Dispositivos Electrnicos para Alta tensin

El transistor Bipolar de Puerta

Aislada( I.G.B.T)
Dispositivos Elctricos
3 Practicas calificada

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los aos 80

Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET

La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por

tensin y no por corriente

EL IGBT DE POTENCIA

C
MOSFET

Bipolar

G
E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)

No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N

EL IGBT DE POTENCIA

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida

Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor
El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

EL IGBT DE POTENCIA

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
A mayor temperatura, menor
cada de tensin

Conduce ms corriente
Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Encapsulados de IGBT

Mdulos de potencia
TO 220

MTP

EL IGBT DE POTENCIA

TO 247

Encapsulados de IGBT

Tipos IGBT

IGBT Corte y Saturacin

Uno de los uso ms frecuentes es:

Variadores de Velocidad

Anlisis de una falla de IGBT

Revisin de la parte de entrada

y salida de un Variador

Revisin de la parte de entrada

y salida de un Variador

EL IGBT DE POTENCIA

APLICACIONES DE IBJT

EL IGBT DE POTENCIA

EL IGBT DE POTENCIA

EL IGBT DE POTENCIA

EL IGBT DE POTENCIA

Algunas posibles aplicaciones de los distintos

dispositivos de electrnica de potencia

CIRCUITO

EL IGBT DE POTENCIA

CUATRO CAPAS PNPN

VGE ALIMENTADO--> IGBT ON

IC es conducida y el voltaje VCE de valor de bloqueo hasta cero.
Si Tiempo encendido < 1s

IC=IL

VG=0IGBT OFF
Estado de conduccin al estado de bloqueo = 2us
5V<VGE=VTH>3V

SI VTH >5 VCE cae a 2v

{ 50Khz }

IGBT EN SERIE
Para optimizar el trabajo en voltaje

IGBT EN PARALELO
Reparticin igual de corriente los transistores deben estar pareados:

EL IGBT DE POTENCIA

Ganancia
Transconductancia
Voltaje de saturacion
Tipo de activ. Y desact.

EN LA PRACTICA:
45% Y 55%
REGIMEN PERMANENTE
La resistencia ayuda a compartir la
corriente
CONDICIONES DINAMICAS
Inductor ayuda a compartir la
corriente

EJERCICIO

Calcular la excitacin de un IGBT que tiene las siguientes caractersticas:

VTH=2 a 4V.
Capacidades parsitas= las de la figura.
VGSmx=20V
Se precisa que el IGBT conmute al cabo de 50ns o
VDSmx=100V
menos. Si la tensin de excitacin es de 12V y la de
alimentacin es de 100V calcular la corriente necesaria
y la RB que la limite.

EL IGBT DE POTENCIA

Capacitance {IN, COUT}--> A MAS 60V es de 300pF y 50pF

Variador de velocidad AC
EL IGBT DE POTENCIA

Un motor AC puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor

nominal y an conservar las caractersticas nominales de su torque

cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo tiempo, es

por medio de un circuito Inversor.
VOLTAJE SENO-PWM

EL IGBT DE POTENCIA