UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

ESCOLA POLITCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM
ENGENHARIA ELTRICA

ANA JLIA RODRIGUES FERNANDES DE OLIVEIRA

Propriedades de Guias e Dispositivos pticos com

Periodicidade Subcomprimento de Onda

Tese de Doutorado em Engenharia Eltrica

Orientador
Vitaly Flix Rodrguez Esquerre

SALVADOR, 2016

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

ESCOLA POLITCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA
ELTRICA

Propriedades de Guias e Dispositivos pticos com

Periodicidade Subcomprimento de Onda

Aluna: Ana Jlia Rodrigues Fernandes de Oliveira

Orientador: Prof. Dr. Vitaly Flix Rodrguez Esquerre

Tese

submetida

Graduao

em

ao

Programa

Engenharia

de

Eltrica

Psda

Universidade Federal da Bahia como parte

dos requisitos necessrios para obteno do
grau de Doutor em Engenharia Eltrica, sob a
orientao do professor Dr. Vitaly Flix
Rodrguez Esquerre.

rea de Concentrao: Processamento de Informao e Energia

Linha de Pesquisa: Processamento e Transmisso da Informao

SALVADOR BA
2016

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

ESCOLA POLITCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM
ENGENHARIA ELTRICA

_____________________________________________________
PROPRIEDADES DE GUIAS E DISPOSITIVOS PTICOS
COM PERIODICIDADE SUBCOMPRIMENTO DE ONDA
TESE DE DOUTORADO

Autor: Ana Jlia Rodrigues Fernandes de Oliveira

Orientador: Vitaly Flix Rodrguez Esquerre

Tese de Doutorado aprovada em 05 de agosto de 2016 pela banca examinadora composta

pelos seguintes membros:
___________________________
Prof. Dr. Vitaly Felix Rodriguez Esquerre

___________________________
Prof. Dr. Rodrigo Gusmo Cavalcante

___________________________
Prof. Dr. Ben-Hur Viana Borges

___________________________
Prof. Dr. Karcius Day Rosrio

___________________________
Prof. Dr. Robson Nunes de Lima

AGRADECIMENTOS

Gostaria de agradecer primeiramente ao meu marido, Rodrigo, e a minha filha, Maria Jlia.
A ele por ter pacincia e me incentivar sabendo que este um dos maiores sonhos da minha vida,
e a ela por existir e me dar motivos para tentar ser melhor, sempre.
Aos meus irmos Jlio e Juliano por serem to crticos e assim me inspirarem a procurar o
melhor.
Ao meu pai, por ter me dado educao necessria para saber que devo continuar lutando e
melhorando na vida, sempre com honestidade e estudo.
Ao meu orientador, por acreditar em mim e por dedicar tanto tempo me ajudando nas pesquisas e
procurando ideias para que pudssemos acrescentar ao trabalho.
Aos meus sogros e amigos que me ajudaram, seja cuidando da minha princesa ou torcendo (de
longe, principalmente) por esta tese.
equipe do IMEC (Blgica), principalmente Philippe e Joris, por terem acreditado no meu
trabalho e me apresentado a uma parte mais prtica do trabalho.
banca designada a avaliar este trabalho, Professores Dr. Bem Hur Borges, Dr Rodrigo
Cavalcante, Dr Karcius Rosrio e Dr. Robson Lima, pelas sugestes construtivas e por dedicar
tanto tempo a ele.
Em especial agradeo a minha me, j falecida, que durante toda a sua vida foi uma mulher
guerreira, sem medir esforos para realizar os sonhos e me dar tudo o que fosse necessrio.

RESUMO

A propagao em guias de ondas, cruzamentos e acopladores direcionais compostos de

um novo tipo de guias denominados guias peridicos segmentados, atendendo a diversas
necessidades, vem sendo amplamente analisada. O objetivo principal deste trabalho dar
continuidade a pesquisas relacionadas a novas configuraes de guias de ondas e propor
novos dispositivos que permitam a manipulao da luz como, por exemplo, o Interfermetro
Multimodo. Neste trabalho, diversos interfermetros compostos de geometrias com
dimenses submicromtricas foram analisados no domnio da frequncia, e diferentes
distncias de acoplamento foram obtidas dependendo dos parmetros considerados,
permitindo ao projetista do circuito selecionar qual modelo deseja utilizar de acordo com a
sua necessidade. Interfermetros baseados em guias de ondas com formatos segmentados,
com nanofios e com quadrados foram analisados, variando todos os seus parmetros. Tambm
foram propostos

guias

com

anisotropia

artificial,

gerada

por

multicamadas

de

subcomprimento de onda, com o objetivo de reduzir/eliminar a influncia da polarizao.

Ainda, guias de ondas e um estudo envolvendo materiais isotrpicos e anisotrpicos foi
desenvolvido, sendo possvel aumentar o leque de dispositivos obtidos. Para que houvesse um
embasamento prtico do que foi proposto e simulado at o momento, foram realizadas todas
as etapas anteriores fabricao, resultando na proposta de dispositivos MMIs segmentados
no Laboratrio IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre, Blgica).

Palavras-chave: Interfermetros Multimodais, materiais isotrpicos e anisotrpicos, guias de

ondas segmentados, guias de onda com nanofios, subcomprimento de onda.

ABSTRACT

The wave propagation in waveguides, directional couplers, and crossings composed of

a new type of waveguide, called segmented periodic guides has been widely studied
nowadays. The main objective of the current work is to continue the study in this area and
propose a new device that is able to couple efficiently the light with even smaller size, the
Multimode Interferometer. Several Interferometers were analyzed in the frequency domain,
and different coupling distances were obtained, allowing the circuit designer to choose which
model wants to use according to their needs. Interferometers based on segmented waveguides,
on nanowires waveguides or squares waveguides were analyzed, sweeping some physical
parameters. Also, artificial waveguides have been proposed, based on the anisotropy effect
generated by subwavelength multilayered materials, in order to reduce/eliminate the
polarization influence. In addition, waveguides and a study of isotropic and anisotropic
materials were developed, giving us the possibility on increasing the range of devices
obtained. In order to have a practical basis of what was proposed and simulated, all the steps
before the manufacture were performed in the IMEC laboratory (Interuniversity
Microelectronics Centre, Belgium), resulting in some segmented MMI proposals.

Keywords: Multimode Interferometer, Isotropic and Anisotropic Material segmented

waveguides nanowire waveguides, subwavelength.

LISTA DE FIGURAS

Figura 1. 1 Fluxo de criao de um projeto de dispositivo fotnico (adaptada de [14] ) ...... 23

Figura 1. 2 Imagem de um guia de onda Segmentado [25] ..................................................... 25
Figura 1.3 Representao do ndice equivalente nb em funo do comprimento de onda.
Adaptada de [24] ..................................................................................................................... 26
Figura 1. 4 Propagao da luz em uma estrutura peridica a) no regime de subcomprimento
de onda b) no bandgap c) quando a luz e irradiada. Adaptada de[24] .................................. 26
Figura 1.5 Conversores de modo da fibra para o chip [36] .................................................... 29
Figura 1.6 Interfermetro Multimodo 2x2 baseado em um guia de subcomprimento de onda
no centro. Adaptada de [24] .................................................................................................... 31
Figura 1.7 Geometria de um Interfermetro segmentado. Adaptada de [24] ......................... 32
Figura 2.1 (a) Esquemtico da clula unitria em 3D do guia de onda segmentado (b)
Acoplador segmentado ............................................................................................................. 37
Figura 2.2(a) Esquemtico da clula unitria em 3D do guia de onda nanofio (b) Acoplador
nanofio ...................................................................................................................................... 38
Figura 2.3 Interfermetro Multimodo 2x2 ............................................................................... 39
Figura 2.4 Esquemtico 3d do interfermetro com guias de ondas segmentados. ................. 41
Figura 2.5 (a) Esquemtico da clula unitria em 2D (b) malha tpica e zoom da rea central
.................................................................................................................................................. 42
Figura 2.6 Modos suportados em um guia segmentado com w=5m, perodo 190nm e duty
cycle 50%. ................................................................................................................................ 43
Figura 2.7 Distribuio espacial do campo para o modo (a) fundamental e (b) primeira
ordem do modo TE e distribuio espacial do campo magntico para (c) fundamental e (d)
primeira ordem do modo TM. .................................................................................................. 43
Figura 2.8 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com comprimento (a) 5 m (b)
6 m e (c) 7 m para polarizao Ez ....................................................................................... 44
Figura 2.9 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com comprimento (a) 5 m (b)
6 m e (c) 7 m para polarizao Hz ....................................................................................... 45
Figura 2. 10 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com smbolos cheios e seus
equivalentes com smbolos vazios para polarizao Hz .......................................................... 46
Figura 2. 11(a) Clula Unitria (b) Aproximao nos nanofios (c) Malha da Clula Unitria
.................................................................................................................................................. 47
Figura 2. 12MMI formado por guia de onda com nanofios de silcio. .................................... 47
Figura 2. 13 Modos suportados em um guia com nanofio: w=5m, r= 60nm e duty cycle
50%........................................................................................................................................... 48
Figura 2. 14 Comprimento de acoplamento de MMIs com nanofios com raios (a) 50 nm (b)
60 nm e (c) 70 nm para polarizao Ez ................................................................................... 48
Figura 2. 15 Comprimento de acoplamento de MMIs com nanofios com raios (a) 50 nm (b)
60 nm e (c) 70 nm para polarizao Hz ................................................................................... 48
Figura 2. 16 Distribuio espacial do campo eltrico para o modo (a) fundamental e (b) de
primeira ordem da polarizao TE e a distribuio espacial do campo magntico para o
modo TM (c) fundamental e (d) de primeira ordem. (o eixo horizontal foi expandido para
melhor visualizao) ................................................................................................................ 49
Figura 2.17 Distncia de acoplamento para MMIs baseados em nanofios com smbolos
cheios equivalentes com smbolos vazios para polarizao Hz ............................................... 50
Figura 2. 18(a) Clula Unitria (b) Detalhe dos quadrados (c) Malha da Clula ................. 50
Figura 2. 19 MMI formado por guia de onda com quadrados de silcio ................................ 51

Figura 2.20 Comprimento de acoplamento para os interfermetros formados por guias com
quadrados com lado s=0,5m e =150 nm (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. Lado s =
0,6 m e =180 nm (c) Polarizao Hz (d) Polarizao Ez, e s=0,7m =210 nm (e)
Polarizao Hz (f) Polarizao EZ........................................................................................... 52
Figura 2.21Comprimento de acoplamento para os interfermetros formados por guias com
quadrados com lado s = 1,0 m e = 150 nm (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. Aresta
s=1,2m =180 nm (c) Polarizao Hz (d) Polarizao Ez, e Aresta s = 1,4 m e = 210 nm
(e) Polarizao Hz (f) Polarizao Ez. .................................................................................... 53
Figura 3. 1(a)Clula Unitria do guia de onda formado por slica e ar (b) Esquema de cores
representando os materiais (c) malha de elementos finitos ..................................................... 56
Figura 3.2 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=180 m e com w = (a) 135 m (b) 180 m (c) 225 m e (d) 270 m com polarizao Hz ... 57
Figura 3.3Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=180 m e com w = (a) 135 m (b) 180 m (c) 225 m e (d) 270 m com polarizao Ez . 58
Figura 3.4 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=210 m e com w = (a) 105 m (b) 157 m (c) 210 m e (d) 262 m com polarizao Hz ... 58
Figura 3.5 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=210 m e w = (a) 105 m (b) 157 m (c) 210 m e (d) 262 m com polarizao Ez. ........... 59
Figura 3.6 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =
240 m e com w = (a) 120 m (b) 180 m (c) 240 m e (d) 300 m com polarizao Hz ...... 60
Figura 3.7 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=240 m e com w = (a) 120 m (b) 180 m (c) 240 m e (d) 300m com polarizao Ez ..... 60
Figura 3.8 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=270 m e com w = (a) 135 m (b) 202 m (c) 270 m e (d) 337 m com polarizao Hz. .. 61
Figura 3.9 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de
=270 m e com com w = (a) 135 m (b) 202 m (c) 270 m e (d) 337 m com polarizao Ez
.................................................................................................................................................. 62
Figura 4.1 (a)Clula Unitria do guia de onda formado por telrio e silcio (b) Esquema de
cores representando os materiais (c) malha de elementos finitos ........................................... 67
Figura 4.2 Curvas de disperso para guia de onda formado de silcio e telrio com duty cycle
de 50% (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. ...................................................................... 67
Figura 4.3 Curvas de disperso para guia de onda formado de silcio e telrio com perodo
de =1m (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. ................................................................ 68
Figura 4.4(a) Metamaterial composto de mltiplas camadas e (b) material anisotrpico
equivalente ............................................................................................................................... 69
Figura 4. 5(a) Multicamada peridica de guia de onda segmentado. (b) Multicamada de guia
de onda com nanofios. Os segmentos e nanofios so compostos de camadas de slica/silcio
com subcomprimento de onda e coberto por SiO2. ................................................................. 70
Figura 4.6. Aproximao 2D do(a) guia de onda peridico segmentado e (b) guia de onda
com nanofios; composto de multicamadas dieltricas. ............................................................ 71
Figura 4.7 ndices de refrao paralelo e perpendicular para uma estrutura de mltiplas
camadas composta de silcio e slica. ...................................................................................... 72
Figura 4.8 Curvas de disperso dos guias de ondas segmentados PSWs em funo da razo
de silcio na multicamada, polarizao e duty cycle. .............................................................. 74
Figura 4.9 Frequncia de operao do PSW em funo do r considerando um valor fixo de kx
= 0.8 /. O valor de r indicado corresponde s condies onde ambas as polarizaes
exibem a mesma constante de propagao para uma dada frequncia de operao.............. 75
Figura 4. 10 Curvas de disperso dos guias de ondas PSWs em funo da razo de silcio na
multicamada, polarizao e duty cycle .................................................................................... 75

Figura 4. 11(a) Curva de disperso para frao volumtrica de silcio de 0,77 e distribuio
espacial dos campos (a) Ex e (b) Hx na frequncia de 200 THz. ............................................ 76
Figura 4. 12 ndices de refrao paralelo e perpendicular para uma estrutura de mltiplas
camadas compostas de silcio e nitreto de silcio. ................................................................... 77
Figura 4. 13. (a) Curva de disperso para frao volumtrica de silcio de 0,55 e distribuio
espacial dos campos (a) Ex e (b) Hx na frequncia de 200 THz. ............................................ 77
Figura 4.14 Curvas de disperso para guias de ondas de nanofios em funo da razo de
silcio na multicamada e polarizao para = 300 nm. ............................................................ 79
Figura 4. 15(a) Frequncia de operao do guia de onda com nanofio em funo do r
considerando um valor fixo de kx = 0.8 /. O valor de r indicado corresponde s condies
onde ambas as polarizaes exibem a mesma constante de propagao para uma dada
frequncia. ................................................................................................................................ 79
Figura 4. 16 Curvas de disperso para guias de ondas com nanofios com = 300 nm na
condio de polarizao independente. ................................................................................... 80
Figura B.1Janela de configurao do taper no ambiente CAD RSoft. .................................... 88
Figura B.2Interfermetro multimodo no ambiente CAD RSoft. .............................................. 88
Figura B.3 Distribuio do ndice de refrao nas portas do MMI ........................................ 89
Figura B.4 Resultados das simulaes alterando o numero de ns da malha de elementos
finitos ........................................................................................................................................ 90
Figura B.5 Detalhe da modificao da distncia de acoplamento com a variao de ns da
malha de elementos finitos ....................................................................................................... 90
Figura B.6 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,5m ........................ 91
Figura B.7 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,7m ........................ 91
Figura B.8 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,9m ........................ 92
Figura B.9Distncia de acoplamento para acoplador direcional com alturas diferentes a) 150
nm e b)220 nm .......................................................................................................................... 93
Figura B.10Distncia de acoplamento para um MMI com W=6um e 50% de segmentao.. 93
Figura B.11Distncia de acoplamento para um MMI com w = 6um e 50% de segmentao 94
Figura B.12Fluxo de verificao de uma mscara de dispositivo fotnico [58] .................... 97
Figura B.13Mscara enviada para fabricao........................................................................ 99
Figura B.14 Aproximao da entrada da luz nos MMIs.......................................................... 99
Figura B.15Mscara completa e localizao dos MMIs na mesma. ..................................... 100
Figura B.16 Grfico de contorno para a perda na propagao ........................................... 100
Figura B.17Grfico de perda da luz no dispositivo para entrada da luz nos MMIs ............. 101
Figura C.1 Esquema de um MMI formato afunilado contnuo e segmentado......................... 98
Figura C.2 Simulao de um MMI formato afunilado contnuo com g = 5 e W0 = 24m.... 100
Figura C.3 Simulao de um MMI segmentado formato afunilado segmentado com g = 5 e
W0 = 24m.............................................................................................................................100
Figura D-1 Esquemtico do multicamadas anisotrpico....................................................101

LISTA DE TABELAS

Tabela 2-1Valores de comprimento de acoplamento para guias de ondas lados = 3s ........... 53

Tabela 2-2Valores de comprimento de acoplamento para guias de ondas com lados=2s...... 54
Tabela 4-1 Frequncia mxima de operao em funo da polarizao e da razo de silcio
.................................................................................................................................................. 73

LISTA DE SIMBOLOS

FEM

Mtodo dos Elementos Finitos

FDTD

Finite difference time domain Diferenas finitas no domnio do tempo

PBG

Photonic Band Gap (Banda fotnica proibida)

TM

Magntico Transversal

TE

Eltrico Transversal

PC

Photonic Crystal (Cristal Fotnico)

Te

Telrio

Si

Silcio

SiO2

Slica

no

ndice Ordinrio

ne

ndice Extraordinrio

ndice de Refrao

neff

ndice de Refrao Efetivo

neq

ndice de Refrao Equivalente

SWG

Subwavelength grating (grade de subcomprimento de onda)

NWS

Nanowire Segmented Waveguide (Guia de onda segmentado de nanofios)

PSW

Periodically Segmented Waveguide (Guia de onda periodicamente segmentado)

CWG

Continuous Waveguide (Guia de onda contnuo)

PML

Perfectly Matched Layer (Camada de Casamento Perfeito)

Perodo de um PSW

Diferena (contraste) de ndice de refrao

Duty cycle (ciclo de servio/trabalho)

MMI

Interfermetro multimodo

Lc

Distncia de acoplamento

Largura

Comprimento de onda

Raio

kx

Constante de propagao na direo x

Lbatimento

Comprimento de Batimento

WMMI

Largura do Interfermetro

LMMI

Comprimento do Interfermetro

Comprimento de acoplamento

Sumrio
Captulo 1..................................................................................................................... 19
1.

Introduo ............................................................................................................ 19

1.1. Contextualizao ................................................................................................................... 19

1.2. Justificativa ............................................................................................................................ 20
1.3. Objetivos ................................................................................................................................ 21
1.3.1. Objetivos Gerais ......................................................................................................................21
1.3.2. Objetivos Especficos ..............................................................................................................21

1.4. Metodologia .......................................................................................................................... 22

1.5 Contribuies .......................................................................................................................... 23
1.6 Estado da Arte ........................................................................................................................ 24
1.7. Organizao do Trabalho ..................................................................................................... 33
Captulo 2..................................................................................................................... 35
2.

Dispositivos baseados em guias no convencionais ............................................... 35

2.1Introduo ................................................................................................................................ 35
2.2 Interfermetros ...................................................................................................................... 39
2.2.1 Interfermetros Baseados em Guias de ondas Segmentados .............................................41
2.2.2 Interfermetros baseados em guias de ondas com nanofios...............................................47
2.2.3 Interfermetros baseados em guias de ondas com quadrados ............................................50

Captulo 3..................................................................................................................... 55
3.

Anlise de guias de ondas peridicos Isotrpicos .................................................. 55

3.1 Introduo ............................................................................................................................... 55

3.2 Anlise de guia de onda isotrpico ...................................................................................... 55
3.3 Anlise de guia de onda isotrpico ...................................................................................... 56
3.3 Concluso do captulo ........................................................................................................... 62
Captulo 4..................................................................................................................... 64
4.

Anlise de guias de ondas peridicos Anisotrpicos. ............................................. 64

4.1 Introduo ............................................................................................................................... 64

4.2 Formulao ............................................................................................................................. 65
4.3 Guias de onda baseados em Telrio .................................................................................... 66
4.4 Guias Anisotrpicos Baseados em Metamateriais ............................................................. 68
4.5 Guias segmentados ................................................................................................................ 72

4.6 Guias de ondas peridicos com Nanofios ........................................................................... 77

4.7 Concluso do Captulo ........................................................................................................... 80
Captulo 5..................................................................................................................... 81
5.

Concluses e sugestes para trabalhos futuros ..................................................... 81

6.

Publicaes Associadas ......................................................................................... 83

Anexo A - Clculo da Disperso em Guias Peridicos por Elementos Finitos ................. 85

Anexo B. Atividades realizada no IMEC - Otimizao da Simulao e Processo de
Fabricao. ................................................................................................................... 87
B.1 Introduo .............................................................................................................................. 87
B.2 Criao do ambiente CAD para a otimizao ..................................................................... 87
B.2.1 Convergncia da Malha ..........................................................................................................89
B.2.2 Simulao em duas e em trs dimenses ..............................................................................92
B.2.3 Broadband Behavior ................................................................................................................93

B.3. Processo de Fabricao de dispositivos Fotnicos ........................................................... 94

B.3.1. Fluxo de um projeto de dispositivo fotnico ......................................................................95
B.3.2 Elaborao de Mscara no Software Ipkiss .........................................................................96
B.3.3. Design no IPKISS ...................................................................................................................98

B.4 Concluses..................................................................................................................... 101

Anexo C - Interfermetro afunilado ............................................................................ 102
Anexo D Teoria da Homogeneizao........................................................................ 104
D.1 Permissividade Paralela Efetiva...................................................................................104
D.2 Permissividade Perpendicular Efetiva..........................................................................105
Bibliografia .........................................................................................................................107

Captulo 1
1.

Introduo

1.1. Contextualizao
Ao longo dos anos, a eletrnica tem proporcionado maiores taxas de processamento de
sinais a partir da reduo fsica dos transistores, permitindo-os operarem em frequncias da
ordem de centenas de GHz. Ainda assim, as capacitncias parasitas so significativas, quando
se pretende operar em frequncias maiores, tal como na faixa de THz [1].
Com a inveno do laser nos anos 60, uma fonte ptica que possibilitou o uso de uma
nova faixa do espectro eletromagntico de frequncias surgiu tambm o interesse nas
comunicaes pticas [2]. O laser possibilitou assim a contribuio para o desenvolvimento
de aplicaes na rea da ptica integrada. Porm, o problema dos dispositivos eletrnicos
torna-se ainda maior quando estes so usados em sistemas de comunicaes pticas, pois
neste os dados so adequadamente processados em frequncias operacionais muito altas
enquanto que a eletrnica limitada para suportar operao neste intervalo de frequncias to
elevado. Assim, existe uma tendncia em ambos os cenrios, mas principalmente nas redes de
telecomunicaes pticas, de minimizar o envolvimento da eletrnica manipulando e
transmitindo os sinais no domnio completamente ptico, sem que seja necessrio realizar
converses eletro/pticas, algo que ainda muito comum.
A ampliao das taxas de transmisso tem sido necessria em sistemas pticos cujas
principais caractersticas devem ser a transmisso de sinais com baixas perdas e a transmisso
de um grande volume de informaes por grandes distncias [3], [4]. Desta forma, para
suportar taxas de transmisso to elevadas, as redes de comunicaes completamente pticas
esto se tornando a meta tecnolgica mais ambiciosa. Portanto, provvel que o controle do
fluxo da luz em uma escala nanoscpica possa abrir uma nova era nos domnios da
computao e de chips totalmente pticos [5].
A motivao para a fabricao destes dispositivos reside na implementao de chips
totalmente pticos com escala de integrao comparvel quela dos modernos circuitos
eletrnicos. Isto torna possvel superar limitaes encontradas pelo transporte e
processamento de dados quando eltrons so utilizados, permitindo atender crescente
demanda de larguras de banda cada vez maiores no mundo globalizado [6].

19

Sendo assim, controlar o caminho, ou o fluxo da luz, tornou-se um dos principais

desafios das redes pticas modernas, pesquisas nesta rea vm sendo realizadas atualmente
por renomados pesquisadores [7]. Devido grande necessidade de se encontrar novos
mecanismos fsicos que possam melhorar a capacidade de manipular a luz e permitir assim os
circuitos totalmente pticos, comearam a surgir propostas de vrios dispositivos novos
como, por exemplo, os dispositivos com ndice de refrao manipulvel [8], [9] e os
dispositivos que funcionam independentes do tipo de polarizao [10]. Os dispositivos com
ndice de refrao manipulvel podem ser obtidos por meio da utilizao de materiais com
propriedades especficas como, por exemplo, os que tm diferentes respostas para
determinado tipo de polarizao. Guias no convencionais peridicos so estruturas formadas
pela repetio alternada de um perodo de determinado material, que resulta tambm em um
ndice de refrao diferente visto pela luz. Por isso, so chamados de dispositivos com ndice
manipulvel [10]. Os dispositivos que funcionam independentes do tipo de polarizao podem
ser obtidos tambm por meio desta periodicidade, porm os materiais so combinaes de
camadas de alguns materiais dieltricos especficos, que por consequncia provm um ndice
de refrao equivalente diferente.
notvel que o desenvolvimento de estruturas fotnicas possua um papel crucial no
avano da tecnologia em sistemas de comunicao e suas aplicaes. E quando se deseja
prever qualitativamente o comportamento de uma determinada estrutura fotnica, mtodos
numricos de menor complexidade que requeiram menores recursos computacionais e tempo
de processamento podem ser utilizados. Em particular, o Mtodo dos Elementos Finitos
(MEF) uma ferramenta poderosa e eficiente para as mais gerais estruturas fotnicas
(estruturas de forma arbitrria, materiais no homogneos, e meios anisotrpicos). Leva-se em
considerao a simulao computacional como uma ferramenta que permite reduzir muito os
gastos de tempo de processo de fabricao de estruturas fotnicas integradas [11].

1.2. Justificativa
O projeto de dispositivos fotnicos um tema importante no desenvolvimento dos
sistemas atuais de telecomunicaes. Essa importncia refletida no desenvolvimento de
ferramentas de projeto que possam tratar esses problemas de forma mais simples. O uso de
mtodos computacionais na elaborao e na otimizao de dispositivos fotnicos permite ao

20

usurio projetar dispositivos apenas com base nas especificaes de desempenho desejada
para ele, gerando assim uma grande economia de tempo e principalmente de custos.
O desenvolvimento de dispositivos mais compactos baseados em princpios de
dispositivos simples isolados tem sido muito estimulado, haja vista que um dos principais
objetivos da rea de fotnica integrada tem sido integrar vrias funes no menor espao
fsico possvel e com baixas perdas. Um dispositivo bastante explorado ultimamente na
literatura o Interfermetro Multimodo (MMI) [12] [13], que baseado no princpio de
funcionamento de um simples acoplador direcional, porm consegue ter diversas entradas e
sadas e acoplar a luz de uma porta para outra num espao fsico bem menor do que o
acoplador.
Tambm com o objetivo de realizar funes que at ento s eram possveis com
dispositivos eletrnicos, os dispositivos formados por materiais anisotrpicos conseguem ter
um funcionamento semelhante independentemente do tipo de polarizao a que este
submetido.

1.3. Objetivos

1.3.1. Objetivos Gerais

Os objetivos deste trabalho tm dois focos principais: o primeiro estudar e analisar
os mtodos matemticos que envolvem a modelagem de dispositivos pticos de guias de
ondas convencionais e no convencionais, comparando-os, com o intuito de propor
dispositivos com desempenho melhor do que os utilizados atualmente, e de melhorar os
algoritmos utilizados para estas anlises.
O segundo objetivo o de completar o processo de proposta de dispositivos fotnicos
no convencionais, e trabalhar em um laboratrio at a etapa de sua fabricao, projetando-os
e propondo mscaras de fabricao com dimenses e caractersticas estudadas no primeiro
objetivo.

1.3.2. Objetivos Especficos

21

Por meio do estudo desenvolvido nesta tese, pretende-se prover solues computacionais
que integrem sofisticados recursos para obteno de ferramentas flexveis com menores
custos financeiros e computacionais. Desta forma, os objetivos especficos so:

Melhorar dispositivos fotnicos no convencionais analisados at ento na literatura,

focando nas caractersticas de transmisso, alm da reduo do seu tamanho fsico
com menores custos e recursos computacionais possveis.

Analisar e propor interfermetros no convencionais baseados em guias de ondas com

segmentos retangulares, quadrados e nanofios.

Analisar a propagao da luz nos dispositivos no convencionais propostos neste

trabalho.

Analisar os efeitos dos materiais anisotrpicos em guias de ondas no convencionais.

Analisar dispositivos com caractersticas de propagao independentemente da

polarizao (formados por vrias camadas de dieltricos).

Propor a fabricao de dispositivos no convencionais, com o objetivo de validar as

simulaes realizadas.

1.4. Metodologia
Inicialmente este estudo composto por uma pesquisa bibliogrfica, na qual os
resultados j divulgados na literatura foram coletados e selecionados para serem usados como
referencial de comparao, e uma pesquisa experimental, que atravs de um estgio em uma
empresa de fabricao de dispositivos fotnicos permitiu a aplicao dos resultados obtidos
para a obteno do design da mscara de fabricao, ltima etapa antes do processo de
fabricao.
Conforme pode ser observado na Figura 1. 1, o projeto de dispositivo fotnico ser
estudado do incio ao fim, uma vez que este ser iniciado com a pesquisa bibliogrfica, onde
diversos dispositivos j propostos sero analisados. Depois da modelagem matemtica e da
otimizao dos modelos existentes ser proposto um projeto fsico. Este projeto fsico ser
transformado em um projeto de circuito quando as entradas e sadas que permitiro a
caracterizao aps a fabricao forem introduzidas. A partir deste projeto de circuito um
layout baseado nas regras de fabricao da instalao na qual o estgio doutoral ser
desenvolvido ser gerado, e assim se chegar etapa final do processo de projeto de

22

dispositivos fotnicos, que a verificao do layout e finalizao da proposta da mscara para

a fabricao [14].

Figura 1. 1 Fluxo de criao de um projeto de dispositivo fotnico (adaptada de [14] )

1.5 Contribuies
As contribuies deste trabalho surgem exatamente quando se leva em conta o atual
estgio da tecnologia de dispositivos fotnicos, no qual guias de ondas e filtros, dentre outros,
propiciam alta escala de integrao em circuitos optoeletrnicos e possibilita tornar realidade
o desenvolvimento de circuitos totalmente pticos. As principais contribuies so:
1. Modelagem numrica de dispositivos com periodicidade submicromtrica;
2. Analise e proposta de dispositivos com materiais e dimenses dos
convencionalmente utilizados em fotnica;
3. Anlise das propriedades de materiais anisotrpicos;
4. Proposta de Interfermetros e dispositivos pticos com dimenses pequenas e
independentes da polarizao.
Para isto a modelagem numrica de dispositivos com periodicidade submicromtrica e
com caractersticas especiais precisa ser facilitada. A modelagem apresentada neste trabalho
utiliza o mtodo dos Elementos Finitos (FEM) [15], que capaz de abranger os dispositivos
com formatos irregulares que esto sendo propostos, e consegue eficientemente analisar suas
propriedades para que o projeto destes dispositivos seja acelerado, propiciando um
desenvolvimento mais rpido.
Alm disto, este trabalho analisa e prope dispositivos com materiais e dimenses
diferentes dos comuns, utilizando propriedades de materiais anisotrpicos, por exemplo,
permitindo abrir novos caminhos e pensamentos relacionados s propostas de dispositivos
fotnicos.
Sendo assim, neste trabalho foram propostos interfermetros compostos de elementos
com dimenses bem menores do que o comprimento de onda de operao, novos guias
23

compostos de materiais anisotrpicos e a influncia da anisotropia nas caractersticas de

propagao. Foi verificado que

possvel projetar guias

com ndice efetivo,

independentemente da polarizao, considerando estruturas de mltiplas camadas ajustando a

distribuio geomtrica/espacial dos materiais.

1.6 Estado da Arte

Estruturas peridicas so arranjos de diferentes tipos de materiais com perodos
pequenos o suficiente para suprimir os efeitos de difrao gerados pela periodicidade. Eles
tm sido conhecidos em eletromagnetismo desde que Hertz fez experimentos com ondas de
radio no sculo XIX [16]. Mas foi por volta dos anos 1940 que a propagao de ondas no
regime de subcomprimento de onda comeou a ser estudado, alternando materiais metlicos e
dieltricos [17]. Em 1950 uma teoria para estruturas de subcomprimento de onda foi
desenvolvida por Rytov [18] que mostrou como essas estruturas se comportam como um meio
homogneo, dependendo apenas da geometria e da polarizao incidente na mesma.
Estruturas de subcomprimento de onda foram descobertas em 1960 por Benhard e Miller [19]
nos olhos de mariposas noturnas. Este mecanismo reduz a reflexo da luz nos olhos delas,
protegendo-as dos predadores noturnos. Clapham e Huley [20] fabricaram estruturas baseadas
nesta propriedade anti reflexiva em 1970.
O conceito de se realizar guiamento de luz em uma estrutura que no fosse contnua,
mas que apresentasse uma periodicidade razoavelmente antigo, esta ideia se iniciou nos
anos 1972 e 1973, com os estudos de Dabby et. al. [21]e Stoll et. Al [22]. Dabby et al. [21] foi
realizada uma modelagem terica de guia de onda dieltrico com paredes onduladas, em
busca de modos de Bloch-Floquet que satisfizessem a equao de onda. No desenvolvimento
desta anlise, foi vericada a existncia de uma banda proibida no diagrama de disperso, ou
seja, foi encontrada uma faixa de comprimentos de onda na qual no possvel existir modos
de propagao. A partir desta constatao, a possibilidade de se utilizar guias com
perturbaes peridicas em sua geometria passou a ser fortemente considerada. Stoll e Yariv
[23] utilizaram o mesmo tipo de guia de onda e aplicaram a teoria de modos acoplados.
Observaram que a interao entre os modos propagantes e contra-propagantes do guia se
davam por meio do espalhamento de Bragg.
Os estudos iniciais consideravam um guia de onda com uma modulao nas paredes
do ncleo, ou seja, o guia de onda em si no apresentava segmentao, apenas uma

24

perturbao peridica. Foi na dcada de 1990 que os guias peridicos obtiveram uma maior
ateno e se iniciaram os estudos sobre guias de ondas que apresentavam realmente uma
segmentao. Nesta dcada, foram realizados vrios estudos tericos [413] que contriburam
amplamente para a caracterizao dos modos suportados pelos guias segmentados.
Guias de ondas de subcomprimento de onda, SWG (Subwavelength Waveguide), no
podem ser confundidos com segmentos peridicos, pois nestes ltimos o perodo de
segmentao bem maior do que o comprimento de onda, e ento estas estruturas esto no
regime de radiao.
Como um guia de onda dieltrico SWG um ncleo formado por uma estrutura
peridica de dois ou mais materiais opticamente transparentes em uma escala de
subcomprimento de onda, ao modificar a largura ou perodo destes materiais, o ndice de
refrao efetivo do ncleo do guia de ondas pode ser manipulado. Os guias de ondas SWG
tm como mecanismo de funcionamento bsico a propagao do modo de Bloch-Floquet.
Para entender o regime de subcomprimento de onda, considera-se uma estrutura
peridica que consiste de retngulos de ndice de refrao

espaados por um perodo

com dois meios com ndice de refrao n2 e n3 nas fronteiras, com duty cycle a/ e espessura
da camada do ncleo. A maioria das aplicaes de estruturas de subcomprimento de onda
usam a plataforma SOI, onde

3,476,

o ar, e

1,45. Assim, os perodos so da

ordem de 300 nm para uma onda incidente com o comprimento de onda de 1,55 um. Esta
estrutura peridica pode operar em trs regimes diferentes, dependendo do perodo de
periodicidade, e do comprimento de onda de incidncia. A primeira regio a de difrao,
onde o feixe espalhado para diferentes ordens, o segundo reflexo onde o feixe refletido
de volta, e o terceiro a regio de interesse, a regio de subcomprimento de onda, onde os
efeitos de difrao so suprimidos. Conforme podemos ver na Figura 1. 2 [24].

Figura 1. 2 Imagem de um guia de onda Segmentado [25]

Quando a luz se propaga na direo z, a estrutura se comporta como um guia de onda

peridico segmentado, ento uma descrio conveniente para seu comportamento feito
25

usando o formalismo de Bloch Floquet [25]. A luz que se propaga no guia de onda
segmentado se adapta periodicidade como modos de Bloch Floquet, com um mecanismo
que formalmente similar a propagao de eltrons em cristais peridicos. A propagao do
modo Bloch em uma estrutura peridica no eixo z pode ser expressa pela Equao 1.1.

Eb ( x, z ) Eb ( x, z )e yb

(1.1)

onde Eb(x,z) a distribuio do campo de modo Bloch em um nico perodo, e yb a

constante de propagao complexa.
Para um dado perodo , o comportamento da estrutura altamente dependente da
frequncia de operao ou do comprimento de onda propagado. A Figura 1.3 mostra o
diagrama k-w para uma estrutura peridica [26].

Figura 1.3 Representao do ndice equivalente nb em funo do comprimento de onda. Adaptada de [24]

Para frequncias baixas, a constante de propagao cresce indicando que o guia de

onda se comporta como um guia convencional. Propagao em um guia de onda peridico no
regime de subcomprimento de onda pode ser visto na Figura 1. 4. No intervalo de frequncia
correspondente ao bandgap fotnico, a luz no pode se propagar na estrutura, e ento a
reflexo de Bragg ocorre. Neste regime kb constante. Acima deste primeiro bandgap, o
modo de Bloch Floquet se torna fraco e parcialmente deslocado para fora do guia de onda.

Figura 1. 4 Propagao da luz em uma estrutura peridica a) no regime de subcomprimento de onda b) no bandgap c) quando a luz e
irradiada. Adaptada de[24]

26

No regime de subcomprimento de onda, como o comprimento de onda de operao

bem maior do que o perodo de segmentao , um ndice de refrao nb virtualmente
constante aparece.
O regime de subcomprimento de onda obtido quando a razo do comprimento de
onda e o perodo so pequenos o suficiente para que o ndice efetivo do modo Bloch Floquet
seja acima do limiar de Bragg.

nb 0,5

Neste caso, os efeitos de reflexo e difrao so ento suprimidos e a estrutura opera

no regime de subcomprimento de onda, assim a luz se propaga no guia de onda segmentado,
sem perdas, devido a descontinuidades na direo de propagao.
No caso em que a segmentao se estende indefinidamente ao longo do dispositivo, o
comprimento de onda de operao muito maior do que o perodo de segmentao, ento ele
pode ser modelado como um meio equivalente homogneo com ndice de refrao dado
aproximadamente pela formula de Rytov. Esta abordagem prov uma descrio qualitativa do
comportamento de estruturas segmentadas peridicas, que muito til para um estgio
anterior fabricao. No entanto, se a estrutura no se repete indefinidamente, alguns efeitos
tem que serem levados em conta e o modelo do SWG dependem das propriedades do modo de
Bloch que se propaga.
Guias de ondas com hastes dieltricas peridicas foram os primeiros teoricamente
considerados em [27] e [28]. Em [28] foi reportado um tunelamento em guias de ondas
acoplados, projetados para suportar dois raios de luz com diferentes velocidades, no mesmo
intervalo de frequncia.
Guias de ondas com segmentos de silcio com sub-comprimento de onda, foram
experimentalmente demonstrados em [29]. As perdas de propagao demonstradas so
comparveis aos dos guias convencionais, porm o padro de subcomprimento de onda no
insere nenhuma perda virtual. Grades de subcomprimento de onda foram fabricadas e
permitem um controle flexvel do ndice de refrao efetivo com medies experimentais que
indicaram uma perda de propagao to baixo quanto 2,1 dB / cm. O ndice de grupo medido
foi quase constante e prximo a 1,5 em uma larga faixa de comprimento de onda na banda C
de telecomunicaes
A anlise numrica de guias de onda segmentados peridicos usando o mtodo de
elementos finitos em duas dimenses foi feita em [30]. Este mtodo apresenta menor
27

demanda de recursos computacionais quando comparado com os mtodos de trs dimenses

que tm sido usados para modelar PSWs. Tambm em [30] mostra-se que a relao de
disperso dos modos guiados no PSW fortemente influenciada pela periodicidade dieltrica
dos guias de ondas. Foi calculado o perfil do modo PSW numa regio longe da banda
proibida e conclui-se que este comparvel ao perfil modo do guia de onda contnuo
equivalente, mesmo para valores altos de contraste ndice de refrao.
Em [31] as caractersticas de acoplamento de acopladores direcionais composta por
dois guias de onda segmentados paralelos so analisados. Uma relao em funo do
comprimento de onda operacional e dos parmetros pticos e geomtricos determinada por
meio do mtodo de elementos finitos no domnio da frequncia.
Em [32] foram apresentados resultados de simulao de guias de onda segmentados
afunilados. Foi proposto um aplicativo que analisa as caractersticas de transmisso
eliminando os modos de ordem superior que podem ser propagados em um guia de onda
multimodo, assegurando assim uma propagao monomodo em 1.55 m. Obteve-se o
comprimento de corte do guia de onda em funo duty cycle do guia de onda segmentado e
uma camada anisotrpica foi adicionada para resolver problemas de descontinuidades gerados
por estruturas segmentadas peridicas.
Um polarizador com baixa perda, de banda larga e com dimenses bem pequenas,
cerca de 5 m, foi demonstrado em [33]. Este polarizador utiliza uma estrutura de
subcomprimento de onda para fazer a manipulao do ndice de refrao do material
equivalente. Este polarizador baseado em SWG suporta o modo TE, enquanto que o modo
transversal magntica (TM) suprimido sob a condio de corte. As simulaes conseguem
prever que a largura de banda para atingir uma razo de extino de 35 dB superior a 200
nm
Um espectrmetro formado por interfermetros de Mach-Zehnder demonstrado em
[34]. Grades de subcomprimento de onda so usadas para produzir uma mudana no caminho
do feixe sem a necessidade de guias de ondas curvos. O dispositivo fabricado compreende
uma matriz de 32 interfermetros de Mach- Zehnder, que produzem um interferograma
espacial sem quaisquer partes mveis. Este espectrmetro consegue uma resoluo de 50 pm,
e a perda minimizada para 25 a 30 dB.
Um novo mtodo para implementar um separador de polarizao compacto ( 25 m) e
tolerante a falhas de fabricao foi apresentado em [35]. Este separador consiste de um guia
de onda de fio de silcio acoplado ao um guia de onda de subcomprimento de onda em um
acoplador direcional assimtrico. O efeito produzido pelo guia de subcomprimento de onda
28

permite um grau a mais de liberdade de projeto para manipular o ndice de refrao

equivalente. Isto uma vantagem usada para compensar as tolerncias s falhas da fabricao.
As perdas deste dispositivo so de menores de 0.15 dB para comprimento de onda de
operao de 1.55 m.
Guias de ondas insensveis temperatura foram propostos em [36] e [37] usando uma
combinao de polmeros e silcio. Foi demonstrado que para um duty cycle de 66% de
segmentao o guia de onda exibe um comportamento insensvel temperatura para
polarizao TE num intervalo de at 7o C. Na polarizao TM necessrio um duty cycle
maior.
A fim de explorar a flexibilidade proporcionada pelos guias de onda SWGs, eles
precisam ser integrados e interligados com guias de onda convencionais. Isto requer
converso adiabtica do modo Bloch Floquet do guia de ondas segmentado para o modo
fundamental do guia de onda convencional. Foram propostas algumas estruturas para efetuar
esta converso dos modos: um SWG no lado esquerdo conforme vimos na Figura 1.5
gradualmente transformado em um guia de onda convencional [38] e [39]. Estes dispositivos
devem ser cuidadosamente projetados para suprimir reflexes de volta enquanto o modo
deslocado [40], evitando a zona de reflexo de Bragg que pode ser formada localmente ao
longo do dispositivo [41]. Este conceito de conversor de modo SWG foi usado inicialmente
como um acoplador da fibra para o chip, uma vez que o deslocamento do modo do guia de
onda SWG pode ser projetado para ter um tamanho, forma, e ndice de refrao semelhante ao
de uma fibra de monomodo [39]. Este acoplador fibra-chip robusto e tolerante a variaes
de fabricao [38].

Figura 1.5 Conversores de modo da fibra para o chip [36]

Outra vantagem de guias de ondas de subcomprimento de onda a sua capacidade de

se interceptarem e manterem as caractersticas da onda propagada, facilitando a
interconectividade e o roteamento do circuito. Quando um guia de onda convencional cruza
29

com outro, ele cria uma regio sem confinamento lateral, resultando em acoplamento a modos
de radiao (perdas) e acoplamento aos guia de ondas de interseo (crosstalk). Quando dois
guias de onda SWG se cruzam, tanto a perda de cruzamento quanto a diafonia pode ser
minimizada pela propagao do modo de Bloch-Floquet [29]. A principal razo de porque os
guias de ondas SWG podem formar cruzamentos eficientes, que a propagao do modo de
Bloch-Floquet deslocada no cruzamento. Cruzamentos tambm tm sido implementados
usando afunilamentos inversos para deslocar o modo propagante para cima e confinar a luz na
camada superior [42]. No entanto, a fabricao de tais estruturas mais complexa e requer
vrias etapas de corroso. Cruzamentos com base na excitao dos modos de Bloch foram
demonstrados, mas exigem vrios cruzamentos peridicos para operar [43]. Cruzamentos
fotnicos de guia de onda, tambm tm sido propostos [44], mas exigem dimenses pequenas
e alta preciso de fabricao. Cruzamentos SWG de guia de onda requerem apenas um nico
passo de fabricao e so robustos. Alm disso, a capacidade de controlar as propriedades de
subcomprimento de onda, particularmente do ciclo de trabalho, permite um grau adicional de
liberdade no projeto do cruzamento. Resultados experimentais confirmaram uma baixa perda
por cruzamento de 0,02 e 0,04 dB para polarizaes TE e TM e um crosstalk abaixo de -40
dB em = 1,55 m [38]. Cruzamentos de guia de onda subcomprimento tambm foram
implementados como acopladores MMI em cascata, onde os SWGs foram usados para reduzir
a perda de insero [45].
O princpio da interferncia multimodo foi analisado em [9]. Acopladores MMI com base
em grades peridicas de subcomprimento de onda, e em nanofios de silcio foram analisadas a
partir da formulao do modo acoplado. Vrias configuraes geomtricas foram analisadas
em funo do comprimento de onda operacional, por meio da variao da largura / raio, o
perodo, o comprimento do segmento, duty cycle e o raio nanofios. Observou-se que para
algumas configuraes especficas de um comportamento independente do comprimento de
onda pode ser obtido.
Podem-se aproveitar as propriedades de subcomprimento de onda para reduzir o tamanho
de acopladores MMI por um fator de dois, sem afetar o desempenho do dispositivo. O
princpio o seguinte. Em um acoplador MMI que no excitado no centro, a primeira cpia
do campo de entrada aparece a uma distncia [9]

Z Lbar 6L

30

(1.2)

Neste ponto, a diferena de fase entre os modos mpares (1, 3, 5, ...) e os modos pares
(2, 4, 6, ...) um mltiplo de 2 [46]. A primeira autoimagem invertida ocorre a uma
distncia

Z Lcross

Lbar
2

(1.3)

e a diferena de fase um mltiplo mpar de . O acoplador MMI funciona como um

acoplador de 3 dB na metade desta distncia, ou seja [24]

Z L3dB

Lcross Lbar

2
4

(1.4)

O comprimento do acoplador MMI tambm pode ser reduzido se uma pequena

perturbao for introduzida para modificar essas relaes de fase modais sem que
significativamente afete os perfis do modo. Por exemplo, foi proposto um dispositivo
utilizando uma fenda longitudinal estreita no centro da regio multimodo, assim o
comprimento foi reduzido por um fator de dois [47]- [48]. Porm para fazer esta fenda,
necessrio mais uma etapa de fabricao, o que complica o processo.
Para contornar esse problema, uma implementao de MMI SWG foi inicialmente
proposta em [49]. A ideia de fazer uma fila longitudinal de furos SWG, como mostrado
esquematicamente na Figura 1.6. Os furos so gravados no xido em um nico processo de
fabricao, j existente. Esta abordagem foi validada experimentalmente com um MMI SWG
3 dB em [49]. As dimenses da estrutura SWG foram inicialmente calculadas usando Rytov e
em seguida otimizadas usando uma ferramenta numrica. O comprimento do dispositivo foi
diminudo para LMMI = 22,85 m, o que cerca de metade do comprimento do acoplador
MMI convencional com a mesma largura como usado de referncia (Lconv-MMI = 47 m).

Figura 1.6 Interfermetro Multimodo 2x2 baseado em um guia de subcomprimento de onda no centro. Adaptada de [24]

Embora acopladores MMI exijam vrios modos guiados para conseguir a formao da
cpia da imagem, a condio para alcanar um L constante com o comprimento de onda j
suficiente para justificar a operao de banda larga. Isto foi conseguido com a geometria

31

mostrada no MMI da Figura 1.7 [24]. Neste dispositivo, a regio central um guia de ondas
SWG multimodo com largura WMMI = 6 m, = 198 nm, e duty cycle de 50%. Os tapers na
entrada, de subcomprimento de onda em ambos os lados da regio de multimodo so
particularmente importantes uma vez que proporcionam uma transio adiabtica entre os
guias de ondas de interligao e as portas de acesso SWG de largura igual a 1,2 m. Estes
tapers so semelhantes aos propostos em [41], [50] e [51], e exibem perdas desprezveis
quando estes tm um comprimento de 10 m.

a f1

f2

f3

LTaper

fout

WMMI

fin

fout

LMMI =P.
Figura 1.7 Geometria de um Interfermetro segmentado. Adaptada de [24]

Em [50] os comprimentos de batimento (L) do MMI SWG e de um MMI convencional

da mesma largura so comparados. O dispositivo SWG mostra um comportamento quase
plano para comprimentos de onda de 1,26 m at 1,7 m, enquanto que o convencional, a
distncia varia de 80 e 120 m. O impacto da estabilidade do L () sobre a largura de banda
de funcionamento do dispositivo otimizado evidente a partir dos resultados de simulao. O
acoplador SWG MMI apresenta uma largura de banda ultra larga, de 450 nm, abrangendo
todas as bandas pticas (O, E, S, C, L, e U). E, conforme esperado, o interfermetro SWG,
tambm tem a vantagem de ser significativamente mais curto do que o dispositivo
convencional (LSWG

MMI

= 18,6 m contra Lconv

MMI

= 48,2 m). O encurtamento uma

consequncia do ndice de refrao equivalente inferior na regio multimodo, quando

comparado como ncleo de silcio homogneo do MMI convencional [20].
Vrios dispositivos vm sendo propostos a partir de interfermetros multimodais [46],
[52], e [53] como, por exemplo, uma porta lgica baseada em cristais fotnicos foi proposta
em [13], e esta simplesmente no requer converses eletro-pticas nem etapas de regenerao
do sinal como as tradicionais, alm de mostrar vantagens significativas como configurao
simples e alta velocidade. Este dispositivo pode operar com quatro funes lgicas (OR,
NOT, NAND e NOR) dependendo apenas da escolha do sinal de entrada e dos sinais de
32

controle. Outra aplicao do MMI, que foi demonstrada em [54], uma juno Y compacta,
baseada em guias de ondas de silcio, onde a potncia de sada e a razo de separao do raio
so uniformes e insensveis ao comprimento de onda. Um divisor e um acoplador baseado em
cristais fotnicos foram demonstrados tambm em [55], analisando a disperso e a
propagao, resultando numa resposta de banda larga, cobrindo a maioria das bandas usadas
nas telecomunicaes. O uso da manipulao da disperso com dieltricos segmentados e/ou
com nanofios e em subcomprimentos de ondas abriram novas fronteiras para desenhar novos
tipos de acopladores MMI e outros dispositivos fotnicos integrados.
Desde ento vrias estruturas SWG tm sido tambm exploradas para constituir
dispositivos ativos baseados em silcio. Exemplos notveis de dispositivos ativos so os
moduladores de alta velocidade parcialmente dopados, onde transportadores so injetados
para produzir uma mudana no ndice de refrao. Para estes guias de ondas, um
balanceamento entre o confinamento modal e uma baixa resistncia eltrica entre o guia de
ondas e os eletrodos precisam ser encontrados. Isto geralmente conseguido com guias de
ondas do tipo costela, porm estas estruturas so bastante sensveis com as variaes de
profundidade. Em [56], moduladores para transmisses de alta velocidade, 50 Gb/s, foram
construdos substituindo os guias do tipo costela por guias de ondas segmentados, e
demonstraram baixa perda por espalhamento (0,4 dB/mm).

1.7. Organizao do Trabalho

No captulo 2, inicialmente, so apresentados os dispositivos pticos no
convencionais. Neste explorada uma fundamentao terica contendo dispositivos no
convencionais simples, como os guias de ondas e acopladores, e depois so apresentados
alguns dispositivos mais complexos que foram analisados durante a pesquisa. Com a
finalidade de fundamentar este trabalho, esta seo dedica-se a apresentar um histrico sobre
os dispositivos fotnicos e sua evoluo, em seguida definem-se suas propriedades e
caractersticas. Tambm, apresentado um dispositivo especfico, o interfermetro, com
todos os modelos e formatos estudados, ele ser analisado no domnio da frequncia, sua
propagao tambm analisada.
No captulo 3 so introduzidos os guias isotrpicos, formados por apenas um material,
a slica, e por furos que podem ser de outro material. Uma fundamentao terica, seguida do
detalhamento do estudo e dos resultados deste ser apresentada.

33

No captulo 4 sero analisados os dispositivos anisotrpicos. abordada a teoria de

homogeneizao de metamateriais e so discutidas as propriedades de guias de ondas e
acopladores anisotrpicos peridicos. A caracterstica de polarizao independente buscada
neste trabalho obtida e detalhada neste captulo.
Na sequncia, o captulo 5 apresenta as principais concluses deste trabalho.
No anexo A, apresenta-se o mtodo dos elementos finitos utilizados para obter as
caractersticas de propagao dos MMIs e guias peridicos.
No anexo B, o processo do projeto do dispositivo fotnico detalhado, chegando at a
etapa de sua fabricao, baseado nas especificaes do laboratrio onde foi realizada uma
parte desta pesquisa, no IMEC na Blgica. Tambm se detalha a metodologia utilizada pelo
laboratrio para aprovar a fabricao do dispositivo e em seguida apresentada a mscara
utilizada pelo laboratrio para fabricar diversos tipos de interfermetros multimodais.
No anexo C apresentado um formato diferente de MMI, o MMI afunilado. Neste so
apresentados os resultados da anlise da propagao da luz em um taper, baseado em dados
obtidos na pesquisa bibliogrfica feita no inicio do trabalho. Neste interfermetro afunilado a
interferncia acontece em distncias de aproximadamente quatro vezes menores do que nos
interfermetros normais.
No anexo D apresentada a teoria da homogeneizao, que permite substituir a
permissividade de uma mistura de materiais dieltricos com dimenses menores do que o
comprimento de onda de operao por um valor equivalente.

34

Captulo 2
2.

Dispositivos baseados em guias no convencionais

2.1

Introduo

As redes de telecomunicaes vivenciam uma enorme e evidente necessidade de

crescimento, o que consequentemente implica em vrias necessidades de melhoria para que
continuem provendo servios de qualidade. Reconfigurao, flexibilidade e velocidade so
algumas das necessidades mais importantes [38].
Para manipular a luz, normalmente necessrio o uso de material dieltrico com alta
permissividade, e um contraste dos ndices de refrao necessrio para permitir a reflexo
total interna da luz [4]. O uso de silcio uma consequncia do seu sucesso na microeletrnica
e tambm pela busca de uma plataforma que consiga fazer uma integrao da ptica e da
microeletrnica. O uso do silcio em ptica gera muitos desafios, como a alta perda por
propagao (devido rugosidade das paredes geradas no processo de fabricao), o baixo
coeficiente eletro-ptico, a baixa eficincia de emisso de luz e a alta perda no acoplamento
da fibra ptica com o dispositivo [57].
Muitas aplicaes na rea de telecomunicaes so sensveis polarizao da luz e
exigem que os componentes e os guias de onda tenham baixas perdas e elevado confinamento
da luz [58]. Guias de ondas com alto contraste de ndice de refrao podem produzir este
confinamento de luz desejado em pequenas regies e podem reduzir as perdas por radiao
presentes em curvas abruptas. No entanto, eles apresentam sensibilidade de polarizao e
significantes perdas de rugosidade [38]. A fim de reduzir as perdas de rugosidade e de
controlar as propriedades de disperso de guias de onda dieltricos, os guias de onda no
convencionais com periodicidade de subcomprimento de onda, os SWG, comearam a ser
introduzidos, conforme podemos ver em [38]. Ele foi, em seguida, analisado em [9], [31],
[58-61].
Um guia de onda convencional confina a luz em seu ncleo por meio do efeito de reflexo
interna total. Este gerado devido ao contraste dos ndices de refrao, onde o ncleo tem um
ndice maior do que o do substrato. Um guia de onda segmentado no convencional, como o
proposto em [38], opera da mesma maneira, porm tem vantagens com relao a sua estrutura
quando comparado a outros guias de ondas. O guia de onda segmentado no apresenta
comportamento ptico ressonante, tem um ndice de grupo constante, ideal para aplicaes na
35

banda C de telecomunicaes, e sua perda por propagao uma das menores para guias de
ondas micro e nano fotnicos [29]. Alm disto, este tipo de guia de onda pode exibir
rugosidade na parede vertical do ncleo (consequncia do processo de fabricao) e mesmo
assim estas rugosidades no iro contribuir significativamente para as perdas do dispositivo,
pois o modo de propagao deslocado para o interior do substrato reduzindo a interao com
as paredes verticais do ncleo [38].
Dispositivos fotnicos baseados em guias de ondas no convencionais so dispositivos
fotnicos formados por guias de onda segmentados, guias de ondas de nanofios, guias de
ondas de quadrados ou qualquer tipo de guia de onda que apresente um ncleo formado por
segmentos peridicos, diferente do convencional, que tem apenas o contraste de ndice de
refrao entre ncleo e casca, com um ncleo contnuo. Guias segmentados, acopladores, e
interfermetros formados por guias de ondas no convencionais so alguns dos dispositivos
fotnicos que foram estudados neste trabalho, [11-15], [46], [52] e [53].
Para simular componentes pticos integrados, mtodos numricos podem ser utilizados,
permitindo maneiras de se explorar novas ideias para dispositivos sem a necessidade de custos
com fabricao e testes com cada uma das novas ideias. O mtodo dos elementos finitos
permite analisar estruturas com formatos complexos, compostas por materiais de diversos
tipos, com perdas ou com ganhos. A aplicao do mtodo de elementos finitos no projeto de
anlise de guias e dispositivos pticos tem sido apresentada por vrios autores [15], [32], [58],
[62] e [63] sendo uma abordagem confivel e verstil. Por isto, para determinar as
propriedades dos dispositivos no convencionais estudados nesta tese foi utilizado o mtodo
dos elementos finitos no domnio da frequncia em duas dimenses.
Na construo de dispositivos pticos integrados possvel utilizar certa diversidade de
materiais pticos e optoeletrnicos (vidros, polmeros, cristais diversos, semicondutores na
forma convencional ou em multicamadas) e esses dispositivos podem ser projetados para
executar uma determinada funo ptica no altervel (dispositivos passivos: acopladores,
filtros, polarizadores, lentes, junes Y). Como o guia de onda SWG composto de regies
com materiais alternados, com diferentes ndices de refrao [38], e a regio com menor
ndice de refrao feita com o mesmo material do substrato resultando ainda em apenas dois
ndices de refrao. Assim obtm-se um dispositivo conforme apresentado na Figura 2.1.
Em [38] foi demonstrado que guias segmentados podem ter o ndice de refrao do ncleo
aproximado por uma simples relao dada por (2.1).
n' n
36

(2.1)

Onde = l/ o ciclo de trabalho, e n n' so os ndices de refrao do guia de ondas SWG

e do guia de ondas equivalente contnuo, respectivamente. Usando esta aproximao, e
considerando o guia de onda com altura infinita, o tempo de simulao pode ser economizado,
pois o guia a ser estudado passar a ser um guia contnuo.

Figura 2.1 (a) Esquemtico da clula unitria em 3D do guia de onda segmentado (b) Acoplador segmentado

Em

[31] e [59-61], acopladores foram estudados demonstrando que para estes

dispositivos pode ser utilizada a aproximao do ndice equivalente, e que para cada perodo
diferente, um ndice diferente encontrado e uma distncia de acoplamento diferente obtida.

37

Para validar a aproximao do ndice efetivo proposta por [38], neste trabalho so
simulados guias com vrios comprimentos de segmentos e perodos diferentes e em seguida
foi simulado um guia contnuo com o ndice efetivo equivalente calculado por (2.1). Foi
achada uma concordncia significativa entre os dois modelos.
Guias no convencionais formados por guias de ondas baseados em nanofios foram
tambm estudados e simulados, alterando-se o raio dos bastes que formam esta estrutura,
ilustrada na Figura 2.2, e vrios ndices equivalentes diferentes foram encontrados a partir da
equao (2.2) [64].

nefetivo

onde

(nsubstrato 2 Asubstrato nSi 2 ASi )

( ASi Asubstrato )

o ndice de refrao do substrato,

(2.2)

a rea do substrato,

ndice de refrao dos bastes que so compostos de silcio, e

a rea ocupada pelos

bastes.

Si

SiO2
(a)

Si

SiO2

(b)
Figura 2.2(a) Esquemtico da clula unitria em 3D do guia de onda nanofio (b) Acoplador nanofio

38

Em [61] acopladores formados por estes tipos de guias, com nanofios, foram analisados e
para cada modificao dos raios destes nanofios e/ou afastamento dos guias de ondas
diferentes distncias de acoplamento foram encontradas, permitindo assim que para cada
aplicao desejada pelo projetista seja possvel escolher um acoplador que se adeque a sua
demanda.

2.2 Interfermetros
Com base nos estudos realizados anteriormente, analisando guias de ondas e acopladores
direcionais, outro dispositivo fotnico, o interfermetro multimodo (do ingls Multimode
Interferometer- MMI) analisado nesta seo.
Acopladores MMIs so blocos fundamentais na construo de circuitos fotnicos como
ressonadores, transmissores, receptores, sensores [65-67]. Na maioria das vezes os
dispositivos monomodos so utilizados para projetar dispositivos, porm os MMIs funcionam
unicamente se muitos modos forem propagados, necessitando assim de guias multimodos. Os
fundamentos para o funcionamento deste dispositivo ser brevemente discutido.
Considere um acoplador MMI conforme mostrado na Figura 2.3. Quando a luz injetada
em alguma das portas de entrada uma combinao linear de modos guiados na regio central
excitada (1 , 2 , ...).

Figura 2.3 Interfermetro Multimodo 2x2

Estes modos se propagam na estrutura com diferentes constantes de propagao ,

formando cpias simples ou mltiplas da imagem da excitao da entrada, por meio de um
processo chamado de imagem prpria (do ingls self-image) ou de efeito Talbot [46]. Os
diversos modos de propagao podem ser considerados como raios que se propagam com
diferentes ngulos dentro do guia atingindo a parede lateral com um ngulo maior do que o
ngulo crtico e sendo refletido de volta. Neste processo, os diversos raios se superpem
gerando interferncias destrutivas e construtivas dependendo da posio tanto ao longo do

39

guia como na seo transversal do mesmo, formando padres com mximos e mnimos de
campo.
Posicionando os guias de onda da sada nas posies em que so formadas as cpias da
imagem, a diviso de potncia alcanada. O comprimento do dispositivo determinado
dependendo da posio onde as imagens so formadas, que proporcional ao comprimento de
batimento

do modo de menor ordem, para um comprimento de onda especfico.

Assim podemos relacionar o comprimento de batimento e o comprimento de acoplamento

atravs da Equao 2.3.

onde

Lbatimento

2
mpar par k0 neff mpar neff par 2 neff mpar neff par

(2.3)

o comprimento de acoplamento, Lbatimento o comprimento do batimento, mpar e

par so as constantes de propagao para os modos mpares e pares, respectivamente, obtido

pela soluo de autovalores por meio do mtodo de elementos finitos no domnio da
frequncia, k0 o nmero de onda do espao livre, neff mpar e neff par so os ndices de refrao
efetivos para os modos mpares e pares, respectivamente, e o comprimento de onda no
espao livre.
O modo fundamental em uma das portas excita os modos possveis em uma seo
multimodo com constantes de propagao

dada pela Equao (2.4) [68]

2neffm

(2.4)

onde neff-m o ndice efetivo do m-simo modo. Para uma cpia perfeita, necessrio que a
constante de propagao siga uma relao parablica dada por (2.5).

m 0 m

m m 2
3L

(2.5)

Normalmente apenas modos de ordens baixas atende a esta condio [69], ento o uso de
tapers nos guias de entrada so solues para excitar apenas um numero limitado (de ordem
baixa) de modos.
Dentro do regime SWG, duas zonas com diferentes comportamentos relacionados
disperso podem ser observadas. Para comprimentos de onda bem maiores do que o
comprimento de onda de operao, o ndice de refrao equivalente nb quase constante e
ento a disperso do material equivalente baixa e determinada basicamente pela disperso
40

do material. Porm, quando o comprimento de onda chega perto da condio de Bragg, nb

cresce rapidamente e a estrutura de subcomprimento de onda se comporta como um material
com disperso cromtica alta. nesta regio onde a estrutura SWG pode ser usada para
construir acopladores e MMIs banda larga.
Para o estudo deste dispositivo, a formulao dos modos acoplados [70] foi adotada para a
anlise das caractersticas de acoplamento do MMI proposto (Figura 2.4, Figura 2. 12 e Figura
2. 19). A relao de disperso para os modos pares e mpares so calculados e
consequentemente o comprimento de acoplamento pode ser obtido por (2.3).

2.2.1 Interfermetros Baseados em Guias de ondas Segmentados

Para ser possvel analisar o comportamento de um interfermetro multimodo baseado em
guias de ondas segmentados, apresentado graficamente em trs dimenses na Figura 2.4, foi
preciso considerar as alturas dos segmentos bem maiores do que o comprimento de onda de
operao, o que significa que no haver variaes do campo no eixo z e consequentemente o
problema que seria em trs dimenses se transformou em um problema de apenas duas
dimenses [52].
w

Si
SiO2

z
x

Figura 2.4 Esquemtico 3d do interfermetro com guias de ondas segmentados.

Na clula unitria j apresentada em duas dimenses na Figura 2.5(a) est sendo ilustrada
como esto sendo impostas as condies de contorno do tipo Bloch, e usando o mtodo de

41

elementos finitos no domnio da frequncia. O domnio computacional discretizado com

elementos isoparamtricos tambm pode ser visto na Figura 2.5(b).

(a)

(b)

Figura 2.5 (a) Esquemtico da clula unitria em 2D (b) malha tpica e zoom da rea central

O MMI segmentado composto de silcio tem no seu ncleo segmentos com ndice de
refrao de nSi = 3,476, e o substrato (slica) tem um ndice de refrao de nSiO2 = 1,444 para o
comprimento de onda de = 1,55 m . O ndice foi considerado constante no intervalo de
frequncias de anlise. A clula unitria tem largura varivel w =[57]

na direo y e

perodo = 190 nm. O comprimento do segmento l nossa varivel.

Neste trabalho simulaes foram realizadas considerando um domnio computacional de x
y = 0,19 m 12 m, resultando em uma malha com uma mdia de aproximadamente
11.000 ns e 5.000 elementos. Foi observado que o aumento do nmero de ns no afetava a
convergncia dos resultados.
Foram calculadas tambm as relaes de disperso, para os dois primeiros modos TE e
TM, do guia de onda segmentado para um intervalo de comprimento de ondas. A estrutura
suporta mais de vinte modos, conforme podemos ver na Figura 2.6. As distribuies espaciais
para os campos eltricos e magnticos so mostradas na Figura 2.7 para o comprimento de
onda de operao = 1,55 m.

42

y [m]

y [m]

y [m]

y [m]

Figura 2.6 Modos suportados em um guia segmentado com w=5m, perodo 190nm e duty cycle 50%.

-1

-1

-1

-1

-2

-2

-2

-2

-3

-3

-3

-3

-4

-4

-4

-4

-5

-5

-5

-5

-6
-0.095 0.095

-6
-0.095 0.095

-6
-0.095 0.095

-6
-0.095 0.095

x [m]

x [m]

x [m]

x [m]

(b)

(c)

(d)

(a)

Figura 2.7 Distribuio espacial do campo para o modo (a) fundamental e (b) primeira ordem do modo TE e distribuio espacial do campo
magntico para (c) fundamental e (d) primeira ordem do modo TM.

A partir das relaes de disperso, foi calculado o comprimento de batimento e o

comprimento de acoplamento para os modos TE e TM para diferentes valores de largura w e
perodo de 190 nm. Para w = 5

m foi observado uma distncia de acoplamento de

aproximadamente 52 m para os modos TM (Figura 2.8a) e de 23 m para os modos TE

(Figura 2.9.a). Para w = 6 m a distncia de acoplamento de 90 m para modos TM (Figura
2.8 b) e 32 m para os modos TE (Figura 2.9.b), enquanto que para w = 7 m a distncia de
acoplamento de 83 m para os modos TM (Figura 2.8 c) e 40 m para os modos TE (Figura
2.9.c). Estes valores correspondem ao comprimento de onda

e duty cycle l de

50% do perodo. Ns podemos tambm observar que para os modos TE as curvas de distncia
de acoplamento so quase retas horizontais, o que sugere a existncia de configuraes com o
comportamento independentemente do comprimento de onda.
43

50

l == 50%
50%
l == 75%
75%

45

L[ m]

40
35
30
25
20
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

(a)
50
45

l == 50%
50%
l == 75%
75%

L [ m]

40
35
30
25
20
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength
m] (m)
Comprimento
de[ Onda

(b)
65

L [ m]

55

=50%
50%
=75%
75%

45

35

25
1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength [ m]
Comprimento
de Onda (m)

(c)
Figura 2.8 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com comprimento (a) 5 m (b) 6 m e (c) 7 m para polarizao Ez

44

80
l ==25%

25%
l ==50%

50%
l ==75%

75%

L [ m]

70

60

50

40
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

(a)

100

L [ m]

90

80
l==25%
25%
l==50%
50%
l==75%
75%

70

60
1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

(b)
140

L[ m]

120

100

l ==25%
25%
l ==50%
50%
l ==75%
75%
80
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength
[ m] (m)
Comprimento
de Onda

(c)
Figura 2.9 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com comprimento (a) 5 m (b) 6 m e (c) 7 m para polarizao Hz

45

Por meio de simulaes onde o comprimento do segmento l variado, resultados

apresentadas nos grficos da Figura 2.8 e Figura 2.9, foi constatado que, quanto maior o
parmetro w, indicado na Figura 2.6, maior a distncia de batimento. Isto pode ser atribudo
pelo fato que os valores dos ndices efetivos do modo fundamental e de primeira ordem do
guia, aproximam-se quando w aumenta, resultando numa distncia de batimento maior. Para
comprovar esta afirmao, simulaes foram feitas para um duty cycle fixo de 50% e
podemos observar que a variao na janela de comprimento de onda entre 1,45 m e 1,60 m
muito pequena, demonstrando tambm um comportamento pouco sensvel aos diferentes
comprimentos de ondas nele propagantes, como pode ser observado na Figura 2. 10, tanto
para os guias de ondas segmentados como para os seus equivalentes obtidos por meio do
clculo de ndice de refrao equivalente (Equao 2.1).

125
100

w=2
w=3
w=4
w=5
w=6
w=7

Lc( m)

75

m
m
m
m
m
m

50
25
0
1,46

1,48

1,50

1,52

1,54

1,56

1,58

1,60

Comprimento de Onda ( m)

Figura 2. 10 Distncia de acoplamento para MMIs segmentados com smbolos cheios e seus equivalentes com smbolos vazios para
polarizao Hz

Ento as caractersticas de propagao do MMI compostos de guias de ondas segmentados

foram analisadas, utilizando o mtodo dos elementos finitos no domnio da frequncia, e para
o intervalo de valores adotados as distncias de batimento variam entre 10 m a 130 m.
Percebe-se tambm que essa distncia depende da polarizao, sendo maior quando o modo
analisado o TM e quando a largura do guia aumenta. Pode-se observar que o
comportamento do MMI altamente dependente dos parmetros geomtricos.

46

2.2.2 Interfermetros baseados em guias de ondas com nanofios

Para os guias de ondas peridicos formados por nanofios de silcio, a mesma formulao
desenvolvida para achar a distncia de acoplamento do interfermetro formado por guias de
ondas segmentados foi utilizada, porm a sua clula unitria, conforme Figura 2. 11, tem um
formato diferente. Para esta configurao de interfermetro, mostrada na Figura 2. 12, foram
realizadas simulaes para ambos os modos de propagao, com os raios dos bastes variando
de r = [5070] nm, e com largura de w 5 7 m .

y
x

Figura 2. 11(a) Clula Unitria (b) Aproximao nos nanofios (c) Malha da Clula Unitria

V
Figura 2. 12MMI formado por guia de onda com nanofios de silcio.

Para esta configurao de MMI foram calculadas as relaes de disperses para os modos
TE e TM em um intervalo de comprimento de ondas em torno da banda C de
telecomunicaes e em seguida foi observado que esta estrutura suporta mais de vinte modos
47

conforme podemos observar na Figura 2. 13. Os resultados das distncias de acoplamento,

que foram obtidas a partir da anlise das curvas de disperso, podem ser observados nas
Figura 2. 14 e Figura 2. 15. A partir destas, para o comprimento de onda desejado se pode
obter o comprimento de acoplamento de cada dispositivo desejado.

Figura 2. 13 Modos suportados em um guia com nanofio: w=5m, r= 60nm e duty cycle 50%
100

100
w = 5m
w = 6m
w = 7m

60

20
1,40

60

40

40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

20
1,40

1,70

60

40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

20
1,40

1,70

Wavelength [m]

Wavelength [m]

Comprimento de Onda (m)

w = 5m
w = 6m
w = 7m

80

L [m]

80

L [m]

L [m]

80

100
w = 5m
w = 6m
w = 7m

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength [m]

Comprimento de Onda (m)

Comprimento de Onda (m)

(a)

1,45

(b)

(c)

Figura 2. 14 Comprimento de acoplamento de MMIs com nanofios com raios (a) 50 nm (b) 60 nm e (c) 70 nm para polarizao Ez
140

140
w = 5 m
w = 6 m
w = 7 m

120

120

60

100
L [m]

80

80
60

1,45

1,50

1,55

1,60

Wavelength [m]

1,65

Comprimento de Onda (m)

(a)

1,70

40
1,40

w = 5 m
w = 6 m
w = 7 m

120

100

L[m]

L [m]

100

40
1,40

140
w = 5 m
w = 6 m
w = 7 m

80
60

1,45

1,50

1,55

1,60

Wavelength [m]

1,65

Comprimento de Onda (m)

(b)

1,70

40
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

(c)

Figura 2. 15 Comprimento de acoplamento de MMIs com nanofios com raios (a) 50 nm (b) 60 nm e (c) 70 nm para polarizao Hz

48

1,65

Wavelength [m]
Comprimento
de Onda (m)

1,70

Assim, as caractersticas de propagao do MMI a partir de guias de ondas com nanofios

tambm foram analisadas em detalhes, e o comprimento de acoplamento foi calculado para
diferentes configuraes. Percebe-se tambm que neste caso o comportamento dependente
dos parmetros variados. As distncias de batimento ficaram maiores para os modos TM, pois
os campos dos modos TM encontram-se concentrados nos nanofios dieltricos o que pode
ocasionar uma maior proximidade nos ndices efetivos dos modos, j o oposto acontece com
os modos TE, cujos campos se concentram nos espaos entre os nanofios resultando em maior

-1

-1

-1

-1

-2

-2

-2

-2

-3

-3

-3

-3

-4

-4

-4

-4

-5

-5

-5

-5

-6
-0.09 0.09

-6
-0.09 0.09

-6
-0.09 0.09

-6
-0.09 0.09

x [

(a)

y [

y [

y [

y [

variao entre os ndices efetivos dos modos. Isto pode ser observado na Figura 2.16.

x [

(b)

x [

(c)

x [

(d)

Figura 2. 16 Distribuio espacial do campo eltrico para o modo (a) fundamental e (b) de primeira ordem da polarizao TE e a distribuio
espacial do campo magntico para o modo TM (c) fundamental e (d) de primeira ordem. (o eixo horizontal foi expandido para melhor
visualizao)

Considerando a Equao 2.2 foi possvel fazer a aproximao para o ndice efetivo
equivalente dos interfermetros, para uma grande variao de parmetro w, e foi possvel
obter uma boa concordncia destes valores, o que sugere que para uma simulao mais rpida
e que no tenha necessidade de preciso das caractersticas de propagao, que so perdidas
na aproximao, o ndice efetivo equivalente pode ser utilizado e resultados preliminares do
desempenho podem ser obtidos. Na Figura 2.17, so apresentados grficos com a distncia de
batimento para MMIs simulados considerando a geometria segmentada e considerando um
guia contnuo com ndice de refrao equivalente, segundo Equao 2.2, para servir de
comparao e comprovar que a aproximao vlida.

49

125

100

w=2
w=3
w=4
w=5
w=6
w=7

L [ m]

75

m
m
m
m
m
m

50

25

0
1,40

1,44

1,48

1,52

1,56

1,60

Comprimento de onda [ m]

Figura 2.17 Distncia de acoplamento para MMIs baseados em nanofios com smbolos cheios equivalentes com smbolos vazios para
polarizao Hz

2.2.3 Interfermetros baseados em guias de ondas com quadrados

Para os guias de ondas formados por pequenos quadrados de silcio, o mesmo mtodo
desenvolvido para os guias de ondas segmentados e para os guias com nanofios foi utilizado,
porm a sua clula unitria, conforme Figura 2. 18, tem um formato diferente. Para esta
configurao, mostrada na Figura 2. 19, foram feitas simulaes para ambos os modos, com
diversas modificaes na sua estrutura. Foram feitas tambm simulaes considerando o
ndice de refrao efetivo calculado pela Equao 2.2. Os resultados esto graficamente
apresentados na Figura 2.20 e na Figura 2.21.
V
Si

3s
SiO2

Figura 2. 18(a) Clula Unitria (b) Detalhe dos quadrados (c) Malha da Clula

50

Si

SiO2

Lc

Figura 2. 19 MMI formado por guia de onda com quadrados de silcio

110

110
w=5 m
w=6 m
w=7 m

100
90

90
80
L[ m]

L[ m]

80
70

70

60

60

50

50

40
1.40

w=5 m
w=6 m
w=7 m

100

1.45

1.50

1.55

1.60

1.65

40
1.40

1.70

Comprimento
onda(m)
[ m]
Comprimento
dede
Onda

1.45

1.50

(a)

1.65

1.70

110
w=5 m
w=6 m
w=7 m

100
90

w=5 m
w=6 m
w=7 m

100
90
80
L[ m]

80
L[ m]

1.60

(b)

110

70

70

60

60

50

50

40
1,40

1.55

Comprimento
de onda
[ m]
Comprimento
de Onda
(m)

40
1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

1,40

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

(c)

(d)

51

1,70

110

110

100

100

90

90

w=5 m
w=6 m
w=7 m

70

80

L[ m]

80
L[ m]

w=5 m
w=6 m
w=7 m

70

60

60

50

50

40

40

1.40

1.45

1.50

1.55

1.60

1.65

1.70

1.40

Comprimento
onda
[ m]
Comprimento
de de
Onda
(m)

1.45

1.50

1.55

1.60

1.65

1.70

Comprimento
Onda
[ m]
Comprimento
dede
Onda
(m)

(e)

(f)

Figura 2.20 Comprimento de acoplamento para os interfermetros formados por guias com quadrados com lado s=0,5m e =150 nm (a)
Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. Lado s = 0,6 m e =180 nm (c) Polarizao Hz (d) Polarizao Ez, e s=0,7m =210 nm (e)
Polarizao Hz (f) Polarizao EZ

180
100

w=5 m
w=6 m
w=7 m

160
140

90

L[ m]

L[ m]

80

120
100

w=5 m
w=6 m
w=7 m

70
60

80
50

60
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

40
1,40

1,70

Wavelength[ m]

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength[ m]

Comprimento de Onda (m)

Comprimento de Onda (m)

(a)

(b)
100

140

90
120

80
L[ m]

L[ m]

w=5 m
w=6 m
w=7 m

100

w=5 m
w=6 m
w=7 m

70
60

80

50
60

1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

40
1,40

1,70

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

1,45

1,50

1,55

1,60

Wavelength[
m] (m)
Comprimento
de Onda

(c)

(d)

52

1,65

1,70

90
120
80

110
w=5 m
w=6 m
w=7 m

90

70
L[ m]

L[ m]

100

80
70

60
w=5 m
w=6 m
w=7 m

50

60
1,40

1,45

1,50

1,55

1,60

1,65

40
1,40

1,70

1,45

Wavelength[
Comprimento
de Onda m]
(m)

1,50

1,55

1,60

1,65

1,70

Wavelength[
m]
Comprimento
de Onda
(m)

(f)

(e)

Figura 2.21Comprimento de acoplamento para os interfermetros formados por guias com quadrados com lado s = 1,0 m e = 150 nm (a)
Polarizao Hz (b) Polarizao Ez. Aresta s=1,2m =180 nm (c) Polarizao Hz (d) Polarizao Ez, e Aresta s = 1,4 m e = 210 nm (e)
Polarizao Hz (f) Polarizao Ez.

A partir das relaes de disperso, foi calculado o comprimento de acoplamento para os

modos TE e TM para vrios valores de comprimento e perodo. Para s = 5 nm e = 150 nm e
w = 5 m foi observado uma distncia de acoplamento de aproximadamente 50 m para os
modos TM (Figura 2.20) e de 44 m para os modos TE, para w = 6 m e = 180 nm a
distncia de acoplamento de 70 m para modos TM (Figura 2.21) e 58 m para os modos
TE, enquanto que para w = 7 m e = 210 nm a distncia de acoplamento de 91 m para os
modos TM (Figura 2.20) e 75 m para os modos TE (Figura 2.21). Os valores achados
correspondem ao comprimento de onda

. Ns podemos tambm observar que

para alguns casos as variaes das curvas de L so bem pequenas, por exemplo, para larguras
entre 2 e 4 m com guias segmentados, a variao no intervalo de comprimento de ondas de
1,40 m at 1,60 m de menos de 3 m. Os valores das distncias de acoplamento para o
comprimento de onda de 1,55

esto resumidos na Tabela 2-1 e Tabela 2-2, para uma

rpida anlise visual.

Tabela 2-1Valores de comprimento de acoplamento para guias de ondas lados = 3s

s =50nm, =150nm

s=60nm, =180nm

s=70nm, =210nm

Hz

Ez

Hz

Ez

Hz

Ez

W=5 m

50 m

44 m

51 m

43 m

52 m

42 m

W=6 m

70 m

58 m

71 m

59 m

57 m

67 m

W=7 m

91 m

75 m

95 m

77 m

78 m

80 m

53

Tabela 2-2Valores de comprimento de acoplamento para guias de ondas com lados=2s

s = 100 nm, = 150nm

s = 120 nm, =180nm

Hz

Hz

Ez

W=5 m

62 m

45 m

47 m

W=6 m

87 m

63 m

85 m

88 m

63 m

W=7 m

120 m

117 m

115 m

80 m

54

Ez

s = 140 nm, =210 nm

Hz

Ez

Captulo 3
3.

Anlise de guias de ondas peridicos Isotrpicos

3.1 Introduo
Isotropia significa uniformidade em todas as direes. A palavra deriva do grego
isos (, "igual") e tropos (, "caminho") [57]. Definies precisas desta palavra
dependem da rea de aplicao.
Em comunicaes pticas, um material isotrpico denominado assim quando ele
apresenta o mesmo ndice de refrao em qualquer direo, ou seja, a luz que se propaga neste
material tem uma velocidade de propagao e as mesmas caractersticas independentemente
da direo e das polarizaes analisadas. A aplicao de um campo eltrico em um meio com
caractersticas isotrpicas induz uma polarizao paralela ao campo aplicado e proporcional
susceptibilidade. Em contrapartida, um material com caractersticas anisotrpicas, que ser
analisado no prximo captulo, um material que no possui essas caractersticas, ou seja, o
ndice de refrao e a velocidade de propagao da luz neste meio so dependentes da direo
e da polarizao da onda.

3.2 Anlise de guia de onda isotrpico

Um meio dito dieltrico quando a sua condutividade desprezvel, ou seja, as suas
propriedades eltricas e magnticas so completamente determinadas pela permeabilidade
magntica () e pela constante dieltrica (). A propagao da luz por meio de um material
est determinada por suas propriedades dieltricas nas frequncias pticas [57].
Pode-se dizer que, para os meios isotrpicos, a permissividade dieltrica e o
coeficiente de refrao no dependem da direo. O vetor de induo eltrica dado por D =
E e o vetor de intensidade do campo E coincidem na direo [57] [71]. Assim, um material
isotrpico aquele cuja caracterstica bsica possuir o mesmo ndice de refrao em todas as
direes, ou seja, a velocidade de propagao da luz nesse meio a mesma em qualquer
direo e independente da polarizao [72].

55

3.3 Anlise de guia de onda isotrpico

Para a simulao de guias isotrpicos compostos de slica e ar, foi gerada uma
sequncia de simulao na qual o perodo , que pode ser visto na Figura 3. 1, foi variado de
180 nm at 270 nm [180, 210, 240, 270] nm, a espessura w foi variada proporcionalmente
com relao ao perodo [0.5, 0.75, 1, 1.5] e o raio do furo no meio da slica teve
seu raio variado de [0.1w, 0.2w, 0.3w, 0.4w], o que resultou em 64 curvas para cada modo
(TE e TM), que esto separadas por perodo e modo nas Figura 3.2 a Figura 3.9.
Na Figura 3. 1 (a) os parmetros so demonstrados na clula unitria em duas
dimenses. Na Figura 3. 1 (b) os materiais so distinguidos, onde o amarelo representa o ar e
o verde slica. Finalmente, na Figura 3. 1 (c) pode-se ver a malha de elementos finitos
gerada para auxiliar a resoluo das equaes de Maxwell.

(a)

(b)

(c)

Figura 3. 1(a)Clula Unitria do guia de onda formado por slica e ar (b) Esquema de cores representando os materiais (c) malha de
elementos finitos

Por meio de simulao numrica baseada nas equaes de Maxwell, usando elementos
finitos, curvas de disperso so geradas, onde temos o kx (Anexo A) em funo da frequncia
de operao.

56

400

400
= 180 nm, w = 180 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

= 180 nm, w = 135 nm

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.8

1.0

(b)

400

400
= 180 nm, w = 225 nm

= 180 nm, w = 270 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

0.6

kx ( /a)

(a)

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.2 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =180 m e com w = (a) 135 m (b) 180 m (c)
225 m e (d) 270 m com polarizao Hz

600

600
= 180 nm, w = 180 nm

= 180 nm, w = 135 nm

500

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

500
400
300
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

200
100
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

400
300
200
100
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

kx ( /a)

(a)

(b)

57

0.8

1.0

600

600
= 180 nm, w = 225 nm

= 180 nm, w = 270 nm

500

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

500
400
300
200

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

400
300
200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.3Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =180 m e com w = (a) 135 m (b) 180 m (c) 225
m e (d) 270 m com polarizao Ez

400

400
= 210 nm, w = 157 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

= 210 nm, w = 105 nm

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.8

1.0

(b)

400

400
= 210 nm, w = 210 nm

= 210 nm, w = 262 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

0.6

kx ( /a)

(a)

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.4 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =210 m e com w = (a) 105 m (b) 157 m (c)
210 m e (d) 262 m com polarizao Hz

58

500

500
= 210 nm, w = 157 nm

= 210 nm, w = 105 nm

400

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

400
300
200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

300
200
100
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.8

1.0

(b)

500

500
= 210 nm, w = 210 nm

= 210 nm, w = 262 nm

400

Frequncia (THz)

400

Frequncia (THz)

0.6

kx ( /a)

(a)

300
200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100
0
0.0

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

300
200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.5 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =210 m e w = (a) 105 m (b) 157 m (c) 210 m
e (d) 262 m com polarizao Ez.

300

300
= 240 nm, w = 180 nm

= 240 nm, w = 120 nm

250

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

250
200
150
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

200
150
100
50
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

kx ( /a)

(a)

(b)

59

0.8

1.0

300

300
= 240 nm, w = 240 nm

= 240 nm, w = 300 nm

250

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

250
200
150
100

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

200
150
100

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

50
0
0.0

1.0

0.2

0.4

kx ( /a)

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.6 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de = 240 m e com w = (a) 120 m (b) 180 m (c)
240 m e (d) 300 m com polarizao Hz

450

450
= 240 nm, w = 180 nm

= 240 nm, w = 120 nm

360

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

360
270
180
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

90
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

270
180
90
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.8

1.0

(b)

450

450
= 240 nm, w = 240 nm

= 240 nm, w = 300 nm

360

Frequncia (THz)

360

Frequncia (THz)

0.6

kx ( /a)

(a)

270
180
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

90
0
0.0

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

270
180
90
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.7 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =240 m e com w = (a) 120 m (b) 180 m (c)
240 m e (d) 300m com polarizao Ez

60

300

300
= 270 nm, w = 202 nm

= 270 nm, w = 135 nm

250

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

250
200
150
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

200
150
100
50
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.8

1.0

(b)

300

300
= 270 nm, w = 270 nm

= 270 nm, w = 330 nm

250

Frequncia (THz)

250

Frequncia (THz)

0.6

kx ( /a)

(a)

200
150
100

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

50
0
0.0

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

200
150
100
50
0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.8 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =270 m e com w = (a) 135 m (b) 202 m (c)
270 m e (d) 337 m com polarizao Hz.

400

400
= 270 nm, w = 202 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

= 270 nm, w = 135 nm

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

kx ( /a)

(a)

(b)

61

0.8

1.0

400

400
= 270 nm, w = 330 nm

300

Frequncia (THz)

Frequncia (THz)

= 270 nm, w = 270 nm

200
r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

300

200

0
0.0

1.0

r = 0,1w
r = 0,2w
r = 0,3w
r = 0,4w

100

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(c)

(d)

Figura 3.9 Curvas de disperso para guia de onda formado de slica e ar com perodo de =270 m e com com w = (a) 135 m (b) 202 m
(c) 270 m e (d) 337 m com polarizao Ez

Podemos observar em todas as simulaes, tanto para polarizao Hz como para

polarizao Ex, que com o aumento do raio e do parmetro w a frequncia de trabalho
aumenta. Para cada caso encontramos um kx diferente para a frequncia de trabalho desejada.
Na Figura 3.2, com polarizao Hz e perodo fixo em 180 nm, o kx oscila entre 0,4 e 0,6. J na
Figura 3.3, para a polarizao Ex o kx assume valores entre 0,2 e 0,4. Na Figura 3.4, com
perodo fixo em 210 nm e polarizao Hz a constante assume valores acima de 0,5 e na Figura
3.5, tambm com perodo fixo em 210 nm, porm com polarizao Ez, obtm-se valores da
constante acima de 0,3 e abaixo de 0.6. Na Figura 3.6, onde o perodo fixo em 240 nm, o kx
assume valores acima de 0,6, e na Figura 3.7, com o mesmo perodo, mas com polarizao Ez,
os valores so acima de 0,4. Na Figura 3.8, onde temos perodo fixo em 270 nm e polarizao
Hz a constante assume valores maiores que 0,8, e maiores que 0,5 na Figura 3.9 onde temos a
polarizao Ez. Sendo assim, podemos concluir que para cada parmetro diferente,
conseguimos obter dispositivos com caractersticas diferentes.

3.3 Concluso do captulo

Pode-se observar que, para os dois tipos de polarizao, TE e TM, os guias de ondas
propostos e analisados permitem a propagao de ondas eletromagnticas na faixa dos 200
THz, que a frequncia de interesse da banda C de telecomunicaes. Podemos ver que os
guias que tem furos com raios maiores atingem frequncias de corte maiores.

62

Como consequncia dessas observaes feitas, podemos projetar diversos tipos de

dispositivos formados por materiais isotrpicos, dependendo apenas da aplicao desejada.

63

Captulo 4
4.

Anlise de guias de ondas peridicos Anisotrpicos.

4.1 Introduo
Inicialmente, os guias peridicos segmentados- ou os PSWs - foram usados como
Grades de Bragg para projetar filtros e ressonadores [73]. Foi demonstrado que estes podem
guiar luz com perdas reduzidas quando a periodicidade ao longo da direo de propagao
muito menor do que o comprimento de onda operacional [38], mesmo na presena de
curvaturas [4]. Assim sendo, eles oferecem uma plataforma promissora para a concepo de
rede de guias de ondas de alto desempenho. PSWs tm sido considerados para o projeto de
acopladores direcionais [31], [60], e [61], interfermetros multimodais [46], [52], e [53],
cruzamento com baixa interferncia [50] e tambm no projeto de tapers para condicionar o
modo da fonte de entrada para o modo desejado dos guias de ondas convencionais [62].
Os guias de ondas chamados de nanofios, guias NWs, tambm tm sido introduzidos
em [31] analisados em [64]. Eles apresentam elevada dependncia de polarizao e perdas de
curvatura baixas [74]. Eles tm sido utilizados para criar curvas [75], acopladores direcionais
e interfermetros multimodais [52]. Consequentemente, PSWs e NWs so esperados para
permitir minimizar os dispositivos fotnicos e torn-los altamente funcionais.
Uma das principais caractersticas do PSWs e NWs o seu funcionamento dependente
da polarizao, que pode ser observado a partir das curvas de disperso para as polarizaes
Ez ou modos TE, como para a polarizao Hz ou modos TM, que exibem bandas em
frequncias diferentes [9], [31], [59], e [60]. Em geral, PSWs e NWS podem propagar luz
polarizada TE com frequncias mais elevadas do que ondas polarizadas TM [31], [59], [60],
e [61]. A grande dependncia de polarizao pode ser um problema considervel, dependendo
do tipo de aplicao. Como exemplo, as distncias de acoplamento em acopladores
direcionais e interfermetros multimodais, que tm como base PSWs e NWs so diferentes,
dependendo da polarizao [76-80].
Recentemente, tem havido um esforo para obter guias de onda com polarizao
independente. A maneira mais trivial para criar guias de onda independentes de polarizao
a concepo de guias de onda com simetria vertical e horizontal, isto , fibras pticas em que
os modos so degenerados. Outra abordagem utilizada ajustando a largura do ncleo e a

64

profundidade do guia de ondas de tipo costela, tal como apresentado em [50], [74] e [75].
Alm disso, o comportamento de polarizao independente do guia de onda em cristais
fotnicos tambm foi relatado em [79] e [80]. possvel obter os modos degeneradas dentro
do intervalo de banda, bandgap, com a combinao de duas camadas de cristais fotnicos
com hastes e furos [79] e tambm pela utilizao de elementos anulares [80].
Neste captulo so analisadas as propriedades de guias compostos de materiais
anisotrpicos uniaxiais. A principal caracterstica a existncia de ndices de refrao
diferentes dependendo da polarizao, permitindo maior grau de liberdade no projeto de
guias. Dentre os materiais considerados nesta anlise tem-se o telrio com ndices de refrao
ordinrio e extraordinrio de 4,8 e 6,2, respectivamente. Uma vantagem do uso do telrio
sua transparncia at 35 m, permitindo aplicaes desde as comunicaes pticas at
aplicaes na rea biomdica e de sensores. Adicionalmente, nesta anlise tambm sero
considerados materiais com anisotropia artificial formada pelo empilhamento peridico de
camadas de dois materiais dieltricos, cujas dimenses e periodicidade so bem menores do
que o comprimento de onda de operao e quando aplicada a teoria da homogeneizao
apresentam um ndice de refrao equivalente que depende da polarizao.

4.2 Formulao
Um meio dieltrico considerado como anisotrpico quando se toma como referncia
um feixe polarizado, e este decomposto em duas componentes polarizadas que dependem da
direo. A polarizao, que representada por , e o campo eltrico representado por , so
relacionados entre si, e podem ser quantizados pela Equao 4.1.
P 0 E

onde

(4.1)

a constante de permissividade eltrica no vcuo. Esta equao tambm pode ser

escrita da forma matricial, conforme podemos ver na Equao 4.2:

Px
11 12
P
y 0 21 22
Pz
31 32

65

13 E x
23 E y
33 E z

(4.2)

onde os sub-ndices 1, 2 e 3 correspondem a x y e z respectivamente, e o tensor possui nove

termos. No entanto, possvel fazer uma rotao do sistema de coordenadas tal que os
elementos fora da diagonal sejam todos nulos. Nesse novo sistema de eixos, tambm
chamados de eixos dieltricos principais, as componentes da polarizao so dadas a partir da
Equao 4.3:

Px 0 11 Ex
Py 0 22 E y

(4.3)

Pz 0 33 Ez

A permissividade do meio se relaciona com a susceptibilidade na forma apresentada

na Equao 4.4:

1 0

(4.4)

O ndice de refrao do meio dependente da Equao 4.1, portanto ele tambm varia
com a direo de propagao e com a polarizao da luz incidente. Logo, possvel expressar
o tensor do ndice de refrao conforme a direo do campo eltrico pela Equao 4.5:

ni2

1
0

(4.5)

no qual, i=x, y, z .
E o vetor deslocamento eltrico se relaciona com a polarizao e o campo eltrico
de acordo com a forma apresentada na Equao. 4.7:

D 0 E P
D E

(4.7)

4.3 Guias de onda baseados em Telrio

Para o estudo de guias de ondas no convencionais baseados em materiais com
propriedades anisotrpicas, primeiramente um guia segmentado formado de silcio e telrio
foi considerado. O material anisotrpico utilizado uniaxial (o ndice de refrao depende da
direo), e devido a suas propriedades ele possui dois ndices: o ordinrio no= 4,8 e o
extraordinrio ne = 6,2.

66

Baseado em aplicaes encontradas em [81] e [82], alguns parmetros como a

espessura da clula unitria de 10 m foram escolhidos. Para o perodo da clula definido na
Figura 4.1(a) como , ocorreu variao do comprimento do segmento de 1 m at 2 m. O
segmento l, que tambm pode ser visto na Figura 4.1 (a), foi fixada em 50% para diversos
perodos. E em seguida o perodo foi fixado e este parmetro foi modificado, passando a ter
duty cycle de 25%, 50% e 75%.

l
10m

(a)

(b)

(c)

Figura 4.1 (a)Clula Unitria do guia de onda formado por telrio e silcio (b) Esquema de cores representando os materiais (c) malha de
elementos finitos

Podemos observar na Figura 4.2 as curvas de disperso geradas por meio do mtodo
de elementos finitos. Na Figura 4.2 so apresentados os resultados com duty cycle fixo de
50% e perodo varivel, enquanto que na Figura 4.3 so apresentados os resultados da curva
de disperso do guia de onda de 1 m com duty cycle varivel.
30

20

40
1,00
1,25
1,75
2,00

m
m
m
m

35

Frequencia (THz)

Frequencia (THz)

25

15
10
5
0
0.0

30

1,00
1,25
1,75
2,00

m
m
m
m

25
20
15
10
5

0.2

0.4

0.6

0.8

0
0.0

1.0

kx ( /a)

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(a)

(b)

Figura 4.2 Curvas de disperso para guia de onda formado de silcio e telrio com duty cycle de 50% (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez.

67

42

30

36

25

30

Frequncia

Frequncia

35

20
25%
= 25%
50%
= 50%
75%
= 75%

15
10
5
0
0.0

24
25%
= 25%
50%
= 50%
75%
= 75%

18
12
6

0.2

0.4

0.6

0.8

0
0.0

1.0

0.2

kx ( /a)

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(a)

(b)

Figura 4.3 Curvas de disperso para guia de onda formado de silcio e telrio com perodo de =1m (a) Polarizao Hz (b) Polarizao Ez.

Podemos observar que para estes guias formados com o material anisotrpico Telrio,
tanto para o seu ndice ordinrio como para o extraordinrio, que implicam em modos de
propagao diferentes, este guia pode propagar radiao eletromagntica para a frequncia de
30 THz (10 m). Pode ser observado tambm que para operar em frequncias maiores ou
comprimentos de onda menores, necessrio reduzir o perodo da geometria isto justificado
pelas propriedades das equaes de Maxwell, onde uma variao nas dimenses resultar em
uma variao inversamente proporcional na frequncia. Devido ao alto valor dos ndices de
refrao envolvidos torna-se difcil, do ponto de vista de fabricao, projetar dispositivos
baseados em guias de telrio para comunicaes pticas.
Uma caracterstica importante que pode ser observada nos guias com telrio que
existe uma diferena grande entre as curvas de disperso das polarizaes Ex e Hx. Em geral,
o modo TM apresenta uma frequncia de operao bem menor do que o modo TE, permitindo
projetar dispositivos com alta dependncia com a polarizao ou que operem apenas com a
polarizao Ex ou Hx.

4.4 Guias Anisotrpicos Baseados em Metamateriais

A anisotropia pode ser obtida utilizando materiais com dimenses bem menores do
que o comprimento de onda [83]. Em geral, mltiplas camadas envolvendo metais e
dieltricos geram os denominados materiais hiperblicos, que apresentam poucas ou baixas
perdas dependendo da frao volumtrica do metal. Para evitar perdas, devem ser
68

considerados apenas materiais dieltricos. Neste trabalho a slica e o silcio foram

considerados para formar o metamaterial de mltiplas camadas, levando em conta que
existem tcnicas de fabricao que permitem colocar alternadamente camadas com dimenses
nanomtricas destes materiais com espessuras da ordem de at 3 nm [84] e [85], que so bem
menores do que o comprimento de onda de operao. Uma vantagem de reduzir o ndice de
refrao do silcio que as perdas nas paredes so tambm reduzidas e permitem a utilizao
de um perodo maior.
Com o objetivo de obter a caracterstica de polarizao independente, foi proposta
uma nova geometria de PSWs e NWs, onde os segmentos ou os nanofios so compostos de
vrias camadas de slica e silcio, como mostrado na Figura 4.4. Foi considerada esta
composio devido facilidade de ser fabricada com uma espessura na ordem nanomtrica
(36 nm) [74], [75], [76], [77] e [78], que muito menor do que o comprimento de onda de
operao considerado para a aplicao estudada. Por causa do subcomprimento de onda na
slica e no silcio, a teoria da homogeneizao considerada [80], e consequentemente o
material homogneo equivalente exibe uma anisotropia uniaxial negativa, Figura 4. 5, com o
ndice de refrao extraordinrio menor do que o ordinrio [57], ne < no, satisfazendo assim
uma das condies para a polarizao independente proposta. Guias de ondas convencionais
compostos por super redes de nanocristrais de silcio tm sido investigados em [79] e tem sido
demonstrado que se o ncleo do guia de onda plano composto de camadas da espessura de
subcomprimento de onda, eles iro apresentar birrefringncia [79].

eq

2
2

x
z

y
(a)

(b)

Figura 4.4(a) Metamaterial composto de mltiplas camadas e (b) material anisotrpico equivalente

69

Direo de
Propagao

Si
SiO2
SiO2 cladding

h
x

z
y

(a)
Direo de
Propagao

Si
SiO2
SiO2 cladding

2a

h
x

z
y

(b)
Figura 4. 5(a) Multicamada peridica de guia de onda segmentado. (b) Multicamada de guia de onda com nanofios. Os segmentos e nanofios
so compostos de camadas de slica/silcio com subcomprimento de onda e coberto por SiO2.

Considerando que a altura dos segmentos relativamente maior do que o comprimento

de onda, uma abordagem em 2D pode ser utilizada de forma aproximada. A anlise realizada
utilizando o mtodo dos elementos finitos no domnio da frequncia apresentado em[38],
[58],[62], com o objetivo de obter as curvas de disperso do guia de onda. O guia de onda 2D
resultante pode ser visto na Figura 4.6.

Direo
de Propagao
Propagation
Direction

w
Unitary cell

z
x

Anisotropic
Equivalent
Homogeneus
Material
Material
Equivalente
ao Homogneo
Anisotrpico
SiOSiO
2
2

(a)

70

Direo
de Propagao
Propagation
Direction

2a

Unitary cell

z
x

Material Equivalente
ao Homogneo
Anisotrpico
Anisotropic
Equivalent
Homogeneus
Material
SiOSiO
2
2

(b)
Figura 4.6. Aproximao 2D do(a) guia de onda peridico segmentado e (b) guia de onda com nanofios; composto de multicamadas
dieltricas.

Segundo a teoria de homogeneizao [79], as permissividades relativas do material

equivalente podem ser obtidas utilizando as expresses das Equaes 4.8 e 4.9:

Si SiO
1 r Si SiO

(4.8)

yy zz 1 r Si r SiO

(4.9)

xx

onde r a razo de silcio no segmento multicamada, e a permitividade Si, e

so a

permitividades da Slica e do Silcio, respectivamente. O ndice de refrao de silcio e slica

considerado nesta etapa do trabalho 3,476 e 1,45, respectivamente. Para a presente anlise, a
disperso do material pode ser negligenciada, pois a variao do ndice de refrao muito
pequena nas bandas O-E-S-C-L-U (179 THz 234 THz). Os ndices de refrao ordinrios e
extraordinrios da slica e do silcio podem ser obtidos usando a relao 4.10.

(4.10)

onde n o ndice de refrao, seja ordinrio ou extraordinrio, e a permissividade relativa.

Uma vantagem de utilizar os metamateriais que estes permitem uma maior
flexibilidade no projeto da dependncia das propriedades de propagao dos dispositivos em
relao polarizao da onda que se pretende manipular, sendo possvel obter guias que
permitam a propagao de apenas o modo TE, apenas o modo TM ou ambos os modos
simultaneamente, a depender da frequncia de corte de cada modo.
Para o caso de guias compostos por mltiplas camadas de slica (n = 1.45) e silcio
(n=3.476), os ndices do material anisotrpico equivalente em funo da concentrao de

71

silcio so apresentados na Figura 4.7, onde pode ser observado que os valores dos ndices
anisotrpicos dependem fortemente da frao volumtrica dos materiais constituintes e estes
valores se encontram no intervalo definido por [nslica, nsilcio].

3.5

ndice de Refrao

3.0
2.5
2.0
nxx
nyy, nzz

1.5
1.0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Frao de silcio

Figura 4.7 ndices de refrao paralelo e perpendicular para uma estrutura de mltiplas camadas composta de silcio e slica.

4.5 Guias segmentados

Para analisar as caractersticas de propagao dos guias segmentados, o segmento de
mltiplas camadas substitudo pelo material equivalente com propriedades anisotrpicas e
uma aproximao 2D realizada. Os parmetros do guia de onda so: perodo de 300 nm,
duty cycle varivel, = l/, de 30%, 40%, 50% e 60%, e a taxa de silcio/slica na regio
multicamada tem sido modificado de 0,2 at 0,9. O domnio computacional correspondente
clula unitria e se estende de -2 m at +2 m e de -/2 at +/2 nm nas direes z e y,
respectivamente. Condies peridicas para as fronteiras do tipo Bloch so aplicadas em z =
/2. As curvas de disperso resultantes em funo da polarizao e do duty cycle podem ser
vistas na Figura 4.8.
Pode ser observado que a maior frequncia de operao para a polarizao Hx em
funo da frao de silcio est no intervalo maior do que o da polarizao Ex, que tambm
contm as mesmas frequncias. Os intervalos contendo a mxima frequncia de operao em
funo do duty cycle e a polarizao so dados na Tabela 4-1.

72

Tabela 4-1 Frequncia mxima de operao em funo da polarizao e da razo de silcio

Duty Cycle
= 30%
= 40%
= 50%
= 60%

Polarizao

fmin (THz) ( r = 0.9 )

fmax (THz)( r = 0.2 )

Ex

264.31

318.69

Hx

241.67

341.23

Ex

253.98

311.64

Hx

226.56

339.45

Ex

246.19

306.31

Hx

216.63

337.89

Ex

239.66

302.46

Hx

210.23

336.76

Na Figura 4.8 pode ser observado que o PSW multicamada proposto, com duty cycles
entre 0.3 e 0.6, tem sempre um valor especfico para r, onde a curva de disperso para ambas
as polarizaes pode exibir uma boa superposio e o PSW ir operar independentemente da
polarizao submetida. Para obter o valor especfico da frao de silcio, foram consideradas
as frequncias para as polarizaes Hx e Ex com um valor fixo de kx = 0.8 em funo do
duty cycle, como mostrado na Figura 4.8. Pode ser observado que para os duty cycle de 30% e
40% a superposio ocorre para r = 0.8 e r = 0.78, respectivamente (Figura 4.9. a. e Figura
4.9. b), enquanto que para os duty cycles de 50% e 60% os valores de r, onde as curvas de
disperso para ambas as polarizaes exibem uma superposio, ocorre para r = 0,77, como

350

350

300

300

Frequncia (THz)
Frequency (THz)

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequency

podemos observar na Figura 4.9. c e Figura 4.9.d.

250
200
150
100

Ex Polarization
= 30 %

50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

250
200
150
100

0
0.0

1.0

Ex Polarization
= 40 %

50
0.2

0.4

0.6

kx ()

kx ()

(a)

(b)

73

0.8

1.0

300

250
200
150
100

0.2

0.4

0.6

0.8

250
200
150
100

(d)

250

Frequency (THz)

300

250
200
150
100

Hx Polarization
= 30 %

50
0.4

0.6

0.8

100

Hx Polarization
= 40 %

50
0.2

0.4

0.6

kx ()

kx ()

(e)

(f)
350

300

300

250
200
150
100

Hx Polarization
= 50 %

50
0.4

0.6

0.8

150
100

Hx Polarization
= 60 %

50
0.2

0.4

0.6

kx ()

(g)

(h)

0.3

0.4

0.5

1.0

200

kx ()

0.2

0.8

250

0
0.0

1.0

1.0

150

0
0.0

1.0

0.8

200

350

0.2

0.6

(c)
350

0
0.0

0.4

kx ()

300

0.2

0.2

kx ()

350

0
0.0

Ex Polarization
= 60 %

50
0
0.0

1.0

Frequncia (THz)

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequency

Ex Polarization
= 50 %

50
0
0.0

(THz)
Frequncia (THz)
Frequency

Frequncia (THz)
Frequency (THz)

350

300

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequencia

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequency

350

0.6

0.7

0.8

0.8

1.0

0.9

350
Ex Polarization

Frequency (THz)

300 dos guias de ondas segmentados PSWs em funo da razo de silcio na multicamada, polarizao e duty
Figura 4.8 Curvas de disperso
cycle.
250
200
150
100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

kx (/a)

74

300

300
r = 0.80

r = 0.78

Frequncia
(THz)
Frequency (THz)

Frequncia (THz)

Frequency (THz)

250

200
= 0.30

Ex
Hx

150

100
0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

250

200
= 0.40

100
0.2

0.9

Ex
Hx

150

0.3

0.4

0.5

(a)

0.8

0.9

Frequncia
(THz)
(THz)
Frequency

300
r = 0.77

250

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequency

0.7

(b)

300

200
= 0.50

150

100
0.2

0.6

Ex
Hx

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

200
= 0.60

150

100
0.2

0.9

r = 0.77

250

Ex
Hx

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

(c)

(d)

Figura 4.9 Frequncia de operao do PSW em funo do r considerando um valor fixo de kx = 0.8 /. O valor de r indicado corresponde
s condies onde ambas as polarizaes exibem a mesma constante de propagao para uma dada frequncia de operao.
280

280
Ex
Hx

200
160
120
80

= 30 %

40

r = 0.80

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

120
80

= 40 %

40

r = 0.78
0.2

0.4

0.6

kx ()

(a)

(b)

0.8

1.0

280

160
120
80

= 50 %

40

r = 0.77
0.2

Ex
Hx

240

200

Frequncia
(THz)
Frequency(THz)

Frequency (THz)

160

kx ()

Ex
Hx

240

Frequncia (THz)

200

0
0.0

280

0
0.0

Ex
Hx

240

(THz)
Frequncia
(THz)
Frequency

Frequency (THz)

240

0.4

0.6

0.8

200
160
120
r = 0.77

40
0
0.0

1.0

= 60 %

80

0.2

0.4

0.6

kx ()

kx ()

(c)

(d)

0.8

1.0

Figura 4. 10 Curvas de disperso dos guias de ondas PSWs em funo da razo de silcio na multicamada, polarizao e duty cycle

As curvas de disperso para ambas as polarizaes, considerando um valor especfico

de r onde a superposio ocorre, so mostradas na Figura 4. 10. Pode ser observado que
conforme o duty cycle aumenta, a superposio das curvas de disperso decresce lentamente,
75

principalmente para frequncias baixas, mas continua suficientemente bom para frequncias
ao redor de 200 THz. Da anlise anterior demonstrado que para grandes variaes do duty
cycle, na ordem de 30%, o comprimento do segmento no influencia muito no
comportamento. Foi tambm observado que um deslocamento na frequncia de operao
mxima ocorre para ambas as curvas, assim como para mudanas do duty cycle.
Pode ser observado que a polarizao Hx tem uma variao da mxima frequncia de
operao maior do que a polarizao Ex, assim como os valores concentrados em um intervalo
maior. Para fraes volumtricas de silcio menores que 0,77 a frequncia de corte do modo
com polarizao Hx maior do que a da polarizao Ex. O inverso acontece com valores
maiores que 0,77. Este valor foi determinado realizando simulaes adicionais onde se
verificou que para a frao de 0,77 as curvas de disperso de ambos os modos tm a maior
superposio, sendo que na frequncia de 200 THz o autovalor 7,126 para as duas
polarizaes. Os campos para ambas as polarizaes, nesta frequncia, so apresentados na
Figura 4. 11 (b) e Figura 4. 11(c).

Frequencia (THz)

z [um]

Ex
Hx

240
200
160
120

1.5

1.5

0.5

0.5

z [um]

280

-0.5

-0.5

-1

-1

-1.5

-1.5

80
40
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-2
-0.15 0.15

-2
-0.15 0.15

y [um]

y [um]

kx ( /a)

(a)

(b)

(c)

Figura 4. 11(a) Curva de disperso para frao volumtrica de silcio de 0,77 e distribuio espacial dos campos (a) Ex e (b) Hx na
frequncia de 200 THz.

Outra configurao de mltiplas camadas formadas por silcio e nitreto de silcio

(Si3N4) foi tambm analisada. O nitreto de silcio tem ndice de refrao de 1,9, desta forma o
ndice de refrao do material anisotrpico equivalente apresentado na Figura 4. 12.

76

3.5

ndice de Refrao

3.0
2.5
2.0
nxx
nyy, nzz

1.5
1.0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Frao de silcio

Figura 4. 12 ndices de refrao paralelo e perpendicular para uma estrutura de mltiplas camadas compostas de silcio e nitreto de silcio.

Foram analisadas as caractersticas de propagao de guias periodicamente

segmentados com diversos valores de duty cycle com o objetivo de obter curvas de disperso
similares para as duas polarizaes. O guia com duty cycle de 20% apresentou-se como a
melhor configurao, sendo que para uma frao volumtrica de 0,55 as curvas de disperso
tiveram comportamento bastante similar, como pode ser observado na Figura 4. 13(b) e (c).

Ex
Hx

200
z [um]

Frequncia (THz)

250

150

1.5

1.5

0.5

0.5

z [um]

300

-0.5

-0.5

-1

-1

-1.5

-1.5

100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ( /a)

(a)

-2
-0.15 0.15

-2
-0.15 0.15

y [um]

y [um]

(b)

(c)

Figura 4. 13. (a) Curva de disperso para frao volumtrica de silcio de 0,55 e distribuio espacial dos campos (a) Ex e (b) Hx na
frequncia de 200 THz.

4.6 Guias de ondas peridicos com Nanofios

Uma anlise similar foi realizada para multicamadas de guias de ondas com nanofios.
As multicamadas de nanofios so compostas de trs cilindros paralelos com raio variando de a
= 80 nm at a = 100 nm, com seu centro localizado em posies fixas no plano (y, z): (m. ,
77

), (m. , 0), e (m. , + ), com m = 0, 1, 2, . O perodo foi considerado fixo com 300
nm (no eixo y) e a razo de silcio/slica na regio multicamada foi modificada de 0,2 at 0,9.
O domnio computacional correspondente clula unitria, como mostra a Figura 4.6.b, se
estende de 2 m at +2 m e de/2 at +/2 nm nas direes z e y, respectivamente.
Condies peridicas para as fronteiras do tipo Bloch foram consideradas em z = /2. As
curvas de disperso dos guias de onda com nanofios, para = 300 nm com a = 80 nm e a =
100 nm so mostradas na Figura 4.14. Pode ser observado um comportamento similar aos
guias de ondas segmentados com uma variao maior da frequncia mxima de operao para
a polarizao Hx.
Como esperado, existe um valor de r onde as curvas exibem uma sobreposio e este
valor pode ser determinado considerando as frequncias em funo do r com um valor fixo de
kx = 0,8. Veja na Figura 4. 15. Pode ser observado da Figura 4. 15.a. que para r = 0,70, ambas
as polarizaes exibem a mesma constante de propagao dada uma mesma frequncia e com
a = 80 nm. Quando a = 100 nm acontece para r = 0,74. As curvas de disperso para ambas as
polarizaes, considerando a polarizao independente, so apresentadas na Figura 4. 16.
Uma excelente sobreposio pode ser observada em todos os casos.

78

0.2

350

0.3

0.4

0.5

0.6

250

250

250

150
100

200
150
100

Ex Polarization
a = 80 nm

50
0
0.0

50

(THz)
Frequency
Frequncia (THz)

300

(THz)
Frequncia (THz)
Frequency

300

200

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

kx ()
0.4
0.6

0.2

0.7

0.8

200
150
100

0
0.0

1.0

0.8

Ex Polarization
a = 100 nm

50
0.2

0.4

1.0

300

300

250

250

Frequency
(THz)
Frequncia (THz)

Frequency
(THz)
Frequncia (THz)

350

200
150

0
0.0

Hx Polarization
a = 80 nm
0.2

0.4

0.8

1.0

(b)

350

50

0.6

kx ()

kx ((a)
/a)

100

0.9

350

Ex Polarization

300

0.6

0.8

200
150
100

0
0.0

1.0

Hx Polarization
a = 100 nm

50
0.2

0.4

0.6

kx ()

kx ()

(c)

(d)

0.8

1.0

Figura 4.14 Curvas de disperso para guias de ondas de nanofios em funo da razo de silcio na multicamada e polarizao para = 300 nm.

300

300
r = 0.70

250

(THz)
Frequency
Frequncia (THz)

Frequncia (THz)
(THz)
Frequency

Frequency (THz)

350

200
150

Ex
Hx
a = 80 nm

100
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

r = 0.74

250
200
Ex
Hx
a = 100 nm

150

100
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

(a)

(b)

Figura 4. 15(a) Frequncia de operao do guia de onda com nanofio em funo do r considerando um valor fixo de kx = 0.8 /. O valor de
r indicado corresponde s condies onde ambas as polarizaes exibem a mesma constante de propagao para uma dada frequncia.

79

300

200

250

(THz)
Frequency
Frequncia (THz)

Frequncia (THz)
(THz)
Frequency

250

300
Ex
Hx
a = 80 nm
r = 0.7

150
100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

200

Ex
Hx
a = 100 nm
r = 0.74

150
100
50
0
0.0

0.2

kx ()

0.4

0.6

0.8

1.0

kx ()

(c)

(d)

Figura 4. 16 Curvas de disperso para guias de ondas com nanofios com = 300 nm na condio de polarizao independente.

O uso de segmentos ou nanofios multicamadas pode reduzir drasticamente ou eliminar

a dependncia da polarizao para um determinado intervalo de frequncias.

4.7 Concluso do Captulo

As polarizaes independentes dos PSWs e NWs analisadas aqui so teis para
aplicaes de comunicaes pticas cobrindo as bandas O-E-S-C-L-U (179 THz 234 THz)
desde que o menor comprimento de onda observado seja 1250 nm ( = 60%), Figura 4.14.
Alm disso, a estratgia proposta exibe uma pequena sensibilidade com o valor da
concentrao de silcio r. Consequentemente a estratgia proposta cancela a dependncia da
polarizao considerando a frequncia central de operao.
Props-se e analisou-se um novo tipo de PSW e NWs baseados em multicamadas de
subcomprimento de onda com propriedades de propagao independente da polarizao. Foi
demonstrado por simulaes numricas, envolvendo anlise modal, que a anisotropia
introduzida pelos segmentos e nanofios de vrias camadas pode ser utilizada para manipular
caractersticas de guias de ondas permitindo o comportamento de polarizao independente.
Os resultados confirmaram que, usando dieltricos compostos por Si e SiO2 com a
espessura de subcomprimento de onda possvel reduzir ou quase anular a dependncia da
polarizao em um determinado intervalo de frequncias. Observou-se tambm que, para os
materiais e parmetros considerados, o valor necessrio de r para PSWs de cerca de 0,770,80, dependendo do ciclo de funcionamento, enquanto para NWs 0,70-0,74, dependendo do
valor do raio nanofio. A ideia proposta permite estruturar vrios dispositivos independentes
da polarizao baseados em PSWs e NWS.

80

Captulo 5
5.

Concluses e sugestes para trabalhos futuros

Foi apresentado o histrico e o princpio de funcionamento dos guias de ondas pticos

convencionais e no convencionais. A partir destes guias foram desenvolvidos interfermetros

e respostas esperadas foram obtidas e analisadas. Para este dispositivo, pode-se concluir que
possvel que este seja projetado para que seu comportamento dependa dos parmetros fsicos,
por exemplo, quanto maior a largura do interfermetro ou o duty cycle, maior a distncia de
batimento, e estes tm um comportamento pouco dependente do comprimento de onda
inserido. Os interfermetros foram analisados para as polarizaes TE e TM, e foi possvel
concluir que as distncias de batimento ficaram maiores para os modos TM, pois os campos
dos modos TM encontram-se concentrados nos nanofios/segmentos/quadrados dieltricos, o
que pode ocasionar uma maior proximidade nos ndices efetivos dos modos, j o oposto
acontece com os modos TE, cujos campos se concentram nos espaos entre os
nanofios/segmentos/quadrados resultando em maior variao entre os ndices efetivos dos
modos.
Uma anlise de guias de ondas isotrpicos e anisotrpicos, assim como metamateriais,
foi realizada e podemos concluir que, dependendo da geometria e do material com que eles
so fabricados, cada um pode ser usado em uma aplicao especfica, inclusive em outra faixa
de frequncia diferente da que vinha sendo estudada, a faixa de THz.
Foi demonstrado por simulaes numricas, envolvendo anlise modal, que a
anisotropia uniaxial negativa artificial, introduzida pelos segmentos ou nanofios de vrias
camadas, pode ser utilizada para formar guias de ondas com propagao independente da
polarizao. Os resultados confirmaram que usando material dieltrico de mltiplas camadas,
composto por Si e SiO2 com espessura de subcomprimento de onda, possvel reduzir
drasticamente ou quase anular a dependncia da polarizao nas caractersticas de propagao
de NWS e PSWs dentro de um determinado intervalo de frequncias. A estratgia proposta
pode ser aplicada para a concepo de vrios dispositivos independentes de polarizao com
base em PSWs e por NWS como acopladores direcionais e interfermetros multimodo.
O processo completo de fabricao de um chip fotnico, at a fabricao do
dispositivo, foi realizado e alguns dispositivos propostos foram projetados e fabricados. Para
isto algumas outras simulaes foram realizadas em um software comercial, e estas

81

concordaram com as simulaes feitas anteriormente, o que demonstra concordncia com a

anlise realizada por meio do mtodo de elementos finitos.
Como sugesto para trabalhos futuros, cito a anlise de no linearidades em
dispositivos pticos como os estudados neste trabalho, podendo assim tirar vantagens deste
tipo de efeito para conseguir comportamentos especficos e dispositivos com caractersticas
diferentes.

82

6.

Publicaes Associadas
Nesta seo so apresentadas as respectivas publicaes, obtidas por meio dos

resultados encontrados nesse trabalho, em encontros nacionais e internacionais.

1. DE OLIVEIRA, ANA JLIA R. F. ; RODRIGUEZ ESQUERRE, VITALY

FELIX . Approximated Propagation Analysis of Multimode Interferometers Based
on Segmented Waveguides. In: 5th International Topical Meeting on
Nanophotonics and Metamaterials, 2015, Seefeld, Austria. Proceedings of
nanometa 2015, 2015.
Resumo: The coupling length of multimode-interferometers based on segmented
waveguides has been calculated by using the finite-element and approximated
methods, and the wave propagation was obtained for several geometric configurations
in the optical telecommunication frequencies.

2. DE OLIVEIRA, ANA JLIA R. F. ; RODRIGUEZ-ESQUERRE, VITALY

FELIX . Multimode interferometers based on non conventional waveguides. In:
SPIE OPTO, 2014, San Francisco. v. XXII. p. 89801G.
Resumo: For advanced photonics networks all kind of optical devices are being
developed with the aim of routing high speed optical signals. The multimode
interference MMI principle is becoming important because these devices have a
simple configuration, compactness and are suitable for integration. MMI couplers
based on subwavelength periodical gratings and silicon nanowires are here analyzed
based the coupled-mode formulation. Several geometrical configurations were
analyzed as a function of the operating wavelength, by varying the width/radius, the
period, the segment length (duty-cycle) and the nanowires radius. It was observed that
for some specific configurations a wavelength independente behavior can be obtained.

3. DE OLIVEIRA, ANA JLIA R. F. ; RODRIGUEZ-ESQUERRE, VITALY F. .

Approximated Analysis of Multimode Interferometers Based on Non Conventional
Waveguides. In: Latin American Optics and Photonics (LAOP) Conference, 2014,
Cancun, Mexico. Proceedings of LAOP 2014, 2014.
Resumo: Abstract: The coupling length of multimode-interferometers based on nonconventional waveguides has been calculated by using the finite-element and

83

approximated methods, for several geometric configurations in the optical

telecommunication frequencies.

4. OLIVEIRA, ANA J. R. F. ; RODRIGUEZ-ESQUERRE, VITALY F. .Anlise de

Interfermetros em Guias no segmentados e quadrados. In: Encontro anual do
IECOM em comunicao redes e criptografia, 2014, Joao Pessoa. Anais do
IECOM, 2014.
Resumo: Interfermetros multimodais baseados em guias no convencionais foram
analisados usando o mtodo dos elementos finitos considerando-se a geometria real
dos mesmos e de forma aproximada considerando guias homogneos equivalentes por
meio do mtodo do ndice efetivo. Uma boa concordncia, entre os resultados obtidos
para a distncia de acoplamento, foi observada para a polarizao transversal
magntica.

5. DE OLIVEIRA, ANA JLIA R. F. ; SAMPAIO, D. . Propagao do

Acoplamento em Guias Peridicos Segmentados. In: Encontro anual do IECOM
em comunicao redes e criptografia, 2014, Joao Pessoa. Anais do IECOM 2014,
2014.
Resumo: A propagao em acopladores direcionais compostos de um novo tipo de
guias denominados guias peridicos segmentados foi analisada. A distncia de
acoplamento em funo dos parmetros pticos e geomtricos do acoplador foi
encontrada e confirmada com os clculos usando o mtodo de elementos finitos 2D.

6. OLIVEIRA, ANA J. R. F. ; RODRIGUEZ-ESQUERRE, VITALY F. . Analysis

of Multimode Interferometers based on subwavelength grating waveguides. In:
2013 SBMO/IEEE MTTS International Microwave

and

Optoelectronics

Conference (IMOC), 2013, Rio de Janeiro. 2013 SBMO/IEEE MTT-S

International Microwave & Optoelectronics Conference (IMOC), 2013. p.
Resumo: The propagation characteristics of Multimode Interferometers (MMI) based
on subwavelength grating waveguides are analyzed by an efficient frequency domain
finite element approach. The coupling length of the MMI for several configurations,
where their main parameters were varied such as duty cycles polarization and length
of

the

segment,

84

was

calculated.

Anexo A - Clculo da Disperso em Guias Peridicos por

Elementos Finitos
A anlise da clula unitria deve ser tratada de forma diferente para o modo TM
(Magntico transversal) e para o modo TE (Eltrico Transversal), [31], [59-61] e [86].
Porm, em ambos os casos a anlise deve comear a partir da equao da onda de
segunda ordem dada por (A.1),

p
q
p
x x y y
c
2

onde,

,q

para os modos TE, e

(A.1)

,q

para os

modos TM. Sendo n o ndice de refrao. Considerando a propagao da onda no eixo

x, os campos Ez e Hz podem ser escritos como (A.2.a) e (A.2.b).
Ez e z e jkx x

(A.2.a)

H z hz e jkx x

(A.2.b)

onde, ez e hz so os envelopes do campo e kx a constante de propagao na direo x.

Substituindo (A.2.a e A.2.b) em (A.1), aplicando o mtodo convencional de Galerkin
[58] e discretizando o domnio computacional usando elementos de seis ns
isoparamtricos de segunda ordem [15] obtido o problema de autovalor dado por (A.3)

Af Bf
c
2

(A.3)

onde o vetor {} o envelope do campo ez ou ento o envelope do campo hz. Para os

modos TE, as matrizes [A] e [B] so dadas por (A.4) e (A.5),

85

A
e

jk x

1 N N
xy
n 2 y
y
T

xy

T
N
1 N
T

N N

2
n y
y

xy

T
N
1 N
T

n 2 x
x

jk x

1 N N
xy
n 2 x
x

1
n k N N xy
2

2
x

(A.4)
B

N N xy
T

(A.5)

onde {N} so as matrizes com as funes de forma dos elementos finitos.

Para os modos TM as matrizes [A] e [B] so dadas por (A.6) e (A.7),

A
e

2 jk x

N N
x

N
x

xy

N N
y

xy 2 jk x

k N N

2
x

xy

N
y

xy

xy

(A.6)

n N N xy
T

(A.7)

Devido periodicidade do guia de onda, s necessrio discretizar uma clula

unitria e aplicar as condies peridicas para tornar o campo da esquerda igual ao da
direita da clula unitria. Os valores de kx so restritos primeira regio de Brillouin na
direo x, (0,0)/a (1,0)/a.

86

Anexo B. Atividades realizadas no IMEC - Otimizao da Simulao

e Processo de Fabricao.
B.1 Introduo
Este captulo est destinado ao processo de desenvolvimento de uma mscara
para fabricao de dispositivos fotnicos propostos na primeira etapa deste estudo. Uma
otimizao das simulaes foi requisitada pelo laboratrio no qual o estgio doutoral foi
realizado, com o objetivo de atender aos pr-requisitos do laboratrio e de assim
conseguir passar por todas as etapas internas de aprovaes e ter o projeto pronto para
fabricao.

B.2 Criao do ambiente CAD para a otimizao

A estrutura de um interfermetro multimodo segmentado foi escolhida para
realizar este estudo devido necessidade do laboratrio de produzir dispositivos como
estes. Sendo assim, este dispositivo foi desenhado no ambiente grfico do software
RSoft, usando segmentao peridica e um taper nas entradas e sadas baseadas no
artigo [56]. A entrada do MMI pode ser criada usando um simples taper com
comprimento inicial (w0) e finalizando com comprimento (w1) de Wmmi/2 a 0. Baseado
nas definies de taper do prprio software, o comprimento varia entre Wmmi e 0,
provendo a funo do taper com uma funo predefinida de segmentao, como
podemos ver na Figura B.1.

87

Figura B.1Janela de configurao do taper no ambiente CAD RSoft.

Para as portas de entrada e sada, a escolha foi um taper segmentado variando de

W1 = 0,5 m at W2 = 1,2 m. No taper que foi usado como referncia para introduzir a
luz no dispositivo, existe um ncleo em cada porta, e para reproduzir este tipo de porta
foi superposto outro taper linear (em azul na Figura B.2) para preencher de slica as
reas segmentadas do outro taper.

Figura B.2Interfermetro multimodo no ambiente CAD RSoft.

A distribuio do ndice de refrao pode ser conferida em algumas reas, como

na entrada, com o objetivo de verificar se a segmentao bem representada no modelo
conforme a Figura B.3.

88

Figura B.3 Distribuio do ndice de refrao nas portas do MMI

Ento, pode-se variar e aperfeioar os parmetros Lmmi, Wmmi, W1, W2, que so o
comprimento do interfermetro, largura do interfermetro, largura inicial e final do
taper de entrada, com o objeto de obter tamanhos que proveja as caractersticas
desejadas.

B.2.1 Convergncia da Malha

Com o objetivo focado em minimizar o tempo de simulao e consequentemente
seus custos, porm reproduzindo um resultado confivel, um estudo relacionado ao
numero de ns da malha de elementos finitos usada pelo programa para resolver os
modelos foi feito. Para este estudo, inicialmente a malha do interfermetro apresentada
foi variada desde 0,001 at 0,009 e o comprimento de acoplamento obtido foi
modificado em menos de 0,3 m. O tamanho dos elementos da malha foi definido de
acordo com requerimentos de simulao da prpria fbrica de chips, que em suas regras
de fabricao dita que a malha deve ser dividida em no mnimo cem vezes da menor
unidade do dispositivo desenhado.
No caso do interfermetro multimodo, o guia de onda de entrada o que tem
uma dimenso menor, 0,3 m, ento uma malha ao redor de 0,003 foi criada e simulada.
Os resultados podem ser vistos na Figura B.4.

89

Figura B.4 Resultados das simulaes alterando o numero de ns da malha de elementos finitos

Figura B.5 Detalhe da modificao da distncia de acoplamento com a variao de ns da malha de elementos finitos

Analisando os resultados da Figura B.4 e Figura B.5, pode-se confirmar que a

modificao do nmero de ns no afeta o resultado final, como j havia sido
mencionado anteriormente em [13].
Para confirmar os valores obtidos anteriormente por meio do software baseado
em elementos finitos no domnio da frequncia, um estudo com os acopladores
segmentados no domnio do tempo tambm foi realizado, o que demonstra um acordo
das distncias de acoplamento obtidas na etapa anterior deste trabalho, em [13], e
tambm que o aumento ou diminuio de ns da malha no afeta os resultados. Na
Figura B.6 dois monitores foram definidos, um em cada guia, e o grfico direita
reproduz a transferncia do modo fundamental de um guia para o outro, tambm

90

concordando com os valores obtidos anteriormente para interfermetros com d= [0,5;

0,7; 09] m.

Figura B.6 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,5m

Figura B.7 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,7m

91

Figura B.8 Distncia de acoplamento para acoplador segmentado d=0,9m

B.2.2 Simulao em duas e em trs dimenses

Tambm com o objetivo de minimizar custos de simulao, uma comparao
entre as simulaes em duas dimenses e em trs dimenses foi realizada. As
consideraes feitas at o momento por este estudo consideravam o eixo z infinito, com
a justificativa de que a dimenso da altura do guia de onda muito menor do que o
comprimento de onda que ir se propagar no mesmo. Para um grande intervalo de
nmero de ns na malha a simulao em duas dimenses foi feita e ambas apresentaram
o mesmo comportamento com relao distncia de acoplamento de 23 m para altura
de 0,15m e de aproximadamente 25 m para a altura de 0,22 m.
Quando este mesmo dispositivo foi simulado em trs dimenses, considerando
as duas alturas utilizadas normalmente pela fbrica, 0,15 m e 0,22 m, a distncia de
acoplamento foi deslocada de 23 m e 26 m, e uma amplitude de trs vezes o tamanho
da obtida em duas dimenses foi obtida para o dispositivo com altura de 220 nm. Para a
altura de 150 nm, a amplitude foi a mesma obtida nas simulaes em duas dimenses.
Podemos concluir que esta altura de 150 nm teve sua propagao afetada devido
ao espalhamento produzido pela rede, que tende a ficar maior tambm por conta das
variaes da estrutura devido ao processo de fabricao: paredes no verticais,
arredondamento de bordas, variao de ndice de refrao.
Com relao altura dos acopladores segmentados, com simulao em trs
dimenses e considerando as alturas com 150 nm e 220 nm, pode-se observar na Figura

92

B.9 que a distncia de acoplamento no foi alterada, apenas a potncia do monitor de

150 nm que foi menor do que o monitor do acoplador de 220 nm.

Figura B.9Distncia de acoplamento para acoplador direcional com alturas diferentes a) 150 nm e b)220 nm

B.2.3 Broadband Behavior

Para finalizar os estudos de otimizao das simulaes e finalmente gerar
simulaes de acordo com o requisitado pelo laboratrio, um estudo variando o
comprimento de onda de trabalho dos interfermetros foi realizado. No mesmo
interfermetro, o comprimento de onda da luz de entrada foi variado entre 1,4 m e 1,6
m, demonstrando um deslocamento de distncia de acoplamento de menos de 3 m
(10%) no pior caso, conforme observado na Figura B.10 e na Figura B.11, o que leva
concluso que este dispositivo pode ser simulado na frequncia central da banda C de
telecomunicaes, 1,5 m, e pode ser utilizado para um largo intervalo dele.

Figura B.10Distncia de acoplamento para um MMI com W=6um e 50% de segmentao

93

Figura B.11Distncia de acoplamento para um MMI com w = 6um e 50% de segmentao

Pode-se ento concluir que o interfermetro estudado tem um comportamento

chamado de broadband behavior, ou seja, tem o mesmo comportamento para uma larga
faixa de frequncia, que uma tima vantagem at para sistemas que utilizam o
comprimento de onda fixo, pois durante uma transmisso real, no acoplamento da luz
no dispositivo, este pode ter o seu comprimento de onda deslocado para outras
frequncias prximas sem modificar o resultado final.

B.3. Processo de Fabricao de dispositivos Fotnicos

Apresenta-se aqui o processo de fabricao de dispositivos baseados em guias de

ondas no convencionais de silcio. Aps a simulao se encaixar nos moldes do
laboratrio conforme visto nas sees anteriores deste captulo, foram analisadas
diversas opes de materiais para desenvolver os interfermetros multimodais
mencionados, e a usabilidade da slica e do silcio na fabricao de dispositivos
fotnicos justificada devido ao baixo preo da matria prima, a maturidade das
pesquisas com estes materiais, e tambm porque as tcnicas de caracterizao j so
bastante desenvolvidas na rea da microeletrnica, o que apresenta uma enorme
vantagem e permite a fuso das indstrias pticas e eletrnica, caso seja necessrio [4749], [87], [88] e [89].
Com o objetivo de fazer a preparao do projeto para fabricao do dispositivo,
um estudo de como os dispositivos fotnicos so fabricados no IMEC foi iniciado.
Primeiramente, foi preciso entender melhor como se d o incio de um projeto de
dispositivo. Para isto houve a participao em um treinamento concedido pelo IMEC
94

chamado epixfab training. O epixfab um centro europeu de apoio a projeto de

dispositivos, que fornece treinamentos para estudantes e profissionais desta rea [9093]. Este treinamento teve durao de cinco dias, e designers experientes na rea de
fotnica em silcio apresentaram a tecnologia, alguns dispositivos, o projeto e exemplos
prticos desenvolvidos pelo IMEC. O treinamento foi feito em um centro que possui
sala limpa, em Helsinki, na Micronova, e por isto foi possvel acompanhar todo o
processo desde o projeto at a fabricao dos dispositivos.

B.3.1. Fluxo de um projeto de dispositivo fotnico

A fotnica em silcio, como dito anteriormente, est rapidamente ganhando
muito espao no lado industrial, pois a tecnologia de fabricao est se tornando cada
dia mais madura e as demonstraes dos dispositivos esto atendendo especificaes
para aplicaes rotineiras. As escalas bem pequenas de guias de ondas que esta
tecnologia prov tambm abriu a oportunidade da fabricao de chips bem compactos
que podem acomodar inmeras funes fotnicas em um mesmo chip. Porm, ao
mesmo tempo em que so vantagens, estas pequenas dimenses e o alto contraste do
ndice de refrao introduz baixa tolerncia a falhas de fabricao. Esta combinao de
alta complexidade com baixa tolerncia a falhas uma receita para uma baixa
velocidade de desenvolvimento. E esta dificuldade conta no projeto, porque o processo
de projeto de fotnica integrada no evolui rapidamente como a tecnologia base da
mesma.
Para atender ao fluxo do projeto definido pelo epixfab, conforme representa a
Figura B.12 podemos iniciar o estudo definindo que simuladores fsicos so
simuladores que verificam o comportamento de cada componente do circuito
separadamente analisando sua entrada e sada, enquanto que os simuladores de circuitos
so simuladores que verificam a integridade do circuito verificando a combinao dos
componentes fsicos e as entradas e sadas do circuito. Estes simuladores so geralmente
baseados em princpios diferentes, e tambm frequentemente so utilizados
separadamente. Porm, na fotnica integrada o projeto fotnico ainda muito mais
dependente da parte fsica, pois o alto contraste do ndice de refrao faz a maioria das
aproximaes usadas em pticas se tornarem inteis por no prever a totalidade dos
efeitos. Portanto, para o projeto de chip fotnico, existe uma grande necessidade de
juntar os dois nveis de simulaes.
95

Ferramentas de projeto fotnico geralmente evoluem a partir da simulao EDA,

mas com o advento da fotnica em silcio isto algo que pode mudar. Os circuitos
fotnicos de silcio, para muitas aplicaes, requisitam um complexo controle do
circuito principalmente nos pontos de converso eletro-ptica.
Para projetar um circuito fotnico integrado, os designers tm que seguir no
mnimo quatro fases conforme apresenta a Figura B.13, antes de envi-lo para a
fabricao.
Projeto fsico: Antes de tudo, blocos individuais devem ser projetados de acordo
com especificaes iniciais. Esta etapa tipicamente um design fsico envolvendo o
layout da mscara e o modelo eletromagntico. esperado ento que no futuro esta
parte fique por conta do fabricante, que ter um modelo padro para cada componente.
Projeto do circuito: Os componentes so ligados em um esquemtico e a
resposta resultante do circuito simulada. Dependendo do tipo e quantidade dos
componentes fotnicos, a simulao pode se tornar muito complexa, isto porque o
comportamento fotnico tem uma riqueza que ultrapassa aquela da eletrnica,
requisitando um modelo de simulao em um largo intervalo de comprimentos de onda.
Layout do Circuito: O alto nvel de descrio dos circuitos traduzido em uma
mscara de layout para a fabricao. Componentes fotnicos tm um layout bem mais
complexo que os eletrnicos. Guias de ondas, por exemplo, seguem formatos
curvilneos com leves curvas e demandam diferentes solues para o alinhamento e para
os padres de validade do modelo, diferentemente dos eletrnicos.
Verificao: O layout conferido com relao s violaes de regras do projeto
e ao processo de fabricao de cada laboratrio. Para esta fase, geralmente as
ferramentas de verificao de circuitos eletrnicos com suporte para fotnica so
usadas.

B.3.2 Elaborao de Mscara no Software Ipkiss

O IPKISS uma ferramenta de projeto fotnico desenvolvido pela universidade
de Ghent e pelo IMEC. Foi lanada por volta de 2001, quando a pesquisa de fotnica
em silcio demonstrou necessidade de ser desenvolvida para gerar circuitos com guias
de ondas complexos. Esta ferramenta deve receber um cdigo com os dispositivos
descritos na linguagem Python, visto que esta linguagem de programao tem a
vantagem de ser flexvel e fcil de ser entendida. O IPKISS logo recebeu uma biblioteca
96

chamada de GDSII, com diversos componentes fotnicos, nos quais o usurio define
apenas os parmetros bsicos e blocos de cdigo so gerados para descrev-los
detalhadamente.
O IPKISS no um programa de simulao, mas o cdigo em Python que for
desenvolvido para ele facilita muito para que outro programa de simulao o utilize sem
que ocorram diferenas na estrutura dos dispositivos. Por exemplo, o MEEP [94] [95],
que um programa de cdigo aberto e gratuito, que foi desenvolvido pelo instituto de
tecnologia MIT, usa FDTD e pode gerar a simulao a partir do mesmo cdigo em
Python construdo para o IPKISS.
O IPKISS por ele mesmo gerencia a interao entre as duas simulaes (fsica e
de circuito) e as ferramentas associadas [95]. Desta maneira, as simulaes podem ser
feitas uma dependendo da outra, o que era um requisito inicial da fotnica integrada.
Um fluxo de trabalho predefinido no IPKISS. Um componente definido com um
numero de parmetros. Isto pode ser um componente predefinido, ou um componente
completamente feito pelo usurio.

Figura B.12Fluxo de verificao de uma mscara de dispositivo fotnico [58]

Neste exemplo descrito na Figura B.12 necessrio definir uma mscara para o
97

componente com um conjunto de polgonos nas camadas corretas, para que o

componente possa ser fabricado com litografia. A definio dessas camadas
armazenada em um arquivo com a tecnologia da fbrica, o qual contm especificaes
da tecnologia de fabricao da mesma. Baseado nesta mascara, o IPKISS pode gerar
outras vistas. Se o arquivo de tecnologia especificar o processo de fabricao (fornecido
pelo fabricante), o IPKISS pode tambm aplicar o fluxo de fabricao mscara [95], o
que resulta numa distribuio 3D dos materiais. Esta ferramenta virtual de fabricao
gera uma geometria aproximada, porm no pode ser capturada a fsica completa da
fabricao. Mas se conectarmos o IPKISS com softwares alternativos como o TCAD
(software comercial), isto definitivamente possvel. A geometria 3D pode ser usada
diretamente para definir o volume de simulao de uma simulao fsica. Se o usurio
tem tambm uma entrada e sada especficas, o resultado de simulao pode ser
fornecido de acordo com a excitao necessria das fontes e monitores nas entradas e
sadas.
B.3.3. Design no IPKISS
Baseado nesta informao, o IPKISS pode gerar um arquivo base para ser
exportado a fim de realizar uma simulao fsica para extrair a transmisso de uma porta
de entrada para todas as sadas, e esta operao pode ser repetida para ser obtida a
matriz de espalhamento do componente. A escolha da manipulao da simulao fsica
pode ser feita com a escolha do componente e envolve a expanso do modo baseada em
tcnicas de FDTD. Algumas simulaes podem ser controladas otimizando um
algoritmo para a resposta de cada componente.
Foi disponibilizado na wafer EP09/D17 do IMEC um espao para experimentar
alguns dispositivos segmentados propostos nesta tese. A escolha dos dispositivos que
deveriam entrar na mscara foi feita atravs de uma anlise dos resultados de simulao
desenvolvidos no software comercial utilizado pela empresa, e a elaborao da mscara
foi feita nos meses de janeiro e fevereiro de 2015. O processo de fabricao durou trs
meses e em Maio de 2015, a mscara j estava pronta para medidas.
A construo de guias no convencionais no IPKISS (linguagem de
programao Python), para que seja enviado para a fabricao, foi realizada e os
dispositivos escolhidos pela empresa para ir para fabricao foram os interfermetros,
como podemos ver a mscara na Figura B.13.

98

Figura B.13Mscara enviada para fabricao

Figura B.14 Aproximao da entrada da luz nos MMIs

Para as entradas dos interfermetros multimodais, foi utilizado um guia de onda,

conforme podemos ver uma aproximao da sua mscara na Figura B.14, com um
formato de taper e com uma segmentao de acordo com um modelo sugerido em [96].
Este formato foi definido e acordado pela empresa devido pequena disperso que
apresentou nas simulaes.
Foi disponibilizado o esquema da mscara que foi fabricada, conforme podemos
observar na Figura B.15. Os dispositivos ao redor foram suprimidos devido a contratos
de confidencialidade com clientes.

99

Sub
wavelength
Figura B.15Mscara completa e localizao dos MMIs na mesma.

Aps a fabricao, algumas medies foram disponibilizadas, como a perda da

propagao na entrada do interfermetro e, conforme podemos observar no grfico de
contorno na Figura B.16, os resultados so bons e considerados aceitveis para a
fabricao nas instalaes do laboratrio.

Figura B.16 Grfico de contorno para a perda na propagao

Outra anlise realizada foi o comportamento da entrada da luz no dispositivo

para uma larga faixa de frequncia, e o dispositivo utilizado para acoplar a luz no MMI
segmentado foi testado e obteve bons resultados para a faixa de frequncia desejada,
como podemos observar na Figura B.17.

100

Figura B.17Grfico de perda da luz no dispositivo para entrada da luz nos MMIs

A perda para este dispositivo ficou na mdia de 15 dB para o comprimento de

onda de 1.55

considerada aceitvel para dispositivos do tipo segmentado. No foi

possvel tirar uma foto do dispositivo, porque o chip fabricado precisou ser enviado para
outro laboratrio a fim de explorar outros dispositivos contidos no mesmo.

B.4 Concluses
Aps adaptar as simulaes aos moldes exigidos pelo laboratrio, a aprovao
do projeto do dispositivo foi dada e a mscara foi projetada. Os dispositivos foram para
fabricao, e foram disponibilizados para medies. Algumas medies j foram
realizadas, fornecendo bons resultados, conforme previsto anteriormente em
simulaes.

101

Anexo C - Interfermetro afunilado

Para analisar no domnio do tempo o interfermetro multimodo, um
interfermetro com um formato de taper na regio de interferncia foi analisado. O
esquema deste taper pode ser visto na Figura C-1. Para esta anlise, foi criado no
software Rsoft um modelo CAD que reproduzisse o mesmo resultado da pesquisa
bibliogrfica [97-100].

Para isto o comprimento dos segmentos incrementado

seguindo a relao da equao C-1

W z Wi

gz
W0 Wi
exp
exp g 1
LMMI

(C-1)

onde z a direo de propagao da luz, LMMI o comprimento de acoplamento, Wi o

comprimento do MMI em z = 0, W0 o comprimento do MMI em z = LMMI, e g o
parmetro associado ao formato do MMI.

Figura C.1 Esquema de um MMI formato afunilado contnuo e segmentado

O resultado pode ser visto na Figura C.2. Foi feita a simulao com a diferena
normalizada de 0.1 e o resultado obtido para o comprimento do interfermetro foi
semelhante ao conseguido pelo artigo, aproximadamente 300 m.
Para o mesmo modelo, foi inserida a segmentao na rea de interferncia. O
resultado pode ser observado na Figura C.3.

102

Figura C.2 Simulao de um MMI formato afunilado contnuo com g = 5 e W0 = 24m

Figura C.3 Simulao de um MMI segmentado formato afunilado segmentado com g = 5 e W0 = 24m

Baseando-se nestes grficos, e observando os monitores que foram inseridos na rea

de interferncia, podemos constatar visualmente que a potncia em 298

chega a

mais de 90% do que foi inserido na entrada. Portanto, podemos concluir que a distncia
de acoplamento foi mantida a mesma que a calculada por meio da Equao 2.3 e a
mesma encontrada para um guia de onda contnuo,

. Porm podemos

observar que existem distncias onde aparecem outros modos de maior ordem, ou seja,
com maior nmero de sadas. Estas esto localizadas em aproximadamente 85 m, 105
m, 120 m, 150 m, 200 m e 240 m, o que daria ao projetista a liberdade de utilizar
este dispositivo para rotear a luz para mais de duas portas, apenas diminuindo o
comprimento do interfermetro caso o nmero de sadas desejadas seja maior que duas.
103

Anexo D Teoria da Homogeneizao

Considerando a permitividade efetiva para um meio anisotrpico de multicamadas
composta de uma simetria uniaxial, o mtodo de Maxwell-Garnett utilizado para
aproximar e obter expresses analticas para a permissividade efetiva nas direes
paralelas e perpendiculares. Na Figura D-1 pode-se observar que a estratgia de alternar
camadas de metais e dieltricos para formar a estrutura multicamada foi utilizada. As
permitividades das camadas de metais e de dieltricos so respectivamente

Metal
Dieltrico

Figura D-1 Esquemtico do multicamadas anisotrpico

Podemos definir que a frao da espessura do metal no sistema com relao

espessura total da estrutura pode ser dada pela Equao D-1 [55].

Onde

dm
dm dd

a soma de todas as espessuras das camadas metlicas do sistema, e

D- 1

soma de todas as espessuras de camadas dieltricas.

D.1 Permissividade Paralela Efetiva

Nesta seo demonstrada a expresso analtica para a componente paralela da
permissividade do sistema multicamadas. Podemos comear observando que o
deslocamento do campo eltrico proporcional ao campo eltrico por meio da
equao D-2:

104

D eff E

Onde

D- 2

a permitividade efetiva total do meio. Sabe-se da eletrosttica que a

componente tangencial do campo eltrico deve ser contnua atravs da interface quando
samos de um meio para o outro. Ento podemos definir D-3.
Em Ed E

Onde

o campo eltrico das camadas metlicas,

camadas dieltricas e

D- 3

o campo eltrico das

o campo eltrico do metamaterial de subcomprimento de

onda. A partir da continuidade do deslocamento do dieltrico na direo paralela,

podemos encontrar o deslocamento total por meio da mdia das contribuies de
deslocamentos dos campos metlicos e dieltricos e, D-4.
D Dm 1 Dd

D- 4

Substituindo as equaes D-2 e D-3, obtemos D-5.

eff E m E 1 d d

D- 5

Se cancelarmos as componentes do campo eltrico paralelo, chega-se a D-6.

m E 1 d

D- 6

D.2 Permissividade Perpendicular Efetiva

Para obter a expresso da permissividade perpendicular, pode-se comear das
equaes de Maxwell e usar as condies de fronteiras do eletromagnetismo. Sabe-se
que a componente normal do deslocamento do campo na interface deve ser contnua e
assim tem-se a equao D-7.

Dm Dd D

D- 7

Tambm se sabe que a magnitude total do campo eltrico ir ser a superposio das
componentes de campo eltrico das camadas dieltricas e metlicas. Ento se pode
definir C-8.
E Em 1 dEd

Onde

D- 8

a componente perpendicular do campo eltrico nas regies metlicas e

nas regies dieltricas. Podemos usar a condio de fronteira da equao

105

Dm Dd D

D- 7

e a equao de Maxwell substituir na equao

E Em 1 dEd

Se cancelar os termos comuns do campo eltrico e resolver para

D- 8

, podemos obter

a expresso analtica para a permissividade do metamaterial multicamadas na direo

perpendicular dada pela Equao D-9.

md
d 1 m

106

D- 9

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