Como encontrar o substituto de um

MOSFET
Como encontrar o substituto de um MOSFET
Encontrar o substituto de um semicondutor, em particular, de transistores sempre
foi um problema para os tcnicos reparadores.
Quantas e quantas vezes no se encontra o original usado no aparelho e temos que
recorrer ao famoso equivalente ou substituto.
Num passado bem distante praticamente s tnhamos transistores bipolares e um
nmero relativamente reduzido de tipos diferentes, se compararmos aos dias
atuais.
Era comum o tcnico recorrer s tabelas ou livrinhos de equivalncias sem se
preocupar com uma analise mais minuciosa dos parmetros.
Por outro lado os cursos e os livros de eletrnica do pouca ateno em mostrar
como analisar o datasheet de um componente.
Como eu disse no incio do artigo, se antigamente era difcil imagine hoje com a
infinidade de tecnologias de semicondutores que temos por a, e quando se fala de
MOSFETS ento que a coisa fica feia mesmo.
Vamos ver ento como entender minimamente o datasheet de um MOSFET para
que possamos comparar criteriosamente os parmetros do original com aquele que
dizem que serve e encontrar um substituto a altura.
Examinando o data sheet
Vou escolher um MOSFET qualquer para destrinchar o seu data sheet.
Ento, vamos l uni-duni-t o escolhido foi voc: WFF4N60fabricado pela
Winsemi.
Comecemos olhando o resumo dos dados que aparece logo no topo da primeira
pgina.

Primeira pgina do data sheet

As informaes a contidas no so suficientes para que possamos chegar a uma

concluso criteriosa, mas se sabemos que o MOSFET original suporta uma
corrente e tenso maiores que este, mesmo que ambos sejam canal-N, nosso
escolhido j poder ser descartado imediatamente.
Por outro lado, se este resumo bater com os da nossa figurinha difcil, ento
hora de nos aprofundarmos mais e passar para a anlise dos Absolute Maximum
Ratings que podemos traduzir, ou melhor, interpretar como Classificao dos
Valores Absolutos Mximos.
Analisando os Absolute Maximum Ratings
Comecemos olhando o principal parmetro de identificao de um MOSFET que
a tenso dreno-supridouro (VDSS Drain-to-Source Voltage) que aparece logo na
primeira linha da tabela e que nos informa qual a maior tenso que o MOSFET
pode suportar com o gate curto circuitado para o supridouro (VGS=0). O VDSSque no
nosso exemplo 600V, especificado para 25C.

Absolute Maximum Ratings

Mas no basta olhar este parmetro e a corrente de dreno (I D) que tambm

importante, sem dvida.
Outro parmetro fundamental na escolha de um MOSFET aresistncia drenosupridouro (on) simbolizada por Rds(on) a qual est sempre relacionada com a tenso
gate-supridouro como vemos abaixo no recorte da segunda pgina do data sheet.
Resistncia dreno-supridouro on

A resistncia on do MOSFET sempre especificada para uma ou mais tenses de

gate-supridouro e pode variar de 30 a 150% de acordo com a temperatura da
juno.
possvel que voc j tenha ouvido falar dos parmetros acima, mas talvez eles
no fizessem muito sentido e no soubesse como lidar com eles na hora de
comparar uma ou mais transistores e decidir se realmente pode ser usado como

substituto. Se era assim, agora olhar o que est escrito no data sheet passa a
fazer sentido e ter utilidade.
Mais um parmetro importante: Qg
Este parmetro chamado de carga do gate (gate charge) e muito importante
para os MOFETS, principalmente usados em fontes chaveadas e inverters, porque
est relacionado s perdas de chaveamento.
As perdas de chaveamento podem ocorrer por dois motivos:
Tempo de transio on/off;
Energia necessria para recarregar a capacitncia do gate a cada ciclo de
chaveamento.
O Qg (carga do gate) depende da tenso gate-supridouro como podemos ver no
recorte do data sheet mostrado abaixo.

Carga do gate

Finalmente no podemos nos esquecer do tempo de recuperao reversa (trr) sobre

o qual j discorri em outro artigo aqui no blog e se voc no leu recomendo que
clique no link e leia.