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Principios de funcionamiento.
Curvas caractersticas.
El MOSFET
Encapsulado de transistors
Curso de Electrnica
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BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA
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PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
Teora elemental del Transistor: Una primera aproximacin
Sus fundamentos son en ltimo extremo el mismo que el de los
rectificadores o diodos de germanio y silicio. Los materiales empleados
son, entre otros, el germanio y el silicio, por sus propiedadades
semiconductoras.
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Fig.2 - Esquema
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Circuitos Integrados
En 1958, Jack Kilby (de Texas Instruments) y Noyce y Moore (de Fairchild
Semiconductor), inventaron de manera independiente un dispositivo
extremadamente importante: el circuito integrado (CI), que combina
transistores bipolares, MOSFET, resistencias y condensadores, junto con
todas sus interconexiones, en un circuito funcional dentro de un nico chip.
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Principio de Funcionamiento
Un transistor se puede usar como amplificador o como conmutador. En la
fig. 1 se puede ver una aplicacin tpica de amplificacin: un transistor
NPN que amplifica la corriente proveniente de un micrfono para poner en
funcionamiento un altavoz Hablando ahora en trminos de corriente
electrnica, el micrfono convierte la potencia de las ondas sonoras en
ondas de corriente elctrica.
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La unin PN asimtrica
Un punto de partida conveniente para el anlisis y la comprensin del
funcionamiento del transistor es recordar cmo se produce un flujo de
corriente en una unin PN directamente polarizada (cuando vimos el
diagrama correspondiente al Captulo 1 - Semiconductores, el mismo
ilustraba la naturaleza del flujo de corriente en una unin simtrica en la
que la concentracin de los portadores era idntica a los dos lados de la
unin).
Consideremos ahora el caso de tener una concentracin asimtrica de
portadores de carga. Supongamos que se tiene una alta concentracin de
lagunas en la regin de tipo P y una baja concentracin de electrones en la
de tipo N. Esta situacin aparece representada en la fig. 3a. Si aplicamos
una polarizacin directa, las lagunas que provienen de la regin P
atravesarn la unin hacia la regin N. Al entrar en la regin de tipo N
solamente se encuentra una pequea cantidad de electrones y, por eso,
recorrern una gran distancia hasta que se hayan recombinado todos.
En el mismo tiempo, los electrones, que atraviesan la unin desde la regin
N a la de tipo P, encontrarn una alta concentracin de lagunas y, por esta
razn, se recombinarn velozmente sin alejarse de la unin. La distribucin
de las corrientes de lagunas y
de electrones es la de la fig. 3b.
Se puede ver que en las
proximidades de la unin, toda
la corriente est constituida por
el flujo de las lagunas de la
regin
P
(de
alta
concentracin) con slo una
pequea
corriente
de
electrones de la regin N (de
baja concentracin). Se dice
que existe una inyeccin de
lagunas y la corriente total que
atraviesa la unin recibe el nombre de eficiencia de inyeccin y, en uniones
asimtricas, puede alcanzar valores muy elevados, del orden del 99%. En
la regin N, cerca de la unin, se tiene que la mayor parte de la corriente se
debe a un flujo de lagunas que, despus de atravesar la unin, se convierten
en esta regin en portadores minoritarios.
A la distancia media que recorren los portadores minoritarios antes de
recombinarse se llama longitud de difusin, y su valor depende de la
movilidad y del tiempo de vida de los portadores minoritarios del material
semiconductor. Generalmente, es inversamente proporcional a la
concentracin de portadores mayoritarios del material. Por eso, como se
puede ver en la fig. 3, la longitud de difusin de las lagunas en la regin N
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El efecto transistor
Si introducimos ahora otra unin PN, disponemos de una segunda regin de
tipo P a la derecha de la fina de tipo N, como se ve en la figura 5a. Ahora
polaricemos inversamente esta segunda unin. Si la primera unin contina
polarizada directamente, la corriente que la atraviesa est constituida
principalmente por el flujo de lagunas, como se ve en la fig. 4.
Las lagunas se difundirn a travs de la primera unin y, por lo tanto,
atravesarn la regin central de tipo N como portadores minoritarios.
Algunas lagunas, sobre la marcha, se recombinarn con los electrones.
Pero debido a que la longitud de la regin de tipo N es pequea en
comparacin con la longitud de difusin de las lagunas, slo una pequea
parte de ellas se recombinar antes de que el flujo alcance la regin de
carga espacial de la segunda unin PN. La energa potencial que hay en los
extremos de esta regin de carga espacial, debida a la polarizacin inversa,
es suficiente para arrastrar las lagunas (portadores minoritarios) a travs de
la unin de la segunda regin de tipo P.
Una vez que han llegado a la segunda regin de tipo P, bajo la influencia de
un campo elctrico externo, las lagunas se convierten en portadores mayo-
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Tipos de transistores
Existen en el mercado dos tipos de transistores: PNP y NPN. Son utilizados
distintos smbolos para estos transistores con el objeto de mostrar la
diferencia del sentido de circulacin de la corriente en uno y otro tipo de
dispositivo.
En el transistor NPN, mostrado en la
figura 6b, los electrones fluyen desde el
emisor al colector; en el tipo PNP, figura
6c, lo hacen del colector al emisor. En
otras palabras, la direccin de la corriente
continua electrnica es siempre opuesta a
la de la flecha dibujada sobre la conexin
de emisor (como en el caso de los
diodos, la flecha indica la corriente del
flujo convencional de corriente, en el
circuito).
Las dos primeros letras de las
designaciones NPN y PNP indican las
respectivas polaridades de las tensiones
aplicadas al emisor y al colector en condiciones normales de
funcionamiento. En un transistor NPN el emisor se hace negativo con
respecto al colector y a la base, siendo el colector positivo con respecto a la
base y al emisor. En un transistor PNP el emisor se hace positivo tanto con
respecto al colector como a la base, mientras que el colector debe ser
negativo con respecto a los dos electrodos restantes.
Fig. 7
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Los ndices indican que la corriente va del colector hacia la base con el
circuito emisor abierto (open). Como ICBO se debe a la agitacin trmica,
aumentar con el aumento de la temperatura: es termosensible. A una
cierta temperatura, como se dijo al hablar de la unin PN inversamente
polarizada, ICBO tendr un valor constante, independientemente de la
tensin de colector, siempre que la tensin est por debajo del valor de
breakdown de avalancha de la unin.
Supongamos que se aplique una tensin
directa a la unin de emisor y no se aplique
ninguna tensin al colector (fig 9b). Como
hemos visto antes, es suficiente con una
pequea tensin directa, generalmente
menor de 1 V, para provocar un fuerte flujo
de corriente directa a travs de una unin.
Como la regin de emisor est ms dopada
que la de base, la corriente directa estar
constituida por un flujo de lagunas a travs
de la unin de emisor.
Una vez en el interior de la regin de base, las lagunas se convierten en
portadores minoritarios. Como no existe ninguna conexin con la regin de
colector, las lagunas no pueden fluir a travs de la unin de colector y, por
lo tanto, se mueven desde la regin de base hasta el electrodo negativo
conectado a la base.
Examinemos la situacin en la que la unin de emisor est directamente
polarizada, mientras que la unin de colector est inversamente polarizada
Esta es la disposicin
normal en que funciona un
transistor (fig. 9c). La
corriente de lagunas fluir a
travs de la unin de emisor
en la regin de base, como
se ha visto antes. Las
lagunas se convertirn en
portadores minoritarios y
fluirn lejos de la unin. Recorrern una pequea distancia (una pequea
fraccin de una milsima de milmetro) y se dirigirn a la regin de carga
espacial producida por la tensin inversa aplicada a la unin de colector,
donde sern arrastradas de un lado a otro de la unin de colector por la
accin que ejerce el campo elctrico.
En la regin de colector de tipo P, las lagunas se volvern a convertir en
portadores mayoritarios y se dirigirn hacia el terminal de colector
negativo, donde las rellenarn los electrones que provienen del conductor.
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Ie = Ic + Ib
Transistor de unin NPN
Una estructura NPN funcionar de forma anloga a la estructura PNP.
Tambin en este caso tenemos dos uniones PN, esta vez separadas por una
fina regin de tipo P. Como en el transistor PNP, la primera unin, el
emisor, est directamente polarizada, y la segunda, el colector,
inversamente.
Sin embargo, existen dos
diferencias
importantes
que hay que recordar.
En primer lugar, las
tensiones de trabajo sern
opuestas a las del
transistor PNP. El emisor
de tipo N debe estar
polarizado negativamente
respecto a la base de tipo P para funcionar directamente, y el colector,
siempre respeto a la base, positivamente, para funcionar inversamente.
En segundo lugar, ahora el emisor de tipo N inyectar electrones en la base
de tipo P y estos electrones se convertirn en portadores minoritarios y se
difundirn a travs de la regin de base hasta que el campo elctrico,
producido por el potencial positivo, los arrastre a lo largo de la unin de
colector. La fig. 10 muestra las polaridades para el transistor NPN.
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As, se puede ver porqu se dice que los dos tipos de transistores son
exactamente equivalentes, pero de funcionamiento opuesto.
En general, los transistores de tipo NPN pueden funcionar ms
rpidamente, es decir, que pueden ponerse en funcionamiento o en corte
ms rpidamente que los PNP.
Si a esto se le une el hecho de que el coste de fabricacin de los
transistores NPN es menor, se entiende porqu los transistores de tipo NPN
se usan ms que los PNP
CURVAS CARACTERISTICAS
Ganancia de corriente
Vimos que la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor.
Si se realiza un pequeo cambio de la corriente de emisor, se tendr una
variacin casi idntica de la corriente de colector. La relacin entre la
variacin de la corriente de colector y la de emisor se denomina Ganancia
de Corriente y se la designa con la letra griega
Por tanto, se tiene que:
= Ic/Ie
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Con corriente de emisor nula, la curva del colector ser similar a la de una
unin simple polarizada inversamente. La corriente estar slo constituida
por la corriente de saturacin inversa ICB0 y permanecer substancialmente
constante al aumentar la tensin. Esta es la curva sealada con IC = 0 en la
figura 3.8.
En los transistores, la corriente de saturacin inversa de la unin de colector
ICB0 es conocida con el trmino de corriente de dispersin del colector.
Ahora elevamos el valor de la corriente de emisor a 1mA (en la figura 3.7
esta situacin es dada por el punto A) y lo mantenemos constante en ese
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valor, mientras que variamos la tensin de colector para obtener una nueva
caracterstica de colector. La corriente de emisor pasa a travs del colector
sea cual fuere el valor de la tensin colector base y, as, la nueva curva de
colector ser la curva A de la figura 3.8 (sealada con IC = 1mA).
De la misma manera, si a continuacin aumentamos la corriente de emisor,
obtendremos las curvas de colector B, C y D para corrientes de emisor de 2,
3 y 4 miliamperios, respectivamente. As es como ahora tenemos una
caracterstica de salida completa, compuesta por una familia de curvas de
colector que muestran claramente el efecto de la corriente de emisor y de la
tensin de colector sobre la corriente de colector. La familia de las
caractersticas de salida es quiz la ms til de las caractersticas del
transistor.
La figura 3.7 muestra la caracterstica de emisor y est representada por una
sola curva. Las variaciones de la tensin de colector tienen un efecto
pequeo sobre la caracterstica de emisor y, por lo tanto, para que sean
realmente correctas, deberemos dibujar una familia de curvas de emisor,
cada una de ellas para un valor constante de la tensin de colector. As, el
efecto de la tensin de colector es tan poco importante que podemos pasar
por alto en la mayor parte de las aplicaciones prcticas.
En la figura 3.8 podemos ver que la corriente de colector existe incluso con
una tensin de colector nula. Esto es debido a que la barrera de potencial de
la unin de colector con polarizacin 0 tiene un valor tal que atrae a los
portadores minoritarios a la regin de base a travs de la unin. Para reducir
la corriente de colector a 0 es necesario aplicar una pequea tensin de
colector dirigida positivamente, como podemos apreciar en la figura 3.8.
Las caractersticas de colector de la figura han sido dibujadas en el tercer
cuadrante para recordar que la unin de colector est polarizada
inversamente. Pero al representar las caractersticas, normalmente son
dibujadas las curvas en el primer cuadrante, trazando la corriente de
colector hacia arriba y la tensin hacia la derecha.
Podemos determinar caractersticas similares para la configuracin con
emisor comn. En este caso, la caracterstica de entrada mostrar cmo
aumenta la corriente de base IB, cuando aumenta la polarizacin directa de
la tensin base emisor VBE. Esta caracterstica est indicada en la figura
3.9 para el mismo transmisor utilizado en las figuras 3.7 y 3.8.
La caracterstica de salida muestra cmo vara la corriente de colector IC al
variar la tensin colector emisor VCE para diversos valores previamente
fijados de la corriente de base
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Ganancia de corriente
Una indicacin de la ganancia del transistor es la relacin de transferencia
directa de corriente, es decir, la relacin entre la corriente en el electrodo
de salida y la corriente en el de entrada. En virtud de las diferentes formas
en que pueden ser conexos los transistores en los circuitos, la relacin de
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2.
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del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas
caracteristicas del transistor de la figura (b) anterior, corresponde a una
recta. La tercera ecuacion de planteada, define la recta de carga obtenida al
aplicar KVL al circuito de polarizacion, de forma que
VCC=VCE+IC RC
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del
transistor se selecciona dos puntos:
a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC;
b) IC=0, entonces VCE=VCC.
Estos puntos se pueden identificar en la figura (b) y representan los cortes
de la recta de carga estatica con los ejes de coordenadas. Una de las
primeras decisiones relacionadas con la polarizacion de un transistor es
seleccionar la situacion del punto Q. La seleccion mas practica es situarle
en la mitad de la recta de carga estatica para que la corriente de colector sea
la mitad de su valor maximo, condicion conocida como excursion maxima
simetrica. Evidentemente esta es una condicion de diseno que asegurara el
maximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la
intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de
operacion del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro
sentido. En estos casos la situacion del punto Q estara definida por las
diferentes restricciones.
PC = IB VBE + ICVCE
Debido a que generalmente la IB<<<IC y la
VBE<<VCE , el primer
termino de esta ecuacion es despreciable frente al segundo, resultando que
PC IC VCE
Esta ecuacin representa a
una hiprbola en el plano
(VCE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor.
El fabricante proporciona
como dato la potencia de
disipacin mxima de un
transistor; como ejemplo, el
BC547
tiene
una
PCMAX=500mW.
En la
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EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al
de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las
altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas
potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Alta (1010 )
Media (104 )
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura de
operacin
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Coste
Alto
Medio
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Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta
frecuencia de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE
mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
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Las puertas son dos regiones de material de tipo p que se establecen para la
conduccin desde la fuente al drenador. Las dos regiones de la puerta casi
siempre estn conectadas entre s para que el usuario slo vea una conexin
entre
ellas.
Observe que el dispositivo que se muestra arriba es un JFET NPN, ya que
la fuente es de tipo n, la puerta de tipo p y el drenador de tipo n. Si no se
analiza desde la perspectiva de puerta-canal-puerta, estaramos ante una
unin pnp.
Al igual que ocurre en cualquier unin PN, la puerta est rodeada por una
zona de agotamiento.
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Por norma general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la
solucin ms conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la
base de un BJT es demasiado elevada.
En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que
son mucho ms rpidos y disipan menos energa. Sin embargo, la mayora
de estas aplicaciones utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho
ms elevadas incluso que los JFET.
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Al igual que ocurre con los BJT, existen JFET de tipo npn y pnp. Los de
tipo NPN suelen denominarse de canal n para evitar confusiones con la
configuracin de puertas.
El MOSFET
Los transistors de efecto de campo de semiconductors de metal-xido
difieren bastante de los JFET y se presentan en una gama muy variable. La
funcin que los caracteriza es que la puerta est acoplada con un
condensador.
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Caractersticas tcnicas
Los transistores MOS presentan ciertas caractersticas tcnicas con ventajas
nicas de funcionamiento en aplicaciones como mezcladores, detectores de
producto, circuitos de control remoto de ganancia, moduladores
balanceados, muestreadores, recortadores y amplificadores gatillados. Estas
caractersticas incluyen:
1.
Elevada resistencia de entrada y baja capacitancia de salida; como
resultado, los transistores MOS prcticamente no cargan la fuente de
corriente alterna, ya que no es requerida potencia de entrada, y
presentan un amplio rango de control de ganancia.
2.
Elevado rango dinmico, pues los transistores MOS pueden admitir
excursiones de seal positivas y negativas sin cargar el circuito de
entrada.
3.
La insignificante corriente de entrada hace que el factor de
amplificacin no sea muy elevado, refirindonos corrientemente por
esta razn a la transconductancia como caracterstica que mejor
diferencia el TEC, y que es el cociente entre el incremento de corriente
de drenaje y el incremento de la tensin de la compuerta. Tal
transconductancia directa es excepcionalmente elevada.
4.
El TEC es ms barato que un transistor bipolar, debido a que es de
menor de tamao, lo que permite obtener ms transistores de una oblea
de silicio. El proceso de fabricacin, en s slo, necesita una difusin
en lugar de las varias difusiones crticas necesarias a temperatura
elevada para la fabricacin de transistores bipolares. Todo esto reduce
el costo de fabricacin.
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5.
6.
7.
PRINCIPAL
VENTAJA
USOS
Bajo ruido
Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV,
equipos de comunicaciones
Amplificador con
CAG
Facilidad para
controlar ganancia
Receptores, generadores de
seales
Amplificador
cascodo
Baja capacidad de
entrada
Instrumentos de medicin,
equipos de prueba
Troceador
Ausencia de deriva
Resistor variable
por voltaje
Amplific. operacionales,
Se controla por voltaje rganos electrnicos,
controles de tono
Amplificador de
baja frecuencia
Oscilador
Mnima variacin de
frecuencia
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
Circuito MOS
digital
Pequeo tamao
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SEGUNDA LETRA
NMERO DE
SERIE
Distingue entre
Indica la aplicacin principal y tambin la
dispositivos con uniones construccin en el caso de que se requiera una
y sin uniones e indica el
mayor diferenciacin.
material.
A. Dispositivos con
uniones Con una o
ms uniones, que
usan materiales con
un margen de banda
de 0,6 a 1.0 V, tales
como germanio.
B. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
1,0 a 1,3V, tales
como silicio.
C. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
1,3V en adelante,
tales como arseniuro
de galio.
D. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
menos de 0,6V, tales
como antimoniuro de
indio.
R. Dispositivos sin
uniones, que usan
materiales como los
empleados en
generadores Hall y
clulas
fotoconductoras.
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TRANSISTORES
Tipo
Vceo max.
Ic. max
hFE
min.
Ptot max.
fT min.
TUN
NPN
20V
100mA
100
100mW
100MHz
TUP
PNP
20V
100mA
100
100mW
100MHz
DIODOS
Tipo
VR max.
IF max.
IR max.
Ptot max.
CD max
DUS
Si
25V
100mA
1 A
250 mW
5 pF
DUG
Ge
20V
35mA
100 A
250 mW
10 pF
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ENCAPSULADO DE TRANSISTORES
Se le llama encapsulado al soporte fsico, o mejor dicho a la estructura
donde se va a colocar el silicio, que adems sirve de proteccin a las
junturas del semiconductor para as no exponerlas ni daarlas con el medio
ambiente en el que van a trabajar. Como sabemos el transistor posee 3
terminales metlicos externos, los cuales les permiten a las junturas BASE
- COLECTOR - EMISOR ser conectadas al exterior. El encapsulado puede
estar hecho de metal o de una resina plstica de alta resistencia mecnica
y trmica, la cul permite al transistor disipar la temperatura de trabajo,
es decir la potencia. Disipa mejor si el encapsulado es colocado a un
radiador de temperatura que est hecho de aluminio. Existen algunos que
poseen ms de tres terminales, y la razn es la de poder suministrar ms
corriente o sencillamente para proteger al transistor de la electrosttica,
especialmente si el transistor es de alta ganancia de amplificacin.
TO-92
TO-18
TO-3P
TO-126
TO-220
TO-3
Usado en aplicaciones de
pequea y mediana
Usado en aplicaciones de
potencia
Usado en transistores de
potencia
potencia
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