El microscopio electrnico de barrido (SEM)

Electrones y resolucin
A pesar de que el acrnimo correspondiente sera MEB, nosotros en adelante usaremos
el ingls SEM (Scanning Electron Microscope) por resultar el ms ampliamente utilizado.
En un sistema ptico la resolucin o el poder de resolucin PR expresa la capacidad de
discriminar dos puntos muy cercanos entre s. El PR, por lo tanto, es inversamente
proporcional al lmite de resolucin (d), que es la menor distancia que debe existir entre
dos puntos para que puedan ser distinguidos separadamente.
As, la resolucin en un sistema ptico perfecto se puede describir matemticamente a
travs de la ecuacin de Abbe:

donde:
d = lmite de resolucin
= longitud de onda de la radiacin que forma la imagen
n = ndice de refraccin medio
= ngulo de abertura en radianes
n sen a menudo es expresado como NA (apertura numrica) La abertura numrica es
funcin de (la mitad del ngulo del cono de luz que emerge del objeto, y que es captado
por la lente objetivo). La AN, as, se define matemticamente como la resultante de la
multiplicacin del seno de por el ndice de refraccin del medio a travs del cual pasa la
luz (n)
Este sera, como hemos dicho, el lmite de la resolucin de un sistema ptico en el caso de
que todas las aberraciones y distorsiones se eliminaran del sistema. Pero, inevitablemente,
las aberraciones y distorsiones estn siempre presentes, y determinan tambin el lmite
prctico de la resolucin.
La resolucin de un microscopio ptico se encuentra, por tanto, definitivamente limitada
por la longitud de onda de la luz, del haz de fotones utilizado para iluminar y observar la
muestra. Mientras que el microscopio electrnico, utilizando electrones altamente
acelerados, puede operar con un haz cuya longitud de onda resultante sea varios rdenes
de magnitud menor. Con respecto a otras partculas, la ventaja que tienen los electrones

es que pueden ser fcilmente acelerados mediante una diferencia de potencial. Y, as

mismo, para poder emular un sistema ptico anlogo al de un microscopio convencional,
resulta tambin posible focalizar el haz de electrones y modificar su trayectoria a travs de
campos electromagnticos.
Broglie, mediante la combinacin de algunos de los principios de la fsica clsica con la
teora cuntica, propuso que las partculas en movimiento tienen propiedades ondulatorias
y que su longitud de onda se puede calcular, en funcin de su masa y su nivel de energa.
La forma general de la ecuacin de Broglie es la siguiente:

donde:
= longitud de onda.
h = constante de Planck (6.6x10-7)
m = masa de la partcula (9.1 x 10-8)
v = velocidad de la partcula
Cuando un electrn pasa a travs de una diferencia de potencial (voltaje de aceleracin de
campo) V, su energa cintica es igual a la energa del campo, es decir eV (energa en
electrn-voltios) = V (tensin de aceleracin). Como se recordar, e = mc. Al replantear
esto para velocidades por debajo de la velocidad de la luz y partculas con masa real, la
energa de un electrn puede enunciarse de la siguiente manera:

donde:
eV = energa en electrn-voltios (e = 4.8 X 10-10)
m = masa de la partcula
v = velocidad de la partcula
Mediante el uso de algunas suposiciones acerca de la velocidad de la partcula y su masa,
es posible expresar ya sea la longitud de onda ( o la velocidad (v) en trminos del voltaje
de aceleracin (V). Mediante la sustitucin de los valores de h y m de ms arriba, la
ecuacin para se reduce a lo siguiente:

 Hay que advertir que a medida que la velocidad del electrn se acerca a la velocidad de
la luz, se hace necesario usar las ecuaciones de Einstein de la relatividad para una mayor
precisin, dado que la masa y cantidad de movimiento de electrones aumenta con la
velocidad
Este valor de puede ser sustituido en la ecuacin de Abbe. Dado que el ngulo es
generalmente muy pequeo, el valor se aproxima al de sen , por lo que se
sustituye.Dado que n (ndice de refraccin) es esencialmente , eliminamos, y
multiplicamos 0.612 por 12,3 para obtener 0.753. Por lo tanto, la ecuacin se reduce a la
siguiente

donde:
d = resolucin en nm
= ngulo de apertura en radianes
V = voltaje de aceleracin

4 http://www.nobelprize.org/educational/physics/microscopes/powerline/index.html Accesibl
e 27/01/2016
En ltima instancia y en trminos prcticos, la resolucin espacial del SEM depender,
como veremos ms adelante, del tamao del haz de electrones utilizado que a su vez
depender tanto de la longitud de onda de los electrones como del sistema utilizado para
producir el haz. Y, as mismo, la resolucin tambin estar condicionada por el tamao del
volumen de interaccin, el volumen de material de la muestra que interacta con el haz de
electrones.

EL microscopio electrnico de barrido o SEM, como ms comnmente se le conoce por su

acrnimo en ingls (Scanning Electron Microscope), es un instrumento compuesto por
un sistema ptico-electrnico que explora la muestra por medio de un haz mvil de
electrones que, como resultado de la interaccin electrn-materia, provoca la generacin
de diversas radiaciones.
Dada la facilidad de dispersin de los electrones, para mantener el control del haz resulta
necesario mantener la columna en altos niveles de vaco. As, en el SEM, el haz de
electrones, procedente del can -5- atraviesa la columna, a travs del sistema ptico de
lentes electromagnticas, llegando a la muestra, donde un generador de barrido produce el
movimiento del haz, de manera que barre o escanea la muestra punto a punto.

(Fig. 2) Esquema bsico del funcionamiento de un SEM

5 Ver esquema bsico en fig 2 y tipos en fig 12
El sistema ptico, compuesto esencialmente por una lente condensadora y una lente
objetivo, focaliza el haz saliente del can de electrones, modificando su dimetro y
focalizndolo sobre el espcimen. Y unas bobinas deflectoras, controladas por el
generador de barrido, son las responsables de que el haz focalizado rastree la muestra.

(Fig. 3) Correspondencia del barrido del haz punto a punto y la imagen del monitor
El haz rastrea de izquierda a derecha y de arriba abajo, existiendo una correspondencia
uno a uno entre el patrn de barrido de la muestra y el patrn de barrido utilizado para
producir la imagen en el monitor. De ese modo, la resolucin de imagen seleccionada
afectar, obviamente, al nmero de pxeles por fila as como el nmero de filas que
constituyen el rea escaneada.
De la interaccin del haz con la muestra en cada punto se genera una seal que es
recogida y procesada para generar la imagen. El procesador toma la intensidad de la seal
procedente de un pxel en la muestra y la convierte en un valor de escala de grises del
correspondiente pixel en el monitor. La imagen final del monitor ser, as, un patrn de
barrido bidimensional de valores de escala de grises.
Para cambiar la magnificacin, todo lo que necesitaremos hacer es cambiar el tamao del
rea de barrido sobre la muestra. El tamao del patrn de rastreo del monitor es
constante, de manera que la magnificacin aumentar si reducimos el tamao del rea
escaneada en la muestra.
La colisin del haz de electrones altamente acelerado con los tomos de la muestra da
como resultado la produccin de varios tipos de radiacin (Ver fig. 4) que puede ser
detectada y analizada por detectores especficos. Estas seales revelan una valiosa
informacin acerca de la muestra como la morfologa y topografa de la superficie, la
composicin elemental, la conductividad elctrica, la estructura cristalogrfica, etc.
Estos son los principales fenmenos se producen al interactuar el haz de electrones con el
espcimen:
1. Emisin de electrones secundarios
2. Emisin de electrones retrodispersados
3. Electrones absorbidos

4. Emisin de rayos X
5. Emisin de fotones
6. Electrones Auger

(Fig. 4) Esquema bsico de las diferentes seales generadas a raz de la interaccin del
haz primario con la superficie de la muestra. En este caso no se muestran las que
corresponderan a la interaccin del haz de electrones con una muestra delgada como
sera el caso del TEM.
Todos estos fenmenos se encuentran de un modo u otro relacionados entre s y
dependen, hasta cierto punto, de la topografa, el nmero atmico y el estado qumico de
la muestra.
De la interaccin del haz principal de electrones con la muestra nos centraremos en dos
tipos de dispersin de electrones: dispersin o scattering de
electrones elstica e inelstica. Los eventos inelsticos ocurren cuando el haz
interacciona con el campo coulmbico del ncleo del tomo de la muestra.
La fuerza coulmbica se define como:

Siendo r la distancia entre las cargas Q1 y Q2 y 0 la constante dielctrica. Cuanto ms

cerca pasa el electrn del ncleo, es decir, a menor r, mayor es F y por consiguiente el
ngulo de dispersin.

En este tipo de dispersin el electrn incidente pierde parte de su energa, pero sin sufrir
una desviacin significativa de su trayectoria. El resultado es una transferencia de energa
al tomo de la muestra y una potencial expulsin de un electrn de este tomo
llamado electrn secundario (Secondary Electron SE). Estos electrones, por definicin,
tienen una energa menor a 50 eV. Y, si la vacante ocasionada se llena desde un orbital
superior, entonces se produce un rayo X caracterstico de esa transicin de energa.
De otro lado, la dispersin elstica da como resultado un cambio en la direccin del haz de
electrones, pero sin una alteracin significativa de la energa del haz de electrones (<1
eV). De modo que, si el haz de electrones desviado elsticamente se dispersa de nuevo
fuera de la muestra, los electrones se denominan retrodispersados (backscattered
electron BSE). Un BSE puede tener un rango de energa de 50 eV a casi la energa del
propio haz incidente. Pero, sin embargo, la mayora de los electrones retrodispersados
retienen al menos 50% de la energa del haz incidente.

(Fig. 5) Diversos modos de emisin de electrones a partir de la incidencia de un haz de

electrones: Los electrones secundarios son dispersados inelsticamente y los
retrodispersados elsticamente. Los electrones Auger y los rayos X son causados por la
eyeccin de electrones de capas internas compensada por electrones de capas orbitales
superiores, ocupando as el nivel de energa vacante, o bien se da un exceso de energa
en forma de un rayo X caracterstico o la expulsin de un electrn a un orbital exterior.
De hecho, los electrones secundarios (SE) pueden ser generados por 3 mecanismos
diferentes:
1. Por interacciones de electrones procedentes del haz incidente con tomos de la
muestra.
2. Por interacciones de alta energa de electrones retrodispersados (BSE) con tomos de
la muestra.

3. O bien, pueden ser producidos por electrones retrodispersados (BSE) de alta energa
que impactan contra las piezas polares del microscopio o/y otros objetos slidos cerca del
espcimen.
El SEM utilizar para la formacin de imgenes los electrones secundarios, dado que se
producen cerca de la superficie del espcimen y muestran su estructura topogrfica. La
intensidad de esta radiacin superficial (electrones de baja energa) vara conforme la
sonda barre la superficie del espcimen, y as se va presentando en la imagen formada en
el monitor representando su topografa.
De otro lado, la variacin de emisin de electrones retrodispersados (electrones de alta
energa) depender de la composicin de la muestra, pudiendo distinguir as la variacin
de seal causada por la diferencia en el nmero atmico promedio, la orientacin
cristalogrfica, etc. Y nos proporcionan, de ese modo, informacin adicional sobre la
distribucin de la composicin de la superficie de la muestra.
Como ya se ha mencionado, en el SEM el haz de electrones, no est esttico, sino que,
con la ayuda de bobinas deflectoras, barre punto a punto pequeas reas rectangulares de
la superficie de la muestra. De este modo tambin la seal de rayos X puede capturarse y
procesarse de diferentes formas:

- Fijado el haz de electrones en un solo punto de la muestra, se puede realizar un

microanalisis elemental cualitativo y cuantitativo de los elementos constituyentes del
espcimen en ese volumen concreto de interaccin.

- Analizar cualitativa o cuantitativamente una lnea y reproducir dicho anlisis

grficamente.

- Sintonizar el espectrmetro para uno o diversos elementos predeterminados y

correlacionar la informacin con la de la imagen de la superficie de la muestra
escaneada, obteniendo as un mapa de localizacin elemental.
Resulta tambin importante entender desde donde llegan las diferentes seales que
pueden ser detectadas (Figura 6). Los electrones Auger y los secundarios con bastante
baja energa se absorben fcilmente en cualquier material y, por lo tanto, solamente los
generados cerca de la superficie pueden dejar la muestra para llegar al detector. Los
electrones retrodispersados tienen la misma energa que el haz incidente y, por lo tanto,
penetran en la muestra ms fcilmente. Los rayos X podrn proceder de zonas ms
profundas.

(Fig. 6) Esquema del volumen de interaccin sobre una muestra compacta y el origen de
las diferentes seales detectables.
6 Werner, W, Interaction of electron beams with matter, Surfacen & Plasma Technology
Research Group of the Institut fr Allgemeine Physik.
2011 http://www.ualberta.ca/~ccwj/teaching/microscopy/
Cuando el haz de electrones golpea la materia, comienza a ensancharse a causa de
fuertes efectos de dispersin elstica. Simultneamente, las interacciones inelsticas
causan una prdida de energa de los electrones. Si la muestra es muy gruesa, la energa
ser transferida completamente a la muestra. El resultado global es un volumen de
interaccin en forma de pera como vemos en la figura ms arriba. La profundidad de
penetracin t depender de la energa del haz de electrones incidente (t ~ V) y de la
composicin sobre del material sobre el que interactua (t ~ 1 masa / atmica).
Las dimensiones del volumen de interaccin varan proporcionalmente al voltaje de
aceleracin: A medida que la energa del haz aumenta la tasa de prdida de energa en la
muestra disminuye y, por tanto, los electrones del haz penetran ms profundamente en la
muestra. Tambin la probabilidad de dispersin elstica es inversamente proporcional a la
energa del haz. Con menos dispersin elstica, la trayectoria del haz cerca de la
superficie de la muestra ser ms recta y los electrones penetraran ms profundamente en
la muestra. As, el efecto acumulativo de la dispersin elstica causa que algunos
electrones se propaguen de nuevo hacia la superficie ampliando as e volumen de
interaccin.
El efecto contrario ocurre cuando el nmero atmico promedio de la muestra aumenta: La
tasa de prdida de energa del haz de electrones se incrementa a mayor nmero atmico
y, por lo tanto, los electrones no penetran tan profundamente en la muestra.

Los rayos X pueden tener una energa casi igual a la del electrn haz primario y por lo
tanto pueden proceder de zonas bastante profundas de la muestra (ver fig. 4). La
generacin de fotones de rayos X se obtiene al ser expulsado un electrn de alguno de los
orbitales internos del tomo y que esta vacante sea ocupada por alguno de los electrones
de un orbital ms externo. As, de la colisin inelstica entre el haz primario y un electrn
de un orbital interior da como resultado la emisin de ese electrn del tomo. Y la energa
liberada por este evento de reemplazo de electrones produce un fotn con una energa
igual a la diferencia de en la energa entre los dos orbitales.

(Fig. 7) Esquema de posibles saltos orbitales de los electrones y la correspondiente

emisin de fotones.
Como ya mencionamos ms arriba, la energa de estos fotones de rayos X resulta
caracterstica de la transicin electrnica ocurrida siendo as caracterstica de cada tomo.
As, obtendremos seales especficas correspondientes tanto a la procedencia orbital del
electrn expulsado (K, L o M) como a la que ocupa la vacante. As, por ejemplo, a la
energa del rayo X procedente de un electrn eyectado de la capa K ser del tipo K, pero si
la vacante la ocupa un electrn del orbital L entonces le llamaremos K. Adems, se llega
a considerar no solamente el orbital procedente y el que cubre la vacante sino que,
tambin se tienen en cuenta los suborbitales.
Para la identificacin positiva de un elemento ser necesaria la comprobacin de toda la
familia de picos para un elemento dado dentro del espectro analizado. Aunque, algunos
eventos (M, por ejemplo) solamente son posibles en tomos con un alto peso atmico.

(Fig. 8)
En un espectro de Rayos X aparecen picos a diferentes energas. Cada elemento se
caracteriza por un conjunto de picos a energas caractersticas, por lo que se puede
determinar la composicin de la muestra. La altura de los picos depende de la cantidad
presente en la muestra y de la probabilidad de que se produzaca el pico caracterstico para
cada elemento.

(Fig. 9) Detalle del espectro anterior: En verde marcadas las posiciones de los picos
correspondientes a la seal de las lneas L y M del Pb

(Fig. 10) Mapa donde se muestra la composicin asignando un color a cada elemento
identificado en la estructura.
Adems de la posibilidad de adquirir espectros de puntos determinados de la muestra,
existe tambin la posibilidad de realizar mapas elementales que correlacionan la imagen
adquirida de secundarios o retrodispersados con la presencia o no de los elementos que
seleccionemos el rea escaneada. De este modo se obtendrn mapas individuales de
distribucin elemental que pueden ser superpuestos a la imagen de SE o BSE.

(Fig. 11) Mapa donde se muestra la composicin asignando un color a cada elemento
identificado en la estructura.
El can proporciona un haz estable de electrones altamente acelerados que mediante el
sistema ptico focalizado sobre la muestra. El control de este haz sera imposible a presin
atmosfrica, debido a que las molculas de gas en el aire dispersaran los electrones. Por
lo tanto, tanto el can como el resto de la columna del SEM ha de mantenerse en vaco, y
la muestra debe ser capaz de resistir el cambio de presin de manera que se altere su
morfologa lo menos posible.
Para la generacin del haz de electrones se pueden utilizar dos sistemas:
el termoinico o el de emisin de campo (FEG Field Emisin Gun): Los de tipo
termoinico, que producen el haz por calentamiento de un filamento, en este caso se
utilizan o bien filamentos de Tungsteno (W) o bien cristales de hexaboruro de Lantano
(LaB6). En los caones FEG se utiliza un campo elctrico para facilitar la emisin de
electrones. Se requiere unas condiciones de vaco mucho mejores que en los termoinicos
(alrededor de 10-10 Torr). Pero la complicacin tcnica es compensada por unos valores
de luminosidad de varios rdenes de magnitud mayor.
El dimetro de la sonda o haz puede variarse alterando la corriente de la lente
condensadora, permitiendo una mayor resolucin, una cierta disminucin de la aberracin
de las lentes y una menor corriente de sonda.

(Fig. 12) Filamento de un can de emisin de campo. (Izquierda)

(Fig. 13) Filamentos para caones de tipo termoinico de W y de LaB6. (Derecha)
Preparacin de las muestras
Debido, como hemos dicho antes, a que el SEM utiliza electrones y trabaja en condiciones
de alto vaco para poder formar una imagen, se puede requerir una mnima preparacin
especial. Por ejemplo, las muestras hidratadas han de seguir algn tipo de proceso previo
de deshidratacin. Las muestras biolgicas deben fijarse qumicamente de manera previa.
Y aunque los metales conductores no requieren preparacin antes de ser observados,
toda muestra no conductora necesita recubrirse con una capa delgada de material
conductor. Esto ltimo se hace mediante el uso de dispositivos que evaporan carbono en
condiciones de vaco o bien depositan algn metal pesado, (Au habitualmente) mediante
un aparato llamado sputter-coater (podra traducirse como pulverizador catdico)
El dispositivo de recubrimiento por pulverizacin catdica o sputtering utiliza un campo
elctrico y gas argn para su funcionamiento: La muestra se coloca en una pequea
cmara al vaco. El argn y un campo elctrico causan una atmsfera ionizada,
propiciando que los iones de argn positivos impacten sobre una lmina de oro polarizada
con carga negativa.

(Fig 14) Imagen de un Sputter coater comercial y esquema de funcionamiento bsico.

Los iones de argn, arrancan los tomos de oro de la superficie de la lmina, que se
redepositan homogneamente sobre la superficie de la muestra. Se produce as un
recubrimiento de oro muy fino y de grosor bastante controlable.
Si lo que se pretende es adquirir imgenes de calidad, se utiliza el recubrimiento con Au. Si
lo que se requiere es analizar la preparacin mediante rayos X, entonces resulta mejor
opcin el carbono ya que la seal de ste elemento no interferir tan drsticamente con el
resto de lementos, a no ser que precisamente sea carbono lo que se pretenda analizar.
Existen algunos SEM que pueden trabajar en condiciones de bajo vaco, con una presin
superior en la cmara del espcimen a la habitual en los SEMs convencionales. Las
presiones de trabajo en estos microscopios suelen ser mayores de 10 Pa, mientras que la
presin de un SEM convencional suele estar alrededor de 10-4 Pa. Estos microscopios
suelen dedicarse a la observacin de muestras biolgicas, materiales que presenten una
especial sensibilidad al vaco o muestras nicas que no sea posible recubrir (muestras
arqueolgicas, por ejemplo).
En bajo vaco, se disminuye el efecto de carga en la muestra descrito ms arriba y, de este
modo, se pueden observar tambin muestras no conductoras, sin necesidad de
recubrirlas.
Ventajas generales del SEM
Proporciona una gran profundidad de campo.
Gran versatilidad amplia gama de aplicaciones.
Aporta informacin verstil mediante los diversos detectores.
Operacin rpida y fcil manejo.
Posibilidad de observar objetos ms grandes que en un TEM, incluso en condiciones de
bajo vaco en algunos casos para evitar alteraciones de la muestra.

 No resulta preceptivo cortar o adelgazar la muestra para la observacin y, en una gran

mayora de casos, no requiere prcticamente preparacin.
Desventajas generales del SEM
Aunque existen versiones de sobremesa con un precio algo ms asequible, un
microscopio SEM conlleva un alto coste econmico.
Solamente se pueden examinar estructuras superficiales y con menor resolucin que un
microscopio de transmisin, a pesar de que los actuales microscopios dotados con
caones FEG han mejorado este ltimo aspecto notablemente.
Supone una mnima formacin especfica, tanto para su uso como para la preparacin de
muestras.
La preparacin de muestras puede provocar artefactos sobre todo en muestras
biolgicas..
Las condiciones de vaco y espacio limitado de la cmara del espcimen condicionan el
tamao mximo de la muestra y la preparacin, sobre todo en el caso de los materiales
orgnicos.