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Escola de Engenharia
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica
Belo Horizonte
2016
C843d
minha famlia, aos meus amigos, ao meu namorado e ao meu pequeno afilhado, Lucas.
AGRADECIMENTOS
Agradeo aos professores Porfirio Cabaleiro e Paulo Seixas, pela orientao, pacincia e
compreenso. Engetron, pelo financiamento desta pesquisa e confiana. Aos engenheiros da
Engetron, Wilton Padro, Paulo de Tarso, Vincius, Mrio Henrique, Marcos Flvio e outros,
pelo apoio tcnico, receptividade e pelas orientaes. minha famlia, pelo apoio incondicional
e pela ajuda persistente, muitas vezes no merecida. Em especial, minha me, Cida, meu
pai, Miguel e aos meus irmos Carol, Breno e Dudu e agregada, cunhada Dbora, por me
tolerarem e apoiarem todos os dias. Ao meu namorado, Renato, pelo carinho e cumplicidade
e por ter preservado esse status, sem que eu fosse uma namorada dedicada e presente. Aos
meus amigos (em especial, ao grupo das BPs do COLTEC, ao Tlio, Brbara e ao Luiz),
que ainda se mantiveram ao meu lado, no obstante a minha ausncia e negligncia, enquanto
eu redigia este trabalho. Aos parceiros do Grupo de Eletrnica de Potncia (GEP), Welbert,
Rafael (Jesus), Ana Carolina, Thiago (Banana), Thiago Ribeiro e outros, pela amizade, pelas
inmeras ajudas e conversas. Aos professores Lenin, Marcos Severo, Pedro Donoso, Braz
Cardoso, Sidelmo, Selnio (in memoriam) pelas lies valiosas que no s me orientaram ao
longo desta pesquisa, como tambm contriburam para que eu optasse pela Eletrnica de Potncia,
ainda na Graduao. Ao professor Antnio Carlos Andrade, do Departamento de Engenharia
Mecnica, pelas contribuies na fase de projeto do calormetro. Meus agradecimentos a estes
professores e aos meus orientadores tambm pela dedicao ao ofcio de professor e pesquisador,
apesar dos incontveis entraves burocrticos e polticos. Aos parceiros do Mestrado, Nicole,
Edmar, Rafael (Jesus), Allan, Andr Filipe, Victor e outros pelas discusses acaloradas e noturnas
sobre os trabalhos das disciplinas de ps-graduao. Aos parceiros da Leme Engenharia, Isabela
Metzker (Bolacha), Daniel Lavall, Daniel Pechir, Helena Botelho, Caroline Martins e Evandro
Marzano, pela amizade e por terem permitido que a convivncia com os estudos de transitrios
eletromagnticos e com o ATP fosse menos traumtica. Ao Maurcio, tcnico do DELT, pela
prestatividade e solicitude. famlia do Renato, Iracema, Marco, Gabriela, Andr Luiz, Arles,
pela torcida. Ao meu exemplo de engenheira eletricista, Anglica Rocha, que como ningum
domina o tema de transformadores e transitrios eletromagnticos e, ainda assim, no perde a
humildade e o respeito ao prximo. equipe do abnTEX2, por ter disponibilizado o template
adotado neste trabalho.
Por fim, agradeo Universidade Federal de Minas Gerais, a quem devo minha formao
como tcnica em Eletrnica, engenheira eletricista e agora, como mestre em Engenharia Eltrica.
RESUMO
As UPSs (Uninterruptible Power Supplies) de dupla converso so equipamentos que proveem
a alimentao segura e sustentada de subsistemas com misso crtica, em que os distrbios ou
a interrupo no suprimento podem levar a perdas e danos. Esta dissertao objetiva comparar
os rendimentos globais de UPSs trifsicas de dupla converso nas topologias de dois nveis,
com componentes de silcio e de carbeto de silcio (SiC) e de trs nveis em arranjos NPC1
(Neutral-Point Clamped) e NPC2, com dispositivos de silcio. A metodologia adotada se baseia
na comparao de 80 projetos de UPSs de dupla converso, com distintas especificaes de tenso
no barramento c.c., frequncia de chaveamento e potncia nominal. Para tanto, ferramentas de
software com interface grfica foram implementadas em MATLAB para estimar as perdas nos
semicondutores e nos indutores dos filtros LCL de entrada e LC de sada da UPS. As simulaes
das UPSs foram conduzidas no ambiente MATLAB/Simulink e incluem o controle dos estgios
inversor e retificador. Para fins de validao experimental das estimativas tericas de perdas, um
prottipo de um conversor buck de 5, 5 kW foi construdo e a potncia dissipada neste circuito
foi medida via wattmetro digital. Em seguida, um prottipo simples e de baixo custo de um
calormetro indireto srie foi desenvolvido, para que as incertezas associadas s leituras de
perdas fossem reduzidas. Os resultados de simulao indicam que a topologia NPC1 exibe maior
rendimento global dentre as UPSs com componentes de silcio, para a maior parte dos projetos de
UPS avaliados. Ademais, as UPSs com SiC superam o desempenho da maioria das variaes de
silcio em anlise, o que acena para a viabilidade dos componentes de SiC para estas aplicaes.
Os resultados experimentais apontam para a concordncia entre as estimativas de perdas e as
medies via wattmetro. A efetividade do prottipo de calormetro indireto srie para a medio
de perdas demonstrada em ensaios com resistores de potncia. Por fim, as tcnicas propostas
para a avaliao terica de perdas podem ser estendidas para qualquer conversor esttico e podem
orientar o projeto de equipamentos mais eficientes e com maior densidade de potncia.
Palavras-chave: UPS. Conversores estticos. Clculo de Perdas. Carbeto de silcio. Calormetro.
ABSTRACT
Double-conversion UPSs (Uninterruptible Power Supplies) are devices that provide safe and
continuous supply to mission-critical systems, in which disturbances or interruptions in power
supply can lead to losses or damages. This thesis aims to compare the energy efficiency performance of three-phase double-conversion UPS in two-level topologies, with silicon and silicon
carbide (SiC) devices, and in three-level topologies in NPC1 (Neutral-Point Clamped) and
NPC2 configurations, with silicon power modules. The adopted methodology is based on the
comparison of 80 designs of double-conversion UPS, with several values of d.c. bus voltages,
switching frequencies and rated power. In order to accomplish this goal, software tools with
graphical interface were implemented in MATLAB, for semiconductor losses estimation and
for inductor losses calculation in input and output LC and LCL filters. UPS simulations were
performed in MATLAB/Simulink and include the inverter and rectifier control. For experimental
validation of the theoretical results, a circuit of a 5.5 kW buck converter was built and power
losses measurements were conducted with a digital wattmeter. Then, a simple and low cost
indirect series calorimeter prototype was developed, in order to reduce the uncertainties in power
losses measurement. Simulation results show that NPC1 topology exhibits the highest global
efficiency among the silicon based UPSs, in most UPS designs. Furthermore, the SiC based UPSs
mostly overcome the performance of silicon based UPSs, which shows the competiveness of
SiC devices for UPS applications. Experimental results prove the agreement between theoretical
and measured results using digital wattmeter. Preliminary tests with power resistors demonstrate
the effectiveness of the indirect series calorimeter prototype. Lastly, the proposed techniques
for losses evaluation could be extended for any power converter and could enhance equipment
design regarding energy efficiency and power density.
Keywords: UPS. Power converters. Power losses calculation. Silicon carbide. Calorimeter.
LISTA DE ILUSTRAES
1.1
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
2.10
2.11
2.12
2.13
2.14
2.15
2.16
2.17
2.18
2.19
2.20
2.21
2.22
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
6
9
9
10
11
12
13
15
16
20
22
23
28
30
33
35
36
37
39
39
41
42
43
45
46
47
50
51
52
3.7
3.8
3.9
3.10
3.11
3.12
3.13
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
4.12
4.13
4.14
4.15
4.16
53
54
56
58
60
62
63
72
74
75
77
78
79
80
81
82
84
88
88
90
91
92
93
4.17
4.18
4.19
4.20
4.21
4.22
4.23
4.24
4.25
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
96
97
98
99
103
104
105
106
107
109
111
113
114
115
116
117
119
119
5.10
5.11
5.12
5.13
5.14
5.15
5.16
5.17
5.18
5.19
5.20
5.21
5.22
5.23
5.24
121
122
124
125
126
127
129
129
130
130
132
132
133
134
135
5.25
5.26
5.27
5.28
5.29
5.30
5.31
5.32
5.33
5.34
5.35
5.36
5.37
A.1
A.2
B.1
135
138
140
141
142
143
150
151
155
156
156
157
158
169
171
172
LISTA DE TABELAS
2.1
2.2
3.1
3.2
3.3
3.4
4.1
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
13
35
49
49
57
63
85
118
123
128
137
139
145
147
149
152
154
CM
Caixa de Medio
CR
Caixa de Referncia
CUT
IEC
IGBT
iGSE
MOSFET
NPC
Neutral-Point Clamped
PI
Proporcional-Integral
PLL
PWM
Pulse-Width Modulation
Si
Silcio
SiC
Carbeto de silcio
UPSs
VBA
2n
Dois nveis
3n
Trs nveis
LISTA DE SMBOLOS
Coeficiente de temperatura
Rendimento
Desvio padro
Permeabilidade
Resistividade
Profundidade de penetrao
Frequncia
Volume
Densidade de fluxo
Ploss
Perdas
Pin
Potncia de entrada
Pout
Potncia nominal
fsw
Frequncia de chaveamento
VDC
Tj
Temperatura de juno
vsw
isw
Corrente na chave
rsw
Resistncia da chave
Rg
Resistor de gate
vq
iq
Corrente no transistor
vd
id
Corrente no diodo
VCE
Tenso coletor-emissor
IC
Corrente de coletor
VGE
Tenso gate-emissor
VGE(th)
VDS
Tenso dreno-fonte
ID
Corrente de dreno
VGS
Tenso gate-fonte
VGS(th)
Ts
Passo de simulao
Pcond(Q)
Pcond(D)
RG
Rg(on)
Rg(of f )
VGG
Eon(Q)
Eof f (Q)
Err
Pon(Q)
Pof f (Q)
Prr
kV dc
kRg
Rcc0 ee0
Nmero de espiras
Pnucleo
Pcobre
Perdas no cobre
Pind
Stotal
rea da superfcie
Ef iltro
Edissip
E2n
E3n
P2n
PN P C1
PN P C2
2n
N P C1
N P C2
PCR
PCM
TCR
TCM
SUMRIO
1
INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
2.1
2.1.1
2.1.2
2.1.3
REVISO BIBLIOGRFICA . .
UPS: definio e classificao
UPSs rotativas . . . . . . . . . .
UPSs hbridas . . . . . . . . . .
UPSs estticas . . . . . . . . . .
UPS estticas passivas ou offline . .
UPS estticas line-interactive . . . .
2.4
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
UPS estticas de dupla converso ou online . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas em conversores e modelos trmicos . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas de conduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas de chaveamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos indutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelos trmicos de regime permanente . . . . . . . . . . . . . . . . .
Mtodos de medio de perdas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Medio eltrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Medio via calormetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros diretos, abertos e refrigerados a ar . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros diretos, fechados refrigerados gua . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros indiretos balanceados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Calormetros indiretos do tipo srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3
3.1
3.2
3.2.1
3.2.2
3.3
3.3.1
3.3.2
3.4
45
45
51
52
59
64
64
68
68
70
2.1.3.1
2.1.3.2
2.1.3.3
2.2
2.2.1
2.2.1.1
2.2.1.2
2.2.2
2.2.3
2.3
2.3.1
2.3.2
2.3.2.1
2.3.2.2
2.3.2.3
2.3.2.4
.
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3
8
8
10
11
12
13
15
16
18
18
19
21
29
31
33
34
38
39
40
42
43
44
4.1
4.1.1
4.2.2.1
4.2.2.2
4.1.1.1
4.1.1.2
4.1.1.3
4.1.2
4.2
4.2.1
4.2.2
.
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70
71
73
79
87
91
96
96
97
99
5
5.1
5.1.1
5.1.2
5.1.3
5.1.4
5.1.5
5.1.6
5.2
5.2.1
5.2.2
5.3
RESULTADOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados de simulao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das perdas no estgio retificador . . . . . . . . . . . . . .
Comparao das perdas no estgio inversor . . . . . . . . . . . . . . .
Perdas nos indutores dos filtros de entrada e de sada . . . . . . . . .
Comparao do rendimento global da UPS . . . . . . . . . . . . . . .
Viabilidade de mdulos de SiC em UPS . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparao entre os mtodos online e offline . . . . . . . . . . . . . .
Resultados experimentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados de medies com wattmetro . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resultados preliminares no prottipo de calormetro . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
108
108
108
120
131
138
142
148
150
150
152
158
4.2.2.6
.
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107
4.2.2.5
.
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4.3
4.2.2.4
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4.2.2.3
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Seleo do microcontrolador e da interface com o usurio .
Calibrao dos sensores de temperatura por comparao .
Projeto do controlador de temperatura . . . . . . . . . . .
Calibrao de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Concluses do captulo . . . . . . . . . . . . . . .
onamento
.
.
.
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.
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.
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.
.
.
.
100
102
103
105
106
REFERNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
APNDICES
168
1 INTRODUO
Os Sistemas de Energia Ininterrupta (SEI), referidos na literatura pelo acrnimo em ingls
UPSs (Uninterruptible Power Supplies) e popularmente pelo termo no-breaks, so equipamentos
que asseguram o suprimento de energia eltrica com altos nveis de confiabilidade, disponibilidade e de qualidade. Estes equipamentos so usuais em aplicaes de misso crtica, em que a
interrupo ou os distrbios no fornecimento de energia podem levar a perdas financeiras e/ou
sociais, como datacenters, hospitais, sistemas de telecomunicao e de tecnologia da informao
(TI), controladores de processos industriais, entre outros. Nestas aplicaes, prefere-se o uso de
UPSs estticas do tipo dupla converso ou online, que se mantm continuamente conectadas em
srie com a carga crtica, em regime normal de operao (TON; FORTENBURY, 2005). Deste
modo, estas UPSs previnem os problemas associados no s a interrupes no fornecimento,
como tambm a elevaes/afundamentos temporrios ou momentneos de tenso, a variaes de
frequncia, surtos, rudos e distores harmnicas (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).
Em geral, as UPSs integram estgios conversores que invariavelmente introduzem perdas
e, assim, consomem energia e limitam o rendimento do sistema completo. Por exemplo, segundo
pesquisas financiadas pela Comisso de Energia do Estado da Califrnia (California Energy
Commission), em 2005, o consumo de energia associado s perdas nos estgios de converso
somente de UPSs dos datacenters/polos de TI da Califrnia era de aproximadamente 1 T W h
anuais. Sendo assim, estas perdas oneravam cerca de 100 milhes de dlares por ano, considerando as tarifas de energia praticadas naquele ano (TON; FORTENBURY, 2005). Ainda segundo
este estudo, como o estado da Califrnia concentra aproximadamente 15 % dos datacenters dos
EUA, os custos relativos a este consumo de energia das UPSs em datacenters, em todo o pas,
poderiam atingir quase 700 milhes de dlares anuais (ou 7, 1 T W h por ano). Estudos anteriores,
financiados pelo Departamento de Energia dos EUA, estimavam aquele consumo de energia
total de UPSs em todo o pas em 5, 8 T W h, no ano de 2002, com base em dados tpicos de
rendimento destes equipamentos (ROTH; GOLDSTEIN; KLEINMAN, 2004). Somente as UPSs
online, preferidas nas aplicaes de misso crtica, consumiam 3, 8 T W h daquele montante.
Como resultado destas pesquisas, o Lawrence Berkeley National Lab (LBNL), instituio
de pesquisa financiada pelo Departamento de Energia dos EUA, passou a considerar o aumento
do rendimento das UPSs de datacenters como uma das aes para reduzir o consumo de energia
no pas (TON; FORTENBURY, 2005). Por outro lado, como tambm pontuam os estudos do
LBNL, o uso de UPSs com maior rendimento promove ainda a reduo dos custos e do consumo
de energia dos sistemas de refrigerao externos (no computados naquelas estatsticas). Assim,
o investimento total para a aquisio e operao do equipamento poderia ser substancialmente
menor com o aumento da eficincia das UPSs. Outro ganho associado ao uso de UPSs mais
Captulo 1. Introduo
Captulo 1. Introduo
deve-se optar pelo uso de wattmetros. Todavia, estes wattmetros devem exibir larga banda de
passagem e alta resoluo na converso A/D e ainda prover a sincronizao exata das medies,
para que as tenses/correntes pulsadas, tpicas dos conversores de UPS, sejam corretamente
medidas (STAFINIAK; KOSOBUDZKI, 2009). Ademais, como o rendimento individual destes
conversores elevado, os wattmetros em uso devem prover leituras de potncia com incertezas
menores do que as perdas (XIAO; CHEN; ODENDAAL, 2007). Isso, em geral, inviabiliza a
medio acurada da potncia dissipada em cada conversor com os wattmetros disponveis no
mercado (FUCHS et al., 2013). A segunda tcnica de medio de perdas se mostra mais exata
e se baseia na transferncia do calor liberado pelo conversor para um fluido, via processos de
conveco, radiao ou conduo, em um sistema referido por calormetro na literatura (CAO
et al., 2010). A variao de temperatura deste fluido, com propriedades bem caracterizadas,
quantifica indiretamente a potncia dissipada pela amostra. Deste modo, a exatido da medio de
perdas independe das formas de onda de tenso e de corrente do equipamento ou da sincronizao
das leituras (KOSONEN et al., 2013). Contudo, em virtude da complexidade da construo das
variaes mais tpicas de calormetro, a medio por esta tcnica pode se revelar invivel.
Neste contexto, este trabalho objetiva avaliar o rendimento de UPSs de dupla converso
em topologias trifsicas usuais nestas UPSs, a saber, a de dois nveis e as com neutro grampeado
(Neutral-Point Clamped), denotadas neste texto por NPC1 e NPC2. Estas topologias constam
na Figura 1.1. Em particular, pretende-se:
(i)
(ii)
(iii)
propor um calormetro simples e de baixo custo, do tipo indireto srie, para medio de
perdas;
(iv)
Captulo 1. Introduo
Figura 1.1 Topologias trifsicas analisadas.
VDC/2
Filtro LC
Carga
VDC/2
(a)
VDC/2
Filtro LC
Carga
VDC/2
(b)
VDC/2
Filtro LC
Carga
VDC/2
(c)
Captulo 1. Introduo
desta pesquisa, portanto, j orientam esta empresa em parte das rotinas de dimensionamento dos
componentes das UPSs.
O texto desta dissertao foi estruturado em seis captulos. No captulo 2, procede-se
reviso bibliogrfica, para fundamentao e conceituao do trabalho. Neste captulo, discutemse inicialmente as categorias de UPSs e as vantagens e desvantagens de cada classe. As perdas
dominantes nos conversores so definidas na sequncia e as equaes implementadas para o
clculo destas perdas so enumeradas. Em seguida, os mtodos de medio de perdas mais usuais
so caracterizados e as vantagens e desvantagens de cada tcnica so pontuadas.
No captulo 3, detalham-se as abordagens de modelagem e simulao da UPS de dupla
converso, adotadas nos estudos de rendimento conduzidos nesta dissertao. O captulo 4
descreve as ferramentas implementadas para clculo de perdas em conversores e os prottipos
desenvolvidos para medio destas perdas. No captulo 5, constam os resultados tericos da
pesquisa e os resultados experimentais preliminares. Por fim, o captulo 6 discorre sobre as
concluses e as propostas de continuidade deste trabalho.
2 REVISO BIBLIOGRFICA
Este captulo revisa a literatura bsica que fundamenta este trabalho. Inicialmente, discutese sobre a classificao de UPSs. A UPS em estudo, do tipo dupla converso, ento definida.
Na sequncia, as perdas assumidas dominantes em conversores so conceituadas. As equaes
e os mtodos descritos na literatura para que estas parcelas dominantes sejam estimadas so
apresentadas. Por fim, detalham-se os procedimentos usuais para medio de perdas, bem como
aqueles adotados na presente pesquisa.
2.1
rede principal e a carga crtica, se torna mandatrio. Assim, segundo EATON (2012), as UPSs
assumem trs funes bsicas, na maior parte das aplicaes:
(i)
a de prevenir danos que decorrem de surtos e transitrios casos em que as UPSs devem
ser continuamente conectadas em srie com a carga crtica;
(ii)
(iii)
De modo geral, todas as UPSs integram trs unidades bsicas, a saber: um mdulo de
armazenamento de energia, um estgio de converso de energia e um sistema de monitoramento
e controle (SANTOS FILHO, 1998), como representa a Figura 2.2. Assim, a estrutura de cada
um destes elementos e o modo como esto conectados com a rede eltrica e com a carga crtica
definem os critrios para a classificao das UPSs.
Figura 2.2 Mdulos bsicos de uma UPS.
Mdulo de
armazenamento de
energia
Rede eltrica
Mdulo de
converso da
energia
Carga crtica
Chave de bypass
Mdulo de monitoramento e
controle
10
UPS
Rotativas
Online
Offline
Hbridas
Passivas
ou offline
Estticas
Line
interactive
Dupla
converso
ou online
2.1.1
UPSs rotativas
11
M
Rede
eltrica
Motor
G
Volante
de inrcia
Carga
Gerador
(a)
Modo normal
Carga
Q
Rede
eltrica
Chave
esttica
Gerador
Volante
de inrcia
P, Q
Modo energia
armazenada
Motor a
diesel
(b)
j que o sistema suporta temperaturas mais elevadas. Estas UPSs tambm permitem o uso de
motores de combusto interna diretamente, via acoplamento mecnico com o gerador (CURTIS,
2011), em alternativa ao uso de baterias. Por fim, contrariamente s UPSs estticas, as UPS
rotativas dispensam a necessidade de filtros passivos no estgio de sada ou de entrada.
Todavia, como desvantagens das UPSs rotativas, salientam-se as perdas elevadas do
conjunto motor-gerador mais crticos nas UPSs online, os altos nveis de rudo introduzidos
pelo sistema (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007) e o custo de aquisio, que supera em
20 % a 30 % os custos de uma UPS esttica (CURTIS, 2011).
2.1.2
UPSs hbridas
A combinao de UPSs rotativas com conversores estticos resulta nas UPSs hbridas,
representadas no diagrama da Figura 2.5. Nestas UPSs, um acionamento de velocidade varivel,
composto por um conversor c.a./c.a., ajusta a velocidade do motor conectado a um volante
de inrcia. Um gerador de polos inscritos (written-pole) alimenta a carga a uma frequncia
constante, mesmo com o rotor a velocidades entre 3150 e 3600 rpm (GUERRERO; VICUNA;
UCEDA, 2007). No caso de interrupo na rede principal, o volante de inrcia mantm o sistema
em rotao a velocidades maiores do que 3150 rpm (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007),
garantindo, assim, o suprimento da carga crtica. Em regime normal, o conjunto motor-gerador
condiciona a tenso sobre a carga. O conversor c.a./c.a. permite ainda a atenuao de distores
harmnicas e a converso da frequncia de operao (e.g., de 60 Hz para 50 Hz). Esta variao
12
M
Rede
eltrica
Conversor
c.a./c.a.
Motor
Carga
Volante
Gerador de
de inrcia polos inscritos
2.1.3
UPSs estticas
(ii)
(iii)
Em geral, a anlise dos distrbios crticos para a planta define um critrio inicial para a
seleo de UPSs (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007). A Tabela 2.1 detalha os distrbios
que cada tipo de UPS esttica pode prevenir e, assim, orienta a seleo de UPSs para uma
aplicao em particular, conforme a sensibilidade da carga crtica.
Como se nota na Tabela 2.1, as UPSs do tipo passivas ou offline s corrigem, em regime
normal, problemas associados a distrbios com duraes t maiores que 4 ms e menores que
16 ms (VILLAFFILA et al., 2007). Ao comutar para o modo de energia armazenada (com
alimentao por baterias), estas UPSs corrigem interrupes sustentadas de durao t maior que
10 ms. J as UPSs do tipo line-interactive previnem tambm variaes de tenso de curta e de
longa durao, como afundamentos, elevaes, subtenses e sobretenses. Por fim, as UPSs de
13
UPS recomendada
Distrbio
Interrupo na rede de durao t > 10 ms
Afundamento de tenso com 4 ms < t < 16 ms
Elevao de tenso com 4 ms < t < 16 ms
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Classe IEC
Tipo
Dependente da tenso e
da frequncia da rede
Passiva
ou offline
Lineinteractive
Dupla
converso
ou online
Independente da tenso e
da frequncia da rede
dupla converso ou online suprimem todos estes distrbios e ainda garantem a imunidade da
carga crtica a transitrios e surtos com duraes menores que 4 ms, a variaes de frequncia,
a rudos e a distores harmnicas. O modo como cada uma destas classes de UPS esttica
interage com a rede eltrica e, assim, corrige os distrbios enumerados na Tabela 2.1, abordado
nas subsees a seguir. As vantagens e desvantagens de cada tipo so tambm discutidas.
2.1.3.1
O diagrama esquemtico de uma UPS passiva ou offline segue na Figura 2.6. Esta UPS
constitui-se de um banco de baterias, um retificador, um inversor e uma chave. O banco de
baterias, conectado em paralelo com a carga, prov o backup de energia, quando da indisponibilidade da rede principal. Este tipo de UPS pode assumir dois regimes de operao, como
definem as normas: o modo normal e o modo de energia armazenada (traduo livre para o
termo stored-energy mode).
Figura 2.6 Diagrama esquemtico de uma UPS offline.
Modo normal
Chave
Carga
Rede
eltrica
+
Retificador
Inversor
Baterias
Modo de
energia
armazenada
14
No modo normal, a carga crtica alimentada pela rede principal e o banco de baterias,
conectado rede por um conversor c.a./c.c., mantido em carga completa. Esta UPS pode
incluir filtros de entrada ou outros recursos de condicionamento de tenso, que atenuam alguns
distrbios da rede principal. Todavia, no foram localizadas, na norma IEC 62040-3, referncias
especficas ao tipo de condicionamento que esta classe de UPS deve garantir. Mas h, no texto
desta norma, a indicao de que dispositivos adicionais podem ser incorporados para prover
condicionamento de energia, e.g., transformadores ferroressonantes ou de tap varivel1 .
J no modo de energia armazenada, que ocorre quando a rede principal est indisponvel, o sistema banco de baterias + inversor passa a alimentar a carga. A transio para este
modo, quando da ocorrncia da interrupo da rede, demanda at 10 ms (KARVE, 2000). A
UPS continua a operar no estado de energia armazenada durante o perodo em que as baterias
possam suprir a carga, referido na literatura como backup time (KARVE, 2000), ou at que a
rede principal se restabelea. Nesta ltima condio, a UPS deve retornar ao modo normal.
Como vantagens das UPSs offline, podem-se citar a simplicidade de projeto e o baixo
custo e volume. Como contrapartida, todavia, figuram-se como desvantagens desta variao de
UPS:
(i)
(ii)
dependncia com a frequncia da rede, o que inviabiliza o uso desta UPS como conversor
de frequncia (de 60 Hz/50 Hz, por exemplo) ou a rejeio de distrbios associados
variao de frequncia (rudos, distores harmnicas, transitrios, etc.);
(iii)
tempos de chaveamento para o modo de energia armazenada elevados, que podem ser
proibitivos em algumas aplicaes com cargas mais sensveis, como centrais de grandes
computadores (KARVE, 2000);
(iv)
(v)
(vi)
uso no-recomendado em ambientes potencialmente ruidosos, com possveis interferncias ou com distrbios de alimentao, como em plantas industriais (EATON, 2012).
A UPS offline, portanto, penaliza desempenho, funcionalidade e proteo contra distrbios, para fins de reduo dos custos. O baixo custo justifica o largo uso desta UPS em
1
Traduo livre do excerto da norma IEC 62040-3: additional devices may be incorporated to provide power
conditioning, e.g. ferroresonant transformer or automatic tap changing (MGE, 1999).
15
Rede
eltrica
Carga
Chave
esttica
Conversor
bidirecional
Modo de
energia
armazenada
+
Baterias
No modo normal, a carga alimentada pela associao paralela da rede principal com um
inversor, que serve ao condicionamento da tenso de sada como um filtro ativo. Este inversor,
que tambm opera como retificador, mantm o banco de baterias continuamente carregado, em
regime normal (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007).
No modo de energia armazenada, que ocorre quando h interrupo ou falhas na rede
principal, o inversor e a bateria passam a alimentar continuamente a carga. Uma chave esttica
desconecta a rede principal da carga. Este estado perdura at que as baterias se descarreguem
(backup time) ou at que a rede retorne aos nveis seguros de operao da UPS. Neste ltimo
caso, a UPS retoma o estado normal.
A vantagem desta variao de UPS o baixo custo, quando comparada a UPSs online de
mesma potncia. Todavia, ressaltam-se, como desvantagens das UPSs line-interactive:
(i)
dependncia com a frequncia da rede, o que inviabiliza o uso desta UPS para converso
de frequncias (de 60 Hz/50 Hz, por exemplo) ou a rejeio de distrbios associados
variao de frequncia (rudos, distores harmnicas, transitrios, etc.), em regime
normal;
(ii)
16
(iii)
(iv)
(v)
potncia mxima de at 5 kV A (GUERRERO; VICUNA; UCEDA, 2007), como resultado das limitaes desta topologia de UPS.
O diagrama da Figura 2.8 ilustra uma UPS de dupla converso. Nesta topologia, um
conversor c.a./c.a. se conecta continuamente em srie com a carga crtica, em regime normal. Esta
UPS pode assumir trs regimes de operao: o modo normal, o modo de energia armazenada
(stored-energy mode) e o modo bypass.
Figura 2.8 Diagrama esquemtico de uma UPS de dupla converso.
Modo bypass
Chave esttica
de bypass
Modo normal
Carga
Rede
eltrica
Retificador
Inversor
Baterias
Modo de
energia
armazenada
17
(ii)
(iii)
(iv)
comutao automtica para o modo bypass, no caso de falhas internas UPS ou sobrecarga;
(v)
(vi)
(vii)
18
(i)
(ii)
maior custo, em comparao com as outras variaes de UPS, como resultado do uso de
maior nmero de chaves;
(iii)
(iv)
2.2
19
perdas nos semicondutores e nos indutores, revisadas nas subsees a seguir, so avaliadas neste
trabalho.
2.2.1
Perdas de conduo
20
2.9.b), e, adicionalmente, a curva de corrente Ic como funo direta da tenso VGE , referida por
caracterstica de transferncia do transistor (Figura 2.9.c). A curva dos diodos em anti-paralelo
com os transistores (IF VF ), para a polarizao no primeiro quadrante, tambm dada na folha
de dados do mdulo (Figura 2.9.d). Em geral, constam no catlogo de IGBTs as curvas isw vsw
relativas operao dos diodos e transistores com temperatura de juno mxima (de cerca de
150 C) e de 25 C, pelo menos. Em geral, nos catlogos de MOSFETs, curvas similares so
fornecidas pelos fabricantes.
Figura 2.9 Curvas do catlogo do mdulo comercial trifsico FF450R12KE4 (Infineon).
Curvas: (a) curva Ic VCE , com tenso VGE fixa, vrias temperaturas de juno; (b) curva Ic VCE , para
vrias tenses VGE , para a operao em temperatura de juno mxima; (c) caracterstica de transferncia do IGBT,
Ic VGE , para uma dada tenso VCE ; (d) curva IF VF , vrias temperaturas de juno.
Fonte: Infineon (2013).
Assim, com base nas curvas isw vsw disponibilizadas em catlogo para cada componente,
possvel derivar, diretamente, a queda de tenso associada cada valor instantneo de corrente,
21
para uma dada temperatura de juno Tj e tenso de disparo Vg (no caso dos transistores).
A perda de conduo de cada componente pode ser definida, pois, como a mdia do produto
instantneo entre isw e vsw . Particularizando esta definio para cada dispositivo, vem, se Pcond(Q)
e Pcond(D) se referem s perdas nos transistores e nos diodos, nesta ordem:
Pcond(Q)
Pcond(D)
Z
1 T
=
vq (iq (t), Tj , Vg ) iq (t) dt,
T 0
Z
1 T
vd (id (t), Tj ) id (t) dt,
=
T 0
(2.1)
(2.2)
dT /Ts e
1 X
(2.3)
Pcond(D)
dT /Ts e
1 X
(2.4)
Perdas de chaveamento
Nas simulaes temporais propostas, atribui-se o passo a um valor 128 a 512 vezes menor do que o inverso
da frequncia de chaveamento Fsw , em geral. A escolha deste valor se baseia na anlise de sensibilidade dos
resultados de simulao variao do passo. Inicia-se com um passo igual a 1/(Fsw 128) e avalia-se o efeito
da reduo deste passo em duas vezes. Se os resultados no se alterarem, o passo mantido naquele primeiro
valor. Caso contrrio, divide-se o passo por dois at que os resultados no sejam mais sensveis esta reduo.
22
correntes elevadas. Como resultado, a energia dissipada na comutao, que provm da integral
do produto entre tenso e corrente instantneas ao longo do intervalo em que ocorre a transio
de estado, no desprezvel. As perdas associadas comutao, referidas por perdas de
chaveamento, podem superar as perdas de conduo e devem ser consideradas, pois, nas
anlises de rendimento do conversor. Assim, as potncias dissipadas nos processos de turnon e de turn-off dos transistores e de recuperao reversa nos diodos devem ser avaliadas.
Apenas a energia despendida no processo de turn-on dos diodos pode ser desprezada (VOLKE;
HORNKAMP, 2012).
Em geral, as anlises dos processos de chaveamento supem a operao do conversor
com carga do tipo RL, com constante de tempo L/R maior do que o inverso da frequncia de
chaveamento fsw (RASHID, 2011). Deste modo, a corrente de carga pode ser assumida constante
em cada ciclo de chaveamento e os diodos de roda livre passam a prover a continuidade desta
corrente, quando do bloqueio dos transistores. Os circuitos considerados nestas anlises, para o
conversor com IGBT e MOSFET, so representados na Figura 2.10 (IXYS, 2012). Na notao
aqui adotada para designar as tenses, correntes e impedncias, os subscritos C, G, E, D e S se
referem aos terminais de coletor, gate, emissor, dreno e fonte, respectivamente.
Figura 2.10 Circuitos considerados nas anlises do processo de chaveamento.
23
MOSFET
~
~
IGBT
VGG-
IGBT
IC(t), ID(t)
IL
MOSFET
IGBT
~
~
VCE(t), VDS(t)
MOSFET
VDC
VDS(on) VCE(sat)
~
~
t1 t1' t2 t3
t4
t5
t6
t7
t8 t9
t10
A corrente iG passa a circular no instante em que ocorre o disparo (t = 0). Esta corrente
carrega a capacitncia de entrada Ciee no IGBT, ou Ciss no MOSFET, definidas pelas
equaes (IXYS, 2012):
Ciee = CGE + CGC ,
(2.5)
(2.6)
Cabe ressaltar que, na literatura, as capacitncias CGC e CGD so denominadas capacitncias de Miller, de transferncia reversa ou de realimentao e tambm so
denotadas por Crss (VISHAY, 2011). Estas capacitncias, que variam com a tenso VCE
(VDS ), assumem o valor mnimo neste intervalo denotado por CGC(min) (ou CGD(min) ),
em que a tenso VCE (VDS ) se mantm elevada (IXYS, 2012).
Durante o intervalo [0, t1 ], a tenso VGE (ou VGS ) cresce exponencialmente, a uma
constante de tempo IGBT (ou M OSF ET ) definida pela capacitncia de entrada Ciee
24
(2.7)
(2.8)
(2.9)
(2.10)
(2.11)
(iii)
25
(v)
(2.12)
(2.13)
(2.14)
(2.15)
No caso do IGBT, a tenso VCE s atinge o valor exato da tenso de saturao VCE(sat)
depois de centenas de ns a alguns s, que corresponde ao tempo demandado para que a
regio n seja ocupada por portadores de carga positiva que provm da regio de coletor,
com dopagem p. Esse perodo referido por Wintrich et al. (2015) por fase de saturao
dinmica (dynamic saturation phase). Quando a tenso VGE (VGS ) atinge o nvel VGG ,
a corrente de gate passa a ser zero (RASHID, 2011).
No instante t = t4 , portanto, o processo de turn-on do transistor se encerra. A partir de
ento, o dispositivo assume o estado fechado, em que dissipa energia apenas por conduo.
Entretanto, no instante em que o comando do transistor for atribudo a zero, o transistor inicia o
26
processo de turn-off. Neste processo, que na Figura 2.11 se inicia no instante t = t6 , os eventos
j detalhados sucedem em ordem inversa e, portanto, sero brevemente descritos a seguir.
(i)
(ii)
(iii)
(iv)
27
iq (t):
t4
Eon(Q) =
(2.16)
t10
Eof f (Q) =
(2.18)
t6
Estas curvas de energia dissipada Eon(Q) , Eof f (Q) e Err em funo da corrente no transistor ou no diodo
so mais usuais em catlogos de mdulos com IGBTs. Parte dos fabricantes de MOSFETs base de silcio,
contudo, omite estas curvas nos catlogos. Sendo assim, o clculo destas energias nestes MOSFETs se baseia
na estimativa da integral do produto entre tenso e corrente durante o intervalo de chaveamento, com base em
dados nominais informados em tabelas.
28
Curvas: (a) curva Eon Ic , para um valor de tenso VCE , de resistores de gate de on e de off e para a tenso VGE
igual a 15V , (b) curva Err Id , para um valor de resistor de gate de on e da tenso VCE , (c) curva Eon Rg ,
para um valor de corrente Ic e de tenso VCE e (d) curva Err Rg , para um valor de corrente Id e de tenso VCE .
Fonte: Infineon (2013).
dois fatores de escala, aqui denotados por kV dc e kRg , que consideram a dependncia dos valores
de energia com a tenso do barramento e com a resistncia de gate, nesta ordem. Assim, na
condio em que o mdulo de potncia opera com tenso do barramento VDC , resistncia de
29
(2.19)
(2.20)
(2.21)
Pof f (Q)
Prr
dT /Ts e
1 X
Eon (VDC(ref ) , Rg(ref ) , iq [k])),
= kV dc kRg
T k=0
(2.24)
dT /Ts e
1 X
= kV dc kRg
Eof f (VDC(ref ) , Rg(ref ) , iq [k 1])),
T k=0
(2.25)
dT /Ts e
1 X
= kV dc kRg
Err (VDC(ref ) , Rg(ref ) , id [k 1])),
T k=0
(2.26)
em que id [k] e iq [k] denotam as k-simas amostras das correntes no diodo e no transistor e kV dc
e kRg so dados pelas equaes (2.20) e (2.21), nesta ordem.
2.2.2
30
=
,
(2.27)
f
em que e se referem permeabilidade e resistividade do material, nesta ordem (POPOVIC;
POPOVIC, 2012). Um critrio prtico para a seleo da bitola do condutor atribui o valor de
ao raio do condutor r, na frequncia do harmnico de maior amplitude. Se a densidade mxima
de corrente for excedida para esta bitola, vrios destes condutores so associados em paralelo.
Desse modo, o efeito pelicular pode ser minimizado nesta frequncia.
Figura 2.13 Perfil das correntes ao longo da seo reta do condutor com os efeitos pelicular e proximidade.
31
Pcobre
1
1X
= Rdc i2dc +
Rac [n]i2ac [n],
2
2 n=1
(2.28)
em que Rdc e Rac consistem nas resistncias do enrolamento para as componentes contnua
e alternada e idc e iac , os valores de pico destas componentes, nesta ordem. Nesta equao,
a resistncia Rac deve incluir os efeitos pelicular e proximidade. As equaes analticas para
esta resistncia, para os dois efeitos, so apresentadas por Kondrath e Kazimierczuk (2010) e
sero omitidas neste texto. Neste trabalho, para fins de simplificao, apenas as perdas joulicas
associadas Rdc , supostas dominantes, so consideradas no clculo de perdas no enrolamento.
Por outro lado, para que as perdas mdias no ncleo Pnucleo possam ser estimadas, a
equao referida na literatura por equao de Steinmetz comumente adotada (LI; ABDALLAH;
SULLIVAN, 2001):
V,
Pnucleo = kf B
(2.29)
denota o valor de
em que k, e so constantes que dependem das propriedades do material, B
pico da densidade de fluxo e V , o volume do ncleo. As constantes desta equao so empricas
e, em geral, so informadas no catlogo dos fabricantes. Entretanto, esta equao s se aplica
excitao senoidal (LI; ABDALLAH; SULLIVAN, 2001) e no modela, por exemplo, as perdas
em indutores de conversores com modulao PWM (Pulse-Width Modulation). Ademais, como
a equao de Steinmetz prev uma relao no-linear entre as perdas no ncleo, a frequncia
e a densidade de fluxo de pico, a soma algbrica das perdas relativas a cada ordem harmnica
das correntes no retorna uma estimativa correta das perdas totais. Em razo desta dificuldade,
usual uma simplificao que assume que a componente de 60 Hz sobre o indutor equivale a uma
corrente c.c. que polariza a parcela na frequncia de chaveamento (SHIMIZU; IYASU, 2009). As
perdas associadas a parcelas em outras frequncias, todavia, no so includas nesta abordagem.
Como alternativa a estas simplificaes, novas formulaes da equao (2.29), aplicveis
para indutores com correntes distorcidas, foram propostas na literatura (LI; ABDALLAH;
SULLIVAN, 2001; VENKATACHALAM et al., 2002). Estas novas formulaes incluem a
32
relao entre as perdas Pnucleo e a variao do fluxo dB/dt. O estado da arte destas formulaes
abordado pelos autores Mhlethaler, Kolar e Ecklebe (2011). Para simplificao deste texto,
apenas a equao adotada neste trabalho, referida por iGSE (improved Generalized Steinmetz
Equation), apresentada:
Z T
dB
1
(B) dt,
Pnucleo =
ki
(2.30)
T 0
dt
com
ki =
k
(2)1
R 2
0
|cos| 2 d
(2.31)
em que B se refere excurso pico a pico da densidade de fluxo B com perodo T (inverso
da frequncia fundamental F da corrente no indutor), as constantes k, , so as mesmas da
equao de Steinmetz e o ngulo se refere ao ngulo instantneo de B. Esta formulao
adotada aqui por retornar estimativas mais acuradas do que a equao clssica (2.29) e por
depender apenas dos parmetros informados pelo fabricante (MHLETHALER; KOLAR;
ECKLEBE, 2011). A implementao computacional da equao (2.30), adotada neste trabalho,
discutida por Venkatachalam et al. (2002).
2.2.3
De fato, como discute Wintrich et al. (2015), a temperatura de juno dos componentes no rastreia o perfil
da potncia dissipada, com perodo T , no caso em que as constantes de tempo dos semicondutores (da ordem
de centenas de milissegundos) so muito maiores do que T . Neste caso, a temperatura de juno mdia se
aproxima da temperatura mxima. Como o perodo T de 1/60 s nos conversores deste trabalho, admite-se que
essa simplificao seja vlida. Como resultado, modelos de regime permanente podem ser adotados.
33
uniforme e de que o fluxo de calor por conduo pela superfcie superior uma funo definida
do tempo.
Como alternativa a esta tcnica analtica, Dudek et al. (2015) desenvolvem um modelo
tridimensional para o sistema em um software de soluo numrica via elementos finitos. As
camadas do substrato e as metalizaes que conectam o chip ao encapsulamento referidas na
literatura por wire bonds so representadas neste modelo para fins de identificao de fontes de
falha em processos de ciclagem trmica.
Como esta abordagem numrica depende de parmetros construtivos do mdulo semicondutor (dimenses fsicas, geometria, materiais, etc.), vrios trabalhos propem modelos trmicos
mais simples, baseados em circuitos eltricos. Estes modelos descrevem macroscopicamente o
comportamento trmico do dispositivo e podem ser derivados diretamente dos dados informados
no catlogo do fabricante. Estes circuitos trmicos como so designados os circuitos eltricos
que modelam processos trmicos se valem da analogia entre o fluxo P de calor e a corrente
eltrica e entre a diferena de temperatura T e a de potencial eltrico. Com base nesta analogia,
a resistncia trmica R definida como:
R=
d
T
=
,
P
A
(2.32)
em que d, A, denotam, nesta ordem, a espessura, a rea da seo reta e a condutividade trmica
do material.
Em geral, as interfaces entre a juno de cada dispositivo e o encapsulamento, entre o
prprio encapsulamento e o dissipador e entre este e o ambiente exibem resistncias trmicas nonulas. Estas resistncias, portanto, devem ser includas no circuito trmico do sistema completo.
Nestes circuitos, com diagramas ilustrados na Figura 2.14, a juno (J), o encapsulamento (C),
o dissipador (S) e o ambiente (A) so representados como ns. As temperaturas nestes pontos
equivalem s tenses destes ns, referenciadas ao ponto de terra (com temperatura nula). As
potncias dissipadas por cada dispositivo correspondem s correntes que por eles circulam e uma
fonte de tenso fixa impe a temperatura ambiente no n A.
Duas variaes de circuito equivalente, denotadas por 1 e 2 na Figura 2.14, podem
ser derivadas a partir dos dados disponibilizados nos catlogos dos mdulos semicondutores.
Se a resistncia entre encapsulamento e dissipador R(cs) informada em datasheet para cada
dispositivo do mdulo, o circuito 1 proposto. Todavia, se apenas uma resistncia R(cs)
fornecida por mdulo, o circuito 2 deve ser adotado em alternativa. Segundo Eupec (2011), o
valor de R(cs) individualizado para cada componente nos casos em que a temperatura do base
plate no pode ser assumida uniforme e em que os chips se distribuem ao longo da superfcie do
mdulo. Caso contrrio, o n de encapsulamento pode ser assumido comum aos componentes no
mesmo mdulo e apenas um valor de R(cs) se torna suficiente. Em qualquer uma destas variaes
de circuito, os sub-circuitos dos mdulos montados no mesmo dissipador devem compartilhar o
n S.
34
PQ1
Rjc (Q1)
Rjc (D1)
CQn
Rcs (D1)
Rjc (Dn)
JDn
CD1
Rcs (Dn)
PQn
Rsa
Rjc (Qn)
Rcs
JQn
PD1
A
Tamb
Rjc (D1)
JD1
PDn
CDn
Rsa
S
...
PDn
Rjc (Q1)
JQ1
Rcs (Qn)
...
JD1
CQ1
Rjc (Qn)
JQn
PD1
PQ1
...
PQn
...
JQ1
Rcs (Q1)
A
Tamb
Rjc (Dn)
JDn
Mdulo 1
Mdulo 1
...
...
Mdulo n
(a)
Mdulo n
(b)
Em suma, se os elementos do sistema forem modelados por resistncias trmicas convenientemente arranjadas, a temperatura de juno para cada dispositivo pode ser estimada a
partir da soluo do circuito trmico equivalente. Esta tcnica de modelagem trmica adotada
neste trabalho, como alternativa s abordagens analtica e numrica, por se basear apenas em
parmetros informados nos catlogos.
2.3
2.3.1
Medio eltrica
A medio eltrica das perdas de um conversor (Ploss ) se baseia, diretamente, na subtrao das leituras de wattmetros na entrada (Pin ) e na sada (Pout ):
Ploss = Pin Pout .
(2.33)
35
(2.34)
Assim, a incerteza mxima na medio das perdas (Ploss ) depende das incertezas mximas
associadas s medies das potncias de entrada Pin e de sada Pout (FOREST et al., 2006):
Pout
Ploss Pin 1
=
(2.35)
Ploss Pin 1 + Pout 1 .
A Figura 2.15(a) representa esta variao da incerteza relativa mxima na medio de perdas
|Ploss /Ploss | em funo do rendimento do conversor, supondo o uso de wattmetros com vrias
classes de exatido na leitura de potncia (). Seja, por exemplo, um conversor de 90 % de
rendimento. As incertezas nas perdas, para wattmetros com de 0, 1 %, 0, 2 %, 0, 5 % e 1 %
valem cerca de 2 %, 4 %, 10 % e 20 %, nesta ordem. A incerteza relativa mxima na medio
de rendimento / dada na Figura 2.15(b). O valor de / atinge, no mximo, o dobro
da incerteza na leitura de potncia (KOLAR et al., 2012). Ora, se um conversor de 98 % de
rendimento for avaliado, as faixas de incerteza nas leituras com wattmetros com de 0, 2 %,
0, 5 % e 1 % so aproximadamente de 0, 4 %, 1 %, 2 %. Ademais, para que as perdas neste
conversor sejam definidas com incertezas menores do que 10 %, wattmetros com no mximo
0, 1 % de exatido devem ser usados.
Figura 2.15 Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do conversor, para
wattmetros de vrias classes de exatido (indicadas sobre as curvas).
20
1%
15 1 %
10
Incerteza em [%]
0,5 %
0,2 %
0,1 %
0
80
85
90
95
100
[%]
0,5 %
1
0,2 %
0
-1
-2
85
90
95
[%]
Cabe acrescentar, todavia, que a exatido do wattmetro deve ser avaliada na frequncia
e na faixa de valores das tenses e correntes no conversor. Em geral, o aumento de amplitude e
de frequncia das tenses e correntes tende a aumentar a incerteza na leitura do equipamento,
em razo de restries de resoluo e frequncia de amostragem. A Tabela 2.2 apresenta, como
exemplo, parte das especificaes do wattmetro de modelo WT3000, com menor erro de medio
de potncia dentre os comercializados pelo fabricante Yokogawa. A exatido do equipamento para
36
cada faixa e frequncia apresentada nesta tabela, supondo o uso do sensor de corrente do prprio
equipamento (de 50A mximos) na condio de fator de potncia unitrio (YOKOGAWA, 2016).
O custo deste equipamento, na data desta pesquisa, era de cerca de 30 mil dlares (AXIOM,
2016).
Tabela 2.2 Especificaes de exatido do wattmetro WT3000, com menor erro na leitura de potncia dentre os
comercializados pelo fabricante Yokogawa.
Faixa de frequncias (f )
Exatido
DC
0, 1 Hz f < 30 Hz
30 Hz f < 45 Hz
45 Hz f < 66 Hz
45 Hz f < 66 Hz (com filtro de BW de 500Hz)
66 Hz f < 1 kHz
1 kHz f < 10 kHz
10 kHz f < 50 kHz
50 kHz f < 100 kHz
100 kHz f < 500 kHz
500 kHz f 1 M Hz
0, 05 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 08 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 05 % da leitura + 0, 05 % da faixa
0, 01 % da leitura + 0, 03 % da faixa
0, 21 % da leitura + 0.03 % da faixa
0, 05 % da leitura + 0, 05 % da faixa
0, 15 % da leitura + 0, 1 % da faixa
0, 3 % da leitura + 0, 2 % da faixa
0, 014 f % da leitura + 0, 3 % da faixa
0, 012 f % da leitura + 1 % da faixa
(0, 048 f 19) % da leitura + 2 % da faixa
Seja, por exemplo, uma UPS hipottica de dupla converso trifsica de cerca de 7, 2 kW ,
de frequncia de chaveamento de 20 kHz e com leituras de tenso e de corrente na entrada e na
sada nas faixas de 300 V e 30 A. No barramento c.c., as tenses e correntes desta UPS hipottica
se situam na faixa de 600 V e 20 A. Se a medio das perdas somente no inversor do estgio de
sada for conduzida, por exemplo, com o wattmetro WT3000, os canais de entrada e de sada
deste wattmetro devem ser instalados no barramento c.c. e na sada do inversor (antes do filtro
de sada). Do mesmo modo, estes canais devem medir a entrada do retificador (depois do filtro
de entrada) e o barramento c.c, se o objetivo for estimar as perdas no retificador. Na medio do
rendimento total da UPS, estes canais podem ser alocados no ponto de acoplamento com a rede
e com a carga. Se a anlise da variao da incerteza em funo do rendimento for reconduzida
para este wattmetro e para estes ensaios na UPS hipottica, os resultados da Figura 2.16 so
derivados, na condio em que os fatores de potncia de entrada e de sada so unitrios. Supese o uso de um filtro5 de frequncia de corte de 500 Hz no ensaio de medio do rendimento
total da UPS, para atenuao dos harmnicos de chaveamento. Para fins de simplificao, as
incertezas das leituras no barramento c.c., bem como na entrada do retificador e na sada do
inversor, so atribudas ao valor indicado pelo fabricante para a operao na faixa de 10 kHz a
50 kHz. De fato, como as especificaes da Tabela 2.2 s valem para sinais puramente senoidais,
a exatido resultante para sinais distorcidos fica indefinida. Admite-se, portanto, que a opo
pela especificao de exatido naquela faixa de frequncias conservadora.
5
O filtro passa-baixas uma funcionalidade do prprio wattmetro e pode ser habilitado ou no pelo usurio. As
frequncias de corte disponveis, no modelo WT 3000, so de 500 Hz, 5, 5 kHz e 50 kHz.
37
Figura 2.16 Incertezas na medio de perdas e de rendimento, em funo do rendimento do conversor, para os
ensaios propostos na UPS hipottica de 7, 2 kW e frequncia de chaveamento de 20 kHz.
0.9
~ (97, 10) %
0.8
15
Incerteza em [%]
20
~ (96, 10) %
10
inversor/
retificador
inversor/retificador
0.7
0.6
UPS
0.5
UPS
0
80
90
100
[%]
0.4
85
90
95
[%]
Como se infere da Figura 2.16, mesmo com um equipamento com esta classe de exatido,
o conversor deve ter rendimento menor do que cerca de 96 % para que as perdas sejam estimadas
com erros inferiores a 10 %. A incerteza quanto ao rendimento dos estgios intermedirios
da UPS, com correntes e/ou tenses de entrada e/ou de sada com contedo harmnico no
desprezvel, se torna ainda maior do que na UPS completa. Por outro lado, ainda que a qualidade
da medio seja suficiente para uma dada aplicao, o custo deste wattmetro ou de similares
talvez torne invivel a aquisio destes equipamentos. Ademais, a medio de perdas em um
conversor com potncias maiores com este tipo de wattmetro pode depender ainda do uso
de sensores de corrente externos, o que tende a aumentar o custo e a degradar a qualidade de
medio como resultado da combinao das incertezas do wattmetro e do sensor externo.
Outros fatores podem ainda incidir no aumento das incertezas associadas medio, como por
exemplo, a operao em fatores de potncia no-unitrios (YOKOGAWA, 2016), a diferena
entre o ciclo real e o ciclo em que as perdas so efetivamente calculadas pelo equipamento e os
atrasos na aquisio de tenso e de corrente (STAFINIAK; KOSOBUDZKI, 2009).
Outra tcnica para a medio eltrica das perdas se baseia ainda do uso de osciloscpios
ou de sistemas de aquisio de dados, em alternativa aos wattmetros. Em geral, as perdas nas
chaves, isoladamente, so estimadas por esta tcnica. Assim, basta que as chaves representativas
de um conversor (i.e., aquelas que por argumento de simetria j so suficientes para as anlises
de rendimento), sejam avaliadas. Particularmente para conversores c.c./c.a. (ou c.a./c.c.), esta
medio depende da aquisio das tenses e correntes ao longo de pelo menos meio ciclo de
60 Hz. Sendo assim, segundo Viswanathan e Oruganti (2007), vrias so as restries desta
tcnica, como, por exemplo: (i) a limitao em banda de passagem introduzida pelas pontas de
prova de tenso e de corrente; (ii) as tenses de offset somadas por estas pontas; (iii) os erros
de quantizao associados converso A/D, no-desprezveis considerando a larga excurso
dos sinais medidos e (iv) as dificuldades de aquisio de uma janela de meio ciclo de 60 Hz
38
com taxa de amostragem suficiente, em razo das limitaes de pontos no display e de memria.
Estes erros de quantizao e a resoluo limitada dos conversores A/D tornam complexa no s
a captura exata das transies no chaveamento, como tambm a medio da tenso direta dos
dispositivos, no estado ligado das chaves.
Uma terceira tcnica, referida por mtodo de oposio, tambm pode ser adotada para
medio eltrica das perdas. Esta tcnica depende do uso de dois sistemas idnticos: um como
gerador e o outro como receptor, conectados rede eltrica como no arranjo da Figura 2.17. O
gerador reinjeta na rede eltrica a energia consumida pelo arranjo, a menos das perdas nos dois
sistemas (2Ploss ). Sendo assim, a medio das perdas pode ser conduzida diretamente com um
canal do wattmetro, instalado no ponto de acoplamento com a rede.
Figura 2.17 Arranjo tpico dos conversores no mtodo da oposio.
2Ploss
Rede eltrica
P1
P1 - Ploss
Conversor 1
P1 - 2Ploss
Rplica do
conversor 1
Conforme Forest et al. (2006), como vantagens deste mtodo figuram a reduo da
potncia fornecida pela rede durante os ensaios de medio de perdas; o fato de dispensar o uso
de cargas dissipativas e, ainda, a possibilidade de medio direta das perdas. Para este mtodo, a
incerteza relativa mxima na leitura das perdas no conversor dada por:
Ploss P
(2.36)
Ploss = P ,
em que P/P a incerteza relativa na medio de potncia do wattmetro em uso. Sendo assim,
o mtodo da oposio introduz um ganho de qualidade de medio em comparao com aquela
primeira tcnica de medio de perdas. Todavia, a necessidade de que o conversor em teste seja
replicado e que seja reversvel em potncia pode tornar invivel a implementao deste mtodo.
Ademais, a presumida equivalncia entre as perdas nos dois conversores pode no ser vlida,
em razo da operao em regimes distintos (gerador e receptor) e da disperso natural entre os
parmetros dos dispositivos semicondutores em uso nos dois conversores.
2.3.2
39
Calormetros
Diretos
Abertos
refrigerados
a ar
Fechados
refrigerados
gua
Indiretos
Balanceados
Srie
2.3.2.1
40
(2.37)
ar frio
ar quente
Amostra
T1
T2
(ii)
(iii)
a reduo do tempo total de medio, em comparao com variaes indiretas de calormetro ou com aquelas refrigeradas gua (ITOH; NIGORIKAWA, 2012).
(ii)
a limitao intrnseca em exatido, j que as perdas de calor para o ambiente, negligenciadas na equao (2.37), podem no ser desprezveis dependendo da diferena entre a
temperatura interna e do meio externo (ITOH; NIGORIKAWA, 2012);
(iii)
(iv)
41
2.3.2.2
Os calormetros diretos podem ser ainda fechados e refrigerados gua, como nos
diagramas da Figura 2.20. O refrigerante, neste caso, circula por um circuito fechado e transfere
o calor para o ar da cmara, hermeticamente fechada. Para que esta transferncia seja combinada
a processos de conveco forada, ventiladores so instalados no interior da cmara. A gua
entra por um duto temperatura T1 , passa por um trocador de calor e retorna ao circuito externo
temperatura T2 , para refrigerao. A parede da cmara pode ser simples ou de dupla camada,
como nas Figuras 2.20(a) e (b), respectivamente. Neste ltimo caso, a temperatura do ar no vo
entre as camadas controlada para que equivalha temperatura no interior da cmara (ITOH;
NIGORIKAWA, 2012). Nesta condio, no h transferncia de calor para o meio externo, o que
suprime o efeito das perdas para o ambiente sobre a exatido da medio.
A equao (2.37) tambm se aplica a esta variao de calormetro. Em razo da maior
estabilidade dos parmetros fsicos da gua em relao temperatura, esta equao pode ser
simplificada, sem que se incorra em erros significativos, como:
Ploss = v cp (T2 T1 ) = m
cp (T2 T1 ) ,
(2.38)
gua fria
gua quente
gua fria
T1
trocador
de calor
T2
gua quente
Amostra
ventilador
T1
trocador
de calor
T2
aquecedor
(a)
ventilador
Amostra
ar
(b)
(ii)
a mitigao do efeito das perdas para o ambiente sobre a exatido da medio, no caso
em que se adota a tcnica de controle de temperatura do ar no vo entre camadas da
parede dupla;
(iii)
42
(ii)
o maior tempo de medio, em funo do maior calor especfico da gua (ITOH; NIGORIKAWA, 2012);
(iii)
a reduo do volume til da cmara para a alocao da amostra, com a adio do trocador
de calor (CAO et al., 2010);
(iv)
o efeito das perdas dos ventiladores, que adiciona incertezas na leitura da potncia
dissipada pela amostra (CAO et al., 2010).
Diferentemente das classes de calormetros descritas nas sees anteriores, os calormetros indiretos se valem de um aquecedor rplica, que reproduz as perdas na amostra. A Figura
2.21 esquematiza a estrutura tpica de um calormetro indireto do tipo balanceado.
Figura 2.21 Diagrama de um calormetro indireto balanceado.
ar frio
t = t + tteste1
ar quente
Amostra
T1
aquecedor
T2
43
(i)
(ii)
(i)
(ii)
os erros que advm da hiptese de que as condies se mantm nos dois experimentos:
como o gradiente de temperatura interna se altera como resultado das diferenas fsicas
entre amostra e aquecedor, a interao do sistema com o meio varia e, assim, as perdas
para o ambiente (CAO et al., 2010);
(iii)
a sensibilidade a variaes das condies ambientais, que podem, inclusive, diferir nos
dois experimentos.
Cabe acrescentar que o efeito do meio externo sobre a medio pode ser minimizado se
paredes com camadas de metal separadas por um isolante (em arranjo sanduche) forem adotadas.
Como consequncia, uma superfcie aproximadamente isotrmica passa a interagir com o meio
(CAO et al., 2010), nos dois experimentos.
2.3.2.4
44
ar frio
ar quente
Amostra
aquecedor
a independncia entre a definio acurada dos parmetros do fluido refrigerante e a exatido do mtodo, j que a medio se embasa apenas no pressuposto de estes parmetros
so iguais nas duas sees da cmara;
(ii)
Apesar destes ganhos, os calormetros indiretos do tipo srie exibem algumas desvantagens, como por exemplo:
(i)
a dificuldade de manter as perdas para o ambiente constantes nas duas sees, uma vez
que a temperatura interna da seo com o duto de sada maior;
(ii)
os erros que resultam da suposio de que as propriedades do fluido so iguais nas duas
sees, enquanto, na prtica, estas variam com a temperatura;
(iii)
2.4
45
Concluses do captulo
46
3 MODELAGEM E SIMULAO DA
UPS DE DUPLA CONVERSO
Neste captulo so apresentadas as abordagens para a modelagem e simulao das UPSs
de dupla converso. Estas simulaes so obrigatrias para as anlises de rendimento, pretendidas
neste trabalho. Inicialmente, so detalhados os circuitos de potncia e as especificaes das
UPSs de dupla converso em estudo. Os modelos dos estgios inversor e retificador e as tcnicas
adotadas para o controle e sintonia de ganhos dos controladores destes estgios so descritos na
sequncia. Por fim, enumeram-se os procedimentos de dimensionamento dos filtros de entrada e
de sada.
3.1
Historicamente, os conversores de dois nveis (2n) foram adotados nas UPSs de dupla
converso trifsicas comerciais como primeira alternativa para a converso c.a./c.c. e c.c./c.a.. A
Figura 3.1 ilustra um inversor em topologia de dois nveis. Nesta topologia, a tenso Vao i.e., a
tenso entre o n da fase a e o ponto central do barramento c.c. assume apenas dois estados, ou
nveis: +VDC /2 e VDC /2, em que VDC constitui a tenso plena do barramento c.c.. As chaves,
nestes arranjos, devem ser dimensionadas para que suportem a tenso VDC . Os filtros de sada
no inversor (ou de entrada do retificador) devem recuperar a componente fundamental de tenso
a partir da forma de onda com degraus de amplitude pico-a-pico de VDC .
Figura 3.1 Topologia de inversor de dois nveis.
Tenso reversa
mxima de VDC
S1
VDC/2
Filtro LC
Carga
b
c
VDC/2
S2
Nos conversores de trs nveis (3n), em contraponto, a tenso Vao excursiona entre trs
estados: +VDC /2, 0 e VDC /2. Como resultado, a tenso de sada do inversor (ou de entrada do
retificador) exibe uma resoluo maior (i.e., degraus de tenso menores) e menor distoro
47
48
Tenso reversa
mxima de VDC/2
S1
Tenso reversa
mxima de VDC
VDC/2
S2
D5
Filtro LC
S3
VDC/2
Carga
D6
S4
(a)
S1
VDC/2
S2
S3
Filtro LC
Carga
S4
VDC/2
(b)
49
do prottipo implementado.
Tambm a pesquisa de Mcbryde et al. (2010), por exemplo, atesta o ganho de rendimento
de UPSs com mdulos de SiC a partir de medies em prottipos experimentais de UPSs de dupla
converso de 6 kV A/230 V , em topologia half-bridge no inversor e no retificador, frequncia
de chaveamento de 20 kHz. O rendimento do prottipo com MOSFETs e diodos de SiC no
estgio inversor e somente diodos de SiC no retificador comparado ao da montagem com
IGBTs e diodos de silcio nos dois estgios, em distintas condies de carga. A UPS com SiC,
quando comparada UPS com mdulos de Si, exibe um aumento de rendimento de 1, 35 %
e 0, 93 %, para as condies de carregamento de 16, 6 % e de 66, 6 %, nesta ordem. Como os
prprios autores indicam, este ganho de rendimento poderia ser ainda maior se a operao em
frequncias de chaveamento mais elevadas fosse avaliada.
Em razo do largo uso e destas novas tendncias de mercado, elegem-se, para os estudos
de rendimento deste trabalho, as topologias de dois nveis com mdulos de potncia de Si e
de SiC e de trs nveis de Si, nos arranjos NPC1 e NPC2. A opo por mdulos e no por
dispositivos discretos j considera as variaes de componentes, em uma mesma topologia, para
que o desempenho global seja timo. Por exemplo, na topologia NPC1, o fabricante tende a
compor um brao de chaves de modo que os transistores mais internos sejam otimizados para
menores perdas de conduo e os mais externos, para menores perdas de chaveamento e.g.,
como se nota no mdulo FS3L50R07W2H3F, do fabricante Infineon. Isso leva a um aumento no
rendimento do conversor, em especial, na operao como inversor. Assim, para que a comparao
entre as topologias j contemple estas adaptaes de projeto, apenas mdulos com no mnimo
um brao de chaves so especificados. De outra forma, os componentes discretos deveriam ser
dimensionados dependendo das condies em que operam, em cada topologia, o que tornaria
esta seleo mais complexa. Cabe salientar ainda que a seleo de mdulos de SiC apenas de
dois nveis se deve indisponibilidade de opes comerciais em outras topologias.
Por outro lado, os mdulos de potncia selecionados para compor as vrias topologias
devem ser de mesma classe de corrente e de tenso (i.e., de mesma tenso mxima de barramento
c.c.), para que nenhuma das topologias seja penalizada nesta comparao de rendimento. Todavia,
a tentativa de padronizao dos vrios mdulos quanto capacidade de corrente se torna
complexa, em virtude da variedade de parmetros associados aos limites mximos de corrente.
De fato, estes parmetros so definidos segundo as prticas do fabricante e variam com as
condies de operao (e.g., com a temperatura de juno e de encapsulamento). Sendo assim,
para a seleo dos mdulos, orienta-se pelo parmetro comum aos catlogos, referido por
corrente c.c. mxima de coletor/dreno. Este parmetro s embasa a opo pelos mdulos e no
o dimensionamento trmico da UPS. Na Tabela 3.1, enumeram-se os mdulos avaliados neste
trabalho. A seleo por mdulos na faixa de 60 A 75 A e de tenso de barramento c.c. mxima
de 1200 V se baseia apenas no critrio de disponibilidade de dispositivos no mercado, nas vrias
topologias em estudo.
50
Mdulos comparados
Modelo
Tipo
Tenso reversa
mxima das chaves
Corrente c.c.
mxima de
coletor/dreno
FF75R12RT4 (Infineon)
2 nveis/ Si
1200 V
75 A
CCS050M12CM2 (CREE)
2 nveis/ SiC
1200 V
59 A
F3L75R07W2E3B11 (Infineon)
NPC1/ Si
650 V
75 A
F3L150R12W2H3B11
(Infineon)
NPC2/ Si
1200 V (S1/S4)
650 V (S2/S3)
75 A
Especificaes
Valores avaliados
Apesar de as UPSs com potncias inferiores a 10 kW comumente no serem trifsicas, considera-se esta faixa
de potncias para que no se exceda a temperatura de juno mxima nos dispositivos das UPSs com tenses
de barramento c.c. de 850 V e frequncia de chaveamento de 30, 72 kHz. Do mesmo modo, frequncias de
chaveamento menores do que 10 kHz so avaliadas apenas para que cada topologia seja submetida a vrios
cenrios, em que dominam ora as perdas de conduo, ora as de chaveamento.
51
Filtro LCL
Rede
eltrica
Lf
Cf
Li
Retificador
Inversor
Filtro LC
Carga
L
C
(a)
(b)
(c)
Conversores: (a) com estrutura de dois nveis, (b) com estrutura NPC1, (c) com estrutura NPC2.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
52
VDC [V]
850
750
650
P out [W]
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
3.2
Esta subseo descreve, sucintamente, as tcnicas de controle adotadas na UPSs simuladas. Estas tcnicas devem permitir a sintonia automtica dos ganhos dos controladores, de
modo que em todas as condies de operao (VDC , fsw , Pout ) os critrios de desempenho
arbitrados sejam atendidos. Para tanto, a sintonia por alocao dos zeros da rigidez dinmica do
controlador (e, assim, dos polos da funo de transferncia) foi adotada. Opta-se pelo controle em
coordenadas sncronas (dq0), para que os controladores tradicionais do tipo proporcional-integral
(PI) no introduzam erros persistentes de magnitude e de fase. A orientao adotada para os
eixos de referncia d e q consta na Figura 3.6. Admite-se ainda a operao dos conversores
com modulao PWM (Pulse-Width Modulation) do tipo senoidal, usual nas aplicaes em
que a carga alimentada a quatro fios e tenses de sequncia zero no devem ser geradas pelo
conversor.
Assumindo que a tenso do barramento c.c. constante, os estgios retificador e inversor podem ser dissociados e simulados individualmente. Esta simplificao reduz o custo
computacional das simulaes e, por esta razo, adotada nas anlises deste trabalho. O controle do retificador e do inversor, detalhados nas sees subsequentes, so tambm supostos
independentes.
53
a,
q
b
3.2.1
Controle do retificador
No retificador PWM, ou ativo, duas dinmicas (ou plantas) devem ser controladas, a
saber, a do barramento c.c. e a do filtro LCL (Lf , Cf e Li ) de entrada. Estas dinmicas devem
ser explicitadas em coordenadas sncronas, dq0, para que as grandezas trifsicas senoidais
sejam mapeadas para o domnio contnuo e, assim, os controladores PI no incorram em erros
persistentes de fase e de amplitude, como j foi comentado.
Se o filtro LCL de entrada suposto amortecido, o capacitor Cf pode ser desprezado
no modelo desta planta para frequncias menores do que a frequncia de ressonncia do filtro
(LISERRE; BLAABJERG; HANSEN, 2005) e as equaes para a tenso da entrada do retificador
em coordenadas sncronas se reduzem a:
vd = rL id + LT dt id + ed + LT iq
(3.1)
vq = rL iq + LT dtd iq + eq LT id
d
v0 = rL i0 + LT dt i0 + e0
em que rL e LT constituem as resistncias e indutncias totais dos indutores do filtro (LT =
Li + Lf ). As componentes d, q e 0 de cada varivel so indicadas por subndices. As tenses
da rede eltrica e na entrada do retificador so denotadas por e e v e as correntes no indutor
equivalente LT so referidas por i. J denota a frequncia angular do referencial sncrono,
dada por 2f , em que f a frequncia da rede. O sentido positivo das correntes aquele
indicado na Figura 3.7. Como se nota nestas equaes, a dinmica do filtro exibe, inerentemente,
acoplamentos entre as variveis de eixo d e q.
Por outro lado, a dinmica do barramento c.c. descrita pela equao:
iL = io + Cd
dvDC
dt
(3.2)
54
Lf
Li
io
ia
ea
iL
iCd
ib
eb
...
ic
Cd
ec
vcfa
Cf
vcfb
VDC
vcfc
ga gb gc
ia
ib
ic
Controle e
modulao
VDC
VDC*
id*
VDC
Malha
de id
abc
id
dq
iq
abc
Malha de id
id
_
id *
Vcfd
sLe
VDC
re
id
id
Malha de iq
iq* = 0
Ra
+_
Vcfq
sLe
re
iq
vq*
++
+ _
+
Le id
iq
id
Gret
vq
Le iq
eq
LT
+_
+_
iq
vd*
++
+
++
Ra
+_
iq LT
Gret
vd
ed
__
+_
+_
gc
iL
1
sLT
id
io
_+
VDC*
ki
s
kp
gb
SPWM
iq* = 0
Malha de VDC
ga
dq
Malha
de iq
PLL
3
vcf
1 VDC
sC d
rL
Planta
1
sLT
rL
iq
Desacoplamento de
realimentaes internas
Comando explcito ou
feed-forward
Compensao de
perturbao
Desacoplamento entre
eixos d e q
Para que o sistema seja mapeado para o referencial sncrono, um algoritmo de sincronismo PLL (Phase Locked Loop) deve ser implementado. O diagrama de PLL adotado neste
trabalho consta na Figura 3.8. Neste diagrama, as tenses Vcf a , Vcf b e Vcf c se referem s tenses
sobre o capacitor Cf . A sintonia do controlador do PLL depende da modelagem em pequenos
sinais deste sistema. Esta modelagem, bem como o critrio de sintonia dos ganhos proporcional
55
(kpP LL ) e integral (kiP LL ), so abordados em Silva (1999) e sero omitidos aqui, para fins de
simplificao do texto.
Figura 3.8 Diagrama de PLL implementado.
k i PLL
s
Vq* 0
+-
k p PLL
ff 2 f
1
s
Vq
dq
Vd
Vcfa
Vcfb
Vcfc
abc
Como se infere das dinmicas com modelos em (3.1) e (3.2), a tenso no barramento
c.c. (VDC ) e as correntes de entrada i, enquanto variveis de estado, devem ser as variveis
controladas. O controle da tenso VDC deve prover a rejeio da perturbao introduzida pela
Supe-se, arbitrariamente, que h um erro de 20 % nas estimativas da indutncia total do filtro e da resistncia
total dos indutores.
56
vd id VDC
io ,
2
io
3 vd
H=
.
id
2 VDC
(3.3)
(3.4)
A figura de mrito para rejeio das perturbaes referida por rigidez dinmica e
mensura quantas unidades da grandeza de distrbio levam perturbao de uma unidade da
varivel controlada (RYAN; LORENZ, 1995). Por exemplo, se a variao de 100 A da corrente
de carga iL leva variao de 1 V na tenso do barramento c.c., a rigidez dinmica do sistema
em relao iL de 100 A/V . Assim, analogamente ao conceito aplicado a sistemas mecnicos,
quanto maior a rigidez do sistema, menor a suscetibilidade aos distrbios. A rigidez dinmica
mnima em relao a cada uma das variveis de perturbao deve ser, pois, definida como
um critrio de projeto dos controladores (RYAN; LORENZ, 1995). Para tanto, as funes que
definem a rigidez dinmica para o sistema controlado, em relao tenso da rede e e corrente
de carga iL , devem ser avaliadas. Com base no diagrama de controle da Figura 3.7, vem, para
estas funes4 :
e
(3.5)
= sLT + Ra ,
i
iL
= sCd + kp + ki .
(3.6)
vdc
s
em que Ra e kp equivalem aos ganhos proporcionais das malhas de corrente e de tenso e ki
se refere ao ganho integral do controlador de tenso, como se nota na Figura 3.7. Por inspeo
destas funes, depreende-se que os controladores de fato definem a resposta de rigidez dinmica
3
Esta simplificao pode ser adotada se a frequncia de corte da funo de transferncia Gret for pelo menos dez
vezes maior do que a da malha de corrente.
Na deduo destas funes, assumem-se as seguintes premissas: (i) as realimentaes internas e o acoplamento
entre as malhas so compensados integralmente pelas aes de controle; (ii) as entradas de referncia e com as
aes de compensao de perturbao ou de feed-forward so nulas; (iii) a malha de corrente id /id , a constante
Gret e o produto Gret H so unitrios.
57
do sistema. O ganho Ra , por exemplo, domina na resposta |e/i| em baixas e mdias frequncias.
J os ganhos kp e ki incidem sobre a rigidez |iL /vDC | em mdias e baixas frequncias, nesta
ordem. O esboo das assntotas destas funes apresentado na Figura 3.9. Assim, a interseo
entre as assntotas descrevem os pontos onde os zeros da rigidez dinmica (e, assim, os polos
das funes de transferncia5 ) esto alocados. Se o zero da rigidez |e/i| for denotado por i e
os da caracterstica |iL /vDC | forem v(1) e v(2) (com v(1) > v(2) ), vm as equaes para os
ganhos dos controladores, diretamente:
Ra = i LT ,
kp = v(1) Cd ,
ki = v(2) kp .
(3.7)
e
i
iL
v DC
LT
Ra
ki
C D
kp
[rad/s]
(a)
v ( 2)
v (1)
[rad/s]
(b)
Portanto, basta definir um critrio para alocao de i , v(1) e v(2) para que os ganhos
dos controladores sejam derivados. Opta-se por alocar os polos de modo que a razo entre
as frequncias de polos adjacentes seja de 10, como na regra prtica usual. J a razo entre a
frequncia de chaveamento chav (2fsw ) e a frequncia do polo i fixada em 5, para que no
haja degradao da dinmica do controle na condio em que as frequncias de chaveamento so
menores. As equaes a seguir resumem este critrio de alocao, adotado para cada condio
de operao avaliada:
i = chav /5,
(3.8)
v(1) = i /10,
Os zeros das funes de rigidez dinmica |e/i| e |iL /vDC | equivalem aos polos das funes de transferncia
58
frequncias da ordem de 60 Hz, deve superar o valor de 15V /A. Caso contrrio, o valor de LT
elevado para o valor mnimo que leva rigidez pretendida. Para este valor arbitrrio de 15V /A,
variaes de 10% na tenso da rede (i.e., 18V em uma rede de tenso de fase de pico de 180 V )
levam a excurses de no mximo 1, 2 A na corrente de entrada i (i.e., cerca de 10% da menor
corrente de entrada avaliada). A capacitncia total do barramento fixada em 1, 5 mF , em todas
as condies de operao, para que o ripple mximo da tenso do barramento c.c. seja de 1%
para o caso com mxima potncia de carga. Nesta condio, o ripple do barramento c.c. pode ser
desprezado, o que fundamenta, pois, a opo pela anlise independente dos estgios retificador e
inversor, aqui adotada.
Os critrios enumerados nesta seo, portanto, so suficientes para que os ganhos dos
controladores sejam sintonizados para cada especificao de potncia nominal, tenso do barramento c.c. e frequncia de chaveamento do conversor, em qualquer das topologias trifsicas
avaliadas neste trabalho.
Os resultados da simulao de um retificador trifsico de 10 kV A com parmetros dados
na Tabela 3.3 so apresentados na Figura 3.10. Os testes de reverso de carga (apesar de atpicos
em UPSs) e de variao de 10 % na tenso da rede so conduzidos nestas simulaes, para que
a suscetibilidade do controle a estas perturbaes seja avaliada. Estas perturbaes ocorrem,
em sequncia, nos instantes indicados por t1 e t2 nos grficos da Figura 3.10. A corrente iL ,
assumida constante, a tenso do barramento VDC , a tenso da rede e e a corrente da rede ig
(multiplicada por dois) constam nesta figura. O ngulo entre e e ig e espectros harmnicos das
correntes nos indutores Li e Lf so tambm apresentados.
Tabela 3.3 Tabela com os parmetros do retificador com resultados de simulao apresentados na Figura 3.10.
Parmetro
Tenso eficaz da rede eltrica (e)
Tenso do barramento c.c. (VDC )
Frequncia de chaveamento (fsw )
Potncia nominal de sada (Pout )
Indutncia L1
Indutncia Lf
Capacitncia Cf
Ganho proporcional da malha de corrente (Ra )
Ganho proporcional da malha de tenso (kp )
Ganho integral da malha de tenso (ki )
Valor
220 V
550 V
15, 36 kHz
10 kW
480 H
250 H
27 F
15
11, 5 S
2235 S/s
59
seo 3.3.
Figura 3.10 Resultados da simulao de um retificador trifsico com os parmetros da Tabela 3.3.
iL [A]
20
0
-20
0.05
0.1
V DC [V]
570
560
2i ga [A], e a [V]
0.1
t1
1 pu
t 2 0.15
0.2
0.25
1 pu
0,9 pu
1 pu
100
0
-100
-200
ea
0.05
2i gb [A], e b [V]
0.25
550
200
0.1
t1
200 1 pu
t 2 0.15
1 pu
2i ga
0.2
0.25
1 pu
0,9 pu
0
-200
2i gb
0.05
200
2i gc [A], e c [V]
0.2
552
550
548
0.05
t1
1 pu
0.1
t 2 0.15
1 pu
eb
0.2
0.25
0,9 pu
1 pu
-200
ec
0.05
t1
0.1
180
150
[]
0.15
t2
t1
t 2 0.15
2i gc
0.2
0.25
180
100
50
2,0
0
0.05
0.1
1
t2
0.15
0.2
Tempo [s]
0.25
60
Amplitude [%]
10
(30,72 kHz, 2,7 %)
10
15
20
25
30
35
40
Frequncia [kHz]
THD = 15,5 %
45
50
55
60
0.5
10
15
20
25
30
35
40
Frequncia [kHz]
45
50
55
60
3.2.2
Controle do inversor
v =v +r i +Ldi
i0
o0
L L0
dt L0
i =i +C dv
L0
o0
dt o0
(3.9)
61
devem colaborar para o objetivo bsico de controle do filtro LC, que, tambm naquele contexto,
deveria ser o de rejeitar perturbaes de carga. Os controladores devem ainda: (i) compensar o
efeito das realimentaes internas no filtro; (ii) desacoplar as malhas de corrente de eixo direto
e de quadratura e (iii) atuar como um recurso de proteo do inversor. O diagrama de controle
implementado consta na Figura 3.11. Novamente, as aes de cada termo do controlador so
indicadas na legenda.
Figura 3.11 Diagrama de controle do inversor trifsico.
L
ioa
ioc
iob
... Cd
ga gb gc
voa
vob
voc
ioa
iob
ioc
Controle e
modulao
iLq
vod
vod*
voq*
vo
io
abc
vod
vodq
voq
abc
iod
vodq
ioq
_
+
vodq
voq
iLd
Malha
de vd
Malha
de vq
iLd*
iLq*
_
+
iLd
_+
abc
_+
iL
Malha
de id
Malha
de iq
dq
SPWM
abc
iLq
ga
gb
gc
62
Malha de id
Malha de vd
iod
iffd*
+ +
++
_
vod
+
+
Ce
voq
kpi
Ginv
vid
1
sL
vod
Le
iLd
++
++
kpv
+_
_ _
_+
vod*
iLq
iLd
rL
iLq
re
_
+_
1
sC
vod
voq
iLd
Malha de iq
Malha de vq
ioq
iffq*
+
++
__
Ce
vod
kpi
Ginv
viq
1
sL
voq
Le
iLq
++
++
voq
+
+_
_ _
+
+
kpv
+_
iLd
iLd
rL
re
Planta
Desacoplamento de
realimentaes internas
Comando explcito ou
feed-forward
Desacoplamento entre
eixos d e q
iLq
+-
Vffq
kiv
s
voq*
icd
Vffd
kiv
s
icq
1
sC
voq
vod
iLq
Compensao de perturbao
(3.10)
if f = sCe vo
(3.11)
63
io
vo
kiv
2 L
C
k pv
L
Ckpi
L
v( 2) v (1)
i [rad/s]
kpi = i L,
(3.13)
kpv = v(1) kpi C,
i = chav /5,
(3.14)
v(1) = i /5,
64
atinge no mximo 40% e se sustenta por no mximo 1, 0 ms, infere-se que os controladores
implementados atendem ao objetivo de controle do filtro LC. Os espectros harmnicos da
corrente no indutor e na carga validam o dimensionamento do filtro LC de sada, abordado na
seo 3.3.
Tabela 3.4 Tabela com os parmetros do inversor com resultados de simulao apresentados na Figura 3.13.
Parmetro
Valor
220 V
550 V
15, 36 kHz
10, 0 kW
1, 2 mH
20 F
23
0, 08 S
60 S/s
Figura 3.13 Resultados da simulao de um inversor trifsico com os parmetros da Tabela 3.4.
40
0,5 pu
1 pu
io [A]
20
0
-20
-40
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
Tempo [s]
-40
-80
-120
1 pu
1 pu
vo [V]
200
Amplitude [%]
-200
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
Tempo [s]
0.07
0.08
0.09
0.1
1.5
THD = 1,3 %
0.5
5
10
15
20
25
30
35
Frequncia [kHz]
40
45
50
55
60
65
Amplitude [%]
6
4
THD = 6,6 %
2
5
10
15
20
25
30
35
Frequncia [kHz]
40
45
50
55
60
3.3
3.3.1
VDC
2
VDC
2
Tsw
i
,
vacf = Li t
1
i
+ vacf = Li t2 ,
= t1 + t2 ,
(3.15)
Para que a funo com a dependncia entre i e vacf seja deduzida, basta substituir os valores de t1 e de
t2 , obtidos da primeira e da segunda equaes, na terceira equao do sistema em (3.15).
66
VDC Tsw
, na modulao de dois nveis.
4imax
(3.16)
Esta abordagem simplificada tambm preconizada por Texas Instruments (2015). Para
a modulao de trs nveis, as equaes de malha ficam:
(
VDC
i
,
vacf = Li t
2
1
(3.17)
i
vacf = Li t
.
2
Para este caso, o valor de vacf que maximiza a derivada de i = f (vacf ) de VDC /4.
Substituindo vacf = VDC /4 nesta nova funo f , obtm-se a equao para a indutncia
Li mnima na modulao de trs nveis:
Li =
VDC Tsw
, na modulao de trs nveis.
8imax
(3.18)
(iii)
Cb = (Zb )1 ,
(3.19)
Cf = 0, 05Cb .
(3.20)
Seleo do indutor Lf
O dimensionamento do indutor Lf se embasa, novamente, no critrio proposto por Liserre, Blaabjerg e Hansen (2005). Estes autores sugerem que o indutor Lf seja calculado
67
a partir da razo pretendida entre as distores harmnicas de corrente no lado do conversor e no lado da rede. A equao que define a razo entre estas distores dada por,
se r for a razo entre Llr (igual a Lf + Lg ) e Li :
ig (hsw )
1
=
,
i(hsw )
|1 + r(1 bx)|
(3.21)
(3.22)
Pcc =
(3.23)
(3.24)
(3.25)
68
esta rigidez mnima for denotada por Rd(min) , a indutncia total mnima, LT (min) , deve
ser de:
LT (min) =
Rd(min)
,
i
(3.26)
em que i calculada segundo critrio de alocao dado nas equaes (3.8). Se o valor de
LT calculado no exceder este limiar mnimo, a indutncia total reatribuda LT (min) e
a indutncia Lf recalculada como:
Lf = LT (min) Li Lg ,
(3.27)
Nos projetos de UPS em anlise neste trabalho, nota-se que a indutncia total LT
calculada segundo o critrio de atenuao de harmnicos no supera LT (min) . Em consequncia, esta indutncia total sempre ajustada para LT (min) , independentemente
da topologia do retificador (dois nveis ou trs nveis). Assim, se o ripple no lado do
conversor for atribudo a valores percentuais mximos iguais nestas duas topologias,
Lf pode superar Li no arranjo de trs nveis. Como regra prtica, para que o ripple de
corrente no capacitor e no resistor de amortecimento seja reduzido, preferem-se valores
de Li maiores do que Lf . Sendo assim, impe-se um critrio de ripple no lado da rede
mais severo no caso das topologias de trs nveis, para forar o aumento de Li . Isso
justifica, portanto, os valores de ripple mximo no lado do conversor fixados no item (i).
(iv)
(v)
69
ao intervalo complementar (i.e., com frequncias menores do que 10f e maiores que
fsw /2), no levam o filtro condio de ressonncia.
s
LT
1
(3.28)
fres =
2 Li Lg Cf
Portanto, com base nestes procedimentos, os parmetros do filtro podem ser calculados
para cada condio de operao. As distores harmnicas na rede so avaliadas, em simulao,
para fins de validao do projeto.
3.3.2
Dimensionamento do filtro LC
L=
(3.29)
(3.30)
Supe-se que o ripple de corrente, todavia, pode atingir at 20% da corrente nominal de pico
tambm calculada com a suposio de fator de crista em 2. J o capacitor C pode ser estimado
para prover uma atenuao mnima para as componentes harmnicas em torno da frequncia de
chaveamento fsw . Como o filtro em anlise de segunda ordem com atenuao de 40 dB por
dcada a alocao da frequncia de corte fc a uma dcada de fsw j define a reduo de cem
vezes na amplitude dos harmnicos esta frequncia. Supondo que esta reduo seja suficiente,
vem, como critrio para a especificao de C:
fsw
,
10
1
C =
.
(2fc )2 L
fc =
(3.31)
(3.32)
A partir deste critrio, o afastamento entre fc e frequncia fundamental f fica definido pelo
ndice de modulao em frequncia (mf ) do conversor. Como apenas valores de mf maiores do
que 60 so analisados neste trabalho, a frequncia fc pelo menos seis vezes maior do que f .
Novamente, a distoro harmnica da corrente e da tenso da sada so avaliadas em simulao,
para que estas especificaes sejam validadas para cada uma das UPSs em estudo.
3.4
Concluses do captulo
70
neste trabalho foram tambm enumeradas. Os procedimentos detalhados neste captulo para a
sintonia dos ganhos dos controladores e para o dimensionamento dos filtros de entrada e de sada
sero adotados nas simulaes. Com as estratgias de simulao j definidas, resta, pois, propor
tcnicas para clculo e medio do rendimento global destas UPSs. Estas tcnicas, abordadas no
captulo a seguir, se aplicam genericamente a qualquer conversor esttico.
71
4.1
(ii)
organizar os dados relativos a vrios mdulos de potncia em uma base de dados nica
(biblioteca), de fcil acesso, que categorize os mdulos por topologia;
(iii)
implementar os mtodos descritos na literatura para o clculo das perdas nos semicondutores, abordados no captulo 2, para as trs topologias trifsicas simuladas (a saber, dois
nveis, NPC1 e NPC2);
(iv)
(v)
(vi)
(vii)
(viii)
72
(ix)
(x)
(xi)
desenvolver interfaces grficas simples e intuitivas, que facilitem a entrada de dados nas
ferramentas implementadas;
(xii)
(xiii)
Cabe salientar aqui que ferramentas com funes similares esto disponveis no mercado,
em outros ambientes de simulao. Por exemplo, os programas PSIM (Powersim Inc.) e PLECS
(Plexim) j permitem, em pacotes com bibliotecas suplementares, a incluso das curvas e dados
de catlogo dos dispositivos simulados. Com base nestes dados, as perdas e as temperaturas
de juno so calculadas. H ainda alguns mdulos com curvas e parmetros trmicos j prdefinidos, o que dispensa, pois, a entrada manual de dados pelo usurio. Contudo, as licenas
destes programas so de custo elevado e a transio para estas ferramentas implicaria o retrabalho
de simulao de todos os conversores, bem como a necessidade de adaptao com os recursos
destes novos ambientes. Para o proponente do projeto P&D em que se este trabalho se insere,
portanto, a melhor alternativa decorre do uso do prprio MATLAB/Simulink, j tradicionalmente
adotado no projeto das UPSs. Por esta razo, opta-se por desenvolver todas as ferramentas neste
ambiente. As subsees 4.1.1 e 4.1.2 detalham as rotinas implementadas neste trabalho.
4.1.1
73
etc.) comum nestas rotinas, esta ferramenta deveria permitir o fcil acesso aos parmetros de
cada mdulo de potncia. Para tanto, estes parmetros devem ser encapsulados em bibliotecas,
com dados acessveis e legveis ao usurio. Por outro lado, para dispensar a necessidade de
simular o conversor nas anlises de desempenho de cada mdulo, as correntes e tenses nos
dispositivos, associadas cada condio de operao, deveriam ser armazenadas em arquivos.
Assim, bastaria que o usurio carregasse o arquivo com as correntes (vetores de corrente) para
um dado cenrio de operao, obtidas de simulaes anteriores, para que cada mdulo disponvel
na biblioteca pudesse ser avaliado neste cenrio. Para que um executvel pudesse ser gerado com
as rotinas de clculos de perdas e de temperaturas, todas as funes so implementadas apenas
em scripts do MATLAB, sem o uso do ambiente de simulao Simulink. As etapas deste mtodo
so sintetizadas no diagrama da Figura 4.1. Nesta figura, id [k] e iq [k] se referem s correntes nos
diodos e nos transistores do circuito, nesta ordem, a cada instante k.
Figura 4.1 Diagrama esquemtico dos mtodos online e offline de clculos de perdas nos mdulos
semicondutores de potncia.
Modelo do
conversor
id[k], iq[k]
id[k], iq[k]
id[k], iq[k]
Ptotal
Circuito trmico
equivalente
Mtodo online
Mtodo offline
Comum
Vetores de
corrente
Tj = Tj(mx)
Tj [i+1]
dados [m]
Biblioteca
dados [m]
dados [1...n]
Caracterizao
do mdulo de
potncia
Em contraposio, o mtodo aqui referido como online, com etapas tambm sumarizadas
na Figura 4.1, pretende estimar as perdas em um cenrio mais realista, no necessariamente
com o pior caso. Nesta outra abordagem, as perdas so avaliadas nas temperaturas de juno
calculadas via modelo trmico do conversor. Por exemplo, se este modelo retorna uma temperatura de juno de 80 C para um dispositivo, a premissa de que este opera na temperatura mxima
(de 150 C a 175 C), pressuposta no clculo de perdas, conservadora e pouco plausvel. Em
alternativa mais realista, as perdas deveriam ser inferidas para esta temperatura de juno de
80 C. Para tanto, as curvas que caracterizam cada dispositivo devem ser escaladas, de alguma
forma, para esta temperatura. Todavia, como o modelo trmico depende da estimativa das perdas
e vice-versa, as anlises so inerentemente iterativas. Por esta razo, opta-se pela implementao
deste mtodo em tempo de simulao, o que justifica design-lo aqui por mtodo online.
74
75
Incio
Importao do arquivo
de imagem
( .png , .jpg , .bmp )
Seleo de escala dos
eixos: linear ou
logartmica
Seleo da varivel de
sada: x ou y
Seleo do mtodo de
interpolao entre os
pontos capturados
Captura dos pontos
(xmx , ymn) e
(ymx , xmn)
Captura do k-simo
ponto
Eixo x em
escala
linear?
S
Equaes
4.1 e 4.3
Equaes
4.2 e 4.4
Grfico de
energia?
Equaes
4.5 e 4.7
Eixo y em
escala
linear?
Equaes
4.6 e 4.8
Fim da
aquisio?
Correo da
curva?
Adicionar
ponto (0,0)
Salvar os
dados em
arquivo
76
Figura 4.3 Algumas telas da ferramenta GetPoints, com algumas das etapas do fluxograma da Figura 4.2.
(a) seleo do arquivo de imagem; (b) entrada das coordenadas; (c) aquisio com opo de zoom in habilitada;
(d) fim da aquisio e seleo de outros mtodos para interpolao; (e) tela para seleo da correo que deve ser
aplicada; (f) correo das curvas de energia, com extrapolao da primeira regio. Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
77
Com esta ferramenta, o usurio importa a figura com cada curva em imagem no formato
.bmp, .jpg ou .png, entra com as coordenadas mnimas e mximas e inicia a aquisio
ponto a ponto da curva. Para facilitar esta aquisio, recursos de zoom in e zoom out na figura,
de deslocamento automtico da imagem ao longo da curva e de excluso de pontos capturados
incorretamente foram includas no GetPoints. Ao fim da aquisio, o programa converte as
coordenadas em pixels para numricas. Grficos com eixos em escala linear e logartmica nas
abscissas e/ou nas ordenadas so interpretados. As equaes (4.1) a (4.4) inferem as coordenadas
numricas (x, y) a partir das coordenadas em pixels (xpx , ypx ), para os eixos em escala linear:
x = xpx xpx(min) x + xmin ,
(4.1)
y = ypx ypx(min) y + ymin ,
(4.2)
x = (xmax xmin ) / xpx(max) xpx(min) ,
(4.3)
y = (ymax ymin ) / ypx(max) ypx(min) .
(4.4)
em que os subndices max e min se referem s coordenadas mximas e mnimas. Para o caso
com eixos em escala logartmica, as equaes (4.5) a (4.8) traduzem as coordenadas em pixels
para numricas:
x = xmin 10(xpx xpx(min) )x ,
y = y
10(ypx ypx(min) )y ,
(4.5)
(4.6)
min
(4.7)
(4.8)
Algumas correes nas curvas podem ser aplicadas, como, por exemplo, a adio do
ponto com coordenada (0, 0) s curvas de corrente em funo de tenso ou de energia de
chaveamento em funo da corrente. No caso das curvas de energia em funo da corrente, outra
alternativa implementada para extrapolar os dados da curva na primeira regio do grfico (com
correntes prximas de zero), normalmente indefinida nas folhas de dados como se nota, por
exemplo, nos grficos da Figura 2.12. Para tanto, a funo de interpolao numrica interp1
com o mtodo spline cbico, disponvel na biblioteca do MATLAB, adotada para estimar a
trajetria dos pontos no intervalo entre (0, 0) e o primeiro ponto dado na curva. A opo por
este mtodo foi baseada na anlise do padro tpico das curvas de energia em funo da corrente
e na inspeo dos resultados da interpolao por outros mtodos pr-definidos na biblioteca
do MATLAB. De fato, como o mtodo spline cbico torna contnuas as derivadas primeiras e
segundas dos pontos interpolados, os pontos seguem uma trajetria suave, mais prxima do
padro mais provvel. Este recurso de interpolao dos pontos na primeira regio dos grficos de
energia exemplificado na Figura 4.3(f).
Por fim, o usurio pode salvar os dados da aquisio (j com a correo) em um arquivo
.txt, com vetores de abscissas e ordenadas dispostos em linhas. Este formato de arquivo
legvel nos programas implementados para clculos de perdas. Ao salvar o arquivo, o programa
78
exibe, no workspace do MATLAB, uma sugesto de cdigo para que o usurio acesse o arquivo
.txt, importe os dados, efetue a interpolao entre os pontos e gere um grfico com os pontos
originais da aquisio e com os calculados pela rotina de interpolao sugerida.
As ferramentas de clculos de perdas acessam todos os arquivos .txt com as curvas
de todos os mdulos de potncia j caracterizados, salvas pelo GetPoints. Para que estejam
acessveis, estes arquivos so organizados em pastas, nomeadas conforme a topologia e em
subpastas, referentes a cada mdulo.
As resistncias trmicas informadas nas folhas de dados tambm so salvas em arquivos
.txt, adicionados nas subpastas de cada mdulo. O modelo trmico equivalente do sistema
completo (mdulos + dissipador) obtido a partir dos valores de resistncia trmica recuperados
destes arquivos. O nmero de braos por mdulo, bem como o de mdulos por dissipador, so
informados diretamente pelo usurio no mtodo offline. Pressupe-se que o nmero de braos
por mdulo um nmero inteiro maior ou igual a 1. Apenas parte de um brao do conversor
representada ao usurio no circuito trmico da interface, para que se possam editar os valores
de resistncia trmica (atualizados nos arquivos, a cada alterao). Como em geral existe uma
simetria em cada brao dos mdulos de potncia, a parte exibida do circuito inclui apenas metade
dos dispositivos deste brao, j suficiente para caracterizar o mdulo completo. A outra metade,
que replica a primeira, bem como os outros braos, so consideradas no clculo das temperaturas,
mas so omitidas ao usurio para fins de simplificao da interface.
O usurio ainda deve selecionar o tipo do circuito trmico (circuito 1 ou circuito 2,
conforme a notao da seo 2.2.3). O detalhe de como esta seleo efetuada, na interface do
programa, indicado na Figura 4.4. No mtodo offline, para que o uso do software Simulink seja
dispensado, as temperaturas so calculadas com base nas equaes derivadas do modelo trmico.
Figura 4.4 Detalhe da seleo do tipo de circuito trmico de um conversor com topologia NPC2.
79
80
Para exemplificar este recurso, a curva de impedncia transitria obtida no catlogo do transistor
do mdulo FF75R12T4 (Infineon), a curva ajustada e os parmetros calculados para o circuito
Foster de quatro estgios so apresentados na Figura 4.6.
Zth(jc) [K/W]
Figura 4.6 Exemplo de ajuste dos parmetros do circuito trmico de regime transitrio do tipo Foster, a partir da
curva de impedncia trmica transitria Zth(jc) do dispositivo semicondutor.
0.4
0.36
0.32
0.28
0.24
0.2
Catlogo
Fitting
0.16
0.12
0.08
0.04
10-2
10-1
Tempo [s]
100
101
4.1.1.2
Mtodo offline
81
Figura 4.7 Fluxograma da ferramenta PerdasOffline, que implementa o mtodo de clculo de perdas offline.
Incio
Edio de alguma
curva?
i>P
N
j=1
j>N
N
k=1
k>M
N
Clculos de perdas para:
vetor(i), Rgon(j), Rgoff(k)
k=k+1
j=j+1
i=i+1
82
Figura 4.8 Telas da ferramenta PerdasOffline, em parte das fases do fluxograma da Figura 4.7.
(a) seleo da pasta com a biblioteca de mdulos de potncia; (b) seleo da topologia e do mdulo; (c) visualizao
e edio de curvas; (d) seleo do arquivo com o vetor de corrente; (e) visualizao das formas de onda; (f)
visualizao dos valores calculados e dos grficos. Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
83
Quando o usurio opta por um dos mdulos, todas as curvas da sua subpasta so carregadas, mas somente aquela selecionada pelo usurio no painel Seleo de curvas exibida
no grfico (Figura 4.8(c)). Os campos com as Condies de ensaio devem ser editados para
os valores de tenso VCE e das resistncias de gate de turn-on (Rgon ) e de turn-off (Rgof f )
nos ensaios do datasheet do fabricante. A resistncia Rcc0 +ee0 tambm deve ser informada, caso
conste no catlogo. Os detalhes do painel Circuito trmico j foram abordados na seo 4.1.1.1.
Ao fim da edio da primeira aba, o usurio deve selecionar a segunda, de Simulao e
resultados. O programa ento solicita a importao dos arquivos .txt com o(s) vetor(es) de
corrente(s). Estes arquivos, com os formatos indicados na Figura 4.9, armazenam os valores
instantneos das correntes ao longo de um ciclo completo de 60 Hz, em metade dos dispositivos
de um brao do mdulo j suficiente para estas anlises, em razo da simetria ao longo de
um brao. A conveno de nomes das chaves, na Figura 4.9, segue a das Figuras 3.1 e 3.3.
Os arquivos com os vetores de corrente tambm incluem um cabealho com os parmetros da
simulao em que estes vetores foram obtidos. Mltiplos vetores, em condies de operao
variadas, podem ser adicionados.
(a)
Tempo
Corrente no
transistor Q1
Corrente no
transistor Q3
Corrente no
diodo D2
Corrente no
diodo D4
Corrente no
diodo D4
(b)
Dados
Tempo
Corrente no
Corrente no diodo
transistor Q1
D2
a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.000950;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_Q3;I_D2;I_D4;I_D5;;
6.666666667e-02 3.942828590e+01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.950426285e+01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00 0.000000000e+00
6.666768392e-02 0.000000000e+00 3.042350790e-01 0.000000000e+00 0.000000000e+00 3.881510013e+01
Cabealho
Dados
a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.001900;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_D2;;
6.666666667e-02 3.596278733e+01 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.600199752e+01 0.000000000e+00
6.666768392e-02 3.604120082e+01 0.000000000e+00
Cabealho
Figura 4.9 Formato dos vetores de corrente que devem ser importados em arquivos .txt no programa
PerdasOffline, para as trs topologias.
84
Tempo
Corrente no
transistor Q1
Corrente no
diodo D4
Corrente na
chave S2
Dados
a) F;60.000000;;
b) Fsw;15360.000000;;
c) mf;256.000000;;
d) ma;0.552631;;
e) E;650.000000;;
f) V;127.000000;;
g) L;0.000950;;
h) rL;0.001000;;
i) C;0.000055;;
j) Linear;S;;
k) Rcarga;4.838700;;
l) fp;1.000000;;
m) Pcarga;10000.000000;;
n) Npontos;128.000000;;
o) Nciclos;5.000000;;
time;I_Q1;I_D4;I_T2;I_T3;;
6.666666667e-02 3.954377096e+01 0.000000000e+00 -3.249600493e-03 0.000000000e+00
6.666717529e-02 3.961995535e+01 0.000000000e+00 -3.249599732e-03 0.000000000e+00
6.666768392e-02 0.000000000e+00 -0.000000000e+00 3.893632913e+01 -3.893632913e+01
Cabealho
(c)
Corrente na
chave S3
No painel Condies de operao, podem-se definir valores fixos ou, ainda, intervalos
em que os resistores Rgon e Rgof f variam, caso se pretenda avaliar o efeito da excurso dos
valores destas resistncias nas perdas. Na sequncia, o usurio deve simular o(s) vetor(es). O
programa ento processa os vetores selecionados e calcula as perdas para cada vetor e valor de
Rgon e de Rgof f , conforme o fluxograma da Figura 4.7. Como se nota neste fluxograma, se um
nmero P de vetores foi includo e foram definidos N valores de Rgon e M de Rgof f , o programa
s finaliza os clculos e disponibiliza os resultados quando todas as P N M combinaes destes
argumentos forem avaliadas. Ao fim da execuo dos clculos, os resultados so apresentados
em tela. Os menus do painel Resultados permitem selecionar o vetor de corrente e os valores
de Rgon e de Rgof f em que se pretendem avaliar as perdas. Os valores de perda de chaveamento e
de conduo em cada dispositivo, as perdas totais em metade dos dispositivos de um brao, bem
como as temperaturas de juno, de encapsulamento e de dissipador, so exibidos nos campos da
interface. Grficos com as porcentagens de cada perda so tambm retornados na interface, de
modo a orientar as aes de otimizao do projeto quanto ao rendimento, como j foi discutido
na fase de proposio dos requisitos bsicos do programa. Os grficos com estas estatsticas,
gerados pelo PerdasOflline, constam na Figura 4.10.
Se o usurio optou pela anlise de uma faixa de valores de Rgon e de Rgof f , um boto
(Plotar P Rg ) permite plotar a curva de perdas de chaveamento e totais em funo destes
valores. Do mesmo modo, se vrias potncias de carga Pout foram contempladas nos vetores, um
grfico destas perdas em funo de Pout tambm apresentado se o usurio clicar sobre o boto
Plotar P Pout . Analogamente, se mltiplas frequncias de chaveamento foram avaliadas, o
boto Plotar P fsw resulta no grfico de perdas em funo da frequncia de chaveamento.
Por fim, se o usurio clicar sobre o boto Gerar relatrio, um nmero P N M de
arquivos de relatrio em .txt, para cada anlise de perda executada, salvo. Estes relatrios
contm todas as informaes da interface (com as perdas detalhadas em cada dispositivo), os
valores das resistncias de gate, o diretrio do arquivo com os vetores de corrente analisados
85
Figura 4.10 Grficos com as estatsticas de perdas nos conversores, exibidos na interface do PerdasOffline
Os grficos so apresentados no PerdasOffline em sequncia e comutados a partir das setas para direita e para a
esquerda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
e, ainda, uma rplica do cabealho deste arquivo. A partir deste relatrio em .txt e do vetor
de corrente, uma ferramenta em Excel, que os interpreta, gera um relatrio em formato legvel
ao usurio, com grficos e tabelas. Esta ferramenta, implementada em linguagem VBA (Visual
Basic for Applications), descrita no Apndice A. Este Apndice tambm apresenta exemplos
dos relatrios em .txt gerados pelo programa.
Cabe ainda explicitar como as equaes de clculos de perdas, abordadas na seo
2.2.1, foram implementadas no programa PerdasOffline. O algoritmo 1, em linguagem genrica,
demonstra a metodologia adotada nos scripts para estimar a potncia dissipada em um par
transistor + diodo. A verso implementada se baseia em verses de scripts anteriores, j
adotadas pelo Grupo de Eletrnica de Potncia da UFMG. Esse algoritmo genrico se aplica
qualquer topologia, desde que alguns parmetros sejam particularizados para cada caso. Por
exemplo, as tenses reversas mximas de cada chave das topologias de dois nveis, NPC1 e
NPC2, indicadas nas Figuras 3.1 e 3.3, devem ser consideradas nestas anlises.
Os nomes atribudos a uma parte das variveis de entrada do algoritmo 1 so enumerados
na Tabela 4.1. Outras variveis de entrada so referidas pela notao j adotada neste texto e, por
esta razo, so omitidas nesta tabela.
86
Notao
Varivel
F
iQ , iD
Namost
i(IdV d) , v(IdV d)
i(IqV q) , v(IqV q)
i(ErrId) , E(ErrId)
i(EonIq) , E(EonIq)
i(Eof f Iq) , E(Eof f Iq)
R(ErrRg) , E(ErrRg)
R(EonRg) , E(EonRg)
R(Eof f Rg) , E(Eof f Rg)
Como se nota neste algoritmo, a funo interp1 foi adotada para interpolar linearmente
entre os pontos salvos nos arquivos .txt com as curvas dos dispositivos, acessados na biblioteca.
Apenas as curvas relativas temperatura mxima de juno (normalmente de 150 C) so
consideradas. No caso em que a corrente em anlise supera o valor mximo informado nas
curvas, esta funo efetua uma extrapolao linear, habilitada com o argumento extrap. No
contexto de UPSs, em que o fator de crista da corrente dado pela razo entre o valor de pico e o
valor eficaz da forma de onda pode atingir valores elevados, esta operao de extrapolao pode
ser conveniente. De fato, segundo Rasmussen (2016), cargas do tipo computadores pessoais e
hubs, comumente alimentadas por UPSs, podem exibir fator de crista de at 3. Esta extrapolao,
todavia, no deve avaliar o mdulo de potncia em uma condio que exceda os limites de
operao segura recomendados pelo fabricante.
Por fim, vale assinalar que a ferramenta PerdasOffline j subsidia a empresa proponente
deste trabalho nas rotinas de projeto de UPSs. Um ganho desta ferramenta, em comparao com
outras j tradicionalmente adotadas por esta empresa, decorre da facilidade de caracterizao
terica dos mdulos de potncia. As solues anteriores dependiam, por exemplo, de ajustes de
funes sobre as curvas dos catlogos (fitting). Uma ou mais funes polinomiais ou exponenciais,
definidas para regies distintas da curva, deveriam ser derivadas. Este esforo inicial onerava
mais tempo ao usurio e ainda tornava as anlises menos exatas, em virtude dos desvios entre as
funes ajustadas e as curvas informadas em catlogo.
Na ferramenta proposta, em contraposio, a concordncia entre estas curvas e os dados
capturados depende apenas do nmero de pontos capturados. Outros ganhos introduzidos pelo
PerdasOffline provm da facilidade de automatizao das anlises trmicas, de organizao e de
7
8
10
11
12
13
fim
14
15
16
17
18
19
20
seno
kof f = 1
fim
21
fim
22
26
27
23
24
25
28
29
30
fim
31
32
fim
33
34
35
36
37
fim
38
39
40
41
Pcond(Q) = Econd(Q) F
Pcond(D) = Econd(D) F
Pchav(Q) = (Eof f kof f + Eon kon ) F (Vcc /Vcc(ref ) )
Pchav(D) = Err F krr (Vcc /Vcc(ref ) )
Ptotais = Pcond(Q) + Pcond(D) + Pchav(Q) + Pchav(D)
42
43
44
fim
retorna Ptotais
87
88
acesso aos dados com a proposio de uma biblioteca com todos os mdulos j registrados e
ainda, de comparao de desempenho de vrios mdulos. A maior parte dos requisitos bsicos
enumerados na fase de concepo desta ferramenta, descritos no incio da seo 4.1, foi, portanto,
atendida. Todavia, a dificuldade de generalizar os clculos para qualquer topologia se figura como
uma desvantagem desta ferramenta. De fato, para que as perdas totais em qualquer topologia
pudessem ser avaliadas, as correntes de cada par transistor + diodo deveriam ser armazenadas
em vetores de corrente e o programa deveria processar as perdas em cada par individualmente,
como em uma topologia de dois nveis. O clculo s direto, portanto, para as topologias
trifsicas de dois nveis, NPC1 e NPC2 e para variaes monofsicas destas topologias (como a
ponte completa ou meia ponte). A ferramenta implementada com o mtodo online, detalhada na
seo a seguir, torna esta generalizao mais simples.
4.1.1.3
Mtodo online
89
Ic V ce
3.5
3.5
TJ = 150 C
TJ = 150 C
2.5
1
0.5
V ce [V]
1.5
V ce [V]
2.5
1.5
TJ = 25 C
TJ = 25 C
200
100
100
T j [C]
0.5
Ic [A]
(a)
50
100
Ic [A]
150
(b)
as caractersticas dos dispositivos em temperaturas de juno intermedirias, com curvas noinformadas em catlogo. O mesmo procedimento, portanto, aplicado para as curvas de energia
de turn-on e de turn-off no transistor em funo da corrente, de energia de recuperao reversa
no diodo em funo da corrente e para as curvas de tenso corrente dos diodos e dos
transistores. No caso em que o fabricante no informa as curvas a 25 C e a 150 C, opta-se
por outros pares de temperatura de juno, se possvel. Se apenas a curva para a temperatura
mxima disponibilizada, supe-se que esta caracterstica constante para todas as temperaturas.
Esta premissa corresponde, todavia, quela assumida no mtodo offline e s considerada, pois,
quando as curvas com outras temperaturas so omitidas no catlogo.
Figura 4.12 Avaliao da tcnica de interpolao via funo 2-D Lookup Table para o mdulo FF75R12RT4.
140
Tj = 125 C, estimada
120
Corrente [A]
100
Tj = 25 C
80
Tj = 125 C, catlogo
60
Tj = 150 C
40
20
0
0
0.5
1.5
2.5
3.5
Tenso [V]
Como j foi abordado na seo 4.1.1.1, a temperatura de juno estimada com base no
modelo trmico e nas perdas totais de cada componente. Como o clculo destas perdas depende
90
da temperatura de juno e assim reciprocamente, esta anlise deve ser iterativa. O algoritmo 2,
implementado em Simulink, demonstra esta tcnica iterativa (online) para um par transistor +
diodo. A notao adotada neste algoritmo equivale do algoritmo 1, com variveis declaradas
na Tabela 4.1.
Algoritmo 2: C LCULO ONLINE DE PERDAS EM UM PAR TRANSISTOR + DIODO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
fim
14
15
fim
16
17
fim
t = t + Ts
seno se reset = 1 ento
Pcond(Q) = Econd(Q) F
Pcond(D) = Econd(D) F
Pchav(Q) = (Eof f kof f + Eon kon ) F (Vcc /Vcc(ref ) )
Pchav(D) = Err F krr (Vcc /Vcc(ref ) )
Ptotais = Pcond(Q) + Pcond(D) + Pchav(Q) + Pchav(D)
[Tj(Q) , Tj(D) ] = modeloTermico(Pcond(Q) + Pchav(Q) , Pcond(D) + Pchav(D) )
Econd(Q) = Econd(D) = Eon = Eof f = Err = 0
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
fim
28
fim
29
30
31
32
fim
fim
retorna Ptotais
91
100
120
80
100
Perdas [W]
Figura 4.13 Evoluo das perdas e da temperatura de juno em um conversor arbitrrio no mtodo online.
Transistor
80
60
Diodo
Transistor
60
Diodo
40
20
40
0
0
0.05
0.1
Tempo [s]
0.15
0.05
0.1
Tempo [s]
0.15
Para que o clculo das perdas e das temperaturas pudesse ser generalizado para qualquer
topologia de conversor, opta-se pelo encapsulamento do algoritmo 2 como parte do modelo
do par transistor + diodo em antiparalelo. As sadas deste modelo so as perdas em cada
componente e o n de dissipador como j foi discutido na seo 4.1.1.1. Assim, estes modelos,
em blocos de uma biblioteca, podem ser arranjados convenientemente para compor o circuito da
topologia pretendida. O circuito trmico tambm pode ser facilmente conectado, conforme o
nmero de mdulos no mesmo dissipador ou no mesmo encapsulamento.
A Figura 4.14 apresenta os modelos propostos no software Simulink para uma topologia
de dois nveis. O bloco com o modelo do par transistor + diodo em antiparalelo includo
biblioteca padro do Simulink, para facilitar o acesso.
92
Figura 4.14 Modelo do par transistor + diodo em antiparalelo, encapsulado em biblioteca do Simulink, como
parte do mtodo online.
4.1.2
Como j foi abordado na seo 2.2, a caracterizao da UPS de dupla converso quanto ao
rendimento, como resultado das simplificaes adotadas neste trabalho, se baseia nas estimativas
das perdas nos semicondutores e nos indutores dos filtros de entrada e de sada. A tenso do
barramento c.c. VDC , a frequncia de chaveamento fsw e o ripple mximo de corrente na rede
eltrica e na carga definem critrios de projeto destes indutores, como se discute nas subsees
93
3.3.1 e 3.3.2. Sendo assim, na fase de projeto de uma UPS com potncia nominal Pout , os
indutores de filtro devem ser dimensionados para que atendam ao critrio de ripple para cada par
(VDC , fsw ), pelo menos para a condio de carga nominal. Isso implica, portanto, que o projeto
fsico destes indutores (i.e., o nmero de espiras, nmero de condutores, etc.) deve variar para
cada tripla (VDC , fsw , Pout ) avaliada nas rotinas de projeto. Com base nos parmetros fsicos do
indutor, as perdas nos filtros podem ser ento estimadas. Esse tipo de anlise permite avaliar,
por exemplo, se o aumento da frequncia de chaveamento, que contribui para a reduo dos
elementos passivos do filtro, pode elevar proibitivamente as perdas nos indutores.
Para o projeto fsico dos indutores, implementa-se uma ferramenta que adota os procedimentos enumerados a seguir, sintetizados no diagrama da Figura 4.15.
Figura 4.15 Fluxograma com a sequncia de procedimentos para o projeto dos indutores dos filtros de entrada e
de sada.
Incio
Biblioteca
Permitida a
associao em
paralelo?
Nparalelo = Nparalelo + 1
L = L Nparalelo
Imx = Imx / Nparalelo
Bsoluo >
xBsat% Bsat
Nsrie = Nsrie + 1
L = L / Nsrie
Clculo de
perdas
ff < ffmx
Nsrie = Nsrie + 1
L = L / Nsrie
94
(i)
2
LImax
.
2
(4.9)
Neste trabalho, apenas os ncleos toroidais de p de ferro da famlia High Flux do fabricante Magnetics, que permitem o armazenamento de energias elevadas, so considerados.
A curva que orienta a seleo de ncleos desta famlia, disponibilizada pelo fabricante,
apresentada, como exemplo, na Figura 4.16. Para cada energia calculada, a ferramenta
implementada para o projeto de indutores localiza, nesta curva, o primeiro ncleo (com
modelo indicado nos eixos) que prov aquela energia, bem como a permeabilidade
relativa associada (informada ao longo da curva).
Figura 4.16 Curva para seleo de ncleos da famlia High Flux do fabricante Magnetics.
(ii)
N
.
I
(4.10)
95
LImax
.
Bmax Ae
(4.11)
Por outro lado, da equao para a lei de Ampre em um contorno fechado ao longo
da bobina e da suposio de que o fluxo est confinado no interior dela, tem-se, se le
constitui o comprimento efetivo desse contorno (EDMINISTER, 2006):
I
NI
,
(4.12)
H dl = N I H
le
em que H se refere ao vetor de campo magntico e dl, ao vetor infinitesimal de comprimento ao longo do contorno. Como a intensidade de campo magntico H provm da
razo entre a densidade de fluxo magntico e a permeabilidade do material , a equao
(4.12) pode ser explicitada em termos de B e o nmero de espiras N fica, na condio de
corrente mxima:
B
Bmax le
N I
N
le
Imax
(4.13)
96
l 4I
m
max
.
jmax d2
(4.15)
Nos projetos de indutor deste trabalho, assume-se, arbitrariamente, que jmax seja de
3A/mm2 .
(iv)
Testes de consistncia
Por fim, deve-se avaliar a factibilidade do projeto proposto. O fator de utilizao f f
(ou fill factor), dado pela razo entre a rea ocupada pelos condutores Acond e a rea
da janela Aw , no deve exceder o valor mximo factvel para ncleos toroidais. Apesar
de o prprio fabricante indicar o valor de 40 % como f f de referncia, este trabalho o
limita em 30 %. Caso este valor no seja atingido, opta-se pela associao de indutores
em srie, como indica o diagrama da Figura 4.15, at que o projeto se torne factvel.
(v)
4N M LT
.
d2 ncond
(4.16)
Pind
Stotal
0,833
,
(4.17)
97
4.2
Nesta seo, descrevem-se os prottipos experimentais desenvolvidos para que as estimativas tericas de perdas nos conversores pudessem ser validadas.
4.2.1
Vdc+
1000 F
Vin +
1,38 mH
Rede eltrica
(220 V/ 127 V)
2200 F
Vdc-
Vout+
4,5
Vout-
Vin -
iin
Canal 1 (in)
iout
Wattmetro
Canal 2 (out)
Gate driver
Gerador de funo
A temperatura mxima do indutor no deve exceder o limite trmico do ncleo de 200 C para a famlia High
Flux e dos isolantes, suposto aqui em 140 C. Assim, para que haja uma folga nesta especificao, admitem-se
elevaes de at 90 C para a temperatura ambiente em 40 C. Supe-se que esta folga compensa o uso de uma
estimativa de rea da superfcie associada a um fator de utilizao maior do que aquele obtido nos projetos, de
no mximo 30 %.
98
Fonte de
alimentao do
gate driver
Retificador e
barramento
c.c.
Buck
WT1800
Carga
Filtro LC
4.2.2
Este prottipo adapta aquele proposto por Itoh e Nigorikawa (2012), que se baseia no
princpio calorimtrico e na comparao entre as perdas do conversor em teste (CUT) e de um
resistor de potncia. Grosso modo, o conversor e um resistor so isolados em dois subsistemas
fechados e, assim, passam a aquecer o ar do ambiente. Em regime permanente, na condio em
que h equivalncia nas temperaturas ambiente nestes dois subsistemas, admite-se tambm a
equivalncia entre a potncia dissipada por estas duas fontes de calor (conversor e resistor). Sendo
assim, se a tenso neste resistor for controlada para que se atinja esta condio de equivalncia
de temperaturas em regime estacionrio, as perdas no CUT podem ser medidas diretamente, a
partir da leitura da potncia no resistor. A demonstrao deste princpio, com base no modelo
fsico do sistema, apresentada por Itoh e Nigorikawa (2012) e, portanto, omitida neste texto.
Na Figura 4.19 consta o diagrama esquemtico da montagem experimental desta pesquisa.
Como se infere desta Figura, um controlador de temperatura do tipo proporcional-integral (PI)
99
opera com o duty-cycle de um conversor buck (externo s caixas) para que as temperaturas finais
nos dois subsistemas sejam iguais.
Figura 4.19 Diagrama esquemtico do prottipo experimental desenvolvido para a medio de perdas via
calormetro indireto srie.
conversor buck
Caixa de referncia
(CR)
Caixa de medio
(CM)
isolante
resistor de potncia
CUT
ventilador
ventilador
TCR
metal
VCR
+-
PI
TCM
LM335
PWM
Condicionamento 1
VCM
Atmel/ATMega 2560
Condicionamento 2
100
Retificador
WT 1800
Fonte de
alimentao
da CR
Buck
Carga do
conversor em teste
Fonte de
alimentao
do buck
Condicionamento e
controle do calormetro
Controle do conversor
em teste (Code
composer 3.3)
Transformador e varivolt de
alimentao do conversor em teste
4.2.2.1
101
A disposio dos elementos dentro da caixa deve contribuir para que o fluxo de ar
uniformize a temperatura interna. Assim, opta-se pela orientao do resistor e do ventilador ao
longo do comprimento da caixa.
Resta ainda definir como os sensores de temperatura sero alocados na caixa. O nmero
de sensores em cada caixa foi limitado a trs, em razo de restries no circuito de condicionamento, detalhadas a seguir. A mdia destes trs sensores deve retornar uma boa estimativa
das mdias pontuais de temperatura no interior da caixa. Sendo assim, os sensores devem ser
posicionados em planos horizontais distintos, para que o gradiente de temperatura na direo
vertical seja bem caracterizado. Os sensores so instalados em conectores de material isolante,
nas duas faces com maior superfcie e naquela mais prxima do ventilador. Os cabos que partem
dos sensores so tranados, passam pelos furos na parte inferior da caixa e se conectam ao
circuito de condicionamento externo.
Para que a temperatura interna no se torne proibitiva para o conversor, outras opes de
tampa para as caixas so tambm testadas. O uso de chapas metlicas com um padro matricial
de furos para este fim avaliado como alternativa tampa original (que tambm se constitui
de material isolante revestida em ao). Alguns ensaios so conduzidos para que se atinja um
nmero ideal de furos para que a temperatura interna seja substancialmente reduzida. Prev-se
que o fluxo de ar pelos furos seja constante ao longo da chapa, j que a temperatura na superfcie
metlica tende a ser uniforme.
4.2.2.2 Seleo dos sensores e dimensionamento dos componentes do circuito de
condicionamento
A seleo dos sensores de temperatura deve se basear na anlise da faixa de temperaturas
de operao, da susceptibilidade destes sensores a rudos e da complexidade dos circuitos de
condicionamento de sinais. Como o controle se orienta apenas pela diferena entre as leituras
de temperatura, a classe de exatido dos sensores, em tese, no se torna um critrio de seleo
obrigatrio. Basta, pois, que os erros sistemticos dos sensores especificados sejam corrigidos
via calibrao por comparao. Para fins de monitoramento das temperaturas absolutas (e no
daquela diferena), so adicionados sensores auxiliares baseados em termopares do tipo K, com
leituras interpretadas pelo termmetro digital Minipa MT-6002 .
Neste trabalho, quatro modelos de sensores foram avaliados, a saber, o sensor digital
DS18B20 e os sensores analgicos LM35, LM335 e Pt100. Estes sensores analgicos foram
preferidos por exibirem resposta linear e pela simplicidade dos circuitos de condicionamento. J
2
Cabe comentar que as leituras do termmetro digital no foram consideradas no controle de temperatura em
razo da dificuldade de comunicao, em tempo real, entre o termmetro e o microcontrolador em uso. Por
outro lado, o condicionamento dos sinais do termopar, diretamente, se torna mais complexo do que nas outras
alternativas de sensores. Assim, o termmetro s empregado para que o usurio monitore, durante a execuo
dos ensaios, as temperaturas nas caixas. Este monitoramento mais crtico em CR, em que a temperatura
ambiente pode se tornar proibitiva para o conversor em teste.
102
103
Como o controle da temperatura opera sobre uma planta inerentemente lenta, o microcontrolador que o implementa no necessariamente deve prover frequncias de amostragens
elevadas. Sendo assim, opta-se pelo microcontrolador Atmel ATmega 2560/V, disponvel na
plataforma Arduino Mega 2560, com frequncia de clock da CPU de 16 M Hz, 16 canais de
converso A/D de resoluo de 10 bits e 12 portas PWM de 16 bits. Este processador pode ser
programado diretamente pelo software MATLAB, que oferece suporte a funes de aquisio de
dados, de ajuste do modulador PWM, de leitura/escrita de portas digitais e entre outros. Com os
dados acessveis ao MATLAB, funes de gravao em arquivo, de processamento de sinais,
de interface grfica com o usurio e de exibio de grficos so facilmente implementadas com
recursos nativos do prprio MATLAB. Como o ensaio depende do acompanhamento da dinmica
de aquecimento e a condio de parada ocorre quando da equivalncia entre as temperaturas em
CR e CM, torna-se imperativa a apresentao de um grfico com as temperaturas instantneas.
Assim, o usurio pode, por exemplo, avaliar a dinmica imposta pelo controlador projetado sem
que seja necessrio completar o teste que pode perdurar por at 4h. As funes nativas do
MATLAB permitem, com facilidade, a apresentao deste grfico.
Cabe salientar que outros microcontroladores, como o DSP TMS320F28027 Piccolo e o
Atmel SAM3X8E ARM Cortex-M3 CPU (disponvel na plataforma Arduino Due), tambm foram
testados para esta aplicao. Estas outras opes, todavia, no ofereciam suporte para funes do
MATLAB e a implementao de ferramentas de interface e de gravao em arquivo se mostrava
mais complexa. Por ora, o Atmel ATmega 2560/V foi, portanto, adotado.
H, todavia, limitaes no modelo do microcontrolador selecionado, como por exemplo, a
104
4.2.2.4
Para fins de calibrao dos sensores por comparao, opta-se por dispor os dois conjuntos
de sensores LM335 na mesma caixa, lado a lado, e, assim, medir o perfil de temperaturas durante
um ensaio de aquecimento. Se os sensores originalmente da caixa CR forem arbitrados como
referncia de calibrao, a leitura do conjunto de sensores da caixa CM (y) deve ser ajustada
para a temperatura mdia daquele conjunto de sensores (x). Os resultados da comparao entre
os dois conjuntos so apresentados na Figura 4.22. A reta y = ax + b que minimiza o erro
quadrtico mdio entre esta funo e as amostras ajustada, segundo a metodologia sugerida
105
por Braga (2012). Assim, a leitura da temperatura mdia no conjunto de sensores de CM (y)
corrigida a partir da equao (4.18) e a incerteza associada estimada com base no desvio
padro entre o valor corrigido e a temperatura de referncia (DOEBELIN, 1990), calculado
por (4.19):
yb
x=
,
(4.18)
a
v
u
2
N
u1 X
y(k) b
t
x(k) ,
=
N k=1
a
(4.19)
em que N constitui o nmero de leituras comparadas. Segundo Doebelin (1990), assumindo uma
distribuio Gaussiana perfeita em torno da reta ajustada, a incerteza u do valor corrigido pode
ser aproximada por 3.
Figura 4.22 Resultados da calibrao por comparao das leituras de temperatura mdia dos dois conjuntos de
sensores LM335, originalmente nas caixas CR e CM.
70
60
50
40
y = x - 1,3
30
20
30
40
50
60
70
Leitura dos sensores de CR [C]
(4.20)
u 3 0, 3 C,
(4.21)
Para que o erro mximo na medio de perdas fosse estimado, a potncia associada elevao de 0, 3 C na
temperatura interna das caixas avaliada. Como esta potncia no excede 1, 0 W , o erro pode ser menor do que
5 % se as perdas forem superiores a 20 W .
106
4.2.2.5
T
57
.
s + 1
1594s + 1
(4.22)
Temperatura [C]
60
40
Sistema real
Fitting
20
0
0
50
100
Tempo [min]
(4.23)
107
ki = 0, 1.
(4.24)
Temperatura [C]
80
60
40
Temperatura em CR
Temperatura em CM
20
0
50
100
Tempo [min]
135
4.2.2.6
Calibrao de potncia
108
50
40
30
20
y = 1,24 x + 0,04
10
0
0
10
20
30
40
Leitura do wattmetro WT1800 [W]
4.3
Concluses do captulo
109
5 RESULTADOS
Neste captulo, discutem-se os resultados desta pesquisa. Inicialmente, na seo 5.1,
os resultados da comparao do desempenho terico das topologias trifsicas em estudo (dois
nveis, NPC1 e NPC2) so apresentados para projetos de UPS de dupla converso com vrias
especificaes de tenso do barramento c.c., frequncia de chaveamento e potncia nominal. A
viabilidade dos dispositivos de SiC em UPSs de dupla converso avaliada na sequncia. Os
resultados da comparao entre as estimativas dos mtodos online e offline encerram as anlises
tericas deste trabalho. Por fim, na seo 5.2, os resultados experimentais preliminares dos
ensaios de medies de perdas via wattmetro e via prottipo de calormetro indireto srie so
reportados.
5.1
Resultados de simulao
Nesta seo, constam as estimativas de potncia dissipada nos estgios inversor e retificador das UPSs de dupla converso, bem como nos filtros LC e LCL. Estas estimativas
resultam de simulaes temporais dos conversores no software MATLAB/Simulink. O controle
do retificador e do inversor, nestas simulaes, implementa os diagramas j documentados na
seo 3.2.1 e 3.2.2. As perdas nos semicondutores e nos indutores de filtro so calculadas a
partir das ferramentas tambm desenvolvidas naquele software, descritas na seo 4.1.1.2. O
rendimento total da UPS ento estimado, com base na hiptese de que estas perdas dominam
nas UPSs, como j foi discutido na seo 2.2.
5.1.1
110
Captulo 5. Resultados
denotadas em catlogo por Rcc0 ee0 no caso de IGBTs, so includas no clculo de perdas ou
atribudas a zero, quando no informadas1 .
As perdas totais nos dispositivos semicondutores, para as UPSs com potncia nominal
de 10 kW em topologias de dois e de trs nveis, para as tenses de barramento c.c. VDC e
frequncias de chaveamento fsw da Tabela 3.2, constam nos grficos da Figura 5.1.
Figura 5.1 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso do barramento VDC e
da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com potncia nominal Pout de 10 kW .
retificador, Pout = 10 kW
1200
1500
1000
2 nveis - Si
800
P semic [W]
1000
2 nveis - SiC
600
500
400
800
700
600
0
5
10
15
20
25
30
35
fsw [kHz]
200
V DC [V]
P semic [W]
800
NPC2 - Si
600
600
500
400
400
NPC1 - Si
200
5
10
15
300
800
700
600
20
25
fsw [kHz]
30
35
200
V DC [V]
Como se infere destes grficos, o retificador de dois nveis (2n) de SiC exibe as menores
perdas dentre os mdulos em estudo potncia de 10 kW , para qualquer combinao (fsw ,
VDC ). Para a tenso VDC em 850 V , as perdas no retificador 2n base de SiC, frequncia de
1
No caso em que o fabricante no informa o valor de Rcc0 ee0 , supe-se que esta resistncia j includa na
caracterstica I x V dos dispositivos, como prtica, por exemplo, do fabricante Semikron (WINTRICH et al.,
2015).
Captulo 5. Resultados
111
chaveamento de 30, 72 kHz, se tornam apenas 18 % maiores do que naquele de mesma topologia
com componentes de Si frequncia oito vezes menor (3, 84 kHz). Se para retificadores de
10 kW quela tenso VDC e frequncia de 30, 72 kHz as perdas nos semicondutores de SiC
forem normalizadas em 1 p.u., as perdas nos retificadores de dois nveis, NPC1 e NPC2 base
de Si valem 5 p.u., 2, 4 p.u. e 3 p.u., nesta ordem. A reduo das perdas nos mdulos de SiC
se atribui, em especial, s menores perdas de chaveamento nestes dispositivos. De fato, os
diodos de SiC no dissipam, para efeitos prticos, energia no processo de recuperao reversa.
Como resultado, a energia Eon despendida no processo de turn-on dos transistores menor
at 10 vezes menor, como no caso da comparao entre os valores de Eon dos mdulos
CCS050M12CM2 e FF75R12RT4. A energia de turn-off Eof f dos transistores de SiC tambm
menor novamente cerca de 10 vezes menor, como se depreende da comparao entre os valores
nominais daqueles dois mdulos. As perdas de conduo, para este cenrio em particular, so da
mesma ordem nos retificadores de Si ou de SiC.
provvel, entretanto, que o mdulo de SiC esteja sobredimensionado para os conversores em estudo. Segundo os estudos do fabricante CREE (DAS, 2013), o mdulo de SiC pode
substituir at um mdulo de Si com corrente nominal trs vezes maior. Todavia, o modelo com
corrente inferior da famlia de mdulos de SiC (CCS020M12CM2) leva violao do limite
trmico na juno para a UPS com o pior cenrio (com fsw , VDC e Pout mximas). Por outro
lado, o aumento da potncia nominal dos projetos de UPS propostos tambm incide naquela
violao para os mdulos base de silcio. Ademais, a opo por outros mdulos de Si com
correntes superiores torna complexa a padronizao das especificaes dos componentes nas
vrias topologias (2n, NPC1, NPC2). Sendo assim, em virtude destas dificuldades, opta-se por
prosseguir as anlises com o mdulo CCS050M12CM2.
Dentre as topologias trs nveis (3n), as perdas do arranjo NPC2 superam as do NPC1
em todos os projetos de UPS de 10 kW , com exceo daqueles com valores de fsw e VDC
menores, em que h uma inverso neste padro. Para que esta inverso seja explicitada, os
grficos da Figura 5.2 indicam apenas as UPSs de 10 kW com VDC de 550 V e de 850 V . Nestes
grficos, a energia Edissip dissipada nos semicondutores contraposta ainda com a energia Ef iltro
armazenada no filtro LCL de entrada da UPS. Como a energia armazenada no filtro uma figura
de mrito do volume e dos custos dos indutores e dos capacitores, uma meta no projeto de UPSs
pode ser a de minimizar a soma de Ef iltro e Edissip . De fato, o aumento de Edissip no s incide
na reduo de rendimento do conversor, como tambm eleva os custos e a complexidade do
sistema de refrigerao (dissipador e ventilador). Sendo assim, a frequncia de chaveamento
tima, sob este critrio, fica definida pela interseo entre as curvas de Edissip e Ef iltro , para
cada topologia2 .
2
112
Captulo 5. Resultados
Figura 5.2 Energia dissipada nos semicondutores do retificador trifsico e armazenada no filtro LCL de entrada
em funo da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs de potncia nominal Pout de 10 kW em
topologias de dois nveis (2n) e de trs nveis (3n).
retificador, V
14
2n - Si
2n - SiC
12
DC
= 550 V e P = 10 kW
out
16
14
10
8
6
10
8
6
NPC1 - Si
NPC2 - Si
Efiltro LCL (3n)
12
Energia [J]
Energia [J]
16
0
10
20
30
10
fsw [kHz]
20
30
fsw [kHz]
2n - Si
2n - SiC
= 850 V e P = 10 kW
out
25
NPC1 - Si
NPC2 - Si
20
Energia [J]
Energia [J]
20
DC
15
10
15
10
5
0
10
20
30
fsw [kHz]
10
20
30
fsw [kHz]
Nos grficos da Figura 5.2, nota-se que aquela inverso de desempenho entre as topologias NPC1 e NPC2 ocorre para VDC de 550 V , na frequncia de chaveamento aproximada
em 10 kHz. Para UPSs com esta tenso de barramento c.c., portanto, o retificador em arranjo
NPC2 se torna mais vivel apenas para conversores com valores de fsw menores do que 10 kHz.
Para a tenso VDC de 850 V , todavia, o retificador em NPC2 menos vivel para toda a faixa de
frequncias avaliada. Disso decorre a hiptese de que a topologia NPC2 s supera o desempenho
da NPC1 para os cenrios em que as perdas de conduo so relevantes, comparativamente s de
chaveamento.
Quanto aos valores de energia nos filtros, nota-se na Figura 5.2 que apesar da reduo do
Captulo 5. Resultados
113
ripple de tenso nas topologias 3n, as energias nos filtros podem ser comparveis nos arranjos
2n e 3n. Isso se deve aos critrios de dimensionamento dos filtros adotados neste trabalho, que
impem indutncias totais equivalentes nestes dois arranjos para que a especificao de rigidez
dinmica mnima seja atendida. Ademais, o capacitor do filtro, independentemente da topologia,
fixado numa frao fixa da capacitncia base do sistema, para fins de reduo da indutncia
total. Estes critrios, portanto, justificam os resultados obtidos para as energias armazenadas nos
filtros LCL dos conversores 2n e 3n.
Ainda com base nos grficos da Figura 5.2, infere-se que enquanto a frequncia de
chaveamento tima quanto ao critrio de minimizao da soma de Edissip e Ef iltro da
ordem de 10 kHz nos retificadores base de Si, no conversor de SiC esta frequncia atinge cerca
de 25 kHz. Como a operao esta frequncia mitiga o rudo audvel, o uso de dispositivos de
SiC tambm introduz, pois, este ganho.
Na sequncia, comparam-se, nos grficos da Figura 5.3, as perdas nos semicondutores
para as UPSs com VDC de 550 V . Novamente, os resultados para as topologias 2n e 3n so
apresentados. Esta nova comparao pretende avaliar em que faixa de operao a topologia
NPC2 supera a NPC1 e as topologias 3n se mostram mais viveis do que as 2n.
Tambm para as UPSs com VDC de 550 V , analisadas na Figura 5.3, o desempenho dos
mdulos de SiC suplanta o de todos os outros mdulos, em toda a faixa de valores de fsw e
de potncias nominais Pout . Apenas para Pout e fsw menores o uso do mdulo de SiC no se
justifica, por prover ganhos menores em rendimento. Para potncias de 2, 5 kW , frequncia
de chaveamento de 3, 84 kHz e VDC em 550 V , a normalizao das perdas do mdulo de SiC
em 1 pu leva, proporcionalmente, perdas de 2, 3 p.u., 2, 4 p.u. e 2, 6 p.u. nos mdulos base de
silcio em arranjo 2n, NPC1 e NPC2, respectivamente. Ademais, para esta tenso de barramento
c.c. e esta frequncia de chaveamento, as perdas nas topologias 2n so menores do que nas 3n,
em toda a faixa de potncias nominais Pout . Sendo assim, tambm se infere deste resultado que
as topologias 3n s introduzem ganhos em aplicaes em que as perdas de chaveamento sejam
mais relevantes.
114
Captulo 5. Resultados
Figura 5.3 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia nominal Pout e da
frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com tenso no barramento c.c. VDC de 550 V .
retificador, VDC = 550 V
800
700
2 nveis - Si
P semic [W]
1000
600
500
2 nveis - SiC
500
400
300
10
100
10
20
fsw [kHz]
30
200
P out [kW]
500
NPC2 - Si
P semic [W]
400
300
400
200
200
NPC1 - Si
0
10
20
30
10
100
P out [kW]
fsw [kHz]
(b) Retificador em topologia NPC1 e NPC2, com os mdulos
F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
115
Captulo 5. Resultados
Figura 5.4 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia de sada Pout , para
as UPSs com tenso no barramento c.c. VDC de 550 V .
retificador, f
150
2n - Si
2n - SiC
sw
P semic [W]
P semic [W]
200
100
50
150
100
50
NPC1 - Si
NPC2 - Si
0
5
10
P out [kW]
10
P out [kW]
P semic [W]
800
NPC1 - Si
NPC2 - Si
800
P semic [W]
1000
600
400
600
400
200
200
0
5
P out [kW]
10
P out [kW]
10
116
Captulo 5. Resultados
Figura 5.5 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da potncia de sada Pout e da
tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
retificador, f sw = 3,84 kHz
200
250
2 nveis - Si
180
160
200
P semic [W]
140
150
120
100
100
80
50
0
2
60
2 nveis - SiC
P out [kW]
800
700
600
10
40
20
V DC [V]
NPC1 - Si
250
NPC2 - Si
150
P semic [W]
200
150
100
100
50
1000
800
0
2
600
6
P out [kW]
10
50
V DC [V]
Como se deduz dos resultados da Figura 5.5, a topologia NPC2 s incorre em perdas
menores do que a NPC1 quando a potncia nominal maior do que 4, 5 kW resultado j
indicado na Figura 5.4, para a tenso VDC em 550 V . Para os casos da Figura 5.5, as perdas
associadas aos retificadores 2n e 3n base de Si so comparveis.
Os grficos da Figura 5.6 particularizam a anlise das UPSs com frequncia de chaveamento de 3, 84 kHz para os casos com potncias mnima (2, 5 kW ) e mxima (10 kW ). Para
este primeiro grupo de UPSs, os mdulos 2n exibem menores perdas e a topologia NPC1 supera
o desempenho da NPC2, para qualquer tenso VDC . J naquele segundo grupo, em oposio,
as perdas da NPC1 suplantam as da NPC2 e o arranjo 2n de silcio s mais vivel do que os
3n para tenses VDC menores do que 750 V . O ganho em rendimento que o NCP2 prov, neste
117
Captulo 5. Resultados
segundo grupo, se torna menor medida que a tenso do barramento c.c. se eleva, como indica o
grfico da Figura 5.6(b).
Em suma, portanto, o desempenho dos mdulos de silcio em topologias 2n e NPC2
varia com o nvel de tenso VDC . Ora, como as perdas de conduo so quase invariveis com
esta tenso, conclui-se, mais uma vez, que o aumento percentual das perdas de chaveamento
tende a penalizar as topologias 2n e NPC2. Este aumento, por outro lado, privilegia a seleo
pelo mdulo de SiC e pelo arranjo NPC1. Ainda para as UPSs com tenses VDC de 550 V e
frequncias de chaveamento de 3, 84 kHz, entretanto, os mdulos de SiC dissipam potncias
inferiores.
Figura 5.6 Perdas nos semicondutores Psemic do retificador trifsico em funo da tenso do barramento VDC ,
para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
60
60
50
50
40
2n - Si
2n - SiC
30
20
P semic [W]
P semic [W]
40
30
20
10
NPC1 - Si
NPC2 - Si
10
600
700
800
600
V DC [V]
700
V DC [V]
800
220
180
160
2n - Si
2n - SiC
140
120
P semic [W]
P semic [W]
200
180
160
NPC1 - Si
NPC2 - Si
140
120
100
100
600
700
800
V DC [V]
600
700
V DC [V]
800
118
Captulo 5. Resultados
componentes de silcio em topologias de dois nveis, NPC1 e NPC2. Neste grfico, so indicadas
as topologias que levam a menores perdas no retificador de cada um dos oitenta projetos de
UPSs de dupla converso em estudo, representados como na Figura 3.5. Assim, como j se infere
das anlises anteriores, a topologia NPC1 s no suplanta as outras topologias em alguns dos
cenrios com as duas menores frequncias de chaveamento. O arranjo NPC2 domina apenas em
alguns projetos com estas frequncias e potncias nominais maiores ou iguais a 8, 125 kW . J o
2n se revela vivel fsw de 3, 84 kHz para a maioria dos casos com tenses VDC menores do
que 700 V e potncia nominal menor do que 8, 125 kW .
Figura 5.7 Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias com mdulos de silcio
com menores perdas no estgio retificador.
VDC [V]
Dois nveis
NPC1
850
NPC2
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Nota: As topologias de dois nveis, NPC1 e NPC2 so representadas por marcadores com a conveno de cor da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Para avaliar os cenrios em que cada uma das topologias exibe o melhor desempenho,
constam, na Tabela 5.1, as perdas de conduo e de chaveamento totais no estgio retificador de
trs projetos de UPS. Em cada um deles, uma topologia distinta, destacada na tabela, exibe as
menores perdas.
Como atestam os dados da Tabela 5.1, as perdas de conduo so menores na topologia
2n, em virtude do menor nmero de chaves em srie. Pela mesma razo, as perdas de conduo no
arranjo NPC2 so inferiores s do NPC1. Como tambm j se previa, as perdas de chaveamento
so menores no NPC1, em que as chaves comutam de estado apenas com a metade da tenso do
barramento c.c. VDC e mximas na topologia 2n, em que estas bloqueiam a tenso VDC plena.
Mesmo nos cenrios em que a topologia NPC1 no suplanta as demais (cenrios 1 e 2),
o ganho que advm da seleo por outros arranjos atinge no mximo 10 %. Por outro lado, no
caso em que o NPC1 introduz as menores perdas (cenrio 3), as perdas nos mdulos 2n e NPC2
so 111 % e 25 % maiores, nesta ordem.
Ademais, os dados da Tabela 5.1 demonstram a hiptese de que o arranjo NPC1 exibe
o melhor desempenho apenas nos cenrios em que dominam as perdas de chaveamento. No
cenrio em que estas perdas se tornam maiores do que 70 % (cenrio 3), o rendimento do estgio
119
Captulo 5. Resultados
retificador em NPC1 supera o dos demais. Em outras palavras, nos casos em que as perdas de
conduo somam no mnimo 30 % das totais (cenrios 1 e 2), as topologias 2n e NPC2 se tornam
mais viveis. Entretanto, as propores que favorecem cada uma destas topologias, nos cenrios
em anlise, no devem ser assumidas como critrio de seleo em outras condies de operao.
Tabela 5.1 Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em trs cenrios, para o modo de
operao como retificador.
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
13, 8 W/33, 0 %
26, 1 W/60, 4 %
20, 6 W/43, 7 %
28, 2 W/67, 0 %
17, 0 W/39, 6 %
26, 5 W/56, 3 %
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
91, 1 W/41, 8 %
159, 1 W/75, 6 %
132, 9 W/63, 5 %
126, 7 W/58, 2 %
51, 2 W/24, 4 %
76, 3 W/36, 5 %
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
110, 3 W/8, 7 %
163, 7 W/27, 1 %
135, 8 W/18, 0 %
1168, 5 W/91, 3 %
441, 5 W/72, 9 %
618, 3 W/82, 0 %
Nota: As perdas na topologia com melhor desempenho, destacadas em verde, so normalizadas em 1 p.u..
120
Captulo 5. Resultados
Figura 5.8 Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e 2n, com mdulos base de
silcio.
(PN P C1 P2n )
100 [%]
P2n
VDC [V]
-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%
850
-19 a 0%
1 a 20%
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Nota: A diferena percentual (PN P C1 P2n )/P2n representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Figura 5.9 Diferena percentual entre as perdas no retificador em topologias NPC1 e NPC2, com mdulos base
de silcio.
(PN P C1 PN P C2 )
100 [%]
PN P C2
VDC [V]
-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%
850
-19 a 0%
1 a 20%
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Os ganhos que resultam da seleo da topologia NPC1, todavia, podem ser menores
para outras especificaes de UPS. Portanto, as anlises aqui conduzidas devem ser repetidas
para cada especificao, j que no h regras fixas que definam a viabilidade de cada topologia.
A ferramenta implementada neste trabalho para o clculo de perdas, contudo, pode reduzir o
esforo do projetista nestas anlises.
A comparao entre o desempenho dos mdulos base de silcio e de carbeto de silcio,
aqui omitida, apresentada na seo 5.1.5.
Captulo 5. Resultados
5.1.2
121
Nesta seo, repetem-se as anlises da seo anterior para o estgio inversor da UPS de
dupla converso, sem o filtro LC. Assim, as perdas neste estgio para cada um dos mdulos
enumerados na Tabela 3.1 so comparadas, para cada projeto de UPS com especificaes dadas
na Tabela 3.2. As suposies quanto aos valores dos resistores de gate e das resistncias parasitas
dos mdulos, j discutidas na seo 5.1.1, so tambm presumidas aqui. A carga, com potncia
nominal, suposta resistiva pura (i.e., com fator de potncia unitrio)3 em todos os cenrios.
A comparao das potncias dissipadas no estgio inversor das UPSs de potncia nominal
Pout de 10 kW consta na Figura 5.10, para as topologias de dois nveis (2n), NPC1 e NPC2.
Como se infere dos resultados desta figura, as perdas no inversor 2n de carbeto de silcio so
inferiores s das outras variaes, para qualquer especificao de frequncia de chaveamento
fsw e tenso de barramento c.c. VDC . Para aquela potncia nominal, o aumento de oito vezes na
frequncia de chaveamento fsw no inversor 2n de SiC leva a perdas ainda 11 % menores do que
no inversor 2n de Si.
Deste modo, para a operao como inversor, se a potncia dissipada no inversor base
de SiC for normalizada em 1, 0 p.u. na condio em que fsw , VDC e Pout valem 30, 72 kHz,
850 V e 10 kW , as perdas nos inversores 2n, NPC1 e NPC2 com mdulos de silcio atingem
5, 6 p.u., 2, 3 p.u. e 4, 8 p.u., nesta ordem. Sendo assim, em comparao com os resultados para
o retificador em que aqueles valores eram de 5 p.u., 2, 4 p.u, e 3 p.u. respectivamente, nota-se
que o ganho introduzido pelo mdulo de SiC ainda maior no estgio inversor.
Cabe reiterar que provvel que o mdulo de SiC CCS050M12CM2 esteja sobredimensionado para os projetos de UPSs em anlise. As dificuldades que advm da especificao de
mdulos base de SiC com corrente nominal inferior ou ainda, do aumento da potncia destes
projetos de UPSs (aliada substituio dos mdulos de Si por outros com capacidade de corrente
maior), j foram relatadas na seo anterior. Em razo destas dificuldades, opta-se por conduzir
as anlises comparativas deste trabalho com o mdulo CCS050M12CM2, como j foi comentado
na seo anterior.
3
Cenrios com fatores de potncia atrasados e adiantados foram tambm simulados. As diferenas entre o
caso com carga resistiva e com cargas com potncia reativa de no mximo 60 % da aparente no excedem
15 %. Sendo assim, supe-se que a opo por fatores de potncia no-unitrios no altere substancialmente os
resultados da comparao de UPSs conduzida neste trabalho.
122
Captulo 5. Resultados
Figura 5.10 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da frequncia de chaveamento
fsw e da tenso de barramento VDC , para as UPSs com potncia de sada Pout de 10 kW .
inversor, Pout = 10 kW
1100
1000
1500
900
2 nveis - Si
P semic [W]
800
1000
700
2 nveis - SiC
600
500
500
400
300
800
0
700
10
fsw [kHz]
20
600
30
200
V DC [V]
1000
800
NPC2 - Si
P semic [W]
800
700
600
600
400
500
400
200
NPC1 - Si
800
300
700
10
20
fsw [kHz]
30
200
600
V DC [V]
123
Captulo 5. Resultados
Figura 5.11 Energia dissipada nos semicondutores do inversor trifsico e armazenada no filtro LC de sada em
funo da frequncia de chaveamento fsw , para as UPSs com potncia nominal de 10 kW .
inversor, VDC = 550 V e P out = 10 kW
20
20
2n - Si
2n - SiC
Efiltro LC (2n)
Efiltro LC (3n)
15
Energia [J]
15
Energia [J]
NPC1 - Si
NPC2 - Si
10
10
5
0
10
20
10
30
fsw [kHz]
20
30
fsw [kHz]
DC
2 nveis - Si
2 nveis - SiC
= 850 V e P = 10 kW
out
30
NPC1 - Si
NPC2 - Si
Efiltro LC (2n)
20
Energia [J]
Energia [J]
30
10
0
10
20
fsw [kHz]
30
Efiltro LC (3n)
20
10
0
10
20
fsw [kHz]
30
Como se infere da Figura 5.11, enquanto esta frequncia tima de cerca de 10 kHz
para as topologias de silcio 2n e NPC2, para a NPC1 e para a 2n base de SiC estas frequncias
atingem cerca de 13 kHz e 25 kHz, nesta ordem. Mais uma vez, portanto, a opo pelo mdulo
de SiC pode permitir a operao a uma frequncia de chaveamento que otimiza o compromisso
entre volume do filtro e rendimento do conversor e ainda atenua substancialmente o rudo audvel.
Cabe ainda uma comparao entre as energias armazenadas nos filtros LC das topologias
2n e 3n. Na fase de dimensionamento do filtro LC, abordada na seo 3.3.2, impem-se restries
na frequncia de corte e, assim, no produto LC. Deste modo, as topologias 3n tendem a definir
especificaes de indutncias L duas vezes menores e capacitncias C duas vezes maiores do
que no arranjo 2n. Como resultado, as energias armazenadas no capacitor EC e no indutor EL
seguem aquelas propores, aproximadamente. Sendo assim, as topologias 3n levam a energias
Ef iltro menores nos cenrios em que o critrio de ripple de corrente determina um valor de
124
Captulo 5. Resultados
EL muito superior EC . A Tabela 5.2 compara estas energias, obtidas via simulao, para trs
cenrios. As propores de cada parcela de energia no valor total tambm so indicadas nesta
tabela.
Tabela 5.2 Comparao das topologias de dois nveis e de trs nveis quanto energia armazenada no filtro.
Energia no indutor
Energia no
capacitor
Energia total no
filtro
2 nveis
3 nveis
14, 0 J/74, 0 %
7, 8 J/45, 3 %
4, 9 J/26 %
9, 4 J/54, 7 %
Energia no indutor
Energia no
capacitor
Energia total no
filtro
2 nveis
3 nveis
23, 3 J/87, 4 %
11, 8 J/65, 2 %
3, 4J/12, 6 %
6, 3 J/34, 8 %
Energia no indutor
Energia no
capacitor
Energia total no
filtro
2 nveis
3 nveis
2, 5 J/87, 0 %
1, 3 J/64, 2 %
0, 4J/13, 0 %
0, 7 J/35, 8 %
2, 9 J (1, 0 p.u.)
2, 0 J (0, 7 p.u.)
No primeiro cenrio da Tabela 5.2, com o projeto de UPS com potncia de 10 kW e com
tenso VDC e frequncia fsw mnimas (550 V e 3, 84 kHz), a energia total do filtro calculada para
as topologias 3n apenas 10 % menor do que nas 2n. Com o aumento da tenso do barramento
c.c. para o valor mximo (de 850 V ), aquela diferena de energias passa a ser de 30 % (cenrio
2). Se a frequncia de chaveamento for elevada para 30, 72 kHz, neste ltimo cenrio, esta
diferena se mantm em 30 % (cenrio 3). Assim, de modo geral, o aumento da frao de energia
armazenada no indutor tende a favorecer a topologia 3n, sob este critrio.
A Figura 5.12 ilustra as faixas em que situam estas diferenas de energia armazenada
nos filtros das topologias 2n (E2n ) e 3n (E3n ), para cada projeto de UPS em estudo. Nesta
figura, nota-se que a energia do filtro E3n at 35 % menor do que E2n , para as UPSs analisadas.
Apenas para os projetos com tenso menor ou igual a 650 V esta diferena menor do que 20 %.
De qualquer modo, como uma deciso de projeto pode ser a de minimizar a indutncia
do filtro para fins de reduo do custo, as topologias 3n podem ser preferidas em relao s 2n,
mesmo no caso em que as energias totais do filtro sejam da mesma ordem. Em todos os projetos,
a energia no indutor dos filtros das topologias 2n reduzida em 50 %, em comparao com as
2n, como tambm se nota por inspeo dos dados da Tabela 5.2.
125
Captulo 5. Resultados
Figura 5.12 Comparao entre as energias armazenadas nos filtros das topologias de dois nveis (E2n ) e trs
nveis (E3n ).
E3n E2n
E2n
DC
100[%]
-35 a -30%
-29 a -20%
[V]
-19 a -10%
-9 a 0%
850
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
126
Captulo 5. Resultados
que a NPC1. Isso se deve, provavelmente, ao aumento das perdas de chaveamento nos transistores
quando da operao como inversor, que penaliza a topologia NPC2 e favorece a NPC1 j que
na NPC2 h chaves que bloqueiam tenses maiores do que na NPC1.
Figura 5.13 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da potncia de sada Pout e da
tenso do barramento VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
inversor, f sw = 3,84 kHz
200
250
2 nveis - Si
P semic [W]
200
150
150
100
100
50
1000
2 nveis - SiC
50
800
600
10
P out [kW]
V DC [V]
250
200
NPC2 - Si
180
200
P semic [W]
160
140
150
120
100
100
NPC1 - Si
80
50
800
0
600
4
P out [kW]
60
40
10
V DC [V]
A Figura 5.14 individualiza a comparao da Figura 5.13 para as UPSs com potncias
nominais de 2, 5 kW e 10 kW . Neste primeiro grupo de UPSs, a topologia 2n supera o desempenho da NPC2, mas no da NPC1. No caso da operao como retificador, o arranjo 2n
superava aqueles outros dois, para as UPSs deste grupo. J para as UPSs de 10 kW , as perdas
das topologias 3n so inferiores 2n de silcio para tenses maiores ou iguais a 650 V . No
estgio retificador, o desempenho das topologias 3n era superior para tenses VDC maiores do
que 750 V .
127
Captulo 5. Resultados
Figura 5.14 Perdas nos semicondutores Psemic do inversor trifsico em funo da tenso do barramento c.c.
VDC , para as UPSs com frequncia de chaveamento fsw de 3, 84 kHz.
P semic [W]
P semic [W]
80
60
40
2n - Si
2n - SiC
20
600
700
60
40
NPC1 - Si
NPC2 - Si
20
600
800
700
800
V DC [V]
V DC [V]
P semic [W]
P semic [W]
250
200
200
2n - Si
2n - SiC
150
NPC1 - Si
NPC2 - Si
150
100
100
600
700
800
V DC [V]
600
700
800
V DC [V]
128
Captulo 5. Resultados
Figura 5.15 Representao grfica das UPSs simuladas, com a indicao das topologias com menores perdas no
estgio inversor.
VDC [V]
NPC1
2n
850
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
30720
10000
8125
6250
4375
2500
fsw [Hz]
129
Captulo 5. Resultados
nas topologias 2n o valor de Pchav(Q) excede Pchav(D) no modo retificador. J no modo inversor,
Pchav(Q) suplanta, em geral, Pchav(D) . Em oposio ao retificador, no inversor Pcond(Q) supera
Pcond(D) .
Tabela 5.3 Comparao das potncias dissipadas nos mdulos base de silcio em quatro cenrios, para o modo
de operao como inversor.
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
14, 6 W/32, 6 %
26, 5 W/70, 9 %
20, 9 W/41, 9 %
30, 3 W/67, 4 %
10, 8 W/29, 1 %
29, 0 W/58, 1 %
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
94, 4 W/41, 6 %
163, 9 W/81, 2 %
131, 1 W/54, 7 %
132, 6 W/58, 4 %
37, 9 W/18, 8 %
108, 4 W/45, 3 %
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
91, 5 W/8, 0 %
159, 2 W/34, 6 %
126, 3 W/12, 9 %
1055, 3 W/92, 0 %
300, 8 W/65, 4 %
854, 3 W/87, 1 %
Tipo
Perdas de
conduo
Perdas de
chaveamento
Perdas totais
FF75R12RT4
F3L75R07W2E3B11
F3L150R12W2H3B11
2 nveis/ Si
NPC1/ Si
NPC2/ Si
97, 2 W/52, 8 %
173, 3 W/87, 4 %
124, 0 W/63, 6 %
86, 9 W/47, 2 %
24, 9 W/12, 6 %
70, 9 W/36, 4 %
O aumento das perdas nos mdulos de SiC na operao como retificador, em comparao
com o modo inversor, se atribui elevao das perdas de conduo nos diodos. J na topologia
NPC1 este aumento se deve s maiores perdas de recuperao reversa nos diodos, no modo
retificador. Por outro lado, o mdulo NPC2 exibe perdas maiores como inversor do que como
retificador, como resultado do aumento das perdas de chaveamento nos transistores naquela
condio.
Por fim, representa-se a diferena entre a potncia dissipada no estgio inversor nas
topologias NPC1 e 2n com mdulos base de silcio. A Figura 5.18 ilustra estas diferenas, para
os inversores das 80 UPSs em anlise.
130
Captulo 5. Resultados
Figura 5.16 Proporo, na operao como retificador, entre as perdas de chaveamento no diodo (indicadas pela
cor vermelha), de conduo no diodo (amarelo), de chaveamento no transistor (azul) e de conduo
no transistor (verde).
retificador
42
218
47
20
1279
256
118
200
1000
210
209
100
2n - Si
2n - Si
2n - SiC
Perdas [W]
43
Perdas [W]
Perdas [W]
18
40
605
754
500
0
2n - Si
2n - SiC
NPC1 - Si
2n - SiC
NPC1 - Si
NPC2 - Si
NPC1
NPC2 - Si
(a)
NPC2
(b)
(c)
111
50
20
0
2n - Si
2n - SiC
NPC1 - Si
NPC2 - Si
203
1000
202
239
100
Perdas [W]
200
37
40
Perdas [W]
Perdas [W]
1147
227
460
981
500
2n - Si
2n - Si
2n - SiC
2n - SiC
NPC1 - Si
NPC1 - Si
NPC2 - Si
NPC2 - Si
(a)
(b)
(c)
131
Captulo 5. Resultados
Figura 5.18 Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e 2n na operao como inversor, com mdulos
base de silcio.
(PN P C1 P2n )
100 [%]
P2n
VDC [V]
-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%
850
-19 a 0%
1 a 20%
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Nota: A diferena percentual (PN P C1 P2n )/P2n representada segundo a conveno da legenda.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Figura 5.19 Comparao entre as perdas nas topologias NPC1 e NPC2 na operao como inversor, com mdulos
base de silcio.
(PN P C1 PN P C2 )
100 [%]
PN P C2
VDC [V]
-80 a -60%
-59 a -40%
-39 a -20%
850
-19 a 0%
1 a 20%
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Outra vez, na maior parte dos casos, a reduo da potncia dissipada que decorre da
substituio do arranjo NPC2 pelo NPC1 de 40 % a 60 %. A diferena mxima entre as
perdas nas duas topologias de cerca de 70 %, para os projetos com maiores frequncias de
chaveamento.
Estes resultados demonstram, como na seo precedente, que os inversores com topologia NPC1 dissipam em geral potncias menores do que aqueles em arranjo 2n e NPC2 com
componentes de silcio. Todavia, tambm como naquela seo, o mdulo de SiC suplanta todos
os outros de silcio, em todos os cenrios em anlise.
Captulo 5. Resultados
132
Cabe ainda salientar que os resultados desta seo provavelmente no se estendem para
outras especificaes de UPS. O desempenho de cada projeto deve ser analisado para cada caso,
j que no h critrios prticos que delimitem as faixas de operao em que cada topologia
se torna vivel. As ferramentas propostas neste trabalho para que as perdas sejam estimadas
podem, todavia, colaborar na automatizao destas anlises sucessivas, obrigatrias nas rotinas
de projeto.
5.1.3
133
Captulo 5. Resultados
Figura 5.20 Perdas totais Pind no indutor do filtro LCL de entrada da UPS em funo da frequncia de
chaveamento fsw e da tenso de barramento VDC , para topologias de dois nveis e de trs nveis, para
a UPS com potncia nominal de 10 kW .
filtro LCL, P out = 10 kW
250
2 nveis
300
P ind [W]
200
200
3 nveis
150
100
100
800
0
10
700
20
50
600
30
V DC [V]
fsw [kHz]
V DC = 550 V
P
Pncleo
150
V DC = 850 V
100
50
300
Pind
ind
Pcobre
200
Perdas [W]
300
Perdas [W]
250
filtro LCL, 2 nveis, P out = 10 kW, filtro LCL, 2 nveis, P out = 10 kW,
250
Pcobre
200
Pncleo
150
100
10
20
fsw [kHz]
10
(a)
Pind
150
Pcobre
100
Pncleo
30
200
50
50
f sw = 3,84 kHz
250
Perdas [W]
20
fsw [kHz]
600
30
(b)
700
800
V DC [V]
(c)
Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
134
Captulo 5. Resultados
Figura 5.22 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LCL de
entrada de retificadores em topologia de trs nveis.
filtro LCL, 3 nveis, P out = 10 kW,
250
Pcobre
Pncleo
150
Pind
100
50
200
Pcobre
200
Perdas [W]
Perdas [W]
200
250
250
Pind
Perdas [W]
V DC = 550 V
Pncleo
150
100
10
20
30
fsw [kHz]
cobre
Pncleo
0
10
(a)
P
100
50
50
Pind
150
20
fsw [kHz]
30
600
(b)
700
V DC [V]
800
(c)
Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Com base na comparao entre os grficos das Figuras 5.21 e 5.22, deduz-se que as perdas
nos enrolamentos nos filtros LCL das topologias 2n e 3n so aproximadamente equivalentes,
j que as indutncias totais nestes dois arranjos so fixadas no valor que atende ao critrio de
rigidez dinmica mnima. As perdas no ncleo, entretanto, podem ser at quatro vezes menores
nos filtros do retificador 3n. Como o ripple de corrente no indutor do lado do conversor nesta
topologia duas vezes menor (para uma indutncia de filtro fixa) e a equao de Steinmetz
generalizada supe uma dependncia aproximadamente quadrtica das perdas no ncleo com a
excurso de densidade de fluxo, este resultado j era previsto. Assim, em virtude da reduo das
perdas no material magntico, as perdas totais dos filtros das topologias 3n podem ser at 60 %
menores do que nas 2n.
Como j foi mencionado, o aumento da frequncia de chaveamento tende a reduzir as
perdas nos indutores, como resultado da reduo da indutncia total e, assim, da resistncia total
dos enrolamentos. Contudo, esta relao inversa entre o valor de fsw e a potncia dissipada no
indutor s se sustenta enquanto as perdas nos enrolamentos Pcobre forem dominantes. A partir de
um valor crtico de fsw , em que as perdas do ncleo Pnucleo passam a ser maiores do que Pcobre ,
o aumento de fsw tende a elevar as perdas totais. Este valor crtico de cerca de 20 kHz para as
topologias 2n e 3n, na potncia nominal de 10 kW e tenso VDC de 850 V . Para a tenso VDC de
550 V , as perdas Pcobre so sempre maiores do que Pnucleo para o filtro LCL de retificadores 3n
na faixa de frequncias fsw avaliada. Assim, aquele valor crtico no observado nesta faixa. Por
fim, cabe comentar que quanto maior a tenso VDC , maiores as perdas totais no indutor, tambm
em razo daquele aumento da resistncia dos enrolamentos.
A Figura 5.23 indica as perdas totais nos indutores do filtro LC de sada dos inversores
135
Captulo 5. Resultados
de dois e trs nveis, novamente para as UPSs de potncia nominal de 10 kW . Como se nota
nos resultados desta figura, na UPS com frequncia de chaveamento fsw mnima (3, 84 kHz) e
com tenso de barramento c.c. VDC mxima (850 V ), as perdas nos indutores do filtro LCL no
superam 3 % para as topologias 2n. Para as topologias 3n, este valor mximo de cerca 2 %
da potncia nominal. Em aplicaes prticas, em que fsw e VDC assumem valores de cerca de
15 kHz e 550 V , a potncia dissipada nos filtros LC nas topologias de dois e de trs nveis, para
a potncia nominal em 10 kW , valem aproximadamente de 0, 8 % e 0, 4 % desta potncia, nesta
ordem. As descontinuidades nas curvas da Figura 5.23 tambm se devem seleo de ncleos
distintos, ao longo de uma faixa de especificaes de frequncia fsw e tenso VDC .
Figura 5.23 Perdas no indutor Pind do filtro LC de sada da UPS em funo da frequncia de chaveamento fsw e
da tenso de barramento VDC , para topologias de dois nveis e de trs nveis, para a UPS com
potncia nominal de 10 kW .
filtro LC, Pout = 10 kW
300
250
2 nveis
P ind [W]
200
200
3 nveis
150
100
100
800
0
10
700
20
fsw [kHz]
30
600
50
V DC [V]
Nas Figuras 5.24 e 5.25, a anlise das perdas no indutor do filtro LC individualizada
para as UPSs de tenses VDC de 550 V e 850 V e para a frequncia fsw em 3, 84 kHz. Como se
infere dos grficos destas figuras, a potncia dissipada no indutor do filtro de sada de inversores
em topologia 2n aproximadamente duas vezes maior do que no caso dos conversores 3n. De
fato, como indicam as equaes de dimensionamento destes indutores equaes (3.29) e (3.30),
as topologias 2n demandam indutncias de filtro duas vezes maiores do que no arranjo 3n, para
um critrio de ripple nico. Sendo assim, o comprimento dos cabos e, assim, a resistncia dos
enrolamentos, so aumentados pelo mesmo fator, aproximadamente. Isso justifica, portanto,
aquela proporo entre as perdas nos indutores de filtro destas duas topologias.
136
Captulo 5. Resultados
Figura 5.24 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LC de
sada de inversores em topologia de dois nveis.
filtro LC, 2 nveis, Pout = 10 kW,
P
Pncleo
150
100
50
f sw = 3,84 kHz
V DC = 850 V
P
ind
Pcobre
200
Perdas [W]
300
ind
250
Pcobre
200
Pncleo
Perdas [W]
V DC = 550 V
Perdas [W]
250
150
100
200
Pind
Pcobre
100
Pncleo
50
0
10
20
30
10
fsw [kHz]
20
fsw [kHz]
(a)
600
30
700
800
V DC [V]
(b)
(c)
Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Figura 5.25 Perdas no enrolamento Pcobre , no ncleo Pnucleo e totais Pind para os indutores do filtro LC de
sada de inversores em topologia de trs nveis.
V DC = 550 V
150
Pcobre
Pcobre
50
0
10
20
Pind
Pnucleo
100
fsw [kHz]
Pnucleo
100
50
30
100
Pind
Pcobre
Pnucleo
50
0
10
(a)
V DC = 850 V
Pind
Perdas [W]
Perdas [W]
150
Perdas [W]
20
fsw [kHz]
30
600
(b)
700
V DC [V]
800
(c)
Perdas: (a) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso de barramento c.c. VDC de 550 V
e potncia nominal Pout de 10 kW ; (b) em funo da frequncia de chaveamento fsw , para a UPS com tenso VDC
de 850 V e Pout de 10 kW ; (c) em funo da tenso VDC , para a UPS com fsw de 3, 84 kHz e Pout de 10 kW .
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Por outro lado, como o ripple de corrente fixado nas topologias 2n e 3n, a excurso de
densidade de fluxo aproximadamente equivalente nos dois casos. Sendo assim, se o mesmo
ncleo fosse adotado nos filtros das topologias 2n e 3n, as perdas no material magntico seriam,
grosso modo, iguais nestes filtros, para cada especificao de frequncia de chaveamento. As
diferenas entre Pnucleo nestes dois tipos de filtro se devem, portanto, ao uso de ncleos (ou
associaes) diferentes nos dois casos.
Captulo 5. Resultados
137
138
Captulo 5. Resultados
Tabela 5.4 Exemplos de projetos de indutores dos filtros de entrada e de sada para duas das 80 UPSs em anlise.
2 nveis / 3 nveis
Filtro LC
2 nveis
3 nveis
Li (480 H)
Lf (250 H)
L (1, 22 mH)
L (600 H)
160 H
3
30
11
1, 2 mm (17)
58737
60
4, 6 m
250 H
1
52
11
1, 2 mm (17)
58099
60
6, 7 m
600 H
2
98
11
1, 2 mm (17)
58337
26
17 m
600 H
1
98
11
1, 2 mm (17)
58337
26
17 m
25 %
9, 1 105 m3
3, 6 104 m3
3, 24 103 m3
28 W
60 W (2 nveis)
17 W (3 nveis)
88 W (2 nveis)
45 W (3 nveis)
27 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 02 103 m3
14 W
1 W (2 nveis)
1 W (3 nveis)
15 W (2 nveis)
15 W (3 nveis)
27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
7, 2 103 m3
71 W
12 W
27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
3, 6 103 m3
35 W
7W
83 W
42 W
2 nveis / 3 nveis
Li (240 H)
Lf (105 H)
240 H
1
51
21
0, 87 mm (20)
58099
60
35 H
3
22
21
0, 87 mm (20)
58110
60
6, 7 m
25 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 0 103 m3
14 W
70 W (2 nveis)
18 W (3 nveis)
84 W (2 nveis)
32 W (2 nveis)
1, 9 m
29 %
2, 1 105 m3
8, 2 105 m3
7, 4 104 m3
12 W
1 W (2 nveis)
1 W (3 nveis)
13 W (2 nveis)
13 W (3 nveis)
Filtro LC
2 nveis
3 nveis
L (602 H)
L (301 H)
602 H
301 H
1
1
98
57
21
21
0, 87 mm (20) 0, 87 mm (20)
58337
58099
26
60
17 m
7, 5 m
27 %
2, 2 104 m3
8, 5 104 m3
3, 6 103 m3
36 W
15 W
29 %
8, 7 105 m3
3, 4 104 m3
1, 0 103 m3
16 W
16 W
51 W
32 W
139
Captulo 5. Resultados
5.1.4
95
95
90
90
2 nveis - SiC
[%]
85
85
80
80
2 nveis - Si
75
10
20
800
700
600
75
V DC [V]
30
fsw [kHz]
NPC1 - Si
95
92
90
90
[%]
88
86
85
84
NPC2 - Si
800
81
10
700
20
fsw [kHz]
30
82
600
V DC [V]
(b) UPS com conversores NPC1 e NPC2, com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Como se deduz dos resultados da Figura 5.26, o rendimento das UPSs de dupla converso
com mdulos de SiC maior do que 92 % em todos os cenrios com potncia nominal Pout de
140
Captulo 5. Resultados
10 kW . Para a UPS de mesma topologia (2n) base de silcio, o rendimento s atinge este valor
para a frequncia de chaveamento fsw e tenso de barramento c.c. VDC mnimas (3, 84 kHz e
550 V ). Para as frequncias fsw tpicas de UPSs comerciais, na faixa de 15 kHz, estima-se o
rendimento das topologias 2n base de silcio e de SiC em 89, 3 % e 95, 3 %, respectivamente,
para as tenses VDC em 550 V . Para esta frequncia tpica, a potncia dissipada nos filtros desta
topologia atinge cerca de 2 % da potncia nominal (10 kW ), no total.
Como j se antevia dos resultados das sees anteriores, a topologia NPC1 supera o
rendimento da NPC2 em todos os projetos potncia nominal de 10 kW , com exceo daqueles
com fsw e VDC mnimos. O rendimento mnimo das UPSs desta potncia com mdulos NPC1
de 88, 3 %, para o caso com fsw e VDC mximos (30, 72 kHz e 850 V ). Para as UPSs com
conversores em NPC2, este rendimento mnimo atinge 81, 6 %, tambm nesta condio. Para o
caso das UPSs com frequncias fsw da ordem de 15 kHz, os rendimentos globais dos conversores
NPC1 e NPC2 valem cerca de 93, 4 % e 91, 9 %, nesta ordem, para a tenso VDC em 550 V .
Nesta frequncia, as perdas nos filtros acumulam 1, 0 % de Pout (10 kW ), aproximadamente. Em
apenas um dos cenrios avaliados com potncia nominal de 10 kW (com frequncia fsw mnima
e VDC de 850 V ), o rendimento das UPSs com componentes de silcio em NPC1 com melhor
desempenho dentre as variaes de silcio supera aquele das UPSs com SiC.
Para que as parcelas de perdas de cada um dos estgios da UPS sejam analisadas, a
Tabela 5.5 discrimina estas parcelas para dois cenrios potncia nominal de 10 kW .
Tabela 5.5 Rendimento global e perdas em cada estgio, em valores percentuais da potncia nominal, para dois
projetos distintos de UPS de dupla converso.
Parmetro
FF75R12RT4
(Si)
Rendimento global [%]
Perdas no retificador [%]
Perdas no inversor [%]
Perdas no filtro LCL [%]
Perdas no filtro LC [%]
3 nveis
89, 4
4, 4
4, 4
1, 0
0, 8
95, 4
1, 5
1, 3
1, 0
0, 8
93, 4
3, 0
2, 6
0, 6
0, 4
91, 4
3, 2
3, 9
0, 6
0, 4
Parmetro
FF75R12RT4
(Si)
Rendimento global [%]
Perdas no retificador [%]
Perdas no inversor [%]
Perdas no filtro LCL [%]
Perdas no filtro LC [%]
82, 5
8, 2
7, 8
1, 0
0, 5
3 nveis
91, 2
4, 4
3, 6
0, 5
0, 3
87, 4
5, 2
6, 6
0, 5
0, 3
141
Captulo 5. Resultados
95
92
90
2 nveis - SiC
[%]
90
88
86
85
84
80
0
2 nveis - Si
10
20
82
10
5
30
40
P out [kW]
fsw [kHz]
80
78
94
NPC1 - Si
92
95
90
88
[%]
90
86
85
84
NPC2 - Si
80
79
82
10
10
20
30
fsw [kHz]
80
P out [kW]
(b) UPS com conversores NPC1 e NPC2, com os mdulos F3L75R07W2E3 e F3L150R12W2H3B11, respectivamente.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
142
Captulo 5. Resultados
NP C1 2n [%]
VDC [V]
0 a 1,9%
850
2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%
8,0 a 9,9%
10,0 a 20,0%
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
143
Captulo 5. Resultados
Figura 5.29 Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso nas topologias NPC1 e NPC2,
com mdulos base de silcio.
NP C1 NP C2 [%]
-3 a -0,1%
0 a 1,9%
2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%
8,0 a 9,9%
10,0 a 17,0%
VDC [V]
850
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Todos os resultados desta seo apontam para os ganhos de rendimento que decorrem
tanto da seleo de mdulos de carbeto de silcio, quanto da opo pela topologia NPC1, no
caso em que se especificam componentes de silcio. A viabilidade de mdulos de SiC em UPSs
de dupla converso analisada, em particular, na seo a seguir. Novamente, ressalta-se aqui a
necessidade de reavaliar os ganhos de rendimento indicados nesta seo, se novas especificaes
de UPSs forem analisadas.
5.1.5
Esta seo avalia a viabilidade de mdulos de carbeto de silcio nos projetos de UPSs
de dupla converso. Inicialmente, so quantificadas as diferenas entre o rendimento global
das UPSs com componentes de SiC e de silcio. Nesta comparao, considera-se apenas a
topologia NPC1, que exibe o maior rendimento global dentre as variaes com silcio. A Figura
5.30 representa as diferenas entre os valores de rendimento global das UPSs em arranjos de
dois nveis com SiC (SiC ) e em NPC1 com silcio (N P C1 ), indicadas segundo a conveno de
cor da legenda.
Como se infere dos resultados da Figura 5.30, o ganho de rendimento introduzido pelos
mdulos de SiC (SiC N P C1 ) atinge at 2 % nas duas menores frequncias de chaveamento
fsw e assume em mdia cerca de 5 % nas duas maiores fsw . Como j se previa, este ganho em
rendimento dos dispositivos de SiC em baixas frequncias fsw menor, como resultado das
maiores perdas nos filtros de entrada e de sada das topologias de dois nveis, em comparao com
as 3n. Todavia, para as frequncias de chaveamento tpicas de UPSs comerciais, presumidas em
cerca de 15 kHz, aquele aumento de rendimento de 3 % em mdia. Este ganho em desempenho
144
Captulo 5. Resultados
j justificaria a substituio dos mdulos de silcio pelos de SiC nestas UPSs sem que sejam
ponderados, nesta anlise, os custos das duas alternativas.
Sendo assim, os resultados da Figura 5.30 indicam que mesmo em comparao com o
arranjo de componentes de silcio com menores perdas globais no filtro e nos semicondutores,
as UPSs base de SiC em topologia 2n ainda introduzem ganhos de rendimento de quase 8 %,
em alguns projetos com maiores frequncias de chaveamento. Estes resultados, portanto, j
acenam para a viabilidade dos dispositivos de SiC em aplicaes de UPS, mesmo em baixas
potncias.
Figura 5.30 Comparao entre o rendimento global da UPS de dupla converso com conversores de dois nveis e
NPC1 com mdulos de SiC e de silcio, respectivamente.
SiC NP C1 [%]
-1 a -0,1%
0 a 1,9%
2,0 a 3,9%
4,0 a 5,9%
6,0 a 7,9%
VDC [V]
850
750
P out [W]
650
550
3840
7680
15360
fsw [Hz]
30720
10000
8125
6250
4375
2500
Ademais, h ainda outros ganhos que resultam da substituio dos mdulos de potncia
de silcio pelos de SiC. Por exemplo, como consequncia do maior rendimento dos projetos com
SiC, as UPSs podem operar em frequncias de chaveamento mais elevadas, reduzindo o volume
e o custo dos filtros e ainda, os nveis de rudo audvel. Os sistemas de refrigerao podem ser
simplificados, o que tambm contribui para a reduo do custo do projeto. Para que tambm
estes ganhos adicionais sejam avaliados, propem-se, aqui, duas abordagens de comparao
entre os projetos de UPS com componentes de silcio e de SiC.
A primeira abordagem pretende quantificar a possvel reduo de volume dos filtros nas
UPSs com mdulos de SiC. Nesta anlise, a resistncia trmica de dissipador para ambiente
Rth(sa) que qualifica o sistema de refrigerao dos conversores definida em um valor
constante de 0, 03 K/W 4 . Para esta condio, a frequncia de chaveamento fsw ento elevada
para o valor mximo que ainda leva a um rendimento superior ao da UPS em topologia 2n
com silcio. Obviamente, o projeto a esta frequncia fsw no deve violar o limite trmico da
4
Este valor de resistncia trmica, que aproxima do valor da resistncia do dissipador do modelo P 16 (Semikron
com conveco forada, adotado como referncia para que no haja violao do limite trmico nas UPSs em
topologia 2n com componentes de silcio, no pior cenrio de operao.
Captulo 5. Resultados
145
Para os indutores dimensionados neste trabalho, o limite mximo do fator de utilizao arbitrado em 30 %,
como define a seo 4.1.2. Sendo assim, supe-se que este fator seja de 40 % nas estimativas de volume do
indutor para fins de simplificao dos clculos.
146
Captulo 5. Resultados
substituio de silcio por SiC no oneraria custos adicionais com o sistema de refrigerao,
suposto equivalente nos projetos de UPS da Tabela 5.6.
Tabela 5.6 Comparao entre a frequncia de chaveamento mxima da UPS de dupla converso com sistema de
refrigerao arbitrrio e fixo (Rth(sa) = 0, 03 K/W ) para os quatro mdulos de potncia em estudo.
Retificador Inversor
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)
Tj(max) [ C]
Perdas [%]
[%]
Mdulo
Indutores
Retificador
Inversor
Vind [L]
88, 1
95, 2
5, 0
1, 5
5, 0
1, 4
1, 9
1, 9
82
54
83
54
8, 7
8, 7
93, 1
3, 2
2, 7
1, 1
72
68
6, 1
90, 9
3, 6
4, 4
1, 1
87
80
6, 1
Retificador Inversor
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)
Tj(max) [ C]
Perdas [%]
[%]
Mdulo
Indutores
Retificador
Inversor
Vind [L]
79, 5
94, 3
9, 7
2, 1
9, 0
1, 8
1, 8
1, 8
122
59
118
59
4, 1
4, 1
92, 5
3, 6
3, 0
0, 9
84
68
3, 6
85, 5
6, 0
7, 7
0, 9
123
112
3, 6
Retificador Inversor
CCS050M12CM2
(SiC)
F3L75R07W2E3
(NPC1)
Tj(max) [ C]
Perdas [%]
[%]
Mdulo
Indutores
Retificador
Inversor
Vind [L]
93, 0
2, 8
2, 2
2, 0
67
64
4, 1
91, 8
4, 5
2, 9
0, 8
99
82
2, 3
Retificador Inversor
CCS050M12CM2
(SiC)
90, 3
Tj(max) [ C]
Perdas [%]
[%]
4, 5
3, 0
Indutores
Retificador
Inversor
2, 2
85
73
Vind [L]
2, 3
Nota: O volume total dos indutores se manteve no mesmo valor para as frequncias fsw em 30, 72 kHz e 46, 08 kHz
em razo do uso de um ncleo menor neste segundo caso. Como resultado, para que o critrio de fator de utilizao
mximo pudesse ser atendido, um maior nmero de unidades foi associado em srie no cenrio a 46, 08 kHz, o que
justifica este resultado.
Todavia, a estimativa da reduo do custo total dos filtros de entrada e de sada da UPS
Captulo 5. Resultados
147
com SiC deveria tambm pontuar a queda nos custos dos capacitores. Este decrscimo no custo
total dos filtros deve compensar os gastos adicionais com os mdulos de SiC (mais caros do que
os de silcio) para que a opo pelo SiC seja economicamente vivel. As anlises de viabilidade
econmica destas duas alternativas no sero includas neste texto, por dependerem, por exemplo,
de informaes prticas relativas ao projeto dos indutores nestes dois casos.
A segunda abordagem de comparao entre os projetos de UPSs com componentes de
silcio e SiC objetiva avaliar a possvel simplificao dos sistemas de refrigerao das UPSs com
SiC. Para tanto, a temperatura de juno mxima dos dispositivos Tj(max) fixada em 125 C e a
mxima resistncia Rth(sa) , aqui tratada como figura de mrito da complexidade e do custo destes
sistemas, estimada para vrias frequncias de chaveamento. Assim, quanto menor o valor de
Rth(sa) , maior o volume e o custo do dissipador. A dependncia entre Rth(sa) e as dimenses do
dissipador deve ser avaliada em softwares de anlise trmica de elementos finitos, para que sejam
modelados os efeitos da distribuio do calor na superfcie do dissipador sobre a resistncia
trmica. Estas anlises foram iniciadas no software Qfin (Qfinsoft) como parte desta pesquisa,
mas ainda no foram finalizadas e, portanto, no sero abordadas neste texto. Sendo assim, a
complexidade ou os custos dos sistemas de refrigerao de cada projeto de UPS so avaliados
qualitativamente neste trabalho, por inspeo dos valores de Rth(sa) para cada caso.
A Tabela 5.7 apresenta os resultados da comparao dos projetos de UPS com esta
nova abordagem. Novamente, admite-se que sobre cada dissipador esto montados trs braos
completos de dispositivos. A resistncia de encapsulamento para dissipador do mdulo de SiC,
no informada pelo fabricante, suposta equivalente a de um mdulo de silcio de dimenses
aproximadamente iguais (FS75R7N2E4). Para que o limite mximo de elevao de temperatura
nos indutores no fosse excedido, o ncleo dos indutores de filtro das UPSs com frequncias
de chaveamento 107, 52 kHz e 122, 88 kHz no so selecionados apenas segundo o critrio de
energia armazenada, detalhado na seo 4.1.2. Nesta seleo, considera-se ainda a superfcie
mnima do indutor para que a dissipao de calor seja facilitada, sem que seja necessria a
associao de um grande nmero de componentes em srie/paralelo.
Com base nos dados da Tabela 5.7, se deduz que para uma mesma frequncia de chaveamento, a resistncia Rth(sa) da UPS com SiC pode ser de 2, 4 at 10 vezes maior do que nas
variaes de silcio, dependendo da topologia. Ora, como quanto maior Rth(sa) , mais simples o
sistema de refrigerao da UPS, este resultado indica, grosso modo, que o custo dos dissipadores
e dos ventiladores pode ser menor na UPS com SiC. Esta reduo de custo, aliada ao aumento
de rendimento de at 15 % (observado no cenrio 4, entre as UPSs 2n de Si e de SiC), podem
tornar as UPSs com SiC viveis.
De fato, por inspeo dos resultados para os cenrios 2 e 6, nota-se que o mesmo sistema
de refrigerao pode ser adotado na UPS 2n com SiC frequncia fsw de 122, 88 kHz e na UPS
com arranjo 2n e NPC2 de silcio, com fsw de 30, 72 kHz. Um mesmo valor de Rth(sa) tambm
seria suficiente para a refrigerao de UPSs em NPC1 15, 36 kHz e com SiC 46, 08 kHz.
148
Captulo 5. Resultados
Tabela 5.7 Comparao entre os sistemas de refrigerao da UPS de dupla converso com temperatura de juno
mxima Tj(max) fixada em 125 C para os quatro mdulos de potncia em estudo.
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
5, 0
1, 5
3, 2
3, 6
5, 0
1, 4
2, 7
4, 4
1, 9
1, 9
1, 1
1, 1
0, 11
0, 48
0, 20
0, 13
Perdas [%]
[%]
Mdulo
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)
88, 1
95, 2
93, 1
90, 9
Vind [L]
8, 7
8, 7
6, 1
6, 1
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
9, 7
2, 1
3, 6
6, 0
9, 0
1, 8
3, 0
7, 7
1, 8
1, 8
0, 9
0, 9
0, 03
0, 34
0, 15
0, 03
Perdas [%]
[%]
Mdulo
FF75R12RT4 (Si)
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)
F3L150R12W2H3B11
(NPC2)
79, 5
94, 3
92, 5
85, 5
Vind [L]
4, 1
4, 1
3, 6
3, 6
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
2, 8
4, 5
2, 2
2, 9
2, 0
0, 8
0, 24
0, 09
Perdas [%]
[%]
Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)
F3L75R07W2E3 (NPC1)
93, 0
91, 8
Vind [L]
4, 5
2, 3
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
4, 5
3, 0
2, 2
0, 12
Perdas [%]
[%]
Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)
90, 3
Vind [L]
2, 3
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
6, 7
3, 8
3, 0
0, 05
Perdas [%]
[%]
Mdulo
CCS050M12CM2 (SiC)
86, 5
Vind [L]
2, 0
Retificador
Inversor
Indutores
Rth(sa)
[K/W ]
8, 1
4, 2
3, 2
0, 03
Perdas [%]
[%]
84, 5
Vind [L]
2, 0
Como resultado desta simplificao do sistema de refrigerao, as UPSs com SiC podem,
inclusive, dispensar a necessidade de ventiladores. Como os ventiladores so suscetveis a falhas
recorrentes, estas UPSs poderiam, portanto, tambm introduzir ganhos quanto confiabilidade.
Captulo 5. Resultados
149
Por exemplo, se dois mdulos de SiC fossem associados em paralelo no cenrio 1 da Tabela 5.7,
em dissipadores distintos, a resistncia trmica mxima deste projeto seria de cerca de 1, 0 K/W .
Como esta resistncia pode ser atingida em dissipadores sem conveco forada, os ventiladores
poderiam ser dispensados neste projeto.
Outras variaes de projeto poderiam ainda elevar o valor da resistncia trmica mxima
Rth(sa) , como o uso de componentes discretos divididos entre os dissipadores. Para as UPSs
com componentes de silcio, para que este limite de resistncia trmica fosse atingido, um maior
nmero de chaves deveria ser associado em paralelo, por exemplo, inviabilizando o projeto. Como
esta anlise tambm depende de modelos trmicos mais exatos, que contemplem a distribuio
do calor em dissipadores com conveco natural, este ganho das UPSs com SiC no ser tratado
neste texto.
Em linhas gerais, portanto, h pelo menos trs filosofias de projeto que demonstram a
viabilidade de UPSs com componentes de SiC:
(i)
mantendo o sistema de refrigerao j adotado nas UPSs com silcio, para um mesmo
rendimento global a frequncia de chaveamento do projeto com SiC pode ser elevada
em trs a sete vezes, reduzindo o volume dos indutores dos filtros em 33 % a 75 %,
dependendo da topologia;
(ii)
(iii)
mantendo o rendimento das UPSs com silcio, a frequncia de chaveamento pode ser
elevada em pelo duas vezes no conversor com SiC, aliando a reduo do volume dos
filtros (de no mnimo 33 %) simplificao do sistema de refrigerao (com o aumento
de Rth(sa) em at 0, 23 K/W ).
As anlises de viabilidade econmica de cada uma destas filosofias devem ser conduzidas
nas prximas fases desta pesquisa, para que os ganhos das UPSs com componentes de SiC sejam
ponderados pelos custos totais do projeto.
5.1.6
Esta seo compara os resultados dos mtodos online e offline, detalhados nas sees
4.1.1.3 e 4.1.1.2. Os resultados do mtodo offline, que presume a operao do dispositivo
em temperatura mxima, j foram abordados nas sees anteriores. Esta seo acrescenta as
estimativas do mtodo online para o estgio inversor de um dos projetos de UPS, com um dos
quatro mdulos em anlise (o FF75R12RT4, em topologia de dois nveis). Para este mdulo, o
fabricante informa as curvas de conduo dos diodos e dos transistores para temperaturas de
juno de 25 C, 125 C e 150 C e de chaveamento a estas duas ltimas temperaturas. Estas
150
Captulo 5. Resultados
curvas sero adotadas para inferir as perdas dos dispositivos em outras temperaturas de juno,
segundo o procedimento de interpolao descrito na seo 4.1.1.3. Os resultados para outros
mdulos sero omitidos aqui para simplificao do texto.
A Tabela 5.8 enumera as perdas de conduo Pcond , de chaveamento Pchav e a temperatura de juno Tj para um dos diodos (D1) e um dos transistores (Q1) do brao do mdulo
FF75R12RT4, em topologia 2n. Por argumento de simetria, a potncia total do estgio inversor,
tambm informada na Tabela 5.8, resulta da multiplicao da soma das perdas de Q1 e D1 por 6.
Tabela 5.8 Comparao entre os resultados dos mtodos online e offline.
Cenrio 1 fsw = 15, 36 kHz, VDC = 650 V , Pout = 10 kW , estgio inversor, FF75R12RT4
Diodo D1
Mtodo
Transistor Q1
Perdas totais
Pcond [W ]
Pchav [W ]
Tj [ C]
Pcond [W ]
Pchav [W ]
Tj [ C]
offline
3, 6
18, 2
70, 3
12, 0
49, 2
83, 2
online
4, 1
5, 5
58, 2
11, 4
42, 2
76, 3
[W ]
498, 0
(1, 00 p.u.)
379, 4
(0, 76 p.u.)
Como se depreende dos dados da Tabela 5.8, as perdas totais calculadas no estgio
inversor via mtodo online so cerca de 25 % menores do que no offline. Sendo assim, a hiptese
de que o dispositivo opera temperatura de juno mxima, no processo offline, de fato conduz
a estimativas conservadoras da potncia total dissipada no conversor.
Todavia, esta estimativa pode no ser conservadora para as perdas de conduo nos
componentes, como se deduz da comparao entre as perdas de D1 obtidas pelos mtodos online
e offline, dadas na Tabela 5.8. Isso ocorre em razo de variaes no coeficiente de temperatura
ao longo da caracterstica I V dos diodos e dos IGBTs, para uma dada tenso VGE . Para ilustrar
esta variao de , as curvas I V do diodo D1 e do transistor Q1 do mdulo FF75R12RT4
so apresentadas na Figura 5.31, para a tenso VGE em 15 V .
As retas pontilhadas perpendiculares ao eixo das abscissas nos grficos da Figura 5.31
indicam os pontos em que h uma variao de sinal no coeficiente de temperatura. Para o diodo
D1 do mdulo FF75R12RT4, o coeficiente de temperatura se torna negativo para correntes
inferiores a cerca de 100 A. Para o IGBT Q1 , o coeficiente de temperatura se mantm positivo
para a maior parte da faixa de correntes6 . Sendo assim, como resultado do aumento da resistncia
do diodo com a reduo da temperatura de juno, as perdas de conduo tendem a elevar com
esta reduo. Como o modelo online avalia a caracterstica I V do diodo a temperaturas
menores do que 150 C, maiores perdas de conduo decorrem deste mtodo, como se nota na
6
Esta tendncia dos coeficientes de temperatura ao longo da caracterstica do transistor varia em dispositivos
PT (Punch-Through) e NPT (Non Punch-Through) e deve ser considerada nas aplicaes que demandem a
associao paralela de IGBTs em que o coeficiente de temperatura positivo preferido.
151
Captulo 5. Resultados
150
25 C
150 C
100
25 C
150 C
<0
Id [A]
Ic [A]
100
50
<0
>0
50
>0
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V CE [V]
0,5
1,5
2,2
V d [V]
Em linhas gerais, portanto, o mtodo online pode ser adotado para que estimativas mais
reais da potncia dissipada nos semicondutores sejam derivadas. A validao experimental dos
resultados deste mtodo, todavia, em virtude de dificuldades prticas de medio das perdas em
conversores e de caracterizao trmica do sistema de refrigerao, ser conduzida em outras
etapas desta pesquisa.
5.2
Resultados experimentais
Nesta seo, apresentam-se os resultados dos ensaios experimentais propostos para validao das estimativas tericas de perdas. Inicialmente, a concordncia entre estas estimativas
e as medies do wattmetro WT1800 (Yokogawa) em um conversor buck de 5, 5 kW , considerando as incertezas associadas s leituras, avaliada. Na sequncia, os resultados do prottipo
experimental do calormetro indireto srie so descritos.
5.2.1
Esta seo apresenta parte dos resultados experimentais da montagem detalhada na seo
4.2.1. Os resultados da comparao entre as medies das perdas globais do conversor buck e as
estimativas tericas j foram publicados nos anais do COBEP 2015 (Brazilian Power Electronics
Conference)7 e sero discutidos brevemente nesta seo.
7
152
Captulo 5. Resultados
100
fsw = 15 kHz
Clculo
Medio
99
98
97
fsw = 20 kHz
Clculo
Medio
99
[%]
[%]
100
98
97
96
96
95
1.4 2 2.6 3.2 3.8 4.4 5 5.6
95
1.4 2 2.6 3.2 3.8 4.4 5 5.6
out
[kW]
P out [kW]
Rendimento global para a frequncia de chaveamento fsw de: (a) 15 kHz; (b) 20 kHz.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
153
Captulo 5. Resultados
5.2.2
Descrio
Ensaio
Condio inicial
1
2
3
4
5
Tampa
Metal + isolante + metal
Metal + isolante + metal
Metal + isolante + metal
Cobre, sem furos
Cobre, com padro de furos
Nos trs ensaios iniciais, tampas em estrutura sanduche (metal + isolante + metal), que
originalmente compem as caixas em teste, so utilizadas. No ensaio 1, a caixa de referncia
Captulo 5. Resultados
154
155
Captulo 5. Resultados
abreviado, arbitra-se, como condio de parada dos testes, o estado em que a diferena entre a
temperatura em CM e de CR no excede 1 %.
A Tabela 5.10 apresenta os resultados das medies de potncia do wattmetro e do
prottipo, ao fim de cada ensaio. As incertezas nas leituras so tambm indicadas nesta tabela. A
incerteza na leitura do wattmetro WT1800 para sinais em c.c. de 0, 05 % 0, 1 % da faixa
(em 5 A e 60 V , para os nveis de potncia avaliados). J a incerteza associada leitura de PCM
pelo prottipo calculada a partir do ensaio de calibrao detalhado na seo 4.2.2.6, assumindo
que o wattmetro seja um padro de calibrao exato. Assim, como se infere da Tabela 5.10
os desvios entre as potncias em CM e CR so, no mximo, de cerca de 5 %. Sendo assim,
a potncia dissipada por um conversor em CR de qualquer rendimento pode ser estimada, a
menos de erros de 5 %, a partir da leitura de potncia no resistor de CM. Este erro pode ser ainda
reduzido, por exemplo, se o regime permanente for atingido. Outros ensaios foram conduzidos
com outros nveis de potncia em CR e os erros mximos, de fato, no superam 5 %.
Tabela 5.10 Medies de potncia do wattmetro e do prottipo.
Wattmetro
Ensaio
1
2
3
4
5
Prottipo
PCR(w) [W]
75, 7 0, 3
84, 0 0, 3
77, 4 0, 3
75, 3 0, 3
73, 5 0, 3
75, 3 0, 3
80, 0 0, 3
76, 0 0, 3
77, 5 0, 3
71, 7 0, 3
74, 4 0, 7
81, 5 0, 7
76, 6 0, 7
76, 0 0, 7
74, 0 0, 7
0, 5
4, 8
1, 8
3, 8
2, 5
(5.1)
(5.2)
Os resultados para estas grandezas, no primeiro ensaio, constam na Figura 5.33. Como
se nota nesta figura, a diferena inicial entre as temperaturas de CM e de CR era de cerca de
30 C. Por cerca de 40 min, o controle impe duty-cycle unitrio ao conversor buck, para que o
resistor de CM seja alimentado em potncia plena. No instante em que h a convergncia entre
as temperaturas, esta potncia se reduz at atingir o valor de 70 W . A partir deste instante as
temperaturas TCM e TCR se mantm equivalentes, a menos de erros de 1 %. Como a resposta
em temperatura exibe oscilaes, o teste estendido por mais 40 min, depois daquele instante.
No fim do ensaio, aqueles erros so inferiores a 0, 5 %. A leitura de potncia em CM, apesar de
no ter se estabilizado, se desvia do valor final em menos de 3 % a partir do instante t = 55 min.
156
Captulo 5. Resultados
Como se infere deste ensaio, portanto, a condio de equivalncia entre as potncias dissipadas
nas duas caixas independe do histrico inicial de temperaturas. A temperatura final em CM e CR
foi de cerca de 75 C.
70
60
TCR
TCM
50
40
20
40
60
Tempo [min]
80
20
0
-0.5
-20
-40
0.5
-60
0
20
(a)
90
30
Erro de potncia [%]
Temperatura [C]
85
80
75
70
0
20
40
60
Tempo [min]
80
(c)
40
60
Tempo [min]
80
(b)
20
0
-2
10
0
-10
0
20
40
60
Tempo [min]
80
(d)
157
Captulo 5. Resultados
80
60
TCM
TCR
40
20
50
100
Tempo [min]
82
81
80
79
0
0
-0.5
-10
0
0.5
-20
0
100
50
50
100
Tempo [min]
(a)
Erro de potncia [%]
Temperatura [C]
(b)
0
2
-50
0
-2
-100
50
100
Tempo [min]
50
100
Tempo [min]
(c)
(d)
60
50
TCR
40
TCM
30
5
10
Tempo [min]
1
0.5
0
-0.5
-1
15
(a)
80
10
Tempo [min]
15
(b)
5
Erro de potncia [%]
Temperatura [C]
75
70
0
10
Tempo [min]
0
(7,1 min, 2,8 %)
-5
15
0
(c)
10
Tempo [min]
15
(d)
158
Captulo 5. Resultados
Temperatura [C]
80
70
TCM
60
TCR
50
(42,3 min, 72 C)
40
30
50
Tempo [min]
2
1.5
1
0.5
0
-0.5
100
(a)
50
Tempo [min]
100
(b)
85
Erro de potncia [%]
80
75
70
0
50
Tempo [min]
100
(c)
0
(42,3 min, 3,0 %)
-5
0
50
Tempo [min]
100
(d)
159
Captulo 5. Resultados
resultados deste ensaio seguem na Figura 5.37. A temperatura final do ensaio supera, novamente,
o limite de 40 C. No instante em que o erro de potncia passa a ser inferior a 3 %, a temperatura
, todavia, de 34 C. A leitura de potncia em CM, portanto, poderia ser efetuada neste ponto
sem que se incorresse em erros significativos em relao ao valor final e sem que o limite trmico
fosse excedido. Todavia, a no-violao deste limite para estes nveis de erro s ocorre nos
casos em que PCR no excede 75 W . Supondo um rendimento de 85 % como referncia, apenas
conversores que operassem com potncia de sada de at 500 W poderiam ser ensaiados no
prottipo.
Temperatura [C]
70
60
50
TCM
40
TCR
(1,1 min, 34 C)
30
10
20
30
Tempo [min]
2
1.5
1
0.5
0
-0.5
40
(a)
78
10
20
30
Tempo [min]
40
(b)
4
Erro de potncia [%]
76
74
72
70
0
10
20
30
Tempo [min]
40
(c)
2
0
-2
-4
-6
0
10
20
30
Tempo [min]
40
(d)
5.3
Concluses do captulo
Captulo 5. Resultados
160
161
6 CONCLUSES E PROPOSTAS DE
CONTINUIDADE
Nesta dissertao, comparam-se os rendimentos globais de UPSs de dupla converso em
topologias trifsicas de dois nveis (2n) e de trs nveis (3n), nos arranjos com neutro grampeado
NPC1 e NPC2. Os projetos em topologia 2n com mdulos de silcio e de carbeto de silcio e nos
arranjos NPC1 e NPC2, com componentes de silcio, so qualificados quanto ao rendimento em
80 variaes de UPS. Estas variaes se diferenciam nas especificaes de potncia nominal,
tenso do barramento c.c. e frequncia de chaveamento, enumeradas na seo 3.1.
Para tanto, propem-se simulaes das UPSs de dupla converso, nas trs topologias, no
ambiente MATLAB/Simulink. Estas simulaes implementam tcnicas de controle em coordenadas sncronas (dq0) nos estgios inversor e retificador, detalhadas na seo 3.2. Os controladores
foram sintonizados por rotinas automticas em cada uma das 80 variaes de UPS, segundo
critrios arbitrados para a rigidez dinmica do sistema. J os filtros LCL de entrada e LC de
sada foram dimensionados a partir dos procedimentos descritos na seo 3.3.
Na sequncia, ferramentas de software no ambiente MATLAB foram implementadas para
que as perdas nos semicondutores nos estgios inversor e retificador, bem como nos indutores dos
filtros de entrada e de sada, fossem estimadas. Para avaliar as perdas nos semicondutores, duas
abordagens, referidas neste trabalho por mtodo offline e online e discutidas na seo 4.1.1, foram
propostas. A primeira presume a operao do dispositivo na condio de mxima temperatura de
juno, em que as estimativas de perdas totais tendem a ser conservadoras. J a segunda infere a
potncia dissipada no componente para a temperatura de juno derivada do modelo trmico,
em um cenrio mais realista. Por outro lado, as perdas nos indutores de filtro foram estimadas
pela soma das parcelas de perdas joulicas nos enrolamentos e de perdas no ncleo, calculadas
com base na formulao iGSE (improved Generalized Steinmetz Equation). Os indutores so
projetados segundo uma rotina iterativa que ajusta os parmetros fsicos (nmero de espiras, de
unidades em srie/paralelo, etc.) para que restries de fator de utilizao da janela do ncleo
e de densidade de fluxo sejam atendidas. A metodologia de projeto e de clculo de perdas nos
indutores abordada na seo 4.1.2.
Para fins de validao experimental destas estimativas, medies eltricas de perdas via
wattmetro digital so conduzidas em um conversor buck. Para reduzir as incertezas associadas s
leituras de potncia dissipada no conversor, um prottipo de calormetro indireto srie tambm
desenvolvido. Os detalhes destas duas montagens experimentais so discutidos na seo 4.2.
Os resultados tericos da comparao do rendimento das trs topologias indicam que
as UPSs de dupla converso em arranjo de trs nveis NPC1 exibem maior rendimento global
162
dentre as UPSs com componentes de silcio, para a maior parte dos 80 projetos em anlise. Os
projetos em topologia NPC2 s se revelam mais viveis quanto ao rendimento em algumas
variaes de UPS com menores tenses de barramento c.c. e frequncias de chaveamento. J o
rendimento global das UPSs base de SiC suplanta o das variaes de silcio para a maioria dos
projetos, o que acena para a viabilidade dos mdulos de SiC tambm nestas aplicaes. Ademais,
como tambm indicam os resultados, a seleo por mdulos de SiC no s incide no aumento
do rendimento, como tambm na simplificao dos sistemas de refrigerao e/ou na reduo do
volume dos elementos passivos dos filtros. Todos estes resultados tericos foram apresentados
na seo 5.1.
Prev-se, contudo, que estes resultados no se apliquem para novos conjuntos de especificaes de UPS ou para novos mdulos de potncia. Isso impe a necessidade de repetir as
anlises comparativas nestes novos cenrios, para delimitar as faixas de operao em que cada
topologia se mostra vivel. Entretanto, esta tarefa de reavaliao do desempenho, em novas
condies, se torna relativamente simples com o uso das ferramentas propostas neste trabalho.
Na sequncia, os resultados das montagens experimentais foram detalhados (seo 5.2).
Os resultados de medies de perdas com wattmetro digital apontam para a concordncia entre
as leituras e as estimativas tericas de perdas globais na montagem do conversor buck, se as
faixas de incerteza nestas leituras forem consideradas. Todavia, a previso de que os resultados
tericos de perdas fossem superiores aos medidos, por retratarem o pior cenrio de operao
do dispositivo semicondutor, no se confirma em alguns ensaios. Isso provavelmente se deve s
inconsistncias entre os parmetros modelados em simulao e os reais (e.g., as caractersticas
dos mdulos de potncia e os dados construtivos dos indutores). Ademais, as tentativas de
medio isolada das perdas nos semicondutores no retornaram resultados satisfatrios, j que a
incerteza nas medies superava o prprio valor destas perdas.
Para que a medio de perdas independesse do rendimento do conversor ou da distoro
harmnica das formas de onda, os ensaios passaram a ser conduzidos no prottipo de calormetro
indireto srie. Em razo dos problemas de compatibilidade eletromagntica relatados na seo
4.2.2.2, os conversores no puderam ser ensaiados. Sendo assim, apenas testes com resistores de
potncia foram propostos. Estes testes validaram a operao do prottipo como calormetro e
serviram calibrao das leituras. Todavia, mesmo com sucessivas adaptaes na montagem,
as temperaturas internas nas cmaras atingiam temperaturas proibitivas para a operao de
conversores, durante os testes. Assim, novas adaptaes no prottipo devem anteceder os ensaios
finais com conversores.
Em suma, portanto, os objetivos iniciais desta pesquisa foram atingidos. Como propostas
de continuidade do trabalho, enumeram-se as aes:
(i)
163
(ii)
(iii)
(iv)
(v)
(vi)
conduzir as anlises trmicas em programas com soluo numrica via elementos finitos,
para que, por exemplo, a dependncia entre a resistncia trmica do dissipador e a
distribuio de temperaturas ao longo da superfcie seja modelada;
(vii)
repetir as anlises comparativas das topologias trifsicas para os projetos com dispositivos
discretos, no com mdulos de potncia;
(viii)
incluir, no programa proposto para estimar as perdas via abordagem offline, o clculo
das perdas em MOSFETs com curvas no-informadas em catlogo;
(ix)
(x)
construir um prottipo de UPS de carbeto de silcio, em parceria com a empresa proponente deste projeto P&D, para que os ganhos de rendimento apontados nesta pesquisa
sejam avaliados experimentalmente.
164
REFERNCIAS
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characterization of state-of-the-art silicon carbide power transistors. IEEE Industrial Electronics
Magazine, p. 1930, 2015.
Referncias
165
Referncias
166
Referncias
167
Referncias
168
Apndices
170
APNDICE A FERRAMENTA EM
EXCEL PARA GERAO DE
RELATRIOS
Este apndice apresenta, brevemente, as ferramentas desenvolvidas em ambiente Excel
para gerao de relatrios com os resultados de simulaes do programa PerdasOffline. Estas
planilhas foram programadas com macros em VBA (Visual Basic for Applications) e objetivam
documentar, de forma legvel e intuitiva ao usurio, estes resultados. Para tanto, basta que o
usurio selecione os diretrios dos arquivos .txt com o vetor de corrente simulado e com
o relatrio gerado pelo PerdasOffline. A estrutura e a funo dos vetores de corrente j foram
abordadas na seo 4.1.1.2. A formatao dos relatrios .txt de sada do programa PerdasOffline, para as simulaes de topologias 2n, NPC1 e NPC2 consta na Figura A.1. Os resultados
para as perdas em cada componente e para as temperaturas de juno, de encapsulamento e de
dissipador so armazenados nestes arquivos. As condies de simulao do conversor tambm
so salvas no corpo destes arquivos, em cabealhos.
A planilha de importao de resultados de simulaes de topologias 2n segue na Figura
A.2. Outras duas planilhas, que documentam os resultados de simulaes dos arranjos NPC1 e
NPC2, foram tambm desenvolvidas.
Dados
a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000932;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000006;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;2-nveis;;
o) Mdulo em uso;FF75R12RT4;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\2n_Si\TwoLev30.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;4.145697;0.000000;47.284297;47.284297;51.429994;;
b) Q1;11.118440;68.798185;59.792762;128.590947;139.709387;;
c) D2;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
d) Q2;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
e) D5;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
f) Totais;15.264137;68.798185;107.077060;175.875244;191.139381;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;87.726509;57.897112;;
b) Q1;116.153809;63.064242;;
c) D2;0.000000;0.000000;;
d) Q2;0.000000;0.000000;;
e) D5;0.000000;0.000000;;
f) Ts;51.468363;;
#EOF
Cabealho
(a)
171
Dados
Cabealho
a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000466;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000013;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;NPC2;;
o) Mdulo em uso;F3L150R12W2H3;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\Resultados 25-05\npc2\NPC230.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
b) Q1;4.697776;28.144069;71.226833;99.370902;104.068678;;
c) D2;7.987216;0.000000;10.424622;10.424622;18.411838;;
d) Q2;8.359236;15.455952;17.138045;32.593997;40.953233;;
e) D5;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
f) Totais;21.044227;43.600021;98.789500;142.389521;163.433749;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;49.806025;49.806025;;
b) Q1;112.247232;81.026628;;
c) D2;72.820822;60.853127;;
d) Q2;103.045228;74.377965;;
e) D5;0.000000;0.000000;;
f) Ts;49.806025;;
#EOF
(b)
Dados
a) F;60.000000;;
b) ma;0.422600;;
c) E;850.000000;;
d) V;127.000000;;
e) L;0.000466;;
f) rL;0.010000;;
g) C;0.000013;;
h) Linear;S;;
i) Rcarga;4.838700;;
j) fp;1.000000;;
k) Pcarga;10000.000000;;
l) Npontos;256.000000;;
m) Nciclos;5.000000;;
n) Topologia;NPC1;;
o) Mdulo em uso;F3L75R07W2E3;;
p) Path do vetor;C:\Simulaes 25-05\Inversor\npc1\NPC130.72kHzS10000E850.txt;;
q) Fsw;30720.000000;;
r) mf;512.000000;;
s) Tamb;40.000000;;
t) Rgon;5.000000;;
u) Rgoff;5.000000;;
Dispositivo;Perdas de conduo;Perdas de turn-on;Perdas de turn-off;Perdas de chaveamento;TOTAL;;
a) D1;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;0.000000;;
b) Q1;4.877269;7.027268;23.601710;30.628978;35.506247;;
c) D2;0.000000;0.000000;0.002155;0.002155;0.002155;;
d) Q2;13.723464;0.000000;0.000000;0.000000;13.723464;;
e) D5;7.924950;0.000000;19.506363;19.506363;27.431314;;
f) Totais;26.525683;7.027268;43.110229;50.137497;76.663180;;
Temperatura;juno;case;;
a) D1;44.599791;44.599791;;
b) Q1;85.431975;64.128227;;
c) D2;44.603024;44.601299;;
d) Q2;60.381774;52.147696;;
e) D5;76.145802;58.315448;;
f) Ts;44.599791;;
#EOF
Cabealho
(c)
Relatrios para simulaes de topologias: (a) dois nveis, (b) NPC1, (c) NPC2.
Fonte: Dados da pesquisa, 2016.
Como se nota na Figura A.2, botes esquerda abrem janelas para seleo dos arquivos
com os vetores e com os relatrios. As formas de onda nos transistores e nos diodos so exibidas
em grficos direita. Os grficos com as parcelas de cada perda, tambm apresentados na
interface grfica do programa PerdasOffline, so plotados novamente nesta planilha. As tabelas
com estes dados, na parte inferior da Figura A.2, so tambm preenchidas. Os cdigos em VBA
geram automaticamente todos os grficos e o preenchem os campos das tabelas. Basta, portanto,
que o usurio selecione os arquivos .txt. Em razo da praticidade, supe-se que esta ferramenta
pode se tornar til para documentao de mltiplas simulaes, comuns em rotinas de projeto.
Figura A.2 Planilhas em Excel, programadas em VBA, para documentao dos resultados de simulao de conversores em topologia de dois nveis.
173
174
Os valores dos resistores so ajustados para os valores comerciais mais prximos, das
sries com tolerncias indicadas pelo usurio no script (10 % ou 1 %). As resistncias nominais
das sries comerciais E12 e E96 so consultadas para este ajuste. Os resistores calculados so
retornados pelo programa na tela de interface, no menu inferior. No workspace do MATLAB, o
programa ainda informa possveis associaes srie, paralela ou srie/paralela de resistores para
compor as resistncias pretendidas.