Amplificador de Potencia Clase e

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS
INDUSTRIALES Y DE TELECOMUNICACIN
UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
Proyecto Fin de Carrera
AMPLIFICADOR CLASE E DE BANDA

ANCHA EN TECNOLOGA GaN HEMT
(Broadband Class E Amplifier over

GaN HEMT Technology)
Para acceder al Titulo de
INGENIERO DE TELECOMUNICACIN
Autor: Rodrigo Miranda Gonzlez
INGENIERA DE TELECOMUNICACIN
CALIFICACIN DEL PROYECTO FIN DE CARRERA
Realizado por: Rodrigo Miranda Gonzlez
Director del PFC: Jos ngel Garca Garca
Ttulo: Amplificador Clase E de Banda Ancha en Tecnologa GaN
HEMT
Title: Broadband Class E Amplifier over GaN HEMT Technology
Presentado a examen el da:
para acceder al Ttulo de
INGENIERO DE TELECOMUNICACIN
Composicin del Tribunal:
Presidente (Apellidos, Nombre): Tazn Puente, Antonio
Secretario (Apellidos, Nombre): Garca Garca, Jos ngel
Vocal (Apellidos, Nombre): Mediavilla Sanchez, Angel
Este Tribunal ha resuelto otorgar la calificacin de: .........................
Fdo.: El Presidente
Fdo.: El Secretario
Fdo.: El Vocal
Fdo.: El Director del PFC

(slo si es distinto del Secretario)
V B del Subdirector
Proyecto Fin de Carrera N

(a asignar por Secretara)
Agradecimientos
En primer lugar agradecer a toda mi familia, y con mencin especial a mis padres,
todo el apoyo recibido durante estos aos de estudio ya que sin ellos este camino
nunca hubiese sido posible.
Agradecer tambin a todos los compaeros, que de una manera u otra han
contribuido a la realizacin de este bonito propsito, resaltando aquellos que se
hicieron, aparte de compaeros, amigos durante esta etapa de mi vida.
A mi director de proyecto, Jos ngel Garca, a quien siempre estar agradecido

por su trabajo dedicado y su disposicin, en todo momento, a ensear.
A Nieves, gracias por tu ayuda y ser siempre tan amable, al igual que Sandra por
realizar el trabajo pedido, ya que sin su colaboracin este proyecto no hubiera sido
posible.
ndice
1. Introduccion...6
1.1.
Importancia del compromiso linealidad-eficiencia en transmisin

inalmbrica...7
1.2.
Objetivos8
1.3.
Estructura de la memoria..9
1.4.
Referencias...9
2. Tipos de transmisores y amplificadores de potencia..10

2.1.
Transmisor cartesiano.11
2.2.
Transmisor polar...12
2.3.
Transmisor outphasing...13
2.4.
Amplificadores de potencia14
2.4.1. Parametros significativos de los amplificadores de potencia14

2.4.2. Clases de amplificadores de potencia..17
2.5.
2.4.2.1.
Amplificadores como fuente de corriente dependiente (

clases A, B, AB, C ).18
2.4.2.2.
Amplificadores conmutados ( clases D y E )..20
Referencias..21
3. Amplificador de potencia clase E..22

3.1.
Analisis del circuito clase E original23
3.1.1. Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo32

3.1.2. Circuito clase E con lneas de transmisin..34
3.1.2.1.
Condiciones de circuito abierto a los armonicos usando

lneas de transmisin.37
3.1.2.2.
Contenido armonico de la tensin en el conmutador41
3.1.2.3.
Efectos de la resistencia no nula del conmutador en Estado

ON.43
3.1.3. Amplificador clase E basado en un dispositivo GaN HEMT..48

3.2.
Referencias.49
4. Simulacion y diseo del amplificador clase E sobre GaN HEMT..50

4.1.
Caracterizacion del transistor para su modelo conmutado..51
4.2.
Implementacion del modelo en AWR..53
4.3.
Estimacion inicial de la RDC y la eficiencia.53
4.4.
Impedancia nominal u optima al fundamental..55
4.5.
Simulacion del amplificador clase E en condiciones ideales de

terminacin.55
4.6.
Simulacion Load-Pull...57
4.7.
Ajuste de la red de terminacin en drenador59
4.8.
Simulacin del amplificador incorporando la red de salida

ajustable.63
5. Medidas y comprobacin del funcionamiento del amplificador...66

5.1.
Red de polarizacin..67
5.2.
Medidas realizadas69
5.2.1. Medidas frente a frecuencia70

5.2.2. Medidas frente a VDD72
5.2.3. Medidas frente a PIN.........................................................................74
6. Conclusiones y lneas futuras77

6.1.
Conclusiones.78
6.2.
Lineas futuras de trabajo78
1- INTRODUCCIN
1.1- Importancia del compromiso Linealidad-Eficiencia en

Transmisin Inalmbrica
Las aplicaciones de comunicaciones inalmbricas estn evolucionando
rpidamente exigiendo sistemas ms eficientes y con una respuesta transitoria
ms rpida. La bsqueda de mayores velocidades de tasa de datos est
impulsando la integracin de tcnicas WCDMA y EDGE (Tasa de datos
mejorada para la evolucin de GSM) en el sistema global para las
comunicaciones mviles (GSM) gracias al uso de tcnicas como el seguimiento
de la envolvente Envelope Tracking (ET), eliminacin y restauracin de la
envolvente Envelope Elimination and Restoration (EER) o incluso un hbrido
de ellas dos. Del mismo modo, la potencia de las redes inalmbricas de rea
local (WLAN), con el despliegue de los servicios 802.11a/b/g y los desarrollos
de una cuarta generacin (4G) de tecnologa mvil y WiMAX, prometen ofrecer
capacidad adicional. Est claro que el futuro de los dispositivos inalmbricos
necesitar soportar un incremento del nmero de aplicaciones.
Una parte fundamental del dispositivo inalmbrico es el transmisor. Los
transmisores inalmbricos suelen emplear arquitecturas como la cartesiana,
que exigen el uso de amplificadores lineales de RF. Habitualmente se utilizan
amplificadores clase A para obtener amplificacin lineal pero, las no
linealidades de los amplificadores de potencia debido al alto PAPR (Peak-toAverage Power Ratio) de los formatos de modulacin mencionados requieren
una amplificacin mucho ms eficiente que la que se puede obtener con
amplificadores lineales.
Un funcionamiento eficiente del transmisor supone uno de los
condicionantes ms importantes, maximizar la autonoma de los terminales de
usuario y reducir los gastos relacionados al elevado consumo de potencia de
las estaciones base, que conlleva, no solo razones econmicas, sino tambin
medioambientales, a la necesidad de utilizar una arquitectura eficiente como es
la del transmisor polar o la del transmisor outphasing, tal y como se presenta
en [1] , evitando el uso del amplificador lineal poco eficiente.
Tan
importante
es
la
eficiencia
en
una
estacin
base
que
aproximadamente la mitad del gasto de energa correspondiente al transmisor

7
(alrededor del 25% del total), se debe a la mala eficiencia del amplificador de
potencia.
El transmisor polar y el transmisor outphasing consiguen encontrar un
buen compromiso entre la linealidad y eficiencia, cumpliendo los criterios de
amplificacin y tasas de transmisin de informacin requeridas en transmisin
inalmbrica.
1.2- Objetivos
En la evolucin hacia esquemas de transmisin inalmbrica de alta
eficiencia, como las anteriormente mencionadas,
destaca el uso de
amplificadores clase E operando en condiciones de modulacin de la

polarizacin y la impedancia de carga. Forzando condiciones de conmutacin a
tensin y derivada de la tensin igual a cero, estos amplificadores evitan las
prdidas de conmutacin y por ende podran ofrecer una eficiencia terica del
100%
Lamentablemente, a requerir una terminacin al fundamental con parte
real e imaginaria (de tipo inductivo) junto a circuito abierto a sus armnicos
superiores, estos amplificadores suelen ofrecer un perfil de potencia de salida
decreciente con la frecuencia, lo que limita su ancho de banda.
En este proyecto, tomando como base resultados previos en la
optimizacin de las prestaciones de amplificadores clase E de banda estrecha,
se abordar el diseo, implementacin y caracterizacin de un amplificador de
banda ancha, capaz de cubrir un intervalo de frecuencia entre 750 y 950 MHz.
Usando un modelo simple del transistor como conmutador, extraido de
medidas en pinch-off y la zona hmica, se estimaran las condiciones optimas
de terminacin en drenador para el transistor seleccionado ( el CGH35030F ).
A partir de estos resultados, se sustituir la bobina auto-resonante por un
circuito paralelo que permita aproximar condiciones de circuito abierto al
segundo y tercer armnico, con un valor de inductancia que permita a su vez
disminuir el factor de calidad al fundamental y con ello reducir en la medida de
lo posible la variacin en la potencia de salida con la frecuencia.
8
Se proceder entonces a la implementacin del amplificador y se llevaran

a cabo campaas de caracterizacin de los perfiles de potencia de salida y
eficiencia con la frecuencia, la potencia de entrada y la tensin de polarizacin
en drenador.
Se valorara adems las potencialidades de su uso en esquemas de
transmisin outphasing (Chireix). Se intentara conseguir prestaciones en el
estado de la tcnica.
1.3- Estructura de la memoria

En el captulo 2 se realizara una explicacin de la transmisin inalmbrica
as como una breve explicacin de las clases de amplificadores existentes.
En el captulo 3 se describen con mayor profundidad los fundamentos
tericos que rigen el comportamiento de los amplificadores clase-E, y que
generan las ecuaciones necesarias para su posterior diseo.
En el captulo 4 se muestra paso a paso el proceso seguido en el diseo
del amplificador clase-E construido, as como montaje y caracterizacin.
Finalmente, en el captulo 5 se plantean algunas conclusiones obtenidas
tras la realizacin de este proyecto, al tiempo que proponen nuevas lneas de
trabajo.
1.4. Referencias.
[1]
J. A. Garca, C. Fager, A. Zhu, J. C. Pedro, P. Cabral, P. Colantonio,

Emerging Wireless Transmitter Architectures, TARGET-2007-11-27WP232-D-D.2-3.0, Noviembre 2007
2. TIPOS DE
TRANSMISORES Y
AMPLIFICADORES DE
POTENCIA.
10
2.1- Transmisor Cartesiano

En los sistemas de radiocomunicacin se debe transmitir a frecuencias
muy determinadas, y debido a este requerimiento se emplea la transmisin
paso banda.
Una representacin banda base de las seales paso banda es la
cartesiana (componentes en fase y cuadratura), y sta es la arquitectura
utilizada tradicionalmente para transmitir en radiofrecuencia. En este esquema
de transmisin, que se muestra en la Figura 2.1, las componentes en fase y
cuadratura
de la seal a transmitir modulan respectivamente a las
componentes en fase y cuadratura de la seal portadora. Despus, las dos

seales moduladas se combinan formando la seal a transmitir, que es
procesada por un amplificador de potencia de RF tericamente lineal, y poco
eficiente, y enviada por la antena.
xI(t)
xi[n]
DAC
Transmisor
Banda Base
b[n]
x(t)
Oscilador de
portadora RF
90
Unidad
DSP
Amplificador
de Potencia
de RF lineal
DAC
xq[n]
xQ(t)
Modulacin
I/Q
Figura 2.1: Arquitectura del transmisor cartesiano
La seal de salida se representa en funcin de sus componentes en fase

y en cuadratura como se indica en la siguiente expresin:
xt x i (t) cosw c t x q t senw c t
(2.1)
Esta arquitectura no satisface el compromiso de linealidad con alta

eficiencia de potencia, tan necesario en los sistemas inalmbricos actuales,
pero para alcanzar este objetivo se pueden utilizar arquitecturas alternativas,
como la del transmisor polar.
11
2.2- Transmisor Polar

El transmisor con arquitectura polar, mostrado en la Figura 2.2, se basa
en el concepto de Eliminacin y Restauracin de Envolvente (EER), propuesto
por Kahn en 1952, y adems integra avances recientes en procesado digital de
seal.
Amplificador Clase S
+ VDD
xi[n]
xAM(t)
xAM[n]
DAC
b[n]
Transmisor
Banda
Base
Modulador
Digital
Clase-S
Filtro de
Reconstruccin
Conversor
Cartesiano
a Polar
Reloj
Muestreador
Unidad
DSP
DAC
xq[n]
xPM[n]
xPM(t)
VDD(t)
yAM(t)
Modulador
PM
Oscilador de
portadora RF
xPM(t)
yPM(t)
Amplificador de
Potencia de RF en
Modo Conmutado
Figura 2.2: Arquitectura del transmisor polar
Se basa en la representacin de la seal paso banda a transmitir en

funcin de sus componentes de amplitud y fase, que son seales paso bajo,
como se expresa a continuacin:
xt x AM (t) cosw c t x PM t
(2.2)
La idea del transmisor polar es sustituir el modulador I/Q del transmisor

cartesiano tradicional, por un modulador AM/PM polar. De este modo, se tratan
de forma independiente las componentes de amplitud y fase, xAM(t) y xPM(t), de
la envolvente compleja de la seal de comunicaciones, hasta que son
combinadas en el amplificador de potencia de RF.
Este amplificador es un dispositivo de conmutacin que opera en modo
altamente eficiente, como un clase E. Para asegurar un uso ptimo de la
potencia, la rama encargada de la modulacin AM debe realizar tambin una
amplificacin conmutada, como es la clase S, por ejemplo.
12
La componente de fase se transforma en una seal de envolvente

constante xPM(t), que, al no tener variaciones de amplitud, puede servir de
excitacin del amplificador de potencia de alta eficiencia.
La componente de amplitud xAM(t) atraviesa un amplificador clase S y un
filtro de reconstruccin, que la da un cierto retraso, y despus modula
dinmicamente la tensin de polarizacin en drenador del amplificador clase E.
La seal de salida contiene entonces informacin de amplitud y de fase.
2.3-
Transmisor Outphasing (LINC)

Esta tcnica se basa en la codificacin de la componente de amplitud
usando el ngulo de desfase entre dos seales envolventes constantes son

amplificadas y combinadas para dar paso a la seal de salida, como se
muestra en la Figura 2.3. Dado que las seales que van a ser amplificadas no
llevan informacin en su amplitud, no se requiere una linealidad en los
amplificadores. Como consecuencia las seales pueden ser recortadas en sus
puntos de compresin para una mayor eficiencia en potencia.
Figura 2.3: Arquitectura del transmisor outphasing.
Debido a esto podemos elegir amplificadores no lineales y de alta

eficiencia, como podran ser los amplificadores Clase D, E, F. Sin embargo,
parte del proceso de conversin de la fase tiene una configuracin compleja y
13
un ancho de banda del orden de las decenas de MHz. Adems la separacin

de seales es requerida en un bloque de phase up-conversin.
2.4- Amplificadores de potencia

En la etapa de modulacin de un transmisor polar o en cada rama de un
transmisor outphasing se utiliza un amplificador de potencia de alta eficiencia.
Un amplificador de potencia se puede entender como un transductor en
tanto que su funcin es la de convertir la energa disponible de una fuente de
potencia de DC en energa de seal, en potencia de RF, amplificando as la
seal de RF de entrada, como muestra la Figura 2.4
Pin DC
Pin RF
Pout RF
RF AP
Figura 2.4: Potencias en un amplificador de potencia de RF
2.4.1- Parmetros Significativos de los Amplificadores de

Potencia
Eficiencia
La eficiencia de este proceso de amplificacin se puede expresar en
varios trminos:
Eficiencia de drenador ( D ).
Eficiencia de potencia aadida ( PAE ).
Eficiencia completa ( ).
14
La eficiencia en drenador, tambin conocida como eficiencia de

conversin DC-RF, representa en qu medida la potencia de DC se convierte
en potencia de salida de RF. Se puede obtener con la siguiente expresin:
D
PoutRF
PinDC
(2.3)
La eficiencia de potencia aadida (PAE, Power-Added Efficiency)

considera adems la ganancia del amplificador, definiendo la eficiencia como la
diferencia de potencia de RF entre la salida y la entrada dividida entre la
potencia de DC:
PAE
PoutRF - PinRF
1
D 1 -
PinDC
G
(2.4)
Finalmente, la eficiencia completa compara la potencia total recibida por

el amplificador (RF+DC) con la potencial total entregada a la salida. Se expresa
de la siguiente manera:
PoutRF
D
PinRF PinDC D
1
G
(2.5)
Linealidad
La linealidad de un amplificador da una idea de la capacidad del
dispositivo para reproducir correctamente en la salida la amplitud y la fase de la
seal de entrada.
Es decir, el dispositivo es lineal a la frecuencia de trabajo si la amplitud de
la seal de salida vara linealmente con la amplitud de la seal de entrada, y
adems, la diferencia entre la fase de la seal de salida y la de la seal de
entrada permanece constante.
Cuando el dispositivo es no lineal, la seal de salida aparece
distorsionada: la amplitud de salida se comprime y la fase deja de ser
constante.
La linealidad es funcin de la porcin de tiempo que el amplificador
permanece en la regin de funcionamiento de saturacin, mostrada en la
Figura 2.5:
15
Figura 2.5: Curvas caractersticas I-V de un transistor FET
La no linealidad de la amplitud suele provocar mayor distorsin que la

variacin de fase. El comportamiento no lineal provocado por la compresin de
la ganancia se da cuando la amplitud de la seal de entrada al amplificador es
tan grande que satura al dispositivo. La variacin de la fase de la seal de
salida tambin es funcin del grado de saturacin en potencia. Por lo tanto, la
distorsin de la seal es ms significativa a medida que el amplificador se
aproxima a la zona de funcionamiento en saturacin(el dispositivo alcanza la
regin hmica o lineal de sus carateristicas I/V).
En la Figura 2.6 podemos observar la variacin de la ganancia de
compresin y de la fase en funcin de la potencia de entrada:
Figura 2.6: Ganancia de compresin y variacin de fase debidas a la

saturacin de un amplificador de potencia
16
Para obtener una amplificacin lineal, el nivel pico de potencia debe

mantenerse dentro de la regin lineal del amplificador, y evitar as los efectos
no deseados (como por ejemplo productos de IMD) debido a las no
linealidades. En consecuencia si se pretende una amplificacin lineal, la opcin
ms comn consiste en trabajar lejos del punto de compresin y en
consecuencia la eficiencia del amplificador de potencia disminuye.
Cuando amplificamos seales de amplitud constante no nos influye la no
linealidad del amplificador de potencia. Esto es debido a que la saturacin del
amplificador es funcin de la amplitud de la seal de entrada, por lo que, si sta
se mantiene constante, la saturacin tambin se produce a un nivel constante y
la ganancia del amplificador no vara.
2.4.2 Clases de Amplificadores de Potencia

En los amplificadores de potencia, se pueden distinguir tres modos de
operacin, unos funcionan como fuente de corriente dependiente (Clases A, B,
AB, C), otros pueden funcionar en modo conmutado (Clase D,E) y por ltimo
encontramos el modo de operacin saturado, los cuales operan como fuente de
corriente y parcialmente como conmutadores (Clase F). En la Figura 2.7 se
encontrar el punto de polarizacin dependiendo de la clase de amplificador.
En este apartado haremos un breve resumen de todas las clases de
amplificadores de potencia menos la Clase E, que se explicar con detalla en el
siguiente captulo.
Figura 2.7. Puntos de polarizacin para las diferentes clases de amplificadores

de potencia. Cada clase est definida por su tensin de puerta y la
magnitud de la seal de excitacin.
17
2.4.2.1- Amplificadores como fuente de corriente dependiente

(Clases A, B, AB, C).
Clase A
Un amplificador de potencia funciona en clase A cuando el transistor se
encuentra siempre polarizado en su regin de saturacin, mediante la inyeccin
de una corriente continua y constante en drenador. Acta como una fuente de
corriente controlada por la tensin de entrada.
La seal mantiene al transistor conduciendo durante los 360 del ciclo y
las corrientes y tensiones presentes en el circuito de salida son una rplica de
las seales de entrada.
Esta clase tiene la ventaja de proporcionar la amplificacin ms lineal y el
mayor factor de ganancia de los amplificadores. Permite su utilizacin a
frecuencias prximas a la mxima de operacin del transistor, ya que no hay
armnicos en el proceso de amplificacin.
Pero, como inconveniente, tiene una eficiencia muy baja, debido a que el
dispositivo disipa potencia incluso en ausencia de seal de entrada. Para un
amplificador de potencia clase A ideal la eficiencia mxima que se consigue es
del 50%.
Clase B
En el amplificador clase B los transistores estn polarizados en el lmite
entre la regin de saturacin y la regin de corte. Cuando se le aplica seal de
entrada, el transistor acta como una fuente de corriente.
En esta clase la conduccin slo se realiza durante un semiciclo (ngulo
de conduccin de 180). La corriente de polarizacin cuando no hay
conduccin es cero, por lo tanto, no hay consumo de potencia en ausencia de
seal de entrada. Por esta razn la eficiencia del amplificador clase B es alta,
llegando a alcanzar en condiciones ideales un 78.5%.
La operacin en clase B se caracteriza por una tensin de drenador
constante y, a diferencia de clase A, una corriente media de drenador creciente
con el aumento de potencia, y proporcional a la amplitud de la seal de
18
entrada.
Debido
esto
el
amplificador
clase
tambin
tiene
un
comportamiento bastante lineal.

Clase AB
Es un compromiso entre la clase A y la clase B, tanto desde el punto de
vista de eficiencia como de ganancia en potencia y linealidad.
Este tipo de amplificadores trata de corregir la distorsin de cruce
recurriendo al montaje en contrafase mediante diodos. El punto de trabajo, en
este caso, es tal que el ngulo de conduccin est comprendido entre algo ms
de 180 y bastante menos de 360. Esta situacin se da cuando el punto de
polarizacin se encuentra en la zona de saturacin pero bastante ms cerca
del de corte que de la zona lineal u hmica.
Se produce un empeoramiento del rendimiento respecto a la clase B, ya
que se consume la potencia necesaria para dicha polarizacin en reposo. En
este caso, si se aplica a la entrada una seal sinusoidal, la seal de salida ser
cero en un intervalo de tiempo inferior a medio periodo.
La operacin en clase AB proporciona, al igual que la clase A una seal
de salida altamente lineal con respecto a la seal de entrada, ya que, aunque
cada dispositivo slo conduce durante medio ciclo, ambos dispositivos se
ceden el relevo, en el paso por cero, de modo que en su conjunto se
comportan de manera lineal, especialmente si ambos transistores son
idnticos.
Su comportamiento en distorsin, es diferente y algo inferior al de clase
A. Por ello, esta modalidad de amplificacin se emplea en amplificadores
lineales con no tan severas exigencias de linealidad como las aplicaciones que
requieren clase A pura.
Clase C
En el amplificador clase C el dispositivo se polariza por debajo del corte, y
la carga se acopla mediante un circuito LC paralelo, sintonizado a la frecuencia
de la seal de entrada. De esta forma, el dispositivo se encuentra en estado de
19
corte la mayor parte del periodo de dicha seal y amplifica slo durante cortos
intervalos, se puede decir que casi funciona como un conmutador.
Se aumenta la eficiencia respecto a los anteriores, a costa de reducir la
linealidad. Puede llegarse tericamente a eficiencias del 100%, a medida que el
ngulo de conduccin se aproxima a cero. Pero esto conlleva que la ganancia
vaya disminuyendo, de manera que la potencia de excitacin necesaria va
aumentando.
La respuesta de un clase C es esencialmente no lineal, incluso para la
frecuencia fundamental.
2.4.2.2- Amplificadores Conmutados (Clase D y E)

Clase D
En modalidad de clase D, se utilizan dos o ms transistores enfrentados
en rgimen de conmutacin que actan, idealmente, como un interruptor
bipolar. El resultado terico es una onda cuadrada de tensin de la cual se
selecciona, mediante filtrado, su componente fundamental.
La seal de corriente de entrada es una sinusoide lo suficientemente
fuerte como para producir la saturacin y el corte de los dispositivos en el
momento adecuado.
Las formas de onda de tensin y corrientes estn completamente
desfasadas, de modo que slo circula corriente cuando la tensin en el
transistor es nula, y viceversa. Este es el principio bsico de funcionamiento en
modo conmutado, y permite idealmente conseguir que no existan prdidas de
potencia en el transistor.
Esta clase puede verse como una clase B modificado operando en gran
seal, donde la energa que deba disiparse en el transistor se almacena en
una capacidad y es entregada al circuito de salida. El valor real distinto de cero
de la resistencia en estado ON y los tiempos de conmutacin finitos producen
que las formas de onda se solapen y no se alcance la eficiencia ideal del 100%,
pero pueden conseguirse buenas aproximaciones.
20
Los amplificadores clase D se utilizan de forma generalizada para

aplicaciones de audio y, ocasionalmente, en el rango de las microondas.
Clase E
Se realizara una descripcin detalla sobre este tipo de amplificador en el
siguiente captulo.
2.5- Referencias.
[1]
Beatriz Bedia Expsito, Optimizacin del Compromiso LinealidadEficiencia en Transmisores Polares, Proyecto fin de Carrera, Universidad
de Cantabria, Julio 2008.
[2]
L. R. Kahn, Single-Sideband Transmission by Envelope Elimination and

Restoration, Proc. IRE, vol. 40, no. 7, pp. 803-806, Julio 1952.
[3]
A CMOS Outphasing Transmitter Using Two Wideband Phase Modulators,

by Sungho Lee*, Kihyun Kim**, Jaehoon Song**, Kang-Yoon Lee***, and
Sangwook Nam**. Part1.Introducion.
21
3. AMPLIFICADOR DE
POTENCIA CLASE E.
22
El descubrimiento del amplificador clase E es relativamente reciente (N.O.

Sokal y A.D. Sokal, 1975 [1]), pero qued relegado, hasta que, alrededor de los
90s, el despliegue de la telefona mvil requiri de amplificadores de altsima
eficiencia para economizar batera. Se caracteriza por el empleo de un nico
dispositivo activo.
La red resonante de salida inclua, como principal innovacin, una
capacidad en paralelo con el dispositivo. Esta capacidad ser aportada de
manera externa, o bien estar constituida, en parte o completamente por la
capacidad parsita de salida del dispositivo. En los amplificadores de clase E la
eficiencia terica alcanzable es del 100%.
Sus ventajas principales son, adems de su mayor eficiencia, la mayor
fiabilidad, la reduccin del tamao y del peso de los equipos y sobre todo, su
diseo predecible y consistente gracias a la existencia de procesos de diseo
claros y definidos. Son utilizados en algunas estaciones transmisoras y
aplicaciones satelitales donde la eficiencia es un aspecto fundamental.
3.1- Anlisis del Circuito Clase E Original

Un amplificador de potencia que trabaja con una eficiencia del 75% puede
entregar tres veces ms potencia que otro que lo haga con un 50% de
eficiencia utilizando el mismo dispositivo, si la potencia de salida est limitada
por la disipacin trmica en los transistores. La topologa del amplificador en
modo conmutado clase E se analiza en este apartado desde el punto de vista
de la alta eficiencia, segn el estudio realizado en la segunda referencia. [2]
En la Figura 3.1 se muestra la topologa propuesta por primera vez por
Alan y Nathan Sokal en 19751. El amplificador clase E es un circuito resonante
en modo conmutado en el cual el producto de la tensin y la corriente en el
dispositivo conmutador es idealmente nulo en todo momento. El transistor
acta como un interruptor, y el circuito que lo acompaa ha de ser debidamente
diseado para procurar un funcionamiento clase E.
23
Figura 3.1: Circuito de alta eficiencia clase E original
En bajas frecuencias, estos circuitos han conseguido eficiencias de hasta

el 96%. Idealmente, la eficiencia solo est limitada por la resistencia de
saturacin drenador-fuente del transistor, y por las propiedades de sus
elementos parsitos. Las reactancias parsitas del elemento activo estn
incluidas en el diseo del circuito sintonizado por lo que no degradan las
prestaciones del amplificador. La capacidad Cs en el circuito mostrado a
continuacin puede representar la capacidad de salida intrnseca del transistor,
mientras que parte de la inductancia L estara relacionada con el efecto del
empaquetado del transistor.
Para analizar el circuito clase E se realizan varias suposiciones:
El ciclo til usado en este anlisis es del 50%, por lo que el

conmutador est en estado ON durante medio periodo y en estado
OFF durante el otro medio. Este valor es el que produce un
funcionamiento ptimo.
El dispositivo conmutador tiene una resistencia en estado ON nula, e

infinita en estado OFF. En la prctica se debe asegurar que la
resistencia ofrecida por el dispositivo cuando se encuentra en abierto
sea lo suficientemente alta, y que la resistencia parsita que ofrece
cuando se encuentra en corto sea lo ms pequea posible,
24
idealmente cero. El condensador Cs, para un diseo de frecuencia

mxima, consiste nicamente en la capacidad parsita de salida del
transistor, la cual se asumir como lineal en este anlisis. En la
prctica, la capacidad Cs es a menudo no lineal, y cambia en funcin
del voltaje aplicado.
La corriente que circula a travs de la carga ser idealmente

sinusoidal a la frecuencia fundamental de trabajo, y la corriente que
fluye por la bobina de choque Lb se asume constante (Ids). Se aplica,
por tanto, una corriente equivalente a travs de la capacidad de
conmutacin, que se compone de un nivel constante (DC) ms una
sinusoide (RF).
La solucin exacta de este circuito en el dominio del tiempo, aun

asumiendo elementos ideales y Cs lineal, requiere la solucin de un sistema de
ecuaciones diferenciales de tercer orden variante en el tiempo pero, con las
aproximaciones supuestas anteriormente, se reduce a un sistema de primer
orden variante en el tiempo, como muestra la Figura 3.2:
Figura 3.2: Circuito de alta eficiencia clase E asumiendo corriente sinusoidal en la carga
El conmutador puede estar en estado ON o en OFF. Cuando el interruptor

est cerrado (ON), no hay tensin entre sus terminales y una corriente
sinusoidal (ms una componente de continua) fluye por l.
En el instante en que el conmutador pasa a estado ON, la corriente que lo
atraviesa es cero, pero en el instante en que conmuta a estado OFF se
25
produce un salto o discontinuidad de la corriente que circula por el conmutador

al transferirse la corriente del interruptor a la capacidad en paralelo.
Este salto de intensidad causar prdidas que aparecern en cualquier
inductancia parsita entre el conmutador y el condensador. En el caso aqu
presentado, donde Cs es la capacidad parsita interna de un transistor, esta
inductancia est minimizada. Si se utiliza alguna capacidad externa, como es el
caso habitual, entonces, cualquier inductancia parsita entre el transistor y la
capacidad provoca una prdida de energa de:
(3.1)
que se produce cada periodo de conmutacin en la inductancia parsita.
Cuando el conmutador est en OFF, la corriente sinusoidal contina
circulando, pero ahora lo hace a travs de la capacidad en paralelo al
interruptor. Durante el semiciclo OFF:
Cs
v s
Ids 1 - a senw s t'
t
(3.2)
Que integrando resulta:

v s t
Ids
1 - a senw s t' dt'
Cs 0
(3.3)
Para garantizar un modo de operacin clase E es necesario imponer

ciertas condiciones de contorno sobre vs(t), como que el condensador Cs
permanezca descargado en los cambios de estado del conmutador, de ON a
OFF y viceversa, y procurar transiciones suaves en la forma de onda de la
seal:
v s 0 0
T
v s s
2
En este caso:
26
(3.4)
(3.5)
Ts
v s
2 0
t
(3.6)
Aplicando la primera ecuacin se resuelve la integral anterior, resultando:

v s t
Ids
w s t a cosw s t cos
w s Cs
(3.7)
Ya se pueden determinar a y :
a 1
2
1.862
4
(3.8)
2
tg -1 -32.48
(3.9)
Es necesario recordar que estas constantes son vlidas para cualquier

circuito clase E de elevado factor de calidad, con una capacidad en paralelo
con el conmutador. Ya se saben, por tanto, las tensiones y corrientes en el
conmutador:
Ids
v s t w s C s
0
0 ws t
ws t 2
0 ws t
0
i s t
Ids 1 a senw s t
(3.10)
ws t 2
(3.11)
Si se representan estas formas de onda, seran como se muestran en la

Figura 3.3:
Figura 3.3: Formas de onda tericas de la tensin y la corriente en un conmutador clase E

27
Es interesante saber cunta corriente Ids se genera para una tensin

dada Vds, y viceversa:
Ts
Vds
2
Ids
1
1
v s t dt
Ts 0
w s Cs
Ids w s C s Vds
(3.12)
(3.13)
Si se asume que el valor mnimo de Cs es la capacidad parsita del

dispositivo, y que, a una determinada frecuencia, un dispositivo con una
capacidad Cs dada, debe operar con una tensin de alimentacin V ds
suficientemente elevada y funcin de las caractersticas del elemento activo,
las expresiones anteriores tienen importantes implicaciones en circuitos clase E
prcticos de microondas.
Una vez establecidas ws, Cs y Vds, el dispositivo debe estar habilitado
para manejar la corriente mxima requerida, cuya expresin puede verse a
continuacin.
Imax 1 a Ids 2.86 Ids
(3.14)
Si el dispositivo no puede soportar esta corriente ser imposible

conseguir un circuito clase E de comportamiento ideal a esta frecuencia.
Un valor orientativo de la frecuencia mxima de operacin se da en la
siguiente expresin:
fmax
Ids
Imax
Imax
1
2
C s Vds 2 1 a 56.5 C s Vds
2 C s Vds
2
(3.15)
Para mayores tensiones de polarizacin de drenador, la frecuencia

mxima de operacin se reduce de forma proporcional. Por encima de esta
frecuencia, el circuito no puede funcionar como un clase E ideal. Sin embargo,
se puede conseguir un funcionamiento aproximado al ideal, a costa de una
ligera degradacin de la eficiencia mxima obtenida.
Lo anterior tambin implica que, dadas diversas tecnologas (MESFET,
HEMT, HBT) y utilizando determinados procesos de fabricacin, se consigan
diferentes rendimientos en el aspecto de potencia de salida mxima en funcin
de la frecuencia, para un circuito clase E.
28
Observando la componente de DC de vs(t), se obtendr una expresin

que describe los parmetros de continua del circuito clase E (Vds e Ids).
En cambio, si se estudia la componente a la frecuencia fundamental de
vs(t), se obtiene informacin acerca de las impedancias complejas en RF del
circuito. Esto puede ser, por tanto, utilizado para encontrar ecuaciones de
diseo para los elementos de la red de carga.
Las componentes frecuenciales de los armnicos superiores, presentes
en el voltaje del conmutador, no sern consideradas para este anlisis de
primer orden. Sin embargo, se supondr que la red de carga tiene una
impedancia casi infinita a estos armnicos superiores y, por lo tanto, la
corriente que fluye por el conmutador para los armnicos superiores deber
tender a cero.
La componente fundamental de la corriente en la carga inet1 es conocida,
pero la componente fundamental de la tensin en la carga vs1 debe ser hallada
mediante el uso de series de Fourier, dado que vs(t) es una funcin peridica.
Por lo tanto:
v s t
e jnw s t
(3.16)
n-
Donde:
Ts
2
Kn
1
v s t e - jnw s t dt
Ts 0
(3.17)
Para n=1:
Ts
Ids
K1
w s C s Ts
w s t a cosw
t cos e - jw s t dt
(3.18)
La integral se toma slo en la primera mitad del periodo porque vs(t) es

cero en la segunda mitad del mismo. Los clculos para resolver estas
ecuaciones son tediosos, de modo que se mostrarn
directamente los
resultados.
v s1 a 0 Ids senw s t 0
29
(3.19)
inet1 a Ids senw s t
(3.20)
Donde las constantes a0 y 0 son:

a0
2 K1
Ids
1
2 4 3

w s Cs
16 4
2
K 1 tg -1
2
2
2
8-
(3.21)
(3.22)
El fasor impedancia de la red de carga externa puede ser ahora calculado

como:
Z net1
a0
0.28015
e j0
e j49.0524
a
w s Cs
(3.23)
Es interesante destacar que el ngulo de la impedancia de carga

requerida para operar como clase E, con un condensador en paralelo al
conmutador, es una constante independiente del resto de la topologa del
circuito.
La magnitud es directamente proporcional a la impedancia del
condensador en paralelo a la frecuencia de conmutacin.
Para asegurar un funcionamiento clase E, todo lo que se necesita es
obtener una impedancia a la frecuencia fundamental igual a Z net1, y condiciones
de circuito abierto a todos los armnicos superiores.
En la Figura 3.4 se expone una topologa especfica para la red de carga
externa:
Figura 3.4: Red de carga externa vista por el dispositivo conmutador a frecuencias de RF
30
Esta red satisface la condicin de alta impedancia a todas las frecuencias

de armnicos superiores a la fundamental, por lo que slo importa que la
impedancia de la red sea la impedancia anterior a la frecuencia fundamental.
Es decir, que:
Z net1 Z net j w s L
1
R
j ws C
(3.24)
Si se iguala esta expresin a la obtenida anteriormente para Znet1, se

obtiene una ecuacin compleja con dos incgnitas, Cs y C.
j ws L
1
0.28015 j49.0524
R
e
j ws C
w s Cs
(3.25)
Igualando las partes reales e imaginarias de ambas expresiones se

obtiene:
Cs
1
1
2 f s R 5.447
2 f s R
1
4
2
2
4
16
4
C Cs
1
Cs
3
QL
Q
L
16 4
(3.26)
5.447
1.153
1
(3.27)

Q L Q L 1.153
Donde QL se define como:

QL
ws L
R
(3.28)
Estas ecuaciones de Cs y C son expuestas de esta forma y comparadas

con las ecuaciones originales. La expresin para Cs obtenida aqu [2] es
idntica a la original, mientras que la expresin dada por Sokal para C es:
5.447
1.42
1
C C s
Q L 2.08
QL
(3.29)
Los resultados experimentales son a menudo obtenidos con un valor

pequeo de QL.
31
Para disear un amplificador clase E utilizando esta topologa se deben

establecer inicialmente ws, L y R. Estos parmetros determinan QL. Entonces
Cs y C son evaluados utilizando las expresiones anteriores.
Sin embargo, esta topologa tiene una utilidad limitada para circuitos de
microondas, ya que la frecuencia, la impedancia de carga y la capacidad del
conmutador no pueden ser establecidas de forma independiente.
Para un amplificador de microondas saturado, la impedancia de carga es
a menudo de 50, y frecuentemente, al iniciar un diseo, ya se parte con un
determinado transistor en mente, con una cierta capacidad de salida Cs.
Entonces la frecuencia de operacin s queda ya establecida. Para
solucionar el problema de no poder establecer estos tres parmetros de forma
independiente, se expone a continuacin una nueva topologa, propuesta para
su uso en circuitos de microondas clase E.
3.1.1- Circuito Clase E con Elementos Discretos L-Serie/CParalelo

El circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo se muestra
a continuacin en la Figura 3.5:
Figura 3.5: Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo
32
Lb y Cb actan como T de polarizacin, pero se asume que no afectan al

comportamiento del circuito en RF de forma apreciable. A la frecuencia de
conmutacin, slo L, C y R contribuyen a la impedancia, Znet, de RF vista por el
condensador conmutado, como se ve en la Figura 3.6:
Figura 3.6: Red de carga externa del circuito clase E vista a la salida del dispositivo
conmutador a la frecuencia de operacin
Esta impedancia es:

Z net1 Z net j w s L
R
1 j w s C R
(3.30)
Adems, la impedancia de la red de carga deseada a la frecuencia de

conmutacin viene dada por la expresin:
Z net1
K0
e j0
w s Cs
(3.31)
donde:
K 0 w s Cs
a0
a
0.28015
0 0 49.0524
(3.32)
(3.33)
Si se igualan las expresiones de Znet1 se obtiene una ecuacin compleja

con dos incgnitas, L y C. Igualando partes reales e imaginarias se obtienen
sus valores:
33
K0
w Cs
2
s
w s Cs R
sen 0 cos 0
1
K 0 cos 0
w s Cs R
1
1
w s R K 0 cos 0
(3.34)
(3.35)
En esta topologa, la resistencia de carga, la frecuencia de operacin y la

capacidad del conmutador pueden ser establecidas de forma independiente, a
diferencia del circuito original clase E analizado anteriormente.
Sin embargo, en frecuencias milimtricas y de microondas, las lneas de
transmisin son preferidas a menudo frente a los elementos discretos, debido a
que estos ltimos tienen mayores prdidas y son ms difciles de fabricar.
3.1.2- Circuito Clase E con Lneas de Transmisin

Se propone una topologa del circuito clase E con lneas de transmisin
serie/paralelo, tal y como se muestra en la Figura 3.8.
Figura 3.8: Circuito clase E con lneas de transmisin serie/paralelo
34
Como anteriormente, Lb y Cb actan como una T de polarizacin, pero se

asumir que no afectan al comportamiento del circuito en RF de forma
significativa.
Las lneas de transmisin pueden ser microstrip, gua de onda coplanar o
cualquier otro medio guiado. El funcionamiento de este circuito es similar al
equivalente con elementos discretos presentado anteriormente. Se asume que
los tramos de lnea tienen longitudes comprendidas entre 0 y 90, por lo tanto,
la lnea acabada en circuito abierto colocada en paralelo acta como un
condensador a la frecuencia de conmutacin, mientras que el tramo en serie se
comporta de forma inductiva.
Se supone que:
Z net1 R
(3.36)
0.281
R
w s Cs
(3.37)
O lo que es lo mismo:
Mediante un anlisis de primer orden se tratar de que las lneas de

transmisin serie/paralelo transformen la impedancia de salida del transistor en
gran seal en R (generalmente 50). Sin embargo, para conseguir la mxima
eficiencia, se aplicarn las condiciones de la clase E (se utilizarn admitancias
por simplicidad):
Ynet1
w s Cs
e j0
K0
(3.38)
ddnde K0 y 0 fueron obtenidas anteriormente.

Una vez ms, a frecuencias de RF, la T de polarizacin no contribuye a la
impedancia de la red de carga. La seccin en paralelo de lnea de transmisin
se comporta de forma capacitiva a la frecuencia de conmutacin, y puede ser
reemplazada por una capacidad equivalente C (su longitud es menor de 90).
El circuito modificado se muestra en la Figura 3.9:
35
Figura 3.9: Circuito equivalente de la red de carga para el circuito clase E

con lneas de transmisin serie/paralelo, a la frecuencia de trabajo
A la frecuencia de trabajo:
Ynet1 Y1
G j w s C j Y1 tg1 l1
Y1 w s C tg1 l1 j G tg1 l1
(3.39)
Igualando las partes reales e imaginarias de las dos expresiones para

Ynet1, se obtienen dos ecuaciones para las dos incgnitas C y tg(1l1):
Parte real:
w s C s cos 0 Y1 w s C tg1 l1 G tg1 l1 2
- K 0 Y1 G Y1 w s C tg1 l1 G tg1 l1 w s C Y1 tg1 l1 0
(3.40)
Parte imaginaria:
w s C s sen 0 Y1 w s C tg 1 l1 G tg 1 l1
2
K 0 Y1 w s C Y1 tg 1 l1 Y1 w s C tg 1 l1 G 2 tg 1 l1 0
(3.41)
Estas dos ecuaciones deben ser resueltas numricamente. Para realizar

el clculo se toman como valores iniciales:
C Cs
(3.42)
tg1 l1 1
(3.43)
Ya que C y Cs son del mismo orden de magnitud, y la lnea de

transmisin serie est entre los 0 y 90 de longitud y, tomando tg(1l1)=1, se
parte de una longitud inicial de 45.
36
Tras obtener C y tg(1l1), la longitud elctrica de las lneas de transmisin

puede ser determinada:
0 1 l1 90
1 l1 tg 1 tg1 l1
(3.44)
0 2 l 2 90
2 l 2 tg 1 tg 2 l 2
(3.45)
Las lneas de transmisin l1 y l2 son determinadas usualmente utilizando

tcnicas experimentales o simulaciones de balance armnico. Las frmulas de
diseo aqu presentadas proporcionan una mxima eficiencia de salida con un
anlisis de primer orden para un transistor de microondas, y conducen al modo
de operacin de alta eficiencia en amplificacin de microondas.
Para la mayora de los casos prcticos, cuando l1 y l2 estn
razonablemente cerca de 45, la impedancia de la red de carga es elevada a la
frecuencia del segundo armnico.
Tambin es posible ajustar las impedancias caractersticas de las lneas
de transmisin para que sus longitudes sean exactamente de 45 a la
frecuencia fundamental de operacin.
3.1.2.1- Condiciones de Circuito Abierto a los Armnicos

Usando Lneas de Transmisin
En la seccin anterior se present una topologa de circuito clase E con
lneas de transmisin utilizando un stub simple. La red de carga de salida
presenta una impedancia ptima para el transistor a la frecuencia de trabajo.
A las frecuencias de armnicos superiores no se ha impuesto ningn tipo
de condicin para la impedancia de carga, y se asume que esta ser alta para
dichos armnicos.
Se ha probado que el circuito anteriormente presentado funciona en
modo clase E en casos prcticos, pero existe cierto contenido armnico en la
seal de salida y, en consecuencia, una pequea prdida de eficiencia
provocada por un incorrecto tratamiento de estos armnicos.
37
En este apartado se presentarn mtodos para superar estas

limitaciones.
Primero, se sabe que el segundo armnico de la seal es de
gran
importancia en el funcionamiento del amplificador clase E.
El mtodo de diseo para el circuito clase E con seccin simple

serie/paralelo de lnea de transmisin asume que se trabajar con lneas de
transmisin de una impedancia dada (como 50).
Por lo tanto los nicos parmetros de diseo son las longitudes de las
lneas, y se espera que la impedancia presentada al segundo armnico sea
grande.
Sin embargo, existen dos grados ms de libertad si se convierten las

impedancias caractersticas de las lneas en variables. Por ejemplo, si la
longitud de las dos lneas se fija a 45, entonces se puede utilizar las
ecuaciones presentadas en el apartado anterior para encontrar la impedancia
adecuada de las lneas, consiguiendo condiciones de funcionamiento clase E a
la frecuencia de conmutacin.
Si esto sucede, ambas lneas de transmisin son de longitud /4 (90) a la

frecuencia del segundo armnico, lo que significa que a esta frecuencia el
transistor ver un circuito abierto perfecto a su salida.
Este mtodo es muy til en muchos casos prcticos, aunque existen otras
situaciones en las que se requerir algn otro mtodo de terminacin armnica
en circuito abierto.
En la Figura 3.10 siguiente, se muestra una nueva topologa con lneas

de transmisin.
38
Figura 3.10: Circuito clase E con lneas de transmisin, presentando una impedancia
de circuito abierto al segundo armnico en la puerta de salida
El primer conjunto de lneas l1 y l2, fuerzan la condicin de circuito abierto

a la frecuencia del segundo armnico.
La lnea l2 es de 45 de longitud a la frecuencia fundamental, y por lo
tanto de 90 a la frecuencia del segundo armnico y, dado que parte de un
circuito abierto en su terminacin, presenta un cortocircuito en el punto en que
coincide con l1 al segundo armnico.
La lnea l1 es tambin de 90 a la frecuencia del segundo armnico, y
transforma este cortocircuito en un circuito abierto a la salida del transistor.
Esta condicin de circuito abierto ocurre independientemente de los valores de
l3 y l4.
A la frecuencia fundamental de trabajo, las lneas l3 y l4 actan como un
stub simple, de forma que la impedancia de salida (usualmente 50 ) es
convertida en la impedancia adecuada en la puerta de salida del transistor.
Esta impedancia fue determinada anteriormente:
Z net1
K0
e j0
w s Cs
(3.46)
En la prctica, las longitudes de las lneas l3 y l4 pueden ser calculadas

utilizando un simulador de circuitos lineal. Idealmente, la seal obtenida a la
39
salida de este circuito no contendr en absoluto componente del segundo

armnico.
El concepto de condicin de circuito abierto puede ser extendido para el
tercer armnico como se muestra en la Figura 3.11:
Figura 3.11: Circuito clase E con lneas de transmisin, presentando una impedancia de
circuito abierto al segundo y tercer armnico en la puerta de salida
En este circuito modificado, las lneas l1 y l2 son ambas de 30 de longitud

a la frecuencia fundamental, lo que las hace de 90 a la frecuencia del tercer
armnico.
Nuevamente l2 crea un cortocircuito en el punto en que se une con l1, y
esta transforma el cortocircuito en un circuito abierto a la salida del transistor.
La lnea l4 es de 45 a la frecuencia fundamental, y crea un cortocircuito
en su unin con l3.
La lnea l3 es, sin embargo, ms corta de 45 a la frecuencia de trabajo,
dado que debe compensarse el efecto de las lneas l 1 y l2 a la frecuencia del
segundo armnico.
Finalmente, las lneas l5 y l6 se ajustan para conseguir la impedancia
deseada a la salida del transistor a la frecuencia fundamental. Idealmente, este
circuito no contiene ningn tipo de armnico de segundo o tercer orden en su
seal de salida.
40
No es obvio que la longitud de l3 debe ser simplemente menor que 45

para compensar los efectos de l1 y l2 a la frecuencia del segundo armnico. En
la prctica esta longitud puede ser encontrada. Por ejemplo, para el caso en
que todas la impedancias de las lneas son de 50, la longitud de la lnea l3 es
de aproximadamente 8 (las lneas l1 y l2 son de 30 y l4 es de 45).
3.1.2.2- Contenido Armnico de la Tensin en el Conmutador

El anlisis simplificado del circuito clase E efectuado anteriormente
asume una seal de salida de forma sinusoidal pura en la resistencia de carga
R. En la prctica existen algunos residuos de armnicos superiores que estn
presentes a la salida del circuito, que depende de la topologa de la red de
salida elegida y de los valores especficos de los elementos utilizados en el
diseo.
En esta seccin, la tensin en el conmutador vs(t) determinada
anteriormente ser analizada utilizando series de Fourier, y se encontrarn
expresiones para la magnitud y fase de los armnicos en esta seal.
Estos resultados generales podrn ser aplicados posteriormente a una
topologa de red de salida concreta para obtener expresiones explcitas sobre
el contenido armnico a la salida del amplificador clase E. Adems, se ver
como se puede conseguir una buena aproximacin al modo de funcionamiento
clase E considerando slo dos armnicos de la seal de tensin en el
dispositivo.
La expresin para la forma de onda de la tensin en el conmutador v s(t),
fue determinada anteriormente:
Ids
v s t w s C s
0
0 ws t
(3.47)
ws t 2
Y la serie de Fourier viene definida como:

v s t
e jnw s t
n-
41
(3.48)
donde:
Ts
2
1
v s t e - jnw s t dt
Ts 0
(3.49)
Ids
w s t a cosw s t cos e - jnw s t dw s t
2 w s Cs 0
(3.50)
Kn
sustituyendo:
Kn
Nuevamente, la integral se realiza slo en la primera mitad del periodo,

cuando vs(t) es distinto de cero, y (wst) es utilizado como variable de
integracin. Los resultados son:
v sn t an Ids senw s t n
(3.51)
donde:
an
2 Kn
(3.52)
Ids
K n
2
(3.53)
quedando:
Ids
w s Cs
Kn
Ids
w s Cs
1
2
n
si n impar, n 1
2n j

2
2 n 1 - n
si n par, n 0
(3.54)
Los casos especiales (n=1) y (n=0) son tratados por separado como
anteriormente. Los resultados son:
K1
Ids
w s Cs
2
j

1
4
8
(3.55)
K 0 Vds
Ids
w s Cs
(3.56)
Estas expresiones pueden ser utilizadas para determinar la magnitud y la

fase de cualquier armnico de la forma de onda de tensin del circuito
conmutado clase E.
42
En la Figura 3.12 se muestran los dos primeros armnicos de la seal de

tensin del conmutador representados junto con la forma de onda ideal.
Figura 3.12: Dos armnicos de la tensin ideal en el conmutador, representados frente a la

forma de onda ideal de tensin en el conmutador de un circuito clase E
Puede verse que, tomando slo dos armnicos de la seal, se consigue

una aproximacin razonablemente buena al modo de funcionamiento clase E.
Por lo tanto, las topologas clase E con lneas de transmisin presentadas
anteriormente son vlidas, dado que satisfacen las condiciones de operacin
clase E considerando un nmero finito de armnicos.
3.1.2.3- Efectos de la Resistencia No Nula del Conmutador en

Estado ON
A pesar de que el amplificador clase E tiene una eficiencia mxima
terica del 100%, en la prctica los amplificadores de microondas suelen estar
lejos de este caso ideal. Para amplificadores clase E de microondas que
43
utilicen elementos reactivos de bajas prdidas, la principal degradacin tiene

lugar en el propio transistor.
Durante el estado OFF, el transistor se muestra principalmente reactivo,
el dispositivo se ve como una capacidad al observarlo desde su puerta de
salida, como se muestra en la Figura 3.13:
Figura 3.13: Puerta de salida del transistor durante el estado OFF
Se asume que la capacidad de salida del transistor Cs predomina sobre la

resistencia de estado OFF (ROFF) durante esta mitad del periodo de
conmutacin.
Durante el estado ON, el transistor se comporta como una pequea
resistencia, generalmente del orden de unos pocos ohmios, tal y como se
muestra en la Figura 3.14:
Figura 3.14: Puerta de salida del transistor durante el estado ON
Se asume que la resistencia de estado ON (RON) domina sobre la

capacidad de salida del transistor Cs durante esta mitad del periodo de
conmutacin. Esta ser la resistencia en estado ON, que puede ser estimada a
44
partir de las curvas I-V del transistor, y ser la principal responsable del
funcionamiento no ideal del circuito.
En esta seccin se analizarn los efectos de esta resistencia de estado
ON (Rs). El modelo de puerta de salida del transistor aqu utilizado es una
modificacin del propuesto por Sokal y Redl
Se asume, como se hizo anteriormente, que la corriente en la red de
carga es sinusoidal. Durante el estado ON del interruptor, la ley de Ohm
determina la tensin del mismo:
v s t R s Ids 1 a r senw s t r
Ts
t Ts
2
(3.57)
Las condiciones de contorno para operacin en rgimen clase E han

cambiado:
v s 0 v s Ts R s Ids 1 ar senr
(3.58)
T
v s s R s Ids 1 a r sen r
2
(3.59)
T
dv s s
2 0
dt
(3.60)
durante el estado OFF del interruptor:

dv s
I
ds 1 a r senw s t r
dt
Cs
(3.61)
integrando:
t
I
v s t ds 1 a r senw s t' r dt' R s Ids 1 a r sen r
Cs 0
(3.62)
v s 0 R s Ids 1 ar senr
(3.63)
donde:
Para
satisfacer
la
condicin
de
frontera
en
t=0,
determinada
anteriormente para el estado ON del conmutador. Evaluando la integral se

obtiene:
45
v s t
Ids
w s t a r cosw s t r cos r R s Ids 1 a r sen r
w s Cs
(3.64)
aplicando las dos condiciones de frontera restantes:

ar senr 1
a r cos r
(3.65)
w s Cs R s
2
(3.66)
se obtienen las expresiones modificadas para ar y r:
ar 1 w s Cs R s
2
1
r tg
w s Cs Rs
2
1
(3.67)
(3.68)
cuando
w s C s R s
(3.69)
ar y r quedan reducidas a las constantes halladas anteriormente.

Aplicando estas expresiones a las condiciones de contorno de vs(t) se
obtiene:
v s 0 2 R s Ids
T
v s s
2
(3.70)
(3.71)
De modo que la tensin en el interruptor es igual a cero en t=Ts/2,

mientras que es ligeramente distinta de cero en t=0.
Ahora vs(t) es conocida en su periodo completo:
Ts
Ids
w C w s t a r cosw s t r cos r 2 R s Ids 0 t 2
v s t s s
(3.72)
Ts
R I 1 a senw t
t Ts
r
s
r
s ds
2
Para encontrar la relacin entre Vds e Ids, se evala la componente DC de

vs(t):
46
Ts
Vds
1
v s t dt
Ts 0
(3.73)
Introduciendo la expresin de vs(t) en la anterior y simplificando, se tiene

que:
Vds
1
2 R s w s C s R 2s
Ids
w s Cs
(3.74)
Para calcular la eficiencia de conversin DC-RF, se realiza el cociente

entre la potencia de salida (RF) entre la de entrada (DC) y se obtiene:
Poutr Poutr Pin0
Pinr Pout0 Pinr
(3.75)
donde Pin0 y Pout0 son las potencias de entrada y salida para el circuito clase E
ideal (Pin0=Pout0), y Pinr y Poutr son las potencias de entrada y salida para el
circuito clase E analizado en esta seccin.
La potencia de entrada (DC) viene determinada por VdsIds.
La potencia de salida (RF) es proporcional a a r2, el cuadrado del mdulo
de la corriente que circula a travs de la red de carga a la frecuencia de trabajo.
Poutr
a2
r2
Pout0
a0
(3.76)
Pin0 Vg0 Ig0
Pinr
Vg1 Ig1
(3.77)
Asumiendo, adems, que la corriente aplicada es tal que I g0=Ig1, se puede

encontrar la siguiente expresin para la eficiencia de conversin DC-RF (d):
2
1 w s Cs Rs
2
d
2

2
1
1 w s C s R s
4
(3.78)
Esta expresin para la eficiencia de drenador se representa en la grfica

de la Figura 3.15 en funcin de wsCsRs.
47
Figura 3.15: Eficiencia de drenador en funcin del producto wsCsRs para el circuito clase E
Se puede observar en la grfica cmo el producto wsCsRs es,

ciertamente, mucho menor que uno para un circuito real clase E de alta
eficiencia, validando la aproximacin tomada anteriormente.
El anlisis de eficiencia aqu presentado est pensado para ser utilizado
en circuitos clase E con eficiencias mayores del 60% aproximadamente.
3.1.3- Amplificador Clase E Basado en un Dispositivo GaN

HEMT
Los transistores de Nitruro de Galio (GaN) se caracterizan por la
combinacin de un GAP alto(valor alto para la banda prohibida), un campo
elctrico crtico mayor, una constante dielctrica baja, una alta movilidad de
electrones y una alta conductividad trmica. Estas caractersticas garantizan
obtener frecuencias de operacin ms altas, un buen comportamiento del
sistema a alta potencia, alcanzar tensiones de rupturas ms altas y una mejor
disipacin del calor.
48
En concreto, el transistor utilizado es el modelo CGH35030F de CREE.

Este fabricante es el principal proveedor de dispositivos y obleas de carburo de
silicio (SiC) y de Nitruro de Galio (GaN) para comunicaciones inalmbricas. Las
aplicaciones tpicas de estos materiales incluyen:
Amplificadores de banda ancha
Infraestructura celular
Amplificadores clase A, clase AB. Conveniente con OFDM, WCDMA
Los dispositivos inalmbricos CREE son especialmente recomendables

para comunicaciones de alta potencia por el material que utiliza el fabricante
(SiC).
3.2- Referencias
[1]
N. A. Sokal,
A. D. Sokal, Class-E A New Class of High-Efficiency
Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers, IEEE Journal of SolidState Circuits, Vol. SC-10, N 3, Junio 1975
[2]
Roberto Pea Catalina, Diseo De Un Amplificador Conmutado Clase-E

A La Frecuencia De 2 GHz, Proyecto fin de Carrera, Universidad de
Cantabria, Julio 2003
[3]
T. B. Mader, Z. B. Popovi, The Transmisin-Line High-Efficiency Class-E

Amplifier, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Vol. 5, N 9,
Septiembre 1995
[4]
N. O. Sokal, R. Redl, Power Transistor Output Port Model, RF Design,

vol. 10, no. 6, pp. 4548, 50, 51 and 53, Junio 1987.
49
4. SIMULACIN Y
DISEO DEL
AMPLIFICADOR
CLASE E SOBRE GAN
HEMT
50
En este captulo se contar el proceso mediante el cual se realiz el

diseo del amplificador, desde la caracterizacin del transistor a utilizar, hasta
la realizacin sus ltimas medidas, pasando por numerosas etapas de diseo,
simulacin y montaje. Por ello est estructurado segn se siguieron los pasos
en el laboratorio.
4.1- Caracterizacin del transistor para su modelo conmutado

Para extraer la Roff y el Cout, ponemos el transistor en estado OFF(abierto), es
decir, Vds= 28 V y Vgs tiene que ser lo mas alta posible antes de que se
observe un incremento de la conductancia de salida( parmetros S22 se
mover hacia el centro de la carta de Smith)
Swp Max
360GHz
2.
0
6
0.
0.8
1.0
S22_OFF
S(2,2)
0
3.
CGH35030_3n8
.0
0.
4
5.0
0.2
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.4
0.6
0.75 GHz
r 0.633655 Ohm
x -58.7555 Ohm
2
-0.
4
.0
-5.
0
0.95 GHz
r 0.522243 Ohm
x -45.8963 Ohm
-10.0
0.2
10.0
-3
.0
.0
-2
Swp Min
0.5GHz
-1.0
-0.8
-0
.6
.4
-0
Figura 4.1 Evolucin del parmetro S22 para el CGH35030F con VDS=28 V y VGS= -3.8 V
En la figura anterior se muestran los valores para una frecuencia de 750

MHz y para una frecuencia de 950 MHz.
51
A partir del parmetro S22 obtenemos la admitancia y tomando la parte

real y la parte imaginaria respectivamente calcularemos los valores de Cout y
de la Roff.
S 22 out
Bout
3,63 pF
2f
1
Gout Re al (out ) Roff
4,7 K
Gout
Bout Im ag (out ) Cout
En el caso de extraer la Ron podemos hacer 2 estimaciones:

-
Una estimacin inicial se consigue de la medida del S22 para Vgs y Vds
iguales a cero.
A partir del parmetro S22 obtenemos la impedancia de salida, mediante
la cual podremos calcular la Ron, tomando la parte real de esta
impedancia.
S 22 Zout
Ron Re al ( Zout ) 0.5
Una extracion mas correcta se consigue de la pendiente( m=1/Ron) de

las curvas I/V a tensiones Vds cercanas a cero( zona lineal u hmica) y
valores altos de Vgs
Figura 4.2 Caractersticas I/V del CGH35030F incluyendo estimacin de RON

52
De la grfica podemos apreciar que midiendo la pendiente de la curva

obtenemos un valor de Ron de 0.5 ohmios.
4.2- Implementacin del modelo en AWR

Para la representacin del transistor operando como conmutador
usaremos un circuito en el cual aparecen 2 fuentes dependientes
controladas por las tensiones V1 y V0.
Segn el valor de V1 (0 V o 1 V), este circuito funcionara como un
conmutador.
Si V1(t)= Vgs(t) tendr que ser una seal pulsada entre 0 y 1 voltio.
Si V1= Vgs= 0V entonces Ids= 0 independiente de VdsAbierto
Si V1= Vgs= 1V entonces Ids= (1/Ron)*VdsCorto( conduccin)
4.3- Estimacion inicial de Rdc y eficiencia

Para realizar la estimacin de Rdc y la eficiencia vamos a hacer
referencia a las formulas empleadas en el capitulo 2:
RDC
Vds
I ds
(4.1)
53
Para calcular la eficiencia de conversin DC-RF, se realiza el cociente

entre la potencia de salida (RF) entre la de entrada (DC) y se obtiene:
2
Poutr
Pinr
1 w s C s R ON
2
d
2

1
1 w s C s R ON 2
4
(4.2)
para una frecuencia de 750 MHz:

2
RDC
Vds
I ds
1 w s C s R ON
2
18.705 ; d
95.594 (4.3)
2

2
1
1 w s C s R ON
4
para una frecuencia de 950 MHz:

2
RDC
Vds
I ds
1 w s C s R ON
2
14.611 ; d
94.418 (4.4)
2

2
1
1 w s C s R ON
4
La expresin para RDC es valida si RON= 0 y Roff=, mientras que para la

eficiencia se supone Roff = por lo que la estimacin de estos parmetros no
coincidir necesariamente con lo real.
Usando el programa AWR esas expresiones de la Rdc y de la eficiencia,
quedaran de la siguiente forma:
54
4.4- Impedancia nominal u optima al fundamental

Para calcular la impedancia ptima haremos referencia a las frmulas que
aparecen en el captulo 3, en este caso la ecuacin 3.23:
Z net1
a0
0.28015
e j0
e j49.0524
a
w s Cs
(4.5)
para una frecuencia de 750MHz
0.1836
0.2116
j
Zopt 10.789 j12.434
Cout
Cout
Zopt 50
out
0.66297 fase 150.85
Zopt 50
Zopt
para una frecuencia de 950MHz
0.1836
0.2116
j
Zopt 8.4277 j 9.7129
Cout
Cout
Zopt 50
out
0.72079 fase 157.41
Zopt 50
Zopt
La Zopt seria valida si Ron= 0 y Roff=, con lo que se espera que el valor
de la impedancia optima difiera un poco del calculado.
4.5- Simulacin del amplificador clase E en condiciones

ideales de terminacin
En este apartado implementamos un circuito en el que en vez de usar
una red (como veremos en un apartado posterior) , usamos el TUNER al que le
introduciremos los datos correspondientes de frecuencia, magnitud y fase del
primer, segundo y tercer armonico y una impedancia de 50 ohmios, quedando
el circuito as:
55
DCVS
ID=V1
V=28 V
D=0.5
DT=D/0.75
SUBCKT
ID=S2
NET="Switch"
1
V_PLS
ID=V2
AMP=1 V
TW=DT ns
TR=0 ns
TF=0 ns
TD=0 ns
WINDOW=DEFAULT
Offset=0 V
DCVal=0 V
I_METER
ID=AMP1
IND
ID=L1
L=1e9 nH
HBTUNER
ID=TU2
Mag1=MagE750M
Ang1=PhaseE750M Deg
Mag2=1
Ang2=0 Deg
Mag3=1
Ang3=0 Deg
Fo=0.75 GHz
Zo=50 Ohm
CAP
ID=C3
C=1e9 pF
3
I_METER
ID=AMP2
V_METER
ID=VM2
V_METER
ID=VM1
CAP
ID=C1
C=Cout pF
Figura 4.3:Esquematico para la simulacin del amplificador a 750 MHz
Primer armnico (f), segundo armnico (2f) y tercer armnico (3f):
Mag ( f ) 0.66297
Phase( f ) 150.85
Mag (2 f ) 1 Mag (3 f )
Phase(2 f ) 0 Mag (3 f )
En el caso de 950Mhz el circuito es el mismo que el anterior pero
modificando los valores de frecuencia donde corresponde:
56
PORT
P=1
Z=50 Ohm
DCVS
ID=V1
V=28 V
D=0.5
DT=D/0.95
SUBCKT
ID=S2
NET="Switch"
1
V_PLS
ID=V2
AMP=1 V
TW=DT ns
TR=0 ns
TF=0 ns
TD=0 ns
WINDOW=DEFAULT
Offset=0 V
DCVal=0 V
I_METER
ID=AMP1
IND
ID=L1
L=1e9 nH
HBTUNER
ID=TU2
Mag1=MagE950M
Ang1=PhaseE950M Deg
Mag2=1
Ang2=0 Deg
Mag3=1
Ang3=0 Deg
Fo=0.95 GHz
Zo=50 Ohm
CAP
ID=C3
C=1e9 pF
3
I_METER
ID=AMP2
PORT
P=1
Z=50 Ohm
V_METER
ID=VM2
V_METER
ID=VM1
CAP
ID=C1
C=Cout pF
Figura 4.4: Esquemtico para la simulacin del amplificador a 950 MHz
Primer armnico (f), segundo armnico (2f) y tercer armnico (3f):
Mag ( f ) 0.72079
Phase( f ) 157.41
Mag (2 f ) 1 Mag (3 f )
Phase(2 f ) 0 Mag (3 f )
4.6- Simulacin Load Pull

Una vez conocidos los parmetros del transistor realizaremos una
simulacin de Load-Pull, las simulaciones de Load-Pull usan sintetizadores de
impedancia para variar las impedancias de entrada y salida vistas por el
transistor y as medir el funcionamiento a travs de la potencia reflejada y
57
entregada, la potencia de salida, el consumo de DC, la eficiencia en potencia,

los niveles de intermodulacin, y otros parmetros. En nuestro caso la
realizamos para observar los contornos de la eficiencia y del nivel de potencia
en la salida con respecto a la impedancia de la terminacin ptima.
Para realizar el barrido de la impedancia utilizamos el siguiente
esquemtico para el modelo del transistor con el que se va a implementar el
amplificador clase E. La capacidad se aadi externamente para poder medir la
corriente que atraviesa la misma.
A la frecuencia de 750MHz el resultado de la simulacin es el siguiente:
Figura 4.5: Simulacin load-pull a una frecuencia de 750 MHz
A la frecuencia de 950Mhz el resultado de la simulacin es el siguiente:
58
Figura 4.6: Simulacin load-pull a una frecuencia de 950 MHz
Tal y como se puede apreciar de los resultados de simulacin loas-pull, la

impedancia para la que se consigue mxima eficiencia no coincide
exactamente con el valor estimado tericamente, pero queda bastante cerca de
la misma.
4.7- Ajuste de la red de terminacin en drenador

Para el diseo de la red de terminacin en drenador se ajusta un circuito
resonante paralelo entre el segundo y el tercer armnico, para conseguir una
impedancia cercana al abierto con una bobina de bajo valor, de modo a que el
factor de calidad del circuito al fundamental sea menor y con ello el
comportamiento del amplificador varia menos con la frecuencia.
59
PORT
P=1
Z=50 Ohm
SUBCKT
ID=S1
NET="5nH_M"
PORT
P=2
Z=50 Ohm
CHIPCAP
ID=C3
C=0.7 pF
Q=2103.9
FQ=0.5 GHz
FR=7.14 GHz
ALPH=-1
CHIPCAP
ID=C1
C=8.2 pF
Q=442.5
FQ=0.5 GHz
FR=2.23 GHz
ALPH=-1
Figura 4.7: Red de terminacin en drenador
Con este circuito la simulacin queda de la siguiente forma para una

frecuencia de 750 MHz (ver fig. 4.8 y 4.9 siguientes):
60
p18: Pcomp_PORT_1_1_M_DB = 30
Swp Max
4e+009
p18
p13
0.
p7
p13: DCRF_PORT_1 = 10
2.
p5
p8
p12
p6
p10 p11
1.0
0.8
LP_Data_750MHz
p9
0.
3.
p15
p3
4.
5.
p14
0.
p4
p4: Pcomp_PORT_1_1_M_DB = 52.291
10.0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
p3: DCRF_PORT_1 = 93.992
7.5e+008
r 0.172285
x 0.140556
Pcomp_PORT_1_1_M_DB
Pcomp_PORT_1_1_M_DB Max
-10.
DCRF_PORT_1
p16
2
DCRF_PORT_1 Max
S(1,1)
Zopt_E_750MHz
.0
-4
.0
S(1,1)
1_2_cerca3_37psec_L2n5H_C0p9F_Cp_3p9F_Cs_47pF
-3
.0
S(1,1)
Res_C_sim
Swp Min
0
-1.0
-0.8
-0
.6
-2
.0
p17
.4
-0
Converged Points
-5
.
-0
Figura 4.8: Simulacion load-pull incluyendo parmetros S a 750 MHz
1.0
p12
Swp Max
3.03e+011
p18
p13
p9
0.
p15
p5
2.
p8
p10 p11
0.
p7
p6
0.8
LP_Data_750MHz
3.
p3
4.
5.
p14
0.
p4
10.0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
0.8
0.6
0.4
1.0
Pcomp_PORT_1_1_M_DB Max
p16
2
DCRF_PORT_1
DCRF_PORT_1 Max
.0
-4
.0
Converged Points
S(1,1)
Zopt_E_750MHz
S(1,1)
1_2_cerca3_37psec_L2n5H_C0p9F_Cp_3p9F_Cs_47pF
S(1,1)
Res_C_sim
.0
Swp Min
0
-1.0
-0.8
-0
.6
-2
.0
-3
p17
.4
-0
-5
-0
Pcomp_PORT_1_1_M_DB
7.5e+008
r 0.366915
x 0.162618
-10.
0.2
p3: DCRF_PORT_1 = 93.992
Figura 4.9: Simulacin load-pull incluyendo red de terminacin en drenador a 750 MHz
Como se puede apreciar en la imagen, obtenemos una impedancia que se

acerca bastante a lo esperado.
Para una frecuencia de 950 Mhz obtenemos la siguiente grfica (fig. 4.10
y 4.11):
61
LP_Data_950MHz
9.5e+008
r 0.104116
x 0.402871
0.8
1.0
p12
Swp Max
4e+009
2.
p5
p8
p11
0.
p9
p3
0
3.
p7
4.
5.
p14
0.
p6
10.0
p4
p10
0.
p18
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
p15
-10.
p13
p16
.2
.0
-4
.0
p3: DCRF_PORT_1 = 93.208
.0
Swp Min
0
-1.0
-0.8
-0
.6
-2
.0
-3
p17
.4
-0
-5
-0
Figura 4.10: Simulacion load-pull incluyendo parmetros S a 950 MHz
LP_Data_950MHz
0.8
1.0
p12
Swp Max
3.03e+011
2.
p5
p8
p11
0.
p9
p3
3.
p7
p14
4.
9.5e+008
r 0.308154
x 0.426279
0.
p6
5.
10.0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
p4
p10
6
0.
p18
p15
-10.
p13
p16
.2
.0
-4
.0

p3: DCRF_PORT_1 = 93.208
.0
Swp Min
0
-1.0
-0.8
-0
.6
-2
.0
-3
4
p17
.
-0
-5
-0
Figura 4.11: simulacin load-pull incluyendo red de terminacin en drenador a 950 MHz
62
4.8- Simulacin del amplificador incorporando la red de salida

ajustable
En este caso introducimos una red con una bobina en serie y un
condensador conectado a tierra en lugar del TUNER que tenamos
anteriormente, como se muestra a continuacin:
PORT
P=1
Z=50 Ohm
CHIPCAP
ID=C1
C=4.3 pF
Q=669
FQ=0.5 GHz
FR=3.03 GHz
ALPH=-1
SUBCKT
ID=S1
NET="12P5nH_M"
CHIPCAP
ID=C2
C=6.8 pF
Q=499
FQ=0.5 GHz
FR=2.44 GHz
ALPH=-1
PORT
P=2
Z=50 Ohm
Figura 4.12: Red de adaptacin de un clase E original
Este seria el esquema que se ha elegido en diseos previos de banda

estrecha. Se considero interesante simular el amplificador con esta red para
hacer evidente la mejora en ancho de banda a conseguir con la configuracin
propuesta.
Quedando el circuito representado segn la figura siguiente:
63
DCVS
ID=V1
V=28 V
D=0.5
DT=D/0.75
DT=D/_FREQH1
SUBCKT
ID=S2
NET="Switch"
1
V_PLS
ID=V2
AMP=1 V
TW=DT ns
TR=0 ns
TF=0 ns
TD=0 ns
WINDOW=DEFAULT
Offset=0 V
DCVal=0 V
I_METER
ID=AMP1
IND
ID=L1
L=1e9 nH
SUBCKT
ID=S1
NET="LC_sim"
CAP
ID=C3
C=1e9 pF
3
I_METER
ID=AMP2
V_METER
ID=VM2
V_METER
ID=VM1
CAP
ID=C1
C=Cout pF
Figura 4.13: Esquemtico para la simulacin del amplificador incluyendo la red

de los parmetros S
A continuacin se muestra una grfica de la POUT frente a la frecuencia:
Figura 4.14: Grafica de la Pout y eficiencia frente a frecuencia
64
PORT
P=1
Z=50 Ohm
Se puede observar (mediante las fechas) que la eficiencia es mejor en

todo el ancho de banda y que la potencia no sufre una cada tan brusca.
Se observa que con el modelo original la eficiencia esta en torno al 80%
en el rango de frecuencias de 800MHz y 900Mhz, sin embargo con el otro
modelo se observa que el valor de la eficiencia esta en torno a ese 80% pero
en un rango de frecuencia mayor (750MHz y 950MHz).
65
5. MEDIDAS Y
COMPROBACIN DEL
FUNCIONAMIENTO
DEL AMPLIFICADOR
66
5.1- Red de polarizacin.

En el diseo de un amplificador de RF se ha de tener en cuenta que no
solo se trabaja con seal de RF, sino tambin con continua, que forma parte de
la alimentacin del circuito. En primer lugar no podemos dejar que se cuele la
seal de continua por el circuito de RF, ya que podra afectar a los circuitos que
estn conectados al nuestro. Y por otro lado, no podemos dejar que la seal de
RF llegue a la parte de continua, ya que sta se podra propagar por los cables
de alimentacin que debido a su longitud actuaran como antenas y estaran
radiando, afectando a cualquier equipo de RF cercano. Igualmente afectara a
la propia fuente de DC, pudiendo quedar inutilizada.
Lo ideal en este tipo de redes es que los condensadores en continua
sean circuitos abiertos y en RF cortocircuitos, mientras que las bobinas tienen
justo el funcionamiento contrario. Pero esto nunca ocurre porque los
componentes no son ideales, por lo tanto se ha de escoger el valor de bobina y
de condensador ms elevados para que se acerquen lo ms posible a ese
comportamiento ideal que se desea. Sin escoger un valor demasiado grande ya
que su resonancia podra afectar muy negativamente el circuito.
Por ello se debe seleccionar unos valores de C y L que tengan su
frecuencia de resonancia lo ms cercana a nuestra frecuencia de trabajo. As
gracias a la resonancia en paralelo de la bobina y a la resonancia en serie del
condensador se obtiene el comportamiento deseado de cada uno a nuestra
frecuencia de diseo.
Se selecciona el condensador de 47 pF (100B470J de ATC) y la bobina
de 120 nH (1812SMS-R12 Mini de Coilcraft). Esta bobina de 120 nH es la
bobina de choque para el amplificador y resuena a la frecuencia de 1 GHz.
Se utilizar un condensador justo en la entrada de seal RF para evitar
que se introduzca al generador tensin continua y as protegerle dejando pasar
la RF.
En DC se quiere aplicar tensin al dispositivo y en RF evitar que la seal
se vaya por la fuente ese es el motivo de colocar la bobina de 120 nH. La
67
misin del segundo condensador es por si la bobina deja pasar algo de seal
que l se encargue de eliminarla por completo.
La resistencia en la via de polarizacin de puerta se introduce
fundamentalmente por temas de estabilidad. En bajas frecuencias, el
condensador de desacoplo de DC es un abierto y la bobina de choke un corto.
Al introducir la resistencia, seguida de un banco de condensadores (ofrecen un
buen cortocircuito en distintas bandas), el transistor vera desde su terminal de
puerta una resistencia prxima a 50 Ohmios en esas bandas, una condicin en
la que generalmente es ms estable. La resistencia podra incluso ser de
menor valor.
(a)
CAP
ID=C1
C=1e-6 uF
PORT
P=1
puerta
Z=50 Ohm
PORT
P=2
drenador
Z=50 Ohm
(b)
CAP
ID=C7
C=1e-6 uF
10F
10F
-
CAP
ID=C2
CAP
ID=C8
C=1e-6 uF
1F
C=1e-6 uF
1F
CAP
ID=C3
C=1e-6 uF
CAP
ID=C9
C=1e-6 uF
100nF
100nF
CAP
ID=C4
C=1e-6 uF
CAP
ID=C10
C=1e-6 uF
10nF
10nF
CAP
ID=C5
C=1e-6 uF
CAP
ID=C11
C=1e-6 uF
1nF
1nF
RES
ID=R1
R=1 Ohm
50
CAP
ID=C6
C=1e-6 uF
CAP
ID=C12
C=1e-6 uF
47pF
47pF
IND
ID=L1
L=1 nH
IND
ID=L3
L=1 nH
120nH
CAP
PORT
P=3
Z=50 Ohm
RFin
ID=C13
C=1e-6 uF
120nH
CAP
ID=C14
C=1e-6 uF
47pF
47pF
PORT
P=4
Z=50 Ohm
RFout
Figura 5.1 (a) Red de polarizacin de entrada. (b) Red de polarizacin de la salida.
68
Siguiendo los resultados conseguidos con la red de terminacin en

drenador del capitulo anterior, e incorporando las redes de polarizacin antes
descritas, se procedi a la implementacin del amplificador, tal y como se
muestra en la figura 5.2. Se reajusto ligeramente la red de salida para
conseguir un perfil de eficiencia optimo, ajustando la red de adaptacin de
entrada( bobina en serie y condensador a masa) para lograr una mejor
adaptacin en el extremo superior de la banda y con ello una caracterstica de
ganancia lo mas plana posible.
Figura 5.2 Diseo final del amplificador
5.2- Medidas realizadas

Una vez realizado todo el montaje se procede a realizar las distintas
medidas que nos permitirn conocer con detalle los valores de eficiencia
obtenidos, a qu frecuencias se mantiene esa eficiencia o que PAE tiene a
69
distintas frecuencias. Todas las medidas se realizaron con un Vgs=-3.8 V,

siempre y cuando no se indique lo contrario.
5.2.1- Medidas frente a frecuencia

Esta primera medida consisti en dejar fija la Vdd a distintos valores, en
nuestro caso a 28 V, manteniendo una potencia de entrada constante de 26
dBm y variando la frecuencia de entrada de 750 MHz hasta 950 MHz.
Ganancia frente a frecuencia a VDD= 28 V
Gain (dB)
15
10
700
800
900
Frequency (MHz)
1000
Figura 5.3: Valor de la ganancia frente a frecuencia para un valor de Vdd
En esta grfica podemos comprobar como obtenemos una ganancia mas

o menos plana a lo largo de todo el rango de frecuencia, decreciendo
ligeramente a valores altos. Este perfil es mucho mejor que el que se
conseguiria con un diseo de banda estrecha, en que la ganancia decrecera
unos cuantos dB al subir la frecuencia.
70
Uno de los objetivos principales de este proyecto es la obtencin de un

amplificador de potencia Clase E que tenga la mayor eficiencia posible. En este
apartado se indicarn las medidas de eficiencia y los procedimientos realizados
para mejorarla. Recordamos lo que es la eficiencia y la PAE.
La eficiencia en drenador, tambin conocida como eficiencia de
conversin DC-RF, representa en qu medida la potencia de DC se convierte
en potencia de salida de RF. Se puede obtener con la siguiente expresin:
D
PoutRF
PinDC
(V.1)
La eficiencia de potencia aadida (PAE, Power-Added Efficiency)

considera adems la ganancia del amplificador, definiendo la eficiencia como la
diferencia de potencia de RF entre la salida y la entrada dividida entre la
potencia de DC:
PAE
PoutRF - PinRF
1
D 1 -
PinDC
G
(V.2)
Finalmente, la eficiencia completa compara la potencia total recibida por

el amplificador (RF+DC) con la potencial total entregada a la salida. Se expresa
de la siguiente manera:
PoutRF
D
PinRF PinDC D
1
G
(V.3)
PAE frente a frecuencia a VDD= 28 V

100
PAE
80
60
40
20
0
700
800
900
1000
Frecuency (MHz)
Figura 5.4: Valor de la PAE frente a frecuencia para un valor de Vdd
71
Eficiencia frente a frecuencia a VDD= 28 V

100
Efficiency
80
60
40
20
0
700
800
900
1000
Frecuency (MHz)
Figura 5.5 valor de la eficiencia frente a la frecuencia para un valor de Vdd
De las dos graficas anteriores podemos concluir que tanto la PAE como la
Eficiencia no sufre mucha variacin con la frecuencia y se mantiene en unos
valores bastante buenos( entre el 75% y el 85%)
5.2.2- Medidas frente a VDD

Considerando que el amplificador diseado podra ser usado como etapa
de salida de un transistor polar, se considero oportuno caracterizarle frente a la
tensin de polarizacin en drenador, VDD.
Vout frente a VDD a Vgs = -3.8 V

60
50
Vout [V]
40
30
f= 750 MHz
f= 850 MHz
f= 950 MHz
20
10
10
15
20
25
30
35
40
VDD [V]
Figura 5.6: Vout frente a Vdd con Vgs = -3.8 V a distintas frecuencias
72
En esta grafica podemos observar la variacin de la Vout con la Vdd en la

cual se aprecia que la relacin es lneal a valores por encima de 5 V y que a
valores inferiores pasa de ser lineal a no lineal, no llegando a producirse un
nulo en la amplitud de la tensin a la salida debido al efecto feedthrough,
producido por la capacidad entrada-salida del transistor, Cgd
Eff y PAE frente a VDD a Vgs = -3.8 V

100
90
80
PAE [%]
70
60
PAE f= 750 MHz

PAE f= 850 MHz
PAE f= 950 MHz
50
40
30
20
10
0
10
15
20
25
30
35
VDD [V]
Figura 5.7: PAE frente a Vdd con Vgs= -3.8 V a distintas frecuencias
Eff y PAE frente a VDD a Vgs = -3.8 V

100
90
Eficiencia [%]
80
70
Eff f= 750 MHz

Eff f= 850 MHz
Eff f= 950 MHz
60
50
40
30
20
10
0
10
15
20
25
30
35
VDD [V]
Figura 5.8: Eficiencia frente a Vdd con Vgs= -3.8 V a distintas frencuencias
73
En estas 2 graficas podemos apreciar como para valores superiores a 5

V, tanto la PAE como la eficiencia aumentan y a partir de un valor de Vdd esos
valores se mantienen mas o menos constantes en nuestro rango de
frecuencias.
5.2.3- Medidas frente a PIN

Aunque un amplificador clase E no se usara para amplificar o manipular
una seal de envolvente variable, si se elevara su tensin de polarizacin en
puerta por encima de pinch-off, se conseguira un modo de operacin clase J
continuo de inters para la amplificacin lineal de tales seales. Es por ello que
se decidi caracterizar el amplificador diseado frente a P IN a la tensin de
puerta seleccionado y/o valores superiores.
Ganancia frente a Pin en dBm @ 750 MHz Cin 6.8 pF

25
Ganancia [dB]
20
Vgs= -3 V
Vgs= -3.4 V
Vgs= -3.8 V
15
10
-5
-10
-30
-20
-10
10
20
PinRF [dBm]
Figura 5.9: Ganancia frente a Pin a 750MHz para distintos valores de Vgs
74
30
Como se puede observar en esta grfica, a tensin por debajo de pinchoff se produce expansin de ganancia seguido de compresin, en cambio a
tensiones cercanas a pinch-off la ganacia se mantiene ms o menos constante
con compresin a potencias altas. Al elevar Vgs, estaramos evolucionando
hacia una clase de amplificacin J ( punto de operacin clase AB), siempre que
se opere por debajo de saturacin.
PAE frente a Potencia de entrada en dBm Vgs= -3.8 V

100
750 MHz
850 MHz
950 MHz
90
80
PAE [%]
70
60
50
40
30
20
10
0
-20
-15
-10
-5
10
15
20
25
PinRF [dBm]
Figura 5.10: PAE frente a potencia de entrada para Vgs= -3.8 a distintas frecuencias
75
30
Eficiencia frente a Potencia de entrada en dBm Vgs= -3.8 V

100
750 MHz
850 MHz
950 MHz
90
Eficiencia [%]
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-20
-15
-10
-5
10
15
20
25
30
PinRF [dBm]
Figura 5.11: Eficiencia frente a potencia de entrada para Vgs= -3.8 a distintas frecuencias
Como se puede observar en estas 2 grficas, tanto la PAE como la

Eficiencia aumentan a medida que aumenta la Pin, y vemos que a 950 MHz
satura antes para una potencia menor que a 850MHz y 750 MHz.
76
6. Conclusiones y lneas
futuras
77
6.1- Conclusiones
Llegados a este punto del diseo, montaje y caracterizacin del
amplificador clase E, se realizar un breve balance de los resultados obtenidos
y las conclusiones que de ellos podemos extraer.
Los datos correspondientes a nuestro proyecto son los medidos a unas
condiciones normales de Vdd=28 V , donde obtenemos una eficiencia y una
PAE superiores al 80%, con una potencia de entrada de 26dBm, para un rango
de frecuencias entre 750MHz y 950MHz
Tambin podemos observar, de las medidas realizadas que podemos
conseguir una ganancia mas o menos constante a lo largo del mismo.
Finalmente se puede concluir que los objetivos fijados inicialmente para el
proyecto fin de carrera se han cumplido de manera satisfactoria, consiguiendo
buenas prestaciones, cercaos al estado de la tcnica.
6.2- Lneas futuras

Dado que nuestro amplificador de potencia posee una eficiencia y una
PAE por encima de 80% en unas condiciones determinadas, con una eficiencia
mnima en torno al 70% se podr obtener un transmisor polar u outphasing de
grandes prestaciones.
Una lnea de trabajo futura es la implementacin del amplificador en un
esquema de transmisin outphasing (LINC) como el descrito en la figura 2.3.
78

Amplificador de Potencia Clase e

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Simulacion del amplificador clase E en condiciones ideales de

Ajuste de la red de terminacin en drenador59

Simulacin del amplificador incorporando la red de salida

5. Medidas y comprobacin del funcionamiento del amplificador...66

5.2.1. Medidas frente a frecuencia70

6. Conclusiones y lneas futuras77

Lineas futuras de trabajo78

1.1- Importancia del compromiso Linealidad-Eficiencia en

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1.3- Estructura de la memoria

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2.1- Transmisor Cartesiano

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Figura 2.1: Arquitectura del transmisor cartesiano

La seal de salida se representa en funcin de sus componentes en fase

Esta arquitectura no satisface el compromiso de linealidad con alta

2.2- Transmisor Polar

Figura 2.2: Arquitectura del transmisor polar

Se basa en la representacin de la seal paso banda a transmitir en

La idea del transmisor polar es sustituir el modulador I/Q del transmisor

La componente de fase se transforma en una seal de envolvente

Transmisor Outphasing (LINC)

usando el ngulo de desfase entre dos seales envolventes constantes son

Figura 2.3: Arquitectura del transmisor outphasing.

Debido a esto podemos elegir amplificadores no lineales y de alta

un ancho de banda del orden de las decenas de MHz. Adems la separacin

2.4- Amplificadores de potencia

Figura 2.4: Potencias en un amplificador de potencia de RF

2.4.1- Parmetros Significativos de los Amplificadores de

Eficiencia de potencia aadida ( PAE ).

La eficiencia en drenador, tambin conocida como eficiencia de

La eficiencia de potencia aadida (PAE, Power-Added Efficiency)

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