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INDICE

1. Objetivo...............................................................................................5
2. Equipo y material a emplear................................................................6
3. Fundamento terico............................................................................7
3.1 El transistor de una sola unin (UJT)............................................7
3.2 Curva caracterstica.......................................................................8
3.3 Resistencia de interbases..............................................................9
3.4 Seal de salida de pulso agudo positivo.....................................10
3.5 DATASHEET................................................................................11
4. Procedimiento...................................................................................12
4.1 Empleando el hmetro, efecte las mediciones de las terminales
del dispositivo, segn se indica en la figura 1, reportando sus
mediciones realizadas de prueba del transistor...................................12
4.2 Del circuito mostrado en la figura 2, para una tensin de 10 V y
15 V de la fuente de polarizacin ( VBB ) efecte lo siguiente:...........12
a) Seleccione la posicin de los potencimetros en un valor del 50 %
o menor y energice el circuito...........................................................13
b) Tome las grficas de las formas de onda de los puntos E, B2 y B1,
identificando los parmetros de la tensin pico y tensin valle ( Vp y
Vv )....................................................................................................13
c) Modifique la posicin de los potencimetros a su valor mnimo,
hasta que no exista oscilacin, reporte la lectura del ampermetro..14
d) Para la condicin del punto "a", a una tensin de polarizacin de
15 V, intercambie el capacitor y anote los incrementos de tiempo en
la tabla de valores; para el perfil de la onda de salida en base 1,
indicada en la figura 3.......................................................................14
e) Grafique el periodo de conmutacin del transistor para los
diferentes valores del capacitor.........................................................15
4.3 Resultados...................................................................................17
5. Conclusiones.....................................................................................19
6. Bibliografa........................................................................................20
1. Objetivo.

La finalidad de la prctica es la de entender la forma de operar del transistor


Monounin como dispositivo de relajacin y determinar experimentalmente sus
parmetros.

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2. Equipo y material a emplear.

1 Pza. Fuente de tensin variable de C,D.


1 Pza. Osciloscopio de doble trazo.
1 Pza. Multmetro.
1 Pza. Potencimetro 1 M - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pza. Potencimetro 20 K - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pza. Resistencias 100 , 470 y 1 K a 0.5 W.
1 Pza. Capacitores 0.01 F, 0.05 F, 0.1 F, 0.5 F y 1.0 F a 50 V C.D.
1 Pza. Transistor 2N 2646

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3. Fundamento terico
3.1 El transistor de una sola unin (UJT)

El UJT (transistor de una sola unin) es un dispositivo de tres terminales


cuya construccin bsica se muestra en la figura 11-36(a). El smbolo
esquemtico aparece en la figura 11-36(b). Observe las terminales marcadas
Emisor (E), Base 1 (B1) y Base 2 (B2). No confundir este smbolo con el de un
JFET, la diferencia es que la flecha forma un ngulo en el UJT. ste tiene slo
una unin PN, y por consiguiente, las caractersticas de este dispositivo son
diferentes de aqullas o del BJT o el FET, como se ver.

Circuito equivalente El circuito equivalente del UJT, mostrado en la figura


11-37(a), ayudar a entender la operacin bsica. El diodo mostrado en la
figura representa la unin PN, representa la resistencia dinmica interna de la
barra de silicio entre el emisor y la base 1 y representa la resistencia dinmica
entre el emisor y la base 2. La resistencia total entre las terminales base es la
suma de y se conoce como resistencia entre las bases.

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El valor de vara inversamente a la corriente en el emisor IE, y por
consiguiente, se muestra como un resistor variable. Segn IE, el valor de
puede variar desde varios miles de ohm hacia abajo hasta decenas de ohm.
Las resistencias internas y forman un divisor de voltaje cuando el dispositivo
est polarizado, como muestra la figura 11-37(b). (Floyd)

3.2 Curva caracterstica

La curva caracterstica tensin VS corriente, figura 2.4, muestra el


comportamiento del transistor monounin delimitndose sus tres regiones de
operacin: corte, resistencia negativa y saturacin.

sta es una curva cualitativa para una tensin de polarizacin constante


(figura 2.4); en la regin de corte el diodo de emisor est polarizado
inversamente, circula una corriente de emisor de fuga (IEO) del orden de
nanoampers (nA), equivalente a la corriente inversa de un transistor de unin
de silicio (ICO), menor que cualquier valor de corriente de polarizacin directa.
La regin de corte termina en el punto pico en el que la tensin de emisor es
igual al voltaje pico (VE = VP), punto en el que se establece la circulacin de la
corriente de emisor al valor de la corriente pico (IP); la corriente pico es un
parmetro dado por el fabricante con valores tpicos de 2 a 50 A, cabe
mencionar que los parmetros de corriente pico y voltaje pico son dependientes

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de la temperatura en razn inversa. En la figura 2.4, al aumentar la corriente
de emisor a partir del valor pico, se inicia una disminucin del voltaje de emisor
hasta un valor mnimo llamado voltaje valle (VV), correspondiente a la corriente
valle (IV). El voltaje valle toma valores tpicos entre 1 y 4 V, segn el
dispositivo seleccionado y junto con la corriente valle de 1 a 25 mA sus
valores son dados por el fabricante. La regin de resistencia negativa queda
limitada por el punto pico y punto valle de la curva caracterstica. La regin de
saturacin se localiza en la curva caracterstica a la derecha del punto valle, en
sta se observa en los incrementos de la corriente de emisor se aumenta el
voltaje de emisor, comportndose el dispositivo como un diodo rectificador.

3.3 Resistencia de interbases

Tomando como base las especificaciones de tensin del transistor


monounin, por medio del circuito de la figura 2.6, se calcula la resistencia de
interbases (RBB), ntese que el emisor no tiene conexin y la fuente VBB es
de tensin continua

Como el transistor se encuentra en corte, por divisor de tensin.

En la aplicacin de la fuente de polarizacin de tensin continua, para la


determinacin del valor de la resistencia de interbases (RBB) se efecta en

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estado de corte del transistor, dado que no existe seal alguna en la terminal
de conexin del emisor, por lo consiguiente no circula corriente de emisor.

3.4 Seal de salida de pulso agudo positivo.

Los circuitos con transistor monounin (UJT) operando como oscilador de


relajacin, es utilizado frecuentemente en los circuitos de disparo de tiristores y
para temporizar otros circuitos electrnicos, teniendo como base el circuito de
la figura 2.10, empleando el diagrama equivalente funcional del transistor y
adicionndole la resistencia R1 entre la terminal B1 y referencia, obtenemos la
figura 2.12, se tienen pulsos de salida del emisor y de la base 1. (Amador)

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3.5 DATASHEET

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4. Procedimiento.

4.1 Empleando el hmetro, efecte las mediciones de las terminales


del dispositivo, segn se indica en la figura 1, reportando sus
mediciones realizadas de prueba del transistor.

Con ayuda del multmetro en la opcin ohm se tomaron las lecturas


correspondientes a la figura 1, en la siguiente tabla se anexan las medidas
tomas
POSICION + - - +
E-B1 0 0
E-B2 0 0
B1-B2 5.6 K -5.6 K

4.2 Del circuito mostrado en la figura 2, para una tensin de 10 V y 15 V


de la fuente de polarizacin ( VBB ) efecte lo siguiente:

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a) Seleccione la posicin de los potencimetros en un valor del 50 % o menor y
energice el circuito.

Se realiz el circuito con ayuda de un protoboard verificando las


posiciones del UJT y se regularon los potencimetros a un valor del 50 % en la
siguiente foto se observa el circuito ya terminado

b) Tome las grficas de las formas de onda de los puntos E, B2 y B1,


identificando los parmetros de la tensin pico y tensin valle ( Vp y Vv ).

Con ayuda del osciloscopio se tomaron las formas de onda en los puntos
E, B2 y B1 en las siguientes fotos se muestran las formas de onda formadas
por los puntos.

Vpp 5.92
Rms 6.63
Vmax 8.56
T2 156 ns

EMISOR 9
Vpp 3.08
Rms 3.63
Vmax 5.68
T2 1.85 s

BASE 1

Vpp 5.08
Rms 5.81
Vmax 7.67
T2 200 ns

BASE 2

c) Modifique la posicin de los potencimetros a su valor mnimo, hasta que no


exista oscilacin, reporte la lectura del ampermetro.

Se modificaron los potencimetros a su valor mnimo por lo cual ya no


existi oscilacin solo se poda observar una lnea recta, la corriente que se
genero era muy pequea por lo cual no se pudieron tomar las lecturas
adecuadas.

d) Para la condicin del punto "a", a una tensin de polarizacin de 15 V,


intercambie el capacitor y anote los incrementos de tiempo en la tabla de
valores; para el perfil de la onda de salida en base 1, indicada en la figura 3.

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Se

regulo la fuente a 15 V y se tomaron lecturas de cada capacitor, se pudo


apreciar claramente en la tabla el incremento de tiempo de descarga del
capacitor, en la siguiente tabla se aprecian los valores obtenido y en la Foto a)
se observa el perfil de onda

Ce 0.01 0.05 0.1 0.5 1.0 F


t 0.0025 0.0033 0.0036 0.0052 0.0076 ms

Foto a)

e) Grafique el periodo de conmutacin del transistor para los diferentes valores


del capacitor.

Con ayuda del osciloscopio se pudo observar el periodo de conmutacin


del UJT, a mayor capacitancia del condensador se pudo ver el deslizamiento
que sufri con respecto al tiempo la conmutacin, en la siguiente Foto b) se
aprecia tal deslizamiento

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Foto b)

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4.3 Resultados.

Corrobore tericamente los resultados y formas de onda del circuito (con su


hoja de campo previa).

Se adjunta hoja de campo con resultados obtenidos en la prctica

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5. Bibliografa
Amador, I. D. (s.f.). CURSO DE ELECTRNICA II . En I. D. Amador, CURSO
DE ELECTRNICA II (pgs. 65-81).

Floyd, T. L. (s.f.). Dispositivos Electronico. En T. L. Floyd, Dispositivos


Electronico (pgs. 572-574). PEARSON EDUCACION.

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