UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE CAMPECHE

DIRECCIN DE MECATRNICA
REA DE AUTOMATIZACIN

ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

UNIDAD IlI

ACTIVIDAD:

INVESTIGACION

CARRERA:
T.S.U MECATRNICA Y AUTOMATIZACIN.

NOMBRE DEL PROFESOR:

MIGUEL ANGEL PERERA CORTEZ

NOMBRE DEL ALUMNO:

ELVIN ABISAI MAAS MAAS

GRADO:
4

GRUPO:
D
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INDICE

1. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

1.1 Describir los tipos y caractersticas fsicas y elctricas de los materiales

semiconductores.
1.2 Describir la estructura atmica de semiconductores elementales: Silicio y
Germanio; y dopantes: Boro, Galio, Fsforo y Carbono.
1.3 Describir las caractersticas bsicas de semiconductores intrnsecos.
1.4 Describir la relacin entre estructura electrnica y conductividad elctrica
de semiconductores intrnsecos.
1.5 Describir las caractersticas bsicas de semiconductores extrnsecos y el
concepto de dopaje.
1.6 Describir la relacin entre estructura electrnica y conductividad elctrica
de semiconductores extrnsecos.
1.7 Describir el comportamiento de los Semiconductores Tipo N y P.
1.8 Explicar el comportamiento de la unin semiconductora PN.

2. PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

2.1 Describir las propiedades bsicas de los semiconductores y sus uniones

PN.
2.2 Describir las estructuras bsicas de uniones PN
a) unin NPN y PNP: transistor BJT
b) Unin Al, SiO2, P: JFET, MOSFET
c) Unin PNPN: Tiristores

3. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES

3.1 Describir el concepto de superconductividad.

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3.2 Describir los tipos y caractersticas fsicas y elctricas de los materiales
superconductores.
3.3 Describir la estructura cristalina de los materiales superconductores.
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1. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
1.1 Describir los tipos y caractersticas fsicas y elctricas de los materiales
semiconductores.

La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados

a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos
dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario
conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista
fsico.
Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa
microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata
de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de
elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado
actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar
centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu
expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.
Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el
poder modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy
amplios. La razn primera de este comportamiento diferente reside en su
estructura atmica, bsicamente en la distancia interatmica de sus
tomos en la red as como el tipo de enlace entre ellos.
As, el enlace atmico depende del nmero de electrones de valencia de
los tomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los mismos.
Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que
determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden
determinar el carcter conductivo o no de l.

1.2 Describir la estructura atmica de semiconductores elementales:

Silicio y Germanio; y dopantes: Boro, Galio, Fsforo y Carbono.
Un semiconductor es un material o compuesto que tiene propiedades
aislantes o conductoras. Unos de los elementos ms usados como
semiconductores son el silicio, el germanio y selenio, adems hay otros
que no son elementos como los mencionados anteriormente si no que
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son compuestos como lo son el Arseniuro de Galio, el Telurio de Plomo
y el Seleniuro de Zinc
Silicio
El tomo de silicio presenta un enlace covalente, esto quiere decir que
cada tomo est unido a otros cuatro tomos y compartiendo sus
electrones de valencia. Es as, porque de otra manera el silicio no
tendra equilibrio en la capa de valencia, necesita 8 electrones para su
estabilidad. El enlace covalente lo forman todos los elementos del grupo
IV de la tabla peridica, al cual pertenece el silicio.

Germanio
Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante
material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A
diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una
pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma
eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja
intensidad.

Los semiconductores dopados: El dopaje consiste en sustituir

algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos
ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo
del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y
Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del
Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y
ocasionalmente Galio.

Boro
Debido a que es trivalente, comparte con el Carbono
(tetravalente) la capacidad de formar redes moleculares
mediante enlaces covalentes. No se encuentra libre en la
naturaleza. En la naturaleza se encuentran dos istopos de boro,
11B (80,1%) y 10B (19,9%).
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Galio
El galio es un metal blando, grisceo en estado lquido y
plateado brillante al solidificar, slido deleznable a bajas
temperaturas que funde a temperaturas cercanas a la de la
ambiente (como cesio, mercurio y rubidio) e incluso cuando se lo
agarra con la mano por su bajo punto de fusin (28,56 C). El
rango de temperatura en el que permanece lquido es uno de los
ms altos de los metales y la presin de vapor es baja incluso a
altas temperaturas. El metal se expande un 3,1% al solidificar y
flota en el lquido al igual que el hielo en el agua.

Carbono
El comportamiento del carbono en millones de compuestos
corresponde a cuatro electrones desapareados, sin que ninguno
de ellos tenga preferencia o mayor capacidad de reaccin que
los otros tres.

1.3 Describir las caractersticas bsicas de semiconductores intrnsecos.

Los semiconductores intrnsecos:
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta
como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres
y huecos debidos a la energa trmica.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones
y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se
debe a que por accin de la energa trmica se producen los
electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos
electrones libres como huecos con lo que la corriente total es
cero.
Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente
puro contiene una cantidad insignificante de tomos de
impurezas.
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1.4 Describir la relacin entre estructura electrnica y conductividad
elctrica de semiconductores intrnsecos.
La conductividad elctrica de los materiales semiconductores no es tal alta
como la de los metales; sin embargo, tienen algunas caractersticas
elctricas nicas que los hacen especialmente tiles, las propiedades
elctricas de estos materiales son extremadamente sensibles a la
presencia de incluso muy pequeas concentraciones de impurezas. Los
semiconductores intrinsenticos se basan en la estructura electrnica
inherente al material puro.
Puesto que un semiconductor intrnseco existen dos tipos de
transportadores de carga (electrones libres y huecos), la expresin para la
conductividad elctrica debe ser modificada para incluir un trmino que
tenga en cuenta la contribucin de los huecos a la corriente.
En los semiconductores intrnsecos cada electrn promovido a travs del
intervalo prohibido deja detrs un hueco en la banda de valencia.
Las conductividades intrnsecas a temperatura ambiente y las movilidades
de los electrones y los huecos para varios materiales semiconductores.

1.5 Describir las caractersticas bsicas de semiconductores extrnsecos

y el concepto de dopaje.
Semiconductores extrnsecos:
Son los semiconductores que
estn dopados, esto es que
tienen impurezas. Hay 2 tipos
dependiendo de qu tipo de
impurezas tengan:

Semiconductor tipo n:
Es el que est impurificado con
impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el
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nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres

dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del
cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y
se recombina con el hueco.

Semiconductor tipo p:
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptores", que son impurezas
trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios.

Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda

y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan
al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del
circuito externo.

1.6 Describir la relacin entre estructura electrnica y conductividad

elctrica de semiconductores extrnsecos.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La
conduccin elctrica a travs de un semiconductor es el resultado del
movimiento de electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas
positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador.
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un
proceso de impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir
tomos de otros elementos con el fin de aumentar su conductividad. El
semiconductor obtenido se denominar semiconductor extrnseco.

1.7 Describir el comportamiento de los Semiconductores Tipo N y P.

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un
pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que
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est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser
alternadas significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza
a un material semiconductor relativamente puro.
Aunque solo haya sido aadido 1 parte en 10 millones pueden alternar de
forma suficiente la estructura de la bomba.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin
de dispositivos semiconductores el tipo N y el tipo P.

Tipo N:
Tanto el material tipo N
como el tipo P se forma
mediante la adicin
mediante un numero
predeterminado de tomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se
crea atravez de la introduccin de elementos de impurezas que poseen
cinco electrones de valencia (pentavalentes).
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencias les llama
tomos donadores.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas
o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da
algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones

portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el
dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio
tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
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peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra
da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de
electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores.

Tipo P:

Un Semiconductor
tipo P se obtiene
llevando a cabo un
proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el
caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la
tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus
cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est
asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No
obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del
tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como
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una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los
diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un
ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

1.8 Explicar el comportamiento de la unin semiconductora PN.

Llegados a este punto,

cualquiera con un poco de
curiosidad se habr hecho la
siguiente pregunta: Qu
ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de material
tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos
aos y dio origen a lo que hoy da se conoce como unin P-N.
De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy
concreto de esta unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de
cara al paso de corriente elctrica.
Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de
material tipo P con uno tipo N; Qu ocurre?, pues que los electrones que
le sobran al material tipo N se acomodan en los huecos que le sobran al
material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de un bando se pasan al otro,
solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la frontera que
los separa. A esto se le llama recombinacin
Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los
electrones con los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre
ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez que se han
pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una
concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que provoca que estos
empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al
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haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco-
electrn inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de
potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposicin a que
sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin
permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para
modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con
otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una
batera.

2. PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

2.1 Describir las propiedades bsicas de los semiconductores y sus
uniones PN.
La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja
aunque puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms
sencillas. La estructura ms comn es la del diamante, comn a los
semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de
Galio. En estas redes cristalinas cada tomo se encuentra unido a otros
cuatro mediante enlaces covalentes con simetra tetradrica. Se requiere
que posean unas estructuras cristalinas nicas, es decir, que sea
monocristal. Dependiendo de cmo se obtengan ste puede presentarse
en forma de monocristal, policristal y amorfo.

El comportamiento elctrico de los materiales semiconductores

(resistividad y movilidad) as como su funcionamiento depende de la
estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la forma
monocristalina cuando se requiere la fabricacin de circuitos integrados y
dispositivos electropticos (lser, led).
En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenmeno de
las colisiones de los portadores con otros portadores, ncleos, iones y
vibraciones de la red, disminuye la movilidad. Ello guarda relacin con el
parmetro de la resistividad (o conductividad) definido como la facilidad
para la conduccin elctrica, depende intrnsecamente del material en
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cuestin y no de su geometra. As pues en los fenmenos de transporte
en semiconductores y a diferencia de los metales, la conduccin se debe a
dos tipos de portadores, huecos y electrones.

2.2 Describir las estructuras bsicas de uniones PN:

a) Unin NPN y PNP: transistor BJT:
Supongamos una unin PN polarizada en
inverso. Se puede considerar que es una fuente
de corriente casi ideal porque la corriente que la
atraviesa es independiente de la tensin entre
sus extremos, sin embargo, presenta un
inconveniente: la corriente es muy pequea (IS) y est limitada por la
generacin trmica de minoritarios en las cercanas de la unin. Esta
corriente podra, no obstante,
incrementarse generando
minoritarios, por ejemplo, mediante
luz, adems, con la intensidad de la luz podemos controlar la intensidad de
la fuente de corriente. Sera bueno poder hacer esto elctricamente. Para
ello, podramos aadir una unin ms al sistema, puesto que en una unin
P+N se inyectan huecos desde la zona P+ en la zona N y el nmero de
huecos inyectados depende de la tensin aplicada en esta unin. Por
tanto, se tiene entonces una fuente de corriente controlada por tensin
(que determina el nmero de huecos inyectados en el semiconductor N)

b) Unin Al, SiO2, P: JFET, MOSFET

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente
como
FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes
tipos: Transistor de Efecto de Campo de Unin:
JFET (Junction Field Effect Transistor) Transistor de Efecto de Campo
Metal - xido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

JFET de canal n
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JFET de canal p

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO

SEMICONDUCTOR. (MOSFET)
Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de
transistores de efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a
ver que existen dos tipos de transistores MOSFET.

- MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento

- MOSFET de deplexin o empobrecimiento

c) Unin PNPN: Tiristores

El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos
semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una
conmutacin.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de
tipo PNPN entre los mismos. Constructivamente son dispositivos de 4
capas semiconductoras N-P-N-P y cuya principal diferencia con otros
dispositivos de potencia es que presentan un comportamiento biestable.

Formas de activar un tiristor

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Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta

llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco
aumentar pudindose activar el tiristor.
Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la
inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje
positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta
corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo,
revirtiendo en la activacin del dispositivo.
Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el
aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que
aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la
diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin
regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor
puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una
fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece
este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a
evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo
es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una
corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la
activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de
activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de
destruirlo.
Elevacin del voltaje nodo-ctodo: Si la velocidad en la
elevacin de este voltaje es lo suficientemente alta, entonces la
corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el
tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo.

Principio de funcionamiento
La estructura fsica base de los miembros de la familia de los tiristores est
formada por cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra en la
figura.
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3. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES

SUPERCONDUCTORES
3.1 Describir el concepto de superconductividad.
La superconductividad
es una propiedad de algunos compuestos
que no oponen resistencia alguna al paso de
corriente ya que los electrones se
desplazan sin colisiones y en zigzag a travs de
los cristales del tomo, es decir materiales con
resistencia nula con los cuales se puede ahorrar la energa que se disipa
en forma de calor en los otros conductores, debido a la colisin de los
electrones entre s y con los tomos del material. Adems de lo anterior
tienen otra caracterstica muy importante que consiste en que expulsan de
su interior los campos magnticos mientras estos no sobrepasen un valor
lmite.
3.2 Describir los tipos y caractersticas fsicas y elctricas de los
materiales superconductores.
Los superconductores ofrecen cuatro grandes ventajas sobre los
conductores normales que podran ser explotadas en muchas
aplicaciones, ellas son:
Conducen la electricidad sin prdida de energa, y por tanto, podran
utilizarse en lugar de los conductores para ahorrar energa.
No tienen resistencia, y por consiguiente no generan calor cuando se hace
pasar corriente elctrica por ellos. En un conductor ordinario, la prdida de
energa debida a su resistencia se disipa en forma de calor. Este calor
impone un lmite al nmero de componentes electrnicos que pueden ser
empaquetados juntos. Utilizando superconductores se podran
empaquetar hermticamente un gran nmero de componentes
electrnicos, sin preocuparse por la disipacin de calor.
Tienen capacidad para crear campos magnticos intensos. Estos campos
pueden ser generados por imanes superconductores relativamente
pequeos.
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Pueden utilizarse para formar uniones Josephson, que son conmutadores
superconductores. Su funcionamiento es similar al de un transistor, pero la
unin Josephson es capaz de conmutar a una velocidad 100 veces
superior. Conectando dos uniones Josephson de una forma especial,
pueden detectarse campos magnticos extremadamente dbiles. Estos
detectores tan sensibles de campos magnticos reciben el nombre de
SQUID's (Super-conducting Quantum Interference Devices Dispositivos
superconductores de interferencia cuntica)

Las principales propiedades de los superconductores son las

siguientes:

El efecto Meissner:
Si un superconductor se refrigera por debajo de su temperatura crtica en
el seno de un campo magntico, el campo rodea al superconductor, pero
no penetra en l. Este fenmeno se conoce con el nombre de Efecto
Meissner y fue descubierto en 1933. Sin embargo, si el campo magntico
es demasiado intenso, el superconductor vuelve a su estado normal
incluso estando a una temperatura inferior a su temperatura crtica.

La densidad de corriente
Aplicar un campo magntico intenso no es la nica manera de destruir la
superconductividad, una vez que el material ha sido refrigerado por debajo
de su temperatura crtica. El paso de una corriente intensa a travs de un
superconductor tambin puede hacer que ste pierda sus propiedades. La
cantidad de corriente que un superconductor puede soportar manteniendo
nula su resistencia se denomina densidad de corriente, la cual se mide en
amperios por unidad de rea. Un valor tpico de la densidad de corriente
en un hilo superconductor es de 100.000 amperios por centmetro
cuadrado. Si pasara una corriente ms densa por el hilo, ste ofrecera
resistencia.

El efecto Josephson
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Otra propiedad interesante de los superconductores es el efecto
Josephson, que est basado en otro fenmeno que recibe el nombre de
efecto tnel. En una unin formada por una delgada barrera de xido
colocada entre dos superconductores, se puede producir efecto tnel. Las
caras externas de los dos superconductores se unen entre s y se mide la
corriente que pasa a travs de la unin. Cuando la unin se expone a
campos magnticos o radiacin, el flujo de corriente debido a que algunos
electrones atraviesan la barrera de xido (efecto tnel). Este efecto puede
emplearse en circuitos de computadores, y para detectar campos
magnticos muy dbiles. Estudios muy recientes han demostrado que el
efecto Josephson puede producirse a temperaturas muy superiores a las
temperaturas crticas del material superconductor.
3.3 Describir la estructura cristalina de los materiales superconductores.

Muchos slidos tienen una

estructura cristalina, es decir, una
estructura ordenada y peridica.
Esta propiedad facilita mucho el
clculo de la ecuacin de Schrdinger del slido.
En superconductividad es importante relajar la hiptesis de la
aproximacin esttica porque la interaccin de los electrones con las
vibraciones cuantizadas de los iones (fonones) es precisamente el
pegamento de los pares de Cooper en los superconductores
convencionales. Por otro lado gran parte de la comunidad cientfica cree
que la clave para el posible pegamento de los pares de Cooper en los
superconductores no convencionales viene de la interaccin entre los
electrones. El problema se torna entonces muy complicado y es necesario
hacer aproximaciones analticas y numricas. Este problema se sita en el
marco de un problema ms general que son los sistemas de electrones
fuertemente correlacionados. Otra parte de la comunidad cientfica cree
que la clave para el pegamento de los pares de Cooper de los
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superconductores no convencionales est en ambas, en la interaccin
electrn-electrn junto con la interaccin electrn-fonn.

BIBLIOGRAFIA:

https://ticircuitosanlogicos.wordpress.com/fundamentos-de-
electricidad-y-magnetismo/estructura-atomica-de-elementos-
semiconductores/
http://todoesquimica.blogia.com/2012/030504-
semiconductores.php
http://es.slideshare.net/victoreus/los-semiconductores-intrnsecos-
y-los-semiconductores-dopados-13926892
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Pagin
as/Pagina6.htm
http://materialesextricitostiponyp.blogspot.mx/
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tipos.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/pnjun.html
http://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/
electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
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http://www.equiposylaboratorio.com/sitio/contenidos_mo.php?
it=5570
http://coitt.es/res/revistas/04c%20Superconductores.pdf
http://www3.icmm.csic.es/superconductividad/fisica-cuantica-y-
transiciones/fisica-cuantica/solidos-cristalinos/