ELECTRNICA DE POTENCIA I

UNMSM
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN
MARCOS
(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRNICA Y ELCTRICA
E.A.P DE INGENIERA ELECTRNICA

Informe Previo
1
Tema: EL SCR
Alumno

: Jhonatan Alexander
Juo Garcia

Codigo

: 12190016

Profesora : Dra. TERESA

ESTHER NUEZ
ZUIGA.

2016

ELECTRNICA DE POTENCIA I
UNMSM

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRNICA Y ELCTRICA
E.A.P DE INGENIERA ELECTRNICA

INFORME

PREVIO

El SCR
I.

II.

III.

OBJETIVO
Familiarizarse con el SCR (Rectificador de Silicio).
Determinar experimentalmente algunas de sus
caractersticas.
MATERIALES Y EQUIPOS
Un SCR (C106M o BT151) u otro cualquiera.
Una Resistencia de 5-50 a 10-30 Watts.
Resistencias varias.
Potencimetros
1 Multmetro.
1 Mili Ampermetro.
1 Transformador de 220V/8V.
CUESTIONARIO PREVIO
1. Haga una introduccin terica del los SCR.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,

Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres
uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres
terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.

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Figura 1: Smbolo del SCR.

Figura 2: Estructura bsica del

SCR.

Este semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y

en otro est en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin
directa).
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de
retardo.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa
corriente slo durante los semiciclos positivos de la fuente de AC. El
semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del SCR es ms positivo
que el ctodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido ms de la
mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es
negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n
inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de
silicio SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se
hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando
siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.

FORMAS DE ONDA DE LOS SCR

Los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de
conduccin y ngulo de retardo de disparo. El ngulo de conduccin es el
nmero de grados de un ciclo de c.a, durante los cuales el SCR est
encendido. El ngulo de retardo de disparo es el nmero de grados de un
ciclo de c.a, que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por
supuesto, estos trminos estn basados en la nocin de que el tiempo total
del ciclo es igual a 360 grados.

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En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con

SCR para un ngulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de c.a,
inicia su parte positiva, el SCR est apagado. Por tanto tiene un voltaje
instantneo a travs de sus terminales de nodo y ctodo igual al voltaje de
la fuente. Esto es exactamente lo que se vera si se colocara un interruptor
abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su
totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a travs de la carga (VLD) es cero
durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos.
Ms a la derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de nodo a
ctodo (VAK) cayendo a cero despus de aproximadamente un tercio del
semiciclo positivo. Esto es el punto de 60. Cuando VAK cae a cero, el SCR se
ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ngulo de retardo de disparo es de
60. Durante los siguientes 120 el SCR se comporta como un interruptor
cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ngulo de conducci6n es de
120. El ngulo de retardo de disparo y el ngulo de conducci6n siempre
suman 180.

Figura3. Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (V AK) y

el voltaje de carga de un SCR. Para un ngulo de retardo de disparo de unos
60o, un ngulo de conduccin de 120o.
En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al
dispararse el SCR, el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de
carga entonces sigue al voltaje de la fuente por el resto del semi-ciclo
positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga. El estado OFF ocurre
cuando el voltaje de la fuente pasa por cero.
En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se
dispare, el voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve
un voltaje cero. Despus de haberse disparado el SCR, la totalidad del
suministro de voltaje es retirado a travs de la carga, y el SCR presenta
voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de accin rpida.

2. Indique el modelo equivalente con transistores.

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La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar
mediante un modelo de SCR de dos transistores. Un SCR se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se
demuestra en la figura.
La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y
la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO.. (1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la
corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 = IA + ICBO1.. (2)

a) Estructura bsica
b) Circuito equivalente
Fig. Modelo de tiristor de dos terminales.
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma
similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2 (3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2.
Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2. (4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en
funcin de IA obtenemos:
IA = 2IG + ICBO1 + ICBO2. (5)

3. Qu es tensin de disparo Vgk y corriente de

mantenimiento IH?
V
Tensin de disparo ( gk)

: Es el voltaje necesario que se aplica a la compuerta para que

el SCR entre en conduccin. Este impulso debe durar un tiempo suficiente para que se active el
dispositivo y la corriente de nodo alcance hasta un valor denominado corriente de retencin
condicionada o corriente de enganche.

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I
Corriente de mantenimiento ( H ): Tambin llamada corriente de sostenimiento, es
el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conduccin a la regin de
bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.

4. Simule con cada uno de los circuitos de esta

experiencia, y presente resultados; para as saber qu
es lo que observar en la prctica.
PRUEBA OHMICA DEL SCR:
HM1

HM1

OHMMETER

OHMMETER

MAX
+88.888

473.82
+88.888

Ohms

Ohms

U2

U2

SCR

SCR

DISPARO CON ALIMENTACION AC

R1
100r

TR1
R2
250k

RV1

U1
SCR

50%

TRAN-2P2S

C
D

1M

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