MODOS DE OPERACIN DEL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO

Andrs Gmez, Nicols Osorio,Jair Palacios

Facultad de Ingeniera, Universidad San Buenaventura
Bogot, Colombia
afgomezf@academia.usbbog.edu.co
bjpalacios@academia.usbbog.edu.co
nosorio@academia.usbbog.edu.co
Abstract
Develop an amplifier with low proportions to be transported and used anywhere without connecting to a power
outlet for amateur musicians on electric guitar and besides that result interactive , as it will include lights that light
up with the pace of amplifier.
Resumen
En este informe encontrar que es un transistor JFET, las utilidades, como se construye, sus componentes, entre
otras que permitirn comprender la importancia de un dispositivo de este tipo en cada uno de sus usos

I. Introduccin.
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en
espaol transistor de efecto de camp de juntura o unin)
es un dispositivo electrnico de tres terminales que
puede ser usado como interruptor electrnicamente
controlado, amplificador o resistencia controlada por
voltaje. Posee tres terminales, comnmente llamados:
drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
III. Objetivo general.
Establecer cada uno de los modos de operacin del
transistor de efecto de campo y a partir de estos
analizarlos tanto terica como experimentalmente as
asegurando cada uno de sus funcionamientos.
IV. Objetivos especficos

determinar los diferentes modos de operacin

del transistor de efecto campo y las
caractersticas que presenta este dispositivo al
operar en cada uno de estos modos (zonas de
operacin).
.

Analizar tericamente y de forma experimental

circuitos de polarizacin con transistores de
efecto de campo e identificar la zona de
operacin en cada caso.

VI. marco terico

Caractersticas de salida para un JFET: En la
Figura 1(a) se muestra un JFET con voltajes de
polarizacin aplicados entre compuerta- fuente y
drenador-fuente. Al aplicar un voltaje de compuerta
de cero VGG=VGS= 0V (corto circuito), la corriente
en el drenador ID se incrementa rpidamente
conforme se incrementa el voltaje VDD=VDS, hasta
llegar al valor mximo establecido por IDSS
(corriente drenador-fuente de saturacin). Este valor
mximo se obtiene cuando el voltaje entre drenadorfuente es igual a VDS=Vp, este ltimo se conoce
como voltaje de estrangulamiento del JFET. A partir
de este voltaje el comportamiento de la corriente ID
se estabiliza y se vuelve casi constante (observe la
Figura 1(b)).

Figura 1 (a) Polarizacin de un JFET canal N b) Curva

caracterstica que ilustra la corriente drenador fuente de
saturacin (IDSS) y el voltaje de estrangulamiento VP.
La Figura 2 muestra el conjunto de curvas caractersticas
y la caracterstica de transferencia para un JFET canal N,
en ella se indican las diferentes zonas de operacin:
regin de corte, zona activa; regin hmica y voltaje de
ruptura o avalancha
Zona activa:
La zona activa de JFET se localiza aproximadamente
entre los voltajes VDS (sat) VDS VDS (max); donde
VDS (sat) es el voltaje drenador-fuente de saturacin,
cuando VDS supera este valor el canal se estrecha y la
corriente ID se vuelve casi constante. A medida que
VGS se vuelve ms negativa (o ms positiva para un
JFET canal P) el estrangulamiento ocurre a valores
inferiores de VDS y la corriente de saturacin se vuelve
ms pequea. El lmite superior de la zona activa lo
impone el voltaje VDS max) que se conoce como voltaje
de ruptura o avalancha y es funcin tanto de VDS como
de VGS (observe la figura 2) La zona activa de
operacin tambin se conoce como regin de
operacin de amplificacin, regin de saturacin o
regin de estrangulamiento (pinch-off region). En esta
regin el JFET acta aproximadamente como una
fuente de corriente con un valor de ID casi constante,
siendo ID=IDSS el valor mximo alcanzado siempre
que VGS=0V. Este dato es uno de los ms importantes
del JFET ya que proporciona su limitacin de corriente.
Polarizacin de los JFETs. El propsito principal de la
polarizacin de un transistor de efecto de campo
consiste en la seleccin de un voltaje de CD de
compuerta-fuente adecuado para establecer un valor
deseado de la corriente de drenador, y por consecuencia,
un punto de operacin Q apropiado. Este punto de
operacin.

Figura 2. Curvas caractersticas del JFET en

el que se muestran las zonas de operacin.

Caracterstica de transferencia. En la Figura 2

tambin se aprecia la caracterstica de transferencia, la
cual es una grfica de la corriente de drenador ID
como funcin del voltaje compuerta-fuente VGS,
independiente del valor de VDS. Se advierte que la
curva no es lineal dado que la corriente aumenta
rpidamente cuando VGS se aproxima a cero. La
ecuacin para esta grfica es dada por:

Regin hmica.
Esta zona tambin se denomina regin controlada por
voltaje. Cuando un JFET opera en la zona hmica
acta como una resistencia la cual puede ser
controlada con el voltaje de compuerta- fuente VGS.
Un valor aproximado de esta resistencia se puede
evaluar como RDS=Vp/IDSS. En la Figura
2 se puede observar que su anchura depende del
voltaje VGS y su comportamiento es casi lineal
hasta antes de alcanzar el voltaje de estrangulamiento.
Regin de corte. La regin de corte ocurre cuando el
voltaje compuerta-fuente VGS es igual o mayor en
magnitud a VGS(corte)=VGS(off)= -Vp, este valor de
voltaje de compuerta-fuente reduce la corriente de

drenador casi a cero. Por lo que el canal de

conduccin del JFET desaparece.

Regin de ruptura. La Figura 2 tambin muestra que

los voltajes de ruptura o avalancha varan conforme se
modifican los voltajes VGS y VDS. El voltaje de
ruptura decrece conforme se incrementa la magnitud
del voltaje compuerta-fuente (ms negativo para un
JFET canal N o ms positivo para un JFET canal P).
Al incrementar el voltaje entre drenador-fuente ms
all del voltaje de ruptura VDS(max), la corriente de
drenador ID se incrementa rpidamente con un
pequeo incremento en VDS (cabe aclarar que este
fenmeno de ruptura o avalancha tambin ocurre en
los diodos y transistores BJT).
VII. desarrollo de laboratorio
I) Lea detenidamente el captulo
correspondiente de su libro de texto y
conteste lo siguiente:
Este punto de operacin puede ubicarse en la zona
activa, en la regin de corte o en la regin hmica. A
continuacin, se presentan algunas configuraciones
bsicas de los circuitos de polarizacin de JFETs canal
N.

a) Mencione cada una de las caractersticas

principales de estos circuitos de polarizacin.
b) Analice cada uno de estos circuitos y
establezca las ecuaciones para el clculo de los
voltajes VGS, VDS, VG. Realice el anlisis para
la corriente ID y en el circuito con polarizacin
con fuente de corriente establezca la ecuacin
para calcular IE.

II) Dibuje un circuito de polarizacin que

permita a un JFET operar en la regin hmica.
Explique la operacin de este circuito.
Explique el mecanismo que permite el control
de la resistencia en dicha regin?
III) Considere el circuito de la Figura 3(a) con
VDD=20V, RD=2KW, RS=200W y RG=50KW.
Los parmetros del JFET son IDSS=10mA y
VGS(corte)=-5V (Vp=5 V). En base a esta
informacin determine el punto de operacin Q
con los valores de IDQ, VGSQ y VDSQ.
Grafique las lneas de carga y la caracterstica de
transferencia e indique en que zona de operacin
se encuentra operando el JFET.
1.3 PROCEDIMIENTO
En esta seccin se analiza un circuito en
polarizacin de compuerta para un transistor de
efecto de campo y se determinan, a partir de las
mediciones realizadas, los modos de operacin
en la regin hmica, zona activa y en la regin
de corte. Este anlisis se llevara a cabo
realizando mediciones de voltaje y corriente, en
varios puntos de inters del circuito bajo prueba
y a travs de la interface grfica del Laboratorio
Remoto de Electrnica (eLab). Se realiza
tambin un anlisis terico del circuito bajo
prueba y se comparan posteriormente estos
resultados con los que arrojan las mediciones
del mismo. Para cada una de las mediciones y/o
clculos efectuados se deben agregar enseguida
las unidades respectivas, por ejemplo: para
mediciones de voltaje utilizar V, mV, V (rms),
etc; para las de corriente A, mA, A (rms), etc;
para frecuencia utilizar Hz o rad/s, segn el
caso. JFET canal N con polarizacin fija A
continuacin se presenta el procedimiento que
servir de gua durante el anlisis del circuito de
polarizacin con JFET que se ilustra en la
Figura 4. Los valores de las fuentes VDD y
VGG, se determinarn dentro de la interfase
grfica del Laboratorio Remoto de Electrnica
(eLab).
JFET canal N con polarizacin fija

a continuacin, se presenta el procedimiento

que servir de gua durante el anlisis del
circuito de polarizacin con JFET que se ilustra
en la Figura 4.

I)

Operacin en la regin hmica

En esta seccin del procedimiento se observar

el comportamiento del JFET en la regin
hmica. Se medir la resistencia hmica que
presenta el JFET en esta regin, y adems, se
controlar su valor mediante el voltaje de
compuerta VGS. La importancia de esta
aplicacin radica en el hecho de que es la base
para el diseo de resistencias variables o fijas
que son embebidas en circuitos integrados.

Grafica ID contra VDS en la regin hmica.

Con los datos de la tabla anterior realice una
grfica que muestre el comportamiento de
ID contra VDS. Anexe esta grafica en el
siguiente espacio

Calculo de la resistencia en regin

hmica. Con los datos de la tabla anterior
calcule la resistencia hmica para VGS=0 V.
Realice las operaciones que se indican a
continuacin.

Resistencia en la regin hmica para

VGS=-0.2 V. En esta seccin se calcular
el cambio en la resistencia hmica a
medida que se incrementa la magnitud
del voltaje de compuerta (ms negativo).
Basado en el circuito que se muestra en
la figura 4, realice los siguientes ajustes
en las fuentes de alimentacin:

Ajuste el voltaje de la compuerta a

VGS=-0.2V

Ahora, ajuste el voltaje VDD como se

indica en la siguiente tabla. Para cada
valor de VDD, mida el voltaje entre
drenador y fuente VDS y el voltaje en la
resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia
calcule la corriente de drenador ID.

Resistencia en la regin hmica para

VGS=0. Basado en el circuito que se
muestra en la figura 4, realice los siguientes
ajustes en las fuentes de alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a cero volts,
VGS=0V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en
la siguiente tabla, para cada valor de VDD, mida
el voltaje entre drenador y fuente VDS y el
voltaje en la resistencia de drenador. A partir de
la medicin de voltaje en la resistencia calcule
la corriente de drenador

Tabla I. Regin hmica para VGS= 0 V

Tabla II. Regin hmica para VGS= -0.2 V

Voltaje de
drenador a
fuente, VDS

Voltaje
en R, VR
VR1=0.008m

Corriente de
drenador, ID

VDD
0.3 V

VDS1=297.1mv

VDD
0.5 V

VDS2=0.479v

VR2=0.004

ID2= 0.058 ua

VDD
0.7 V

VDS3=0.672v

VR3=0.002

ID3= 0.029 ua

Voltaje de
drenador a
fuente, VDS

ID1=0.008 na

e) Calculo de la resistencia en la regin

hmica. Con los datos de la tabla anterior
calcule la resistencia hmica para VGS=-0.2
V. Realice las operaciones que se indican a
continuacin.

f) resistencia hmica a medida que se

incrementa la magnitud del voltaje de
compuerta (ms negativo). Basado en el
circuito que se muestra en la figura 4,
realice los siguientes ajustes en las fuentes
de alimentacinResistencia en regin
hmica para VGS=-0.6 V. En esta seccin
se calcular el cambio en la:
Ajuste el voltaje de la compuerta a VGS=0.6V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica
en la siguiente tabla. Para cada valor de
VDD, mida el voltaje entre drenador y fuente
VDS y el voltaje en la resistencia de
drenador. A partir de la medicion de voltaje
en la resistencia calcule la corriente de
drenador ID.
Tabla III. Regin hmica para VGS= -0.6 V

Voltaje en
R, VR

Corriente de
drenador, ID

VDD = 0.3
V

VDS1=263mv VR1=0.004 ID1= 0.004 nA

VDD = 0.5
V

VDS2=0.986v VR2=0.009 ID2= 0.132 uA

VDD = 0.7
V

VDS3=0.648v VR3=0.014 ID3=0.205 uA

g) Calculo de la resistencia en regin

hmica. Con los datos de la tabla anterior
calcule la resistencia hmica para VGS=-0.6
V. Realice las operaciones que se indican a
continuacin.

h) Conclusiones. En base a los resultados

anteriores determine el intervalo en el que
varia RDS (resistencia en la regin hmica) a
medida que el voltaje VGS cambia de 0V a
-0.6V

Este resultado indica que el objetivo de polarizar

a un JFET en la regin hmica es para usarlo
como un resistor variable controlado por voltaje.
En este caso el voltaje de control es V GS y su
resistencia se determina variando el punto de
operacin. Un circuito equivalente para el
circuito bajo anlisis al operar en la regin
hmica se ilustra en la Figura 6.

Tabla IV. Zona activa para VGS= 0 V

Voltaje de
drenador a
fuente, VDS

Figura 6. Circuito equivalente de polarizacin

para el JFET cuando opera en la regin hmica.
II)

Operacin en la zona activa

En esta seccin del procedimiento se observar

el comportamiento del JFET en la zona activa.
Se seleccionan 3 puntos de operacin en esta
zona y se calcula en base a mediciones de
voltaje el comportamiento de la corriente de
drenador ID y el del voltaje entre compuerta y
fuente VDS .
a) Operacin en la zona activa con
VGS=0. Basado en el circuito que
se muestra en la figura 4, realice
los siguientes ajustes en las
fuentes de alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a
cero volts, VGS=0V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se
indica en la siguiente tabla. Para
cada valor de VDD, mida el voltaje
entre drenador y fuente VDS y el
voltaje en la resistencia de
drenador. A partir de la medicion
de voltaje en la resistencia calcule
la corriente de drenador ID.

Voltaje en R,

VR

Corriente de
drenador, ID

VDD VDS1=1.582v

VR1=0.001

ID1= 0.001

VDD VDS2=1.232v

VR2=0.008m ID2=0.117 uA

VDD VDS3=1.345v

VR3=0.012

ID3=0.176 uA

b) Corriente de saturacin. Calcule

tericamente el valor de la
corriente de saturacin para estos
puntos de operacin y comprela
con las corrientes de drenador (ID1,
ID2 e ID3) obtenidas directamente de
las mediciones.

c) Resistencia de corriente alterna

entre drenador y fuente rds. El
concepto
de
resistencia
de
corriente alterna entre drenador y
fuente rds fue tratado ampliamente
en la prctica correspondiente a
curvas caractersticas de JFETs.
Esta resistencia se calcula con la
relacin:

donde para su calculo se han tomado los puntos

de operacin Q3 y Q1. Evalu la ecuacin
anterior y calcule rds.
d) Transconductancia en directa
gm. A partir de los datos
proporcionados durante la presente
practica y con el valor actual de VGS,

calcule la transconductancia para

cada uno de los puntos de
operacin. Coloque sus resultados
en la siguiente tabla.

e)Voltaje de estrangulamiento VP.

Manteniendo
el
voltaje
VGS
constante, reduzca el voltaje de la
fuente VDD por debajo de 3V (en
intervalos de 0.1 V). Mida el voltaje
de drenador a fuente V DS y el
voltaje en la resistencia, y calcule
la corriente de drenador ID. Realice
este procedimiento hasta que
encuentre el voltaje VDS de
estrangulamiento.

VDD = 7 VDS3=1.230v VR3=0.007 ID3=0.102 uA

V
mv

g)Corriente de saturacin. Calcule

tericamente el valor de la
corriente de saturacin para estos
puntos de operacin y comprelo
con las corrientes de drenador (ID1,
ID2 e ID3) obtenidas directamente de
las mediciones.

h) Resistencia de corriente alterna

en la zona activa con

VGS=-0.5 V. Basado en el circuito
que se muestra en la figura 4,
realice los siguientes ajustes en las
fuentes de alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a
VGS=-0.5V

entre drenador y fuente rds.

Calcule ahora la resistencia de CA
para estos puntos de operacin

f) Operacin

Ahora, ajuste el voltaje VDD como se

indica en la siguiente tabla. Para
cada valor de VDD, mida el voltaje
entre drenador y fuente VDS y el
voltaje en la resistencia de
drenador. A partir de la medicion
de voltaje en la resistencia calcule
la corriente de drenador ID.

Tabla V. Zona activa para VGS= -0.5 V

Voltaje de
drenador a
fuente, VDS

Voltaje en
R, VR

Corriente de
drenador, ID

VDD = 3 VDS1=1.070v VR1=0.014 ID1=0.014 nA

V
mv
VDD = 5 VDS2=1.173v VR2=0.015 ID2=0.22 uA
V
mv

Donde para su clculo se han tomado los

puntos de operacin Q3 y Q1.
Compare esta resistencia con la obtenida
para VGS=0.

i)

Transconductancia en directa
gm. A partir de los datos
proporcionados durante la presente
practica y con el valor actual de VGS,
calcule la transconductancia para
cada uno de los puntos de
operacin.

 Ahora, ajuste el voltaje VDD como se

indica en la siguiente tabla. Para
cada valor de VDD, mida el voltaje
entre drenador y fuente VDS y el
voltaje en la resistencia de
drenador. A partir de la medicion
de voltaje en la resistencia calcule
la corriente de drenador ID.

Compare esta transconductancia con la

obtenida para VGS=0 y coloque sus
resultados en la siguiente tabla.

Tabla VI. Regin de corte para VGS= -3

V
j) Voltaje
de
saturacin
VP.
Manteniendo
el
voltaje
VGS
constante, reduzca el voltaje de la
fuente VDD por debajo de 3V (en
intervalos de 0.1 V). Mida el voltaje
de drenador a fuente V DS y el
voltaje en la resistencia, y calcule
la corriente de drenador ID. Realice
este procedimiento hasta que
encuentre el voltaje VDS de
estrangulamiento y comprelo con
el obtenido para VGS=0V.

Voltaje de
drenador a
fuente, VDS

Voltaje en
R, VR

Corriente
de
drenador,

ID

VDD = VDS1=1.072v VR1=0.014

3V
mv

ID1=0.205
uA

VDD6y VDS2=1.218v VR2=0.012

=5V
mv

ID2=0.176
uA

VDD = VDS3=1.310v VR3=0.015

7V
mv

ID3=0.015
nA

iii) Operacin en la regin de corte

En esta seccin del procedimiento se observar
el comportamiento del JFET en la regin de
corte. Se seleccionan 3 puntos de operacin en
esta zona y se calcula en base a mediciones de
voltaje el comportamiento de la corriente de
drenador ID y el del voltaje entre compuerta y
fuente VDS.
a)Basado en el circuito que se muestra
en la figura 4, realice los siguientes
ajustes en las fuentes de
alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a
VGS=-3V

Observe la tabla anterior Explique

el comportamiento de la corriente
de drenador ID? Que sucede con el
voltaje VDS?
En este caso el es inversamente
proporcional el voltaje respecto a la
corriente dada, es decir que si un
aumenta la otra disminuye.
b)

corriente de saturacin. Calcule

tericamente el valor de la corriente de
saturacin para estos puntos de
operacin y comprelo con las
corrientes de drenador (ID1, ID2 e ID3)
obtenidas directamente de las
mediciones.

Qu tan diferente es el valor

analtico en relacin a los obtenidos
de las mediciones? cul es la
causa o causas principales de estas
diferencias?
En el valor analtico la corriente da como
resultado 0 y los valores obtenidos
varan entre 0.205 uA- 0.015 nA, el
causante de dicho fenmeno podra ser
debido a que el transistor maneja
Corrientes internas las cuales suelen ser
despreciadas debido a las bajas
magnitudes que representan
analticamente.

Qu aplicaciones de importancia
considera usted posibles para esta
zona de operacin?
Es posible utilizarlo como interruptor
segn la corriente dada como en
motores, circuitos de iluminacin,
entre otros.

1.4 ACTIVIDADES Y CONCLUSIONES

FINALES

1)Con los datos medidos directamente

en
la
regin
hmica
y
que
corresponden a los de las Tablas I, II y
III, realice una grfica comparativa en
donde se muestre el comportamiento
del voltaje VDS contra la corriente ID
para los diferentes voltajes de
compuerta aplicados. Esta grafica
ilustrar el conjunto de curvas
caractersticas del JFET bajo estudio
en la regin hmica. Una vez

realizadas
estas
graficas
comparativas, indique que sucede con
la pendiente de cada curva a medida
que VGS se vuelve ms negativo. Para
la realizacin de las grficas se
sugiere que utilice el Excel, Matlab u
algn otro software.
2)Analice tericamente el circuito bajo
prueba en la zona activa para las
siguientes condiciones VDD=5V, VGS=0.5V. Utilice los datos del JFET dados
en la prctica y compare los
resultados tericos con los obtenidos
directamente
a
partir
de
las
mediciones y que se muestran en la
Tabla V. Se le pide llenar la siguiente
tabla.
Resultado
analtico

Resultado de
la medicin

Corriente de
drenador ID
Voltaje drenador
fuente VDS

Que tan diferentes son los valores

analticos en relacin a los
obtenidos de las mediciones? cul
es la causa o causas principales de
estas diferencias?

3.- Con los resultados obtenidos directamente de

las mediciones (Tablas IV y V) y con los voltajes
de saturacin medidos para cada valor de VGS.
Dibuje una aproximacin para las dos curvas
caractersticas de voltaje VDS contra corriente ID.
Indique en ella los puntos de operacin Q1, Q2 y
Q3 para la zona activa y de corte; e indique
tambin la ubicacin de la regin hmica.
Indique los valores de voltaje (VDS ) y corriente
(ID) en cada punto de operacin. Indique tambin
el valor del voltaje VGS para cada curva. Dibuje
las curvas caractersticas en el siguiente espacio.

4) El circuito con transistor estudiado en

la presente prctica (ver Figura 4)
utiliz un transistor de efecto de campo
canal N. Realice las modificaciones
necesarias en el circuito de tal forma
que ahora utilice un transistor de
efecto de campo canal P. Dibuje el
circuito resultante a continuacin.
5) Anote enseguida sus conclusiones
generales de la presente prctica:
X Referencias.
[1] Microelectronics; Circuit Analysis and Design
rd

Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3 Edition, 200.

[2] Electronic Devices Thomas L. Floyd,
th
Prentice Hall, 6 Edition, 2002
[3] Electronic Devices and Circuits

th

Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7 Edition,

2006
[4] Electronic Devices and Circuits
th
Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7 Edition, 2006.