MODEM INFRARROJO

Pedro Martin Ibarbo Perlaza

Departamento de Fsica, Universidad del Valle
25 de noviembre de 2016
Resumen. Se implement la aplicacin de los diodos y los transistores, para crear un modelo de
bsico de modem infrarrojo. Usando un diodo emisor infrarrojo y un receptor de observo la seal

=1.68 0.01 , un desfase de

de salida, en la cual se encontr un factor de amplitud de

=a b

Palabras clave: Diodo receptor y emisor infrarrojo, transistor, resistencias

Introduccin
Los emisores y receptores infrarrojo, son
usados para controlar dispositivos de forma
remota la luz infrarroja es muy similar a la luz
visible, excepto por tener una longitud de
onda ms grande, esto significa que la luz
infrarroja es indetectable al ojo humano,
haciendo de esta tecnologa, la ideal para el
envo y recepcin de informacin. Un ejemplo
claro, es la comunicacin entre un TV y el
control remoto un LED infrarrojo se enciende
y apaga rpidamente para transmitir
informacin de forma binaria a un diodo
receptor (fotodiodo) en el TV.
Para implementar la aplicacin de los
transistores y diodos, se us el circuito de la
figura 1 como emisor infrarrojo.
Figura
Polarizacin del transistor

2.

Para la solucin del circuito de la figura 2, se

toma la siguiente aproximacin:

R 4 10 R2
V B=

R2
V
R 1+ R 2 cc

V E =V B V BE
Figura 1.
infrarrojo

Circuito

emisor

del

modem

Como primera medida se toma la polarizacin

del transistor por medio del divisor de voltaje
mostrado en la figura 2.

I E=

VE
R4

(1)

(2)

(3)

(4)

I B=

IE
+1

Ahora para calcular R1 y R2 sabemos qu:

(5)

V CE =V CC I C (R3 + R 4 )

(6)

Usando
los
datos
de
la
tabla
de
caractersticas del transistor, dada por el
fabricante, se encuentra que el punto de

=100

y un

I C =10 mA

y en

trabajo del transistor para

=300

es: en la corriente

V B =V BE +V E

(12)

V B =0.7 V +1.2V =1.9 V

(13)

Antes de esto recordemos que hicimos la

aproximacin de:

R4
R2
10

V CE =1.0 V

el voltaje

Y cmo

1.8 V

El diodo LED se polariza a

en directa.

Para el voltaje en emisor vamos a hacer una

aproximacin de acuerdo a los ejemplos
vistos en clase y libros (Literatura), la cual va
de

(14)

1/4

alimentacin

1/10

del

voltaje

=100

tenemos que

R 2=

( 100 )(120 )
=1.2 K
10

V cc 12 V
=
=1.2V
10
10

(7)

I E IC

R1

Es decir que la resistencia

se tiene:

(8)
Por lo tanto, el valor de

V
1.2 V
R4 = E =
=120
I C 10 mA

(16)

R1=6.2 K

R2=1.2 K
(9)

R4 =120

Al realizar el mismo clculo para el divisor de voltaje

en el receptor, se encuentra que; las resistencias
corresponden a los valores:

R5=6.2 , R 7=680 , R6=1.2 K ,

R3 :

V
V V Diodo V CE V E
Rc = RC = CC
IC
IC
(10)

Rc =

despejando

V B =1.9V

R1=6.2 K

V
R4 = E , y como
IE

Ahora Calculamos

(15)

de
De la ecuacin (2) siendo

V E=

debe

ser:

Ahora tenemos:

Vcc .

R2

12V 3 V 1 V 1.2 V
=680
10 mA
(11)

Es decir que la resistencia

R3=680

R8=6.2 K
Para hallar el capacitor de entrada de acople
hacemos un anlisis en AC, mandando las
fuentes dc a tierra y poniendo los capacitores
en corto circuito. (ver figura 3)

Z i=

V i V be
=
Ib Ib

(17)

V be =( I b+ I c ) r e =( I b + I b ) r e
( +1)I b r e

Z i=
Figura 3. Circuito para el anlisis AC

(18)

V be
=( +1)r e r e
Ib

(19)

Para hallar la impedancia de salida tenemos

Para
el
anlisis
usamos
un
circuito
equivalente mostrado a continuacin (figura
4).

que hallar el cambio del

V CE

dividido la

corriente
del
colector,
en
la
caracterstica del transistor. Figura 6

curva

Figura 4. Circuito equivalente para el

anlisis AC de la figura 3
De la figura 4, vemos que la impedancia de
entrada

Zi

es el paralelo de

R1

R2 ,

pero en el bucle de entrada tenemos la

resistencia que hace el diodo ya visto en
clase. Sabemos que la resistencia del diodo
llamada

re=

Figura 6. Curva caracterstica del transistor

Donde

r0

es la resistencia de salida del

transistor

26 mV
, para ellos obtenemos
IE

el circuito equivalente (ver figura 5):

Figura 5.
Circuito
equivalente para el anlisis AC de la figura 4.
Para la entrada tenemos:

r 0=

V CE
IC

(17)

re=

26 mV
IE

(18)

Usando la ecuacin (18) y los valores para el

punto de trabajo del transistor se tiene que:

Resultados

r e =2.6
Usando la ecuacin (19) y tomando

=100 ,

se tiene que:

Z i=260
Usando este valor para

Zi

y la siguiente

En la figura
8, se
muestra
la
seal
de
entrada
en
azul
y
la
seal
de salida en
amarillo
al
igual
que sus respectivos voltajes pico a pico, para
los cuales se calcul el factor de amplitud con
un valor de

=1.68 0.01

y un desfase de

=a b

ecuacin:

C=

1
2 f Z i

Figura 8. Grfico de la seal de entrada en

azul y la seal de salida en amarillo

(19)

Se llega que el capacitor de acople tiene un

valor de:

C1 =1.39 F

y de la misma forma se tiene

C3 =4.5107=0,45 F

que

Para el capacitor

C2

en el emisor, se hizo

efecto de simulacin el capacitor

toma de valor de

La figura 9, muestra la transformada de

Fourier de la seal de entrada mientras que la
figura 10, muestra la transformada de Fourier
de la seal de salida. Al comparar estas dos
seales vemos un pico en ambas que
corresponde a una frecuencia de

una aproximacin teniendo en cuanta que la

seal que llega al receptor posee una
componente DC muy pequea y por tanto
este se reemplaza con una conexin. Por

capacitor

Figura
7.
Circuito
receptor del
modem
infrarrojo

C4

440 Hz ,

con lo cual podemos decir que la seal que se

recibe es muy confiable ya que solo posee un
armnico y no es afectada en tanto por
ruidos.

se

2.2 F , al igual que el

C5 .

Figura 9. Transformada de Fourier para la

seal de entrada
Figura 10. Transformada de Fourier para la
seal de salida
Conclusiones

Al ver la confiabilidad de la seal por medio

de la transformada de Fourier se lleg a que
la seal recibida es de buena calidad ya que
no arrastra tanto ruido.
Referencias
[1] Sensor Infrarrojo
https://es.wikipedia.org/wiki/Sensor_infrarrojo
Mediante el procedimiento utilizado se logr
trasmitir una seal de un punto a otro usando
un emisor y un receptor infrarrojo. Se calcul
el factor de amplificacin de la seal de salida
respecto a la de entrada con un valor de

=1.68 0.01 y un desfase de

=a b .

[2] A. Sanchez, A. Simar, O. Vergara,

Elementos de electrnica para analoga
prctica. (2005). Departamento de Fsica,
Universidad del Valle
[3]Fundamentos de circuitos elctricos. 3 Ed.
Matthew N. O. Sadiku. Charles K. Alexander