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Instituto Tecnolgico Superior de Martnez de la

Torre
Ingeniera en Mecatrnica
5 Sem. A

Electrnica Analgica
Tema 3

Practica con JFET


Integrantes:
Katerin Itzel Martnez Alarcn
Sergio Arturo Contreras Peruyero

Ing. Luis Alberto Madrid

Martnez de la Torre, Ver (11/11/2016)

Objetivos
Conocer los diferentes modos de operacin del transistor de efecto de campo y
las caractersticas que presenta este dispositivo al operar en cada uno de estos
modos (zonas de operacin).
Analizar tericamente y de forma experimental circuitos de polarizacin con
transistores de efecto de campo e identificar la zona de operacin en cada
caso.

Introduccin
Caractersticas de salida para un JFET
En la figura 1(a) se muestra un JFET con voltajes de polarizacin aplicados
entre compuerta y drenador. Al aplicar un voltaje de compuerta de cero

V =V GS=0 V (cortocircuito), la corriente en el drenador


rpidamente conforme se incrementa el voltaje
valor mximo establecido por

I DSS

ID

se incrementa

V DD =V DS , hasta llegar al

(corriente del drenador-fuente de

saturacin). Este valor mximo se obtiene cuando el voltaje entre drenadorfuente es igual a

V DS =V p , este ltimo se conoce como voltaje de

estrangulamiento del JFET. A partir de este voltaje el comportamiento de la


corriente

ID

se estabiliza y se vuelve casi constante (observe la Figura 1(b)).

Figura 1 (a) Polarizacin de un JFET canal N b) Curva caracterstica que ilustra la corriente
drenador fuente de saturacin (

I DSS

) y el voltaje de estrangulamiento

Vp

La figura 2 muestra el conjunto de curvas caractersticas y la caracterstica de


trasferencia para un JFET canal N, en ella se indican las diferentes zonas de
operacin: regin de corte, zona actica; regin hmica y voltaje de ruptura o
avalancha.

Zona Activa. La zona activa del JFET se localiza aproximadamente entre los
voltajes

V DS ( sat ) <V DS <V DS (max ) ; donde

saturacin, cuando

ID

V DS

V DS (sat )

es el voltaje drenador-fuente de

supera este valor el canal se estrecha y la corriente

se vuelve casi constante. A medida que

V GS

se vuelve ms negativa (o

ms positiva para un JFET canal P) el estrangulamiento ocurre a valores


inferiores de

V DS

y la corriente de saturacin se vuelve ms pequea. El

lmite superior de la zona activa lo impone el voltaje

V DS ( max )

como el voltaje de ruptura o avalancha y es funcin tanto de

V GS

que se conoce

V DS

como de

(observe la Figura 2). La zona activa de operacin tambin se conoce

como regin de operacin de amplificacin, regin de saturacin o regin de


estrangulamiento (pinch-off region). En esta regin el JFET acta
aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de

ID

casi

I D =I DSS

constante, siendo

V GS=0 V .

el valor mximo alcanzado siempre que

Este dato es uno de los ms importantes del JFET ya que

proporciona su limitacin de corriente.

Caractersticas de transferencia. En la Figura 2 tambin se aprecia la


caracterstica de transferencia, la cual es una grfica de la corriente de
drenador

ID

como una funcin de voltaje compuerta fuente

independiente del valor de

V GS ,

V DS . Se advierte que la curva no es lineal dado

que la corriente aumenta rpidamente cuando

V GS

se aproxima a cero. La

ecuacin para esta grafica es dada por:

I D =I DSS 1

V GS
V GS ( corte )

Regin hmica. Esta zona tambin se denomina regin controlada por voltaje.
Cuando un JFET opera en la zona hmica acta como una resistencia la cual
puede ser controlada con el voltaje de compuerta-fuente

V GS . Un valor

aproximado de esta resistencia se puede evaluar como

R DS=

VP
I DSS . En la

figura 2 se puede observar que su anchura depende del voltaje

V GS

y su

comportamiento es casi lineal hasta antes de alcanzar el voltaje de


estrangulamiento.

Regin de corte. La regin de corte ocurre cuando el voltaje compuertafuente V GS


es igual o mayor en magnitud a V GS (corte )=V GS (off )=V p , este
valor de voltaje de compuerta-fuente reduce la corriente de drenador casi a
cero. Por lo que el canal de conduccin del JFET desaparece.

Regin de ruptura. La Figura 2 tambin muestra que los voltajes de ruptura o


avalancha varan conforme se modifican los voltajes V GS y V DS . El voltaje
de ruptura decrece conforme se incrementa la magnitud del voltaje compuertafuente (ms negativo para un JFET canal N o ms positivo para un JFET canal
P). Al incrementar el voltaje entre drenador-fuente ms all del voltaje de
ruptura

V DS ( max ) , la corriente de drenador

con un pequeo incremento en

V DS

ID

se incrementa rpidamente

(cabe aclarar que este fenmeno de

ruptura o avalancha tambin ocurre en los diodos y transistores BJT).

Actividad previa
Desarrollo
I) Lea detenidamente el captulo correspondiente de su libro de texto
y conteste lo siguiente.

Polarizacin de los JFETs. El propsito principal de la polarizacin de un


transistor de efecto de campo consiste en la seleccin de un voltaje de CD de
compuerta-fuente adecuado para establecer un valor deseado de la corriente
de drenador, y por consecuencia un punto de operacin Q aproximado. Este
punto de operacin puede ubicarse en la zona activa en la regin de corte o en

la regin hmica. A continuacin se presentan algunas configuraciones bsicas


de los circuitos de polarizacin de los JFETs canal N.

a) Mencione cada una de las caractersticas principales de estos circuitos


de polarizacin.
Autopolarizacin. La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad
de dos fuentes de cd. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo
determina el voltaje a travs de un resistor

RS

introducido en la rama de la

fuente de la configuracin como se muestra en la figura.

Polarizacin con divisor de voltaje. La configuracin del divisor de voltaje


aplicada a amplificadores con transistores BJT tambin se aplica a
amplificadores con FET como se demuestra en la figura. La construccin bsica
es exactamente la misma, pero el anlisis de cada una es muy diferente.

I G =0 A

Para amplificadores con FET, pero la magnitud de

IB

para

amplificadores con BJT en emisor comn puede afectar los niveles de cd de la


corriente y voltaje tanto en los circuitos de entrada como en los de salida.
Recuerde que

IB

vincula los circuitos de entrada y salida para la

configuracin del divisor de voltaje del BJT, mientras que


para configuracin del FET.

V GS

hace lo mismo

b) Analice cada uno de estos circuitos y establezca las ecuaciones para


el clculo de los voltajes
corriente

V GS ,V DS ,V D . Realice el anlisis para la

ID.

Autopolarizacin. Para el anlisis en cd el resistor


reemplazado por un cortocircuito puesto que
siguiente malla.

I G =0 A .

RG

puede ser

El resultado es la

Tenemos condiciones iniciales

como que

corriente que pasa por la resitencia


voltaje en la resistencia

RS

I G =0, I S=I D ,

es la misma que

y que como la

IS

entonces el

V RS =I S R S=I D R S .

Analizando la malla obtenemos la siguiente expresin:

V GS V RS =0
V GS=V RS
V GS=I D R S
Observe que en este caso

V GS

(1)
es una funcin de la corriente de salida

ID

y no de magnitud fija. Para este tipo de problemas podemos plantear una


solucin matemtica o una solucin grfica.
Para la solucin matemtica basta con sustituir la ecuacin (1) con la ecuacin
de Shockley

V GS
Vp

I D R S
Vp

I D RS
Vp

I D =I DSS 1

I D =I DSS 1

I D =I DSS 1+

Desarrollando la ecuacin obtendremos una ecuacin cuadrtica de la


siguiente forma:

I 2D + K 1 I D + K 2=0
Al resolverse la ecuacin cuadrtica se obtendr la solucin apropiada para

ID .
La secuencia anterior define el mtodo matemtico. El mtodo grafico requiere
que primero establezcamos las caractersticas de transferencia del dispositivo
como se muestra en la figura. Como la ecuacin (1) define una lnea recta en la
misma grafica identifiquemos ahora dos puntos en la grfica sobre la lnea y
simplemente tracemos una lnea recta entre los dos puntos. La condicin ms
obvia

que

se

debe

V GS=I D R S=( 0 A ) R S =0 V .
consiguiente,

I D =0 A

aplicar

es

I D =0 A

puesto

que

da

Por lo que se refiere a la ecuacin (1), por

V GS=0 V

como se ilustra en la figura siguiente.

defienden un punto sobre la lnea recta,

El segundo punto para la ecuacin (1) requiere que se seleccione un nivel de

V GS

ID

y el nivel correspondiente de la otra cantidad se determine con

la ecuacin (1). Los niveles resultantes de

ID

V GS

definirn entonces

otro punto sobre la lnea recta y permitirn trazarla. Suponga, por ejemplo, que
seleccionamos un nivel de

ID

igual a la mitad del nivel de saturacin. Es

decir,

I D=

I DSS
2

Entonces

V GS=I D R S=

I DSS RS
2

El resultado es un segundo punto para la lnea recta como se muestra en la


siguiente figura. Entonces se traza la lnea recta definida por la ecuacin (1) y
el punto quiescente se obtiene en la interseccin de la grfica de la lnea recta
y la curva caracterstica del dispositivo. Los valores quiescentes de

I D y V GS

se determinan y utilizan para encontrar las dems cantidades de inters.

El nivel de

V DS

se determina aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al

circuito de salida.

V DD V RDV DSV RS=0


V DS =V DDV RDV RS
V DS =V DDI D R DI S R S
Retomando que

I S=I D

V DS =V DDI D R DI D R S
V DS =V DDI D (R D + R S )
Adems el voltaje en la fuente

VS

es el mismo que en la resistencia

(2)

RS

V S =I D RS

(3)

V G=0V

(4)

V D =V DS +V S =V DD V RD

(5)

Polarizacin con divisor de voltaje. Para el anlisis de CD se redibujo el


circuito.

La fuente

V DD

se divido en dos fuentes equivalentes para separar an ms

las regiones de entrada y salida de la red. Como


de Kirchhoff requiere que

I R 1=I R 2

I G =0 A , la ley de corrientes

y se puede utilizar el circuito equivalente

en serie que aparece ala izquierda de la figura para determinar el valor de

V G . El voltaje

V G , igual al voltaje a travs de

regla del divisor de voltaje:

R2 , se determina con la

V G=

R2 V DD
R 1 + R2

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj


a la malla indicada en la figura anterior obtenemos

V GV GSV RS=0
V GS=V G V RS
V GS=V G I S RS

Sustituyendo que

I S=I D

tenemos que

V GS=V G I D R S

(1)

El resultado es una ecuacin que contina incluyendo las mismas dos variables
que aparecen en la ecuacin de Shockley:
red fija las cantidades

VG y

V GS

I D . La construccin de la

RS . La ecuacin (1) sigue siendo la ecuacin

para una lnea recta, pero el origen ya no es un punto para trazar en la lnea. El
procedimiento para graficar la ecuacin (1) no es difcil y ser como sigue.
Como para definir cualquier recta se requieren dos puntos, utilicemos primero
el hecho de que en cualquier lugar del eje horizontal a la figura de la grfica la
corriente
para

I D =0 mA .

Si por consiguiente seleccionamos el valor de

0 mA

I D , en esencia estamos afirmando que nos encontramos en algn lugar

del eje horizontal. La localizacin exacta se determina con solo sustituir

I D =0 mA

en la ecuacin (1) y encontrando el valor resultante de

como sigue:

V GS=V G I D R S
V G ( 0 mA ) R S
V GS=V G I

D =0mA

V GS

El resultado especifica que siempre que grafiquemos la ecuacin (1) si


seleccionamos

I D =0 mA , el valor de

V GS

para la grfica ser de

VG

volts. El punto recin determinado aparece en la siguiente figura antes


mencionada.

Para el otro punto, empleemos ahora el hecho de que cualquier punto sobre el
eje vertical

V GS=0 V

y resolvamos para el valor resultante de

I D=

VG
RS

ID :

V GS=0 V

El resultado especifica que siempre que graficamos la ecuacin (1), si

V GS=0 V , el nivel de

ID

est determinado por la ecuacin (2). Esta

interseccin tambin aparece en la figura de arriba.


Los dos puntos previamente definidos permiten trazar una lnea recta que
representa la ecuacin (1). La interseccin de la lnea recta con la curva de
transferencia en la regin a la izquierda del eje vertical definir el punto de
operacin y los niveles correspondientes de

ID

V GS .

Como

I D=

VG
RS

define la interseccin en el eje vertical y la red de entrada fija

V G , los valores crecientes de

RS

reducirn el nivel de la interseccin

ID

como se muestra en la figura siguiente.

En la figura anterior es bastante obvio que:


Los valores crecientes de
pequeos de

ID

RS

producen valores quiescentes ms

y valores ms negativos de

Con los valores quiescentes de

ID

V GS

restante de la otra malla se realiza como sigue:

V DD V RDV DSV RS=0


V DS =V DDV RDV RS
V DS =V DDI D R DI S R S
Retomando que

I S=I D

V GS .
determinados, el anlisis

V DS =V DDI D R DI D R S
V DS =V DDI D (R D + R S )

(3)

V D =V DDI D R D

(4)

V S =I D RS

(5)

I R 1=I R 2=

V DD
R1 + R2

II) Dibuje un circuito de polarizacin que permita a un JFET operar en


la regin hmica. Explique la operacin de este circuito. Explique e
mecanismo que permite el control de la resistencia en dicha regin.

Para trabajar en la regin lineal o regin hmica es necesario que


muy grande para asegurarnos la corriente

RG

sea

I G =0 A , esta polarizacin de JFET

trabajara en la regin hmica cambiando los valores de la fuente de compuerta

V G , podemos proponer las resistencias

RD y RS

muy chicas para

asegurarnos trabaje en esta zona

III)

considere

el

circuito

de

la

figura

(a)

con

V DD =20 V , R D =2 K , RS =200 y RG =50 K . Los parmetros del JFET son


I DSS=10 mA y V GS (corte )=5 V ( V p=5 v ) .
determine

el

I D , V G S y V DS
Q

punto

de

.En

operacin

base

a
con

esta
los

informacin
valores

de

. Grafique las lneas de carga y la caracterstica de

transferencia e indique en que zona de operacin se encuentra


operando el JFET.

Al tener un circuito de autopolarizacin simplemente aplicaremos las frmulas


que analizamos anteriormente.

V GS=I D R S
Para el anlisis por recta de carga, vamos a proceder a realizar la grfica en
MATHCAD

Seleccionamos un punto de

I D =0 mA

para encontrar el punto

para el punto 1, y el punto 2 lo seleccionamos con

por lo que

V GS=I D R S=

punto seria

(1V , 5 mA)

I D=

V GS=0 V

I DSS 10 mA
=
=5 mA ,
2
2

I DSS RS
=( 5 mA ) ( 200 )=1 V , entonces el segundo
2

En donde encontramos que

I D 5.7 mA

y seguimos con los clculos

V DS =V DDI D ( R D + R S )= ( 20V ) ( 5.7 mA ) ( 2 K +200 )


V DS =7.46 V
V S =I D RS =(5.7 mA )(200 )
V S =1.14 V
V G=0V
V D =V DS +V S =V DD V RD =7.46 V +1.14 V =20V (5.7 mA )(2 K )
V D =8.6 V =8.6 V

El JFET se encuentra trabajando en la regin activa al ser

V DS >V p

significa

que rebaso la regin de corte y est trabajando en la zona activa.

Procedimiento
En esta seccin se analiza un circuito en polarizacin de compuerta para un
transistor de efecto de campo y se determinan, a partir de las mediciones
realizadas, los modos de operacin en la regin hmica, zona activa y en la
regin de corte. Este anlisis se llevara a cabo realizando mediciones de voltaje
y corriente en varios puntos de inters del circuito bajo prueba y una
simulacin usando Proteus. Se realiza tambin un anlisis terico del circuito
bajo prueba y se comparan posteriormente estos resultados con los que arrojan
las mediciones del mismo.

Para cada una de las mediciones y/o clculos efectuados se deben agregar
enseguida las unidades respectivas, por ejemplo: para mediciones de voltaje
utilizar

V , mV , V RMS , etc; para las de corriente

A , mA , A RMS , etc, segn el

caso.

JFET canal N con polarizacin fija


A continuacin se presenta el procedimiento que servir de gua durante el
anlisis del circuito de polarizacin con JFET que se ilustra en la Figura 4. Los
valores de las fuentes V se pueden determinar mediante la simulacin en
Proteus.

I) Operacin en la regin hmica


V GS=0 V
Se procedi a realizar el circuito de la figura 3, y medir

V GS=0

para valores diferentes de

V DS , V R y I D

V DD para luego llevarlos a una tabla y

una grfica y obtener el clculo de la resistencia en la regin hmica.

Tabla- Regin hmica para

V DD

V GS=0 v

Voltaje drenador
a fuente

V DS

Voltaje en R

VR

Corriente del
drenador

ID

V DD =302.3 mv

V DS =223.6 mv

V R =36 mv

I D =0 .54 mA

V DD =505 mv

V DS =382.5 mv

V R =57.8 mv

I D =0 .84 mA

V DD =712 mv

V DS =541 mv

V R =76.6 mv

I D =1.14 mA

V GS=0 v

con

V DD =302.3 mv

V DD =505 mv

V DD =712 mv

V DS =223.6 mv

V DS =382.5 mv

V DS =541 mv

V R =36 mv

V R =57.8 mv

V R =76.6 mv

I D =0 .54 mA

I D =0 .84 mA

I D =1.14 mA

VDS - ID
3
2.5
2

ID (mA)

1.5
1
0.5
0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

VDS (mV)

Se puede concluir que el incremento es lineal en este punto con

V GS=0 V

Resistencia en zona hmica R DS

R DS=

V DS 3V DS 1
=525.66
I D 3I D1

V GS=0.2 V
Se procedi a realizar el circuito de la figura 3, y medir

V GS=0.2 V

para valores diferentes de

V DS , V R y I D

con

V DD para luego llevarlos a una

tabla y una grfica y obtener el clculo de la resistencia en la regin hmica.


Tabla- Regin de corte para

V DD

V GS=203.7 mv

Voltaje drenador
a fuente

V DS

Voltaje en R

VR

Corriente del
drenador

ID

V DD =304 mv

V DS =239.5 mv

V R =32.1 mv

I D =.48 mA

V DD =506 mv

V DS =406 mv

V R =49.6 mv

I D =.74 mA

V DD =710 mv

V DS =581 mv

V R =63.8 mv

I D =.94 mA

V GS=203.7 mv

V DD =304 mv

V DD =506 mv

V DD =710 mv

V DS =239.5 mv

V DS =406 mv

V DS =581 mv

V R =32.1 mv

V R =49.6 mv

V R =63.8 mv

I D =.48 mA

I D =.74 mA

I D =.94 mA

Resistencia

R DS para

V GS=203.7 mv

R DS=

V DS 3V DS 1
=726.59
I D3I D 1

VDS - ID
3
2.5
2

ID (mA)

1.5
1
0.5
0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

VDS (mV)

Se puede concluir que ya no estamos en una zona linear, sino los valores
empiezan a comportarse diferente.

V GS=0.6 V
Se procedi a realizar el circuito de la figura 3, y medir

V GS=0.6 V

para valores diferentes de

V DS , V R y I D

con

V DD para luego llevarlos a una

tabla y una grfica y obtener el clculo de la resistencia en la regin hmica.


Tabla- Regin hmica para

V DD

V GS=600 mv

Voltaje drenador
a fuente

V DS

Voltaje en R

VR

Corriente del
drenador

ID

V DD =304.3 mv

V DS =262.2 mv

V R =22.1 mv

I D =0.33 mA

V DD =512 mv

V DS =445 mv

V R =33.3 mv

I D =0. 49 mA

V DD =700 mv

V DS =620 mv

V R =39.6 mv

I D =0.59 mA

V GS=600 mv

V DD =304.3 mv

V DD =512 mv

V DD =700 mv

V DS =262.2 mv

V DS =445 mv

V DS =620 mv

V R =22.1 mv

V R =33.3 mv

V R =39.6 mv

I D =0.32 mA

I D =0. 49 mA

I D =0.59 mA

Resistencia

R DS para

V GS=600 mv

R DS=

V DS 3V DS 1
=1376.15
I D 3I D 1

VDS - ID
3
2.5
2

ID (mA) 1.5
1
0.5
0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

VDS (mV)

Nuevamente podemos ver un comportamiento no lineal, pero predecible.

Variacin de

R DS con respecto a

V GS
Para

600 mv <V GS <0 V

la

resistencia en la regin hmica varia

525.66 R DS 1376.15

en el intervalo
Este resultado indica que el objetivo de polarizar a un JFET en la regin hmica
es para usarlo como un resistor variable controlado por voltaje. En este caso un
voltaje de control es

V GS

y su resistencia se determina variando el punto de

operacin. Un circuito equivalente para el circuito bajo anlisis al operar en la


regin hmica es en la sig. Figura.

II) Operacin en zona Activa


V GS=0 V

Se procede a tomar mediciones del circuito con una


diferente de

para valores

V DD , y se recolectan en una tabla los valores de

Tabla- Zona actica para

V DD

V GS=0 V

V DS , V R , I D

V GS=0 v

Voltaje drenador
a fuente

V DS

Voltaje en R

VR

Corriente del
drenador

V DD =3.028 v

V DS =2.727 v

V R =147.7 mv

I D =2.20 mA

V DD =5.01 v

V DS =4.70 v

V R =150.9 mv

I D =2.26 mA

V DD =7.04 v

V DS =6.73 v

V R =152.2 mv

I D =2.27 mA

ID

V GS=0 v

V DD =3.028 v

V DD =5.01 v

V DD =7.04 v

V DS =2.727 v

V DS =4.70 v

V DS =6.73 v

V R =147.7 mv

V R =152.2 mv

I D =2.20 mA

I D =2.26 mA

I D =2.27 mA

Valores Y
3
2.5
2

ID (mA)

1.5
1
0.5
0
2.5

3.5

4.5

5.5

6.5

VDS (V)

Corriente de saturacin
Corriente de drenador para los tres
puntos de operacin

Q1 , Q2 Y Q3

I D Q 1=3 mA

I D =I DSS 1

V GS
V GS (corte )

I DQ 2=3 mA
I DQ 3=3 mA
(Resultado analtico)

La razn por la cual estos valores son diferentes se deben a que el transistor
opera con valores minimos, mximos y tpicos, por lo cuales hay mucha
variacin con los valores reales.