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3 Edio Julho / 2013

Eng Jos Roberto Pereira

APRESENTAO
Este trabalho o resultado de muitos dias (e noites) de pesquisa, estudo,
planejamento, organizao, redao, desenho, compilao, clculos, etc., e foi
elaborado sem finalidade comercial ou sequer para obteno de qualquer espcie de
remunerao ou lucro financeiro.
Seu objetivo , unicamente, divulgar e propagar o seu contedo entre o maior
nmero possvel de pessoas, de modo a fomentar o saber e estimular o
conhecimento. Espero assim que, de alguma forma, ele seja uma forma de
contribuio para o aprimoramento e a elevao do esprito humano, e da evoluo
da nossa espcie.
Por esta razo, o seu contedo no est protegido por qualquer tipo de patente ou
copyright, sendo a sua cpia, distribuio e divulgao no apenas permitida,
mas tambm (e principalmente) estimulada, no todo ou em parte, em qualquer tipo
de mdia, seja ela fsica, eletrnica ou qualquer outra que, futuramente, possa
surgir, desde que no seja vendida ou comercializada de qualquer forma e que a
fonte seja devidamente citada.
Acredito que, com este pequeno legado, estarei contribuindo, mesmo que
humildemente, para fazer deste nosso mundo um lugar melhor para se viver.
Sero muito bem-vindas quaisquer colaboraes apontando eventuais erros ou
sugerindo melhorias para este trabalho, que podero ser enviadas para o e-mail do
autor, indicado no rodap.
Rio de Janeiro, maro de 2011.
Jos Roberto Pereira

A principal meta da educao criar homens que sejam capazes de fazer coisas
novas, no simplesmente repetir o que outras geraes j fizeram. Homens que
sejam criadores, inventores, descobridores. A segunda meta da educao formar
mentes que estejam em condies de criticar, verificar e no aceitar tudo que a
elas se prope.
(Jean Piaget)

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SUMRIO
CAPTULO 1 Introduo Eletrnica de Potncia

CAPTULO 2 Transistores de Potncia

CAPTULO 3 Transistores de Efeito de Campo

14

CAPTULO 4 Tiristores

25

CAPTULO 5 Chaves Controladas

33

CAPTULO 6 Retificadores de Alta Potncia Polifsicos

38

CAPTULO 7 Retificadores Controlados a Tiristores

44

CAPTULO 8 Dispositivos e Circuitos de Disparo

48

CAPTULO 9 Inversores de Tenso

56

CAPTULO 10 Fontes de Alimentao Chaveadas

60

CAPTULO 11 Sistemas Ininterruptos de Energia

66

CAPTULO 12 Inversores de Freqncia e Soft-Starters

68

BIBLIOGRAFIA

73

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CAPTULO 1
INTRODUO ELETRNICA DE POTNCIA
O desenvolvimento da eletrnica permitiu a sua utilizao nos mais diversos campos de
aplicao, tais como: telecomunicaes, computao, sistemas de udio, energia, transportes,
aplicaes militares, entretenimento, automao, robtica, acionamentos, controles, e muitos
outros.
Dentre essas, o ambiente industrial, pelas suas caractersticas, encontrou um campo frtil para
o desenvolvimento de dispositivos e aplicaes especficas, particularmente no campo da
automao e controle e da alta potncia.
Foram desenvolvidos semicondutores especiais para esse tipo de aplicao, assim como
diversos circuitos para sua aplicao, e que so utilizados em uma escala cada vez maior no
ambiente industrial. Em sua quase totalidade, operam no regime de corte/saturao, tambm
chamado de comutao ou chaveamento, por razes de eficincia energtica e reduo do
aquecimento. Neste trabalho, veremos alguns destes semicondutores e suas principais
aplicaes, com nfase nos sistemas de controle de potncia.
1.1 Semicondutores de Potncia
Semicondutores de potncia, como o prprio nome diz, so dispositivos de silcio projetados e
construdos para controlarem altas potncias, o que envolve: altas tenses e altas correntes.
Existem diversos tipos de semicondutores de potncia, cada um com sua faixa de aplicaes
especficas, dependendo da corrente, da tenso e da freqncia de operao.
Podemos dividi-los em grupos, dependendo das suas caractersticas e, abaixo, listamos os
mais importantes:
- Transistores de Potncia
- BJT Bipolar Junction Transistor
- FET Field Effect Transistor

JFET Junction FET


MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET

Depletion
Enhancement

- Tiristores
- SCR Silicon Controlled Rectifier
- LASCR Light Activated SCR
- TRIAC Triode Alternative Current
- Chaves Controladas
- GTO Gate Turn-Off Thyristor
- MCT MOS Controlled Thyristor
- IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
- Dispositivos de disparo
- DIAC Diode Alternative Current
- UJT Unijunction Transistor
- PUT Programmable Unijunction Transistor

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1.2 - Semicondutores Operando em Modo de Chaveamento (switching mode)


Uma vez que a potncia dissipada em um transistor (tomando este componente como exemplo)
o produto da corrente de coletor pela tenso entre coletor e emissor (PC = IC.VCE), e
considerando o modelo ideal do transistor, temos que, para a condio de saturao, VCEsat = 0
e, para a condio de corte, ICsat = 0.
Sendo assim, em qualquer dessas condies o produto (IC . VCE) ser igual a zero, ou seja: a
dissipao de potncia no transistor cortado ou saturado igual a zero.
Obviamente, no caso real do transistor as condies no so exatamente essas, mas podemos
afirmar que tanto VCEsat quanto ICsat possuem valores bastante reduzidos, resultando em
potncias consideravelmente mais baixas do que operando na chamada regio ativa.
Outro ponto a considerar a transio entre o corte e a saturao (e vice-versa) que, no
transistor real, no ocorre de forma instantnea, mas tem um certo tempo de durao, mesmo
que curto. Durante esse tempo, que pode ser desde alguns nS at vrios S, o transistor
atravessa a regio ativa, na qual o produto (IC . VCE) bem maior que zero, dissipando, neste
pequeno perodo de transio, uma potncia considervel.
Isso significa que, quanto maior a freqncia de comutao, mais transies entre corte e
saturao (e vice-versa) ocorrero por unidade de tempo, aumentando a potncia dissipada
pelo transistor e, por conseguinte, a sua temperatura.
O raciocnio empregado para o transistor pode ser extendido para qualquer outro componente,
tomando-se a tenso entre as suas extremidades principais e a corrente total que o atravessa.
A figura abaixo mostra os tempos mais importantes de comutao de um semicondutor
operando em modo de chaveamento (switching mode).

ts

tr

tr

tf

tf
toff

td
ton

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tr rise time (tempo de subida) O tempo que a borda anterior de um pulso leva para ir de 10% a
90% da sua amplitude mxima;

td delay time (tempo de retardo) O intervalo de tempo entre o ponto no qual a borda anterior

do pulso de entrada atinge 10% da sua amplitude mxima e o ponto no qual a borda anterior
do pulso de sada atinge 10% da sua amplitude mxima;

ts storage time (tempo de armazenamento) O intervalo de tempo entre o ponto no qual a

borda posterior do pulso de entrada atinge 90% da sua amplitude mxima e o ponto no qual a
borda posterior do pulso de sada atinge 90% da sua amplitude mxima;

tf fall time (tempo de queda) O tempo que a borda posterior do pulso leva para ir de 90% at
10% da sua amplitude mxima;

ton turn-on time (tempo de ligamento) A soma de td + tr


toff turn-off time (tempo de desligamento) A soma de ts + tf
Essa figura genrica e os pulsos de entrada e sada podem representar sinais de tenso ou
de corrente, dependendo do componente e da configurao em questo. Os manuais, em geral,
mostram o circuito de teste que foi utilizado para a medio desses tempos.
Os manuais, tambm, em muitos casos, citam apenas ton e toff, que resumem os tempos de
resposta entre entrada e sada para ligar e desligar o componente, respectivamente.
Abaixo, a ttulo de exemplo, a transcrio de uma parte do datasheet do transistor de potncia
2N6328 (NPN), da Texas Instruments:

Valores mximos:
VCE = 100V
IC (contnuo) = 30A
Valores tpicos:
ton = 0,6 s
toff = 0,9 s
VCEsat = 1,5 V @ IB = 2A.
VCEsat = 3 V

IC = 15A

@ IB = 7,5A. IC = 30A

VBE = 2 V

@ VCE = 4 V.

IC = 15A

VBE = 4 V

@ VCE = 4V.

IC = 30A

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A figura abaixo mostra as formas de onda de tenso de entrada e sada de um inversor


simples a transistor:

tf
tr

VCE

td

ts

VCEsat
tf

ton

tr
toff

Reparem que, neste caso, no sinal de sada, tf e tr esto invertidos em relao figura anterior,
ficando ento:

ton = td + tf
toff = ts + tr

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CAPTULO 2
TRANSISTORES DE POTNCIA
Da mesma forma que para transistores para pequenos sinais, existem basicamente dois tipos
de transistores de potncia: Transistores Bipolares de Juno (BJT) e Transistores de
Efeito de Campo (FET). Neste captulo estudaremos ambos.
Os Transistores Bipolares de Potncia so dispositivos semelhantes aos Transistores Bipolares
para pequenos sinais. Possuem trs terminais (Coletor, Base e Emissor) e possuem idntico
princpio de funcionamento. Diferenciam-se basicamente na tecnologia de fabricao,
possuindo maiores dimenses, uma vez que precisam de maior rea para conduzir elevadas
correntes. Diferenciam-se tambm no seu encapsulameto, de modo a facilitar a dissipao de
calor. O seu funcionamento foi estudado na apostila de Eletrnica Analgica I.
Em aplicaes de potncia, so utilizados, normalmente, no modo de chaveamento ou
comutao, operando no modo corte/saturao, de forma a reduzir a sua dissipao de
potncia e, assim sua temperatura, permitindo o acionamento e o controle de cargas maiores.
A razo pela qual operam nesse modo foi explicada no captulo anterior.
Um ponto importante no estudo dos transistores de potncia que, devido s altas correntes
envolvidas, as quedas de tenso nas suas junes (VBE e VCEsat) so consideravelmente
maiores que nas aplicaes de pequenos sinais. Os dados do transistor 2N6328 transcritos na
pgina 4 exemplificam bem esta questo.
Pelo fato de dissiparem mais potncia, liberando assim mais calor, o seu encapsulamento
tambm difere, no formato e no tamanho, dos transistores para pequenos sinais, uma vez que
precisam ser, na maioria dos casos, montados em dissipadores de calor, a fim de que a sua
temperatura fique abaixo da mxima suportada.
Dissipadores de calor so, em geral, fabricados em alumnio e o o seu princpio de
funcionamento se baseia no aumento da superfcie de contato com o ar, melhorando, assim, a
troca de calor com o ambiente. Podem possuir ventilao natural ou forada (ventiladores). Em
alguns casos, em grandes potncias, sua refrigerao feita gua.
Em muitos casos o coletor ligado prpria carcaa metlica do invlucro.
Abaixo, ilustramos alguns tipos de encapsulamentos mais comuns de transistores de potncia:

C
C

B
E
B

TO-3

TO-3 (vista inferior)

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TO-220

2.1 O Transistor no Modo de Chaveamento


Quando estudamos, em Eletrnica Analgica, polarizao de transistores, mostramos duas
condies extremas de operao (transistor ideal):
1) VCE = 0 e

IC = VCC / RC (transistor saturado)

2) IC = 0 e VCE = VCC (transistor cortado)


Naquele momento, no estvamos interessados em operar nessas condies, mas na chamada
Regio Ativa do transistor, para fins de amplificao.
No entanto, existem aplicaes especficas onde essas condies de corte e saturao so
desejadas, particularmente na Eletrnica Digital e na Eletrnica de Potncia.
Se observarmos a figura abaixo, podemos afirmar que o transistor tem a mesma funo de uma
chave, ou interruptor, podendo conectar ou desconectar a carga RL da sua fonte VCC.

RL

IB

RL

+
VCC

VCC

Para que o circuito funcione corretamente, necessrio que as condies de corte e saturao
sejam garantidas. Caso contrrio o transistor ir operar na regio ativa, o que, neste caso,
indesejvel.
2.1.1 - Condio de Corte
No caso de transistores de Silcio, o seu corte garantido mantendo-se a corrente de base igual
a zero, o que pode ser conseguido atravs da aplicao de uma tenso entre base e emissor
VBE = 0, correspondendo a um curto-circuito entre base e emissor. Polarizando inversamente
esta juno (respeitando-se o seu limite mximo), o transistor tambm se mantm na condio
de corte.
2.1.2 - Condio de Saturao
Na condio de saturao, a corrente de coletor IC atinge o seu valor mximo, e este valor
determinado por VCC e pelo resistor de coletor RC. A essa corrente mxima de coletor, na
condio de saturao do transistor, chamamos ICsat.
Tambm assumimos, para fins didticos, que o transistor saturado se comportava como um
curto-circuito. Na realidade isso no acontece, pois existe uma queda de tenso no transistor.
Essa tenso chamada de Tenso Coletor-Emissor de Saturao, ou VCEsat. A sua influncia
mostrada abaixo:
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Transistor Ideal

Transistor Real

VCC

ICsat =

ICsat =

RC

VCC VCEsat
RC

Como IC = . IB, para que o transistor esteja saturado necessrio que uma das duas
condies abaixo seja satisfeita:

IB >

ICsat

ou

>

ICsat
IB

EXEMPLO:
Verificar a condio de saturao do transistor no circuito abaixo e calcular a sua potncia
dissipada:
= 20 a 50
VBE = 1 V
VCEsat = 3 V

5
33
+

24 V

48 V

ICsat = (48 V 3 V) / 5 = 9 A
IBsat (IBmin) = ICsat / = 9 A / 20 = 0,45 A

(utiliza-se, neste caso, o Beta mnimo)

IB = (24 V 1V) / 33
IB = 23 V / 33 = 0,7 A
Como IB > IBsat (0,7 A > 0,45 A), o transistor estar saturado.
Clculo da potncia dissipada na saturao:
PC = IC . VCE
PC = 9A . 3V = 27W

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Esse circuito, no qual o transistor opera como chave, na configurao Coletor Comum, tambm
chamado de Circuito Inversor, pois o sinal de sada exatamente o inverso do sinal
de entrada. Para melhor entendimento, observemos o circuito abaixo, supondo, para fins
didticos, u transistor ideal (VCEsat = 0) :

6k
1
SW

Vo

200 k

Vi

+
12 V

Com a chave SW na posio 1, Vi ser igual a 12V, o que far o transistor saturar e, portanto,
Vo = VCEsat = 0.
Com a chave SW na posio 2, Vi ser zero, cortando o transistor e fazendo Vo = VCC = 12V.
Como o sinal de sada o inverso do sinal de entrada, chamamos este circuito de Inversor.
Podemos relacionar graficamente o sinal de sada com o de entrada da seguinte forma:

Vi
+ 12 V

0 t0

t1

t2

t3

t4

t1

t2

t3

t4

VO
+ 12 V
Vmed
0 t0

T
Se observarmos o grfico da tenso de sada, verificamos que ele possui a forma de uma onda
retangular, e que, no intervalo de um perodo (T), existe tenso durante parte do tempo
(intervalo t0-t1), enquanto que no restante (intervalo t1-t2) a tenso igual a zero.

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2.2 Modulao por Largura de Pulso (Pulse Width Modulation) PWM


Podemos perceber, no grfico anterior, que a tenso mdia de sada (Vmed) ir depender da
relao entre esses dois tempos, que podemos chamar de ton e toff. Considerando que o
perodo T = ton + toff, podemos afirmar que quanto maior ton em relao a T, maior ser a
tenso de sada e a razo entre esses dois tempos (ton / T) chamada de Duty Cicle (D) ou
Ciclo de Trabalho. Assim,

ton

D=

Isso pode ser melhor visualizado na figura abaixo, com duas ondas retangulares de mesma
freqncia (e mesmo perodo) e mesma amplitude:

v
V
Vmed1
ton

t0

t1

toff

t2

t3

t4

t5

t6

t7

t8

t9

t10

t11

t12

t13

t3

t4

t5

t6

t7

t8

t9

t10

t11

t12

t13

v
V

ton

toff

Vmed2

t0

t1

t2

T
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Temos ento que Vmed1


pela seguinte expresso:

> Vmed2

Vmed =

e o seu valor (valor da tenso modulada em PWM) dado

V . ton

ou:

Vmed = V . D

onde:

Vmed = Tenso de sada modulada em PWM


V = Tenso de entrada a ser chaveada
D = Ciclo de Trabalho (Duty Cycle)
ton = tempo em que a tenso est ligada
toff = tempo em que a tenso est desligada
T = ton + toff (Perodo)

Exemplos:
1) Calcular o valor mdio de uma tenso contnua de 200V ao ser chaveada em uma freqncia
de 10 kHz, sendo o seu ton = 0,02 ms.
Sabemos que o perodo o inverso da freqncia. Logo,
T=

1
10 x 103 Hz

= 0,1 x 10-3 s = 0,1 ms

O seu valor mdio ser ento:


Vmed =

200 x 0,02
0,1

Vmed = 40 V

2) Calcular o valor mdio e a freqncia de operao de uma tenso de 48V ao ser chaveada,
sendo:
ton = 0,75ms e toff = 0,25ms
T = ton + toff = 0,75ms + 0,25ms = 1ms

logo:

f = 1/T = 1/1ms

f = 1 kHz

Vmed = 48V x 0,75ms / 1ms


Vmed = 36V

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2.3 Configurao Coletor Comum (Seguidor de Emissor)


Em comutao, esta configurao muito utilizada, devido algumas das suas caractersticas,
tais como:
- Alta impedncia de entrada
- Baixa impedncia de sada
- Ganho de tenso unitrio
- Alto ganho de corrente
Uma vez que desejamos controlar correntes elevadas de sada utilizando pequenas correntes
de controle, esta configurao se mostra adequada. A figura abaixo mostra um circuito tpico
dessa configurao.

+
V

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Controlador
PWM

Carga

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CAPTULO 3
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
O transistor bipolar assim chamado devido ao fato de trabalhar com dois tipos de portadores
de cargas, com polaridades diferentes: eltrons e buracos.
Existe um outro tipo de transistor que utiliza apenas um desses portadores (pode ser qualquer
um dos dois) e, por isso, chamado de unipolar.
O Transistor de Efeito de Campo ou FET (Field Effect Transistor) um exemplo de transistor
unipolar. Suas semelhanas com os transistores bipolares so maiores que as suas diferenas
e, por isso, o aprendizado sobre eles servir de base para o estudo dos FETs.

3.1 O FET de Juno (JFET)


Enquanto que os BJTs possuem duas junes, formando trs camadas (NPN ou PNP), os
JFETs possuem apenas uma juno PN, sendo um dos cristais o chamado Canal e o outro, a
Porta (Gate). O canal possui dois terminais, chamados Fonte (Source) e Dreno (Drain). A
figura abaixo mostra o esquema de um JFET de canal N.

Dreno

Dreno

Canal
N
Porta

Canal
N
Porta

VGS

Fonte

Fonte

Ao ser aplicada uma tenso externa (VDS) entre a Fonte e o Dreno, de forma que o Dreno fique
positivo em relao Fonte, uma determinada corrente de portadores (eltrons) ser
estabelecida da Fonte para o Dreno, o que significa que uma corrente convencional fluir do
Dreno para a Fonte.
Em operao normal, um JFET de canal N recebe uma polarizao na sua Porta de forma que
esta fique negativa em relao Fonte (polarizao reversa). Isso causa um aumento da regio
de depleo (mostrada em cinza) no entorno da Porta, estreitando a passagem entre Fonte e
Dreno atravs do Canal e aumentando a sua resistncia. A conseqncia uma reduo da
corrente de Dreno. Desta forma, com uma pequena variao na tenso da porta, podemos
controlar uma grande variao na corrente do Dreno.

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VDS

Devido ao fato de ter a Porta polarizada inversamente, o JFET possui uma alta resistncia
(impedncia) de entrada, uma vez que somente circular por ela a corrente de fuga (muito
baixa, da ordem de nA). Essa caracterstica uma das grandes vantagens do FET em relao
ao BJT, para determinadas aplicaes nas quais necessria uma alta impedncia de entrada.

Exemplo:
Pela folha de dados do JFET MPF102 da Motorola, temos a sua Corrente Reversa de Porta
(IGSS = 2nA) para VGS = 15V e VDS = 0V. Nessas condies, a sua resistncia de entrada CC
ser igual a:
Rin =

15 V
2 nA

= 7,5 x 109 = 7.500 M

Comparativamente, um transistor bipolar com corrente de base IB = 20 A ter uma resistncia


CC de entrada igual a:
Rin =

0,7 V
20 A

35 k

O que demonstra a grande superioridade do JFET sobre o BJT no que se refere resistncia CC
de entrada.

O smbolo do JFET mostrado na figura abaixo:

Dreno
Porta

Dreno
Porta

Fonte
JFET (Canal N)

Fonte
JFET (Canal P)

O funcionamento do JFET de canal P idntico ao do canal N. Apenas invertem-se as


polaridades das baterias e das correntes.
Outra caracterstica do JFET o seu baixo rudo eltrico, normalmente gerado pelo movimento
dos portadores de carga. Isso o torna adequado para amplificar sinais fracos, ou de amplitude
muito baixa, como por exemplo, pr-amplificadores de udio ou amplificadores de rdiofreqncia em receptores de rdio e TV.
Devido sua impedncia de entrada ser extremementa alta, ele tambm drena praticamente
nenhuma potncia do estgio anterior. Por isso, apesar do JFET possuir um baixo ganho de
tenso, o seu ganho de potncia quase infinito.

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A figura abaixo mostra uma famlia de curvas caractersticas de Dreno de um JFET.

Podemos observar que, para que este JFET entre no seu estado de corte, necessria uma
tenso de VGS(off) = 5 V entre a Porta e a Fonte.

Obs.: VGS(off) tambm chamado de VP (pinch-off voltage)


3.1.1 A relao de transferncia (ou ganho) em um JFET
Como vimos, nos BJTs existe uma relao entre a corrente de coletor (IC) e a corrente de base
(IB), conhecida como Ganho de Corrente, representado pela letra grega ou pelo parmetro
hbrido hFE. Como se trata de uma razo entre grandezas da mesma natureza (corrente) ele
um nmero adimensional. Nos BJTs, essa relao de transferncia entre entrada e sada ocorre
como sendo a corrente de coletor uma funo linear da corrente de base, atravs da relao:

IC = f(IB) = . IB
No caso do FET, vimos que a corrente de Dreno depende no da corrente, mas sim da tenso
entre Porta e Fonte. Ento a razo entre essas as duas grandezas uma razo entre corrente e
tenso, ou seja: I / V (Ampre / Volt). Pela lei de Ohm, sabemos que R () = V / I. Ento, a
grandeza que expressa o ganho em um FET o inverso da resistncia, ou seja, uma
condutncia (ou admitncia). A unidade de condutncia o Mho, ou Siemens. No caso do
FET, em particular, trata-se de uma condutncia de transferncia (da Porta para o Dreno) e por
isso chamada de TRANSCONDUTNCIA (g).
Ento, a Transcondutncia, em um FET, expressa o quanto a corrente de Dreno varia em
funo da tenso na Porta, ou seja: ID = f(VGS). A figura abaixo apresenta uma curva de
transcondutncia de um JFET, ou a variao da corrente do Dreno (ID) em funo da tenso da
Porta (VGS).
Observe que essa funo no linear, mas uma curva que obedece a uma equao chamada
Equao de Shockley, mostrada a seguir:

ID = IDSS

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VGS
1
VGS(off)

ou

VGS = VGS(off) 1

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ID
IDSS

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Abaixo, mostramos uma curfa de transferncia para um JFET com as seguintes caractersticas:

VGS(off) = 4 V (Tenso de Corte entre Porta e Fonte)


IDSS = 10 mA (Corrente entre Dreno e Fonte @ VGS = 0)

VGS(off)

3.2 Polarizao do FET


O FET pode ser polarizado atravs de uma fonte independente no seu Gate (polarizao fixa),
porm isso implica na utilizao de uma fonte adicional, alm da fonte que alimenta o circuito de
Dreno (VDD). Para elimin-la, possvel utilizar o chamado circuito de auto-polarizao, onde
utilizada uma nica fonte de alimentao.
A figura abaixo mostra um circuito tpico de amplificador de tenso a JFET, com sua malha de
auto-polarizao.

A corrente que circula entre Dreno e Fonte (ID), que atravessa RS, provoca nesta uma queda de
tenso tornando a Fonte positiva em relao Terra (ou a Terra negativa em ralao Fonte).
Como a Porta est conectada Terra atravs de RG, o seu potencial o mesmo da Terra,
ficando assim negativa em relao Fonte.
A tenso de Gate ser ento de mesmo mdulo queda em RS, porm negativa em relao
Fonte:

VGS = ID . RS

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Para calcularmos a malha de polarizao necessrio, antes, determinar o ponto quiescente do


circuito. Isso feito escolhendo-se um ponto prximo ao centro da curva de transferncia.
Ligando este ponto origem temos a chamada Reta de Autopolarizao, como mostra a figura
abaixo:

Reta de
Autopolarizao

.
Para o circuito acima, vamos adotar VDD = 20V e o ponto quiescente escolhido foi:

VDS = 10V
ID = 2,5 mA
Da curva de transferncia (ou pela equao de Shockley), verificamos que:
para ID = 2,5 mA, VGS = 2 V
Da reta de autopolarizao (Lei de Ohm), temos que:

RS =

VGS
=
ID

(2)
2,5

= 0,8 k = 800

Da malha de Dreno temos:

VDD = RD ID + VDS + RS ID
Ento, tirando o valor de RD, temos:

RD =

VDD VDS RS ID
ID

20 10 0,8 x 2,5
2,5

3,2 k

Como no circula corrente em RG, esta pode ser de um valor bem alto, para mantermos alta a
impedncia de entrada do circuito. Ento, podemos escolher, por exemplo,

RG = 2,2 M

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3.3 O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)


O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de xido de Semicondutor e Metal), similarmente
ao JFET, possui Fonte, Dreno e Porta. No entanto, ao invs de possuir uma juno PN entre a
Porta e o Canal, aquela isolada eletricamente deste por uma camada de Dixido de Silcio.
Por esta razo, a Corrente de Porta extremamente pequena, mesmo que a porta esteja
positiva em relao Fonte. O MOSFET tambm chamado de IGFET (Insulated Gate Field
Effect Transistor), ou Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada.
Existem dois tipos de MOSFET:
- MOSFET de Depleo (Depletion) ou Empobrecimento, ou Diminuio.
- MOSFET de Enriquecimento (Enhancement) ou Crescimento, ou Intensificao.
3.3.1 O MOSFET de Depleo
A figura abaixo mostra, esquematicamente, um MOSFET de Depleo de Canal N. O Canal
composto de um semicondutor tipo N com uma regio P direita e uma Porta isolada por uma
camada de Dixido de Silcio esquerda. Os portadores (eltrons) podem fluir livremente da
Fonte para o Dreno atravs do Canal N exatamente como no JFET. A regio P direita
chamada de Substrato, ou Corpo. Os eltrons que fluem da Fonte para o Dreno tm de passar
atravs do estreito canal entre a Porta e o Substrato.

A fina camada de Dixido de Silcio (SiO2), material semelhante ao vidro, que isolante,
depositada no lado esquerdo do Canal. Em um MOSFET a Porta feita de metal. Como a Porta
metlica est isolada eletricamente do Canal, um valor insignificante de Corrente de Porta
circula, mesmo se a tenso da Porta for positiva em relao Fonte.
A figura abaixo mostra um MOSFET de Depleo polarizado de duas maneiras: na figura da
esquerda, com a Porta negativa e na figura da direita, com a Porta positiva.

Porta Negativa
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Porta Positiva

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Com a Porta negativa, os eltrons circulam da Fonte para o Dreno, atravs do estreito Canal
esquerda do Substrato, atrados pela tenso de alimentao positiva VDD. Da mesma forma
que no JFET, a tenso da Porta controla a largura do Canal e, conseqentemente, esse
corrente de eltrons. Quanto mais negativa a Tenso da Porta, menor a Corrente de Dreno.
Quando a Tenso de Porta atinge um determinado valor negativo, a Corrende de Dreno
cortada. Portanto, o funcionamento de um MOSFET de Depleo similar ao de um JFET
quando VGS negativa.
Como a Porta do MOSFET eletricamente isolada do Canal, podemos aplicar-lhe uma tenso
positiva, como na figura da direita. Esta tenso aumenta ainda mais o nmero de eltrons livres
(portadores) que fluem atravs do Canal. Quanto maior a tenso positiva na Porta, maior a
corrente entre Fonte e Dreno. Essa possibilidade de polarizar a Porta com uma tenso positiva
que difere o MOSFET de Depleo do JFET.
A figura abaixo mostra as curvas de Dreno e de Transcondutncia tpicas de um MOSFET de
Canal N. Observe que as curvas de Dreno superiores tm um VGS positivo enquanto que as
curvas inferiores tm um VGS negativo. A curva de Dreno mais abaixo de todas dada por
VGS = VGS(off). Ao longo dessa curva de corte, a Corrente de Dreno praticamente zero.

Curvas de Dreno

Curva de Transcondutncia

Quando VGS est negativa (entre VGS(off) e zero), o MOSFET opera no modo de Depleo. Com
VGS positiva o MOSFET opera no modo de Enriquecimento.
Observando a curva de transcondutncia, verificamos que, uma vez que a tenso da Porta
pode ser positiva, IDSS no mais a corrente de Dreno mxima que pode circular pelo
MOSFET. Nessa regio, ele opera no modo de Enriquecimento.
As figuras abaixo apresentam os smbolos utilizados para o MOSFET de Depleo. A figura da
esquerda mostra um MOSFET com quatro terminais, sendo o quarto ligado ao Substrato. Em
algumas aplicaes uma tenso pode ser aplicada a ele para aumentar o controle sobre a
Corrente de Dreno. Na maioria das aplicaes o Substrato conectado Fonte (como nas
figuras da pgina anterior). Por esta razo, em alguns tipos de MOSFET, essa conexo feita
internamente durante o processo de fabricao. Isso resulta em um MOSFET de trs terminais,
cujo smbolo mostrado na figura da direita.

MOSFET de quatro terminais


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MOSFET de trs terminais

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Devido sua tecnologia de fabricao, possvel fabricar MOSFETs


com duas portas, nos quais possvel controlar a Corrente de
Dreno atravs de ambas. Eles so utilizados em misturadores,
conversores de freqncia de RF, Controle Automtico de Ganho
(AGC), etc.
O smbolo de um MOSFET de Depleo de porta dupla encontra-se
representado na figura ao lado.

D
G1
G2
S

3.3.2 O MOSFET de enriquecimento (enhancement)


Podemos afirmar, sem sombra de dvida, que este tipo de MOSFET, que evoluiu a partir do
anterior, causou uma revoluo histrica na indstria eletrnica, devido sua importncia , no
s na Eletrnica Industrial, mas principalmente, na Eletrnica Digital e nos computadores. Sem
ele, os computadores pessoais simplesmente no existiriam.
Sua principal diferenciao, com relao ao MOSFET de Depleo, que, com a tenso da
Porta igual a zero, existe Corrente de Dreno no MOSFET de Depleo, enquanto que o
MOSFET de Enriquecimento permanece no estado de bloqueio. Para que este conduza
necessria a aplicao de uma tenso positiva na Porta (no caso de Canal N), o que o torna
bastante adequado para operaes de chaveamento, simplificando os seus circuitos.
A figura abaixo mostra, esquematicamente, um MOSFET de Enriquecimento de Canal N.
Observe que o substrato ocupa toda a rea do canal, bloqueando-o. Por esta razo, para que
haja Corrente de Dreno, necessria a aplicao de uma tenso positiva na Porta. Isso causa
uma atrao dos eltrons livres (portadores minoritrios) do substrato (regio P). Esses
eltrons vo se combinando com os buracos prximos camada isolante de Dixido de Silcio e
medida em que a tenso de Porta vai aumentando, a quantidade de eltrons vai aumentando
at que todos os buracos estejam recombinados e, a partir de um determinado valor, passa a
haver um excesso de eltrons, criando assim uma fina camada de material tipo N nessa
regio, tornando-a condutora e permitindo a passagem da corrente da Fonte para o Dreno.
Essa camada condutora chamada Camada de Inverso tipo N.

O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo N chamado tenso de limiar (threshold
voltage) , simbolizado por VGS(th). Quando VGS < VGS(th), a Corrente de Dreno zero (ID = 0).
Porm, quando VGS > VGS(th), a camada de inverso conecta a Fonte ao Dreno e a corrente
entre a Fonte e o Dreno grande.

Dependendo do dispositivo, VGS(th) pode variar desde menos de 1V at mais de 5V.

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A figura abaixo mostra as curvas de Dreno e de Transcondutncia de um MOSFET de


Enriquecimento.

Curvas de Dreno

Curva de Transcondutncia

Na famlia de Curvas de Dreno, podmos verificar que a curva mais abaixo corresponde a VGS(th).
Para valores de VGS < VGS(th), ID 0. Para valores de VGS > VGS(th), o dispositivo conduz e ID
controlada pela tenso da Porta.
Na Curva de Transcondutncia, notamos a tenso de limiar (VGS(th)) e tambm a tenso para
ligar o MOSFET (VGS(on)). Esta tenso normalmente maior que VGS(th) de modo a garantir a
conduo do dispositivo.
Os smbolos do MOSFET de Enriquecimento (Canal N e Canal P) so mostrados na figura
abaixo.

D
G

G
S
Canal N

S
Canal P

Em Eletrnica Digital comum a combinao de MOSFETs de Canal N e Canal P, chamados


complementares, na fabricao de circuitos lgicos diversos. Isso originou a famlia de circuitos
chamada CMOS (Complementary MOS).
Nas figuras abaixo, exemplificamos um circuito inversor utilizando a tecnologia CMOS.

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Observem que Q1 um MOSFET de Canal P, enquanto Q2 um MOSFET de Canal N,


formando um par complementar. Quando a tenso for igual ou prxima a VDD (Nvel Lgico 1),
Q1 est cortado e Q2 conduz, fazendo com que a tenso de sada seja igual ou prxima a zero
(Nvel Lgico 0).
Por outro lado, quando a tenso de entrada for igual ou prxima de zero (Nvel Lgico 0), Q2
estar cortado enquanto Q1 conduzir, fazendo com que a tenso de sada seja igual ou
prxima de VDD (Nvel Lgico 1).
Importante notar que sempre um dos dispositivos estar bloqueado, o que significa que por ele
circular apenas a corrente de fuga, da ordem de nA. Por esta razo, a potncia dissipada por
esse tipo de circuito da ordem de nW, permitindo uma integrao em larga escala e reduzindo
o consumo de energia, tornando-o muito adequado a calculadoras, relgios digitais, satlites e
outros.
Na figura abaixo, mostramos uma porla lgica do tipo NAND e outra do tipo NOR, ambas
utilizando a tecnologia CMOS.

Fica aqui a sugesto para que o leitor analise os circuitos e descubra o seu funcionamento, que
fundamentalmente anlogo ao do circuito inversor.
3.3.3 O MOSFET de Potncia (Power MOS)
Da mesma forma que os BJTs de potncia diferem dos BJTs para pequenos sinais apenas
pelas suas dimenses, um MOSFET de potncia funciona de forma idntica a um MOSFET de
Enriquecimento, com a diferena de possuir dimenses maiores para que possam nele circular
correntes de valores maiores.
O seu encapsulamento tambm apropriado para a sua montagem em dissipadores de calor,
uma vez que maiores correntes implicam em temperaturas mais altas.
O MOSFET possui duas grandes vantagens sobre os BJTs:
- Capacidade de operar em freqncias de comutao mais altas
- Alta impedncia de entrada, solicitando praticamente nenhuma corrente do seu circuito de
comando (Driver), podendo ser acionado diretamente por uma porta lgica ou um amplificador
operacional, por exemplo, sendo, por esta razo, uma excelente interface, ou buffer, entre o
circuito de controle e a carga a ser controlada.

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3.3.3.1 O VMOS e Outros


O processo de otimizao do MOSFET para operar em altas potncias levou ao
desenvolvimento da tecnologia conhecida por VMOS. Ele possui este nome devido ao formato
em V da sua Porta, mas o seu funcionamento idntico ao do MOSFET de Enriquecimento.
O seu esquema bsico pode ser visto na figura abaixo.

Existem diversas tecnologias de fabricao de Power MOS, desenvolvidas pelos diversos


fabricantes, como por exemplo a MESH OVERLAY da STMicroelectronics, ou a HEXFET da
International Rectifier (IR), cada uma com suas caractersticas, vantagens e desvantagens. Sua
escolha depender da aplicao.
Em algumas aplicaes, particularmente as que utilizam cargas indutivas, necessria a
instalao de um diodo em antiparalelo com a Fonte e o Dreno. Alguns fabricantes j incluem
este diodo no prprio dispositivo.
A figura abaixo mostra o diagrama esquemtico interno, o encapsulamento e a pinagem do
Power MOSFET IRF630, da STMicroelectronics.

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CAPTULO 4
TIRISTORES
A palavra tiristor vem do grego, que significa porta, como abrir uma porta e deixar algo
atravess-la. Os tiristores, de uma maneira geral, podem ser vistos como um novo tipo de
chaves, ou interruptores, uma vez que possuem apenas dois estados: ligado e desligado ou,
conduzindo e cortado.
4.1 O SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Existem diversos tipos de tiristores, porm os que estudaremos em primeiro lugar so os
chamados do tipo SCR (Silicon Controlled Retifier), ou Retificador Controlado de Silcio.
Estes semicondutores, como diz seu prprio nome, so retificadores, ou seja: da mesma forma
que os diodos, tm a propriedade de conduzirem a corrente eltrica somente em um sentido.
O que os diferencia dos diodos que possuem, alm do catodo e do anodo, um terminal a
mais, chamado Gate, Porta ou Gatilho, pelo qual possvel controlar, com uma pequena
corrente, a sua conduo.
Enquanto que os diodos so formados por duas camadas de semicondutores (P e N), os SCRs
possuem quatro camadas (PNPN), como mostrado na figura abaixo, que tambm mostra o seu
smbolo.

Anodo
Anodo
P
N
Gate

P
Gate
N
Catodo
Catodo

Uma caracterstica dos tiristores, e que os diferencia fundamentalmente dos diodos, que
quando polarizados diretamente apresentam caractersticas de bloqueio, ou seja, no
conduzem corrente, at que pelo seu Gate circule uma corrente de disparo.
Neste momento, o tiristor entra em conduo e permanecer conduzindo mesmo se a corrente
de disparo for reduzida a zero.
Um tiristor em estado de conduo passar novamente ao estado de bloqueio quando a
corrente, por causas externas, for anulada, como por exemplo, por desligamento ou por
inverso dos plos de alimentao.

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As figuras abaixo mostram as curvas de um tiristor do tipo SCR polarizado diretamente em


bloqueio e em conduo.

SCR em estado de bloqueio

SCR em conduo pela aplicao de corrente no Gate


Uma forma de melhor entendermos o funcionamento do SCR atravs da associao de dois
transistores, sendo um PNP e o outro NPN, como mostrado na figura abaixo:

Anodo
A

Gate

T1
G

T2

Catodo
(a)

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(b)

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Suponhamos que o Anodo esteja polarizado com uma tenso positiva em relao ao Catodo e
que os transistores T1 e T2 encontram-se inicialmente cortados. Se aplicarmos uma tenso
positiva no Gate, esta causar uma corrente de base em T2 que aparecer no seu coletor
multiplicada pelo seu 2. Esta corrente ser ento totalmente injetada na base de T1 que, por
sua vez, tambm a amplificar, fazendo-a aparecer em seu coletor tambm multiplicada pelo
seu 1. A corrente de coletor de T1 ento injetada na base de T2 e o processo continua,
realimentando-se positivamente, at que a corrente total atinja o seu ponto de saturao,
limitada por algum elemento externo (resistncia de carga).
Como isso ocorre em uma frao de segundo, o circuito se comportar como um interruptor que
se encontrava inicialmente aberto (a) e que se fechou (b).
Podemos, atravs deste circuito equivalente, perceber que, uma vez iniciado o processo de
disparo, este se mantm mesmo se retirarmos a corrente no gate, uma vez que o processo se
realimenta internamente e que o tiristor s entrar em estado de bloqueio se uma causa externa
reduzir a corrente a zero ou se a polaridade for invertida.

Exemplo:
No circuito abaixo, S1 est aberta, S2 fechada e o SCR cortado, o que significa que a lmpada L1
est apagada. Fechando S1, dispara-se o SCR, que passa ao estado de conduo, acendendo a
lmpada. Uma vez disparado, o SCR se mantm neste estado mesmo aps a abertura de S1. Ele
somente ir parar de conduzir quando a corrente que o atravessa for reduzida a zero, o que pode
ser feito abrindo-se S2. Somente ento a lmpada se apagar. Agora, pode-se fechar novamente S2
que o SCR permanecer cortado. Para que ele volte a conduzir, ser necessria uma nova injeo
de corrente no seu Gate fechando-se S1, mesmo que momentneamente.

S1

S2
+
V
L1

R
SCR

4.1.1 Disparo de um SCR


Existem diversas formas de se disparar um SCR, que sero abordadas a seguir:
4.1.1.1 Corrente de Gate
Estando o SCR diretamente polarizado (Anodo positivo em relao ao Catodo), a forma mais
comum de disparo atravs da injeo de uma corrente positiva no seu Gate, como foi descrito
no primeiro pargrafo desta pgina.

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O valor desta corrente determinar a tenso mxima de bloqueio do SCR, sendo esta
inversamente proporcional quela, ou seja: quanto maior a corrente no Gate, menor a tenso
necessria para que o SCR dispare. A figura abaixo mostra essa condio.

Pela figura, verificamos que, com uma corrente de Gate igual a zero, a tenso de disparo
igual a VB0. Injetando-se uma pequena corrente no Gate (IG1), a tenso de disparo cai para V1.
Aumentando o valor da corrente de Gate para IG2, a tenso de disparo cai ainda mais, sendo
agora igual a V2, e assim sucessivamente.
4.1.1.2 Temperatura
Se a temperatura de um SCR aumentar, haver um maior nmero de portadores devido
quebra de ligaes covalentes, aumentando assim a corrente de fuga e, por conseguinte, 1 e 2.
Pela ao da realimentao, o SCR poder ser disparado. Esse tipo de disparo , normalmente,
indesejado, pois pode destruir o SCR.
4.1.1.3 Sobretenso
Observando a figura acima, podemos perceber que, se a tenso direta entre Anodo e Catodo
ultrapassar o valor de VB0 o SCR disparar. Esse tipo de disparo tambm pode destruir o SCR
e deve ser evitado.
4.1.1.4 Luz (LASCR)
Se a luz atingir as junes de um SCR, a energia fornecida pelos ftons aumentar o nmero
de portadores, por quebra de ligaes covalentes e, similarmente ao da temperatura,
poder provocar o disparo do SCR. Essa propriedade utilizada nos LASCR (Light-Activated
SCR), ou SCRs ativados pela luz.
4.1.1.5 dv/dt
As capacitncias das junes podem, devido s suas correntes de carga, provocar o disparo de
um SCR. Em outras palavras, um alto dv/dt nada mais que o crescimento muito rpido da
tenso entre Anodo e Catodo e essa variao pode ser interpretada como uma alta freqncia
que, atravessar as capacitncias das junes, devido sua reatncia, provocando o disparo
do SCR. Esse tipo de disparo tambm indesejado e, no circuito equivalente do SCR mostrado
a seguir, com as capacitncias das junes, isso poder ser melhor compreendido.

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A
Cj1

T1
Cj2

Circuito equivalente do
SCR, mostrando suas
capacitncias das junes

T2

Cj3
K

Uma variao muito rpida de tenso entre Anodo e Catodo poder atravessar as capacitncias
de juno Cj1 e Cj2 e atingir a base de T2, levando-o conduo, o que, por efeito da
realimentao, ir disparar o SCR.
A fim de evitar este tipo de disparo, utilizado um circuito chamado Snubber, tambm
conhecido como circuito Amaciador ou Amortecedor, e que composto por um capacitor em
srie com um resistor, como aparece exemplificado na figura abaixo:

S1

S2
+

L1

RS
CS

Pela ao do capacitor, ao ser fechada a chave S2, a tenso sobre o tiristor no subir
instantneamente, e sim, exponencialmente, de acordo com a constante de tempo RS.CS,
limitando assim o dv/dt a um valor baixo o suficiente para evitar o disparo do SCR. A funo do
resistor RS limitar a corrente de descarga de CS atravs do SCR, no momento do seu disparo.

4.1.2 Comutao de um SCR


Como vimos, uma vez disparado, um SCR somente bloqueia quando a sua corrente cai abaixo
do valor mnimo de sustentao (prximo de zero) ou quando a polaridade invertida. neste
tpico veremos os diversos meios de se interromper a conduo de um SCR.

4.1.2.1 Comutao Natural


Quando um SCR controla cargas alimentadas por uma tenso alternada, como por exemplo a
da rede eltrica, que tem a forma senoidal, uma vez disparado por um pulso no seu Gate, ele
permanece em estado de conduo at que a tenso de entrada passe pelo ponto zero da
senide. Nesse momento ele interrompe naturalmente a sua conduo e passa ao estado de
bloqueio.

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4.1.2.2 Comutao Forada


Quando alimentado por uma fonte de tenso contnua, necessrio que, para bloquear o SCR,
um meio externo seja utilizado para inverter a sua polaridade. Existem diversas formas para se
fazer isso, mas todas se baseiam praticamente no mesmo princpio. Abordaremos aqui apenas
uma, para mostrar o seu princpio bsico de funcionamento.
Considere o circuito da figura abaixo:

+V

R1
1
SCR1

R2
2
SCR2

Vamos supor que, inicialmente, os dois SCRs encontram-se bloqueados. Aplica-se, ento, um
pulso no Gate do SCR1, levando-o conduo. Nesse momento, o ponto 1 levado ao
potencial de terra e o capacitor C se carrega de forma que o ponto 1 fica negativo (0V) e o
ponto 2 positivo (+V).
Aplica-se, ento, um pulso no Gate do SCR2, fazendo-o disparar. Nesse momento, o lado 2 do
capacitor jogado terra e o seu potencial negativo do lado 1 aplicado ao SCR1, invertendo a
sua polaridade e levando-o ao bloqueio. O capacitor ento se carrega com polaridade positiva
no lado 1 e negativa no lado 2.
O circuito permanece nesse estado (SCR1 cortado e SCR2 conduzindo) at que novo pulso seja
aplicado no Gate de SCR1 disparando-o. Isso faz com que o potencial negativo do capacitor
(ponto 2) seja aplicado no SCR2, bloqueando-o, e invertendo novamente a carga do capacitor,
ficando o mesmo negativo no lado 1 e positivo no lado 2.
Ento, verificamos que o circuito se comporta como um sistema biestvel, em que um SCR est
no estado de conduo e o outro bloqueado e,que, para que um dos SCRs bloqueie,
necessrio que o outro entre em conduo.
Existem outras formas de comutao forada, que utilizam indutores para fazer a inverso de
polaridade do SCR a ser bloqueado. Esses circuitos podem ser estudados com mais
profundidade na bibliografia recomendada.

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4.2 O TRIAC
O TRIAC (Tiristor Triodo para AC) um dispositivo bidirecional e utilizado para controlar
cargas em corrente alternada. O seu circuito equivalente o de dois SCRs conectados em
antiparalelo, com os seus Gates interligados, como mostra a figura abaixo:
MT2
MT2
G

MT1

MT1

Circuito Equivalente do TRIAC

Smbolo do TRIAC

MT1 Main Terminal 1 (Terminal Principal 1)


MT2 Main Terminal 2 (Terminal Principal 2)
G Gate (Porta)

Como o TRIAC um dispositivo bidirecional, seus terminais no podem ser designados como
Anodo e Catodo. Em geral, os TRIACs so disparados com uma polaridade, no Gate, igual
polaridade do MT2, em relao a MT1, ou seja, nos quadrantes I e III, como mostra a figura
abaixo. Em outras palavras, se MT2 estiver positivo em relao a MT1, aplica-se uma tenso
positiva entre o Gate e MT1. Caso MT2 esteja negativo em relao a MT1, aplica-se uma
tenso negativa entre o Gate e MT1.

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Em geral, os TRIACs so utilizados em controles de baixas potncia de CA, como Dimmers de


lmpadas incandescentes, controles de velocidade de ventiladores de teto e controladores de
temperatura de chuveiros eltricos, devido s suas limitaes de corrente (no mximo poucas
dezenas de Ampres) e de velocidade de comutao (freqncia mxima de 300Hz). Para
controles de potncias e/ou freqncias mais altas, utilizam-se dois SCRs conectados em
antiparalelo.
Da mesma forma que os SCRs, os TRIACs, uma vez disparados, permanecem neste estado
at que a corrente nos seus terminais seja reduzida a zero. Como, na prtica, eles somente so
empregados em aplicaes de Corrente Alternada e na freqncia da rede, isso ocorre
naturalmente em cada semiciclo, quando da passagem da tenso de alimentao pelo zero
(comutao natural). Nessas condies, de uma forma geral, no necessrio utilizar nenhum
circuito externo especial para bloquear um TRIAC.

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CAPTULO 5
CHAVES CONTROLADAS
As chaves controladas so semelhantes aos tiristores, uma vez que tambm trabalham no
regime de chaveamento ou comutao, porm com uma diferena significativa: O seu corte no
depende unicamente de fatores externos que reduzam sua corrente a zero. Elas podem ser
cortadas atravs de comandos do seu Gate.
5.1 O GTO
O GTO (Gate Turn-Off), tambm chamado de Tiristor de Desligamento pelo Gatilho, da mesma
forma que o SCR, pode ser disparado pela aplicao de um sinal positivo no Gate. Porm, ele
pode ser desligado atravs de um sinal negativo no Gate. Esses sinais, em geral, so pulsos de
curta durao.
Os GTOs possuem diversas vantagens sobre os SCRs:
(1) Eliminao dos componentes externos para a comutao forada, no caso de
operao em C.C., simplificando o circuito e resultando em reduo de custo, peso e
volume;
(2) Reduo do rudo acstico e eletromagntico devido eliminao dos indutores de
comutao;
(3) Desligamento mais rpido, permitindo frqncias de chaveamento mais elevadas;
(4) Melhor eficincia dos conversores.
Em aplicaes de baixa potncia, os GTOs tm as seguintes vantagens sobre os transistores
bipolares:
(1) Capacidade de bloqueio de tenso mais elevada;
(2) Elevada relao entre a mxima corrente controlvel (*) e a corrente mdia;
(3) Elevada relao entre a corrente mxima de surto e a corrente mdia, tipicamente
10:1;
(4) Alto ganho em estado de conduo (Corrente de Anodo / Corrente de Gate),
tipicamente 600;
(5) Sinal de Gate em forma de pulso de curta durao.
Sob condies de surto, um GTO vai para a saturao completa devido ao regenerativa
(realimentao). Por outro lado, um transistor bipolar tende a sair da saturao.
Um GTO tem ganho baixo durante o desligamento (tipicamente 6) e requer um pulso de
corrente negativa relativamente alto para desligar. Ele tem queda de tenso em estado de
conduo mais alta que o SCR. A queda de tenso direta tpica de um GTO de 1200V x 550A
de 3,4V, enquanto que em um SCR este valor de aproximadamente 2V.
(*) A mxima corrente controlvel ( ITGQ ) o valor mximo da corrente em estado de conduo
que pode ser desligada pelo controle do Gate.
A

Smbolo do GTO
G
K

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5.2 O MCT
O MCT (MOS Controlled Thyristor) um dos mais recentes desenvolvimentos no campo da
tecnologia dos semicondutores de potncia. Ele consiste em um SCR controlado atravs de
dois MOSFETs, sendo um para disparar e outro para bloquear. A figura abaixo mostra o circuito
equivalente de um MCT de canal N.

A
T1

ON MOSFET
(Canal N)

T2
M1

G
OFF MOSFET
(Canal P)

M2

K
Aplicando-se uma tenso positiva no Gate, M1 conduzir, levando T1 tambm conduo. A
partir deste momento, inicia-se o processo de disparo pela realimentao entre T1 e T2,
exatamente como no SCR. O MCT, ento, permanecer no estado de conduo at que seja
aplicada uma tenso negativa no seu Gate. Isso provocar a conduo de M2, que coloca em
curto a Base e o Emissor de T2, levando-o ao corte, interrompendo assim o processo
regenerativo e levando o MCT ao estado de bloqueio.
Caso a tenso entre o Gate e o Catodo seja zero, nenhum MOSFET conduzir, permanecendo
o MCT no estado anterior (histerese). Um pulso positivo (mesmo que de curta durao) no gate,
coloca o MCT em estado de conduo e um pulso negativo ir bloque-lo.
Existe tambm o MCT de canal P. A diferena, que, neste caso, M1 um MOSFET de canal
P e M2 um MOSFET de Canal N. Neste tipo de MCT, o disparo se d com um pulso negativo
e o bloqueio obtido atravs de um pulso positivo, exatamente ao contrrio do MCT de canal N,
j descrito anteriormente.

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5.3 O IGBT
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ou Transistor Bipolar de Porta Isolada combina as
vantagens dos Transistores Bipolares de Juno (BJTs) e MOSFETs. Um IGBT tem impedncia
de entrada elevada, como os MOSFETs, e baixas perdas em conduo, como os BJTs, porm
sem o problema da ruptura secundria, como nos BJTs. Devido ao projeto e estrutura da
pastilha, a resistncia equivalente do dreno para a fonte RDS controlada para se comportar
como a de um BJT.
O circuito equivalente simplificado e os smbolos usados para o IGBT esto representados na
figura abaixo:

G
E

Circuito Equivalente do IGBT

Smbolos do IGBT

O IGBT um dispositivo controlado por tenso, similar a um MOSFET de potncia. Ele tem
baixas perdas de chaveamento e conduo, alm de muitas caractersticas atraentes dos
MOSFETs de potncia, tais como facilidade de excitao do Gate, corrente de pico, capacidade
e robustez.
Com a tenso entre gate e Emissor negativa ou zero, o IGBT encontra-se no estado de
bloqueio. Aplicando-se uma tenso positiva no Gate, ele passa ao estado de conduo,
permanecendo assim enquanto a tenso de gate for mantida. Reduzindo-se a tenso de Gate a
zero (ou negativa), o IGBT bloqueia. Normalmente so utilizadas as tenses de 0 e 15V ou -15
e +15V para se efetuar o comando do IGBT.
J existem no mercado IGBTs que suportam tenses de at 2000V e correntes de 600A e a sua
freqncia de operao j ultrapassa os 100kHz. Eles encontram uma grande aplicao em
inversores de freqncia para acionamento de motores de induo e em controle de potncia
na indstria, fontes de alimentao chaveadas, rels de estado slido, etc.
Ao comutar cargas indutivas, deve ser instalado um diodo em antiparalelo com o IGBT, a fim de
evitar a sua queima por sobretenso, gerada pela auto-induo no momento da interrupo da
corrente. Alguns IGBTs j possuem esse diodo instalado internamente.
Por outro lado, o IGBT possui internamente um tiristor parasita. Caso esse tiristor entre em
conduo, o controle do IGBT ser perdido, o que pode lev-lo destruio. Esse fenmeno
conhecido por latch-up, que pode ser provocado por excesso de corrente de coletor ou dv/dt
excessivo. Nas geraes atuais de IGBT esse problema foi minimizado: o latch-up dificilmente
ocorre. So os chamados latch-up free IGBTs.

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A figura abaixo mostra o circuito equivalente completo do IGBT, mostrando o transistor que
forma o tiristor parasita.

Se a corrente entre Coletor e Emissor for alta o suficiente para que a queda de tenso em RBE
ultrapasse a tenso entre Base e Emissor do transistor parasita NPN (que forma um tiristor
parasita com o transistor PNP), ele conduzir, iniciando o processo de latch-up.
A figura abaixo mostra os diversos tipos de semicondutores de potncia e suas aplicaes, em
funo da tenso e da corrente controladas, e da freqncia de operao.

SCR

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SCR Silicon Controlled Rectifier


GTO Gate Turn-Off Thyristor
TBP Transistor Bi Polar
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
MCT MOS Controlled Thyristor
MOSFET Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Pela figura, percebemos que, enquanto os SCRs so mais utilizados em altas potncias (at
15.000 kVA) e baixas freqncias de chaveamento (at 500 Hz), os Power MOS so mais
utilizados em potncias mais baixas (menores que 200 kVA), porm com freqncias de
operao maiores (at 1 Mhz). Os transistores bipolares, os MCTs e os IGBTs so aplicados
nas freqncias e potncias intermedirias.

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CAPTULO 6
RETIFICADORES DE ALTA POTNCIA POLIFSICOS

6.1 Introduo
Em aplicaes industriais, h necessidade de tenses contnuas elevadas assim como alta
demanda de corrente contnua para os equipamentos. A obteno de tenso contnua a partir
dos sistemas trifsicos tem as seguintes vantagens:
-

Os transformadores de fora polifsicos so muito melhor aproveitados que os


monofsicos;

Sem a utilizao de filtros, a corrente dos retificadores polifsicos apresenta uma


ondulao bem menor que a dos monofsicos;

Para um mesmo fator de ondulao, os retificadores polifsicos necessitam de filtros


mais simples e menos dispendiosos que os monofsicos;

Consegue-se nveis de C.C. mais elevados para a mesma tenso de entrada.

Normalmente, os transformadores usados nesses retificadores tm o primrio ligado em


tringulo, ou delta, e o secundrio ligado em estrela, ou Y. Encontra-se tambm a ligao nos
secundrios dos retificadores em ponte, onde como sabido, no h necessidade do terminal
neutro.
6.2 Retificador Trifsico de Meia Onda
Este retificador utiliza trs diodos, que retificam a tenso de cada fase, respectivamente. A
figura abaixo mostra um circuito utilizando um transformador de fora com o secundrio em
Estrela.

D1
R
S

D2

N
T

RL
D3

Retificador Trifsico de Meia Onda

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Este o retificador trifsico mais simples, utilizado com o transformador mais comum, com o
ponto central comum para a carga, ponto este chamado de neutro e em relao ao qual as
tenses de fase sero retificadas. A tenso de fase nesse caso ser entendida como tenso
entre fase e neutro.

Para entendermos seu funcionamento, suponhamos, por um instante, que a fase R mais
positiva que as demais. O diodo D1 desta fase conduzir, e ento a corrente fluir atravs da
carga e retornar ao transformador no ponto neutro. Este diodo continuar a conduzir at que a
tenso da fase S torna-se mais positiva que aquela da fase R. A corrente agora passar pelo
diodo D2, que conduzir nos prximos 120o , quando ento D3 passa a conduzir na fase T.
Assim, cada diodo conduz por um tero do perodo, ou 120o .
A freqncia de ondulao da tenso na carga trs vezes a freqncia da rede e a sua forma
de onda mostrada na figura abaixo:

Retificao Trifsica de Meia Onda


Neste retificador, o valor da tenso contnua de sada dado pela expresso:

Vdc = 0,827 Vm

O fator de ripple (ondulao) de 18,3%.

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6.3 Retificador Hexafsico de Meia Onda


A figura abaixo mostra o retificador hexafsico de meia onda:

D1

D2

S
N
T

D3

D4
R
D5
RL
D6

Retificador Hexafsico de Meia Onda


O secundrio do transformador deste tipo de retificador possui seis enrolamentos ligados a seis
diodos, respectivamente. O ngulo de conduo de cada diodo de 60o e a freqncia de
ondulao de seis vezes a freqncia da rede. Sua forma de onda mostrada na figura
abaixo:

Retificao Hexafsica de Meia Onda

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Neste retificador, o valor da tenso contnua de sada dado pela expresso:

Vdc = 0,955 Vm
O fator de ripple (ondulao) de 4,3%.

6.4 Retificador Trifsico em Ponte


O circuito mostrado a seguir:

D1

D2

D3

RL

D4

D5

D6

Se a fase S mais positiva, o diodo 1 iniciar a conduzir quando t = / 6 (30o). A corrente flui
atravs do diodo 1 para a carga e retorna ao transformador atravs do diodo 5 ou 6,
dependendo da fase que mais negativa. Em t = / 6 a fase R mais negativa e a corrente
fluir por D5. Em t = 5. / 6 a fase R torna-se mais positiva e a corrente transferida de D1
para D2 e assim por diante. Cada diodo conduz por 120o por ciclo e a corrente comutada a
cada 60o.
A forma de onda da tenso contnua de sada, seu valor e o ripple, so idnticos aos do
retificador hexafsico de meia onda, visto anteriormente.

Vdc = 0,955 Vm
O fator de ripple (ondulao) de 4,3%.

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6.5 Retificador em Dupla Estrela com Reator de Inter-fase


Este retificador tem o seu funcionamento semelhante ao hexafsico de meia onda, porm com
a diferena de no possuir um ponto neutro comum. Nesta configurao, existem duas estrelas
independentes e os pontos neutros de ambas so interligados atravs de um reator com
derivao central, chamado de inter-fase.
Sua funo principal a de compensar variaes de tenso entre as duas estrelas, pelo efeito
da sua reatncia, e o seu circuito bsico mostrado na figura abaixo:

Carga

Reator de
inter-fase

Retificador de Dupla Estrela com Reator Inter-fase


Com o retificador em vazio ou com cargas leves, ele age como um retificador hexafsico e
portanto ter uma tenso contnua de sada Vdc = 0,955 Vmax .
Com cargas superiores a cerca de 0,5% do valor nominal de excitao do reator de inter-fase, o
valor da tenso contnua de sada ser de

Vdc =

33
2

Vmax = 0,827 Vmax.

Este um dos tipos de retificador mais utilizados em aplicaes de alta potncia.

6.6 Ligao de diodos em paralelo


Em circuitos retificadores de altas correntes de sada, necessrio conectar-se diversos diodos
em paralelo, uma vez que a corrente total excede a capacidade de um nico diodo. Com a
conexo em paralelo, a corrente total dividida pelos diversos diodos.
Entretanto, para que a distribuio de corrente seja uniforme, necessrio que os diodos
possuam as mesmas caractersticas de conduo, para que se comportem como resistncias
de mesmo valor em paralelo, igualando assim, suas correntes.
Como o processo de fabricao dos diodos tal que existe uma variao considervel em suas
caractersticas individuais, os diodos a serem conectados em paralelo precisam ser escolhidos
de forma que apresentem uma baixa variao entre suas caractersticas.
O principal parmetro a ser medido neste caso, a queda de tenso direta (Vf), na corrente de
trabalho do diodo.
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6.7 Controle da Tenso de Sada


Nos retificadores industriais de grande porte a diodos, o controle da tenso de sada (e por
conseqncia, da corrente), feito atravs de um auto-transformador regulador no circuito
primrio, com diversos taps de entrada, com a finalidade de alterar a relao de espiras entre o
primrio e o secundrio, alterando assim a sua tenso de sada.
A desvantagem deste sistema reside no fato da tenso de sada somente poder ser variada em
degraus, correspondentes a cada tap do primrio do transformador, alm de exigir um
comutador sob carga, que um equipamento complexo, caro e que requer muita manuteno.
Para contornar esta deficincia, so introduzidas no transformador bobinas de saturao, por
onde circula uma corrente contnua varivel, que altera o ponto de operao do ncleo do
transformador em relao ao seu lao de histerese, alterando assim sua permeabilidade e
conseqentemente seus coeficientes de indutncia mtua e de acoplamento.
Desta forma possvel conseguir-se valores de tenso intermedirios entre um degrau e outro
de tenso.
Outro grande inconveniente deste sistema que, ao se alterar o ndice de saturao do ncleo,
so introduzidas perdas considerveis no sistema, reduzindo o seu rendimento eltrico. Alm
disso, os circuitos de controle desse sistema so bastante complexos.
Um desenho tpico de um transformador de dupla estrela para retificador a diodos pode ser
visto na figura abaixo:

Transformador para Retificador a Diodos


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CAPTULO 7
RETIFICADORES CONTROLADOS A TIRISTORES

Como vimos no captulo anterior, possvel controlar a conduo de um tiristor atravs da


aplicao de uma corrente em seu Gate. Se, em um circuito retificador, substituirmos os diodos
por tiristores e por meio de um circuito externo de retardo controlarmos o momento exato em
que os tiristores entram em conduo, estaremos desta forma controlando a tenso mdia de
sada do retificador.
Variando-se continuamente o ngulo de disparo dos tiristores, conseguimos uma variao
contnua e suave da tenso de sada, eliminando-se desta forma um dos grandes
inconvenientes dos retificadores a diodos.
A construo do seu transformador tambm muito mais simples que a dos retificadores a
diodos, por eliminar a necessidade do auto-transformador de entrada, assim como das bobinas
de saturao, aumentando consideravelmente o seu rendimento eltrico em relao aos
retificadores a diodos.
As figuras abaixo mostram as formas de onda comparativas entre retificadores monofsicos de
meia onda e de onda completa a diodos e a tiristores, onde pode-se visualizar o efeito do
controle do ngulo de disparo na tenso de sada.

Formas de Onda de Sada - Retificador de Meia Onda a Diodos e a Tiristores

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44

Formas de Onda de Sada - Retificador de Onda Completa a Diodos e a Tiristores

7.1 Tenso mdia de um retificador controlado de onda completa:


Calcula-se de forma similar ao clculo feito no captulo 3, para retificadores de onda e onda
completa. A diferena, neste caso, est no fato de que o ngulo inicial no mais zero, mas o
ngulo de disparo do tiristor:

Ymed =

sendo

45

Ymax sen (t) d(t)

o ngulo inicial do intervalo.

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45

Substituindo-se o termo genrico Y pela tenso, uma vez que esta uma funo senoidal,
temos que:

Vmed =

Vmax sen (t) d(t)

Resolvendo a integral, temos:

Vmax

Vmed =

. (cos cos )

Como (cos = 1), podemos escrever:

Vmax

Vmed =

. (cos +1)

Exemplos:
1 Um retificador controlado de onda completa tem o seu ngulo de disparo em 60, como
mostra a figura abaixo. Calcular sua tenso mdia de sada, sabendo-se que a tenso alternada de
entrada de 127Vef.
Tenso de sada do
retificador
V

60

Pulsos de disparo dos SCRs


Precisamos, primeiro, calcular o valor de Vmax:
Vmax = Vef . 2

= 127 x 1,414 = 179,6V

cos 60 = 0,5
179,6
Vmed =
(0,5 + 1)
3,14
46

Vmed = 85,755 V

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2 Deduzir a frmula da tenso de sada de um retificador de onda completa a diodos, conforme


estudado na pgina 17 do captulo 3 (Apostila de Eletrnica Analgica I).
Neste caso, como o diodo conduz desde o incio do semi-ciclo, temos que = 0
Sabemos que (cos 0 = 1). Logo,

Vmed =

Vmax
. (1 + 1)

Ento: Vmed =

2Vmax

= 0,636 Vm

Como queramos demonstrar.

7.2 Retificadores Controlados Polifsicos


Da mesma forma que os monofsicos, os retificadores polifsicos a tiristores possuem as
mesmas configuraes dos seus similares a diodos, sendo estes substitudos por tiristores, que
por sua vez controlaro a tenso de sada atravs do seu ngulo de disparo, da mesma forma
que nos retificadores monofsicos. Neste caso, haver um circuito de disparo para cada fase.
T1

T2

T3

RL

D4

D5

D6

Retificador trifsico em ponte semi-controlada

T1

T2

T3

RL

T4

T5

T6

Retificador Trifsico em Ponte Totalmente Controlada

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CAPTULO 8
DISPOSITIVOS E CIRCUITOS DE DISPARO
Vimos que os tiristores podem ser vantajosamente empregados em diversas aplicaes de
controle de potncia, atravs do seu disparo controlado. Veremos agora as diversas maneiras
de disparar um tiristor e os dispositivos normalmente utilizados para tal.

8.1 O Transistor de Unijuno (UJT)


O Transistor de Unijuno, ou UJT (Unijunction Transistor), ou diodo de dupla base, um
dispositivo semicondutor que possui uma juno PN com uma base de baixa dopagem e
alta resistividade e muito utilizado na gerao de pulsos para o disparo de tiristores. Sua
estrutura esquemtica e o seus circuitos equivalentes podem ser visualizados na figura abaixo:
B2
E

RB2

T1

RB1

T2
B1

A base, de material N, tem dois terminais (B1 e B2) e que, por estar pouco dopada, apresenta
uma alta resistncia entre os mesmos, chamada de RBB, que, tipicamente varia entre 5k e
10k. Aplica-se, normalmente, entre B2 e B1 uma polarizao VBB. A camada P chamada de
emissor (E).
Com o emissor aberto, temos uma tenso V1 sobre RB1, dada por:

V1 = VBB . RB1 / (RB1 + RB2)


Onde: = RB1 / (RB1 + RB2). ou, V1 = VBB.
O parmetro (Eta), chamado Razo Intrnseca de Disparo, caracterstico do UJT e tem
seu valor normalmente prximo de 0,5. Aplicando-se agora uma tenso positiva no emissor, o
diodo permanecer cortado at um valor mximo VE = V1 + Vf . A partir deste valor, tambm
chamado de Tenso de Disparo (VP), o diodo comea a conduzir e a injetar corrente na regio
de base. Isto faz com que sejam criados portadores (buracos e eltrons) nesta regio e a
resistncia RB1 seja reduzida. Esta reduo de RB1 ser tanto maior quanto maior for a corrente
injetada na regio da base. Pelo fato da sua resistncia diminuir, o UJT classificado como um
dispositivo de Resistncia Negativa.

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Estando o diodo injetando corrente na regio de base, a tenso VE pode ser reduzida sem que
o mesmo pare de conduzir. O menor valor de VE que ainda mantm a injeo de corrente
chamamos VV (Tenso Crtica Mnima do Emissor). Tenses de emissor inferiores a VV, levam
interrupo da corrente e, conseqentemente, cortam a conduo do UJT. Existe tambm
uma corrente mnima de manuteno da conduo, chamada corrente de vale. Na folha de
dados do UJT 2N2646 esta corrente especificada em Iv = 6mA.
Em resumo, o UJT possui dois estados: conduo e corte, sendo por isso, considerado um
dispositivo biestvel.

8.1.1 UJT como Oscilador de Relaxao


Osciladores de Relaxao so circuitos geradores de formas de onda no senoidais, cujo
princpio de funcionamento se baseia na carga e descarga de um capacitor.
Devido s suas caractersticas biestveis e de resistncia negativa, o UJT pode ser utilizado
como um Oscilador de Relaxao, como mostra a figura abaixo:

R
VBB

R2
VB2

VE
C

VB1
R1

Inicialmente, o UJT encontra-se bloqueado. O capacitor C se carrega segundo uma curva


exponencial, de acordo com a constante de tempo RC. Quando VE = VP, o UJT dispara. O
capacitor ento se descarrega exponencialmente atravs de RB1 + R1. Como RB1 + R1 << R, o
tempo de descarga bem menor que o de carga. Quando VE atinge o valor mnimo de
conduo VV, o UJT entra em estado de bloqueio e o capacitor volta a se carregar, repetindo-se
o processo e o circuito oscilando, formando no Emissor uma onda do tipo dente-de-serra. A
corrente de descarga do capacitor, ao atravessar R1, produz um pulso estreito de tenso (VB1).
Devido reduo de RB1, aparece na Base 2 um pulso negativo de tenso (VB2).
O perodo de oscilao (em segundos) determinado pela constante de tempo RC e pode ser
calculado aproximadamente por:

T 0,7 RC

A freqncia de oscilao (em Hertz) ser ento igual a:

49

f=

1
T

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49

A figura abaixo mostra as formas de onda de VE, VB1 e VB2.

VE

VB1

t
VB2

t
8.2 O PUT (Transistor de Unijuno Programvel)
O PUT tem o seu funcionamento idntico ao do UJT. A nica diferena que nele no existem
internamente RB1 e RB2, sendo as mesmas colocadas externamente. Isso permite alterar a
tenso de disparo VP, atravs da escolha adequada dos seus valores. O seu smbolo e o seu
circuito equivalente encontram-se na figura abaixo:
Anodo
Gate

T1

T2
Catodo
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50

8.2.1 Oscilador de Relaxao com PUT


A figura abaixo mostra um oscilador de relaxao com PUT:

R2

VA
VE

C
VK

R1

O seu funcionamento idntico ao oscilador com UJT, com a diferena que o valor de (e,
conseqentemente, de VP) pode ser alterado, alterando-se os valores de R1 e R2. Por isso, no
PUT, a Razo de Disparo no mais intrnseca. As formas de onda de sada tambm so
idnticas, como mostra a figura abaixo:

VA

VK

t
VG

t
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51

8.3 UJT no Disparo de Tiristores


O oscilador a UJT pode ser utilizado como circuito de disparo de tiristores conectando-se a sua
sada VB1 diretamente ao Gate do tiristor ou atravs de um transformador de pulsos, quando for
necessria uma isolao galvnica entre o circuito de disparo e o tiristor. A figura abaixo mostra
as duas situaes:

R
VBB

R2

VE
C

R1

R
VBB

R2

VE
C

8.3.1 Disparo Sincronizado com a rede de Alimentao

Quando Tiristores so usados em corrente alternada para o controle de fase sobre uma
carga qualquer, necessrio que o circuito de disparo esteja sincronizado com a rede que
alimenta o circuito. Se no houver este sincronismo, o tiristor ir disparar em um ngulo de
fase diferente a cada ciclo. Desta forma seria impossvel definir uma corrente especfica de
carga, devido variao contnua e aleatria do ngulo de disparo do dispositivo.
O circuito mostrado a seguir funciona em sincronismo com a tenso de alimentao:

VZ
RZ

R
DZ

R2

Carga

RL

VE
C

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A operao do circuito pode ser descrita da seguinte forma: o capacitor C est inicialmente
descarregado, e durante os semiciclos positivos, a tenso de Zener VZ aplicada
combinao em srie, R e C. No incio do semiciclo positivo o capacitor inicia sua carga, e a
tenso sobre ele aumenta exponencialmente, at que a tenso de emissor do UJT, VE, atinja o
valor de disparo, VP.
Quando este valor atingido, o capacitor se descarrega, gerando um pulso que aplicado ao
Gate do tiristor.
Neste instante o tiristor dispara, fazendo circular corrente na carga, at que a tenso de anodo
chegue a zero (em 180), quando volta a desligar, por comutao natural. Enquanto a tenso
Vz for positiva o circuito continua gerando pulsos e ativando o tiristor, mas isto no altera a
situao j descrita, uma vez que apenas o primeiro pulso suficiente para disparar o tiristor.
O sincronismo conseguido quando a tenso de alimentao chega a zero no final do semiciclo
positivo (180).
Neste ponto, a tenso aplicada sobre o zener e, portanto, sobre o UJT nula. Isto forar o
capacitor a se descarregar totalmente, no importa qual tenso esteja sobre o mesmo neste
instante. Isto porque, se a tenso que alimenta o UJT nula, ento a tenso de disparo, VP,
igual tenso de barreira do diodo Emissor Base1, que aproximadamente 0,6 volts.
Deste ponto (180) at o incio do prximo semiciclo positivo (360 = 0) o diodo Zener est
diretamente polarizado. Portanto a tenso VZ ser 0,7V e o UJT no poder gerar pulsos
neste intervalo, e mesmo que gerasse, o tiristor no dispararia pois est polarizado
inversamente. Ao iniciar-se o prximo semiciclo positivo, o capacitor C inicia seu processo de
carga partindo de uma condio de carga inicial nula. Portanto, se R no tiver sido alterado, o
ponto de disparo (ou ngulo de disparo) ser o mesmo do semiciclo positivo anterior, uma vez
que a constante de tempo no foi alterada nem o valor da tenso de disparo, nem a condio
inicial de carga. Ento, o fato do capacitor iniciar seu processo de carga a partir da condio de
carga inicial nula, em cada semiciclo positivo, constitui o sincronismo do gerador de pulsos.
Variando-se o valor de R, varia-se o tempo de carga do capacitor e, por conseguinte, o ngulo
de disparo e a tenso aplicada carga.

8.4 O DIAC (Diode Alternative Current)


O DIAC um dispositivo de trs camadas, como o transistor, porm difere deste na dopagem,
que igual nas duas junes, e no fato de no possuir o terminal na base. Possui a
caracterstica de apresentar uma alta resistncia passagem da corrente at que a tenso nos
seus terminais atinja o valor da sua Tenso de Avalanche Direta (Vbo), em geral entre 25V e
35V, a partir do qual sua resistncia se reduz drasticamente, disparando o dispositivo (por isso
o DIAC um dispositivo de resistncia negativa). O DIAC permanece ento em estado de
conduo at que a corrente que o atravessa seja reduzida at um valor abaixo da sua corrente
mnima de sustentao. Isso ocorre nos dois sentidos, sendo o DIAC um dispositivo
bidirecional. Seu smbolo e sa curva caracterstica encontram-se na figura abaixo:

Vbo

Vbo

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8.4.1 Oscilador de Relaxao com DIAC


O circuito abaixo mostra um oscilador de relaxao (gerador de dente-de-serra) com um TRIAC:

R
P

O capacitor se carrega exponencialmente, atravs de R e P, at que a sua tenso atinja o valor


de Vbo. Neste momento o DIAC dispara, descarregando rapidamente o capacitor at que a sua
corrente seja inferior ao valor mnimo de sustentao, quando ento bloqueia, reiniciando o
ciclo. P um potencimetro usado para variar a freqncia de oscilao.

8.4.2 Proteo contra sobretenso com DIAC

V
R

Equipamento a
ser protegido

Ao ser atingido o valor de Vbo, o DIAC entra em conduo, protegendo o equipamento.

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8.4.3 Disparo de Triac usando o DIAC


O DIAC tambm utilizado para disparar Triacs em sincronismo com a rede de alimentao. Os
circuitos Dimmers so um exemplo prtico desta aplicao, como mostrado na figura abaixo:

L1

R
P

TRIAC
DIAC

A malha RC provoca um retardo na tenso do capacitor em relao tenso de entrada,


retardo esse que pode ser variado atravs de P. Quando o tenso no capacitor atinge o valor de
Vbo, o Diac dispara, causando o disparo do Triac, que permanece em conduo at a tenso
de entrada passe pelo zero, bloqueando-o e reiniciando o ciclo em sentido. A variao do
retardo altera o ngulo de disparo do Triac, variando a tenso mdia aplicada na lmpada
incandescente L1, variando a sua luminosidade.
Como o circuito acima apresenta um efeito de histerese, isso pode ser corrigido atravs da
utilizao de uma dupla constante de tempo no circuito de disparo, como na figura abaixo:

L1

R1
127 VAC

~
C1

TRIAC

R2
C2

DIAC

R1 = 4,7 k x 1/4W
R2 = 1 k x 1/4W
P = 120 k Linear
C1, C2 = 0,1 F x 250V

Obs.: O TRIAC dever ser montado


em um dissipador de calor.

Triac = TIC 226D


DIAC = 1N5411 ou 40583

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CAPTULO 9
INVERSORES DE TENSO
(Conversores CC CA)
Os conversores CC CA, ou inversores, so circuitos utilizados quando se deseja obter uma
tenso de sada CA a partir de uma fonte CC de entrada. Podem ter freqncia e tenso de
sada fixas ou variveis, de acordo com a necessidade. Abaixo, alguns exemplos de aplicao:
- Obteno de CA a partir de baterias (Embarcaes, Automveis, Camping, etc.)
- UPS (Uninterrupted Power Supply) Fonte Ininterrupta de Energia (No-Break)
- Transmisso de Energia em CC Longas Distncias (como em Itaipu)
O princpio bsico de um conversor CC CA est ilustrado na figura abaixo:

9.1 Inversores de Onda Quadrada


So os circuitos mais simples de inversores e so aplicados em equipamentos de baixo custo,
quando a forma de onda exigida pelo circuito a ser alimentado pode ser quadrada.
O circuito mais simples utiliza dois transistores (BJT, MOS ou IGBT) e um transformador, na
configurao Push-Pull, conforme mostra a figura abaixo:

Vo

+V
T3

T4

T1

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T2

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Neste circuito, um multivibrador astvel formado por T1 e T2 gera uma onda quadrada simtrica
e aciona dois POWER MOS (T3 e T4), ligados em Push-Pull atravs do transformador. Estes,
conduzem alternadamente, provocando a inverso do fluxo no primrio do transformador,
induzindo em seu secundrio uma tenso alternada tambm quadrada. Os diodos so para
proteo dos PMOS contra as sobretenses geradas pela autoindutncia do transformador,
caso eles j no o possuam embutido. A freqncia e a simetria da onda podem ser ajustadas
atravs dos dois potencimetros. A tenso de sada depende da tenso contnua de
alimentao e da relao de espiras do transformador.
O multivibrador transistorizado pode ser substituido por circuitos lgicos da famlia CMOS, como
no circuito abaixo. Neste caso a simetria garantida pelo Flip-Flop e somente a freqncia
ajustada atravs do potencimetro. Como o Flip-Flop divide a freqncia por 2, o oscilador
dever fornecer o dobro da freqncia de sada do inversor.:

Vo = 127 VAC / 60 Hz

+
12V

120 Hz
4093

4027

9.1.1 Convertendo a Onda Quadrada em Senoidal


Existe a possibilidade de se converter a onda quadrada de sada em senoidal atravs da
utilizao de um filtro, na sada do inversor, sintonizado na freqncia fundamental de
oscilao. Com isso, reduzem-se os harmnicos, mantendo-se somente a fundamental. A figura
abaixo representa um filtro de ferro ressonante:

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9.2 Inversor Multinvel


Uma outra maneira de melhorar a forma de onda de sada, aproximando-a da senoidal e
reduzindo os harmnicos, a utilizao de diversos inversores com sada quase-quadrada
conectados em srie, como mostra a figura abaixo.

9.3 Inversor a Modulao por Largura de Pulso (PWM)


Como vimos, modulando uma tenso por largura de pulso podemos variar o seu valor mdio de
sada. Se essa modulao seguir uma variao segundo uma funo senoidal, os seus valores
instantneos assumiro uma variao obedecendo mesma funo. Com isso, uma pequena
filtragem na sada (filtro passa-baixas) eliminar a freqncia de comutao, ficando somente a
freqncia da senide desejada.
O circuito de controle baseado na comparao entre uma senide de referncia e uma onda
triangular de freqncia mais alta (freqncia de comutao), chamada de portadora. A sada
do comparador ser um pulso cuja largura depender da largura da onda triangular no ponto de
interseo com a senide, como mostra a figura abaixo:

Chaveamento de T1 e T4

Chaveamento de T2 e T3
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Os pulsos modulados so, ento, utilizados para comutar um inversor na configurao chamada
de Ponte, como mostra a figura abaixo, utilizando quatro IGBTs:

T1

T2

+
A

Carga

T3

T4

Para a gerao do semi-ciclo positivo da senide, T2 e T3 permanecem cortados enquanto que


T1 e T4 chaveiam a tenso contnua, fazendo com que a corrente passe na carga no sentido de
A (+) para B ().
Para o semi-ciclo negativo, T1 e T4 ficam cortados enquanto que T2 e T3 chaveiam de forma
que a corrente passar pela carga no sentido de B (+) para A (), ou seja: em sentido contrrio
ao do semi-ciclo anterior.

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CAPTULO 10
FONTES DE ALIMENTAO CHAVEADAS
(SMPS Switching Mode Power Supply)
As fontes de alimentao chaveadas utilizam o princpio da PWM (Modulao por Largura de
Pulso) a fim de controlar a tenso mdia de sada. O circuito de chaveamento tambm
chamado de Circuito Chopper. Sua grande vantagem em relao aos reguladores srie a
sua eficincia energtica, pois uma potncia considervelmente menor dissipada no
transistor, uma vez que o mesmo trabalha no modo de chaveamento (switching)
Existem diversas configuraes, dependendo da aplicao e neste trabalho estudaremos trs
delas.
10.1 Fonte Chaveada Abaixadora do tipo Buck ou Step-Down
Este tipo de configurao somente permite que a tenso de sada seja menor do que a tenso
de entrada. O diagrama esquemtico bsico de uma fonte chaveada do tipo Buck pode ser
visto na figura abaixo:

T pode ser um transistor bipolar, um MOS ou um IGBT, em cuja Base (ou Gate) aplicado um
trem de pulsos modulado em largura (PWM), controlando o seu chaveamento e,
conseqentemente, a tenso de sada.
Durante a conduo do transistor T, o capacitor C se carrega, ao mesmo tempo em que
transferida energia para o indutor L, que fica polarizado conforme mostra a figura abaixo,
atravs das correntes iC e iL, respectivamente, enquanto que o diodo D permanece cortado, por
estar polarizado inversamente.

Quando o transistor T bloqueia, o indutor L inverte a sua polaridade pelo efeito da autoindutncia (Lei de Lenz) e o diodo D conduz, fornecendo um caminho para a corrente a ser
ento fornecida pelo indutor e mantendo a carga alimentada, como mostra a figura abaixo:

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A relao entre a freqncia de comutao e a indutncia L deve ser tal que o indutor no se
descarregue completamente antes da nova conduo de T. Isso permite que exista uma relao
bem determinada entre a largura do pulso e a tenso de sada. Nesta caso, dizemos que o
circuito opera no modo contnuo.

10.2 Fonte Chaveada Elevadora do tipo Boost ou Step-Up


Nesta configurao, mostrada na figura abaixo, possvel obter-se uma tenso de sada maior
que a tenso de entrada.

Vo

Quando o transistor T conduz, a tenso Ein aplicada ao indutor L, que armazena energia.
Quando T entra em bloqueio, essa energia enviada carga e ao capacitor C, que se carrega
com a tenso de sada Vo. O diodo D evita que o capacitor se descarregue atravs do
transistor, durante o seu perodo de conduo.
Tanto o diodo como o transistor devem suportar a tenso de sada.

10.3 Fonte Chaveada Abaixadora - Elevadora do tipo Buck-Boost


Dependendo do ciclo de trabalho, esta fonte pode elevar ou abaixar a tenso de sada em
relao tenso de entrada. Um detalhe importante que, nesta configurao, a tenso de
sada tem polaridade inversa de entrada.
Quando o transistor conduz, transfere energia da fonte para o indutor. O diodo no conduz e o
capacitor alimenta a carga. Quando T bloqueia, a tenso em L inverte a polaridade devido ao
efeito da auto-indutncia (Lei de Lenz), o diodo conduz e o indutor transfere a energia
armazenada para a carga e para o capacitor, carregando-o. A figura abaixo mostra essa
configurao.

Vo

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10.4 Fonte Chaveada do tipo Fly-Back


Nesta configurao, o elemento magntico comporta-se como um indutor bifilar, ou de duas
sees, e no como um transformador, apesar de sua construo assemelhar-se a um. A figura
abaixo mostra uma fonte do tipo Fly-Back.

Durante a conduo de T, armazena-se energia no enrolamento primrio e o diodo fica


reversamente polarizado, sendo a carga alimentada pelo capacitor, como mostrado na figura
abaixo.

Quando T bloqueia, para manter a continuidade do fluxo, a polaridade invertida e o diodo


entra em conduo, transferindo energia para a carga e para o capacitor, carregando-o, como
mostrado na figura abaixo.

Pelo fato de usar um transformador, esta fonte apresenta as seguintes vantagens:


- Isolao galvnica entre a fonte e a carga
- Facilidade de ajustar a tenso na carga atravs da relao de espiras
- Permite sadas mltiplas, independentes e isoladas entre si, bastando para isso construir
diversos secundrios (um para cada sada)

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A figura abaixo mostra uma fonte Fly-Back com mltiplas sadas:

Existem diversas outras topologias de fonte chaveadas e para aqueles que quiserem se
aprofundar no assunto, basta consultar a bibliografia recomendada.

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10.5 Circuito de Controle PWM


Como vimos, o funcionamento das fontes chaveadas (e de outros circuitos, como os inversores
de freqncia, que sero vistos mais adiante) depende de uma tenso modulada em largura de
pulso. Veremos agora como funciona um circuito que fornece esse tipo de controle.
Na figura abaixo o circuito de controle est sendo aplicado em uma fonte do tipo Buck, mas
pode ser utilizado em qualquer outra.

V1

AO3

AO4

)
AO1
AO2

Um oscilador de relaxao, formado pelo amplificador operacional AO1, gera uma onda

retangular na freqncia de comutao. Essa onda passa pelo circuito integrador formado por

AO2, que a transforma em uma onda triangular, e que, por sua vez, enviada entrada noinversora do comparador formado por AO4.
AO3 um amplificador de erro, que gera em sua sada uma tenso contnua (V1) proporcional

diferena entre a tenso de sada (Vsada) injetada em sua entrada inversora atravs do divisor
de tenso formado por R1 e R2 e a tenso de referncia Vref. V1 ento aplicada entrada noinversora de AO4.
A sada de AO4 ser uma onda retangular modulada em largura de pulso, cujo ciclo de trabalho
depender do nvel da tenso V1.
Se a tenso de sada tender a aumentar, V1 diminui, reduzindo a largura do pulso positivo
responsvel pela conduo do transistor (ton) fazendo com que a tenso de sada seja reduzida,
estabilizando-a. Caso a tenso de sada tenda a abaixar, V1 aumenta, aumentando a largura do
pulso positivo e tambm o tempo de conduo do transistor (ton), aumentando a tenso de
sada, estabilizando-a.
Caso se queira variar o valor da tenso de sada, isso pode ser obtido variando-se a tenso de
referncia Vref.

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A figura abaixo mostra a atuao do comparador formado por AO4 e a influncia de V1 na

largura do pulso.

V1

V1

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CAPTULO 11
SISTEMAS ININTERRUPTOS DE ENERGIA
(No-Break)

Estes sistemas, tambm conhecidos como UPS (Uninterrupted Power Suplly) so utilizados
quando as cargas a serem alimentadas so sistemas crticos e que no podem sofrer
interrupo no seu funcionamento e por isso o seu suprimento de energia deve ser de tal forma
que, mesmo que haja queda na rede eltrica de alimentao, a sua alimentao fica mantida
atravs de um sistema autnomo.
Sua aplicao abrange a alimentao de computadores, sistemas militares, centros cirrgicos e
tudo o mais que o usurio julgar importante.
O seu funcionamento se baseia em um inversor de tenso, exatamente como os estudados no
item 9.1, operando na tenso e freqncia da rede eltrica, e1 alimentado por uma ou mais
baterias, dependendo da sua potncia e da autonomia desejada. As baterias, por sua vez, so
mantidas em regime permanente de carga / flutuao por meio de um retificador, como tambm
j estudado.
Existem dois tipos bsicos de UPS, sendo um o verdadeiro e o outro errneamente assim
classificado, como veremos adiante.

11.1 Inversor Prioritrio


Neste tipo de configurao, a carga fica permanentemente alimentada pelo inversor, enquanto
que a bateria fica permanentemente em regime de carga / flutuao por meio de um retificador /
carregador conectado rede eltrica. Em caso de falha desta, a bateria simplesmente deixa de
receber a carga e continua a alimentar o inversor e, por meio deste, a carga. O seu esquema
bsico encontra-se na figura abaixo:

A funo da chave esttica transferir a carga para a rede, em caso de falha do inversor, bypassando-o. Essa transferncia deve ser feita de tal forma e com tal velocidade que no haja
qualquer prejuzo para a carga alimentada.
A vantagem deste tipo de inversor que, em caso de falha de energia, no h qualquer
interrupo no fornecimento de energia para o consumidor, mesmo que por um breve perodo
de tempo. Alm disso, o fato de que a carga est permanentemete alimentada pelo inversor,
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existe um isolamento entre a rede eltrica e a carga, aumentando a sua proteo contra
distrbios na distribuio de energia, como: sobretenso, transientes, etc., garantindo uma
maior segurana para a carga ou equipamento a ser alimentado. Alguns fabricantes chamam
este sistema de Dupla Converso.

11.2 Linha Prioritria


Apesar desta topologia ser chamada, principalmente pelos seus fabricantes, de UPS ou NoBreak, na realidade ela um Short-Break, pois existe um curto perodo durante o qual a carga
fica sem energia.
Como no circuito anterior, o seu funcionamento se baseia em im inversor de tenso alimentado
por uma bateria e um retificador/carregador de bateria. A diferena reside no fato da carga ficar
normalmente alimentada pela rede e s em caso de falta de energia ela comutada para o
inversor. O tempo de comutao, em geral, menor que de ciclo de rede, ou seja, t < 4ms.
Este circuito s pode ser utilizado para alimentar cargas que suportem essa curta interrupo
sem prejudicar o seu funcionamento. A maioria dos no-breaks vendidos no mercado para
alimentarem computadores pessoais utiliza esta topologia, porque os capacitores internos das
fontes dos PCs mantm a alimentao durante o tempo de transferncia.
Esse tipo comumente encontrado em no-breaks de baixo custo e o seu diagrama de blocos
est representado na figura abaixo:

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CAPTULO 12
INVERSORES DE FREQNCIA E SOFT-STARTERS
H algum tempo, quando alguma aplicao necessitava de um motor cuja velocidade de
rotao pudesse ser variada, a soluo era utilizar motores de corrente contnua ou motores de
induo com rotor bobinado. O desenvolvimento da eletrnica permitiu o aparecimento de um
dispositivo que torna possvel controlar-se a velocidade de rotao de um motor de induo
com rotor em gaiola, que depende da freqncia de alimentao, como mostra a frmula
abaixo:

N=

120 . f
p

N = velocidade sncrona em R.P.M.


f = freqncia da rede
p = nmero de plos
O inversor de freqncia opera pelo princpio da Modulao por Largura de Pulsos ou
PWM (Pulse Width Modulation). Este princpio se baseia no fato de que o valor mdio de
uma tenso contnua pode ser variado comutando-se ou chaveando-se esta tenso
periodicamente, sendo o seu valor mdio dado por:

Vmed =

V . ton

sendo:

T = ton + toff

onde:

ton = tempo em que a tenso est ligada


toff = tempo em que a tenso est desligada
T = Perodo
A figura abaixo nos auxilia no entendimento desses conceitos:

v
V

t
ton

toff
T

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Exemplo:
Calcular o valor mdio de uma tenso contnua de 200V ao ser chaveada em uma freqncia de
10 kHz, sendo o seu ton = 0,02 ms.
Sabemos que o perodo o inverso da freqncia. Logo,
T=

1
3

10 x 10 Hz

= 0,1 x 10-3 s = 0,1 ms

O seu valor mdio ser ento:


Vmed =

200 x 0,02
0,1

Vmed = 40 V

Assim, se variarmos ton e toff adequadamente numa freqncia alta o suficiente, e chaveando
tenses positivas e negativas alternadamente, poderemos gerar uma tenso cujos valores
mdios instantneos podem assumir valores equivalentes aos de uma tenso senoidal, como
mostra a figura abaixo:

Fazendo-se passar esta tenso chaveada por um filtro passa-baixas, a freqncia de


chaveamento ser eliminada, permanecendo, no entanto, a freqncia da senide resultante.
Caso o perodo T varie, ento a freqncia da senide resultante tambm ser variada na
mesma proporo.
Variando T em conjunto com os tempos ton e toff, possvel gerar uma onda senoidal de
frequncia e tenso variveis, adequada alimentao de motores de induo.
A figura abaixo mostra o diagrama bsico de um inversor de freqncia monofsico:

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No lado esquerdo encontra-se a seo retificadora de onda completa em ponte, composta de


quatro diodos e um capacitor de filtro, que responsvel por retificar a tenso alternada da rede
de modo a gerar a tenso contnua que ser chaveada. O valor desta tenso
aproximadamente igual ao valor de Vmax da tenso de entrada.
Esta tenso entregue ao conjunto de transistores formado por T1, T2, T3 e T4, controlados por
um circuito microprocessado que fornecer os pulsos de disparo que os colocar em estado de
corte ou conduo, de acordo com a necessidade.
Para a gerao do semi-ciclo positivo da senide, T2 e T3 permanecem cortados enquanto que
T1 e T4 chaveiam a tenso contnua, fazendo com que a corrente passe no motor M no sentido
de A para B.
Para o semi-ciclo negativo, T1 e T4 ficam cortados enquanto que T2 e T3 chaveiam de forma que
a corrente passar pelo motor no sentido de B para A, ou seja: em sentido contrrio ao do semiciclo anterior. A figura abaixo mostra o efeito desses chaveamentos:

Chaveamento de T1 e T4

Chaveamento de T2 e T3

Para se alimentar motores trifsicos, necessria a gerao de uma onda senoidal trifsica, o
que pode ser obtido utilizando-se uma ponte trifsica, como mostra a figura abaixo:

Motor

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Observamos que, nos inversores, so comumente utilizados semicondutores do tipo IGBT


(Insulated Gate Bipolar Transistor). Outros tipos de semicondutores como SCRs, podem ser
usados, dependendo da potncia e da freqncia de chaveamento.

12.1 Modulador PWM Senoidal


A figura abaixo mostra o circuito bsico de um modulador PWM senoidal. Seu funcionamento se
assemelha ao circuito de controle para fontes chaveadas e estudado em (9.2.5), com a
diferena que uma das entradas do comparador recebe uma senide de referncia, ao invs de
uma tenso contnua.

OSCILADOR DE
RELAXAO
COMPARADOR

INTEGRADOR

No caso de inversores trifsicos, utiliza-se trs destes circuitos, um para cada fase, sendo que
as trs senides de referncia devem estar defasadas de 120.

12.2 Soft-Starters
So equipamentos utilizados para a partida, com corrente reduzida, de motores de induo de
gaiola, em substituio aos outros dispositivos, como: Chave Estrela-Tringulo e Chave
Compensadora (Auto-Transformador de Partida).
Sua grande vantagem reside no fato de ser totalmente esttica, a base de semicondutores, no
havendo peas mveis sujeitas a desgaste, como chaves contactoras. Adicionalmente,
incorporam funes que no so encontradas nos outros mtodos de partida, como: controle
das rampas de acelerao e desacelerao, protees de sobretenso e sobrecorrente,
indicao digital da corrente do motor, possibilidade de interfaceamento com sistemas digitais
de controle como SDCDs, PLCs e Sistemas Supervisrios, via Profibus, Fieldbus, Modbus,
Ethernet, RS-232, RS-422, etc.
Seu funcionamento baseia-se na variao do ngulo de conduo de tiristores, semelhana
do estudado no captulo 7, com a diferena que aqui, ao invs de retificarem a tenso alternada
transformando-a em contnua, os tiristores esto ligados em anti-paralelo, controlando os semiciclos positivo e negativo da senide.

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A figura abaixo mostra o diagrama simplificado de um soft-starter.

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Bibliografia:

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ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS Millman & Halkias

PULSE, DIGITAL AND SWITCHING WAVEFORMS Millman & Taub

ELECTRIC CIRCUITS Joseph A. Edminister

ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY Robert Boylestad / Louis Nashelsky

RCA SOLID STATE POWER CIRCUITS, DESIGNERS HANDBOOK RCA

SEMICONDUCTOR POWER CIRCUITS HANDBOOK Motorola Semiconductor Inc.

SEMICONDUCTOR JUNCTION DEVICES J. Frank Pierce

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES Hilton A. Mello / Edmond Intrator

CONTROLE EM CORRENTE CONTNUA Informativo Tcnico Siemens Vol. IX (1978)

ELETRNICA LINEAR DIODO SLIDO E FONTE DE ALIMENTAO Rita Maria


Gomes

ELETRNICA (2 Vols.) Malvino

ELETRNICA DE POTNCIA Muhammad H. Rashid

POWER ELECTRONICS Mohan / Undeland / Robbins

ELETRNICA INDUSTRIAL Cyril W. Lander

THE POWER SEMICONDUCTOR DATA BOOK Texas Instruments

DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRNICOS (2 Vols.) David E. LaLond / John A.


Ross

ELECTRONICS MAGAZINE August 18, 1977

CMOS DATABOOK National Semiconductor

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