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CURITIBA 2010
ANTONIO RUBENS BARAN JUNIOR
2
CURITIBA - 2010
COMISSO EXAMINADORA
______________________________
PROF. DR. JEAN VIANEI LEITE - UFPR
______________________________
PROF. MSC ODILON LUS TORTELLI - UFPR
______________________________
PROF. DRA. THELMA FERNANDES UFPR
3
AGRADECIMENTOS
Aos familiares, que sempre nos apoiaram, nosso muito obrigado por todo o amor e
carinho.
Aos colegas em geral que estiveram ao nosso lado durante toda a caminhada.
4
5
Tudo questo de despertar sua alma.
6
RESUMO
A metodologia apresentada neste trabalho tem por finalidade facilitar os estudos de limitao
das correntes de curto-circuito atravs da alocao de dispositivos limitadores de corrente de
curto-circuito nos sistemas de transmisso com problemas de superao de equipamentos
por corrente de curto-circuito. A tcnica utilizada para soluo do problema de otimizao em
questo, baseia-se em Algoritmos Genticos, que utilizatambm um algoritmo paraclculo
dos nveis de corrente de curto-circuito. A deteco da superao dos disjuntores feita para
curtos trifsicos e monofsicos nas barras levando em considerao as contribuies das
linhas de transmisso ligadas a elas. Assim, o programa tem a capacidade de sinalizar os
disjuntores superados e de informar a dimenso e disposio dos dispositivos limitadores de
corrente de curto-circuito de forma mais econmica. As simulaes do programa foram
realizadas utilizando o sistema IEEE 30 barras.
7
ABSTRACT
The methodology presented here is intended to facilitate the studies of limiting short-circuit
current through the allocation of current limiting devices short-circuited transmission systems
to overcome problems with equipment-current short circuit. The technique used for solution of
the optimization problem is based on Genetic Algorithms, that uses an algorithm to calculate
of the short- circuit currents levels. The detection of the overcurrent ismadeconsidering mono
and tri-phase shortcirtcuit.Thus, the program has the ability to signal the overcomed circuit
breakers and to inform the dimension and arrangement of the current limiting short circuit
more economically. The simulations were performed using the IEEE-30 buses.
8
LISTA DE ILUSTRAES
9
Figura 25 - DLCCs em srie com os circuitos alimentadores.....................................60
Figura 26 - DLCCs em srie com os circuitos de sada.............................................61
Figura 27: Estrutura da Metodologia...........................................................................63
Figura 28: Estrutura do individuo para um DLC.........................................................66
Figura 29: Fluxograma par Alocao de DLCs...........................................................68
Figura 30 Sistema IEEE de 30 Barras.....................................................................70
10
LISTA DE TABELAS
11
SUMRIO
1 INTRODUO.......................................................................................................12
1.1 JUSTIFICATIVA............................................................................................13
1.2 OBJETIVOS.................................................................................................14
1.3 REVISO BIBLIOGRFICA.........................................................................14
1.4 ORGANIZAO DA MONOGRAFIA...........................................................16
2 ALGORITMOS GENTICOS.................................................................................17
2.1 CARACTERSTICAS GERAIS.....................................................................18
2.2 OPERADORES GENTICOS......................................................................20
2.2.1 Seleo......................................................................................................20
2.2.2 Cruzamento...............................................................................................22
2.2.3 Mutao.....................................................................................................23
3 SUPERAO DE DISJUNTORES DE ALTA TENSO.........................................25
3.1 DISJUNTORES DE ALTA TENSO.............................................................25
3.2 INTERRUPO DE CORRENTE PELOS DISJUNTORES DE AT.............28
3.3 SUPERAO DE DISJUNTORES..............................................................30
3.3.1 Superao por corrente de carga.............................................................30
3.3.2 Superao de disjuntores por Tenso de Restabelecimento Transitria (TRT)
31
3.3.3 Superao por corrente de curto-circuito (KINDERMANN, 2003) (MAMED, 1994)
31
4 MEDIDAS ADOTADAS PARA LIMITAR O CURTO-CIRCUITO............................41
4.1 SOLUES PROVISRIAS.......................................................................41
4.1.1 RestriesOperativas................................................................................41
4.1.2 ModificaesnaRede.................................................................................43
4.2 SOLUES DEFINITIVAS..........................................................................44
4.2.1 Recapacitao das Instalaes e Substituio dos Equipamentos.........44
4.3 UTILIZAO DE DISPOSITIVOS LIMITADORES DE CURTO-CIRCUITO (DLCCS)
(MONTEIRO, 2005; AMON, 2009)..........................................................................45
12
4.4 LIMITADORES DE CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO (MONTEIRO, 2005;
D'AJUZ, 1995)..........................................................................................................48
4.4.1 Reatores Limitadores de Ncleo de Ar.....................................................48
4.4.2 Dispositivos Pirotcnicos...........................................................................50
4.4.3 SupercondutoresLimitadores (OLIVEIRA, 2005)......................................52
4.4.4 DispositivosFACTS (Flexible AC Transmission Systems)(LANES, 2006) 53
4.4.5 Disjuntores Eletrnicos de Abertura Rpida.............................................55
4.4.6 IPC.............................................................................................................55
4.5 INSTALAO DOS DLCCS.........................................................................56
4.5.1 DLCC SeccionandoBarramentos..............................................................57
4.5.2 Instalao de DLCC em Srie com os Circuitos Alimentadores...............58
4.5.3 Instalao de DLCC em Srie com os Circuitos de Sada.......................59
5 Metodologia para Alocao de DLC......................................................................61
5.1 INTRODUO.............................................................................................61
5.2 PREMISSAS ADOTADAS............................................................................61
5.3 ESTRUTURA DA METODOLOGIA..............................................................62
5.4 MODELAGEM MATEMTICA.....................................................................63
5.5 CODIFICAO DO INDIVDUO..................................................................64
5.6 ESTRUTURA DO ALGORITMO...................................................................66
5.7 PARMETROS DOS AG.............................................................................67
5.8 VALIDAO DA METODOLOGIA DA ALOCAO.....................................68
6 RESULTADOS e Concluses................................................................................69
6.1 INTRODUO.............................................................................................69
SISTEMA DE 30 BARRAS.......................................................................................69
6.2 TESTES REALIZADOS............................................................................70
6.3 ANLISE DOS RESULTADOS...............................................................77
6.4 VALIDAO...............................................................................................77
6.5 CONCLUSES..........................................................................................80
REFERNCIAS...........................................................................................................81
APNDICE A - DADOS DO SISTEMA.......................................................................83
Z
MTODO DA MATRIZ PARA O CLCULO DE CURTO-CIRCUITO...................85
13
Ybarra
Clculo da Matriz ...........................................................................................85
Z
CLCULO CURTO-CIRCUITO FASE TERRA - MTODO DA MATRIZ ............86
14
1 INTRODUO
15
Figura 1 - Aumento da gerao no acompanhada da capacidade da transmisso
Uma soluo para superao das correntes de curto-circuito seria a troca dos
equipamentos superados das subestaes j existentes, mas a troca desses
equipamentos possui um alto custo e gera um impacto negativo no sistema eltrico
devido ao alto tempo de desligamento necessrio para a realizao da operao.
Uma soluo alternativa a implementao de Dispositivos Limitadores de Corrente
de Curto-Circuito (DLCCs).
1.1 JUSTIFICATIVA
16
Com a reestruturao do sistema eltrico de potncia, o crescimento do
investimento no setor de gerao, sem o acompanhamento do setor de transmisso,
modifica os parmetros do sistema permitindo elevao da corrente de curto-
circuito e como conseqncia a superao dos equipamentos nas instalaes.
1.2 OBJETIVOS
17
(RABELO e OCHI, 1996), (GOLDBERG, 1997), REZENDE, 2003; (SPEARS et al.,
1993),(HOLLAND, 1975), (COELHO, 2003),(VILA, 2002) e (SZUVOVIVSKI, 2008).
Cada autor citado acima se utilizou do conceito para exemplificar e/ou aplicar
diretamente uma metodologia computacional.
Para analisar a superao dos disjuntores de alta tenso tambm foram foi
utilizados (SINDER, 2007), (KINDERMANN, 2003), (FERREIRA, 2006), (SATO,
2005) e (D'AJUZ, 2007). Dentro deste conceito de superao, (SINDER, 2007)
enfoca a tenso de restabelecimento transitria, (KINDERMANN, 2003), (MAMEDE,
1994) e (SATO, 2005) as correntes de curto-circuito.
18
1.4 ORGANIZAO DA MONOGRAFIA
19
2 ALGORITMOS GENTICOS
20
identificar e explorar aspectos do ambiente onde o problema est inserido e
convergir globalmente para solues timas ou aproximadamente timas
(GOLDBERG, 1997).
21
A representao binria historicamente importante, uma vez que foi utilizada
nos trabalhos pioneiros de John Holland (HOLLAND, 1975). Alm disso, ainda a
representao mais utilizada, por ser de fcil utilizao, manipulao e simplicidade
de analisar teoricamente. Contudo, se um problema tem parmetros contnuos e o
usurio desejar trabalhar com maior preciso, provavelmente acabar utilizando
longos indivduos para representar solues, necessitando de uma grande
quantidade de memria. Outro aspecto a ser observado a no-uniformidade dos
operadores, por exemplo, se o valor real de um gene for codificado por um vetor
binrio, a mutao nos primeiros valores binrios do gene afetar mais a aptido do
indivduo que a mutao nos seus ltimos valores (REZENDE, 2003).
A aptido do indivduo depende do seu desempenho e calculada atravs da
funo de avaliao. Em problemas de otimizao, a prpria FO a candidata
natural ao cargo de funo de avaliao ou funo de aptido. Assim, pode-se dizer
que a funo de avaliao dependente do problema em particular. Esta funo
recebe como entrada o indivduo e faz o clculo da aptido, ou grau de adaptao,
retornando esta informao.
Para os problemas de otimizao sempre existe um objetivo a ser alcanado
(ou vrios, no caso de otimizadores com mltiplos objetivos), que representado por
uma FO. A avaliao desta funo permite calcular a aptido de cada indivduo.
Os AG procuram melhorar a populao, ou seja, buscam os indivduos de
melhor aptido.
Durante o processo evolutivo cada populao avaliada: para cada indivduo
dado um ndice atravs do clculo do fitness, refletindo, desta forma, sua
habilidade de adaptao a determinado ambiente. Uma porcentagem dos mais
adaptados mantida, enquanto os outros so descartados. Os membros mantidos
pela seleo podem sofrer modificaes em suas caractersticas, atravs de
recombinao e mutaes, gerando descendentes para a prxima gerao, a qual
representa uma melhor aproximao da soluo do problema de otimizao que a
populao anterior. Este processo, chamado de reproduo, repetido at que um
conjunto de condies satisfatrias, dado normalmente pela aptido do melhor
indivduo em conjunto com a limitao do nmero de geraes ou tempo de
simulao ou uma tolerncia de erro admissvel seja encontrado, caracterizando a
convergncia para uma soluo satisfatria.
22
2.2 OPERADORES GENTICOS
2.2.1 Seleo
23
indivduo da populao, escolhe-se ento um subconjunto de indivduos da
populao atual, gerando uma populao intermediria. Vrios mtodos de seleo
tm sido propostos, entre eles se destacam tradicionalmente: Mtodo da Roleta,
Mtodo do Torneio e o Mtodo da Amostragem Universal Estocstica (REZENDE,
2003; COELHO, 2003), alm do Elitismo.
Elitismo
O elitismo uma tcnica que pode ser adicionada a qualquer mtodo de
seleo. utilizado para contornar a possibilidade de descarte dos melhores
indivduos de uma gerao, o que pode acontecer em qualquer mtodo de seleo,
e consiste em transferir os n melhores indivduos de uma gerao para a gerao
seguinte, antes de ocorrer a seleo dos indivduos que podero, dependendo da
probabilidade de cruzamento e mutao, sofrer modificaes.
Roleta
No Mtodo da Roleta, a probabilidade de um indivduo ser selecionado
proporcional sua aptido relativa. O nome deriva de uma analogia que pode ser
realizada para facilitar a sua compreenso: a seleo seria um sorteio aleatrio em
uma roleta, na qual os setores referentes a cada indivduo seriam proporcionais s
suas aptides relativas.
Esse tipo de seleo depende de aptides numricas. Alm disso, este tipo
de seleo exige valores no negativos, uma vez que a aptido representa a rea do
setor da roleta.
A roleta ento girada tantas vezes quantas forem necessrias para obter o
nmero requerido de indivduos para o cruzamento e mutao, e, logicamente, os
indivduos com maior valor de aptido tm maior chance de serem selecionados.
Torneio
No Mtodo do Torneio, n indivduos da populao so selecionados
aleatoriamente, e aquele com maior aptido, entre os n indivduos, selecionado
para a populao intermediria. O processo repetido at que a populao
intermediria seja preenchida. Geralmente utiliza-se 2 ou 3 indivduos para a disputa
do torneio.
Este mtodo muito utilizado, pois oferece a vantagem de no exigir que a
comparao seja feita entre todos os indivduos da populao e possui a vantagem
da no-gerao de super-indivduos, pois a chance do indivduo com maior grau de
24
aptido ser selecionado para um torneio a mesma de um indivduo de menor grau,
independentemente de seu grau de aptido ser alto.
Amostragem Universal Estocstica
O Mtodo da Amostragem Universal Estocstica pode ser considerado como
uma variao do mtodo da roleta, na qual, ao invs de um nico ponteiro, so
colocadas n ponteiros igualmente espaados, sendo n o nmero de indivduos a
serem selecionados para a populao intermediria. Dessa forma, a roleta girada
uma nica vez, ao invs de n vezes, selecionando assim os indivduos.
2.2.2 Cruzamento
25
tradicionais so:
Cruzamento com 1 Ponto de Corte
Seleciona-se aleatoriamente um ponto de corte do cromossomo e, a partir
desse ponto, realiza-se a troca de material cromossmico entre os dois indivduos,
gerando desta forma dois descendentes onde cada um dos dois filhos recebe
informao gentica de cada um dos pais.
Cruzamento com 2 Pontos de Corte
No cruzamento em dois pontos procede-se de maneira similar ao cruzamento
de um ponto, ou seja, selecionam-se aleatoriamente dois pontos de corte do
cromossomo e, a partir desses pontos, realiza-se a troca de material cromossmico
entre os dois indivduos, gerando desta forma dois descendentes.
Cruzamento Disperso
O cruzamento disperso significativamente diferente dos outros dois
cruzamentos apresentados anteriormente. O ponto de corte substitudo por um
vetor binrio aleatrio tambm chamado de mscara.
A criao do filho feita copiando-se o gene correspondente de um dos pais,
que escolhido de acordo com a mscara de cruzamento de modo que, se certo bit
da mscara de cruzamento for 1, o gene correspondente ser copiado do primeiro
pai, e complementarmente, se certo bit da mscara de cruzamento for 0 ser
copiado do segundo pai.
Cruzamento Uniforme
O cruzamento uniforme similar ao cruzamento disperso, a diferena bsica
que aps o cruzamento uniforme surgiro dois novos filhos, ao invs de apenas
um como ocorre com o cruzamento disperso.
O procedimento para criar ambos os filhos exatamente o mesmo que o
executado no cruzamento disperso. A diferena consiste em que, para o segundo
filho, o processo ser invertido, ou seja, se para o primeiro filho, quando o valor na
mscara 1, o gene retirado do pai 1, para o segundo filho o gene retirado do
pai 2 e vice versa.
2.2.3 Mutao
26
O operador de mutao necessrio para a introduo e manuteno da
diversidade gentica da populao, alterando arbitrariamente um ou mais
componentes de uma estrutura escolhida.
Desta maneira, a mutao assegura que a probabilidade de chegar a
qualquer ponto do espao de busca nunca ser zero, alm de contornar o problema
de mnimos locais, pois este mecanismo altera levemente a direo da busca.
O operador de mutao aplicado aos indivduos com uma probabilidade
dada pela taxa de mutao que comumente varia de 0,1 a 10%. Uma baixa taxa de
mutao previne que a busca fique estagnada em sub-regies do espao de busca.
Alm disso, possibilita que qualquer ponto do espao de busca seja atingido. Com
uma taxa muito alta a busca se torna essencialmente aleatria.
27
3 SUPERAO DE DISJUNTORES DE ALTA TENSO
Tenso nominal;
Corrente nominal;
Tempo de interrupo;
Freqncia nominal;
Tipo de comando;
Acionamento;
Montagem;
Meio isolante;
28
Os disjuntores podem ser monopolares ou tripolares, e sua instalao pode
ser tanto interna quanto externa.
Unidade de Comando
Sistema de Acionamento
Cmaras de Extino
Ar Comprimido;
Vcuo;
29
Figura 2 - Interior da cmara de extino de um disjuntor a ar interrompendo uma corrente de
curto(SINDER, 2007)
Passo A
Passo B
Passo C
Separados os contatos de arco (5) e (6), inicia um arco-eltrico entre eles que
permite a circulao da corrente entre os terminais do disjuntor. Esse arco
permanecer at que seja extinto por tecnologia a gs, leo, ar, vcuo ou SF6.
Passo D
30
Extinguido o arco eltrico, os contatos se encontram abertos impedindo a
passagem de corrente.
31
o instante em que a corrente de curto-circuito que flui pelo arco se aproxima
de zero. Nessa fase h o resfriamento da coluna do arco eltrico, a rpida perda de
condutividade do arco eltrico ( medida que a corrente se anula), a interrupo da
corrente de curto-circuito e o incio da tenso de restabelecimento transitria (TRT).
32
3.3 SUPERAO DE DISJUNTORES
A corrente de carga que flui pelos disjuntores deve ser inferior a nominal
especificada nos dados de placa do dispositivo. Ela um critrio essencial para
superao quando a subestao sofre expanses ou quando esta em condio de
emergncia (Figura4).
33
Figura 4 - a) Carregamento em condio normal e b) Carregamento em condio de emergncia
34
Na ocorrncia do curto-circuito, os equipamentos atingidos devem suportar
todas as solicitaes de correntes assim como as solicitaes que podem ser
trmicas e/ou mecnicas, at a interrupo da falta pelos disjuntores.
Gerao 6%
Subestao 5%
Trifsico 6
35
Bifsico 15
Bifsico Terra 16
Monofsico Terra 63
Onde
I valor de crista da componente CA da corrente de falta;
CA (pico)
36
I valor inicial da componente CC da corrente de falta (notar que, para a
CC0
condio de mxima assimetria admitida, I =I ).
CC0 CA
X
A variao da assimetria da corrente caracterstica da relao R do
37
A superao por curto-circuito deve ser analisada pelas componentes
simtricas e assimtricas.
Curto-Circuito na Barra
38
ID J 1=I f 1
(3.1)
I CURTO =I f 1 +I f 2+ I f 3+I f 4
(3.2)
Curto-Circuito na Linha
I CURTO =I f 1 +I f 2+ I f 3+I f 4
(3.3)
ID J 1=I f 2 + I f 3+ I f 4
(3.5)
39
Condio de Line-Out
ID J 1=I CURTO
(3.7)
X
falta at o decaimento da corrente devido relao R do sistema (Figura 10).
40
Figura 10 - Evoluo da corrente de curto-circuito assimtrica
t
i ( t )=I mx sen ( wt + )+ I mx sen ( ) e (3.8)
Sendo
41
V mx
I mx=
R 2+ 2 X 2 (3.9)
=2 f (3.10)
X
=
R (3.11)
R
=cos1
( R + 2 X 2
2 ) (3.12)
A norma internacional para disjuntores de alta tenso IEC 62241 100 inclui
diretrizes para ensaios de interrupo de corrente de curto-circuito assimtrica com
constantes de tempo igual a 45, 60, 75 e 120 ms e freqncia igual a 60 Hz (Tabela
3).
( ms) 45 60 75 120
X
R 16,96 22,62 28,28 45,24
42
A componente contnua da corrente de curto-circuito assimtrica inicia a partir
do incio do ponto de falta e decai exponencialmente at a atuao do disjuntor. A
X
relao R da rede influencia o decaimento exponencial e quanto maior a relao
X
R , maior o tempo para decair a corrente (Figura 11).
43
X
capacidade de interrupo simtrica dos disjuntores e a relao R pode superar
Tabela 4 - Critrios de simetria e assimetria para a anlise da superao por corrente de curto-circuito
X
1 R < 16,96 Icc > 90% Icn
X
2 16,96 < R < 22,62 Icc > 85% Icn
X
3 22,62 < R < 28,28 Icc > 80% Icn
X
4 28,28 < R < 45,24 Icc > 70% Icn
X
5 R > 45,24
44
Se algum desses critrios for atingido, o disjuntor pode se encontrar em
estado de alerta ou ate mesmo superado, necessitando de medidas corretivas como
pode ser visto no prximo captulo.
45
As opes provisrias para limitar a corrente de curto-circuito so divididas
em solues que trazem restries operativas e que necessitam de modificaes na
rede.
4.1.1 RestriesOperativas
Seccionamento de Barras
Para que o disjuntor da Figura12 possa ser utilizado nas duas sees do
barramento d-se preferncia ao seccionamento no vo do disjuntor de interligao.
As sees da barra seccionada no afetam o desempenho individual de cada uma
delas, ou seja, caso haja um curto-circuito na seo A, a seo B no afetada pela
falta.
46
A operao com o barramento seccionado deve ser adotada quando possvel,
j que a configurao dificulta a distribuio das cargas, podendo deixar que as
tenses das sees do barramento fiquem diferentes reduzindo a confiabilidade do
sistema.
Radializao de Circuitos
47
Desligamentos Seqenciais de Linhas de Transmisso
4.1.2 ModificaesnaRede
Novos Equipamentos
48
4.2 SOLUES DEFINITIVAS
49
Os DLCCs so dispositivos que tem como objetivo adiar ou evitar a
substituio de equipamentos que esto com a capacidade de curto-
circuitosuperados. Os DLCCs limitam as correntes de curto-circuito para que quando
essas passem pelos equipamentos das instalaes estejam com valores
compatveis com as caractersticas nominais dos equipamentos.
50
Figura 14 - Comportamento dos DLCCs em uma falta tpica
51
Existem diversas propostas de DLCCs na literatura, como apresentado na
Tabela 5. Estas topologias so baseadas em diversas tecnologias, algumas com
tempo de uso no mercado bastante avanado e outros em fase de pesquisa e
desenvolvimento.
Disjuntores
Reator com ncleo de ar Transformadores especiais
eletrnicos de
(RLCC) (IPC)
abertura rpida
Baixas perdas;
52
Compatibilidade com os esquemas de proteo existentes ou planejados;
Baixo custo.
53
Figura 15 - RLCC na subestao Mogi das Cruzes 345 kV (D'AJUZ, 1995)
54
uma comparao do ponto de vista econmico entre a instalao do RLCC ou a
substituio dos equipamentos que se encontram superados.
55
Figura 16 - Componentes do dispositvo pirotcnico(MONTEIRO, 2005)
56
Figura 17 - Etapas de funcionamento do dispositivo pirotcnico(MONTEIRO, 2005)
57
instantaneamente durante a falta, permanecendo alta at o desligamento do circuito
ou reduo da corrente ao valor nominal. Para evitar aquecimentos e tempo de
resfriamentos elevados, a corrente de falta deve ser conduzida pelo supercondutor
por poucos ciclos.
Tipo Resistivo
58
Tipo Ponte
59
Essa configurao do TCSC permite controlar a impedncia continuamente.
Sua capacidade de ajustar rapidamente sua impedncia pode ser usada para limitar
a corrente de curto circuito.
Figura 21 - TCSC
60
modernos. Os disjuntores eletrnicos serviriam para seccionar uma barra ou abrir
uma linha, diminuindo assim o nvel de curto total e com isso liberando o disjuntor
convencional para atuar. Vale ressaltar que chaves eletrnicas introduzem mais
perdas no sistema que disjuntores convencionais.
4.4.6 IPC
61
O IPC compreende duas topologias simples: so conectados entre duas
barras e possuem, no mnimo, dois ramos paralelos. Um dos ramos contm uma
reatncia indutiva e o outro uma reatncia capacitiva, podendo cada um estar
conectado com um elemento defasador. Esse defasamento pode ser obtido de trs
formas:
Transformadores defasadores
62
Figura 23 - Instalao dos DLCCs
63
Figura 24 - DLCCs seccionando barramento
64
Figura 25 - DLCCs em srie com os circuitos alimentadores
65
Figura 26 - DLCCs em srie com os circuitos de sada
66
5 METODOLOGIA PARA ALOCAO DE DLC
5.1 INTRODUO
67
As seguintes premissas foram adotadas:
Sistema Base: composto pelas barras, linhas e dados das linhas, atravs
deste sero testadas as solues encontradas
68
Figura 27: Estrutura da Metodologia
Como a funo objetivo busca o menor valor possvel, ento esta funo deve
ser de minimizao. Ento podemos modelar da seguinte forma:
[ ]
nDLC
CS ( f ) Nl
I 3 ( i ) Nl I T (i )
FO=min f =1
+ + (5.1)
nDLC i=1 Imsd ( i ) i=1 Imsd ( i )
Onde
69
Imsd Corrente de surto mxima suportada pelo disjuntor.
Nl
I 3 (i)
A parcela CS(f) busca o menor custo dos DLCCs, enquanto Imsd ( i ) e
i=1
Nl
I T (i )
Imsd ( i ) busca a diminuio das linhas superadas.
i=1
Para cada DLC alocado, criam-se dez bits no cromossomo conforme Figura
28. O primeiro bit informa se a linha possui ou no DLC, do segundo ao stimo bit a
linha em que o DLC ser alocado e os trs ltimos destinado ao valor do DLC.
70
Figura 28: Estrutura do individuo para um DLC
Bits Decodificao
Se 0 no tem DLC alocado e pula
para os prximos 10 bits do
cromossomo.
Indicam de forma binria o nmero da
linha em que ser alocado o DLC,
neste exemplo na linha 39, caso seja
em uma linha inexistente, ser
desconsiderado esta parte do
cromossomo.
Indicam o valor do DLC conforme
Tabela 8.
71
Valor do DLC 5 10 12 15 18 20 25 30
()
No programa foram criadas rotinas para verificar se no cromossomo analisado
j foi alocado DLC na linha, em caso positivo exclui-se essa segunda alocao na
mesma linha, outra rotina analisa se o cromossomo j foi analisado. Caso j tenha
sido analisado, exclui-se e parte-se para o prximo cromossomo.
72
Figura 29: Fluxograma par Alocao de DLCs
Para cada iterao do AG gerada uma soluo, caso essa soluo seja
satisfatria ela guardada, toda vez que uma soluo melhor for encontrada a
anterior substituda pela nova soluo.
73
Tabela 9: Configurao dos AG
74
6 RESULTADOS E CONCLUSES
6.1 INTRODUO
SISTEMA DE 30 BARRAS
75
1 TESTES REALIZADOS
Disjuntores
1 2 0.9311 1.1417 8
1 3 0.8838 1.3985 4
3 4 0.8186 1.2169 9
2 5 0.8880 0.9175 4
4 6 0.9242 1.1554 6
5 7 0.9985 1.204 4
6 7 1.1123 1.2192 5
6 8 0.9866 1.1044 8
9 11 0.8117 0.9038 4
9 10 0.8476 0.9044 4
12 13 1.0417 1.1046 4
10 17 0.9563 1.0045 4
6 28 1.0727 1.9125 6
76
Os testes 3 e 4 foram realizados para mostrar que se diminuirmos o fator que
indica superao for alterado, o programa ainda funcionara com resultados
satisfatrios. O teste 5 a validao do programa.
TESTE 1
Impedncia
DLCC De Para Custo
[ohms]
1 1 2 30 24
2 1 3 20 19.2
3 4 6 30 24
4 5 7 30 24
5 12 13 30 20
77
O valor da funo objetivo relativo minimizao da superaode corrente
0, mostrando que todas as superaes foram eleminadas. O custo total se o mesmo
fosse contabilizado 111.2 UM.
Disjuntores
TESTE 2
78
Tabela 14: Localizao dos DLCCs alocados Teste 2
1 1 2 10 14.4
2 4 6 25 21.6
3 5 7 5 12
4 6 8 5 12
5 12 13 18 15.2
Disjuntores
TESTE 3
79
Para o teste 3, no foram considerados os custos de implantao, e a relao
entre corrente de curto e corrente mxima suportada foi maior que 0,9 para indicar
superao. Foram feitos testes com o nmero mximo de 8DLCCs.
Impedncia
DLCC De Para Custo
[ohms]
1 1 2 30 24
2 2 4 12 15.4
3 2 5 30 24
4 2 6 30 24
5 4 6 10 14.4
6 5 7 20 19.2
7 12 13 30 20
8 8 28 10 14.4
Disjuntores
80
superados I3/Imsd IT/Imsd I3/Imsd IT/Imsd
De Para
Sem DLCC Sem DLCC Com DLCC Com DLCC
1 2 0.9311 1.1417 0.1477 0.2758
1 3 0.8838 1.3985 0.8934 0.8323
3 4 0.8186 1.2169 0.4922 0.8790
2 5 0.8880 0.9175 0.2621 0.2976
4 6 0.9242 1.1554 0.3582 0.5044
5 7 0.9985 1.204 0.3495 0.4692
6 7 1.1123 1.2192 0.797 0.8927
6 8 0.9866 1.1044 0.6436 0.7421
9 11 0.8117 0.9038 0.8117 0.8962
9 10 0.8476 0.9044 0.7306 0.7979
12 13 1.0417 1.1046 0.6289 0.771
10 17 0.9563 1.0045 0.8242 0.8898
6 28 1.0727 1.9125 0.7215 0.8267
TESTE 4
81
[ohms]
1 1 2 15 16.8
2 1 3 5 12
3 2 4 10 14.4
4 2 6 15 16.8
5 4 6 10 14.4
6 5 7 5 12
7 9 11 15 14
8 12 13 18 15.2
Disjuntores
superados I3/Imsd IT/Imsd I3/Imsd IT/Imsd
De Para Sem DLCC Sem DLCC Com DLCC Com DLCC
1 2 0.9311 1.1417 0.2614 0.4333
1 3 0.8838 1.3985 0.6476 0.6575
3 4 0.8186 1.2169 0.5276 0.8757
2 5 0.8880 0.9175 0.8701 0.8993
4 6 0.9242 1.1554 0.3341 0.4849
5 7 0.9985 1.204 0.7002 0.8675
6 7 1.1123 1.2192 0.7930 0.8971
6 8 0.9866 1.1044 0.6781 0.786
9 11 0.8117 0.9038 0.6464 0.741
9 10 0.8476 0.9044 0.6984 0.7692
12 13 1.0417 1.1046 0.7474 0.8959
10 17 0.9563 1.0045 0.8295 0.8949
6 28 1.0727 1.9125 0.7491 0.8630
82
2 ANLISE DOS RESULTADOS
3 VALIDAO
Impedncia
DLCC De Para Custo
[ohms]
1 4 6 25 21.6
83
Realizando simulaes exaustivas a fim de validar a metodologia, cujos
resultados esto na Tabela 21.
84
Tabela 21: Resultados dos testes
85
6.2 CONCLUSES
86
REFERNCIAS
87
MONTEIRO, A. M., Um Estudo de Dispositivos Limitadores de Corrente de
Curto-Circuito com nfase no IPC (Interphase Power Controller). 2005.
Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica), Universidade Federal do Rio
de Janeiro, 2005.
RABELO, P. G., OCHI, L. S., 1996. Um Novo Algoritmo Gentico Hbrido para o
Problema do Caixeiro Viajante com Grupamento. Anais do Simpsio Brasileiro
de Redes Neurais, Vol. 1, p. 8390.
SPEARS, W. M., JONG, K. A. D., BCK, T., FOGEL, D.B., DE GARIS, H., 1993.
An Overview ofEvolutionaryComputation, Vol. 667.
88
APNDICE A - DADOS DO SISTEMA
89
40 8 28 0.2000 0.0428 138kV
41 6 28 0.0599 0.0130 138kV
90
ANEXO A- CLCULO DE CURTO CIRCUITO
Z
MTODO DA MATRIZ PARA O CLCULO DE CURTO-CIRCUITO
Z barra
montagem da matriz de impedncias de um sistema eltrico, chamada .
Z barra
A matriz contm as impedncias no ponto de cada n com relao
a um n de referncia escolhido arbitrariamente. A impedncia no ponto de um
Z barra
n a impedncia equivalente entre ele e a referncia. A matriz contm
tambm a impedncia de transferncia entre cada barra do sistema e cada
Z barra
outra barra, com relao ao n de referncia. A matriz pode ser calculada
invertendo-se a matriz que contm todas as admitncias do sistema eltrico, a
Ybarra
matriz .
Ybarra
Clculo da Matriz
91
[][ ][ ]
I 1 Y 11 Y 12 Y 1 i Y 1 n V 1
I 2 Y 21 Y 22 Y 2 i Y 2n V 2
= (A.1)
I i Y i 1 Y i 2
Y ii Y V i
I n Y n 1 Y n 2 Y nn V
Y n
Ou
. (A.2)
Onde
I barra
- vetor das correntes injetadas (a corrente considerada positiva quando
est entrando em uma barra do sistema eltrico e negativa quando est
saindo);
Vbarra
- vetor das tenses nas barras do sistema, tenses nodais medidas em
relao ao n de referncia;
Ybarra
- matriz das admitncias do sistema (os elementos da diagonal principal
correspondem soma de todas as admitncias conectadas quela respectiva
barra ou n. J os elementos fora da diagonal principal correspondem ao
negativo da soma das admitncias conectadas entre as barras ou ns).
Ybarra
A matriz admitncia ( ) pode ser montada atravs de uma simples
Z barra
inspeo do sistema eltrico. Invertendo essa matriz obtm-se a matriz
Z
necessria para o clculo de curto-circuito utilizando o mtodo da matriz .
92
Z
CLCULO CURTO-CIRCUITO FASE TERRA - MTODO DA MATRIZ
Y Y
1 2
de barra para as seqncias positiva, negativa e zero (respectivamente , ,
Y
0
). Ento atravs da inverso dessas matrizes, obtm-se as matrizes
Z Z
1 2
impedncias para cada uma das seqncias, positiva, negativa e zero ( , ,
Z
0
).
V pr falta
I A 1k = I Ak2 =I A 0k = Ak
[ ] [ ][ ]
I total
Ak 1 1 1 I Ak0
I total
Bk
= 1 a 2 a I Ak1 (A.4)
I total
Ck
1 a a2 I Ak2
I total 1
Ak =3 I A k (A.5)
Onde
I A 1k
- Corrente de falta de seqncia positiva na barra k, na fase A;
I A 2k
- Corrente de falta de seqncia negativa na barra k, na fase A;
93
I A 0k
- Corrente de falta de seqncia zero na barra k, na fase A;
I total
Ak - Corrente de falta total na barra k na fase A;
V pr falta
Ak - Fasor tenso na barra k antes da ocorrncia da falta;
Z kk Z
- Elementok-k da matriz .
prefaltaZ 2kk
V
V Ak2 = 1A k 2 (A.7)
Z kk + Z kk+ Z 0kk
prefaltaZ 0kk
0 V A k
V Ak = 1 2 0
Z kk + Z kk+ Z kk (A.8)
[ ] [ ][ ]
V total 1 1 1 V Ak
0
Ak
total 2 1
V Bk = 1 a a V Ak (A.9)
total 2 2
V Ck 1 a a V Ak
V total
Ak =0 (A.10)
Onde
V Ak
2
- Tenso na fase A de seqncia negativa na barra k (durante a
94
V Ak
0
- Tenso na fase A de seqncia zero na barra k (durante a ocorrncia
V prefaltaZ 1nk
V An1 =V Anprefalta Ak (A.11)
Z 1kk + Z 2kk + Z 0kk
prefaltaZ 2nk
2 V An
V An = 1
Z kk + Z 2kk + Z 0kk (A.12)
prefaltaZ 0nk
0 V An
V An = 1 (A.13)
Z kk + Z 2kk + Z 0kk
[ ] [ ][ ]
V total 1 1 1 V An
0
An
V total
Bn
= 1 a2 a V An1 (A.14)
V total
Cn
1 a a 2 V An2
Onde
V total
An - Tenso na fase A total na barra genrica n (durante a ocorrncia da
95
Considerando que a impedncia do elemento srie entre duas barras i-
m :
z l = jXli m
(A.15)
I l A
A corrente na fase A que percorre o elemento entre as barras i e
e V Am e dos parmetros equivalentes do modelo de linha curta.
V Ai V Am
1 1
I l 1Aim =
1
z l (A.16)
2 2
I l 2Aim= V Ai V Am
z l 2 (A.17)
V Ai V Am
0 0
I l 0Aim =
0
z l (A.18)
I l total 1 2 0
Aim = I l Aim + I l Aim + I l Aim (A.19)
96