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IMPERFEIES EM SLIDOS
1. INTRODUO:
As propriedades de alguns materiais so profundamente influenciadas
pela presena de imperfeies, consequentemente, importante ter um
conhecimento sobre os tipos de imperfeies que existem e sobre os papis
que elas desempenham ao afetar o comportamento dos materiais.
At o momento assumimos que existe uma ordem perfeita nos materiais
cristalinos. Porm, esse slido ideal no existe, pois todos os materiais contm
inmeros defeitos ou imperfeies. Na realidade, muitas das propriedades dos
materiais so profundamente sensveis a desvios da perfeio cristalina. A
influncia no sempre ruim e, com freqncia, caractersticas especficas so
elaboradas pela introduo de quantidades ou de nmeros controlados de
defeitos particulares.
Por defeito cristalino designamos uma irregularidade na rede tendo
uma ou mais de suas dimenses da ordem de um dimetro atmico. A
classificao das imperfeies cristalinas frequentemente feita de acordo com
a geometria ou com a dimensionalidade do defeito.
2. DEFEITOS PONTUAIS:
Defeitos pontuais so aqueles que esto associados a uma ou duas
posies atmicas e podem ocorrer atravs de:

Lacunas (ocorre dentro no prprio slido cristalino).


Auto-intersticiais (ocorre dentro no prprio slido cristalino).
tomo intersticial (proveniente de elementos de liga).
tomo substitucional (tambm proveniente de elementos de liga).

2.1. Lacunas:
O mais simples dos defeitos pontuais a lacuna, ou um espao vago na
rede cristalina, o qual normalmente deveria estar ocupado e que apresenta a
falta de um tomo, como representado na figura 1. Todos os slidos cristalinos
contm lacunas e, na realidade, no possvel criar um material que seja
isento desse tipo de defeito. A necessidade da existncia das lacunas
explicada usando os princpios da termodinmica. Essencialmente, a presena
das lacunas aumenta a entropia, isto , a aleatoriedade, de um cristal.

Figura 1: Representao de uma lacuna e as distores causadas na rede cristalina.

O nmero de lacunas (Nl) em equilbrio para uma dada quantidade de


material depende da temperatura e aumenta com a temperatura de acordo com
a expresso:

Sendo que,

Onde:
Nl : N de lacunas [lacunas / m].
N : N de tomos por unidade de volume para um metal [tomos / m].
Converter sempre N para [tomos / m] sendo que 1cm equivale a 1 x 10-6
m.
exp : funo exponencial (ex).
Ql : Energia necessria para a formao de uma lacuna [eV / tomo].
k : constante de Boltzmann que equivale a 8,62 x 10-5 eV / tomo-k.
tomo
T : Temperatura absoluta em Kelvin.
NA: N de Avogadro que equivale a 6,023 x 1023 tomos / mol.
: Massa especfica [g / cm].
A : Peso atmico [g / mol].
Para a maioria dos metais a frao de lacunas Nl / N, a uma temperatura
imediatamente abaixo da sua temperatura de fuso,
fuso da ordem de 10-4, ou
seja, ocorrer uma lacuna a cada 10.000 unidades de volume daquele metal.

2.2. Auto-intersticial:
Um defeito auto-intersticial consiste em um tomo do cristal que se
encontra comprimido em um espao intersticial, que um pequeno espao
vazio que, sob circunstncias normais, no ocupado. Este defeito est
representado na figura 2 abaixo. Nos metais, um auto-intersticial introduz
distores relativamente grandes na sua vizinhana na rede, pois o tomo
maior do que a posio onde ele se posiciona. A ocorrncia desse tipo de
defeito baixa, significativamente menor do que as ocorrncias exibidas pelas
lacunas, que so mais frequentes.

Figura 2: Representao de um defeito auto-intersticial e das distores causadas


numa estrutura cristalina.

2.3. tomo intersticial e tomo substitucional:


A adio de tomos de impurezas a um metal ir resultar na formao
de uma soluo slida ou de uma liga. Os termos soluto e solvente so termos
comumente empregados. Solvente representa o elemento ou composto que
est presente em maior quantidade, sendo os tomos do solvente comumente
chamados de tomos hospedeiros. Soluto usado para indicar um elemento
ou composto que est presente em menor concentrao.
Nas solues slidas, so encontrados defeitos pontuais devido a
presena de impureza (aqui sendo os elementos de liga). Esses defeitos
podem ser de dois tipos: substitucional ou intersticial. No caso dos defeitos
substitucionais, os tomos de soluto, ou tomos de impureza, repem ou
substituem tomos hospedeiros (figura 3).

Figura 3: Representao de um tomo substitucional dentro da soluo slida.

Existem vrias caractersticas dos tomos do soluto e do solvente que


determinam o grau segundo o qual o primeiro se dissolve no segundo, que so:
a-) Fator de tamanho atmico: Quantidades apreciveis de um soluto s podem
ser acomodadas nesse tipo de soluo slida quando a diferena dos raios
atmicos entre os dois tipos de tomos for menor do que aproximadamente
15%. De outra forma os tomos do soluto iro criar distores substanciais na
rede e uma nova fase ir se forma.
b-) Estrutura cristalina: Para que a solubilidade slida seja aprecivel, as
estruturas cristalinas dos metais de ambos os tipos devem ser as mesmas.
c-) Eletronegatividade: Quanto mais eletropositivo for um elemento e mais
eletronegativo for o outro, maior ser a probabilidade de formarem um
composto intermetlico (ruim) em vez de uma soluo slida substitucional.
d-) Valncia: Sendo iguais todos os demais fatores, um metal apresentar
maior tendncia de dissolver um outro metal de maior valncia do que um
metal de menor valncia.
Um exemplo de uma soluo slida substitucional encontrada para o
cobre e o nquel. Esses dois elementos so completamente solveis um no
outro, em todas as propores, ou seja, possuem raio atmico bem parecidos,
ambos possuem estruturas cristalinas CFC e suas eletronegatividades tambm
so favorveis.
No caso das solues slidas intersticiais, os tomos de impureza
preenchem os espaos vazios ou interstcios que existem entre os tomos
hospedeiros (figura 4). Para os materiais metlicos que possuem fatores de
empacotamento atmico relativamente elevados, essas posies intersticiais

so relativamente pequenas. Consequentemente, o dimetro atmico de uma


impureza intersticial deve ser substancialmente menor do que aquele dos
tomos hospedeiros. Normalmente, a concentrao mxima permissvel de
tomos de impureza intersticiais baixa (inferior a 10%). Alguns tomos de
impurezas mesmo muito pequenos podem ser normalmente maiores do que os
espaos entre os tomos hospedeiros, como consequncia, eles introduzem
algumas deformaes de rede sobre os tomos hospedeiros adjacentes.

Figura 4: Representao de um tomo intersticial dentro da soluo slida.

Um exemplo de soluo slida intersticial ocorre com o carbono


adicionado

ao

ferro.

concentrao

mxima

de

carbono

de

aproximadamente 2%. O raio atmico do tomo de carbono muito menor do


que o do ferro: 0,071nm contra 0,124nm. Tambm so possveis solues
slidas para os materiais cermicos.
3. IMPERFEIES DIVERSAS:
3.1. Defeitos Lineares:
Uma discordncia um defeito linear ou unidimensional entorno do qual
alguns dos tomos esto desalinhados.
3.1.1. Discordncia aresta:
Um tipo de discordncia est representado na figura 5, na qual se
observa uma parte extra de um plano de tomos cuja aresta termina no interior
do cristal. Essa denominada discordncia aresta e um tipo de defeito
linear centralizado ao redor da linha que definida ao longo da extremidade do

semiplano extra de tomos. Essa linha denominada algumas vezes de linha


de discordncia.

Figura 5: Posies atmicas ao redor de uma discordncia aresta. O semiplano extra


de tomos est mostrado em perspectiva.

Na regio ao redor da linha de discordncia, existe alguma distoro


localizada da rede cristalina. Os tomos acima da linha de discordncia so
afastados uns em relao aos outros, isso se reflete na ligeira curvatura dos
planos verticais dos tomos, conforme eles se curvam entorno desse
semiplano extra. A magnitude dessa distoro diminui com o aumento da
distncia linha da discordncia. Em posies afastadas, a rede cristalina
virtualmente perfeita.
3.1.2. Discordncia espiral:
Existe outro tipo de discordncia, conhecido como discordncia
espiral, que pode ser entendida como aquela gerada por uma tenso
cisalhante que aplicada para produzir a distoro mostrada na figura 6a. A
regio anterior superior do cristal deslocada uma distncia atmica para a
direita em relao poro inferior. A distoro atmica associada a uma
discordncia espiral tambm linear e est localizada ao longo de uma linha
da discordncia, a linha AB mostrada na figura 6b. A discordncia espiral
recebeu essa denominao devido trajetria ou inclinao em espiral ou

helicoidal que traada ao redor da linha da discordncia pelos planos


atmicos de tomos.

Figura 6a: Uma discordncia espiral no interior do cristal.

Figura 6b: A discordncia espiral da figura 6 vista de cima.

Algumas vezes, o smbolo


espiral.

usado para designar uma discordncia

3.1.3. Discordncia mista:


A maioria das discordncias encontradas nos materiais cristalinos no
provavelmente nem uma discordncia puramente aresta nem uma discordncia
puramente espiral, mas exibe componentes de ambos os tipos. Essas so
denominadas discordncias mistas e est representada na figura 7, abaixo.

Figura 7: Discordncia espiral mista que possui caractersticas da discordncia em


aresta e em espiral.

A magnitude e a direo da distoro da rede associadas a uma


discordncia so expressas em termos de um vetor de Burgers, representado
nas figuras por b.
3.2. Defeitos Interfaciais:
Os defeitos interfaciais so contornos que possuem duas dimenses e
que normalmente separam duas regies dos materiais que possuem diferentes
estruturas cristalinas e/ou orientaes cristalogrficas. Essas imperfeies
incluem: as superfcies externas, os contornos de gros, os contornos de
maclas, as falhas de empilhamento e os contornos de fase.
3.2.1. Superfcies externas:
Um dos contornos mais bvios a superfcie externa, ao longo da qual
termina a estrutura do cristal. Os tomos da superfcie no esto ligados ao
nmero mximo de vizinhos mais prximos, e esto, portanto, em um estado

de energia maior do que os tomos nas posies interiores. As ligaes desses


tomos na superfcie que no esto completas do origem a uma energia de
superfcie. Para reduzir essa energia, os materiais tendem a minimizar, quando
possvel, a rea total de sua superfcie. Por exemplo, os lquidos assumem
uma forma com uma rea mnima, ou seja, as gotculas se tornam esfricas.
Porm com os slidos isso no possvel, pois so mecanicamente rgidos.
3.2.2. Contornos de gro:
Outro defeito interfacial o contorno de gro. Trata-se do contorno que
separa dois pequenos gros ou cristais que possuem diferentes orientaes
cristalogrficas em materiais policristalinos. Um contorno de gro est
representado esquematicamente e numa perspectiva atmica na figura 8. Na
regio do contorno, que possui provavelmente uma largura de apenas alguns
poucos tomos, existe algum desalinhamento dos tomos na transio da
orientao cristalina de um gro para a orientao de um gro adjacente, o que
inevitavelmente causa imperfeies.

Figura 8: Diagrama esquemtico mostrando contornos de gro de ngulo menor e de


ngulo maior.

Apesar desse arranjo desordenado dos tomos e da falta de uma


ligao regular ao longo dos contornos de gros, um material policristalino
ainda muito resistente, pois esto presentes foras de coeso no interior e
atravs dos contornos. A figura 9 apresenta o perfil de contorno de gro em
ampliao.

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Figura 9: Fotomicrografia destacando os contornos de gros do metal.

3.2.3. Contornos de Macla:


Macla
Um contorno de macla um tipo especial de contorno de gro atravs
do qual existe uma simetria espelhada especfica da rede cristalina, ou seja, os
tomos em um dos lados do contorno esto localizados em posies de
imagem em espelho em relao aos tomos no outro lado do contorno
co
(figura
10). A regio de material entre esses contornos chamada apropriadamente
de macla.. As maclas resultam de deslocamentos atmicos que so produzidos
a partir de foras mecnicas de cisalhamento (maclas de deformao) e,
tambm durante tratamentos
tratamentos trmicos de recozimento realizados aps
deformaes (maclas de recozimento).

Figura 10: Diagrama esquemtico mostrando um plano ou contorno de macla e as


posies atmicas adjacentes (crculos).

A maclagem ocorre em um plano cristalogrfico definido e em uma


direo especfica, sendo que ambos dependem da estrutura cristalina. As

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maclas de recozimento so encontradas tipicamente em metais que possuem


estrutura cristalina CFC, enquanto as maclas de deformao so observadas
nos metais CCC e HC.
3.3. Defeitos volumtrico ou de massa:
Existem outros tipos de defeitos em todos os materiais slidos, que so
muito maiores do que aqueles que foram discutidos at o momento. Esses
incluem os poros, as trincas, incluses exgenas (partes da escria, por
exemplo) e outras fases. Eles so introduzidos normalmente durante as etapas
de processamento e de fabricao.
3.4. Vibraes atmicas:
Todos os tomos presentes em um material slido esto vibrando muito
rapidamente entorno de sua posio na rede dentro do cristal. Em um certo
sentido,

essas

vibraes

atmicas

podem

ser

consideradas

como

imperfeies ou defeitos. Em qualquer momento, nem todos os tomos vibram


com a mesma frequncia ou amplitude nem tampouco tm a mesma energia.
Em uma dada temperatura, ir existir uma distribuio de energias para os
tomos constituintes entorno de uma energia mdia. Ao longo do tempo, a
energia vibracional de qualquer tomo especfico tambm ir variar de maneira
aleatria. Com o aumento da temperatura essa energia mdia ir aumentar e,
de fato, a temperatura de um slido realmente apenas uma medida da
atividade vibracional mdia dos tomos e molculas. temperatura ambiente,
a freqncia de vibrao tpica da ordem de 1013 vibraes por segundo
enquanto a amplitude de uns poucos milsimos de nanmetro.
Muitas propriedades e processos nos slidos so manifestaes desse
movimento de vibrao dos tomos. Por exemplo, a fuso ocorre quando as
vibraes so suficientemente vigorosas para romper grande nmero de
ligaes atmicas.
4. ANLISES MICROSCPICAS:
Ocasionalmente necessrio ou desejvel examinar os elementos
estruturais e os defeitos que influenciam as propriedades dos materiais. Alguns

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elementos estruturais possuem dimenses macroscpicas, isto , so


suficientemente grandes para serem observados a olho nu. Por exemplo, a
forma e o tamanho ou dimetro mdio dos gros para uma amostra
policristalina so caractersticas estruturais importantes. Com freqncia os
gros macroscpicos so evidentes em alguns materiais ao nosso redor como
algumas estruturas em alumnio ou em barreiras de segurana (guard rails) nas
rodovias. Entretanto na maioria dos materiais, os gros constituintes possuem
dimenses microscpicas, com dimetros que podem ser da ordem de alguns
micra (10-6 m) e os seus detalhes devem ser investigados utilizando-se algum
tipo de microscpio.
O exame microscpico uma ferramenta extremamente til no estudo e
na caracterizao dos materiais. Aplicaes importantes das anlises
microestruturais so:

Assegurar que as associaes entre as propriedades e a estrutura (e


os defeitos) sejam compreendidas da forma correta;

Prever as propriedades dos materiais uma vez que essas relaes


tenham sido estabelecidas;

Projetar ligas com novas combinaes de propriedades;

Determinar se um material foi ou no tratado termicamente da


maneira correta;

Verificar o modo de uma fratura mecnica;

Vrias tcnicas comumente utilizadas em tais investigaes so


discutidas a seguir.
4.1. Tcnicas microscpicas:
4.1.1. Microscopia ptica:
Na microscopia tica, o microscpio ptico (figura 11) utilizado para
estudar a microestrutura. Os elementos bsicos desse microscpio so:
sistemas pticos e iluminao. Para materiais opacos luz visvel (todos os
metais e muitos materiais cermicos e polimricos), apenas a superfcie do
material est sujeita a observao, sendo, portanto, o microscpio ptico usado
no modo de reflexo. Os contrastes na imagem produzida resultam das
diferenas na refletividade das vrias regies da microestrutura. As

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investigaes desse tipo so frequentemente chamadas de metalogrficas,


uma vez que os metais foram os primeiros materiais a serem examinados com
o emprego dessa tcnica.

Figura 11: Microscpio ptico para anlise de microestruturas.

Normalmente, preparos de superfcies cuidadosos e meticulosos so


necessrios para revelar os detalhes importantes da microestrutura. A
superfcie da amostra deve ser primeiro lixada e polida, at atingir um
acabamento liso e espelhado. Isso conseguido utilizando-se papis e ps
abrasivos sucessivamente mais finos. A microestrutura revelada mediante a
aplicao de um tratamento de superfcie que emprega reagente qumico
apropriado, em um procedimento conhecido por ataque qumico. A reatividade
qumica dos gros de alguns materiais monofsicos depende da orientao
cristalogrfica.

Consequentemente,

em

uma

amostra

policristalina,

as

caractersticas apresentadas aps o ataque qumico variam de gro para gro.


A figura 12 mostra como a luz que incide em uma direo perpendicular
superfcie do gro refletida por trs gros diferentes que tiveram suas
superfcies submetidas a um ataque qumico, onde cada gro possui uma
orientao diferente.

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Figura 12: Seo feita atravs dos gros, mostrando como as caractersticas do
tratamento qumico e a textura da superfcie resultante variam de gro para gro, devido a
diferena na orientao cristalogrfica.

A figura 13 mostra a estrutura da superfcie da maneira como ela pode


parecer quando vista atravs de um microscpio. O brilho ou textura de cada
gro depende das suas propriedades de reflectncia.

Figura 13: Gros polidos e atacados quimicamente da forma como eles podem
aparecer quando vistos atravs de um microscpio ptico.

Uma fotomicrografia de uma amostra policristalina que exibe as


diferenas entre os gros devido as diferenas de reflectncia, est mostrada
na figura 14 abaixo.

Figura 14: Fotomicrografia de uma amostra de lato policristalino. Ampliao 60x.

Pequenos sulcos so formados ao longo dos contornos dos gros, como


conseqncia do processo de ataque qumico. Uma vez que os tomos ao
longo das regies dos contornos de gros so quimicamente mais reativos,
eles se dissolvem a uma velocidade maior do que aqueles que esto
localizados no interior dos gros. Esses sulcos se tornam identificveis quando

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vistos sob um microscpio, pois refletem a luz em ngulos diferentes daqueles


apresentados pelos gros propriamente ditos, como representado na figura 15.

Figura 15: Seo de um contorno de gro e o seu sulco de superfcie produzido atravs
de um ataque qumico. Nota-se a diferente reflexo da luz na direo do sulco comparado com
a reflexo da superfcie plana ao seu redor.

A figura 16 refere-se a uma fotomicrografia de uma amostra policristalina


onde os sulcos nos contornos dos gros esto claramente visveis na forma de
linhas escuras.

Figura 16: Fotomicrografia da superfcie de uma amostra de uma liga de ferro-cromo


policristalina, polida e atacada quimicamente, onde os contornos de gros aparecem na forma
de linhas escuras. Ampliao 100x.

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Quando a microestrutura de uma liga bifsica examinada, seleciona-se


em geral um agente de ataque qumico capaz de produzir uma textura diferente
para cada fase, de modo que as diferentes fases consigam ser distinguidas
umas das outras.
4.1.2. Microscopia eletrnica:
O limite superior para a ampliao, possvel de ser obtida com um
microscpio ptico de aproximadamente 2000x. Consequentemente, alguns
elementos estruturais so muito finos ou pequenos para permitir sua
observao atravs de microscopia ptica. Sob tais circunstncias, o
microscpio eletrnico (figura 17), que capaz de ampliaes muito maiores,
pode ser empregado.

Figura 17: Microscpio eletrnico esquerda e direita seus principais componentes.

Uma imagem da estrutura que est sendo investigada formada com o


emprego de feixes de eltrons em lugar de radiao luminosa. As grandes
ampliaes e poderes de resoluo desses microscpios so conseqncia
dos curtos comprimentos de onde dos feixes de eltrons. O feixe de eltrons
focado e a imagem formada atravs de lentes magnticas. Em todos os
demais aspectos, a geometria dos componentes do microscpio eletrnico
essencialmente a mesma dos sistemas ticos. Ambas as modalidades de
operao com feixes (de transmisso e de reflexo) so possveis para os
microscpios eletrnicos.

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a-) Microscopia eletrnica de transmisso:


A imagem vista com um microscpio eletrnico de transmisso (MET)
formada por um feixe de eltrons que passa atravs da amostra. Os detalhes
das

caractersticas

da

microestrutura

interna

tornam-se

acessveis

observao. Os contrastes na imagem so gerados pelas diferenas no


espelhamento ou difrao do feixe, produzidas entre os vrios elementos da
microestrutura ou do defeito. Uma vez que os materiais slidos so altamente
absorventes para feixes de eltrons, para uma amostra poder ser examinada,
ela deve ser preparada na forma de uma pelcula muito fina. Isso assegura a
transmisso de pelo menos uma frao aprecivel do feixe incidente atravs da
amostra. O feixe transmitido projetado sobre uma tela fluorescente ou um
filme fotogrfico, de modo que a imagem possa ser vista. Ampliaes que se
aproximam de 1.000.000x so possveis atravs da microscopia eletrnica de
transmisso, usada com frequncia no estudo de discordncias.
b-) Microscopia eletrnica de varredura:
Uma ferramenta de investigao mais recente e extremamente til a
microscopia eletrnica de varredura (MEV). Utiliza de um tipo de
microscpio eletrnico capaz de produzir imagens de alta resoluo da
superfcie de uma amostra (figura 18). A superfcie da amostra a ser
examinada varrida com um feixe de eltrons, e o feixe de eltrons refletido
(ou retroespelhado) coletado e ento mostrado mesma taxa de varredura
sobre um tubo de raios catdicos (semelhante a uma tela de TV). A imagem na
tela, que pode ser fotografada, representa as caractersticas da superfcie da
amostra.

Figura 18: Microscpio eletrnico de varredura com a cmara aberta para


colocao de amostra aberta.

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A superfcie pode ou no estar polida e ter sido submetida a um ataque


qumico, porm ela deve, necessariamente, ser condutora de eletricidade. Um
revestimento metlico muito fino deve ser aplicado sobre a superfcie, no caso
de materiais no condutores. So possveis ampliaes que variam entre 10 e
mais de 50.000x, da mesma forma que tambm so possveis profundidades
de campo muito grandes. Acessrios permitem as anlises qualitativa e
semiquantitativa da composio elementar em reas muito localizadas da
superfcie.
4.1.3. Microscopia de Ponta de Prova:
Por volta de 1990, o campo da microscopia experimentou uma revoluo
com o desenvolvimento de uma nova famlia de microscpios de varredura com
ponta de prova. Esse microscpio com ponta de prova (MPP), para o qual
existem diversas variedades, difere dos microscpios pticos e eletrnicos pelo
fato de que nem a luz nem eltrons so usados para formar uma imagem.
Nesse caso, o microscpio gera um mapa topogrfico, em uma escala atmica,
que uma representao das propriedades da superfcie e das caractersticas
da amostra sob exame. Algumas das caractersticas que diferenciam a MPP
das outras tcnicas de microscopia so as seguintes:

possvel a realizao de um exame em escala nanomtrica, uma


vez que so possveis ampliaes de at 109x. possvel a obteno
de resolues muito melhores do que as obtidas com qualquer outra
tcnica de microscopia.

So geradas imagens ampliadas tridimensionais, que fornecem


informaes topogrficas sobre as caractersticas de interesse.

Alguns MPP podem ser operados em diversos ambientes, por


exemplo: vcuo, ar, lquido. Dessa forma, uma amostra particular
pode ser examinada dentro do seu ambiente mais apropriado.

Os microscpios componta de prova empregam uma minscula sonda


com uma extremidade extremamente fina, que colocada em grande
proximidade (isto , dentro de uma distncia da ordem do nanmetro) com a
superfcie da amostra. Essa sonda ento submetida a uma varredura de
explorao ao longo do plano da superfcie. Os movimentos da sonda so
controlados por meio de componentes cermicos piezeltricos, que possuem

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resolues da ordem do nanmetro. Esses movimentos da sonda so


monitorados eletronicamente e transferidos para um computador, onde so
armazenados. O computador gera ento a imagem tridimensional da superfcie.
O advento da MPP nos ajudou a entrar na era dos nanomateriais,
materiais cujas propriedades so projetadas atravs da engenharia das suas
estruturas atmicas e moleculares.
4.2. Determinao do tamanho de gro:
Dentro das anlises microscpicas, a determinao do tamanho de
gro uma das caractersticas dos materiais policristalinos comumente
verificada, quando as propriedades desse material esto sendo levantadas.
O tamanho de gro determinado frequentemente atravs de tcnicas
fotomicrogrficas, sendo que dois mtodos so os mais utilizados, so eles:

Mtodo de interseo.

Quadros de comparao padronizados.

a) Mtodo de interseo:
Esse mtodo consiste em traar diversas linhas retas, todas com o
mesmo comprimento sobre vrias micrografias que mostram a estrutura do
gro. So contados os gros interceptados por cada segmento de linha. O
comprimento da linha ento dividido por uma mdia do nmero de gros
interceptados em todos os segmentos. O dimetro mdio de gro
determinado pela diviso desse resultado pela ampliao linear das
fotomicrografias.
b) Quadros de comparao padronizados:
o mtodo mais comumente utilizado e foi preparado pela ASTM
(American Society for Testing and Materials), que produziu vrios quadros de
comparao padronizados todos contendo diferentes tamanhos mdios de
gro. A cada um desses quadros atribudo um nmero que varia de 1 a 10,
conhecido por nmero de tamanho de gro. O mtodo consiste em preparar
devidamente uma amostra para revelar a estrutura do gro, a qual
fotografada sob uma ampliao de 100x. O tamanho de gro expresso em
termos do nmero do tamanho de gro que obtido simplesmente por meio da

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comparao entre a fotografia obtida e os quadros de comparao


padronizados. O nmero do tamanho de gro ir equivaler ao quadro cujos
gros mais se assemelham queles que aparecem na micrografia. Dessa
forma possvel uma determinao visual relativamente simples e conveniente
do nmero do tamanho de gro.
gro
O raciocnio que est por trs da atribuio do nmero do tamanho de
gro a esses diferentes quadros de comparao padronizados, o que est
descrito na equao abaixo, onde n representa o nmero do tamanho de
gro e N representa o nmero mdio de gros por polegada quadrada a uma
ampliao de 100x. Esses
sses dois parmetros esto relacionados atravs da
expresso:

O nmero do tamanho de gro muitas vezes usado na especificao


de aos.

Bibliografia:

PLT Fundamentos da cincia e engenharia de materiais Autor:


William D. Callister Jr. Pginas: 91113.

Hermano.