UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

FACULTAD DE INGENIERA
CARRERA DE INGENIERh\ ELECTRONICA

'Y

ELECTRONICA

MEMORIAS DE CATHDRA

\_1

I .a Paz

:_. 2009

tt

Bolivia

TEMARIO

I
II
III
IV
V
VI
VII
VIII
x
X
)

DIODO EN LOS CIRCUITOS

TMNSISTORES EN LOS CIRCUITOS
AMPLiFiCADORES
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
AMPLiF]CADORES REALIMENTADOS
AMPLIFICADORES DE POTENCiA
CIRCUiTOS iNTEGMDOS
APLICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGMDOS
APLICACIru Tru ALTERNA CoN CIRCUIToS INTEGMDoS
FILTROS ACTIVOS

BIBLIOGRAFIA

integrada

-,,.

1. Electrnica
Circuitos y Sistemas Analgicos y Digitales
2. Circuitos electrnicos discretos e integrados
3. Ingeniera
4. Coleccin

electrnica
SEEC
5. Principios de electrnica
6. Electrnica teora de circuitos

electrnicos
sisLemas

7. Anlisis y diseo de circuitos

B. Diseo electrnico circuitos y
9. circuitos con amplificadores operacionales
10.El amplificador operacional y sus aplicaciones

11.operalionalamplifierscesignandaplications
l2.Amplificadores

operacionales

U. M. S. A.

Millman y Halkias

Schilling Belove
Giaccoleto
Adiler, Gray, Searly,
Thornton
Gray, Searly
Robert Boylestad,Louis
Nashelsky
Donald A Neamen
Savant, Roden, Carpenter
Berlin
Marchais
Huelsman
National

.:i';'r'.r:

CAPITULO I: DIODOS

EL'DIODO EN LOS CIRCUITOS

7, fntroduccn
de unin
EI componente no lineal bsico que participa en un circuito es el diodo

como la
realizado en base a semiconductores, para el que la electrnica se defina
ciencia del movimiento controlado de partculas cargas en un slido, en consecuencia
en esta unidad se realizar una introduccin a lcs materiales semiconductores
para el control del
destacando sus propiedades y caractersticas fsico-elctricas
y
movimiento de las cargas. Nos introduciremos a los semiconductores intrnsecos
de un diodo
extrnsecos a fin de mstrar objetivamente e[ comportamiento elctrico
de
como unin de dos semiconductores extrnsecos, estableciendo los mecanismos
las aplicaciones de este
conduccin en estos dispositivos, los que permitirn determinar
componente en los circuitos.

ecuaciones fundamentales que permiten determinar los

y
parmetros y caractersticas tensin-corriente con los que se realizara el anlisis
desarrollados.
diseo de circuitos para diferentes aplicaciones que tambin sern

Detallaremos

las

2. Teora de las bandas de energa

de
Durante varios aos, se han identificado una serie de partculas elementales
y
gran importancia para el m"ecanismo de la conduccin elctrica y se midieron la masa
-urgu
de cada uno de ellos, quedando establecido la estructura del tomo y que los
electrones adoptan rbitas o niveles de energa

Sin embargo existen ciertas discrepancias cuantitativas entr los distintos niveles
le pueden asignar a un torno aislado y los niveles de un tomo que
de energa que
forma parte de un cristal. Estas diferencias pueden atribuirse a que en un slido los
electrones no son completamente libres, sino que estn influenciados por los tomos
del retculo cristalino y por los restantes electrones'

i.

Al

estudiar

en detalle estas discrepancias, vemos que

aparecen ciertas

caractersticas nuevas que permiten comprender a los aisladores, los semiconductores y

los conductores. Esta teora extendida se llama teora de bandas y nos referiremos
solamente a sus aspectos cualitativos.
'
dvti'
rj .'

ff::,,. r,','i

ELECTRONICA
!

:,-.-- -:,1*

CAP.I-I

:. -...... :... -..,--

CAi"ITULi:l)lil:

2,

Bandas de energa
de un slido
.
-

1'.

:.-.-l....':-.:,..:'':..i'-..::'.::iil.i..'..|

Consideemo5 un mdlo de un cristal'frmado;por.un nmero muy grande de

tomos idnticos, dispuestos de la misma manef_? que en un cristal tverdadero, e
imaginemos qye !a dlstancia entre los tomos puede variar,q a vroluntad. Tendremos
una idea dg la'egtructura de los niveles energticos de un cristal, si analizamos la
transicin gradga! de nuestro modelo desde un eqtado de sepaiacin interatmico muy
.
:".i
. j,
,::,.:.,:l
granoe a uno 9e 9epaiacron muy
:i

pequeno.

.'''..

Si la distancia interatmica es muy grande, los niveles de energa de los electrones

en el cristal coinciden con los niveles correspondientes al tomo aislado y no hay
posibilidad alguna de que un electrn pase de un,tomo a otro.
': ...-t-;:,,

..- -:

.':.1t1,

.,.-.,

,;,,,.','.:,

,."

continuac!n: reducimos la distanciar intrattlCg . 6u manera que los

electrones exteriores de cada tomo se aproximen !o suficienle a otro tomo como para
quedar sometidos a las fuezas ejercidas por ste, cabe egperar que los niveles de
'electrones de estos niveles podran
energa se alteren conslderablemente. Los
intercambiar su posicin Y pasar de'un tomo al siguiente. '

Si a

Esto efectivamente ocurre y cada nivel de gnerga del tomo aislado se divide en
un nmero muy grande de niveles distintos '(tantos como tomos tenga el cristal).
Estos niveles son tan numerosos y su separacin promedio tan pequea, que es mejor
considerarlos como una distribucin continua con una cierta densidad p(E) que se
extiende desde un nivel de energa superior Em"' 3 otro nivel inferior Emn dando lugar
a la formacin de bandas de energa permitida y prohibida. El ancho de la banda
permitida aumenta a medida que se reduce la distancia interatmica.

Otra caracterstica indicada en la figura 1.1 es la probabilidad de superposicin de

las bandas para distancias interatmicas suficientemente pequeas. Este hecho tiene
un marcado efecto en las propiedades fsicas del cristal.

2.2 Caractersticas elctrcas

de un crstal

Para describir las propiedades elctricas de un elemento determinado, debemos

combinar las ideas expuestas anteriormente sobre las bandas de energa de un cristal
con el principio de exclusin de Pauli, el cual limita la posibilidad de ocupacin de
cada uno de los niveles de una banda a solamente un electrn. Adems se debe
asociar en la estructura de bandas en los slidos, a tres bandas de energa, una banda
permitida libre de electrones denominada banda de conduccin, una banda permitida

totalmente ocupada'por electrones denominada banda

prohibida separando las bandas anteriores.
ELECTR.NIC^

de valencia y, una,banda

t^'''-'

'1

-:)

t.

:'i :^l

C.'\PITULO I: DIODOS

Niveles
'; bnergta
oe

Banda

Banda Permitida (Ocupada)

Distancia
Interatmica
que se
'
considere variable la distancia entre tomos'
>E Leeusrs
el t{us
en cr
hipottico erl
cristal rrlpoEeflco
urr ur>er
en un
energa crr
Figura: 1. l Bandas de, enerst;

2,3

Estructura de banda de los conductores

Los metales se caracterizan por tener una estructura de bandas cuyos niveles
grande de niveles vacos. Esta
superiores ocupados son contiguos a un nmero muy
:banda est parcialmente llena, o si bandas adyacentes
condicin se verifica s una
prxmas al tope de los niveles ocupados se superponen, lo cual du,l?.:olti:'id{
prohibida tal-como
necesaria en la distribucin de niveles, adems que no existe banda
se ve en la figura 7.2.

,: ,, Adems, un ,l'reqisito esencial que debe satisfacel ,,un conductor

-"ng un'gran nmero de etectrones:.cuyas energas estn
elarico, ;;;;
dentro de un ,"ngo'en et cual haya muchos estados no ocu;pados con energa
muy prxima a la de'los electrones en cuestin. En la !e9r9 de las banda-s que

estamos considerando. esta condicin se verifica slo si una dada banda de niveles de
energa est parcalmbnte ocupada por electrones y no se verifica si la banda est
completamente ocupada, ni si la banda desocupada ms proxima est separada de la
banda ocupada por una banda prohibida suficientemente grandl., .
:"

-l':

::.-

:por consiguiente, un conductor se caracteriza por la presencia de numrosos

niveles vacos adyacentei al 'nivet ms alto ocupado. La banda flena ms externa se
llama. banda de- valencia Y tlg ,ilmediata Superior parc?$?ntg *gcupada , banda de
'

ionJrin.
,:,
ELECTRONIC.\

-.
i.r''.

.11'..-

,ti.,-".

ia

cAp.r-3

CAP-i-LrLO i DIDOS

r.r- :,.. .,

r':,:.:

2.4 Esttqctura de bandas de los aisladores

',

t'
'

'1::::t.

.':

rt

.'",

,,,,,.

A, difeiehgia d lo qu ocurre en fos conductores (mgtEles), en un aislador las

bandas que contienen electrones estn totalmente.ocupadas,, La banda de conduccin

no contiene ningn electrn y est separada de la banda de valencia por una banda
prohibida cuya: separacin es de varios etectrn-vott. Paia el diamante (una forma
cristalina del'crboo),la'banda prohibida tiene una separacin de 6 a 7eY, tal como se
. ":. i-.
ve en la figura 1.2.
l:.:

Nota.-Para fine5l, de la fsica microscpica el Ergio es una unidad de energa

demaslad grande y pogo prctica para medir, la unidad ms usual es el electrn
voltio, !u.e es la nerqa cintica de un electrn aceleia.o por una diferencia de
potencial'de

lv.

1[eV]= 1,6x1g-12[erg]

..
En general la banda prohibida es tan grande en los aisladores que a temperatura
ambiente difcilmente algn electrn adquirir suficiente energ como para saltar a la
banda vaca de conduccin.

2,5

Estructura de bandas de los semiconductores

Se denomina semiconductor a un slido que presenta una conductividad

intermedia entre la de los conductores y los aisladores. La caracterstica de un
semiconductor es su reducida banda prohibida, estas sustancias son aisladores a
temperaturas suficientemente bajas (prxinias a 0"K), pero a temperatura ambiente
(300'K) un apreciable nmero de electrones pueden pasar de la banda de valencia
ocupada a la banda de conduccin vaca, debido a la agitacin trmica atribuyndole
conductividad. Un material con las propiedades descritas se denomina semiconductor
intrnseco, tal como se ve en la figura I.2.

,':

Los materiales semiconductores ms importantes son el Germanio (Ge) y el Silicio

(S). Para estos elementos el ancho de la banda prohibida a O"K es: Ge 0r785eV y Si
1121eV

Puesto que el ancho de la banda prohibida es funcin de la separacin

interatmica, no es'sorprendente que est dependa de, la. temperatura. Se ha
determinado, experimentalmente que, efectivamente el ancho de la banda prohibid,:
disminuye algo'con la temperatura. Para temperatura ambiente (300oK) es: Ge
i
'|'
O,72eYySi 1rleV "

ELECTRONICA

cAP.t{

C.-\PITULO I: DIODOS

i.,

Niv'eles

de

( Semiconductoi
i : -.,. ,, .' '..,'

riductor

".

Energa

Banda de
Conduccin

Banda de
uonoucclon

Banda de

Conduccin

Banda
Prohibida

Banda

Prohibida

Banda de
Valencia

Fgura: 1.

Banda de
Valencia

Bandas de energa de un metat aislador y semiconductor inknseco.

El Germanio en la,tabla peridica de los elementos tienen un nmero atmico de

32, esto significa que tene 32 cargas postivas concentradas en el ncleo Y 32 cargas
negatvas (electrones) distribuidas en capas y subcapas alrededor del ncleo, puesto
qu el tomo es elctricamnte neutro; los tomos tienen cuatro capas R, L,M y N
cada una con 2, 8, 18 y 32 electrones respectivamente, dependiendo del nmero de
14 electrones
electrones cada capa tiene subcapas s, P, d Y con 2, 6, 10
respectvamente; la capa K tiene una subcapa sr la capa L tiene dos subcapas s y p, la
capa M tiene tres subcapas s/ py d, finalmente la capa N tiene cuatro subcapas s, P, d
y f; considerando esta,estructura de los tomos para el Ge resulta:, '

*'.
Ge-+NA=32-+K=2; L=8(s=2, p=6)i Fl=18(s=2, p=6, d=10)i N=4(s=2, P=2,
i l',i '
d:-q, f=0) Ibres p=4, d=70, f=74
l
.
',El Si tiene un nmero
r

I , ,

la siguiente:
ai*i.o de 14 por lo que su estructurales
t
.

Si-+NA= L4-+K=2; L=8(s= 2, p=6)i M=4(s=2, P=2,

,1

d=0) Iibres p=4 d=70

: ,

..'
y
Al Si Ge se los conoce por la estructura de ta ltima capa que tiene cuatro
electrones denominados electrones de valencia, causa por la cual ocupa [a cuarta
,'

fami|iaenlatab|aperidic'qdetoselementos..'...'']

Hasta ahora hemos considerado cristales semiconductors pe,tctjs o intrnsecos

como.gl pe, ,Si los que,tienen ligaduras covalentes tgrtre tqmos es decir qug
comparten dos electrones como el que se observa en la f,rgqg 1.3a). Sin embargo, la

':*','
'"..

ELECTRONICA

cAP.l-5
i", ..t.':

:"

CAPITLC i: DlOI)OS

presencia de impqrezas lafecta marcadamente las propiedades elctricas del cristal.

Esto es conseCuentia-de,Que tales impurezas intqrrumpen !a'regularidad del retculo
cristalio e ' il,trodqgen poftadores 'adicion?!-et dentro de l' las bandas. Estos
semicndctoreg sg:enominan semiconductores
--::-'l extrnsdcos.'
I
':- '

'

'.1'':"''-- '
'-,..''
tion,
La'clase. ms simple de semiconductorer *trnsucos
aquellos en los cuales
una pequen rriccOn ro-t a lo:to de los tom9s dgl cristl fu.rn ,..rplazados por

tomos de un plemento cuya valencia es diferente a la del material que forma el slido.

III

Las impr,rezq d,mayor inters son las pertenecientes, los grupos

(Boro 5,
Indio 49, Galio 31.) ,f :,!- (Antimonio 51, Fsforo 15, Nrs-nico 33) de la tabla
peridica. En 'cualquier' de los: dos casos, el tomo de,!a irnpureza reemplaza a un
tomo del cr!9tgl, semignducto sin alterar pqra .nada l? eqyyra cristalina desde el
punto de vista,cristqlogrfiCo. No obstate, pueslo que el qtgmo de impureza tiene o
un electrn de-'valenc-ia: dems, ol uno de, mgnos qu'el tomo del material
semlcgnductor, el resitado de la sustitucin e.s la aparicin de 1n electrn en exceso o
la falta de un elec[rn
,,
,en la

estructura.

'

Consideremos primero el caso de impurezas pentavalentes, como el Antimonio,

Fsforo y Arsnico. Puesto que estos elementos tienen cinco electrones de valencia, al
sustituir a un tomo de Si. en el cristal, cuatro de los cinco electrones entran en las
ligaduras covalentes con cuatro tomos de silicio prximos. El quinto electrn queda
solo dbilmente ligado'al ncleo y la energa de ionizacin requerida para liberarlo es
mucho menor que la necesaria para romper un enlace covalente. Debido a ello, an a
bajas ,temperaturas ste electrn puede liberarse y convertirse en un electrn de
conduccin. Esta descripcin se observa en la figurc i.3b). Puesto que cada tomo de
Antimonio, o en general cada tomo del grupo V, da lugar a la aparicin de electrones
en exceso, se las denomina impurezas donoras.
Por otro lado, si un elemento del grupo IIi como el Boro, Indio y Galio que tienen
tres electrones en su ltima,rbita, sustituye a un tomo de Si., slo tres de los cuatro
tomos vecinos ven satisfechos sus enlaces covalentes. Esto crea un dficit de enlace o
hueco, como se indica en la figura 1.3c), para -satisfacer los cuatro enlaces, las
impurezas del grupo III aceptaran fcilmente un electrn del cristal. Por esta razn,
estos elementos se llaman impurezas aceptoras. La aceptacin de un electrn por
parte del tomo aceptor debe por supuesto crear un hueco en alguna parte del cristal.

el

movimiento del hueco puede considerarse como una transferencia de la

ionizacin de un tomo a otro, efectuada por el movimiento de los electrones ligados

As,

entre sus enlaces covalentes.

-

-.-.,

---

Un semiconductor: que tiene impurezas donoras se llama semiconductor de tipo

N, uno que contengtimpurezas aceptoras se denomina semicoriductor de tipo P.

ELEcrRo)-lcA
cAP'l-6

C,\PITULO I: DIODOS

Figura: 1.3 Representacn simUofica en dos.dimensiones de Ia estructura cristalina de un semiconductor a) Puro o

in.inseco y extrnseco. b) Agregado de impurezas donoras que suministra electrones de conduccin.
,, .,
de impurezas aceptoras que suministran huecos de conduccin.

_.
.Ol*ado
I de ,mpurezas moditca ligeramente la distribucin de los estados
cunticos dentro del 'ciistal. Las impurezas donoras crean nuevos estados'de
energa perm'itdos,dentro de la banda prohibida, ligeramente por debajo del
fondo de la banda de conduccn, y por lo tanto, a temperatura ambiente, cas
todos los electronesien"':exceso" del tomo donor pasan a la banda de conduccin. De
igual manera, las impurezas aceptoras crean niveles permitidos ligeramente
for encima del tope de la ,banda de vatencia. Estos niveles de energa'estn
dibujados en la figura, 1.4. Puesto que se necesita muy poca energa ;para que un
electrn alcance el nivel aceptor, a temperatura ambiente se producirn'huecos en la
banda de valencia y son los que intei-vienen en e[ proceso de conduccin, los
t
electrones de los niveles donores pasan a la banda de
.

conduccin.

..
Nivel Donor'1
Banda Prohibida

Nivel Aceptor
Banda de
Valencia
(extrnseco

Banda de

Valencia
(extrnseco

tipo P)

tipo N)

ELECTRONICA

cAP.r-7
/ l,

r:i

, lt', .' I .'r;f,;-:'

'- r' :' "''. 'r-,,'
''

2.6 ,Funcin dp distribucin de Fermi-Dirac

.,:

tt ''" .:,.:'.':t;j i'li

nnora depemo,l nalizar cmo se comportan toi ,i.e.trori; oet 'cistat en

condiciones de equilibrio trmico a una temperatra T, Ung descripcin detallada del

de_tantos electrones como hay:en una m.ugstra macroscpica (10electrones po;cmq) .rtu'fuera de las posibilidades de clculo, la adopcin del punto
de vista estadstico paral estudiar la ocupacin' de los niveles de energa por los
poftadores, sil'sp..!R.u, cules
un.u.ntran n un deteminado instante con una
dada energa,'Estaq jdeas nos conducen a introducir una f1.ncin de distribucin que
p-ar9 el caso de los:elgctro-hes que satisfacen el pringipio de P,aulf (un estado cuntico
dado puede estar ocupado por slo un electrn) es la, funcin de distribucin de
Fe:mi:Dirac, cuyo nivel de energa Er s caracterstco p?F todos los elementos y est
l,',',:. ,:.-'' .' r,;;.1',,
rep[esentadopor: ,,',:':t, ',,
'

sistgmp

dinn_ri,co'

,.

tr -.LF ?
rn
p-:i:---:ea'11ilr
'24mn
Donde:
Eu= ltimo nivel de la banda de valencia ocupado.
Ec= primer nivel de la banda de conduccin desocupado

fllo=

fT'ldSd

rT'ln= rTldSd

si

.el

nUeCO

del electrn

m-:m-=m
rrp Lrr f-

v r

lrIl

se obtiene:

tr +tr
!c--

Lo que indica que el nivel de Fermi, para un semiconductor intrnseco, est en la

mitad de la banda prohibida. En general es mocmn, y l nivel de Fermi se halla ms
prximo a la banda de valencia; el nivel de Fermi se eleva levemente a medida que
aumenta la temperatura, aunque para los casos de inters podemos considerar
despreciable esta variacin.

2,7

Nivel de Fermi en un semconductor ertrnseco

:

En un cristal que contiene impurezas donoras o aceptoras, la posicin del nivel de

Fermi depende slo de la concentracin de impurezas y su clculo no es tan sencillo, la
ubicacin del nivel de Fermi (E) se indica en la figura 1.5.
,

'

_:..,.

.:..

.,

ELECTRO'.lCA

CAP.IS

.l.l;+li:'.i

Jj i,^-

l ii.:.
,',-'

.l;:'

'':

'

CAPITULO I: DIODOS

Banda

de,

Banda de

LOnOUCCTO

Er------------

Er

Banda de

Barda de

Banda de

Valencia
(ertrnseco

Valencia

Valencia

(intrnseco)

(extrnseco

tipo N)

tipo P)

donor
Figura: 1.5 Dibujo simplificado de la disEibucin de portadores en un semiconductor intrnseco; extrnseco

tiPo N.

por
En estas condiciones la densidad de electrones en la banda de conduccin est dada

la

ecuacin.

r..,

n: N.eF
Este nmero, s despreciamos el efecto de la banda de valencia, debe ser igual
la densidad de tomos donores ionizados N;, dada por:

\T

N; =NDn-f(E)l:-:?-E"

i*g

*,

S suponemos que (EEe)>kT, podemos

despreciar' la

undad frente

al

exponencal en el denominador resulta:

l
Ea-Ee..';:,.
.
p
kT
lr.Ij.\
I\ n --hI nL
-t:

. ,,,, I

,,:-.

Luego,igua|andolas-ecuacionesobtenemos:

E. KT, N,.,
E-,2 " '+-ln "

E^ +

Esta ecuacin es la expresin det nivel de Fermi para un semiconductor extrnseco

exactamente en'la
a bajas temperaturas. 'Pra T=0"K el nivel de Fermi est
:'
mitad entre la band de'conduccn y el nivel donor. ': ' '''
i

Na de impurezas

:'.-:.
:

ELECTROI{IC.{

:'

'CAFTULoI:DICDOS
,, ,t-.
,".,1 -. ,,,'"'," ,'l'.-t
...,'
i':''.tti.'r'
tt-''
'.... .-.tt--i'....,t,r' i
t
, : ,
.-l
.'
.
aceptoras, el n'vel dg Fermi a OoK est entre el borde superior de la banda de valencia

y el nivel aceptor. ;:r:gl :umentar la,temperatura,:pqsan:electiones de la banda de

"" -,\,_
valencia al nivel pgpto,
{ejando huecos en la'prirnera:,'

'Al mismo tiqmpo, se producen pares electrn-hueco, pqra,altas temperaturas,

el

nivel de Fermi retoina a la posicin intrnseca, es decir a la m!!,-ad de la banda prohibida.

En la figura 1,.6 se ha representado la variacin'del nivel de'F.ermi en funcin de la
tempe.ratura, utilizandq la,densidad de impureza5 como paqm-tros, para el caso de un

semiconductqr!!p?PilN(tneadqtrzos).:]'i.......-.

Un semiconductor gxtrnseco'tipo P tiene dos tipos de portadores, los huecos (po)

que son los prtadp.rQsr,mayoritarios y los electrones (np) q-ue son los portadores
minorltarios; gn cam6io bn e! semiconductor extnec.o- tipo N los portadores
mayoritarios son los electrones :(nn) y los huecos (p"). son los portadores minoritarios,
antes de realizar la unin el nivel de Fermi en el semiconductoi P,se encuentra prximo
a la banda de valencia, en cambio en el semiconductor N se encuentra prximo a la
banda de conduccin tal como se muestra en la figura r.s.

Banda de

tr^

LOnOUCCIOn

tr.
tr^
E
Le

E.-Et'
2

trLF

Ea ru
tr..

Er,

Banda de
v alencla

T"K

Figura: 1. 6 Variacin del nivel de Fermi en funcn de la temperatura.

'

2,8

Movitidad de los portadores

La conduccin elctrica se debe al desplazamiento neto de poftadores mviles

como consecuencia de la aplicacin de una diferencia de potencial externo,, el cual
origina un campo elctrico interno en el slido. En los semiconductores, los
portadores mviles son electro.nes y huecos.

,."i"r
En ausencia de'un campo elctrico externo, los portadores"mviles se

ELECTRONIC.{

:.

mueven

':r,.,.^,..,.1,i: ' :.
'. ".

' ,:r,i:':,.,'.''i-:,.

,..r--

:.

muy rpidamente en todas direcciones, sufriendo numerosas colisiones al azar con los
tomos det retculo crirtaLino, debido a Ia energa trmicarldel cristal. Este movimiento
net de, portadores en 'ninguna direccin,
;i .;;; no:u lugar',un 'desplazamiento
:que
se mueven en una direccin como .en la'
puesto que en piomedio, hay tantoS
opuesta.

Al aplicar un campo elctrico externo, se modilrica el movimiento al'azar de los

portadores, de manera que resulta un desplazamiento neto de carga en la direccin del
campo. Este desplazamiento constituye.una corriente elctrica.
El campo elctrico externo ejerce sobre los portadores una

fueaa que los acelera,

provocando un aumento del-nmero de choques de los portadores considerados por

unidad de tiempo. Et efecto de las colisiones es oponerse al movimiento de los
portadores, de manera similar a Una fueza de roce o friccin.

El parmetio qe toma en cuenta estos efectos es la movilidad (p) de los

portadores, y se define como la velocidad promedio que adquiere un portador por
unidad de camPo elctrico.

VqT
LIn
que.tarda
En general, tanto la movilidad r como el tiempo de relajaciil T (tiempo
y
en portador entre colisiones) dependen del mecanismo de colisin de los portadores
de
sern por lo tanto funcin de la temperatura. A bajas tempeiaturas el m.ecanismo
colisin est gobernado por la presencia de las impurezas. A continuacin se indican
movilidad en materiales suficientemeltg puros para una
tpicos de

la

valores

temperatura T=300oK:
-tn=3.900 (cm2lv. seg)

Germanio

.^

Fp=1.900 (cmzlV.seg)

Silicio

r-rn=

1.500 (cm2/V.seg)

Fp= 600 (cm2/v.seg)

Donde los subndices n y p indican respectivamente la movilidad,de electrones y
:'

huecos.

2.9

Conductt'vidad
-.-,.

',....il...-.

En un conduoi metlico, en el cual los nicos

. ." ,r

:,,

:' !.
l;.-,,,1_,-t'prtadores'.
.t; i:t..

,:.:

., .

:-

mviles so los
-

.:

ELECTROiICA

cAP.l-ll

CAPITULO I: DIODOS

de conduccin pebido a un campo

.:..'.,',
.

a:

:1t:

donde g=,-e es la carga del electrn, n es la densidad de electrones mvles por

unidad de volumn y v'su velocdad promedio.

j=qnlE=oE
Que es la expresin microscpca de la Ley de Ohm, siendo o la conductividad del
material (expresada en semens
metro), definido como: :
- - por
r.

o: qnp: -- l -sl
lnN LInJ
q'nrI

omo en un material semiconductor exsten simultneamente dos tipos

de
potadores que tienen cargas de signos opuestos, sometidos a la accin de un campo
elctrico se movern en sentidos opuestos, podemos escribir para los electrones y los
huecos:

:u
v-:-Lt
rn-E vp ?p"F.
n
El signo negativo de la ecuacin se origina en la carga negativa de los electrones,
e indica que stos se desplazan en sentido opuesto al campo elctrico y los huecos se

desplazanen|amSmadireccindelcampoelctrico:
La densidad de corriente de conduccin para los electrones es:
-.

J"n

-gtrvn

y para los huecos:

^- :

J epp

qpv_

Puesto que la magnitud de la carga negativa que se mueve hacia la derecha es

igual a la carga positiva que se mueve hacia la izquierda, la densidad total de corriente
de conduccin es:

J:J.n *J.o:-qnvn*gPVp

I,,'

Sustituyendo lp,:e,xpiesin de vn y vp,.se

J=J.n +Jcp:-qn (-1:oE ) +qp

Uoe

obtiene:

ELECTRONICA
cAP.l-12

T-nrr
FInnrr
w-Yrrl.r--!'YtJfr="

E ---)
,T: lnf
l +n ) OE
v. v\ rrI!r--'yl.1el

.....'.

.i

caso
Siendo, en este
-

'

.i

o= (np-+pir") q
El recproco de la conductividad es Ia resistividad p:
1

l?

/nrr
.t/}Jr\ r'r
\,,tsn *nrr
1

Puesto que la conductividad est relacionada con la movilidad y concentracin de

los portadores, es posible analizar el comportamiento de la conductividad como funcin
de la temperatura.
B

2.70 Teora de la iunturas

J]

'

_Cuando dos mateiiales se ponen en contacto ntimo se produce una redistribucin

de las cargas hasta alcanzar una condicin de equilibrio. Esto equivale a decir que los

niveles de Fermi de:ahibos materiales se han igualado, esta regla vale tanto para el
un semiconductor para dos
caso de los metales' :como para un metal
semiconductores, este Contacto entre dos materiales da lugar a la aparicin de una
corriente de difusin'debido;al gradiente de la concentracin de.portadores, el que
ser analizado
. , ,' ,

posteriorment.,

'.'' ..

Como consecuencia'de la redistribucin de cargas en la':regin de contacto se

forma una capa bipolar: etectrosttica o zona de transicin cuyq.ldimel91n depender
de los materiales en cuestin. Un tratamiento riguroso de esta propiedad implica el uso
de mecnica estadsti9a,y termodinmica que estn fuera de nugsto.alcance. Por ello
retuiriremos a la intulcin frsica que nos permitir visualizar l mgcanismolque da lugar
j
al mencionado fenmeno. ;.
I :';1r;
,

''"

i:-:-

'

-'"'t:':-t

'

Adems las junturas segn su comportamiento frente'al paso de la corriente

elctrica, se clasifican n ohmicas y rectificantes. En una jultua'metal-metal, la
zona de transicin o capa bipotar la forman las capas superticialeg a ambos lados del
contacto, tal contacto, s denomina ohmico, ya que los electioirs pueden moverse
libremente de un mateiai a otro en ambas

direcciones.

....,.'.::;i'...'...'....]'...l"'..',.;..
En una juntura ,inetal semiconductor en cambio el contacto puede ser tanto

definicin.
ohmico como rectificante,Un contacto rectificante es Dor
un contacto donde
'
tt
' :
,

ino'fluye
la corriente fluye .fcilmente en uria, direccin que en la ;opuesta
corriente.
que ste hecho est ntmriiente
Veremos en la seccin siguiente
vinculado
coh el
_
.j:,r.j.:,.,,
..:.
|

i.::..

cAP.I-13

CAPITULO I: DIODOS

.l-,

r,, " :.., ,l

'

3 Junturs Py
'

: : ..t,

':

' :' .:

_, ,-.,,,.

.. .

:- ,"

.,

!., :' ,: ; ,' ,.'

t

."

;'

Considet,afemos el c_sg,de una juntura foqada ppr u1 crjst! semconductor tipo

P y un crista[ tipo' N;'denominada comnmente juntura PN. Estudiaremos como
referencia un juntura P$ abiupta, es decr aquella en el que la transicin en la
concentracin de impurezas que distingue e! sgmiconductor tipo P del tipo N

se produce abiruptamente

"n

il juntura. ",'.

-'''''

i'."

Cuando se realiza Ja,''nin de ambos materiales P y N se produce la juntura y los

niveles de Fermi:deber igualarse en ambos sistemas, ldano oiigen a un dfusin Oe
portadores de os de'myor concentracin'haciallos Oe m1oi concentracin, este
movimiento de portadores. tiene lugr hasta lgualar los !ye!es''de Fermi de ambos
materiales; [a desigualdad de los niveles en el momento del 'equilibrio o unin se
traduce en una barrera de energa potencial y la aparicin dq'una zona de transicin
libre de poftadores en la regin de la unin del material tipo y N, por el movimiento
de los portadores mayoritarios (huecos de P a N, elect'ones de N a P) dejan el
semiconductor tipo P cargado negativamente y el tipo N'cargadg positivamente en las
proximidades de, la zona de transicin, esto da lugar a lar''aparicin de un campo
elctrico dirigido de N hacia P, oponindose al paso. de portadorei mayoritarios de cada
semiconductor y manteniendo la corriente nula en equilibrio dinmico.

Nota.-

En la zona de transicin debido al campo elctrico se presenta la corriente

de conduccin qu depende del campo elctrico, al' ser esta reducida
prcticamente la corriente de conduccin es 0.

centraciones de electrones en los

materiales N y P respectivamente; pp y pn representan la concentracin de huecos en
los materiales P y N respectivamente. Puesto que los huecos dejan atrs iones
aceptores cargados negativamente, mientras que los electrones dejan atrs iones
donores cargados positivamente, el resultado del paso de portadores a travs de la
juntura es cargar positivamente la regin N y negativamente la regin P.
Concluimos que el campo elctrico en la zona de transicin es tal que tiende a
permitir el paso de los portadores minoritarios y mayoritarios'a travs de la juntura que
se encuentran sobre la barrera de energa potencial, estableciendo un estado de
equilibrio dinmico en el cual las dos corrientes de difusin; la debida a los portadores
mayoritarios y m!pritarios son iguales,.y, de sentidos opuestos, de manera,'que la
corriente neta a travs de la juntra sea nula.

cAP.l-I.

, ' '. :' ,':'

CAPITULO I: DIODOS
.'

'1,,,i.''.:

'

,'l

t
- --l
- la
a
diferenca de las funciones
La energa potencia!,de contacto Eo=qV., es igual

Banda de
Conduccin

Banda de
Conduccin

T]

E.rp
Banda de
Valencia

Banda de
Valencia

Tipo

Tipo N

..

.:..

Figura: 1. 7 Diagrama de energa potencial de una juntura PN en equilibrio.

Cuando

a una juntura PN se aplica una tensin externa, el equilibrio entre

las

difusin,. de portadores mayoritarios y minoritariog,, se romp.

Supongamos que se aplica una tensin V tal que la regin N se'hace'negativa respecto
'regin
P, tenems entonces una juntura directamenle:pQlg,riza{a o de baja
de la
resistencia. Esta tensin V tiene el efecto de disminuir la ,altura de Ia barrera de
potencial qV. en la cantidad gVo proporcional a la tensin externa aplicada, :corTto
indic la fiqura 1.8.

corrientes

de

Esta disminucin.d l barrera de potencial provoca el aumento de la corriente de

portadores mayoritarios y este aumento es tanto mayor cuanto mayor es la tensin V

(tensin externa aplicada).

,..

'
Por otra parte'-l',-gorriente rdebida

a los portadores'

minoiitrios
pfctcamentg c.gstqnt;,ya que no dependen e la barrera',{g pqtqnqial..
',',i-,... '='. 1': :
.,. i
:, .i . ,'...:1' :1 ..,' ' .,",,

ELECTRONICA
cAP.t-15

CAPTTULO i: DIODOS

Q(V.-V")

f'lnu- DP

!\'--'i':t''_

::

..BV::BV.

Figura: 1. 8 Dagrama de energa potencial de una juntura PN directamente polarizada.

Si la tensin aplicada es tal que hace positiva la regin N respecto a la P, se tiene

una juntura nversamente polarizada de alta resistencig, tal como se muestra
en la figura 1.9.

Erv

BV

BV

Figura: 1. 9 Diagrama de energa potencial de una junbrra PN inversamente polarizada.

Este caso est indicado en la figura, 1.9, aqu la altura de la barrera de potencial se
eleva en una cantidad qVo respecto de qV., siendo extremadamente difcil que los
ELECTRO\ICA
cAP.r-16

CAPITIILO I: DIODOS

portadores mayoritarios , puedan sobrepasarla

y la

corriente

se

reduce
considerablemente. :i.i; Eo, ,rolidad, la corriente de poftadores minoritarios crece
'
I ,.
ligeramente para tenioneg inversad de valores pequeos (del orden del 'potencial de'
.l
contacto), pero se satra rpidamente a un valor constante para valores grandes de V.
,;

De'la descripcin a'nterior'se concluye que una juntura PN es un

dispositivo
rectificador,Yd que permite la conduccin en una direccin y noen la opuesta.
Obsrvese que en el tratamiento de la juntura PN, hemos supuesto que las cadas
de potencial en las regioneS exteriores a la capa de agotamiento, son despreciables (lo
cual no es estrictamente cierto) pues estas regiones tienen una cierta resistividad
elctrica por lo que no todo el poiencial se aplica en ia regin de agotamiento, (regin
en la que se establece un campo). Vamos ahora a indicar la concentracin de
portadores en los bordes de la zona de agotamiento de a juntura. Sabemos que la
densidad de electrones en la banda de conduccin de un material tipo N, es:
''

. 1.
l.-1
:.-1
r-m\:
/-Illtt-ir
r:
n - II
lt
o
v
'l
-,i
r

\h')

La densidad de electrones por encima de la barrera de potencial, se obtiene de

manera anloga al casb anterior, ya que lo nico que ha variado es el lmite inferior de
energa. Resulta as:
:

ai -=c -q!:
n
i

:lr.l

kT

o sea:
..^..',

t,c

fl.t :FI.

ki

oonoe:
:

,.r

-.;..

.,:i..,

nn=s la densidad de electrones en el material N.

En ausencia de polarizacin externa, los electrones minoritarios de la regin p

debenigua|arse?[eoparaverificar|acondicindeequi|ibrio,luego:
_ Y'c
KT

.[a

S dhora aplicaris
,juntura un potencial Vo, polarizando
''..altura efectiva de la barrera de potencial es q(v;-%):dgnde directamente la
juntura, la
Vo es una'pafte
ELECTRONICA

cAP.l-t7

CAPIIULO I: I;iOOS

de

la densidad de elctrones sobre la barrera en ra reg!n N es:

1,r

ta

de electrones que cruza la juntura estar

po
ql
paso
determ'inada
de los portadores (dados por la ecuacin' nny desde ra regin
i:': .
't'."',
oe mayor a ra de menordensidd.
tr-l

corriente Qe difusin neta

Porotra pafte, si en la ecuacin de no tomamos logaritmos'naturales resultando:

kT- n^
: - q II..Do
t,,

Vc-

,,.

'

Expresin que permite estimar el valor del potencial de contacto Vs o sdl

v-

KT

Nl

NT

rtr :-----;-Y
'.i

Clculos realizados utilizando

temperatura ambiente:

la expresin anterior dan como valores tpicos

Vc=0,20[V] Para el Germanio

Vc=0,60[V]

Para el Silicio

3.7 Caractersticas esttcas

de una juntura PN,

Cuando en una egin del slido la densidad

de portadores no es uniforme,

se

produce un flujo desde la regin de mayor a la de menor densidad, tendiendo a

uniformizarse en toda la regin. Este proceso se denomina difusin. La corriente de
portadores que se produce, es proporcional al gradiente de concentracin. As, la
densidad de corriente de portadores est dada por la Ley de Fink:
-rO^

!.J

-:KVU

donde:

Y6=gradienie de la concentracin
k=QDn

Jn=qDnVn

j'

-'""'
D,r:constte
de irusin .

"'

,'

''

ELECTRO*lCA

cAP.l-r8

t' ; -',";1

,I---:..

CAPITULO I: DIODOS

Debemos destacar que en el caso de un crstal semiconductor conformando una

juntura, la densidad ':de: portadores en exceso (valor superior cofrespondle1te al
Lquilibrio trmico) que da"rigen a Ia difusin, disminuye tendiendo'a desaparecr por
efecto del fenmeno de recombinacin en el medio. En ei proceso de recombinacin,
un electrn se une 6s.ur1 hueco desapareciendo ambos como portadoresy entregando
la energa de unin al retculo cristalino sobreelevando la temperatura. La velocidad de
recombinacin es proporcional a la densidad de portadores en exceso, por lo que Ia
densidad de corriente producto del exceso de concentracin (nnu-np) de poftadores
sobre la barrera de energa potencial es:

qD,n.- I
qD- J":
in-.--n^1.::
*
l=''= -1")
'L-L-.\)

donde:
denominada iongitud de difusin, QU es la distancia promedio que recorre
un portador anles de

h=

recombinarse.

f]nv-op= exceso,de portadores por encima del equilibrio.

','.'

De manera anlog para los huecos tenemos:

gD.

_ -lp.,-p.l
io=
'L^!.\),

qD"p. l --o;
=?
1."-t

\
I

Luego, la corriente de difusin total para la juntura PN es

qi:

(nn

\f
\
^r.
*r=i-+J^:l:
llt"-1
' v
L" /\
L)

.'..'.

3.2 . Capacidad de una iuntura

"

' ',

';

,.'',.' ' '

-l',.
En la seccin anterior vimoi que el proceso de difusin de portadores a travs de
una juntura determn'la formacin a ambos lados de ella, de una zona desprovista
parcialmente de cargas mviles que se denomina regin de agotamiento o de
transicin. Para determinr la distribucin de campo elctrico y de potencial en la
regin de agotamiento debemos resolver la ecuacin de Poisson:

'.,,

,1'

, . ir',

Para una

ELECTRO,lC.{,

cAP.l-19

CAPITI-]LO I: DIODOS
ai

t.

'i

dimension la ecuacin'de Poisson se escribe:

^

.:-

Pra oQte4er la expresin de la capacidad de junfura, recordemos que la definicin

de capacidad
,"l

es

.^r\

v\

L:-

dV

l- carga remanente.en la regin de transicin resulta:

I
:
. ,
A-ahl
v
y
\-/-qt\n_-L4r\
-r-a\l
-p
A.--'D"n

,''.,

.,....'
Luego la capacidad de transicin C capacidad de la
JUntura es:

de transicin de

:'

d(qNox") d(qNox")

de
-

-t.-

reg!l

dVc

*
oVc

QVc

Utilizando la ecuacin de la corriente de difusin se obtiene:

1
-'1-

-l

leqN"N^ I:
tl

t1

L2 (NA+ND)l JV.

donde:

Ct= es Ia capacidad por unidad de rea (Faradios/m2).

La capacidad de transicin tambin puede obtenerse a paftr de la ecuacin de xn
xo de la zona de transicin, considerando a la zona de agotamento como un
capacitor plano cuyas placas estn separadas una distancia x* y con un dielctrico de
permitividad e entre ellas, o sea:

^-t
Si realizamos el mismo anlisis cuando se aplica a la juntura una tensin externa
Vo se obtiene la expresin:
.-1
.I sqN,N^.12

'-'
C.-l
' l)Ni+NT\l |
L- \.'A'.'D/l

/\/-\/ 'o
v'C
-'-"

ELECTRO-ICA

cAP.l-20

CAPITULO I: DIODOS

Cuando la tensin externa Vo es negativa (polarizacin inversa), vemos que la

capacidad de la juntura disminuye respecto del valor en condicin de equilibrio (sin
tensin externa aplicada).'' Obsrvese tambin, QUe con la polarizaiin inveisa'el'ancho
de la zona de agotamiento aumenia. La polarizacin directa produce el efecto
contrario;'es decir la,capacidad aumenta y el ancho de la zona de agotamiento
disminuye

3.3

Ecuacin de difusin conduccn y recombinacin

En las secciones anterioe-s se introdujeron las ideas fundamentales referentes al

movimiento de huecos-y electrones de difusin y conduccin en un semiconductor. Los
procesos que mencionamos son:

'

a) Conduccin; en respuesta a un campo elctrico.

..

J.: (U"n+li"p) qE

b) Difusin;

resultado natural del movimiento

concentracin en el espacio no es uniforme.

de los portadores cuando la

J,:qD^Vn+qD"Vp

c)

Recombinacin neta; por el cual ambos tipos de portadores tratan de

mantener las concentraciones en equilibrio
,.i,

J.-Jn:0 -+ J,:Jn
.,

..:t

'.

:
'

..

Como se establecir el dispositivo bsico que se puede .fabricar en base a

elementos semiconductores tipo P y N de Silicio Germanio es el diodo de unin,
corresponde analizal de este dispositivo las caractersticas elctricas que permitan su
utilizacin en los cir:cuitos para diferentes aplicaciones, estos estn vinculados
directamente con las corrientes, tensiones y las relaciones matemlicas o modelos que
describen el comportamiento del componente y que permite analizar y disear circuitos.
I

En las secciones-anteriores se analizo la densidad de corriente, afectando a esta

con el rea [ransvrsat'de los semiconductores que forman la unin:ie tiene la corriente
de difusin qe circula en el diodo, puesto que Ia corrientde,difu9_in:depende.de la
-bbrrer'de'energf
concentracin de portadores que se encuentran sobre la
pstencial

ELECTRONICA
cAP.I-21

C.A.PTUI-O

I:

-,- JS

que sd::forma al realizaf la unin e igualarse los niveles de Fermi. . Las corrienies de
difusin estn formadas por: 1) concentracin de portadores negativos (electrones)
mayoritaricis que'se desplazan de N hacia P imponiendO.'una'corr iente en sentido
contrario al movimiento, de portadores (In,); '2) c.oncentracin de portadores
minoriiaris (elebtrones) que se desplazan de P hacia N imponiendo una corriente en
sentido conirario':(Inp),- estableciendo una corriente neta formala por la difusin de

' ''' ::

: '

elgctrones

t,'

,','

In:In. -Ino

.:
De manera,''sim'ilar ocurre con la difusin de portaQores positivos (huecos)
mayoritarios que se desirlazan de P hacia N, imponiendo una corriente en el mismo
minoritar:ios
r.r.'tOo y direccin al movimiento del p_ortador (Ip1), difusin fe ottaOores
sentido
huecos que serd'esplazn Oe ru hacia P imponiendo,Un,lt_9:ile1lure.1f^mismo
(Ipn), estableciendo una corriente neta formada por la difusin de huecos.
.

!n

A^-i^

1.10.
La difusin de los portadores y las corrientes se resumen en la figura

portadores

portadores

ma'oritarios
electrones no

minoritaios
electrones l-lo

poadores
portadores

minoritaios

mayoritarios

huecos pn

huecos pp

Fgura: 1. 10 Corrientes de difusin'

la
Se ha definido el sentido positivo de la corriente cuando esta coincide con
y sentido
direccin y sentido de desplazamiento de los huecos o tiene la direccin
resulta:
opuesta al desplazamiento de los electrones, por lo tanto l corriente del diodo
.

I^:I-+I-:I^
-I^,.p +i-tP -I.
y

u
|

=t

ELECTRONICA

+t'T
YP

-t

rj

T
-l

vn

cAP.l-22

!,'i

, ,',

,,

,, .

'

'

C.{PITULO l: DIODOS

..,-,.
Como el exceso de la concentracin de portadores mayoritarios y minoritarios por
la barreralde
enerqa potencial en- ambos lados de la.zona de transicin de la
encma'de
,
.r.
..:..,\, .. .i; ..
;,
r
juntura tiene el mismo vlor, por el concepto de la igualdad
de los niveles de Fermi
resulta que la coriiente de diodo (Ip) es igual a 0, es decir 'que'en equilibrio y en
I t.
t \
ausencia de polarizacin (tensin externa aplicada al diodo), la corriente a:travs de ella
es nula resultando:
t.

=f

----1

':

."; -

..p -

:ll

I
yE

Por lo tanto:

T -T:O--)T
'_?

=T ";

T -T:0->T:T
FP

'

De las ecuaciones;se deduce que la corriente de los portadores mayoritarios por

encima de la barrer,' de energa potencial es igual a la corriente de portadores
minoritarios por encFa de ta barrera de energa potencial, es decir que en equilibrio la
corriente neta es igual a 0

g,4

Ecuacin del dodo en polarizacin directa

1
',

se

polriza.'en forma directa aplicando uod tensin positiva al

semiconductor tipo P ion respecto al tipo N, se vio que la barrera de energa potencial
disminuye proporconalmente a la tensin externa aplicada para los portadores
mayoritarios y no se produce variacin alguna para los poftadores minoritarios, en estas
condiciones la corrinte de difusin de los portadores mayoritar:ios pe , a N (huecos
Iop"llpn) y de N a P.(eectones Innu>Ino) se incrementa en la,1nlsma proporcin de la
'Cuando

disminucin de la bariera de,energa potencial, en cambio las corrientes

de difusin,de
. '';
portadores
(electrones
y
minoritarios,de P a N
Inp) de N a P (huecos lon) se
los
juntura
valorrque
la
mantiene del mismo
en el caso de
sin polarizacin, con lo que la
corriente de un diodo poiarizado directamente resulta: . :.'
..

La corriente neta en las uniones

| :l

+l

vpv

-T ^'p -'T v"

.

+l

:l

j',.'. t

', ':

ELECTRONICA

cAP.t-23

CAPITI'LO i: DIDS

::.,.
T+T:TakT

q cvc

-v)

Ypv

.;-

.l
|

a.

qV. qv:

-{-t
=t
.. rpv
:'nv

^loAr

La cornente resulta:
qv

T
n :T

+T

-T -T tsn

(ev

r^:f"-tt | .-r

\, T
*q-EKT-T-s
*n _T

\
I

\,/

En esta ecuacin si V es muy grande frente al equivalente tmico de la tensin es

decir:

V>>

_KT

:Vr

Y.
qV

por lo que uF>>1, en la ecuacin Io se puede despreciar la unidad frente

al

exponencial, resultando la ecuacin de corriente del diodo en polarizacin directa.

qV
I

:lo^

-s"

La ecuacin de la corriente del diodo, en un sstema de ejes tensin y corrente

(V,I) son representados por una caracterstica exponencial tal como se ve en la figura

i.11.

3.5 Ecuacin det diodo en polarizacin

Cuando

'nversa

se polariza en forma inversa aplicando una tensin negativa

a.

semiconductor tipo P con respecto al tipo N, se vio que la barrera de energa potencial
aumenta para los portadores mayoritarios y no se produce variacin alguna para los

poftadores minortarios,

en estas condiciones las

corrientes

de difusin de

los

poftadoresmayoritariosdePaN(huecoslpp,,r(Ipn)ydeNaP(electroneslnnu(fpn)
disminuye en la msma proporcin del aumento de la barrera de energa potencal, en
cambio las corrientes de difusin de los portadores minoritarios de P a N (electrones
Inp) y de N a P (huecos lpn) se mantienen del mismo valor que en el caso de la juntura
sin polarizacin, con lo que la corriente de un diodo polarizado inversamente resulta:
:. .

- ;

1..1..-'

' :

-1

,ii :'

ELECTRONICA

cAP.I-24

CAPITULO l: DIODOS
T

*D _T *:*.

I T

F..,

-p.

' : i

."'.''

i"t

_:':

o t-:T :*s

T't +T :J
+l

-.,

'': r-li'r'i'

llamand:. .
'

-p;u

c l','- -';
-...-

=l

-l

q'.: _ q'.'
a t-o,:-

+l

La corriente resulta:
_q;

---)
. r
*s-o 'r -T
-) =T
-s

fn:I- +I.
_p;, -I"
_:, -I-:.
_LJ _i._,

-r''
:T lo t:-1
T
-D -sl\t\/

:...

En esta ecuacn debido al signo negativo del componente exponencial se puede

escnDlr:

/\

lrI t
T
I
an-I"
-T
't l--{
I ^kr

-l_

|
I

Considerando que si V es muy grande frente al equivalente trmico de la tensin,

es decir:

. or'tt
s
-/L

,,,,

--- ;;I ...r

\\

'

fi,,.
e--

''

Despreciando el exponencal negativo frente a la unidad resulta:

T =-T

A una temperatura ambente de 25"C es decr aproximadamente a 290K, el

equivalente trmico de la tensin (kf/d es aproximadamente 25mV a 26mV. De las
ecuaciones de las corrientes del diodo se concluye que:

..

En polarizaqiOn=Oiictg.,la corriente se, incrementa exponencialmente i-on

la

tension aplicada al diodo, es decir que para pequeas varacones de la tensin

"
..
.

'' ,',,'.;

..

. ,t'
'.,

. t' '

-'

a t

cAP.l-25
,

' ,

':.,1j, .:.

CAPITULOI:DIODOS

;'se presenta.n grandes incrementos de la corriente en :el diodo tal como se

representa en la figura 1.11, adems de la naturaleza exponencial de la relacin
,:t9n;i1 corriente sq pijede obserur que'paia tgns!neq.ouliitai ta'irrnte en
el djodo e.s apenas prceptible, esto sucede alrededor dq 0r5v para el Si, y 0r1v
para el Ge., siendo apreciable la corriente a partir de 0r6V para el Si. y O,ZV
para bl .G,,,? esta tensin'caracterstica de los diodos'lse los conoce como
tensin de arranque (Vr), llegando la cqrriente a su:valor mximo para una
tensin' en ,el diodo de'0,8V en el Si. y Ot,4Y en el Ge., alrededor de esta
'.
corrienle mxima el
s destruy: , ,,
{iodo

En polarizacin inversa la corriente se mantiene, constante en un valor reducido

(It) conocido con: el nombre de corriente inversa: de ,saturacin que para los
para el Ge. de
diodos de Si. es del orden de los nanoamperor '(nA)
microamperiosr(rA), cuando la tensin inversa excede el voltaje inverso de
ruptura'(BVo=y*), la corriente inversa aumenta bruscamente de unos pocos nA
FA a varios miliamperios (mA) o amperios (A), esto se produce por el campo
elctrico que se crea en la zona de transicin, este campo elctrico produce
aceleracin de portadores y la consiguiente multipiicacin de los mismos por
efectos de choque incrementando la corriente, pudiendo llegar a la destruccin
del diodo, la caracterstica se representa en la figura 1.11.

tl
llL4r----ts
RV

RV

Polarizacin
Inversa

Polarizacin
Diecta

Figura: 1. 11 Polarizacin directa e inversa del diodo, smbolo circuital y eractersticas tensin - corriente.

De las ecuaciones del diodo y de los parmetros de los que depende, se pueden

observarqueeldiodoessensiblea|asvariacionesde|atemperatu[d::

',

La corriente inversa de saturacin

I,

aumenta con la temperatura, del anlisis de

:

ELECTRO\IC.{
cAP.l-26

. ,r,,.

. -,.

.CA'ITULOI:DIODOS

la fsica de ,los ''semiconductores, se puede demostrar que esta corriente se

incrementa en 6 8o/o por cada grado centgrado de aumento de temperatura
pu .f S. ,i Ge., respectivamente, se acoid 'considerar en promedio un

que
ncremento de la corriente inversa de unjolo para ambos mterales, de lo
se'establece'que:pra una temperatura.Tr se tiene Ir1-y pra Tz S tiene I'2,
como Tz eS mayor .que T1 corresponde tambin fa misma relacin para las
corrientes resultando para cada grado centgrado de aumento de temperatura:

I,+0, 07I.:1 , 0? I,

de la temperatura resulta Un
Establecindose que para un incremento
^T
puede
incremento de''la corriente in?eria de satrtn en (1r07)^r, se
de 10"C
determinar que Para
^T
duplica por cada 10oC de aumento de temperatura, resultando la siguiente
relacin:

':

pk{:2-::}
T
-sl- =T*s:, -

Donde:

X=0t07
.

L3 tensin de rranque V, disminuye

en -2,2 -2r5mv por cada "C de aumento

de temperatura para el Si. o Ge., establecindose:

%., =v0., - k

T:

-T:

Donde: K es un coeficiente negativo

o
.
''

9.6

k=2,5

para
La tensin de ruptura en la polarizacin inversa se m?ntiene constante
grandes variaciones de corrierrte por incremento del carn?o glctrico en la zona
e transicin (efecto Zener) y por la emisin _secundaria o multiplicacin de
portadorus por f.cto de choque conocido tambin como'ruptura por avalancha.

':
Modelos del diodo

La naturaleza exponencial de la ecuacin del diodo dificulta su empleo directo en

el anlisis y diseo dercircuitos; por lo que resulta til contar,con unl.aproximacin de
la caracterstica tal que pemita obtener el comportamiento del dlsRo',siiivo.

'

En las aplicaciones,del diodo de unin PN, normalmente ge,empfearan tensiones

de continuq (c-d) sqpgrpueslas con tensiones de alterna (pfl ,q,ue, dan.lugar 9 una
circulacin de'coirieni O. continua y alterna como respuesta a las tensiones aplicadas,
por lo que es posibie tener: do modelos del diodo: para las componeJes d1 contlnua y
;

ELECTRONICA

cAP.l-27

''

-.,

. ;_--.,'..',.-:..-',.r...
t.
',ti.'..,' -.,.,,,t',t
t'
para tlds
componentes
de
alterna.
ri- t.i L
:. ,':::l::..1:.,..:
,ij.:"

-' -li','.:"."1;'"'l

'.'"'""

.,,. ...,.: :,.:,

',
.. . '. ',., '
..,.t.....

CAPITULOI:DIODOS

., -

.,,

a.) Modelo,dg.'continua.-

Si en la aplicacin de un;dio{o en un circuito se

utiliza ;solamente
. .; tensones de contnua, esta polariza al diodo,r es decir que deja un
punto"de:trabajo sobrer las caractersticasrdirect o1 nve,sa.i del componente, en
respuesta a la cd aplicqda
se establece una co-rriente elctrica'tambin de continua a
' ' : .1...
''
travs del componente. Si la polaridad de la tensin aplicada corresponde a la
polarizacin directa circula una gran corriente, la cada de voltaje que produce es muy
pequea del orden entre el 016 a 0,8V O,2 a 0,4V en' los diodos de Si. o Ge.
respectivamente, lo que -significa que el.diodo s.e comporta como una resstencia muy
pequea, se pue-de c'onsjderar sin cometer mucho erigr como que el dispositivo tiene
una resistencia nula o',[:n coftocircuito, es decir el diodq ss puede]representar como una
e! diodo de Si. o Ge.

llave cerrada y un gftaje: de diodo

.!"
,o,rY
,9:1u _?1ra
respectivamente,oidea!menteunacad9depotencia!{e0V'''......
.j

: ..

Si la polaridad de la tensin aplicada corresponde a la polaizacin inversa, circula

una pequea corriente (Ir):y la cada de voltaje que pr.oduce es muy grande casi del
orden de la tensin aplicada, lo que significa que el diodo se compota como una
resistencia muy grande,:esto se puede considerar sin cometer mucho error como que el
dispositivo tiene una resistencia infinita o un circuito abierto, es decir que el diodo se
puede representar como una llave abierta y una corriente de valor 0.

b) Modelo de alterna.- Si en la aplicacin de un diodo se usa tensiones de

alterna superpuestas a una tensin de continua, con la ca muy pequea frente a la cd
(diodo con seal reducld3) y la componente de alterna no ilroduce cambio de
polarizacin; si la cd"polariza directamente al diodo, fija un punto de trabajo en las
caractersticas tensin corriente Q(VprIp); una pequea variacin en la tensin (*)
entorno al punto de trabajo, fijado por la cd, las variaciones estn'relacionadas por la
pendiente tangencial de la caracterstica V-I del diodo en el ,punto de polarizacin
'no es constante sino que vara con' Vo e fo, por esta
Q(VorIo), esta pendiente
condicin resulta de utilidad obtener una ecuacin para esta pendiente, QUC tiene
dimensiones de resistencia y se la conoce como resistencia dinmica (r) del diodo,
partamos de su ecuacin:
,

(q;
\
r : I i a ^ - -lI
-D -sl-

ri

ELECTRONICA
cAP.l-28

(r,c

i.:r.
- -\.le*-rl

.lr

q-

Y-

-------=-=:

--

dv.) K'l'

.'
Las pequeas variaciones asimilamos a los incrementos resulta:
.Qvo

aip

dio

Is

= ^
OV^ AV^

kr'_s.
c(t

l..T
AI

f,i
por tanto
KT
r:-:

1
l

Yd

ambiente

De la ecuacin rd se concluye que en condiciones de polaiizcinldirecta esta

resistenca es muy peqea,j y se reduce a medida que la polarizacin directa aumenta.
.

...:-

'.i,.:'.'].....'....|.|.'.'',...

r- --:-., 1, - -:-r.
aplcda al diodo es
La ecuacin tambn es vlida cuando la tensin de continua

'

.1.

'l:
:

'r
:
.--.''t,:':'_
':l ' ;'t -..

i'1.-:. ': '

t--,-t,
I r'-'

'':'-

,tt.t,l,t'
I
':

',- .

CAPITULO I: DIODOS

''-

''

tampoco producen variag!n de la corrente del diqdo la que est formada por el
portadores
minoritarios y es reducida tendiendo a 0, por lo que la r en
moviminto
'
: ., de
.
.
,
polarizacin
inversa
se consdera
de un Valor muy grqnde ap!:gxlmandose a un clrculto
.
--,:ia,:.:-..:
:::....
:\
..-.",
orden de los rA para e! German:o o nA para el Silicio.
abierto;,pueslo eue Io .g

:l

Si no se aplica al diodo componente de continua o s la componente de alterna es

muy grande comparada,con la continua para establecer el compotamiento del diodo se
usa la resistencia:promedio definida
,'-:

como:

a."

!',0"":

.'

..

to' -tot
ior _ io,

,,. . .:'" -.
Esta resistenci tiene un compoftamiento similar a 16 Qn las. dos condiciones de
polarizacin. Los detlles gr:aficos de lo desarrollado se muestrg'g.n'la figura 7.t2.

:-

':,,,:

," ,.

. ,..

Inz

Io

Iol

dvn

V.,

Figura:

i. 12

VPl VP VP2

Resistencia dinmic del diodo.

4 Recta de carga
En muchas aplicaciones del diodo en los circuitos se suele utilizar fuentes de
tensin continua y alterna, e fl algunos casos en forma conjunta y en otros
separadamente, en ambos casos para establecer o calcular el valor de las corrientes
que circula en el circuito o las tensiones que se establece se puedn realizar por medo
de la aplicacin del,las ecuacones del diodo y las,leyes Qup,,rsuelve los circuitos, en
estos casos resultan ecuaciones trascendentes cuya solucin,es complicada, por

ELEcrRo\lcA

cAP'1-30

CAPITULO I: DIODOS

ejemp_lo en el circuito dg,[a:figura, 1:13 establezcamos las ecuaclones:que determinan

las corrientes y

tensiones,,

,'i;_',,';

.l.:

,-....

-'ii

''

::-.:

.1,.

-.lill_J

En'este .r.uito;iilh.rtuuiese presente'=la'ca (v), la tnsi de continua (vs)

polariza.en forma ireaa. i Oodo, supongmos'adems que la ca no produce cambios
sustanciales en el tipo''derpolarizacin del diodo (Vi<V5);,,Adems,para resolver l
circuito se utiliza la siguiente notacin:

Letra mayscula,con subndice mayscula para',representar una tensin (Vs)

corriente (I5) de continua.

Letra minscla,ton subndice minscula para representar una'tensin (vr)

corriente (ir) de alterna.

Letra mayscula con subndice minscula para repfesentar los valores mximos

eficacesdelosomponentesdea|terna(V,,I,).

" i

.;..

j.

Letra minscul.con subndice'mayscula para representar los valores 'totales

formado por componentes de continua y alterna (vr, ir).

(l

\
V

Vs

-.. .'.; .,.

...r_ :,.r....

..:

Figun: 1. 13 - '', r Circtito en la que se superpone componentes de

.

:. - -:
;:_._..:: "
:":
::''!:

tt..

:.

'

Aplicando la notaC!n desarrollada al circuito de la figura

v,=v^+i^R,:.

\-

\,

CAPITULO I: DIODOS

La ecuacn desarrollada tiene dos partes un-a de continua

y otra de alterna,

aplicando el te-orema de SUperposcin Separamos en SuS componentes:

cd -+

Vr:Vof

...':r

foRo
:'

. ...

ca -> v-r=vo*ioRr'
.'''
De la ecuacin de continua despejamos la corrente del diodo.

^=

v'-Vo

En esta ecuacin consideramos:

a) Si Vo=0
r^-D

T_J

V^

-"L

b) Si Io=0
vn - vc

Ubicamos sobre los ejes de las caractersticas V-I del diodo lo establecido en a y
b, uniendo ambos por una recta, sta repr:esenta la recta de carga de continua con una
pendiente URu en la interseccin de esta recta con la caracterstica del diodo
determinamos los valores de Vp, Ip (punto de trabajo Q) que tiene el diodo, y que

resultan las soluciones de la ecuacin exponencial de este dispositivo para las

componentes de continua. Trazando la componente de alterna (v) punto a punto
alrededor de Vs, y por los extremos (Vs+V y Vs-V) del eje de tensiones y con una
pendente URr que tambin es la recta de carga para alterna, en este caso (en otras
topologas circuitales suele ser diferente la pendiente debido a la variacin de la carga
para cd y ca) trazamos la recta de carga de alterna, en la interseccin de estas rectas
con la caracterstic V-I del diodo se determina la solucin exponencial de este
ELECTRONIC.4

'

cAP.l-3z

dispositivo para las componentes de alterna, los detalles se muestian en la'figura

I.I4:
:i't"

v^-v

lD

D
\

Vo:

Ys

Vp

v6=ir

Figura:,l, 14 .

'.

Recta de carga de continua y alterna.

::

En el''caso de que e[ 'circuito de aplicacin delrd!o$.o tiene :una carga de

contnua diferente de la componente de aiterna, las rectas,de'caigaino coincden
como en el caso anterior, este caso se presenta normalmente en aquellos circuitos
en la que exsten iios resistencas acopladas capactivamente en paralelo tal como
se indica en la figura 1.15, en este caso las ecuaciones resuitan:

Nota.-

(Vr+vr)

-....

: ,

(Vr+vo) + ( ID+id)

Rz r'l cd es

nr poi
,'
!

.i.,,-_:._

.-.

Rz

':...

abierto.
Que el capacitor para cd se comporta como cirCuito
.
'.

l-:

'':

'...

"'

-'

-.

Rz fi ca es R1 n paralelo coft Rz por que e[ capacitor pard a.se comporta

corto

circuito.

.:

Reemplazando en la ecuacin y separando en sus compone'ntes resulta:

lomo

CAPITULO I: DIODOS

R,//R2

Rr

+
vo

v=i16

';

..

Figura: 1.

15

Circrito con carga de altema diferente a la de,continua.

En caso de no aplcar el mtodo de la recta de carga en la solucin del circuito, se

hubiese'tenido que resolver la siguiente ecuacn del
,,

diodo.

qoo

'
i-=T l"F- rl-(rD+ic):Ist-D-st\/:\/,.,:

9(vo*vo

lo *t -r-l

Separando en sus componentes de contnua y alterna se tene:

j

Parte de continua

(cvo

\
- I ;;11
fp=I.
le^'-_ r

\/

Parte d.alterna
^ ._.t' .,-:.
i .J-.,

-i '. '..
,.,...,' -:li'"r:
'll',,"
.

ELECTRONICA
CAP.I-3J

C.\PITULO I: DIODOS

Figura: 1.

16

Circuito con diodo, solucin eeacin trascendente.

Para el circuito resulta:

Vrr:I'R+V, "':
/ -'j-.- \
|

-i

Como:

rr:r,

\/ =T

|/-'-\rl
I o - -'1
R+\/
-1 |I R+v:
\/

i u'=

\)

I
I

La ecuacin resulta trascendente en Vo, es decilque la dependencia es

exponencial y lineal efl Vp, dificultando la solucin.
-T :

-R

17
t3s

17

tD

-__j:-_-__:-

El clculo de lo::dpende del valor de Vp, de lo expuesto se concluye que el

mtodo de la recta de carga en'la solucin de los circuitos de'apicacin, es til por la
linealizacin debido a la polarizacin de los dicdos, es deCir la polarizacin y el
desarrollo de las ecucones alrededor del punto de trabajo permiten la aplicacin de las
leyes bsicas en la solucin de circuitos, ms an se puede linealizar las caractersticas
del diodo por tramos.

'.:

Linealizacin de las caractersticas por tramos

:

La solucin qe 1lluchas ,aplicaciones del diodo son facilitados por medio de la

'.; i.
, 'l;'-'., ;
aproximacin de las' caractersticas V-I por, segmentos,
de rectas utilizando los
"caoa
conceptos del diodo ideai.y d ,tas bendientes para
iramo; ls el'A*.rf o iig*ot

'..

ELECTRONICA
:

cAP.l-35

CAPITULO I: DIODOS
i

1..-

--,

r':

:"i

:.

. :"' .'

..

'

en. la ciue se segmgnla ud caracterstica V-I q'grande mayor es la aproximacin

logradp, para demostra lo detallado, realicemos la aproximacin:por cuatro tramos de
la caraherstica V-I del dlodo, estos segiiientos,se mueitran.en !a siguiente figura.

La regin
r
ll'lVfSd:

I y II
l

corresponden
-:::

a la polarizacin directa,

', j'r.

III

y IV

polarizacin

' ,.

La regin I reprsentada por la pendiente tangente a la caracterstica expresada

como relacin de AV/AI Que es una resistencia, esta, pendient se presentar en el
circuito para una tensin mayor igual a V, (tensin de arranque), esto ser simulado'
por una resistencia Qe ya[or r en serie con un'diodo ideal polar:izado en inversa para
toda tensin menor a V, (circuito abierto) y polrizado en Qirectg (circuito cerrado) para
.'
toda tensin igual mayor a

i,

\.

'

La regin II al no tener pendiente es decir que este segmeto coincide con el eje
de tensiones tiene una'pendiente de valor infinito, o seq representa un circuito abierto,
sta regin se extiende desde 0 hasta V, y ser simulada con un diodo ideal polarizado
en inversa (circuito abieto) para toda tensin enke 0 y Vt

t.:

liVo
|:"I

ti

--f-:

^il:l
irv,
?I i--II i,rl
i^rv
:

AVrv

r
a
r

L
I
I

AV

av,,,
AIril

lt

I
I
I

Tr
lY

AIrv

liv

Tr

:. Figura: 1. 17 Aproximacin por cuaEo bamos.

III

representada por una pendiente tangentg a la caracterstica

expresada como re"lacin de AVs/AIrg estd pendiente tiene validez para las tensiones
uniru 0 y Va (tensin de ruptuij, rer simulado por una esisthcia de valor rr en
serie con un diodo ideal polarizado en directa en el tercer cuadrahte para toda tensin

La regin

ELECTR'NIC\
cAP'l-36

t "tt::

.;,''t'''-'.,'J;;
;:"

CAPITLTLO I: DODOS

mayor (negativamente) a 0v:

:: .'

:,regil IV ,1:ePresentada p;o"i Una P$ndiete ,tangente ,...?.,,, la, cqa$g;sti1g

expresado como Vrv/^I esta pendinte tiene Validez a parti de l.a tensin de
ruptura Vn fl el tercer cuadrante, por to que esta regin ser simulada'por una
La

resistencia de valor r un diodo ideal polarizado'en forma directa.para toda tensin

mayor (negativamente) igual d Vn.

Los circuitos que simulan cada regin se'conecta en paralelo y este conjunto
representa la caracterstica de un diodo en el caso de las regiones I y II, ambos son
reemplazados por el circuito que repi'esenta la regin I por que el comportamientcj de
este circuito representa a ambas regiones satisfactor!?*..1h., e[ circuito linealizado por
tramos puede ser utilizado para resolver aplicaciones del diodo.
,

"l
*lY

Figur: 1. 18 Circuito aproximado por tramos del diodo. .1, ,.

:-

''.''

Del circuito de !a'figura 1.18 se ve que la regin I y,II pue$e.ser representada

solamente por el dd Lu,iegin y este equivalente cumple,'dcuadamente con el
desairollo, los de la iegi'n,Iff r7.fV, cuando Ia tensin externa.si.rpra negativamente a
Vs, los diodos p, y Dise pofariian ambos en directa por lo q'ue las resistencias r,Y
aparecen en paralelo, estg equivalente debe ser menoi que rr;,'

,,

,.,,'

El lector podrt verificar el funcionamiento aproximado del circuito por tramos

como equivalente del diod, aplicando tensiones positivas de nodo () a ctodo (K) y

negativos.

',..,',,1..,.
'

';

1-t'

1':

,,

':

Veremos ahora tgunas de las aplicaciones de los diodos-en los circuitos, para su
anlisis utilizaremos los modelos ideales de linealizacin por liamos, la recta de carga y
la aplica_cir,r en cq{a:,qgs e,!s oitglgntes qg!1.9'o leyes dgLp girquits lineales.':

..i.l1;l....j....:...',i'i',.'.'.].'i.

ELECTRONICA

cAP.l-32

' cnPllul,o l: DIoDos

- se preseht 'en los

. ,.'1

el nivl.de tensi,
responda a una ley
"

d.e

tonlinua o

circuitos
partes de yng seal o desplazando
la simulacin de una ecuacin,de trcnsferencia que

matemtica.
.'

:'

.,,

...'

i,

':
6,7 Limitadores:
':-:.,.,.r
:.

,
:

Los circuitos limitadores en base a diodos se usan para eliminar porciones de una
t-'
\-:-^rl
seal que est por
encima por debajo de un nivel espectncaoo o restablecer el valor
medio a una onda con'un valor medio 0, estas aplicaciones del diodo dependen de la
topologa circuital; analizaremos algunos circuitos de ste
'
'-1

a)

' :'"

.i' i

tipo:

t'

Limitado a nivet mximo.- Estos circuitos se pueden presentar como

limitadores a un nivel positivo o negativo dejando pasar las secciones de onda por
debajo" de V ( V), dependiendo de la posicin y de la tensin de continua que se
aplique, presentaremos el caso de la limitacin a nivel positivo en dos topologas
circuitales que realizan la misma funcin, para su anlisis utilizaremos los conceptos del
'
diodo ideal, los circuitos son'los

siguientes. '

vo

Figura: 1.19 Circuito limitador a mxima.

En los circuitos de la figura 1.19 se supone que la tensin de alterna es mayorque

la de continua (v>V) para este caso el circuito I) realiza la siguiente funcin:

...
'
Ij

En el semiciclo positivo cuando v(V, el diodo se, encuentra polarizado en

inversa pofque la tensin del nodo es menos positiva que Ia del ctodo, ei diodo
representa rn.circuito abierto no clrcula corriente en el clrcuifo, la salida toma el
mism valor'Que la tensin de altrna (vo=v) esta condici sei presenta.hasta
antes de igualar las tensiones de alterna y continua (v=V).

ELECTRO\ICA
cAP.l-38

. .:

E! el semiciclo poiitivo cuando v)V, el diodo se encuentra polarizado en directa

porque la tens'r.:del nodo . es ms positiva que la del ctodo, el diodo
representa un brtocircuito, c!iCiar una'i6iiiente'en et circuit'6de'l:fuent'del
alterna hac'r,a la- e continua),: produciendo una ca'rda . de potencial 'en la
riistencia'restado a la tensin v, porrcsto porque el diodo es un corto
circuito la tensin de salida toma el valor de V (vo=V), eliminando de la onda
senoidal la paite superior a V.

En el semiciclo negativo'se cumple Que v(V, el diodo se encuentra polarizado

en inversa repitind.ose el primer caso y la salida toma e[ valor de la tensin de
alterna (vo=v),.
;
caso
En el
del circuito
:

II)

manera:

su funcionamiento es de la siguiente

,:.1,.

,'.

;.'

En el semiciclo positivo cuando v(V, el diodo se encuentra polarizado. n

directa, pofqu-e !a tensin del nodo es ms positiva'que-la del ctodo, gifyLu
una corriente n eL circuito (de la fuente de contnua hacia la fuente de aliei),
produciendo una cada de potencial en R1 restndose ala tensin V, como el
diodo representa un cortocircuito la tensin de salida es igual a la tensin de
alterna de ehtr,da (v-o=v).

En el semiciclo;positivo cuando v)V, el diodo se encuentra polarizado en

inversa porque lA tensin del ctodo es ms positiva que la del nodo, el diodo
representa un ccuito abierto, no circula corriente en ef circui0, ta tensin de
salida toma el,ys, de V,(vo=y), eliminando de la,,onda'senoidal la parte
,,
superior a V.

r.;,

,,-.':

,
-: ; .._.- r
.,,,

:,"..'-,

",

En el semiciclo,.negativo el diodo nuevamente est nolalllqdg en forma directa,

representando.u cortocircuito repitindose el primer gas,y,'la'.salida toma el

Del anlisis realizado.!e. ve.que ambos circuitos realizan la,misma,funcn, pero el

comportamiento del-:diod en . qada caso es diferente pa, ad9.',;ccin de la
componente de alterna. .Si en los circuitos analizados invertiinoS la tensin de continua,
la porcin de la. onO .$g. .alterna que se recorta sern los picos:ileigativos, con un
razonamiento similar,t featizaOo ie verifica esta afirmacin. ',' ,
,,

'

ELECTRONICA

CAPITULO I: DIODOS

'-' Figura: 1.20 Circutos limitadores mnlma.

'

', , ,',':::

.,1

.:"

,
i, '.

.
.

En los circuitos de.,!a figura L.20 se supone que lg tensin de alterna es mayor que
la de continua (v>V), .el atisis de estos circuitos se realza de manera similar al de
Ios circuitos de:fijacin a nivel mximo, por lo tanfo Qejaemos.que el lector pueda

practicar, sin embargo como referencia presentaremos un resumn del mismo.

En el circuito

I)

En el semiciclo positivo si v<V, diodo polarizado en directa, vo=V, esto ocurre

hasta antes de igualar las tensiones de alterna y continua (v=V).

e
.

En el semiciclo positivo si
En el semiciclo negativo

En el circuito

v>V, diodo polarizado en inversg, vo=v.

v(V, diodo polarizado en directa, u9=V.

':.-

II)

En el semiciclo positivo si v(V, diodo poiarizado en inversa v=V, esto ocurre

hasta antes de igualar las tensiones de alterna y continua v(V.

En el semiciclo positivo si v>V, diodo polarizado en directa, circula corriente de

la fuente de alterna hacia la de continua produce cada de potencial en R
sumndose a V, la salida es vo=v.

En el semiciclo negativo, diodo polarizado en inversa Y vo=V.'

Del anlisis resumido se ve que ambos circuitos realizan la misma funcin, pero el
comportamiento en cada caso es diferente para cada seccin de la componente de
alterna. Si en los circuitos analizados invertimos la tensin de continua, la porcin de la
onda de alterna que deja pasar sern los picos negativos, gon un razonamiento similar
:
al:realizado se verifica esta -"
,
,.;
,..,
,,,.,
.",.:.i,--'"
.
1,1;.ri,.-i;:,,:"

aflrmacin.
.
'r:-.-.

"'

'

ELECTRONICA

c.{P.l{0

6.2

Enclavadores

Una operacin qde .deFe realizai5e con un;onda peridica es fijai:el pico positivo
negativo a cierto nivel,constante de referencia V, los circuitos empleados para llevar a
cabo esta operacin'impiden que,,dicho extremo de la onda sobrepase el valor de V,

estos reciben el nombre de circuitos lenclavadores. La,necesidad'de enclavar el

extremo positivo negtivo de la seal a cierto nivel de referencia se presenta con
frecuencia cuando una, seal ha psado a travs de una red de acoplamiento capacitivo,

en este caso la .seal ha perdido su componente de continua, y el circuito de

enclavamiento intioduce,dicha"componente de continua independientemente de la
forma de onda; para realizar esta funcin el cir:cuito enclavador utiliza entre Ia fuente
de alterna y el diodo' un elemento reactivo como ser un capacitor, el circuito es el
mostrado en la figura t.ZI

.j.

Figuia: 1.21 Circuito enclavador.

el funcionamiento

En el anlisis del circuito supongamos que

del mismo es el siguiete
,'.,,

,'

',i;

-r -l

semicicio. positivo, . supongamos que inicialmente :el' capacitor est

descargado; cuando la tnsin v llegue a su valor mximo; et capapcitor se
carga asta el:alorde v (para v(v oioo se polariza:el lnvg.rsa,y representa
un circuito abierto, el capacitor se carga: para vi>V h.qsta'llegar al mximo, el
diodo se polariza en directa y representa un cortocircuito y el capacitor contina
-apacitor
cargndose); el
adquiere la mxima carga, se OiCe Que este sigue las
variaciones de,la tersn de alterna (vc=v), en estasrcondiciones la tensin de

En el

salidaquedaene|aivada.ofrjadaenelva|ordeV(vo=V);..'.1-....

En el semicicl, positivo, i.r.ando lal tensbn oe atter ,cbii.itru disminuir, el

diodo se polariza en inversa representando un circuito'.uU.rt, iniiufr.nt .l
gondensado{ no-pltgd9 desc,.3rgarse,. po lo
sis e*remos
,gr1. ]u rlgnsiQn,enlie
prmanece gnstani (vs=yi), n estas iondiciones ja tggin.de salida tma el
',r'.',i.
'

:t

1,,

'

' , 'i. . -.

t,,

,'

r':.'
:_:

':'i_i

-1.-

t,.
-.:,-' i

CAPITULO I: DIODOS

De la ecuacin se deduce que cuando v est en el rn*ro (senort=l), la

de.salida es O (vo=0), es decir que et origen ;. ;;;-t de satida queda
lgnsin

'

fijada en gl.valor de V.
:,

-,

En el semiciclo neQativo, las condciones del circuito no camban, es decir que el

diodo contna.:polarizado en inversa, tu r"lou ..;;a- s varacones ,de
.,
entrada dqsplazdas en el valor de

V.

La descripc!rrealizada es independiente de la forma de onda de v

tiene el mismo compoftamlento.

6,3

y el circuito

Conformadores

Los diodos se pueden conectar en serie en paralelo para ponderar algunos de

sus parmetros, como por ejemplo incrementar la corriente mxima la tensin; pero
tambin se puede utilizar estas topologas para generar curyas caractersticas V-I que
simule funciones matemticas, por ejemplo veamos un circuito que simula la ecuacin

),

X=y..|atopo|ogiacircuita|semuestraenlafigura1.22.

I'u I
I

Figura: 1.22 Circuito que sirnufa x=y2.

En estas aplicaciones generalmente se realizan aproximaciones por tramos, cuanto

ms tramos se use mgjor la aproximacin,,adems se debe indicar qu parmetro del

circuito se identificar con la funcin a simular, en nuestro casoiadoptaremos que x

ELECTRONICA

c.{P.l{2

a't

"

..:

C.\PITULO I: DIODOS

corresponde a la corriente i, y a Ia tensin v, para nuestra aplicacin usemos cuatro

por
tramos, adems recordem_os que cada seccin de la funcin debe ser representada
-'l
i
I
I
':'
'
,l
una rama en paralet en'f'topologatircut1.

'

'"-

Para el anlisis se supone que la componente de alterna tiene su valor mximo

mayor que las fuentes,'de tensin'de continua que se usan ,en"el circuito, por la
topologa circuital y por la funcin a ser simulada solo se usa los semiciclos positivos de
la componente de alterna, conviene utilizar la definicin de conductancias para los
elementos resistivos y para las mallas las ecuaciones de corriente, resultando:

v(V, los diodos D1, Dz, Ds y

D+... s polarizan en inversa

representando ,circuitos abiertos (i2=i3=i+=,,.0) por lo que en el circuito se
cumPle i=ir Y la ecuacin resulta:
Cuando

l-: -11-\JVi

Esta ecuacin es vlida pdrd v=Q hasta vi=V, por lo que tambin se'puede
escribir la relacin:

Cuando Vsvis2v, el diodo ,Dr se polariza en directa y representa un

cortocircuito, y los diodos.Dz,'Ds, Dq.,., se polarizan en inversa.representando
circuitos abiertos'por lo que en el nodo A se cumple que:
;

!.

-i

!: -!1

i
.

con:

ir:Gv'
i.:ZG (vi-V)
Reemplazando

..

:-:
,

.:

resulta

i, :i, +i, -+ i, :Gv +2G (vi -V)

Desarrollando resulta
:'

1, =3Gv.

-zGV

En base a la ecuacin se realiza el siguiente anlisis:

ELECTRONICA
CAP.I-13

CAPTTULO

l: DIODOS

'AFi**.,E!''r'.'.','.

.i

'

.:

r-\Jvi
-t1--I

rr:4GV
',,

1."

'

'

t t- -

-'

Cuando 2VSv53V, los diodos Dr y Dz se polarizan en'drecta y representan un

cortocrcuito, los dodos Da y D+... se polarzan en,inversa representando
circuitos abieftos, por lo que en el nodo B se cumple que:
I

:'I

-{-

-+-

..1
Il-\JVr
-^--

i -2C 1rr -\/\

ir:2G (vr-2V)
En la ecuacn de corriente se tiene:
:Cr +?C lv \7\
--J iLi-uvits\vi-v)V
-

i -.i +i
+i
ti--1
't2't3
1

:\t-\7

-hf

a/- /-1\I\
\V,-vl

-\/

A partir de esta ecuacn se realiza el siguiente anlisis:

a) Si v=2Y

ELECTRONICA

cAP.l-4{

CAPITULO I: DIODOS

Cuando 3Viv<'4V,:los diodos Dr, Dz y Dg se polarzan en rdrecto y representan

un corto circuito, el diodo D+ se polariza en nversa representando un circuito
abierto, por lo que en el nodo C se cumple que:
'i!i-rIT-L?Tf3-f.i
-'i +i +i +'i

:
:

l-, -\l

tr:2G (vr-2V)
LI=ZG (v,

-3v)

'

Reemplazando:

ir:i, +i.+ir+i, -) i,:Gv, +2G (vi-V) +2G (v, -2V) +2G (vr-3V)
ir:7Gvr-12GV
A partir de esta ecuacn se realiza el siguiente anlss.

a)

Si

v=3V

i, =7Gv, -L2G

2\t
J
t-

""

ir:3Gv, -+ i,=9GV
b) Si v=4V

',

ii=7Gvi-12G

se:stablece que la

\l,

CAPTIULO I: DIODOS

Para asimilar a la_. ecuacin matemtica que se. smula resulta:

:

(,, \'
vi

l,
I
2
'
l-.:GV
' ^-- | -----=- I -+ x:v'

\v ),

'

,'

.'

RepresentandqenunSiStemadeejesSetene]

Figura: 1.23 Caracterstica de la simulacin

6.4

x=t'.

Discriminador de porcin de onda

En esta aplicacin del diodo, el circuito permte seleccionar una parte de la onda
de entrada durante un interualo de tiempo, es decr que la salida es una copa exacta
de la seal de alterna durante el intervalo de tiempo conocido con el nombre de tiempo
de muestreo, en este tierirpo a los .diodos_ se aplica una tensin de continua de un valor
tal que permita la'polarizacin'directa y fuera de ese tiempo se aillica'una tensin que

ELECTRO-lCA
CAP.I-4

C-{PITULO I: DIODOS

polariza en nversa a los diodos, en esta aplicacin la tensin de continua. no est

relacionada con el valor'de,la seal de alterna, la que debe estarsincronizada con la
porcin de la seal O'lterna del qe se quiere tomar la muestra en el tiemilo de
muestreo o tienrpo de polarizacin en directa o inversa de los diodos. El circuito que
permite realizar esta funcin es el indicado en la figura t.24'En el circuito de la figura 7.24 vi es la seal de alterna de la cual se toma una
muestra en et tiempo Tt y no se toma en el tiempo T2, la fuente'de'tensin que
permite este muestreo es un generador de onda rectangular y el funcionamiento del
circuito es el siguiente:

Durante el tiempO Tr del generador de muesirec el nodo A se hace positivo con

respecto al,nodo B por la aplicacin de una tensin de valor V, los diodos Dr,
Dz, Da ! Da se polarizan en directa y se comportan como cortocircuitos, en estas
condiciones entre el nodo C y el D se tiene un cortocircuito, acoplando durante
el tiempo T1 e[ generador de alterna v d ld carga R, la tensin de salida vo
copia una porcin de v.

Durante el tiempo Tz del generador de muestreo el nodo A se hace negativo con

respecto al nodo B por la aplicacin de una tensin de valor V, los diodos Dr,
Dz, Ds Da se polarizan en inversa y se.compoftan como circuitos abiertos, en
estas condiciones' entre el nodo C Y el D se tiene un circuito abierto,
desacoplando durante el tiempo Tz el generador de alterna v d la carga R, la
tensin de salida vo toma el valor de 0V.

vc
+V

Figura: 1. 24 Discriminador de porcin de onda.

,1,-.

,,

De la descripci.del funcionamiento del circuito se deduce que l componente de

no nui circular iorriente por la carga R, ei* decin que los'diodos

;;;..;om;-ri r..l.run .pultores aislandJ la lutsu' de eka cornpon.nt.

contnua

se

de

ELECTRONTCA

cAP.l-47

.-._.

' :
'

t,
,
.:-,'.i.
.:

'.

...,t.:-

,:. ,,
tt t -.',
.-'- . r

_,,

''

,:

,,t..-...,,,..,

.. .,1

,,'

. ;

.'::.'-

cApITULo I: DIoDos

continua y acoplandg selectivgmente la de alterna.

.1''.;'',':..,..','i,;:'.'l:,';'
i',,

7 Cnvrsdies ie pbi'tencia "'-:r '

'...

"

';

' "'

'

'

Los converiores Son circutos que transforman una clase'de energa en otra, por
ejemplo convie-ften 'un:voltaje de alter:na a un voltaje de contirlpa, en rtu pro.eso se
'i
establece un pametro,que permte medir la eficiencia de convers!n, los circuitos en
-

f.

a diodos Qu',.realizan este proceso de , conversin

l.

el nombre de
rectficadores, hay dos tipos de estos circuitos, los de media:'onda y los de onda
completa,'egtop conversores.sg emplean como fuentes de atimntacin para polarizar
componentes electricos,'
por lo que deben presentar, una alta eficiencia de
tii'
r-.!
-- -..'.
conversin, Pdrd lgSrgi optimizar los parmetros de conversin los rectificadores utilizan
capacitivos y/o indu{jvos y en muchos casos adems se emplean reguladores d.e
fltro.l
tension y/o corriete, .el,' diagrama en bloques de este conversot ,se muestra en la
''
siguiente figura. : :ir ',
base

--

---

lr

..

'

reciben

Figura: 1.25 Diagrama en bloques de un conversor de alterna en continua.

Los rectificadores son circuitos que aceptan como seal de entrada

una
componente de alterna y su salida es una seal pulsante que contiene una componente
de continua y alterna, la caracterstica tensin corriente del diodo que se usa para este

proceso es la que se encuentra en el primer cuadrante; es decir que el diodo trabaja

solamete en su zona de polarizacin directa para dejar pasar un semiciclo de la seal
de alterna y bloquear el otro semiciclo, puesto que el diodo entra'al tercer cuadrante o
de polarizacin inversa.

7.1

Rectifcador de media onda

En este conversor se emplea la tensin de lnea de la red de distribucin elctrica

como entrada para realizar la conversin se emplea un transformador elevador
reductor para la componente de alterna en la entrada y as lograr en el proceso de
conversin el nivel de continua deseado en la carga, en la figura 1.26 se muestra el
que se utiliza un diodo,.con
circuito
rectificador
esta topologa se
i': , . dg media onda en la
,......., . i .,, ';
"
obtiene' a la salida'u-a tensin positiva, en caso de requerir nd'tensin negativa en la

ELECTRONICA

cAP.t-48

'.".',..:

CAPITULO I: DIODOS

salida es suficiente invertir el diodo.

Laltensin e'n el qCundario del transformador tiene la misma"forma que la del

' ':
primario y ste es senoidal:'
v, :V_s rncot
El

'

valor medio de esta seal peridica es cero.

Durante el semiciclo positivo de v, el diodo se polariza en directa, dejando

circular una corriente en el circuito (ia diferente de cero) como la malla es
resistiva, la corriente tiene la misma forma que el semiciclo positivo de v, esta
corriente prodtice una cada de potencial en la resistencia de carga R (vo), el
que tiene la misma forma QUe v.

Durante

el

semiciclo negativo

de vi el diodo se .polariza en

inversa,

comportndose como..l.rn circuito abierto y no circula corriente en el circuito (i=0), por

lo'que la cada de :potencial en la resistencia de carga R s cero (vo=0), lo que
significa que el diodo recorta los semiciclos negativos de Ia tensin de entrada.
,

'

1..'

. Figura: lJ6 Rectificador de media onda.

'

j-

Las formas de onda de v'y vo se indican en la figura 1.26_; del circuito la ecuacin
de tensiones resulta:

vi:vd+vo

Con:

,':

'- l1

'

:i r
1
vd-ldrc
\f

'o

:l

-C"L

ELECTRONIC^{,

cAP.l-49

CAPITULO I: DIODOS

r- i..

La ecuacin palg la tensin vo sobre la

r.: *F
.

i-

carga:

sinct

td 'r)L

''

Las ecuaciones de ia y vo confirman que ambos tienen la misma forma, solo

difieren en el valor de la amplitud, en la fgura L.26 resulta evdente que:

a)

t.: *-

sin<r.

) Io: *
!c

I r\t

r:I-sinct O en O < ct <

b)

io:g efl n < ct <

2n

Estas variacones se repten en forma peridica, Ia tensin de salida vo tiene la

misma forma que Ia corriente ia, por lo que el anlisis es vldo para ambos

parmetros; la tensin de entrada v s una onda peridica conlvalor medio 0, la

corriente i y la tensin vo por su forma tienen valor medo distinto de 0, para
confrmar lo expuesto desarrollemos la onda i6 segn la serie de Fourier:

2f
2I^,. -^^---L _2T^
,I_=- I* +, I" Sanot_
^.:-..!
cosZot_
cos4otcos6ct
-n2n3n15n
35n
El primer trmino en el desarrollo es la componente de valor medio componente
de continuar la modiflcacin realizada por el diodo Ft v confirma el hecho de la
conversin de una forma de onda en otra, el valor de continua obtenida
es
reducido, pero an se tenen componentes de alterna, sta conversn se puede
optimizar adicionando al circuito filtros que mejoren la componente de continua y
reduzcan an ms las componentes de alterna

(I./)

.-- |-

El rectificador de media onda se puede utilizar como una fuente de continua, para
ELECTRO\IC,\
cAP.-50

esta aplicacin son importantes algunos parmetros, cuyas ecuaciones para su clculo
posterior se deducen,detas formas de onda y de las definiciones de lq sgrie de Fourier,
uttor parmetros,.iohi"L'corrente 1r-tnsin'"aontia (rcc, vC), la'poienci de
continua en la carga (Pcc), la potencia de alterna (P.u) que se suministra al circu.ito
(entrada); el rendimiento d conversin (n); fctor de riple o rizado (FR); tensin pico
inverso (VIP) y la regulacin (Reg).' Desarrollaremos cada uno de estos,parmetros
que permiten dimensionar un rectificador de media onda.

a) Corriente y tensin de continua,- Representan la corriente y la tensin de

continua que se quiere entl.egar a la carga (Rr) a pair de una componente de alterna,
la definicin por identificacin de la serie de Fourier resulta:
'

1 l:1
r..: \
^| -)[= i"a t"t)

Desarrollando para'la forma de onda de la figura

,l

lr
II I--LrruLu\wu/
T -iirrt-Alri-

T_

\ *

T7

'

^l
r
zn

t.26:

T < i nr,f ri lr,rf

j:

:.!

En esta ecuacin el segundo termino del segundo miembro es igual a cero por que
el diodo no conduce'en este semiciclo de la onda de entrada, por lo tanto la integral
resulta.

I-r:I-/
:- -I..=-::
LL 2n cosotl;
'"
2n

(cosn-cosO)
'.

Como cos=-1 y cos0=1, resulta

-\aa
l:-

T
*a

':

Como:
\/
l--

ra

+Kr

Reemplazando en la ecuacin de lcc.

-rCC---ro

vn ( q+KLl

\ T
tCC'

l-

__

'

'-

en la carga
La tensin de cntinua (Vcc)
. .: ,.,,,, r.. '.. i-,..'

resulta:
t

"

ELECTRONIC.{

cAP.l-51

CAPITULO I: DIODOS

;i!__gli_L__

'cc

n ( rd +KL)

de Icc y Vg6 reprsentan la corriente y tensin de continua en la

carga a partir de la componente de alterna en el circuito de entrada.

b) Potencia de continua suminstrada a la carga.- Representa la potencia de

contnua desarrollada en la carga por la corriente y/o tensin de continua obtenida a
partir de la alterna de entrada y se defne como:
t..

P :V'cc-cc
T :f ' P'-cc

:.'

".':

Reemplazando Icc y/o Vcc se obtiene

V_,

D:nD
-cc
nrlq+Rr),

^'t

c) Potencia de alterna en la entrada del circuito.- Es la potencia de entrada

en el secundaro del transformador para que el rectiflcador pueda convertrlo en
contnua, como se refiere a una potenca de alterna, esta se define en funcin del valor
efcaz de corriente o tensin en el circuito, la resistencia que representa el circuito est
formado por Ia carga, la resistencia dinmica del diodo y la resistencia del secundario
del transformador que normalmente es de un valor muy reducido, razn por la cual se
desprecia en el clculo, por lo tanto la ecuacin es:

-ca

EI

)
+def--(r
=I2,
\ .-ci +R
' \L/

valor eficaz de la corriente se define como:

l-

-cett

Reemplazando la corriente ia en la ecuacin del valor eficaz

los lmites de integracin solo corresponde a un semiciclo resulta:
Ilr.",r=./i
\n -I

fn

i;= in2ctd

(c,t

y por la definicin

de

La relacin trigonomtrica de sin2(ort), es:

..

,a,..,-'-

',-_

.,

ELECTRONICA

cAP.l-52

., '-.: .,i]
..,.
;

..:"',

Los lmites de'integracin son 0 y

..
-,1-cos2ct
| T- _.-d(ot)-

lf
^:
\2n l^

l-de:--=1l^l-

-:

.i , ; '.
,jr:. .:-'.- 1.

'

.2

''
\ (t
lr3 lln
)l
sin2n
r.",,:,,/f I [ ; -o I - t ;
e'lo,l
;- 0 )J
\JZnl\t :, \,

IL

La potencia de alterna resulta:

-r?

-.

t-7 P.,:
p :Ii \-d--.L, -? p--'.(r,*R,)
tca *
4""- -7
tta- nL,/ +
'ca -deff--(r-+R.l
At-

p:
-ca

\t)

\2

rr
\
\-C +R
: "L/

t3
tm

4 (ro+R.)

.-

.:

:d) Rendimient.0 nciencia de rectificacin,- Este ,parmetro representa la

capaciad que tene di,circto d conver:tir la potencia de alte1a regigida e la entrala

dl circuito ei1 poteq_]a Qe ,.qontinua entregda en la carga,".en rcondiciones !{eal9s
debera tener un valoi,.de iob"z"; eF decr que todo lo que igSjtie lo transforma y nada
se perde en el proceio, el rendimiento del 100o/o representa'a un onversor ideal en
nuestro caso debera.proximarse a ese valor, el rendimiento se define como el cociente
de la potencia de contnua en la salida sobre la potencia de alteina en la entrada.
.. i.'

' . : . .' l

Potencia:-de iIida
100
.i
.
i
Pocencr_a Oe entraoa

3:.:

ELECTRONICA

vi

..:

.::

:',tr 3
;,

-!.i.

-. : : r' \j:;.1.:.t1r.:a::a

CAPITULO I: DIODOS

- -:.

,.,:;. ".:

.::.

De
las ecuacipnes de la pptencia de continua en la salida
.,,'..i.-'
'..
entradi.del circuito resulta: . r,

' -;.
i
'r

'

;.
':

:.(

'::

la

'

-+ n:----:-::_-=.l.|-100

:s100
'

'::'

'.r

\7'
ut

-aa

la de alterna en

- ^

'

t7

,l..lv*.

4 (ro+Rr)

4R_
'

n'r*R
-d

f UU

:'.L

Transformandgsgtobtenei

,,r, ,,

j
'

40,6 ^
,o

r+!
Normalmente la resstencia dinmica del dioCo es muy pequea frente a la
resistencia de carga por lo que el cociente 16 d R tiende a 0 con lo que se obtene un
rendimento terico de r1=4gr60/olo que significa que del 100o/o de energa de alterna
recbida, solo el 4},60/o se transforma en energa de continua en la salida, perdindose
cerca del 60Vo como potencia disipada por efecto loule en los elementos resstvos, en
condiciones reales el rendimiento que se obtene con el rectificador de media onda es
mucho menor que el terico de 4},60/o, esta condicin ser mejorada sustancalmente
con el rectfcador de onda completa.

e) Factor de riple o rizado.- Es un parmetro que indica la componente

de
alterna que circula en la carga superpuesta a la de continua, es decir que en forma
similari al rendimiento ste parmetro establece la importancia de la conversin, el
desarrollo de la serie de Fourier para la forma de onda en la carga nos mostr las
componentes de alterna que se tena, por lo tanto el factor de riple o rizado se define
como el cociente del valor eficaz de la componente de alterna en la carga, sobre el
valor medio o la componente de continua en la carga.

FR:

Valor medio en 1a carga

Se puede tomar la definicin para las tensiones o las corrientes en la carga.

T
eff\vlan

I :

!!\-

:rn:
vsYu/

u-

Y-

-cc
.':.

La corriente eficaz se refiere

.a

':

la componente de alterna que circula en la carga

ELECTRONICA
cAP.r-51
-

;,

i;i

.l

cuyo valor no se conCe con exactitud, se podra calcular a partir del .desarrollo de
realizar un clculo indirecto tomando en cuenta que en
Forier, pero tambin. sg podra
..
j
,::.r,.
-{i-.
r
.
-j

la carga circula una'compbnente de continud Icc superpuesta con na componente de

alterna i', por lo que la corrente en la carga sera:
r

. rt

^cc-|- *

:l

Nos interesa el valor eficaz de i':

r

L^^

-!:

Donde i es la cotflente de alterna entregada en el secundario del transformador e

Icc s la componente'de continua ya deducida, de la definicin de valor eficaz para i'
resulta:

(i')ta (ct)

i'n
2n e

reff-

r'.

Reemplazando i':

I 1 rlr
T'
I ' l-"
l.i ^^/ ]?
lr,rt )
s\wv,
*ef =1l^
l" \-d -T

YZn "

t
r'
ref-ll^
=/
ll

f-Y./n "'L

rt
T +t?--lcl rr,rt)
r*c -2i
-*i'c:'.^/v\wu/

Como el valor efcaz de la corrente del diodo es:

|

;t-

|
I

ilr./,.f'\
rL,\tJL,/

2n4

:.

: .:.

ri.:.

,:.

y el valor de continua de la corrente del diodo es:

.1.

"":

2ln
n

i^d (ct

: :

'J

Resulta el valor ficaz de alterna en la carga:

t-2
^-2
I"rr:VIi".-2Ic+Ic
.

rlta

I"ff:V ro"fr - fcc

Por

tanto:

1
-1.::i

. '. ..
"cAP.l-55

ELECTRONICA

-"r: !

-:,1

'r:

'

CAPITULO I: DIODOS

lr

----Z iir:-

+Z

{ fo.rr - rcc
' ... , ,
'l ,r'r._:,.-,_,

"r.

f,

ltn

-:
-=
A

t-

-m

7
t^

-+ FR:l,

FR:V( L, 51 )'-I

21

Este resultado nosndica que la componente de alterna es mayor que la de

contnua en la carga. ''
'

Tensin pico'inverso.- Representa la tensin de polarjzacin inversa qqe el

diodo debe soportar 9 cada ciclo de la componente de altera en la entrada del
circuito, el cual es el valor mximo de la componente de alterna (V-) esta tensin no

debe superar la tensin de ruptura del diodo:

\7Tn-r7

g)

Regulacin.- Este parmetro representa la capacidad que tiene el

rectificador de entregar la msma tensin de continua cualquiera sea'la condicin de la

carga, es decir que expresa la relacin de la tensin de continua de salida en funcin de
la corriente de continua en la carga, y se la define como la razn de la tensin sin carga
menos la tensin a plena carga sobre la tensin a plena carga, idealmente este
parmetro debera valer 0, es decir que la tensin de continua del rectificador sempre
es del mismo valor cualquiera sea la corriente de continua que entrega a la carga.

Tension sin carga-Tension plena carga

ffi

rTtanci
n
J. gilDI\-rrr

q'i
Tpn
I UJIVIl n

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Rorr:

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on a Uc'!Ud.^VTg]Iq

; -;

rn

A^

v"
n
":-

..L

; r"-*

..L

r.*,
i.j.

ELECTRO}*ICA

cAP.l-56

CAPITULO I: DIODOS

Lu

n ^ ^^'-:J

En la aplicaci de los rectificadores de media onda como fuentes de tensin de

continua, normalmente'se cumple Que R))r, por lo tanto la regulacin tiende al
valor de
Con este:,parmetro ,hemos completado las lecuacions ,QU pern'liten

0.

dimensionar un rectiflcador de media onda.

7.2 Rectifador

de onda completa

El rectificador de media onda que se analiz contiene mas componentes de alterna

que de continua, esto se expresa en el parmetro de rizacio, condicin que para muchas

aplicaciones resulta inaceptable. Este rizado puede reducirse considerablemente

empleando rectificadores de onda completa.
El r:ectificador dei onda completa, entrega corriente en el mismo sentido y direccin
a la carga durante el s'emiciclo positivo y negativo de la tensin senoidal de entrada. Se
tiene dos topologas circuitales que realizan la rectificacin de onda completa.

a) Rectificador de onda compteta con derivacin central.-

Este circuiio
est formado por dos rectificadores de media onda conectados de tal forma que Ia
conduccin se realiza por un diodo durante el semicics, positivo:de la tensin de
entrada y por el otro durante'el semiciclo negativo, la corriente en la carga (que fluye
en la misma direccin y sentido) es la suma de las dos corrientes de cada semiciclo,
como el mostrado en la figura 1.27.
Vi

VM
1't

Id

v-1

r\Dr'

,i

'Dz 'D,i
02n3n4r

Figura: 1.27 Rectificador de onda completa con derivain

'

entiai;

'

'Dt'
W

exactamente
Para esto se us'un transformador con dos bobinados secndarios
,._ r. l
iguales, conocido-con.el nombe.de derivacin central, el sgntido del bobinado de los
en
cada
secundario de
os secundaros deb ser' tul qu induzca una tensi
.l
-.
::
,:

ELECTRO\1C.{
cAP.r-57

, ,:., r:

.'t'

.
...''-'

.l

'cada
polaridades aditivas en
semiciclo
de la onda de entrada
: ,
---:
.- -i-,
transformador, como el mostrado en el circuito de la figura 7.27.

en el primario del

:.

La,tensin en cada uno de los secundarios del trahsformador tienen la misma

forma que'la del primario y este es senodal.

.,::
v,=\siru,lt

Con el circuito de la figura 1.27 se obtienen tensiones positivas, si inveftimos los

diodos se obtienen tensiones negativas, el circuito funciona de la siguiente manera:

.t..

Durante el semiciclo positivo de v se polariza en directo el diodo D1 ! en inversa

el diodo Dz, e! dj.odo Dr conduce la corriente i61 Qu circufa por la resistencia de

cargaye|d!odqD2-Scomportacomouncircuitoabiefto...

Durante el semiciclo negativo de v, s polariza en invrsa el dodo D1 ! en

directa elldiodo Dz, El diodo Dr se comporta como circuito abiefto y el diodo Dz
conduce la corriente iz QU circula por la resistencia de carga.

Las corrientes ir i62 producen una diferencia de potencial con la misma

polaridad en la resistencia de carga (vo) con lo que la tensin de salida tiene la
misma forma que las corrientes mostradas en la figura 1.27, la tensin de la
ecuacin de salida resulta:

\7 :\7 +1/
"d "o

En el semiciclo positivo (i61+0, iz=O).

r:i
'd

r
*ci1-d1

\f" o:'i *d1"L

R

En el semiciclo negativo

(ior=0,

iz*O).

r :'i* d:-ci2
r
r" o :i *C2-RtL

Como los diodos son iguales i61=ior-i, r1=t'62=r, polo tanto:

vi:vd+vo
i.:
'' ''

-) v, :j-drd+ioR,

\r't

rc*Rl

' "I

I
'::'I

't :..'

ELECTROiICA
cAP.t-58

i"

,i.i-

i(
' ''':'.

.;i

ti

....1:

i :T qinr.rf

Donde:

\T

'=
r-:
"'
r+Q
!

'\:

La ecuacin par la tensin de salida vo=iRr sobre la carga:

V^-

\/p
v _ !\-

r. +R,

>-Ll!(rL

Para el diagrama de ondas de la figura L.27 se tiene:

.-'

a) En el semiciclo.positivo
\/

->.1--=-r+*
!

\T

enO<ct<n

io.:0en0<o:tln
b)

En el semiciclo negativo

ior:0 n

tt I

S.

.v-.v-

!:L)a

r-LP
-d'"L

2n
:4

"'

,:;.

r*R

i., ,,,.
S. olt

io.=I*sinclt *'0 en n

<

2n

Estas variaconei.ie repiten en forma peridica, tu .o* ,e afirm ia tensin de

salda vo tene la misma forma que las corrientes, por lo que el anliss es vlido para
ambos parmetros; la tensin de entrada v s una onda perdca con valor medio 0,

en cambo la onda de salida tiene valor medio distinto de 0, realicemos el desarrollo de

,. ,, ,,,
la onda i6 segn la ser:i,d

':

ELECTRONICA

fourier,;resultando:

.-,

;:r.,..::-.,'":'-'.-,,"t,..-

"

: t.r

::,,'r:r:,,,,',

'.;',,'':;..','.].....:.,'.'.::-'.
.lt

, ,;...:,

..

El primel !m]no -eq et desarollo es la componente de valor medio o componente

de continua y gue res,uJta el doble del que sq tenq'en e! rectificador de media onda,
adems se puede oOiea, que no est presente la componente fundamental de la
onda, este hecho reduce las restricciones al momento de'disear el filtro de ialida que
mejorala conpognte de continua y reduce las cornponentes de,alterna,

Los parmetros del lrectificador de onda completa son los mismos que los de
media onda. Los mecanismos empleados para la deduccin son similares, obviamente
con mejor resultado.l El lector aplicando los mismos procedi'mientos puede deducir sin
para referencia resumiremos las ecuaciones obtenidas para
dificultad los parmetros,
: .. ,.

estecaso: .,1,
.

a)'Corriente

..

:....'

teiisin'de

continua.-

l.

)\l

v-.n:
-------.----infr+R1
\!dlr\L/

-J^^-

;-l'

<
/ \tvmr\L

17

n (q+Rr)

b) Potencia de continua suministrada a la carga.4V'

f")-lD

nzl r +R

\z

c) Potencia de alterna en la entrada al circuito.

\t"
'n

2 (ro+Rr)

d) Rendimiento o eficiencia de rectificacin.^a

vLlL

I-i-

1+
-

r
'd

-b

RL

e) Factor de riple o rizado.FR:O,

4B

. f) Tensin pico inverso.VI p:,2V*

'.

.,-',1

ELECTRONICA
c.A.P.t-60

CAPITULO I: DIODOS

g) Regulacin.';1'!

Keo=

El lector

", i i-i

deber ': realizar en

base

a las ecuaciones r'las ' conclusiones que

corresponden.

b) Rectificador Onda Completa en Puente

'

Este circuito est formado por cuatro diodos dispuestos de tat manera que en
cada semiciclo conducen dos dicdos simultneamente, la corriente en la carga es la
suma de las dos corrietes en cada semiciclo, el potencial que produce en la carga tiene
la misma polaridad para cada semiciclo de la tensin de entrada; en este rectificador el
transformador tiene un solo seCundario, el diagrama eS el siguiente:
Vi

Vv
W1

ld

DrD;

DuD.,

DrD,

02i;r4n

nn
ulvl
W1

Figura: 1.28 Rectificador onda completa en puente'

,:

Con el circuito o.td,lgura t,2B se obtienen tensiones potivas en la carga,

invertimos los diodos se obtienen tensiones negatvas, el circuito funciona de

si
la

siguientemanera:.j...i'.]...u.
. Durante el semidicio positivo. de vi se polariza en direCo los diodos D1, D3 ! r'l
inversa D2, Da; fos diodos Dr y Dg conducen la corriente i1 Que circula por
resistencia de carga y los diodos D2 y D se comportan como circuitos abiertos.

,.,.

.,.,;.-::,',

..

. :

el

..

la

"1'

Durante el semiciclo negativo de v se pOlarzan

invesa, !o diodos Dr, Ds y
en directa Dz, D+i los diodos,Dr y D3 S comportan cmo cretoS aOertos y los
diodos Dz y D conducen la corriente i62 Que circula pi.i resistgncii de carga.
'-..

tt

Las co[rentes ia'i e

en la misma,fliieccO,y entido'por la
iqz (Cue,circulan
resistencia de iarga) producen una Cada de tensin bon ia. misma polaridad en

ELECTRO}iICA

cAP.l{l

CAPITULO I: DIODOS

la resstencia de carga.
r.-

Como
se habr notado
el funcionamento del circuito',es similar a la del rectificador
. ::. 'i
.' .::
onda completa con'derivacin central; por lo tanto tanbin sbn vlidas las ecuacones
detalladas.para e.ste tircuilo., rp este rectificadollpuiite e
la diferenci-a en la
ilene
tensin,pico inverso que,-n nuestro caso resulta:' .
, ' , ^,

vrp:V"

,,, ._

Filtros

La corriente o tenqin obtenida de un rectificador de media pnda u onda completa

contiene componentes, de continua y alterna tal como se-puso:de manifiesto en.el
desarrollo de la serie,de Fourier y'en otros parmetros de'os rectificadores, para

reducir las componentes de alterna se emplean filtros capacitivos y/o inductivos, al

introducir estos flltroi en l circuito rectificador se cambian considerablemente las
caractersticas de conduccin del o los diodos logrando una mayor componente de
continua con un valor reducido de alterna, esta componente de alterna remanente se
puede reducir an ms usando a continuacin del filtro un regulador. Analicemos los
circuitos rectificadores con filtros capacitivos tal como se muestra en la figura 1.29.

_l

vo

\
\/I ca C{
tl
--\) il
O{ tl
t

Cx IIl

{t

II

I
I

Figura: 1.29 Rectificador con filtro capacivo.

El funcionamiento de los rectificadores de media onda y onda completa ya fueron

detallados en la anterior seccin, veremos cmo funcionan con el filtro capacitivo:

En el 'semiciclo positivo el' diodo D(Dr) se lpolariza en 'directa conduciendo

r corriente i6(i), el, capacitor C-se carga a travs del diodo'![ valor mximo (V*)
de la componente de alterna en la entrada.

ELECTR.NI.A
cAP'l-62

Al disminuir la seal de entrada a partir del mximo positivo, el

capacitor
queda
polarizado en inversa, puesto que ta tensin
mantiene
su carga y,el diodo
.;
-n .''-'.
.'.i.,...,
que la tensin del ctbdo, por lo que no
positiva
de.1:nodo del diodo es menos
conduce, es decir.que se comporta como circuito abierto.

.,,

,. ,

_-1,,1j

El capacitor se descarga a travs de,Rr- con una constante de tiempo t=RrC, si

la constante de'tiempo de la,descarga es'mayor que el periodo de la tensin de
entrada, el condensador en dicho periodo no se descarga totalmente hasta que
el diodo en el .prximo smiciclo'positivo se polarice nuevamente en directa y
reponga la carga perdida en el condensador.

De la descripcin.iealizada se concluye que por la resistencia de carga no,deja de

circular corriente, elctrica, por. lo 'que el valor medio del rectificador mejora
considerablemente, : disminuyendo la componente de alterna; las condiciones de
seleccin del capacitor son menos restrictivas en el rectificador de onda completa que
en el de media ,ondqr' porgue las repeticiones.de recarga son ms frecuentes' en el
rectificador de onda completa que en el rectificador de media onda adems puesto que
en el de onda completa no existe Ia fundamental y en el de media onda si est
'
presente.
. La determinacin

det voltaje de alterna (v"(t)) superpuesta a la de continua es

necesario para el diseo de un circuito con una cantidad-de rizo"aceptable. Con
una muy buena , aproximacin el voltaje de salida a travs del circuito R, C
puede escribirse.como:

-:

rrvo\lf e/\-\/
6 i
'r::<"

Donde:

',.

t=RlC constante de tiempo de descarga del

capacitor.

tese|tiempodespusque|asa|idatomaelvalorpicoV'*

'.,.

Vr"* componentg de alterna mxima en proporcin con l:tensn de entrada.

'..'

--t'l
vo(t ) :V*.* rrs. :;

,',t,,,,

. ..;,.

: .,

'

Cuando el condesador est en proceso de descarga a tias de R (diodo

polarizado en inversa), el voltaje mnimo que alcanza se pr.. expresar como:

cAP.l-63

'. .i-.:

CAPITULO I: DIODOS

,ir.' ,'r"'' t '.'t "

/
Viv*.*--vr,*e:{t;
%=v-,"* |
'':':""'l

1;

,,

.:

' ;

t.\
;
r-.

.n,\l

|ll-l'
' rl
\/-\/
V,-V*a*l'-lr-;ll
L \ r}t'" /J
'l

Tt

\., =\/
'max
'r

'

r-u
^

En todas las aPlicaciones se requere una tensn de rizo reducido, para esto se
lo mas Prximo a Tp, s puede adoptar T'=Tp,, con lo que resula la
debe tomar
tensin de rizo:

T'

T
ur-

"nax

"L""

En un rectificador de media onda To es gual al periodo de la onda de entrada

(Tp=T), en uno de onda:completa To es la mitad del periodo (To=f/2), por lo que la
frecuencia resulta:
En el rectificador de media onda

-r

I:-:-

TTo

En el rectificador de onda completa

' ':' 1 r,,.1,:i-r':l
I:-:-

2To

ELECTRO}-.ICA

cAP.l-64

r .: "-

-1'

CAPITULO I: DIODOS

Reemplazando !a ecuacin en la tensin de rizado.

'.^:
demedia onda..
En el rectificador

..

t:

,{

; :::

,.,

f R.C

En el rectificador de onda completa

1

ur-uar

2f R,C

Con estas ecuacones se determina el valor del capacitor que se requiere para
filtro y para una tensin de rizo prefijado.

8.1 Corriente en el diodo

En los rectificadores de media y onda completa con filtro, el diodo conduce
durante un ntervalo,de tiempo (At) reducido, tal como se observa en la figura 1.30, en
este intervalo la corriente del diodo suministra la carga perdida por el capacitor durante
el tiempo de descarga'en la que el diodo no conduce. Si recordamos del desarrollo en
serie de.Fourier realizado, las armnicas tienen variaciones 'cosenoidales ,asimilando
dichas variaciones a la alterna superpuesta a la'de continua en el intervalo t, adems
suponemos que la tensin de arranque (Vr) de los diodos es despreciable, se tiene:

\cosc,:At:%-V,

Si el voltaje d' rizo es pequeo entonces orAt es pequea, pol lo

desarrollando en una:,srie cos(rrrat)
obtiene:

tanto
'trminos
se
nos quedamos con losl primeros

t"

cosolat:1-

(tat

)"

?,

Reemplazando en la ecuacin resulta

'^a-'

\coso:at:%-v=
v-

I
lr-

rr,rntyzl
\wuL/

v-

.--

t-

ty

=*-*

t- rnrAr.)3l ("
2 l:v-

V-'L
l=v--v- -+ -l1-'*-"'

2 l,_-.-...t'''l

'

V.)

J Iv^)
r

"l'

ELECTRONICA
cAP.r-65

CAPITULO I: DIODOS

i:inr

'].

;
t,

12"

-.

se muestra en la
La corriente de! diodo (i) durante la conduccn en ef tjempo
^t la carga R y la
figura 1.30, gqtb corriente se distribuye una parte (iJ que cilcufa por
otra (is) parq reponer la carga perdida por el capacitor durante el tiempo de no
conduccin del di,do,'por lo que la carga suministrada al capaciior a travs del diodo
.

Q.=i.at.-

::

:,',i,::

'

t,'

La carga perdida por e! capacitor durante el tiempo de descaga es:

I

VD-v vr

Figura: 1.30 Corriente en el diodo durante la conduccin.

La condicin para que el condensador recupere la carga perdida debe ser

reemplazando por sus ecuaciones se obtiene

i.At:CV,

Qo=q.,

* i.:-At+

Reemplazando en la ecuacin el tiempo de carga At resulta:

ELECTROiICA

cAP.t{6

a\\ V.
7

l--...-l

,\/
.-

l'\L

: -f

?'

:,;r

,:r:

-,:'lj'1','.',-'.';:'
'';.. .rt, '

,]

Adems se vio que:

En el rectificador de media onda
1

l-

^\r
- "r -T7'max
-"L

En el rectificador de onda completa

^4
l

Estas ecuacones son las que se usa para calcular el valor del condensador para el
rectificador media y onda completa y cmo a=2nf r' reemplazando en la ecuacin de la

corrente sobre el condensador se establece:

Para el rectifcador de media onda:

'1\/

rTr
rk
-"L

------:-

2nf\

\/
1 :/
-R

flv.
1l;
I - Yr

Para el rectificado.de onda' completa:

I

,
I

a\l
V V=-

1
ln I \/

-j5

t/-

,.il
uYum \r
,V-

It
H

"L

" l'''

.t,

cA?.1{7

i-

.
,

'

.'l

'

, , ., ..:l-,.I
:'

,-'':!i-

rCqn lo q,g sg detgrr.nna la corrente instantnea de los didos del rectificador:

,

:.'..'

t,'

Para el rectificador de media onda:

. Los valores que se obtienen con estas ecuacones nos .sirven para verificar que los
diodos son capces de goportar estas corrientes sin destruirse.

Multplicadores de voltaje

. :.
tas aplicaciones del diodo como multiplicadores de voltaje utilizan topologas
circuitales similares a los rectificadores de media y onda completa, adicionando
condensadores, sobre los que se produce la multiplicacin del voltajei como referencia
analizaremos ef caso dg un duplicador de tensin, el circuito de aplicacin es el
siguiente:
+

'-..]J-:

vo

t
,' 'i.' :,.''1'-:'

' '' "::' li -:

I ,t ':t.i ','', , '
.'.., ..
'.'
" :;
l..,a;1,r..,"

- I. r''" 'l.'i

,,

i;,tr -

''.*ii

"'

cAP.l-68

APITULO I: DIODOS

_ ..
El duplicador de tensin funciona de la siguiente forma:

Durante el semiciClo positivo de la tensin de entrada, el diodo O1 sei'polariza en

directa y el diodo Dz Fr inversa; con Pr conduciendo'y la tlave L abierta el
condensdor Cr se carga al valor mximo (Vn.,) de v mantenindose en dicho
valor; cuando en el semiciclo positivo empieza a disminuir vi polarizando D1 Fr
inversa y mantenindose en Cr la tensin V, con polaridad positiva hacia el
ctodo del diodo D1 (vq1=!.).
Durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada, el diodo D1 se polariza
en inversa y el diodo D2 efl directa; con D2 conduciendg V la llave L abierta el
condensador C2 be carga al valor mximb (Vn,,) de vi mantenindose en dicho
valor; cuando en el semiciclo negativo empieza a disminuir v polarizando Dz eFl
inversa y mantenindose en Cz la tensin V- con polaridad negativa hacia el
nodo del diodo D2 (V62=!n.).
La tensin sob la carga Rr- (vo) por las polaridades descritas en cada semiciclo
en V61 y Vcz es prcticamente la suma de los voltajes en los condensadores.

vo:V., *VO
vo

=% +%

vo:2VDe lo descrito serestablece'que el circuito realiza la duplicacin de la tensin de

entrada.

70 Reguladores de tensin
.:'''
- ;,
.,..r

.',':,

'-''

:'

'

'

En muchas aplicaCiones se debe reducir a valores muy peqeos las componentes

de alterna o tensin de';rizado, an ms reducido que el obtendo con el filtro en un
rectificador, estas componntes de'alterna son tan perjudicials qe n algunos casos
llegan a enmascarar ld.s:,seals tiles introducen ruido a los amplifiqadoies, por esto
la necesidad de utilizr reguladores para atenuar o "eliminar" el ri2ado. Hay dos
topologas bsicas para estos circuitos, los reguladores serie y pQralelo, para analizar el
principio en el que se!:Qgru! usaremos los circuitos de la fi$ura 7.32,:en la que se
simula la fuente rectifi!?{a y .nllrda por una fuente de .tensi , continua (V), una
fuente de alterna (v) y_1a resistencia'(R) dispuesto en un eqivlente,de fneuiin, en
ambos tircuitos ios regr,rlad.gres sg,iimulan por los poiengim,glros, (R)_cuyo elemento
de control es ensibl a;ras,ryiialio.n9r de tensin y/o corrieni. qe se puede prducir

ene|circuitoporvariacindelrlzadode|acarga(Rr)..'].:.....-.l..-.].,.]

'''

cAP.I-69

_ :'

.,r

r-

CAPITULO I: DIODOS

.t

Veamos cmo funcionan estos circuitos:

a) Regulador gerie.l
'1

En este circuito el elemento regulador

Rp se dispone en

serie entre la;fuente'de tensin y la carga s la tensin de rizado (v) es cero y,'las
..

resstencias son constntes, la corriente ir- es cor'rstante y la cada de potencial en Rr

t. .'!-.
-t.--y para mantener
(vo) siempre es del miSmo valor, en caso de variar algun parmetro
constante la tensin (v") 9e hace:

v aumenta y R constante,

la corriente en el circuito se incrementa,

por
consiguiente aumenta el valor de vo, para mantener esLa tensin (vo) constante
se debe incrementar Rp en un valor proporcional al incremento de la corriente,
de tal manera de aumentar la cada de potencial en esta resisLencia (Rp) y

Si

mantener la tensin de salida (vo) constante.

Si v disminuye y Rr_ constante, las variaciones son de la misma manera pero en

al caso anterior.
el sentido opuesto
-''-

Si

es consiante y Rr- aumenta, la tensin sobre la carga (R) tiende a

aumentar, por q ilue se debe incrementar Rp para disminuir la,corrente en el

circuito y mantener constante la tensin de salida (vo).

Si

v es constante y Rr- disminuye las variaciones sucede exactamente

en

el

sentido opuesto al caso anterior.

En las aplicaciones normalmente suceden simultneamente las variaciones de

uno o ms parmetros, por lo que Rp debe ser sensible a estas variaciones para
compensarlas.y mantener la tensin de salida constante.

, b) Regutador paralelo.- En este circuito el elemento regulador (Rp) se dispone

en paralelo con la fuente de tensin y fa carga, si la tensin de rizado (v) es 0 y las

; , /. \
resistencias son constantes, la corriente (i) es constante y la cada de potencial en Rr
(vo) siempre es del mismo valor, en caso de variar algun parametro y para mantener
,

-.'

t..

i,.
ELECTROI(ICA

cAP-1-70

constante la tensin (v._) se hace:

;'i

.',...-r-

,,,.,

la corriente en l circuit,.se',inciementa por

Si v;durnnta!,y.iprrconstante,
.:l
consguiente aumenta el valor de vo, para mantener esta tensin (vo) constante
se'debe disminuir Re en un valor proporconal al incremento de la corrente, de
tal manera de aumentar la corriente que circula por esta resistencia y'disminuir
la corriente que circula por. R y mantener la tensin de salida constante.

Si v disminuye. y Rr- constante,.las variaciones se suceden de la misma manera

pero en el sentido opuesto al caso anteror.

Si

Si

v es constanle y

aumenta la tensin sobre la carga tiende a aumentar, por

lo que se debg disminuir Rp pdrd aumentar la corriente'que circula por el y de
esta manera disminuir la corriente (i) que circula pof la carga y mantener
constante la tensin de salida.
Rr-

v es constante y, Rr disminuye,

las variaciones se suceden de la misma

manera pero e el sentido opuesto al caso anteror.

'.

En las aplicacioes normalmente sucede simultneamente las variaciones de v y

R, por'lo'que,.iio debe."ser sensible a estas variaciones para compensarlas y
mantener la tensin de salida constante.

-En los circuitosde,la figur t.3Z Rp s reemplazada por un diodo,(Zener) o por un

transistor para realizar la regulacin; normalmente en la regulacin serie o paralelo se
usa un transistor y co,rTlo lensin de referencia un diodo Zener," perqltambin en la

regulacin

en paralelo se usa diodos Zener solamente, como aplicacin de su

caracterstica de tercer.tadrante.

ELECTRONICA

..?.-. _ _

__

':i..

CAPITULO I: DIODOS

.i:,,'
i.

..;t

Vo
'.::.\

r-\

T
""

,'

'-'*:f
'
Figurai l.3J fcuito equvaleni'i una fuente'ictiricaa y

'_.

filtrada.

j'+ '

''

'

Tal como se ihdic, lo que se pretende es obtener una tensin de rizado sobre la
carga (vo) de valor myy reducido con respecto aquel que se obtiene de -la fuente
rectificada y flltiada (i), para esto definiremos un factor,'de estabilizacin de las
variaciones de vo frente a v.

..,.'l

Este factor de estabilizacin k, debe ser lo ms reducido posible, idealmente debe

tomar el valor 0; veremos ahora un circuito regulador de tensin en paralelo utilizando
un diodo Zener.

70.7 Regulador con dr'odo Zener

El diodo Zener es utilizado para regular la tensin aplicada a una carga, para este
propsito el diodo se dispone en el circuito en paralelo con la carga y la fuente de

tensin tal como se muestra en la siguiente figura.

Solo

altema

'l

Vo

l.)

Figura: 1. 34 Circuito de regulacin en deriv-acin'

n el circito del fegulador'en paralelo se agreg la res.lstihcia

fu' para limitar la

ELECTRO}iICA
cAP.l-72

:.

APITULO I: DIODOS

nua que circular por el diodo Zener cuando la resistencia de carga

sea de un valor muy grande tendiendo al circuito abierto, R s la resistenci interna de
la fuente,rectiflcada'y';fiiirada, tericamente debe ser de un valor rnr;y'i'ducido'por la
definicin de fuente de tensin; por la topologa circutal de la figura 1.34, el diodo
Zener est polarizado en inversa por la tensin de continua V, esta debe ser superior a
la tensin de ruptura del diodo,para:que este pueda trabajar como regulador,,tal 'como
se puede apreciar en el diagrama detallado de la siguiente figura:

L
Ir*n,

Rgra: 1.35 Caracterstica de un regulador con diod Zener.

:,

:.

En este circuito en. Rs se incluye la resistencia interna (Pq) del rectificador y fiJtro,
adems de la resstenid R'5 ?gr'gada para la proteccin del Zeher ,uando la carga
tome un valor muy gighd" o de qircuito abierto, con esto se l'evita la destruccin del
diodo Zener por sobreqalentamiento' o disipacin excesiva de. potencia, adems la
resistencia Rs contribuir a la estabilizacin de la tensin vo frente a variaciofles de v,
como vo representa
la
tensin
de.. ..rizado en la carga despus del iegulador Zenr esta
.
:; ,'..,rr'i.
,
componente de altern.$ebe serpeqqea; del circuito de alterna de la'fi.g,ura 1,34 se ve
que se puede obteneiijsta tensin pequea con una buena relacin entl [a resistencia
agregada (Rs), la iesist-iitia O9! felef (r) en ia regin de ruptua V iairga (R), para
esto apliquemos al clrtito la definiin del factor de estabilidad (k,) pia el circuito d

ELECTRONICA

cAP.I-73

."

j-:

:",.rr'

CAPITLILO I: DTODOS

Lrr=/ /R,

ir(R.+r-l /Rr)

De esta ecuacin, e deduce que vo ser reducida si Rs 9s grande frente al

paralelo de r. y Rr, asimismo la resistencia del Zener debe ser pequea frente a la
'resulta
la siguiente relacin
resisteniia de carga (rr<Rr), con estas consderaclones
para

ks.

r
De la relacin matemtica de ks se ve que para tener un buen factor de
estabilizacin (kr=Q), se debe seleccionar R5 grdnde y rz pequea. Del circuito de
alterna de la figura t.34 tambin se deduce la impedancia de salda (4) de la fuente
regulada y este resulta el cociente entre vo ir- Cotl v=Q obtenindose:
to

"9. ;

:-

rD
-:.ts

r*R

Por lo tanto:
oo- Lz

Lo que muestra que la fuente de tensin regulada tiene una resistencia interna
reducda, cumpliendo con la deflnicin de fuente de tensin.
Para dimensionar Ia resistencia Rs y seleccionar un diodo Zener apropiado en un
regulador paralelo, para una cierta tensin de rizado en la salida y mantenerla dentro
de ciertos lmites no obstante las variaciones de tensin de lnea en la entrada del
tu di5pone son:
tralsformador V{,o lq esistenci3 C9 g1g_X R: Para g-,sto los dato;
'Qr..
' Lu tensin de entiada incluyendo el rizao (del rectificador
ms filtro) mnimo y

ELECTRONICA

cAP.l-71

C.-\PITULO I: DIODOS

mximo (V,nin=V-V.i V."t=V*Vm).

.
.

L?,corrente de crga mnima'y mxima requerdas (Ir-*n; Ir-"r).que:representa

la variacin de la resstencia de carga (Rr).
La tensin de salida mnima y mxima (Vo,nni

Vo,nur).

L:

.Para establecer .las ecuaciones .que permitan. calcular los parmetros requeridos
usaremos el circuito de la figura 1.36; para el diodo Zener utilizaremos el circuito
equivalente por tramos para la regin IV de las caractersticas del diodo mostrado'en la
figura 1.16, el circuito resultante'se plantear para dos casos extremos:

s mnimo, la corriente que circula por la carga es mximd (Iln."r),

en el extremo esto representa el caso de un corto circuito (RL=0) en la salida, en estas
condiciones la tensin de sallda es mnimd (Vo.n), como el Zener est en paralelo con
R, la corriente que circula por el dispositvo es mnima (Ir-in), la cada de potencial en
el Zener es mnima y la tensin en la carga es mnima, por lo tanto la tensin'entregada
por el rectificador ms el filtro debe ser mnima (V-n).

a) Cuando

R-

b) Cuando Rr_ es mximo, la corriente que circula por la carga es mnima (Ir-'in),
en el:eltremo esto r:epresenta:el caso de un circuito abierto (R="o) en la salida, en
estas condiciones la, tensin de. .salida es mximd (Vo-"*), :como el Zener est en
paralelo con R, la corriente que circula por el dispositivo es mximd (Ir."r), la cada de
potencial en el Zener es,mxma y la tensin en la.carga es mxima, por lo tanto la
tensin entregada por el rectificador ms el filtro debe ser mximd (Vin'r,).

''.

Del anlisis realizado resultan los siguientes circuitcs. para ,la deduccin de las
ecuaciones de dimensionamiento y seleccin de componentes.

ELECTRONICA
cAP.1-75

protccin,
Deducirep,taseg-qacj-gnes que permitan
'reduccn calculr tt.rirtncia Rs de
resstehcii del ' ijobo, 2enil ara una
, ucai, d'e 'la tensiri de rizado; ei
y la potdcia dldsipacin'Pz del diodo Zeqer' pn una
va.lor O' 19 tensin ge
adecuada'seleccin de e'ste cmponente.

'

znffi

el circuito de la figura 1.36 a) resulta:

i
.

.,.,.;' .. .i- .''.,-rl.

i';rt$,

V*rn=IRr*Vb*rn I' i
i.

Y,nin

:(Ionn

+Iho

'

*{n'in

)Rs

...

Del circuito y en el diodo Zener se

tiene:

':

Yomi.n-f zminLz' uz

\/

razmin- "omin-\/"z
.':

lr-n'en la ecuacin de Vn n, despejando

Reemplazando

'
vi^i": (r,.rn*r*"*)Rs*%oin

Vomn se tene:

(v -v
*r*"* ) *.*%=r.
i \*:n: t=T-=
|
\tt)

Procesando en la ecuacin:

(v

)ln
\/'omin :\/'imin _ | 'onin-\/'; +T
-inax
|
__
l"S
Tz'
\
)
\/'omin-z
r=\/ 'imin-:r-\/ 'omin^.S
R +\/R
rR
'z"S -T-Lmax-:"S
r+\/P
\/uomin\tz
lr+R' rrg/\:\/ uimintz
I

":tts

\/'imin +.
vomin

H
!\a

-.

'l\/-l
Uz

rP
-Ttinaztz"s

r'l
--lflax-/

D
l\c
l-T
-Tz

..,t'...
,.'i,ir

Por analoga' aplicando el

para el circito b) de la figura 1.36

ELECTRO.\-ICA

cAP.l-76

C,\PITI-jLO I: DIODOS

se obtiene:
'\/+-t\/-tr\.
'::.-::t'

K
"q

,-.
\ tz

%*.,

I+-

t-.::,t:/

D
\e

'z

Si realizamos la operacn de:restar, la ecuacin de Vsmn de Vor"x.se tiene una

ecuacin del rizado en la salida en.funcin del rizado en la entrada y los componentes
del circuito resultando:

v -v .: v,..=,.-vt-.,..*Rr( r-.*,-r--"r.)
1+5
r
-:

En esta ecuacin se tiene dos incgnitas Rs y ru para resolver este inconveniente

a paftir de la ecuacin Vmn despejamos Rs obtenindose:
^
.q
-TtT

\/

':-i.

\/

- h:<

-::::.

En esta ecuacin se adopta lzmin=lmA el 10%o de I-", la que sea mayor, Ia

corriente f'*n debe s-er suministrada en la peor condicin, para que el diodo Zener se
mantenga en la regin IV de su caracterstica V-I, que es la caracterstica de
regulacin esta condicin se muestra en el crcuito a) de la figura 1.36. Con el valor de
Rs calculado y de la ecuacin Vomax-Vomin, se despeja la relalin para la resistencia del
Zener (rr) resulta:
-z

R-,

\/

-\/

ri:.'

Yi-;-

V"==*

-Y"=i.

Con el valor de,rr,calculado y a partr cie la ecuacin l.-in del circuito a) de la

figura 1.36 se despeja la relacin para la tensin de Zener (Vr).
\/': :\/ 'cn:n - |
r
^:=in-z

:l circuito
se establece que la mxima disipacin en el diodo zener
:
ocurre cuando Rr tiende a un valor muy elevado o circuito abierto (rr=0) y esto se
muestra en el crcuito b) de la figura 1.36 del que determinamos fa relacin de lr."r.
-+7av

\/ui.^.

-\- Vz/

r+P \q

!7

lecrnoxrc,r
cAP.t-77

_!,

.
.*.

,t

:.

...'..

La potencia mxima
::;
P -T2
r-!Tj
\/
*zmax-z
' -zmax'z
-zmax

Reemplazando

,..-

;:

e'n el circuito

:.

'' r_::'tj

CAPITULd I: DIODOS

1Fr

l'i

I !ti:

resulta:

'

':':

I..", resulta:

-vr.".-v,
Vr*"*-% ur^.'-u,
p
f
*
t,'' )
-zmax
-'
.,^

4+R. (. q*R.'_t

r.*R.

Con esto quedan establecidas todas las relaciones que permiten determinar y
dimensionar el circuito regulador.

ELECTRCNICA

cAP.l-78