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CURSO PREPARATRIO PARA CONCURSOS EM

ELETROTCNICA CPCE

ELETRNICA ANALGICA

AULA 1

Semicondutor

Prof.: Jean

WWW.escoladoeletrotecnico.com.br
11 de setembro de 2007
1

CAPTULO 1: COMPRENDENDO O FUNCIONAMENTO DO SEMICONDUTOR

1.1 Introduo:
A classificao de um material como um condutor ou um semicondutor ou um isolante depende da
quantidade de eltrons que este tem na sua camada de valncia como mostrado abaixo:
Condutor: tem 1 eltron de valncia
Semicondutor: tem 4 eltrons de valncia
Isolante: tem 8 eltrons de valncia.
Os dois semicondutores mais conhecidos so: o germnio e o silcio, sendo que o silcio o mais
usado.
1.2 Influncia da temperatura nos materiais semicondutores:
Quanto mais alta for a temperatura de um material, maior ser a sua energia interna e mais fortes
sero as vibraes mecnicas (movimento de vaivm) dos tomos.
Quando tocamos um material quente, o calor que sentimos devido s vibraes dos tomos
daquele material. Essas vibraes podem, ocasionalmente, provocar o deslocamento de um eltron da
camada de valncia para um nvel de energia maior, onde ele se torna um eltron livre. Alm disso, a
sada do eltron da camada de valncia deixa nesta um vazio, o qual chamado de lacuna.
A lacuna em questo se comporta como uma carga positiva, pois pode atrair e manter capturado
qualquer eltron prximo dele. Esse processo chamado de recombinao. O tempo entre a gerao
de um eltron livre e a sua captura (recombinao) chamado de tempo de vida.
1.3 Semicondutores intrnsecos:
Um semicondutor intrnseco um semicondutor puro, ou seja, todos os seus tomos so de silcio,
por exemplo. Na temperatura ambiente, o silcio se comporta como um isolante, porque tem poucos
eltrons livres.
1.4 Dopagem de um Semicondutor:
Dopar um material semicondutor adicionar impurezas aos seus tomos para alterar sua
condutividade eltrica. Um semicondutor dopado chamado de semicondutor extrnseco.
1.5 Tipos de Semicondutor extrnseco:
Um semicondutor pode ser dopado com excesso de eltrons livres (semicondutor tipo N) ou
excesso de lacunas (semicondutor tipo P).
a) Semicondutor tipo N: So semicondutores que foram dopados com eltrons, ou seja, h um
excesso de eltrons em relao s lacunas. Neste caso, os eltrons so portadores majoritrios
(impurezas majoritrios) e as lacunas, portadoras minoritrias.
 Eltrons: so cargas negativas
 Lacunas: so cargas positivas

b) Semicondutores tipo P: So semicondutores que foram dopados com lacunas, ou seja, h um


excesso de lacunas em relao aos eltrons. Neste caso, as lacunas so as portadoras majoritrias
(impurezas majoritrias) e os eltrons portadores minoritrios.

Na aplicao de uma fonte de tenso externa, os portadores (eltrons e lacunas) so submetidos a


movimentos tais que as lacunas se movem em direo ao terminal negativo da fonte e os eltrons em
direo ao terminal positivo da fonte.
1.6 Diodo No-polarizado:
Quando um material dopado de modo que metade dele seja do tipo P e a outra metade do tipo N,
a borda entre o tipo P e o tipo N chamada juno PN. A juno PN deu origem a todos os tipos de
invenes, incluindo diodos, transistores e circuitos integrados. A compreenso da juno PN permite
que voc entenda todos os tipos de dispositivos semicondutores.

A juno a borda onde as regies do tipo P e do tipo N se encontram, e diodo de juno outro
nome dado para um cristal PN. A palavra diodo = di + odo
= dois + eletrodos
Camada de Depleo:

a regio onde h um campo eltrico, o qual dificulta a entrada dos eltrons da regio N nesta
camada. A intensidade desse campo aumenta medida que os eltrons cruzam a juno at que o
equilbrio seja atingido. O campo eltrico impede a passagem de eltrons pela juno.
O campo na regio (camada) de depleo equivalente a uma diferena de potencial chamada
barreira de potencial. temperatura de 25C essa barreira de potencial aproximadamente igual a
0,3V para o diodo de germnio e 0,7V para o diodo de silcio.

1.7 Polarizao direta:

Numa polarizao direta, a fonte externa elimina a ddp da camada de depleo permitindo o fluxo
de eltrons e lacunas entre as duas regies e assim, tem-se a corrente I. Em outras palavras, a fonte
externa V fora os eltrons e as lacunas a se mover em direo juno.

RESUMO:

O eltron sai do terminal negativo e entra no semicondutor pelo ponto A;

Viaja atravs da regio N como eltron livre;

Chegando na juno, ele se recombina com uma lacuna da regio P e se torna um eltron de
valncia;

Ele viaja atravs da regio P como um eltron de valncia at o ponto B;

Aps deixar o ponto B do semicondutor, circula para o terminal positivo da fonte.

Bibliografia:
MALVINO, Alberto e BASTES David- Eletrnica - Volume 1 - 7 Edio. Editora Mcgraw Hill

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