Este documento presenta nueve problemas relacionados con la ciencia de materiales, incluyendo determinar índices de Miller de planos y direcciones cristalinas, dibujar planos y direcciones dentro de celdas unitarias cúbicas y hexagonales, y calcular tasas de difusión y concentraciones de impurezas en materiales usando coeficientes de difusión.
Este documento presenta nueve problemas relacionados con la ciencia de materiales, incluyendo determinar índices de Miller de planos y direcciones cristalinas, dibujar planos y direcciones dentro de celdas unitarias cúbicas y hexagonales, y calcular tasas de difusión y concentraciones de impurezas en materiales usando coeficientes de difusión.
Este documento presenta nueve problemas relacionados con la ciencia de materiales, incluyendo determinar índices de Miller de planos y direcciones cristalinas, dibujar planos y direcciones dentro de celdas unitarias cúbicas y hexagonales, y calcular tasas de difusión y concentraciones de impurezas en materiales usando coeficientes de difusión.
Planos y direcciones Cristalinas, Difusin. 1. Determine los ndices de Miller (hkl) de los siguientes planos y trace la direccin.
2. Determine los ndices de miles de las siguientes direcciones.
3. Dibuje cada uno de los planos o direcciones dentro de una celda unidad cubica:
4. Esboce dentro de una celda hexagonal los siguientes planos y direcciones:
5. Determine los ndices de Miller de los planos y direcciones en la estructura hexagonal:
6. Se usa una lmina de 1 mm de hierro FCC para contener nitrgeno en un intercambiador
de calor a 1200 C. la concentracin de N en una superficie es 0.04% de tomos y en la segunda superficie es de 0.005% de tomos. Determine el flujo de nitrgeno a travs de la hoja en tomos de N/cm2. 7. Un recipiente esfrico de hierro BCC tiene 4 cm de dimetro y 0.5 de espesor de pared y contiene nitrgeno a 700 C. la concentracin en la superficie interna es de 0.05% de tomos y en la superficie externa es de 0.002% de tomos de N. calcule la cantidad de gramos que salen del recipiente. 8. El coeficiente de difusin del fosforo (P) en Silicio (Si) es de 6.5 x 10-13 cm2/s a una temperatura de 1100 C. Suponga que la fuente proporciona una concentracin superficial de 1021 tomos N /cm3 y que el tiempo de difusin es de dos horas. Suponga que la oblea se silicio no contiene P al principio. Calcule las concentraciones de P a profundidades de 0.5, 1.1 y 2.4 micrmetros. 9. Una oblea de silicio de 2 mm de espesor se va a dopar con antimonio (Sb). Suponga que la fuente dopante (mezcla gaseosa de cloruro de antimonio y otros gases) proporciona una concentracin constante de 1022 tomos de Sb/m3 . Si se necesita un perfil de dopante tal que la concentracin de Sb a una profundidad de un micrmetro sea 5 x 1021 tomos Sb/m3 Cul ser el tiempo necesario para la difusin? Suponga que la oblea de silicio no contiene impurezas ni dopantes originalmente. Suponga que la energa de activacin para la difusin de Sb en el silicio es de 380 kJ/mol y que Do para la difusin de Sb en Si es de 1.3 x 10-3 m2/s.