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PRTICA 2

CONCENTRAO MICELAR CRTICA:


DETERMINAO DA CMC E O GRAU DE IONIZAO
DE UM TENSIOACTIVO.
1.- Objetivo.
2.- Fundamento terico.
3.- Desenvolvimento do procedimento experimental.
3.1.- Preparao de dissolues.
3.2.- Instrues de uso do tensimetro DU NOUY.
3.3.- Medida da tenso superficial pelo mtodo do anel.
3.4.- Determinao do excesso superficial
3.5.- Medida de condutividade.
4.- Tabela de dados experimentais.
5.- Clculos e grficas.
6.- Discusso dos resultados e observaes.
1.- OBJETIVO:
A.- Determinao da CMC do tensioactivo bromuro de hexadeciltrimetilamonio (CTAB) mediante medidas de
tenso superficial e condutividade.
B.- Determinao do excesso superficial a concentraes inferiores CMC.
C.- Determinao do grau de ionizao micelar.
2.- FUNDAMENTO TERICO:
Em um fludo a cada molcula interacciona com as que lhe rodeiam. A rdio de ao das foras moleculares
relativamente pequeno, e abrange s molculas vizinhas mais prximas.
Se a molcula encontra-se no interior do lquido, a decorrente de todas as interaes ser nula. No entanto,
se a molcula encontra-se na superfcie ou prxima a ela, por existir em valor mdio menos molculas acima
que abaixo, a decorrente das foras estar dirigida para o interior do lquido.
Termodinmicamente a tenso superficial um fenmeno de superfcie e a tendncia de um lquido a
diminuir sua superfcie at que sua energia de superfcie potencial mnima, condio necessria para que o
equilbrio seja estvel. Como a esfera apresenta uma rea mnima para um volume dado, ento pela ao da
tenso superficial, a tendncia de uma poro de um lquido leva a formar uma esfera ou a que se produza
uma superfcie curva ou menisco quando est em contato um lquido com um recipiente.
fora que atua por centmetro de longitude de um filme que se estende se lhe chama tenso superficial do
lquido, a qual atua como uma fora que se ope ao acrscimo de rea do lquido. A tenso superficial
numericamente igual proporo de acrscimo da energia superficial com a rea e mede-se dinas cm-1.
Quando a estrutura molecular de um composto tal que sua molcula contm partes solubles em gua e

outras insolubles, o comportamento do composto em frente ao dissolvente muda, j que no se distribuem


uniformemente no dissolvente, sendo sua concentrao na superfcie deste e em suas proximidades, maior
que no resto do lquido.
Os tensioactivos devido estrutura polar-apolar de sua molcula apresentam este fenmeno e diminuem a
tenso superficial da gua em concentraes por embaixo da concentrao na que o tensioactivo cobriu a
totalidade da superfcie. Acima desta concentrao as molculas do tensioactivo dirigem-se para ao interior
do lquido formando agregados de molculas singelas de tensioactivos resultando uma estrutura com uma
orientao especfica de alto peso molecular a partir da qual se observam mudanas bruscas nas
propriedades fsico-qumicas como em sua condutividade, presso osmtica, turbidez, tenso superficial. A
esta concentrao qual se d esta mudana se lhe chama concentrao micelar crtica (CMC).
3.- DESENVOLVIMENTO DO PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:
Para determinar a CMC do tensioactivo vai utilizar-se a mudana brusca na medida de tenso superficial e na
medida de condutividade em dissolues aquosas do detergente a diferentes concentraes.
3.1.- Preparao de dissolues:
Prepara-se 250 ml de uma dissoluo me de 0,05 M de CTAB (pm = 364,46 g/mol). A partir desta preparamse 9 dissolues filhas de 50 ml. com concentraes; 0,0002; 0,0003; 0,0005: 0,0007; 0,0008; 0,0010; 0,0020;
0,0040; 0,0060M.
Gramas necessrias de CTAB:
ng. = M PM V(dis) = 0,05 M 364,46 g/mol 0,250 l. = 4,55 g.
Mililitros necessrios de me:
CmVm=ChVhVm=ChVh
Cm
Para a dilucin 1, apanhamos = 0,2 ml.
Para a dilucin 2, apanhamos = 0,3 ml.
Para a dilucin 3, apanhamos = 0,5 ml.
Para a dilucin 4, apanhamos = 0,7 ml. 50 ml. de gua.
Para a dilucin 5, apanhamos = 0,8 ml.
Para a dilucin 6, apanhamos = 1,0 ml.
Para a dilucin 7, apanhamos = 2,0 ml.
Para a dilucin 8, apanhamos = 4,0 ml.
Para a dilucin 9, apanhamos = 6,0 ml.
3.2.- Instrues de uso do tensimetro DU NOUY.
Todo a matria dever estar perfeitamente limpo j que o aparelho muito sensvel.
Ao aparelho estar nivelado o qual pode ser visto atravs da borbulha situada na base.
O anel de Pt-Ir h que o manejar com precauo.

Figura 1.- Tensimetro de DuNouy


hora de medir se por a dissoluo no recipiente e este sobre a plataforma, a qual se subir sem que
chegue a tocar o lquido. Com ajuda da roda sobe-se a plataforma at que toque a dissoluo. A seguir com a
mesma roda giramos no sentido contrrio para que a plataforma baixe e se saia que escala. Com a roda de
medio situada frontalmente giramos at que o anel se desprenda do lquido. Finalmente anota-se o valor da
tenso superficial ()obtida.

Figura 2.- Anel de DuNoy, mtodo para medir tenso superficial.


Mede a fora requerida para retirar o anel da superfcie do lquido.
3.3.- Medida da tenso superficial pelo mtodo do anel.
Mediram-se a tenso superficial de todas as dissolues filhas de CTAB obtendo valores , mas para ter

valores absolutos a este valor h que multiplicar por um fator de correo F. Ento:
F = sendo F = (H2Ou) tabulado / (H2Ou) experimental
F = 71,97 mN/m / 68 mN/m = 1,06
Inicialmente observa-se que os valores de tenso superficial diminuem bruscamente com a concentrao de
tensioactivo. Quando a superfcie do gua est saturada de molculas tensioactivas, por enzima da CMC, o
resto de tensioactivo faz parte das micelas e a tenso superficial j no varia com a concentrao.
A CMC corresponde no ponto de corte das duas retas que se obtm ao representar em frente a
Ln c.
3.4.- Determinao do excesso superficial.
Quantidade de tensioactivo absorvido na interfase ar/gua mediante a seguinte equao:

Se calcular o excesso superficial para duas concentraes.


3.5.- Medida de condutividade.
Mede-se a condutividade especfica das dissolues filhas de CTAB. A partir dos resultados determina-se a
CMC do tensioactivo, que ao igual que no caso anterior corresponde com o ponto de corte das retas obtidas
ao representar (condutividade) em frente a c (concentrao).
Tambm se obtm o grau de ionizao micelar fazendo o relacionamento de pendentes antes e
aps o ponto de corte (CMC):
= / ou
Sendo a condutividade molar do tensioactivo miscelado e ou a condutividade molar do tensioactivo a dilucin
infinita (sem miscelar).
A manipulao do conductmetro muito singelo, uma vez calibrado, o eletrodo pe-se em contato com a
dissoluo e tomasmos o valor quando se atinja o equilbrio.

4.- Tabela de dados experimentais.


Tenso superficial:

c (M)

(mN/m)

2 10-4

35,0

3 10-4

50,0

5 10-4

43,0

7 10-4

40,0

8 10-4

39,0

10 10-4

38,0

20 10-4

37,0

40 10-4

37,0

60 10-4

37,0

Condutividade:
(H2Ou) = 1,7 Sc
= (experimental) - (H2Ou)
c (M)

(S)

2 10-4

26,1

3 10-4

30,2

5 10-4

50,8

7 10-4

65,4

8 10-4

72,1

10 10-4

85,5

20 10-4

107,0

40 10-4

151,6

60 10-4

195,9

5.- Clculos e grficas.


Representar a tenso superficial em frente ao logaritmo neperiano da concentrao do tensioactivo,
para isso se elabora a seguinte tabela:
c (M)

(mN/m)

(mN/m)

Ln c

2 10-4

35,0

56,18

-8,52

3 10-4

50,0

53,00

-8,11

5 10-4

43,0

45,58

-7,60

7 10-4

40,0

41,34

-7,26

8 10-4

39,0

42,40

-7,13

10 10-4

38,0

40,28

-6,91

20 10-4

37,0

39,28

-6,21

40 10-4

37,0

39,28

-5,52

60 10-4

37,0

39,28

-5,11

Representao grfica:

Anlise linear:
Linear Regression for tabTS_A:
E=A+B*X
Parameter Avalie Erro
-----------------------------------------------------------A -34,02866 5,1904
B -10,60666 0,68207
-----------------------------------------------------------R SD N P
------------------------------------------------------------0,99183 0,94368 6 <0.0001
Anlise polinomial, aps o ponto de corte:
Polynomial Regression for tabTS_A:
E = A + B1 * X
Parameter Avalie Erro
-----------------------------------------------------------A 36,21961 1,63401
B1 -0,54973 0,27329
-----------------------------------------------------------R-Square(COD) SD N P
-----------------------------------------------------------0,66922 0,37333 4 0,18194

-----------------------------------------------------------Calcula-se o ponto de corte que corresponde concentrao micelar crtica das duas retas:
e = -34,028 - 10, 606 x
e = 36,22 - 0,55 x
Igualando: -10,606 x + 0,55 x = 34,028 + 36,22
x = 70.248 / -10,056 = - 6,98 CMC = e -0,21 = 9.25 10 -4 M
CMC = 9.25 10 -4 M
O excesso superficial a concentraes inferiores concentrao micelar crtica corresponde a:
A seguir representa-se a variao da condutividade especfica () em frente concentrao de
tensiactivo, para o qual ser precisado da seguinte tabela:
c (M)

(S)

(S)

2 10-4

26,1

24,4

3 10-4

30,2

28,5

5 10-4

50,8

49,1

7 10-4

65,4

63,7

8 10-4

72,1

70,4

10 10-4

85,5

83,8

20 10-4

107,0

105,3

40 10-4

151,6

149,9

60 10-4

195,9

194,2

- Representao grfica:

Anlise linear das duas retas:


Linear Regression for tabCond_B:
E=A+B*X
Parameter Avalie Erro

-----------------------------------------------------------A 8,37509 2,05326


B 77042,70463 3174,56074
-----------------------------------------------------------R SD N P
-----------------------------------------------------------0,99662 2,17251 6 <0.0001
-----------------------------------------------------------Aps a mudana de pendente:
Linear Regression for tabCond_B:
E=A+B*X
Parameter Avalie Erro
-----------------------------------------------------------A 61,40339 0,31109
B 22122,0339 82,40845
-----------------------------------------------------------R SD N P
-----------------------------------------------------------0,99999 0,3165 4 <0.0001
-----------------------------------------------------------Calcula-se o ponto de corte que corresponde concentrao micelar crtica das duas retas:
e = 8,375 + 77042,7 x
e = 61,40 + 22122,03 x
Igualando:
77042,7 x -22122,03 x =8,37 -61,40
x = 53,03 / 54920,67 = 9,65 10 -4 M
Clculo do grau de ionizao micelar:
= / ou = 22122,03 / 77042,7 = 0,287 (adimensional)
6.- Discusso dos resultados e observaes.
Nesta prtica pretendeu-se calcular a concentrao de CMC de um tensioactivo mediante duas tcnicas,
tenso superficial e condutividade, pelo que se obteve:
9,25 10 -4 M. CMC do tensioactivo pelo mtodo de tenso superficial.

9,65 10 -4 M CMC do tensioactivo pelo mtodo de condutividade.


Observa-se que so valores muito parecidos de concentrao, tanto para a medida de tenso superficial
como para a medida de condutividade.
Observando a variao da tenso superficial com a concentrao, aprecia-se que a tenso superficial diminui
de forma brusca medida que a concentrao de tensioactivo aumenta, at um ponto onde se estabiliza. O
significado fsico disto, que o soluto, medida que se vai aumentando sua concentrao, se absorve
fortemente na interfase, at chegar a um ponto (CMC) que a interfase se satura de tensioactivo e comea a
formar micelas.
Obteve-se um excesso superficial, para concentraes menores CMC, positivos, o que significa que o
tensioactivo prefere estar na interfase que no seio da dissoluo.