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Reporte de proyecto
Dra. Myriam Paredes Olgun
Alumnos:
Jhonatan Flores Gonzlez
Josu Gilberto Salazar Navarrete
Grupo 160951
Viernes 28 de Octubre de 2016
Contenido
Introduccin
. 3
Marco
terico. 4,5
Objetivos
... 6
Metodologa
7 - 11
Desarrollo
. 11 - 40
Conclusiones
41
Referencias.
. 42
Introduccin
La simulacin y modelacin de un sistema es de importancia para poder
determinar el comportamiento de dicho modelo, como en este caso la modelacin
de un sensor de presion capacitivo y la simulacin. La diferencia entre ambos es
que en la modelacin se realiza la construccin de modelos con los cuales se
pueden realizar un estudio con condiciones aplicadas al sistema que se va a
manejar y en el caso del sensor construir la geometra y la simulacin es aquella
en donde ya se construy el modelo del sistema (en este caso el sensor) y se
proceder al estudio de que pasara si al sistema se le aplican ciertos cambios en
su entorno como exponerlo a cierta presion.
La importancia del modelado en sistemas como son en MEMS y NEMS son
importantes ya que se tienen grandes aplicaciones tecnolgicas en la actualidad,
como son en las lneas de investigacin relacionadas, con diferentes mecanismos,
ejemplo de ello podra ser en microchips, sensores para el mbito aeronutico o
para celulares, Tablet, laptops, notebooks, etc.
Como en nuestro caso se utiliz para un sensor en donde el COMSOL es una
aplicacin acopladora en los dispositivos NEMS.
Marco terico
La capacitancia es la propiedad de un circuito elctrico de oponerse a un cambio
en la magnitud de tensin a travs del circuito. Adems, capacitancia se refiere a
la caracterstica de un sistema que almacena carga elctrica entre sus
conductores y un dielctrico, almacenando as una energa en forma de campo
elctrico. Este dispositivo se le denomina Capacitor.
En el Sistema Internacional de Unidades la capacitancia es el farad (F), y es
definido por el volt (V) y el coulomb (C), que a su vez est definido por el segundo
(s) y el ampere (A).
A
d
Donde:
= Constante dielctrica del material entre las placas
A = rea de las placas
d = distancia entre las placas
Si la constante dielctrica del material entre las placas no se mantiene pueden dar
como resultado un error. Los sensores de presin capacitivos con un vaco
absoluto entre las placas son ideales en este sentido.
Sensores basados en membrana
Los sensores de presin utilizan un diseo simple que consiste en una membrana
y una cavidad sellada; el elemento de membrana responde y se desva bajo
presin
Las ventajas de miniaturizacin de la tecnologa de
sistemas microelectromecnicos (MEMS) pueden
escalar estas membranas deformables en un
pequeo factor de forma y crear sistemas de microescala.
La deteccin capacitiva, se utiliza un electrodo
colocado en la parte inferior de la superficie (rgido)
de la cavidad sellada superior (deformable). La
deflexin de la membrana provoca cambios en la
capacitancia medida entre el par de electrodos.
Objetivos
Metodologia
Para igualar la geometra del proyecto se realiz un cilindro y nueve bloques, en
los cuales se trabaj sobre un plano. Y se hicieron los cortes necesarios para
trabajar solo sobre 1/4 de la figura.
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Primero se dieron las medidas y geometra del sensor las cuales fueron las
siguientes
Inicio: 0
Paso: 5000
Parar: 25000
Resultados
Despues de calcular nos vamos al consturctor de modelo y localizamos la parte
de Resultados, posteriormente a buscar Conjunto de datos y desglosar la flecha.
Aqu encontraremos la opcin de Estudio1/solucin 1, dar clic derecho y
encontraremos la opcin de Seleccin.
En Nivel de identidad geomtrico, elegir Dominio. Y de la lista de selecciones
elegimos el 3 y el 4
Potencial
En Constructor de modelo, elegimos potencial y hacemos clic en Corte 1. En la
ventana Configuracin para Corte, esta la seccin de plano de datos.Enseguida
elegimos el plano xy-plano y escribmos 1
En la casilla de verificacin Interactivo y escribimos -5.8E-6 y realizamos el grafico
Grupo grafico 1D
En home seleccionamos agregar nuevo grupo y agregamos el Grupo grafico 1D e
hicimos clic en Global agregando los nuevos datos.
Estudio 2
En estudio 2 elegimos la opcion de Estacionario, despes en ajustes elegimos
Barrido Auxiliar eligiendo el parametro p0 con los siguientes datos
-
Inicio: 0
Paso: 5000
Parar: 25000
Resultados
Desplazamiento
Inicio: 290
Paso: 5
Parar: 300
Desarrollo
- Geometria
Primero comenzamos agregando un bloque que 0.003um de ancho y de
profundidad y de altura 7e-4 um y usamos la opcin de redondear para darle la
forma de circulo
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Colocamos un bloque con los siguentes parametros para crear el cuadro que esta
con la base.
Creamos el bloque 4 que ser parte del vacio con 1.1e-6 en posicion de Z.
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Creamos el bloque 5 que ser la mebrana y podemos observar la base,lo que ser
la cavidad y la membrana.
Agregamos un
correspondientes
12
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Posteriormente suprimimos lo que no nos servia que en este caso era el bloque
que esta marcado en azul.
14
Finalmente unimos los dominios de nuestro interes para poder formar la geometria
correcta
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APARTADO DE DEFINICIONES
Se agreg una casilla con el nombre de promedio , dentro de la geometria donde
seleccionamos la parte superior de la membrana que es la arista 12.
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Agregamos una casilla la cual nos da un plano el cual llamamos YZ el cual nos
marca en la imagen.
17
Agregamos una casilla la cual nos da un plano el cual llamamos XZ el cual nos
marca en la imagen.
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Para la cavidad hicimos una funcion de Explicito para todos los dominios .
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Electromecanica
Material elastico lineal
En la parte de la fisica agregamos el material elastico lineal en donde elegimos en
la seccin de seleccin nuestra Diferencia en donde se encontraba el vacio.
Simetra 1
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Simetra 2
Seleccionamos el plano YZ ya construido previamente.
Desplazamiento preescrito 2
En fisica encontramos la opcin de Puntos del cual elegimos la opcin de
Desplazamiento preescrito 2 y elegimos el punto 44.
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Terminal 1
Para esta opcin elegimos el contorno numero 12 que es la parte superior de la
membrana y configuramos que el tipo de terminal sea Voltaje (V) y que el
potencial electrico sea de 1V.
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Tierra 1
En esta opcion de tierra seleccionamos el contorno 9 que es la parte superior de
la membrana.
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Materiales
Material 1 - Silicio
Agregamos un material en blanco el cual nombramos Silicio y llenamos la tabla
co los datos indicados en el prodecimeinto
Material 2 - Vacio
Agregamos un nuevo material en blanco y lo nombramos Vacio, seleccionamos
el dominio 3 que le pertenecia al vacio de la membrana y llenamos la tabla
correspondiente, indicando 1 en la permitividad relativa.
Mallado
En el mallado le dimos clic derecho para poder desglosar un menu y elegir la
opcion de Editar secuencia inducida por la fisica y automaticamente nos da la
opcin de Tetradrico libre el cual nos pide que deshabilitemos.
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Tamao 1
En esta opcin Selecionamos la opcin de Tamao maximo de los elementos y le
agregamos el valor de 50e-6 ya que su mallado llevara un diferente mallado que
es la parte ms pequea
Mapeado
Elegimos los contornos 3, 16 y 32 los cuales son la parte inferior de la base para
indicar su mapeado.
Barrido 1
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Realizamos un barrido
de toda la geometra para que quedara finalmente
nuestra malla, nos prevenimos que cada valor fuera el correcto para obtener una
mejor distribucin de la malla.
Estudio 1
Estudio: Estacionario 1
Para este paso acudimos a un barrido auxiliar tomando en cuenta el parametro de
presin y con un rango de:
-
Inicio: 0
Paso: 5000
Parar: 25000
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Y obtenemos lo siguiente
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Vista en Potencial
Debido a la deformacin del diafragma el potencial es no uniformemente
distribuida, cuando se traza la deformacin de la membrana como una funcin de
la presin diferencial a travs de ella. Incluya ambos desplazamientos media y
mxima
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Grupo grafico 1D 3
En la
Home elegimos la opcion de agregar un Grupo grafico 1D 3 y
posteriormente la opcin de Global llenando los parametros correspondientes.
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34
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ESTUDIO 2
Se realiza un segundo estudio Estacionario,para ello nos vamos a home y
elegimos la opcion de agregar un nuevo estudio
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Inicio: 0
Paso: 5000
Parar: 25000
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ESTUDIO 3
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Inicio: 290
Paso: 5
Parar: 300
Flujo magnetico
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Conclusiones
Segn los datos arrojados por el software utilizado (COMSOL) la placa del
diafragma de nuestro sensor capacitivo de presin, el capacitor al aplicarle un
voltaje se genera la presin en la membrana y se desplaza .89m al aplicarle
10Kpa de presin para despus aplicarle una temperatura la membrana se vuelve
ms sensible debido a la expansin trmica que causa la temperatura en la
membrana
Segn las grficas el material de la membrana es un buen material para aplicarlo
en este tipo de membranas ya que se obtienen buenos rangos en las tareas que
es requerido, adems tambin muestra buen comportamiento al aplicarle
temperatura, lo cual es muy bueno ya que no vara su funcionamiento, debido al
trabajo que ejerce se puede llegar a calentar
Asi mismo en el estudio observamos el mximo desplazamiento y el
desplazamiento promedio la membrana cuando se le ejerci la presin.
En el modelo de capacitancia vs presin se observ la capacitancia de la
membrana cuando se le aplica la presin; con y sin el esfuerzo.
En el modelo de la capacitancia vs operacin de temperatura pudimos observar
que la temperatura si depende de la capacitancia y que estas varan cuando hay
algn cambio en el diafragma.
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Referencias
-Alan M. Portis. Campos electromagnticos. Editorial reverte. Barcelona (2005)
-ngel Zetina. Electrnica Bsica, Mxico: Editorial Limusa (2004)
-Bloginstrumentacion.com (2010) Cmo funciona un transmisor de presin? Recuperado
de http://www.bloginstrumentacion.com/blog/2010/06/28/como-funciona-un-transmisor-depresion/
-Ramn Pallas Areny, Sensores y acondicionadores de seal, Barcelona: Editorial
Marcombo (2003)
-Sensors (2014). Chronically Implanted Pressure Sensors: Challenges and State of the
Field. Recuperado de http://www.mdpi.com/1424-8220/14/11/20620/htm
-Sensors Online (1998) Pressure Fundamentals of Pressure Sensor Technology.
Recuperado de http://www.sensorsmag.com/sensors/pressure/fundamentals-pressuresensor-technology-846
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