E.P. ING.

ELECTRONICA

U.N.A.P

1. Titulo
Polarizacin del Transistor
2. Objetivos
Estudiar la polarizacin del transistor y la estabilidad de la polarizacin
3. Resumen
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de
salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor
(resistor de transferencia). Actualmente se encuentra prcticamente en todos los aparatos
electrnicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
4. Contenido
Titulo

Objetivos

Resumen

Contenido

Introduccin

Estado del arte

Referencia

Equipos y materiales

Laboratorio previo

Proceso experimental

Informe

12

Resultado de laboratorio

12

Nombre del grupo

12

Fecha y hora de datos

12

Resultados

13

Procedimientos

13

Grficos de la forma de onda

18

Ganancia de corriente beta

20

Bibliografa

pg. 1

21

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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5. Introduccin
Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al punto
de tierra (masa) tanto de la seal de entrada como de salida. En esta configuracin, existe tanto
ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor, (RE) debe
ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante bien la impedancia
de salida, por RC y la ganancia en tensin por la expresin

Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia
slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que
uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia
de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar
al realizado en el caso de emisor comn, da como resultado que la ganancia aproximada es:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia
de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de
entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de
salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal.

6.

Estado del arte

Transistores rpidos para ahorrar energa

Los transistores, la piedra angular de la electrnica, tienen prdidas y por lo tanto consumen
energa. Colombo Bolognesi, profesor de electrnica de onda milimtrica en la ETH Zrich, y su
grupo de investigacin estn especializados en el desarrollo de transistores de alto rendimiento
destinados a transmitir informacin con tanta eficacia y rapidez como sea posible.
Apenas el ao pasado, el grupo de Bolognesi bati su propio rcord de velocidad para los
llamados transistores de alta movilidad electrnica (HEMT) basados en los materiales nitruro
de galio-aluminio (AlGaN/GaN) depositados sobre sustratos de silicio (vase el artculo de ETH
Life del 09/09/2009).

pg. 2

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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Una posible aplicacin comercial de estos transistores podra estar en los amplificadores de
potencia de las antenas de transmisin inalmbricas. En ellas, los transistores de nitruro de galio
ayudaran a reducir los costes de energa gracias a su mayor eficiencia energtica.
Bolognesi cree que los transistores basados en el nitruro de galio podran mejorar la eficiencia
de los transmisores inalmbricos desde el 15-20% que tienen hoy en da, hasta el 60%

7. Seccin y/o es Referencia

Hojas de datos de transistores
8. Equipos y materiales
Osciloscopio

figura.1
Fuente de alimentacin

...figura.2
Protoboard

..figura.3
Resistencia

..figura.4
Generador de funciones

.figura.5

Capacitores

...figura.6

pg. 3

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Multmetro

figura.7

Transistor

figura.8
9. Laboratorio previo
Lea cuidadosamente la gua de laboratorio para familiarizarse con el procedimiento de la
experiencia a realizar.
Un tpico amplificador es mostrado en la figura 1a, la figura 2 muestra un tpico punto Q. La seal
de entrada de AC perturba la corriente de base, que a su vez hace que el punto Q se mueva en
la lnea de carga, produciendo proporcionalmente una perturbacin en la corriente de colector,
produciendo la amplificacin.
Asumiendo Vcc=12v

Para el circuito de la figura 1b, con Rc=1.8K, RB=5.6K, y RE=0

Calcule VBB de modo que IC=2mA. Asuma =220, VBE=0.7v. Encuentre el punto Q

Vcc=
ICQ=

Rc=

R1=
+
Vce=

R 2=

IEQ=

Re=
figura.9

pg. 4

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figura.10
= 5.6 + 0.7
= ( + 1)
=

5.6
+ 0.7
221

= 0.7506

Ic=12/1.8k

7
6
5
4
3

Ic=2mA

1
2

10

12

14

Vce=12V-1.8k*2

16

18

Vcc
figura.11

Calculo del punto Q

Si cambia a 150, cual es el nuevo Ic en su circuito de simulacin. (Revise cmo cambiar

en el transistor 2N2222 en el software de simulacin que est utilizando)

pg. 5

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figura.12

figura.13
Circuito de polarizacin de transistor

figura.14
Simulacin de la figura.12
0.7506 = 5.6 + 0.7
pg. 6

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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0.0506
5.6

= 9.035
= (150 + 1)9.035
= 1.3642

Repita el segundo paso si RE es cambiado a 1.8K

= 5.6 + 0.71.8
5.6
= (
+ 1.8) + 0.7
221
= (0.0253 + 1.8)2 + 0.7
= 4.35

Considere el circuito de la figura 3 con Rc=RE=1.8K. Calcule los valores para R1, R2 de
modo que ICQ=2mA. Use a la entrada una seal de tipo sinusoidal con un voltaje pico a pico de
20mV y una ganancia de corriente de 150, grafique V1, Vc, VE y VCE vs el tiempo

figura.15
Circuito de transistor

pg. 7

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figura.16
Simulacin de la figura.15

figura.17

Figura.18
Resultado de la simulacin figura.15

= ( + 1)

pg. 8

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2
151

= 13.245

= (1.1 + 1) +
= 13.245(1.1 150 + 1)1.8 + 0.7
= 13.245(297 + 1.8) + 0.7
= 13.245(297 + 1.8) + 0.7
= 4.6553

1 =

150 1.8 12
10 4.6553

1 = 69.59

2 =

150 1.8 12
10(12 4.6553)

2 =

3240
120 46.553

2 = 44.113

10. Proceso experimental

El propsito de esta experiencia es verificarlos resultados tericos y de simulacin

Implemente el circuito de la figura 1b con los valores calculados en el laboratorio previo.

Mida el punto Q y compare los valores obtenidos con los valores simulados. Mida Ic e IB y calcule
la ganancia de corriente
6mA

1.18
1.16
1.14
1.12

Ic=0.10mA

0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

0.12

0.14

0.16

0.18

12V

Vc=0.186V

= 0.10
pg. 9

figura.19

= 0.186
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= 0.6

= 3.4

= 0.10

= 0.188

Si es necesario, ajuste VBB de modo que ICQ se aproxime a 2mA. Reemplace el transistor
por otro y revise si ICQ sigue siendo el mismo, repita el proceso con un tercer transistor. La
corriente de colector permanece igual?, Por qu? o Por qu no?
6mA

2.2

Ic=1.948

2.0

1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

= 1.948

Vc=3.45V
= 3.45

= 34.6

= 0.19

= 1.98

= 3.59

12V

figura.20

Modifique el circuito insertando RE como en el laboratorio previo y repita el primer

paso.

pg. 10

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BC=547
6mA

2.6
2.4
2.2

Ic=2.05

2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

12V

Vc=3.64V
= 2.05

= 3.6

= 6.2

= 34.9

= 2.06

= 3.65

figura.21

BC=548
6mA

2.6
2.4
2.2

Ic=2.05

2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

Vc=3.64V

12V

figura.22

Cuando el transistor 2N2222 es cambiado por el BC548

pg. 11

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Corrientes:

voltajes:

= 2.05

= 3.64

= 6.2

= 35.2

= 2.06

= 3.65

Implemente el circuito de la figura 3 usando los valores que uso en el laboratorio previo,
mida el punto Q y compare los datos tericos simulados y experimentales.
6mA

2.6
2.4
2.2

Ic=2.07

2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

12V

Vc=3.64V

figura.23

Para el segundo caso: circuito nmero 2 con el transistor 2N2222

= 2.07

= 3.67

= 11.1

= 3.677

= 2.09
En el mismo circuito
Para Rb1
1 = 7.62
Para Rb2
2 = 4.34

Prepare generador de seales con una seal sinusoidal de 3KHz. Use un capacitor de 10
F para el capacitor C (Verifique la correcta polaridad del capacitor). Ajuste la amplitud de
entrada de modo que ninguna de las ondas es recortada. Observe e incluya en su informe las
siguientes formas de onda: Voltaje de entrada V1, Voltaje Colector Vc, Voltaje emisor VE, Voltaje
colector emisor VCE. Grafique las formas de onda en una escala de tiempo comn usante entre
2 a 3 ciclos de sinusoidales.

pg. 12

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figura.24
11. Resultado
En su informe de laboratorio #3, presente los datos experimentales obtenidos y comprelos con
la simulacin realizada, discuta los resultados, realice comentarios y escriba sus conclusiones.
Su informe debe incluir:

Nombre de su grupo
Grupo 1(A)

Fecha y hora en la que se obtuvieron los datos

23 de mayo de 2016

Resultados de su informe previo

Los procedimientos que realiz en su experiencia

Corriente medido en el laboratorio para el circuito 1

IC=0.10mA

figura.25
IB=0.6mA

pg. 13

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figura.26
IC=0.10mA

figura.27

Voltaje del primer circuito que se realiz en el laboratorio

VC=0.18v

figura.28
VB=3.4v

pg. 14

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figura.29
Ve=0.188v

figura.30

Voltaje medido para el circuito 2 para cada caso

Para transistor Bc548
VC=8.3v

figura.31
pg. 15

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VB=81.4v

figura.32

Corriente medido para el circuito2 para cada caso

Para transistor BC548
IC=4.81mA

figura.33
IB=4.81uA

figura.34
IE=4.83mA

pg. 16

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figura.35

Corriente medido par el circuito 2

IC=2.07mA

figura.36
IE=2.09mA

figura.37

pg. 17

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IB=11.1uA

figura.38
Voltaje medido para el circuito 3
Vc=3.677v

figura.39
Rb1=7.62

figura.40

pg. 18

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Rb2=4.34

figura.41

Todos los clculos o resultado de simulaciones para cada paso

La ganancia de corriente de
=

Para el circuito 1
= 1.36

1.36
9.03

= 9.03

= 0.151 103

=?

= 151

Para el circuito 2
= 1.99

1.99
13.24

= 13.24

= 0.143 103

=?

= 143

Ganancia de corriente de con el transistor BC547

= 4.50

4.50
13.9

= 13.9

= 0.3237 103

=?

= 323.7

Ganancia de corriente de con el transistor BC548

= 4.81
= 14.4
=?
pg. 19

4.81
14.4

= 0.334 103
= 334
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Calculo de error porcentual para cada circuito

Para el circuito 1
= |

= 100
Corriente en el colector (Ic)
Valor terico = 2.67mA
Valor experimental = 3.26mA
= |

2.67 3.26
|
2.67

= 0.22

Para el circuito 2
Corriente en el colector (Ic)
Valor terico = 2.00mA
Valor experimental = 1.94mA
= |

2.00 1.94
|
2.00

= 0.03

= 100 0.03
= 3%

Para el circuito 3
Corriente en el colector (Ic)
Valor terico = 2.06mA
Valor experimental = 2.07mA
= |

2.06 2.07
|
2.06

= 0.038

= 100 0.038
= 3.8%
pg. 20

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12. Bibliografa

inscripcion, e. d. (2014). amplicficador de emisor comun. electronics tutorial,

http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_2.html.

hayreonmx. (2012, 08 06). Manual del proteus. Retrieved from slideshare:

http://es.slideshare.net/ayreonmx/manual-del-proteus

boylestad. (2004). diodos. mexico: pearzon educacion.

Electrnicos, R. L. (2013-08-01). polarizacion del transistor. pearson. Retrieved from

http://www.mediafire.com/download/8cx24312xautk39/%5BBoylestad%5DElectr%C3%B
3nica+Teor%C3%ADa+de+Circuitos+y+Dispositivos+Electr%C3%B3nicos.pdf

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