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CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA

CELSO SUCKOW DA FONSECA CEFET/RJ


DIRETORIA DE PESQUISA E PS-GRADUAO - DIPPG
COORDENADORIA DO PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM TECNOLOGIA - PPTEC

DISSERTAO DE MESTRADO

ESTUDO DE UM TRANSDUTOR DE ULTRA-SOM CAPACITIVO


UTILIZANDO O MTODO DE ELEMENTOS FINITOS

Gilberto Rufino de Santana

DISSERTAO SUBMETIDA AO CORPO DOCENTE DO PROGRAMA DE


PS-GRADUAO EM TECNOLOGIA COMO PARTE DOS REQUISITOS NECESSRIOS
PARA A OBTENO DO GRAU DE MESTRE EM TECNOLOGIA.

Carlos Henrique Figueiredo Alves, D.Sc.


Orientador

RIO DE JANEIRO - RJ BRASIL


Outubro de 2008

SUMRIO

Pg.
INTRODUO ....................................................................................................

I. TEORIA................................................................................................................... 3
II. FABRICAO DO CMUT....................................................................................... 15
iII. FUNCIONAMENTO DO CMUT.............................................................................. 19
IV. MODELO DE PRIMEIRA ORDEM....................................................................... 21
V. MODELO DE ELEMENTOS FINITOS ................................................................... 25
VI. METODOLOGIA ................................................................................................... 28
VII. RESULTADOS ..................................................................................................... 34
VIII. DISCUSSO ........................................................................................................ 41
CONCLUSO ........................................................................................................

42

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ......................................................................

43

APNDICE 1 ............................................................................................................... 46

ii

Ficha catalogrfica elaborada pela biblioteca Central do CEFET/RJ


S232

Santana , Gilberto Rufino de


Estudo de um transdutor de ultra-som capacitivo utilizando o mtodo de elementos finitos / Gilberto Rufino de Santana. 2008.
ii , 48f. , : il. , tabs. ; enc.
Dissertao (Mestrado) Centro Federal de Educao Tecnolgica
Celso Suckow da Fonseca , 2008.
Bibliografia: f.43-45
Inclui apndice
1. Transdutores ultra-sonicos 2.Mtodo dos elementos finitos
I.Ttulo.

CDD 620.28

iii
Resumo da dissertao submetida ao PPTEC/CEFET-RJ como parte dos requisitos necessrios para a obteno do grau de Mestre em Tecnologia (M.T.).
ESTUDO DE UM TRANSDUTOR DE ULTRA-SOM CAPACITIVO
UTILIZANDO O MTODO DE ELEMENTOS FINITOS
Gilberto Rufino de Santana
Outubro de 2008
Orientador: Carlos Henrique Figueiredo Alves, D.Sc.
Programa : PPTEC
Transdutores ultra-sonicos capacitivos micro-manufaturados CMUTs foram desenvolvidos como uma alternativa aos transdutores piezeltricos. O aumento da complexidade e a
necessidade de requisitos de preciso na anlise de sistemas microeletromecnicos - microelectromechanical systems MEMS tm levado necessidade do desenvolvimento de ferramentas mais precisas de simulao. Utilizando o principio do trabalho virtual e uma aproximao
no clculo da capacitncia de um elemento bsico de um transdutor capacitivo, foi desenvolvido um programa para utilizar o aplicativo ANSYS, que se baseia no mtodo dos elementos
finitos, com a finalidade de simular o comportamento da membrana deste elemento e calcular o
valor de sua capacitncia. O modelo utilizado baseou-se no artigo Finite Element Analysis of
Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers, escrito por Goksen G. Yaralioglu e outros
[1]. Uma anlise esttica foi realizada. Os deslocamentos da membrana do transdutor foram
medidos, pelo ANSYS, para vrios nveis de presso aplicada na membrana sem polarizao e
comparados com os resultados calculados de acordo com a literatura especializada. A capacitncia de uma clula foi calculada para cada valor de presso, com vrios valores de raio do
eletrodo superior.

Palavras-chave: CMUT, MEMS, transdutor capacitivo, transdutor de ultra-som.

iv
Dissertation abstract submitted to PPTEC/CEFET-RJ as partial fulfillment of the requirements
necessary to get the degree of Master in Technology (M.T.).
STUDY OF A CAPACITIVE ULTRASOUND TRANSDUCER
USING THE FINITE ELEMENTS METHOD
Gilberto Rufino de Santana
October 2008
Tutor: Carlos Henrique Figueiredo Alves, D.Sc.
Program : PPTEC
Capacitive micromachined ultrasonic transducers CMUTs were developed as an
alternative to piezoelectric transducers. The increased complexity and precision requirements
of microelectromechanical systems (MEMS) have brought the need to develop more reliable
and accurate MEMS simulation tools. Using the principle of virtual work and an approximation in
the basic element capacitance calculation of a capacitive transducer, an ANSYSs program has
developed, using the finite element method, in order to simulate the action of the element
membrane and calculate its capacitance value. The model used was based on the article
Finite Element Analysis of Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers, written by
Goksen G. Yaralioglu and others authors[1]. A static analysis was performed. The
displacements of the membrane of the transducer were measured, by ANSYS, for several levels
of applied pressure on membrane without bias and compared with the results calculated
according of the specialized literature. The capacitance of one cellule was calculated for each
value of pressure, whit several values of superior electrode ray.

Key-words: CMUT, MEMS, capacitive transducer, ultrasound transducer

INTRODUO

Os transdutores de ultra-som foram desenvolvidos utilizando a propriedade piezeltrica


de alguns materiais, que possibilita a transformao de presso mecnica em sinais eltricos e
vice-versa. Nos ltimos anos as pesquisas revelaram outro tipo de transdutor de ultra-som, o
transdutor capacitivo CMUT Capacitive micromachined ultrasound transducer baseado na fora
de atrao eletrosttica, que se torna uma opo vantajosa em algumas aplicaes, onde a
interface um lquido ou o prprio ar, com desempenho comparvel aos transdutores
piezeltricos, com menos limitaes prticas [1].
A proposta deste trabalho apresentar um programa, utilizando o Software ANSYS,
atravs do qual uma clula de um CMUT modelada, utilizando dados como dimenses fsicas
e caractersticas de material, da clula. Este programa permitir realizar diversas simulaes,
baseadas no mtodo dos elementos finitos [2] com o objetivo de reproduzir simulaes
realizadas em trabalhos publicados sobre o CMUT, alm de adquirir mais conhecimento sobre
o comportamento do CMUT.
A razo das simulaes possibilitar a anlise do comportamento mecnico das
membranas que compe o elemento capacitivo do transdutor CMUT com a finalidade de
determinar suas caractersticas eltricas e acsticas.
A simulao uma ferramenta poderosa no projeto do transdutor, pois possibilita a
verificao de seu comportamento e desempenho antes da fabricao de um prottipo,
variando-se todos os parmetros possveis, de forma a otimizar as caractersticas desejadas.
Diversos modelos criados para utilizao com o mtodo dos elementos finitos so
apresentados na literatura especializada, entretanto, o modelo apresentado foi elaborado
baseado principalmente no artigo Finite Element Analysis of Capacitive Micromachined
Ultrasonic Transducers, escrito por Goksen G. Yaralioglu e outros [3], do qual foram extrados
os dados das dimenses fsicas e das caractersticas do material utilizados no modelo tratado
pelo artigo e quando necessrio, utilizando dados e informaes obtidos de outros modelos,
quando aplicveis, encontrados na bibliografia citada ao longo deste documento.

2
Com o programa desenvolvido tornou-se possvel, determinar fcil e rapidamente os
deslocamentos sofridos por uma membrana de uma clula do CMUT, com dimenses fsicas e
propriedades dos materiais empregados pr-estabelecidos e conseqentemente calcular os
valores de capacitncia da membrana para cada valor de presso aplicada. O deslocamento
da membrana devido a uma presso exercida sobre ela foi tambm calculado e comparado
com os valores obtidos pelos ANSYS.
Este trabalho abordou a anlise esttica.

I. TEORIA

Sons extremamente agudos podem passar despercebidos pelo aparelho auditivo


humano, no por deficincia deste, mas por caracterizarem vibraes com freqncias muito
altas acima de 20 kHz (ultra-som), inaudveis.
Como se sabe, os sons produzidos em um ambiente quaisquer se refletem ou
reverberam nas paredes que delimitam o mesmo, podendo ainda, serem transmitidos a outros
ambientes. Fenmenos como este apesar de simples e serem freqentes na vida cotidiana
constituem os fundamentos da utilizao do ultra-som no ensaio de materiais, no diagnstico
de enfermidades no corpo humano e na sua cura atravs da fisioterapia.
Assim como uma onda sonora sofre reflexo ao incidir num anteparo qualquer, a
vibrao ou onda ultra-snica ao percorrer um meio elstico se refletir da mesma forma, ao
incidir num anteparo qualquer, numa descontinuidade ou falha interna do material analisado ou
na alterao da textura do tecido interno do corpo humano.
Atravs de instrumentos especiais, so detectadas as reflexes provenientes do interior
da pea ou da parte do corpo humano examinada.
Nos ltimos anos uma grande variedade de equipamentos utilizando ondas elsticas na
faixa de ultra-som, tem sido desenvolvidos com o objetivo de capturar informaes de diversos
materiais e do corpo humano. Atualmente as mais importantes limitaes destes sistemas tais
como equipamentos de testes no destrutivos e equipamentos de gerao de imagens mdicas se referem aos dispositivos capazes de gerar e detectar as ondas ultra-snicas. Estes dispositivos so os transdutores de ultra-som. O grande desenvolvimento tecnolgico da microeletrnica e do processamento digital de sinais tem possibilitado a construo de transdutores
com melhor desempenho. O transdutor o elemento responsvel pela definio das principais
caractersticas das especificaes de um equipamento de ultra-som, que so: sensibilidade,
potncia e largura de banda, sendo tambm a parte mais dispendiosa do sistema. At o momento a grande maioria de transdutores de ultra-som utilizados, so construdos de materiais

4
ou compostos cermicos piezeltricos, tais como: Quartzo, Turmalina, Sal de Rochelle, Titanato de Brio e Titanato Zirconato de Chumbo (PZT).
Quando o ultra-som utilizado para obter informaes de um material slido, a melhor
escolha o transdutor piezeltrico, devido sua impedncia acstica ser da mesma ordem de
grandeza da impedncia acstica dos slidos. Por outro lado grande parte das aplicaes
prticas requer a gerao e deteco de ultra-som em fluidos, onde o transdutor piezeltrico
bastante ineficiente devido ao grande descasamento de impedncia entre o slido e o fluido.
Esta situao se torna dramtica em aplicaes com acoplamento a ar, devido ao fato da
impedncia acstica do ar ser da ordem de 400 Rayl, muito menor que a impedncia acstica
de um material piezeltrico ou de materiais compostos piezos-cermicos que tem impedncia
acstica da ordem de 30 MRayl [4]. Quando uma onda ultra-snica transmitida atravs de
um meio de densidade ela o percorre com certa velocidade de propagao v. A relao entre
estes dois parmetros a impedncia acstica definida como o produto da densidade pela
velocidade [5], conforme equao (1).

Z = .v

(1)

Quando a onda ultra-snica que est se propagando em um meio de impedncia Z1


passa para um outro meio contguo com impedncia Z2, uma parte da energia de propagao
refletida e a outra parte dessa energia continua se propagando. A quantidade de energia que
refletida de volta determinada pela diferena entre as impedncias acsticas dos dois meios
[5], as equaes (2) e (3) [6] determinam os ndices de reflexo e de transmisso da onda ultrasonica, em funo das impedncias acsticas e a figura I.1 ilustra

a onda ultra-snica

incidente, refletida e transmitida, para incidncia normal.

Z Z1

R = 2
Z 2 + Z1

T=

4 Z 2 Z1
(Z 2 + Z1 )2

(2)

(3)

Quanto maior a diferena de impedncias, maior a reflexo, restando uma quantidade


menor de energia que continua se propagando, o que implica numa menor eficincia. O ultra-

5
som ao se propagar em um meio e ao passar de um meio para outro, sempre sofre atenuao
da intensidade do sinal, devido aos efeitos de absoro, reflexo e espalhamento.

Figura I.1 Ilustrao de uma onda de ultra-som passando do meio 1 para o meio 2 [6].

Para melhorar a eficincia do transdutor, com relao ao casamento de impedncias,


duas tcnicas tm sido recentemente empregadas [4]: Introduo de uma ou duas camadas de
materiais apropriados, de espessura igual a um quarto de comprimento de onda, na sada do
transdutor para reduzir a impedncia acstica de sada ou uma camada de uma mistura do
prprio material piezeltrico do transdutor com um material inerte, de baixa impedncia, por
exemplo, resina epxi.

Esta primeira soluo problemtica por trs razes [1]: primeiro

porque o descasamento to grande que os materiais que poderiam ser empregados nestas
camadas intermedirias so difceis de serem encontrados, segundo porque o casamento de
impedncias feito com reduo da banda de freqncias e terceiro porque os transdutores de
alta freqncia requerem camadas de acoplamento extremamente finas. Estas duas tcnicas
podem ser utilizadas, mas o acrscimo de complexidade de fabricao desta tecnologia eleva
os custos e reduz a confiabilidade [4].

Desta forma pouco sucesso tem sido obtido em

maximizar a transferncia de energia do elemento piezeltrico para o ar e vice-versa.


No caso de acoplamento gua o descasamento no to grande, aproximadamente
30 MRayls para o elemento piezeltrico para 1 MRayl para a gua, mas a camada para permitir

6
o casamento de impedncias ainda necessria e ambos os materiais, o cermico e o casador
de impedncias devem ser fabricados com tolerncias mecnicas bem rgidas [1].
Devido ao fato da banda de freqncias do transdutor piezeltrico ser determinada por
sua geometria, as dimenses do transdutor versus banda de freqncias, para certos sistemas,
podem no convergir para uma configurao realizvel [1].
Somado a estas limitaes a geometria do elemento piezeltrico define tambm a
impedncia eltrica, de maneira que a sensibilidade do circuito eletrnico pode fazer com que
ele opere com cargas que prejudiquem seu desempenho em termos de relao sinal/rudo [1].
Em adio, materiais piezeltricos so limitados a nveis de deslocamento de
aproximadamente 10-4 [1], que transferem superfcie um deslocamento de no mximo 0,5 m
na faixa de poucos MHz. Esta amplitude pode no ser suficiente em determinadas aplicaes.
Alm destes problemas, outra desvantagem dos transdutores piezocermicos a
limitao de temperatura, que no mximo pode chegar, dependendo do transdutor, a 80 C [1],
que impede seu uso em certas condies ambientais. Para contornar esta situao a soluo
a utilizao de transdutores construdos com determinadas cermicas que suportam
temperaturas mais altas, mas tem a desvantagem de terem baixa constante de acoplamento e
um custo muito elevado.
O desenvolvimento tecnolgico dos transdutores piezeltricos continua procurando
minimizar suas limitaes, entretanto, na ltima dcada foi introduzido na comunidade de ultrasom o transdutor de ultra-som capacitivo micro-manufaturado, o CMUT, que funciona baseado
no princpio eletrosttico [7].
O principio eletrosttico vem sendo utilizado como uma alternativa ao efeito piezeltrico
na fabricao de transdutores. Os transdutores eletrostticos feitos como uma fina membrana
dieltrica metalizada colocada sobre uma placa condutora tem sido reportados desde os anos
50 [8], enquanto que o primeiro dispositivo desenvolvido para aplicaes em lquidos foi
desenvolvido em 1979 [9]. Estes dispositivos so baseados na atrao eletrosttica entre uma
placa condutora e uma membrana metalizada.

7
O transdutor eletrosttico um capacitor, onde uma das placas fixa e a outra placa,
que recebe os sinais de ultra-som, uma membrana metalizada que sofre deslocamentos em
funo da presso exercida pelas ondas ultra-sonicas.

Normalmente as membranas tm

formas retangular, hexagonal ou circular. Como a freqncia de ressonncia da membrana


limita a mxima freqncia de ultra-som que pode ser recebida pelo transdutor e esta
freqncia inversamente proporcional rea e a espessura da membrana, as membranas
tm estas dimenses reduzidas, para ordem de alguns m, o que resulta capacitores com
reduzidssima capacitncia.

Para se chegar aos valores de capacitncia necessrios so

construdos milhares desses capacitores, que so ligados em paralelo, formando um array.


Quando os CMUT`s foram introduzidos na comunidade de ultra-som o interesse inicial
era por aplicaes com avaliaes no destrutivas de materiais, principalmente pelo fato de
que sempre havia a presena de ar entre o transdutor e o material em teste, o que tornava
necessrio a utilizao de tcnicas especficas para selar este espao. Com o CMUT, estas
tcnicas passaram a ser desnecessrias. O CMUT comeou a ser utilizado em aplicaes em
imerso em gua em 1979 [9] e posteriormente em diagnstico mdico por imagens.
Conseqentemente o interesse pela pesquisa tem aumentado nas reas de desenvolvimento
tecnolgico e na modelagem [7].
A razo dos CMUTs no se tornarem populares a mais tempo devido necessidade
de um campo eltrico forte, da ordem de milhes de volts/cm, que produz uma fora
eletrosttica da ordem de quilogramas/cm2 [10].

Todavia, com os recentes avanos na

tecnologia de micro-fabricao, tem sido possvel construir transdutores capacitivos de ultrasom que competem com os piezeltricos, alm do que os CMUTs oferecem vantagens de
melhor banda de freqncias, facilidade de fabricao de grandes arrays, interconectados
eletricamente e com integrao aos circuitos eletrnicos associados [11].
O transdutor capacitivo pode ser representado pelo modelo de MASON [12], conforme
figura I.2. Neste modelo o lado esquerdo representa a parte eltrica do transdutor e o lado direito representa a parte mecnica. O capacitor CC no lado eltrico representa o elemento capacitivo do CMUT e a capacitncia negativa considera o efeito do amortecimento do movimento

8
da membrana. O elemento ZmS representa a impedncia mecnica da membrana e o ZaS representa a impedncia mecnica do ambiente em contato com a membrana. Finalmente o
transformador representa a converso eletromecnica entre as portas eltrica e acstica. A
impedncia mecnica da membrana (Zm) definida pela relao entre a presso aplicada sobre ela e a velocidade mdia da membrana. A velocidade mdia da membrana funo da
freqncia de excitao e em conseqncia a impedncia mecnica tambm funo da freqncia.

Figura I.2 Modelo de Mason (a) para um CMUT operando como transmissor, (b) para um
CMUT operando como receptor [12].

Para a determinao da impedncia mecnica da membrana circular, considera-se que


a membrana tem raio a e opera no vcuo. O nitreto de silcio que compe a membrana tem
mdulo de Young Y0, coeficiente de Poisson , tenso residual T em N/m2.
A equao diferencial que governa o deslocamento x(r) da membrana descrita pela equao
(4) [1]:

(Y0 + T )lt3

12 1 2

4 x(r ) lt T 2 x(r ) P lt

d 2 x(r )
=0
dt 2

(4)

9
onde lt a espessura da membrana e P uma presso externa uniforme aplicada na membrana. Assumindo que a tenso gerada pelo deslocamento pequena comparada com a tenso
T, considerando uma excitao harmnica com freqncia angular , a soluo conhecida tem
a forma da equao (5):

x(r ) = AJ 0 (k1 r ) + BJ 0 (k 2 r ) + CK 0 (k1 r ) + DK 0 (k 2 r )

P
2

lt )

(5)

onde A, B, C e D so constantes arbitrrias, J0 funo de Bessel de zero ordem de primeiro


tipo e K0 funo de Bessel de zero ordem de segundo tipo. Deduz-se que C = 0 e D = 0
porque a funo de Bessel de segundo tipo igual a em r = 0, que no fsico. Substituindo
a equao (5) na equao (3), vem:

(Y0 + T )lt3

12 1

(Y0 + T )lt3

12 1

k14 +

k 24 +

k12 2 = 0

(6)

k 22 2 = 0

(7)

A soluo destas equaes :

k1 =

d 2 + 4c 2 d
2c

k1 =

d 2 + 4c 2 + d
2c

(8)

onde, de acordo com a notao de Mason:

c=

(Y0 + T )lt2

12 1

d=

(9)

Para determinar as constantes A e B, duas condies de contorno so necessrias:


fazer x = 0 para r = a, que implica que no h deslocamento da membrana nas extremidades,
onde est presa, e dx/dr = 0, que implica que a membrana perfeitamente plana em sua
extremidade. Ambas as condies consideram que a membrana est fixada em um material
infinitamente rgido.

Usando-se estas condies, determina-se A e B e o deslocamento da

membrana pode ser calculado atravs da equao (10).

x(r ) =

k 2 J 0 (k1 r )J 1 (k 2 a ) + k1 J 0 (k 2 r )J 1 (k1 a )
1

lt k 2 J 0 (k1 a )J 1 (k 2 a ) + k1 J 1 (k1a )J 0 (k 2 a )
P

(10)

10
A velocidade da membrana, funo do raio r dada por:

2 k12 + k 22 J 1 (k1 a )J 1 (k 2 a )
jP
1 0 2
1
v = 2 v(r )rddr =

lt ak1 k 2 (k 2 J 0 (k1 a )J 1k 2 a ) + k1 J 1 (k1 a )J 0 (k 2 a )


a 0 0

(11)

A impedncia mecnica tambm definida como a relao entre a presso na


membrana e a velocidade da membrana [1]. Ento a impedncia mecnica Zm da membrana
pode ser determinada atravs da equao (12).

Zm =

lt ak1 k 2 (k 2 J 0 (k1 a )J 1 (k 2 a ) + lt k1 J 1 (k1 a )J 0 (k 2 a ))


P
= jlt
(12)
2
2
v
ak1 k 2 (k 2 J 0 (k1 a )J 1 (k 2 a ) + k1 J 1 (k1 a )J 0 (k 2 a )) 2 k1 + k 2 J 1 (k1 a )J 1 (k 2 a )

A impedncia da membrana uma grandeza puramente imaginria e pode ser


representada por uma capacitncia em srie com uma indutncia. Se Cm e Lm representam a
capacitncia e a indutncia equivalentes, respectivamente, a constante de elasticidade da
membrana dada pela equao (13):

k=

1
Cm

(13)

Um dos mais importantes elementos do circuito equivalente o transformador, cuja


relao de transformao definida pela equao (14):

n =V

(d

0 A

(14)

x)

ef

onde: V a tenso de polarizao aplicada na membrana, 0 a permissividade absoluta no


vcuo, A a rea superficial do eletrodo, x o deslocamento da membrana e def a distncia
efetiva do gap. Como a placa superior do capacitor no a membrana e sim o eletrodo, que
uma camada metlica depositada sobre a membrana, o material da membrana faz parte do
dieltrico. Neste caso a distncia efetiva entre as placas calculada, atravs da equao (33),
porque o dieltrico do capacitor constitudo de dois meios diferentes, a membrana e o vcuo,
com permissividades dieltricas diferentes.

d ef =

dm

+ d0

(33)

11
Em geral a sensibilidade do transdutor capacitivo determinada pela relao de transformao, a qual inversamente proporcional ao quadrado da distncia do gap, conforme mostra a
equao (14).
Transdutores de ultra-som transferem energia do domnio mecnico para o domnio
eltrico e vice-versa. O coeficiente de acoplamento eletromecnico definido pela a equao
(16) [13]:

k T2 =

E mec
=
Etotal

1
E
1 + elec
E mec

(16)

onde: Emec a energia mecnica armazenada e Eelec a energia eltrica armazenada. Uma
das mais importantes propriedades de um transdutor eletroacstico que a constante de
elasticidade da membrana (Hunt 1982) [13] para um pequeno sinal modificada pela interao
eletromecnica. Este efeito conhecido como spring softening e a constante modificada de
uma membrana vibrando em um campo eletrosttico dada pela equao (17) [13]:

k ' = k 1 k T2

(17)

onde k a constante de elasticidade da membrana, k a constante de elasticidade


modificada, da membrana e

k T2 fator de acoplamento da membrana.

O coeficiente de acoplamento eletromecnico pode ser calculado atravs da


capacitncia fixa CS e da capacitncia livre CT do transdutor de acordo com o mtodo adotado
por Fraser e Reynolds, 2000 [13]. A capacitncia fixa definida como a capacitncia total da
clula do transdutor para uma dada tenso eltrica de polarizao Vdc e um dado deslocamento
xdc, conforme equao (18).

C S = C (x )

(18)

xdc.Vdc

A capacitncia livre definida pela equao (19)

CT =

dQ ( x )
dV

xdc .Vdc

d
VC S
dV

xdc .Vdc

(19)

A capacitncia fixa pode ser determinada pela equao (20) e a capacitncia livre pode ser
determinada pela equao (21) [13].

12

CS =

CT =

0 A

(20)

d ef x

0A

(21)

d ef 3x

onde: CS a capacitncia fixa, CT a capacitncia livre, 0 a permissividade do vcuo, A a


rea superficial da membrana, def a distncia efetiva entra a membrana e a base e x o
deslocamento da membrana devido deflexo. O fator de acoplamento pode ser calculado
pela equao (22) [13]:

k T2 = 1

CS
2x
=
T
d ef x
C

(22)

O CMUT opera com uma tenso contnua de polarizao VDC.

Com a tenso VDC

aplicada h uma fora de atrao entre as cargas armazenadas nas placas, provocando uma
deflexo da membrana em direo ao substrato (placa fixa).

Como as extremidades da

membrana esto fixadas na estrutura, a amplitude da deflexo varia com a distncia do centro
da membrana sua extremidade, e maior no centro. Quando a tenso de polarizao VDC
elevada para um valor alm do ponto em que as foras eletrostticas podem ser equilibradas
pela rigidez mecnica da membrana, a estrutura sob o campo eletrosttico entra em colapso,
levando a parte central da membrana a ficar em permanente contato com a base do CMUT,
alterando a forma da membrana e em conseqncia sua freqncia de ressonncia muda
significativamente [14].

Durante a operao normal, a parte central da membrana vibra

livremente. Quando a tenso de colapso excedida a membrana entra em colapso sobre o


substrato e o centro da membrana no mais se move. Neste modo a parte da membrana que
vibra um anel entre o seu centro e sua extremidade [15]. A figura I.3 mostra a parte central
da membrana tocando a base.

13

Figura I.3 Membrana do CMUT, em colapso.

Aps o colapso, se a tenso de polarizao diminui, a membrana liberada do substrato. O valor da tenso em que isto ocorre denominado snapback voltage e este valor determinado em funo da constante dieltrica relativa entre a membrana e a camada isolante do
substrato. A tenso de polarizao da membrana geralmente mantida num valor abaixo da
tenso de colapso, de tal maneira que durante a operao a membrana nunca entra na regio
de colapso [14]. A tenso de colapso depende da rigidez mecnica efetiva da membrana, de
sua espessura, de seu dimetro, das dimenses do eletrodo e da fora eletrosttica produzida
pelas cargas eltricas armazenadas no eletrodo devido tenso de polarizao aplicada ao
CMUT [16] [17]. O melhor projeto de um CMUT aquele em que possvel encontrar uma
estrutura mecnica combinando baixa rigidez mecnica com alta fora eletrosttica. O eletrodo
superior uma camada metlica, normalmente de alumnio, depositada sobre a membrana.
Quando o tamanho do eletrodo diminui, a rigidez mecnica, a fora eletrosttica e a tenso de
colapso tambm diminuem. Todavia a reduo da fora eletrosttica devido diminuio da
rea do eletrodo leva a um aumento da tenso de colapso. Quase sempre com a reduo da
superfcie metalizada, sobre a membrana, que o eletrodo superior, a contribuio do aumento
da fora eletrosttica maior que a contribuio da reduo da rigidez mecnica, o que provoca um aumento da tenso de colapso [17]. Este fato pode ser visto na figura I.3 que mostra a
variao da tenso de colapso em funo do raio normalizado, do eletrodo depositado na superfcie da membrana. O raio normalizado definido pela diviso do raio do eletrodo pelo raio
da membrana, considerando que ambos tm forma circular. Observa-se que medida que o
raio normalizado aumenta, at 0,8, a tenso de colapso reduzida. Para o raio normalizado

14
com valores entre 0,8 e 0,9 a tenso de colapso fica praticamente estvel e comea a aumentar entre 0,9 e 1, sendo este aumento atribudo a rigidez mecnica.

Figura I.3 - Tenso de colapso x Raio normalizado do eletrodo [18]

Todavia Bozkurc et al [20] mostrou que os fringing fields (efeito de borda) dentro do
xido ou nitreto onde se apiam as extremidades da membrana, provocam a diminuio da
fora eletrosttica e conseqentemente o aumento da tenso de colapso. As capacitncias
esprias, assim como os fringing fields, so maiores quando a extremidade do eletrodo se
aproxima da extremidade da membrana onde ela fixada. Em diversos artigos [3], [12], [14] e
[16] sobre este assunto as simulaes foram realizados considerando raios normalizados do
eletrodo, entre 0,5 e 1, desprezando as capacitncias esprias e os fringing fields.

15

II. FABRICAO DO CMUT

O transdutor capacitivo se baseia no princpio eletrosttico, em que a placa fixa do


capacitor formada por um substrato de silcio altamente dopado, portanto condutor de
eletricidade, e a placa mvel formada por uma membrana geralmente feita com material
isolante, sendo o mais comum o nitreto de silcio (Si3 N4) [13].

A membrana, que sofre

deflexo, coberta com uma deposio de metal, que o eletrodo superior.

Todavia a

membrana pode tambm ser feita de material condutor, sendo ela o prprio eletrodo,
dispensando a metalizao. Opcionalmente o eletrodo do topo pode ser coberto com uma
camada isolante, como dixido de silcio de baixa temperatura, para prover isolao com o
meio externo.

A pequena e fina membrana da qual o CMUT constitudo fabricada

diretamente sobre o substrato de silcio.

Para sua construo utilizada a tecnologia de

circuitos integrados incluindo todas as possibilidades que esta tecnologia oferece, como alto
nvel de integrao, escalabilidade e fabricao em lotes.

A escalabilidade possibilita a

fabricao de transdutores com vrias dimenses e formatos diferentes. Como as dimenses e


formatos do transdutor determinam os regimes de operao e a banda de freqncias, torna-se
possvel fabricar uma larga faixa de dispositivos para operao em diferentes freqncias e
regimes.
Uma das tcnicas de fabricao do CMUT a wafer-bonding [20], ou unio de camadas. Os passos desta tcnica abrangendo a fabricao de trs clulas so mostrados na figura
II.1 e o resultado desta tcnica para uma clula mostrado na figura II.2. O processo comea
com uma pastilha de silcio tipo N, altamente dopada, para se obter uma baixa resistividade, na
faixa de 0,008 0,02 .cm que ser o eletrodo da base, ou a placa fixa do capacitor. O primeiro passo depositar uma camada de dixido de silcio a 1100 C, para formar a cavidade. Dependendo da profundidade da cavidade, um entre dois processos diferentes pode ser utilizado
para formar a cavidade. Aps a definio da cavidade o processo nico. Se a profundidade
da cavidade a ser feita for menor que 2 m, a cavidade formada com uma camada de xido
(passo 2a). Esta camada de xido moldada pelo processo de fotolitografia que define as -

16
reas que ficaro abaixo das membranas e tero sua altura diminuda por reao qumica com
um xido buffered oxide etch 6:1 (BOE), que vai parar na superfcie do silcio. A profundidade
da cavidade definida pela espessura da camada de xido. Aps a mscara foto-resistente
ser removida, uma outra camada de 1200 de xido trmico de silcio depositada com a finalidade de isolao eltrica (passo 3a). Entretanto se a profundidade da cavidade for maior
que 2 m, uma parte da camada de silcio dever ser removida. Nesse caso uma outra camada de 1200 de xido trmico depositada para ser usada como mscara para aprofundar a
cavidade com hidrxido de potssio 70 C, seguido de BOE para remoo do xido. Em seguida uma camada de 4000 de xido trmico depositada 1100 C para isolao eltrica
da superfcie do silcio (passo 3b). Aps este processo a superfcie do wafer deve ser limpa e
ativada, primeiro com uma soluo de cido sulfrico e perxido de hidrognio por 20 minutos,
em seguida com cido hidro-fluordrico por 15 segundos e finalmente tratada com RCA 1
(H2O2 - NH4OH - H2O), por 5 minutos [20]. O prximo passo adicionar uma camada de silcio
de alta resistividade, que vai formar a membrana, mais uma camada de dixido de silcio e
mais uma camada de silcio de baixa resistividade. A fuso destas camadas ser feita num
vcuo de 10-5 mbar na temperatura de 150 C (passo 4). O passo seguinte aquecer o wafer
por duas horas a 1100 C para que ele fique enrijecido e fique unido permanentemente. Aps
isto a camada superior de silcio da baixa resistividade retirada com hidrxido de potssio
(KOH) (passo 5). Em seguida as partes do silcio de alta resistividade, que formam as membranas, so moldadas por fotolitografia e as partes que esto fora da rea das membranas so
retiradas com auxilio de uma mscara de fotolitografia e o xido 6:1 BOE, j usado anteriormente (passo 6). O prximo passo depositar uma camada de alumnio, de 3300 com auxilio de uma mscara, sobre as membranas, para formar os eletrodos, superiores (passo 7).
Finalmente depositada uma camada passivante de LTO (xido em baixa temperatura) e so
moldados orifcios para os fios de conexo com as outras clulas. A figura II.1 ilustra os passos descritos acima.

17

Figura II.1 - Passos para fabricao do CMUT pela tcnica do wafer-bonded [20].

A figura II.2 ilustra uma clula do CMUT fabricado pelo processo descrito acima, a figura
II.3 ilustra uma parte de um array de uma dimenso com cinco clulas e a figura II.4 ilustra uma
parte de quatro elementos de um array de uma dimenso.

Figura II.2 - Uma clula de CMUT fabricada com a tcnica de wafer-bonded [20]

18

Figura II.3 Vista de uma parte com vinte e cinco clulas de um array de CMUT [10]

Figura II.4 Vista de uma parte de quatro elementos de um array de CMUT de uma dimenso [10].

19

III. FUNCIONAMENTO DO CMUT

O transdutor capacitivo polarizado com uma tenso contnua de valor abaixo de sua
tenso de colapso, atravs de um resistor de alto valor hmico. Devido fora de atrao das
cargas eletrostticas armazenadas no capacitor a membrana deflexionada, em direo
base, diminuindo o valor da capacitncia, em relao ao valor da capacitncia quando no h
polarizao. Quando um sinal eltrico aplicado na membrana a tenso entre a membrana e
a base varia na mesma freqncia do sinal aplicado e a membrana vibra, produzindo ondas
mecnicas, que o ultra-som. No sentido oposto, quando vibraes de ultra-som atingem a
membrana, esta vibra, variando a distncia at a base, variando desta forma a capacitncia e
conseqentemente a tenso entre a membrana e a base. Esta variao de tenso um sinal
eltrico de mesma freqncia da onda ultra-sonica.
A figura III.1, mostra a representao de uma clula de um CMUT, onde a distncia
entre as placas variada em funo do tempo.

Figura III.1 Representao de uma clula de um CMUT

Na anlise do CMUT necessrio diferenciar seu funcionamento como receptor e como


emissor. Na recepo sinais de ultra-som de pequena intensidade precisam ser detectados e
para isto a anlise linear de pequenos sinais apropriada. Em contraste, para emisso de
ondas ultra-sonicas com amplitude suficiente para as aplicaes de interesse, torna-se
necessrio um maior deslocamento da membrana e demanda uma anlise no linear para
quantificar a tenso de colapso da membrana e o fator de acoplamento eletromecnico.
O CMUT formado por um array composto por um grande nmero de clulas. A clula
bsica, formada pela membrana deve vibrar em freqncias inferiores a sua freqncia de res-

20
sonncia e como a freqncia de ressonncia inversamente proporcional ao seu dimetro e
maior quanto menor for sua espessura, suas dimenses devem ser diminutas para se obter
freqncias mais altas, de funcionamento. Para se obter freqncias da ordem de MHz as dimenses da clula so da ordem alguns mcrons, podendo um CMUT ser formado por um array com alguns milhares de clulas [21], para se obter uma sensibilidade adequada.

21

IV. MODELO DE PRIMEIRA ORDEM

A anlise do modelo de primeira ordem de um CMUT explica o comportamento do


transdutor com uma polarizao esttica e ajuda a entender o fenmeno do colapso da
membrana, em funo da elasticidade de seu material. O modelo em pauta derivado da
soma das foras que atuam sobre a membrana [1]. Em adio a fora produzida pelas cargas
eletrostticas existentes na membrana e no substrato, devido tenso contnua de
polarizao, existe uma fora no mesmo sentido devido massa da membrana e em oposio
aparece uma fora resultante da rigidez mecnica do material da membrana. Considerando:
que para pequenos deslocamentos a fora produzida pela rigidez mecnica da membrana
uma funo linear de seu deslocamento, que com a aproximao das placas do capacitor,
estas continuam paralelas entre si, que o CMUT opera no vcuo, que todos os condutores e
contatos so perfeitos e que os fringings fields so desprezados, pode-se representar o
transdutor pelo modelo eletro-mecnico consolidado, que consiste de uma mola linear, uma
massa e um capacitor, conforme figura IV.1 [1]. Nesta figura a massa representa a massa da
membrana, o capacitor modela a fora eletrosttica e a mola representa a fora de restaurao
da membrana. A soma dessas foras em um sistema em equilbrio igual a zero, de acordo
com o Princpio dAlembert, retratado na equao (23).

Fmassa + Fcapacitor + Fmola = 0

Figura IV.1 Modelo eletromecnico de primeira ordem de um elemento CMUT [1]

(23)

22
A fora exercida pelo capacitor calculada diferenciando-se a equao da energia potencial do capacitor em relao posio da membrana, (princpio do trabalho virtual). A capacitncia calculada pela equao (24).

C=

(d

A
ef

x)

(24)

Onde C a capacitncia, a permissividade do dieltrico, A a rea da placa, def a distncia efetiva entre a membrana e a base (gap), com o capacitor sem carga e x o deslocamento
da placa no sentido indicado na figura IV.6. A energia E armazenada no capacitor e a fora F
devido atrao eletrosttica exercida sobre a placa superior do capacitor (membrana) em
direo placa fixa inferior (base) so calculadas pelas equaes (25) e (26) respectivamente,
onde V a tenso entre as placas do capacitor, ou seja a tenso de polarizao da membrana.

1
E = CV 2
2
F =

AV 2

2(d ef x )

dE 1 2 A
= V
dx 2
(d o x )2

(25)

(26)

Sendo Fmassa a fora exercida pela massa, m a massa e a a acelerao da massa, tem-

Fmassa = ma

se:

(27)

Assumindo que k a constante de elasticidade da membrana e x o seu deslocamento,


a fora exercida pela mola ser:

Fmola = kx

(28)

Substituindo as equaes (26) (27) e (28) em (23) temos:

ma +

Onde

1
[V (t )]2 A 2 kx(t ) = 0
2
[d o x(t )]

(29)

d 2 x(t )
dt 2

(30)

d 2 x(t ) 1
A
2
m
+ [V (t )]
kx(t ) = 0
2
2
dt
[d o x(t )]2

(31)

a=

A equao (29) ento fica:

23
A equao (31) uma equao diferencial no linear de segunda ordem e sua soluo
no trivial. Para observar um comportamento significante do sistema pode-se considerar o
caso em que V(t) = VDC, o que implica em no dependncia do tempo e a equao (31) tornase:

AVDC 2

2(d 0 x )

= kx

(32)

A equao (31) pode ser rearranjada em um polinmio em x de terceira ordem,


conforme equao (33), cuja soluo tem duas regies de interesse. Para pequenos valores
de VDC

2
2kx 3 4kd 0 x 2 + 2kd 02 x AV DC
=0

(33)

a soluo consiste em trs razes reais, das quais uma uma soluo fsica e as outras duas
correspondem a uma soluo no fsica onde x > d0. Quando VDC aumenta h um valor para o
qual a fora eletrosttica sobrepuja a fora de retorno da membrana (mola) e a membrana
entra em colapso. Este ponto de inflexo encontrado quando existe uma raiz real dupla com
x > d0 [1]. O ponto de colapso ocorre para o valor de tenso definido pela equao (34) e para
o valor do deslocamento da membrana definido pela equao (35).

Vcolapso =

xcolapso =

8kd ef3
27A

d ef
3

(34)

(35)

onde def a distncia efetiva entre as placa do capacitor, dm a espessura da membrana,

a permeabilidade relativa da membrana e d0 a distncia do gap. O aumento da tenso de


polarizao tambm causa um decrscimo da constante k da mola, pois quando a membrana
comea a se aproximar da base pela fora de atrao eletrosttica a prpria fora eletrosttica
se torna maior, movendo a membrana muito mais. Este acrscimo da fora tem um efeito similar ao amolecimento da membrana. Aps o colapso da membrana ela no retorna a situao
normal at que a tenso diminua at um determinado valor, abaixo da tenso de colapso denominado snapback voltage. Este efeito de histerese pode ser observado na figura IV.2. Nos
CMUT`s em que o material da membrana um material condutor de eletricidade e em conse-

24
qncia a membrana a placa superior do capacitor, a base coberta com uma camada de
material isolante para evitar curto-circuito quando ocorrer o colapso.

Figura IV.2 Comportamento da histerese da tenso de colapso

25

V. MODELO DE ELEMENTOS FINITOS

A figura V.1 mostra um modelo de um elemento CMUT, onde se pode observar que a
distncia entre as placas do capacitor (eletrodo e substrato) inclui o comprimento do gap e a
espessura da membrana.

Figura V.1 Esquemtico do modelo de um elemento do CMUT [14]

Neste ponto necessrio fazer uma observao: A anlise feita no captulo IV foi baseada no modelo eletromecnico da figura IV.1, que considera a membrana como a placa superior do capacitor, o que verdade quando o material da membrana condutor. Neste modelo o material da membrana isolante. A fora eletrosttica e a capacitncia entre as duas placas do CMUT depende da efetiva distncia entre as reas das placas (eletrodos). Nesta simulao o eletrodo superior est situado sobre a membrana, fazendo com que alm do gap que
o vcuo que, assim como o ar, tem a permeabilidade relativa

r = 1, tem-se tambm localizada

entre as placas, a prpria membrana, com sua permeabilidade relativa que interfere no clculo
da capacitncia. Para o clculo correto da capacitncia deve-se utilizar a distncia efetiva entre as placas, calculada pela equao (15) [13] [22]. Nas equaes (14), (20), (21) e (22) aparecem o termo def , que a distncia efetiva do gap entre a membrana e a base.

26
Goksen G. Yaralioglu e outros, apresentaram em seu artigo [3], modelos 2-D e 3-D
utilizados

em

suas

pesquisas,

construdos

com

pacote

ANSYS

8.0

disponvel

comercialmente, na poca. O modelo utilizado neste trabalho foi elaborado a partir do modelo
2-D de Goksen G. Yaralioglu, apresentado na figura V.2, considerando uma membrana circular
construda de nitreto de silcio (Si3 N4), que um material isolante, coberto por uma camada de
alumnio, que o eletrodo superior.

Neste modelo 2-D foi utilizado o elemento plano

axissimtrico (PLANE42), de uma biblioteca do pacote ANSYS 10.0. A figura V.1 mostra um
corte da membrana do centro extremidade e os elementos eletrostticos de uma clula de
um CMUT usados no modelo 2-D [3].

Figura V.2 Vista em corte da membrana, dividida em segmentos, utilizada no modelo 2-D [3].

O eletrodo inferior o prprio substrato de silcio fortemente dopado, que atua como a
placa inferior do capacitor. A distncia entre as placas utilizada nos clculos a distncia
efetiva obtida pela equao (15).
Como a membrana tem a forma de um crculo, o eletrodo superior tambm tem a forma
circular, sendo o raio do eletrodo menor ou igual ao raio da membrana.
Para a membrana o material utilizado foi o nitreto de silcio com as seguintes propriedades: mdulo de Young igual a 150 GPa, densidade igual a 2332 kg/m3, coeficiente de Poisson
igual a 0,17 e permissividade relativa igual a 7,5. A espessura, o raio da membrana circular e o
gap medem 1,3 m, 15 m e 0,2 m respectivamente. As propriedades da base, que um

27
substrato de silcio com espessura de 500 m no foram necessrias nesta primeira simulao,
pois foi feita a determinao do deslocamento da membrana a partir de sua posio de repouso e com estes dados foram feitos os clculos das capacitncias. Entretanto como no modelo
o substrato apenas a parte fixa que representa um ponto comum com nvel zero de tenso,
denominado terra, e no momento o interesse medir o deslocamento da membrana, cuidando
para que esta no ultrapasse a distncia do gap, o substrato representado por apenas uma
linha.

Com relao ao eletrodo superior, de alumnio, foi considerado apenas o raio normali-

zado para fins do clculo da capacitncia. A membrana composta de elementos planos simtricos em relao ao eixo perpendicular que passa pelo seu centro. As extremidades da
membrana so fixas e no se movem, de forma que sob presso o deslocamento da membrana nulo nas extremidades e mximo no centro.

28

VI. METODOLOGIA

O transdutor capacitivo de ultra-som composto por uma grande quantidade de


pequenos capacitores formados pelas membranas que so separadas da base por um gap.
No modelo utilizado neste trabalho, a membrana tem formato circular e construda paralela a
base que o substrato de silcio.

A equao (36), onde C a capacitncia, a

permissividade do dieltrico, A a rea das placas do capacitor e d a distncia entre as


placas, possibilita o clculo da capacitncia entre duas placas paralelas, que o que ocorre
quando no h presso aplicada na membrana, nem tenso de polarizao entre a membrana
e base.

C=

A
d

(36)

A figura VI.1 mostra um corte vertical, passando pelo centro, de uma membrana
separada da superfcie da base por um espao denominado gap. A membrana e a base
formam as placas de um capacitor. Se a membrana feita de material condutor, ela prpria
a placa superior mas se a membrana feita de material no condutor, como o caso do nitreto
de silcio, uma camada de alumnio depositada sobre a membrana a placa e ao mesmo
tempo o eletrodo superior.
A figura VI.1-a mostra uma membrana paralela base, cuja capacitncia pode ser calculada pela equao (36). A figura VI.1-b mostra a membrana deflexionada, devido a uma
presso ou a uma tenso de polarizao que produz uma fora de atrao eletrosttica entre a
membrana e a base, devido s cargas eltricas armazenadas. Como a equao (36) se aplica
apenas a capacitores com placas paralelas, o que deixa de ocorrer com a deflexo da membrana, a soluo dividir o raio da membrana em pequenos segmentos, que por aproximao
so considerados paralelos base, sendo que cada um desses segmentos forma um anel cuja
rea a rea da placa superior de pequenos capacitores. A capacitncia da membrana deflexionada o somatrio dessas pequenas capacitncias que esto em paralelo. Para calcular a
capacitncia originada por cada segmento, um dos parmetros necessrios a distncia entre

29
o segmento e a base, e esta distncia varia do centro at a borda da membrana, sendo menor
no centro e nula na borda, onde a membrana fixada.

Figura VI.1 - (a) Vista em corte de uma membrana sem deflexo. (b) Vista em corte de uma
membrana deflexionada.

Para calcular os deslocamentos de cada segmento e conseqentemente a capacitncia


entre a membrana deflexionada e a base, foi utilizado o software Ansys 10.0, baseado no
mtodo dos elementos finitos. A figura VI.2 ilustra um corte do centro extremidade de uma
membrana.

O retngulo resultante deste corte que representa o raio da

membrana

modelado no Ansys, indicando as dimenses reais, utilizando o elemento PLANE42, que um


elemento axissimtrico, que possibilita modelar um crculo a partir de seu raio.

Figura VI.2 Vista de um corte do raio da membrana.

30
Para o clculo da capacitncia no houve necessidade de modelar a base, pois a base
apenas a referncia para o espaamento entre as placas do capacitor.

O valor da

capacitncia depende do deslocamento da membrana em direo base e o deslocamento


funo da presso aplicada, da tenso de polarizao aplicada e das caractersticas do
material da membrana. As caractersticas do material, utilizadas foram: Mdulo de elasticidade
= 150 GPa, coeficiente de Poisson = 0,17 e densidade = 2332 kg/m3. A capacitncia depende
tambm da rea dos eletrodos. O eletrodo inferior a prpria base, que o substrato de silcio
e que abrange toda a superfcie da membrana. O eletrodo superior uma camada metalizada
de alumnio que poder cobrir totalmente ou parcialmente a membrana e poder estar
depositada na parte superior ou na parte inferior da membrana. Quanto maior for a rea do
eletrodo superior, maior ser a capacitncia da membrana, entretanto se o eletrodo ocupar a
rea toda da membrana a banda de freqncias ser prejudicada. De acordo com Bozkurt, A;
et al [23] a otimizao da banda de freqncias se d quando o raio do eletrodo est na faixa
entre 40 e 50 % do raio da membrana, ou seja, para raio normalizado entre 0,4 e 0,5. O grfico
da figura VI.3 mostra esta afirmao.

Figura VI.3 Grfico da variao da largura de banda com o raio do eletrodo [23].

No modelo deste trabalho foi considerado que o eletrodo uma camada de alumnio
depositada na parte superior da membrana e nos clculos sua espessura foi desprezada, levando-se em conta apenas seu raio. Foram realizadas simulaes considerando-se o eletrodo
com raio normalizado variando de 0,04 1,0 (um). A figura VI.4 mostra uma seo do raio da

31
membrana deflexionada devido a presso, de cima para baixo, exercida sobre ela, superposta
a seo sem deflexo .

Figura VI.4 Seo do raio da membrana deflexionada

O processo utilizado para o clculo da capacitncia, baseado no mtodo dos elementos


finitos foi dividir o raio em 25 segmentos de 0,6 m que esto cada um deles em distncias
diferentes da base, formando 25 pequenos capacitores. Considera-se por aproximao que
cada segmento resultante paralelo base podendo assim utilizar a equao (36), efetuar o
clculo de cada um dos 25 capacitores e somar os resultados para obter a capacitncia da
membrana.

O Ansys faz girar o raio em 360 C, transformando os segmentos em anis,

conforme pode ser visto na figura VI.4. Com este processo pode-se calcular o deslocamento e
a capacitncia para cada anel que est a uma distncia r (raio) do centro, atravs das
equaes (37) e (38).

Ai = 2ri ri

C=

Ai

(37)

(38)

d efi

Onde: ri o tamanho do segmento em que o raio foi dividido, ri o raio do crculo onde se
encontra o elemento i, Ai a rea do elemento i, defi a distncia efetiva do elemento i at a
base e Ci a capacitncia relativa a rea Ai.

32

Figura VI.4 - Membrana de um CMUT, dividida em 25 anis

A capacitncia resultante calculada pela equao (39):


n

C = Ci

(39)

i =0

Onde n o n de reas em que a membrana foi dividida. No clculo da capacitncia, no


foram consideradas as capacitncias esprias que aparecem nas ligaes entre clulas e
tambm no foram considerados os fringing fields (efeito de borda).
Mtodos numricos tais como mtodo de diferenas finitas e mtodo dos elementos finitos tm
sido utilizados para modelar o CMUT. O mtodo dos elementos finitos tem contribudo bastante para o aprimoramento e a compreenso deste dispositivo. A utilizao de cdigos (softwares) de mtodos de elementos finitos adequados e disponveis comercialmente tem permitido o
estudo e entendimento de diversos parmetros de sada do CMUT, tais como tenso de colapso, capacitncia, presso irradiada e da deflexo da membrana para determinada presso.
Estes so os parmetros crticos requeridos para o projeto e otimizao do desempenho de um
CMUT. Na anlise esttica, o processo utilizado foi aplicar uma presso membrana e variar o
valor desta presso de zero at um valor que provocasse a deflexo mxima, ou seja, com o
centro da membrana chegando at a base. Para cada valor da presso aplicada foi obtida a
deflexo da membrana e calculada a capacitncia total. Com os resultados obtidos foi construdo um grfico da variao da capacitncia com a presso. No mtodo dos elementos finitos

33
quanto maior o nmero de elementos mais exatos sero os valores obtidos. No programa desenvolvido o raio da membrana foi dividido em 25 segmentos e para cada valor de presso
aplicada o ANSYS produz uma tabela com os valores dos deslocamentos de cada segmento,
em direo a base. Os deslocamentos de cada segmento tambm foram calculados atravs
das equaes (40) e (41) [24] com uma presso de 100 kPa aplicada e comparados com os
deslocamentos obtidos com o ANSYS para a mesma presso aplicada.

D=

w=

Eh 3
12 1 v 2

(40)

q
a2 r2
64 D

(41)

Onde: E o mdulo de elasticidade, h a espessura da membrana, v o coeficiente de


Poisson, q a presso exercida sobre a membrana, a o raio da membrana, r a distncia, a
partir do centro, onde est sendo calculado o deslocamento e w o deslocamento calculado.

34

VII. RESULTADOS

A simulao realizada para calcular os deslocamentos de cada um dos 25 anis da


membrana quando submetida a uma presso de 100 kPa tem seus resultados apresentados na
tabela VII.1, que tambm apresenta tambm os resultados dos clculos efetuados com as
equaes (40) e (41). A primeira coluna indica as distncias, a partir do centro, onde houve o
deslocamento calculado, na segunda coluna a tabela apresenta os valores calculados, na
terceira coluna so apresentados os valores dos deslocamentos obtidos pelo ANSYS, e na
ltima coluna esto apresentados os valores percentuais das diferenas de deslocamento obtidas pelo ANSYS em relao aos valores calculados pela equao (41).

Tabela VII.1 Valores dos deslocamentos calculados de acordo com [23] e pelo mtodo dos
elementos finitos, atravs do ANSYS.
raio
0,0
0,6
1,2
1,8
2,4
3,0
3,6
4,2
4,8
5,4
6,0
6,6
7,2
7,8
8,4
9,0
9,6
10,2
10,8
11,4
12,0
12,6
13,2
13,8
14,4
15,0

deslocamento
calculado
2,79711E-09
2,78816E-09
2,76142E-09
2,71713E-09
2,65573E-09
2,57781E-09
2,48416E-09
2,37571E-09
2,25359E-09
2,11908E-09
1,97364E-09
1,81891E-09
1,65668E-09
1,48895E-09
1,31784E-09
1,14569E-09
9,74993E-10
8,08402E-10
6,48757E-10
4,99065E-10
3,62505E-10
2,42429E-10
1,42360E-10
6,59920E-11
1,71926E-11
0,00000

deslocamento
ANSYS
0,28668E-08
0,28574E-08
0,28304E-08
0,27849E-08
0,27225E-08
0,26432E-08
0,25480E-08
0,24378E-08
0,23137E-08
0,21771E-08
0,20294E-08
0,18722E-08
0,17074E-08
0,15369E-08
0,13629E-08
0,11876E-08
0,10137E-08
0,84367E-09
0,68046E-09
0,52705E-09
0,38662E-09
0,26253E-09
0,15829E-09
0,77542E-10
0,24839E-10
0,31576E-24

erro
2,492 %
2,482 %
2,499 %
2,495 %
2,515 %
2,537 %
2,568 %
2,488 %
2,667 %
2,737 %
2,827 %
2,930 %
3,060 %
3,224 %
3,422 %
3,657 %
3,969 %
4,363 %
4,886 %
5,608 %
6,651 %
8,291 %
11,19 %
17,50 %
44,47 %

35
Observa-se que a diferena percentual varia de 2,5 3 % para os deslocamentos compreendidos entre o centro da membrana, onde o deslocamento mximo, e metade do raio. Esta diferena introduz um erro aceitvel, considerando que outras aproximaes so feitas durante os
clculos. Foi realizada uma simulao com o eletrodo superior com raio normalizado igual a
0,48, ou seja, raio igual a 7,2 m, variando-se a presso de 0 Pa at 7000 kPa, obtendo-se os
valores da tabela VII.2 , que esto representados no grfico da figura VII.1.

Tabela VII.2 Capacitncia x Presso


Presso (kPa)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000

Capacitncia (F)
3,862E-15
3,983E-15
4,112E-15
4,249E-15
4,396E-15
4,554E-15
4,723E-15
4,905E-15
5,102E-15
5,316E-15
5,548E-15
5,801E-15
6,078E-15
6,384E-15
6,723E-15

As simulaes realizadas com raios normalizados nos valores de 0,48 , 0,6 , 0,72 , 0,84 e 1,0 ,
que esto apresentadas no grfico da figura VII.2, mostram que a variao da capacitncia
proporcional a presso aplicada para qualquer valor de raio normalizado. As simulaes realizadas mostram tambm que para o modelo utilizado a membrana sofre a deflexo mxima,
com a parte central deslocando uma distncia igual a do gap, quando submetida a uma presso igual a 7,077 MPa, conforme pode ser visto na figura VII.3. As tabelas VII.3, VII.4 e VII.5
apresentam os valores de capacitncia calculados para raios normalizados variando de 0,04
1,0 com presses de 0,0 7000 kPa variando de 500 em 500 kPa.

36

Figura VII.1 Curva Capacitncia x Presso para raio normalizado igual a 0,48

Figura VII.2 Curva Capacitncia x Presso para diversos valores de raio normalizado.

37

Figura VII.3 Curva do deslocamento mximo da membrana

38
Tabela VII.3 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00

0 Pa
Capacitncia

500 kPa
Capacitncia

1000 kPa
Capacitncia

1500 kPa
Capacitncia

2000 kPa
Capacitncia

2,682E-17
1,073E-16
2,414E-16
4,292E-16
6,706E-16
9,656E-16
1,314E-15
1,717E-15
2,173E-15
2,682E-15
3,245E-15
3,862E-15
4,533E-15
5,257E-15
6,035E-15
6,866E-15
7,752E-15
8,690E-15
9,683E-15
1,073E-14
1,183E-14
1,298E-14
1,419E-14
1,545E-14
1,676E-14

2,789E-17
1,115E-16
2,509E-16
4,458E-16
6,962E-16
1,002E-15
1,363E-15
1,778E-15
2,248E-15
2,773E-15
3,351E-15
3,983E-15
4,669E-15
5,407E-15
6,199E-15
7,042E-15
7,939E-15
8,887E-15
9,888E-15
1,094E-14
1,204E-14
1,320E-14
1,441E-14
1,567E-14
1,699E-14

2,905E-17
1,162E-16
2,612E-16
4,639E-16
7,240E-16
1,041E-15
1,415E-15
1,844E-15
2,330E-15
2,870E-15
3,464E-15
4,112E-15
4,813E-15
5,566E-15
6,372E-15
7,228E-15
8,136E-15
9,095E-15
1,010E-14
1,116E-14
1,227E-14
1,343E-14
1,464E-14
1,590E-14
1,722E-14

3,031E-17
1,211E-16
2,723E-16
4,834E-16
7,540E-16
1,083E-15
1,471E-15
1,916E-15
2,417E-15
2,973E-15
3,585E-15
4,249E-15
4,967E-15
5,736E-15
6,555E-15
7,425E-15
8,345E-15
9,313E-15
1,033E-14
1,140E-14
1,251E-14
1,367E-14
1,489E-14
1,615E-14
1,746E-14

3,167E-17
1,266E-16
2,844E-16
5,046E-16
7,865E-16
1,129E-15
1,532E-15
1,992E-15
2,511E-15
3,085E-15
3,714E-15
4,396E-15
5,131E-15
5,916E-15
6,750E-15
7,634E-15
8,565E-15
9,544E-15
1,057E-14
1,164E-14
1,276E-14
1,393E-14
1,514E-14
1,641E-14
1,772E-14

39
Tabela VII.4 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00

2500 kPa
Capacitncia

3000 kPa
Capacitncia

3500 kPa
Capacitncia

4000 kPa
Capacitncia

4500 kPa
Capacitncia

3,317E-17
1,325E-16
2,976E-16
5,278E-16
8,219E-16
1,179E-15
1,597E-15
2,076E-15
2,612E-15
3,205E-15
3,853E-15
4,554E-15
5,306E-15
6,108E-15
6,958E-15
7,856E-15
8,799E-15
9,788E-15
1,082E-14
1,190E-14
1,303E-14
1,420E-14
1,541E-14
1,668E-14
1,799E-14

3,481E-17
1,390E-16
3,121E-16
5,530E-16
8,606E-16
1,233E-15
1,669E-15
2,166E-15
2,722E-15
3,335E-15
4,003E-15
4,723E-15
5,494E-15
6,313E-15
7,180E-15
8,091E-15
9,048E-15
1,005E-14
1,109E-14
1,218E-14
1,331E-14
1,448E-14
1,570E-14
1,696E-14
1,828E-14

3,661E-17
1,462E-16
3,280E-16
5,808E-16
9,030E-16
1,292E-15
1,747E-15
2,264E-15
2,841E-15
3,476E-15
4,164E-15
4,905E-15
5,696E-15
6,533E-15
7,416E-15
8,343E-15
9,312E-15
1,032E-14
1,137E-14
1,247E-14
1,360E-14
1,478E-14
1,600E-14
1,726E-14
1,858E-14

3,861E-17
1,541E-16
3,456E-16
6,114E-16
9,496E-16
1,358E-15
1,833E-15
2,372E-15
2,971E-15
3,628E-15
4,340E-15
5,102E-15
5,913E-15
6,770E-15
7,670E-15
8,612E-15
9,595E-15
1,062E-14
1,168E-14
1,278E-14
1,392E-14
1,510E-14
1,632E-14
1,759E-14
1,890E-14

4,083E-17
1,629E-16
3,651E-16
6,453E-16
1,001E-15
1,429E-15
1,927E-15
2,489E-15
3,113E-15
3,795E-15
4,530E-15
5,316E-15
6,148E-15
7,025E-15
7,943E-15
8,901E-15
9,897E-15
1,093E-14
1,200E-14
1,311E-14
1,425E-14
1,543E-14
1,666E-14
1,793E-14
1,924E-14

40
Tabela VII.5 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00

5000 kPa
Capacitncia

5500 kPa
Capacitncia

6000 kPa
Capacitncia

6500 kPa
Capacitncia

7000 kPa
Capacitncia

4,331E-17
1,727E-16
3,868E-16
6,831E-16
1,058E-15
1,509E-15
2,031E-15
2,619E-15
3,269E-15
3,977E-15
4,738E-15
5,548E-15
6,403E-15
7,300E-15
8,237E-15
9,211E-15
1,022E-14
1,127E-14
1,234E-14
1,346E-14
1,461E-14
1,579E-14
1,702E-14
1,829E-14
1,961E-14

4,610E-17
1,838E-16
4,112E-16
7,253E-16
1,122E-15
1,598E-15
2,146E-15
2,763E-15
3,441E-15
4,177E-15
4,965E-15
5,801E-15
6,680E-15
7,599E-15
8,555E-15
9,546E-15
1,057E-14
1,163E-14
1,272E-14
1,384E-14
1,499E-14
1,618E-14
1,741E-14
1,868E-14
1,999E-14

4,926E-17
1,963E-16
4,387E-16
7,730E-16
1,194E-15
1,697E-15
2,275E-15
2,922E-15
3,632E-15
4,398E-15
5,215E-15
6,078E-15
6,982E-15
7,924E-15
8,900E-15
9,909E-15
1,095E-14
1,202E-14
1,311E-14
1,424E-14
1,540E-14
1,659E-14
1,782E-14
1,910E-14
2,041E-14

5,287E-17
2,105E-16
4,701E-16
8,271E-16
1,276E-15
1,809E-15
2,420E-15
3,101E-15
3,845E-15
4,644E-15
5,492E-15
6,384E-15
7,315E-15
8,280E-15
9,277E-15
1,030E-14
1,136E-14
1,244E-14
1,355E-14
1,468E-14
1,585E-14
1,704E-14
1,827E-14
1,955E-14
2,086E-14

5,703E-17
2,269E-16
5,061E-16
8,890E-16
1,369E-15
1,936E-15
2,584E-15
3,302E-15
4,083E-15
4,918E-15
5,800E-15
6,723E-15
7,681E-15
8,672E-15
9,690E-15
1,073E-14
1,180E-14
1,290E-14
1,401E-14
1,516E-14
1,633E-14
1,753E-14
1,876E-14
2,003E-14
2,135E-14

41

VIII. DISCUSSO

O software desenvolvido para ser utilizado com o aplicativo ANSYS uma ferramenta
que possibilita fazer a simulao de um modelo de uma clula de um transdutor capacitivo
CMUT, para calcular os deslocamentos da membrana para cada valor de presso aplicada e
tambm calcular os valores de capacitncia da clula para cada deslocamento da membrana e
para cada valor de raio normalizado do eletrodo superior. Pode-se ainda variar as dimenses e
os valores das propriedades dos materiais que compem a clula e verificar a influncia dessas
variaes nos resultados obtidos. Verificou-se que dividindo o raio da membrana em 25 segmentos, os valores obtidos para os deslocamentos de cada segmento so compatveis com os
valores calculados atravs das equaes (40) e (41) [24] para uma presso de 100 kPa. Verificou-se, tambm que a capacitncia varia proporcionalmente com a presso aplicada, conforme
pode ser visto na figura VII.2, onde as curvas de capacitncia x presso x raio normalizado so
idnticas para diversos valores de raio normalizado. Nos valores de capacitncia obtidos no
esto includas as capacitncias parasitas que existem entre os terminais que fazem a conexo
entre as clulas , que esto ligadas em paralelo, nem os fringing fields (efeito de borda). No
software ANSYS tem um comando, NLGEOM, que inclui nos resultados do deslocamento de
cada segmento da membrana, os efeitos que ocorrem devido a uma grande deflexo, que so
as componentes transversais da fora que atua em cada n, devido a cada segmento no estar
mais na linha horizontal, quando h a deflexo da membrana. Os resultados da simulao com
o comando NLGEOM ativado e desativado no apresentaram diferena, em razo da deflexo
da membrana ser pequena em relao ao seu raio.
Este trabalho deve ser continuado com o estudo da simulao da clula polarizada
com uma tenso contnua para se ter os resultados do comportamento da membrana submetida a foras eletrostticas e a conseqente determinao da tenso de colapso e de outros parmetros, como: banda de freqncia e fator de acoplamento.. Deve ser feita tambm a anlise
harmnica com sinal AC aplicado junto com a tenso de polarizao.

42

CONCLUSO

O transdutor capacitivo CMUT Capacitive micromachined ultrasound transducer um


dispositivo que tem se tornado na ltima dcada objeto de estudo na comunidade de ultra-som,
atraindo a ateno de pesquisadores, devido ao seu forte potencial de ser uma alternativa vantajosa ao transdutor de ultra-som piezeltrico. O avano nas pesquisas tem tido a contribuio
do desenvolvimento da tecnologia microeletrnica, que est permitindo a fabricao de microclulas de CMUT com grande preciso, possibilitando obter transdutores com caractersticas
cada vez melhores. Um instrumento auxiliar, muito importante, no desenvolvimento de prottipos de CMUTs a simulao e o software desenvolvido, neste trabalho, para simulao apresentou resultados que permitem concluir que possvel calcular as deflexes e capacitncias
de uma membrana de um CMUT em funo das presses de ultra-som aplicadas, de suas dimenses e das caractersticas dos materiais empregados, tendo sido obtidas deflexes com
valores de deslocamento compatveis com os calculados pelos mtodos tradicionais apresentados na literatura especializada [24].
O objetivo deste trabalho, que foi o de iniciar os estudos para realizar simulaes como
o CMUT foi alcanado, sendo o passo inicial que ter prosseguimento com o desenvolvimento
da simulao com aplicao de tenses AC e DC para fazer uma anlise dinmica e assim
determinar outros parmetros, como banda de freqncias, tenso de colapso e fator de acoplamento.

43

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[19] Bozkurt, A.; et al.; Theory and analysis of electrode size optimization for capacitive
microfabricated ultrasonic transducers, IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and
frequency control, vol. 46, n 6, pp. 13641374, 1999.

[20] Khuri-Yakub, Butrus. T.; et al.; Fabricating Capacitive Micromachined Ultrasonic


Transducers With Wafer-Bonding Technology, Journal of microelectromechanical systems, vol.
12, n 2, april 2003.

[21] Jin, X.; Ladabaum, I.; and Khuri-Yakub, Butrus. T.; The microfabrication of capacitive
ultrasonic transducers, IEEE J. Microelectromech. Syst., vol. 7, no. 3, pp. 295302, 1998.

[22] Lohfink, Annette; Eccardt, Peter-Christian; Linear and Nonlinear Equivalent Circuit
Modeling of CMUTs, IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control,
vol. 52, n 12, December 2005.

[23] Bozkut, A; et al.; Theory nd Analysis of Electrode Size Optimization for Capacitive
Microfabricated Ultrasonic Transducers, IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and
frequency control, vol. 46, n 6, November 1999.

[24] Timoshenko, S. P.; Woinowsky_Krieger, C; Theory of Plates and Shells, McGraw-Hill


Book and Company, 2 edition; ISBN 0-07-085820-9.

46
APNDICE 1 : Programa para simulao do CMUT

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ANLISE DE UM CMUT PELO MTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
CMUT - TRANSDUTOR CAPACITIVO DE ULTRA-SOM MICROMANUFATURADO
ANLISE ESTTICA
DETERMINAO DA DEFLEXO DA MEMBRANA
EM FUNO DA PRESSO APLICADA
DETERMINAO DA CAPACITNCIA DE UMA CLULA
EM FUNO DA PRESSO APLICADA
!
A MEMBRANA FOI CONSTRUIDA COM ELEMENTO PLANE42 (ANSYS)
!
A membrana circular tem as seguintes dimenses:
raio = 15 m
espessura = 1,3 m
gap = 0,2 m
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

FINISH
/CLEAR,START
/PREP7
! Axisymmetric membrane
! dimenses da membrana (em metros)
h1 = 0.2e-6
! altura do gap
h2 = 1.5e-6
! gap + espessura
r = 15e-6
! raio da membrana
reletrodo = r/2
! raio do eletrodo
esp = 1.3e-6
! espessura da membrana
ndiv=25
! n de divises
comp = r/ndiv
! comprimento da diviso
pi = 3.14159265
perm = 8.854e-12
! permissividade absoluta
er = 7.5
! permissividade relativa da membrana
def=(esp/er)+h1
Pressao = 7077000
j = 25
x1 = 0
y1 = 0
x2 = r
y2 = 0
x3 = r
y3 = h1
x4 = r
y4 = h2
x5 = 0
y5 = h2

! Indica o raio do eletrodo


! marcao dos coordenadas

47
x6 = 0
y6 = h1
! marcao dos keypoints
K,1,x1,y1
K,2,x2,y2
K,3,x3,y3
K,4,x4,y4
K,5,x5,y5
K,6,x6,y6

! k,(num. keypoint),(coord em x),(coord em y)

! criao das linhas


L,1,2
L,2,3
L,3,4
L,4,5
L,5,6
L,6,1
L,6,3
AL,5,7,3,4

! L,(primeiro keypoint),(segundo keypoint)

! criao das reas


! A,(num. das linhas)

! propriedades do material
MP,ex,1,150E9
! MP,(md. elast.),(num. material),(valor)
MP,prxy,1,0.17
! MP,(coef. poisson),(num. material),(valor)
MP,dens,1,2000
! MP,(densidade),(num. material),(valor)
ET,1,plane42

! definio do tipo de elemento


! ET,(num. material),(nome do elemento)

KEYOPT,1,3,1

! definio de axisimetria, atravs do keyopt


! keyopt,(num material),(num keyopt),(valor)

ESIZE,comp

! definio do tamanho dos elementos

! criao da malha
NUMCMP,elem
AMESH,all
! condies de contorno
DL,3,1,all,0
! (num.linha),(num.rea da linha),(grau de liberdade),(valor)
DL,2,2,all,0
SFL,4,pres,pressao
! Presso em PA na linha 4
/SOLU
NLGEOM,on
SOLVE
/POST1
! Criao de um caminho
PATH,base,2,30,ndiv ! Nome, n de pontos, n de sets, n de divises
PPATH,1,2
! Ponto 1, n 2
PPATH,2,5
! Ponto 2, n 5
PDEF,desloc,u,y,avg ! Nome, item, componente,
PRPATH,desloc
! Prints path items along a geometry path
PLPATH,desloc
! Traa o grfico do deslocamento em funo do raio
ESEL,none

! Desseleciona todos elementos

48
ESEL,s,path,base

! Seleciona os elementos de Base

*DIM,deslocz,array,25,1 ! Cria uma matriz com dimenses (25,1,1)


*DIM,deslocy,array,25,2 ! Cria uma matriz com dimenses (25,2,1)
*DIM,deslocx,array,75,1
*DIM,raio,array,26,1
*DIM,desloc,array,25,2
*DIM,area,array,25,1
*DIM,capac,array,26,1
*DIM,capacitancia,array,25,1
ETABLE,deslocy,u,y
! Cria uma tabela com os deslocamentos por elemento de base
PRETAB,deslocy
NSEL,none
ESEL,none
ESEL,s,path,base,h1
! Seleciona os elementos da base
NSEL,s,u,y,h1
! Seleciona os ns de altura h1
NSEL,s,loc,y,h1
*DIM,mskv,,75
*VGET,mskv(1),elem,1,esel
*VMASK,mskv(1)
*VGET,deslocx(1),elem,1,etab,deslocy ! Resgata os elementos da tabela deslocy
mm = 0
*DO,nn,1,75,1
*IF,deslocx(nn),ne,0,then
! Preenche uma matriz deslocz com os valores
mm=mm+1
! de deslocy diferentes de zero
DESLOCZ(mm) = deslocx(nn)
*ENDIF
*ENDDO
*VFILL,raio(1),ramp,0.0,comp ! Coloca na matriz 25x1 as distncias do centro, de cada
! um dos 25 segmentos em que ocorrem os deslocamentos
*DO,k,1,25,1
AREA(k)=((raio(k+1)+raio(k))/2)*2*pi*comp !Calcula a rea de cada anel, em funo do raio
*ENDDO
*DO,m,1,j,1
CAPAC(m)=(perm*area(m))/(def+deslocz(m)) ! Calcula a capacitncia de cada anel
*ENDDO
CAPACITANCIA(1) = CAPAC(1)
! Calcula a capacitncia total de todos os anis desde o
!
centro at a extremidade do raio do eletrodo, para cada valor do raio normalizado
*DO,p,2,j,1
!
CAPACITANCIA(p) = CAPACITANCIA(p-1) + CAPAC(p)
*ENDDO
*STATUS,deslocz
*STATUS,capac
*STATUS,area
*STATUS,raio
*STATUS,capacitancia
FINISH