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Casamento de Componentes Integrados

EMICRO PB - 2010

Vincent Bourguet - UFRN

Objetivos do Minicurso

Noo de casamento de componentes


Causas de malcasamento (mismatch)
Tcnicas para aprimoramento do casamento
Modelagem e simulao de mal-casamento
Labzinho
Processo de fabricao
Estrutura fsica
Falar-se- de
Leiaute
SPICE
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Roteiro
Parte 1: Tcnicas para casamento
Conceito de casamento de componentes
Fenmenos responsveis pelo malcasamento
Tcnicas de leiaute para casamento

Parte 2: Simulao de Mismatch


Anlises de pior caso e Monte Carlo
Anlise Monte-Carlo no Eldo (Spice-like)
Modelagem de mismatch

Laboratrio:
Mismatch em um espelho de corrente
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Tcnicas para Casamento


Parte 1

Casamento de Componentes Integrados

Introduo
Componentes integrados:
Aps fabricao: tolerncia 20%.
Wafer/Wafer Die/Die
Todos os componentes do mesmo circuito:
Condies similares (T, tox, dopagem...)
Razo entre componentes
0.1%

Tcnicas de Casamento
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Importncia do Casamento
Dispositivos usuais:
Par diferencial
Espelho de corrente

Conversores
Escada de resistores
Circuitos para comunicao
Circuitos a capacitores chaveados.
Emula um resistor R = T/C
Filtro: RC Ci/Cj
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Definio Matemtica
Sejam x1 e x2 os valores desejados para 2
componentes distintos.
x1
Razo desejada: Rd
x2

Sejam X1 e X2 os valores obtidos aps


fabricao.
X1
Razo obtida: Ro
X2

Ro Rd
Erro relativo de casamento:
Rd
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Caracterizao Estatstica
Mismatch um fenmeno aleatrio...
Caracterizao estatstica a partir de um
grande nmero de amostragens.

Por exemplo: N=30


1, 2,..., 30

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Classificao do Mismatch
Mdia:
1
m
N

i 1

Erro sistemtico
Desvio Padro:

1 N
2
i m

N 1 i 1

Erro aleatrio
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Erros Aleatrios
Medidos pelo desvio padro
Causados por flutuaes estatsticas:
Condies de processamento.
Propriedades dos materiais.
Flutuaes perifricas.
Flutuaes de superfcie.

Apesar do seu carter incontrolvel,


o impacto desse erro pode
ser minimizado.
Dimenses (valor) minimais.
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Erros Sistemticos
Medidos pela mdia m
Causados por fenmenos que influenciam
todas as amostragens da mesma maneira.
Leiaute diferente
Gradiente de
espessura xido
etc ...

100

2
k

4
k

4,5%

2
k

2
k

2
k

Leiaute cuidoso pode geralmente levar erros


sistemticos a um nvel aceitvel.
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Leiaute: MOSFET
3 terminais funcionais:
Porta (G)
Fonte (S)
Dreno (D)

Parmetros importantes:
Comprimento L
W
Largura W

Contatos

L
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Transistor Dobrado
I DS

1
W
1
2
Cox VGS VTH M Cox
2
L
2

M V V 2
GS
TH
L
Ids
W/M

M Transistores

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Leiaute: Componentes passivos


Resistor

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Capacitor

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Casamento de Transistores
M. Pelgrom:
Para cada parmetro P em dois transitores distintos,
h um parte fixa, e uma parte variando
aleatoriamente que pode ser representada pela
varivel aleatria P:
1

2
P

A
P
S P2 D 2
WL
2

em que AP e SP so parmetros que depende do


processo

Transistores grandes e prximos!!


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Gradientes
Fonte importante de erro sistemtico
Varios parmetros so graduais ao longo do
wafer:
Espessura de xido
Presso

d
Tem que reduzir d!! (idealmente d=0)
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Dobramento do Transistor

d aumenta

1 Soluo: Interdigitao

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Centroid Comum: d=0 !!!

tox1 tox2

7
tox tox
2

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Excesso de Corroso
Fonte de erro sistemtico
Litografia: profundidade de corroso depende
da proximidade.
Dedos extremos
Mismatch

Transistores fictcios!!
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Efeito de Sombra
Fonte de erro sistemtico
Implantao inica:
inclinao do feixe cria uma
regio de sombra

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Casamento de Capacitores
P
A' A(1 x )
A

Corroso:
Casamento otimizado quando
todos os capacitores apresentam
mesma razo P/A.
Conjunto de capacitores
unitrios quadrados
Capacitores fictcios
ajudam a reduzir o
erro de casamento.
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Razo No Racional
Capacitores no unitrios.
Mesma razo P/A
Ocupa 2 vagas na matriz

Rectngulo

Stub

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Buraco
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Centroid Comum (2D)


Obviamente, o gradiente de espessura de xido
prejudica fortement o casamento de capacitores.

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Casamento de Resistores
Conjunto de estruturas unitrias iguais
Gradientes
Corroso

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Concluso da Primeira Parte


Apresentao da noo de casamento de
componentes integrados
Caracterizao estatstica dos erros de
casamento
Fontes de mismatch
Tcnicas bsicas de casamento
Transistores
Capacitores
Resistores

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Bibliografia
Alan Hastings
The Art of Analog Layout
Bezhad Razavi
Design of Analog CMOS Integrated Circuits
Mohamed Dessouky
CAIRO+: Matching Issues (lecture)
Vincent Bourguet
PhD Thesis (francs)
M. Pelgrom
Matching Properties of MOS transistor
T. Fiez
CMOS Analog Circuit Stack Gen. w/ Matching Constraints
J. Porte
Ambiente de formao do Oceane
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Modelagem e Simulao do Mismatch


Parte 2

Casamento de Componentes Integrados

Introduo
Simulao extremamente importante em
microeletrnica.
Qualidade da modelagem
Mismatch um fenmeno aleatrio.
Simulao do pior caso
Monte-Carlo: simulao baseada num
modelo estatstico.
Anlise Monte-Carlo no simulador SPICE

Modelagem do Mismatch
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Anlise de Pior Caso


Ideia garantir que um circuito funcionar em
condies extremas.
Escolhe-se os valores dos componentes que resultam no
valor mximo ou mnimo de uma certa caracterstica:
Ganho
Consumo
Banda passante
etc...

Anlise de pior caso pode ser pessimista demais...


Caro!! (consumo, rea de silcio, etc...)
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Exemplo
R1
VO VS
R1 R 2
VS
IS
R1 R 2
nom
R
VOnom VSnom nom 1 nom
R1 R2

VOmax VSmax

R1max
R1max R2min

VOmin VSmin

R1min
R1min R2max

muito improvvel que


todos os componentes
estejam no seu valor
extremo ao mesmo tempo!!

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Anlise Monte-Carlo
Definio:
Mtodo de anlise e de simulao baseado em
probabilidade relacionada aos parmetros do
fenmeno em considerao.
Histrico:
1
Desenvolvida por S. Ulam e J. Von Neumman nos 40s.
1
1
Trabalho sobre bomba nuclear.
1
1 Importncia do acaso: Monte-Carlo.
Appicaes:
1
Finana, sismologia, telecomunicaes,
1
microeletrnica, ...

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Princpio
Ideia:
1
Simular muitas vezes uma experincia incerta para
1
avaliar uma grandeza ou um fenmeno..
Exemplo: Clculo da superfcie de uma lagoa.
1
1 Bala de canho: equiprobabilidade

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Densisade de Probabilidade
Definio:
1
1 f(x) a densidade de probabilidade de uma varivel
aleatria X se e somente se:
b

P(a X b) f ( x)dx
a

Comentrios:
1
f ( x)dx 1
1 Temos
1
1
1
1

f(x) no uma probabilidade!!


f(x)dx que uma probabilidade...
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Densidades Importantes
Densidade de probabilidade uniforma:
f(x)

1/a
-a/2

a/2

Densidade de probabilidade Gaussiana:


1
1

Teorema do limite central

1
1

Usado para modelar


aglutinao em torno
de uma mdia.
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f ( x)

1
e
2

1 x

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Monte-Carlo em Eletrnica
Baseada em verses do circuito geradas aleatoriamente.
O valor dos componentes definido pela sua densidade de
probabilidade (distribuio).

Com um grande nmero de verses, pode-se avaliar com


preciso as caractersticas estatsticas de uma grandeza
desejada.
Bem adaptada a CAD!!
Pode ser implementada em
muitas ferramentas...
Excel: Rand()
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Exemplo
f(x)
(2Rnom)-1
Rnom(1-)

Vo (V)
Is (mA)
P (mW)

Avg
4.96
0.276
4.12

Nom.
5.00
0.278
4.17

R = Rnom(1+2(Rand()-0.5))

Rnom(1+) x

Stdev
0.30
0.0173
0.490

Max
5.70
0.310
5.04

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WC-max
5.87
0.322
--

Min
4.37
0.242
3.29

WC-Min
4.20
0.238
-36

Simulador SPICE
Simulation Program with Integrated Circuit

Emphasis
Desenvolvido na UCB por L. Nagel sob
orientao do Prof. D. Pederson.
Apresentado em 1971 (FORTRAN)
SPICE2 em 1975: Mais elementos, melhor
anlise do circuito (Anlise nodal modificada).
Muito Popular
SPICE3: 1983
Hoje: SPICE3f5
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Outras Verses
Comerciais
HSpice (Synopsys)
Pspice (Cadence)
Spectre (Cadence)
Eldo (Mentor)

Gratuitas
NGSpice (gEDA) fontes...
SpiceOpus
5-Spice
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Processamento
Entrada: Arquivo texto (netlist)
Descrio do circuito
Anlise nodal pelas leis de Kirschoff
Sistemas de equaes
diferenciais no-lineares

Resoluo por mtodos de anlise numrica


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Exemplo de Netlist
R1 = 2K
* EMICRO Primeira Netlist
* Vincent Bourguet

Vin

C1 =
100fF

+
Vout
-

*-----------------------------------------------* Netlist (descrio do circuito)


*-----------------------------------------------Vin
in
0
sin (0 1V 1k)
R1
in
out
2k
C1
out
0
100f
*-----------------------------------------------* Stimulus
*-----------------------------------------------.tran 0ps 800ps
.plot v(in) v(out)
.end

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Elementos
Letter

Element

Resistor

Capacitor

Inductor

Mutual Inductor

Independent voltage source

Independent current source

MOSFET

Diode

Bipolar transistor

Lossy transmission line

Subcircuit

Voltage-controlled voltage source

Voltage-controlled current source

Current-controlled voltage source

Current-controlled current source

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Tipos de anlise
DC
Clculo de caracterstica

AC
Anlise Frequencial
2.0

v(in)
v(out)

1.5

TRAN

1.0

Anlise temporal

0.5

0.0
0.0 100p 200p 300p 400p 500p 600p 700p 800p 900p
t(s)

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Anlise Monte Carlo no Eldo


O commando .MC manda fazer uma
anlise Monte-Carlo em cima de uma anlise clssica.
.MC 10 ALL

So simuladas (AC, DC, TRAN)


vrias verses do circuito geradas
aleatoriamente.
Caractersticas estatsticas do parmetros devem ter
sido definidas.

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Distribuio de um Parmetro
possvel definir para cada parmetro uma variao
estatstica do seu valor.
Indivualmente: tipo DEV

.model cmod cap dev=10%


c1 4 0 cmod 10p
c2 6 8 cmod 10p

Globalmente: tipo LOT

.model cmod cap lot=10%


c1 4 0 cmod 10p
c2 6 8 cmod 10p

Para usar uma distribuio Gaussiana:


.model cmod cap dev/gauss=2%
.model cmod cap lot/gauss=2%
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Exemplo: filtro RC passa-baixa


.model c cap dev=20%
.model r res lot=20%
dev=5%
.mc 20 all
v1 vin 0 ac=1 dc=1
r1 vin a r 1k
c1 a 0 c 10p
.ac dec 10 100 1e8
.probe v
.end

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Modelo e Parmetros
Simulador

Fabricante
LEVEL 1

I DS

1
W
2
Cox VGS VTH
2
L

...
Cox ...
VTH ...

.Model Nome NMOS LEVEL=1


+VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9
+NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1
+TOX=9e-9
PB=0.9
CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11
+MJ=0.45
MJSW=0.2
CGD0=0.4e-9 JS=1.0e-8

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Corners (Pior Caso) e Mismatch


.Model N_TT NMOS
.Model N_FF NMOS
.Model N_SS NMOS
.Model N_SF NMOS
.Model N_FS NMOS

.Model Nome NMOS LEVEL=53


+VT0=0.7 LOT=x% DEV/gauss=y%

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Lab: Espelho de corrente

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Concluso Segunda Parte


Anlises Pior Caso e Monte-carlo
Apresentao do simulador SPICE
Monte-carlo no Eldo
Modelagem do Mismatch
Laboratrio
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