Construccin[editar]

Material semiconductor[editar]
Caractersticas del material semiconductor

Material
semicondu
ctor

Tensin
directa
de la
unin
V@
25 C

Movilidad de
electrones
m2/(Vs) @
25 C

Movilidad
de huecos
m2/(Vs) @
25 C

Mxima
temperatura
de unin
C

Ge

0.27

0.39

0.19

70 a 100

Si

0.71

0.14

0.05

150 a 200

GaAs

1.03

0.85

0.05

150 a 200

Al-Si

0.3

150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unin se fabricaron con

germanio (Ge). Los transistores de Silicio (Si) actualmente
predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de
alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin semiconductora de siliciogermanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento
(Ge y Si) se describe como elemental.
Los parmetros en bruto de los materiales semiconductores ms
comunes utilizados para fabricar transistores se dan en la tabla
adjunta; estos parmetros variarn con el aumento de la
temperatura, el campo elctrico, nivel de impurezas, la tensin, y
otros factores diversos.
La tensin directa de unin es la tensin aplicada a la unin emisorbase de un transistor bipolar de unin con el fin de hacer que la
base conduzca a una corriente especfica. La corriente aumenta de
manera exponencial a medida que aumenta la tensin en directa de
la unin. Los valores indicados en la tabla son las tpicos para una
corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto ms bajo es la tensin de la unin en
directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energa
para colocar en conduccin al transistor. La tensin de unin en
directa para una corriente dada disminuye con el aumento de la
temperatura. Para una unin de silicio tpica, el cambio es de -2.1
mV / C. 34 En algunos circuitos deben usarse elementos
compensadores especiales (sensistores) para compensar tales
cambios.

La densidad de los portadores mviles en el canal de un MOSFET es

una funcin del campo elctrico que forma el canal y de varios
otros fenmenos tales como el nivel de impurezas en el canal.
Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricacin de un MOSFET, para controlar su
comportamiento elctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de
la tabla muestran la velocidad media con que los electrones y los
huecos se difunden a travs del material semiconductor con un
campo elctrico de 1 voltio por metro, aplicado a travs del
material. En general, mientras ms alta sea la movilidad
electrnica, el transistor puede funcionar ms rpido. La tabla
indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes
deficiencias en comparacin con el silicio y arseniuro de galio:
1. Su temperatura mxima es limitada.
2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricacin de circuitos
integrados.
Diagrama de Transistor NPN
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como
el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son
intermedias entre las de un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el
sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas
sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones,
como el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan
portadores de carga Positiva o huecos) se logran contaminando con
tomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.