Amplificadores de Pequena Senal con BJT

Daniel S. Mu
noz, Carlos A. Riveros, Carlos M. Aldana
{dsmunozc, cariverosv, cmaldanab}@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia.
Electronica Analoga II
Grupo 2
Agosto 2016

1.

Objetivo general
Dise
nar e implementar circuitos amplificadores basicos con tecnologa BJT.

2.

Dise
nos y simulaciones

Se dise
nan dos amplificadores empleando transistores BJT de tipo NPN, el primero de ellos en
configuracion emisor com
un, mientras el segundo en configuracion base com
un.

2.1.

Emisor com
un con BJT

Para dise
nar esta configuraci
on se emplea el transistor con referencia BC548 cuya gr
afica
IC vs.VCE se muestra en la figura 1 y se elige la configuracion de polarizacion fija mostrada en
la figura 2. Con el fin de disipar la menor cantidad de potencia se selecciona la curva correspondiente a IB = 50A y de ella el punto VCE = 6V e IC = 12mA que se encuentran en la zona activa
del transistor. Adicionalmente se selecciona 10 V como valor de la fuente de alimentacion (Vcc ) y
se calculan los valores de las resistencias RB y RC como se muestra a continuacion:
Rc =
RB =

10V VC
10V 6V
=
= 333
IC
12mA

10V 0,7V
10V VB
=
= 186K
IB
50A

Los valores de gm , r y Av son:

=

IC
12mA
=
= 240
IB
50A

Figura 1: IC vs.VCE para el transistor BC548. [2]

gm =

12mA
IC
=
= 0,48A/V
VT
25mV

AV = gm (RC ) = 159,84
r =

240
=
= 500
gm
0,48A/V

Debido a que esta impedancia resulta conectada en serie con la impedancia de la se

nal de
entrada, se decide elegir para esta el valor de 50 de manera tal que al ser mucho mas peque
na (10
veces), puede considerarse nulo su efecto en el sistema.
El circuito resultante se muestra en la figura 3 y el resultado de la simulacion cuando la se
nal
de entrada es de 10 mVp y 100 Hz en la figura 4. Como se puede observar en los voltmetros, el
transistor se encuentra en zona activa y la magnitud de la se
nal resultante es de aproximadamente
1.1 V, es decir, una ganancia de 110 que es un valor cercano al teorico calculado.
1
El valor de los condensadores es tal que a 100 Hz, su impedancia equivalente Zc = j2f
c es
aproximadamente cero.

Figura 2: Configuraci
on de polarizacion fija en emisor com
un. [1]

Figura 3: Amplificador BJT emisor com

un - BC548.
3

Figura 4: Resultado de la simulacion amplificador BJT emisor com

un

2.2.

Base com
un con BJT

Para el amplificador de base com

un se tiene en cuenta que su caracterstica es una alta ganancia
de voltaje con una ganancia unitaria de corriente, esto debido a su alta resistencia de salida y a una
resistencia de entrada baja y controlable por medio de los valores del circuito, mas especficamente
de su resistencia de emisor.

Figura 5: Circuito de la simulacion de un BJT en configuracion de base com

un.

Figura 6: Resultados de la simulacion del circuito en base com

un.

Referencias
[1] Boylestad, R.; Nashelsky, L. Electr
onica: Teora de circuitos y dispositivos electronicos. Decima
edicion. Pearson. Mexico, 2009. pp. 255.
[2] Hoja
de
datos
transistor
BJT
BC548.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BC/BC547.pdf

Disponible

en