CARRERA

ELECTRONICA

MICROCONTROLADORES I
LAB. MIC - 400
FECHA: 27/09/2014

1. OBJETIVO:
1.1Desarrollar habilidades y destrezas en el uso de equipos y materiales
utilizados.
1.2Utilizar a los MICROPROCESADORES, como ser memorias EPROM el
27C256, BUFFER/DRIVER 74LS245 implementndolo en un grabador
de datos.
1.3Verificar en forma prctica, el correcto funcionamiento con la
implementacin del circuito grabador de datos haciendo uso de los
materiales, equipos y componentes adecuados y necesarios.
1.4Teorizar y analizar las ventajas del circuito implementado en futuras
aplicaciones.
2. JUSTIFICATIVO TEORICO
EPROM
Una EPROM (erasable programmable read only memory), es una memoria
borrable y programable, o lo que es lo mismo reprogramable. Esto quiere decir
que puede guardarse informacin en la memoria, luego borrarla e introducir
otra. Esto permite realizar de manera sencilla modificaciones, ampliaciones y
correcciones del contenido de la memoria.
La EPROM dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de
un bus de datos. Internamente cada bit se almacena en una matriz de clulas
de memoria. Cuando la EPROM est activa y en modo de lectura, se produce la
decodificacin de las direcciones y el contenido de las clulas de memoria
seleccionadas se entrega a la salida.
Direcciones
El bus de direcciones dispone de tantas lneas como sean necesarias para
seleccionar cada una de las posiciones de memoria. Puesto que el bus de datos
normalmente tiene una longitud de palabra de 8 bits, 1 byte, cada posicin de
memoria direccionada selecciona 8 clulas de memoria a la vez. Por ejemplo
una memoria de 2KB, (2048 bytes o 2048 posiciones de memoria) dispone de
un bus de 11 bits, (2 elevado a 11 son 2048) y una memoria de 32KB, 32768
bytes, tiene 15 lneas de direccin (2 elevado a 15 son 32768).
Datos
El bus de datos, normalmente de 8 bits para presentar palabras de 1 byte,
presenta en las patillas D0 a D7, el contenido de la memoria en el modo de
lectura y recibe datos en el modo de programacin. Por esta doble funcin
dispone de salida trisado. En modo de lectura las patillas de los datos entregan
el contenido de la direccin seleccionada o bien, mediante una seal de
control, permanente en estado de alta impedancia. En modo programacin las
patillas de datos actan como entrada.
Programacin y borrado

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Para la programacin se utiliza una tensin de programacin (Vpp) y un

pulso de programacin PGM.
El borrado se realiza mediante luz ultravioleta por lo que la EPROM se
encapsula con una ventana.
Existen EPROM que carecen de ventana de cuarzo (OTP, programable una
sola vez) y por ello no pueden borrarse. Se programan igual que las otras
EPROM pero son ms baratas, lo que resulta interesante para la produccin en
serie.
Funcionamiento interno de la EPROM
La EPROM tiene tantas celdas de memoria como bits deban almacenarse, as
una memoria de 2KB tiene 16384 celdas de memoria (2048x8bits).
La EPROM almacena los bits en celdas formadas a partir de transistores de
tipo FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) un
tipo de MOSFET cuya puerta est rodeada por xido de silicio y, en
consecuencia, totalmente aislada.
La cantidad de carga elctrica almacenada sobre la puerta aislada o flotante
determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son
ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal
como las EPROMs salen de fbrica, todas las celdas se encuentran
descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah que una EPROM virgen
presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.
Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un
0, con la ayuda de una tensin relativamente alta (la tensin de programacin
Vpp), se crea un campo elctrico mediante el cual algunos electrones ganan
suficiente energa como para atravesar la capa que asla la puerta flotante. En
la medida que estos electrones se acumulan en la puerta flotante, esta toma
una carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.
Uso prctico de las EPROM
Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un
"programador" se instala en el sistema correspondiente donde ser utilizada
como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de
realizar alguna modificacin en la informacin contenida o bien para ser
utilizada en otra aplicacin, la EPROM se retira del sistema, se borra mediante
la exposicin a luz ultravioleta, se programa con los nuevos datos, y se vuelve
a instalar en el sistema de uso como una memoria de lectura solamente.
La serie 2700
Un ejemplo de esta serie es la memoria 2716. La capacidad disponible viene
definida por el "16" de los dos ltimos dgitos de la referencia, y nos dice que
tenemos 16.384 clulas de memoria y por tanto 16384 bits de capacidad.

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Tiene un bus de datos de 8 bits en paralelo, con lo que permite programar

2048 bytes (2 K Byte).
Otros tipos importantes son las 2732, 2764, 27128, 27256 y 27512; como en el
caso de la 2716, los dgitos finales despus del "27" nos dan la capacidad de
estas memorias; tenemos, pues, capacidades de 4, 8, 16, 32 y 64 K Byte.
Una EPROM viene a consumir unos 100-125 m A en modo normal, y unos 20-40
m A en modo stanby.
Dentro de esta serie se encuentran las 27CXX, que utiliza tecnologa CMOS y
consumen menos energa.
Los niveles lgicos de entrada/salida son compatibles TTL.
El tiempo de acceso de la serie 2700, entendindolo como el periodo
comprendido entre la carga de la direccin en el bus de direccionamiento y la
disponibilidad de los datos est comprendido entre 100 y 450 nanosegundos,
siendo ms rpidas las de mayor capacidad.
Seales de control
/CE, (chip enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada habilita o activa a la memoria. Sirve para disminuir el consumo
de esta al entrar en "modo de espera" o "standby". Suele utilizarse para la
seleccin del dispositivo junto con /OE. En el modo de espera se permite a la
memoria funcionar con una tensin de alimentacin reducida. En este modo la
salida est en un estado de alta impedancia, independientemente del estado
de /OE.
/OE (output enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada controla la salida y activa o desactiva los "drivers" de salida de
la memoria. Cuando es 0, el dato est disponible suponiendo que /CE ha estado
a 0 y la direccin ha permanecido estable durante un tiempo pequeo. Cuando
es 1 coloca las salidas en estado de alta impedancia.
Vpp (Tensin de programacin)
Esta entrada permite aplicar a las clulas de memoria una tensin
relativamente alta y que crea el campo elctrico que permite cargar la puerta
flotante de los transistores FAMOS y as grabar la EPROM.
Las tensiones de programacin varan en funcin tanto del dispositivo, como
del fabricante, as nos encontramos con tensiones de programacin de 12,5V,
13V, 21V y 25V.
IMPORTANTE: Superar la Vpp requerida por la EPROM en 1,5 o 2 voltios
puede daarla.
PGM (Programacin)

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Cuando se aplica un pulso de una duracin determinada a esta entrada es

cuando se hace efectiva la grabacin de la posicin de memoria direccionada.
De hecho, en la programacin de la EPROM puede mantenerse aplicada la Vpp
o tensin de programacin y el pulso en PGM efecta la programacin.
Algunas memorias de la serie 2700 tienen asociadas a una misma patilla
ms de una seal de control, como se ver ms adelante.
En los sistemas basados en CPU en los que se utilizan varios dispositivos que
comparten un bus de datos comn, en el caso de las EPROM, se utiliza /CE
como lnea de seleccin decodificada y /OE se conectada a la lnea de lectura
del bus de control.
Los valores de Vpp son los ms comunes, pero hay memorias, como por
ejemplo la MCM68764 de Motorola que se programan a 25 voltios en lugar de a
21v y que adems tienen un mtodo de programacin propio. Tambin algunas
memorias de National Semiconductor como la NMC27C64 se programan a 12,5
voltios.
Las memorias 2764, 27128 y 27256 tienen el mismo nmero de patillas pero
la 2764 tiene 13 lneas de direccin (A0 - A12), la 27128 tiene 14 lneas de y
direccin (A0 - A13) y la 27256 tiene 15 lneas (A0 - A14).
En la figura se representa a la 27512 y las diferencias con las memorias
27256, 27128 y 2764.
27256
27128
2764
Vpp

27512

27256 27128

2764

A15

28

Vcc

A12

27

A14

A14

/PGM

/PGM

A7

26

A13

A13

A13

NC

A6

25

A8

A5

24

A9

A4

23

A11

A3

22

/OE-Vpp

/OE

/OE

/OE

A2

21

A10

A1

20

/CE-PGM

A0

10

19

D7

D0

11

18

D6

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D1

12

17

D5

D2

13

16

D4

GND

14

15

D3

Como puede observarse tanto la 2716 como la 2732 tienen una distribucin
de patillas que resulta un subconjunto de la correspondiente a las memorias
2764, 27128, 27256 y 27512, de abajo hacia arriba.

2725
6
2712
8
2764
Vpp

2725 2712
2764 2732
6
8

27512

271
6

A15

28

Vcc

A12

27

A14

A14

/PGM /PGM

A7

24

26

A13

A13

A13

NC

Vcc

Vcc

A6

23

25

A8

A5

22

24

A9

A4

21

23

A11

A11

A11

A11

A11

Vpp

A3

20

22

/OEVpp

/OE

/OE

/OE

/OEVpp

/OE

A2

19

21

A10

A1

18

20

/CEPGM

/CE

/CE

/CE

/CEPGM

/CEPGM

A0

10

17

19

D7

D0

11

16

18

D6

D1

12

10

15

17

D5

D2

13

11

14

16

D4

GND

14

12

13

15

271
6
273
2

D3

Seleccin de modos de funcionamiento de la 27256

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/OE
0
1
X
1
0
1
Seleccin de modos de funcionamiento de la 27512

lso a 0

Las 27512 incluyen otro modo ms, el de firma electrnica, se utiliza por los
programadores de EPROM para saber qu tipo de EPROM tienen conectada.
Suele consistir en aplicar una tensin de 11,5 a 12,5 voltios por A9 (patilla 24)
con el resto de lneas de direccin a 0 menos A14 y A15. En este modo si A10
es 0 aparece 20h en la salida de datos y si A10 es 1 aparece 0Dh.
Programar EPROM
Antes de realizar la programacin, la EPROM debe estr completamente
borrada, si no es as solo se podrn pasar los bits que estn a 1 a 0.
El borrado de la EPPROM es la nica manera de cambiar los bits de 0 a 1.
Una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente, de manera que
por ms pequea que fuese la eventual modificacin a realizar en su
contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su totalidad, a
no ser que slo sea necesario pasar 1 a 0, si bien se recomienda en cualquier
caso realizar el borrado y la nueva programacin.

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Una EPROM borrada tiene todas las posiciones con el dato FFh de manera
que es necesario verificar que todos los byte contienen FFh antes de
programar. Si despus de media hora de borrado una EPROM contiene todava
bits puestos a 0, debe desecharse.
Slo puede escribirse una posicin de memoria al mismo tiempo.
Nota: Se recomienda colocar en el programador de EPROM un condensador
de 100 nF entre Vpp y GND, cerca de la EPROM para contra restar los picos de
corriente.
Borrado de las EPROM
Para borrar una EPROM es necesario "descargar" las clulas de memoria
mediante una fuerte irradiacin con luz ultravioleta. A este efecto, la EPROM va
provista de una ventana de cuarzo, transparente a los rayos UV. Al incidir stos
se produce una corriente fotoelctrica que evacua la carga de todas las clulas
de memoria.
Para conseguir un borrado total y que el tiempo de exposicin no sea
excesivamente largo, conviene tener en cuenta:
Longitud de onda de la fuente UV, 253,7 nanometros.
Lmpara de ultravioletas con una potencia de 12 mW/cm2.
Tiempo de borrado de EPROM de 15 a 20 minutos.
Distancia entre la fuente de UV y la EPROM, de 2 a 3 centmetros.
El tiempo de borrado puede aumentarse hasta 30 minutos en caso de que la
memoria haya sufrido varias reprogramaciones.
Existen en el mercado aparatos borradores de EPROM que garantizan estas
condiciones y adems permiten borrar varias memorias simultneamente.
La luz solar, y tambin ciertos tubos fluorescentes, emiten en la banda de
300 a 400 nano metros, o sea bastante cerca de la longitud de onda idnea
para el borrado. Por consiguiente, si se deja una EPROM expuesta a estas
fuentes puede producirse un borrado involuntario. En el caso de las lmparas
de nen pueden necesitarse para ello unos tres aos, pero si la exposicin es a
la luz solar directa se puede borrar en una semana. Hay que cubrir la ventana
de cuarzo con una etiqueta, que evitar el borrado involuntario y servir al
mismo tiempo como informacin, por ejemplo, de lo que contiene la memoria y
en qu fecha se grab.
Consideraciones de diseo con EPROM
Dadas las caractersticas de las EPROM es necesario un cuidadoso
desacoplamiento de la corriente de alimentacin para evitar la aparicin de
picos de tensin transitorios. Cuando se desarrolle el sistema donde se utilice
hay que tener en cuenta, los tres segmentos en los que se puede encontrar la
corriente que alimenta la EPROM:

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Nivel de corriente Standby.

Nivel de corriente activa.
Corriente transitoria producida con la bajada y subida de flancos de impulso
en /CE.
En el ltimo apartado, la magnitud de los picos de corriente que se
produzcan, dependen de la carga capacitiva de la salida del dispositivo.
Para evitar los picos de tensin transitoria asociados a estos cambios de
corriente es necesario utilizar condensadores de desacoplo. Debe colocarse un
condensador, preferiblemente cermico de alta frecuencia y baja inductancia
inherente, de 100nF colocado cerca de cada EPROM entre Vcc y GND. Tambin
debe colocarse un condensador electroltico de Tntalo de 4,7 micro Faradios
cada 8 dispositivos que se conectar en el punto de entrada de la alimentacin
de los mismos, a fin de contrarrestar la inductividad de las pistas.

3. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

INSTRUMENTOS Y EQUIPOS
Suchero
Clock manual
Fuentes de alimentacin
Multimetro digital
Osciloscopio + zonda
Protoboards
Componentes del circuito Vpp
Elemento
cantidad
TTL 74LS14
1
Transistor BC548
1
Transistor BC558
1
Capacitor 100 nf
1
Pulsador
1
Resistor 10 K
1
Resistor 2.2 K
2
Resistor 12 k
2
Componentes
del
circuito
grabador
Cables
Varios
Elemento
cantidad
EPROM 27C256
1
CI 74LS393
1
CI 74LS245
1
Leds
16
Resistor es 220
16
Cables
Varios

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4. PROCEDIMIENTO
4.1 Primeramente se procedi a realizar el armado del generador de
pulsos Vpp con todos sus componentes entre ellos citados en la tabla
anterior para luego probarlo en el osciloscopio para el correcto
funcionamiento.
4.2 Una vez ya probado el funcionamiento del generador de pulsos
Vpp, se procedi a conectar la salida (Vpp) al circuito grabador de
EPROM q realizamos en clases con su fuente de alimentacin y
posterior a alimentarlo.
4.3 Mediante un suchero se procedi a direccionar a la EPROM
seguidamente se introdujo un dato con el clock de 8 bits de salida, y
a presionar el pulso del generador q armamos en clase para su
correcta grabacion, para luego ingresar seguidamente otra direccin,
un dato y el pulso, y as consecutivamente ingresar varios datos a la
EPROM.
4.4 Una vez ya grabado la EPROM se procedi a leer los datos q se
guardaron y en q direcciones como el circuito ya est armado de
acuerdo al esquema del pre-informe, al circuito se le alimento con
una tensin de 5 V DC para escritura y lectura de la EPROM y para el
generador de pulsos Vpp con unas alimentaciones de 5V DC y 12 V
DC, se procedi a comprobar su correcto funcionamiento de grabado
para su posterior revisin y evaluacin.
5. CONCLUSIONES:

Se pudo comprobar que tanto el generador de pulsos Vpp y el

grabador casero de EPROM funcionan correctamente.
Adems se verifico el uso del generador de pulsos Vpp y del
grabado correcto de los datos en la EPROM que se utilizo para
este laboratorio
Se pudo observar que en algunos casos el generador de pulsos
Vpp no funcionaba muy bien por el armado q realizaron y el mal
estado del transistor BC558, lo cual nos permitir solucionar
problemas en futuras aplicaciones.

6. OBSERVACIONES
Las observaciones q tuvimos en este laboratorio fue q al intrudicir datos
a la memoria eprom se os realizo sin problema alguno con unas cuantas
variantes las cuales fueron:
Direccionamiento saltaban a otra direccion en donde se introducia el
dato q se requeria q apareciera en los leds.

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Al introducir los datos se pudo generar la secuencia q nos plantemos con

la ecepcion de que las direcciones saltaban y nos dirigien a grabarlos en
distintaas direcciones .