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NOTAS DE AULA – TEORIA DE ELETRÔNICA II – ELETRÔNICA DIGITAL pág.

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CIRCUITOS DIGITAIS COM TECNOLOGIA MOS (METAL-ÓXIDO SEMICONDUTOR)

1) TRANSISTORES J-FET (Transistores de Efeito de Campo de Junção)

Transistor de Junção Bipolar (BJT)


¾ fonte de corrente controlada por corrente
¾ dois tipos de portadores: elétrons e lacunas

Transistor de Efeito de Campo (FET)


¾ fonte de corrente controlada por tensão
¾ apenas um tipo de portador: elétron ou lacuna

CARACTERÍSTICAS
¾ pode ser usado como chave ou amplificador
¾ impedância de entrada extremamente alta ( ≅ 100MΩ )
¾ relativamente imune à radiação, ao contrário do BJT
¾ produz menos ruído que o BJT
¾ possui maior estabilidade térmica em relação ao BJT
¾ curvas de dreno ↔ curvas de coletor
¾ relação saída/entrada = transcondutância

ASPECTO CONSTRUTIVO DO JFET

Fonte Dreno Fonte Dreno


p n
(S) (D) (S) (D)
Material n Material p

p n

Porta(G) Porta(G)

CANAL N CANAL P

FONTE: (source) fornece os elétrons livres,


DRENO: (drain) drena os elétrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando a corrente entre fonte e dreno.
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POLARIZAÇÃO:

- V +
DS
Camadas de
depleção

p S n p D
S D
ID
ID ID ID ID ID
p p +
VDD
VGS + G -
G VDD
- VGG

S n p D

ID ID ID
p +
VDD
G -
estrangulamento
VGG

O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na porta
causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem
da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão através da junção).

CURVAS DE DRENO
exemplo
ID

Parábola
2
I d=kV

V GS = 0
Idss= 10mA

Vp

V GS = -1
5.62mA

VGS = -2
2.5mA
VGS = -3 VGS = -4
0.625mA

V DS
4 15 30
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2) TRANSISTORES MOSFET

Aspecto construtivo:

SiO 2

n
D
n+
D
substrato
_
p
G SS
p (substrato)
G
Contatos
Metálicos n
S

S n n+ Canal n
p

MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

SiO 2

n
D
D
n+
substrato
_
p
G
G SS
p (substrato)
Contatos S
Metálicos

S n n+ sem canal
p

MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

CARACTERÍSTICAS
¾ A porta é isolada do canal
¾ Substrato é fracamente dopado e conectado ao terminal S (fonte)
¾ Controlado por tensão
¾ O MOSFET depleção pode funcionar também no modo intensificação
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FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarização nula na porta, não há alteração do canal (fisicamente ou
eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de elétrons livres, da mesma
forma que ocorre nos transistores JFET.

b) VGS<0: Aplicando-se uma tensão negativa na porta estabelece-se um campo elétrico no material
dielétrico de modo que os elétrons do canal são repelidos em direção do substrato e as lacunas do
substrato são atraídas, ocorrendo recombinação de portadores e causando uma diminuição do
número de elétrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tensão VGS, menor a corrente entre o
dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificação permanece a inexistência de canal.

c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tensão positiva na porta, estabelece-se um campo elétrico que arrasta
os portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente
no canal a partir das colisões resultantes, e em decorrência disto há um aumento na capacidade de
condução de corrente no canal; isto é chamado de operação no modo intensificação. No caso do
MOSFET tipo intensificação, o acúmulo de elétrons do substrato junto ao dielétrico, causado pelo
campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-fonte.

CURVAS DE DRENO
ID

VGS > 0
IDss

modo intensificação
VGS = 0
modo depleção

VGS < 0
VGS(off)

V DS
Vp

Fig. 2- Curvas de Dreno do MOSFET

ID

modo depleção modo intensificação

VGS
VGS(off)

Fig. 3 - Curva de Transcondutância do MOSFET


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3) CIRCUITOS DIGITAIS MOS

CARACTERÍSTICAS
¾ Construção mais simples
¾ Maior densidade
¾ Mais lentos
¾ Menor consumo
¾ Sensível à cargas estáticas
¾ PMOS (canal P) e NMOS (canal N) – CMOS usam os dois na mesma pastilha

PORTA INVERSORA CMOS


+VDD
+VDD

S
G G
QP

D
vi vo vi vo
D

QN
G G
S S

ESTRUTURA BÁSICA DAS PORTAS CMOS

+VDD

A
Rede Levantadora
B
(PUN)
C

Y
A
Rede Abaixadora
B
(PDN)
C

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