Aula 06

Polarizao do MOSFET
(pg. 216 a 223)

Prof. Dr. Aparecido Nicolett

PUC-SP

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MOSFET Tipo Depleo

Polarizao do MOSFET: Similar ao JFET, porm admite VGS positivos e negativos

e ID pode ser maior que IDSS.

JFET canal N

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MOSFET tipo Depleo canal N

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Exemplo 6.7:
a)

IDQ, VGSQ.

b)

VDS

Para o MOSFET tipo depleo de canal N da figura 6.30, determine:

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MOSFET Tipo Intensificao

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Polarizao com Realimentao

RG oferece um alto valor

de VGS, pois IG = 0A,
VRG = 0 V e VD = VG

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Equivalente CC
Para o circuito, tem-se:
VD = VG VDS = VGS [6.27]
VDS = VDD ID.RD VGS = VDD ID.RD [6.28]
Para ID = 0 A VGS = VDD [6.29]
Para VGS = 0 V ID = VDD/RD [6.30]

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Mtodo Grfico

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Exemplo 6.11:
6.40.

Determinar IDQ e VDSQ para o MOSFET tipo intensificao da fig.

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Polarizao com Divisor de Tenso

Sendo IG = 0 A, tem-se:

VG = R 2

VDD
R1 + R 2

[6.31]

Pela malha, tem-se:

VGS = VG ID.RS [6.32]

VDS = VDD ID.(RS + RD) [6.33]

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Exemplo 6.12:

Determinar IDQ, VGSQ e VDSQ para o circuito da fig. 6.44.