Laboratorio N 03: EL TRANSISTOR

BIPOLAR: POLARIZACIN, CORTE

Y SATURACIN.
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per

Campos Callan Manuel Francisco

mcc5023@gmail.com
INTRODUCCIN
Desde su creacion el transitor ha sido uno de los mejores inventos que ha desarrollado la
ingenieria electronica, este fue inventado en los laboratorios bell y a sido de gran ayuda en el
desarrollo de muchos artefactos mas avanzados, su funcionamiento solo puede ser explicado por
la mecanica cuantica al ser un dispositivo hecho con tecnologia del estado solido.
I.

OBJETIVO

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como

finalidad:

Conocer las caractersticas tcnicas y los

requerimientos de uso del transistor.
Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
obtencin de las curvas caractersticas del
transistor Bipolar.
Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
obtencin de los data sheet de los dispositivos a
usar de Internet y los equipos de medicin.
Determinar las operaciones de corte y saturacin
de los transistores.

II.

TEORA

A. El Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor utilizado para entregar una seal de
salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin
en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia).
Actualmente
se
encuentran
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio
y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares,
entre otros.

Tipos:

-Transistor bipolar: hecho por 2 componentes

semiconductores puestos de forama intercalada en 3 zonas,
tiene 3 salidas llamadas Emisor Colector y Base.

-Transistor con efecto de campo (FET): El

transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una
barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En
los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se
producir una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin
positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

III.

RESPUESTAS A PREGUNTAS

A. Realice los clculos para hallar Ib, Ic

usando algun software de simulacin.

VCE=1

Circuito 1

VCE=2

Circuito 2

VCE=3
Circuito 3

VCE=5

B. Simule los pasos de la gua de

laboratorio y anote las tensiones y
corrientes que se piden en el
experimento.
Circuito 1:
VCE=0.2

C. Con los valores obtenidos con el

simulador, haga las grficas de las
curvas Ic vs VCE
Circuito 1: Me salio Una grafica semilogaritmica
igual que en los libros!!!

VCE=0.5

D. Obtenga el Datasheet del transistor y

determine las caracteristicas de corte y

saturacion, asi como el punto de

operacin del 2N2222 y el 2N3904.

IV.

DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

TABLA 2
DATA SHEET DEL TRANSISTOR 2N2222

V.

EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

DATA SHEET DEL TRANSISTOR BC548A

1 transistor NPN 2N2222 2N3904

1 Resistencias de 100 , 2 de 1 K de 1W
Resistencias de 10K ,15K ,56K ,22K
,180K .
1 potenciometro lineal de 50 K y 500 K de
0.5W
2 transistores BJT iguales BC548A
2 diodos LED
01 protoboard
2 Fuentes DC, puntas de prueba.
2 fuentes DC; puntas de prueba
01 protoboard y cables conectores

1 multmetro
1 generador de ondas
1 osciloscopio, puntas de prueba
1 amperimetro analogico

E. Verifique las conexiones con el multimetro,

ajuste la fuente a 12VDC y conectela al
circuito.
F.

La corriente de base(IB),Obtenida en el
informe precio, la puede ajustar con el
potenciometro de 500K. La corriente de
base(IB), la puede medir indiderectamente
con la tension en la resistencia de 10K. La
tension de colector emisor (V CE) la puede
ajustarb con el potenciometro de 50K, la
corriente de colector (Ic) la puede medir
directamente con la tension en la
resistencia de 10K si solo cuenta con un
ampermetro.
G. Para determinar las curvas Ic vs VCE ,
ajuste y mantenga Ib en 40uA y llene las
siguiente tabla.
VC

0.2

0.5

IC
Fig. 3 El osciloscopio

Ajuste y mantenga IB en 80 uA y llene la

sigueinte tabla:
VI.

DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA

VC

0.2

0.5

H. Obtener las curvas Ic vs IB : (=Ic/IB )

Mantenga VCE =5v y llene
siguiente tabla:

la

IC

POLARIZACION.CURVAS DE
TRANSISTOR
A. Mida las resistencias y los potenciometros
con el multimetro y anote los valores.
B. Determine los terminales del transistor con
el multmetro o use los manuales e imprima
el Datasheet obtenida en Internet(Nota , si
el multmetro tiene probador de
transistores selo)

VC

10

20

30

40

50

60

70

80

90

7
0

8
0

9
0

10
0

11
0

IC

C. Arme el siguiente circuito.

I.

Obtener las curvas IB vs VCE

IB(uA
)

1
0

2
0

3
0

4
0

5
0

6
0

VCE

TRANSISTORES BIPOLARES EN ZONA

ACTIVA, CORTE Y SATURACIN.
D.

Si usa un transistor equivalente busque en

el Data sheet sus caracteristicas y
modifique el voltaje de entrada si es
necesario.

J.

Arme el siguiente circuito:

C. Medir las tensiones Vc,VE,VB para

trazar la recta de carga del
circuito,variando Rs.

K. Polarizar el dispositivo y medir Vc y V B

para completar la siguiente tabla:
Vs

Vc
VB
Ic
IB
Beta

L.

A partir de esta tabla graficar la curva de

transferencia de entrada a la salida Vc vs
VB si es necesario tomar medidas de
puntos intermedios.

M. Graficar la curva de transferencia de

corrientes(Ic vs IB) y el beta de la
misma(BETA vs Ic)

SIMULACIN
Escala 5v/Div

A. Simulacin (tomando datos de R1)

B. Armar el Cirucito de la figura:

10

Rs
Vs
Vc
VE
Ic
IB
Zona

56K

47K

22K

15K

3.3K

D. Graficar en un mismo plano las

diferenres rectas de carga, a colores ,
indicando las zonas de operacin.
Adjuntar las Datasheet con los datos
de de los transistores utilizados.
E. Armar el circuito de la figura 2 ,
conectar los diodos LED en serie con
las resistencias R1 y R2 , colocar en
V3 una fuente DC y reeplazar R1 por
un potenciometro.
F. Para determianr la region activa varie
el voltaje de entrada V3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma
que pueda determinar el intervalo de
votaje(Vmin<v3<Vmax) que mantiene
el transistor operando en la region
activa.
G. Para determinar cuando el transistor
esta en corte o esta en satuiracion,
aumentar de 1 V en 1v el Vmax DC de
V3 hasta encontrar un cambio en V0.
Luego repetoir el procedimiento
disminuyendo Vmin de V3 desde el
ultimo valor de V hasta cero.
H. En la simulacion determianr la
resistencias de R1 que facilite el corte
dy saturacion de manera mas rapida y
usar ese valor en la practica de
laboratorio
I. Tomar datos y completar la siguiente
tabla.
ZONA DE
CORTE

ZONA ACTIVA

ZONA DE
SATURACION

VBE<

__< VBE <__

VBE=

IB=
IC=
IE=
VCE<

VII.

___< IB <___
___< IC <___
___< IE <___
__< VCE <__

IB=
IC=
IE=
VCE=

PREGUNTAS PARA EL
INFORME FINAL

A.Haga una tabla comparando los

valores teoricos con los valores
experimentalesCmo los explica?
B.Para el circuito de la fig 1 , obtenga
las graficas de las curvas IC vs VCE;IC
vs IB;IC vs IB;BETA vs IC e IB vs VBE
Qu diferencia observa entre las
curvas tericas y experimentales?
C.Para los circuitos de las figuras
1,2,3. Presente la forma de onda de
entrada(Vm) y de la carga VL obtenida
en el laboratorio . Que relacion de
fases hay entre ellas?
D.Observe los limites para la zona
activa y comparelos con los valores
obtenidos para la region de saturacion
y corte.
E.indique y explique sus observaciones
y conclusiones.
VIII.
[1]
[2]

BIBLIOGRAFA

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky,

Electroni devices and circuit theory, 10th edition.
Charles K. Alexander and Matthew Sadiku N. O.