SH5002-7H Esn

Curso EloTrain: «Componentes semiconductores»
Curso EloTrain
«Componentes semiconductores»
Curso n.°:SH5002-7H versión 2.0
Autor: Equipo de autores de Lucas-Nülle
1
Índice
El sistema EloTrain 4
Material 5
Placa de conexiones y conectores puente 6
Juego de componentes 7
Instrucciones para la experimentación 10
Introducción a los semiconductores 17
Conductores, aislantes y semiconductores 18
Modelo atómico 20
Electrones libres 23
Estructura del cristal de silicio 24
Resistividad de los semiconductores 26
Conductividad y respuesta a la temperatura 27
Dopaje 29
Diodos en circuitos de corriente continua y alterna 31
Metas de aprendizaje e introducción 32
Ejercicio: Efecto de válvula de un diodo 35
Ejercicio: Curva característica del diodo 39
Rectificadores puente y de semionda 44
Ejercicio: Rectificador de semionda 50
Ejercicio: Rectificador puente 56
Diodo luminoso 63
Ejercicio: Diodo luminoso 68
Diodo Zener 73
Ejercicio: Diodo Zener 76
Transistores bipolares 80
2
El transistor como conmutador 84
Ejercicio: Respuesta en tensión continua 87
Curvas características de los transistores 90
Ejercicio: Respuesta en tensión alterna 91
Ejercicio: Características de control 95
Ejercicio: Curva característica de entrada 101
Ejercicio: Curva característica de salida 105
Circuitos sencillos de transistores 110
Ejercicio: Circuito de emisor común 113
Ejercicio: Circuito de colector común 117
Transistor de efecto de campo (FET) 122
Transistor de efecto de campo con unión (JFET) 127
Transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET) 136
Tiristor 146
Ejercicio: Curva característica del tiristor 149
Ejercicio: El tiristor como conmutador 153
Ejemplo práctico: Regulador («dimmer») 158
Ejercicio: DIAC 161
Ejercicio: TRIAC 166
Copyright 170
3
El sistema EloTrain
4
Material
Panel EloTrain de piezas para insertar de 4

A CO3535-5H
mm
B CO3538-8N Multi-Power-Supply
C LM6210 Osciloscopio digital con memoria
D LM2332 Instrumento multifunción de medición
Diversos componentes EloTrain para insertar

PS41xx-xx (se enumeran en la página denominada
«Juego de componentes»)
SO5146-1M Puentes de cable y conectores puente
5
Placa de conexiones y conectores puente
Todas las piezas de experimentación se montan sobre una

placa de conexiones, soporte firme que brinda un contacto
eléctrico seguro entre las piezas que se insertan y los nodos
de la placa. La ventaja de este tipo de módulos radica en la
facilidad que brindan para configurar circuitos en cascada.
Cada nodo consta de 1 casquillo de seguridad de 4 mm y de 4

de 2 mm conectados y aislados eléctricamente entre sí. Si se
requiere establecer un nexo entre ellos, es necesario insertar
un conector puente de 2 mm (distancia de separación entre los
pines de 7,5 mm).
Las estructuras de bus están diseñadas para suministrar

tensión a muchos puntos de la placa utilizando solo unos
pocos conectores puente.
El contacto dirigido hacia los componentes para insertar o

establecido entre ellos se realiza en cada caso con un conector
puente de 2 mm. Este establece un vínculo entre dos piezas o
entre el terminal de conexión de una de ellas y un cable.
6
Juego de componentes
El sistema EloTrain ofrece una gran variedad de diferentes componentes que se pueden insertar en
la placa. El conjunto de piezas para los cursos de Electrotecnia y Electrónica contiene un
equipamiento optimizado, que permite la realización de numerosos experimentos.
• Componentes electromecánicos • Resistores • Resistores no lineales
• Condensadores electrolíticos • Bobinas • Ledes
• Diodos • Potenciómetros • Condensadores
• Altavoces • Bombillas • Diodos Zener
• Amplificadores operacionales • Inductancias • Transistores
• Rectificadores controlados de silicio
7
Juego de piezas para el curso de Componentes
semiconductores
En esta unidad didáctica se emplean los siguientes componentes:
Número de identificación Denominación Cantidad
PS4123-3B Diac DB3 1
PS4122-7C Diodoe 1N4007 4
PS4122-2C Condensador de 0,47 µF 1
PS4122-2E Condensador de 1 µF 1
PS4122-4D Condensador de 10 µF+ 1
PS4123-8P + PS4123-8R Portabombillas y bombilla 1
PS4121-8G Potenciómetro de 10k 1
PS4121-8D Potenciómetro de 1k 1
PS4123-7G Conmutador 1
PS4123-7B Pulsador 1
PS4123-3F Tiristor MCR100-6 1
PS4123-1G Transistor BD237 1
PS4123-1C Transistor BC547B 1
PS4123-2G Transistor BS170 1
PS4123-2H Transistor J2N3819 1
PS4123-3G Triac MAC 97A6 1
PS4121-2N Resistor de 100 Ω 1
PS4121-2U Resistor de 330 Ω 1
PS4121-3A Resistor de 680 Ω 1
PS4121-3A Resistor de 1 kΩ 2
PS4121-3L Resistor de 4,7 kΩ 2
8
PS4121-3Q Resistor de 10 kΩ 3
PS4121-3U Resistor de 22 kΩ 1
PS4121-4A Resistor de 47 kΩ 1
PS4121-4E Resistor de 100 kΩ 1
PS4122-8A Diodo Zener ZPD 4.7 1
9
Instrucciones para la experimentación
El sistema de experimentación
Durante la realización de los ejercicios de este curso le servirán de ayuda diferentes tipos de
imágenes (diagramas de circuito, esquemas de montaje, instrumentos de medición) además de la
fuente de alimentación Multi-Power-Supply, que le proporcionarán la siguiente información:
Cantidad y tipo de componentes, cables y conectores puente necesarios.

Informaciones acerca de los componentes.
Posición de las piezas en el montaje de los circuitos y durante la realización de las
mediciones.
Alimentación necesaria de energía de la red para una ejecución correcta de los ejercicios
y una obtención de resultados convincentes.
Diagramas de circuito
Estos diagramas proporcionan información acerca de los diferentes módulos. Se muestran también
las denominaciones y valores de cada componente.
10
(N. del T.: En algunas imágenes y animaciones de este curso aparece la letra U, que corresponde al
símbolo alemán usado para tensión (V). Por otra parte, también se emplean las abreviaturas
alemanas de «e» («Eingang», es decir «entrada» o «input») y «a» («Ausgang», es decir «salida» o
«output»); por lo tanto, Ue = Vin y Ua = Vout).
Esquema de montaje
Nota: Los montajes que aparecen en este curso son únicamente propuestas de la manera en
que se podría configurar un circuito o llevar a cabo un ejercicio. Naturalmente, usted se
encuentra en plena libertad de crear sus propios modelos de experimentación.
A continuación aparece un ejemplo del aspecto que podría tener un montaje sobre la placa de
conexiones:
Las pequeñas líneas negras, que indican una conexión, representan a los conectores
puente.
Las líneas rojas muestran la conexión a la tensión de alimentación.
Los componentes se representan por medio de los mismos símbolos que aparecen en el
juego de piezas.
Las conexiones de instrumentos de medición se muestran por medio de un conector
rotulado con su identificación respectiva.
11
12
Instrumentos de medición
Para el desarrollo de los ejercicios, se cuenta con diferentes dispositivos de medición:
Multímetro:
El multímetro es un instrumento versátil, útil para mediciones

generales de circuitos eléctricos, al igual que para las áreas de
Ingeniería de Instalaciones donde se presenten tensiones de
hasta 1.000 V.
Tenga en cuenta que no se pueden realizar

simultáneamente todas las mediciones.
Por favor, observe que los instrumentos de medición

solo muestran valores precisos si el cableado es
correcto.
Osciloscopio:
Este tipo de instrumento cuenta con muchas

posibilidades de conexión y configuración. Es por esto
que, al inicio de cada ejercicio, con fines de asistencia,
se indican ajustes de orientación que podrían resultar
adecuados para el ejercicio en estudio. No obstante,
siéntase en plena libertad de seleccionar las opciones
de su preferencia.
13
La fuente de tensión Multi Power Supply
Este equipo constituye una fuente de alimentación multifunción para todos los ejercicios a realizarse
con el sistema de piezas para insertar. Todas las salidas están protegidas contra sobrecarga y
cortocircuitos.
La fuente Multi-Power contiene 5 módulos funcionales:
Fuente de tensión fija
Tras la activación del equipo por medio del interruptor 1, en las salidas se cuenta con 3 tensiones
continuas y reguladas. Estos terminales están protegidos electrónicamente contra sobrecargas y
cortocircuitos.
3: 12 V, tras la activación del pulsador 2 se tiene una tensión de 15 V.
4: 5 V
14
5: Conexión a tierra para todas las tensiones continuas y la del generador de funciones.
6: - 15 V
Tensión continua regulable
Tras la activación del pulsador 7 se cuenta para la experimentación con una tensión continua
variable y regulable de hasta 30 V.
7: Pulsador para activación y desactivación de la tensión continua ajustable del terminal 9.
8: Potenciómetro para el ajuste de tensión del terminal 9.
9: Tensión de salida ajustable.
Generador de funciones
El generador de funciones suministra en dos salidas una tensión alterna modificable en amplitud,
frecuencia y en lo concerniente a la forma de la curva. Las salidas están protegidas electrónicamente
contra sobrecargas y cortocircuitos.
10: Pulsador para la activación y desactivación del generador de funciones.
11: Pulsador e indicación por ledes de la forma de curva seleccionada.
12: Pulsador e indicación por ledes de la selección del multiplicador de ajuste de frecuencia (ajuste
basto).
13: Ajuste de frecuencia del generador de funciones.
14: Ajuste de amplitud en las salidas 15 y 16.
15: Salida del generador de funciones.
16: Salida atenuada del generador de funciones útil, en particular, para el ajuste de tensiones muy
bajas.
Fuente de tensión alterna
Para los ejercicios con tensión alterna se cuenta con un transformador de experimentación que pone
a disposición dos voltajes pequeños de seguridad. Las salidas están protegidas por medio de dos
fusibles térmicos de reposición automática. Con sobrecarga adquieren una alta impedancia y
protegen de esta manera al transformador de su destrucción. Para reiniciar el funcionamiento es
necesario eliminar la causa del fallo y permitir que el equipo se enfríe durante unos minutos. A
continuación es factible volver a utilizar el transformador. La frecuencia es sincrónica a la de la red.
17: Salida de 24 V del transformador.
15
18: Salida de 12 V o toma central del transformador.
19: Salida de 0 V del transformador.
Fuente de corriente trifásica
Para los experimentos con corriente trifásica se tiene a disposición un generador electrónico con
protección. La tensión de salida es fija. La frecuencia del campo rotatorio puede variar entre 50 Hz y
1 Hz.
20: Conmutador «on» / «off» del generador de corriente trifásica: si se lo mantiene pulsado durante
un tiempo prolongado la frecuencia pasa de 50 Hz a 1 Hz.
21: Salida de la fase 1 del generador de corriente trifásica.
16
Introducción a los semiconductores
17
Conductores, aislantes y semiconductores
La conductividad de un elemento depende esencialmente de la cantidad de electrones libres que

posea. Se establece una distinción entre conductores, aislantes y semiconductores, siendo estos
últimos la base de los componentes analizados en este curso.
Conductores
Una corriente eléctrica solo puede aparecer en materiales que posean portadores de carga (por lo
general, electrones libres) de movilidad libre. Aquellos materiales que contienen muchos electrones
libres y que oponen solo una escasa resistencia a su movilidad se denominan «conductores
eléctricos». La siguiente imagen muestra el movimiento de los electrones libres entre los átomos de
un conductor.
Átomo
Electrón
libre
Los conductores sólidos son, en primer lugar, los metales, como, por ejemplo, el oro, la plata, el
cobre, el aluminio o el hierro. Un conductor no metálico es el carbono (grafito). Los fluidos también
son conductores eléctricos, por ejemplo, el mercurio, las fusiones metálicas o las soluciones
acuosas de sales, ácidos y bases.
Aislantes (no conductores)

Los materiales que contienen muy pocos electrones libres reciben el nombre de «no conductores o
aislantes». A través de ellos, prácticamente, no puede circular ninguna corriente. El siguiente gráfico
ilustra lo afirmado.
Átomo
Electrón
libre
18
Los materiales no conductores son, entre otros, el vidrio, la porcelana, el ámbar, el caucho, el papel,
el algodón y los plásticos. Por ello, resultan aptos para aislar a los conductores entre sí. Sin
embargo, como estos materiales presentan cierta conductividad, aunque esta sea muy baja, se
puede decir que no existe un aislante ideal. La frontera entre conductores y no conductores no está
claramente delimitada, más bien, esta clasificación se establece de manera gradual.
Semiconductores
Los materiales conocidos como «semiconductores» ocupan una posición especial entre los
conductores y aislantes; tienen importancia, sobre todo, para la fabricación de componentes
electrónicos, como, por ejemplo, diodos, transistores y circuitos integrados. En este caso, los
principales materiales son el silicio (Si), el germanio (Ge) y el arseniuro de galio (GaAs). La
conductividad de estos materiales se induce por medio de una acción que se denomina «dopaje», la
cual provoca que, junto a los electrones libres, también participen en la conducción de corriente los
electrones que se conocen como «huecos», y que, en efecto, pueden ser imaginados como una
«ausencia de electrones». Estos portadores de carga, al contrario que los electrones libres, poseen
una carga positiva. La siguiente imagen ilustra el movimiento de los portadores de carga en un
semiconductor.
Átomo
Electrón
libre
Hueco de
electrón
El número de electrones libres (en los semiconductores, electrones y huecos) de un material

depende de su estructura atómica. Por ello, en primer lugar, analizaremos un modelo atómico
sencillo.
19
Modelo atómico
Todos los estados y procesos eléctricos están relacionados con la presencia de muy pequeñas
partículas elementales llamadas «electrones».
El electrón es el portador de la más pequeña cantidad de energía

eléctrica, es decir, del cuanto elemental.
Los electrones forman parte de los átomos de los elementos químicos. El átomo (del griego
«ἄτομον», lo «indivisible») se consideró durante mucho tiempo como la más pequeña e indivisible
parte de la materia. Hoy en día, sin embargo, se sabe que este no es el caso. Más bien, tienen una
estructura en parte muy intrincada, la cual se procura ilustrar por medio de los modelos atómicos.
Dentro de este contexto, el modelo desarrollado por Niels Bohr goza hasta nuestros días de la mayor
popularidad. Uno visualiza entonces la estructura de un átomo, representada de modo similar a la de
nuestro sistema solar: en la mitad se encuentra el núcleo, tal como el Sol se halla en el centro de
nuestro sistema. Alrededor del núcleo del átomo giran los electrones de la misma manera en que lo
hacen los planetas en torno al Sol. Los átomos de los diferentes elementos difieren por el tamaño del
núcleo y el número de electrones que orbitan a su alrededor. Los electrones se desplazan
describiendo trayectorias de inclinación elíptica o circular, de diferentes diámetros, formando de esta
manera la envoltura del átomo. El diámetro del núcleo es aproximadamente 10.000 veces más
pequeño que el del átomo en su conjunto.
Los átomos están compuestos por un núcleo y una capa de

electrones.
Los electrones poseen carga negativa. Por otra parte, el núcleo se compone de neutrones, de carga
eléctrica neutra, así como de protones, cuya carga es positiva, manteniendo así una carga total
positiva. Dado que, en un átomo, la cantidad de electrones y protones es idéntica, la carga total es,
por lo tanto, neutra. Las siguientes imágenes muestran el modelo atómico en su conjunto.
Protones = color rojo, neutrones = color verde Componentes del núcleo del átomo
Electrones = color lila
20
La corteza atómica está formada por electrones, cuya carga es negativa (imagen de la izquierda).
Los electrones ocupan órbitas en torno al núcleo del átomo, en lo que se conoce como
«capas» (imagen de la derecha).
El número de capas está dado por el de electrones y cada una de ellas corresponde a un nivel
determinado de energía pudiendo albergar solo una cantidad particular de electrones (imagen de la
izquierda). Si un átomo contiene el mismo número de electrones y protones se considera que está
completo y, por lo tanto, es eléctricamente neutro (imagen de la derecha).
El átomo más sencillo es el del elemento más liviano: el hidrógeno. Este solo cuenta con un electrón
y, por consiguiente, un solo protón, pero no posee neutrones. El átomo del oxígeno, por ejemplo,
tiene, en total, ocho electrones, de los cuales, dos giran alrededor del núcleo a través de una órbita
interna y seis a lo largo de una externa. El átomo del aluminio posee 13 electrones que rotan en tres
órbitas de diferente diámetro. El átomo más pesado que se encuentra en la naturaleza es el del
uranio y posee 92 electrones que describen siete órbitas. La siguiente imagen muestra los modelos
atómicos simplificados del hidrógeno, el oxígeno y el aluminio. Aquí, las órbitas de los electrones,
con fines de simplificación, se representan en un solo plano: además, se prescindió de una
representación detallada de la composición del núcleo atómico.
21
Núcleo
del
átomo
Hidrógeno Oxígeno Aluminio
Cada órbita de electrones solo puede acoger un número determinado de ellos. Así, pues, en la
primera órbita (interna) únicamente se puede encontrar un máximo de dos electrones, en la
segunda, un máximo de ocho y, en la tercera, un máximo de 18.
22
Electrones libres
Como ya hemos visto, los electrones giran dentro del átomo describiendo diferentes órbitas, las
cuales se encuentran a distintas distancias del núcleo. Cada órbita mantiene un determinado
contenido de energía, el cual es tanto mayor cuanto mayor sea su radio. Los electrones que se
encuentran en la órbita externa poseen, por consiguiente, la mayor cantidad de energía y se
encuentran ligados al núcleo del átomo con menor fuerza que los electrones de las órbitas internas.
Estos son los que reciben el nombre de «electrones de valencia» y son responsables de la unión de
los átomos entre sí, por la que conforman la red o «retículo atómico». La estructura de un elemento,
a partir de sus átomos, se configura de manera tal que los electrones de valencia de cada átomo
individual se encadenan con los electrones de valencia vecinos formando pares de electrones.
Gracias a este encadenamiento se origina una red atómica característica del elemento en cuestión,
determinada por el número de electrones de valencias de cada átomo individual.
La siguiente imagen muestra el modelo atómico simplificado del cobre. La primera órbita (interior)
posee dos electrones, la segunda, ocho, la tercera, 18 y, en la exterior, solo se encuentra un electrón
de valencia.
Energía
Electrón de
valencia
Dado que los electrones de valencia solo están ligados al núcleo de una manera relativamente débil,
pueden abandonar la órbita externa al recibir una cantidad de energía de suficiente magnitud, con lo
cual dejan de estar unidos al átomo. Se trata aquí, más bien, de los denominados «electrones
libres», que se mueven de una manera más o menos independiente entre los diferentes átomos de
la red atómica de un elemento. Estos electrones desempeñan un papel esencial en la conductividad
de los materiales.
23
Estructura del cristal de silicio
La estructura del retículo del cristal de un semiconductor puede explicarse tomando como ejemplo el
silicio.
Se trata del decimocuarto elemento de la tabla periódica. Según esta, un átomo de silicio posee 14
protones, 14 neutrones y 14 electrones. De acuerdo con el modelo atómico de Bohr, los electrones
(2 y 8 respectivamente) ocupan por completo las dos capas internas. Esto significa que el átomo de
silicio posee cuatro electrones de valencia, responsables de la conductividad. Los electrones de las
capas internas no se muestran en la siguiente figura.
Los átomos tienden a cambiar el número de electrones de su capa externa a fin de llenarla por
completo. En el caso del silicio, pueden ceder sus cuatro electrones de valencia, así como acoger
cuatro electrones de los átomos contiguos. Debido al alto grado de pureza de los cristales, no existe
ninguna posibilidad de que se formen combinaciones con los átomos impuros adyacentes; sin
embargo, forman enlaces atómicos entre sí, dentro de los cuales los electrones de valencia circulan
en todas las direcciones entre los átomos vecinos, de manera que las capas externas de algunos de
ellos se llenan brevemente por completo. Dicho proceso recibe el nombre de «enlace covalente».
24
Los semiconductores compuestos tienen un comportamiento similar, pero una estructura más
compleja. Se los clasifica según los grupos de sus elementos. El arseniuro de galio o el antimonio de
indio son ejemplos de los semiconductores de las columnas III y V del sistema periódico, mientras
que el sulfuro de zinc y el seleniuro de cadmio lo son de los semiconductores de las columnas II y VI.
25
Resistividad de los semiconductores
La conductividad de un material depende del número de portadores de carga libres (electrones y

huecos). El valor inverso de la conductividad se denomina «resistividad», la cual, en el caso de los
semiconductores, ocupa un nivel intermedio entre los conductores metálicos y los no conductores
(aislantes). La tabla siguiente proporciona un resumen clasificatorio de conductores,
semiconductores y aislantes. He aquí algunos de los materiales que se suelen utilizar con frecuencia
en la Ingeniería Eléctrica y en la Electrónica.
Denominación Resistividad Conductividad Material
Ρ(Ωcm) Κ(1/(Ωcm))
Aislantes 1020 10-20 Ámbar
1018 10-18 Parafina
1016 10-16 Poliestireno
1014 10-14 Carbono
1012 10-12 Porcelana
1010 10-10 PVC
108 10-8 Mármol, vidrio
Semiconductores 106 10-6 Selenio
104 10-4 Silicio puro
100 100 Germanio puro
10-2 102 Arseniuro de indio, arseniuro de galio
Conductores 10-6 106 Cobre
10-8 108 Plata
Aunque hoy todavía se sigan fabricando ocasionalmente semiconductores de selenio y germanio, el

silicio es el material más ampliamente utilizado. Al mismo tiempo, los «modernos» semiconductores
compuestos y orgánicos, como el arseniuro de galio, el sulfuro de zinc o el pentaceno, cobran cada
vez mayor importancia y se utilizan principalmente en la Optoelectrónica.
En los materiales semiconductores puros, el grado de pureza es 1010, es decir que hay un átomo
impuro por cada 1010 átomos del semiconductor en cuestión.
26
Conductividad y respuesta a la temperatura
La energía hace que los electrones individuales rompan temporalmente sus enlaces. Estos
electrones dejan una carga negativa ausente en el átomo, es decir, un «hueco de electrón». Dicho
hueco actúa entonces como una carga positiva. Los electrones libres se mueven sin rumbo dentro
del cristal hasta que encuentran nuevamente un hueco y vuelven así a conformar una unión atómica
fija. Este es el fenómeno denominado «recombinación».
a) Recombinación b) Suministro de energía c) Electrón libre +

hueco
Lo aquí descrito origina parte de la conductividad intrínseca. Por otro lado, los electrones de los
átomos que se encuentran en el borde del retículo cristalino también son responsables de una
determinada conductividad al no haber formado ningún enlace covalente. Los átomos impuros
restantes constituyen un tercer factor.
La conductividad intrínseca puede describirse mediante la llamada «densidad propia de los

portadores de carga», que indica el número de electrones disponibles para la conducción eléctrica
en función de un volumen determinado del material.
Respuesta a la temperatura
Un incremento del calor, es decir, el suministro de energía a una red cristalina hace que esta se
desestabilice cada vez más, por lo que aumentará el número de enlaces rotos. Esto conduce a que
surja un número creciente de electrones libres en el cristal; por lo tanto, la densidad de portadores
de carga intrínseca de un semiconductor depende de la temperatura. A mayor calor, aumenta el
número de portadores de carga libres y, consecuentemente, la conductividad asciende mientras que
la resistencia disminuye. Si la temperatura desciende, se contará con cada vez menos electrones
libres, por lo que la conductividad disminuirá y aumentará la resistencia. Así, pues, siempre se
especifica la densidad de portadores de carga de un semiconductor en función de una determinada
temperatura. Esta es también la razón por la cual los datos del rendimiento de los componentes
semiconductores siempre se expresan en referencia a una temperatura ambiente determinada
(normalmente 25° C). La tabla siguiente muestra la densidad de portadores de carga de algunos
semiconductores a 300° Kelvin (aproximadamente 27° Celsius):
27
Material Densidad de portadores de carga intrínseca ni
Metales 2 * 1022 cm-3
Germanio 2,33 * 1013 cm-3
Silicio 1,02 * 1010 cm-3
Arseniuro de galio 2,0 * 106 cm-3
A 0° Kelvin (cero absoluto) un semiconductor puro carece de conductividad intrínseca debida a la

formación de pares. Los semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo debido a
este comportamiento.
La temperatura de referencia de 300° Kelvin es el valor habitual para la caracterización de los

materiales semiconductores. En las fichas técnicas de los componentes, se asume
generalmente una temperatura ambiente de 25° Celsius.
28
Dopaje
La contaminación intencionada con impurezas puede influir en la respuesta eléctrica de un

semiconductor. En este caso, la contaminación significa que, en los semiconductores, se introduce,
en lugar de uno de sus átomos originales, uno impuro de una valencia superior (con más electrones
de valencia) o inferior (con menos electrones de valencia). Como resultado se genera un excedente
de portadores de carga negativos (electrones) o positivos (huecos). En ambos casos, esto hace que
el número de portadores de carga libres aumente.
La densidad de portadores de un semiconductor puede, entonces, ampliarse por medio de la

introducción deliberada de impurezas. En función de la cantidad de átomos impuros añadidos,
resulta factible variar la resistividad dentro de amplios rangos.
El proceso anteriormente descrito recibe el nombre de «dopaje». Se establece una distinción entre
el dopaje negativo (electrones) y el positivo (huecos). Esto se ilustra en las dos imágenes siguientes.
Dopaje N (negativo) con un átomo de fósforo de valencia 5
29
Dopaje P (positivo) con un átomo de boro de valencia 3
30
Diodos en circuitos de corriente continua y alterna
31
Metas de aprendizaje e introducción
En este ejercicio se analizará la respuesta de un diodo semiconductor para lo cual se medirá la

corriente que circula por él, con tensiones orientadas en diferentes sentidos, se registrará la
característica por medio de un osciloscopio y se interpretarán los resultados.
Contenidos de aprendizaje
Registro de la característica tensión-corriente.
Lectura de la tensión disruptiva.
Respuesta en conducción y bloqueo del diodo.
Introducción
Unión positiva-negativa (PN)
Los dispositivos semiconductores se fabrican con materiales de dopaje P y N, siendo la zona de
transición entre las regiones dopadas de crucial importancia para su respuesta en un circuito. En las
uniones se crea un área donde los portadores de carga libres se difunden a través de la superficie
límite. De este modo, los electrones pasan a la región P y los huecos, a la región N. Esto permite
recombinaciones en las que casi todos los portadores de carga libres se enlazan por lo que se forma
una capa o barrera en la que no se dispone de ningún portador de carga libre.
La distribución direccional de los portadores de energía crea una zona de carga espacial, que actúa
en contra de su propia ampliación. Se trata, por ende, de una región de solo unas pocas micras de
espesor.
La zona generada por la barrera empobrecida de portadores de carga opera como el dieléctrico de
un condensador y, aunque su capacitancia es muy pequeña, sus efectos se vuelven muy notorios
con frecuencias elevadas.
32
Símbolo gráfico
Un componente que tenga una unión PN se denomina «diodo» y posee dos terminales: uno llamado
«cátodo» y otro denominado «ánodo». Un aro impreso sobre el componente real indica dónde está
el cátodo. El símbolo gráfico luce así:
Ánodo Cátodo
La siguiente imagen muestra la disposición de las regiones N y P, así como el ánodo y el cátodo
con respecto a un diodo real.
Polarización inversa
Si el polo positivo de una fuente de tensión está conectado al material N y el negativo al material P,
se genera un campo eléctrico. Este campo hace que los electrones libres del material N se
desplacen hacia el polo positivo y que los del polo negativo llenen los huecos del material P, con lo
que la barrera se ensancha.
33
Si aumenta la tensión, el espesor de la barrera se expandirá consecuentemente y, si esta se ha
extendido a todo lo ancho del cristal, un nuevo incremento de la tensión induciría un fuerte y
repentino flujo de corriente que destruiría la unión PN. La tensión con la que la barrera se alarga por
todo el cristal recibe el nombre de «tensión máxima de polarización inversa».
34
Ejercicio: Efecto de válvula de un diodo
En el siguiente ejercicio se analizarán las propiedades del diodo.
Diagrama de circuito
Para esta tarea se utilizará el siguiente diagrama:
35
Equipos
Para el ejercicio se necesitan los siguientes elementos con sus ajustes correspondientes:
Equipo Ajustes
Cable negro Masa
Cable rojo Entrada de 400 mA
Selector giratorio mA =
Inserte las puntas de

prueba roja y negra en los
casquillos indicados en la
siguiente imagen.
36
Montaje de experimentación
37
Realización del ejercicio y tareas
¿Cuál es el valor de la corriente que circula a través del diodo en el sentido directo de
conducción?
Idirecta=40____________________ mA ¡Correcto!
Conecte ahora el diodo en sentido contrario de manera que opere en la dirección de

polarización inversa. ¿Cuál es ahora el valor de la corriente?
Iinversa=0_____________________ mA ¡Correcto!
38
Ejercicio: Curva característica del diodo
En el siguiente ejercicio se registrará la curva característica del diodo.
Para esta tarea se utilizará el siguiente diagrama:
39
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Sensibilidad 1 V/división 1 V/división
Acoplamiento CC CC
Polaridad Normal Inverso
Posición del eje Y 0 0
Barrido 4 ms/división
Modo X/T
Canal de disparo A
Flanco de disparo Positivo
Forma de la curva Sinusoidal
Amplitud 4 Vp
Factor de frecuencia 1
Frecuencia 50 Hz
40

Conecte los terminales de medición del osciloscopio en las posiciones previstas y seleccione
en el instrumento los parámetros indicados anteriormente. No obstante, en primer lugar,
active únicamente el canal A del osciloscopio. Copie el oscilograma en la siguiente casilla.
41
¿Cuál es el valor de la tensión disruptiva del diodo?
Udisruptiva = 0,75__________________ V ¡Correcto!
Reemplace el resistor de 100 ohmios por uno de 330 ohmios. ¿Cuál es ahora la respuesta
de la tensión de bloqueo?
Permanece aproximadamente constante.

Se triplica. ¡Correcto!
Se reduce a un tercio de su valor.
Ahora, seleccione en el osciloscopio el modo de visualización X/Y y, además, conecte el canal

B.
42
43
Rectificadores puente y de semionda
44
En este ejercicio analizaremos componentes útiles para la rectificación de corriente. Se estudiará y

caracterizará la respuesta de los rectificadores de puente y de semionda recurriendo a la medición
con diferentes cargas.
Rectificadores de semionda
Rectificadores puente
Alisado y ondulación residual
Resistencia de carga
Introducción
Las tensiones de red (alternas) resultan, por lo general, inadecuadas para la alimentación directa de
dispositivos electrónicos, por lo que, a este fin, se las debe convertir en una tensión apropiada
(continua) para, posteriormente, pasar a su rectificación y alisamiento. Un control adicional se
encarga entonces de mantener constante el voltaje independientemente del valor de la carga.
Esta descripción y los ejercicios que siguen se centran en el rectificador y el circuito correspondiente
de alisamiento.
Gracias a los diodos semiconductores disponibles en la actualidad, los rectificadores se pueden

configurar muy fácilmente para que actúen en todos los rangos de potencia. De entre los numerosos
circuitos rectificadores que han surgido, existen dos (los de puente y de semionda) de particular
importancia, ya que tienen una amplia difusión en la práctica.
Además del circuito rectificador propiamente dicho, casi siempre se requiere uno de alisado, que
actúe sobre la tensión «pulsante», o, en caso necesario, reduzca los picos de corriente.
45
Alisado con
Rectificador de Condensador de
Rectificador puente condensador e
semionda alisado
inductancia
Rectificador de semionda
La siguiente secuencia de imágenes ilustra el funcionamiento de los rectificadores de semionda.
Siempre que la tensión de entrada del circuito aquí mostrado sea mayor que la tensión umbral del
diodo, el rectificador de semionda actuará como se describe a continuación. Solo las semiondas
positivas de la tensión alterna de entrada pasan más allá de la carga, por ello, en la salida aparece
una tensión continua pulsante.
Durante el paso de la semionda positiva: el diodo D1 está polarizado en sentido directo (estado
de conducción) y permite el paso de la corriente hacia la resistencia de carga. La tensión generada
por la corriente que circula a través de la carga tiene la misma forma que la semionda positiva de la
tensión de entrada.
Durante el paso de la semionda negativa: el diodo está polarizado en sentido inverso: dado que
sobre la carga no se aplica tensión, el voltaje de salida o el de la resistencia es de 0 V.
46
Rectificador puente
Este circuito rectificador opera con cuatro diodos. Su funcionamiento se representa en forma
simplificada en la siguiente secuencia de imágenes y se explica a continuación:
Durante el paso de la semionda positiva: los diodos D2 y D5 están polarizados en sentido directo.
La corriente fluye desde el transformador hacia el ánodo del diodo D2 y llega a la resistencia de
carga RL, luego circula por el ánodo del diodo D5 hacia el terminal negativo del devanado
secundario. Durante este lapso, los diodos D4 y D3 están polarizados en sentido inverso.
47
Durante el paso de la semionda negativa: los diodos D4 y D3 están polarizados en sentido
directo: la corriente fluye desde el terminal del devanado secundario (el cual «se consideraba»
negativo en la semionda precedente de los diodos, pudiendo considerarse ahora como positivo). La
corriente pasa a través del ánodo de D3 y la resistencia de carga RL para dirigirse entonces hacia el
ánodo de D4.
48
Ondulación residual
Si se conecta un condensador en paralelo a la carga, se almacenan temporalmente portadores de
carga, que pueden aprovecharse si la tensión baja a menos del valor requerido en el transcurso de
un periodo de ascenso y descenso del voltaje. Tan pronto como este vuelva a superar el nivel
requerido, el condensador se recarga. La diferencia entre la tensión mínima y máxima del
condensador se denomina «tensión de ondulado» o «componente de tensión alterna».
La ondulación residual (w) es un valor porcentual dado por la relación entre las componentes de
tensión alterna y continua. Esto se calcula dividiendo la componente de alterna por la de continua de
la tensión rectificada.
49
Ejercicio: Rectificador de semionda
Para este ejercicio se utilizará el siguiente diagrama:
50
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Polaridad Normal Normal
Modo X/T
Canal de disparo A
Amplitud 8 Vpp
Frecuencia 50 Hz
51
52
Seleccione en el osciloscopio las opciones indicadas anteriormente y copie el oscilograma
obtenido en el recuadro que se encuentra a continuación.
¿Cuál es la tensión máxima del resistor?
Umáxima = 3,5___________________ V ¡Correcto!
¿Cuál es la tensión mínima del resistor?
Umínima = 0,8___________________ V ¡Correcto!
Cambie la frecuencia del generador de funciones a 200 Hz. No adapte la base de tiempo a la
frecuencia. Copie el oscilograma obtenido en el recuadro que se encuentra a continuación.
53
¿Cuál es la tensión máxima del resistor?
Umáxima = 3,4___________________ V ¡Correcto!
¿Cuál es la tensión mínima del resistor?
Cambie el resistor de 10 kΩ por uno de 4,7 kΩ y seleccione una frecuencia de 50 Hz. ¿Cuál
es la tensión mínima del resistor?
Umínima = 0,25__________________ V ¡Correcto!
Seleccione de nuevo una frecuencia de 200 Hz. ¿Cuál es la tensión mínima del resistor?
54
Calcule la ondulación residual. Para ello, mida las componentes de continua y alterna de la
tensión de salida.
w10k,50Hz = 40____________________ %
w10k,200Hz = 15____________________ %
¡Correcto!
w4,7k,50Hz = 75____________________ %
w4,7k,200Hz = 25____________________ %
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta? La ondulación residual...
... disminuye al incrementarse la carga.

... se incrementa con el aumento de la frecuencia.
... permanece siempre igual. ¡Correcto!
 ... disminuye si decrece la carga.
 ... aumenta si disminuye la frecuencia.
55
Ejercicio: Rectificador puente
56
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Posición 0 0
Modo X/T
Canal de disparo A
Amplitud 8 Vpp
Frecuencia 50 Hz
57
58
Configure el osciloscopio como se indicó anteriormente y retire el condensador del circuito.
Copie el oscilograma obtenido en el recuadro que se encuentra a continuación.
Dado que los canales del osciloscopio tienen una conexión a tierra conjunta, el registro de las
curvas características de entrada y de salida se debe realizar sucesivamente. A este fin,
según el caso, retire las conexiones del canal B del circuito para obtener una curva de entrada
clara y, por el contrario, las del canal A para el registro correcto de la curva de salida.
59
¿Qué valor tiene la tensión pico en la salida del rectificador puente?
Up = 2,7___________________ V ¡Correcto!
¿Por qué la tensión pico es menor en la salida que en la entrada?
La tensión es menor debido al desfase en el tiempo de la

señal.
La tensión es menor debido a que cae aproximadamente 0,7 ¡Correcto!
voltios al pasar por cada diodo.
La tensión es menor porque está más cerca de la carga.
60
¿Por qué la tensión de salida es plana entre las dos semiondas??
Se produce una caída de tensión de 0,7 voltios en cada uno

de los diodos. Por tal motivo, si la tensión de entrada es de
aproximadamente 1,4 V ya no se cuenta con voltaje.
Toda la tensión cae en la resistencia de carga. ¡Correcto!
La tensión de salida sufre la influencia del osciloscopio en la

medición.
Conecte ahora el condensador en la posición prevista. Copie el oscilograma obtenido en el

recuadro que se encuentra a continuación.
Mida la ondulación residual.
Upuente= 0,8___________________ V ¡Correcto!
Retire el diodo de la parte superior izquierda del circuito y copie el oscilograma obtenido en el
recuadro que se encuentra a continuación.
61
¿Qué puede observar en el oscilograma?
No hay cambios en el oscilograma.

El oscilograma es idéntico al obtenido con el rectificador de
semionda.
El oscilograma es aproximadamente el mismo que el ¡Correcto!
obtenido con el
rectificador de semionda, sin embargo la tensión de salida
es menor en
0,7 V, es decir, 1,4 V más pequeña.
62
Diodo luminoso
63
Los diodos luminosos son componentes elementales de muchos circuitos electrónicos. En las
siguientes páginas conocerá sus diversos tipos y cómo se caracterizan en función de sus umbrales
de tensión.
En este ejercicio se estudian las tensiones umbral de varios diodos emisores de luz y se las compara
con las de los diodos de silicio y germanio.
Introducción
Un diodo luminoso o led consta de una capa de semiconductor de dopaje negativo (N) y una muy
delgada de dopaje positivo (P). La capa semiconductora de dopaje positivo posee una gran densidad
de huecos. Como sucede en los diodos convencionales, se crea una barrera entre las dos capas
debido a la migración de los electrones. Por ello, estos se recombinan con los huecos de la capa de
dopaje positivo. Cuando lo hacen, los electrones entregan su energía en forma de destellos de luz,
que pueden salir al exterior debido a que la capa P es muy delgada, hecho perceptible incluso con
corrientes muy bajas. La intensidad luminosa aumenta proporcionalmente con la corriente.
Los ledes en el circuito

Un led solo permite el paso de la corriente eléctrica en una dirección y la bloquea en el sentido
contrario. Las razones de lo expresado se explicaron ya en este curso en el capítulo dedicado a los
diodos en los circuitos de corriente. Por el motivo anterior, un componente de este tipo siempre debe
integrarse en el circuito en el sentido de conducción, es decir, el cátodo se tiene que conectar a
masa y, el ánodo, al polo positivo. La posición correcta de montaje se deduce rápidamente a partir
del símbolo gráfico del componente, similar a una flecha.
64
Considerando el sentido técnico del flujo de corriente, la flecha debe coincidir con el sentido de
circulación de los portadores de carga: la punta de la flecha se dirige a masa. Por otra parte, para
que un led se ilumine, necesita contar con cierta tensión mínima, que recibe el nombre de «tensión
umbral o disruptiva».
Modelos de ledes
Las cápsulas que contienen los diodos luminosos se fabrican, en su mayoría, de resina epóxida y se
presentan en diferentes formas y tamaños, pudiendo ser redondas o rectangulares, con o sin
reflector, con alambres de conexión o en tecnología de montaje en superficie. Por lo general, el
cable que se conecta al cátodo suele ser más corto. Si la cápsula es redonda, el lado donde se ubica
el cátodo será plano.
65
Tipos de ledes
Existen diodos emisores de luz (llamados también «led», por las

siglas en inglés de «light emitting diode») de diferentes colores y
tamaños. Los más comunes son de color rojo, verde o amarillo.
Con el transcurso del tiempo, dadas las exigencias que, por
ejemplo, se han impuesto a la industria del automóvil (en lo
concerniente al testigo luminoso de la luz de ruta), se empezaron
a fabricar ledes azules, blancos o multicromáticos. Cada vez más
frecuentemente, en los faros de los vehículos se incluyen
también ledes que emiten la luz de marcha. Los de alta potencia
(blancos gran parte de la veces) presentan una luminosidad
elevada con un consumo muy bajo de corriente eléctrica y Umbral
reemplazan cada vez en mayor medida a las bombillas y a los Color de
faros halógenos. tensión
Además de los colores perceptibles, también existen ledes que Infrarrojo 1,3 V
emiten luz invisible para el ojo humano, como es el caso de los
1,6 V -
rayos infrarrojos. Estos se utilizan con frecuencia en los controles Rojo
1,8 V
remotos y en la transmisión inalámbrica de datos.
Naranja 2,0 V
Si reciben una alimentación de tensión continua constante,
disminuye continuamente la eficacia luminosa en función de las Amarillo 2,2 V
horas de servicio. No obstante, operan muy bien con tensiones
Verde 2,4 V
de onda rectangular o pulsantes. Así se puede regular su
luminosidad, la potencia de radiación aumenta y la pérdida de Azul / 4V-
eficiencia disminuye en periodos de servicio comparables. blanco 4,5 V
Las características de tensión versus corriente de los ledes

difieren solo levemente de las de los diodos convencionales. El
umbral de tensión de la característica depende del color de la luz
que emitan. La intensidad de radiación es prácticamente
proporcional a la corriente del diodo. Sin embargo, los ledes
poseen valores límite que no se deben sobrepasar, puesto que,
en caso contrario, el componente se destruiría. La información
precisa acerca de lo expresado se puede encontrar en la ficha
técnica del fabricante.
66
Cálculo de la resistencia en serie de un led
Un led necesita, en todos los casos, una resistencia que lo preceda en el circuito para limitar la
corriente que circule por él. Existen algunos que tienen integrado un resistor en su cápsula, pero se
trata de modelos que no abordaremos en estas páginas.
En el caso de los ledes sencillos, se emplea una resistencia externa. Para calcular su valor se debe
conocer el de la tensión de la fuente que suministra energía al componente. Los valores de tensión
disruptiva y corriente máxima se toman de la ficha técnica. Estos valores permiten el cálculo de la
resistencia en cuestión de la siguiente manera:
1. En primer lugar se substrae la tensión umbral o de disrupción de la de alimentación, con lo

que se calcula la caída de tensión en el resistor conectado en serie.
Ejemplo: 12 voltios de tensión de la fuente de alimentación - 2 voltios de tensión disruptiva

= 10 voltios de caída de tensión en la resistencia en serie
2. Se recurre entonces a la Ley de Ohm para calcular el valor de la resistencia.
Ejemplo: Corriente máxima = 20 mA , caída de tensión = 10 voltios - cálculo: R = V / R = 10

voltios / 0,02 A = 500 ohmios
Por lo tanto, con una alimentación de 12 voltios y una corriente máxima de 20 miliamperios se
necesita una resistencia en serie de, por lo menos, 500 ohmios.
67
Ejercicio: Diodo luminoso
68
Equipos
Equipo Ajustes
Cable negro Masa
Cable rojo Entrada de 400 mA
Selector giratorio mA =
Inserte las puntas de

prueba roja y negra en los
casquillos terminales
indicados en la siguiente
imagen.
Entrada positiva V
Entrada negativa Masa
Selector giratorio V-- (CC)
69
70
Calcule la corriente a partir de la tensión y la resistencia aplicando la Ley de Ohm. En primer
lugar, emplace en la placa de experimentación uno tras otro los diodos luminosos (rojo y
verde), a continuación el de germanio (Ge AA118), después el de silicio (1N4007) y, por
último, el diodo Zener (ZPD 4,7). Mida la tensión umbral de los distintos tipos de ledes o
diodos. Con este fin, inserte el diodo correspondiente en la posición prevista y anote la
tensión que cae en el componente, al igual que el valor de la intensidad de corriente.
Empiece la medición de corriente y tensión con el diodo luminoso rojo.
Uumbral= 2,2____ V
¡Correcto!
Iumbral = 25_____ mA
Conecte ahora el diodo luminoso verde en la posición correspondiente. Mida la tensión y la

corriente y anote los valores en las casillas siguientes.
Uumbral= 2,4____ V
¡Correcto!
Conecte ahora el diodo de germanio en la posición indicada. Mida la tensión y la corriente y

anote los valores en las casillas siguientes.
Uumbral= 0,35___ V
¡Correcto!
Conecte ahora el diodo de silicio en la posición indicada. Mida la tensión y la corriente y

anote los valores en las casillas siguientes.
Uumbral= 0,75___ V
¡Correcto!
71
Conecte ahora el diodo Zener en la posición indicada. Mida la tensión y la corriente y anote
los valores en las casillas siguientes.
Uumbral= 0,85___ V
¡Correcto!
72
Diodo Zener
73
El diodo Zener es un componente importante de muchos circuitos. Dado que en él se produce una
caída de tensión constante –con un valor determinado desde su fabricación-, se suelen utilizar para
estabilizar tensiones.
En el siguiente ejercicio se registrarán los parámetros característicos de un diodo Zener.
Introducción
Propiedades de un diodo Zener
El Zener es un diodo de silicio con un dopaje especial y una barrera delgada. Debido a esta
estructura particular, a partir de una tensión de bloqueo determinada, los electrones se liberan de
sus enlaces. En función de la intensidad de la tensión disruptiva, propia del diodo, se habla del
efecto Zener (< 5 V) o del efecto avalancha (> 5 V). En los dos casos, una tensión casi constante
trae como resultado un fuerte aumento de la corriente. No obstante, es necesario observar que tanto
la tensión inversa como la corriente, también inversa, no sobrepasen cierto valor pues, de lo
contrario, esto provocaría la destrucción del componente.
1. Rango de bloqueo
2. Tensión disruptiva VZ
3. Mínima corriente inversa IZ
4. Máxima corriente inversa IZ
74
La curva característica del diodo Zener, representada en la imagen, resume visualmente lo
anteriormente explicado en el texto. Se reconoce en el primer cuadrante (arriba, a la derecha) la
curva característica de un diodo sencillo, que opera en sentido directo. Lo especial de la curva del
diodo Zener se encuentra en el tercer cuadrante (abajo, a la izquierda), es decir, cuando el
componente opera en sentido inverso. También un diodo sencillo posee una tensión disruptiva, no
obstante, en comparación con la tensión umbral, la primera tiene un valor muy elevado. Por otra
parte, si se sobrepasa este voltaje, el componente se destruye. En un diodo Zener los procesos
físicos son reversibles en tanto no se sobrepase la máxima tensión de bloqueo ni la máxima
corriente inversa. Si esto ocurre, la consecuencia sería la destrucción del componente. El valor de la
tensión disruptiva se puede determinar libremente en un rango de 2 a 600 voltios por medio de un
dopaje diferenciado.
Aplicación y símbolo gráfico

Los diodos Zener se emplean frecuentemente para estabilizar tensión. Si el circuito cuenta con un
voltaje de entrada irregular que, en relación con la curva característica del diodo Zener, oscile entre
la corriente inversa mínima y máxima, se tendrá en la salida, a pesar de lo anterior, una tensión
constante. De manera alternativa, un diodo de este tipo puede limitar picos de tensión o emplearse
para controlar valores de consigna.
La siguiente imagen muestra el símbolo gráfico de este componente. Al igual que un diodo sencillo,
el Zener se encuentra conectado en sentido directo o de conducción si el vértice del triángulo se
dirige hacia masa. Correspondientemente, para operar en sentido de bloqueo, el diodo se debe
conectar en la posición inversa.
75
Ejercicio: Diodo Zener
76
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Polaridad Normal Inversa
Posición Y 0 0
Modo X/T
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 16 Vpp
Frecuencia 50 Hz
77
78
Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones los valores especificados
anteriormente y copie la característica de corriente y tensión del diodo Zener en el diagrama
siguiente. Asegúrese de obtener una lectura clara de la tensión disruptiva del diodo Zener.
El diodo Zener se convierte en conductor a partir de cierto voltaje, denominado tensión

umbral, con lo que la intensidad de corriente se incrementa abruptamente. En el sentido
normal de conducción, la tensión corresponde a la de un diodo estándar. ¿Cuál es el valor
mínimo de la tensión umbral?
Uumbral= 0,8___________________ V ¡Correcto!
¿Cuál es el valor de la tensión umbral más alta en la dirección inversa a la de conducción?
Uumbral= 4,8___________________ V ¡Correcto!
79
Transistores bipolares
80
Este ejercicio permite medir y analizar las propiedades de los transistores bipolares a partir de
diversas curvas características.
Funcionamiento básico de los transistores bipolares.
Medición de las características de salida, entrada y control.
Introducción
Los transistores han revolucionado el mundo de la electrónica desde que hicieran su aparición poco
después de la Segunda Guerra Mundial. Su tamaño, cada vez menor, y su enorme versatilidad los
han convertido en los más útiles e importantes componentes electrónicos existentes. En el presente
curso trataremos dos configuraciones posibles de circuitos básicos de transistores.
En el transistor original, conocido como bipolar, dos capas de semiconductores encierran una tercera
capa.
Los transistores bipolares tienen en sus dos lados material semiconductor con el mismo tipo de
conductividad. En medio de ellos se ubica una fina capa de tipo opuesto. Un lado se utiliza como
zona de colector, el otro como zona de emisor y, a la capa del medio, se la conoce como «región de
base». A primera vista, esta disposición luce como la de dos diodos unidos entre sí. Resulta lógico
pensar que, entre la zona del colector y la del emisor, no fluirá ninguna corriente ya que siempre se
aplica una tensión de polarización inversa en una de las dos «uniones de los diodos». No obstante,
el «secreto» radica en el poco espesor de la región de base. Los portadores de carga siempre
pueden superar una pequeña distancia y atravesar la superficie que los une. Si se suministran
portadores de carga adicionales a la base mediante la aplicación de una tensión, existirá un número
suficiente de ellos en un momento determinado para, por así decirlo, instaurar un puente por el que
la corriente comenzará a circular. Debido al hecho de que el flujo de energía eléctrica entre el
colector y el emisor solo se inicia si se aplica suficiente corriente y tensión en la base, este tipo de
transistores se pueden usar como conmutadores electrónicos, puesto que se activan o desactivan en
función del suministro de energía aplicado a la base.
Este proceso se ilustra con el siguiente ejemplo de un transistor NPN.
81
82
A continuación se muestra la configuración de las capas y los diagramas de circuito de los dos
diferentes tipos de transistores bipolares.
Transistor NPN Transistor PNP
Configuración de Configuración de
Símbolo gráfico Símbolo gráfico
capas capas
La intensidad de corriente que circula entre el colector y el emisor depende del número de
portadores de carga presentes en la región de base, lo que supone que los cambios de tensión y
corriente en ella pueden dar lugar a un flujo de energía más fuerte o más débil entre el colector y el
emisor. Incluso un leve cambio en la base produce una modificación sustancial en la tensión
presente entre el colector y el emisor. Esta relación es lineal a lo largo de un rango amplio: una señal
de tensión modificada en la base se reproduce exactamente entre el colector y el emisor, pero con
un cambio considerablemente mayor del valor del voltaje. Por lo tanto, el transistor amplifica la señal
siendo esta la segunda área de aplicación convencional de estos componentes.
83
El transistor como conmutador
84
Una de las principales aplicaciones de los transistores viene dada por las etapas de conmutación de
los circuitos en que se emplean estos componentes. Se utilizan para conmutar rápidamente y sin
contacto cargas pequeñas y medianas. Si se usa de esta manera, un transistor simplemente oscila
entre dos estados cuya conmutación ocurre en escasos microsegundos.
Transistor en estado de bloqueo

En este caso, la corriente de entrada de la base IB es igual a 0 A. El transistor, entonces, está
desactivado y la corriente del colector no puede fluir. Debido a que no hay ninguna caída de tensión
en el resistor RC, la tensión de salida Vout corresponde a la de alimentación VB.
Transistor en estado de conducción

En este caso se suministra al transistor una corriente de base aplicándole, a través de RB, una
tensión de entrada. En consecuencia, fluye una corriente desde el colector, que debe ser lo
suficientemente grande para que aproximadamente toda la tensión de alimentación VB caiga en el
resistor RC del colector. De este modo, la tensión de salida Vout disminuye casi a 0 V. El hecho de
que la tensión no descienda completamente a 0 V se debe a que el resistor del transistor, ubicado
entre el colector y emisor, no es de 0 Ω. Esta tensión residual también se conoce como «tensión de
saturación VCEsat».
85
Con el fin de alcanzar de forma certera dicha saturación, no solo se suministra la corriente de base
requerida para que circule la corriente de colector, sino un múltiplo de la misma. Por ende, la base
se sobreexcita. Este múltiplo se conoce también como «factor de saturación» y tiene, en la práctica,
un valor entre 2 y 10.
86
Ejercicio: Respuesta en tensión continua
87
88
Lleve el potenciómetro hasta su tope derecho. A continuación, gírelo lentamente hacia la

izquierda y, al hacerlo, observe la bombilla.
La bombilla se enciende permanentemente.

La bombilla se enciende apenas el potenciómetro gira un
poco.
 La bombilla se enciende porque el transistor amplifica en un ¡Correcto!
múltiplo la corriente de la base.
La bombilla se enciende cuando el potenciómetro alcanza el
tope izquierdo.
89
Curvas características de los transistores
90
Ejercicio: Respuesta en tensión alterna
Este ejercicio está basado en el siguiente circuito:
91
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Posición Y 0 0
Modo X/T
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 6 Vpp
Frecuencia 50 Hz
92
93
Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones los valores especificados
anteriormente. Registre las tensiones VBE y VCE y copie el oscilograma en el espacio previsto
a continuación a este fin.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta?
 El transistor no conduce si la tensión de entrada es negativa.

 El transistor bloquea la corriente si no se aplica tensión de
control.
¡Correcto!
 El transistor se vuelve conductor si la tensión de control
aumenta.
El transistor consta de cuatro capas semiconductoras.
¿De qué tipo de transistor se trata?
De un transistor bipolar PNP

¡Correcto!
De un transistor bipolar NPN
94
Ejercicio: Características de control
95
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
1 1
Sensibilidad
V/división V/división
Acoplamiento CC CC
Posición Y 0 0
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 6 Vpp
Frecuencia 50 Hz
96
97
El potenciómetro regula el aumento de la corriente de la base partiendo de valores muy
pequeños. Seleccione en el osciloscopio y en el generador de funciones los valores
especificados anteriormente. Registre una después de otra las corrientes IB e IC y anote en la
tabla la corriente del colector común correspondiente a cada corriente de la base. A partir de
los valores detectados, trace la curva en el diagrama.
Las corrientes se calculan sobre la base de la caída de tensión en las resistencias. Emplee el
cursor del osciloscopio para una lectura exacta de la amplitud.
Dado que los canales del osciloscopio tienen una conexión a tierra conjunta, el registro de las
curvas características de entrada y de salida se debe realizar sucesivamente. A este fin,
según el caso, retire las conexiones del canal B del circuito para obtener una curva de entrada
clara y, por el contrario, las del canal A para el registro correcto de la curva de salida.
IC en mA IB en µA
0_____________________ 30____________________
9_____________________ 46____________________
15____________________ 62____________________
20____________________ 80____________________
29____________________ 110___________________
36____________________ 148___________________
40____________________ 184___________________
41____________________ 220___________________
43____________________ 230___________________
44____________________ 240___________________
98
Ahora calcule la ganancia de corriente del transistor. Esta viene dada por la relación existente entre
la corriente del colector y la de la base:
Las corrientes se calculan a partir de la caída de tensión en las resistencias.
Calcule la ganancia de corriente.
IBE = 0,11 mA
ICE = 29__ mA ¡Correcto!
G = 260_
99
Reemplace ahora el resistor R2 por uno de 300 ohmios.
Calcule nuevamente la ganancia de corriente.
IBE = 0,15 mA
ICE = 15__ mA ¡Correcto!
V = 99__
100
Ejercicio: Curva característica de entrada
101
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
1
Sensibilidad 1 V/división
V/división
Acoplamiento CC CC
Polaridad Inversa Norm
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 14 Vpp
Frecuencia 50 Hz
102
103
Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones las opciones indicadas anteriormente y
use el osciloscopio para registrar la característica de entrada del transistor.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones acerca de la característica de entrada del transistor es

correcta?
La característica corresponde a la de una resistencia.

 La característica corresponde a la de un diodo.
 La corriente que circula por la base del transistor aumenta
inicialmente de manera muy débil para, a continuación,
hacerlo abruptamente. ¡Correcto!
La tensión de la base es proporcional a la corriente que
circula por la resistencia.
 La corriente que circula por la resistencia es proporcional a
la tensión presente en la resistencia.
104
Ejercicio: Curva característica de salida
105
Equipos
Equipo Opciones
Canal A Canal B
2
Sensibilidad 2 V/división
V/división
Acoplamiento CC CC
Polaridad Inversa Normal
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 20 Vpp
Frecuencia 50 Hz
Entrada positiva V
106

Seleccione en el osciloscopio y en el generador de funciones las opciones que se indicaron
anteriormente. Ajuste el potenciómetro de manera que una tensión de 1,0 V caiga en el resistor R1.
Registre eloscilograma de la curva de salida pasando al modo de operación XY y transfiera el
resultado al diagrama. Repita el experimento con diferentes tensiones.
107
U1 = 1,5 V U1 = 1,75 V
U1 = 2 V U1 = 3 V
¿Cuáles son los valores de las corrientes que fluyen a través del resistor R1 de la base?
V en el resistor de 1 kohmio 1500__________________

1,5
corresponde a µA
1,75
corresponde a µA
¡Correcto!
2,0
corresponde a µA
3,0
corresponde a µA
108
¿Cuál es la razón de la inflexión típica de la curva característica de salida?
El osciloscopio no puede representar valores más altos en el

eje Y.
La ganancia constante de corriente del transistor limita la
corriente predeterminada de la base. ¡Correcto!
La resistencia del colector limita el flujo de corriente que

circula por el transistor.
109
Circuitos sencillos de transistores
110
En este módulo se analizará la respuesta de los transistores en dos de las configuraciones básicas
más utilizadas: el circuito de emisor común y el de colector común.
Punto de operación (por defecto).
Circuito de emisor común y de colector común.
Introducción
Los ejercicios de este módulo se ocupan de dos configuraciones de circuitos básicos en las que se
utilizan transistores. Estas reciben la denominación de «circuitos de emisor común y de colector
común». Ambos poseen una estructura muy similar. La diferencia radica en que, en el circuito de
emisor común, la entrada está situada entre la base y el emisor, mientras que la salida se encuentra
entre el colector y el emisor (es decir, el emisor es el punto de referencia que comparten las señales
de entrada y salida). En el circuito de colector común, por el contrario, el colector es el punto de
referencia que comparten las señales de entrada y salida, y esta última se conecta al emisor.
Las propiedades de la tensión de estos dos circuitos se mejoran integrando un bucle de
realimentación a través del cual se reciba la señal de salida y se mezcle con la señal de entrada en
la base. Es posible implementar esta realimentación mediante un resistor (realimentación óhmica) o
condensadores (realimentación capacitiva). En los siguientes ejercicios se estudiarán los efectos de
estos dos tipos de realimentación.
Circuito de emisor común Circuito de colector común
111
Por lo demás, el circuito de base común se encuentra entre los de alta frecuencia. En razón de su
alta frecuencia de corte, se suele utilizar en las etapas de entrada con frecuencias de señal de más
de 100 MHz. Por otra parte, una baja resistencia de entrada permite una fácil adaptación, por
ejemplo, a la impedancia de las antenas.
Circuito de base común
112
Ejercicio: Circuito de emisor común
113
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Sensibilidad 500 mV/división 2 V/división
Acoplamiento CA CA
Barrido 200 µs/división
Modo X/T
Canal de disparo A
Tensión CC 15 V
Amplitud 2 Vpp
Factor de frecuencia 1k
Frecuencia 1 kHz
Entrada positiva V
114

Seleccione el punto de operación del transistor de manera que la tensión entre el colector y el emisor
sea aproximadamente igual a la mitad de la tensión suministrada por la fuente de alimentación (7,5
V). Use el voltímetro para medir la tensión. Tenga en cuenta que incluso las más pequeñas
variaciones en los parámetros del potenciómetro causan grandes cambios en el valor del voltaje.
Conecte ahora el generador de funciones y el osciloscopio al circuito tal como se mostró

anteriormente. Seleccione una tensión de onda sinusoidal de 1 V. Registre la señal con el
osciloscopio y copie la imagen en el siguiente diagrama.
115
Introduzca los valores registrados y calcule el factor de ganancia del circuito.
Tensión de entrada Uin = 2______

Tensión de salida Uout = 6______ ¡Correcto!
Factor de ganancia = 3______
116
Ejercicio: Circuito de colector común
117
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Sensibilidad 500 mV/división 500 mV/división
Acoplamiento CA CA
Posición del eje

0 0
Y
Barrido 400 µs/división
Modo X/T
Canal de disparo A
Flanco de
Positivo
disparo
Tensión CC 15 V
Amplitud 2 Vpp
Factor de frecuencia 1k
Frecuencia 1 kHz
Entrada positiva V
118
119
Active el circuito sin conectar el generador de funciones, pero con el puente B1 insertado. El
puente B2 debe estar desconectado. Ajuste el punto de operación del transistor girando el
potenciómetro 1 de manera que la tensión UCE del transistor equivalga a aproximadamente
la mitad de la tensión de alimentación (7,5). ¿Qué valor de tensión se mide en el emisor del
transistor?
Tensión del emisor = 7,5___________________ V ¡Correcto!
Seleccione ahora en el generador de funciones una tensión alterna de onda sinusoidal de 2

Vpp con una frecuencia de 1 kHz y conéctelo al circuito. Mida las tensiones de entrada y de
salida y copie las curvas en el oscilograma que se encuentra a continuación:
Tensión de entrada
2_____________________ Vpp
Uin1 =
¡Correcto!
Tensión de salida
2_____________________ Vpp
Uout =
120
Calcule la ganancia del circuito dividiendo la tensión de salida por la de entrada.
Ganancia = 1___ ¡Correcto!
Ahora se determinará la impedancia de entrada del circuito. Con este fin, retire el puente B1
de manera que la resistencia RV de 10 Ω quede conectada en serie con la entrada.
Uin2 = 0,8___________________ V ¡Correcto!
Calcule ahora la resistencia de entrada por medio de la siguiente ecuación:
Resistencia de entrada = 5,5___________________ kΩ ¡Correcto!
¿Qué afirmaciones acerca del circuito de colector común son correctas?
La señal de salida está invertida en relación con la de

entrada.
 La señal de salida no está invertida en relación con la de
entrada.
¡Correcto!
 En esta clase de circuitos, el colector se conecta
directamente a la tensión de alimentación.
En esta clase de circuitos, el colector se conecta
directamente a masa.
121
Transistor de efecto de campo (FET)
122
En este ejercicio se medirán y analizarán las propiedades de los transistores de efecto de campo en
función de diversas curvas características.
Funcionamiento básico de los transistores de efecto de campo o FET.
Medición de la característica de salida.
Introducción
Transistores de efecto de campo
Los transistores de efecto de campo se dividen en dos grupos: los de unión FET y los de unión
MOSFET. El siguiente gráfico muestra un resumen de esta clasificación.
Salvo en algunos diseños especiales, los transistores tienen tres terminales que reciben el nombre
de «fuente», «puerta» y «drenaje» y que corresponden respectivamente al emisor, la base y el
colector de los transistores bipolares.
123
A continuación se representan los correspondientes símbolos de circuito:
Denominación Tipo canal N Tipo canal P
FET de capa de barrera
MOSFET en modo de
empobrecimiento
MOSFET en modo de
enriquecimiento
124
Funcionamiento
El diseño básico de un transistor bipolar se compone de tres capas de silicio con dopajes tipo N y P,
además de dos uniones P-N. Entretanto, este transistor bipolar ha sido reemplazado en muchas
aplicaciones por otro tipo de componentes más modernos con solo una unión P-N. Estos reciben el
nombre de «transistores de efecto de campo o FET (por sus siglas en inglés)». Por regla general, su
fabricación es más barata y sencilla que la de los bipolares y su estructura se presta todavía más a
la miniaturización. La mayoría de los transistores que forman parte de circuitos integrados y
microprocesadores son de este tipo.
Un transistor de efecto de campo sencillo está formado por un fino bloque de silicio dopado. En la
mitad de este bloque se integra una región también dopada pero con el tipo de material opuesto.
Esto se hace agregando las impurezas adecuadas en un punto único, que luego se propaga por el
silicio. Se crea, además, una conexión eléctrica con esa región. Adicionalmente, se implementan dos
conexiones más en los extremos del bloque. La conexión de la región media, de dopaje contrario, se
denomina «puerta», mientras que las dos conexiones de los extremos reciben el nombre de
«fuente» y «drenaje». El tamaño de la zona de diferente dopaje al de la puerta se determina de
manera que permanezca un delgado puente de silicio con el dopaje original. Si el silicio original tiene
un dopaje tipo N, la puerta recibe un dopaje tipo P y se deja un canal delgado con dopaje N. Por esta
razón dichos componentes se conocen como «FET de canal n» (véase la siguiente ilustración). Si,
de la misma manera, se usa material de dopaje P con una puerta de dopaje N, se tendrá como
resultado un transistor de efecto de campo de canal P. Los transistores de efecto de campo de
canal N se emplean con más frecuencia que los de canal P. La razón radica en que sus portadores
de carga más importantes son electrones, cuya movilidad es mayor que la de los huecos, elementos
que asumen el rol de portadores de carga en los transistores de efecto de campo de canal P. En
consecuencia, los transistores de efecto de campo del tipo de canal N, usualmente, son más rápidos
que los del tipo P.
125
Los transistores de efecto de campo N presentan normalmente en la puerta una tensión más
negativa que en la fuente. Esto significa que la unión P-N cuenta con polarización inversa. Este
efecto del transistor se produce debido a la capa de barrera o de agotamiento, que se forma en la
unión, en el sentido de polarización inversa. Una capa de barrera surge si los electrones del material
de dopaje N, localizado en la superficie de la unión, se combinan con los huecos del material de
dopaje P. Esto conduce a que, hacia ambos lados de la unión, exista una relativa falta de los
portadores de carga mayoritarios correspondientes. El material de dopaje N, que se encuentra en la
proximidad de la unión, pierde electrones, y el material de dopaje tipo P pierde huecos.
Si se aplica una tensión a través de la unión, que debe generar una polarización en sentido inverso,
los portadores de carga minoritarios, los electrones del material de dopaje P y los huecos del
material de dopaje N se ven atraídos por la unión, de manera que se producen nuevas
recombinaciones en su entorno y la capa de barrera se ensancha.
VGS = 1 V VGS = -3 V
Todo ensanchamiento de la capa de barrera del transistor de efecto de campo conduce a un

estrechamiento del canal conductor. La capa de barrera, en sí misma, conduce menos porque
presenta, comparativamente, menos portadores de carga. Así, la ampliación de esta capa, debido a
la tensión negativa de la puerta, conduce a un estrechamiento del canal y, por lo tanto, a un flujo de
corriente más débil entre el drenaje y la fuente. De manera similar, si se aplica una tensión más
positiva en la puerta, la capa de agotamiento se reduce. El canal se hace más amplio y aumenta el
flujo de corriente entre el drenaje y la fuente. Los cambios pequeños en la tensión de la puerta
producen variaciones considerables en la corriente drenaje-fuente y, en consecuencia, en la propia
tensión de drenaje. Por esa razón, los transistores de efecto de campo, al igual que los bipolares, se
usan como amplificadores de corriente y tensión.
Al igual que en el caso de los componentes bipolares, también existen configuraciones estándar
para circuitos amplificadores con transistores de efecto de campo. Las dos más importantes son la
configuración de fuente común, que corresponde a la de emisor común de los transistores bipolares,
y el modo de drenaje común que, en muchos aspectos, se asemeja al circuito de colector común.
Ambos configuraciones se analizarán en los siguientes ejercicios.
126
Transistor de efecto de campo con unión (JFET)
127
128
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Opciones 1 V/división 1 V/división
Acoplamiento CC CC
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 10 Vpp
Frecuencia 50 Hz
129
130
Registre la característica del circuito y copie el oscilograma en el siguiente recuadro (no olvide
seleccionar el modo XY en el osciloscopio:
¿Qué afirmaciones son correctas?
 El transistor opera en modo de agotamiento.

El transistor opera en modo de enriquecimiento.
El factor de ganancia es constante.
 La resistencia de entrada de los transistores de efecto de ¡Correcto!
campo es mayor que la de los transistores bipolares.
La corriente de entrada de los transistores de efecto de
campo, en comparación con la de los transistores bipolares,
es claramente mayor.
131
132
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 16 Vpp
Frecuencia 50 Hz
Entrada positiva V
133
134
Registre la característica de salida de un JFET. A este fin, conecte los componentes como se
observa en la imagen anterior. La tensión UGS carece de signo. Seleccione en el osciloscopio
el modo XY.
UGS= 1,2 V UGS= 2,0 V
UGS= 3,0 V UGS= 4,0 V
Si la tensión entre el drenaje y la fuente es baja, el canal se comporta como una resistencia
óhmica lineal y, si se deja que la tensión UGS, partiendo de 0, se vuelva cada vez más
negativa, las zonas de la capa de barrera se agrandan dentro del canal. De ahí que disminuya
la sección transversal del canal y aumente su resistencia. Si el voltaje de la puerta ha llegado
a lo que se conoce como «tensión de estrangulamiento», las capas de bloqueo se cierran y el
transistor de efecto de campo no conduce corriente.
¿Con qué tensión UGS bloquea el FET por completo la corriente?
UGS = 4___ V ¡Correcto!
135
Transistor de efecto de campo de metal óxido
semiconductor (MOSFET)
136
137
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 16 Vpp
Frecuencia 50 Hz
138
139
Registre la característica del circuito con el osciloscopio y copie el oscilograma en el siguiente
recuadro. No olvide seleccionar el modo XY en el osciloscopio:
¿Con qué tensión de control conduce el MOSFET?
UGS = 2,5_ V ¡Correcto!
¿Qué afirmaciones son correctas?
 El MOSFET aquí usado es un transistor de canal N.

Este transistor consta de cuatro capas semiconductoras.
La resistencia diferencial es constante. ¡Correcto!
 El MOSFET opera hasta su zona de estrangulamiento.
 Este transistor opera en modo de enriquecimiento
140
141
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/Y
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 16 Vpp
Frecuencia 50 Hz
Entrada positiva V
142
143
Registre la curva característica de salida de un MOSFET. Para ello, conecte los
componentes como se muestra en la imagen anterior. La tensión UGS carece de signo.
Seleccione en el osciloscopio el modo XY.
UGS= 2,0 V UGS= 2,5 V
UGS= 3,0 V UGS= 3,5 V
Ajuste la tensión de la puerta en 3 V. ¿Qué valor tiene la corriente de estrangulamiento?
Iestr. = 1,5_ mA ¡Correcto!
144
Asigne correctamente las siguientes afirmaciones.
JFET MOSFET
Mayor resistencia de entrada
Modo de agotamiento ¡Correcto!
Modo de enriquecimiento
Resistencia diferencial constante
145
Tiristor
146
Este ejemplo muestra de qué manera se puede utilizar un tiristor como conmutador electrónico. Se
analizará el mecanismo de encendido y el retorno al estado inicial del componente.
Funcionamiento de los tiristores.
Activación y desactivación.
Uso de un condensador como fuente de voltaje para el impulso de reposición del
componente.
Introducción
Los tiristores son elementos semiconductores que se usan en muchas aplicaciones en lugar de
conmutadores mecánicos y relés.
Al igual que los diodos, tienen una curva característica de conducción y bloqueo. No obstante, al
contrario que los diodos, solo conducen en sentido directo si una tensión adecuada se aplica a su
tercer electrodo de control, conocido también como «puerta».
El tiristor se enciende sencillamente, sin embargo, no es fácil su retorno al estado de bloqueo. Esto
se puede comprender examinando su estructura interna y su circuito equivalente.
Kathode = Cátodo Gate = Puerta Anode = Ánodo
147
Las cuatro capas semiconductoras, con tres uniones P-N, forman, por lo menos, una capa de
barrera que depende de la polaridad de la tensión aplicada. Si el ánodo es negativo con respecto al
cátodo, se generan dos capas de barrera, pero si es positivo, solamente aparecerá una.
Si se aplica una tensión adecuada al terminal de control (puerta) y si el ánodo es positivo, la capa de
barrera se contrae y el tiristor se activa, es decir, empieza a conducir. Tal estado se mantiene hasta
que la corriente que fluye a través del tiristor caiga por debajo de un valor determinado, denominado
«corriente de mantenimiento», con lo que el tiristor se desactiva. Las capas de barrera vuelven a
aparecer.
Con esto podemos concluir que, para desactivar el tiristor, se necesitan circuitos especiales o que la
curva de corriente, tal como se desplaza cuando se trata de corriente alterna, pase por cero.
El funcionamiento de este componente se ilustra por medio del gráfico siguiente, donde se muestra
su estructura y el circuito equivalente con dos transistores complementarios:
La corriente de la puerta activa la base de uno de los transistores, el mismo que, a su vez, activa el
segundo transistor. Si los dos permanecen encendidos, se mantendrá el estado de conducción.
148
Ejercicio: Curva característica del tiristor
149
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/T
Canal de disparo -
Flanco de disparo -
Amplitud 20 Vpp
Frecuencia 50 Hz
150
151
Ajuste el potenciómetro P1 de manera que el disparo de control por ángulo de fase se
produzca con 5 V. A continuación, almacene el oscilograma.
Modifique el ajuste del potenciómetro. ¿Qué se puede observar?
No hay absolutamente ningún cambio en el oscilograma.

La posición de fase del punto de conmutación cambia y el
tiristor cambia de estado en otro momento. ¡Correcto!
El tiristor siempre conmuta en el mismo momento.
¿Qué observación puede hacer con respecto a la característica del tiristor?
Las semiondas positiva y negativa tienen un trazo idéntico.

La característica del tiristor presenta una simetría especular.
 El tiristor conduce durante la semionda positiva y bloquea ¡Correcto!
durante la negativa: por este motivo la característica no es
simétrica.
152
Ejercicio: El tiristor como conmutador
153
Equipos
Equipo Ajustes
Tensión CC 20 V
Entrada positiva V
154
155
Si se aplica al terminal de control G un impulso positivo a través del conmutador, el tiristor pasa a un
estado de baja resistencia y permanecerá en dicho estado hasta que la corriente de mantenimiento
caiga por debajo de su valor nominal, con lo que volverá a oponer una alta resistencia.
En nuestro ejercicio, se aplica una tensión positiva en la entrada de control G del tiristor, a través de
un conmutador, para que el componente actúe como conductor. Con el tiristor en estado de baja
resistencia, esta tensión puede tener un valor de unos pocos miliohmios. Para evitar que el
componente se queme, se conecta una resistencia lo suficientemente elevada en el circuito del
tiristor y, de ese modo, se limita la corriente.
Si se presiona el pulsador se aplica en el cátodo del tiristor un pulso breve y positivo en relación con
la puerta G, con lo que el componente retorna al estado de bloqueo presentando una alta
resistencia. De esta manera se interrumpe el flujo de corriente.
Seleccione un voltaje de 20 V en la fuente de alimentación de tenisón continua . Encienda

brevemente el circuito y, entonces, apáguelo. ¿Qué se puede observar?
La bombilla se enciende y se vuelve a apagar.

La bombilla permanece apagada. ¡Correcto!
La bombilla se enciende y se mantiene en ese estado.
Accione ahora el pulsador. ¿Qué se puede observar?
La bombilla se apaga de nuevo.

La bombilla empieza a iluminarse.
¡Correcto!
La bombilla se enciende brevemente y después se apaga.
La bombilla se apaga brevemente y luego se enciende.
Pulse nuevamente el conmutador de modo que la bombilla se encienda. Mida la tensión en

el tiristor.
Udirecta = 0,5___________________ V ¡Correcto!
156
Ahora pulse el interruptor para que la bombilla se apague. Mida la tensión en el tiristor.
Uinversa = 20____________________ V ¡Correcto!
157
Ejemplo práctico: Regulador («dimmer»)
158
Control de fase con DIAC o TRIAC
Aquí aprenderá cómo utilizar un DIAC o un TRIAC para regular la potencia suministrada a la carga
de un circuito de corriente alterna.
Funcionamiento de un DIAC y un TRIAC.
Activación y desactivación de un TRIAC.
Introducción
DIAC
Un DIAC, también conocido como «diodo bidireccional», es un dispositivo compuesto por tres
diferentes capas semiconductoras (ver figura). Básicamente, se trata de un circuito antiparalelo de
dos diodos. La polarización del diodo bidireccional no desempeña ningún papel en su
funcionamiento. Una de las dos uniones P-N opera siempre polarizada en sentido inverso.
A diferencia de los diodos «convencionales», el DIAC solo conduce cuando alcanza su tensión
disruptiva. Si la tensión cae por debajo de determinado valor, llamado «tensión de mantenimiento»,
el DIAC vuelve a su estado de alta resistencia.
159
TRIAC
El TRIAC es un dispositivo semiconductor que se utiliza en muchas aplicaciones en lugar de los
interruptores mecánicos, los relés, de los transistores de conmutación o de reguladores de tensión o
potencia.
A diferencia de un tiristor, el TRIAC tiene en ambas direcciones una característica de conducción y

es comparable en su respuesta y curva característica a dos tiristores conectados en antiparalelo.
El funcionamiento del TRIAC se puede explicar dividiéndolo en dos tiristores. Las cuatro capas
semiconductoras de los dos, con sus tres uniones P-N, forman, en función de la polaridad de la
tensión aplicada, al menos, una capa de barrera.
Si se aplica una tensión adecuada al terminal de control (puerta) y el ánodo es positivo, la capa de
barrera de uno de los tiristores se contrae y este componente se activa, es decir, empieza a
conducir. Tal estado se mantiene hasta que la corriente que fluye a través del TRIAC haya caído por
debajo de un determinado valor, denominado «corriente de mantenimiento» con lo que el
componente se desactiva. Las capas de barrera vuelven a aparecer. Esto significa que un TRIAC
solo se apaga si la corriente pasa por cero (cae por debajo del valor de la corriente de
mantenimiento), hecho que ocurre normalmente con la tensión alterna. El funcionamiento del TRIAC
se ilustra por medio del gráfico siguiente, donde se muestra su estructura y el circuito equivalente de
los dos tiristores:
La corriente activa la puerta de uno de los tiristores y este pasa al estado de conducción en sentido
directo. Un TRIAC no se puede desactivar por medio de la puerta.
160
Ejercicio: DIAC
161
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/T
Canal de disparo A
Tensión CA 24 V
162
163
Dado que el osciloscopio tiene un límite de representación de 5 voltios por división, para evitar
este problema en el ejercicio actual resulta necesario, en lugar de las conexiones comunes,
ajustar un ciclo de trabajo de 1:10 para las sondas de prueba (regulador deslizante en la
posición «X10») (véase el ejemplo de montaje). A continuación, en el canal correspondiente,
seleccione la opción de «X10» en el menú de división de muestreo. Así es también posible la
visualización de la señal de medición incluso con la configuración presente hasta ahora de 5
voltios por división.
Seleccione en el osciloscopio los valores especificados anteriormente. Gire el potenciómetro

desde el tope derecho hasta el izquierdo y observe el oscilograma. Ahora ajuste el
potenciómetro de forma que pueda ver la máxima tensión de la curva característica (puntos
de inflexión de los valores pico) y regístrela:
164
Interprete el resultado. ¿Cuáles de las siguientes afirmaciones son correctas?
La característica del DIAC es simétrica debido al hecho de

que los diodos tienen características de esa naturaleza.
La característica del DIAC es asimétrica.
 La característica del DIAC es simétrica. Posee las mismas
propiedades en las dos direcciones de conducción de
corriente.
 La corriente que pasa a través del DIAC aumenta
¡Correcto!
lentamente a medida que el voltaje lo hace, hasta que
alcanza la tensión disruptiva; a partir de ese momento la
corriente se eleva bruscamente.
La corriente que circula a través del DIAC no cambia en lo
absoluto.
La corriente que circula a través del DIAC presenta la misma
respuesta que tendría ante una carga resistiva.
¿Cuál es el valor de la tensión disruptiva?:
Udisruptiva = 30_____ V ¡Correcto!
165
Ejercicio: TRIAC
166
Equipos
Equipo Ajustes
Canal A Canal B
Acoplamiento CC CC
Modo X/T
Canal de disparo A
Tensión CA 24 V
167

Dado que el osciloscopio tiene un límite de representación de 5 voltios por división, para evitar
este problema en el ejercicio actual resulta necesario, en lugar de las conexiones comunes,
ajustar un ciclo de trabajo de 1:10 para las sondas de prueba (regulador deslizante en la
posición «X10») (véase el ejemplo de montaje). A continuación, en el canal correspondiente,
seleccione la opción de «X10» en el menú de división de muestreo. Así es también posible la
visualización de la señal de medición incluso con la configuración presente hasta ahora de 5
voltios por división.
168
Seleccione en el osciloscopio los valores especificados anteriormente y registre las tensiones.
A tal fin, gire el potenciómetro hasta el tope derecho.
UT = voltaje que circula a través del TRIAC; UL= voltaje que circula a través de la carga (L);
UG= voltaje aplicado en la puerta (G) del TRIAC.
UT // UL UT // UG
¿Con qué valor de tensión se activa un TRIAC?
UG = 0,9____ V ¡Correcto!
169
Copyright
¡Felicidades!
¡Ha llegado a la última página!. De esta manera ha finalizado el curso de «Componentes
semiconductores».
Copyright © 2015 LUCAS-NÜLLE GmbH
El presente curso de «Componentes semiconductores» tiene reservados los derechos a la

propiedad intelectual. Reservados todos los derechos. Sin el permiso por escrito de LUCAS-
NÜLLE GmbH, el documento no puede ser reproducido en ninguna forma, sea por fotocopia,
microfilm o algún otro procedimiento, ni tampoco puede ser transferido a algún lenguaje legible por
máquinas, en especial por instalaciones de procesamiento electrónico de datos.
El software descrito se suministra sobre la base de un contrato general de licencia o por licencia
única.
Se permite la utilización o la reproducción del software únicamente en concordancia con las
condiciones del contrato.
En el caso de que se realicen modificaciones por parte de una instancia no autorizada por LUCAS-
NÜLLE GmbH, desaparece ante ello la responsabilidad civil del fabricante, así como cualquier
eventual reclamación de los derechos que ofrece la garantía.
170
Excellence in Technology and Training Solutions
www.lucas-nuelle.com
Siemensstraße 2 • D-50170 Kerpen • Tel. +49 2273 567 - 0

SH5002-7H Esn

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

SH5002-7H Esn

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Curso EloTrain: «Componentes semiconductores»

Curso n.°:SH5002-7H versión 2.0

Autor: Equipo de autores de Lucas-Nülle

Placa de conexiones y conectores puente 6

Instrucciones para la experimentación 10

Introducción a los semiconductores 17

Conductores, aislantes y semiconductores 18

Estructura del cristal de silicio 24

Resistividad de los semiconductores 26

Conductividad y respuesta a la temperatura 27

Diodos en circuitos de corriente continua y alterna 31

Metas de aprendizaje e introducción 32

Ejercicio: Efecto de válvula de un diodo 35

Ejercicio: Curva característica del diodo 39

Rectificadores puente y de semionda 44

Metas de aprendizaje e introducción 45

Ejercicio: Rectificador de semionda 50

Ejercicio: Rectificador puente 56

Metas de aprendizaje e introducción 64

Ejercicio: Diodo luminoso 68

Metas de aprendizaje e introducción 74

Ejercicio: Diodo Zener 76

El transistor como conmutador 84

Metas de aprendizaje e introducción 85

Ejercicio: Respuesta en tensión continua 87

Curvas características de los transistores 90

Ejercicio: Respuesta en tensión alterna 91

Ejercicio: Características de control 95

Ejercicio: Curva característica de entrada 101

Ejercicio: Curva característica de salida 105

Circuitos sencillos de transistores 110

Metas de aprendizaje e introducción 111

Ejercicio: Circuito de emisor común 113

Ejercicio: Circuito de colector común 117

Transistor de efecto de campo (FET) 122

Metas de aprendizaje e introducción 123

Transistor de efecto de campo con unión (JFET) 127

Ejercicio: Curva característica de entrada 128

Ejercicio: Curva característica de salida 132

Transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET) 136

Ejercicio: Curva característica de entrada 137

Ejercicio: Curva característica de salida 141

Metas de aprendizaje e introducción 147

Ejercicio: Curva característica del tiristor 149

Ejercicio: El tiristor como conmutador 153

Ejemplo práctico: Regulador («dimmer») 158

Metas de aprendizaje e introducción 159

Ejercicio: DIAC 161

Ejercicio: TRIAC 166

Panel EloTrain de piezas para insertar de 4

C LM6210 Osciloscopio digital con memoria

D LM2332 Instrumento multifunción de medición

Diversos componentes EloTrain para insertar

SO5146-1M Puentes de cable y conectores puente

Todas las piezas de experimentación se montan sobre una

Cada nodo consta de 1 casquillo de seguridad de 4 mm y de 4

Las estructuras de bus están diseñadas para suministrar

El contacto dirigido hacia los componentes para insertar o

• Componentes electromecánicos • Resistores • Resistores no lineales

• Condensadores electrolíticos • Bobinas • Ledes

• Diodos • Potenciómetros • Condensadores

• Altavoces • Bombillas • Diodos Zener

• Amplificadores operacionales • Inductancias • Transistores