Universidad Tecnolgica de Panam

Facultad de Ingeniera Elctrica

Ing. Elctrica Electrnica
Circuitos Electrnicos II
Luzmila Lan

EXPERIMENTO N 4
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
Vielka Ibarra
4-770-2117
v_kathy1012@hotmail.com
Salvador Miranda
4-766-2223
salvador.miranda.1593@gmail.com
Maribeth Bernal
9-742-1628
Maribeth.bernal@utp.ac.pa
Dennis Gndola
8-877-1006
Dennis.gondola@utp.ac.pa
Anbal Arjona
4-762-1092
anibalarjona@gmail.com
Resumen
Disear un amplificador multietapa (tres etapas) al establecer la fuente de alimentacin de los amplificadores en dc que es de 25 V y el voltaje
de entrada AC de 50 mV para que se amplifique a 9V, el diseo de este amplificador se lleva a cabo en tres etapas:
La primera etapa se realizada con un mosfet; ya que, la impedancia de entrada debe ser grande, logrndolo con autopolarizacin. Esta
impedancia de entrada no se podra conseguir eficazmente con un bipolar sin deteriorar otros aspectos que se requerirn para hacer el circuito.
La segunda etapa se realizar con un bipolar, mediante divisor de tensin, con el nico objetivo de amplificar.
La tercera y ltima etapa se realizarn con otro transistor bipolar, idntica a la segunda etapa para aumentar ms la amplificacin.

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Introduccin
Un amplificador se describe un circuito capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de su aplicacin. El amplificador sabr extraer la
informacin de toda seal, de tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin del sistema que genera la seal (sensor o transductor
usado para la aplicacin).
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores y adems pueden ser conectadas entre s para
mejorar sus respuestas tanto en ganancia, impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida (Zout) o ancho de banda. Las aplicaciones pueden
ser tanto de CC como de CA.
Descriptores: amplificador, ganancia de voltaje, impedancia de entrada, impedancia de salida.
Instrumentos y Materiales
Fuente variable DC
Osciloscopio de dos canales
Generador de seales
Plantilla de prueba
Resistores
Condensadores
BJT y MOSFET
Parte 1. Amplificador Multietapa
1. Disee un amplificador de tres etapas con las siguientes especificaciones:
Rin 1M
R0 50
AV = +200 10%
RL = 500
Se requiere MOSFET de enriquecimiento en la primera etapa y BJT en las otras etapas.
Utilizar nicamente una fuente DC.
Acoplamiento capacitivo.
2. Presentar en el informe
Circuito final identificando cada componente.
Las corrientes calculadas.
Los voltajes DC calculados en cada nodo.
La ganancia de voltaje calculada de cada etapa bajo carga.
La ganancia de voltaje calculada de cada etapa en vaco.
La impedancia de entrada y de salida calculada.
3. Presentar las pruebas experimentales completas

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Voltajes DC medidos en cada nodo.
Voltaje mximo de la seal aplicada para obtener una seal de salida mxima sin distorsin.
Ganancia de voltaje medido de cada etapa bajo carga.
Ganancia de voltaje medida de cada etapa en vaci.
La impedancia de entrada y de salida medida.
4. Presentar simulacin de cada etapa del circuito diseado.
5. Presentar un cuadro comparativo entre valores calculados y valores medidos con l % de error.
Primeramente se establece la tensin de entrada. La misma ser de 50mV pico, por tanto, la salida debe estar alrededor de 10V pico. Teniendo
esto, Vcc 2(10), Vcc 20, por tanto Vcc = 25V.
Haciendo los clculos correspondientes a cada etapa.

Etapa 1
Se utilizar un MOSFET canal N, de enriquecimiento. Es el 2N6768. l mismo presenta las siguientes caractersticas:
Kn = 8.36 mA/V2; Vt = 3.25V
ID = 7 mA VRD = 12.5 V
Calculando
VGS =

VS = 25

Id
7
+Vt =
+3.25 ; con lo que el valor de VGS que tomamos es 4.16V.
kn
8.36
1.54
- 4.16 = 4.32 V
1.54+3

RS = (32/7x10 ) = 617 619 (para ajustarnos a los resistores que tiene el software en su base de datos)
RD = (12.5/7x10-3) = 1785 1.8 k
Con esto, la primera etapa quedara as:
-3

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Zin = (3*1.54) / (3+1.54) = 1.02 M > 1 M

Para este tipo de configuracin, la ganancia es pequea, pero tiene de ventaja la alta impedancia de entrada, lo cual da estabilidad al sistema.

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onda de entrada y la de salida (sin carga).

Con voltaje de salida de 1.31V
Etapa 2 y 3
El BJT elegido es el 2N1711, el cual queremos tenga una =200. Al igual que como dise para la etapa anterior,
VRC = 12.5 V
IC = 12.5 mA (asignado arbitrariamente).
Rc = 1k.
Tomando en cuenta la ganancia de tensin que queremos de sea de 200:
Av =

Rc

> -200

Re <
Re <

Rc
200
1000
200

Re < 5
As que se toma Re = 5.
En la malla de entrada sera:
Vcc = I(R1 + R2) ; donde I 10
Como IR2 = VBE + IcRE

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IB I

10 (Ic/) I 625A; lo cual llevamos a I = 640A.

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0.7+(12.4 x 103 )(5)

R2 =
R2 = 1191.40

Por tanto, se elige R2 = 1.1K

Recordando Vcc = I(R1 + R2)
R1 =

25
1100
6
640 x 10

R1 = 37 962 38.3k
El circuito quedara as:

A partir de aqu,
Zin = R1 // R2 // (r +

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r = (Vt)/Icq = (200*25)/12.5 = 400

(+1)RE)

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Zin =

1
1
1
+
+
( 38300
1100 400+2015 )

^-1

Zin = 607.18
Al tomar en cuenta que esta impedancia es la que ve la etapa 2 (proveniente de la etapa 3 ya que son idnticas), es de esperar que la ganancia
Av disminuya, pero para una sola etapa stos seran los resultados:

Grfica de la onda de entrada y la de salida. Ve est

con escala de 50mV/div y la de salida est en 1V/div.
Con un voltaje de salida de 735.214mV

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Conectando lo que tenemos

Circuito amplificador de tres etapa

Zin

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Zo

Z0=

{[(

1
1
+
1.8 k 1.06 k

] }

1
+ r / 5 +
/ 1 k / 1.06 k /
gm

Z 0 =6.9767/ 1 k / 1069.3/ 404.93

Z 0 =6.8 <50

Con voltaje final de 8.969V

Donde Av = 9V/50mV = 180 (V/V).

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{{[(

1
1
+
1 k 500

] } }

1
/5 +r
gm

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Conclusiones
Los circuitos multietapa son sistemas construidos a partir de varios transistores, estos pueden estar acoplados
entre s, ya sea en forma directa o a travs de un capacitor. Cuando las etapas son acopladas por capacitor se
habla de circuitos de ac, si son acopladas en forma directa se habla de circuitos en dc y ac. Las configuraciones
multietapa clsicas, el par Darlington, el amplificador diferencial y el cascode, presentan caractersticas propias,
alta impedancia de entrada e incremento de la corriente y alta impedancia de salida respectivamente, las cuales
pueden ser mejoradas combinando dichos circuitos con otros elementos, ya sea para su polarizacin (fuentes
de corriente activas) o como carga. La tecnologa BiCMOS aprovecha lo mejor de ambas familias de
transistores, de tal forma de incrementar las prestaciones, en Zin, Av y Zo.
Referencias bibliogrficas
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/material-de-clase1/tema-iii/OCW-CCE_S21_Amplificadores_multi-etapa.pdf
http://referencias111.wikispaces.com/file/view/Capitulo3_ce1.pdf

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