Concluso:

Neste trabalho foram abordados alguns conceitos ligados aos Transistores de Efeito de Campo Metalxido-Semicondutor (MOSFET): levantamento da curva caracterstica dos transistores NMOS e PMOS do CI
CD4007, desenvolvimento de um circuito de amplificao de pequenos sinais e montagem de um projeto de uma
porta inversora.
Com o levantamento da curva caracterstica pde-se observar claramente quando os MOSFETs passam da
regio de triodo para a regio de saturao. Assim, pode-se verificar que o ponto onde ocorre essa mudana acontece
quando o valor de

V GS >V t

e quando

V DS >V GSV t

Com a curva caracterstica pde-se obter os valores de

kn

Vt

que foram utilizados para o

projeto do circuito de amplificao de pequenos sinais. No desenvolvimento prtico dessa parte verificou-se que o
ganho obtido foi bem prximo com o calculado. Nessa tarefa observa-se que a amplificao foi pouca, contudo um
conjunto desses circuitos amplificadores ligados em srie pode gerar um ganho considervel do pequeno sinal de
entrada. E apesar da quantidade de MOSFETs utilizados para se obter determinado ganho ser grande, o espao fsico
que esses circuitos ocupam no CI pequeno, o que viabiliza sua aplicao em muitos projetos Circuitos Integrados.
A outra parte da tarefa prtica proposta nesse trabalho consistiu na utilizao do CI CD4007 para o
desenvolvimento de uma porta lgica inversora. Assim viu-se sua aplicao em projetos de circuitos lgicos. Na
atualidade a utilizao da tecnologia CMOS amplamente empregada em projetos de microprocessadores,
microcontroladores e CIs dedicados com portas NOT, AND, OR e outras. Alm disso, os CIs so empregados em
projetos de circuitos que exijam baixo consumo de potncia e baixo tempo de transio dos valores de sada dado um
sinal de entrada. Sendo assim, em muitas aplicaes de projetos biomdicos essas caractersticas so muito
convidativas para a utilizao de MOSFETs.