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UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA

FACULDADE DE CINCIAS E TECNOLOGIA


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELECTROTCNICA

ELECTRNICA I
2011/2012
1 SEMESTRE

1 Exame de Electrnica I Verso A


(Prova sem consulta)
12 de Janeiro de 2012 (17:00 20:00)
Antes de comear a resolver a prova, leia com ateno todas as perguntas. Se no conseguir resolver
uma dada pergunta passe pergunta seguinte. Indique a verso da prova, o nome e o nmero em
todas as folhas.

Problema 1 Considere um rectificador de onda completa com quatro dodos (VDON=0.6 V), para
rectificar uma onda sinusoidal de amplitude 10 V e frequncia 100 Hz. A resistncia de carga RL
(3 valores)
a) Desenhe o circuito, incluindo a fonte de tenso de entrada e a resistncia de carga.
b) Represente a tenso de entrada e de sada no rectificador em funo do tempo, realando todos
os pontos importantes e indicando o estado de cada dodo. Justifique a sua resposta.
c) Calcule a tenso inversa mxima nos dodos.
Problema 2 Considere o seguinte circuito composto pelos sub-circuitos A e B , considere
W
VBEon= 0.7V, =100; VT =1 V; K = N Cox = 32 mA/V2; VCC=5V; VEE=-5V; R1=
L
R2= 1000, R3= R4= 100, R5= 20 k, R7= 30 k;
(6 valores)
Relativamente
ao
subcircuito
A
VCC

B
R1

R2

Vo
rin1

T1

R3

T2

R4
IEE

vin

a) Assumindo que o transstor M1 est na zona de


saturao, calcule o valor exacto de R6 de modo a
que IEE seja exactamente igual a 4 mA. Justifique
todos os seus clculos indicando o ponto de
funcionamento em repouso (PFR) completo do
circuito e justifique a zona de funcionamento do
transstor.
b) Desenhe o modelo de pequenos sinais do subcircuito A incluindo a resistncia rds do transstor
M1.
c) Calcule a expresso da resistncia incremental ro1.

ro1

R7

M1

Relativamente ao sub- circuito B

d) Calcule o ponto de PFR do sub-circuito B,


indicando a zona de funcionamento de T1 e T2. Nota:
A
o valor de IEE igual a 4 mA.
VEE
e) Desenhe o modelo de pequenos sinais do subcircuito B, assuma que o valor de ro1 infinito.
f) Calcule a expresso do ganho de pequenos sinais vo/vin do sub-circuito B
g) Diga qual o valor da resistncia incremental rin1 (para baixas frequncias)
1
2
Nota: na zona de saturao I D = i K i(VGS VT ) (vlido se VDS>VGS-VT e VGS>VT)
2
R5

R6

Problema 3 Considere o seguinte amplificador de dois andares com um andar de sada de classe
B, onde: VBEon= 0.7V, =100, Vz= 1.4V, VCC=5V; VEE=-5V, RL=10 , R1=4 k,
R2=36 k, R4= 20 , IC2= IC3= 1 mA ,Vo=0V.

(6 valores)

a) Calcule o PFR do circuito e o valor de R3, justifique


indicando a zona de funcionamento de todos os
dispositivos do circuito.
b) Desenhe o modelo de pequenos sinais do circuito.
c) Calcule a expresso do ganho global do amplificador
vo/vin
d) Calcule a expresso da resistncia incremental de sada
do amplificador (r0), considerando que T2 e T3 esto a
conduzir.
e) Se o valor de Vz passar para 1 V, qual seria a nova
classe do andar de sada, justifique.
NOTA: Este circuito uma variao do circuito do trabalho
final. Considere os condensadores como curto-circuitos em AC.

Problema 4 Portas lgicas CMOS

(2 valores)

a) Indique justificando qual o consumo esttico (Fclk=0) de uma porta lgica CMOS.
b) Implemente um circuito CMOS que realize a seguinte funo lgica: Y = A + D B + C , justifique
a sua resposta.
Problema 5 Considere o seguinte circuito onde os amplificadores so ideais

(3 valores)

Calcule as expresses de Vout2 e de Vout1 em funo de Vin. Inclua na sua resposta todos os passos
necessrios resoluo deste problema.

AVISO MUITO IMPORTANTE


obrigatrio escrever o nome, nmero e verso do exame em todas as folhas.
Todas as folhas sem nmero e sem verso no sero corrigidas.
Os alunos devem paginar todas as folhas que entregarem.