DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE ING. EN ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN

ASIGNATURA:
ELECTRONICA DE POTENCIA

NOMBRE:

ROMO JUAN

DOCENTE: ING. MARCELO SILVA

CONSULTA

PERIODO MARZO 2016 - AGOSTO 2016

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPEL

DEPARTAMENTO DE EECTRICA Y ELECTRONICA
ELECTRONICA DE POTENCIA
NOMBRE: Juan Esteban Romo
CARRERA: Electrnica
TEMA:
Estructura y principios de operacin funcionamiento de un SCR
SCR Smbolo y Estructura

A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es un
dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El
smbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de
Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y
causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base
del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que
IB1 en la base de Q1, y este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2
causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua
Curva caracterstica del SCR
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y
la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como
un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico). En
la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn,
siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos
de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor
(VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje

anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el
voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On
/ est activo)
Bibliografa:

http://es.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-yfuncionamiento

http://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm