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Universidade Federal de Minas Gerais

Escola de Engenharia
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica

DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS COMPUTACIONAIS


PARA A ANLISE DE PERDAS EM CONVERSORES ESTTICOS:
APLICAO AO CLCULO DE RENDIMENTO DE UPSs
TRIFSICAS DE DUPLA CONVERSO

Anna Paula Leite Cota

Belo Horizonte
2016

C843d

Cota, Anna Paula Leite.


Desenvolvimento de ferramentas computacionais para anlise de
perdas em conversores estticos [manuscrito] : aplicao ao clculo de
rendimento de UPSs trifsicas de dupla converso / Anna Paula Leite
Cota .- 2016.
174 f., enc.: il.
Orientador: Porfrio Cabaleiro Cortizo.
Coorientador: Paulo Fernando Seixas.
Dissertao (mestrado) Universidade Federal de Minas Gerais,
Escola de Engenharia.
Apndices: f.169-174.
Bibliografia: f. 164-168.
1. Engenharia eltrica - Teses. 2. Sistemas ininterruptos de energia Teses. I. Cortizo, Porfrio Cabaleiro. II. Seixas, Paulo Fernando. III.
Universidade Federal de Minas Gerais. Escola de Engenharia. IV. Ttulo.
CDU: 621.3(043)

minha famlia, aos meus amigos, ao meu namorado e ao meu pequeno afilhado, Lucas.

AGRADECIMENTOS
Agradeo aos professores Porfirio Cabaleiro e Paulo Seixas, pela orientao, pacincia e
compreenso. Engetron, pelo financiamento desta pesquisa e confiana. Aos engenheiros da
Engetron, Wilton Padro, Paulo de Tarso, Vincius, Mrio Henrique, Marcos Flvio e outros,
pelo apoio tcnico, receptividade e pelas orientaes. minha famlia, pelo apoio incondicional
e pela ajuda persistente, muitas vezes no merecida. Em especial, minha me, Cida, meu
pai, Miguel e aos meus irmos Carol, Breno e Dudu e agregada, cunhada Dbora, por me
tolerarem e apoiarem todos os dias. Ao meu namorado, Renato, pelo carinho e cumplicidade
e por ter preservado esse status, sem que eu fosse uma namorada dedicada e presente. Aos
meus amigos (em especial, ao grupo das BPs do COLTEC, ao Tlio, Brbara e ao Luiz),
que ainda se mantiveram ao meu lado, no obstante a minha ausncia e negligncia, enquanto
eu redigia este trabalho. Aos parceiros do Grupo de Eletrnica de Potncia (GEP), Welbert,
Rafael (Jesus), Ana Carolina, Thiago (Banana), Thiago Ribeiro e outros, pela amizade, pelas
inmeras ajudas e conversas. Aos professores Lenin, Marcos Severo, Pedro Donoso, Braz
Cardoso, Sidelmo, Selnio (in memoriam) pelas lies valiosas que no s me orientaram ao
longo desta pesquisa, como tambm contriburam para que eu optasse pela Eletrnica de Potncia,
ainda na Graduao. Ao professor Antnio Carlos Andrade, do Departamento de Engenharia
Mecnica, pelas contribuies na fase de projeto do calormetro. Meus agradecimentos a estes
professores e aos meus orientadores tambm pela dedicao ao ofcio de professor e pesquisador,
apesar dos incontveis entraves burocrticos e polticos. Aos parceiros do Mestrado, Nicole,
Edmar, Rafael (Jesus), Allan, Andr Filipe, Victor e outros pelas discusses acaloradas e noturnas
sobre os trabalhos das disciplinas de ps-graduao. Aos parceiros da Leme Engenharia, Isabela
Metzker (Bolacha), Daniel Lavall, Daniel Pechir, Helena Botelho, Caroline Martins e Evandro
Marzano, pela amizade e por terem permitido que a convivncia com os estudos de transitrios
eletromagnticos e com o ATP fosse menos traumtica. Ao Maurcio, tcnico do DELT, pela
prestatividade e solicitude. famlia do Renato, Iracema, Marco, Gabriela, Andr Luiz, Arles,
pela torcida. Ao meu exemplo de engenheira eletricista, Anglica Rocha, que como ningum
domina o tema de transformadores e transitrios eletromagnticos e, ainda assim, no perde a
humildade e o respeito ao prximo. equipe do abnTEX2, por ter disponibilizado o template
adotado neste trabalho.
Por fim, agradeo Universidade Federal de Minas Gerais, a quem devo minha formao
como tcnica em Eletrnica, engenheira eletricista e agora, como mestre em Engenharia Eltrica.

"No h problema que no possa ser solucionado pela pacincia"


(Francisco Cndido Xavier)

RESUMO
As UPSs (Uninterruptible Power Supplies) de dupla converso so equipamentos que proveem
a alimentao segura e sustentada de subsistemas com misso crtica, em que os distrbios ou
a interrupo no suprimento podem levar a perdas e danos. Esta dissertao objetiva comparar
os rendimentos globais de UPSs trifsicas de dupla converso nas topologias de dois nveis,
com componentes de silcio e de carbeto de silcio (SiC) e de trs nveis em arranjos NPC1
(Neutral-Point Clamped) e NPC2, com dispositivos de silcio. A metodologia adotada se baseia
na comparao de 80 projetos de UPSs de dupla converso, com distintas especificaes de tenso
no barramento c.c., frequncia de chaveamento e potncia nominal. Para tanto, ferramentas de
software com interface grfica foram implementadas em MATLAB para estimar as perdas nos
semicondutores e nos indutores dos filtros LCL de entrada e LC de sada da UPS. As simulaes
das UPSs foram conduzidas no ambiente MATLAB/Simulink e incluem o controle dos estgios
inversor e retificador. Para fins de validao experimental das estimativas tericas de perdas, um
prottipo de um conversor buck de 5, 5 kW foi construdo e a potncia dissipada neste circuito
foi medida via wattmetro digital. Em seguida, um prottipo simples e de baixo custo de um
calormetro indireto srie foi desenvolvido, para que as incertezas associadas s leituras de
perdas fossem reduzidas. Os resultados de simulao indicam que a topologia NPC1 exibe maior
rendimento global dentre as UPSs com componentes de silcio, para a maior parte dos projetos de
UPS avaliados. Ademais, as UPSs com SiC superam o desempenho da maioria das variaes de
silcio em anlise, o que acena para a viabilidade dos componentes de SiC para estas aplicaes.
Os resultados experimentais apontam para a concordncia entre as estimativas de perdas e as
medies via wattmetro. A efetividade do prottipo de calormetro indireto srie para a medio
de perdas demonstrada em ensaios com resistores de potncia. Por fim, as tcnicas propostas
para a avaliao terica de perdas podem ser estendidas para qualquer conversor esttico e podem
orientar o projeto de equipamentos mais eficientes e com maior densidade de potncia.
Palavras-chave: UPS. Conversores estticos. Clculo de Perdas. Carbeto de silcio. Calormetro.

ABSTRACT
Double-conversion UPSs (Uninterruptible Power Supplies) are devices that provide safe and
continuous supply to mission-critical systems, in which disturbances or interruptions in power
supply can lead to losses or damages. This thesis aims to compare the energy efficiency performance of three-phase double-conversion UPS in two-level topologies, with silicon and silicon
carbide (SiC) devices, and in three-level topologies in NPC1 (Neutral-Point Clamped) and
NPC2 configurations, with silicon power modules. The adopted methodology is based on the
comparison of 80 designs of double-conversion UPS, with several values of d.c. bus voltages,
switching frequencies and rated power. In order to accomplish this goal, software tools with
graphical interface were implemented in MATLAB, for semiconductor losses estimation and
for inductor losses calculation in input and output LC and LCL filters. UPS simulations were
performed in MATLAB/Simulink and include the inverter and rectifier control. For experimental
validation of the theoretical results, a circuit of a 5.5 kW buck converter was built and power
losses measurements were conducted with a digital wattmeter. Then, a simple and low cost
indirect series calorimeter prototype was developed, in order to reduce the uncertainties in power
losses measurement. Simulation results show that NPC1 topology exhibits the highest global
efficiency among the silicon based UPSs, in most UPS designs. Furthermore, the SiC based UPSs
mostly overcome the performance of silicon based UPSs, which shows the competiveness of
SiC devices for UPS applications. Experimental results prove the agreement between theoretical
and measured results using digital wattmeter. Preliminary tests with power resistors demonstrate
the effectiveness of the indirect series calorimeter prototype. Lastly, the proposed techniques
for losses evaluation could be extended for any power converter and could enhance equipment
design regarding energy efficiency and power density.

Keywords: UPS. Power converters. Power losses calculation. Silicon carbide. Calorimeter.

LISTA DE ILUSTRAES
1.1
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
2.10
2.11
2.12
2.13
2.14
2.15

2.16

2.17
2.18
2.19
2.20
2.21
2.22
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6

Topologias trifsicas analisadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Causas de falhas e custos da indisponibilidade de sistemas crticos. . . . . . .
Mdulos bsicos de uma UPS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Classificao das UPSs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Tipos de UPS rotativas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico de uma UPS hbrida. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico de uma UPS offline. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico de uma UPS line-interactive. . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico de uma UPS de dupla converso. . . . . . . . . . . . .
Curvas do catlogo do mdulo comercial trifsico FF450R12KE4 (Infineon). .
Circuitos considerados nas anlises do processo de chaveamento. . . . . . . .
Processo de chaveamento em MOSFETs e IGBTs. . . . . . . . . . . . . . . .
Curvas do catlogo do mdulo comercial trifsico FF450R12KE4 (Infineon). .
Perfil das correntes ao longo da seo reta do condutor com os efeitos pelicular
e proximidade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Circuitos trmicos equivalentes de regime permanente. . . . . . . . . . . . . .
Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do
conversor, para wattmetros de vrias classes de exatido (indicadas sobre as
curvas). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do
conversor, para os ensaios propostos na UPS hipottica de 7, 2 kW e frequncia
de chaveamento de 20 kHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Arranjo tpico dos conversores no mtodo da oposio. . . . . . . . . . . . . .
Classificao dos calormetros. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama de um calormetro direto, aberto e refrigerado a ar. . . . . . . . . .
Diagrama de um calormetro direto, fechado e refrigerado gua. . . . . . . .
Diagrama de um calormetro indireto balanceado. . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama de um calormetro indireto do tipo srie. . . . . . . . . . . . . . . .
Topologia de inversor de dois nveis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Tenses de sada de linha de um inversor de topologias de dois e de trs nveis.
Topologias de inversores de trs nveis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico das UPSs de dupla converso avaliadas. . . . . . . . .
Representao grfica das UPSs simuladas (indicadas por crculos), com as
respectivas especificaes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Orientao adotada para os eixos de referncia. . . . . . . . . . . . . . . . . .

6
9
9
10
11
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39
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43
45
46
47
50
51
52

3.7
3.8
3.9
3.10
3.11
3.12
3.13
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6

4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
4.12
4.13
4.14
4.15
4.16

Diagrama de controle do retificador trifsico. . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Diagrama de PLL implementado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Esboo das assntotas das curvas de rigidez dinmica. . . . . . . . . . . . . .
Resultados da simulao de um retificador trifsico com os parmetros da
Tabela 3.3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama de controle do inversor trifsico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Esboo das assntotas da curva de rigidez dinmica |io /vo |. . . . . . . . . . .
Resultados da simulao de um inversor trifsico com os parmetros da Tabela
3.4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagrama esquemtico dos mtodos online e offline de clculos de perdas nos
mdulos semicondutores de potncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fluxograma da ferramenta GetPoints. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Algumas telas da ferramenta GetPoints, com algumas das etapas do fluxograma
da Figura 4.2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Detalhe da seleo do tipo de circuito trmico de um conversor com topologia
NPC2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diagramas dos circuitos trmicos propostos com os elementos do pacote Foundation Library/Thermal, da biblioteca Simscape. . . . . . . . . . . . . . . . .
Exemplo de ajuste dos parmetros do circuito trmico de regime transitrio
do tipo Foster, a partir da curva de impedncia trmica transitria Zth(jc) do
dispositivo semicondutor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fluxograma da ferramenta PerdasOffline, que implementa o mtodo de clculo
de perdas offline. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Telas da ferramenta PerdasOffline, em parte das fases do fluxograma da Figura
4.7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Formato dos vetores de corrente que devem ser importados em arquivos .txt
no programa PerdasOffline, para as trs topologias. . . . . . . . . . . . . . . .
Grficos com as estatsticas de perdas nos conversores, exibidos na interface do
PerdasOffline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Caracterstica tenso corrente do mdulo FF75R12RT4. . . . . . . . . . .
Avaliao da tcnica de interpolao via funo 2-D Lookup Table para o
mdulo FF75R12RT4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Evoluo das perdas e da temperatura de juno em um conversor arbitrrio no
mtodo online. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelo do par transistor + diodo em antiparalelo, encapsulado em biblioteca
do Simulink, como parte do mtodo online. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fluxograma com a sequncia de procedimentos para o projeto dos indutores
dos filtros de entrada e de sada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Curva para seleo de ncleos da famlia High Flux do fabricante Magnetics. .

53
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84
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88
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4.17
4.18
4.19
4.20
4.21
4.22
4.23
4.24
4.25
5.1

5.2

5.3

5.4
5.5

5.6

5.7
5.8
5.9

Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via wattmetro.


Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via wattmetro.
Diagrama esquemtico do prottipo experimental desenvolvido para a medio
de perdas via calormetro indireto srie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas. . . . . . . . .
Tela de interface grfica com o usurio implementada para execuo dos ensaios
no calormetro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados da calibrao por comparao das leituras de temperatura mdia
dos dois conjuntos de sensores LM335, originalmente nas caixas CR e CM. . .
Variao da temperatura em CR em resposta ao degrau de potncia, obtida
experimentalmente e ajuste pela funo f (t) = 57(1 et/1594 ). . . . . . . .
Dinmicas de aquecimento na condio em que os ganhos do controlador PI
so atribudos a kp = 10 e ki = 0, 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultado da calibrao em potncia do prottipo. . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso
do barramento VDC e da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com
potncia nominal Pout de 10 kW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Energia dissipada nos semicondutores do retificador trifsico e armazenada no
filtro LCL de entrada em funo da frequncia de chaveamento fsw , para as
UPSs de potncia nominal Pout de 10 kW em topologias de dois nveis (2n) e
de trs nveis (3n). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia
nominal Pout e da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com tenso no
barramento c.c. VDC de 550 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia
de sada Pout , para as UPSs com tenso no barramento c.c. VDC de 550 V . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia
de sada Pout e da tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de
chaveamento fsw de 3, 84 kHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso
do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de
3, 84 kHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias
com mdulos de silcio com menores perdas no estgio retificador. . . . . . .
Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e 2n,
com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e NPC2,
com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

96
97
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111

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116
117
119
119

5.10

5.11

5.12
5.13

5.14

5.15
5.16

5.17

5.18
5.19
5.20

5.21
5.22
5.23

5.24

Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da frequncia


de chaveamento fsw e da tenso de barramento VDC , para as UPSs com potncia
de sada Pout de 10 kW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Energia dissipada nos semicondutores do inversor trifsico e armazenada no
filtro LC de sada em funo da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs
com potncia nominal de 10 kW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre as energias armazenadas nos filtros das topologias de dois
nveis (E2n ) e trs nveis (E3n ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da potncia
de sada Pout e da tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de
chaveamento fsw de 3, 84 kHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da tenso
do barramento c.c. VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de
3, 84 kHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias
com menores perdas no estgio inversor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Proporo, na operao como retificador, entre as perdas de chaveamento
no diodo (indicadas pela cor vermelha), de conduo no diodo (amarelo), de
chaveamento no transistor (azul) e de conduo no transistor (verde). . . . . .
Proporo, na operao como inversor, entre as perdas de chaveamento no diodo
(indicadas pela cor vermelha), de conduo no diodo (amarelo), de chaveamento
no transistor (azul) e de conduo no transistor (verde). . . . . . . . . . . . .
Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e 2n na operao como
inversor, com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e NPC2 na operao como
inversor, com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas totais Pind no indutor do filtro LCL de entrada da UPS em funo da
frequncia de chaveamento fsw e da tenso de barramento VDC , para topologias
de dois nveis e de trs nveis, para a UPS com potncia nominal de 10 kW . . .
Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores
do filtro LCL de entrada de retificadores em topologia de dois nveis. . . . . .
Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores
do filtro LCL de entrada de retificadores em topologia de trs nveis. . . . . .
Perdas no indutor Pind do filtro LC de sada da UPS em funo da frequncia
de chaveamento fsw e da tenso de barramento VDC , para topologias de dois
nveis e de trs nveis, para a UPS com potncia nominal de 10 kW . . . . . . .
Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores
do filtro LC de sada de inversores em topologia de dois nveis. . . . . . . . .

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127

129

129
130
130

132
132
133

134
135

5.25
5.26

5.27

5.28
5.29
5.30
5.31
5.32
5.33
5.34
5.35
5.36
5.37
A.1
A.2
B.1

Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores


do filtro LC de sada de inversores em topologia de trs nveis. . . . . . . . .
Rendimento global da UPS de dupla converso em funo da frequncia de
chaveamento fsw e da tenso do barramento c.c. VDC , para as UPSs com
potncia nominal Pout de 10 kW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rendimento global da UPS de dupla converso em funo da frequncia de
chaveamento fsw e da potncia nominal Pout , para as UPSs com tenso de
barramento VDC de 550 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso nas topologias NPC1 e dois nveis, com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . .
Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso nas topologias NPC1 e NPC2, com mdulos base de silcio. . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso com conversores de dois nveis e NPC1 com mdulos de SiC e de silcio, respectivamente.
Caractersticas I V informadas no catlogo do mdulo FF75R12RT4 . . . .
Rendimento global do conversor buck calculado e medido via wattmetro,
para vrias potncias de carga Pout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados do ensaio 1, com descrio dada na Tabela 5.9. . . . . . . . . . . .
Resultados do ensaio 2, com descrio dada na Tabela 5.9. . . . . . . . . . . .
Resultados do ensaio 3, com descrio dada na Tabela 5.9. . . . . . . . . . . .
Resultados do ensaio 4, com descrio dada na Tabela 5.9. . . . . . . . . . . .
Resultados do ensaio 5, com descrio dada na Tabela 5.9. . . . . . . . . . . .
Formatao dos relatrios gerados pelo programa PerdasOffline. . . . . . . . .
Planilhas em Excel, programadas em VBA, para documentao dos resultados
de simulao de conversores em topologia de dois nveis. . . . . . . . . . . .
Interface grfica do programa desenvolvido para automatizar o dimensionamento dos resistores do circuito de condicionamento. . . . . . . . . . . . . .

135

138

140
141
142
143
150
151
155
156
156
157
158
169
171
172

LISTA DE TABELAS
2.1
2.2
3.1
3.2
3.3
3.4
4.1
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6

5.7

5.8
5.9
5.10

Distrbios de qualidade de energia e tipo de UPS para correo. . . . . . . . .


Especificaes de exatido do wattmetro WT3000, com menor erro na leitura
de potncia dentre os comercializados pelo fabricante Yokogawa. . . . . . . .
Mdulos semicondutores de potncia comparados neste trabalho quanto ao
rendimento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Especificaes das UPSs de dupla converso avaliadas na comparao de topologias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Tabela com os parmetros do retificador com resultados de simulao apresentados na Figura 3.10. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Tabela com os parmetros do inversor com resultados de simulao apresentados
na Figura 3.13. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Notao adotada no algoritmo 1 para as variveis de entrada. . . . . . . . . .
Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em trs
cenrios, para o modo de operao como retificador. . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das topologias de dois nveis e de trs nveis quanto energia
armazenada no filtro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em quatro
cenrios, para o modo de operao como inversor. . . . . . . . . . . . . . . .
Exemplos de projetos de indutores dos filtros de entrada e de sada para duas
das 80 UPSs em anlise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rendimento global e perdas em cada estgio, em valores percentuais da potncia
nominal, para dois projetos distintos de UPS de dupla converso. . . . . . . .
Comparao entre a frequncia de chaveamento mxima da UPS de dupla
converso com sistema de refrigerao arbitrrio e fixo (Rth(sa) = 0, 03 K/W )
para os quatro mdulos de potncia em estudo. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre os sistemas de refrigerao da UPS de dupla converso
com temperatura de juno mxima Tj(max) fixada em 125 C para os quatro
mdulos de potncia em estudo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre os resultados dos mtodos online e offline. . . . . . . . . .
Ensaios propostos no prottipo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Medies de potncia do wattmetro e do prottipo. . . . . . . . . . . . . . .

13
35
49
49
57
63
85
118
123
128
137
139

145

147
149
152
154

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS


ABNT

Associao Brasileira de Normas Tcnicas

CM

Caixa de Medio

CR

Caixa de Referncia

CUT

Converter Under Test

IEC

International Electrotechnical Commission

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

iGSE

improved Generalized Steinmetz Equation

MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect

NPC

Neutral-Point Clamped

PI

Proporcional-Integral

PLL

Phase Locked Loop

PWM

Pulse-Width Modulation

Si

Silcio

SiC

Carbeto de silcio

UPSs

Uninterruptible Power Supplies

VBA

Visual Basic for Applications

2n

Dois nveis

3n

Trs nveis

LISTA DE SMBOLOS

Coeficiente de temperatura

Rendimento

Desvio padro

Permeabilidade

Resistividade

Profundidade de penetrao

Frequncia

Volume

Densidade de fluxo

Ploss

Perdas

Pin

Potncia de entrada

Pout

Potncia nominal

fsw

Frequncia de chaveamento

VDC

Tenso do barramento c.c.

Tj

Temperatura de juno

vsw

Tenso sobre a chave

isw

Corrente na chave

rsw

Resistncia da chave

Rg

Resistor de gate

vq

Tenso sobre o transistor

iq

Corrente no transistor

vd

Tenso sobre o diodo

id

Corrente no diodo

VCE

Tenso coletor-emissor

IC

Corrente de coletor

VGE

Tenso gate-emissor

VGE(th)

Tenso gate-emissor de limiar

VDS

Tenso dreno-fonte

ID

Corrente de dreno

VGS

Tenso gate-fonte

VGS(th)

Tenso gate-fonte de limiar

Ts

Passo de simulao

Pcond(Q)

Perdas de conduo no transistor

Pcond(D)

Perdas de conduo no diodo

RG

Resistncia total de gate

Rg(on)

Resistncia de gate no processo de turn-on

Rg(of f )

Resistncia de gate no processo de turn-off

VGG

Tenso de disparo no gate

Eon(Q)

Energia dissipada no processo de turn-on do transistor

Eof f (Q)

Energia dissipada no processo de turn-off do transistor

Err

Energia dissipada no processo de recuperao reversa do diodo

Pon(Q)

Perdas no processo de turn-on do transistor

Pof f (Q)

Perdas no processo de turn-off do transistor

Prr

Perdas no processo de recuperao reversa do diodo

kV dc

Fator de correo da tenso do barramento c.c.

kRg

Fator de correo do resistor de gate

Rcc0 ee0

Resistncia srie parasita

Nmero de espiras

Pnucleo

Perdas mdias no ncleo

Pcobre

Perdas no cobre

Pind

Perdas totais no indutor

Stotal

rea da superfcie

Ef iltro

Energia armazenada nos filtros

Edissip

Energia dissipada nos semicondutores

E2n

Energia armazenada nos filtros do conversor em topologia de dois nveis

E3n

Energia armazenada nos filtros do conversor em topologia de trs nveis

P2n

Perdas do conversor em topologia de dois nveis

PN P C1

Perdas do conversor em topologia NPC1

PN P C2

Perdas do conversor em topologia NPC2

2n

Rendimento global do conversor em topologia de dois nveis

N P C1

Rendimento global do conversor em topologia NPC1

N P C2

Rendimento global do conversor em topologia NPC2

PCR

Potncia do resistor da caixa de referncia

PCM

Potncia do resistor da caixa de medio

TCR

Temperatura interna da caixa de referncia

TCM

Temperatura interna da caixa de medio

SUMRIO
1

INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2
2.1
2.1.1
2.1.2
2.1.3

REVISO BIBLIOGRFICA . .
UPS: definio e classificao
UPSs rotativas . . . . . . . . . .
UPSs hbridas . . . . . . . . . .
UPSs estticas . . . . . . . . . .
UPS estticas passivas ou offline . .
UPS estticas line-interactive . . . .

2.4

. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
UPS estticas de dupla converso ou online . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas em conversores e modelos trmicos . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas de conduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas de chaveamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos indutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelos trmicos de regime permanente . . . . . . . . . . . . . . . . .
Mtodos de medio de perdas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Medio eltrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Medio via calormetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros diretos, abertos e refrigerados a ar . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros diretos, fechados refrigerados gua . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros indiretos balanceados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros indiretos do tipo srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3
3.1
3.2
3.2.1
3.2.2
3.3
3.3.1
3.3.2
3.4

MODELAGEM E SIMULAO DA UPS DE DUPLA CONVERSO .


Circuitos de potncia em estudo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Controle dos estgios da UPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Controle do retificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Controle do inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dimensionamento dos filtros de entrada e de sada . . . . . . . . .
Dimensionamento do filtro LCL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dimensionamento do filtro LC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

45
45
51
52
59
64
64
68
68

CLCULO E MEDIO DE PERDAS EM CONVERSORES . . . . .

70

2.1.3.1
2.1.3.2
2.1.3.3

2.2
2.2.1
2.2.1.1
2.2.1.2

2.2.2
2.2.3
2.3
2.3.1
2.3.2
2.3.2.1
2.3.2.2
2.3.2.3
2.3.2.4

.
.
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.
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3
8
8
10
11
12
13
15
16

18
18
19
21

29
31
33
34
38
39
40
42
43

44

4.1
4.1.1

4.2.2.1

Ferramentas desenvolvidas para clculo de perdas


Rotinas para clculo de perdas nos semicondutores .
Caracterizao terica do componente e modelos trmicos . . .
Mtodo offline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Mtodo online . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rotinas para o clculo de perdas nos indutores . . . .
Prottipos experimentais para medio de perdas
Prottipo para medio via wattmetro . . . . . . . . .
Prottipo de calormetro indireto srie . . . . . . . . . .
Projeto mecnico do prottipo . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2.2.2

Seleo dos sensores e dimensionamento dos componentes do circuito de condici-

4.1.1.1
4.1.1.2
4.1.1.3

4.1.2
4.2
4.2.1
4.2.2

.
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70
71
73
79
87

91
96
96
97
99

5
5.1
5.1.1
5.1.2
5.1.3
5.1.4
5.1.5
5.1.6
5.2
5.2.1
5.2.2
5.3

RESULTADOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados de simulao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das perdas no estgio retificador . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das perdas no estgio inversor . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos indutores dos filtros de entrada e de sada . . . . . . . . .
Comparao do rendimento global da UPS . . . . . . . . . . . . . . .
Viabilidade de mdulos de SiC em UPS . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre os mtodos online e offline . . . . . . . . . . . . . .
Resultados experimentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados de medies com wattmetro . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados preliminares no prottipo de calormetro . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

108
108
108
120
131
138
142
148
150
150
152
158

CONCLUSES E PROPOSTAS DE CONTINUIDADE . . . . . . . . 160

4.2.2.6

.
.
.
.
.
.

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.
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.
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107

4.2.2.5

.
.
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.
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4.3

4.2.2.4

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4.2.2.3

.
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Seleo do microcontrolador e da interface com o usurio .
Calibrao dos sensores de temperatura por comparao .
Projeto do controlador de temperatura . . . . . . . . . . .
Calibrao de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . .

onamento

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
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.
.

100
102
103
105
106

REFERNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163

APNDICES

168

APNDICE A FERRAMENTA EM EXCEL PARA GERAO DE


RELATRIOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169

APNDICE B PROGRAMA PARA CLCULO DOS RESISTORES


DO CIRCUITO DE CONDICIONAMENTO . . . . . 172

1 INTRODUO
Os Sistemas de Energia Ininterrupta (SEI), referidos na literatura pelo acrnimo em ingls
UPSs (Uninterruptible Power Supplies) e popularmente pelo termo no-breaks, so equipamentos
que asseguram o suprimento de energia eltrica com altos nveis de confiabilidade, disponibilidade e de qualidade. Estes equipamentos so usuais em aplicaes de misso crtica, em que a
interrupo ou os distrbios no fornecimento de energia podem levar a perdas financeiras e/ou
sociais, como datacenters, hospitais, sistemas de telecomunicao e de tecnologia da informao
(TI), controladores de processos industriais, entre outros. Nestas aplicaes, prefere-se o uso de
UPSs estticas do tipo dupla converso ou online, que se mantm continuamente conectadas em
srie com a carga crtica, em regime normal de operao (TON; FORTENBURY, 2005). Deste
modo, estas UPSs previnem os problemas associados no s a interrupes no fornecimento,
como tambm a elevaes/afundamentos temporrios ou momentneos de tenso, a variaes de
frequncia, surtos, rudos e distores harmnicas (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).
Em geral, as UPSs integram estgios conversores que invariavelmente introduzem perdas
e, assim, consomem energia e limitam o rendimento do sistema completo. Por exemplo, segundo
pesquisas financiadas pela Comisso de Energia do Estado da Califrnia (California Energy
Commission), em 2005, o consumo de energia associado s perdas nos estgios de converso
somente de UPSs dos datacenters/polos de TI da Califrnia era de aproximadamente 1 T W h
anuais. Sendo assim, estas perdas oneravam cerca de 100 milhes de dlares por ano, considerando as tarifas de energia praticadas naquele ano (TON; FORTENBURY, 2005). Ainda segundo
este estudo, como o estado da Califrnia concentra aproximadamente 15 % dos datacenters dos
EUA, os custos relativos a este consumo de energia das UPSs em datacenters, em todo o pas,
poderiam atingir quase 700 milhes de dlares anuais (ou 7, 1 T W h por ano). Estudos anteriores,
financiados pelo Departamento de Energia dos EUA, estimavam aquele consumo de energia
total de UPSs em todo o pas em 5, 8 T W h, no ano de 2002, com base em dados tpicos de
rendimento destes equipamentos (ROTH; GOLDSTEIN; KLEINMAN, 2004). Somente as UPSs
online, preferidas nas aplicaes de misso crtica, consumiam 3, 8 T W h daquele montante.
Como resultado destas pesquisas, o Lawrence Berkeley National Lab (LBNL), instituio
de pesquisa financiada pelo Departamento de Energia dos EUA, passou a considerar o aumento
do rendimento das UPSs de datacenters como uma das aes para reduzir o consumo de energia
no pas (TON; FORTENBURY, 2005). Por outro lado, como tambm pontuam os estudos do
LBNL, o uso de UPSs com maior rendimento promove ainda a reduo dos custos e do consumo
de energia dos sistemas de refrigerao externos (no computados naquelas estatsticas). Assim,
o investimento total para a aquisio e operao do equipamento poderia ser substancialmente
menor com o aumento da eficincia das UPSs. Outro ganho associado ao uso de UPSs mais

Captulo 1. Introduo

eficientes, no assinalados naquela pesquisa, decorre ainda da reduo da magnitude e do volume


dos componentes passivos dos filtros de sada e de entrada, na medida em que os conversores
permitissem a operao em frequncias de chaveamento maiores. Como resultado, o custo, o
volume e o peso do equipamento tambm poderiam se tornar menores.
Neste contexto, h, pois, um esforo constante em elevar o rendimento das UPSs. Ademais, por fora de restries comerciais (e.g., para maior competitividade do produto no mercado),
as UPSs devem atender a critrios mnimos de rendimento. Como alternativas para o aumento da
eficincia destes equipamentos, figuram-se, por exemplo: (i) alteraes nas topologias dos conversores, j que o desempenho de cada topologia varia com as condies de operao (KEREKES
et al., 2009); (ii) o uso de novos materiais e tecnologias de dispositivos semicondutores (i.e., de
novas famlias de mdulos de potncia ou de dispositivos baseados em semicondutores de banda
larga, como o carbeto de silcio) (MCBRYDE et al., 2010); (iii) o emprego de distintas tcnicas
de modulao (KOLAR; ERTL; ZACH, 1991); (iv) a especificao de ncleos e enrolamentos
com menores perdas no projeto dos componentes dos filtros passivos (MAGNETICS, 2006) ou
(v) a modularizao das UPSs, para excursionar o ponto de operao das unidades individuais
para a regio de operao nominal, com maior rendimento (LBNL, 2012).
Assim, na fase de projeto da UPS, o fabricante deve ponderar os ganhos de cada uma
daquelas alternativas quanto aos custos, rendimento, volume, complexidade, rudo, confiabilidade, entre outros. A avaliao correta destes ganhos, via modelos tericos, pode reduzir o
tempo de projeto das UPSs, por dispensar a necessidade de construo de vrios prottipos
para fins de comparao experimental de cada alternativa. Em especial, o clculo correto da
potncia dissipada nos conversores no s orienta a classificao de vrias abordagens quanto
ao rendimento, como tambm permite a especificao dos dispositivos semicondutores e o
dimensionamento apropriado dos sistemas de refrigerao da UPS. Adicionalmente, o clculo
de perdas subsidia ainda as anlises de confiabilidade do conversor (MOROZUMI et al., 2003),
em razo da correlao entre a probabilidade de falha e a variao na temperatura de juno dos
semicondutores (que resulta das perdas e dos modelos trmicos). Cabe salientar aqui, de modo
mais genrico, que as ferramentas de avaliao terica das perdas servem ao projeto de qualquer
conversor esttico.
Por outro lado, o fabricante deve ainda caracterizar as UPSs produzidas (e.g., quanto
ao rendimento), como parte das anlises que antecedem a introduo destes equipamentos no
mercado. Para avaliar o rendimento, em particular, submete-se a UPS a um ensaio de medio
de perdas. A metodologia deste ensaio deve ser definida com base na exatido pretendida para a
medio e nas restries dos sensores disponveis (e.g., exatido, resoluo e banda de passagem
finitas). Em geral, duas tcnicas de medio de perdas so mais usuais na literatura. A primeira
delas, mais simples e menos exata, deriva da medio das potncias de entrada e de sada da UPS
e da subtrao destas leituras (XIAO; CHEN; ODENDAAL, 2007). Em razo da necessidade
de sincronizao das leituras de potncia de entrada e de sada, bem como de tenso e corrente,

Captulo 1. Introduo

deve-se optar pelo uso de wattmetros. Todavia, estes wattmetros devem exibir larga banda de
passagem e alta resoluo na converso A/D e ainda prover a sincronizao exata das medies,
para que as tenses/correntes pulsadas, tpicas dos conversores de UPS, sejam corretamente
medidas (STAFINIAK; KOSOBUDZKI, 2009). Ademais, como o rendimento individual destes
conversores elevado, os wattmetros em uso devem prover leituras de potncia com incertezas
menores do que as perdas (XIAO; CHEN; ODENDAAL, 2007). Isso, em geral, inviabiliza a
medio acurada da potncia dissipada em cada conversor com os wattmetros disponveis no
mercado (FUCHS et al., 2013). A segunda tcnica de medio de perdas se mostra mais exata
e se baseia na transferncia do calor liberado pelo conversor para um fluido, via processos de
conveco, radiao ou conduo, em um sistema referido por calormetro na literatura (CAO
et al., 2010). A variao de temperatura deste fluido, com propriedades bem caracterizadas,
quantifica indiretamente a potncia dissipada pela amostra. Deste modo, a exatido da medio de
perdas independe das formas de onda de tenso e de corrente do equipamento ou da sincronizao
das leituras (KOSONEN et al., 2013). Contudo, em virtude da complexidade da construo das
variaes mais tpicas de calormetro, a medio por esta tcnica pode se revelar invivel.
Neste contexto, este trabalho objetiva avaliar o rendimento de UPSs de dupla converso
em topologias trifsicas usuais nestas UPSs, a saber, a de dois nveis e as com neutro grampeado
(Neutral-Point Clamped), denotadas neste texto por NPC1 e NPC2. Estas topologias constam
na Figura 1.1. Em particular, pretende-se:
(i)

desenvolver ferramentas para estimar as perdas nos semicondutores e nos indutores e as


temperaturas de juno e encapsulamento do dispositivo, bem como do dissipador, com
base em dados dos catlogos dos mdulos de potncia;

(ii)

comparar o rendimento de mdulos comerciais de carbeto de silcio (SiC), em topologia


de dois nveis, com o de mdulos de silcio, nas trs topologias avaliadas;

(iii)

propor um calormetro simples e de baixo custo, do tipo indireto srie, para medio de
perdas;

(iv)

validar experimentalmente o sistema proposto.

Para tanto, procede-se reviso bibliogrfica sobre as tcnicas reportadas na literatura


para clculo e medio de perdas. Para estimar as perdas nos conversores, prefere-se o uso
de simulaes temporais, em alternativa ao clculo analtico proposto por Schweizer, Friedli
e Kolar (2010), para que, por exemplo, os efeitos de cargas no-lineares tipo de carga mais
comum em UPSs, sejam mais facilmente avaliados. Estas simulaes, bem como as ferramentas
desenvolvidas para quantificar as perdas nos conversores, so implementadas no software MATLAB/Simulink. Os resultados tericos de perdas, estimados por estas ferramentas, so validados
via medio eltrica em um prottipo de um conversor buck. Por fim, a efetividade da tcnica
calorimtrica para medio de perdas demonstrada por meio da construo de um prottipo de
calormetro do tipo indireto srie.

Captulo 1. Introduo
Figura 1.1 Topologias trifsicas analisadas.

VDC/2

Filtro LC

Carga

VDC/2

(a)

VDC/2

Filtro LC

Carga

VDC/2

(b)

VDC/2

Filtro LC

Carga

VDC/2

(c)

Topologias: (a) dois nveis, (b) NPC1 e (c) NPC2.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Assim, esta pesquisa acrescenta contribuies para o projeto de UPSs e de conversores


estticos em geral. As ferramentas propostas para o clculo das perdas servem ao dimensionamento de conversores e comparao terica de filosofias de projeto, como j foi discutido.
Estas ferramentas generalizam as anlises trmicas para qualquer topologia de circuito e podem
reduzir os tempos de projeto de conversores. Ademais, as anlises e resultados desta pesquisa
demonstram que o uso de dispositivos de SiC acena como soluo potencial para o aumento do
rendimento das UPSs. Por fim, este trabalho se insere no projeto de pesquisa e desenvolvimento
(P&D) entre UFMG e Engetron, fabricante de UPSs e proponente deste projeto. Os resultados

Captulo 1. Introduo

desta pesquisa, portanto, j orientam esta empresa em parte das rotinas de dimensionamento dos
componentes das UPSs.
O texto desta dissertao foi estruturado em seis captulos. No captulo 2, procede-se
reviso bibliogrfica, para fundamentao e conceituao do trabalho. Neste captulo, discutemse inicialmente as categorias de UPSs e as vantagens e desvantagens de cada classe. As perdas
dominantes nos conversores so definidas na sequncia e as equaes implementadas para o
clculo destas perdas so enumeradas. Em seguida, os mtodos de medio de perdas mais usuais
so caracterizados e as vantagens e desvantagens de cada tcnica so pontuadas.
No captulo 3, detalham-se as abordagens de modelagem e simulao da UPS de dupla
converso, adotadas nos estudos de rendimento conduzidos nesta dissertao. O captulo 4
descreve as ferramentas implementadas para clculo de perdas em conversores e os prottipos
desenvolvidos para medio destas perdas. No captulo 5, constam os resultados tericos da
pesquisa e os resultados experimentais preliminares. Por fim, o captulo 6 discorre sobre as
concluses e as propostas de continuidade deste trabalho.

2 REVISO BIBLIOGRFICA
Este captulo revisa a literatura bsica que fundamenta este trabalho. Inicialmente, discutese sobre a classificao de UPSs. A UPS em estudo, do tipo dupla converso, ento definida.
Na sequncia, as perdas assumidas dominantes em conversores so conceituadas. As equaes
e os mtodos descritos na literatura para que estas parcelas dominantes sejam estimadas so
apresentadas. Por fim, detalham-se os procedimentos usuais para medio de perdas, bem como
aqueles adotados na presente pesquisa.

2.1

UPS: definio e classificao

As UPSs, acrnimo em ingls para Uninterruptible Power Supplies, so equipamentos


que garantem a alimentao de subsistemas eltricos quando h interrupo no fornecimento de
energia da rede principal. Estes equipamentos so usuais no suprimento de sistemas com misso
crtica, em que falhas e interrupes podem levar a riscos e a perdas sociais ou financeiras. Como
exemplo destes sistemas, citam-se: instrumentao mdica de unidades de terapia intensiva
(UTI); linhas de produo industriais; controladores de plantas de usinas nucleares; datacenters;
servidores de sites de servios de e-mail e e-commerce; equipamentos de aeroportos, centrais de
telecomunicao e bolsas de valores, entre outros. Nestas aplicaes, a taxa de disponibilidade
de redes eltricas de distribuio comuns, estimada no mximo em 99,9%, insuficiente para
garantir a operao segura, sem riscos ou danos irreparveis (CURTIS, 2011).
Por outro lado, na maior parte das aplicaes crticas, os distrbios de qualidade de
energia tpicos das redes de distribuio como afundamentos, surtos, impulsos, sobretenses,
subtenses, variaes de frequncia, distores harmnicas, etc. podem levar ainda a falhas
e perdas. Segundo estimativas do Comit Europeu de Fabricantes de Mquinas Eltricas e
Equipamentos de Eletrnica de Potncia (European Committee of Manufacturers of Electrical
Machines and Power Electronics, CEMEP), cerca de 45 % das falhas em sistemas crticos se
devem a interrupes ou a outros distrbios na alimentao, como indica o grfico da Figura 2.1
(CEMEP, 2008). Os custos por uma hora de indisponibilidade de alguns sistemas crticos, como
redes de telefonia mvel, linhas de produo automotivas e centrais de transaes de cartes de
crditos, de reserva e venda de voos ou de bolsas de valores, tambm estimados pelo CEMEP,
so enumerados na Figura 2.1. Estas perdas podem ser ainda humanas, no caso de falhas em
sistemas vitais como hospitais e controladores de voo.
Nestas aplicaes crticas, a simples adio de geradores ou fontes auxiliares de emergncia no assegura a alimentao sustentada e contnua, j que a comutao para estas fontes
no instantnea (CURTIS, 2011). Neste contexto, portanto, o uso de UPSs, instaladas entre a

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Figura 2.1 Causas de falhas e custos da indisponibilidade de sistemas crticos.

Fonte: Adaptado de CEMEP (2008).

rede principal e a carga crtica, se torna mandatrio. Assim, segundo EATON (2012), as UPSs
assumem trs funes bsicas, na maior parte das aplicaes:
(i)

a de prevenir danos que decorrem de surtos e transitrios casos em que as UPSs devem
ser continuamente conectadas em srie com a carga crtica;

(ii)

a de evitar perdas ou corrupo de dados em sistemas computadorizados, que resultam


de desligamentos intempestivos;

(iii)

a de prover a disponibilidade e a continuidade de redes e de servios durante o processo


de startup de sistemas de alimentao auxiliares (como geradores a diesel).

De modo geral, todas as UPSs integram trs unidades bsicas, a saber: um mdulo de
armazenamento de energia, um estgio de converso de energia e um sistema de monitoramento
e controle (SANTOS FILHO, 1998), como representa a Figura 2.2. Assim, a estrutura de cada
um destes elementos e o modo como esto conectados com a rede eltrica e com a carga crtica
definem os critrios para a classificao das UPSs.
Figura 2.2 Mdulos bsicos de uma UPS.

Mdulo de
armazenamento de
energia

Rede eltrica

Mdulo de
converso da
energia

Carga crtica

Chave de bypass

Mdulo de monitoramento e
controle

Fonte: SANTOS FILHO (1998).

O esquema da Figura 2.3 exibe as classes e subclasses de UPSs comumente definidas na


literatura. De modo geral, as UPSs podem ser estticas, rotativas ou hbridas. O primeiro tipo se

10

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

vale apenas de conversores estticos, baseados em dispositivos semicondutores, para a converso


de energia. O segundo integra somente sistemas eletromecnicos com mquinas girantes, com
geradores e motores acoplados. J o terceiro tipo combina conversores estticos e mquinas
girantes (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). As UPSs rotativas, categorizadas em online
e offline, so brevemente descritas na subseo 2.1.1. A seo 2.1.2 apresenta a estrutura tpica
de uma UPS hbrida. J as UPSs estticas, subdivididas em passivas ou offline, line-interactive e
de dupla converso ou online, so discutidas na seo 2.1.3.
Figura 2.3 Classificao das UPSs.

UPS

Rotativas

Online

Offline

Hbridas

Passivas
ou offline

Estticas

Line
interactive

Dupla
converso
ou online

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

2.1.1

UPSs rotativas

As UPSs rotativas, mais comuns no sculo passado, so ainda aplicveis a sistemas de


potncias mais elevadas, da ordem de centenas de MW. Em linhas gerais, este tipo de UPS
inclui um conjunto motor-gerador e volantes de inrcia de massa elevada, que mantm a
carga crtica alimentada mesmo quando h interrupes da ordem de segundos na rede principal
(GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). H variaes deste tipo de UPS que operam online,
i.e., continuamente conectadas s cargas crticas e offline, acionadas apenas quando h falhas na
rede principal. A Figura 2.4 representa a configurao tpica destes dois tipos de UPSs rotativas.
Na UPS rotativa online da Figura 2.4(a), a rede principal alimenta um motor conectado a volantes
de inrcia e acoplado ao eixo de um gerador, que, por sua vez, alimenta continuamente as cargas
crticas. J na UPS rotativa offline, ilustrada na Figura 2.4(b), um conjunto motor-gerador opera
em regime normal apenas para injeo de potncia reativa (Q), como um compensador sncrono,
para fins de correo de fator de potncia. Quando h interrupo na rede principal, uma chave
desconecta esta rede e aquele conjunto passa a fornecer tambm potncia ativa (P ) s cargas.
Como vantagens das UPSs rotativas, citam-se a confiabilidade e o baixo custo de manuteno, j que o sistema integra apenas componentes eletromecnicos (CURTIS, 2011). Ademais,
estas UPSs tambm podem ser dimensionadas para a operao em mdias tenses na entrada e
na sada, sem elevar proibitivamente os custos o que em geral ocorre nos sistemas com UPSs
estticas. A demanda por ventilao nas UPSs rotativas tambm menor do que nas estticas,

11

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Figura 2.4 Tipos de UPS rotativas.
Modo normal

M
Rede
eltrica

Motor

G
Volante
de inrcia

Carga

Gerador

(a)
Modo normal
Carga

Q
Rede
eltrica

Chave
esttica

Gerador

Volante
de inrcia

P, Q
Modo energia
armazenada

Motor a
diesel

(b)

Tipos: (a) online e (b) offline.


Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007).

j que o sistema suporta temperaturas mais elevadas. Estas UPSs tambm permitem o uso de
motores de combusto interna diretamente, via acoplamento mecnico com o gerador (CURTIS,
2011), em alternativa ao uso de baterias. Por fim, contrariamente s UPSs estticas, as UPS
rotativas dispensam a necessidade de filtros passivos no estgio de sada ou de entrada.
Todavia, como desvantagens das UPSs rotativas, salientam-se as perdas elevadas do
conjunto motor-gerador mais crticos nas UPSs online, os altos nveis de rudo introduzidos
pelo sistema (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007) e o custo de aquisio, que supera em
20 % a 30 % os custos de uma UPS esttica (CURTIS, 2011).

2.1.2

UPSs hbridas

A combinao de UPSs rotativas com conversores estticos resulta nas UPSs hbridas,
representadas no diagrama da Figura 2.5. Nestas UPSs, um acionamento de velocidade varivel,
composto por um conversor c.a./c.a., ajusta a velocidade do motor conectado a um volante
de inrcia. Um gerador de polos inscritos (written-pole) alimenta a carga a uma frequncia
constante, mesmo com o rotor a velocidades entre 3150 e 3600 rpm (GUERRERO; VICUNA;
UCEDA, 2007). No caso de interrupo na rede principal, o volante de inrcia mantm o sistema
em rotao a velocidades maiores do que 3150 rpm (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007),
garantindo, assim, o suprimento da carga crtica. Em regime normal, o conjunto motor-gerador
condiciona a tenso sobre a carga. O conversor c.a./c.a. permite ainda a atenuao de distores
harmnicas e a converso da frequncia de operao (e.g., de 60 Hz para 50 Hz). Esta variao

12

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

de UPS combina, portanto, o armazenamento mecnico da energia, provido pelo volante de


inrcia, com a independncia em frequncia introduzida pelo conversor c.a./c.a.. Assim, as
vantagens da UPS rotativa online, somadas independncia em frequncia, se aplicam UPS
hbrida. A adio do conversor esttico, todavia, penaliza a confiabilidade e os custos do sistema,
em comparao com a UPS rotativa online tpica da Figura 2.4(a). Como desvantagens da UPS
hbrida tambm figuram o custo elevado, o peso e os nveis de rudo, bem como as perdas
significativas ao longo dos estgios de converso de energia.
Figura 2.5 Diagrama esquemtico de uma UPS hbrida.
Modo normal

M
Rede
eltrica

Conversor
c.a./c.a.

Motor

Carga

Volante
Gerador de
de inrcia polos inscritos

Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007).

2.1.3

UPSs estticas

As UPSs estticas, contrariamente s rotativas e hbridas, constituem-se apenas de


conversores estticos. Segundo a norma IEC 62040-3 (2011), h trs classes de UPSs estticas,
categorizadas conforme o modo como interagem com a rede principal e quanto independncia
em tenso/frequncia:
(i)

UPSs offline ou passivas, dependentes da tenso e da frequncia da rede principal;

(ii)

UPSs line-interactive, independentes da tenso da rede principal, mas dependentes em


frequncia;

(iii)

UPSs online ou de dupla converso, independentes da tenso e da frequncia da rede


principal.

Em geral, a anlise dos distrbios crticos para a planta define um critrio inicial para a
seleo de UPSs (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). A Tabela 2.1 detalha os distrbios
que cada tipo de UPS esttica pode prevenir e, assim, orienta a seleo de UPSs para uma
aplicao em particular, conforme a sensibilidade da carga crtica.
Como se nota na Tabela 2.1, as UPSs do tipo passivas ou offline s corrigem, em regime
normal, problemas associados a distrbios com duraes t maiores que 4 ms e menores que
16 ms (VILLAFFILA et al., 2007). Ao comutar para o modo de energia armazenada (com
alimentao por baterias), estas UPSs corrigem interrupes sustentadas de durao t maior que
10 ms. J as UPSs do tipo line-interactive previnem tambm variaes de tenso de curta e de
longa durao, como afundamentos, elevaes, subtenses e sobretenses. Por fim, as UPSs de

13

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Tabela 2.1 Distrbios de qualidade de energia e tipo de UPS para correo.

UPS recomendada

Distrbio
Interrupo na rede de durao t > 10 ms
Afundamento de tenso com 4 ms < t < 16 ms
Elevao de tenso com 4 ms < t < 16 ms

1
2
3
4
5
6
7
8
9

Classe IEC

Tipo

Dependente da tenso e
da frequncia da rede

Passiva
ou offline

Afundamento temporrio ou momentneo de tenso ou subtenso sustentada


Independente da tenso
Elevao temporria ou momentnea de tenso ou da rede
sobretenso sustentada

Lineinteractive

Transitrios, picos, impulsos, afundamentos e


elevaes de tenso de durao t < 4ms
Variaes de frequncia
Rudos
Distores harmnicas

Dupla
converso
ou online

Independente da tenso e
da frequncia da rede

Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007) e Villaffila et al. (2007).

dupla converso ou online suprimem todos estes distrbios e ainda garantem a imunidade da
carga crtica a transitrios e surtos com duraes menores que 4 ms, a variaes de frequncia,
a rudos e a distores harmnicas. O modo como cada uma destas classes de UPS esttica
interage com a rede eltrica e, assim, corrige os distrbios enumerados na Tabela 2.1, abordado
nas subsees a seguir. As vantagens e desvantagens de cada tipo so tambm discutidas.
2.1.3.1

UPS estticas passivas ou offline

O diagrama esquemtico de uma UPS passiva ou offline segue na Figura 2.6. Esta UPS
constitui-se de um banco de baterias, um retificador, um inversor e uma chave. O banco de
baterias, conectado em paralelo com a carga, prov o backup de energia, quando da indisponibilidade da rede principal. Este tipo de UPS pode assumir dois regimes de operao, como
definem as normas: o modo normal e o modo de energia armazenada (traduo livre para o
termo stored-energy mode).
Figura 2.6 Diagrama esquemtico de uma UPS offline.
Modo normal
Chave
Carga
Rede
eltrica
+

Retificador

Inversor
Baterias

Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007).

Modo de
energia
armazenada

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

14

No modo normal, a carga crtica alimentada pela rede principal e o banco de baterias,
conectado rede por um conversor c.a./c.c., mantido em carga completa. Esta UPS pode
incluir filtros de entrada ou outros recursos de condicionamento de tenso, que atenuam alguns
distrbios da rede principal. Todavia, no foram localizadas, na norma IEC 62040-3, referncias
especficas ao tipo de condicionamento que esta classe de UPS deve garantir. Mas h, no texto
desta norma, a indicao de que dispositivos adicionais podem ser incorporados para prover
condicionamento de energia, e.g., transformadores ferroressonantes ou de tap varivel1 .
J no modo de energia armazenada, que ocorre quando a rede principal est indisponvel, o sistema banco de baterias + inversor passa a alimentar a carga. A transio para este
modo, quando da ocorrncia da interrupo da rede, demanda at 10 ms (KARVE, 2000). A
UPS continua a operar no estado de energia armazenada durante o perodo em que as baterias
possam suprir a carga, referido na literatura como backup time (KARVE, 2000), ou at que a
rede principal se restabelea. Nesta ltima condio, a UPS deve retornar ao modo normal.
Como vantagens das UPSs offline, podem-se citar a simplicidade de projeto e o baixo
custo e volume. Como contrapartida, todavia, figuram-se como desvantagens desta variao de
UPS:
(i)

dependncia com a tenso da rede e impossibilidade de regulao da tenso em modo


normal;

(ii)

dependncia com a frequncia da rede, o que inviabiliza o uso desta UPS como conversor
de frequncia (de 60 Hz/50 Hz, por exemplo) ou a rejeio de distrbios associados
variao de frequncia (rudos, distores harmnicas, transitrios, etc.);

(iii)

tempos de chaveamento para o modo de energia armazenada elevados, que podem ser
proibitivos em algumas aplicaes com cargas mais sensveis, como centrais de grandes
computadores (KARVE, 2000);

(iv)

imunidade em modo normal apenas a distrbios de subtenso ou sobretenso com


durao maior do que 4 ms e menor do que 16 ms e vulnerabilidade a quaisquer outros
distrbios (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007);

(v)

modelos comerciais de potncia nominal de at 2 kV A, em razo das limitaes desta


topologia de UPS (KARVE, 2000);

(vi)

uso no-recomendado em ambientes potencialmente ruidosos, com possveis interferncias ou com distrbios de alimentao, como em plantas industriais (EATON, 2012).

A UPS offline, portanto, penaliza desempenho, funcionalidade e proteo contra distrbios, para fins de reduo dos custos. O baixo custo justifica o largo uso desta UPS em
1

Traduo livre do excerto da norma IEC 62040-3: additional devices may be incorporated to provide power
conditioning, e.g. ferroresonant transformer or automatic tap changing (MGE, 1999).

15

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

aplicaes residenciais tpicas de cerca de 600 V A, para alimentao de computadores pessoais


(GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).
2.1.3.2

UPS estticas line-interactive

A Figura 2.7 ilustra a topologia de uma UPS line-interactive. Nesta topologia, um


conversor em paralelo interage com a rede para carregar o banco de baterias e para condicionar a
tenso sobre a carga. Assim, h, como no caso da UPS offline, dois estados de operao, a saber:
o regime normal e o modo de energia armazenada.
Figura 2.7 Diagrama esquemtico de uma UPS line-interactive.
Modo normal

Rede
eltrica

Carga

Chave
esttica
Conversor
bidirecional

Modo de
energia
armazenada
+

Baterias

Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007).

No modo normal, a carga alimentada pela associao paralela da rede principal com um
inversor, que serve ao condicionamento da tenso de sada como um filtro ativo. Este inversor,
que tambm opera como retificador, mantm o banco de baterias continuamente carregado, em
regime normal (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).
No modo de energia armazenada, que ocorre quando h interrupo ou falhas na rede
principal, o inversor e a bateria passam a alimentar continuamente a carga. Uma chave esttica
desconecta a rede principal da carga. Este estado perdura at que as baterias se descarreguem
(backup time) ou at que a rede retorne aos nveis seguros de operao da UPS. Neste ltimo
caso, a UPS retoma o estado normal.
A vantagem desta variao de UPS o baixo custo, quando comparada a UPSs online de
mesma potncia. Todavia, ressaltam-se, como desvantagens das UPSs line-interactive:
(i)

dependncia com a frequncia da rede, o que inviabiliza o uso desta UPS para converso
de frequncias (de 60 Hz/50 Hz, por exemplo) ou a rejeio de distrbios associados
variao de frequncia (rudos, distores harmnicas, transitrios, etc.), em regime
normal;

(ii)

vulnerabilidade a transitrios, rudos, surtos e distores harmnicas (GUERRERO;


VICUNA; UCEDA, 2007);

16

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

(iii)

degradao de eficincia no caso em que carga exibe comportamento no-linear (KARVE,


2000);

(iv)

condicionamento de tenso limitado, j que o inversor opera em paralelo com a rede


principal (KARVE, 2000);

(v)

potncia mxima de at 5 kV A (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007), como resultado das limitaes desta topologia de UPS.

A dependncia em relao frequncia da rede torna o uso da UPS line-interactive


invivel para a alimentao de cargas sensveis de potncias elevadas (KARVE, 2000). Assim,
estas UPSs s so comumente aplicadas em sistemas de 0, 5 kV A a 5 kV A, e.g., de pequenos servidores (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). Quando a rede principal livre de distrbios,
o rendimento tpico deste conversor atinge cerca de 97 % (GUERRERO; VICUNA; UCEDA,
2007).
2.1.3.3

UPS estticas de dupla converso ou online

O diagrama da Figura 2.8 ilustra uma UPS de dupla converso. Nesta topologia, um
conversor c.a./c.a. se conecta continuamente em srie com a carga crtica, em regime normal. Esta
UPS pode assumir trs regimes de operao: o modo normal, o modo de energia armazenada
(stored-energy mode) e o modo bypass.
Figura 2.8 Diagrama esquemtico de uma UPS de dupla converso.
Modo bypass

Chave esttica
de bypass

Modo normal

Carga

Rede
eltrica

Retificador

Inversor
Baterias

Modo de
energia
armazenada

Fonte: Adaptado de Guerrero, Vicuna e Uceda (2007).

Em regime normal, um conversor c.a./c.a., com estgios retificador e inversor em cascata,


supre continuamente a carga e condiciona a tenso e a frequncia de alimentao. A combinao
dos dois estgios de converso fundamentam o termo em ingls double-conversion, mais aceito
pela norma IEC para designar esta classe de UPS. Esta dupla converso torna a UPS independente
da tenso e da frequncia da rede principal. Ainda em regime normal, o retificador ou,
eventualmente, um conversor c.c./c.c. adicional, para ajustar os nveis de tenso e corrente
(LEGA et al., 2007) mantm a bateria em carga mxima.

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

17

No modo de energia armazenada, em que a rede principal no atende aos nveis de


tolerncia da UPS ou se torna indisponvel, o banco de baterias e o inversor passam a prover a
carga. A UPS se mantm neste estado durante o backup time ou at que a rede volte a operar em
condies normais.
No modo bypass, uma chave esttica estabelece um curto-circuito entre a entrada e a
sada da UPS, permitindo a alimentao da carga diretamente pela rede principal. Em geral, a
UPS assume este estado em caso de sobrecarga ou de transitrios de corrente na carga, de fim do
backup time (KARVE, 2000) ou ainda, quando h falhas na UPS. No instante de comutao para
o modo bypass, a UPS garante o sincronismo da tenso da carga com a rede principal (KARVE,
2000). Todavia, se a frequncia da carga diferir da frequncia da rede principal, o bypass via
chave no se torna possvel. Por outro lado, se os nveis de tenso da carga no equivalerem aos
da rede principal, a chave de bypass pode incluir um transformador, para viabilizar esta conexo
(KARVE, 2000).
Uma chave adicional, de comando manual e conectada em paralelo com a chave esttica,
tambm comum nesta classe de UPS (CURTIS, 2011). Esta chave, referida por maintenance
bypass, fechada pelo operador para que sejam conduzidas as aes de manuteno preventiva
ou corretiva na UPS. Nas aplicaes em que a carga no possa ser suprida pela rede durante as
rotinas de manuteno da UPS, opta-se pela alimentao por um gerador auxiliar ou por uma
segunda UPS, instalada para garantir a redundncia (CURTIS, 2011).
Como vantagens das UPSs de dupla converso, enumeram-se:
(i)

independncia com a tenso e a frequncia da rede, tanto no modo normal quanto no


modo de energia armazenada;

(ii)

larga faixa de tolerncia de tenso de entrada e regulao da tenso de sada (KARVE,


2000);

(iii)

comutao instantnea para o modo de energia armazenada;

(iv)

comutao automtica para o modo bypass, no caso de falhas internas UPS ou sobrecarga;

(v)

correo do fator de potncia na entrada e corrente senoidal na entrada;

(vi)

maior confiabilidade, em comparao com outras classes de UPS, j que as baterias so


mantidas em carga mxima, disponveis para a alimentao imediata da carga;

(vii)

capacidade de rejeio de distrbios tpicos de redes de distribuio, como interrupes,


afundamentos, subtenso, sobreelevao, sobretenso, rudo, transitrios e distores
harmnicas (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).

Todavia, em contrapartida ao desempenho, impem-se, como desvantagens das UPSs do


tipo dupla converso:

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

18

(i)

limitao no rendimento em regime normal, que atinge no mximo 94% em UPSs


comerciais (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007);

(ii)

maior custo, em comparao com as outras variaes de UPS, como resultado do uso de
maior nmero de chaves;

(iii)

maior complexidade no controle, que decorre do uso de um maior nmero de conversores


e de variveis de controle (tenso e corrente na entrada e na sada);

(iv)

necessidade de dimensionamento do estgio retificador para potncias at 1, 5 vezes a


nominal no caso em que no h um circuito independente de carga, j que este estgio
deve tambm manter as baterias em carga mxima (FLIX, 2003).

No obstante, a independncia em tenso e frequncia, a proteo introduzida contra


os distrbios tpicos de redes de distribuio e a confiabilidade justificam o uso das UPSs de
dupla converso. De fato, estas UPSs so as mais usuais em aplicaes com misso crtica
(TON; FORTENBURY, 2005) e dominam, quase exclusivamente, o mercado de UPSs com
potncias maiores do que 5 kV A (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). Em razo do largo
uso, as UPSs do tipo dupla converso sero, em particular, avaliadas quanto ao rendimento neste
trabalho.

2.2

Perdas em conversores e modelos trmicos

Grosso modo, as anlises de rendimento de um conversor de potncia devem se basear


na estimativa das perdas individuais dos estgios (ou blocos) que os integram. No contexto
das UPSs de dupla converso, devem-se avaliar as perdas nos circuitos de potncia (i.e., nos
estgios inversor e retificador, no barramento c.c. e nos filtros de entrada e de sada) bem como
nos circuitos de controle, comando e condicionamento de sinal. A anlise acurada de todos
estes blocos, para fins de identificao de todas as fontes pontuais de perdas, se torna complexa
e injustificvel. Cabe ao projetista, portanto, enumerar as fontes que efetivamente limitam o
rendimento do conversor completo. Por exemplo, provvel que as perdas nos circuitos de
comando, de condicionamento e de controle somem uma parcela nfima das perdas totais. Do
mesmo modo, a dissipao de energia no barramento c.c. em geral tambm pode ser desprezada,
j que a associao paralela de um grande nmero de capacitores eletrolticos neste barramento
prtica comum para que se atenda ao critrio de corrente mxima nos capacitores tende a
minimizar a resistncia equivalente e, assim, as perdas. Mesmo nos filtros de entrada e de sada
das UPSs, o uso de capacitores de filme plstico, com baixa resistncia srie, torna insignificantes
as perdas nestes capacitores. Ainda que a opo pelo amortecimento destes filtros via resistores
tenha sido adotada (como na tcnica passiva), o resistor de amortecimento dimensionado
para que as perdas no sejam significativas. Como resultado destas simplificaes, apenas a
avaliao das perdas nos semicondutores e nos indutores dos filtros de entrada e de sada passa
a ser suficiente para caracterizao da UPS quanto ao rendimento. Por esta razo, somente as

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

19

perdas nos semicondutores e nos indutores, revisadas nas subsees a seguir, so avaliadas neste
trabalho.

2.2.1

Perdas nos semicondutores

Em geral, a avaliao das perdas nos semicondutores mandatria no projeto de qualquer


conversor esttico. Assim, ainda que as aes para otimizao do projeto quanto ao rendimento
sejam dispensveis, o clculo das perdas em cada dispositivo se torna obrigatrio para o dimensionamento do sistema de refrigerao do conversor. Este sistema deve ser projetado para garantir,
em ltima anlise, que em nenhuma das provveis condies de operao o limite trmico na
juno dos semicondutores seja violado. Em razo da correlao entre a temperatura de juno
e a confiabilidade do dispositivo, o projeto deste sistema pode ainda assegurar a operao em
faixas de temperaturas de juno que atendam a um critrio de tempo de vida til, por exemplo.
Independentemente do objetivo do sistema de refrigerao, a avaliao da potncia dissipada nos
semicondutores, bem como a modelagem trmica do sistema completo, so fases obrigatrias no
projeto.
Na literatura, classificam-se as perdas em mdulos semicondutores de potncia em dois
tipos, a saber, as perdas de conduo e de chaveamento. Estas perdas so revisadas, em linhas
gerais, nas sees a seguir.
2.2.1.1

Perdas de conduo

As chaves que constituem os mdulos de potncia no so ideais, e, portanto, impem


uma queda de tenso no-nula entre os terminais, vsw , ao conduzirem a corrente direta isw .
Como resultado, h dissipao de potncia ao longo da extenso do dispositivo enquanto as
chaves assumirem o estado fechado. Nos diodos, a caracterstica vsw isw (definida pela
resistncia rsw e pela tenso de limiar do componente VT ) depende apenas da temperatura de
juno e de propriedades fsicas e geomtricas do dispositivo. Particularmente nos transistores,
esta caracterstica varia ainda com a tenso de disparo do componente, i.e. da tenso entre gate e
emissor, em um IGBT ou entre gate e fonte, em um MOSFET. As equaes que descrevem as
relaes entre vsw e isw para os MOSFETs, IGBTs e diodos so apresentadas, por exemplo, em
Baliga (2008) e Sze (2001) e sero omitidas aqui.
Normalmente, os fabricantes dos mdulos de potncia disponibilizam, em catlogo,
diretamente as curvas de isw em funo de vsw . Isso dispensa, pois, a necessidade de caracterizao do componente quanto aos parmetros fsicos que definem estas curvas. A Figura
2.9 representa algumas curvas isw vsw tpicas, extradas da folha de dados de um mdulo
comercial tpico de IGBTs (INFINEON, 2013). Neste catlogo, as tenses coletor-emissor de
saturao do IGBT, VCE , para vrias correntes de coletor, Ic , so indicadas para uma tenso
gate-emissor VGE fixa (Figura 2.9.a). Para os IGBTs, so ainda fornecidas mltiplas curvas
associadas a vrias tenses VGE , para a operao com temperatura de juno mxima (Figura

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

20

2.9.b), e, adicionalmente, a curva de corrente Ic como funo direta da tenso VGE , referida por
caracterstica de transferncia do transistor (Figura 2.9.c). A curva dos diodos em anti-paralelo
com os transistores (IF VF ), para a polarizao no primeiro quadrante, tambm dada na folha
de dados do mdulo (Figura 2.9.d). Em geral, constam no catlogo de IGBTs as curvas isw vsw
relativas operao dos diodos e transistores com temperatura de juno mxima (de cerca de
150 C) e de 25 C, pelo menos. Em geral, nos catlogos de MOSFETs, curvas similares so
fornecidas pelos fabricantes.
Figura 2.9 Curvas do catlogo do mdulo comercial trifsico FF450R12KE4 (Infineon).

Curvas: (a) curva Ic VCE , com tenso VGE fixa, vrias temperaturas de juno; (b) curva Ic VCE , para
vrias tenses VGE , para a operao em temperatura de juno mxima; (c) caracterstica de transferncia do IGBT,
Ic VGE , para uma dada tenso VCE ; (d) curva IF VF , vrias temperaturas de juno.
Fonte: Infineon (2013).

Assim, com base nas curvas isw vsw disponibilizadas em catlogo para cada componente,
possvel derivar, diretamente, a queda de tenso associada cada valor instantneo de corrente,

21

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

para uma dada temperatura de juno Tj e tenso de disparo Vg (no caso dos transistores).
A perda de conduo de cada componente pode ser definida, pois, como a mdia do produto
instantneo entre isw e vsw . Particularizando esta definio para cada dispositivo, vem, se Pcond(Q)
e Pcond(D) se referem s perdas nos transistores e nos diodos, nesta ordem:
Pcond(Q)
Pcond(D)

Z
1 T
=
vq (iq (t), Tj , Vg ) iq (t) dt,
T 0
Z
1 T
vd (id (t), Tj ) id (t) dt,
=
T 0

(2.1)
(2.2)

em que vq e iq constituem a tenso e a corrente instantneas no transistor; vd e id , no diodo


e T se refere a um intervalo de tempo maior ou igual ao perodo da potncia instantnea. Na
literatura, alguns trabalhos derivam as perdas de conduo analiticamente, com base na premissa
de que as correntes nos dispositivos resultam do produto de uma funo senoidal pela funo de
chaveamento do conversor (BIERHOFF; BRANDENBURG; FUCHS, 2007; KOLAR; ERTL;
ZACH, 1991). Como resultado, vrias equaes analticas para as perdas de conduo, para cada
tcnica de modulao, so obtidas nestes trabalhos. Todavia, esta soluo analtica s se aplica s
cargas lineares e depende da tcnica de modulao em uso, bem como da topologia do conversor.
Nesta dissertao, para fins de generalizao da metodologia para topologias, tipos de cargas e
tcnicas de modulao distintas, opta-se por derivar as correntes nos dispositivos diretamente
de simulaes temporais. Deste modo, os efeitos de cargas no-lineares tipo de carga mais
comum das UPSs podem ser avaliados. Para tanto, as equaes (2.1) e (2.2) so discretizadas
e o operador integral aproximado pelo operador de soma finita. Assim, se Ts consiste no passo
da simulao temporal, suficientemente menor do que o inverso da frequncia de chaveamento
Fsw do conversor2 , tem-se:
Pcond(Q)

dT /Ts e
1 X

vq (iq [k], Tj , Vg ) iq [k] Ts ,


T k=0

(2.3)

Pcond(D)

dT /Ts e
1 X

vd (id [k], Tj ) id [k] Ts ,


T k=0

(2.4)

em que k se refere k-sima amostra dos sinais simulados.


2.2.1.2

Perdas de chaveamento

A transio entre os estados fechado e aberto das chaves de um conversor leva,


invariavelmente, dissipao de energia. Especialmente no processo de chaveamento do tipo
hard-switching, as chaves comutam de estado em intervalos de tempo no-nulos com tenses e
2

Nas simulaes temporais propostas, atribui-se o passo a um valor 128 a 512 vezes menor do que o inverso
da frequncia de chaveamento Fsw , em geral. A escolha deste valor se baseia na anlise de sensibilidade dos
resultados de simulao variao do passo. Inicia-se com um passo igual a 1/(Fsw 128) e avalia-se o efeito
da reduo deste passo em duas vezes. Se os resultados no se alterarem, o passo mantido naquele primeiro
valor. Caso contrrio, divide-se o passo por dois at que os resultados no sejam mais sensveis esta reduo.

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

22

correntes elevadas. Como resultado, a energia dissipada na comutao, que provm da integral
do produto entre tenso e corrente instantneas ao longo do intervalo em que ocorre a transio
de estado, no desprezvel. As perdas associadas comutao, referidas por perdas de
chaveamento, podem superar as perdas de conduo e devem ser consideradas, pois, nas
anlises de rendimento do conversor. Assim, as potncias dissipadas nos processos de turnon e de turn-off dos transistores e de recuperao reversa nos diodos devem ser avaliadas.
Apenas a energia despendida no processo de turn-on dos diodos pode ser desprezada (VOLKE;
HORNKAMP, 2012).
Em geral, as anlises dos processos de chaveamento supem a operao do conversor
com carga do tipo RL, com constante de tempo L/R maior do que o inverso da frequncia de
chaveamento fsw (RASHID, 2011). Deste modo, a corrente de carga pode ser assumida constante
em cada ciclo de chaveamento e os diodos de roda livre passam a prover a continuidade desta
corrente, quando do bloqueio dos transistores. Os circuitos considerados nestas anlises, para o
conversor com IGBT e MOSFET, so representados na Figura 2.10 (IXYS, 2012). Na notao
aqui adotada para designar as tenses, correntes e impedncias, os subscritos C, G, E, D e S se
referem aos terminais de coletor, gate, emissor, dreno e fonte, respectivamente.
Figura 2.10 Circuitos considerados nas anlises do processo de chaveamento.

Circuitos: (a) de IGBTs e (b) de MOSFETs.


Fonte: Adaptado de Ixys (2012).

A Figura 2.11 detalha as fases do processo de chaveamento de transistores IGBT e


MOSFET, em modo hard-switching, para a operao com carga do tipo RL.
O processo de turn-on, que na Figura 2.11 se inicia no instante t = 0 e se encerra em
t = t4 , caracterizado pela sequncia de eventos descrita a seguir. Cabe salientar como se nota
por inspeo das curvas da Figura 2.11 que o processo de turn-on similar nos IGBTs e nos
MOSFETs, uma vez que a estrutura MOS define o comportamento do IGBT em grande parte
desta fase (RASHID, 2011).
(i)

Intervalo entre os instantes t = 0 e t = t1 :

23

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Figura 2.11 Processo de chaveamento em MOSFETs e IGBTs.
VGE(t), VGS(t)
VGG+
Vpl
VGE(th),
VGS(th)

MOSFET

~
~

IGBT

VGG-

IGBT

IC(t), ID(t)

IL
MOSFET

IGBT

~
~

VCE(t), VDS(t)
MOSFET

VDC
VDS(on) VCE(sat)

~
~

t1 t1' t2 t3

t4

t5

t6

t7

t8 t9

t10

Fonte: Adaptado de Wintrich et al. (2015) e Rashid (2011).

A corrente iG passa a circular no instante em que ocorre o disparo (t = 0). Esta corrente
carrega a capacitncia de entrada Ciee no IGBT, ou Ciss no MOSFET, definidas pelas
equaes (IXYS, 2012):
Ciee = CGE + CGC ,

(2.5)

Ciss = CGS + CGD .

(2.6)

Cabe ressaltar que, na literatura, as capacitncias CGC e CGD so denominadas capacitncias de Miller, de transferncia reversa ou de realimentao e tambm so
denotadas por Crss (VISHAY, 2011). Estas capacitncias, que variam com a tenso VCE
(VDS ), assumem o valor mnimo neste intervalo denotado por CGC(min) (ou CGD(min) ),
em que a tenso VCE (VDS ) se mantm elevada (IXYS, 2012).
Durante o intervalo [0, t1 ], a tenso VGE (ou VGS ) cresce exponencialmente, a uma
constante de tempo IGBT (ou M OSF ET ) definida pela capacitncia de entrada Ciee

24

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

(Ciss ) e pela resistncia total de gate RG , segundo as equaes (IXYS, 2012):


RG = Rdr + RG(int) + RG(ext) ,

(2.7)

IGBT = RG Ciee = RG [CGE + CGC(min) ],

(2.8)

M OSF ET = RG Ciss = RG [CGS + CGD(min) ],

(2.9)

VGE = VGG (1 et/IGBT ),

(2.10)

VGS = VGG (1 et/M OSF ET ).

(2.11)

em que Rdr , RG(int) e RG(ext) , representadas na Figura 2.10, constituem a resistncia de


sada do circuito de comando e as resistncias de gate interna e externa ao mdulo, nesta
ordem. Como a tenso VGE (VGS ) no supera a tenso de limiar VGE(th) (VGS(th) ), no
h fluxo de corrente pelo coletor (dreno) neste intervalo. A tenso VCE (VDS ) se mantm
constante e igual tenso do barramento c.c., referida por VDC na Figura 2.10. Portanto,
o intervalo [0, t1 ] representa a maior frao do tempo de atraso de turn-on (turn-on
time delay), definido como o tempo decorrido entre os instantes em que a tenso VGE
(VGS ) atinge 10 % do valor final VGG e que a corrente de coletor (dreno) vale 10 % da
corrente de carga (FAIRCHILD, 2002).
(ii)

Intervalo entre os instantes t = t1 e t = t2 :


Assim que a tenso de limiar VGE(th) (VGS(th) ) atingida, a corrente de coletor (ou
de dreno) passa a aumentar uma taxa aproximadamente constante (RASHID, 2011).
Apenas no instante em que toda a corrente de carga transferida para o transistor (t = t01
na Figura 2.11), o diodo de roda livre inicia o processo de bloqueio. O transistor, a
partir deste instante, passa a conduzir a corrente de recuperao reversa do diodo, o que
justifica o pico de corrente de coletor (dreno) da Figura 2.11. Assim, durante o intervalo
[t1 , t2 ] que a maior parte das perdas de turn-on do transistor dissipada (WINTRICH et
al., 2015). Isso ocorre porque neste intervalo o diodo de roda livre continua conduzindo e
a tenso VCE (VDS ) se mantm elevada. Ademais, a corrente do transistor atinge valores
maiores do que a prpria corrente de carga neste intervalo.
As equaes para as tenses VGE e VGS , (2.10) e (2.11), ainda se aplicam neste intervalo.
Como se nota na Figura 2.11, h uma queda na tenso VCE (VDS ) de t = t1 a t = t2 , que,
segundo Wintrich et al. (2015), se atribui queda nas indutncias parasitas do circuito.
O perodo referido como tempo de subida se insere neste intervalo. Este perodo,
informado no catlogo do transistor, definido como o tempo necessrio para que a
corrente de coletor (dreno) excursione de 10 % a 90 % do valor final.

(iii)

Intervalo entre os instantes t = t2 e t = t3 :


Assim que o diodo de roda livre bloqueado, a tenso VCE (VDS ) passa a reduzir
abruptamente. A taxa desta queda depende da capacitncia de Miller CGC (CGD ), que,
durante este intervalo, ainda equivale ao valor mnimo CGC(min) (ou CGD(min) ). O

25

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

carregamento desta capacitncia absorve parte da corrente do circuito de gate e descarrega


a capacitncia CGE (CGS ) (FAIRCHILD, 2002). No instante t = t3 o processo de
recuperao reversa do diodo de roda livre se encerra (FAIRCHILD, 2002). Durante o
intervalo [t2 , t3 ], em que h uma cauda na corrente reversa dos diodos com recuperao
suave, a maior parte das perdas de turn-off dissipada no diodo. Cabe salientar aqui que
diodos com recuperao do tipo snappy, com maior taxa de subida da corrente reversa
(em comparao com os de recuperao suave), exibem menores perdas de turn-off
(WINTRICH et al., 2015). Como contrapartida, todavia, h maiores sobretenses durante
o desligamento do diodo do tipo snappy (WINTRICH et al., 2015).
(iv)

Intervalo entre os instantes t = t3 e t = t4 :


Neste intervalo, a reduo da tenso VCE (VDS ) leva ao aumento da capacitncia de
Miller CGC (CGD ) ao valor mximo CGC(max) (CGD(max) ). Em razo deste aumento, a
taxa de reduo desta tenso passa a ser menor. Como o transistor assume toda a corrente
de carga IL , a corrente de coletor (dreno) se mantm constante e igual IL . A tenso VGE
(VGS ) se aproxima da razo entre esta corrente e a transcondutncia gf s e, assim, tambm
se mantm inalterada no intervalo [t3 , t4 ] (RASHID, 2011). Por esta razo, diz-se que
neste intervalo a tenso VGE (VGS ) se mantm no nvel do plat de Miller (IXYS,
2012).

(v)

Intervalo entre os instantes t = t4 e t = t5 :


No instante t = t4 o IGBT (ou MOSFET) passa a operar na regio de saturao (ou
hmica, no MOSFET). A corrente de gate volta a carregar CGC (CGD ), e, como VCE
(VDS ) aproximadamente constante, a tenso VGE (VGS ) passa a aumentar at o nvel
VGG , conforme as equaes (RASHID, 2011):
IGBT = RG Ciee = RG [CGE + CGC(max) ],

(2.12)

M OSF ET = RG Ciss = RG [CGS + CGD(max) ],

(2.13)

VGE = VGG (1 e(tt4 )/IGBT ),

(2.14)

VGS = VGG (1 e(tt4 )/M OSF ET ).

(2.15)

No caso do IGBT, a tenso VCE s atinge o valor exato da tenso de saturao VCE(sat)
depois de centenas de ns a alguns s, que corresponde ao tempo demandado para que a
regio n seja ocupada por portadores de carga positiva que provm da regio de coletor,
com dopagem p. Esse perodo referido por Wintrich et al. (2015) por fase de saturao
dinmica (dynamic saturation phase). Quando a tenso VGE (VGS ) atinge o nvel VGG ,
a corrente de gate passa a ser zero (RASHID, 2011).
No instante t = t4 , portanto, o processo de turn-on do transistor se encerra. A partir de
ento, o dispositivo assume o estado fechado, em que dissipa energia apenas por conduo.
Entretanto, no instante em que o comando do transistor for atribudo a zero, o transistor inicia o

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

26

processo de turn-off. Neste processo, que na Figura 2.11 se inicia no instante t = t6 , os eventos
j detalhados sucedem em ordem inversa e, portanto, sero brevemente descritos a seguir.
(i)

Intervalo entre os instantes t = t6 e t = t7 :


Neste intervalo, a tenso VGE (VGS ) se reduz a uma constante de tempo j definida
nas equaes (2.12) e (2.13). A tenso VCE (VDS ) e a corrente IC (ID ) se mantm
constantes. Este perodo, portanto, representa o atraso no processo de turn-off (turn-off
delay) (RASHID, 2011).

(ii)

Intervalo entre os instantes t = t7 e t = t8 :


No instante t = t7 , a tenso VGE (VGS ) atinge um valor limite insuficiente para sustentar
a corrente IC (ID ) igual IL (RASHID, 2011). A tenso VCE (VDS ) passa ento a
aumentar, enquanto IC (ID ) ainda se mantm constante. A taxa de aumento desta tenso
depende de RG , em razo inversa (FAIRCHILD, 2002).

(iii)

Intervalo entre os instantes t = t8 e t = t9 :


No instante t = t8 , a tenso VCE (VDS ) atinge o valor da tenso do barramento c.c. (VDC )
e o diodo de roda-livre passa a conduzir. Assim, a corrente IC (ID ) passa a decrescer a
uma taxa tambm proporcional ao inverso de RG (FAIRCHILD, 2002). A estrutura MOS
do IGBT define o perfil de queda da corrente IC neste intervalo. Por esta razo, Fairchild
(2002) se refere corrente que ainda circula no coletor neste perodo como corrente de
MOSFET.

(iv)

Intervalo entre os instantes t = t9 e t = t10 :


Neste intervalo, a corrente ID do MOSFET decai mesma taxa que no intervalo anterior.
No IGBT, todavia, a corrente IC decresce a uma taxa menor e s se extingue em t10 . A
corrente IC que persiste neste intervalo referida por corrente de cauda (tail current)
e justifica o pior desempenho destes dispositivos nos transitrios de chaveamento, em
comparao com os MOSFETs. Esta corrente de cauda se estabelece em razo do excesso
de portadores minoritrios (lacunas) na regio n . Essas lacunas s podem se extinguir
por recombinao, j que com o canal MOS j desfeito, a polarizao do gate com
tenso negativa no contribui para a eliminao destes portadores. Como o tempo de vida
dos portadores nesta regio elevado (para que a tenso VCE direta em conduo seja
menor), este processo de recombinao se sustenta por um longo intervalo. Isso justifica
a durao da cauda de corrente. No instante t = t10 , todavia, j no h circulao de
corrente no coletor e o processo de turn-off se encerra.

Assim, o tempo total demandado para o processo de turn-on do transistor equivale a t4 ,


no caso em estudo. A energia dissipada neste processo, Eon(Q) portanto, resulta da integrao no
tempo, ao longo do intervalo [0, t4 ], das tenses e correntes instantneas no transistor, vq (t) e

27

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

iq (t):
t4

vq (t) iq (t) dt.

Eon(Q) =

(2.16)

J o tempo demandado para o processo de turn-off do diodo equivale a t3 t01 . A energia


despendida neste processo, referida por energia de recuperao reversa (Err ), vem da equao:
Z t3
Err(D) =
vd (t) id (t) dt,
(2.17)
t01

em que vd (t) e id (t) denotam as tenses e correntes instantneas no diodo.


Por fim, a durao do processo de turn-off do transistor de t10 t6 . Sendo assim, a
energia dissipada neste perodo, Eof f (Q), advm da equao:
Z

t10

vq (t) iq (t) dt.

Eof f (Q) =

(2.18)

t6

Em geral, os fabricantes informam, em catlogo, as energias Eon(Q) , Eof f (Q) e Err em


funo da corrente no transistor ou no diodo, para um valor de tenso de barramento c.c., de
resistncia de gate e de tenso de comando3 . A definio destas energias pode variar, conforme o
fabricante. Por exemplo, a fabricante Infineon atribui Eon(Q) , no catlogo de IGBTs, a energia
dissipada no intervalo entre os instantes em que a corrente de coletor parte de 10 % do valor
nominal e que a tenso VCE atinge 2% do valor inicial (VOLKE; HORNKAMP, 2012). J a
Semikron define Eon(Q) , no caso dos IGBTs, como a energia despendida entre os instantes em
que corrente de coletor vale 0 A at o ponto em que a tenso VCE equivale a 5% do valor inicial
(WINTRICH et al., 2015). Assume-se, neste trabalho, que qualquer destas definies leva a uma
estimativa suficientemente exata da energia dissipada durante estes processos de chaveamento.
Assim, as curvas dos fabricantes so adotadas para o clculo das perdas de chaveamento no
transistor PQ(on) e PQ(of f ) e, analogamente, das perdas durante a recuperao reversa do diodo
Prr . Na Figura 2.12 constam algumas curvas Eon(Q) , Eof f (Q) Ic e Err Id tpicas de um
catlogo de um mdulo comercial (INFINEON, 2013). A variao das energias Eon(Q) , Eof f (Q)
e Err com a resistncia de gate inferida a partir das curvas de Eon(Q) , Eof f (Q) Rg e Err Rg ,
comuns nas folhas de dados e tambm apresentadas na Figura 2.12.
Todavia, alguns fatores de correo devem ser multiplicados pelos valores de Eon(Q) ,
Eof f (Q) e Err informados na folha de dados para cada nvel de corrente no transistor ou no
diodo. Esses fatores ajustam estes valores para as condies reais de operao do dispositivo,
que diferem daquelas em que as curvas do catlogo foram avaliadas. Em geral, so includos
3

Estas curvas de energia dissipada Eon(Q) , Eof f (Q) e Err em funo da corrente no transistor ou no diodo
so mais usuais em catlogos de mdulos com IGBTs. Parte dos fabricantes de MOSFETs base de silcio,
contudo, omite estas curvas nos catlogos. Sendo assim, o clculo destas energias nestes MOSFETs se baseia
na estimativa da integral do produto entre tenso e corrente durante o intervalo de chaveamento, com base em
dados nominais informados em tabelas.

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

28

Figura 2.12 Curvas do catlogo do mdulo comercial trifsico FF450R12KE4 (Infineon).

Curvas: (a) curva Eon Ic , para um valor de tenso VCE , de resistores de gate de on e de off e para a tenso VGE
igual a 15V , (b) curva Err Id , para um valor de resistor de gate de on e da tenso VCE , (c) curva Eon Rg ,
para um valor de corrente Ic e de tenso VCE e (d) curva Err Rg , para um valor de corrente Id e de tenso VCE .
Fonte: Infineon (2013).

dois fatores de escala, aqui denotados por kV dc e kRg , que consideram a dependncia dos valores
de energia com a tenso do barramento e com a resistncia de gate, nesta ordem. Assim, na
condio em que o mdulo de potncia opera com tenso do barramento VDC , resistncia de

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

29

gate Rg , temperatura de juno Tj e com corrente instantnea isw (t), tem-se:


E(VDC , Rg , isw (t), Tj ) = kV dc kRg E(VDC(ref ) , Rg(ref ) , isw (t), Tj ),
VDC
kV dc =
,
VDC(ref )
E(VDC(ref ) , Rg , isw(ref ) , Tj )
,
kRg =
E(VDC(ref ) , Rg(ref ) , isw(ref ) , Tj )

(2.19)
(2.20)
(2.21)

em que VDC(ref ) e Rg(ref ) constituem os valores de referncia dos ensaios disponibilizados em


catlogo e E se refere s energias Eon(Q) , Eof f (Q) e Err(D) , genericamente.
Cabe, aqui, um comentrio sobre o fator kV dc . O fabricante Semikron preconiza que as
energias Eon(Q) , Eof f (Q) e Err(D) variam exponencialmente com a tenso do barramento VDC
e a taxas distintas para o transistor e para o diodo (WINTRICH et al., 2015). Assim, segundo
Wintrich et al. (2015), os fatores kV dc devem ser definidos pelas equaes a seguir, para o IGBT
e para o diodo, por exemplo:

cq
VDC
kV dc(IGBT ) =
,
(2.22)
VDC(ref )

cd
VDC
,
(2.23)
kV dc(D) =
VDC(ref )
em que cq [1, 3; 1, 4] e cd 0, 6. Todavia, outros fabricantes, como ABB (ABB, 2013), Infineon
(VOLKE; HORNKAMP, 2012), International Rectifier (IR, 2012), Dynex Semiconductor (RAO;
CHAMUND, 2014), sustentam que as energias Eon(Q) , Eof f (Q) e Err(D) variam com a tenso do
barramento segundo uma funo linear e que a equao (2.19) se aplica. Para fins de simplificao,
supe-se, nos clculos de perdas, que esta relao linear para dispositivos de quaisquer
fabricantes e que o fator de correo kV dc resulta da equao (2.20).
Assim, as perdas de chaveamento no transistor PQ(on) e PQ(of f ) e de recuperao reversa
do diodo Prr , resultam, portanto, da soma acumulada das energias Eon(Q) , Eof f (Q) e Err durante
um intervalo maior ou igual ao perodo da potncia instantnea, T . Novamente, opta-se por obter
as correntes no transistor e no diodo a partir de simulaes temporais, pelas razes j apresentadas
na seo anterior. Como naquele caso, as correntes indicadas na equao (2.19) como grandezas
no domnio do tempo contnuo passam a ser amostradas a cada passo de simulao Ts . A cada
amostra k em que houver a comutao de estado, a soma das energias atualizada. Logo, vem:
Pon(Q)

Pof f (Q)

Prr

dT /Ts e
1 X
Eon (VDC(ref ) , Rg(ref ) , iq [k])),
= kV dc kRg
T k=0

(2.24)

dT /Ts e
1 X
= kV dc kRg
Eof f (VDC(ref ) , Rg(ref ) , iq [k 1])),
T k=0

(2.25)

dT /Ts e
1 X
= kV dc kRg
Err (VDC(ref ) , Rg(ref ) , id [k 1])),
T k=0

(2.26)

em que id [k] e iq [k] denotam as k-simas amostras das correntes no diodo e no transistor e kV dc
e kRg so dados pelas equaes (2.20) e (2.21), nesta ordem.

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

2.2.2

30

Perdas nos indutores

Em linhas gerais, as estimativas de potncia dissipada nos indutores provm da soma de


duas parcelas de perdas: (i) nos condutores, em razo da resistncia srie no-nula e varivel
com a frequncia; (ii) no material magntico do ncleo, como resultado das perdas por histerese,
por efeito Foucault e residuais.
Para que as perdas nos condutores sejam estimadas, a resistncia total do enrolamento
e as perdas joulicas associadas devem ser derivadas para cada frequncia. Dois efeitos fsicos,
referidos na literatura como efeito pelicular e proximidade, determinam a distribuio das
correntes ao longo da seo reta do condutor para cada frequncia e, assim, a resistncia do
enrolamento. A Figura 2.13 ilustra a ao destes dois efeitos sobre o perfil das correntes.
Como se deduz da Figura 2.13, o efeito pelicular tende a reduzir a rea efetiva de
circulao das correntes com o aumento da frequncia. Grosso modo, quanto maior a frequncia
f , menor a espessura do anel em que estas correntes circulam ao longo da periferia e, portanto,
maior a resistncia do material. Sendo assim, a profundidade de penetrao fica definida como
a distncia da superfcie do condutor em que a densidade de corrente 1/e ou 37 % do valor
na superfcie (MCLYMAN, 2004). A funo que correlaciona com a frequncia f e com os
parmetros fsicos do material dada por:
r

=
,
(2.27)
f
em que e se referem permeabilidade e resistividade do material, nesta ordem (POPOVIC;
POPOVIC, 2012). Um critrio prtico para a seleo da bitola do condutor atribui o valor de
ao raio do condutor r, na frequncia do harmnico de maior amplitude. Se a densidade mxima
de corrente for excedida para esta bitola, vrios destes condutores so associados em paralelo.
Desse modo, o efeito pelicular pode ser minimizado nesta frequncia.
Figura 2.13 Perfil das correntes ao longo da seo reta do condutor com os efeitos pelicular e proximidade.

Fonte: Adaptado de Mhlethaler e Kolar (2015).

31

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

J o efeito proximidade se refere ao efeito de um condutor sobre a distribuio das


correntes alternadas em outros condutores prximos (POPOVIC; POPOVIC, 2012). Este efeito
advm do cancelamento ou da sobreposio das linhas de fluxo de campo magntico que enlaam
os vrios condutores. A Figura 2.13 indica o perfil de correntes no caso em que pelos condutores
(tambm sujeitos ao efeito pelicular) circulam correntes em fase ou defasadas em 180 . Como
consequncia deste confinamento das correntes nas bordas em que as linhas de fluxo se somam,
a resistncia do material se altera no s com a frequncia, mas tambm com a distncia entre os
condutores.
De modo genrico, a potncia dissipada nos enrolamentos Pcobre de um indutor com
correntes distorcidas pode ser estimada pela soma algbrica das perdas hmicas associadas aos
harmnicos de ordem n:

Pcobre

1
1X
= Rdc i2dc +
Rac [n]i2ac [n],
2
2 n=1

(2.28)

em que Rdc e Rac consistem nas resistncias do enrolamento para as componentes contnua
e alternada e idc e iac , os valores de pico destas componentes, nesta ordem. Nesta equao,
a resistncia Rac deve incluir os efeitos pelicular e proximidade. As equaes analticas para
esta resistncia, para os dois efeitos, so apresentadas por Kondrath e Kazimierczuk (2010) e
sero omitidas neste texto. Neste trabalho, para fins de simplificao, apenas as perdas joulicas
associadas Rdc , supostas dominantes, so consideradas no clculo de perdas no enrolamento.
Por outro lado, para que as perdas mdias no ncleo Pnucleo possam ser estimadas, a
equao referida na literatura por equao de Steinmetz comumente adotada (LI; ABDALLAH;
SULLIVAN, 2001):
V,
Pnucleo = kf B

(2.29)

denota o valor de
em que k, e so constantes que dependem das propriedades do material, B
pico da densidade de fluxo e V , o volume do ncleo. As constantes desta equao so empricas
e, em geral, so informadas no catlogo dos fabricantes. Entretanto, esta equao s se aplica
excitao senoidal (LI; ABDALLAH; SULLIVAN, 2001) e no modela, por exemplo, as perdas
em indutores de conversores com modulao PWM (Pulse-Width Modulation). Ademais, como
a equao de Steinmetz prev uma relao no-linear entre as perdas no ncleo, a frequncia
e a densidade de fluxo de pico, a soma algbrica das perdas relativas a cada ordem harmnica
das correntes no retorna uma estimativa correta das perdas totais. Em razo desta dificuldade,
usual uma simplificao que assume que a componente de 60 Hz sobre o indutor equivale a uma
corrente c.c. que polariza a parcela na frequncia de chaveamento (SHIMIZU; IYASU, 2009). As
perdas associadas a parcelas em outras frequncias, todavia, no so includas nesta abordagem.
Como alternativa a estas simplificaes, novas formulaes da equao (2.29), aplicveis
para indutores com correntes distorcidas, foram propostas na literatura (LI; ABDALLAH;
SULLIVAN, 2001; VENKATACHALAM et al., 2002). Estas novas formulaes incluem a

32

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

relao entre as perdas Pnucleo e a variao do fluxo dB/dt. O estado da arte destas formulaes
abordado pelos autores Mhlethaler, Kolar e Ecklebe (2011). Para simplificao deste texto,
apenas a equao adotada neste trabalho, referida por iGSE (improved Generalized Steinmetz
Equation), apresentada:

Z T
dB
1
(B) dt,
Pnucleo =
ki
(2.30)
T 0
dt
com
ki =

k
(2)1

R 2
0

|cos| 2 d

(2.31)

em que B se refere excurso pico a pico da densidade de fluxo B com perodo T (inverso
da frequncia fundamental F da corrente no indutor), as constantes k, , so as mesmas da
equao de Steinmetz e o ngulo se refere ao ngulo instantneo de B. Esta formulao
adotada aqui por retornar estimativas mais acuradas do que a equao clssica (2.29) e por
depender apenas dos parmetros informados pelo fabricante (MHLETHALER; KOLAR;
ECKLEBE, 2011). A implementao computacional da equao (2.30), adotada neste trabalho,
discutida por Venkatachalam et al. (2002).

2.2.3

Modelos trmicos de regime permanente

A proposio de modelos trmicos para os mdulos semicondutores e para os dissipadores


constitui fase obrigatria nas rotinas de projeto de conversores. Como critrio mnimo de projeto,
a temperatura de juno dos semicondutores, estimada via modelo, no deve superar o limite
trmico do material. Este critrio deve ser atendido no s em regime permanente como tambm
nos estados transitrios, como condio para que a vida til do componente seja estendida. Assim,
a modelagem trmica deve reproduzir o comportamento dos elementos em estado estacionrio e
transitrio. Para as anlises de rendimento pretendidas neste trabalho, todavia, os modelos de
regime permanente j so suficientes4 . Sendo assim, apenas estes modelos so abordados nesta
seo.
Na literatura, prope-se a modelagem trmica dos componentes do conversor segundo
abordagens analticas (CLEMENTE, 1993), numricas (DUDEK et al., 2015; WU et al., 2014)
ou ainda, por analogia com circuitos eltricos (GACHOVSKA et al., 2015; LIXIANG et al.,
2006). O mtodo analtico se baseia na soluo da equao do calor para o sistema, a partir de
formulaes para o problema de transferncia via conduo, radiao e conveco. Por exemplo,
Clemente (1993) prope uma equao temporal para a temperatura de juno com base na
hiptese de que o chip pode ser aproximado por um slido semi-infinito com temperatura inicial
4

De fato, como discute Wintrich et al. (2015), a temperatura de juno dos componentes no rastreia o perfil
da potncia dissipada, com perodo T , no caso em que as constantes de tempo dos semicondutores (da ordem
de centenas de milissegundos) so muito maiores do que T . Neste caso, a temperatura de juno mdia se
aproxima da temperatura mxima. Como o perodo T de 1/60 s nos conversores deste trabalho, admite-se que
essa simplificao seja vlida. Como resultado, modelos de regime permanente podem ser adotados.

33

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

uniforme e de que o fluxo de calor por conduo pela superfcie superior uma funo definida
do tempo.
Como alternativa a esta tcnica analtica, Dudek et al. (2015) desenvolvem um modelo
tridimensional para o sistema em um software de soluo numrica via elementos finitos. As
camadas do substrato e as metalizaes que conectam o chip ao encapsulamento referidas na
literatura por wire bonds so representadas neste modelo para fins de identificao de fontes de
falha em processos de ciclagem trmica.
Como esta abordagem numrica depende de parmetros construtivos do mdulo semicondutor (dimenses fsicas, geometria, materiais, etc.), vrios trabalhos propem modelos trmicos
mais simples, baseados em circuitos eltricos. Estes modelos descrevem macroscopicamente o
comportamento trmico do dispositivo e podem ser derivados diretamente dos dados informados
no catlogo do fabricante. Estes circuitos trmicos como so designados os circuitos eltricos
que modelam processos trmicos se valem da analogia entre o fluxo P de calor e a corrente
eltrica e entre a diferena de temperatura T e a de potencial eltrico. Com base nesta analogia,
a resistncia trmica R definida como:
R=

d
T
=
,
P
A

(2.32)

em que d, A, denotam, nesta ordem, a espessura, a rea da seo reta e a condutividade trmica
do material.
Em geral, as interfaces entre a juno de cada dispositivo e o encapsulamento, entre o
prprio encapsulamento e o dissipador e entre este e o ambiente exibem resistncias trmicas nonulas. Estas resistncias, portanto, devem ser includas no circuito trmico do sistema completo.
Nestes circuitos, com diagramas ilustrados na Figura 2.14, a juno (J), o encapsulamento (C),
o dissipador (S) e o ambiente (A) so representados como ns. As temperaturas nestes pontos
equivalem s tenses destes ns, referenciadas ao ponto de terra (com temperatura nula). As
potncias dissipadas por cada dispositivo correspondem s correntes que por eles circulam e uma
fonte de tenso fixa impe a temperatura ambiente no n A.
Duas variaes de circuito equivalente, denotadas por 1 e 2 na Figura 2.14, podem
ser derivadas a partir dos dados disponibilizados nos catlogos dos mdulos semicondutores.
Se a resistncia entre encapsulamento e dissipador R(cs) informada em datasheet para cada
dispositivo do mdulo, o circuito 1 proposto. Todavia, se apenas uma resistncia R(cs)
fornecida por mdulo, o circuito 2 deve ser adotado em alternativa. Segundo Eupec (2011), o
valor de R(cs) individualizado para cada componente nos casos em que a temperatura do base
plate no pode ser assumida uniforme e em que os chips se distribuem ao longo da superfcie do
mdulo. Caso contrrio, o n de encapsulamento pode ser assumido comum aos componentes no
mesmo mdulo e apenas um valor de R(cs) se torna suficiente. Em qualquer uma destas variaes
de circuito, os sub-circuitos dos mdulos montados no mesmo dissipador devem compartilhar o
n S.

34

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Figura 2.14 Circuitos trmicos equivalentes de regime permanente.

PQ1

Rjc (Q1)

Rjc (D1)

CQn
Rcs (D1)

Rjc (Dn)
JDn

CD1
Rcs (Dn)

PQn
Rsa

Rjc (Qn)
Rcs

JQn
PD1

A
Tamb

Rjc (D1)
JD1

PDn

CDn

Rsa
S

...

PDn

Rjc (Q1)
JQ1

Rcs (Qn)

...

JD1

CQ1

Rjc (Qn)
JQn

PD1

PQ1

...

PQn

...

JQ1

Rcs (Q1)

A
Tamb

Rjc (Dn)
JDn
Mdulo 1

Mdulo 1

...

...

Mdulo n

(a)

Mdulo n

(b)

Tipos: (a) circuito 1 e (b) circuito 2.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Em suma, se os elementos do sistema forem modelados por resistncias trmicas convenientemente arranjadas, a temperatura de juno para cada dispositivo pode ser estimada a
partir da soluo do circuito trmico equivalente. Esta tcnica de modelagem trmica adotada
neste trabalho, como alternativa s abordagens analtica e numrica, por se basear apenas em
parmetros informados nos catlogos.

2.3

Mtodos de medio de perdas

Nos ltimos anos, novas tecnologias de dispositivos semicondutores e de topologias de


circuito acenaram para o aumento do rendimento de conversores de potncia e, como resultado,
para a reduo de volume e de peso. Todavia, estes ganhos em rendimento, somados reduo
dos tempos de comutao das chaves, tornaram ainda mais complexa a caracterizao destes
conversores quanto ao rendimento via ensaios experimentais. De fato, procedimentos tradicionalmente adotados para medio eltrica de perdas passaram a impor restries, em funo de
limitaes de exatido, resoluo e faixa de passagem. Os calormetros, portanto, reemergiram
neste contexto como alternativa a estes mtodos convencionais. Esta seo revisa estas duas
tcnicas de medio de perdas, i.e., a medio eltrica (via wattmetros) e via calormetro.

2.3.1

Medio eltrica

A medio eltrica das perdas de um conversor (Ploss ) se baseia, diretamente, na subtrao das leituras de wattmetros na entrada (Pin ) e na sada (Pout ):
Ploss = Pin Pout .

(2.33)

35

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

O rendimento do conversor , ou da seo de circuito avaliada, fica definido por:


Pout
.
Pin

(2.34)

Assim, a incerteza mxima na medio das perdas (Ploss ) depende das incertezas mximas
associadas s medies das potncias de entrada Pin e de sada Pout (FOREST et al., 2006):





Pout
Ploss Pin 1
=




(2.35)
Ploss Pin 1 + Pout 1 .
A Figura 2.15(a) representa esta variao da incerteza relativa mxima na medio de perdas
|Ploss /Ploss | em funo do rendimento do conversor, supondo o uso de wattmetros com vrias
classes de exatido na leitura de potncia (). Seja, por exemplo, um conversor de 90 % de
rendimento. As incertezas nas perdas, para wattmetros com  de 0, 1 %, 0, 2 %, 0, 5 % e 1 %
valem cerca de 2 %, 4 %, 10 % e 20 %, nesta ordem. A incerteza relativa mxima na medio
de rendimento / dada na Figura 2.15(b). O valor de / atinge, no mximo, o dobro
da incerteza na leitura de potncia (KOLAR et al., 2012). Ora, se um conversor de 98 % de
rendimento for avaliado, as faixas de incerteza nas leituras com wattmetros com  de 0, 2 %,
0, 5 % e 1 % so aproximadamente de 0, 4 %, 1 %, 2 %. Ademais, para que as perdas neste
conversor sejam definidas com incertezas menores do que 10 %, wattmetros com no mximo
0, 1 % de exatido devem ser usados.
Figura 2.15 Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do conversor, para
wattmetros de vrias classes de exatido (indicadas sobre as curvas).
20

1%

15 1 %

10

Incerteza em [%]

Incerteza em P loss [%]

0,5 %
0,2 %

0,1 %
0
80

85

90

95

100

[%]

0,5 %
1
0,2 %
0
-1
-2
85

90

95

[%]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Cabe acrescentar, todavia, que a exatido do wattmetro deve ser avaliada na frequncia
e na faixa de valores das tenses e correntes no conversor. Em geral, o aumento de amplitude e
de frequncia das tenses e correntes tende a aumentar a incerteza na leitura do equipamento,
em razo de restries de resoluo e frequncia de amostragem. A Tabela 2.2 apresenta, como
exemplo, parte das especificaes do wattmetro de modelo WT3000, com menor erro de medio
de potncia dentre os comercializados pelo fabricante Yokogawa. A exatido do equipamento para

36

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

cada faixa e frequncia apresentada nesta tabela, supondo o uso do sensor de corrente do prprio
equipamento (de 50A mximos) na condio de fator de potncia unitrio (YOKOGAWA, 2016).
O custo deste equipamento, na data desta pesquisa, era de cerca de 30 mil dlares (AXIOM,
2016).
Tabela 2.2 Especificaes de exatido do wattmetro WT3000, com menor erro na leitura de potncia dentre os
comercializados pelo fabricante Yokogawa.

Faixa de frequncias (f )

Exatido

DC
0, 1 Hz f < 30 Hz
30 Hz f < 45 Hz
45 Hz f < 66 Hz
45 Hz f < 66 Hz (com filtro de BW de 500Hz)
66 Hz f < 1 kHz
1 kHz f < 10 kHz
10 kHz f < 50 kHz
50 kHz f < 100 kHz
100 kHz f < 500 kHz
500 kHz f 1 M Hz

0, 05 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 08 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 05 % da leitura + 0, 05 % da faixa
0, 01 % da leitura + 0, 03 % da faixa
0, 21 % da leitura + 0.03 % da faixa
0, 05 % da leitura + 0, 05 % da faixa
0, 15 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 3 % da leitura + 0, 2 % da faixa
0, 014 f % da leitura + 0, 3 % da faixa
0, 012 f % da leitura + 1 % da faixa
(0, 048 f 19) % da leitura + 2 % da faixa

Fonte: Extrado de Yokogawa (2016).

Seja, por exemplo, uma UPS hipottica de dupla converso trifsica de cerca de 7, 2 kW ,
de frequncia de chaveamento de 20 kHz e com leituras de tenso e de corrente na entrada e na
sada nas faixas de 300 V e 30 A. No barramento c.c., as tenses e correntes desta UPS hipottica
se situam na faixa de 600 V e 20 A. Se a medio das perdas somente no inversor do estgio de
sada for conduzida, por exemplo, com o wattmetro WT3000, os canais de entrada e de sada
deste wattmetro devem ser instalados no barramento c.c. e na sada do inversor (antes do filtro
de sada). Do mesmo modo, estes canais devem medir a entrada do retificador (depois do filtro
de entrada) e o barramento c.c, se o objetivo for estimar as perdas no retificador. Na medio do
rendimento total da UPS, estes canais podem ser alocados no ponto de acoplamento com a rede
e com a carga. Se a anlise da variao da incerteza em funo do rendimento for reconduzida
para este wattmetro e para estes ensaios na UPS hipottica, os resultados da Figura 2.16 so
derivados, na condio em que os fatores de potncia de entrada e de sada so unitrios. Supese o uso de um filtro5 de frequncia de corte de 500 Hz no ensaio de medio do rendimento
total da UPS, para atenuao dos harmnicos de chaveamento. Para fins de simplificao, as
incertezas das leituras no barramento c.c., bem como na entrada do retificador e na sada do
inversor, so atribudas ao valor indicado pelo fabricante para a operao na faixa de 10 kHz a
50 kHz. De fato, como as especificaes da Tabela 2.2 s valem para sinais puramente senoidais,
a exatido resultante para sinais distorcidos fica indefinida. Admite-se, portanto, que a opo
pela especificao de exatido naquela faixa de frequncias conservadora.
5

O filtro passa-baixas uma funcionalidade do prprio wattmetro e pode ser habilitado ou no pelo usurio. As
frequncias de corte disponveis, no modelo WT 3000, so de 500 Hz, 5, 5 kHz e 50 kHz.

37

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

Figura 2.16 Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do conversor, para os
ensaios propostos na UPS hipottica de 7, 2 kW e frequncia de chaveamento de 20 kHz.
0.9
~ (97, 10) %

0.8

15

Incerteza em [%]

Incerteza em P loss [%]

20

~ (96, 10) %
10

inversor/
retificador

inversor/retificador

0.7
0.6
UPS

0.5
UPS
0
80

90

100

[%]

0.4
85

90

95

[%]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se infere da Figura 2.16, mesmo com um equipamento com esta classe de exatido,
o conversor deve ter rendimento menor do que cerca de 96 % para que as perdas sejam estimadas
com erros inferiores a 10 %. A incerteza quanto ao rendimento dos estgios intermedirios
da UPS, com correntes e/ou tenses de entrada e/ou de sada com contedo harmnico no
desprezvel, se torna ainda maior do que na UPS completa. Por outro lado, ainda que a qualidade
da medio seja suficiente para uma dada aplicao, o custo deste wattmetro ou de similares
talvez torne invivel a aquisio destes equipamentos. Ademais, a medio de perdas em um
conversor com potncias maiores com este tipo de wattmetro pode depender ainda do uso
de sensores de corrente externos, o que tende a aumentar o custo e a degradar a qualidade de
medio como resultado da combinao das incertezas do wattmetro e do sensor externo.
Outros fatores podem ainda incidir no aumento das incertezas associadas medio, como por
exemplo, a operao em fatores de potncia no-unitrios (YOKOGAWA, 2016), a diferena
entre o ciclo real e o ciclo em que as perdas so efetivamente calculadas pelo equipamento e os
atrasos na aquisio de tenso e de corrente (STAFINIAK; KOSOBUDZKI, 2009).
Outra tcnica para a medio eltrica das perdas se baseia ainda do uso de osciloscpios
ou de sistemas de aquisio de dados, em alternativa aos wattmetros. Em geral, as perdas nas
chaves, isoladamente, so estimadas por esta tcnica. Assim, basta que as chaves representativas
de um conversor (i.e., aquelas que por argumento de simetria j so suficientes para as anlises
de rendimento), sejam avaliadas. Particularmente para conversores c.c./c.a. (ou c.a./c.c.), esta
medio depende da aquisio das tenses e correntes ao longo de pelo menos meio ciclo de
60 Hz. Sendo assim, segundo Viswanathan e Oruganti (2007), vrias so as restries desta
tcnica, como, por exemplo: (i) a limitao em banda de passagem introduzida pelas pontas de
prova de tenso e de corrente; (ii) as tenses de offset somadas por estas pontas; (iii) os erros
de quantizao associados converso A/D, no-desprezveis considerando a larga excurso
dos sinais medidos e (iv) as dificuldades de aquisio de uma janela de meio ciclo de 60 Hz

38

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

com taxa de amostragem suficiente, em razo das limitaes de pontos no display e de memria.
Estes erros de quantizao e a resoluo limitada dos conversores A/D tornam complexa no s
a captura exata das transies no chaveamento, como tambm a medio da tenso direta dos
dispositivos, no estado ligado das chaves.
Uma terceira tcnica, referida por mtodo de oposio, tambm pode ser adotada para
medio eltrica das perdas. Esta tcnica depende do uso de dois sistemas idnticos: um como
gerador e o outro como receptor, conectados rede eltrica como no arranjo da Figura 2.17. O
gerador reinjeta na rede eltrica a energia consumida pelo arranjo, a menos das perdas nos dois
sistemas (2Ploss ). Sendo assim, a medio das perdas pode ser conduzida diretamente com um
canal do wattmetro, instalado no ponto de acoplamento com a rede.
Figura 2.17 Arranjo tpico dos conversores no mtodo da oposio.
2Ploss

Rede eltrica

P1

P1 - Ploss

Conversor 1

P1 - 2Ploss

Rplica do
conversor 1

Fonte: Adaptado de Forest et al. (2006).

Conforme Forest et al. (2006), como vantagens deste mtodo figuram a reduo da
potncia fornecida pela rede durante os ensaios de medio de perdas; o fato de dispensar o uso
de cargas dissipativas e, ainda, a possibilidade de medio direta das perdas. Para este mtodo, a
incerteza relativa mxima na leitura das perdas no conversor dada por:



Ploss P



(2.36)
Ploss = P ,
em que P/P a incerteza relativa na medio de potncia do wattmetro em uso. Sendo assim,
o mtodo da oposio introduz um ganho de qualidade de medio em comparao com aquela
primeira tcnica de medio de perdas. Todavia, a necessidade de que o conversor em teste seja
replicado e que seja reversvel em potncia pode tornar invivel a implementao deste mtodo.
Ademais, a presumida equivalncia entre as perdas nos dois conversores pode no ser vlida,
em razo da operao em regimes distintos (gerador e receptor) e da disperso natural entre os
parmetros dos dispositivos semicondutores em uso nos dois conversores.

2.3.2

Medio via calormetro

Outro mtodo de medio de perdas deriva do uso de calormetros. Grosso modo, os


calormetros so equipamentos que convertem o calor Q liberado por uma amostra em variao

39

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

de temperatura T , a partir da transferncia integral de Q para um fluido via processos de


conveco, radiao e conduo. Em princpio, contrariamente aos mtodos da seo anterior,
a exatido do calormetro independe do rendimento do conversor, da distoro harmnica das
formas de onda ou do ngulo de fase entre tenso e corrente. Como resultado, calormetros com
nveis de exatido sem precedentes em comparao com outros mtodos so reportados,
por exemplo, nos trabalhos de Kosonen et al. (2013), Sverko, Krishnamurthy e Lane (2013)
e Christen et al. (2010). Nestes trabalhos, a incerteza relativa na medio das perdas so de
0, 4 %, 1 % e 0, 2 %, nesta ordem, na faixa de potncias avaliada, para qualquer rendimento.
Esta seo descreve, em linhas gerais, as classes de calormetro definidas na literatura.
Um primeiro critrio de classificao decorre do tipo de medio, que pode ser direta, a partir
da interao com o prprio conversor em teste (CUT, da sigla em ingls Converter Under Test)
ou indireta, por meio da reproduo das perdas no CUT com um aquecedor. Calormetros com
medio direta podem ser subdivididos em duas categorias, conforme o tipo de refrigerao
e de estrutura: a dos calormetros abertos refrigerados a ar e a dos calormetros fechados,
com refrigerao gua. Por fim, os calormetros indiretos podem ser arranjados quanto
simultaneidade ou no dos testes: nos calormetros do tipo srie, um aquecedor reproduz as
perdas no conversor ao mesmo tempo em que o CUT opera, j nos calormetros balanceados, este
aquecedor anlogo s simula o conversor depois que os ensaios com o CUT j foram conduzidos.
O diagrama da Figura 2.18 ilustra estas categorias de calormetro, descritas brevemente nas
subsees a seguir.
Figura 2.18 Classificao dos calormetros.

Calormetros

Diretos

Abertos
refrigerados
a ar

Fechados
refrigerados
gua

Indiretos

Balanceados

Srie

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

2.3.2.1

Calormetros diretos, abertos e refrigerados a ar

Na Figura 2.19 consta um diagrama tpico de um calormetro aberto refrigerado a ar (ou


a qualquer gs). Nesta variao de calormetro, a amostra ensaiada em uma cmara fechada,
com duas aberturas com sensores de temperatura instalados. O ar frio temperatura T1 (ou o
gs refrigerante) entra por uma destas aberturas e o calor liberado pela amostra diretamente
transferido para este fluido. Pela abertura oposta, o gs emerge da cmara, temperatura T2 .

40

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

Assim, vem, em regime permanente, se as perdas na amostra valem Ploss :


Ploss = v (2 cp2 T2 1 cp1 T1 ) = m 2 cp2 T2 m 1 cp1 T1 ,

(2.37)

em que e cp se referem densidade (em kg m3 ) e ao calor especfico (J kg 1 C 1 ) do


gs, enquanto v e m
denotam a vazo volumtrica (m3 s1 ) e mssica (kg s1 ). Os ndices 1
e 2 designam as propriedades do fluido nas aberturas de entrada e de sada, nesta ordem. Se
estas propriedades forem conhecidas, ou passveis de medio, as perdas na amostra so funes
apenas da variao da temperatura do fluido.
Figura 2.19 Diagrama de um calormetro direto, aberto e refrigerado a ar.

ar frio

ar quente
Amostra

T1

T2

Fonte: Adaptado de Cao et al. (2010).

Como vantagens desta variao de calormetro, citam-se:


(i)

a simplicidade de construo e o baixo custo da montagem;

(ii)

a facilidade de resfriamento do fluido em uso, via sistemas de ar-condicionado (CAO et


al., 2010);

(iii)

a reduo do tempo total de medio, em comparao com variaes indiretas de calormetro ou com aquelas refrigeradas gua (ITOH; NIGORIKAWA, 2012).

No obstante, vrias so as desvantagens desta classe de calormetros, como, por exemplo:


(i)

a sensibilidade do calor especfico do fluido cp a variaes de temperatura, umidade,


presso e densidade (CAO et al., 2010), o que pode incidir em erros na estimativa de cp
e, assim, na medio de perdas;

(ii)

a limitao intrnseca em exatido, j que as perdas de calor para o ambiente, negligenciadas na equao (2.37), podem no ser desprezveis dependendo da diferena entre a
temperatura interna e do meio externo (ITOH; NIGORIKAWA, 2012);

(iii)

a suscetibilidade a variaes das condies ambientais, como de temperatura e umidade


(ITOH; NIGORIKAWA, 2012);

(iv)

o aumento de volume em comparao com calormetros refrigerados gua, como


resultado do menor calor especfico dos gases e da pior transferncia de calor com a
amostra (CAO et al., 2010).

Em razo destas limitaes, estes calormetros so mais usuais em ensaios de rendimento de


motores eltricos com potncias da ordem de kW .

41

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

2.3.2.2

Calormetros diretos, fechados refrigerados gua

Os calormetros diretos podem ser ainda fechados e refrigerados gua, como nos
diagramas da Figura 2.20. O refrigerante, neste caso, circula por um circuito fechado e transfere
o calor para o ar da cmara, hermeticamente fechada. Para que esta transferncia seja combinada
a processos de conveco forada, ventiladores so instalados no interior da cmara. A gua
entra por um duto temperatura T1 , passa por um trocador de calor e retorna ao circuito externo
temperatura T2 , para refrigerao. A parede da cmara pode ser simples ou de dupla camada,
como nas Figuras 2.20(a) e (b), respectivamente. Neste ltimo caso, a temperatura do ar no vo
entre as camadas controlada para que equivalha temperatura no interior da cmara (ITOH;
NIGORIKAWA, 2012). Nesta condio, no h transferncia de calor para o meio externo, o que
suprime o efeito das perdas para o ambiente sobre a exatido da medio.
A equao (2.37) tambm se aplica a esta variao de calormetro. Em razo da maior
estabilidade dos parmetros fsicos da gua em relao temperatura, esta equao pode ser
simplificada, sem que se incorra em erros significativos, como:
Ploss = v cp (T2 T1 ) = m
cp (T2 T1 ) ,

(2.38)

em que e cp se referem agora densidade e ao calor especfico da gua, supostos invariveis


nos dutos de entrada e de sada.
Figura 2.20 Diagrama de um calormetro direto, fechado e refrigerado gua.

gua fria

gua quente

gua fria

T1

trocador
de calor

T2

gua quente
Amostra

ventilador

T1

trocador
de calor

T2

aquecedor

(a)

ventilador

Amostra

ar

(b)

Caso com: (a) parede simples, (b) parede dupla.


Fonte: Adaptado de Cao et al. (2010).

Em geral, figuram-se como vantagens desta classe de calormetros:


(i)

a maior estabilidade dos parmetros fsicos da gua em relao temperatura e, assim,


maior exatido na medio de perdas em comparao com calormetros com refrigerantes
gasosos;

(ii)

a mitigao do efeito das perdas para o ambiente sobre a exatido da medio, no caso
em que se adota a tcnica de controle de temperatura do ar no vo entre camadas da
parede dupla;

(iii)

menor suscetibilidade variao das condies ambientais, para os calormetros de


camada dupla.

42

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

Os calormetros fechados e refrigerados gua, portanto, superam as restries impostas


pelos calormetros abertos com refrigerao a ar. Em contrapartida, h algumas desvantagens em
relao a esta outra classe:
(i)

o maior custo e complexidade, em virtude do uso de gua como refrigerante, de paredes


de duas camadas e de controles adicionais de temperatura entre estas camadas (ITOH;
NIGORIKAWA, 2012);

(ii)

o maior tempo de medio, em funo do maior calor especfico da gua (ITOH; NIGORIKAWA, 2012);

(iii)

a reduo do volume til da cmara para a alocao da amostra, com a adio do trocador
de calor (CAO et al., 2010);

(iv)

o efeito das perdas dos ventiladores, que adiciona incertezas na leitura da potncia
dissipada pela amostra (CAO et al., 2010).

Apesar destas desvantagens, os calormetros fechados e refrigerados gua exibem a


maior exatido, dentre todas as variaes de calormetro.
2.3.2.3

Calormetros indiretos balanceados

Diferentemente das classes de calormetros descritas nas sees anteriores, os calormetros indiretos se valem de um aquecedor rplica, que reproduz as perdas na amostra. A Figura
2.21 esquematiza a estrutura tpica de um calormetro indireto do tipo balanceado.
Figura 2.21 Diagrama de um calormetro indireto balanceado.

ar frio

t = t + tteste1

ar quente

Amostra
T1

aquecedor

T2

Fonte: Adaptado de Cao et al. (2010).

Neste sistema, dois experimentos so conduzidos em sequncia. No primeiro, a amostra


ensaiada no interior de uma cmara com a mesma estrutura que a do calormetro aberto. No
subsequente, o aquecedor rplica (normalmente um resistor) controlado para que a variao
de temperatura T2 T1 se equipare do experimento anterior (CAO et al., 2010). Se esta
variao se mantiver igual anterior em regime permanente, ento, presumida a equivalncia das
condies dos dois experimentos, as perdas da amostra so iguais s do aquecedor rplica.
Como vantagens deste mtodo calorimtrico, enumeram-se:

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

43

(i)

o fato de dispensar a caracterizao acurada do fluido refrigerante, j que a medio


das perdas na amostra depende apenas da hiptese de que as propriedades do fluido se
conservam nos experimentos consecutivos (CAO et al., 2010);

(ii)

a simplicidade de construo, similar do calormetro aberto refrigerado a ar, salvo a


dificuldade adicional introduzida pelo uso de aquecedores.
Como exemplos de desvantagens dos calormetros indiretos balanceados, tem-se:

(i)

o aumento substancial do tempo de medio, que excede o dobro do tempo demandado


em outras variaes de calormetro (CAO et al., 2010);

(ii)

os erros que advm da hiptese de que as condies se mantm nos dois experimentos:
como o gradiente de temperatura interna se altera como resultado das diferenas fsicas
entre amostra e aquecedor, a interao do sistema com o meio varia e, assim, as perdas
para o ambiente (CAO et al., 2010);

(iii)

a sensibilidade a variaes das condies ambientais, que podem, inclusive, diferir nos
dois experimentos.

Cabe acrescentar que o efeito do meio externo sobre a medio pode ser minimizado se
paredes com camadas de metal separadas por um isolante (em arranjo sanduche) forem adotadas.
Como consequncia, uma superfcie aproximadamente isotrmica passa a interagir com o meio
(CAO et al., 2010), nos dois experimentos.
2.3.2.4

Calormetros indiretos do tipo srie

Outra variao de calormetro aquela denotada na literatura como indireta e do tipo


srie, com diagrama esquemtico ilustrado na Figura 2.22. Neste calormetro, em oposio ao
mtodo balanceado, os ensaios com a amostra e com o aquecedor rplica so simultneos.
A cmara de teste, com estrutura similar das montagens de calormetro aberto e indireto
balanceado, , neste caso, subdividida em dois setores intercomunicantes. No primeiro setor,
onde se localiza o duto de entrada do fluido refrigerante, a amostra ensaiada. No segundo,
com o duto de sada do fluido, se aloca o aquecedor rplica. O objetivo , pois, controlar a
potncia do aquecedor Ph para que as variaes entre as temperaturas de entrada e de sada dos
dois setores sejam equivalentes. Se esta condio se preserva em regime permanente, as perdas
na amostra so iguais a Ph (CAO et al., 2010).

44

Captulo 2. Reviso bibliogrfica


Figura 2.22 Diagrama de um calormetro indireto do tipo srie.

ar frio

ar quente

Amostra
aquecedor

Fonte: Adaptado de Cao et al. (2010).

O uso deste mtodo calorimtrico leva s vantagens:


(i)

a independncia entre a definio acurada dos parmetros do fluido refrigerante e a exatido do mtodo, j que a medio se embasa apenas no pressuposto de estes parmetros
so iguais nas duas sees da cmara;

(ii)

a reduo do tempo de medio do calormetro balanceado pela metade, em decorrncia


da simultaneidade dos testes na amostra e no aquecedor rplica.

Apesar destes ganhos, os calormetros indiretos do tipo srie exibem algumas desvantagens, como por exemplo:
(i)

a dificuldade de manter as perdas para o ambiente constantes nas duas sees, uma vez
que a temperatura interna da seo com o duto de sada maior;

(ii)

os erros que resultam da suposio de que as propriedades do fluido so iguais nas duas
sees, enquanto, na prtica, estas variam com a temperatura;

(iii)

o aumento dos custos relativamente ao mtodo balanceado, em razo da adio da


segunda cmara.

O calormetro em teste neste trabalho, que deriva de adaptaes do sistema proposto


por Itoh e Nigorikawa (2012), pode ser considerado uma variao do calormetro indireto do
tipo srie. Ao contrrio deste tipo, todavia, os ensaios na amostra e no aquecedor rplica
so conduzidos em cmaras independentes, no-comunicantes. Como a medio no leva, em
princpio, a diferenas entre as temperaturas nas duas cmaras, as perdas para o ambiente podem
ser assumidas iguais. Paredes com estrutura sanduche (metal-isolante-metal) minimizam o
efeito do meio externo sobre a medio e ventiladores nas duas cmaras contribuem para a
uniformizao da temperatura interna. Grosso modo, portanto, o calormetro avaliado combina
a maior parte das vantagens das montagens descritas nas sees precedentes e ainda supera
restries intrnsecas dos mtodos indiretos.

Captulo 2. Reviso bibliogrfica

2.4

45

Concluses do captulo

Neste captulo, revisam-se brevemente as classes de UPS definidas na literatura. As


vantagens e desvantagens de cada classe de UPS foram enumeradas. As UPSs de dupla converso,
objeto de estudo deste trabalho, foram conceituadas. As perdas assumidas dominantes nestas
UPSs foram detalhadas na sequncia e as equaes para o clculo destas perdas, bem como os
modelos trmicos de regime permanente para o conversor, foram apresentados. Estas equaes
e modelos sero adotados nos estudos de rendimento conduzidos neste trabalho. Em seguida,
foram descritos os mtodos eltricos e calorimtricos de medio de perdas em conversores, que
sero avaliados experimentalmente nesta pesquisa.
O captulo a seguir apresenta as abordagens de modelagem e de simulao da UPS de
dupla converso.

46

3 MODELAGEM E SIMULAO DA
UPS DE DUPLA CONVERSO
Neste captulo so apresentadas as abordagens para a modelagem e simulao das UPSs
de dupla converso. Estas simulaes so obrigatrias para as anlises de rendimento, pretendidas
neste trabalho. Inicialmente, so detalhados os circuitos de potncia e as especificaes das
UPSs de dupla converso em estudo. Os modelos dos estgios inversor e retificador e as tcnicas
adotadas para o controle e sintonia de ganhos dos controladores destes estgios so descritos na
sequncia. Por fim, enumeram-se os procedimentos de dimensionamento dos filtros de entrada e
de sada.

3.1

Circuitos de potncia em estudo

Historicamente, os conversores de dois nveis (2n) foram adotados nas UPSs de dupla
converso trifsicas comerciais como primeira alternativa para a converso c.a./c.c. e c.c./c.a.. A
Figura 3.1 ilustra um inversor em topologia de dois nveis. Nesta topologia, a tenso Vao i.e., a
tenso entre o n da fase a e o ponto central do barramento c.c. assume apenas dois estados, ou
nveis: +VDC /2 e VDC /2, em que VDC constitui a tenso plena do barramento c.c.. As chaves,
nestes arranjos, devem ser dimensionadas para que suportem a tenso VDC . Os filtros de sada
no inversor (ou de entrada do retificador) devem recuperar a componente fundamental de tenso
a partir da forma de onda com degraus de amplitude pico-a-pico de VDC .
Figura 3.1 Topologia de inversor de dois nveis.
Tenso reversa
mxima de VDC
S1

VDC/2

Filtro LC

Carga

b
c

VDC/2
S2

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Nos conversores de trs nveis (3n), em contraponto, a tenso Vao excursiona entre trs
estados: +VDC /2, 0 e VDC /2. Como resultado, a tenso de sada do inversor (ou de entrada do
retificador) exibe uma resoluo maior (i.e., degraus de tenso menores) e menor distoro

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

47

harmnica em comparao com os conversores 2n. Demonstra-se este aumento de resoluo


na Figura 3.2, em que as tenses de linha de sada de inversores 2n e 3n so contrapostas.
Figura 3.2 Tenses de sada de linha de um inversor de topologias de dois e de trs nveis.

Topologias: (a) dois nveis, (b) trs nveis.


Fonte: Adaptado de TOSHIBA (2008).

As Figuras 3.3(a) e 3.3(b) representam duas topologias tpicas de conversores de trs


nveis, referidas na literatura por NPC (Neutral Point Clamped) ou NPC1 e por NPC2 ou tipo
T, nesta ordem. Neste texto, doravante, as nomenclaturas NPC1 e NPC2 sero adotadas em
referncia a estas duas topologias. Na topologia NPC1, todas as chaves podem ser especificadas
para o bloqueio de metade da tenso plena do barramento, como indicado na Figura 3.3(a). J na
topologia NPC2, apenas as chaves que conectam o n o s fases podem ser dimensionadas
com tenso reversa mxima de VDC /2, como aponta a Figura 3.3(b).
Estas topologias de trs nveis, j disponveis em mdulos de potncia comerciais, so
provavelmente adotadas nas UPSs atuais nos estgios de converso c.c./c.a. e c.a./c.c.. Desde
2008, a fabricante Toshiba passou a comercializar UPSs com conversores 3n (TOSHIBA, 2008).
A srie G9000 deste fabricante, que se estende s UPSs de dupla converso de 100 kV A a
1 M V A, integra conversores 3n. A srie de UPSs GE TLE (da fabricante General Electric), com
potncias de 225 kW a 1, 5 M W tambm inclui estgios 3n. J a Engetron, fabricante brasileira
de UPS, iniciou os estudos para a comercializao de UPSs de dupla converso de trs nveis.
Por outro lado, em setembro de 2015, a Mitsubishi Electric anunciou uma nova de linha
de UPSs de dupla converso (UPSs Summit Series) com dispositivos de carbeto de silcio (SiC).
Os mdulos de potncia de SiC, j disponveis atualmente, exibem, em comparao com os de Si,
maior condutividade trmica, maior intensidade mxima de campo eltrico, maior velocidade de
deriva dos eltrons (saturation electron drift velocity), menor densidade de portadores intrnsecos
(DIMARINO; BURGOS; BOROYEVICH, 2015) e maior largura de banda (SINGH; PECHT,
2008). Como consequncia destas propriedades, o SiC permite melhor transferncia de calor
para o ambiente, menor resistncia em conduo (on-state resistance) e, ainda, a operao em
frequncias de chaveamento e temperaturas de juno mais elevadas (DIMARINO; BURGOS;

48

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso


Figura 3.3 Topologias de inversores de trs nveis.

Tenso reversa
mxima de VDC/2

S1

Tenso reversa
mxima de VDC
VDC/2

S2
D5
Filtro LC

S3

VDC/2

Carga

D6
S4

(a)

S1
VDC/2

S2

S3
Filtro LC

Carga

S4
VDC/2

(b)

Topologias: (a) NPC1, (b) NPC2.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

BOROYEVICH, 2015). Segundo informaes da Mitsubishi Electric, a nova srie de UPSs


com SiC inclui apenas modelos de 500 kV A, com previso de expanso para UPSs de 750 kV A
(MITSUBISHI, 2015). O rendimento anunciado desta srie de UPSs atinge 98% em carga de
50% (MITSUBISHI, 2015). No foram localizados, todavia, outros dados ou a documentao
tcnica destas UPSs. De qualquer forma, o anncio de lanamento desta srie de UPS, com
desempenho sem precedentes, acena para a viabilidade dos dispositivos de SiC em UPS.
A viabilidade destes dispositivos tambm demonstrada em alguns trabalhos de pesquisa.
Por exemplo, tambm em setembro de 2015, o instituto de pesquisas Fraunhofer ISE (Institut
fr Solare Energiesysteme), reportou, no portal de notcias do instituto, o desenvolvimento
de um prottipo de UPS de 10 kV A com transistores de SiC, com rendimento de 98, 7 %, em
colaborao com a fabricante ROHM (FRAUNHOFER, 2015). Segundo informaes veiculadas
no portal, o prottipo opera frequncia de chaveamento de 100 kHz e o volume total de apenas
5 litros. A reduo de volume e de custos dos indutores atinge cerca de 66 %, comparativamente
s UPSs tradicionais base de silcio, segundo aquela fonte. Como os resultados da pesquisa
no foram oficialmente publicados at a presente data, no foram obtidos detalhes do estudo ou

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

49

do prottipo implementado.
Tambm a pesquisa de Mcbryde et al. (2010), por exemplo, atesta o ganho de rendimento
de UPSs com mdulos de SiC a partir de medies em prottipos experimentais de UPSs de dupla
converso de 6 kV A/230 V , em topologia half-bridge no inversor e no retificador, frequncia
de chaveamento de 20 kHz. O rendimento do prottipo com MOSFETs e diodos de SiC no
estgio inversor e somente diodos de SiC no retificador comparado ao da montagem com
IGBTs e diodos de silcio nos dois estgios, em distintas condies de carga. A UPS com SiC,
quando comparada UPS com mdulos de Si, exibe um aumento de rendimento de 1, 35 %
e 0, 93 %, para as condies de carregamento de 16, 6 % e de 66, 6 %, nesta ordem. Como os
prprios autores indicam, este ganho de rendimento poderia ser ainda maior se a operao em
frequncias de chaveamento mais elevadas fosse avaliada.
Em razo do largo uso e destas novas tendncias de mercado, elegem-se, para os estudos
de rendimento deste trabalho, as topologias de dois nveis com mdulos de potncia de Si e
de SiC e de trs nveis de Si, nos arranjos NPC1 e NPC2. A opo por mdulos e no por
dispositivos discretos j considera as variaes de componentes, em uma mesma topologia, para
que o desempenho global seja timo. Por exemplo, na topologia NPC1, o fabricante tende a
compor um brao de chaves de modo que os transistores mais internos sejam otimizados para
menores perdas de conduo e os mais externos, para menores perdas de chaveamento e.g.,
como se nota no mdulo FS3L50R07W2H3F, do fabricante Infineon. Isso leva a um aumento no
rendimento do conversor, em especial, na operao como inversor. Assim, para que a comparao
entre as topologias j contemple estas adaptaes de projeto, apenas mdulos com no mnimo
um brao de chaves so especificados. De outra forma, os componentes discretos deveriam ser
dimensionados dependendo das condies em que operam, em cada topologia, o que tornaria
esta seleo mais complexa. Cabe salientar ainda que a seleo de mdulos de SiC apenas de
dois nveis se deve indisponibilidade de opes comerciais em outras topologias.
Por outro lado, os mdulos de potncia selecionados para compor as vrias topologias
devem ser de mesma classe de corrente e de tenso (i.e., de mesma tenso mxima de barramento
c.c.), para que nenhuma das topologias seja penalizada nesta comparao de rendimento. Todavia,
a tentativa de padronizao dos vrios mdulos quanto capacidade de corrente se torna
complexa, em virtude da variedade de parmetros associados aos limites mximos de corrente.
De fato, estes parmetros so definidos segundo as prticas do fabricante e variam com as
condies de operao (e.g., com a temperatura de juno e de encapsulamento). Sendo assim,
para a seleo dos mdulos, orienta-se pelo parmetro comum aos catlogos, referido por
corrente c.c. mxima de coletor/dreno. Este parmetro s embasa a opo pelos mdulos e no
o dimensionamento trmico da UPS. Na Tabela 3.1, enumeram-se os mdulos avaliados neste
trabalho. A seleo por mdulos na faixa de 60 A 75 A e de tenso de barramento c.c. mxima
de 1200 V se baseia apenas no critrio de disponibilidade de dispositivos no mercado, nas vrias
topologias em estudo.

50

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso


Tabela 3.1 Mdulos semicondutores de potncia comparados neste trabalho quanto ao rendimento.

Mdulos comparados
Modelo

Tipo

Tenso reversa
mxima das chaves

Corrente c.c.
mxima de
coletor/dreno

FF75R12RT4 (Infineon)

2 nveis/ Si

1200 V

75 A

CCS050M12CM2 (CREE)

2 nveis/ SiC

1200 V

59 A

F3L75R07W2E3B11 (Infineon)

NPC1/ Si

650 V

75 A

F3L150R12W2H3B11
(Infineon)

NPC2/ Si

1200 V (S1/S4)
650 V (S2/S3)

75 A

Como, em geral, o rendimento de cada topologia depende das condies de operao,


UPSs de dupla converso com vrias potncias nominais, nveis de tenso de barramento c.c. e
frequncias de chaveamento so avaliadas. Na Tabela 3.2 constam as especificaes das UPSs
consideradas neste trabalho1 .
Tabela 3.2 Especificaes das UPSs de dupla converso avaliadas na comparao de topologias.

Especificaes

Valores avaliados

Tenso do barramento c.c. (VDC )

[550, 650, 750, 850] V

Frequncia de chaveamento (fsw )

[3, 84; 7, 68; 15, 36; 30, 72] kHz

Potncia nominal de sada (Pout )

[2, 500; 4, 375; 6, 250; 8, 125; 10, 000] kW

Admite-se que as UPSs de dupla converso em anlise integram inversores e retificadores


com mesma topologia. A Figura 3.4 representa os circuitos de potncia simulados. Nestes
circuitos, as baterias ou o conversor c.c./c.c. que as conecta ao barramento so desprezados.
Todos os circuitos so simulados no software Simulink/MATLAB.
Nas simulaes destas UPSs, no se associam mdulos de potncia em paralelo ou
em srie. Assume-se o uso do dissipador P16 com o ventilador SKF 16B230-1, do fabricante
Semikron. Os mdulos que integram o estgio inversor so montados em um nico dissipador.
Em outro dissipador, tambm com conveco forada, so dispostos os mdulos do estgio
retificador.
Ademais, os dissipadores e os dispositivos semicondutores so representados por modelos trmicos de parmetros concentrados (descritos na seo 2.2.3). A resistncia trmica do
dissipador estimada pelo valor informado no catlogo do fabricante, supondo um cenrio de
1

Apesar de as UPSs com potncias inferiores a 10 kW comumente no serem trifsicas, considera-se esta faixa
de potncias para que no se exceda a temperatura de juno mxima nos dispositivos das UPSs com tenses
de barramento c.c. de 850 V e frequncia de chaveamento de 30, 72 kHz. Do mesmo modo, frequncias de
chaveamento menores do que 10 kHz so avaliadas apenas para que cada topologia seja submetida a vrios
cenrios, em que dominam ora as perdas de conduo, ora as de chaveamento.

51

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso


Figura 3.4 Diagrama esquemtico das UPSs de dupla converso avaliadas.

Filtro LCL

Rede
eltrica

Lf
Cf

Li

Retificador

Inversor

Filtro LC

Carga

L
C

(a)

(b)

(c)

Conversores: (a) com estrutura de dois nveis, (b) com estrutura NPC1, (c) com estrutura NPC2.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

52

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

ocupao da superfcie com resistncia trmica dissipador-ambiente de cerca de 0, 03 K/W .


Nesta condio, no h violao do limite trmico na juno dos semicondutores em nenhuma
das UPSs em estudo, em regime nominal de carga.
Na Figura 3.5 consta uma representao grfica das UPSs simuladas, indicadas por
crculos. No total, portanto, so dimensionadas 80 UPSs de dupla converso. A tenso de entrada
e de sada das UPSs simuladas de 220 V .
Figura 3.5 Representao grfica das UPSs simuladas (indicadas por crculos), com as respectivas especificaes.

VDC [V]

850

750

650

P out [W]

550
3840

7680

15360
fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

3.2

Controle dos estgios da UPS

Esta subseo descreve, sucintamente, as tcnicas de controle adotadas na UPSs simuladas. Estas tcnicas devem permitir a sintonia automtica dos ganhos dos controladores, de
modo que em todas as condies de operao (VDC , fsw , Pout ) os critrios de desempenho
arbitrados sejam atendidos. Para tanto, a sintonia por alocao dos zeros da rigidez dinmica do
controlador (e, assim, dos polos da funo de transferncia) foi adotada. Opta-se pelo controle em
coordenadas sncronas (dq0), para que os controladores tradicionais do tipo proporcional-integral
(PI) no introduzam erros persistentes de magnitude e de fase. A orientao adotada para os
eixos de referncia d e q consta na Figura 3.6. Admite-se ainda a operao dos conversores
com modulao PWM (Pulse-Width Modulation) do tipo senoidal, usual nas aplicaes em
que a carga alimentada a quatro fios e tenses de sequncia zero no devem ser geradas pelo
conversor.
Assumindo que a tenso do barramento c.c. constante, os estgios retificador e inversor podem ser dissociados e simulados individualmente. Esta simplificao reduz o custo
computacional das simulaes e, por esta razo, adotada nas anlises deste trabalho. O controle do retificador e do inversor, detalhados nas sees subsequentes, so tambm supostos
independentes.

53

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso


Figura 3.6 Orientao adotada para os eixos de referncia.

a,
q
b

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

3.2.1

Controle do retificador

No retificador PWM, ou ativo, duas dinmicas (ou plantas) devem ser controladas, a
saber, a do barramento c.c. e a do filtro LCL (Lf , Cf e Li ) de entrada. Estas dinmicas devem
ser explicitadas em coordenadas sncronas, dq0, para que as grandezas trifsicas senoidais
sejam mapeadas para o domnio contnuo e, assim, os controladores PI no incorram em erros
persistentes de fase e de amplitude, como j foi comentado.
Se o filtro LCL de entrada suposto amortecido, o capacitor Cf pode ser desprezado
no modelo desta planta para frequncias menores do que a frequncia de ressonncia do filtro
(LISERRE; BLAABJERG; HANSEN, 2005) e as equaes para a tenso da entrada do retificador
em coordenadas sncronas se reduzem a:

vd = rL id + LT dt id + ed + LT iq
(3.1)
vq = rL iq + LT dtd iq + eq LT id

d
v0 = rL i0 + LT dt i0 + e0
em que rL e LT constituem as resistncias e indutncias totais dos indutores do filtro (LT =
Li + Lf ). As componentes d, q e 0 de cada varivel so indicadas por subndices. As tenses
da rede eltrica e na entrada do retificador so denotadas por e e v e as correntes no indutor
equivalente LT so referidas por i. J denota a frequncia angular do referencial sncrono,
dada por 2f , em que f a frequncia da rede. O sentido positivo das correntes aquele
indicado na Figura 3.7. Como se nota nestas equaes, a dinmica do filtro exibe, inerentemente,
acoplamentos entre as variveis de eixo d e q.
Por outro lado, a dinmica do barramento c.c. descrita pela equao:
iL = io + Cd

dvDC
dt

(3.2)

em que iL e io designam a corrente de carga e a de sada do retificador e vDC e Cd representam


a tenso e a capacitncia total do barramento c.c., nesta ordem. A conveno de notao e de
sentido destas correntes tambm indicada na Figura 3.7.

54

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso


Figura 3.7 Diagrama de controle do retificador trifsico.

Lf

Li

io

ia

ea

iL
iCd

ib

eb

...

ic

Cd

ec
vcfa

Cf

vcfb

VDC

vcfc
ga gb gc
ia
ib
ic

Controle e
modulao

VDC

vcfa vcfb vcfc


Malha
de VDC

VDC*

id*

VDC

Malha
de id

abc

id

dq

iq

abc

Malha de id

id
_

id *

Vcfd

sLe

VDC

re
id

id
Malha de iq

iq* = 0

Ra

+_

Vcfq

sLe

re

iq

vq*

++
+ _
+

Le id

iq

id

Gret

vq

Le iq

eq

LT

+_
+_

iq

vd*

++
+
++

Ra

+_

iq LT
Gret

vd

ed
__
+_

+_

gc

iL
1
sLT

id

io

_+

VDC*

ki
s
kp

gb

SPWM

iq* = 0

Malha de VDC

ga

dq

Malha
de iq

PLL
3

vcf

1 VDC
sC d

rL

Planta

1
sLT

rL

iq

Desacoplamento de
realimentaes internas
Comando explcito ou
feed-forward

Compensao de
perturbao
Desacoplamento entre
eixos d e q

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Para que o sistema seja mapeado para o referencial sncrono, um algoritmo de sincronismo PLL (Phase Locked Loop) deve ser implementado. O diagrama de PLL adotado neste
trabalho consta na Figura 3.8. Neste diagrama, as tenses Vcf a , Vcf b e Vcf c se referem s tenses
sobre o capacitor Cf . A sintonia do controlador do PLL depende da modelagem em pequenos
sinais deste sistema. Esta modelagem, bem como o critrio de sintonia dos ganhos proporcional

55

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

(kpP LL ) e integral (kiP LL ), so abordados em Silva (1999) e sero omitidos aqui, para fins de
simplificao do texto.
Figura 3.8 Diagrama de PLL implementado.

k i PLL
s
Vq* 0

+-

k p PLL

ff 2 f

1
s

Vq

dq

Vd
Vcfa
Vcfb
Vcfc

abc

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se infere das dinmicas com modelos em (3.1) e (3.2), a tenso no barramento
c.c. (VDC ) e as correntes de entrada i, enquanto variveis de estado, devem ser as variveis
controladas. O controle da tenso VDC deve prover a rejeio da perturbao introduzida pela

corrente de carga iL e o rastreamento da tenso de referncia VDC


. J o controle das correntes
de entrada deve: (i) rejeitar o efeito da tenso da rede eltrica e, que atua como um distrbio
no sistema; (ii) garantir fator de potncia unitrio no ponto de acoplamento comum com a
rede; (iii) desacoplar as malhas de corrente dos eixos direto e de quadratura; (iv) compensar as
realimentaes internas, introduzidas, por exemplo, pela resistncia equivalente rL dos indutores
e (iv) atuar como um recurso de proteo no sistema.
As aes pretendidas para os controladores de corrente e de tenso so includas no
diagrama de controle da Figura 3.7 e discriminadas na legenda. Outras aes de feed-forward,
tambm indicadas, so adicionadas para que os controladores apenas corrijam desvios em torno
do ponto de operao nominal, reduzindo o esforo de controle. Os comandos explcitos foram
a frequncia de corte do sistema em malha fechada para a da malha de corrente (SILVA, 1999)
e, ainda, permitem dissociar as malhas do controlador para que atuem paralelamente sobre os
estados (e no em cascata). As estimativas da indutncia total do filtro e da resistncia total dos
indutores, denotadas por Le e re na Figura 3.7, so tambm consideradas no clculo das aes
de controle2 .
No diagrama da Figura 3.7, a corrente de referncia de eixo d sintetizada pela malha de
controle de tenso no barramento c.c., vDC . Como condio para o sincronismo entre a tenso e
a corrente da rede, a corrente de referncia de eixo q atribuda a zero. A rigor, esta corrente
no deve ser zero, j que as variveis sincronizadas pelo controle so as tenses no capacitor
2

Supe-se, arbitrariamente, que h um erro de 20 % nas estimativas da indutncia total do filtro e da resistncia
total dos indutores.

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

56

Cf e as correntes no indutor Li , no as tenses e correntes da rede (LISERRE; BLAABJERG;


HANSEN, 2005). Assim, uma parcela associada corrente em Cf deveria ser adicionada quela
corrente de referncia. Todavia, supe-se aqui que o efeito deste capacitor, dimensionado para
que absorva no mximo 5 % da corrente nominal, possa ser desprezado. Outra simplificao
decorre da suposio de que a funo de transferncia Gret , que quantifica a razo entre a tenso
na entrada do retificador v e o comando v , seja unitria3 .
Ainda sobre o diagrama da Figura 3.7, cabe salientar ainda que as aes integrais so
somente includas na malha externa (de tenso) e no na interna (de corrente), para que no
sejam introduzidas dinmicas concorrentes nestas duas malhas, em um mesmo nvel de energia.
Por fim, a constante denotada por H no diagrama da Figura 3.7, que estabelece a razo entre io
e id , provm da equivalncia entre as potncias ativas nos lados c.a. e c.c. do retificador, se as
perdas no retificador forem desprezadas:
3

vd id VDC
io ,
2
io
3 vd
H=
.

id
2 VDC

(3.3)
(3.4)

A figura de mrito para rejeio das perturbaes referida por rigidez dinmica e
mensura quantas unidades da grandeza de distrbio levam perturbao de uma unidade da
varivel controlada (RYAN; LORENZ, 1995). Por exemplo, se a variao de 100 A da corrente
de carga iL leva variao de 1 V na tenso do barramento c.c., a rigidez dinmica do sistema
em relao iL de 100 A/V . Assim, analogamente ao conceito aplicado a sistemas mecnicos,
quanto maior a rigidez do sistema, menor a suscetibilidade aos distrbios. A rigidez dinmica
mnima em relao a cada uma das variveis de perturbao deve ser, pois, definida como
um critrio de projeto dos controladores (RYAN; LORENZ, 1995). Para tanto, as funes que
definem a rigidez dinmica para o sistema controlado, em relao tenso da rede e e corrente
de carga iL , devem ser avaliadas. Com base no diagrama de controle da Figura 3.7, vem, para
estas funes4 :
e

(3.5)
= sLT + Ra ,
i
iL
= sCd + kp + ki .
(3.6)
vdc
s
em que Ra e kp equivalem aos ganhos proporcionais das malhas de corrente e de tenso e ki
se refere ao ganho integral do controlador de tenso, como se nota na Figura 3.7. Por inspeo
destas funes, depreende-se que os controladores de fato definem a resposta de rigidez dinmica
3

Esta simplificao pode ser adotada se a frequncia de corte da funo de transferncia Gret for pelo menos dez
vezes maior do que a da malha de corrente.
Na deduo destas funes, assumem-se as seguintes premissas: (i) as realimentaes internas e o acoplamento
entre as malhas so compensados integralmente pelas aes de controle; (ii) as entradas de referncia e com as
aes de compensao de perturbao ou de feed-forward so nulas; (iii) a malha de corrente id /id , a constante
Gret e o produto Gret H so unitrios.

57

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

do sistema. O ganho Ra , por exemplo, domina na resposta |e/i| em baixas e mdias frequncias.
J os ganhos kp e ki incidem sobre a rigidez |iL /vDC | em mdias e baixas frequncias, nesta
ordem. O esboo das assntotas destas funes apresentado na Figura 3.9. Assim, a interseo
entre as assntotas descrevem os pontos onde os zeros da rigidez dinmica (e, assim, os polos
das funes de transferncia5 ) esto alocados. Se o zero da rigidez |e/i| for denotado por i e
os da caracterstica |iL /vDC | forem v(1) e v(2) (com v(1) > v(2) ), vm as equaes para os
ganhos dos controladores, diretamente:

Ra = i LT ,
kp = v(1) Cd ,

ki = v(2) kp .

(3.7)

Figura 3.9 Esboo das assntotas das curvas de rigidez dinmica.

e
i

iL
v DC

LT
Ra

ki

C D

kp

[rad/s]

(a)

v ( 2)

v (1)

[rad/s]

(b)

Caractersticas: (a) |e/i|, (b) |iL /vDC |.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Portanto, basta definir um critrio para alocao de i , v(1) e v(2) para que os ganhos
dos controladores sejam derivados. Opta-se por alocar os polos de modo que a razo entre
as frequncias de polos adjacentes seja de 10, como na regra prtica usual. J a razo entre a
frequncia de chaveamento chav (2fsw ) e a frequncia do polo i fixada em 5, para que no
haja degradao da dinmica do controle na condio em que as frequncias de chaveamento so
menores. As equaes a seguir resumem este critrio de alocao, adotado para cada condio
de operao avaliada:

i = chav /5,
(3.8)
v(1) = i /10,

v(2) = v(1) /10.


A metodologia de dimensionamento do filtro LCL e, assim, da indutncia total LT ,
detalhada na seo 3.3. Arbitra-se que a rigidez dinmica associada a este projeto de LT , para
5

Os zeros das funes de rigidez dinmica |e/i| e |iL /vDC | equivalem aos polos das funes de transferncia

|i/i | e |vDC /vDC


|, como pode ser demonstrado a partir do diagrama da Figura 3.7.

58

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

frequncias da ordem de 60 Hz, deve superar o valor de 15V /A. Caso contrrio, o valor de LT
elevado para o valor mnimo que leva rigidez pretendida. Para este valor arbitrrio de 15V /A,
variaes de 10% na tenso da rede (i.e., 18V em uma rede de tenso de fase de pico de 180 V )
levam a excurses de no mximo 1, 2 A na corrente de entrada i (i.e., cerca de 10% da menor
corrente de entrada avaliada). A capacitncia total do barramento fixada em 1, 5 mF , em todas
as condies de operao, para que o ripple mximo da tenso do barramento c.c. seja de 1%
para o caso com mxima potncia de carga. Nesta condio, o ripple do barramento c.c. pode ser
desprezado, o que fundamenta, pois, a opo pela anlise independente dos estgios retificador e
inversor, aqui adotada.
Os critrios enumerados nesta seo, portanto, so suficientes para que os ganhos dos
controladores sejam sintonizados para cada especificao de potncia nominal, tenso do barramento c.c. e frequncia de chaveamento do conversor, em qualquer das topologias trifsicas
avaliadas neste trabalho.
Os resultados da simulao de um retificador trifsico de 10 kV A com parmetros dados
na Tabela 3.3 so apresentados na Figura 3.10. Os testes de reverso de carga (apesar de atpicos
em UPSs) e de variao de 10 % na tenso da rede so conduzidos nestas simulaes, para que
a suscetibilidade do controle a estas perturbaes seja avaliada. Estas perturbaes ocorrem,
em sequncia, nos instantes indicados por t1 e t2 nos grficos da Figura 3.10. A corrente iL ,
assumida constante, a tenso do barramento VDC , a tenso da rede e e a corrente da rede ig
(multiplicada por dois) constam nesta figura. O ngulo entre e e ig e espectros harmnicos das
correntes nos indutores Li e Lf so tambm apresentados.
Tabela 3.3 Tabela com os parmetros do retificador com resultados de simulao apresentados na Figura 3.10.

Parmetro
Tenso eficaz da rede eltrica (e)
Tenso do barramento c.c. (VDC )
Frequncia de chaveamento (fsw )
Potncia nominal de sada (Pout )
Indutncia L1
Indutncia Lf
Capacitncia Cf
Ganho proporcional da malha de corrente (Ra )
Ganho proporcional da malha de tenso (kp )
Ganho integral da malha de tenso (ki )

Valor
220 V
550 V
15, 36 kHz
10 kW
480 H
250 H
27 F
15
11, 5 S
2235 S/s

Como se nota na Figura 3.10, as variveis controladas so perturbadas no mximo


em 4 %, em resposta s contingncias nos instantes t1 e t2 . Sendo assim, fica demonstrada a
efetividade da tcnica de controle aqui adotada. O fator de potncia da entrada (que resulta do
cosseno do ngulo ) se mantm aproximadamente unitrio. A corrente na rede exibe distoro
harmnica total de cerca de 1 %, menor do que o limite de 2 %, fixado como critrio de projeto
do filtro LCL. Isso, portanto, valida o dimensionamento do filtro LCL de entrada, discutido na

59

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

seo 3.3.
Figura 3.10 Resultados da simulao de um retificador trifsico com os parmetros da Tabela 3.3.

iL [A]

20
0
-20
0.05

0.1

V DC [V]

570
560

2i ga [A], e a [V]

0.1

t1

1 pu

t 2 0.15

0.2

0.25

1 pu

0,9 pu

1 pu

100
0
-100
-200

ea

0.05

2i gb [A], e b [V]

0.25

550

200

0.1

t1

200 1 pu

t 2 0.15

1 pu

2i ga

0.2

0.25
1 pu

0,9 pu

0
-200

2i gb

0.05
200

2i gc [A], e c [V]

0.2

552
550
548

0.05

t1

1 pu

0.1

t 2 0.15

1 pu

eb

0.2

0.25

0,9 pu

1 pu

-200

ec

0.05

t1

0.1

180
150
[]

0.15

t2

t1

t 2 0.15

2i gc

0.2

0.25

180

100
50

2,0

0
0.05

0.1
1

t2

0.15

0.2

Tempo [s]

0.25

60

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

Amplitude [%]

Espectro harmnico da corrente em L1


15

(15,36 kHz, 14,4 %)

10
(30,72 kHz, 2,7 %)

10

15

20

25
30
35
40
Frequncia [kHz]

Espectro harmnico da corrente em L


Amplitude [%]

THD = 15,5 %

45

50

55

60

(15,36 kHz, 0,8 %)


THD = 1,0 %

0.5

10

15

20

25
30
35
40
Frequncia [kHz]

45

50

55

60

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

3.2.2

Controle do inversor

Para o controle do inversor, adotam-se tcnicas anlogas s descritas na seo 3.2.1.


Novamente, a sintonia dos ganhos dos controladores se embasa na alocao dos zeros da funo
de rigidez dinmica e na inspeo desta caracterstica. Para o inversor, diferentemente do caso
do retificador, apenas a dinmica do filtro deve ser controlada. As equaes 3.9 descrevem em
coordenadas sncronas o modelo de um filtro LC, aqui adotado na sada do inversor da UPS
(SILVA, 1999). A orientao dos eixos de referncia aquela indicada na Figura 3.6.

viq = voq + rL iLq LiLd + L dtd iLq

vid = vod + rL iLd + LiLq + L dtd iLd

v =v +r i +Ldi
i0
o0
L L0
dt L0

iLq = ioq Cvod + C dtd voq

iLd = iod + Cvoq + C dtd vod

i =i +C dv
L0
o0
dt o0

(3.9)

Nestas equaes, iL e io se referem s correntes no indutor e de carga; vo , tenso no


capacitor; vi , tenso na sada do inversor; rL , resistncia do indutor e C e L, capacitncia e
indutncia do filtro. J os ndices d, q e 0 denotam as componentes de eixo direto, de quadratura
e zero de cada grandeza, nesta ordem. A frequncia angular do eixo de coordenadas sncronas,
que equivale frequncia angular da rede, indicada por .
No caso do inversor, portanto, as variveis de estado iL e vo devem ser controladas. Como
a dinmica de um filtro LC equivale de um motor c.c. com constantes de torque e de velocidade
unitrias e coeficiente de atrito nulo (em que a capacitncia do filtro C o anlogo do momento
de inrcia J do motor), as tcnicas de controle usuais para motores c.c. podem ser estendidas
para este filtro (SILVA, 1999). Todavia, algumas adaptaes no controle em cascata clssico,
comum em acionamentos eltricos, devem ser introduzidas para este caso. Estas adaptaes

61

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

devem colaborar para o objetivo bsico de controle do filtro LC, que, tambm naquele contexto,
deveria ser o de rejeitar perturbaes de carga. Os controladores devem ainda: (i) compensar o
efeito das realimentaes internas no filtro; (ii) desacoplar as malhas de corrente de eixo direto
e de quadratura e (iii) atuar como um recurso de proteo do inversor. O diagrama de controle
implementado consta na Figura 3.11. Novamente, as aes de cada termo do controlador so
indicadas na legenda.
Figura 3.11 Diagrama de controle do inversor trifsico.
L

ioa

ioc

iob

... Cd

ga gb gc

iLa iLb iLc

voa

vob

voc

ioa
iob
ioc

Controle e
modulao

voa vob voc

iLq

vod

vod*

voq*
vo

io

abc

vod

vodq

voq

abc

iod

vodq

ioq

_
+

vodq

voq

iLd
Malha
de vd
Malha
de vq

iLd*

iLq*

_
+

iLd

_+

abc

_+

iL

Malha
de id
Malha
de iq

dq
SPWM

abc

iLq

ga
gb
gc

62

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

Malha de id

Malha de vd

iod

iffd*

+ +
++
_

vod

+
+

Ce
voq

kpi

Ginv

vid

1
sL

vod

Le
iLd

++
++

kpv

+_

_ _
_+

vod*

iLq

iLd

rL

iLq

re

_
+_

1
sC

vod

voq

iLd

Malha de iq

Malha de vq

ioq

iffq*

+
++

__

Ce
vod

kpi

Ginv

viq

1
sL

voq

Le
iLq

++
++

voq

+
+_

_ _
+
+

kpv

+_

iLd

iLd

rL
re

Planta

Desacoplamento de
realimentaes internas

Comando explcito ou
feed-forward

Desacoplamento entre
eixos d e q

iLq

+-

Vffq

kiv
s
voq*

icd

Vffd

kiv
s

icq

1
sC

voq

vod

iLq

Compensao de perturbao

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Assim como no controle do retificador, assume-se que a funo de transferncia Ginv ,


que equivale razo entre a tenso na sada do inversor vi e o comando vi , seja unitria. As
aes de controle indicadas por if f e Vf f na Figura 3.11, com componentes d e q, se referem aos
comandos explcitos dados por:
Vf f = s2 Le Ce vo

(3.10)

if f = sCe vo

(3.11)

em que Le e Ce so os parmetros estimados para a indutncia e a capacitncia do filtro LC


(SILVA, 1999).
Para o sistema da Figura 3.11, vem, para a funo de rigidez dinmica em relao
corrente de carga io (RYAN; LORENZ, 1995; SILVA, 1999):

3
2
io
= s LC + s Ckpi + skpv + kiv
(3.12)
vo
s2 L
em que kpi e kpv designam os ganhos proporcionais das malhas de corrente e de tenso e kiv , o
ganho integral da malha de tenso. Para que as equaes dos ganhos dos controladores sejam

63

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

derivadas, as assntotas da caracterstica de rigidez dinmica, esboadas na Figura 3.12, so


identificadas.
Figura 3.12 Esboo das assntotas da curva de rigidez dinmica |io /vo |.

io
vo

kiv

2 L

C
k pv

L
Ckpi
L

v( 2) v (1)

i [rad/s]

Fonte: Adaptado de Silva (1999).

Da equivalncia, par a par, entre as assntotas da caracterstica |io /vo |, inferem-se as


equaes:

kpi = i L,
(3.13)
kpv = v(1) kpi C,

kiv = v(2) kpv .


em que i , v(1) e v(2) (com i > v(1) > v(2) ) constituem as frequncias dos zeros da funo
de rigidez dinmica |io /vo |. Novamente, para que no haja degradao da dinmica dos controladores projetados para frequncias de chaveamento menores, a frequncia do polo i atribuda
a um valor 5 vezes menor do que a frequncia de chaveamento sw . A razo entre os polos
adjacentes tambm arbitrada em 5, para que a rigidez dinmica em frequncias da ordem de
60 Hz fosse mais elevada. Este critrio de alocao sumarizado nas equaes a seguir.

i = chav /5,
(3.14)
v(1) = i /5,

v(2) = v(1) /5.


Particularmente para o inversor, como o aumento da indutncia do filtro tende a reduzir a
rigidez dinmica em baixas e mdias frequncias, o projeto do indutor, definido via critrio de
ripple, no redefinido para que se atinja a rigidez mnima pretendida.
Portanto, os conjuntos de equaes em (3.13) e (3.14) so suficientes para que o controle
seja sintonizado para cada condio de operao (Pout , fsw , VDC ) em que se avalia o rendimento.
Os resultados da simulao de um inversor trifsico de 10 kV A com parmetros dados na Tabela
3.4 so apresentados na Figura 3.13. A resposta do sistema s variaes da potncia de carga
de 1 pu para 0, 5 pu so analisadas. Os grficos de corrente de carga io , tenso de sada vo so
indicados na Figura 3.13. Como a variao da tenso de sada vo nestas transies de carga

64

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

atinge no mximo 40% e se sustenta por no mximo 1, 0 ms, infere-se que os controladores
implementados atendem ao objetivo de controle do filtro LC. Os espectros harmnicos da
corrente no indutor e na carga validam o dimensionamento do filtro LC de sada, abordado na
seo 3.3.
Tabela 3.4 Tabela com os parmetros do inversor com resultados de simulao apresentados na Figura 3.13.

Parmetro

Valor

Tenso eficaz de sada (vo )


Tenso do barramento c.c. (VDC )
Frequncia de chaveamento (fsw )
Potncia nominal de sada (Pout )
Indutncia L
Capacitncia C
Ganho proporcional da malha de corrente (kpi )
Ganho proporcional da malha de tenso (kpv )
Ganho integral da malha de tenso (ki )

220 V
550 V
15, 36 kHz
10, 0 kW
1, 2 mH
20 F
23
0, 08 S
60 S/s

Figura 3.13 Resultados da simulao de um inversor trifsico com os parmetros da Tabela 3.4.
40

0,5 pu
1 pu

io [A]

20
0
-20
-40
0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

Tempo [s]

-40
-80
-120

1 pu

1 pu

vo [V]

200

Amplitude [%]

-200
0.02

0.03

0.04

0.05

0.06
Tempo [s]

0.07

0.08

0.09

0.1

Espectro harmnico da tenso/corrente da carga, i o = 1 pu

1.5

(15,36 kHz, 1,2 %)


1

THD = 1,3 %

(30,72 kHz, 0,2 %)

0.5
5

10

15

20

25
30
35
Frequncia [kHz]

40

45

50

55

60

65

Amplitude [%]

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

Espectro harmnico da corrente em L, i o = 1 pu

(15,36 kHz, 6,1 %)

6
4

THD = 6,6 %

(30,72 kHz, 1,2 %)

2
5

10

15

20

25
30
35
Frequncia [kHz]

40

45

50

55

60

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

3.3

Dimensionamento dos filtros de entrada e de sada

Esta seo detalha os procedimentos adotados nesta pesquisa para o dimensionamento


do filtro LCL de entrada do retificador e do filtro LC de sada do inversor.

3.3.1

Dimensionamento do filtro LCL

Para o dimensionamento do filtro LCL da entrada do retificador, opta-se pela metodologia


proposta por Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005). Esta metodologia adaptada, todavia, para que
se atinja o critrio de rigidez dinmica mnima, j discutido na seo 3.2.1. Adota-se, assim, a
sequncia de procedimentos descrita a seguir. O indutor mais interno, da entrada do retificador,
referido aqui por Li , o indutor mais prximo da rede, Lf e a indutncia da rede, Lg . J o
capacitor denotado por Cf . A soma das indutncias do lado da rede (Lg + Lf ) e a indutncia
total (Lg + Lf + Li ) so designadas por Llr e LT , nesta ordem.
(i)

Seleo do indutor Li segundo o critrio de ripple


Seja vacf a tenso na fase a sobre o capacitor Cf e vao , a tenso que se estabelece entre
o n de entrada da fase a do retificador e a referncia o (de tenso 0 V ). Se um dos
terminais de Cf tem o mesmo potencial de o, a tenso sobre este capacitor, no semiciclo
positivo da tenso da rede, oscila entre VDC /2 e VDC /2, na modulao de dois nveis e
entre VDC /2 e 0, na de trs nveis. Assim, se t1 e t2 constituem os sub-intervalos do
perodo de chaveamento Tsw em que a tenso vao assume cada um destes estados, vem,
para a modulao de dois nveis:

VDC
2
VDC
2

Tsw

i
,
vacf = Li t
1
i
+ vacf = Li t2 ,
= t1 + t2 ,

(3.15)

em que i constitui a variao de corrente no indutor Li em cada intervalo.


Explicitando i como funo de vacf 6 , infere-se que, para vacf = 0, i assume o valor
mximo (imax ). Assim, substituindo vacf = 0 nesta funo, tem-se, se o indutor Li for
6

Para que a funo com a dependncia entre i e vacf seja deduzida, basta substituir os valores de t1 e de
t2 , obtidos da primeira e da segunda equaes, na terceira equao do sistema em (3.15).

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

66

atribudo ao valor mnimo para que o critrio de ripple seja atendido:


Li =

VDC Tsw
, na modulao de dois nveis.
4imax

(3.16)

Esta abordagem simplificada tambm preconizada por Texas Instruments (2015). Para
a modulao de trs nveis, as equaes de malha ficam:
(
VDC
i
,
vacf = Li t
2
1
(3.17)
i
vacf = Li t
.
2
Para este caso, o valor de vacf que maximiza a derivada de i = f (vacf ) de VDC /4.
Substituindo vacf = VDC /4 nesta nova funo f , obtm-se a equao para a indutncia
Li mnima na modulao de trs nveis:
Li =

VDC Tsw
, na modulao de trs nveis.
8imax

(3.18)

O ripple percentual mximo de corrente atribudo a % da corrente nominal de pico


Ip(max) . Como se nota a partir das simulaes com o filtro completo, com um critrio
severo de ripple nas equaes (3.16) e (3.18), a indutncia Li passa a perfazer a maior
parte da indutncia total LT . Para que LT seja melhor distribuda entre os indutores do
filtro, imax atribuda a valores de 0, 50 p.u. e 0, 25 p.u. para o caso das topologias de
dois e de trs nveis, respectivamente. A razo para a seleo de um critrio de ripple
mais severo no caso dos arranjos de trs nveis apresentada no item (iii).

O fator de crista presumido em 2 no clculo da corrente nominal de pico Ip(max) , em


um critrio conservador para o projeto do filtro. Usualmente, este fator atribudo a 3
nas aplicaes de UPS com cargas no-lineares.
(ii)

Seleo do capacitor Cf segundo critrio de mxima absoro de potncia


Segundo Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005), o capacitor Cf deve ser dimensionado para
que a absoro de potncia reativa, em condies nominais, no exceda 5%. Para que o
indutor Lf seja reduzido, opta-se, aqui, por atribuir ao capacitor Cf este valor limite, em
todas as condies de operao. De fato, para fins de minimizao de custo, a reduo
da indutncia deve ser priorizada no projeto do filtro. Assim, se a impedncia base do
sistema vale Zb e a frequncia angular da rede, = 2f , a capacitncia base Cb e a
capacitncia Cf ficam definidas por:

(iii)

Cb = (Zb )1 ,

(3.19)

Cf = 0, 05Cb .

(3.20)

Seleo do indutor Lf
O dimensionamento do indutor Lf se embasa, novamente, no critrio proposto por Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005). Estes autores sugerem que o indutor Lf seja calculado

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

67

a partir da razo pretendida entre as distores harmnicas de corrente no lado do conversor e no lado da rede. A equao que define a razo entre estas distores dada por,
se r for a razo entre Llr (igual a Lf + Lg ) e Li :
ig (hsw )
1
=
,
i(hsw )
|1 + r(1 bx)|

(3.21)

em que ig (hsw ) e i(hsw ) se referem s componentes harmnicas em torno da frequncia


de chaveamento fsw , no lado da rede e do conversor, nesta ordem. As constantes b e x
so definidas por b = Li Cb (2 fsw )2 e x = Cf /Cb . Supe-se aqui, como naquele
trabalho, que a distoro harmnica mxima de corrente na rede deve ser de 2%. Assim,
se o estgio LC anterior j reduz o ripple de corrente para a %, o indutor Lf deve prover
a atenuao adicional, dada pela equao (3.21), de (2/a) %. Para que a indutncia Llr
associada a esta atenuao seja calculada, substitui-se r = [0, ..., 1] na equao (3.21).
Dentre os valores de ig (hsw )/i(hsw ) calculados para cada valor de r, seleciona-se aquele
que mais se aproxima de (2/a) %. Se o ndice deste valor k, r(k) consiste, portanto,
na razo mnima entre as indutncias Llr e Li . A indutncia Llr atribuda a este valor
mnimo:
Llr = r(k) Li

(3.22)

A indutncia da rede Lg aproximada a partir da impedncia do ltimo transformador,


mais prximo do ponto de acoplamento comum, como sugere Silva (2012). Como,
segundo esta referncia, a impedncia Zt de transformadores de mdia para baixa tenso
de 5%, vem, para um transformador arbitrrio de potncia nominal Pnom = 150 kV A e
tenso fundamental de secundrio Vn :
Pnom
,
Zt
V2
Lg = n
Pcc

Pcc =

(3.23)
(3.24)

em que Pcc a potncia de curto-circuito. Portanto, a partir do valor calculado na equao


(3.22), tem-se, para Lf :
Lf = Llr Lg .

(3.25)

At ento, a indutncia total LT resulta da soma dos valores de Li , Lg e Lf calculados


pelas equaes (3.16) ou (3.18), (3.24) e (3.25). Neste ponto, deve-se avaliar a rigidez
dinmica do filtro em relao perturbao introduzida pela tenso da rede. Como j
foi discutido na seo 3.2.1, se a frequncia associada ao zero da caracterstica |e/i| for
fixada, a suscetibilidade do sistema quela perturbao fica definida, em mdias e baixas
frequncias, pela indutncia total LT . Para orientar o projeto do controlador, um critrio
arbitrrio para a rigidez dinmica mnima (de 15 V /A) foi definido naquela seo. Se

68

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

esta rigidez mnima for denotada por Rd(min) , a indutncia total mnima, LT (min) , deve
ser de:
LT (min) =

Rd(min)
,
i

(3.26)

em que i calculada segundo critrio de alocao dado nas equaes (3.8). Se o valor de
LT calculado no exceder este limiar mnimo, a indutncia total reatribuda LT (min) e
a indutncia Lf recalculada como:
Lf = LT (min) Li Lg ,

caso LT < LT (min) .

(3.27)

Nos projetos de UPS em anlise neste trabalho, nota-se que a indutncia total LT
calculada segundo o critrio de atenuao de harmnicos no supera LT (min) . Em consequncia, esta indutncia total sempre ajustada para LT (min) , independentemente
da topologia do retificador (dois nveis ou trs nveis). Assim, se o ripple no lado do
conversor for atribudo a valores percentuais mximos iguais nestas duas topologias,
Lf pode superar Li no arranjo de trs nveis. Como regra prtica, para que o ripple de
corrente no capacitor e no resistor de amortecimento seja reduzido, preferem-se valores
de Li maiores do que Lf . Sendo assim, impe-se um critrio de ripple no lado da rede
mais severo no caso das topologias de trs nveis, para forar o aumento de Li . Isso
justifica, portanto, os valores de ripple mximo no lado do conversor fixados no item (i).
(iv)

Definio da estratgia de amortecimento do filtro LCL


Neste trabalho, prefere-se a tcnica de amortecimento passiva, no obstante a perda
em rendimento. Nesta tcnica, mais simples, um resistor Ram adicionado ao circuito
do filtro, em srie com o capacitor Cf . Sem este resistor, a impedncia do circuito na
frequncia de ressonncia zero e, como consequncia, podem ocorrer picos de corrente
e oscilaes, excitadas por harmnicos do conversor. Como orienta Liserre, Blaabjerg e
Hansen (2005), o valor da resistncia Ram deve ser da ordem da reatncia do capacitor
Cf na frequncia de ressonncia do filtro. Arbitra-se este valor em 1/3 desta reatncia.
Este valor considera o compromisso entre as perdas neste resistor e a efetividade do
amortecimento, tambm abordado por Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005).

(v)

Testes de consistncia de parmetros


Por fim, testa-se a consistncia dos parmetros calculados para o filtro LCL. Segundo
Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005), a indutncia total do filtro LT no deve exceder
0, 1 p.u., para que a queda de tenso no filtro no se torne proibitiva. Caso contrrio, esta
queda deve ser compensada com a elevao da tenso do barramento c.c., o que leva ao
aumento das perdas no conversor. Por outro lado, a frequncia de ressonncia do filtro
LCL, dada pela equao (3.28), deve ser alocada no intervalo de dez vezes a frequncia
da rede (10f ) at metade da frequncia de chaveamento (fsw /2), como aqueles autores
tambm sugerem. Assim, harmnicos tpicos de um conversor, comumente associados

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

69

ao intervalo complementar (i.e., com frequncias menores do que 10f e maiores que
fsw /2), no levam o filtro condio de ressonncia.
s
LT
1
(3.28)
fres =
2 Li Lg Cf
Portanto, com base nestes procedimentos, os parmetros do filtro podem ser calculados
para cada condio de operao. As distores harmnicas na rede so avaliadas, em simulao,
para fins de validao do projeto.

3.3.2

Dimensionamento do filtro LC

Parte da anlise que orienta o dimensionamento do filtro LCL, conduzida na seo


anterior, tambm pode ser estendida para o filtro LC. Por exemplo, as equaes (3.15) a (3.18)
tambm se aplicam a este caso. Assim, a indutncia L do filtro tambm pode ser calculada a
partir daquelas equaes, repetidas aqui:
VDC Tsw
, na modulao de dois nveis.
4imax
VDC Tsw
L=
, na modulao de trs nveis.
8imax

L=

(3.29)
(3.30)

Supe-se que o ripple de corrente, todavia, pode atingir at 20% da corrente nominal de pico

tambm calculada com a suposio de fator de crista em 2. J o capacitor C pode ser estimado
para prover uma atenuao mnima para as componentes harmnicas em torno da frequncia de
chaveamento fsw . Como o filtro em anlise de segunda ordem com atenuao de 40 dB por
dcada a alocao da frequncia de corte fc a uma dcada de fsw j define a reduo de cem
vezes na amplitude dos harmnicos esta frequncia. Supondo que esta reduo seja suficiente,
vem, como critrio para a especificao de C:
fsw
,
10
1
C =
.
(2fc )2 L

fc =

(3.31)
(3.32)

A partir deste critrio, o afastamento entre fc e frequncia fundamental f fica definido pelo
ndice de modulao em frequncia (mf ) do conversor. Como apenas valores de mf maiores do
que 60 so analisados neste trabalho, a frequncia fc pelo menos seis vezes maior do que f .
Novamente, a distoro harmnica da corrente e da tenso da sada so avaliadas em simulao,
para que estas especificaes sejam validadas para cada uma das UPSs em estudo.

3.4

Concluses do captulo

Neste captulo, foram apresentadas as abordagens de modelagem e simulao da UPS


de dupla converso. As especificaes das 80 UPSs que sero avaliadas quanto ao rendimento

Captulo 3. Modelagem e simulao da UPS de dupla converso

70

neste trabalho foram tambm enumeradas. Os procedimentos detalhados neste captulo para a
sintonia dos ganhos dos controladores e para o dimensionamento dos filtros de entrada e de sada
sero adotados nas simulaes. Com as estratgias de simulao j definidas, resta, pois, propor
tcnicas para clculo e medio do rendimento global destas UPSs. Estas tcnicas, abordadas no
captulo a seguir, se aplicam genericamente a qualquer conversor esttico.

71

4 CLCULO E MEDIO DE PERDAS


EM CONVERSORES
Neste captulo, so descritas as tcnicas adotadas neste trabalho para clculo e medio
de perdas globais nos conversores da UPS de dupla converso. Inicialmente, detalham-se as
ferramentas de software implementadas para estimar as perdas nos semicondutores, via abordagens online e offline. Em seguida, discutem-se as rotinas para projeto dos indutores dos filtros de
entrada e de sada da UPS e para clculo da potncia dissipada nestes componentes. Por fim, os
prottipos experimentais para validao dos clculos tericos de perdas so apresentados.

4.1

Ferramentas desenvolvidas para clculo de perdas

Em suma, as ferramentas implementadas para estimar as perdas globais na UPS de dupla


converso objetivam:
(i)

permitir a caracterizao terica simples e exata de qualquer mdulo de potncia, a


partir da captura direta dos dados disponibilizados em figuras nos catlogos;

(ii)

organizar os dados relativos a vrios mdulos de potncia em uma base de dados nica
(biblioteca), de fcil acesso, que categorize os mdulos por topologia;

(iii)

implementar os mtodos descritos na literatura para o clculo das perdas nos semicondutores, abordados no captulo 2, para as trs topologias trifsicas simuladas (a saber, dois
nveis, NPC1 e NPC2);

(iv)

generalizar a metodologia implementada para qualquer topologia de conversor, monofsica ou trifsica;

(v)

derivar os modelos trmicos de regime permanente e transitrio para o sistema completo


mdulos + dissipador, com base nos parmetros trmicos informados nas folhas de
dados destes componentes;

(vi)

calcular as temperaturas de juno dos dispositivos, de encapsulamento e de dissipador,


para qualquer topologia e nmero de mdulos sobre o dissipador;

(vii)

permitir a comparao do rendimento de mdulos distintos em uma mesma condio de


operao;

(viii)

automatizar as simulaes do conversor em vrias condies de operao e, com base


nos resultados destas simulaes, gerar grficos de perdas em funo da frequncia de
chaveamento, da potncia de sada e do valor do resistor de gate;

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

72

(ix)

apresentar ao projetista grficos que explicitem o percentual de cada perda do conversor,


para orientar as aes para otimizao do projeto quanto ao rendimento;

(x)

calcular as perdas nos conversores para temperaturas de juno inferiores mxima, de


modo a prover ao projetista estimativas mais plausveis, nas condies reais de operao
do dispositivo;

(xi)

desenvolver interfaces grficas simples e intuitivas, que facilitem a entrada de dados nas
ferramentas implementadas;

(xii)

executar todas as rotinas de anlises trmicas e de perdas nos semicondutores e nos


indutores no ambiente MATLAB/Simulink, dispensando a necessidade de uso de outros
programas de simulao para este fim;

(xiii)

documentar os resultados de mltiplas simulaes, por meio de relatrios legveis ao


usurio (no software Microsoft Office Excel) e aos programas (por exemplo, em arquivos
*.txt).

Cabe salientar aqui que ferramentas com funes similares esto disponveis no mercado,
em outros ambientes de simulao. Por exemplo, os programas PSIM (Powersim Inc.) e PLECS
(Plexim) j permitem, em pacotes com bibliotecas suplementares, a incluso das curvas e dados
de catlogo dos dispositivos simulados. Com base nestes dados, as perdas e as temperaturas
de juno so calculadas. H ainda alguns mdulos com curvas e parmetros trmicos j prdefinidos, o que dispensa, pois, a entrada manual de dados pelo usurio. Contudo, as licenas
destes programas so de custo elevado e a transio para estas ferramentas implicaria o retrabalho
de simulao de todos os conversores, bem como a necessidade de adaptao com os recursos
destes novos ambientes. Para o proponente do projeto P&D em que se este trabalho se insere,
portanto, a melhor alternativa decorre do uso do prprio MATLAB/Simulink, j tradicionalmente
adotado no projeto das UPSs. Por esta razo, opta-se por desenvolver todas as ferramentas neste
ambiente. As subsees 4.1.1 e 4.1.2 detalham as rotinas implementadas neste trabalho.

4.1.1

Rotinas para clculo de perdas nos semicondutores

Usualmente, os projetos de conversores de potncia admitem, como premissa, que os


dispositivos operam em condies extremas, no cenrio com o pior caso. Esta prtica de
projeto introduz uma margem de folga no dimensionamento dos componentes. Nas anlises
trmicas do conversor, o pior caso corresponde suposio de que a temperatura de juno
dos dispositivos equivale mxima, associada ao limite trmico dos materiais. Como as perdas
tendem a se elevar com o aumento da temperatura, esta suposio , em geral, conservadora.
Uma das ferramentas desenvolvidas neste trabalho, portanto, visa anlise deste pior
caso, para subsidiar as rotinas de projeto do conversor. Esta abordagem de clculo de perdas
denotada aqui como mtodo offline. Como a comparao de vrios mdulos de potncia em
uma dada condio de operao (potncia de carga, barramento c.c., frequncia de chaveamento,

73

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

etc.) comum nestas rotinas, esta ferramenta deveria permitir o fcil acesso aos parmetros de
cada mdulo de potncia. Para tanto, estes parmetros devem ser encapsulados em bibliotecas,
com dados acessveis e legveis ao usurio. Por outro lado, para dispensar a necessidade de
simular o conversor nas anlises de desempenho de cada mdulo, as correntes e tenses nos
dispositivos, associadas cada condio de operao, deveriam ser armazenadas em arquivos.
Assim, bastaria que o usurio carregasse o arquivo com as correntes (vetores de corrente) para
um dado cenrio de operao, obtidas de simulaes anteriores, para que cada mdulo disponvel
na biblioteca pudesse ser avaliado neste cenrio. Para que um executvel pudesse ser gerado com
as rotinas de clculos de perdas e de temperaturas, todas as funes so implementadas apenas
em scripts do MATLAB, sem o uso do ambiente de simulao Simulink. As etapas deste mtodo
so sintetizadas no diagrama da Figura 4.1. Nesta figura, id [k] e iq [k] se referem s correntes nos
diodos e nos transistores do circuito, nesta ordem, a cada instante k.
Figura 4.1 Diagrama esquemtico dos mtodos online e offline de clculos de perdas nos mdulos
semicondutores de potncia.

Modelo do
conversor

id[k], iq[k]

id[k], iq[k]

id[k], iq[k]

Ptotal
Circuito trmico
equivalente

Mtodo online
Mtodo offline
Comum

Vetores de
corrente

Tj = Tj(mx)
Tj [i+1]

Clculo de perdas nos


semicondutores: de
chaveamento e de
conduo

dados [m]
Biblioteca
dados [m]

dados [1...n]

Caracterizao
do mdulo de
potncia

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Em contraposio, o mtodo aqui referido como online, com etapas tambm sumarizadas
na Figura 4.1, pretende estimar as perdas em um cenrio mais realista, no necessariamente
com o pior caso. Nesta outra abordagem, as perdas so avaliadas nas temperaturas de juno
calculadas via modelo trmico do conversor. Por exemplo, se este modelo retorna uma temperatura de juno de 80 C para um dispositivo, a premissa de que este opera na temperatura mxima
(de 150 C a 175 C), pressuposta no clculo de perdas, conservadora e pouco plausvel. Em
alternativa mais realista, as perdas deveriam ser inferidas para esta temperatura de juno de
80 C. Para tanto, as curvas que caracterizam cada dispositivo devem ser escaladas, de alguma
forma, para esta temperatura. Todavia, como o modelo trmico depende da estimativa das perdas
e vice-versa, as anlises so inerentemente iterativas. Por esta razo, opta-se pela implementao
deste mtodo em tempo de simulao, o que justifica design-lo aqui por mtodo online.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

74

Algumas etapas so comuns a estes dois mtodos, apesar de serem implementadas de


modos distintos. A caracterizao terica dos mdulos de potncia, i.e., a captura de todas as
curvas ou dados pertinentes para as anlises trmicas, por exemplo, constitui fase obrigatria em
qualquer destes mtodos. Do mesmo modo, a proposio de um circuito trmico equivalente,
arranjado conforme o nmero de dispositivos no mesmo encapsulamento e no mesmo dissipador,
tambm necessria nos mtodos online e offline. Para melhor organizar o texto, estas partes
comuns a estas duas abordagens so agrupadas na subseo 4.1.1.1 e as especificidades de cada
uma delas so detalhadas na sequncia, nas subsees 4.1.1.2 e 4.1.1.3.
4.1.1.1

Caracterizao terica do componente e modelos trmicos

Os fabricantes dos mdulos de potncia, via de regra, apresentam as curvas caractersticas


dos dispositivos em figuras, em um catlogo em formato .pdf. Para fins de caracterizao
terica destes dispositivos, portanto, estes dados devem ser extrados destas figuras. Para tanto,
uma ferramenta em MATLAB, aqui referida como GetPoints, foi implementada, com base na
adaptao das funes leitura-grafico.m (CORTIZO, 2014) e ginput2.m (AGUILERA, 2014).
Na Figura 4.2, consta um fluxograma desta ferramenta. J a Figura 4.3 exibe algumas telas do
programa GetPoints, em algumas das fases indicadas no fluxograma.

75

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores


Figura 4.2 Fluxograma da ferramenta GetPoints.

Incio
Importao do arquivo
de imagem
( .png , .jpg , .bmp )
Seleo de escala dos
eixos: linear ou
logartmica
Seleo da varivel de
sada: x ou y

Seleo do mtodo de
interpolao entre os
pontos capturados
Captura dos pontos
(xmx , ymn) e
(ymx , xmn)

Captura do k-simo
ponto

Eixo x em
escala
linear?

S
Equaes
4.1 e 4.3

Equaes
4.2 e 4.4

Grfico de
energia?

Adicionar ponto (0,0) e


interpolar a primeira regio
com o mtodo spline cbico

Equaes
4.5 e 4.7

Eixo y em
escala
linear?

Equaes
4.6 e 4.8

Fim da
aquisio?

Correo da
curva?

Adicionar
ponto (0,0)

Imprimir na tela o cdigo com rotina de


importao do arquivo e interpolao
dos dados

Salvar os
dados em
arquivo

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

76

Figura 4.3 Algumas telas da ferramenta GetPoints, com algumas das etapas do fluxograma da Figura 4.2.

(a) seleo do arquivo de imagem; (b) entrada das coordenadas; (c) aquisio com opo de zoom in habilitada;
(d) fim da aquisio e seleo de outros mtodos para interpolao; (e) tela para seleo da correo que deve ser
aplicada; (f) correo das curvas de energia, com extrapolao da primeira regio. Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

77

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Com esta ferramenta, o usurio importa a figura com cada curva em imagem no formato
.bmp, .jpg ou .png, entra com as coordenadas mnimas e mximas e inicia a aquisio
ponto a ponto da curva. Para facilitar esta aquisio, recursos de zoom in e zoom out na figura,
de deslocamento automtico da imagem ao longo da curva e de excluso de pontos capturados
incorretamente foram includas no GetPoints. Ao fim da aquisio, o programa converte as
coordenadas em pixels para numricas. Grficos com eixos em escala linear e logartmica nas
abscissas e/ou nas ordenadas so interpretados. As equaes (4.1) a (4.4) inferem as coordenadas
numricas (x, y) a partir das coordenadas em pixels (xpx , ypx ), para os eixos em escala linear:

x = xpx xpx(min) x + xmin ,
(4.1)

y = ypx ypx(min) y + ymin ,
(4.2)

x = (xmax xmin ) / xpx(max) xpx(min) ,
(4.3)

y = (ymax ymin ) / ypx(max) ypx(min) .
(4.4)
em que os subndices max e min se referem s coordenadas mximas e mnimas. Para o caso
com eixos em escala logartmica, as equaes (4.5) a (4.8) traduzem as coordenadas em pixels
para numricas:
x = xmin 10(xpx xpx(min) )x ,
y = y
10(ypx ypx(min) )y ,

(4.5)
(4.6)

min

x = log (xmax /xmin ) / xpx(max) xpx(min) ,



y = log (ymax /ymin ) / ypx(max) ypx(min) .

(4.7)
(4.8)

Algumas correes nas curvas podem ser aplicadas, como, por exemplo, a adio do
ponto com coordenada (0, 0) s curvas de corrente em funo de tenso ou de energia de
chaveamento em funo da corrente. No caso das curvas de energia em funo da corrente, outra
alternativa implementada para extrapolar os dados da curva na primeira regio do grfico (com
correntes prximas de zero), normalmente indefinida nas folhas de dados como se nota, por
exemplo, nos grficos da Figura 2.12. Para tanto, a funo de interpolao numrica interp1
com o mtodo spline cbico, disponvel na biblioteca do MATLAB, adotada para estimar a
trajetria dos pontos no intervalo entre (0, 0) e o primeiro ponto dado na curva. A opo por
este mtodo foi baseada na anlise do padro tpico das curvas de energia em funo da corrente
e na inspeo dos resultados da interpolao por outros mtodos pr-definidos na biblioteca
do MATLAB. De fato, como o mtodo spline cbico torna contnuas as derivadas primeiras e
segundas dos pontos interpolados, os pontos seguem uma trajetria suave, mais prxima do
padro mais provvel. Este recurso de interpolao dos pontos na primeira regio dos grficos de
energia exemplificado na Figura 4.3(f).
Por fim, o usurio pode salvar os dados da aquisio (j com a correo) em um arquivo
.txt, com vetores de abscissas e ordenadas dispostos em linhas. Este formato de arquivo
legvel nos programas implementados para clculos de perdas. Ao salvar o arquivo, o programa

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

78

exibe, no workspace do MATLAB, uma sugesto de cdigo para que o usurio acesse o arquivo
.txt, importe os dados, efetue a interpolao entre os pontos e gere um grfico com os pontos
originais da aquisio e com os calculados pela rotina de interpolao sugerida.
As ferramentas de clculos de perdas acessam todos os arquivos .txt com as curvas
de todos os mdulos de potncia j caracterizados, salvas pelo GetPoints. Para que estejam
acessveis, estes arquivos so organizados em pastas, nomeadas conforme a topologia e em
subpastas, referentes a cada mdulo.
As resistncias trmicas informadas nas folhas de dados tambm so salvas em arquivos
.txt, adicionados nas subpastas de cada mdulo. O modelo trmico equivalente do sistema
completo (mdulos + dissipador) obtido a partir dos valores de resistncia trmica recuperados
destes arquivos. O nmero de braos por mdulo, bem como o de mdulos por dissipador, so
informados diretamente pelo usurio no mtodo offline. Pressupe-se que o nmero de braos
por mdulo um nmero inteiro maior ou igual a 1. Apenas parte de um brao do conversor
representada ao usurio no circuito trmico da interface, para que se possam editar os valores
de resistncia trmica (atualizados nos arquivos, a cada alterao). Como em geral existe uma
simetria em cada brao dos mdulos de potncia, a parte exibida do circuito inclui apenas metade
dos dispositivos deste brao, j suficiente para caracterizar o mdulo completo. A outra metade,
que replica a primeira, bem como os outros braos, so consideradas no clculo das temperaturas,
mas so omitidas ao usurio para fins de simplificao da interface.
O usurio ainda deve selecionar o tipo do circuito trmico (circuito 1 ou circuito 2,
conforme a notao da seo 2.2.3). O detalhe de como esta seleo efetuada, na interface do
programa, indicado na Figura 4.4. No mtodo offline, para que o uso do software Simulink seja
dispensado, as temperaturas so calculadas com base nas equaes derivadas do modelo trmico.
Figura 4.4 Detalhe da seleo do tipo de circuito trmico de um conversor com topologia NPC2.

Tipos: (a) circuito 1 e (b) circuito 2, conforme notao da seo 2.2.3.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

J na abordagem online, os elementos do modelo trmico equivalente so representados


por blocos da biblioteca Simscape, do pacote Foundation Library/Thermal. Nesta biblioteca,
disponibilizam-se blocos que encapsulam as equaes de Fourier de transferncia de calor por
conduo e por conveco (blocos conductive heat transfer e convective heat transfer sink-toambient), que representam as resistncias trmicas dos semicondutores e do dissipador, nesta
ordem. Os elementos com fontes de calor e de temperatura (ideal heat flow source e ideal

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

79

temperature source) e capacitncias trmicas (thermal mass) tambm j so pr-definidos nesta


biblioteca.
Para simplificar a simulao do circuito trmico equivalente, o modelo do par transistor
+ diodo em anti-paralelo encapsulado na abordagem online em um subsistema (ou bloco) do
Simulink. O n do dissipador constitui uma das sadas deste bloco. Assim, para conectar vrios
subsistemas ao mesmo dissipador, basta conectar estes ns entre si e ento conectar o ponto
comum ao modelo do dissipador, tambm encapsulado. Os diagramas de circuito propostos
para o transistor + diodo em anti-paralelo e para o dissipador, com base nos elementos do
pacote Foundation Library/Thermal so representados na Figura 4.5. Os circuitos trmicos so
executados apenas quando os dados de perdas so atualizados, i.e., a cada ciclo de 60 Hz. Em
contraponto ao mtodo offline, portanto, as temperaturas so derivadas diretamente do modelo
trmico na abordagem online, em tempo de simulao.
Figura 4.5 Diagramas dos circuitos trmicos propostos com os elementos do pacote Foundation Library/Thermal,
da biblioteca Simscape.

Circuitos com: (a) o par transistor + diodo em anti-paralelo, em circuito 1 e


(b) o dissipador.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

No mtodo online, o usurio pode ainda representar o circuito trmico do dissipador


ou do semicondutor em regime transitrio. Para tanto, basta que o usurio inclua a curva de
impedncia trmica transitria do componente, fornecida em catlogo, em arquivo .txt. Com
base nesta curva, a ferramenta desenvolvida calcula automaticamente os parmetros de um
circuito trmico transitrio de at quarta ordem do tipo Foster (VOLKE; HORNKAMP, 2012).

80

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Para exemplificar este recurso, a curva de impedncia transitria obtida no catlogo do transistor
do mdulo FF75R12T4 (Infineon), a curva ajustada e os parmetros calculados para o circuito
Foster de quatro estgios so apresentados na Figura 4.6.

Zth(jc) [K/W]

Figura 4.6 Exemplo de ajuste dos parmetros do circuito trmico de regime transitrio do tipo Foster, a partir da
curva de impedncia trmica transitria Zth(jc) do dispositivo semicondutor.
0.4
0.36
0.32
0.28
0.24
0.2

Catlogo
Fitting

0.16
0.12
0.08

Rth(1) = 0,087 K/W

Cth(1) = 0,180 K/W

Rth(2) = 0,090 K/W

Cth(2) = 0,275 K/W

Rth(3) = 0,102 K/W

Cth(3) = 0,778 K/W

Rth(4) = 0,102 K/W

Cth(4) = 0,778 K/W

0.04
10-2

10-1
Tempo [s]

100

101

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.1.1.2

Mtodo offline

Esta seo detalha a ferramenta com o mtodo offline, implementada em script do


MATLAB e aqui denotada por PerdasOffline. O fluxograma do PerdasOffline apresentado na
Figura 4.7. Algumas das telas desta ferramenta, em parte das fases do fluxograma, so exibidas
na Figura 4.8.
Inicialmente, o usurio deve selecionar a pasta com a biblioteca dos mdulos de potncia
(como na Figura 4.8(a)), onde se localizam os arquivos com as curvas salvas pelo programa
GetPoints. A primeira aba do PerdasOffline fica ento habilitada e os campos do painel Topologia
e mdulo so atualizados com as topologias e mdulos armazenados na biblioteca indicada,
como se nota na Figura 4.8(b). O usurio pode optar por topologias de dois nveis, NPC1 e
NPC2.
Para adicionar um novo mdulo biblioteca, basta que o usurio clique sobre a opo
Adicionar novo mdulo. Na janela que se abre, o usurio informa o nome do mdulo e uma
nova subpasta naquela biblioteca adicionada, na pasta referente topologia correta. Todas as
curvas que devem ser acrescentadas na subpasta deste novo mdulo constam no painel Seleo
de curvas. Neste painel, as curvas de energia de turn-on, turn-off e de recuperao reversa
em funo das correntes e do resistor de gate, bem como as curvas de tenso corrente no
transistor e no diodo, podem ser acessadas. O boto com cone de pasta, tambm neste painel,
permite ao usurio incluir o arquivo .txt com a curva indicada no menu esquerda. No caso
de mdulos existentes, com arquivos j previamente definidos, este boto permite substituir os
arquivos atuais.

81

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Figura 4.7 Fluxograma da ferramenta PerdasOffline, que implementa o mtodo de clculo de perdas offline.
Incio

Seleo do diretrio com a biblioteca de dispositivos


Seleo da topologia e do mdulo
Exibio das curvas do mdulo

Edio de alguma
curva?

Seleo do diretrio com


o arquivo .txt com os
dados da nova curva
Substituio do arquivo
anterior pelo selecionado

Atribuio dos valores de V CE e de Rgon,


Rgoff nos ensaios do catlogo
Atribuio do valor de Rcc -ee e dos parmetros do
circuito trmico (tipo de circuito, resistncias
trmicas, temperatura ambiente, nmero de
braos/mdulo e mdulos/dissipador)

Seleo dos diretrios com os arquivos .txt


com o(s) vetor(es) de corrente
vetor(1), vetor(2), ..., vetor(P)

Exibio das correntes nos dispositivos


Atribuio de valores fixos ou de
intervalos aos resistores de gate
Rgon = Rgon(1), Rgon(2), ..., Rgon(N)
Rgoff = Rgoff(1), Rgoff(2), ..., Rgoff(M)
i=1
S

i>P
N
j=1

j>N
N
k=1

k>M

N
Clculos de perdas para:
vetor(i), Rgon(j), Rgoff(k)
k=k+1
j=j+1

i=i+1

Apresentao dos resultados para todos os vetores e valores de R gon e Rgoff

Gravao de arquivos .txt com relatrios

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

82

Figura 4.8 Telas da ferramenta PerdasOffline, em parte das fases do fluxograma da Figura 4.7.

(a) seleo da pasta com a biblioteca de mdulos de potncia; (b) seleo da topologia e do mdulo; (c) visualizao
e edio de curvas; (d) seleo do arquivo com o vetor de corrente; (e) visualizao das formas de onda; (f)
visualizao dos valores calculados e dos grficos. Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

83

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Quando o usurio opta por um dos mdulos, todas as curvas da sua subpasta so carregadas, mas somente aquela selecionada pelo usurio no painel Seleo de curvas exibida
no grfico (Figura 4.8(c)). Os campos com as Condies de ensaio devem ser editados para
os valores de tenso VCE e das resistncias de gate de turn-on (Rgon ) e de turn-off (Rgof f )
nos ensaios do datasheet do fabricante. A resistncia Rcc0 +ee0 tambm deve ser informada, caso
conste no catlogo. Os detalhes do painel Circuito trmico j foram abordados na seo 4.1.1.1.
Ao fim da edio da primeira aba, o usurio deve selecionar a segunda, de Simulao e
resultados. O programa ento solicita a importao dos arquivos .txt com o(s) vetor(es) de
corrente(s). Estes arquivos, com os formatos indicados na Figura 4.9, armazenam os valores
instantneos das correntes ao longo de um ciclo completo de 60 Hz, em metade dos dispositivos
de um brao do mdulo j suficiente para estas anlises, em razo da simetria ao longo de
um brao. A conveno de nomes das chaves, na Figura 4.9, segue a das Figuras 3.1 e 3.3.
Os arquivos com os vetores de corrente tambm incluem um cabealho com os parmetros da
simulao em que estes vetores foram obtidos. Mltiplos vetores, em condies de operao
variadas, podem ser adicionados.

(a)

Tempo

Corrente no
transistor Q1

Corrente no
transistor Q3

Corrente no
diodo D2

Corrente no
diodo D4

Corrente no
diodo D4

(b)
Dados

Tempo
Corrente no
Corrente no diodo
transistor Q1
D2
a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.000950;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_Q3;I_D2;I_D4;I_D5;;
6.666666667e-02 3.942828590e+01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.950426285e+01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00
6.666768392e-02 0.000000000e+00 3.042350790e-01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 3.881510013e+01

Cabealho

Dados

a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.001900;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_D2;;
6.666666667e-02 3.596278733e+01 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.600199752e+01 0.000000000e+00
6.666768392e-02 3.604120082e+01 0.000000000e+00

Cabealho

Figura 4.9 Formato dos vetores de corrente que devem ser importados em arquivos .txt no programa
PerdasOffline, para as trs topologias.

84

Tempo

Corrente no
transistor Q1

Corrente no
diodo D4

Corrente na
chave S2

Dados

a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.000950;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_D4;I_T2;I_T3;;
6.666666667e-02 3.954377096e+01 0.000000000e+00 -3.249600493e-03 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.961995535e+01 0.000000000e+00 -3.249599732e-03 0.000000000e+00
6.666768392e-02 0.000000000e+00 -0.000000000e+00 3.893632913e+01 -3.893632913e+01

Cabealho

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

(c)

Corrente na
chave S3

Topologias: (a) dois nveis, (b) NPC1, (c) NPC2.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

No painel Condies de operao, podem-se definir valores fixos ou, ainda, intervalos
em que os resistores Rgon e Rgof f variam, caso se pretenda avaliar o efeito da excurso dos
valores destas resistncias nas perdas. Na sequncia, o usurio deve simular o(s) vetor(es). O
programa ento processa os vetores selecionados e calcula as perdas para cada vetor e valor de
Rgon e de Rgof f , conforme o fluxograma da Figura 4.7. Como se nota neste fluxograma, se um
nmero P de vetores foi includo e foram definidos N valores de Rgon e M de Rgof f , o programa
s finaliza os clculos e disponibiliza os resultados quando todas as P N M combinaes destes
argumentos forem avaliadas. Ao fim da execuo dos clculos, os resultados so apresentados
em tela. Os menus do painel Resultados permitem selecionar o vetor de corrente e os valores
de Rgon e de Rgof f em que se pretendem avaliar as perdas. Os valores de perda de chaveamento e
de conduo em cada dispositivo, as perdas totais em metade dos dispositivos de um brao, bem
como as temperaturas de juno, de encapsulamento e de dissipador, so exibidos nos campos da
interface. Grficos com as porcentagens de cada perda so tambm retornados na interface, de
modo a orientar as aes de otimizao do projeto quanto ao rendimento, como j foi discutido
na fase de proposio dos requisitos bsicos do programa. Os grficos com estas estatsticas,
gerados pelo PerdasOflline, constam na Figura 4.10.
Se o usurio optou pela anlise de uma faixa de valores de Rgon e de Rgof f , um boto
(Plotar P Rg ) permite plotar a curva de perdas de chaveamento e totais em funo destes
valores. Do mesmo modo, se vrias potncias de carga Pout foram contempladas nos vetores, um
grfico destas perdas em funo de Pout tambm apresentado se o usurio clicar sobre o boto
Plotar P Pout . Analogamente, se mltiplas frequncias de chaveamento foram avaliadas, o
boto Plotar P fsw resulta no grfico de perdas em funo da frequncia de chaveamento.
Por fim, se o usurio clicar sobre o boto Gerar relatrio, um nmero P N M de
arquivos de relatrio em .txt, para cada anlise de perda executada, salvo. Estes relatrios
contm todas as informaes da interface (com as perdas detalhadas em cada dispositivo), os
valores das resistncias de gate, o diretrio do arquivo com os vetores de corrente analisados

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

85

Figura 4.10 Grficos com as estatsticas de perdas nos conversores, exibidos na interface do PerdasOffline

Os grficos so apresentados no PerdasOffline em sequncia e comutados a partir das setas para direita e para a
esquerda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

e, ainda, uma rplica do cabealho deste arquivo. A partir deste relatrio em .txt e do vetor
de corrente, uma ferramenta em Excel, que os interpreta, gera um relatrio em formato legvel
ao usurio, com grficos e tabelas. Esta ferramenta, implementada em linguagem VBA (Visual
Basic for Applications), descrita no Apndice A. Este Apndice tambm apresenta exemplos
dos relatrios em .txt gerados pelo programa.
Cabe ainda explicitar como as equaes de clculos de perdas, abordadas na seo
2.2.1, foram implementadas no programa PerdasOffline. O algoritmo 1, em linguagem genrica,
demonstra a metodologia adotada nos scripts para estimar a potncia dissipada em um par
transistor + diodo. A verso implementada se baseia em verses de scripts anteriores, j
adotadas pelo Grupo de Eletrnica de Potncia da UFMG. Esse algoritmo genrico se aplica
qualquer topologia, desde que alguns parmetros sejam particularizados para cada caso. Por
exemplo, as tenses reversas mximas de cada chave das topologias de dois nveis, NPC1 e
NPC2, indicadas nas Figuras 3.1 e 3.3, devem ser consideradas nestas anlises.
Os nomes atribudos a uma parte das variveis de entrada do algoritmo 1 so enumerados
na Tabela 4.1. Outras variveis de entrada so referidas pela notao j adotada neste texto e, por
esta razo, so omitidas nesta tabela.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

86

Tabela 4.1 Notao adotada no algoritmo 1 para as variveis de entrada.

Notao

Varivel

F
iQ , iD
Namost
i(IdV d) , v(IdV d)
i(IqV q) , v(IqV q)

frequncia do sinal modulante do conversor


corrente do transistor e no diodo
nmero total de amostras dos vetores de corrente
dados de corrente e de tenso capturados da curva Id Vd do diodo
dados de corrente e de tenso capturados da curva Iq Vq do transistor
dados de corrente e de energia de recuperao reversa
capturados da curva Err Id do diodo
dados de corrente e de energia de turn-on capturados da curva
Eon Iq do transistor
dados de corrente e de energia de turn-off capturados da curva
Eof f Iq do transistor
dados de resistncia de gate e de energia de recuperao
reversa capturados da curva Err Rg do diodo
dados de resistncia de gate e de energia de turn-on capturados
da curva Eon Rg do transistor
dados de resistncia de gate e de energia de turn-off capturados
da curva Eof f Rg do transistor

i(ErrId) , E(ErrId)
i(EonIq) , E(EonIq)
i(Eof f Iq) , E(Eof f Iq)
R(ErrRg) , E(ErrRg)
R(EonRg) , E(EonRg)
R(Eof f Rg) , E(Eof f Rg)

Como se nota neste algoritmo, a funo interp1 foi adotada para interpolar linearmente
entre os pontos salvos nos arquivos .txt com as curvas dos dispositivos, acessados na biblioteca.
Apenas as curvas relativas temperatura mxima de juno (normalmente de 150 C) so
consideradas. No caso em que a corrente em anlise supera o valor mximo informado nas
curvas, esta funo efetua uma extrapolao linear, habilitada com o argumento extrap. No
contexto de UPSs, em que o fator de crista da corrente dado pela razo entre o valor de pico e o
valor eficaz da forma de onda pode atingir valores elevados, esta operao de extrapolao pode
ser conveniente. De fato, segundo Rasmussen (2016), cargas do tipo computadores pessoais e
hubs, comumente alimentadas por UPSs, podem exibir fator de crista de at 3. Esta extrapolao,
todavia, no deve avaliar o mdulo de potncia em uma condio que exceda os limites de
operao segura recomendados pelo fabricante.
Por fim, vale assinalar que a ferramenta PerdasOffline j subsidia a empresa proponente
deste trabalho nas rotinas de projeto de UPSs. Um ganho desta ferramenta, em comparao com
outras j tradicionalmente adotadas por esta empresa, decorre da facilidade de caracterizao
terica dos mdulos de potncia. As solues anteriores dependiam, por exemplo, de ajustes de
funes sobre as curvas dos catlogos (fitting). Uma ou mais funes polinomiais ou exponenciais,
definidas para regies distintas da curva, deveriam ser derivadas. Este esforo inicial onerava
mais tempo ao usurio e ainda tornava as anlises menos exatas, em virtude dos desvios entre as
funes ajustadas e as curvas informadas em catlogo.
Na ferramenta proposta, em contraposio, a concordncia entre estas curvas e os dados
capturados depende apenas do nmero de pontos capturados. Outros ganhos introduzidos pelo
PerdasOffline provm da facilidade de automatizao das anlises trmicas, de organizao e de

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Algoritmo 1: C LCULO OFFLINE DE PERDAS EM UM PAR TRANSISTOR + DIODO


Entrada: parmetros da simulao e dados do catlogo do mdulo de potncia
Sada: Ptotais
1 incio
2
index = 1, Econd(Q) = Econd(D) = Eof f = Eon = 0
3
se Rg(on) 6= Rg(ref ) ento
4
5

ERg(ref ) = interp1(R(EonRg) , E(EonRg) , Rg(ref ) , linear)


ERg(on) = interp1(R(EonRg) , E(EonRg) , Rg(on) , linear)

kon = ERg(on) /ERg(ref )

7
8

ERg(ref ) = interp1(R(ErrRg) , E(ErrRg) , Rg(ref ) , linear)


ERg(on) = interp1(R(ErrRg) , E(ErrRg) , Rg(on) , linear)

krr = ERg(on) /ERg(ref )


seno
kon = krr = 1
fim

10
11
12
13

fim

14

se Rg(of f ) 6= Rg(ref ) ento

15
16

ERg(ref ) = interp1(R(Eof f Rg) , E(Eof f Rg) , Rg(ref ) , linear)


ERg(of f ) = interp1(R(Eof f Rg) , E(Eof f Rg) , Rg(of f ) , linear)

17

kof f = ERg(of f ) /ERg(ref )

18
19
20

seno
kof f = 1
fim

21

fim

22

enquanto index 6= Namost faa

26

vQ (index) = interp1(i(IqV q) , v(IqV q) , iQ (index), linear, extrap)


vD (index) = interp1(i(IdV d) , v(IdV d) , iD (index), linear, extrap)


Econd(Q) = Econd(Q) + Ts vQ (index) iQ (index) + Rcc0 ee0 iQ (index)2


Econd(D) = Econd(D) + Ts vD (index) iD (index) + Rcc0 ee0 iD (index)2

27

se (iQ (index) = 0) E (iQ (index 1) 6= 0) ento

23
24
25

28

Eof f = Eof f + interp1(i(Eof f Iq) , E(Eof f Iq) , iQ (index 1),linear,extrap)

29

seno se (iQ (index) 6= 0) E (iQ (index 1) = 0) ento


Eon = Eon + interp1(i(EonIq) , E(EonIq) , iQ (index),linear,extrap)

30

fim

31
32

fim

33

se (iD (index) = 0) E (iD (index 1) 6= 0) ento

34

Err = Err + interp1(i(ErrId) , E(ErrId) , iD (index 1),linear,extrap)


fim
index = index + 1

35
36
37

fim

38
39
40
41

Pcond(Q) = Econd(Q) F
Pcond(D) = Econd(D) F
Pchav(Q) = (Eof f kof f + Eon kon ) F (Vcc /Vcc(ref ) )
Pchav(D) = Err F krr (Vcc /Vcc(ref ) )
Ptotais = Pcond(Q) + Pcond(D) + Pchav(Q) + Pchav(D)

42
43
44

fim
retorna Ptotais

87

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

88

acesso aos dados com a proposio de uma biblioteca com todos os mdulos j registrados e
ainda, de comparao de desempenho de vrios mdulos. A maior parte dos requisitos bsicos
enumerados na fase de concepo desta ferramenta, descritos no incio da seo 4.1, foi, portanto,
atendida. Todavia, a dificuldade de generalizar os clculos para qualquer topologia se figura como
uma desvantagem desta ferramenta. De fato, para que as perdas totais em qualquer topologia
pudessem ser avaliadas, as correntes de cada par transistor + diodo deveriam ser armazenadas
em vetores de corrente e o programa deveria processar as perdas em cada par individualmente,
como em uma topologia de dois nveis. O clculo s direto, portanto, para as topologias
trifsicas de dois nveis, NPC1 e NPC2 e para variaes monofsicas destas topologias (como a
ponte completa ou meia ponte). A ferramenta implementada com o mtodo online, detalhada na
seo a seguir, torna esta generalizao mais simples.
4.1.1.3

Mtodo online

O mtodo online, em linhas gerais, implementa o algoritmo detalhado na seo 4.1.1.2 em


ambiente Simulink. As equaes de perdas nos semicondutores, todavia, incluem a dependncia
com a temperatura de juno, desprezada naquele algoritmo. Assim, em substituio funo
interp1, a interpolao entre os pontos das curvas do catlogo considera ainda uma terceira
varivel, associada temperatura de juno do componente. Para tanto, vale-se da funo 2-D
Lookup Table, disponvel na biblioteca do Simulink. Seja, portanto, a caracterstica tenso VCE
corrente Ic de um dos IGBTs do mdulo FF75R12RT4, para duas temperaturas de juno Tj
(25 C e 150 C), para VGE = 15 V , dada na Figura 4.11(b). Se a tenso VCE for explicitada
como uma funo de duas variveis, i.e., VCE = f (Ic , Tj ), os pontos que descrevem estas curvas
podem ser representados em um grfico tridimensional com coordenadas (Ic , Tj , VCE ). Se o
lugar geomtrico dos pontos mesma corrente Ic = k for uma reta que une os pontos com esta
corrente k nas curvas a 25 C e 150 C, a superfcie indicada na Figura 4.11(a) passa a conter as
curvas com temperaturas de juno intermedirias. Assim, as curvas associadas a Tj arbitrrias
podem ser interpoladas ao longo deste plano. Esta metodologia, grosso modo, a adotada pela
funo 2-D Lookup Table. Na prtica, interpolaes lineares nas duas direes (bilineares) so
implementadas por esta funo.
Para exemplificar a efetividade desta tcnica de interpolao, compara-se, na Figura
4.12, a curva estimada para o transistor do mdulo FF75R12RT4, temperatura de juno Tj
de 125 C, com a informada no catlogo do fabricante para esta temperatura. As entradas da
funo 2-D Lookup Table so apenas as caractersticas a 25 C e a 150 C, tambm indicadas na
Figura 4.12. Como se infere desse resultado, a interpolao linear a 125 C retorna uma curva
suficientemente prxima da caracterstica real do componente, com erros menores do que 1%.
Esta estimativa, a menos deste erro mximo, reproduz corretamente a trajetria dos pontos ao
longo de toda curva, inclusive para correntes menores.
Sendo assim, esta tcnica de interpolao adotada no mtodo online para aproximar

89

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores


Figura 4.11 Caracterstica tenso corrente do mdulo FF75R12RT4.
Ic V ce
3

Ic V ce

3.5

3.5
TJ = 150 C

TJ = 150 C

2.5

1
0.5

V ce [V]

1.5

V ce [V]

2.5

1.5

TJ = 25 C

TJ = 25 C

200

100
100

T j [C]

0.5

Ic [A]

(a)

50

100

Ic [A]

150
(b)

(a) Interpolao bilinear, implementada pela funo 2-D Lookup Table.


(b) Curvas informadas no catlogo do mdulo, para Tj = 25 C e Tj = 150 C.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

as caractersticas dos dispositivos em temperaturas de juno intermedirias, com curvas noinformadas em catlogo. O mesmo procedimento, portanto, aplicado para as curvas de energia
de turn-on e de turn-off no transistor em funo da corrente, de energia de recuperao reversa
no diodo em funo da corrente e para as curvas de tenso corrente dos diodos e dos
transistores. No caso em que o fabricante no informa as curvas a 25 C e a 150 C, opta-se
por outros pares de temperatura de juno, se possvel. Se apenas a curva para a temperatura
mxima disponibilizada, supe-se que esta caracterstica constante para todas as temperaturas.
Esta premissa corresponde, todavia, quela assumida no mtodo offline e s considerada, pois,
quando as curvas com outras temperaturas so omitidas no catlogo.
Figura 4.12 Avaliao da tcnica de interpolao via funo 2-D Lookup Table para o mdulo FF75R12RT4.
140
Tj = 125 C, estimada

120

Corrente [A]

100
Tj = 25 C
80
Tj = 125 C, catlogo
60
Tj = 150 C
40
20
0
0

0.5

1.5

2.5

3.5

Tenso [V]

Nota: As curvas so indicadas por setas de mesma cor.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como j foi abordado na seo 4.1.1.1, a temperatura de juno estimada com base no
modelo trmico e nas perdas totais de cada componente. Como o clculo destas perdas depende

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

90

da temperatura de juno e assim reciprocamente, esta anlise deve ser iterativa. O algoritmo 2,
implementado em Simulink, demonstra esta tcnica iterativa (online) para um par transistor +
diodo. A notao adotada neste algoritmo equivale do algoritmo 1, com variveis declaradas
na Tabela 4.1.
Algoritmo 2: C LCULO ONLINE DE PERDAS EM UM PAR TRANSISTOR + DIODO

1
2
3
4

Entrada: parmetros da simulao e dados do catlogo do mdulo de potncia


Sada: Ptotais
incio
f imSimulacao = 0, t = 0, Tj(Q) = Tj(Q) = Tamb
Econd(Q) = Econd(D) = Eof f = Eon = Err = 0
enquanto f imSimulacao = 0 faa
se reset = 0 ento
vQ (t) = 2DLookUpTable(i(IqV q) , v(IqV q) , iQ (t), Tj(Q) )
vD (t) = 2DLookUpTable(i(IdV d) , v(IdV d) , iD (t), Tj(D) )


Econd(Q) = Econd(Q) + Ts vQ (t) iQ (t) + Rcc0 ee0 iQ (t)2


Econd(D) = Econd(D) + Ts vD (t) iD (t) + Rcc0 ee0 iD (t)2

5
6
7
8
9

se (iQ (t) = 0) E (iQ (t Ts ) 6= 0) ento

10
11

Eof f = Eof f + 2DLookUpTable(i(Eof f Iq) , E(Eof f Iq) , iQ (t Ts ), Tj(Q) )

12

seno se (iQ (t) 6= 0) E (iQ (t Ts ) = 0) ento


Eon = Eon + 2DLookUpTable(i(EonIq) , E(EonIq) , iQ (t), Tj(Q) )

13

fim

14
15

fim

16

se (iD (t) = 0) E (iD (t Ts ) 6= 0) ento


Err = Err + 2DLookUpTable(i(ErrId) , E(ErrId) , iD (t), Tj(D) )

17

fim
t = t + Ts
seno se reset = 1 ento
Pcond(Q) = Econd(Q) F
Pcond(D) = Econd(D) F
Pchav(Q) = (Eof f kof f + Eon kon ) F (Vcc /Vcc(ref ) )
Pchav(D) = Err F krr (Vcc /Vcc(ref ) )
Ptotais = Pcond(Q) + Pcond(D) + Pchav(Q) + Pchav(D)
[Tj(Q) , Tj(D) ] = modeloTermico(Pcond(Q) + Pchav(Q) , Pcond(D) + Pchav(D) )
Econd(Q) = Econd(D) = Eon = Eof f = Err = 0

18
19
20
21
22
23
24
25
26
27

fim

28

fim

29
30
31
32

fim
fim
retorna Ptotais

Como se infere do algoritmo 2, assumindo temperaturas de juno no diodo Tj(D) e no


transistor Tj(Q) inicialmente iguais temperatura ambiente Tamb , as perdas so estimadas. Como
j foi discutido, a funo de interpolao 2D Lookup Table (denotada por 2DLookupTable)

91

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

adotada para avaliar as caractersticas dos dispositivos cada Tj . O resultado da estimativa de


perdas uma nova entrada do modelo trmico (funo modeloTermico no algoritmo 2), que
reprocessa as temperaturas de juno nesta condio. As perdas so novamente estimadas para
estas temperaturas de juno e assim sucessivamente. Essa sequncia de clculo, implementada
em tempo de simulao, segue at que a simulao se encerre. Para que o modelo trmico no
seja simulado a cada passo de simulao Ts , elevando o custo computacional, as temperaturas
so reavaliadas apenas quando o valor mdio das perdas atualizado i.e., a cada ciclo de
corrente do conversor. Um sinal de reset, sincronizado com esta corrente, produz um impulso
unitrio a cada passagem por zero e dispara a execuo do modelo trmico. A cada impulso
neste sinal, as somas acumuladas de energia so atribudas a zero.
As formas de onda da Figura 4.13 demonstram a convergncia dos valores de perdas
totais no componente e de temperatura de juno, depois de algumas iteraes do algoritmo 2,
para um conversor trifsico de 20 kW , em topologia dois nveis, frequncia de chaveamento de
12 kHz, tenso de barramento de 650 V e com mdulos FF75R12RT4.

100

120

80

100

Perdas [W]

Temperatura de juno [C]

Figura 4.13 Evoluo das perdas e da temperatura de juno em um conversor arbitrrio no mtodo online.

Transistor

80
60

Diodo

Transistor
60
Diodo

40
20

40

0
0

0.05
0.1
Tempo [s]

0.15

0.05
0.1
Tempo [s]

0.15

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Para que o clculo das perdas e das temperaturas pudesse ser generalizado para qualquer
topologia de conversor, opta-se pelo encapsulamento do algoritmo 2 como parte do modelo
do par transistor + diodo em antiparalelo. As sadas deste modelo so as perdas em cada
componente e o n de dissipador como j foi discutido na seo 4.1.1.1. Assim, estes modelos,
em blocos de uma biblioteca, podem ser arranjados convenientemente para compor o circuito da
topologia pretendida. O circuito trmico tambm pode ser facilmente conectado, conforme o
nmero de mdulos no mesmo dissipador ou no mesmo encapsulamento.
A Figura 4.14 apresenta os modelos propostos no software Simulink para uma topologia
de dois nveis. O bloco com o modelo do par transistor + diodo em antiparalelo includo
biblioteca padro do Simulink, para facilitar o acesso.

92

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Figura 4.14 Modelo do par transistor + diodo em antiparalelo, encapsulado em biblioteca do Simulink, como
parte do mtodo online.

(a) Biblioteca padro do Simulink, com o modelo proposto.

(b) Parmetros do modelo proposto e tela


de interface.

(c) Blocos internos ao modelo proposto.

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.1.2

Rotinas para o clculo de perdas nos indutores

Como j foi abordado na seo 2.2, a caracterizao da UPS de dupla converso quanto ao
rendimento, como resultado das simplificaes adotadas neste trabalho, se baseia nas estimativas
das perdas nos semicondutores e nos indutores dos filtros de entrada e de sada. A tenso do
barramento c.c. VDC , a frequncia de chaveamento fsw e o ripple mximo de corrente na rede
eltrica e na carga definem critrios de projeto destes indutores, como se discute nas subsees

93

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

3.3.1 e 3.3.2. Sendo assim, na fase de projeto de uma UPS com potncia nominal Pout , os
indutores de filtro devem ser dimensionados para que atendam ao critrio de ripple para cada par
(VDC , fsw ), pelo menos para a condio de carga nominal. Isso implica, portanto, que o projeto
fsico destes indutores (i.e., o nmero de espiras, nmero de condutores, etc.) deve variar para
cada tripla (VDC , fsw , Pout ) avaliada nas rotinas de projeto. Com base nos parmetros fsicos do
indutor, as perdas nos filtros podem ser ento estimadas. Esse tipo de anlise permite avaliar,
por exemplo, se o aumento da frequncia de chaveamento, que contribui para a reduo dos
elementos passivos do filtro, pode elevar proibitivamente as perdas nos indutores.
Para o projeto fsico dos indutores, implementa-se uma ferramenta que adota os procedimentos enumerados a seguir, sintetizados no diagrama da Figura 4.15.
Figura 4.15 Fluxograma com a sequncia de procedimentos para o projeto dos indutores dos filtros de entrada e
de sada.

Incio

Entrada dos valores de Imx , Iripple, L, fsw , xBsat%, ffmx

Acesso biblioteca de ncleos e seleo de um ncleo


segundo o critrio de LImax e curva do fabricante

Biblioteca

Importao do arquivo com curva B x H do


ncleo selecionado

Clculo das curvas N x B pelas equaes 4.11 e 4.13

Busca pela interseo entre as duas


curvas, com coordenadas (Bsoluo, Nsoluo)

Permitida a
associao em
paralelo?

Nparalelo = Nparalelo + 1
L = L Nparalelo
Imx = Imx / Nparalelo

Bsoluo >
xBsat% Bsat

Clculo do dimetro mximo do fio, segundo


critrio de profundidade de penetrao

Nsrie = Nsrie + 1
L = L / Nsrie

Clculo do nmero de fios por espira, segundo


critrio de densidade de corrente

Clculo de
perdas

ff < ffmx

Nsrie = Nsrie + 1
L = L / Nsrie

Exibio dos parmetros do indutor:


modelo do ncleo, nmero de espiras N, nmero de fios em paralelo, nmero
de indutores em srie e paralelo (Nsrie e Nparalelo ), perdas no cobre e no ncleo,
fator de enrolamento (ff), indutncia por indutor (L).

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

94

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

(i)

Seleo do material do ncleo


Inicialmente, deve-se selecionar um material para o ncleo que atenda ao critrio de
energia mxima armazenada no indutor. Esta energia mxima (Emax ) pode ser estimada
a partir da equao 4.9, em que L e Imax denotam a indutncia e a corrente mxima no
indutor:
Emax =

2
LImax
.
2

(4.9)

Neste trabalho, apenas os ncleos toroidais de p de ferro da famlia High Flux do fabricante Magnetics, que permitem o armazenamento de energias elevadas, so considerados.
A curva que orienta a seleo de ncleos desta famlia, disponibilizada pelo fabricante,
apresentada, como exemplo, na Figura 4.16. Para cada energia calculada, a ferramenta
implementada para o projeto de indutores localiza, nesta curva, o primeiro ncleo (com
modelo indicado nos eixos) que prov aquela energia, bem como a permeabilidade
relativa associada (informada ao longo da curva).
Figura 4.16 Curva para seleo de ncleos da famlia High Flux do fabricante Magnetics.

Fonte: Magnetics (2006).

(ii)

Clculo do nmero de espiras


Para o clculo do nmero de espiras, prope-se uma adaptao das metodologias adotadas
por Soares (2012) e por Magnetics (2006). Seja uma bobina de N espiras, por onde
circula uma corrente I. Sendo o fluxo magntico que a envolve, a indutncia L, em
condies magnetostticas, resulta, por definio, da razo (EDMINISTER, 2006):
L=

N
.
I

(4.10)

Para um ncleo toroidal de rea efetiva Ae , a densidade de fluxo magntico B resulta da


razo entre e Ae . Sendo assim, quando a corrente assume o valor mximo Imax , vem,

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

95

diretamente da equao 4.10:


N=

LImax
.
Bmax Ae

(4.11)

Por outro lado, da equao para a lei de Ampre em um contorno fechado ao longo
da bobina e da suposio de que o fluxo est confinado no interior dela, tem-se, se le
constitui o comprimento efetivo desse contorno (EDMINISTER, 2006):
I
NI
,
(4.12)
H dl = N I H
le
em que H se refere ao vetor de campo magntico e dl, ao vetor infinitesimal de comprimento ao longo do contorno. Como a intensidade de campo magntico H provm da
razo entre a densidade de fluxo magntico e a permeabilidade do material , a equao
(4.12) pode ser explicitada em termos de B e o nmero de espiras N fica, na condio de
corrente mxima:
B

Bmax le
N I
N
le
Imax

(4.13)

Como o ncleo j foi previamente selecionado, a rea e o comprimento efetivos (Ae e le )


so constantes obtidas do catlogo do fabricante. J a permeabilidade pode ser derivada,
para cada intensidade de campo magntico H, a partir da caracterstica B H, tambm
informada pelo fabricante. Assim, se Bmax for atribudo ao vetor Bmax = [0, , 2] T ,
definem-se curvas de N B a partir das equaes (4.11) e (4.13). A interseo entre
as duas curvas retorna, portanto, as coordenadas do ponto (Bsolucao , Nsolucao ), com a
soluo para o nmero de espiras e para a densidade de fluxo mxima. Considera-se,
aqui, que a soluo para Bmax no deve exceder 70 % da densidade de fluxo que leva o
ncleo saturao. Caso este critrio no seja atendido, associam-se indutores em srie
ou em paralelo, como indica a Figura 4.15. Cabe salientar que a substituio de Bmax
da equao (4.11) em (4.13) resulta em uma terceira equao para o nmero de espiras,
comumente adotada no projeto e sugerida por Magnetics (2006):
r
L
N=
,
(4.14)
AL
em que AL uma constante referida na literatura por indutncia especfica e dada por
AL = Ae /le . Todavia, o clculo do nmero de espiras pela equao (4.14) se baseia
em um mtodo iterativo que considera a variao de com a intensidade de campo H, a
cada iterao. Como a convergncia deste mtodo para a indutncia pretendida se mostra
mais difcil, a metodologia anterior adotada neste trabalho, como alternativa.
(iii)

Clculo do dimetro mximo do condutor e do nmero de fios em paralelo


O dimetro mximo do condutor deve ser definido para que o efeito pelicular possa
ser negligenciado para harmnicos de corrente em torno da frequncia de chaveamento.

96

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

Sendo assim, o dimetro do condutor no deve exceder o dobro da profundidade de


penetrao do cobre esta frequncia, dada pela equao (2.27).
Neste trabalho, assume-se que o condutor deve ser o primeiro, dentre os disponveis
comercialmente, com bitola inferior ao dimetro calculado. Se a bitola deste condutor
d, para que o critrio de mxima densidade de corrente jmax seja atendido, pode ser
necessrio associar ncond em paralelo, de acordo com a equao:
ncond =

l 4I
m
max
.
jmax d2

(4.15)

Nos projetos de indutor deste trabalho, assume-se, arbitrariamente, que jmax seja de
3A/mm2 .
(iv)

Testes de consistncia
Por fim, deve-se avaliar a factibilidade do projeto proposto. O fator de utilizao f f
(ou fill factor), dado pela razo entre a rea ocupada pelos condutores Acond e a rea
da janela Aw , no deve exceder o valor mximo factvel para ncleos toroidais. Apesar
de o prprio fabricante indicar o valor de 40 % como f f de referncia, este trabalho o
limita em 30 %. Caso este valor no seja atingido, opta-se pela associao de indutores
em srie, como indica o diagrama da Figura 4.15, at que o projeto se torne factvel.

(v)

Clculo das perdas e da elevao de temperatura


Para o clculo de perdas nos indutores, implementam-se as equaes enumeradas na
seo 2.2.2, com os parmetros de sada dos procedimentos anteriores. Para que as
perdas no cobre sejam estimadas, consideram-se apenas as perdas joulicas associadas
resistncia do enrolamento Rac na frequncia fundamental F . Esta resistncia Rac
estimada pela equao:
Rac =

4N M LT
.
d2 ncond

(4.16)

em que consiste na resistividade do cobre e M LT denota o comprimento mdio do


enrolamento, informado pelo fabricante para cada fator de utilizao f f . Assim, as
parcelas de perdas atribudas s componentes harmnicas de corrente de alta frequncia
sujeitas aos efeitos pelicular e proximidade so negligenciadas nesta anlise, para fins
de simplificao.
O script em MATLAB disponibilizado por Sullivan, Venkatachalam e Czogalla (2016)
adotado para os clculos de perda no ncleo via mtodo iGSE, descrito na seo 2.2.2.
Com base nas perdas calculadas, a elevao de temperatura T no indutor estimada. A
equao aproximada, recomendada por Magnetics (2006), considerada neste clculo:

T =

Pind
Stotal

0,833
,

(4.17)

97

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

em que Pind e Stotal designam as perdas totais em mW e a rea da superfcie do indutor


j enrolado em cm2 , respectivamente. A rea da superfcie total aproximada por aquela
informada pelo fabricante para o fator de utilizao f f de 40 %. A elevao mxima de
temperatura arbitrada, neste trabalho, em cerca de 90 C 1 .

4.2

Prottipos experimentais para medio de perdas

Nesta seo, descrevem-se os prottipos experimentais desenvolvidos para que as estimativas tericas de perdas nos conversores pudessem ser validadas.

4.2.1

Prottipo para medio via wattmetro

Inicialmente, avaliam-se os desvios entre as estimativas tericas de potncia dissipada


e as medies eltricas em um conversor. Para tanto, as perdas em uma montagem simples de
um conversor buck de 5, 5 kW , com o mdulo de potncia SKM50GB123D (Semikron), so
medidas via wattmetro digital WT1800 (Yokogawa). O diagrama esquemtico com as pontas de
prova do wattmetro indicadas e a montagem experimental seguem nas Figuras 4.17 e 4.18.
Figura 4.17 Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via wattmetro.
Retificador
12 pulsos

Vdc+

1000 F

Vin +

1,38 mH

Rede eltrica
(220 V/ 127 V)
2200 F

Vdc-

Vout+

4,5
Vout-

Vin -

iin
Canal 1 (in)
iout
Wattmetro

Canal 2 (out)

Gate driver
Gerador de funo

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.


1

A temperatura mxima do indutor no deve exceder o limite trmico do ncleo de 200 C para a famlia High
Flux e dos isolantes, suposto aqui em 140 C. Assim, para que haja uma folga nesta especificao, admitem-se
elevaes de at 90 C para a temperatura ambiente em 40 C. Supe-se que esta folga compensa o uso de uma
estimativa de rea da superfcie associada a um fator de utilizao maior do que aquele obtido nos projetos, de
no mximo 30 %.

98

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores


Figura 4.18 Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via wattmetro.
Gerador de
comando

Fonte de
alimentao do
gate driver

Retificador e
barramento
c.c.
Buck
WT1800
Carga

Filtro LC

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Um capacitor de filme plstico de 1000 F adicionado ao circuito em paralelo com


o barramento c.c., para que a distoro harmnica da corrente de entrada, medida em um dos
canais do wattmetro, seja mitigada. Pela mesma razo, as pontas de prova do canal de sada so
instaladas na sada do filtro LC (L = 1, 38 mH, C = 2200 F ). Nesta montagem, as diferenas
entre as leituras de potncia nos dois canais do wattmetro so comparadas com as estimativas de
perdas globais no conversor no indutor e nos semicondutores, para vrias condies de carga.
As perdas nos capacitores de filtro so neglicenciadas nestas estimativas.
O conversor buck alimentado por um retificador em configurao de doze pulsos, com
entradas c.a. em 220 V e 127 V , derivadas do secundrio em e do tercirio em Y de um
transformador trifsico.

4.2.2

Prottipo de calormetro indireto srie

Este prottipo adapta aquele proposto por Itoh e Nigorikawa (2012), que se baseia no
princpio calorimtrico e na comparao entre as perdas do conversor em teste (CUT) e de um
resistor de potncia. Grosso modo, o conversor e um resistor so isolados em dois subsistemas
fechados e, assim, passam a aquecer o ar do ambiente. Em regime permanente, na condio em
que h equivalncia nas temperaturas ambiente nestes dois subsistemas, admite-se tambm a
equivalncia entre a potncia dissipada por estas duas fontes de calor (conversor e resistor). Sendo
assim, se a tenso neste resistor for controlada para que se atinja esta condio de equivalncia
de temperaturas em regime estacionrio, as perdas no CUT podem ser medidas diretamente, a
partir da leitura da potncia no resistor. A demonstrao deste princpio, com base no modelo
fsico do sistema, apresentada por Itoh e Nigorikawa (2012) e, portanto, omitida neste texto.
Na Figura 4.19 consta o diagrama esquemtico da montagem experimental desta pesquisa.
Como se infere desta Figura, um controlador de temperatura do tipo proporcional-integral (PI)

99

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

opera com o duty-cycle de um conversor buck (externo s caixas) para que as temperaturas finais
nos dois subsistemas sejam iguais.
Figura 4.19 Diagrama esquemtico do prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via
calormetro indireto srie.
conversor buck

Caixa de referncia
(CR)

Caixa de medio
(CM)

isolante
resistor de potncia

CUT

ventilador

ventilador

TCR

metal
VCR

+-

PI

TCM

LM335

PWM

Condicionamento 1

VCM

Atmel/ATMega 2560

Condicionamento 2

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Esta montagem preferida em relao a outras alternativas documentadas na literatura,


revisadas na seo 2.3.2, em razo da simplicidade e do baixo custo e, ainda, por dispensar
a necessidade de caracterizao fsica de um fluido para quantificar a potncia dissipada pelo
conversor. Ademais, o efeito da perda de calor pelas paredes que incide diretamente sobre a
exatido da medio em algumas variaes tpicas de calormetro pode ser desprezado neste
prottipo, se assumida a premissa de que as caixas so iguais, bem como as condies ambientais
externas. Da mesma forma, fontes de erro sistemticas na medio de temperatura, por exemplo,
podem ser facilmente compensadas com a calibrao dos sensores por comparao. Outras
vantagens desta variao de calormetro j foram discutidas na seo 2.3.2.4.
J a Figura 4.20 apresenta a montagem experimental desenvolvida no laboratrio do
Grupo de Eletrnica de Potncia. O wattmetro WT1800 foi adicionado montagem apenas para
fins de calibrao das leituras de potncia.
Para fins de simplificao do texto, a descrio de cada uma das partes do prottipo, bem
como as fases que antecedem o ensaio de medio de perdas, so enumeradas nas subsees a
seguir. Na conveno adotada neste texto, as caixas com o conversor em teste e com o resistor
so denotadas por caixa de referncia (CR) e caixa de medio (CM), nesta ordem.

100

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores


Figura 4.20 Prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas.
Caixa de referncia (CR)

Retificador

Caixa de medio (CM)

WT 1800
Fonte de
alimentao
da CR

Buck

Carga do
conversor em teste
Fonte de
alimentao
do buck
Condicionamento e
controle do calormetro

Controle do conversor
em teste (Code
composer 3.3)

Transformador e varivolt de
alimentao do conversor em teste

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.2.2.1

Projeto mecnico do prottipo

No prottipo desenvolvido, o conversor em teste e o resistor de potncia so introduzidos


em caixas metlicas de 45 L, isoladas e fechadas. Estas caixas, comuns em lojas especializadas
em refrigerao, so revestidas de ao inoxidvel e isoladas com espuma de poliuretano injetvel.
A opo por caixas com paredes em estrutura sanduche (metal + isolante + metal) j foi
fundamentada na seo 2.3.2.3. O resistor de potncia em uso no prottipo, com fio enrolado
em cermica, suporta at cerca de 90 W , sem incandescer. Deste modo, com este nico resistor,
conversores de at 1 kW e com rendimento superior a 90 % podem ser ensaiados. O conversor
em teste um inversor do tipo ponte H (ou ponte completa) monofsica e integra chaves
discretas de silcio (de IGBT e diodo), de modelo IRGP30B120KD (International Rectifier).
Adicionam-se nas duas caixas ventiladores de 24 W/220 V , para que a distribuio de
temperaturas em CR e CM seja mais uniforme. Pela mesma razo, opta-se por estas caixas com
revestimento metlico diferentemente do trabalho de Itoh e Nigorikawa (2012), com caixas de
isopor. J a preferncia por caixas isoladas se atribui necessidade de que a temperatura interna
no seja sensvel a variaes no meio externo.
Por outro lado, como os ventiladores so do mesmo modelo, supe-se aqui que a diferena
entre as perdas em ambos leva a um desvio desprezvel entre as temperaturas de CR e de CM.
Esta hiptese avaliada em um ensaio experimental em que apenas os dois ventiladores so
ligados nas duas caixas. De fato, como resultado deste ensaio, a diferena entre as temperaturas
de CR e de CM no supera 0, 3 C na condio de regime permanente. Como este desvio da
ordem da incerteza associada medio de temperatura (calculada na seo 4.2.2.4), aquela
hiptese fica, portanto, validada. Do mesmo modo, presume-se que as perdas para o ambiente
sejam equivalentes em CR e CM.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

101

A disposio dos elementos dentro da caixa deve contribuir para que o fluxo de ar
uniformize a temperatura interna. Assim, opta-se pela orientao do resistor e do ventilador ao
longo do comprimento da caixa.
Resta ainda definir como os sensores de temperatura sero alocados na caixa. O nmero
de sensores em cada caixa foi limitado a trs, em razo de restries no circuito de condicionamento, detalhadas a seguir. A mdia destes trs sensores deve retornar uma boa estimativa
das mdias pontuais de temperatura no interior da caixa. Sendo assim, os sensores devem ser
posicionados em planos horizontais distintos, para que o gradiente de temperatura na direo
vertical seja bem caracterizado. Os sensores so instalados em conectores de material isolante,
nas duas faces com maior superfcie e naquela mais prxima do ventilador. Os cabos que partem
dos sensores so tranados, passam pelos furos na parte inferior da caixa e se conectam ao
circuito de condicionamento externo.
Para que a temperatura interna no se torne proibitiva para o conversor, outras opes de
tampa para as caixas so tambm testadas. O uso de chapas metlicas com um padro matricial
de furos para este fim avaliado como alternativa tampa original (que tambm se constitui
de material isolante revestida em ao). Alguns ensaios so conduzidos para que se atinja um
nmero ideal de furos para que a temperatura interna seja substancialmente reduzida. Prev-se
que o fluxo de ar pelos furos seja constante ao longo da chapa, j que a temperatura na superfcie
metlica tende a ser uniforme.
4.2.2.2 Seleo dos sensores e dimensionamento dos componentes do circuito de
condicionamento
A seleo dos sensores de temperatura deve se basear na anlise da faixa de temperaturas
de operao, da susceptibilidade destes sensores a rudos e da complexidade dos circuitos de
condicionamento de sinais. Como o controle se orienta apenas pela diferena entre as leituras
de temperatura, a classe de exatido dos sensores, em tese, no se torna um critrio de seleo
obrigatrio. Basta, pois, que os erros sistemticos dos sensores especificados sejam corrigidos
via calibrao por comparao. Para fins de monitoramento das temperaturas absolutas (e no
daquela diferena), so adicionados sensores auxiliares baseados em termopares do tipo K, com
leituras interpretadas pelo termmetro digital Minipa MT-6002 .
Neste trabalho, quatro modelos de sensores foram avaliados, a saber, o sensor digital
DS18B20 e os sensores analgicos LM35, LM335 e Pt100. Estes sensores analgicos foram
preferidos por exibirem resposta linear e pela simplicidade dos circuitos de condicionamento. J
2

Cabe comentar que as leituras do termmetro digital no foram consideradas no controle de temperatura em
razo da dificuldade de comunicao, em tempo real, entre o termmetro e o microcontrolador em uso. Por
outro lado, o condicionamento dos sinais do termopar, diretamente, se torna mais complexo do que nas outras
alternativas de sensores. Assim, o termmetro s empregado para que o usurio monitore, durante a execuo
dos ensaios, as temperaturas nas caixas. Este monitoramento mais crtico em CR, em que a temperatura
ambiente pode se tornar proibitiva para o conversor em teste.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

102

o sensor digital foi testado em razo da facilidade de implementao do protocolo One-Wire,


adotado para codificao das leituras e da presumida imunidade a rudos de chaveamento.
Nenhum desses sensores, todavia, retornava leituras coerentes quando o conversor em teste era
chaveado a dezenas de kHz em potncias de carga maiores do que 500 W . Nesta condio, um
offset era sobreposto leitura dos sinais dos sensores analgicos e interrupes consecutivas
e aleatrias na comunicao com o sensor digital (indicadas por um flag de 127 C) eram
observadas. Este offset, traduzido como um desvio de at 6 C (no caso do circuito com o
LM335), era anulado no instante em que o conversor em teste era desligado. Mesmo com o
circuito de condicionamento em placas independentes, sem aparente conexo fsica com o
conversor, o problema persistia. Disso decorre a hiptese de que a interferncia entre os dois
circuitos talvez fosse irradiada, no conduzida. Inmeras tentativas, sem sucesso, foram ento
propostas, e.g.: (i) a blindagem dos cabos com os sinais dos sensores; (ii) a minimizao dos
loops de corrente que resultavam da interrupo do circuito para adio de ampermetros; (iii) a
excluso destes ampermetros do circuito; (iv) o rearranjo das montagens e (v) o encurtamento
de cabos de potncia e de sinais com alta frequncia. Mesmo nos circuitos com sensores do tipo
Pt100, que se baseiam em medies de resistncia, esta interferncia persistia. Ora a medio se
tornava suscetvel aos rudos de chaveamento do conversor em teste, ora aos do conversor buck.
Como os offsets na medio no eram determinsticos nem tampouco passveis de correo via
calibrao, uma tentativa de execuo dos ensaios com os sensores digitais foi efetuada, a partir
do descarte de leituras esprias. Todavia, como por vezes estas leituras perduravam por longos
intervalos, o controle de temperatura ficava sujeito a atrasos aleatrios, como resultado. Estes
atrasos inviabilizavam os ensaios com o conversor em teste.
Provavelmente, estes problemas de compatibilidade eletromagntica decorrem de adaptaes no conversor em teste, adotadas para que o filtro e o gate driver fossem dissociados do
circuito e, assim, pudessem ser montados externamente a CR. Estas adaptaes, normalmente
contra-indicadas, tendem a aumentar o comprimento dos cabos de potncia e dos cabos que
se conectam ao gate dos transistores. Uma alternativa bvia seria a de remontar o conversor
completo no interior de CR. Esta opo se torna invivel na caixa em uso (de volume reduzido) e
no serviria ao objetivo de avaliar os resultados tericos de perdas somente nos semicondutores.
Por ora, em razo destas dificuldades, opta-se apenas por validar o sistema de medio com
resistores de potncia, nas duas caixas. Em princpio, como a anlise independe da fonte de
perdas, o ensaio com resistores j basta para esta validao.
Nestes ensaios, prefere-se o uso dos sensores do modelo LM335. Esses sensores, que
operam na faixa de 40 C a 100 C, retornam a mdia das leituras quando associados em
srie. Assim, um nico circuito de condicionamento e uma nica porta do conversor A/D j so
suficientes para a leitura de um conjunto de sensores. Como cada sensor da associao contribui
com 10 mV /K, a alimentao em 15 V impe um nmero mximo, com folga, de trs sensores
em srie.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

103

Os sensores de tenso e de corrente so definidos com base na exatido pretendida para a


medio. Para que a tenso no resistor pudesse ser mensurada, prefere-se o uso de divisores de
tenso com resistores de 1 % de tolerncia. Para a leitura de corrente no resistor, especifica-se
o sensor de efeito Hall LA 55-P (LEM), com erros inferiores a 1 %. As leituras dos sinais
destes sensores com o conversor A/D em uso podem ser calibradas com o wattmetro Yogokawa
WT1800, que para tenses e correntes c.c. retorna erros de 0, 05 % da leitura, somados a uma
parcela de 0, 1 % da faixa de operao.
O circuito de condicionamento foi dimensionado para que mapeie as tenses associadas
a temperaturas de 15 C a 100 C (8, 64 V e 11, 19 V ) para tenses no intervalo de 0 V a
3, 0 V , legveis para os conversores A/D em uso. Do mesmo modo, os valores de tenso e de
corrente medidos no resistor tambm devem ser convertidos para esta faixa. Para tanto, vale-se
da ferramenta desenvolvida para o dimensionamento destes circuitos, apresentada no Apndice
B. Esta ferramenta calcula os resistores para cada tipo de circuito selecionado pelo usurio, a
partir das faixas de excurso da tenso de entrada e de sada. Associaes em srie e paralelo so
tambm sugeridas para que os resistores calculados sejam compostos.
4.2.2.3

Seleo do microcontrolador e da interface com o usurio

Como o controle da temperatura opera sobre uma planta inerentemente lenta, o microcontrolador que o implementa no necessariamente deve prover frequncias de amostragens
elevadas. Sendo assim, opta-se pelo microcontrolador Atmel ATmega 2560/V, disponvel na
plataforma Arduino Mega 2560, com frequncia de clock da CPU de 16 M Hz, 16 canais de
converso A/D de resoluo de 10 bits e 12 portas PWM de 16 bits. Este processador pode ser
programado diretamente pelo software MATLAB, que oferece suporte a funes de aquisio de
dados, de ajuste do modulador PWM, de leitura/escrita de portas digitais e entre outros. Com os
dados acessveis ao MATLAB, funes de gravao em arquivo, de processamento de sinais,
de interface grfica com o usurio e de exibio de grficos so facilmente implementadas com
recursos nativos do prprio MATLAB. Como o ensaio depende do acompanhamento da dinmica
de aquecimento e a condio de parada ocorre quando da equivalncia entre as temperaturas em
CR e CM, torna-se imperativa a apresentao de um grfico com as temperaturas instantneas.
Assim, o usurio pode, por exemplo, avaliar a dinmica imposta pelo controlador projetado sem
que seja necessrio completar o teste que pode perdurar por at 4h. As funes nativas do
MATLAB permitem, com facilidade, a apresentao deste grfico.
Cabe salientar que outros microcontroladores, como o DSP TMS320F28027 Piccolo e o
Atmel SAM3X8E ARM Cortex-M3 CPU (disponvel na plataforma Arduino Due), tambm foram
testados para esta aplicao. Estas outras opes, todavia, no ofereciam suporte para funes do
MATLAB e a implementao de ferramentas de interface e de gravao em arquivo se mostrava
mais complexa. Por ora, o Atmel ATmega 2560/V foi, portanto, adotado.
H, todavia, limitaes no modelo do microcontrolador selecionado, como por exemplo, a

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

104

impossibilidade de se impor qualquer frequncia de portadora na modulao PWM. Em face dos


valores de frequncia disponveis, ora extremamente elevados, ora baixos, prefere-se o valor de
7, 8 kHz. Como o filtro de sada do conversor buck em uso compe-se de um indutor de 560 H
e de um capacitor de 470 F , a frequncia de corte vale cerca de 300 Hz e as componentes
espectrais quela frequncia de chaveamento j so suficientemente atenuadas. Assim, aquela
limitao no constitui um entrave para o uso do microcontrolador Atmel ATmega 2560/V. A
Figura 4.21 apresenta a tela de interface implementada. Diretamente nesta tela, o usurio pode
ajustar os parmetros do controlador de temperatura. Os grficos com os valores instantneos das
temperaturas em CR e CM e da tenso, corrente e potncia no resistor tambm constam na tela
de interface, bem como os valores numricos destas grandezas, em displays. Esta ferramenta,
a partir de comandos em MATLAB, recebe dados dos conversores A/D do microcontrolador e
define, mediante a ao de controle pretendida, a tenso de referncia do PWM (com portadora
do tipo dente-de-serra). Para fins de filtragem dos dados, uma mdia mvel a cada n amostras
(fixada pelo usurio a cada execuo) implementada pelo controlador. Nos ensaios conduzidos
com resistores em CR e CM, o valor de n foi atribudo a 5 e a frequncia de amostragem, a 1 Hz.
Figura 4.21 Tela de interface grfica com o usurio implementada para execuo dos ensaios no calormetro.

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.2.2.4

Calibrao dos sensores de temperatura por comparao

Para fins de calibrao dos sensores por comparao, opta-se por dispor os dois conjuntos
de sensores LM335 na mesma caixa, lado a lado, e, assim, medir o perfil de temperaturas durante
um ensaio de aquecimento. Se os sensores originalmente da caixa CR forem arbitrados como
referncia de calibrao, a leitura do conjunto de sensores da caixa CM (y) deve ser ajustada
para a temperatura mdia daquele conjunto de sensores (x). Os resultados da comparao entre
os dois conjuntos so apresentados na Figura 4.22. A reta y = ax + b que minimiza o erro
quadrtico mdio entre esta funo e as amostras ajustada, segundo a metodologia sugerida

105

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

por Braga (2012). Assim, a leitura da temperatura mdia no conjunto de sensores de CM (y)
corrigida a partir da equao (4.18) e a incerteza associada estimada com base no desvio
padro entre o valor corrigido e a temperatura de referncia (DOEBELIN, 1990), calculado
por (4.19):
yb
x=
,
(4.18)
a
v
u
2
N 
u1 X
y(k) b
t
x(k) ,
=
N k=1
a

(4.19)

em que N constitui o nmero de leituras comparadas. Segundo Doebelin (1990), assumindo uma
distribuio Gaussiana perfeita em torno da reta ajustada, a incerteza u do valor corrigido pode
ser aproximada por 3.

Leitura dos sensores de CM [C]

Figura 4.22 Resultados da calibrao por comparao das leituras de temperatura mdia dos dois conjuntos de
sensores LM335, originalmente nas caixas CR e CM.

70
60
50
40
y = x - 1,3
30
20
30
40
50
60
70
Leitura dos sensores de CR [C]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Assim, como resultado deste ensaio de calibrao, vem:


x = (y + 1.3 u) C,

(4.20)

u 3 0, 3 C,

(4.21)

O ensaio de aquecimento ento replicado, considerando a correo na leitura do conjunto de


sensores de CM indicada nesta calibrao implementada no cdigo do microcontrolador. O
desvio entre as leituras finais dos dois conjuntos de sensores no supera, de fato, a incerteza
absoluta de 0, 3 C. Supe-se, neste trabalho, que esta incerteza no leva a erros maiores do
que 5 % na leitura das perdas sobre o conversor, na faixa de perdas em anlise3 . Sendo assim,
os sensores especificados de fato servem esta aplicao. Esta hiptese atestada nos ensaios
experimentais do captulo 5.
3

Para que o erro mximo na medio de perdas fosse estimado, a potncia associada elevao de 0, 3 C na
temperatura interna das caixas avaliada. Como esta potncia no excede 1, 0 W , o erro pode ser menor do que
5 % se as perdas forem superiores a 20 W .

106

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

4.2.2.5

Projeto do controlador de temperatura

No prottipo desenvolvido, o objetivo do controlador de temperatura deve ser, grosso


modo, o de reproduzir a dinmica de aquecimento de CR em CM. Para que os ganhos dos
controladores sejam estimados, portanto, este perfil de aquecimento deve ser levantado experimentalmente. A evoluo da elevao de temperatura (i.e., da diferena entre a temperatura
interna de CR e a ambiente), em resposta a um degrau de 75 W , obtida via medies, consta na
Figura 4.23. Para que um modelo de uma funo de primeira ordem seja derivado, procede-se
a um ajuste (fitting) nesta resposta por uma funo do tipo f (t) = T (1 et/ ). A funo
ajustada tambm representada na Figura 4.23. Com base neste fitting, a constante de tempo ( ),
bem como o ganho da funo de transferncia do sistema (T ), podem ser calculados. Assim,
vem, se HCR consiste na funo de transferncia que modela o aquecimento em CR (incluindo a
dinmica do prprio sensor):
HCR =

T
57

.
s + 1
1594s + 1

(4.22)

Figura 4.23 Variao da temperatura em CR em resposta ao degrau de potncia, obtida experimentalmente e


ajuste pela funo f (t) = 57(1 et/1594 ).

Temperatura [C]

60

40
Sistema real
Fitting

20

0
0

50
100
Tempo [min]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Se o controlador de temperatura reproduzir esta dinmica em CM, haver, em decorrncia,


um rastreamento da temperatura de CR, inclusive em regime transitrio. Para tanto, como sugere
Itoh e Nigorikawa (2012), os ganhos devem ser projetados para que a constante de tempo do
controlador PI, em malha fechada, se aproxime de = 1594 s. Este critrio orienta a sintonia
inicial dos ganhos proporcional (kp ) e integral (ki ), que devem atender relao aproximada:
(1 + kp )/ki 1594 s.

(4.23)

Os ganhos kp = 10 e ki = 0, 007 so ento testados no prottipo. Nesta condio, todavia, a


dinmica em CM mais lenta do que em CR. Como a anlise anterior se baseia em simplificaes
do modelo do sistema em malha fechada, j se previa a necessidade de reajustes experimentais.
Com o ganho kp fixo, o ganho ki elevado e a resposta no sistema real avaliada. O controle s
no deve levar a sobre-elevaes na resposta, j que o nico recurso para resfriamento o de
reduo da tenso de alimentao do resistor. Para ki = 0, 1, a resposta em CM segue o perfil

107

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

de aquecimento em CR a menos de um intervalo que corresponde a uma constante de tempo


, aproximadamente e no h sobre-elevaes. Estas dinmicas so apresentadas na Figura
4.24. Assim, os ganhos do controlador de temperatura so atribudos queles valores, repetidos a
seguir:
kp = 10,

ki = 0, 1.

(4.24)

Figura 4.24 Dinmicas de aquecimento na condio em que os ganhos do controlador PI so atribudos a


kp = 10 e ki = 0, 1.

Temperatura [C]

80

(31 min, 62C)

60

(21 min, 54C)

40

Temperatura em CR
Temperatura em CM

20
0

50
100
Tempo [min]

135

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.2.2.6

Calibrao de potncia

Por fim, calibram-se as leituras de potncia do prottipo e do wattmetro Yokogawa


WT 1800, suposto, aqui, como um padro exato (i.e., sem erros). Para tanto, estas leituras so
comparadas e, como na seo 4.2.2.4, uma reta de calibrao ajustada entre as amostras.
Novamente, o desvio padro e, assim, a incerteza (arbitrada em 3), so estimados com base
na equao (4.19). A partir dos coeficientes da reta de calibrao, se aplica a correo indicada
na equao (4.18) sobre as leituras do prottipo. O resultado desta calibrao segue na Figura
4.25. Neste ensaio, o wattmetro e os circuitos projetados no prottipo para a leitura de potncia
(com divisores de tenso e com um sensor de efeito Hall) medem a potncia dissipada por um
resistor, alimentado em tenso contnua e regulada. Cada uma das leituras resultam da mdia de
cinco leituras parciais. Como resultado desta calibrao, tem-se, se x e y denotam as leituras do
wattmetro e do prottipo, nesta ordem:


y 0, 04
x=
u W,
(4.25)
1, 24
u 3 0, 7 W.
(4.26)
O erro de ganho na leitura do prottipo se atribui, sobretudo, inexatido do valor da
resistncia de medio da sada do sensor de efeito Hall, com tolerncia de 10 %. A correo de
ganho e de offset nesta leitura, apontada neste ensaio de calibrao, tambm implementada no
cdigo do microcontrolador em uso.

Captulo 4. Clculo e medio de perdas em conversores

108

Leitura do prottipo [W]

Figura 4.25 Resultado da calibrao em potncia do prottipo.

50
40
30
20
y = 1,24 x + 0,04

10
0
0

10
20
30
40
Leitura do wattmetro WT1800 [W]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

4.3

Concluses do captulo

Neste captulo foram detalhadas as ferramentas implementadas para o clculo de perdas


globais na UPS de dupla converso e os prottipos desenvolvidos para a medio destas perdas.
Estas ferramentas estimam as perdas nos semicondutores, via mtodos offline e online e
a potncia dissipada nos indutores de filtro. O mtodo offline reproduz o pior caso de operao
dos dispositivos semicondutores e assume, nos clculos de perdas, que a temperatura de juno
equivale mxima admissvel. J o mtodo online avalia as perdas no componente para a
temperatura de juno retornada pelo modelo trmico equivalente. Sendo assim, enquanto a
abordagem offline pode subsidiar as rotinas de projeto de conversores, a online indicada para
as anlises ps-projeto.
J as montagens experimentais visam medio de perdas em conversores via wattmetro
digital e via calormetro indireto srie. Os detalhes dos prottipos foram detalhados neste captulo.
Os resultados experimentais destas montagens, bem como os resultados tericos deste trabalho,
so apresentados no captulo a seguir.

109

5 RESULTADOS
Neste captulo, discutem-se os resultados desta pesquisa. Inicialmente, na seo 5.1,
os resultados da comparao do desempenho terico das topologias trifsicas em estudo (dois
nveis, NPC1 e NPC2) so apresentados para projetos de UPS de dupla converso com vrias
especificaes de tenso do barramento c.c., frequncia de chaveamento e potncia nominal. A
viabilidade dos dispositivos de SiC em UPSs de dupla converso avaliada na sequncia. Os
resultados da comparao entre as estimativas dos mtodos online e offline encerram as anlises
tericas deste trabalho. Por fim, na seo 5.2, os resultados experimentais preliminares dos
ensaios de medies de perdas via wattmetro e via prottipo de calormetro indireto srie so
reportados.

5.1

Resultados de simulao

Nesta seo, constam as estimativas de potncia dissipada nos estgios inversor e retificador das UPSs de dupla converso, bem como nos filtros LC e LCL. Estas estimativas
resultam de simulaes temporais dos conversores no software MATLAB/Simulink. O controle
do retificador e do inversor, nestas simulaes, implementa os diagramas j documentados na
seo 3.2.1 e 3.2.2. As perdas nos semicondutores e nos indutores de filtro so calculadas a
partir das ferramentas tambm desenvolvidas naquele software, descritas na seo 4.1.1.2. O
rendimento total da UPS ento estimado, com base na hiptese de que estas perdas dominam
nas UPSs, como j foi discutido na seo 2.2.

5.1.1

Comparao das perdas no estgio retificador

Inicialmente, comparam-se as perdas dos mdulos enumerados na Tabela 3.1 no estgio


retificador (inicialmente, sem o filtro LCL). A metodologia offline adotada para que as perdas
sejam estimadas, como se sugere nas abordagens de projeto. Com base nesta metodologia e na
ferramenta j descrita na seo 4.1.1.2, avalia-se a potncia dissipada naquele estgio para todos
os projetos de UPS de dupla converso em anlise neste trabalho, com especificaes detalhadas
na Tabela 3.2.
Para fins de simplificao do texto, so apresentados nesta subseo apenas os resultados
de perdas no retificador de UPSs: (i) com potncia nominal de 10 kW , (ii) com frequncia de
chaveamento de 3, 84 kHz e (iii) com tenso de barramento de 550 V . Assume-se a operao
da UPS em carga nominal, em todos estes casos, com fator de potncia unitrio na entrada. As
estimativas de perdas supem ainda a comutao dos transistores com os valores de resistores
de gate Rg(on) e Rg(of f ) indicados nos ensaios dos fabricantes. As resistncias srie parasitas,

110

Captulo 5. Resultados

denotadas em catlogo por Rcc0 ee0 no caso de IGBTs, so includas no clculo de perdas ou
atribudas a zero, quando no informadas1 .
As perdas totais nos dispositivos semicondutores, para as UPSs com potncia nominal
de 10 kW em topologias de dois e de trs nveis, para as tenses de barramento c.c. VDC e
frequncias de chaveamento fsw da Tabela 3.2, constam nos grficos da Figura 5.1.
Figura 5.1 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso do barramento VDC e
da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com potncia nominal Pout de 10 kW .
retificador, Pout = 10 kW
1200

1500

1000

2 nveis - Si
800

P semic [W]

1000
2 nveis - SiC

600

500
400

800
700
600

0
5

10

15

20

25

30

35

fsw [kHz]

200

V DC [V]

(a) Retificador em topologia 2n, com mdulos base de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
retificador, Pout = 10 kW
700

P semic [W]

800

NPC2 - Si

600

600

500

400

400

NPC1 - Si
200
5

10

15

300

800
700
600
20

25

fsw [kHz]

30

35

200

V DC [V]

(b) Retificador em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos


F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se infere destes grficos, o retificador de dois nveis (2n) de SiC exibe as menores
perdas dentre os mdulos em estudo potncia de 10 kW , para qualquer combinao (fsw ,
VDC ). Para a tenso VDC em 850 V , as perdas no retificador 2n base de SiC, frequncia de
1

No caso em que o fabricante no informa o valor de Rcc0 ee0 , supe-se que esta resistncia j includa na
caracterstica I x V dos dispositivos, como prtica, por exemplo, do fabricante Semikron (WINTRICH et al.,
2015).

Captulo 5. Resultados

111

chaveamento de 30, 72 kHz, se tornam apenas 18 % maiores do que naquele de mesma topologia
com componentes de Si frequncia oito vezes menor (3, 84 kHz). Se para retificadores de
10 kW quela tenso VDC e frequncia de 30, 72 kHz as perdas nos semicondutores de SiC
forem normalizadas em 1 p.u., as perdas nos retificadores de dois nveis, NPC1 e NPC2 base
de Si valem 5 p.u., 2, 4 p.u. e 3 p.u., nesta ordem. A reduo das perdas nos mdulos de SiC
se atribui, em especial, s menores perdas de chaveamento nestes dispositivos. De fato, os
diodos de SiC no dissipam, para efeitos prticos, energia no processo de recuperao reversa.
Como resultado, a energia Eon despendida no processo de turn-on dos transistores menor
at 10 vezes menor, como no caso da comparao entre os valores de Eon dos mdulos
CCS050M12CM2 e FF75R12RT4. A energia de turn-off Eof f dos transistores de SiC tambm
menor novamente cerca de 10 vezes menor, como se depreende da comparao entre os valores
nominais daqueles dois mdulos. As perdas de conduo, para este cenrio em particular, so da
mesma ordem nos retificadores de Si ou de SiC.
provvel, entretanto, que o mdulo de SiC esteja sobredimensionado para os conversores em estudo. Segundo os estudos do fabricante CREE (DAS, 2013), o mdulo de SiC pode
substituir at um mdulo de Si com corrente nominal trs vezes maior. Todavia, o modelo com
corrente inferior da famlia de mdulos de SiC (CCS020M12CM2) leva violao do limite
trmico na juno para a UPS com o pior cenrio (com fsw , VDC e Pout mximas). Por outro
lado, o aumento da potncia nominal dos projetos de UPS propostos tambm incide naquela
violao para os mdulos base de silcio. Ademais, a opo por outros mdulos de Si com
correntes superiores torna complexa a padronizao das especificaes dos componentes nas
vrias topologias (2n, NPC1, NPC2). Sendo assim, em virtude destas dificuldades, opta-se por
prosseguir as anlises com o mdulo CCS050M12CM2.
Dentre as topologias trs nveis (3n), as perdas do arranjo NPC2 superam as do NPC1
em todos os projetos de UPS de 10 kW , com exceo daqueles com valores de fsw e VDC
menores, em que h uma inverso neste padro. Para que esta inverso seja explicitada, os
grficos da Figura 5.2 indicam apenas as UPSs de 10 kW com VDC de 550 V e de 850 V . Nestes
grficos, a energia Edissip dissipada nos semicondutores contraposta ainda com a energia Ef iltro
armazenada no filtro LCL de entrada da UPS. Como a energia armazenada no filtro uma figura
de mrito do volume e dos custos dos indutores e dos capacitores, uma meta no projeto de UPSs
pode ser a de minimizar a soma de Ef iltro e Edissip . De fato, o aumento de Edissip no s incide
na reduo de rendimento do conversor, como tambm eleva os custos e a complexidade do
sistema de refrigerao (dissipador e ventilador). Sendo assim, a frequncia de chaveamento
tima, sob este critrio, fica definida pela interseo entre as curvas de Edissip e Ef iltro , para
cada topologia2 .
2

As funes que definem a dependncia de Edissip e Ef iltro em relao frequncia de chaveamento x so


do tipo f1 (x) = ax e f2 (x) = b/x, nesta ordem. Sendo assim,po mnimo de f3 (x) = f1 (x) + f2 (x) ocorre
na abscissa que anula a derivada primeira de f3 (x), i.e., x = (b/a). Como esta a abscissa do ponto de
interseo entre as curvas, a frequncia de chaveamento tima recai, de fato, sobre este ponto.

112

Captulo 5. Resultados

Figura 5.2 Energia dissipada nos semicondutores do retificador trifsico e armazenada no filtro LCL de entrada
em funo da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs de potncia nominal Pout de 10 kW em
topologias de dois nveis (2n) e de trs nveis (3n).
retificador, V
14

2n - Si
2n - SiC

12

Efiltro LCL (2n)

DC

= 550 V e P = 10 kW
out
16
14

10
8
6

10
8
6

NPC1 - Si
NPC2 - Si
Efiltro LCL (3n)

12

Energia [J]

Energia [J]

16

0
10

20

30

10

fsw [kHz]

20

30

fsw [kHz]

(a) VDC = 550 V , Pout = 10 kW .


retificador, V
25

2n - Si
2n - SiC

= 850 V e P = 10 kW
out
25

NPC1 - Si
NPC2 - Si

20

Efiltro LCL (2n)

Energia [J]

Energia [J]

20

DC

15
10

Efiltro LCL (3n)

15
10
5

0
10

20

30

fsw [kHz]

10

20

30

fsw [kHz]

(b) VDC = 850 V , Pout = 10 kW .


Nota: Retificador 2n com mdulos de silcio (FF75R12RT4) e de
carbeto de silcio (CCS050M12CM2) e em arranjo NPC1 e NPC2,
com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Nos grficos da Figura 5.2, nota-se que aquela inverso de desempenho entre as topologias NPC1 e NPC2 ocorre para VDC de 550 V , na frequncia de chaveamento aproximada
em 10 kHz. Para UPSs com esta tenso de barramento c.c., portanto, o retificador em arranjo
NPC2 se torna mais vivel apenas para conversores com valores de fsw menores do que 10 kHz.
Para a tenso VDC de 850 V , todavia, o retificador em NPC2 menos vivel para toda a faixa de
frequncias avaliada. Disso decorre a hiptese de que a topologia NPC2 s supera o desempenho
da NPC1 para os cenrios em que as perdas de conduo so relevantes, comparativamente s de
chaveamento.
Quanto aos valores de energia nos filtros, nota-se na Figura 5.2 que apesar da reduo do

Captulo 5. Resultados

113

ripple de tenso nas topologias 3n, as energias nos filtros podem ser comparveis nos arranjos
2n e 3n. Isso se deve aos critrios de dimensionamento dos filtros adotados neste trabalho, que
impem indutncias totais equivalentes nestes dois arranjos para que a especificao de rigidez
dinmica mnima seja atendida. Ademais, o capacitor do filtro, independentemente da topologia,
fixado numa frao fixa da capacitncia base do sistema, para fins de reduo da indutncia
total. Estes critrios, portanto, justificam os resultados obtidos para as energias armazenadas nos
filtros LCL dos conversores 2n e 3n.
Ainda com base nos grficos da Figura 5.2, infere-se que enquanto a frequncia de
chaveamento tima quanto ao critrio de minimizao da soma de Edissip e Ef iltro da
ordem de 10 kHz nos retificadores base de Si, no conversor de SiC esta frequncia atinge cerca
de 25 kHz. Como a operao esta frequncia mitiga o rudo audvel, o uso de dispositivos de
SiC tambm introduz, pois, este ganho.
Na sequncia, comparam-se, nos grficos da Figura 5.3, as perdas nos semicondutores
para as UPSs com VDC de 550 V . Novamente, os resultados para as topologias 2n e 3n so
apresentados. Esta nova comparao pretende avaliar em que faixa de operao a topologia
NPC2 supera a NPC1 e as topologias 3n se mostram mais viveis do que as 2n.
Tambm para as UPSs com VDC de 550 V , analisadas na Figura 5.3, o desempenho dos
mdulos de SiC suplanta o de todos os outros mdulos, em toda a faixa de valores de fsw e
de potncias nominais Pout . Apenas para Pout e fsw menores o uso do mdulo de SiC no se
justifica, por prover ganhos menores em rendimento. Para potncias de 2, 5 kW , frequncia
de chaveamento de 3, 84 kHz e VDC em 550 V , a normalizao das perdas do mdulo de SiC
em 1 pu leva, proporcionalmente, perdas de 2, 3 p.u., 2, 4 p.u. e 2, 6 p.u. nos mdulos base de
silcio em arranjo 2n, NPC1 e NPC2, respectivamente. Ademais, para esta tenso de barramento
c.c. e esta frequncia de chaveamento, as perdas nas topologias 2n so menores do que nas 3n,
em toda a faixa de potncias nominais Pout . Sendo assim, tambm se infere deste resultado que
as topologias 3n s introduzem ganhos em aplicaes em que as perdas de chaveamento sejam
mais relevantes.

114

Captulo 5. Resultados

Figura 5.3 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia nominal Pout e da
frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com tenso no barramento c.c. VDC de 550 V .
retificador, VDC = 550 V

800
700

2 nveis - Si

P semic [W]

1000

600
500

2 nveis - SiC

500

400
300

10

100

10

20

fsw [kHz]

30

200

P out [kW]

(a) Retificador em topologia 2n, com mdulos base de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
retificador, VDC = 550 V
600

500

NPC2 - Si

P semic [W]

400

300

400

200

200

NPC1 - Si

0
10

20

30

10

100

P out [kW]
fsw [kHz]
(b) Retificador em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos
F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como no caso da comparao entre UPSs de mesma potncia nominal, a inspeo


das perdas em UPSs de mesma tenso VDC , indicadas na Figura 5.3, tambm revela uma
inverso de desempenho entre as topologias NPC1 e NPC2. Para que as condies que penalizam
estas topologias sejam avaliadas, os grficos da Figura 5.4 apresentam apenas as perdas nos
semicondutores das UPSs de VDC de 550 V com frequncias de chaveamento de 3, 84 kHz e
30, 72 kHz.

115

Captulo 5. Resultados

Figura 5.4 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia de sada Pout , para
as UPSs com tenso no barramento c.c. VDC de 550 V .
retificador, f

150

2n - Si
2n - SiC

sw

= 3,84 kHz e V = 550 V


DC
200

P semic [W]

P semic [W]

200

100
50

150
100
50

NPC1 - Si
NPC2 - Si

0
5

10

P out [kW]

10

P out [kW]

(a) fsw = 3, 84 kHz, VDC = 550 V .

P semic [W]

800

retificador, f sw = 30,72 kHz e VDC = 550 V


1000
2n - Si
2n - SiC

NPC1 - Si
NPC2 - Si

800

P semic [W]

1000

600
400

600
400
200

200

0
5

P out [kW]

10

P out [kW]

10

(b) fsw = 30, 72 kHz, VDC = 550 V .


Nota: Retificador 2n com mdulos de silcio (FF75R12RT4) e de
carbeto de silcio (CCS050M12CM2) e em arranjo NPC1 e NPC2,
com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Para os retificadores com frequncia de chaveamento de 3, 84 kHz, com perdas totais


dadas na Figura 5.4(a), a topologia NPC2 exibe perdas menores do que a NPC1 apenas para
potncias maiores do que 4, 5 kW . Para as UPSs com fsw de 30, 72 kHz, todavia, o arranjo
NPC2 leva a perdas 14 % maiores, como indica a Figura 5.4(b). Estes resultados, portanto,
atestam a hiptese de que o desempenho das topologias NPC1 e NPC2 depende da proporo
entre as perdas de chaveamento e de conduo do conversor. Os grficos da Figura 5.4 tambm
evidenciam que esta proporo define ainda as faixas em que as topologias de Si 3n dissipam
potncias menores do que as de 2n, tambm de Si.
Por fim, a comparao entre projetos de UPS frequncia de chaveamento de 3, 84 kHz
tambm demonstra a validade destas hipteses. Prev-se que os retificadores das UPSs com
esta frequncia fsw exibam as menores perdas por comutao, dentre os projetos em anlise. Os
resultados das estimativas de perdas nos semicondutores para estas UPSs constam na Figura 5.5.

116

Captulo 5. Resultados

Figura 5.5 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia de sada Pout e da
tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
retificador, f sw = 3,84 kHz
200

250

2 nveis - Si

180
160

200

P semic [W]

140

150

120
100

100

80

50
0
2

60

2 nveis - SiC

P out [kW]

800
700
600
10

40
20

V DC [V]

(a) Retificador em topologia 2n, com mdulos base de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
retificador, f sw = 3,84 kHz
200

NPC1 - Si
250
NPC2 - Si
150

P semic [W]

200
150
100

100

50

1000
800

0
2

600
6

P out [kW]

10

50

V DC [V]

(b) Retificador em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos


F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se deduz dos resultados da Figura 5.5, a topologia NPC2 s incorre em perdas
menores do que a NPC1 quando a potncia nominal maior do que 4, 5 kW resultado j
indicado na Figura 5.4, para a tenso VDC em 550 V . Para os casos da Figura 5.5, as perdas
associadas aos retificadores 2n e 3n base de Si so comparveis.
Os grficos da Figura 5.6 particularizam a anlise das UPSs com frequncia de chaveamento de 3, 84 kHz para os casos com potncias mnima (2, 5 kW ) e mxima (10 kW ). Para
este primeiro grupo de UPSs, os mdulos 2n exibem menores perdas e a topologia NPC1 supera
o desempenho da NPC2, para qualquer tenso VDC . J naquele segundo grupo, em oposio,
as perdas da NPC1 suplantam as da NPC2 e o arranjo 2n de silcio s mais vivel do que os
3n para tenses VDC menores do que 750 V . O ganho em rendimento que o NCP2 prov, neste

117

Captulo 5. Resultados

segundo grupo, se torna menor medida que a tenso do barramento c.c. se eleva, como indica o
grfico da Figura 5.6(b).
Em suma, portanto, o desempenho dos mdulos de silcio em topologias 2n e NPC2
varia com o nvel de tenso VDC . Ora, como as perdas de conduo so quase invariveis com
esta tenso, conclui-se, mais uma vez, que o aumento percentual das perdas de chaveamento
tende a penalizar as topologias 2n e NPC2. Este aumento, por outro lado, privilegia a seleo
pelo mdulo de SiC e pelo arranjo NPC1. Ainda para as UPSs com tenses VDC de 550 V e
frequncias de chaveamento de 3, 84 kHz, entretanto, os mdulos de SiC dissipam potncias
inferiores.
Figura 5.6 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso do barramento VDC ,
para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.

60

60

50

50

40

2n - Si
2n - SiC

30
20

P semic [W]

P semic [W]

retificador, f sw = 3,84 kHz e Pout = 2,5 kW

40
30
20

10

NPC1 - Si
NPC2 - Si

10
600

700

800

600

V DC [V]

700

V DC [V]

800

(a) Pout = 2, 5 kW , fsw = 3, 84 kHz.

220

retificador, f sw = 3,84 kHz e Pout = 10 kW


220
200

180
160

2n - Si
2n - SiC

140
120

P semic [W]

P semic [W]

200

180
160

NPC1 - Si
NPC2 - Si

140
120

100

100
600

700

800

V DC [V]

600

700

V DC [V]

800

(b) Pout = 10 kW , fsw = 3, 84 kHz.


Nota: Retificador 2n com mdulos de silcio (FF75R12RT4) e de carbeto
de silcio (CCS050M12CM2) e em arranjo NPC1 e NPC2, com os mdulos
F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

O grfico da Figura 5.7 condensa os resultados da comparao entre os mdulos com

118

Captulo 5. Resultados

componentes de silcio em topologias de dois nveis, NPC1 e NPC2. Neste grfico, so indicadas
as topologias que levam a menores perdas no retificador de cada um dos oitenta projetos de
UPSs de dupla converso em estudo, representados como na Figura 3.5. Assim, como j se infere
das anlises anteriores, a topologia NPC1 s no suplanta as outras topologias em alguns dos
cenrios com as duas menores frequncias de chaveamento. O arranjo NPC2 domina apenas em
alguns projetos com estas frequncias e potncias nominais maiores ou iguais a 8, 125 kW . J o
2n se revela vivel fsw de 3, 84 kHz para a maioria dos casos com tenses VDC menores do
que 700 V e potncia nominal menor do que 8, 125 kW .
Figura 5.7 Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias com mdulos de silcio
com menores perdas no estgio retificador.
VDC [V]

Dois nveis
NPC1

850

NPC2

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: As topologias de dois nveis, NPC1 e NPC2 so representadas por marcadores com a conveno de cor da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Para avaliar os cenrios em que cada uma das topologias exibe o melhor desempenho,
constam, na Tabela 5.1, as perdas de conduo e de chaveamento totais no estgio retificador de
trs projetos de UPS. Em cada um deles, uma topologia distinta, destacada na tabela, exibe as
menores perdas.
Como atestam os dados da Tabela 5.1, as perdas de conduo so menores na topologia
2n, em virtude do menor nmero de chaves em srie. Pela mesma razo, as perdas de conduo no
arranjo NPC2 so inferiores s do NPC1. Como tambm j se previa, as perdas de chaveamento
so menores no NPC1, em que as chaves comutam de estado apenas com a metade da tenso do
barramento c.c. VDC e mximas na topologia 2n, em que estas bloqueiam a tenso VDC plena.
Mesmo nos cenrios em que a topologia NPC1 no suplanta as demais (cenrios 1 e 2),
o ganho que advm da seleo por outros arranjos atinge no mximo 10 %. Por outro lado, no
caso em que o NPC1 introduz as menores perdas (cenrio 3), as perdas nos mdulos 2n e NPC2
so 111 % e 25 % maiores, nesta ordem.
Ademais, os dados da Tabela 5.1 demonstram a hiptese de que o arranjo NPC1 exibe
o melhor desempenho apenas nos cenrios em que dominam as perdas de chaveamento. No
cenrio em que estas perdas se tornam maiores do que 70 % (cenrio 3), o rendimento do estgio

119

Captulo 5. Resultados

retificador em NPC1 supera o dos demais. Em outras palavras, nos casos em que as perdas de
conduo somam no mnimo 30 % das totais (cenrios 1 e 2), as topologias 2n e NPC2 se tornam
mais viveis. Entretanto, as propores que favorecem cada uma destas topologias, nos cenrios
em anlise, no devem ser assumidas como critrio de seleo em outras condies de operao.
Tabela 5.1 Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em trs cenrios, para o modo de
operao como retificador.

Cenrio 1 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 550 V , Pout = 2, 5 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

13, 8 W/33, 0 %
26, 1 W/60, 4 %
20, 6 W/43, 7 %

28, 2 W/67, 0 %
17, 0 W/39, 6 %
26, 5 W/56, 3 %

42, 0 W (1, 00 p.u.)


43, 1 W (1, 03 p.u.)
47, 1 W (1, 12 p.u.)

Cenrio 2 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

91, 1 W/41, 8 %
159, 1 W/75, 6 %
132, 9 W/63, 5 %

126, 7 W/58, 2 %
51, 2 W/24, 4 %
76, 3 W/36, 5 %

217, 8 W (1, 04 p.u.)


210, 3 W (1, 01 p.u.)
209, 2 W (1, 00 p.u.)

Cenrio 3 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

110, 3 W/8, 7 %
163, 7 W/27, 1 %
135, 8 W/18, 0 %

1168, 5 W/91, 3 %
441, 5 W/72, 9 %
618, 3 W/82, 0 %

1278, 8 W (2, 11 p.u.)


605, 2 W (1, 00 p.u.)
754, 1 W (1, 25 p.u.)

Nota: As perdas na topologia com melhor desempenho, destacadas em verde, so normalizadas em 1 p.u..

Para quantificar o ganho associado topologia NPC1 em todos os cenrios, as Figuras


5.8 e 5.9 indicam a diferena entre as perdas neste mdulo e naqueles em arranjo 2n e NPC2,
tambm base de silcio. Assim, se a opo pelo NPC1 levar a uma reduo (aumento) das
perdas, aquela diferena representada com sinal negativo (positivo). Por exemplo, se a potncia
dissipada no mdulo 2n de silcio vale 1, 0 p.u. e a do NPC1, 0, 8 p.u., o grfico da Figura 5.8
indica, para esta condio, a diferena de 20 %. O mesmo se aplica comparao entre o NPC1
e o NPC2, dada na Figura 5.9.
Os resultados da Figura 5.8 demonstram que a reduo na potncia dissipada no estgio
retificador, introduzida pela substituio da topologia 2n pela NPC1, maior do que 20 % na
maior parte dos casos. Esta reduo pode atingir at 70 %, em alguns dos projetos com frequncia
de chaveamento de 30, 72 kHz e potncias nominais de 8, 125 kW e 10 kW .
Por outro lado, a reduo das perdas que decorre da substituio do arranjo NPC2 pelo
NPC1 maior do que 15 % na maior parte dos cenrios. Esta reduo de at 50 %, em alguns
dos casos com frequncias de chaveamento de 30, 72 kHz.

120

Captulo 5. Resultados

Figura 5.8 Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e 2n, com mdulos base de
silcio.
(PN P C1 P2n )
100 [%]
P2n
VDC [V]

-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%

850

-19 a 0%
1 a 20%

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual (PN P C1 P2n )/P2n representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Figura 5.9 Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e NPC2, com mdulos base
de silcio.
(PN P C1 PN P C2 )
100 [%]
PN P C2
VDC [V]

-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%

850

-19 a 0%
1 a 20%

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual (PN P C1 PN P C2 )/PN P C2


representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Os ganhos que resultam da seleo da topologia NPC1, todavia, podem ser menores
para outras especificaes de UPS. Portanto, as anlises aqui conduzidas devem ser repetidas
para cada especificao, j que no h regras fixas que definam a viabilidade de cada topologia.
A ferramenta implementada neste trabalho para o clculo de perdas, contudo, pode reduzir o
esforo do projetista nestas anlises.
A comparao entre o desempenho dos mdulos base de silcio e de carbeto de silcio,
aqui omitida, apresentada na seo 5.1.5.

Captulo 5. Resultados

5.1.2

121

Comparao das perdas no estgio inversor

Nesta seo, repetem-se as anlises da seo anterior para o estgio inversor da UPS de
dupla converso, sem o filtro LC. Assim, as perdas neste estgio para cada um dos mdulos
enumerados na Tabela 3.1 so comparadas, para cada projeto de UPS com especificaes dadas
na Tabela 3.2. As suposies quanto aos valores dos resistores de gate e das resistncias parasitas
dos mdulos, j discutidas na seo 5.1.1, so tambm presumidas aqui. A carga, com potncia
nominal, suposta resistiva pura (i.e., com fator de potncia unitrio)3 em todos os cenrios.
A comparao das potncias dissipadas no estgio inversor das UPSs de potncia nominal
Pout de 10 kW consta na Figura 5.10, para as topologias de dois nveis (2n), NPC1 e NPC2.
Como se infere dos resultados desta figura, as perdas no inversor 2n de carbeto de silcio so
inferiores s das outras variaes, para qualquer especificao de frequncia de chaveamento
fsw e tenso de barramento c.c. VDC . Para aquela potncia nominal, o aumento de oito vezes na
frequncia de chaveamento fsw no inversor 2n de SiC leva a perdas ainda 11 % menores do que
no inversor 2n de Si.
Deste modo, para a operao como inversor, se a potncia dissipada no inversor base
de SiC for normalizada em 1, 0 p.u. na condio em que fsw , VDC e Pout valem 30, 72 kHz,
850 V e 10 kW , as perdas nos inversores 2n, NPC1 e NPC2 com mdulos de silcio atingem
5, 6 p.u., 2, 3 p.u. e 4, 8 p.u., nesta ordem. Sendo assim, em comparao com os resultados para
o retificador em que aqueles valores eram de 5 p.u., 2, 4 p.u, e 3 p.u. respectivamente, nota-se
que o ganho introduzido pelo mdulo de SiC ainda maior no estgio inversor.
Cabe reiterar que provvel que o mdulo de SiC CCS050M12CM2 esteja sobredimensionado para os projetos de UPSs em anlise. As dificuldades que advm da especificao de
mdulos base de SiC com corrente nominal inferior ou ainda, do aumento da potncia destes
projetos de UPSs (aliada substituio dos mdulos de Si por outros com capacidade de corrente
maior), j foram relatadas na seo anterior. Em razo destas dificuldades, opta-se por conduzir
as anlises comparativas deste trabalho com o mdulo CCS050M12CM2, como j foi comentado
na seo anterior.
3

Cenrios com fatores de potncia atrasados e adiantados foram tambm simulados. As diferenas entre o
caso com carga resistiva e com cargas com potncia reativa de no mximo 60 % da aparente no excedem
15 %. Sendo assim, supe-se que a opo por fatores de potncia no-unitrios no altere substancialmente os
resultados da comparao de UPSs conduzida neste trabalho.

122

Captulo 5. Resultados

Figura 5.10 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da frequncia de chaveamento
fsw e da tenso de barramento VDC , para as UPSs com potncia de sada Pout de 10 kW .
inversor, Pout = 10 kW
1100
1000

1500
900

2 nveis - Si

P semic [W]

800

1000

700

2 nveis - SiC

600
500

500

400
300

800

0
700

10

fsw [kHz]

20

600

30

200

V DC [V]

(a) Inversor em topologia 2n, com mdulos base de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
inversor, Pout = 10 kW
900

1000
800

NPC2 - Si

P semic [W]

800

700

600

600

400

500
400

200
NPC1 - Si

800

300

700
10

20

fsw [kHz]

30

200

600

V DC [V]

(b) Inversor em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos


F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Na Figura 5.11, particulariza-se a comparao da Figura 5.10 para os projetos de UPSs


com tenses VDC de 550 V e 850 V . Para estes casos, a energia dissipada nos semicondutores
Edissip contraposta, como na seo anterior, com a energia armazenada Ef iltro nos componentes passivos do filtro LC de sada do inversor. A frequncia de chaveamento que otimiza o
compromisso entre o volume/custo dos elementos do filtro e o rendimento do conversor recai,
grosso modo, no ponto de interseo entre as curvas de Edissip e Ef iltro . Esta hiptese j foi
justificada na seo anterior.

123

Captulo 5. Resultados

Figura 5.11 Energia dissipada nos semicondutores do inversor trifsico e armazenada no filtro LC de sada em
funo da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com potncia nominal de 10 kW .
inversor, VDC = 550 V e P out = 10 kW
20

20

2n - Si
2n - SiC

Efiltro LC (2n)

Efiltro LC (3n)

15

Energia [J]

15

Energia [J]

NPC1 - Si
NPC2 - Si

10

10
5

0
10

20

10

30

fsw [kHz]

20

30

fsw [kHz]

(a) VDC = 550 V , Pout = 10 kW .


inversor, V

DC

2 nveis - Si
2 nveis - SiC

= 850 V e P = 10 kW
out
30

NPC1 - Si
NPC2 - Si

Efiltro LC (2n)

20

Energia [J]

Energia [J]

30

10

0
10

20

fsw [kHz]

30

Efiltro LC (3n)

20

10

0
10

20

fsw [kHz]

30

(b) VDC = 850 V , Pout = 10 kW .


Nota: Inversor 2n com mdulos de silcio (FF75R12RT4) e de carbeto
de silcio (CCS050M12CM2) e em arranjo NPC1 e NPC2, com os
mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se infere da Figura 5.11, enquanto esta frequncia tima de cerca de 10 kHz
para as topologias de silcio 2n e NPC2, para a NPC1 e para a 2n base de SiC estas frequncias
atingem cerca de 13 kHz e 25 kHz, nesta ordem. Mais uma vez, portanto, a opo pelo mdulo
de SiC pode permitir a operao a uma frequncia de chaveamento que otimiza o compromisso
entre volume do filtro e rendimento do conversor e ainda atenua substancialmente o rudo audvel.
Cabe ainda uma comparao entre as energias armazenadas nos filtros LC das topologias
2n e 3n. Na fase de dimensionamento do filtro LC, abordada na seo 3.3.2, impem-se restries
na frequncia de corte e, assim, no produto LC. Deste modo, as topologias 3n tendem a definir
especificaes de indutncias L duas vezes menores e capacitncias C duas vezes maiores do
que no arranjo 2n. Como resultado, as energias armazenadas no capacitor EC e no indutor EL
seguem aquelas propores, aproximadamente. Sendo assim, as topologias 3n levam a energias
Ef iltro menores nos cenrios em que o critrio de ripple de corrente determina um valor de

124

Captulo 5. Resultados

EL muito superior EC . A Tabela 5.2 compara estas energias, obtidas via simulao, para trs
cenrios. As propores de cada parcela de energia no valor total tambm so indicadas nesta
tabela.
Tabela 5.2 Comparao das topologias de dois nveis e de trs nveis quanto energia armazenada no filtro.

Cenrio 1 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


Topologia

Energia no indutor

Energia no
capacitor

Energia total no
filtro

2 nveis
3 nveis

14, 0 J/74, 0 %
7, 8 J/45, 3 %

4, 9 J/26 %
9, 4 J/54, 7 %

18, 9 J (1, 0 p.u.)


17, 2 J (0, 9 p.u.)

Cenrio 2 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Topologia

Energia no indutor

Energia no
capacitor

Energia total no
filtro

2 nveis
3 nveis

23, 3 J/87, 4 %
11, 8 J/65, 2 %

3, 4J/12, 6 %
6, 3 J/34, 8 %

26, 7 J (1, 0 p.u.)


18, 1 J (0, 7 p.u.)

Cenrio 3 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Topologia

Energia no indutor

Energia no
capacitor

Energia total no
filtro

2 nveis
3 nveis

2, 5 J/87, 0 %
1, 3 J/64, 2 %

0, 4J/13, 0 %
0, 7 J/35, 8 %

2, 9 J (1, 0 p.u.)
2, 0 J (0, 7 p.u.)

Nota: A energia armazenada no filtro na topologia 2n normalizada em 1 p.u. e as energias


no capacitor e no indutor so tambm informadas em valores percentuais da energia total do
filtro.

No primeiro cenrio da Tabela 5.2, com o projeto de UPS com potncia de 10 kW e com
tenso VDC e frequncia fsw mnimas (550 V e 3, 84 kHz), a energia total do filtro calculada para
as topologias 3n apenas 10 % menor do que nas 2n. Com o aumento da tenso do barramento
c.c. para o valor mximo (de 850 V ), aquela diferena de energias passa a ser de 30 % (cenrio
2). Se a frequncia de chaveamento for elevada para 30, 72 kHz, neste ltimo cenrio, esta
diferena se mantm em 30 % (cenrio 3). Assim, de modo geral, o aumento da frao de energia
armazenada no indutor tende a favorecer a topologia 3n, sob este critrio.
A Figura 5.12 ilustra as faixas em que situam estas diferenas de energia armazenada
nos filtros das topologias 2n (E2n ) e 3n (E3n ), para cada projeto de UPS em estudo. Nesta
figura, nota-se que a energia do filtro E3n at 35 % menor do que E2n , para as UPSs analisadas.
Apenas para os projetos com tenso menor ou igual a 650 V esta diferena menor do que 20 %.
De qualquer modo, como uma deciso de projeto pode ser a de minimizar a indutncia
do filtro para fins de reduo do custo, as topologias 3n podem ser preferidas em relao s 2n,
mesmo no caso em que as energias totais do filtro sejam da mesma ordem. Em todos os projetos,
a energia no indutor dos filtros das topologias 2n reduzida em 50 %, em comparao com as
2n, como tambm se nota por inspeo dos dados da Tabela 5.2.

125

Captulo 5. Resultados

Figura 5.12 Comparao entre as energias armazenadas nos filtros das topologias de dois nveis (E2n ) e trs
nveis (E3n ).
E3n E2n
E2n

DC

100[%]
-35 a -30%
-29 a -20%

[V]

-19 a -10%
-9 a 0%

850

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual (E3n E2n )/E2n representada


segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Novamente, prev-se que o desempenho quanto ao rendimento de cada um dos mdulos


em estudo dependa da proporo entre as perdas de conduo e de chaveamento. Como esta
proporo varia em cada um dos modos de operao do conversor (inversor ou retificador), as
anlises j conduzidas na seo anterior devem ser repetidas aqui. Para fins de simplificao
do texto, apenas os resultados da comparao de UPSs com frequncia de chaveamento fsw de
3, 84 kHz so apresentados nesta seo. Na Figura 5.13 constam as perdas nos semicondutores
no estgio inversor das UPSs com esta frequncia fsw , para vrias especificaes de tenso do
barramento c.c. VDC e potncia nominal Pout .
Como no caso da operao como retificador, as perdas nos mdulos de silcio no inversor
2n e 3n so comparveis para os projetos com frequncia fsw de 3, 84 kHz. O mdulo de SiC,
mais uma vez, suplanta o desempenho de todos os outros mdulos, para qualquer especificao
de Pout e VDC . Todavia, o ganho associado seleo destes mdulos se torna menor com a
reduo da tenso do barramento e da potncia nominal, como se induz dos resultados da Figura
5.13.
Se a potncia dissipada no componente de SiC for atribuda a 1 p.u. para a UPS com
tenso VDC de 550 V , Pout de 2, 5 kW e fsw de 3, 84 kHz, as perdas nos mdulos de silcio
nos inversores 2n, NPC1 e NPC2 valem 3.5 p.u., 2.9 p.u. e 4, 0 p.u., nesta ordem. No estgio
retificador, estas perdas eram de 2, 3 p.u., 2, 4 p.u. e 2, 6 p.u., respectivamente, nesta mesma
condio. A diferena entre estes valores nos dois modos de operao novamente indica que o
ganho de rendimento do mdulo de SiC ainda maior no estgio inversor.
Diferentemente dos resultados para a operao como retificador, todavia, a topologia
NPC2, em todos os estgios inversores das UPSs avaliadas, exibe perdas iguais ou maiores do

126

Captulo 5. Resultados

que a NPC1. Isso se deve, provavelmente, ao aumento das perdas de chaveamento nos transistores
quando da operao como inversor, que penaliza a topologia NPC2 e favorece a NPC1 j que
na NPC2 h chaves que bloqueiam tenses maiores do que na NPC1.
Figura 5.13 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da potncia de sada Pout e da
tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
inversor, f sw = 3,84 kHz
200

250

2 nveis - Si

P semic [W]

200

150

150
100

100
50

1000
2 nveis - SiC

50

800
600

10

P out [kW]

V DC [V]

(a) Inversor em topologia 2n, com mdulos base de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
inversor, f sw = 3,84 kHz
220

250

200

NPC2 - Si

180

200

P semic [W]

160
140

150

120

100

100

NPC1 - Si

80

50
800
0

600
4

P out [kW]

60
40

10

V DC [V]

(b) Inversor em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos


F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

A Figura 5.14 individualiza a comparao da Figura 5.13 para as UPSs com potncias
nominais de 2, 5 kW e 10 kW . Neste primeiro grupo de UPSs, a topologia 2n supera o desempenho da NPC2, mas no da NPC1. No caso da operao como retificador, o arranjo 2n
superava aqueles outros dois, para as UPSs deste grupo. J para as UPSs de 10 kW , as perdas
das topologias 3n so inferiores 2n de silcio para tenses maiores ou iguais a 650 V . No
estgio retificador, o desempenho das topologias 3n era superior para tenses VDC maiores do
que 750 V .

127

Captulo 5. Resultados

Figura 5.14 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da tenso do barramento c.c.
VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.

inversor, f sw = 3,84 kHz e Pout = 2,5 kW


80

P semic [W]

P semic [W]

80

60

40
2n - Si
2n - SiC

20
600

700

60

40
NPC1 - Si
NPC2 - Si

20
600

800

700

800

V DC [V]

V DC [V]

(a) Pout = 2, 5 kW , fsw = 3, 84 kHz.

P semic [W]

P semic [W]

250

inversor, f sw = 3,84 kHz e Pout = 10 kW


250

200

200
2n - Si
2n - SiC

150

NPC1 - Si
NPC2 - Si

150

100

100
600

700

800

V DC [V]

600

700

800

V DC [V]

(b) Pout = 10 kW , fsw = 3, 84 kHz.


Nota: Inversor 2n com mdulos de silcio (FF75R12RT4) e de carbeto de
silcio (CCS050M12CM2) e em arranjo NPC1 e NPC2, com os mdulos
F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

A Figura 5.15 sintetiza os resultados da comparao entre os inversores em topologias de


dois nveis, NPC1 e NPC2, com componentes de silcio. Como na seo anterior, so indicadas
as topologias com as menores perdas no estgio inversor para cada um dos oitenta projetos de
UPS de dupla converso em estudo.
Assim, com base nos resultados da Figura 5.15, nota-se que a topologia NPC1 supera o
desempenho da NPC2 e da 2n em quase todos os projetos, com exceo daqueles com frequncia
de chaveamento de 3, 84 kHz, potncias de 8, 125 kW e 10 kW e tenses de 550 V . Sendo assim,
a topologia NPC1 se revela ainda mais vivel para a operao como inversor, como se infere da
comparao entre as Figuras 5.15 e 5.7. Em nenhum dos cenrios avaliados, portanto, o inversor
do tipo NPC2 exibe menores perdas.

128

Captulo 5. Resultados

Figura 5.15 Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias com menores perdas no
estgio inversor.
VDC [V]

NPC1
2n

850

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

30720

10000
8125
6250
4375
2500

fsw [Hz]

Nota: As topologias de dois nveis, NPC1 e NPC2 so


representadas por marcadores com a conveno de cor da
legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Para fins de comparao entre os modos de operao como inversor e retificador, so


apresentadas, na Tabela 5.3, as perdas de conduo e de chaveamento naqueles trs cenrios
propostos na seo anterior. Acrescenta-se ainda um quarto cenrio, com uma das condies
em que o inversor 2n base de silcio suplanta o desempenho das variaes em NPC1 e NPC2.
As fraes de perdas de conduo e de chaveamento, em referncia ao valor total, so tambm
indicadas nos quatro cenrios.
A Tabela 5.3 aponta para a viabilidade da topologia NPC1 mesmo em cenrios em que as
perdas de conduo se tornam dominantes. Por exemplo, no cenrio 2 as perdas de chaveamento
acumulam apenas cerca de 20 % do total e, ainda assim, o inversor em NPC1 exibe as menores
perdas. Neste caso, a reduo da potncia dissipada por comutao, introduzida pelo arranjo
NPC1, compensa o aumento das perdas de conduo. Para a operao como inversor, portanto,
no h uma correlao clara entre a proporo de cada parcela de perdas e o desempenho das
topologias.
Para simplificar a comparao entre os cenrios 1, 2 e 3 quando da operao como
inversor e retificador, os dados das Tabelas 5.1 e 5.3 so representados nos grficos das Figuras
5.16 e 5.17. As parcelas atribudas s perdas de conduo e de chaveamento nos transistores e
nos diodos so tambm includas nestes grficos. Os mdulos de SiC so tambm adicionados
nesta comparao.
Como se induz da comparao entre as Figuras 5.16 e 5.17 e dos dados da Tabela 5.3, os
estgios inversor e retificador dissipam potncias aproximadamente equivalentes, com desvios
que no superam 30 %. No modo de operao como retificador, as perdas de conduo sobre os
diodos Pcond(D) superam a dos transistores Pcond(Q) . Ainda neste caso, a potncia dissipada na
comutao dos diodos Pchav(D) maior que nos transistores Pchav(Q) nas topologias 3n. Apenas

129

Captulo 5. Resultados

nas topologias 2n o valor de Pchav(Q) excede Pchav(D) no modo retificador. J no modo inversor,
Pchav(Q) suplanta, em geral, Pchav(D) . Em oposio ao retificador, no inversor Pcond(Q) supera
Pcond(D) .
Tabela 5.3 Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em quatro cenrios, para o modo
de operao como inversor.

Cenrio 1 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 550 V , Pout = 2, 5 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

14, 6 W/32, 6 %
26, 5 W/70, 9 %
20, 9 W/41, 9 %

30, 3 W/67, 4 %
10, 8 W/29, 1 %
29, 0 W/58, 1 %

44, 9 W (1, 2 p.u.)


37, 3 W (1, 0 p.u.)
49, 9 W (1, 3 p.u.)

Cenrio 2 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

94, 4 W/41, 6 %
163, 9 W/81, 2 %
131, 1 W/54, 7 %

132, 6 W/58, 4 %
37, 9 W/18, 8 %
108, 4 W/45, 3 %

227, 0 W (1, 1 p.u.)


201, 8 W (1, 0 p.u.)
239, 5 W (1, 2 p.u.)

Cenrio 3 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 850 V , Pout = 10 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

91, 5 W/8, 0 %
159, 2 W/34, 6 %
126, 3 W/12, 9 %

1055, 3 W/92, 0 %
300, 8 W/65, 4 %
854, 3 W/87, 1 %

1146, 8 W (2, 5 p.u.)


460, 0 W (1, 0 p.u.)
980, 6 W (2, 1 p.u.)

Cenrio 4 fsw = 3, 84 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


Mdulo

Tipo

Perdas de
conduo

Perdas de
chaveamento

Perdas totais

FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11

2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si

97, 2 W/52, 8 %
173, 3 W/87, 4 %
124, 0 W/63, 6 %

86, 9 W/47, 2 %
24, 9 W/12, 6 %
70, 9 W/36, 4 %

184, 1 W (1, 0 p.u.)


198, 2 W (1, 1 p.u.)
194, 9 W (1, 1 p.u.)

Nota: As topologias de melhor desempenho, destacadas em verde, so normalizadas em 1 p.u.

O aumento das perdas nos mdulos de SiC na operao como retificador, em comparao
com o modo inversor, se atribui elevao das perdas de conduo nos diodos. J na topologia
NPC1 este aumento se deve s maiores perdas de recuperao reversa nos diodos, no modo
retificador. Por outro lado, o mdulo NPC2 exibe perdas maiores como inversor do que como
retificador, como resultado do aumento das perdas de chaveamento nos transistores naquela
condio.
Por fim, representa-se a diferena entre a potncia dissipada no estgio inversor nas
topologias NPC1 e 2n com mdulos base de silcio. A Figura 5.18 ilustra estas diferenas, para
os inversores das 80 UPSs em anlise.

130

Captulo 5. Resultados

Figura 5.16 Proporo, na operao como retificador, entre as perdas de chaveamento no diodo (indicadas pela
cor vermelha), de conduo no diodo (amarelo), de chaveamento no transistor (azul) e de conduo
no transistor (verde).
retificador
42

218

47
20

1279
256

118

200

1000

210
209

100

2n - Si

2n - Si

2n - SiC

Perdas [W]

43

Perdas [W]

Perdas [W]

18
40

605
754

500
0
2n - Si

2n - SiC

NPC1 - Si

2n - SiC

NPC1 - Si

NPC2 - Si

NPC1

NPC2 - Si

(a)

NPC2

(b)

(c)

Cenrios: (a) cenrio 1; (b) cenrio 2; (c) cenrio 3.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Figura 5.17 Proporo, na operao como inversor, entre as perdas de chaveamento no diodo (indicadas pela cor
vermelha), de conduo no diodo (amarelo), de chaveamento no transistor (azul) e de conduo no
transistor (verde).
inversor
45
13

111

50
20
0

2n - Si
2n - SiC
NPC1 - Si
NPC2 - Si

203

1000

202
239
100

Perdas [W]

200

37

40

Perdas [W]

Perdas [W]

1147

227

460
981

500

2n - Si

2n - Si
2n - SiC

2n - SiC

NPC1 - Si

NPC1 - Si

NPC2 - Si

NPC2 - Si

(a)

(b)

(c)

Cenrios: (a) cenrio 1; (b) cenrio 2; (c) cenrio 3.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Novamente, como na conveno da seo anterior, se as perdas no NPC1 forem menores


do que no 2n, esta diferena indicada com valor negativo. Sendo assim, como se nota dos
dados da Figura 5.18, na maior parte dos cenrios, a substituio do arranjo 2n pelo NPC1 prov
uma reduo de 40 % a 60 % na potncia dissipada. Esta reduo pode atingir at cerca de 70 %
nos projetos com as duas maiores frequncias de chaveamento. A mesma anlise estendida
para a comparao entre as perdas dos inversores em topologias NPC1 e NPC2. A Figura 5.19
apresenta a diferena entre a potncia dissipada nos semicondutores dos inversores nestas duas
topologias.

131

Captulo 5. Resultados

Figura 5.18 Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e 2n na operao como inversor, com mdulos
base de silcio.
(PN P C1 P2n )
100 [%]
P2n
VDC [V]
-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%

850

-19 a 0%
1 a 20%

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual (PN P C1 P2n )/P2n representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Figura 5.19 Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e NPC2 na operao como inversor, com mdulos
base de silcio.
(PN P C1 PN P C2 )
100 [%]
PN P C2
VDC [V]

-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%

850

-19 a 0%
1 a 20%

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual (PN P C1 PN P C2 )/PN P C2


representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Outra vez, na maior parte dos casos, a reduo da potncia dissipada que decorre da
substituio do arranjo NPC2 pelo NPC1 de 40 % a 60 %. A diferena mxima entre as
perdas nas duas topologias de cerca de 70 %, para os projetos com maiores frequncias de
chaveamento.
Estes resultados demonstram, como na seo precedente, que os inversores com topologia NPC1 dissipam em geral potncias menores do que aqueles em arranjo 2n e NPC2 com
componentes de silcio. Todavia, tambm como naquela seo, o mdulo de SiC suplanta todos
os outros de silcio, em todos os cenrios em anlise.

Captulo 5. Resultados

132

Cabe ainda salientar que os resultados desta seo provavelmente no se estendem para
outras especificaes de UPS. O desempenho de cada projeto deve ser analisado para cada caso,
j que no h critrios prticos que delimitem as faixas de operao em que cada topologia
se torna vivel. As ferramentas propostas neste trabalho para que as perdas sejam estimadas
podem, todavia, colaborar na automatizao destas anlises sucessivas, obrigatrias nas rotinas
de projeto.

5.1.3

Perdas nos indutores dos filtros de entrada e de sada

Nesta seo, apresentam-se os resultados das estimativas de potncia dissipada nos


indutores dos filtros de entrada e de sada da UPS de dupla converso. Para que as perdas no
cobre e no ncleo fossem quantificadas, vale-se das ferramentas j descritas na seo 4.1.2. Os
efeitos pelicular e de proximidade so negligenciados nesta anlise.
Inicialmente, so estimadas as perdas no filtro LCL de entrada do retificador em topologias de dois e de trs nveis. Na Figura 5.20 constam os resultados para as perdas totais nos
indutores deste filtro (nas trs fases), em funo das especificaes de frequncia de chaveamento
fsw e da tenso do barramento c.c. VDC , para as UPSs de potncia nominal de 10 kW . Cabe
comentar que na fase de dimensionamento destes indutores, seleciona-se o menor ncleo que
prov a energia armazenada para cada parmetro de corrente nominal, de frequncia fsw e tenso
VDC (conforme a curva da Figura 4.16). Sendo assim, a curva com a potncia dissipada no
indutor exibe descontinuidades, como resultado da seleo por ncleos distintos ao longo das
faixas de especificaes.
Mesmo para a UPS com frequncia de chaveamento fsw mnima (3, 84 kHz) e com
tenso de barramento c.c. VDC mxima (850 V ), as perdas nos indutores do filtro LCL no
superam 2, 7 % da potncia nominal para as topologias 2n. Para as topologias 3n, este valor
mximo de 2, 3 %. Na prtica, em que fsw e VDC assumem valores de cerca de 15 kHz e 550 V ,
a potncia dissipada nos filtros LCL nas topologias de dois e de trs nveis, para a potncia
nominal em 10 kW , valem aproximadamente 1 % e 0, 6 %, nesta ordem.
Como se nota no grfico da Figura 5.20, o aumento de fsw tende a reduzir as perdas
nos indutores dos filtros LCL, em decorrncia do encurtamento dos enrolamentos, por exemplo.
Todavia, a partir de um valor crtico, o aumento de fsw pode elevar estas perdas.

133

Captulo 5. Resultados

Figura 5.20 Perdas totais Pind no indutor do filtro LCL de entrada da UPS em funo da frequncia de
chaveamento fsw e da tenso de barramento VDC , para topologias de dois nveis e de trs nveis, para
a UPS com potncia nominal de 10 kW .
filtro LCL, P out = 10 kW
250

2 nveis

300

P ind [W]

200

200
3 nveis

150

100
100

800

0
10

700

20

50

600

30

V DC [V]

fsw [kHz]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

As Figuras 5.21 e 5.22 representam os resultados de cortes transversais no grfico da


Figura 5.20, em planos com tenses VDC constantes de 550 V e 850 V ou com frequncia
fsw constante de 3, 84 kHz, para as topologias de dois e de trs nveis. As parcelas atribudas
s perdas nos enrolamentos (Pcobre ) e no ncleo (Pnucleo ) so tambm indicadas, para que a
dependncia de cada parcela com a frequncia fsw e com a tenso VDC seja explicitada.
Figura 5.21 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LCL de
entrada de retificadores em topologia de dois nveis.

V DC = 550 V
P

Pncleo

150

V DC = 850 V

100
50

300

Pind

ind

Pcobre

200

Perdas [W]

300

Perdas [W]

250

filtro LCL, 2 nveis, P out = 10 kW, filtro LCL, 2 nveis, P out = 10 kW,

250

Pcobre

200

Pncleo

150
100

10

20

fsw [kHz]

10
(a)

Pind

150

Pcobre

100

Pncleo

30

200

50

50

f sw = 3,84 kHz

250

Perdas [W]

filtro LCL, 2 nveis, P out = 10 kW,

20

fsw [kHz]

600

30
(b)

700

800

V DC [V]

(c)

Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

134

Captulo 5. Resultados

Figura 5.22 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LCL de
entrada de retificadores em topologia de trs nveis.
filtro LCL, 3 nveis, P out = 10 kW,

filtro LCL, 3 nveis, P out = 10 kW, filtro LCL, 3 nveis, P out = 10 k W,


V DC = 850 V

250

Pcobre
Pncleo

150

Pind

100
50

200

Pcobre

200

Perdas [W]

Perdas [W]

200

250

250

Pind

fsw = 3,84 kHz

Perdas [W]

V DC = 550 V

Pncleo

150
100

10

20

30

fsw [kHz]

cobre

Pncleo

0
10

(a)

P
100
50

50

Pind

150

20

fsw [kHz]

30

600
(b)

700

V DC [V]

800
(c)

Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Com base na comparao entre os grficos das Figuras 5.21 e 5.22, deduz-se que as perdas
nos enrolamentos nos filtros LCL das topologias 2n e 3n so aproximadamente equivalentes,
j que as indutncias totais nestes dois arranjos so fixadas no valor que atende ao critrio de
rigidez dinmica mnima. As perdas no ncleo, entretanto, podem ser at quatro vezes menores
nos filtros do retificador 3n. Como o ripple de corrente no indutor do lado do conversor nesta
topologia duas vezes menor (para uma indutncia de filtro fixa) e a equao de Steinmetz
generalizada supe uma dependncia aproximadamente quadrtica das perdas no ncleo com a
excurso de densidade de fluxo, este resultado j era previsto. Assim, em virtude da reduo das
perdas no material magntico, as perdas totais dos filtros das topologias 3n podem ser at 60 %
menores do que nas 2n.
Como j foi mencionado, o aumento da frequncia de chaveamento tende a reduzir as
perdas nos indutores, como resultado da reduo da indutncia total e, assim, da resistncia total
dos enrolamentos. Contudo, esta relao inversa entre o valor de fsw e a potncia dissipada no
indutor s se sustenta enquanto as perdas nos enrolamentos Pcobre forem dominantes. A partir de
um valor crtico de fsw , em que as perdas do ncleo Pnucleo passam a ser maiores do que Pcobre ,
o aumento de fsw tende a elevar as perdas totais. Este valor crtico de cerca de 20 kHz para as
topologias 2n e 3n, na potncia nominal de 10 kW e tenso VDC de 850 V . Para a tenso VDC de
550 V , as perdas Pcobre so sempre maiores do que Pnucleo para o filtro LCL de retificadores 3n
na faixa de frequncias fsw avaliada. Assim, aquele valor crtico no observado nesta faixa. Por
fim, cabe comentar que quanto maior a tenso VDC , maiores as perdas totais no indutor, tambm
em razo daquele aumento da resistncia dos enrolamentos.
A Figura 5.23 indica as perdas totais nos indutores do filtro LC de sada dos inversores

135

Captulo 5. Resultados

de dois e trs nveis, novamente para as UPSs de potncia nominal de 10 kW . Como se nota
nos resultados desta figura, na UPS com frequncia de chaveamento fsw mnima (3, 84 kHz) e
com tenso de barramento c.c. VDC mxima (850 V ), as perdas nos indutores do filtro LCL no
superam 3 % para as topologias 2n. Para as topologias 3n, este valor mximo de cerca 2 %
da potncia nominal. Em aplicaes prticas, em que fsw e VDC assumem valores de cerca de
15 kHz e 550 V , a potncia dissipada nos filtros LC nas topologias de dois e de trs nveis, para
a potncia nominal em 10 kW , valem aproximadamente de 0, 8 % e 0, 4 % desta potncia, nesta
ordem. As descontinuidades nas curvas da Figura 5.23 tambm se devem seleo de ncleos
distintos, ao longo de uma faixa de especificaes de frequncia fsw e tenso VDC .
Figura 5.23 Perdas no indutor Pind do filtro LC de sada da UPS em funo da frequncia de chaveamento fsw e
da tenso de barramento VDC , para topologias de dois nveis e de trs nveis, para a UPS com
potncia nominal de 10 kW .
filtro LC, Pout = 10 kW

300

250

2 nveis

P ind [W]

200

200

3 nveis
150

100
100

800

0
10

700
20

fsw [kHz]

30

600

50

V DC [V]

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Nas Figuras 5.24 e 5.25, a anlise das perdas no indutor do filtro LC individualizada
para as UPSs de tenses VDC de 550 V e 850 V e para a frequncia fsw em 3, 84 kHz. Como se
infere dos grficos destas figuras, a potncia dissipada no indutor do filtro de sada de inversores
em topologia 2n aproximadamente duas vezes maior do que no caso dos conversores 3n. De
fato, como indicam as equaes de dimensionamento destes indutores equaes (3.29) e (3.30),
as topologias 2n demandam indutncias de filtro duas vezes maiores do que no arranjo 3n, para
um critrio de ripple nico. Sendo assim, o comprimento dos cabos e, assim, a resistncia dos
enrolamentos, so aumentados pelo mesmo fator, aproximadamente. Isso justifica, portanto,
aquela proporo entre as perdas nos indutores de filtro destas duas topologias.

136

Captulo 5. Resultados

Figura 5.24 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LC de
sada de inversores em topologia de dois nveis.
filtro LC, 2 nveis, Pout = 10 kW,
P

Pncleo

150
100
50

f sw = 3,84 kHz

V DC = 850 V
P

ind

Pcobre

200

Perdas [W]

300

filtro LC, 2 nveis, Pout = 10 k W,


300

ind

250

Pcobre

200

Pncleo

Perdas [W]

V DC = 550 V

Perdas [W]

250

filtro LC, 2 nveis, Pout = 10 kW,

150
100

200
Pind
Pcobre
100

Pncleo

50

0
10

20

30

10

fsw [kHz]

20

fsw [kHz]

(a)

600

30

700

800

V DC [V]

(b)

(c)

Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Figura 5.25 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LC de
sada de inversores em topologia de trs nveis.

V DC = 550 V

150

Pcobre

Pcobre

50

0
10

20

fsw = 3,84 kHz


150

Pind

Pnucleo

100

fsw [kHz]

Pnucleo

100

50

30

100

Pind
Pcobre
Pnucleo

50

0
10

(a)

filtro LC, 3 nveis, Pout = 10 k W,

V DC = 850 V

Pind

Perdas [W]

Perdas [W]

150

filtro LC, 3 nveis, Pout = 10 kW,

Perdas [W]

filtro LC, 3 nveis, Pout = 10 kW,

20

fsw [kHz]

30

600
(b)

700

V DC [V]

800
(c)

Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Por outro lado, como o ripple de corrente fixado nas topologias 2n e 3n, a excurso de
densidade de fluxo aproximadamente equivalente nos dois casos. Sendo assim, se o mesmo
ncleo fosse adotado nos filtros das topologias 2n e 3n, as perdas no material magntico seriam,
grosso modo, iguais nestes filtros, para cada especificao de frequncia de chaveamento. As
diferenas entre Pnucleo nestes dois tipos de filtro se devem, portanto, ao uso de ncleos (ou
associaes) diferentes nos dois casos.

Captulo 5. Resultados

137

Para os filtros LC dimensionados para a UPS com potncia nominal de 10 kW , o aumento


da frequncia de chaveamento tende a reduzir as perdas totais nos indutores, como se depreende
dos grficos das Figuras 5.24 e 5.25. Isso ocorre porque as perdas nos enrolamentos, dominantes
nestes projetos, so reduzidas com aquele aumento. Para este caso em particular, portanto, aquela
frequncia de chaveamento crtica, que levava a uma inverso nesta relao entre fsw e as
perdas totais nos projetos de filtro LCL, no observada ao longo da faixa de frequncias em
estudo. J o aumento da tenso do barramento c.c. VDC , para valores de fsw e Pout fixos, tende a
elevar as perdas, pelas razes j citadas na anlise do filtro LCL.
Por fim, cabe a comparao entre as perdas nos indutores dos filtros de entrada e de sada
da UPS de dupla converso. Para tanto, a Tabela 5.4 apresenta os parmetros de indutores dos
filtros LCL e LC dimensionados para dois projetos de UPS, em particular. Por inspeo dos
dados desta tabela, nota-se que, em geral, as perdas no ncleo Pnucleo do indutor L1 do filtro
LCL superam as dos outros indutores da UPS. Isso se deve ao critrio de projeto deste indutor,
que admite maior ripple de corrente neste componente, para melhor distribuio entre L1 e Lf .
O valor de Pnucleo menor no indutor Lf , que, ao contrrio, exibe menor ripple. J as perdas no
enrolamento Pcobre so maiores no indutor do filtro LC da topologia 2n, com maior indutncia e,
assim, maior resistncia srie.
Os dados da Tabela 5.4 tambm demonstram que as topologias 3n promovem a reduo
da potncia dissipada nos indutores dos filtros LC e LCL de quase 60 %, em comparao com
arranjos de 2n. Mesmo no caso do filtro LCL, em que as indutncias foram atribudas a um
valor fixo nas topologias 2n e 3n, aquela reduo pode ser atingida. Sendo assim, a seleo por
conversores 3n no s introduz ganhos sobre o rendimento dos estgios inversor e retificador,
como tambm dos filtros LC e LCL. Para que os ganhos totais de rendimento destes conversores
sejam mensurados, a seo a seguir avalia o rendimento global da UPS, com aqueles estgios em
cascata.

138

Captulo 5. Resultados

Tabela 5.4 Exemplos de projetos de indutores dos filtros de entrada e de sada para duas das 80 UPSs em anlise.

Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


Filtro LCL
Parmetro

2 nveis / 3 nveis

Indutncia de cada unidade


Nmero de unidades em srie
Nmero de espiras (unidade)
Nmero de fios por espira
Bitola do fio (AWG)
Modelo do ncleo
Permeabilidade relativa
Resistncia do enrolamento
(unidade)
Fator de preenchimento
Volume do ncleo (unidade)
Volume do indutor (unidade)
Volume total (3 fases)
Perda no enrolamento (3 fases)
Perda no ncleo (3 fases)
Perda total (3 fases)

Filtro LC
2 nveis

3 nveis

Li (480 H)

Lf (250 H)

L (1, 22 mH)

L (600 H)

160 H
3
30
11
1, 2 mm (17)
58737
60
4, 6 m

250 H
1
52
11
1, 2 mm (17)
58099
60
6, 7 m

600 H
2
98
11
1, 2 mm (17)
58337
26
17 m

600 H
1
98
11
1, 2 mm (17)
58337
26
17 m

25 %
9, 1 105 m3
3, 6 104 m3
3, 24 103 m3
28 W
60 W (2 nveis)
17 W (3 nveis)
88 W (2 nveis)
45 W (3 nveis)

27 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 02 103 m3
14 W
1 W (2 nveis)
1 W (3 nveis)
15 W (2 nveis)
15 W (3 nveis)

27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
7, 2 103 m3
71 W
12 W

27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
3, 6 103 m3
35 W
7W

83 W

42 W

Cenrio 2 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


Filtro LCL
Parmetro

Indutncia de cada unidade


Nmero de unidades em srie
Nmero de espiras (unidade)
Nmero de fios por espira
Bitola do fio (AWG)
Modelo do ncleo
Permeabilidade relativa
Resistncia do enrolamento
(unidade)
Fator de preenchimento
Volume do ncleo (unidade)
Volume do indutor (unidade)
Volume total (3 fases)
Perda no enrolamento (3 fases)
Perda no ncleo (3 fases)
Perda total (3 fases)

2 nveis / 3 nveis
Li (240 H)

Lf (105 H)

240 H
1
51
21
0, 87 mm (20)
58099
60

35 H
3
22
21
0, 87 mm (20)
58110
60

6, 7 m
25 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 0 103 m3
14 W
70 W (2 nveis)
18 W (3 nveis)
84 W (2 nveis)
32 W (2 nveis)

1, 9 m
29 %
2, 1 105 m3
8, 2 105 m3
7, 4 104 m3
12 W
1 W (2 nveis)
1 W (3 nveis)
13 W (2 nveis)
13 W (3 nveis)

Filtro LC
2 nveis

3 nveis

L (602 H)

L (301 H)

602 H
301 H
1
1
98
57
21
21
0, 87 mm (20) 0, 87 mm (20)
58337
58099
26
60
17 m

7, 5 m

27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
3, 6 103 m3
36 W
15 W

29 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 0 103 m3
16 W
16 W

51 W

32 W

139

Captulo 5. Resultados

5.1.4

Comparao do rendimento global da UPS

Nesta seo, comparam-se os rendimentos globais da UPS de dupla converso, com os


filtros LCL e LC e os estgios retificador e inversor em cascata, para cada um dos mdulos de
potncia em estudo. Para que as perdas totais fossem calculadas (e, assim, o rendimento global),
somam-se as perdas estimadas para cada um destes estgios, j apresentadas nas sees 5.1.1,
5.1.2 e 5.1.3.
Na Figura 5.26, constam os resultados de rendimento global para as UPSs de potncia
nominal de 10 kW . Supe-se, nesta anlise, que o mesmo mdulo de potncia integra os estgios
retificador e inversor.
Figura 5.26 Rendimento global da UPS de dupla converso em funo da frequncia de chaveamento fsw e da
tenso do barramento c.c. VDC , para as UPSs com potncia nominal Pout de 10 kW .
UPS, 2 nveis, Pout = 10 kW

95

95

90

90

2 nveis - SiC

[%]

85

85
80

80
2 nveis - Si
75
10

20

800
700
600

75

V DC [V]

30

fsw [kHz]

(a) UPS com conversores 2n com mdulos de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
UPS, 3 nveis, Pout = 10 kW

NPC1 - Si

95

92
90

90

[%]

88
86

85
84

NPC2 - Si
800

81
10

700
20

fsw [kHz]

30

82

600

V DC [V]

(b) UPS com conversores NPC1 e NPC2, com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se deduz dos resultados da Figura 5.26, o rendimento das UPSs de dupla converso
com mdulos de SiC maior do que 92 % em todos os cenrios com potncia nominal Pout de

140

Captulo 5. Resultados

10 kW . Para a UPS de mesma topologia (2n) base de silcio, o rendimento s atinge este valor
para a frequncia de chaveamento fsw e tenso de barramento c.c. VDC mnimas (3, 84 kHz e
550 V ). Para as frequncias fsw tpicas de UPSs comerciais, na faixa de 15 kHz, estima-se o
rendimento das topologias 2n base de silcio e de SiC em 89, 3 % e 95, 3 %, respectivamente,
para as tenses VDC em 550 V . Para esta frequncia tpica, a potncia dissipada nos filtros desta
topologia atinge cerca de 2 % da potncia nominal (10 kW ), no total.
Como j se antevia dos resultados das sees anteriores, a topologia NPC1 supera o
rendimento da NPC2 em todos os projetos potncia nominal de 10 kW , com exceo daqueles
com fsw e VDC mnimos. O rendimento mnimo das UPSs desta potncia com mdulos NPC1
de 88, 3 %, para o caso com fsw e VDC mximos (30, 72 kHz e 850 V ). Para as UPSs com
conversores em NPC2, este rendimento mnimo atinge 81, 6 %, tambm nesta condio. Para o
caso das UPSs com frequncias fsw da ordem de 15 kHz, os rendimentos globais dos conversores
NPC1 e NPC2 valem cerca de 93, 4 % e 91, 9 %, nesta ordem, para a tenso VDC em 550 V .
Nesta frequncia, as perdas nos filtros acumulam 1, 0 % de Pout (10 kW ), aproximadamente. Em
apenas um dos cenrios avaliados com potncia nominal de 10 kW (com frequncia fsw mnima
e VDC de 850 V ), o rendimento das UPSs com componentes de silcio em NPC1 com melhor
desempenho dentre as variaes de silcio supera aquele das UPSs com SiC.
Para que as parcelas de perdas de cada um dos estgios da UPS sejam analisadas, a
Tabela 5.5 discrimina estas parcelas para dois cenrios potncia nominal de 10 kW .
Tabela 5.5 Rendimento global e perdas em cada estgio, em valores percentuais da potncia nominal, para dois
projetos distintos de UPS de dupla converso.

Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


2 nveis

Parmetro

FF75R12RT4
(Si)
Rendimento global [%]
Perdas no retificador [%]
Perdas no inversor [%]
Perdas no filtro LCL [%]
Perdas no filtro LC [%]

3 nveis

CCS050M12CM2 F3L75R07W2E3 F3L150R12W2H3B11


(SiC)
(NPC1)
(NPC2)

89, 4
4, 4
4, 4
1, 0
0, 8

95, 4
1, 5
1, 3
1, 0
0, 8

93, 4
3, 0
2, 6
0, 6
0, 4

91, 4
3, 2
3, 9
0, 6
0, 4

Cenrio 2 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 550 V , Pout = 10 kW


2 nveis

Parmetro

FF75R12RT4
(Si)
Rendimento global [%]
Perdas no retificador [%]
Perdas no inversor [%]
Perdas no filtro LCL [%]
Perdas no filtro LC [%]

82, 5
8, 2
7, 8
1, 0
0, 5

3 nveis

CCS050M12CM2 F3L75R07W2E3 F3L150R12W2H3B11


(SiC)
(NPC1)
(NPC2)
94, 9
1, 9
1, 7
1, 0
0, 5

91, 2
4, 4
3, 6
0, 5
0, 3

87, 4
5, 2
6, 6
0, 5
0, 3

141

Captulo 5. Resultados

Os dados da Tabela 5.5 demonstram que os mdulos de SiC introduzem um ganho


de rendimento de no mnimo 2 % e 3 %, comparativamente s UPSs com silcio, nos cenrios
a 15, 36 kHz e 30, 72 kHz, nesta ordem. Deste primeiro cenrio para o segundo, a queda de
rendimento nas UPS com SiC de apenas de 0, 5 %, ao passo que nas topologias com silcio 2n,
NPC1 e NPC2 esta queda de 6, 9 %, 2, 2 % e de 4 %.
Para que UPSs de potncias nominais distintas possam ser comparadas quanto ao rendimento, apresentam-se, na Figura 5.27, os resultados para as UPSs uma mesma tenso VDC de
550 V . Para estes projetos de UPSs, a opo pelo mdulo de SiC leva a um rendimento mnimo
de 93, 5 %, para o caso com fsw mnima e Pout mxima (10 kW ). O desempenho da UPS com
conversores 2n de silcio degrada abruptamente com o aumento da frequncia de chaveamento
e, para o projeto com maior fsw , este rendimento de 78 % na condio de potncia nominal
mnima (2, 5 kW ).
Figura 5.27 Rendimento global da UPS de dupla converso em funo da frequncia de chaveamento fsw e da
potncia nominal Pout , para as UPSs com tenso de barramento VDC de 550 V .
UPS, 2 nveis, VDC = 550 V
94

95

92
90

2 nveis - SiC

[%]

90

88
86

85
84

80
0

2 nveis - Si
10

20

82

10

5
30

40

P out [kW]

fsw [kHz]

80
78

(a) UPS com conversores 2n, com mdulos de silcio


(FF75R12RT4) e de carbeto de silcio (CCS050M12CM2).
UPS, 3 nveis, VDC = 550 V

94

NPC1 - Si

92

95

90
88

[%]

90

86

85

84

NPC2 - Si
80
79

82

10
10

20

30

fsw [kHz]

80

P out [kW]

(b) UPS com conversores NPC1 e NPC2, com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

142

Captulo 5. Resultados

Esta queda abrupta de rendimento, em resposta ao aumento de frequncia fsw , tambm


ocorre para as UPSs com conversores NPC2. Esta queda se deve, nos dois casos, ao fato de parte
das chaves comutarem de estado tenso plena do barramento c.c., VDC . Assim, para as UPSs
em NPC1 base de Si, esta queda mais suave. O rendimento mnimo das UPSs nos arranjos
NPC1 e NPC2 para os projetos tenso VDC de 550 V de 87, 8 % e 79, 2 %, para a condio
de frequncia fsw mxima e potncia Pout mnima. Em nenhuma das UPSs com tenso VDC de
550 V , o rendimento do NPC1 suplanta o dos mdulos de SiC.
A Figura 5.28 quantifica o ganho de rendimento associado seleo de mdulos NPC1
em alternativa aos componentes de 2n, em todos os 80 projetos de UPS de dupla converso. As
diferenas de rendimento (N P C1 2n ) so representadas segundo a notao de cor indicada na
legenda. Para as menores frequncias de chaveamento, em que as perdas de conduo so mais
relevantes, o aumento de rendimento na UPS com NPC1 at de 6 %. Para a maior frequncia
fsw , este ganho de rendimento atinge, em mdia, 15 %, em virtude da reduo da potncia
dissipada no s nos semicondutores, como tambm nos filtros de entrada e de sada. Para as
frequncias fsw de UPSs comerciais, supostas na faixa de 15 kHz, a diferena de rendimento
entre as UPSs com conversores NPC1 e 2n assume em mdia valores de cerca de 5 %.
Figura 5.28 Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso nas topologias NPC1 e dois
nveis, com mdulos base de silcio.

NP C1 2n [%]
VDC [V]

0 a 1,9%

850

2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%
8,0 a 9,9%
10,0 a 20,0%

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual N P C1 2n representada segundo a conveno da legenda.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

J a Figura 5.29 ilustra as diferenas entre o rendimento de UPSs com mdulos em


arranjo NPC1 e NPC2 (N P C1 N P C2 ). Para os projetos com as duas menores frequncias fsw ,
o ganho de rendimento introduzido pela topologia NPC1 atinge at 2 %, em comparao com a
NPC2. Para a frequncia de 15, 36 kHz, este aumento de eficincia em mdia de 4 %. J para
a maior frequncia fsw em estudo, este ganho mdio de cerca de 6 %. O rendimento global
da UPS em NPC2 s supera o NPC1 em alguns dos projetos com frequncia fsw e tenso VDC
mnimas.

143

Captulo 5. Resultados

Figura 5.29 Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso nas topologias NPC1 e NPC2,
com mdulos base de silcio.

NP C1 NP C2 [%]
-3 a -0,1%
0 a 1,9%
2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%
8,0 a 9,9%
10,0 a 17,0%

VDC [V]

850

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual N P C1 N P C2 representada


segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Todos os resultados desta seo apontam para os ganhos de rendimento que decorrem
tanto da seleo de mdulos de carbeto de silcio, quanto da opo pela topologia NPC1, no
caso em que se especificam componentes de silcio. A viabilidade de mdulos de SiC em UPSs
de dupla converso analisada, em particular, na seo a seguir. Novamente, ressalta-se aqui a
necessidade de reavaliar os ganhos de rendimento indicados nesta seo, se novas especificaes
de UPSs forem analisadas.

5.1.5

Viabilidade de mdulos de SiC em UPS

Esta seo avalia a viabilidade de mdulos de carbeto de silcio nos projetos de UPSs
de dupla converso. Inicialmente, so quantificadas as diferenas entre o rendimento global
das UPSs com componentes de SiC e de silcio. Nesta comparao, considera-se apenas a
topologia NPC1, que exibe o maior rendimento global dentre as variaes com silcio. A Figura
5.30 representa as diferenas entre os valores de rendimento global das UPSs em arranjos de
dois nveis com SiC (SiC ) e em NPC1 com silcio (N P C1 ), indicadas segundo a conveno de
cor da legenda.
Como se infere dos resultados da Figura 5.30, o ganho de rendimento introduzido pelos
mdulos de SiC (SiC N P C1 ) atinge at 2 % nas duas menores frequncias de chaveamento
fsw e assume em mdia cerca de 5 % nas duas maiores fsw . Como j se previa, este ganho em
rendimento dos dispositivos de SiC em baixas frequncias fsw menor, como resultado das
maiores perdas nos filtros de entrada e de sada das topologias de dois nveis, em comparao com
as 3n. Todavia, para as frequncias de chaveamento tpicas de UPSs comerciais, presumidas em
cerca de 15 kHz, aquele aumento de rendimento de 3 % em mdia. Este ganho em desempenho

144

Captulo 5. Resultados

j justificaria a substituio dos mdulos de silcio pelos de SiC nestas UPSs sem que sejam
ponderados, nesta anlise, os custos das duas alternativas.
Sendo assim, os resultados da Figura 5.30 indicam que mesmo em comparao com o
arranjo de componentes de silcio com menores perdas globais no filtro e nos semicondutores,
as UPSs base de SiC em topologia 2n ainda introduzem ganhos de rendimento de quase 8 %,
em alguns projetos com maiores frequncias de chaveamento. Estes resultados, portanto, j
acenam para a viabilidade dos dispositivos de SiC em aplicaes de UPS, mesmo em baixas
potncias.
Figura 5.30 Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso com conversores de dois nveis e
NPC1 com mdulos de SiC e de silcio, respectivamente.
SiC NP C1 [%]
-1 a -0,1%
0 a 1,9%
2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%

VDC [V]

850

750

P out [W]

650

550
3840

7680

15360

fsw [Hz]

30720

10000
8125
6250
4375
2500

Nota: A diferena percentual N P C1 2n representada


segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Ademais, h ainda outros ganhos que resultam da substituio dos mdulos de potncia
de silcio pelos de SiC. Por exemplo, como consequncia do maior rendimento dos projetos com
SiC, as UPSs podem operar em frequncias de chaveamento mais elevadas, reduzindo o volume
e o custo dos filtros e ainda, os nveis de rudo audvel. Os sistemas de refrigerao podem ser
simplificados, o que tambm contribui para a reduo do custo do projeto. Para que tambm
estes ganhos adicionais sejam avaliados, propem-se, aqui, duas abordagens de comparao
entre os projetos de UPS com componentes de silcio e de SiC.
A primeira abordagem pretende quantificar a possvel reduo de volume dos filtros nas
UPSs com mdulos de SiC. Nesta anlise, a resistncia trmica de dissipador para ambiente
Rth(sa) que qualifica o sistema de refrigerao dos conversores definida em um valor
constante de 0, 03 K/W 4 . Para esta condio, a frequncia de chaveamento fsw ento elevada
para o valor mximo que ainda leva a um rendimento superior ao da UPS em topologia 2n
com silcio. Obviamente, o projeto a esta frequncia fsw no deve violar o limite trmico da
4

Este valor de resistncia trmica, que aproxima do valor da resistncia do dissipador do modelo P 16 (Semikron
com conveco forada, adotado como referncia para que no haja violao do limite trmico nas UPSs em
topologia 2n com componentes de silcio, no pior cenrio de operao.

Captulo 5. Resultados

145

juno dos semicondutores, assumido em 125 C. Do mesmo modo, a elevao da temperatura


dos indutores, em nenhum destes cenrios, deve exceder o limiar de 90 C. Apenas valores de
fsw mltiplos da frequncia de 15, 36 kHz so avaliados e no so consideradas associaes
srie/paralelo de mdulos. Supe-se ainda que sobre cada dissipador esto montados trs braos
completos de dispositivos. Assim, dois destes dissipadores seriam necessrios na UPS de dupla
converso de 10 kV A.
Nestas condies, calculam-se o rendimento global da UPS, as perdas percentuais em
cada estgio, as temperaturas de juno mximas e o volume total dos indutores de filtro. Deste
modo, aquela possvel reduo de volume nos indutores estimada com base na comparao dos
projetos com SiC e com Si com rendimentos globais aproximadamente equivalentes.
A Tabela 5.6 apresenta os resultados desta primeira abordagem. Os volumes totais dos
indutores so sobredimensionados supondo fatores de utilizao da janela do ncleo de 40 %5 .
Como se induz da comparao entre os cenrios 1 e 4 da Tabela 5.6, a reduo do volume
total dos indutores dos filtros que resulta da seleo por mdulos de SiC pode atingir cerca de
75 %, em comparao com o projeto em topologia 2n com dispositivos de silcio (de 8, 7 L para
2, 3 L). A frequncia de chaveamento fsw , portanto, pode ser elevada em at cinco vezes na
variao com SiC (cenrio 4) para que o rendimento ainda seja 2, 2 % maior do que na UPS 2n
com silcio (cenrio 1). A operao esta frequncia fsw cinco vezes maior (de 76, 8 kHz) no
s incide na reduo das dimenses dos filtros, como tambm na mitigao do rudo audvel.
Em comparao com as UPSs com componentes de Si em arranjo NPC1, esta reduo
de volume dos indutores nas UPSs com SiC de cerca de 33 % (de 6, 1 L para 4, 1 L), por
inspeo dos cenrios 1 e 3. Assim, a possibilidade de aumento da frequncia de chaveamento
nas UPSs com conversores 2n de SiC pode compensar o critrio de dimensionamento do filtro
LC na topologia 2n, que impe indutncias duas vezes maiores do que no arranjo 3n. Ainda
com base nos resultados destes dois cenrios, nota-se que a UPS com SiC leva a um rendimento
comparvel ao do projeto em NPC1 com frequncia fsw trs vezes menor.
J em comparao com a topologia NPC2, a variao de UPS com SiC promove uma
reduo de volume de at 60 % (de 6, 1 L para 2, 3 L), como se infere dos cenrios 1 e 4. Assim,
a UPS com SiC opera com um rendimento global apenas 0, 6 % menor do que na variao NPC2
com frequncia de chaveamento cinco vezes menor.
Em suma, os resultados da Tabela 5.6 indicam que a substituio dos mdulos de silcio
pelos de SiC nas UPSs de 10 kV A leva reduo de no mnimo 33 % no volume dos indutores dos
filtros, como resultado da operao em frequncias de chaveamento pelo menos trs vezes maior,
para um rendimento global equivalente. Ainda em decorrncia deste aumento da frequncia
de chaveamento, o rudo audvel poderia ser mitigado nos projetos com SiC. Ademais, esta
5

Para os indutores dimensionados neste trabalho, o limite mximo do fator de utilizao arbitrado em 30 %,
como define a seo 4.1.2. Sendo assim, supe-se que este fator seja de 40 % nas estimativas de volume do
indutor para fins de simplificao dos clculos.

146

Captulo 5. Resultados

substituio de silcio por SiC no oneraria custos adicionais com o sistema de refrigerao,
suposto equivalente nos projetos de UPS da Tabela 5.6.
Tabela 5.6 Comparao entre a frequncia de chaveamento mxima da UPS de dupla converso com sistema de
refrigerao arbitrrio e fixo (Rth(sa) = 0, 03 K/W ) para os quatro mdulos de potncia em estudo.

Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Rth(sa) = 0, 03 K/W

Retificador Inversor
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)

Tj(max) [ C]

Perdas [%]

[%]

Mdulo

Indutores

Retificador

Inversor

Vind [L]

88, 1
95, 2

5, 0
1, 5

5, 0
1, 4

1, 9
1, 9

82
54

83
54

8, 7
8, 7

93, 1

3, 2

2, 7

1, 1

72

68

6, 1

90, 9

3, 6

4, 4

1, 1

87

80

6, 1

Cenrio 2 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Rth(sa) = 0, 03 K/W

Retificador Inversor
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)

Tj(max) [ C]

Perdas [%]

[%]

Mdulo

Indutores

Retificador

Inversor

Vind [L]

79, 5
94, 3

9, 7
2, 1

9, 0
1, 8

1, 8
1, 8

122
59

118
59

4, 1
4, 1

92, 5

3, 6

3, 0

0, 9

84

68

3, 6

85, 5

6, 0

7, 7

0, 9

123

112

3, 6

Cenrio 3 fsw = 46, 08 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Rth(sa) = 0, 03 K/W

Retificador Inversor
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)

Tj(max) [ C]

Perdas [%]

[%]

Mdulo

Indutores

Retificador

Inversor

Vind [L]

93, 0

2, 8

2, 2

2, 0

67

64

4, 1

91, 8

4, 5

2, 9

0, 8

99

82

2, 3

Cenrio 4 fsw = 76, 8 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Rth(sa) = 0, 03 K/W


Mdulo

Retificador Inversor
CCS050M12CM2
(SiC)

90, 3

Tj(max) [ C]

Perdas [%]

[%]
4, 5

3, 0

Indutores

Retificador

Inversor

2, 2

85

73

Vind [L]
2, 3

Nota: O volume total dos indutores se manteve no mesmo valor para as frequncias fsw em 30, 72 kHz e 46, 08 kHz
em razo do uso de um ncleo menor neste segundo caso. Como resultado, para que o critrio de fator de utilizao
mximo pudesse ser atendido, um maior nmero de unidades foi associado em srie no cenrio a 46, 08 kHz, o que
justifica este resultado.

Todavia, a estimativa da reduo do custo total dos filtros de entrada e de sada da UPS

Captulo 5. Resultados

147

com SiC deveria tambm pontuar a queda nos custos dos capacitores. Este decrscimo no custo
total dos filtros deve compensar os gastos adicionais com os mdulos de SiC (mais caros do que
os de silcio) para que a opo pelo SiC seja economicamente vivel. As anlises de viabilidade
econmica destas duas alternativas no sero includas neste texto, por dependerem, por exemplo,
de informaes prticas relativas ao projeto dos indutores nestes dois casos.
A segunda abordagem de comparao entre os projetos de UPSs com componentes de
silcio e SiC objetiva avaliar a possvel simplificao dos sistemas de refrigerao das UPSs com
SiC. Para tanto, a temperatura de juno mxima dos dispositivos Tj(max) fixada em 125 C e a
mxima resistncia Rth(sa) , aqui tratada como figura de mrito da complexidade e do custo destes
sistemas, estimada para vrias frequncias de chaveamento. Assim, quanto menor o valor de
Rth(sa) , maior o volume e o custo do dissipador. A dependncia entre Rth(sa) e as dimenses do
dissipador deve ser avaliada em softwares de anlise trmica de elementos finitos, para que sejam
modelados os efeitos da distribuio do calor na superfcie do dissipador sobre a resistncia
trmica. Estas anlises foram iniciadas no software Qfin (Qfinsoft) como parte desta pesquisa,
mas ainda no foram finalizadas e, portanto, no sero abordadas neste texto. Sendo assim, a
complexidade ou os custos dos sistemas de refrigerao de cada projeto de UPS so avaliados
qualitativamente neste trabalho, por inspeo dos valores de Rth(sa) para cada caso.
A Tabela 5.7 apresenta os resultados da comparao dos projetos de UPS com esta
nova abordagem. Novamente, admite-se que sobre cada dissipador esto montados trs braos
completos de dispositivos. A resistncia de encapsulamento para dissipador do mdulo de SiC,
no informada pelo fabricante, suposta equivalente a de um mdulo de silcio de dimenses
aproximadamente iguais (FS75R7N2E4). Para que o limite mximo de elevao de temperatura
nos indutores no fosse excedido, o ncleo dos indutores de filtro das UPSs com frequncias
de chaveamento 107, 52 kHz e 122, 88 kHz no so selecionados apenas segundo o critrio de
energia armazenada, detalhado na seo 4.1.2. Nesta seleo, considera-se ainda a superfcie
mnima do indutor para que a dissipao de calor seja facilitada, sem que seja necessria a
associao de um grande nmero de componentes em srie/paralelo.
Com base nos dados da Tabela 5.7, se deduz que para uma mesma frequncia de chaveamento, a resistncia Rth(sa) da UPS com SiC pode ser de 2, 4 at 10 vezes maior do que nas
variaes de silcio, dependendo da topologia. Ora, como quanto maior Rth(sa) , mais simples o
sistema de refrigerao da UPS, este resultado indica, grosso modo, que o custo dos dissipadores
e dos ventiladores pode ser menor na UPS com SiC. Esta reduo de custo, aliada ao aumento
de rendimento de at 15 % (observado no cenrio 4, entre as UPSs 2n de Si e de SiC), podem
tornar as UPSs com SiC viveis.
De fato, por inspeo dos resultados para os cenrios 2 e 6, nota-se que o mesmo sistema
de refrigerao pode ser adotado na UPS 2n com SiC frequncia fsw de 122, 88 kHz e na UPS
com arranjo 2n e NPC2 de silcio, com fsw de 30, 72 kHz. Um mesmo valor de Rth(sa) tambm
seria suficiente para a refrigerao de UPSs em NPC1 15, 36 kHz e com SiC 46, 08 kHz.

148

Captulo 5. Resultados

Tabela 5.7 Comparao entre os sistemas de refrigerao da UPS de dupla converso com temperatura de juno
mxima Tj(max) fixada em 125 C para os quatro mdulos de potncia em estudo.

Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

5, 0
1, 5
3, 2
3, 6

5, 0
1, 4
2, 7
4, 4

1, 9
1, 9
1, 1
1, 1

0, 11
0, 48
0, 20
0, 13

Perdas [%]

[%]

Mdulo
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)

88, 1
95, 2
93, 1
90, 9

Vind [L]
8, 7
8, 7
6, 1
6, 1

Cenrio 2 fsw = 30, 72 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

9, 7
2, 1
3, 6
6, 0

9, 0
1, 8
3, 0
7, 7

1, 8
1, 8
0, 9
0, 9

0, 03
0, 34
0, 15
0, 03

Perdas [%]

[%]

Mdulo
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)

79, 5
94, 3
92, 5
85, 5

Vind [L]
4, 1
4, 1
3, 6
3, 6

Cenrio 3 fsw = 46, 08 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

2, 8
4, 5

2, 2
2, 9

2, 0
0, 8

0, 24
0, 09

Perdas [%]

[%]

Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)

93, 0
91, 8

Vind [L]
4, 5
2, 3

Cenrio 4 fsw = 76, 8 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

4, 5

3, 0

2, 2

0, 12

Perdas [%]

[%]

Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)

90, 3

Vind [L]
2, 3

Cenrio 5 fsw = 107, 52 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

6, 7

3, 8

3, 0

0, 05

Perdas [%]

[%]

Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)

86, 5

Vind [L]
2, 0

Cenrio 6 fsw = 122, 88 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , Tj(max) = 125 C


Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)

Retificador

Inversor

Indutores

Rth(sa)
[K/W ]

8, 1

4, 2

3, 2

0, 03

Perdas [%]

[%]
84, 5

Vind [L]
2, 0

Como resultado desta simplificao do sistema de refrigerao, as UPSs com SiC podem,
inclusive, dispensar a necessidade de ventiladores. Como os ventiladores so suscetveis a falhas
recorrentes, estas UPSs poderiam, portanto, tambm introduzir ganhos quanto confiabilidade.

Captulo 5. Resultados

149

Por exemplo, se dois mdulos de SiC fossem associados em paralelo no cenrio 1 da Tabela 5.7,
em dissipadores distintos, a resistncia trmica mxima deste projeto seria de cerca de 1, 0 K/W .
Como esta resistncia pode ser atingida em dissipadores sem conveco forada, os ventiladores
poderiam ser dispensados neste projeto.
Outras variaes de projeto poderiam ainda elevar o valor da resistncia trmica mxima
Rth(sa) , como o uso de componentes discretos divididos entre os dissipadores. Para as UPSs
com componentes de silcio, para que este limite de resistncia trmica fosse atingido, um maior
nmero de chaves deveria ser associado em paralelo, por exemplo, inviabilizando o projeto. Como
esta anlise tambm depende de modelos trmicos mais exatos, que contemplem a distribuio
do calor em dissipadores com conveco natural, este ganho das UPSs com SiC no ser tratado
neste texto.
Em linhas gerais, portanto, h pelo menos trs filosofias de projeto que demonstram a
viabilidade de UPSs com componentes de SiC:
(i)

mantendo o sistema de refrigerao j adotado nas UPSs com silcio, para um mesmo
rendimento global a frequncia de chaveamento do projeto com SiC pode ser elevada
em trs a sete vezes, reduzindo o volume dos indutores dos filtros em 33 % a 75 %,
dependendo da topologia;

(ii)

mantendo a frequncia de chaveamento dos projetos de UPSs com silcio, o rendimento


pode ser elevado em 1, 2 % at cerca de 15 % com a opo por mdulos de SiC e o
sistema de refrigerao pode ser ainda simplificado, com o aumento da resistncia
trmica mxima Rth(sa) em at 0, 37 K/W ;

(iii)

mantendo o rendimento das UPSs com silcio, a frequncia de chaveamento pode ser
elevada em pelo duas vezes no conversor com SiC, aliando a reduo do volume dos
filtros (de no mnimo 33 %) simplificao do sistema de refrigerao (com o aumento
de Rth(sa) em at 0, 23 K/W ).

As anlises de viabilidade econmica de cada uma destas filosofias devem ser conduzidas
nas prximas fases desta pesquisa, para que os ganhos das UPSs com componentes de SiC sejam
ponderados pelos custos totais do projeto.

5.1.6

Comparao entre os mtodos online e offline

Esta seo compara os resultados dos mtodos online e offline, detalhados nas sees
4.1.1.3 e 4.1.1.2. Os resultados do mtodo offline, que presume a operao do dispositivo
em temperatura mxima, j foram abordados nas sees anteriores. Esta seo acrescenta as
estimativas do mtodo online para o estgio inversor de um dos projetos de UPS, com um dos
quatro mdulos em anlise (o FF75R12RT4, em topologia de dois nveis). Para este mdulo, o
fabricante informa as curvas de conduo dos diodos e dos transistores para temperaturas de
juno de 25 C, 125 C e 150 C e de chaveamento a estas duas ltimas temperaturas. Estas

150

Captulo 5. Resultados

curvas sero adotadas para inferir as perdas dos dispositivos em outras temperaturas de juno,
segundo o procedimento de interpolao descrito na seo 4.1.1.3. Os resultados para outros
mdulos sero omitidos aqui para simplificao do texto.
A Tabela 5.8 enumera as perdas de conduo Pcond , de chaveamento Pchav e a temperatura de juno Tj para um dos diodos (D1) e um dos transistores (Q1) do brao do mdulo
FF75R12RT4, em topologia 2n. Por argumento de simetria, a potncia total do estgio inversor,
tambm informada na Tabela 5.8, resulta da multiplicao da soma das perdas de Q1 e D1 por 6.
Tabela 5.8 Comparao entre os resultados dos mtodos online e offline.

Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , estgio inversor, FF75R12RT4
Diodo D1

Mtodo

Transistor Q1

Perdas totais

Pcond [W ]

Pchav [W ]

Tj [ C]

Pcond [W ]

Pchav [W ]

Tj [ C]

offline

3, 6

18, 2

70, 3

12, 0

49, 2

83, 2

online

4, 1

5, 5

58, 2

11, 4

42, 2

76, 3

[W ]
498, 0
(1, 00 p.u.)
379, 4
(0, 76 p.u.)

Como se depreende dos dados da Tabela 5.8, as perdas totais calculadas no estgio
inversor via mtodo online so cerca de 25 % menores do que no offline. Sendo assim, a hiptese
de que o dispositivo opera temperatura de juno mxima, no processo offline, de fato conduz
a estimativas conservadoras da potncia total dissipada no conversor.
Todavia, esta estimativa pode no ser conservadora para as perdas de conduo nos
componentes, como se deduz da comparao entre as perdas de D1 obtidas pelos mtodos online
e offline, dadas na Tabela 5.8. Isso ocorre em razo de variaes no coeficiente de temperatura
ao longo da caracterstica I V dos diodos e dos IGBTs, para uma dada tenso VGE . Para ilustrar
esta variao de , as curvas I V do diodo D1 e do transistor Q1 do mdulo FF75R12RT4
so apresentadas na Figura 5.31, para a tenso VGE em 15 V .
As retas pontilhadas perpendiculares ao eixo das abscissas nos grficos da Figura 5.31
indicam os pontos em que h uma variao de sinal no coeficiente de temperatura. Para o diodo
D1 do mdulo FF75R12RT4, o coeficiente de temperatura se torna negativo para correntes
inferiores a cerca de 100 A. Para o IGBT Q1 , o coeficiente de temperatura se mantm positivo
para a maior parte da faixa de correntes6 . Sendo assim, como resultado do aumento da resistncia
do diodo com a reduo da temperatura de juno, as perdas de conduo tendem a elevar com
esta reduo. Como o modelo online avalia a caracterstica I V do diodo a temperaturas
menores do que 150 C, maiores perdas de conduo decorrem deste mtodo, como se nota na
6

Esta tendncia dos coeficientes de temperatura ao longo da caracterstica do transistor varia em dispositivos
PT (Punch-Through) e NPT (Non Punch-Through) e deve ser considerada nas aplicaes que demandem a
associao paralela de IGBTs em que o coeficiente de temperatura positivo preferido.

151

Captulo 5. Resultados

Tabela 5.8. No IGBT, o contrrio ocorre na caracterstica I V e quanto maior a temperatura de


juno, maiores as perdas de conduo, o que tambm justifica o resultado da Tabela 5.8.
Figura 5.31 Caractersticas I V informadas no catlogo do mdulo FF75R12RT4
150

150

25 C
150 C

100

25 C
150 C

<0

Id [A]

Ic [A]

100

50

<0

>0

50
>0

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

V CE [V]

0,5

1,5

2,2

V d [V]

Curvas: (a) do transistor Q1, para VGE = 15 V ; (a) do diodo D1.


Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Em linhas gerais, portanto, o mtodo online pode ser adotado para que estimativas mais
reais da potncia dissipada nos semicondutores sejam derivadas. A validao experimental dos
resultados deste mtodo, todavia, em virtude de dificuldades prticas de medio das perdas em
conversores e de caracterizao trmica do sistema de refrigerao, ser conduzida em outras
etapas desta pesquisa.

5.2

Resultados experimentais

Nesta seo, apresentam-se os resultados dos ensaios experimentais propostos para validao das estimativas tericas de perdas. Inicialmente, a concordncia entre estas estimativas
e as medies do wattmetro WT1800 (Yokogawa) em um conversor buck de 5, 5 kW , considerando as incertezas associadas s leituras, avaliada. Na sequncia, os resultados do prottipo
experimental do calormetro indireto srie so descritos.

5.2.1

Resultados de medies com wattmetro

Esta seo apresenta parte dos resultados experimentais da montagem detalhada na seo
4.2.1. Os resultados da comparao entre as medies das perdas globais do conversor buck e as
estimativas tericas j foram publicados nos anais do COBEP 2015 (Brazilian Power Electronics
Conference)7 e sero discutidos brevemente nesta seo.
7

Trabalho publicado pelos autores Cota et al. (2015).

152

Captulo 5. Resultados

Para minimizar a incerteza da medio, os ensaios aqui apresentados foram a operao


do conversor com rendimentos menores (como se discute na seo 2.3.1). Para tanto, a tenso do
barramento c.c. VDC mantida em cerca de 200 V e a frequncia de chaveamento atribuda a
valores maiores ou iguais a 15 kHz. Como o conversor opera em malha aberta, com duty-cycle
fixo de 0, 8, a tenso VDC ajustada manualmente para cada condio de carga (via varivolt),
para manter a tenso de sada Vout constante (de 160 V ).
Nos ensaios, o wattmetro WT1800 armazena as leituras para cada nvel de carga em
arquivos .csv. Para que as condies reais do conversor sejam reproduzidas em simulao no
software MATLAB, as tenses Vout e VDC e a potncia de carga Pout so recuperadas destes arquivos. Em razo de dificuldades na caracterizao da resistncia trmica do conjunto dissipador +
ventilador, adota-se aqui o mtodo offline para o clculo de perdas (seo 4.1.1.2). Assim, os
vetores de corrente no transistor e no diodo so aqueles derivados das simulaes temporais e
as estimativas de perdas nos semicondutores pressupem a operao temperatura de juno
mxima.
J as perdas no indutor de filtro so calculadas a partir da ferramenta detalhada na seo
4.1.2. A potncia dissipada nos capacitores de filtro e de entrada do conversor so desprezadas.
Como resultado, as perdas globais foram aproximadas pela soma das potncias dissipadas apenas
nos semicondutores e no indutor de filtro.
Os grficos da Figura 5.32 apresentam os resultados da comparao entre as estimativas
tericas e as medies para as frequncias de chaveamento de 15 kHz e 20 kHz. As incertezas
associadas s leituras de perdas (e assim, do rendimento global) so calculadas com base na
equao 2.35.
Figura 5.32 Rendimento global do conversor buck calculado e medido via wattmetro, para vrias potncias de
carga Pout .

100

fsw = 15 kHz
Clculo
Medio

99
98
97

fsw = 20 kHz
Clculo
Medio

99

[%]

[%]

100

98
97

96

96

95
1.4 2 2.6 3.2 3.8 4.4 5 5.6

95
1.4 2 2.6 3.2 3.8 4.4 5 5.6

out

[kW]

P out [kW]

Rendimento global para a frequncia de chaveamento fsw de: (a) 15 kHz; (b) 20 kHz.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se deduz dos resultados da Figura 5.32, as estimativas tericas de rendimento


global se situam nos intervalos definidos pelas incertezas nas leituras. Todavia, os rendimentos

153

Captulo 5. Resultados

calculados diferem do limite superior da faixa de incerteza de medio em cerca de 0, 15 %,


nos casos com maiores potncias de sada. Assim, a previso de que estes rendimentos fossem
inferiores aos medidos, por representarem o pior caso, no se verifica. Isso provavelmente se
deve s inconsistncias entre os parmetros reais e os modelados em simulao. Algumas das
provveis fontes de erro decorrem, provavelmente: (i) da disperso natural entre as caractersticas
reais e catalogadas no datasheet do componente; (ii) da impossibilidade de reproduzir as condies em que estas caractersticas se aplicam; (iii) da indefinio nas energias de chaveamento
dos dispositivos para correntes mais baixas, estimadas por extrapolao; (iv) da incerteza nos
parmetros construtivos do indutor de filtro e (v) dos erros que resultam da hiptese de que os
efeitos pelicular e de proximidade podem ser desprezados.
Por outro lado, as tentativas de medio apenas das perdas nos semicondutores via
wattmetro, sem a incluso do filtro LC, levam a incertezas maiores do que as perdas do conversor.
Como consequncia, as leituras de potncia de sada, em algumas medies, superam as da
potncia de entrada, em um cenrio sem sentido fsico.
Todas estas dificuldades, portanto, apontam para a inexatido do mtodo de medio
eltrica de perdas. Por esta razo, este trabalho prope uma tcnica alternativa que se baseia no
princpio calorimtrico e que independe das formas de onda ou do rendimento do conversor. Os
resultados preliminares do prottipo de calormetro desenvolvido seguem na seo 5.2.2.

5.2.2

Resultados preliminares no prottipo de calormetro

Esta seo apresenta os resultados preliminares no prottipo experimental de calormetro


indireto srie, detalhado na seo 4.2. Em razo dos problemas de compatibilidade eletromagntica relatados na subseo 4.2.2.2, so conduzidos apenas ensaios com resistores de potncia
de cerca de 12 , nas caixas de referncia (CR) e de medio (CM). A descrio destes ensaios
consta na Tabela 5.9.
Tabela 5.9 Ensaios propostos no prottipo.

Descrio

Ensaio
Condio inicial
1
2
3
4
5

Caixa de referncia pr-aquecida, a cerca de 70 C


Caixas mesma temperatura inicial
Caixas mesma temperatura inicial, comando feed-forward no
controlador de temperatura
Caixas mesma temperatura inicial, comando feed-forward no
controlador de temperatura
Caixas mesma temperatura inicial, comando feed-forward no
controlador de temperatura

Tampa
Metal + isolante + metal
Metal + isolante + metal
Metal + isolante + metal
Cobre, sem furos
Cobre, com padro de furos

Nos trs ensaios iniciais, tampas em estrutura sanduche (metal + isolante + metal), que
originalmente compem as caixas em teste, so utilizadas. No ensaio 1, a caixa de referncia

Captulo 5. Resultados

154

foi pr-aquecida at cerca de 70 C, enquanto o controle de temperatura de CM se mantinha


desabilitado. Depois que aquela temperatura era atingida em CR, o controle era habilitado e
impunha potncia plena ao resistor de CM, at a convergncia das temperaturas nas duas caixas.
Na sequncia, o controle passa a ajustar o duty-cycle do conversor buck para aquele que prov
uma potncia no resistor de CM (PCM ) igual de CR (PCR ). Este teste pretende avaliar se a
condio de equivalncia entre PCM e PCR depende, de algum modo, do estado inicial ou da
dinmica inicial de aquecimento. Este ensaio tambm sugerido por Itoh e Nigorikawa (2012).
Como alternativa para a reduo do tempo de execuo do ensaio, prope-se o teste
2, tambm indicado por Itoh e Nigorikawa (2012), em que CM e CR partem de temperaturas
iniciais iguais. No instante em que o resistor de CR passa a dissipar a potncia PCR > 0, o
controle de temperatura j est ativo. Neste ensaio, portanto, a ao do controle antecipada e
passa a corrigir menores diferenas de temperaturas, em comparao com o teste 1.
No terceiro ensaio, as caixas CM e CR tambm partem de temperaturas iguais. Todavia,
a ao inicial do controle ajustada, por tentativa, para o valor que leva inclusive equivalncia
entre as dinmicas de aquecimento nos instantes iniciais, nas duas caixas. Na prtica, um valor
inicial somado a este controle, como uma ao feed-forward. O controlador, portanto, converge
mais rapidamente para o valor final e, mesmo em regime transitrio, as potncias PCR e PCM
so iguais. Como resultado, o tempo de durao do ensaio 3 menor do que no ensaio 2, j que
a leitura de perdas pode ser efetuada antes que se atinja o regime permanente.
Ao longo dos trs ensaios anteriores, todavia, a temperatura em CR excede, provavelmente, a temperatura limite de operao de um conversor (presumida em 40 C). Na tentativa
de que esta temperatura fosse reduzida, as tampas originais das duas caixas so substitudas
por chapas de cobre de espessura aproximada em 0,2 mm. No ensaio 4, estas chapas so lisas,
sem furos. J no ensaio 5, chapas com um padro matricial de furos, com 165 furos de 8 mm,
so testadas. Para facilitar a entrada de ar pela abertura de cerca de 4 cm de dimetro, por onde
transpassam os cabos, as caixas so elevadas a uma altura aproximada de 15 cm em relao ao
solo, neste ltimo teste.
Em todos os cinco ensaios, o wattmetro Yokogawa WT1800 mede a potncia dissipada
pelos resistores de CR (PCR ) e CM (PCM ). Este wattmetro s foi adicionado nos ensaios
propostos para que as leituras do prottipo fossem validadas. Assim, se como resultado do
controle de temperatura as medies de PCR e PCM forem equivalentes ao fim do ensaio (ou se
exibirem diferenas tolerveis), ento as perdas em CR podem ser medidas, indistintamente, a
partir da medio da potncia dissipada em CM. Os ensaios com o wattmetro e com resistor
de potncia em CR, portanto, servem para aferio da montagem proposta. Aps esta aferio,
a medio de potncia em CM pode ser efetuada, por exemplo, por meio de voltmetros e
ampermetros e o uso de wattmetros se torna dispensvel.
Rigorosamente, cada ensaio s deveria ser encerrado na condio de regime permanente.
Para tanto, todavia, a medio deveria perdurar por no mnimo 3h. Para que este tempo fosse

155

Captulo 5. Resultados

abreviado, arbitra-se, como condio de parada dos testes, o estado em que a diferena entre a
temperatura em CM e de CR no excede 1 %.
A Tabela 5.10 apresenta os resultados das medies de potncia do wattmetro e do
prottipo, ao fim de cada ensaio. As incertezas nas leituras so tambm indicadas nesta tabela. A
incerteza na leitura do wattmetro WT1800 para sinais em c.c. de 0, 05 % 0, 1 % da faixa
(em 5 A e 60 V , para os nveis de potncia avaliados). J a incerteza associada leitura de PCM
pelo prottipo calculada a partir do ensaio de calibrao detalhado na seo 4.2.2.6, assumindo
que o wattmetro seja um padro de calibrao exato. Assim, como se infere da Tabela 5.10
os desvios entre as potncias em CM e CR so, no mximo, de cerca de 5 %. Sendo assim,
a potncia dissipada por um conversor em CR de qualquer rendimento pode ser estimada, a
menos de erros de 5 %, a partir da leitura de potncia no resistor de CM. Este erro pode ser ainda
reduzido, por exemplo, se o regime permanente for atingido. Outros ensaios foram conduzidos
com outros nveis de potncia em CR e os erros mximos, de fato, no superam 5 %.
Tabela 5.10 Medies de potncia do wattmetro e do prottipo.

Wattmetro
Ensaio
1
2
3
4
5

Prottipo

PCR(w) [W]

PCM (w) [W]

PCM (p) [W]

75, 7 0, 3
84, 0 0, 3
77, 4 0, 3
75, 3 0, 3
73, 5 0, 3

75, 3 0, 3
80, 0 0, 3
76, 0 0, 3
77, 5 0, 3
71, 7 0, 3

74, 4 0, 7
81, 5 0, 7
76, 6 0, 7
76, 0 0, 7
74, 0 0, 7

Erros mximos [%]





PCM (w) PCM (p) PCM (w) PCR(w)
2, 5
1, 4
0, 6
3, 2
2, 7

0, 5
4, 8
1, 8
3, 8
2, 5

Em todos os ensaios, so tambm avaliadas as temperaturas mdias dos sensores e o erro


T entre as temperaturas nas duas caixas. Ao fim da execuo do ensaio, o erro P entre PCM e
o valor final desta grandeza PCM (f inal) tambm estimado, em todos os instantes do teste. Os
erros percentuais T e P so definidos como:
TCM TCR
100,
TCR
PCM PCM (f inal)
P [%] =
100.
PCM (f inal)
T [%] =

(5.1)
(5.2)

Os resultados para estas grandezas, no primeiro ensaio, constam na Figura 5.33. Como
se nota nesta figura, a diferena inicial entre as temperaturas de CM e de CR era de cerca de
30 C. Por cerca de 40 min, o controle impe duty-cycle unitrio ao conversor buck, para que o
resistor de CM seja alimentado em potncia plena. No instante em que h a convergncia entre
as temperaturas, esta potncia se reduz at atingir o valor de 70 W . A partir deste instante as
temperaturas TCM e TCR se mantm equivalentes, a menos de erros de 1 %. Como a resposta
em temperatura exibe oscilaes, o teste estendido por mais 40 min, depois daquele instante.
No fim do ensaio, aqueles erros so inferiores a 0, 5 %. A leitura de potncia em CM, apesar de
no ter se estabilizado, se desvia do valor final em menos de 3 % a partir do instante t = 55 min.

156

Captulo 5. Resultados

Como se infere deste ensaio, portanto, a condio de equivalncia entre as potncias dissipadas
nas duas caixas independe do histrico inicial de temperaturas. A temperatura final em CM e CR
foi de cerca de 75 C.

70
60

TCR
TCM

50
40
20

40
60
Tempo [min]

80

20
0
-0.5

-20

-40

0.5

-60
0

20

(a)

90

30
Erro de potncia [%]

Potncia dissipada em CM [W]

Erro de temperatura [%]

Temperatura [C]

Figura 5.33 Resultados do ensaio 1, com descrio dada na Tabela 5.9.

85
80
75
70
0

20

40
60
Tempo [min]

80
(c)

40
60
Tempo [min]

80
(b)

20

0
-2

10
0
-10
0

20

40
60
Tempo [min]

80
(d)

Grficos: (a) temperatura da caixa de referncia (TCR ) e de medio (TCM ) em funo do


tempo; (b) erro percentual T entre as temperaturas TCR e TCM em funo do tempo; (c)
evoluo potncia dissipada em CM (PCM ), medida pelo prottipo; (d) erro percentual P
entre o valor atual e o valor final de PCM , em cada instante.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

J os resultados do segundo ensaio so apresentados na Figura 5.34. Neste teste, a


diferena inicial entre as temperaturas de CM e de CR aproximadamente nula. Por cerca
de 20 min, o controle impe duty-cycle unitrio ao conversor buck. No instante em que TCM
equivale TCM , esta potncia se reduz at atingir o valor de 78 W . A partir deste instante as
temperaturas TCM e TCR se mantm aproximadamente iguais, a menos de erros de 1, 5 %. O
teste estendido por mais 50 min, depois deste instante. No fim do ensaio, os desvios entre TCM
e TCR so inferiores a 0, 5 %. A leitura de potncia em CM se desvia do valor final em menos
de 3 % a partir do instante t = 40 min. O tempo necessrio para que a potncia atingisse este
erro em relao ao valor final 25 % menor do que no ensaio 1. Assim, como sugere Itoh e
Nigorikawa (2012), iniciar o teste com temperaturas iguais em CM e CR de fato leva reduo
do tempo de convergncia entre as potncias nestas caixas. A temperatura final foi de 81 C,
maior do que no ensaio 1, em razo do aumento da potncia do resistor de CR de cerca de 75 W
para 84 W .
J os resultados do ensaio 3 so representados na Figura 5.35. Neste ensaio, uma ao
feed-forward introduzida para que, desde o incio, a dinmica de aquecimento em CM rastreie
aquela em CR, como se nota na Figura 5.35(a).

157

Captulo 5. Resultados

80
60
TCM
TCR

40
20
50
100
Tempo [min]

82
81
80
79

0
0

-0.5

-10

0
0.5
-20
0

100

50

50
100
Tempo [min]

(a)
Erro de potncia [%]

Potncia dissipada em CM [W]

Erro de temperatura [%]

Temperatura [C]

Figura 5.34 Resultados do ensaio 2, com descrio dada na Tabela 5.9.

(b)

0
2

-50

0
-2

-100

50
100
Tempo [min]

50
100
Tempo [min]

(c)

(d)

Grficos: (a) temperatura da caixa de referncia (TCR ) e de medio (TCM ) em funo do


tempo; (b) erro percentual T entre as temperaturas TCR e TCM em funo do tempo; (c)
evoluo potncia dissipada em CM (PCM ), medida pelo prottipo; (d) erro percentual P
entre o valor atual e o valor final de PCM , em cada instante.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

60

(7,1 min, 46,3 C)

50
TCR

40

TCM

30
5

10
Tempo [min]

1
0.5
0
-0.5
-1

15

(a)

80

10
Tempo [min]

15
(b)

5
Erro de potncia [%]

Potncia dissipada em CM [W]

Erro de temperatura [%]

Temperatura [C]

Figura 5.35 Resultados do ensaio 3, com descrio dada na Tabela 5.9.

75

70
0

10
Tempo [min]

0
(7,1 min, 2,8 %)
-5

15

0
(c)

10
Tempo [min]

15
(d)

Grficos: (a) temperatura da caixa de referncia (TCR ) e de medio (TCM ) em funo do


tempo; (b) erro percentual T entre as temperaturas TCR e TCM em funo do tempo; (c)
evoluo potncia dissipada em CM (PCM ), medida pelo prottipo; (d) erro percentual P
entre o valor atual e o valor final de PCM , em cada instante.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

158

Captulo 5. Resultados

No ensaio 3, o desvio entre as temperaturas TCM e TCR menor do que 1 %, desde o


incio do teste. O tempo necessrio para que a potncia se desvie apenas 3 % em relao ao valor
final de cerca de 7 min. H, portanto, uma reduo de 80 % deste tempo, em comparao com
o ensaio 2. Isto implica que depois de 7 min de ensaio, a leitura de potncia em CM j prov
uma aproximao razovel da leitura final (com erro de 3 %) e, assim, da potncia em CR. A
temperatura no fim do teste de 60 C, que, como nos ensaios anteriores, se torna proibitiva para
a operao do conversor. Ainda que a leitura de potncia seja antecipada para aquele instante
t = 7 min, a temperatura em CR j neste ponto atinge 46, 3 C.
Os dois ensaios subsequentes representam tentativas de reduo das temperaturas em
CM e CR, para que no violem o limite de temperatura ambiente para a operao do conversor
(presumido em 40 C). Os resultados da Figura 5.36 se referem ao ensaio em que se reproduz o
teste 3 com uma tampa de cobre, lisa e sem furos. Como se infere desta figura, mesmo com a
tampa de cobre, as temperaturas em CM e CR ainda convergem, a menos de desvios inferiores a
0, 5 %. A temperatura em regime permanente, ainda assim, supera o limite de 40 C. A partir do
instante t = 43 min, o desvio da leitura de PCM em relao ao valor final se torna menor do que
3 %. Neste ponto, todavia, a temperatura de 72 C e tambm excede aquele limite trmico. O
uso de tampas de metal lisas no se torna, portanto, suficiente para que a temperatura no supere
aquele limite.

Temperatura [C]

80
70

TCM

60

TCR

50

(42,3 min, 72 C)

40
30
50
Tempo [min]

2
1.5
1
0.5
0
-0.5

100
(a)

50
Tempo [min]

100
(b)

85
Erro de potncia [%]

Potncia dissipada em CM [W]

Erro de temperatura [%]

Figura 5.36 Resultados do ensaio 4, com descrio dada na Tabela 5.9.

80
75
70
0

50
Tempo [min]

100
(c)

0
(42,3 min, 3,0 %)
-5
0

50
Tempo [min]

100
(d)

Grficos: (a) temperatura da caixa de referncia (TCR ) e de medio (TCM ) em funo do


tempo; (b) erro percentual T entre as temperaturas TCR e TCM em funo do tempo; (c)
evoluo potncia dissipada em CM (PCM ), medida pelo prottipo; (d) erro percentual P
entre o valor atual e o valor final de PCM , em cada instante.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

No ltimo ensaio, estas tampas de metal so perfuradas em um padro de 165 furos de


8 mm, para que o fluxo de ar pelos orifcios contribua para o resfriamento de CM e de CR. Os

159

Captulo 5. Resultados

resultados deste ensaio seguem na Figura 5.37. A temperatura final do ensaio supera, novamente,
o limite de 40 C. No instante em que o erro de potncia passa a ser inferior a 3 %, a temperatura
, todavia, de 34 C. A leitura de potncia em CM, portanto, poderia ser efetuada neste ponto
sem que se incorresse em erros significativos em relao ao valor final e sem que o limite trmico
fosse excedido. Todavia, a no-violao deste limite para estes nveis de erro s ocorre nos
casos em que PCR no excede 75 W . Supondo um rendimento de 85 % como referncia, apenas
conversores que operassem com potncia de sada de at 500 W poderiam ser ensaiados no
prottipo.

Temperatura [C]

70
60
50
TCM

40

TCR

(1,1 min, 34 C)

30

10

20
30
Tempo [min]

2
1.5
1
0.5
0
-0.5

40
(a)

78

10

20
30
Tempo [min]

40
(b)

4
Erro de potncia [%]

Potncia dissipada em CM [W]

Erro de temperatura [%]

Figura 5.37 Resultados do ensaio 5, com descrio dada na Tabela 5.9.

76
74
72
70
0

10

20
30
Tempo [min]

40
(c)

(28,7 min, -2,8 %)

2
0
-2

(1,1 min, -2,7 %)

-4
-6
0

10

20
30
Tempo [min]

40
(d)

Grficos: (a) temperatura da caixa de referncia (TCR ) e de medio (TCM ) em funo do


tempo; (b) erro percentual T entre as temperaturas TCR e TCM em funo do tempo; (c)
evoluo potncia dissipada em CM (PCM ), medida pelo prottipo; (d) erro percentual P
entre o valor atual e o valor final de PCM , em cada instante.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

5.3

Concluses do captulo

Neste captulo, foram apresentados os resultados desta pesquisa, derivados de simulaes


e de ensaios experimentais. Inicialmente, comparam-se as perdas nos estgios inversor e retificador de parte das variaes de UPSs de dupla converso em anlise neste trabalho, enumeradas
na seo 3.1. As perdas nos indutores dos filtros de entrada e de sada e o rendimento global de
algumas destas variaes de UPS so tambm avaliados. Estas anlises comparativas pretendem
delimitar as condies de operao que favorecem cada uma das topologias de conversores (dois
nveis, NPC1 e NPC2) e estimar os ganhos de rendimento que decorrem do uso de dispositivos
de SiC, por exemplo. Com base nestes resultados, a viabilidade dos dispositivos de SiC para
aplicao em UPSs de dupla converso discutida, quanto aos critrios de rendimento, volume

Captulo 5. Resultados

160

dos filtros e complexidade do sistema de refrigerao. A comparao entre os mtodos online e


offline de clculo de perdas encerra as anlises tericas deste captulo. Por fim, os resultados de
ensaios experimentais nas montagens do conversor buck e no prottipo de calormetro indireto
srie so apresentados.
As anlises tericas indicam que, dentre as variaes com componentes de silcio, as
UPSs com conversores em topologia NPC1 exibem maior rendimento na maior parte dos 80
projetos avaliados. A topologia NPC2 s se revela mais vivel quanto ao critrio de rendimento
em alguns dos projetos com menores tenses de barramento c.c. e frequncias de chaveamento.
J o rendimento das variaes de UPS com conversores em topologia dois nveis e dispositivos de
SiC supera o das UPSs com componentes de silcio, em quaisquer topologias, para a maioria dos
projetos. Ademais, o uso de dispositivos de SiC em UPSs pode ainda simplificar os sistemas de
refrigerao, reduzir o volume dos filtros e, assim, contribuir para a compactao das UPSs. Cabe
salientar, todavia, que no necessariamente os resultados tericos desta pesquisa se estendem
a outros projetos de UPS, j que o desempenho de cada topologia ou mdulo semicondutor
depende das condies de operao. H, portanto, a necessidade de repetir as anlises aqui
conduzidas para novos projetos de UPS. Todavia, esta tarefa se torna relativamente simples com
o uso das ferramentas computacionais desenvolvidas neste trabalho.
J os resultados experimentais demonstraram que as estimativas tericas de rendimento
do conversor buck se aproximam das medies via wattmetro, se as incertezas nas leituras forem
consideradas. Os ensaios com resistores de potncia no prottipo de calormetro validaram a
montagem e o uso para medio de perdas. Entretanto, como a temperatura interna se torna
proibitiva para a operao de conversores durante o ensaio, o projeto do prottipo deve ser
adaptado para que as perdas em conversores possam ser medidas.

161

6 CONCLUSES E PROPOSTAS DE
CONTINUIDADE
Nesta dissertao, comparam-se os rendimentos globais de UPSs de dupla converso em
topologias trifsicas de dois nveis (2n) e de trs nveis (3n), nos arranjos com neutro grampeado
NPC1 e NPC2. Os projetos em topologia 2n com mdulos de silcio e de carbeto de silcio e nos
arranjos NPC1 e NPC2, com componentes de silcio, so qualificados quanto ao rendimento em
80 variaes de UPS. Estas variaes se diferenciam nas especificaes de potncia nominal,
tenso do barramento c.c. e frequncia de chaveamento, enumeradas na seo 3.1.
Para tanto, propem-se simulaes das UPSs de dupla converso, nas trs topologias, no
ambiente MATLAB/Simulink. Estas simulaes implementam tcnicas de controle em coordenadas sncronas (dq0) nos estgios inversor e retificador, detalhadas na seo 3.2. Os controladores
foram sintonizados por rotinas automticas em cada uma das 80 variaes de UPS, segundo
critrios arbitrados para a rigidez dinmica do sistema. J os filtros LCL de entrada e LC de
sada foram dimensionados a partir dos procedimentos descritos na seo 3.3.
Na sequncia, ferramentas de software no ambiente MATLAB foram implementadas para
que as perdas nos semicondutores nos estgios inversor e retificador, bem como nos indutores dos
filtros de entrada e de sada, fossem estimadas. Para avaliar as perdas nos semicondutores, duas
abordagens, referidas neste trabalho por mtodo offline e online e discutidas na seo 4.1.1, foram
propostas. A primeira presume a operao do dispositivo na condio de mxima temperatura de
juno, em que as estimativas de perdas totais tendem a ser conservadoras. J a segunda infere a
potncia dissipada no componente para a temperatura de juno derivada do modelo trmico,
em um cenrio mais realista. Por outro lado, as perdas nos indutores de filtro foram estimadas
pela soma das parcelas de perdas joulicas nos enrolamentos e de perdas no ncleo, calculadas
com base na formulao iGSE (improved Generalized Steinmetz Equation). Os indutores so
projetados segundo uma rotina iterativa que ajusta os parmetros fsicos (nmero de espiras, de
unidades em srie/paralelo, etc.) para que restries de fator de utilizao da janela do ncleo
e de densidade de fluxo sejam atendidas. A metodologia de projeto e de clculo de perdas nos
indutores abordada na seo 4.1.2.
Para fins de validao experimental destas estimativas, medies eltricas de perdas via
wattmetro digital so conduzidas em um conversor buck. Para reduzir as incertezas associadas s
leituras de potncia dissipada no conversor, um prottipo de calormetro indireto srie tambm
desenvolvido. Os detalhes destas duas montagens experimentais so discutidos na seo 4.2.
Os resultados tericos da comparao do rendimento das trs topologias indicam que
as UPSs de dupla converso em arranjo de trs nveis NPC1 exibem maior rendimento global

Captulo 6. Concluses e propostas de continuidade

162

dentre as UPSs com componentes de silcio, para a maior parte dos 80 projetos em anlise. Os
projetos em topologia NPC2 s se revelam mais viveis quanto ao rendimento em algumas
variaes de UPS com menores tenses de barramento c.c. e frequncias de chaveamento. J o
rendimento global das UPSs base de SiC suplanta o das variaes de silcio para a maioria dos
projetos, o que acena para a viabilidade dos mdulos de SiC tambm nestas aplicaes. Ademais,
como tambm indicam os resultados, a seleo por mdulos de SiC no s incide no aumento
do rendimento, como tambm na simplificao dos sistemas de refrigerao e/ou na reduo do
volume dos elementos passivos dos filtros. Todos estes resultados tericos foram apresentados
na seo 5.1.
Prev-se, contudo, que estes resultados no se apliquem para novos conjuntos de especificaes de UPS ou para novos mdulos de potncia. Isso impe a necessidade de repetir as
anlises comparativas nestes novos cenrios, para delimitar as faixas de operao em que cada
topologia se mostra vivel. Entretanto, esta tarefa de reavaliao do desempenho, em novas
condies, se torna relativamente simples com o uso das ferramentas propostas neste trabalho.
Na sequncia, os resultados das montagens experimentais foram detalhados (seo 5.2).
Os resultados de medies de perdas com wattmetro digital apontam para a concordncia entre
as leituras e as estimativas tericas de perdas globais na montagem do conversor buck, se as
faixas de incerteza nestas leituras forem consideradas. Todavia, a previso de que os resultados
tericos de perdas fossem superiores aos medidos, por retratarem o pior cenrio de operao
do dispositivo semicondutor, no se confirma em alguns ensaios. Isso provavelmente se deve s
inconsistncias entre os parmetros modelados em simulao e os reais (e.g., as caractersticas
dos mdulos de potncia e os dados construtivos dos indutores). Ademais, as tentativas de
medio isolada das perdas nos semicondutores no retornaram resultados satisfatrios, j que a
incerteza nas medies superava o prprio valor destas perdas.
Para que a medio de perdas independesse do rendimento do conversor ou da distoro
harmnica das formas de onda, os ensaios passaram a ser conduzidos no prottipo de calormetro
indireto srie. Em razo dos problemas de compatibilidade eletromagntica relatados na seo
4.2.2.2, os conversores no puderam ser ensaiados. Sendo assim, apenas testes com resistores de
potncia foram propostos. Estes testes validaram a operao do prottipo como calormetro e
serviram calibrao das leituras. Todavia, mesmo com sucessivas adaptaes na montagem,
as temperaturas internas nas cmaras atingiam temperaturas proibitivas para a operao de
conversores, durante os testes. Assim, novas adaptaes no prottipo devem anteceder os ensaios
finais com conversores.
Em suma, portanto, os objetivos iniciais desta pesquisa foram atingidos. Como propostas
de continuidade do trabalho, enumeram-se as aes:
(i)

corrigir os problemas de compatibilidade eletromagntica na montagem experimental do


calormetro (e.g., a partir do encurtamento dos cabos do gate driver e da realocao dos
canais de medio, para minimizao de loops de corrente);

Captulo 6. Concluses e propostas de continuidade

163

(ii)

propor adaptaes na montagem do calormetro, para que a temperatura ambiente no


seja proibitiva para os conversores (e.g., adio de outras aberturas nas duas caixas
ou alargamento da abertura inferior, aliada ao uso de ventiladores com controle de
velocidade para bombeamento do ar interno para o meio externo, etc.);

(iii)

validar as estimativas tericas de potncia dissipada nos conversores, derivadas dos


mtodos online e offline, com base nos resultados experimentais do calormetro;

(iv)

validar a metodologia de projeto de indutores, a partir de ensaios experimentais nos


indutores assim dimensionados;

(v)

validar os modelos trmicos propostos, inclusive de regime transitrio, a partir da medio


de temperatura em alguns pontos do dissipador e da leitura indireta da temperatura de
juno, via medio da tenso coletor-emissor dos IGBTs;

(vi)

conduzir as anlises trmicas em programas com soluo numrica via elementos finitos,
para que, por exemplo, a dependncia entre a resistncia trmica do dissipador e a
distribuio de temperaturas ao longo da superfcie seja modelada;

(vii)

repetir as anlises comparativas das topologias trifsicas para os projetos com dispositivos
discretos, no com mdulos de potncia;

(viii)

incluir, no programa proposto para estimar as perdas via abordagem offline, o clculo
das perdas em MOSFETs com curvas no-informadas em catlogo;

(ix)

desenvolver estudos sistmicos de viabilidade tcnica, econmica e prtica dos projetos


de UPS com carbeto de silcio;

(x)

construir um prottipo de UPS de carbeto de silcio, em parceria com a empresa proponente deste projeto P&D, para que os ganhos de rendimento apontados nesta pesquisa
sejam avaliados experimentalmente.

Supe-se que esta pesquisa se aplica, genericamente, a qualquer conversor esttico e no s s


UPSs. Sendo assim, as ferramentas implementadas podem orientar o projeto de equipamentos
mais eficientes e com maior densidade de potncia. Como o uso racional da energia se figura na
agenda ambiental do planeta e j foi includo como meta no marco institucional de alguns pases,
como o Brasil, pesquisas nesta rea contribuem para que a Engenharia tambm se alinhe com
estas novas perspectivas. Ademais, estudos apontam que o investimento em projetos de eficincia
energtica desonera investimentos maiores em sistemas de gerao e distribuio de energia
(IEA, 2006). Portanto, pesquisas nesta rea talvez sejam mais urgentes do que a proposio de
novas fontes alternativas de energia.

164

REFERNCIAS
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Apndices

170

APNDICE A FERRAMENTA EM
EXCEL PARA GERAO DE
RELATRIOS
Este apndice apresenta, brevemente, as ferramentas desenvolvidas em ambiente Excel
para gerao de relatrios com os resultados de simulaes do programa PerdasOffline. Estas
planilhas foram programadas com macros em VBA (Visual Basic for Applications) e objetivam
documentar, de forma legvel e intuitiva ao usurio, estes resultados. Para tanto, basta que o
usurio selecione os diretrios dos arquivos .txt com o vetor de corrente simulado e com
o relatrio gerado pelo PerdasOffline. A estrutura e a funo dos vetores de corrente j foram
abordadas na seo 4.1.1.2. A formatao dos relatrios .txt de sada do programa PerdasOffline, para as simulaes de topologias 2n, NPC1 e NPC2 consta na Figura A.1. Os resultados
para as perdas em cada componente e para as temperaturas de juno, de encapsulamento e de
dissipador so armazenados nestes arquivos. As condies de simulao do conversor tambm
so salvas no corpo destes arquivos, em cabealhos.
A planilha de importao de resultados de simulaes de topologias 2n segue na Figura
A.2. Outras duas planilhas, que documentam os resultados de simulaes dos arranjos NPC1 e
NPC2, foram tambm desenvolvidas.

Dados

a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000932;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000006;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;2-nveis;;
o) Mdulo em uso;FF75R12RT4;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\2n_Si\TwoLev30.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;4.145697;0.000000;47.284297;47.284297;51.429994;;
b) Q1;11.118440;68.798185;59.792762;128.590947;139.709387;;
c) D2;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
d) Q2;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
e) D5;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
f) Totais;15.264137;68.798185;107.077060;175.875244;191.139381;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;87.726509;57.897112;;
b) Q1;116.153809;63.064242;;
c) D2;0.000000;0.000000;;
d) Q2;0.000000;0.000000;;
e) D5;0.000000;0.000000;;
f) Ts;51.468363;;
#EOF

Cabealho

Figura A.1 Formatao dos relatrios gerados pelo programa PerdasOffline.

(a)

171

Dados
Cabealho

a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000466;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000013;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;NPC2;;
o) Mdulo em uso;F3L150R12W2H3;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\Resultados 25-05\npc2\NPC230.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
b) Q1;4.697776;28.144069;71.226833;99.370902;104.068678;;
c) D2;7.987216;0.000000;10.424622;10.424622;18.411838;;
d) Q2;8.359236;15.455952;17.138045;32.593997;40.953233;;
e) D5;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
f) Totais;21.044227;43.600021;98.789500;142.389521;163.433749;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;49.806025;49.806025;;
b) Q1;112.247232;81.026628;;
c) D2;72.820822;60.853127;;
d) Q2;103.045228;74.377965;;
e) D5;0.000000;0.000000;;
f) Ts;49.806025;;
#EOF

(b)

Dados

a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000466;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000013;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;NPC1;;
o) Mdulo em uso;F3L75R07W2E3;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\npc1\NPC130.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
b) Q1;4.877269;7.027268;23.601710;30.628978;35.506247;;
c) D2;0.000000;0.000000;0.002155;0.002155;0.002155;;
d) Q2;13.723464;0.000000;0.000000;0.000000;13.723464;;
e) D5;7.924950;0.000000;19.506363;19.506363;27.431314;;
f) Totais;26.525683;7.027268;43.110229;50.137497;76.663180;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;44.599791;44.599791;;
b) Q1;85.431975;64.128227;;
c) D2;44.603024;44.601299;;
d) Q2;60.381774;52.147696;;
e) D5;76.145802;58.315448;;
f) Ts;44.599791;;
#EOF

Cabealho

APNDICE A. Ferramenta em Excel para gerao de relatrios

(c)

Relatrios para simulaes de topologias: (a) dois nveis, (b) NPC1, (c) NPC2.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Como se nota na Figura A.2, botes esquerda abrem janelas para seleo dos arquivos
com os vetores e com os relatrios. As formas de onda nos transistores e nos diodos so exibidas
em grficos direita. Os grficos com as parcelas de cada perda, tambm apresentados na
interface grfica do programa PerdasOffline, so plotados novamente nesta planilha. As tabelas
com estes dados, na parte inferior da Figura A.2, so tambm preenchidas. Os cdigos em VBA
geram automaticamente todos os grficos e o preenchem os campos das tabelas. Basta, portanto,
que o usurio selecione os arquivos .txt. Em razo da praticidade, supe-se que esta ferramenta
pode se tornar til para documentao de mltiplas simulaes, comuns em rotinas de projeto.

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

Figura A.2 Planilhas em Excel, programadas em VBA, para documentao dos resultados de simulao de conversores em topologia de dois nveis.

APNDICE A. Ferramenta em Excel para gerao de relatrios


172

173

APNDICE B PROGRAMA PARA


CLCULO DOS RESISTORES DO
CIRCUITO DE CONDICIONAMENTO
Este apndice descreve, sucintamente, a ferramenta desenvolvida em MATLAB para
automatizar o dimensionamento dos resistores do circuito de condicionamento. Esta ferramenta
se tornou til neste trabalho em razo das sucessivas alteraes nos sensores de temperatura
do calormetro. Como estes sensores exibiam excurses em tenso diferentes, os circuitos de
condicionamento podiam ainda variar entre as quatro topologias bsicas, com ganhos e offsets
de sinais distintos (MANCINI, 2002). Na ferramenta implementada, o usurio pode selecionar
entre estas quatro topologias, apresentadas na tela de interface grfica, dada na Figura B.1.
Inicialmente, o programa solicita ao usurio (no menu esquerda da Figura B.1) os dados de
tenso mxima e mnima de entrada e de sada do circuito, bem como a tenso de referncia
em uso. Com base nestes dados e nas equaes detalhadas em Mancini (2002), os resistores
so calculados para o tipo de circuito selecionado. Mesmo que no haja soluo vlida para a
topologia em uso, o programa informa o ganho e o offset que devem ser introduzidos no sinal de
entrada, para orientar o usurio na seleo de outra topologia.
Figura B.1 Interface grfica do programa desenvolvido para automatizar o dimensionamento dos resistores do
circuito de condicionamento.

Fonte: Dados da pesquisa, 2016.

APNDICE B. Programa para clculo dos resistores do circuito de condicionamento

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Os valores dos resistores so ajustados para os valores comerciais mais prximos, das
sries com tolerncias indicadas pelo usurio no script (10 % ou 1 %). As resistncias nominais
das sries comerciais E12 e E96 so consultadas para este ajuste. Os resistores calculados so
retornados pelo programa na tela de interface, no menu inferior. No workspace do MATLAB, o
programa ainda informa possveis associaes srie, paralela ou srie/paralela de resistores para
compor as resistncias pretendidas.

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