre.
2 - Solde o outro resistor de 1k no
emissor do transistor (terminal
externo) deixando a outra ponta do
resistor livre.
3 Deixe a base do transistor sem
nenhuma ligao (em aberto).
4 Ligue o potencial positivo da
fonte (garra vermelha) no resistor
de 1k que est ligado ao coletor do
transistor.
5 Ligue o potencial negativo da
fonte (garra preta) no resistor de 1k
que est ligado ao emissor do
transistor.

6 Coloque o multmetro da escala de 20Vdc e sua


ponta preta no terminal negativo da bateria ou fonte.
7 Mea as tenses de coletor com a ponta
vermelha e depois a de emissor, tambm com a
ponta vermelha.
Resultados: considerando que a fonte de
alimentao possui 12V, no coletor ser medido
12V e no emissor 0V.
Interpretao: podemos dizer que a resistncia
entre coletor e emissor muito mais alta
(infinitamente) do que os resistores que esto no
coletor e emissor. Assim, podemos dizer que temos
uma chave aberta entre os dois terminais do
transistor.
Medio 2
1 Mantenha todas as ligaes que foram feitas em
Medio 1
2 - Desligue a fonte de alimentao e solde na base
do transistor (terminal que estava em aberto) o

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resistor de 100k.
3 - Ligue o outro extremo do
resistor de 100k no potencial
positivo da fonte.
4 coloque o multmetro da
escala de 20Vdc e sua ponta
preta no terminal negativo da
bateria ou fonte.
5 Mea as tenses de coletor
com a ponta vermelha e depois a
de emissor, tambm com a
ponta vermelha.

Resultados: considerando que a fonte de


alimentao possui 12V, no coletor ser medido 6V
e no emissor tambm 6V.
Interpretao: podemos dizer que a resistncia
entre coletor e emissor ficou muito menor do que os
valores dos resistores de emissor e coletor. Assim,
podemos dizer que temos uma chave fechada entre
os dois terminais do transistor, criando circulao
de corrente pelos resistores e consequentemente
queda de tenses de 6V em cada um deles.
Medio 3
1 Mantenha todas as ligaes que foram feitas em
Medio 2
2 coloque o multmetro da escala de 20Vdc e sua
ponta preta no terminal negativo da bateria ou fonte.
3 - Coloque e mantenha a ponta vermelha do
multmetro no coletor do transistor, que dever
medir os mesmos 6V anteriores.
4 Aplique um curto entre base e emissor (de forma
momentnea) que pode ser feito com um pedao de
fio ou chave de fenda.
5 Durante a aplicao do curto observe a tenso
que aparece no coletor do transistor.
Resultados: considerando que a fonte de
alimentao possui 12V, durante o curto baseemissor do transistor, a tenso de coletor dever
subir para 12V.
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MDULO - 2

Interpretao: podemos dizer


que durante a aplicao do curto
entre emissor e base, a
resistncia entre coletor e
emissor ficou muito alta, devido a
retirada da corrente que
circulava anteriormente por base
e emissor.

Ateno: caso as tenses indicadas no


tenham sido obtidas, verifique se o
transistor realmente NPN e se os
terminais coletor e emissor foram
ligados aos potenciais corretos (coletor
via resistor para o positivo e emissor via
resistor para o negativo).
CONCLUSES PRTICAS:
MEDIO 1:
O TRANSISTOR
COMPORTOU-SE COMO UMA CHAVE
ABERTA (CORTADO)
MEDIO 2:
O TRANSISTOR
COMPORTOU-SE COMO UMA CHAVE
FECHADA (SATURADO)
MEDIO 1:
O TRANSISTOR
COMPORTOU-SE INICIALMENTE COMO
UMA CHAVE FECHADA E APS O
CURTO BASE-EMISSOR COMO UMA
CHAVE ABERTA (SATURADO E APS
CORTADO)

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ELETRNICA

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Polarizao de um transistor viso bsica e terica

figura 6

figura 7

+12V

+12V

+12V

Polarizao
Direta

+11,4V

Polarizao
Reversa

Polarizao
Reversa

+0,6V
Polarizao
Direta

figura 8
+12V

+12V

Hfe (ganho) = 50
B

10k

5,7V

6,3V

0,6V

57mA

1,14mA
Corrente base-emissor
A corrente de base ser
multiplicada por 50, resultando
na corrente de coletor-emissor

ELETRNICA

100 A

Corrente de
coletor-emissor
Obs: O resultado da corrente
do coletor-emissor depender
da mxima corrente que este ter,
limitada pelo resistor de 100

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figura 9
+12V

+12V

Rc
1k

Rc
1k

+12V

0V

+12V

C
Rb
E

figura 11
+12V
Resistncia
mdia

Rb

+12V

Rc

+12V

Rc
1k

7V

0,6V
7V

1k4

ou
C

Mdia corrente
entre base-emissor

R = 1k4

A resistncia de 1kde
coleto-emissor, faz com que
tenhamos 7V no coletor do
transstor.

figura 10
+12V

Rb

0,6V

+12V

Rc

+12V

Rc
1k

0V
Saturado

0V

ou
C
Alta corrente
entre base-emissor

Em relao a resistncia
de 1ka

resistncia coletor
-emissor ser praticamente,
uma chave fechada.

R c/e = 1
E

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figura 13a

figura 13b

+12V

+12V

+12V

Rc

R1

Rc

Ice

Rt

figura 12a

R2

figura 12b

Ibe

Re
+12V

Rc

R1

Ice

0,6V
B

R2

Ibe

Ibe

E
R2
Re

ELETRNICA

Re

+12V

+12V

R1

Ice

Re

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Criado transistor que imita funcionamento do crebro


Um novo transistor projetado para imitar estruturas
no crebro humano pode abrir caminho para que os
sistemas informatizados - cada vez mais eficientes aprendam a "pensar" como seres humanos, dizem
os cientistas. O equipamento o primeiro a imitar
um processo usado por clulas cerebrais, ou
neurnios, quando as clulas enviam sinais para as
outras. A pesquisa foi detalhada na ltima edio da
revista Advanced Functional Materials.
Segundo o fsico Dominique Vuillaume - autor do
estudo, do Instituto de Eletrnica, Microeletrnica e
Nanotecnologia da Frana, o objetivo construir
componentes do circuito em escala nanomtrica
que possam ser usados em computadores
inspirados no funcionamento dos neurnios.
Esses computadores seriam teis para as tarefas
para as quais os computadores tradicionais no so
muito bons, especialmente para processamento de
imagens e reconhecimento, disse o cientista ao
site Live Science.
Transistores so alicerces da eletrnica. Eles
permitem o controle do funcionamento corrente
eltrica atravs de um circuito, amplificando ou
mudando a corrente ligada ou desligada.
Sinapse dos transistores
Da mesma forma, a sinapse, um pequeno intervalo
entre neurnios vizinhos, um componente crucial
do crebro. O neurnio transmite um pulso eltrico
pequeno ao longo de seu comprimento,
provocando a liberao de substncias qumicas,
chamadas neurotransmissores, na sinapse. Os
neurotransmissores atravessam a abertura
sinptica e desencadeiam uma resposta no
neurnio vizinho.
O sincronismo dos pulsos eltricos ajuda a
determinar o tamanho de um sinal qumico enviado.
Em alguns neurnios, estmulos repetidos rendem
resultados mais fortes. Em outros, mltiplos

estmulos provocam respostas mais fracas. Essas


adaptaes, conhecidas como plasticidades de
curto prazo, acontecem em milsimos de
segundos.
Nas falsas redes neurais criadas anteriormente
eram necessrias pelo menos sete transistores
para replicar a plasticidade de curto prazo. Com o
novo transistor, chamado de transistor de
nanopartculas de efeito de campo de memria
biolgica, ou Nomfet, necessrio apenas um.
Isso importante porque com os transistores
menores e mais adaptveis, ser mais barato e
mais fcil reproduzir a escala de algumas sinapses
artificiais para milhares, disse Vuillaume.
Nomfet
Para construir o Nomfet, Vuillaume e sua equipe
colocaram nanopartculas de ouro entre dois
eletrodos. As partculas, apenas cinco com 20
nanmetros de dimetro, foram cobertas com uma
camada muito fina de uma substncia chamada
pentaceno, que conduz eletricidade.
Cargas positivas chamadas "buracos", que so
criados pela falta de eltrons no pentaceno,
transmitem a corrente atravs desse vale de ouro.
Em cada entrada de tenso, alguns buracos esto
presos temporariamente pelo ouro, e isso muda a
sada eltrica do transistor. Dependendo da
voltagem utilizada, o Nomfet pode produzir
resultados mais fortes ou mais fracos assim como
os neurnios humanos submetidos a plasticidade
de curto prazo.
Devido a esta capacidade de adaptao, o Nomfet
mais flexvel que os transistores tradicionais,
dizem os investigadores. O prximo passo, disse
Vuillaume, combinar vrios transistores Nomfet
juntos para ver de perto como se aproximam reais
circuitos neurais.
Redao Terra

http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/funcionamento-do-transistor.html
http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/164/37/

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