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Desenvolvimento de um modelo para IGBTs optimizado

por um mtodo de base experimental

Rui Filipe Marques Chibante

Tese submetida Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

para a obteno do grau de Doutor em Cincias de Engenharia

Tese realizada sob a orientao do Professor Doutor Adriano da Silva Carvalho

do Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores

da Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Porto, Setembro de 2005


Desenvolvimento de um modelo para IGBTs optimizado

por um mtodo de base experimental

Rui Filipe Marques Chibante

Tese realizada sob a superviso do

Professor Doutor Adriano da Silva Carvalho

e do

Professor Doutor Armando Lus Sousa Arajo,

do Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores

da Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto


Vnia

Ao meu rebento

v
Resumo
Nesta tese desenvolvido um modelo para IGBTs, baseado na fsica dos semicondutores e compatvel
com uma implementao em simuladores genricos de circuitos elctricos. O aspecto inovador do modelo
prende-se com o mtodo utilizado para resolver a equao de difuso ambipolar (EDA), que descreve a
distribuio dos portadores na base do dispositivo, e que constitui o ncleo fundamental do modelo. Esta
abordagem, j utilizada em dodos e transstores bipolares (Arajo 1998a), agora estendida a IGBTs.
A utilizao do modelo requer o conhecimento de um conjunto de parmetros que o caracterizam. Dada
a natureza fsica do modelo, a identificao precisa dos parmetros requer a execuo de um conjunto
complexo de medies experimentais, dificilmente realizveis por um projectista de sistemas. Assim, em
complemento ao modelo do IGBT, desenvolvido nesta tese um procedimento para a extraco dos
parmetros, inovador no domnio da electrnica de potncia.
O mecanismo de extraco baseia-se num algoritmo de optimizao Simulated Annealing que, por
comparao entre resultados experimentais e de simulao, encontra um conjunto ptimo de parmetros que
minimiza o erro entre as formas de onda de tenso/corrente. Globalmente, o algoritmo simples de
implementar, tem a propriedade de convergir rapidamente para uma boa soluo mesmo sem uma boa
estimativa inicial e tem a capacidade de escapar a ptimos locais. O procedimento de extraco requer dois
ensaios experimentais, com circuitos de teste de pequena complexidade. Desta forma, consegue-se um
processo de extraco que garante uma elevada preciso dos parmetros obtidos, sem a necessidade de realizar
ensaios morosos e em instalaes experimentais complexas e exigentes.
No que diz respeito ao modelo, este constitudo por uma componente numrica para modelar a zona
da base (zona extensa e fracamente dopada, principal responsvel pelo comportamento dinmico do
dispositivo), atravs da soluo da EDA, e uma componente analtica para modelar as restantes zonas do
dispositivo.
A soluo da EDA realizada atravs de um princpio variacional, cuja estacionaridade do funcional
associado EDA conduz a uma soluo equivalente soluo do problema original. A estacionaridade do
referido funcional foi efectuada atravs de uma formulao pelo mtodo dos elementos finitos (MEF),
reduzindo a equao s derivadas parciais do problema original a um sistema de equaes diferenciais
ordinrias. Esta formulao permite a implementao do modelo num simulador de circuitos elctricos de uso
genrico, atravs da analogia entre o sistema de equaes resultante do MEF e o sistema de equaes associado
a um conjunto de malhas RC e fontes de corrente. Para as restantes zonas do IGBT (emissor, regio de
depleo, canal MOS e as quedas de tenso) so utilizados modelos analticos clssicos.
Esta abordagem hbrida resulta num modelo com um bom compromisso preciso/tempo de clculo, na
medida em que permite descrever com rigor os fenmenos elctricos e fsicos do IGBT atravs da componente
numrica e, simultaneamente, manter tempos de simulao em nveis aceitveis atravs da componente
analtica.
O trabalho realizado validado com a aplicao do modelo estabelecido, com os parmetros
considerados relevantes, a vrios IGBTs. O desempenho global foi avaliado por comparao de resultados
obtidos, quer em ensaios experimentais quer por simulao computacional. A anlise dos erros associados a
parmetros tpicos de comutao (erros mdios entre 5 e 10%) em conjunto com tempos de simulao que
variam entre 10 a 30 segundos, permitem concluir do bom desempenho do modelo no projecto de sistemas de
electrnica de potncia.
Em concluso, o modelo do IGBT em conjunto o processo de extraco desenvolvidos, constituem
uma ferramenta global de modelao, que rene todas as condies para potenciar o uso da simulao no
projecto de conversores com semicondutores bipolares de potncia.

vii
Abstract
In this thesis a physics-based IGBT model implementable within generic electrical circuit simulators is
developed. An innovative approach is used to solve the ambipolar diffusion equation (ADE), that represents
the carrier distribution in IGBT base (n zone) and that is considered the models core. The approach has been
used in diodes and bipolar transistors (Arajo 1998a) and is now extended to IGBT.
The model is composed with a set of parameters that must be identified in order to perform an accurate
behavioral simulation. Due to models physics basis, parameter extraction requires a set of complex electrical
measurements, hardly manageable by an application engineer. So a parameter extraction procedure that
complements IGBTs model is developed. The procedure uses an innovative strategy in what power electronics
is concerned
The extraction method basis is an optimization algorithm Simulated Annealing that finds an
optimum parameter set by minimizing the error between experimental and simulated data. The algorithm is
simple to implement, it converges fast to a good solution even without a good initial guess and it is able to
escape from local optimum solutions. The extraction procedure requires a simple measurement system, with
two basic test circuits, to implement the objective function. With this method is possible to achieve a set of
parameters with high precision without needing to spend time with electrical measurements in complex
laboratory systems.
The IGBT model contains a numerical part that models IGBTs base (thick low doped zone, that rules
the device dynamic behavior), by solving ADE, and an analytical part that models remaining zones of IGBT.
ADE solution is obtained starting from a variational principle, associated with a quadratic functional,
whose minimization is equivalent to the solution of the original problem. The functionals minimization is
performed using a finite element formulation, that transforms the partial differential equation of original
problem into a system of ordinary differential equations. This approach enables a simple implementation in
standard simulators like those of the SPICE family, resulting from the analogy between the system
corresponding to the finite element formulation and the system associated with an electric circuit consisting of
resistors, capacitors and current sources. Remaining zones of semiconductor (emitter, space-charge, MOS and
voltage drops) are modeled with classical analytical models.
This hybrid approach results in a model with a good trade-off between precision and simulation time. It
allows at describing IGBTs electrical and physical phenomena using the numerical module, keeping low the
simulation time using the analytical module.
The thesis concludes applying IGBT model and parameter extraction procedure with different
commercial IGBTs. Global performance was evaluated comparing experimental and simulated data. It was
found that mean relative error of some switching parameters ranges between 5 to 10% and simulation time
between 10 to 30 seconds. These results allow at concluding that the model constitutes a good simulation tool
appropriated to design of power electronics systems.
The IGBT model together with parameter extraction procedure constitutes a global modeling tool that
potentiates the use of computational simulation for power circuit design with bipolar power semiconductors.

ix
Rsum

Dans ce mmoire on a dvelopp un modle pour IGBTs, bas sur la physique des semiconducteurs et
compatible avec une mise en ouvre sur les logiciels de simulation gnriques. Laspect innovateur du modle
lien la mthode utilise pour la rsolution de lquation de diffusion ambipolaire (EDA) qui dcrit la
distribution des porteurs dans la base du dispositif (zone n) et qui constitue le noyau fondamental du modle.
Cette approche, utilis dj en diodes e transistors bipolaires (Arajo 1998a), est prolong aux IGBTs.
Lutilisation du modle ncessite le lidentification dune ensemble de paramtres que le caractrise.
Depuis la nature physique du modle, lidentification prcise des paramtres exige lexcution dun ensemble
complexe de mesures exprimentaux, difficilement ralisable par un concepteur de systmes. Ainsi, en
complment au modle de lIGBT, il est dvelopp un procd pour lextraction des paramtres, innovateur
dans le domaine de llectronique de puissance.
Le mcanisme dextraction se base sur un algorithme doptimisation Simulated Annealing qui, pour
comparaison entre les rsultats exprimentaux et de simulation trouve un ensemble optimal de paramtres qui
minimise lerreur entre les formes donde de tension/courant. Globalement, lalgorithme est simple mettre en
ouvre, il converge dans le sens dune bonne solution mme en labsence dune bonne estimation initiale et il a
facult dchapper aux optimums locaux. Dautre part, le procd dextraction ncessite deux essais
exprimentaux, avec des circuits de teste de rduit complexit. De cette faon, il est possible davoir une
mthode dextraction que garante une bonne prcision des paramtres obtenu, sens l ncessite de mise en
ouvre essais prcises et en installations exprimentaux complexes et exigeantes.
En si que concerne le modle, il est constitu dun composant numrique pour modeler la zone de la
base, zone tendue et faiblement dope, principale responsable du comportement dynamique du dispositif, et
dun composant analytique pour modeler les autres zones du dispositif.
La solution de la EDA est ralise laide dun principe variationel dont la stationnarit du fonctionnel
associ EDA conduit une rsolution quivalente la solution du problme originel. La stationnarit du
fonctionnel en question a t excute partir dune formulation par la mthode des lments finis (MEF), en
rduisant lquation aux drivs partiels du problme originel un systme dquations diffrentielles ordinaires.
Cette formulation permet la mise en ouvre du modle sur les logiciels de simulation gnriques au travers de
lanalogie entre le systme dquations rsultant du MEF et le systme dquations associ un maille RC et de
sources de courant. Pour les zones restantes de lIGBT, metteur, rgion de dpltion, canal MOS et les chutes
de tension, des modles analytiques sont utiliss.
Cet abordage hybride mne un modle avec un compromis prcision/temps de calcul assez
intressant, dans la mesure o il permet de dcrire avec rigueur les phnomnes lectriques et physique de
lIGBT au travers de la composante numrique et de maintenir simultanment des temps de simulation des
niveaux acceptables au travers de la composante analytique.
Le travail conclue avec lapplication du modle de lIGBT et de la procdure dextraction plusieurs
IGBTs. Laccomplissement du modle a t valu par comparaison entre des essais exprimentaux et les
rsultats respectifs de simulation. Lanalyse des erreurs associes des paramtres typiques de commutation (les
erreurs moyennes relatives se situent dans une marge de 5 10%) associes aux temps de simulation qui varient
de 10 30 secondes, permettent de conclure de ladquation du modle pour le projet de systmes
dlectronique de puissance.
Lautour l conviction que la modle de lIGBT en conjoint avec le procdure dextraction, constitue
une outil global de modlisation qui runit toutes les conditions pour potentialiser lutilisation de la simulation
dans le projet de convertisseurs avec de semiconducteurs bipolaires de puissance.

xi
Agradecimentos

Concluda esta tese, de toda a justia fazer referncia a um conjunto de pessoas que se revelaram
fundamentais durante este perodo. Em particular, agradeo ao meu orientador, o Professor Doutor
Adriano da Silva Carvalho, a oportunidade concedida e a confiana em mim depositada para a realizao
deste trabalho.

Ao Professor Doutor Armando Arajo agradeo pela disponibilidade demonstrada e pelas


proveitosas discusses que permitiram ultrapassar com sucesso as dificuldades encontradas.

Agradeo tambm ao Sr. Alfred Porst da Siemens, pela documentao fornecida.

A todos meus colegas de laboratrio agradeo o excelente ambiente de trabalho proporcionado, a


camaradagem, os ptimos momentos de convvio e, fundamentalmente, a amizade demonstrada. Em
particular, agradeo ao Joaquim Alves, ao Paulo Costa e ao Z Paulo, amigos e colegas da vida acadmica
de longa data.

minha esposa Vnia, uma palavra muito especial pelo companheirismo, compreenso e tempo
dispensado para a concretizao deste trabalho.

Finalmente, quero agradecer s entidades que suportaram financeiramente a realizao deste


trabalho, nomeadamente o Instituto Superior de Engenharia do Porto, o Ministrio da Educao, atravs
do programa PRODEP III (Programa de Desenvolvimento Educativo para Portugal) e o plo do Porto
do Instituto de Sistemas e Robtica.

xiii
ndice resumido

Resumo vii 3.2.6 Modelo da buffer layer 88


Abstract ix 3.3 Implementao do modelo no simulador IsSpice 90
3.3.1 Introduo 90
Rsum xi
3.3.2 Circuito da zona de armazenamento 92
Agradecimentos xiii
3.3.3 Circuito das condies fronteira 93
ndice resumido xv 3.3.4 Circuito de clculo das fronteiras da zona n 94
ndice completo xvii 3.3.5 Circuito do canal MOS 95
Lista de Figuras xxi 3.3.6 Circuito das quedas de tenso 97
3.3.7 Circuito final 98
Lista de Tabelas xxv
3.4 Concluses 99
Lista de Smbolos xxvii
Lista de Acrnimos xxix 4 Extraco de parmetros 101
4.1 Introduo 102
1 Introduo 31 4.2 Mtodos de extraco clssicos 106
1.1 Motivaes 32 4.2.1 Extraco de A, Agd, NB e WB 106
1.2 Objectivos e contribuies originais 33 4.2.2 Extraco de Cgs e Coxd 108
1.3 Organizao do trabalho 34 4.2.3 Extraco de Kf, Kp, Vth e 109
4.2.4 Extraco de , hp, Vbi e VTd 111
2 Anlise da modelao de IGBTs 37
4.3 Extraco por optimizao de parmetros 111
2.1 Introduo 38 4.3.1 Procedimento de optimizao 111
2.2 Classificao dos modelos 39 4.3.2 O algoritmo Simulated Annealing 122
2.2.1 Modelos empricos 39 4.3.3 Implementao do procedimento 130
2.2.2 Modelos analticos 41 4.4 Resultados 133
2.2.3 Modelos numricos 51 4.4.1 Resultados do IGBT A 134
2.2.4 Modelos hbridos 52 4.4.2 Resultados do IGBT B 138
2.3 Anlise qualitativa dos modelos 62 4.4.3 Resultados do IGBT C 142
2.3.1 Modelos empricos 62 4.5 Concluses 147
2.3.2 Modelos analticos 63
2.3.3 Modelos numricos 64 5 Validao do modelo 149
2.3.4 Modelos hbridos 64 5.1 Validao preliminar 150
2.4 Concluses 65 5.1.1 Comparao com dados de Hefner 150
5.1.2 Comparao com os dados da Siemens 152
3 Modelao de IGBTs baseada no MEF 67
5.2 Validao final 155
3.1 Descrio do IGBT 68 5.2.1 Resultados do IGBT A 155
3.1.1 Histria 68 5.2.2 Resultados do IGBT B 158
3.1.2 Simbologia 69 5.2.3 Resultados do IGBT C 161
3.1.3 Estrutura fsica e circuito equivalente 69 5.3 Concluses 163
3.1.4 Princpio de funcionamento 72
3.2 Modelo do IGBT 73 6 Concluses e trabalho futuro 165
3.2.1 Zona de armazenamento de portadores - 6.1 Concluses 166
resoluo da EDA 74
6.2 Trabalho futuro 167
3.2.2 Modelo para o clculo das fronteiras 79
Referncias 169
3.2.3 Modelo para as zonas emissoras 80
3.2.4 Modelo para o canal MOS 82
3.2.5 Modelo para as quedas de tenso 85

xv
ndice completo

Resumo vii

Abstract ix

Rsum xi

Agradecimentos xiii

ndice resumido xv

ndice completo xvii

Lista de Figuras xxi

Lista de Tabelas xxv

Lista de Smbolos xxvii

Lista de Acrnimos xxix

1 Introduo 31
1.1 Motivaes 32
1.2 Objectivos e contribuies originais 33
1.3 Organizao do trabalho 34

2 Anlise da modelao de IGBTs 37


2.1 Introduo 38
2.2 Classificao dos modelos 39
2.2.1 Modelos empricos 39
2.2.2 Modelos analticos 41
2.2.2.1 Modelos analticos de carga distribuda 43
2.2.2.2 Modelos analticos de transformao 45
2.2.2.2.1 Modelos analticos com Transformadas de Laplace 45
2.2.2.2.2 Modelos analticos com Transformada de Fourier 46
2.2.2.3 Modelos lumped-charge 49
2.2.3 Modelos numricos 51
2.2.4 Modelos hbridos 52
2.2.4.1 Modelos hbridos com diferenas finitas 52
2.2.4.1.1 Teoria 52
2.2.4.1.2 Modelao 54
2.2.4.2 Modelos hbridos com elementos finitos 56
2.2.4.2.1 O mtodo de Galerkin (formulao fraca) aplicado EDA 59
2.2.4.2.2 O mtodo Rayleigh-Ritz (funcional) aplicado EDA 60
2.3 Anlise qualitativa dos modelos 62
2.3.1 Modelos empricos 62
2.3.2 Modelos analticos 63
2.3.3 Modelos numricos 64
2.3.4 Modelos hbridos 64

xvii
2.4 Concluses 65

3 Modelao de IGBTs baseada no MEF 67


3.1 Descrio do IGBT 68
3.1.1 Histria 68
3.1.2 Simbologia 69
3.1.3 Estrutura fsica e circuito equivalente 69
3.1.4 Princpio de funcionamento 72
3.2 Modelo do IGBT 73
3.2.1 Zona de armazenamento de portadores - resoluo da EDA 74
3.2.1.1 Modelo para a equao de difuso ambipolar (EDA) 74
3.2.1.2 Aproximao por elementos finitos 76
3.2.2 Modelo para o clculo das fronteiras 79
3.2.3 Modelo para as zonas emissoras 80
3.2.3.1 Emissores clssicos fortemente dopados 81
3.2.3.2 Emissores transparentes 81
3.2.4 Modelo para o canal MOS 82
3.2.4.1 Regime permanente 82
3.2.4.2 Regime dinmico 83
3.2.5 Modelo para as quedas de tenso 85
3.2.5.1 Queda na juno emissor-base 86
3.2.5.2 Queda na regio de armazenamento 86
3.2.5.3 Queda na regio de depleo 88
3.2.6 Modelo da buffer layer 88
3.3 Implementao do modelo no simulador IsSpice 90
3.3.1 Introduo 90
3.3.1.1 Implementao das equaes 91
3.3.1.2 Convergncia 91
3.3.2 Circuito da zona de armazenamento 92
3.3.3 Circuito das condies fronteira 93
3.3.4 Circuito de clculo das fronteiras da zona n 94
3.3.5 Circuito do canal MOS 95
3.3.6 Circuito das quedas de tenso 97
3.3.7 Circuito final 98
3.4 Concluses 99

4 Extraco de parmetros 101


4.1 Introduo 102
4.2 Mtodos de extraco clssicos 106
4.2.1 Extraco de A, Agd, NB e WB 106
4.2.2 Extraco de Cgs e Coxd 108
4.2.3 Extraco de Kf, Kp, Vth e 109
4.2.4 Extraco de , hp, Vbi e VTd 111
4.3 Extraco por optimizao de parmetros 111
4.3.1 Procedimento de optimizao 111
4.3.1.1 Algoritmos de optimizao 112
4.3.1.1.1 Recozimento Simulado (Simulated Annealing) 115
4.3.1.1.2 Pesquisa Tabu 115
4.3.1.1.3 Algoritmos Genticos 116

xviii
4.3.1.1.4 Algoritmo adoptado 117
4.3.1.2 Parmetros a extrair 117
4.3.1.3 Avaliao do erro 120
4.3.2 O algoritmo Simulated Annealing 122
4.3.2.1 Populao inicial 125
4.3.2.2 Mecanismo de perturbao dos parmetros 125
4.3.2.3 Funo objectivo 126
4.3.2.4 Mecanismo de arrefecimento 128
4.3.2.5 Critrio de paragem 130
4.3.3 Implementao do procedimento 130
4.4 Resultados 133
4.4.1 Resultados do IGBT A 134
4.4.1.1 Optimizao DC do IGBT A 134
4.4.1.2 Optimizao transitria do IGBT A 136
4.4.2 Resultados do IGBT B 138
4.4.2.1 Optimizao DC do IGBT B 138
4.4.2.2 Optimizao transitria do IGBT B 140
4.4.3 Resultados do IGBT C 142
4.4.3.1 Optimizao DC do IGBT C 143
4.4.3.2 Optimizao transitria do IGBT C 144
4.5 Concluses 147

5 Validao do modelo 149


5.1 Validao preliminar 150
5.1.1 Comparao com dados de Hefner 150
5.1.2 Comparao com os dados da Siemens 152
5.2 Validao final 155
5.2.1 Resultados do IGBT A 155
5.2.2 Resultados do IGBT B 158
5.2.3 Resultados do IGBT C 161
5.3 Concluses 163

6 Concluses e trabalho futuro 165


6.1 Concluses 166
6.2 Trabalho futuro 167

Referncias 169

xix
Lista de Figuras

Figura 2.1 Estrutura clssica de um modelo de IGBT simplificado. 40


Figura 2.2 Subcircuito equivalente equao de controlo de carga. 41
Figura 2.3 Distribuio da concentrao de portadores em 25 m (total de 300 m) do IGBT (Palmer
2003). 42
Figura 2.4 Distribuio 2D da concentrao de portadores em conduo directa (Sheng 1999b). 42
Figura 2.5 Circuito equivalente do modelo de Hefner para NPT-IGBTs (Hefner 1994a). 44
Figura 2.6 Subcircuito do IGBT do modelo (Strollo 1997b). 46
Figura 2.7 Linhas RC equivalentes EDA do modelo de Fourier. 47
Figura 2.8 Modelo do IGBT implementado no Simulink (Palmer 2002). 48
Figura 2.9 Distribuio dos portadores: (a) modelo de Fourier (b) ATLAS (Palmer 2003). 49
Figura 2.10 Ilustrao do erro no clculo de Vce no modelo de Fourier: (a) e (b) com diferentes pontos
de amostragem (Kang 2003a). 49
Figura 2.11 Distribuio dos ns num modelo lumped-charge. 50
Figura 2.12 Ns e elementos finitos num domnio discretizado. 56
Figura 2.13 Funes de base lineares (simplex). 57
Figura 2.14 Circuito elctrico equivalente da EDA pelo MEF. 61
Figura 3.1 Panorama do domnio de aplicao de vrios semicondutores de potncia (Powerex 2005). 69
Figura 3.2 Smbolos do IGBT. 69
Figura 3.3 Estrutura fsica de metade da clula de um NPT-IGBT e respectivo circuito equivalente. 70
Figura 3.4 Circuito equivalente simplificado do IGBT. 70
Figura 3.5 Estruturas NPT e PT do IGBT. 71
Figura 3.6 Circulao de portadores num IGBT (Semikron 2004). 72
Figura 3.7 Circuito elctrico equivalente do NPT-IGBT. 73
Figura 3.8 Parte bipolar do NPT-IGBT. 75
Figura 3.9 Circuito elctrico equivalente de um elemento finito. 78
Figura 3.10 Circuito elctrico equivalente da EDA pelo MEF. 78
Figura 3.11 Distribuio dos portadores na fase de desenvolvimento da regio de depleo do IGBT. 79
Figura 3.12 Fluxo de portadores numa juno p+/n. 80
Figura 3.13 Componente MOS do IGBT (notaes MOS). 83
Figura 3.14 Localizao e formao das capacidades MOS em funo das tenses. 84
Figura 3.15 Ilustrao das quedas de tenso do IGBT. 85
Figura 3.16 Aproximao de p(x) no clculo da queda de tenso V. 87
Figura 3.17 Diagrama da parte bipolar do PT-IGBT. 88
Figura 3.18 Circuito elctrico equivalente de um elemento finito. 92
Figura 3.19 Subcircuito que implementa uma malha RC (um elemento finito). 92

xxi
Figura 3.20 Circuito que implementa a EDA com 9 elementos. 93
Figura 3.21 Subcircuito que implementa as condies fronteira. 94
Figura 3.22 Subcircuito que implementa o clculo das fronteiras da zona n. 95
Figura 3.23 Subcircuito que implementa a corrente no canal MOS. 96
Figura 3.24 Subcircuito que implementa as capacidades MOS. 96
Figura 3.25 Implementao da quedas de tenso ao longo do IGBT. 97
Figura 3.26 Modelo global do NPT-IGBT. 98
Figura 4.1 Distribuio das capacidades MOS (Vgs = 0 e Vds elevado). 107
Figura 4.2 Curva tpica de carga da porta (BUP203). 109
Figura 4.3 Curva caracterstica de sada tpica de um IGBT. 110
Figura 4.4 Determinao do ganho de corrente bipolar . 111
Figura 4.5 Diagrama ilustrando o procedimento de extraco. 112
Figura 4.6 Componentes DC e transitria do procedimento de extraco. 119
Figura 4.7 Curva caracterstica de sada tpica de um IGBT. 120
Figura 4.8 Curvas de comutao tpicas de um IGBT em a) entrada e b) sada de conduo. 120
Figura 4.9 Ilustrao de problemas no sincronismo das formas de onda. 122
Figura 4.10 Ilustrao de um sincronismo por VGE. 122
Figura 4.11 Algoritmo Simulated Annealing. 124
Figura 4.12 Fluxograma e pseudocdigo do algoritmo simulated annealing. 131
Figura 4.13 Interface grfica em MATLAB para a extraco dos parmetros. 132
Figura 4.14 Integrao entre o ambiente de optimizao e o simulador. 132
Figura 4.15 Circuito de teste com carga resisitiva. 134
Figura 4.16 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT A. 135
Figura 4.17 Evoluo dos parmetros hp (10-14 cm4/s) e A (cm2) na optimizao DC do IGBT A. 135
Figura 4.18 Optimizao DC do IGBT A Caracterstica de sada simulada e experimental. 136
Figura 4.19 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT A. 137
Figura 4.20 Evoluo dos parmetros WB e Coxd na optimizao transitria do IGBT A. 137
Figura 4.21 Optimizao transitria do IGBT A VCE simulado e experimental no turn-off. 138
Figura 4.22 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT B. 139
Figura 4.23 Optimizao DC do IGBT B Caracterstica de sada simulada e experimental. 140
Figura 4.24 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT B. 141
Figura 4.25 Evoluo dos parmetros Cgs e Coxd na optimizao transitria do IGBT B. 141
Figura 4.26 Optimizao transitria do IGBT B VCE e IC simulados e experimentais no turn-off. 142
Figura 4.27 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT C. 143
Figura 4.28 Evoluo dos parmetros Kp e Kf na optimizao DC do IGBT C. 144
Figura 4.29 Optimizao DC do IGBT C Caracterstica de sada simulada e experimental. 144
Figura 4.30 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT C. 146
Figura 4.31 Evoluo dos parmetros e Coxd e Vtd na optimizao transitria do IGBT C. 146

xxii
Figura 4.32 Optimizao transitria do IGBT C VCE e IC simulados e experimentais no turn-off. 147
Figura 4.33 Relao entre NB e WB para vrias realizaes do algoritmo. 148
Figura 5.1 Circuito de teste com carga resisitiva. 150
Figura 5.2 Curva caracterstica de sada experimental (esquerda) e simulada (simulada) do IGBT 1. 150
Figura 5.3 Tenso porta-emissor experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de
porta. 151
Figura 5.4 Tenso colector-emissor experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de
porta. 151
Figura 5.5 Corrente de colector experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de
porta. 151
Figura 5.6 Caracterstica de sada do fabricante (esquerda) e simulada (direita) do IGBT 2. 153
Figura 5.7 VGE (1), IC (2) e VCE (3) experimentais e simulados na entrada em conduo (IGBT 2). 154
Figura 5.8 VGE (1), IC (2) e VCE (3) experimentais e simulados na sada de conduo (IGBT 2). 154
Figura 5.9 Transitrios de abertura (a) e de fecho (b) experimentais e simulados (carregado) (IGBT A).
157
Figura 5.10 Distribuio 3D da concentrao de portadores no turn-off (RG = 7.92 k). 158
Figura 5.11 Distribuio 2D da concentrao de portadores no turn-off (RG = 7.92 k). 158
Figura 5.12 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados: RG = 100 (IGBT B). 159
Figura 5.13 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados: RG = 100 (IGBT B). 159
Figura 5.14 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados: RG = 300 (IGBT B). 160
Figura 5.15 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados: RG = 300 (IGBT B). 160
Figura 5.16 Perdas de potncia instantneas experimentais (a carregado) e simuladas no turn-off para RG
= 100 (esquerda) e RG = 300 (direita) (IGBT B). 161
Figura 5.17 Detalhe da tenso colector-emissor na entrada (esquerda) e sada (direita) de conduo
(IGBT B). 161
Figura 5.18 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados (IGBT C). 162
Figura 5.19 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados (IGBT C). 162

xxiii
Lista de Tabelas

Tabela 2.1 Resumo da classificao de modelos 39


Tabela 2.2 Caractersticas de alguns esquemas de MDF. 54
Tabela 2.3 Cenrios para o clculo do passo de tempo mximo. 56
Tabela 4.1 Parmetros do modelo NPT-IGBT. 102
Tabela 4.2 Distribuio dos parmetros pelas duas fases do procedimento de extraco. 119
Tabela 4.3 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT A. 134
Tabela 4.4 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT A. 136
Tabela 4.5 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT A. 137
Tabela 4.6 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT B. 138
Tabela 4.7 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT B. 139
Tabela 4.8 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT B. 141
Tabela 4.9 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT C. 142
Tabela 4.10 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT C. 144
Tabela 4.11 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT C. 145
Tabela 5.1 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT A). 156
Tabela 5.2 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT B). 160
Tabela 5.3 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT C). 163

xxv
Lista de Smbolos

Smbolo Descrio Unidade Valor


A rea total cm
Ads rea dreno-fonte cm
Agd rea porta-dreno cm
Vbr Tenso de ruptura V
BVf Coeficiente de multiplicao da tenso de ruptura
BVn Coeficiente de avalanche
Cds Capacidade dreno-fonte F
Cgd Capacidade porta-dreno F
Cgdj Capacidade de depleo porta-dreno F
Cgs Capacidade porta-fonte F
Coxd Capacidade de depleo xido porta-dreno F
D Constante de difuso ambipolar cm2/s 18
Dn Constante de difuso de electres cm2/s 39
Dp Constante de difuso de lacunas cm2/s 11.7
E Campo elctrico V
h, hp Parmetros de recombinao cm4/s
IC Corrente de colector A
In, Ip Corrente de electres e lacunas A
Imos Corrente do canal MOS A
Isne Corrente de saturao de electres no emissor A
Jn, Jp Densidade de corrente de electres e lacunas A/cm2
k Constante de Boltzmann J/K 1.3810-23
Kf Factor de transcondutncia da regio de trodo MOS
Kp Transcondutncia da regio de saturao MOS A/V
L Indutncia parasita H
M Factor de multiplicao por avalanche
n Concentrao de electres cm-
NB Concentrao na base (nvel de dopagem) cm-
ND, NA Concentrao de dadores e receptores cm-
ni Concentrao intrnseca cm- 1.451010
NH Nvel de dopagem na buffer layer cm-

xxvii
Smbolo Descrio Unidade Valor
p Concentrao de lacunas cm-
q Carga electrnica C 1.610-19
Vbi Potencial interno da juno V
VCE Tenso colector-emissor V
Vds Tenso dreno-fonte V
Vgd Tenso porta-dreno V
VGE Tenso porta-emissor V
Vgs Tenso porta-fonte V
Vnsat Velocidade de saturao de electres cm/s 1.11010
Vpsat Velocidade de saturao de lacunas cm/s 0.951010
VT (kT/q) Unidade termodinmica V 2610-3
VTd Tenso de depleo porta-dreno V
Vth Tenso limiar de conduo V
WB Largura metalrgica da base cm
WH Largura metalrgica da buffer layer cm
x l, xr Posies da fronteira da zona n cm
Ganho de corrente bipolar
si Permitividade do silcio F/cm 1.0510-12
n Mobilidade de electres cm2/(Vs) 1500
p Mobilidade de lacunas cm2/(Vs) 450
Factor de reduo da transcondutncia V-
Tempo mdio de vida dos portadores (zona n) s
H Tempo mdio de vida dos portadores (buffer layer) s

xxviii
Lista de Acrnimos

ABM Analog Behavioral Modeling

BJT Bipolar Junction Transstor

CAD Computer Aided Design

CSTBT Carrier Stored Trench Bipolar Transistor

EDA Equao de Difuso Ambipolar

GTO Gate Turn Off Thyristor

MDF Mtodo das Diferenas Finitas

IGBT Insulated Gate Bipolar Transstor

IGCT Integrated Gate Commutated Thyristor

MCT MOS Controlled Thyristor

MEF Mtodo dos Elementos Finitos

MOS Metal-Oxide Semiconductor

MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor

NPT Non-Punch-Through

NQS Non-Quasi-Static

PT Punch-Through

SA Simulated Annealing

SCR Silicon Controlled Rectifier

VDMOS Vertically Diffused MOS

xxix
1 1 Introduo

Neste Captulo introdutrio feito um enquadramento do problema em anlise. Nesse sentido


apresentam-se as motivaes que impulsionaram o trabalho, os objectivos propostos, as contribuies
originais desta tese e a respectiva organizao.

31
1.1 Motivaes
Recentemente tem-se verificado um esforo considervel no desenvolvimento de modelos de
semicondutores de potncia. De facto, quer do lado acadmico, quer do lado das indstrias de produtos
de simulao, reconhecida a necessidade de aumentar os requisitos das metodologias CAD para o
projecto de semicondutores de potncia, bem como melhorar os modelos dos dispositivos de potncia
para a simulao de circuitos. Tambm a crescente competio internacional leva a que a inovao e o
lanamento de novos produtos tenham prazos cada vez mais rgidos. Se associarmos a isto a tendncia de
sistemas de potncia cada vez menores, mais leves e, fundamentalmente, mais baratos, ser fcil concordar
que as metodologias CAD assumem, por isso, um papel fundamental na previso, precisa, da
funcionalidade e fiabilidade de cada projecto de circuitos de potncia.

Para isso, torna-se indispensvel o desenvolvimento de modelos de semicondutores de potncia,


que reproduzam fielmente as caractersticas estticas e dinmicas dos dispositivos. Dessa forma ser
possvel compreender melhor uma dada topologia, optimiz-la por simulao, analisar condies crticas
de funcionamento, estudar a associao em srie ou paralelo e simular topologias desconhecidas sem os
riscos e os custos inerentes a uma abordagem experimental.

A simulao recorrendo a modelos fsicos precisos torna-se assim relevante no projecto de


circuitos, inclusive para os prprios fabricantes de semicondutores de potncia, uma vez que, cada vez
mais, as folhas de caractersticas dos dispositivos so elaboradas com recurso a resultados obtidos por
simulao, e no experimentalmente.

Por outro lado, medida que aumentam os requisitos das aplicaes, tais como a frequncia de
comutao e a capacidade de suportar tenses e correntes cada vez mais elevadas, mais importantes se
tornam questes como as perdas de potncia, as quedas de tenso, os efeitos da temperatura, a influncia
da estrutura interna do dispositivo ou mesmo a compatibilidade electromagntica.

A estimao das perdas de potncia uma das principais razes para o uso da simulao, ao nvel
do dispositivo e do circuito, no projecto de sistemas de electrnica de potncia. Estas perdas, que advm
na sua maioria das perdas dos dispositivos, so fundamentais para se conseguir frequncias de trabalho
cada vez mais elevadas (Bonnet 2003). A optimizao destas perdas no trivial porque existe um
compromisso entre as perdas de conduo e as perdas de comutao.

Acresce ainda a necessidade de ter em conta os efeitos causados pelas indutncias parasitas
presentes no circuito, dado que estas podem condicionar fortemente o comportamento dinmico do
circuito quando se trabalha com frequncias de comutao elevadas.

O uso da simulao permite a realizao de uma anlise detalhada, relativamente interaco de


todos estes factores, sem recorrer a prottipos. De facto, a prototipagem um processo que implica um
investimento temporal e financeiro no desprezvel, bastante menos verstil, para alm do risco inerente

32
a uma instalao fsica. A simulao torna-se indispensvel para minimizar todos estes factores, e o uso de
modelos fsicos fundamental, no sentido de garantir que as simulaes sejam vlidas numa gama alargada
de condies de funcionamento.

O desafio que se coloca no desenvolvimento destes modelos resulta do facto de que os requisitos
bsicos serem, na sua maioria, opostos, como a preciso, o tempo de simulao, a convergncia, a gama de
validade ou acesso simplificado a parmetros fsicos. Acresce a isto o facto de os requisitos relativos aos
fenmenos fsicos a modelar nos dispositivos de potncia serem cada vez superiores. Kraus et al. (Kraus
1998b) fazem referncia a estes efeitos e sua importncia para os diferentes dispositivos de potncia,
sendo a modelao da distribuio dos portadores, na zona de suporte da tenso de bloqueio, considerada
como o maior desafio que se coloca na construo de um modelo. Este um dos fenmenos especficos
dos dispositivos de potncia, que domina o comportamento esttico e dinmico do semicondutor, e cujos
modelos tradicionais, associados aos simuladores comerciais, no levam em considerao.

O estudo de todas estas questes atravs da simulao implica necessariamente modelos de elevada
qualidade com capacidade de descrever com rigor os vrios fenmenos em causa. As dificuldades referidas
tm resultado na implementao de modelos de semicondutores em simuladores potentes mas tambm
caros, sendo o SABER um dos melhores exemplos. No entanto, o uso generalizado da simulao em
electrnica de potncia s ser possvel se forem disponibilizados comunidade industrial modelos fsicos
precisos, passveis de serem usados em simuladores genricos de baixo custo, como os da famlia SPICE
(Kraus 1998a; Palmer 1998).

Nos ltimos anos tem-se assistido a alguns progressos, tendo sido publicados alguns modelos com
compromissos razoveis entre preciso e tempo de computao (Leturcq 1997; Busatto 2000; Palmer
2001; Kang 2002a; Iannuzzo 2004). Neste contexto, o trabalho desenvolvido nesta tese pretende
contribuir para o avano no estado da arte deste domnio, em particular na modelao de IGBTs.

1.2 Objectivos e contribuies originais


O primeiro objectivo deste trabalho consistiu no desenvolvimento de um modelo fsico para
IGBTs, com a capacidade de modelar eficazmente os principais fenmenos associados ao comportamento
esttico e dinmico do dispositivo, e passvel de ser implementado em simuladores genricos de circuitos
elctricos, como os da famlia SPICE.

O segundo objectivo, como complemento do modelo obtido, centrou-se no desenvolvimento de


um procedimento de extraco de parmetros caractersticos do dispositivo. Geralmente, os processos de
extraco clssicos mais precisos requerem uma estrutura experimental elaborada, com um conjunto de
instrumentao implementada numa rede de comunicao, cujos dados obtidos so posteriormente
utilizados em rotinas de ajuste e tratamento matemtico. O procedimento desenvolvido permite uma
extraco eficaz e precisa dos parmetros, sem implicar ensaios exaustivos ou uma instalao experimental
complexa.

33
Os dois objectivos foram atingidos com sucesso, pelo que as principais contribuies originais
deste trabalho so:

O desenvolvimento de um modelo do IGBT com um bom compromisso entre preciso e tempo de


simulao. O ncleo fundamental do modelo reside na soluo da distribuio dos portadores na base do
dispositivo (zona n), a qual obtida pela resoluo da equao de difuso ambipolar (EDA) atravs uma
abordagem variacional com posterior minimizao pelo Mtodo dos Elementos Finitos. Esta metodologia
permite a implementao do respectivo sistema de equaes num simulador genrico de circuitos
elctricos, tendo j sido desenvolvidos modelos para o dodo e para o transstor bipolar de juno (Arajo
1997; Arajo 1998a; Arajo 1998b; Arajo 1998c).

O bom desempenho do modelo conseguido devido abordagem hbrida utilizada, que consiste
numa componente numrica para modelar a zona da base (zona extensa e fracamente dopada, principal
responsvel pelo comportamento dinmico do dispositivo) e uma componente analtica para as restantes
zonas do dispositivo, permitindo descrever com rigor os fenmenos elctricos e fsicos do IGBT.

O desenvolvimento de um procedimento de extraco de parmetros baseado em optimizao. O


procedimento baseia-se num algoritmo de optimizao (Simulated Annealing) que, por comparao de
resultados experimentais e de simulao, encontra um conjunto ptimo de parmetros que minimiza uma
dada funo objectivo. Em cada iterao, o algoritmo analisa uma soluo vizinha da soluo actual,
aceitando-a se for melhor. Caso contrrio, a soluo pode ainda ser aceite com uma dada probabilidade,
permitindo assim escapar a ptimos locais.

O mtodo simples de implementar, converge para o mnimo mesmo sem uma boa estimativa
inicial e requer apenas dois ensaios experimentais para implementar a funo objectivo: um em regime
permanente e outro em regime transitrio, ambos com carga resistiva. Consegue-se assim um mecanismo
de extraco pouco exigente em termos experimentais, de fcil implementao computacional e eficaz na
qualidade dos resultados obtidos.

A conciliao desta duas componentes, modelo e processo de extraco, constituem um ncleo


capaz de dar resposta s necessidades de um eficaz projecto de sistemas de electrnica de potncia atravs
das metodologias de CAD.

1.3 Organizao do trabalho


Esta memria est dividida em seis Captulos. No seguimento deste primeiro Captulo, apresenta-se
o estado da arte no que diz respeito modelao de semicondutores bipolares de potncia, com particular
ateno para os IGBTs.

No terceiro Captulo apresenta-se o modelo desenvolvido para o IGBT. As vrias zonas


constituintes do semicondutor e os respectivos fundamentos tericos so expostos. Em particular,
descrita a abordagem utilizada para obter a soluo da equao de difuso ambipolar, que descreve, em

34
grande medida, o comportamento dinmico na zona fracamente dopada do semicondutor, e que constitui
o ncleo do modelo. O Captulo termina com a apresentao da implementao do modelo do IGBT
num simulador de circuitos elctricos: o IsSpice4 (Intusoft 2004).

O quarto Captulo dedicado problemtica associada extraco de parmetros de modelos de


IGBTs. Aps uma reviso da literatura sobre o assunto, so apresentados alguns mtodos clssicos de
extraco. Posteriormente, apresentado um novo procedimento para a extraco de parmetros baseado
em optimizao. Assim, descreve-se a metodologia adoptada para a extraco, o algoritmo utilizado
(Simulated Annealing) e a respectiva implementao. Os resultados relativos aplicao do procedimento,
a trs IGBTs distintos, so apresentados.

A validao do modelo, e por inerncia, do processo de extraco de parmetros, levada a cabo


no quinto Captulo. O Captulo comea com uma descrio da instalao experimental desenvolvida para
a realizao dos ensaios, bem como dos circuitos de teste utilizados. Para alm de uma validao
preliminar, apresentado um conjunto de resultados relativamente aos trs IGBTs em estudo. A validao
realizada por comparao entre resultados experimentais e de simulao, atravs do erro associado a
alguns parmetros tpicos de comutao das vrias formas de onda. A gama de validade do modelo e a
robustez do processo de extraco so aferidas utilizando vrias condies de funcionamento.

Por fim, no Captulo seis, so apresentadas as principais concluses a retirar deste trabalho assim
como as perspectivas de trabalho futuro.

35
2 2 Anlise da modelao de IGBTs

O objectivo deste captulo fazer um enquadramento relativamente ao estado da arte em tcnicas


de modelao de semicondutores de potncia, com especial nfase nos modelos de IGBTs, e tambm
justificar a abordagem utilizada nesta tese para o desenvolvimento de um novo modelo para o IGBT.

O sucesso do IGBT, inicialmente no domnio da baixa potncia mas com posterior extenso para a
mdia potncia, resultou no desenvolvimento de um conjunto importante de modelos, associados a
tcnicas de modelao diversas, no sentido de cobrir os crescentes requisitos de modelao.

Para clarificar a anlise os modelos so classificados de acordo com a sua base conceptual e uma
anlise qualitativa feita no final do captulo.

37
2.1 Introduo
A modelao de IGBTs quase to antiga quanto o prprio dispositivo. De facto, desde a inveno
do IGBT em 1982, e durante as duas ltimas dcadas, foram publicados dezenas de artigos sobre este
assunto. Para alm das superiores caractersticas elctricas que tornaram o IGBT uma referncia no
domnio da baixa/mdia potncia, o sucesso comercial do IGBT deve-se tambm, em grande medida,
investigao realizada no domnio da modelao de semicondutores de potncia em geral, e de IGBTs em
particular, uma vez que permitiu uma compreenso mais rigorosa dos mecanismos internos do
dispositivo.

O desafio que se coloca no desenvolvimento destes modelos, resulta da necessidade de se


estabelecer um compromisso entre, fundamentalmente a preciso e o tempo de simulao. Naturalmente
modelos mais precisos requerem normalmente mais esforo computacional, pelo que o objectivo
primordial conseguir um modelo preciso com o menor tempo de simulao possvel. No entanto, h
outros factores a ter em conta e que, em certa medida, podem definir o sucesso de um modelo,
concretamente a gama de validade, a convergncia, a disponibilidade de um procedimento para a
extraco dos parmetros e a facilidade de implementao nos vrios simuladores.

Em ltima instncia, e do ponto de vista prtico, a rea de aplicao ou o objectivo da simulao


condicionam o tipo de modelo a utilizar e, por consequncia, ferramenta de simulao. Numa anlise ao
nvel do dispositivo, isto , quando prevalece o estudo dos mecanismos internos do dispositivo
semicondutor, em que se pretende estudar limites em termos de gradientes e picos de corrente e tenso,
perdas de comutao e conduo, influncia da estrutura interna dos dispositivos ou a optimizao das
suas caractersticas internas, sacrifica-se o tempo de simulao a favor da preciso. Neste contexto so
tipicamente usados simuladores (usualmente designado por numricos por serem baseados no mtodo
das diferenas finitas ou no mtodo dos elementos finitos), como ATLAS da Silvaco, TAURUS-
MEDICI (futuro GEMINI-DESSIS) da Synopsys ou PROPHET-PISCES da Universidade de
Stanford (grupo TCAD). Dada a sua capacidade para simular fenmenos 2D e 3D, e pelo facto de serem
muito exigentes em termos computacionais, estes simuladores so normalmente utilizados apenas pelos
fabricantes de semicondutores. No outro extremo, em termos de aplicao, temos as anlises ao nvel do
circuito, com um nmero importante de semicondutores, em que o objectivo analisar o comportamento
e as caractersticas de determinado conversor, tendo em conta o comportamento no linear dos
interruptores, sendo por isso suficiente um modelo simplificado (normalmente Ron/Roff) para os
semicondutores de potncia. Este conceito utilizado no simulador PSIM da Powersim. Entre estes dois
extremos, h um conjunto de simuladores de uso genrico, dos quais se destaca os da famlia SPICE pela
sua utilizao generalizada no seio da comunidade cientfica e industrial e, mais recentemente, o simulador
SABER.

No entanto, devido ao aumento dos requisitos relativos aos fenmenos fsicos a modelar nos

38
dispositivos de potncia (Kraus 1998b), em particular a modelao da distribuio dos portadores
(considerada como o maior desafio que se coloca na construo de um modelo preciso), verificou-se, nas
ltimas dcadas, o aparecimento de um conjunto de publicaes que tentam optimizar o compromisso
preciso/tempo de simulao, com o objectivo de generalizar o uso de modelos cada vez mais precisos,
baseados na fsica dos semicondutores, mas implementveis em simuladores de uso comum. Os inmeros
modelos publicados na literatura, na rea de semicondutores de potncia, reflectem este vasto espectro de
requisitos (Fatemizadeh 1993; Goebel 1994; Hefner 1994a; Metzner 1994; Morel 1994; Leturcq 1997; Sigg
1997; Strollo 1997b; Arajo 1998a; Kraus 1998a; Li 1998; Busatto 2000; Igic 2002).

Assim, neste captulo, feita uma anlise das vrias abordagens de modelao. Embora estas sejam
comuns aos vrios semicondutores de potncia, ser dada especial ateno aos modelos relativos aos
IGBTs. Os modelos so classificados de acordo com o mtodo de modelao, salientando-se os seus
pontos fortes e fracos.

2.2 Classificao dos modelos


Na literatura encontram-se algumas tentativas de classificao dos modelos de acordo com a tcnica
de modelao utilizada (Kraus 1998b; Tan 1999; Sheng 2000). A variedade de abordagens e terminologias
possveis torna complexa a classificao. A Tabela 2.1 resume as classificaes utilizadas nas citaes
referidas bem como a utilizada nesta tese.

Tabela 2.1 Resumo da classificao de modelos

Nesta tese Sheng (IGBTs) Tan (Dodos) Kraus (Genrico)


Emprico
Emprico Macromodelo Funcional
Semi-matemtico
Carga distribuda Sol. aproximada
Analtico Transformao Matemtico Micromodelo Analtico Transformao
Lumped-charge Lumped
Hbrido Semi-numrico Hbrido
Micromodelo Sol. numrica
Numrico - Numrico

A descrio apresentada de seguida, utilizando algumas referncias como exemplo, em particular


aquelas consideradas mais relevantes no contexto da modelao de IGBTs. Assim, a anlise que se segue
no deve ser entendida como uma compilao exaustiva de modelos publicados na literatura. Para esse
efeito recomenda-se a leitura de (Sheng 2000).

2.2.1 Modelos empricos

Os modelos empricos, tambm designados por modelos comportamentais, tratam o dispositivo


como uma caixa negra cujo comportamento exterior observado sem entrar em considerao com a sua
natureza geomtrica e fsica nem com os efeitos especficos que ocorrem no interior do dispositivo.

39
Uma abordagem corrente o uso de tabelas (Wong 1997) onde so registados dados relativos a
medies e/ou clculos, que posteriormente so usados em simulaes. Este mtodo eficaz para uma
anlise em regime estacionrio mas limitado para descrever as vrias condies dinmicas possveis e as
diferentes topologias de circuito possveis.

Porventura o mtodo mais usado nos modelos empricos o ajuste de curvas (curve fitting) com
recurso a expresses empricas, definidas arbitrariamente ou por suposies intuitivas inspiradas na fsica
dos semicondutores. Essas expresses tentam descrever de uma forma simples o comportamento externo
observado, relacionando directamente a tenso e corrente de sada. Algumas variveis so depois
adicionadas e relacionadas para descrever os efeitos dinmicos. Em (Mihalic 1995) os coeficientes de
algumas expresses definidas so calculados por uma regresso polinomial. Em (Hsu 1996a) e (Oh 2001)
o IGBT descrito por uma configurao de Hammerstein incluindo um bloco esttico, no linear,
seguido por um bloco linear dinmico. Os parmetros do sistema so extrados por ajuste polinomial, com
base em resultados experimentais ou com resultados simulados de modelos fsicos. Em (Blaabjerg 1996)
foi desenvolvido um modelo fundamentalmente para a estimao das perdas. Estas so relacionadas com
a tenso, corrente e temperatura e as respectivas constantes so extradas aplicando um ajuste aos dados
experimentais medidos (caracterstica de sada e perdas de comutao). Em (Monti 1996) o IGBT foi
modelado utilizando lgica difusa.

Algumas abordagens, no totalmente empricas, usam modelos convencionais (MOS e BJT)


disponveis no SPICE aos quais so acrescentados outros componentes para modelar os efeitos
especficos do IGBT (modulao da condutividade, capacidades no lineares, efeito da tenso na cauda
da corrente de sada, etc.), tentando assim incluir alguma fsica na descrio dos modelos. Daqui resulta a
designao de modelos semi-matemticos utilizada em (Sheng 2000). Estes modelos (Sheng 1996; Raciti
1998) apresentam uma estrutura que consiste na diviso clssica dos fenmenos do IGBT em duas
componentes (MOS e BJT), com componentes auxiliares como fontes de corrente/tenso controladas
para representar os efeitos NQS.

Figura 2.1 Estrutura clssica de um modelo de IGBT simplificado.

A Figura 2.1 ilustra o exposto. A fonte IB representa o efeito causado pela redistribuio das cargas
no interior da base durante as comutaes de abertura e fecho. A fonte IA controlada por um circuito

40
que resolve a equao de controlo de carga:

Q dQ
IQ = + (2.1)
dt

e que, tipicamente, tem a estrutura da Figura 2.2:

IQ C R

Figura 2.2 Subcircuito equivalente equao de controlo de carga.

Utilizando a relao Q = C.V (com C = 1 nF) a carga Q uma imagem da tenso no circuito,
sendo o termo Q/ da equao (2.1) modelado pela corrente na resistncia R e a derivada temporal de Q
modelada pela corrente do condensador C (I = C.dV/dt).

O efeito da capacidade no linear de Miller representado pelo condensador Cmiller implementado


normalmente por uma fonte controlada ou dispositivos activos.

2.2.2 Modelos analticos

Os modelos analticos so modelos baseados, quase na sua totalidade, num conjunto de equaes
associadas fsica interna dos semicondutores. A principal equao que descreve o transporte das cargas
na regio de armazenamento (regio n) a EDA:

p 2 p p
=D 2 (2.2)
t x

em que p a concentrao dos portadores (electres e lacunas), D a constante de difuso


ambipolar e o tempo mdio de vida dos portadores. Esta equao resulta das equaes de continuidade
de corrente e de densidade de corrente em condies de quasi-neutralidade1 e injeco de alto nvel (p
n). Esta abordagem assume tambm que o transporte das cargas unidimensional (Debrie 1996; Berraies
1998; Palmer 2003), sendo um pressuposto comummente aceite e suportado pela evidncia de resultados
numricos 2D, como se mostra na Figura 2.3:

1 Os potenciais quasi-Fermi de electres e lacunas so iguais em ambos os lados da juno.

41
Largura da base n-
2D

1D

Figura 2.3 Distribuio da concentrao de portadores em 25 m (total de 300 m) do IGBT (Palmer 2003).

Note-se que na figura est representada a distribuio da concentrao em apenas 10% da rea do
semicondutor, isto , os primeiros 25 m num total de 300 m. A partir de 20 m, praticamente no
existe variao horizontal da concentrao, indicando que o processo de conduo essencialmente
vertical. Os efeitos 2D so mais evidentes na zona prxima da porta, zona onde se processa o transporte
de cargas no canal MOS.

Figura 2.4 Distribuio 2D da concentrao de portadores em conduo directa (Sheng 1999b).

A Figura 2.4 elucidativa a esse respeito. De facto, analisando a zona do lado do ctodo (emissor)
do IGBT (x = 0), a concentrao junto juno base n/p+ body (0 < y < 5) menor do que a
concentrao na zona da parte inferior da porta (5 < y < 15), uma vez que n/p+ est inversamente
polarizada.

42
Uma vez que a equao (2.2) no tem soluo uma soluo analtica exacta para o caso geral, so
usadas diversas aproximaes ou simplificaes para obter a respectiva soluo, daqui resultando um vasto
conjunto de abordagens, divididas, de grosso modo, em trs grupos:

Modelos de carga distribuda (2.2.2.1);

Modelos de transformao (2.2.2.2);

Modelos Lumped-charge (2.2.2.3).

2.2.2.1 Modelos analticos de carga distribuda

Os modelos de carga distribuda so baseados na descrio dos efeitos NQS, ou seja, a relao entre
a corrente e a carga armazenada em regime permanente no a mesma no regime transitrio. Nestes
modelos, as componentes MOS e bipolar so implementadas por circuitos elctricos equivalentes s
equaes associadas a essas zonas e no por modelos convencionais disponveis nos simuladores.

Genericamente, a aproximao p ( x, t ) para a distribuio p ( x, t ) usada neste contexto tem a forma:

p ( x, t )  p ( x, t ) = p0 ( x) + i (t ) N i ( x) (2.3)
i

em que p0(x) a distribuio em regime esttico (obtida de (2.2) com p/t = 0) e o somatrio
uma representao da dinmica das cargas. As funes de base (ou de teste) Ni(x) podem ser funes
polinomiais, trigonomtricas, etc., e os respectivos coeficientes i(t) so calculados de modo a obter uma
boa aproximao.

Como exemplo, em (Igic 2002) a concentrao de portadores aproximada utilizando duas funes
de base exponenciais para o regime estacionrio (2.4) e sete para o transitrio.

D D
p ( x, t )  Ae x + Be x (2.4)

Uma abordagem sistemtica possvel o uso de mtodos variacionais1, como o mtodo de Galerkin
usado em (Fatemizadeh 1993), que utiliza funes lineares e funes tipo seno. A formulao do mtodo
de Galerkin estabelece que a mdia pesada dos resduos deve ser nula. Sendo Gi(x) as funes peso temos:

W
p 2 p p

x = 0 t
D + Gi ( x)dx = 0
x 2
(2.5)

Esta relao, em conjunto com a aproximao (2.3), resulta num sistema de equaes diferenciais
ordinrias para a determinao dos coeficientes i(t).

Outra forma de obter uma soluo de (2.2) aproximar a derivada temporal utilizando o processo
de separao de variveis:

1Estes mtodos so descritos com mais detalhe no ponto 2.2.4.2 no contexto dos modelos baseados no Mtodo dos Elementos
Finitos.

43
p
= i (t ) Ni ( x) (2.6)
t i

A soluo de (2.6) tem a mesma forma de (2.3). No caso mais simples apenas um termo Ni(x)
usado como no conhecido modelo de Hefner (Hefner 1988; Hefner 1990a; Hefner 1990b; Hefner 1991).

De facto, o modelo de Hefner (representado pelo circuito equivalente da Figura 2.5) considerado
uma referncia, no s porque foi um dos primeiros modelos do IGBT, mas porque disponibilizado em
algumas ferramentas de simulao.

Figura 2.5 Circuito equivalente do modelo de Hefner para NPT-IGBTs (Hefner 1994a).

Em (Hefner 1994a) o modelo foi implementado no SABER e em (Mitter 1994) no IG-SPICE. O


modelo foi expandido para estruturas PT em (Hefner 1995). Em (Hefner 1993; Hefner 1994b) foi
desenvolvido um modelo electro-trmico. Em (Ammous 2000) o modelo de Hefner foi expandido com
um modelo 2D para a parte trmica.

Apesar de tudo, o modelo de Hefner apresenta algumas limitaes:

Assume-se que a corrente no canal MOS desaparece instantaneamente no incio da sada de


conduo (Sheng 1999b);

O tempo mdio de vida dos portadores assumido como infinito embora um valor finito seja
usado na equao de controlo de carga (Sheng 1999b);

Como os efeitos NQS so modelados por uma corrente de redistribuio que assume uma
distribuio linear dos portadores, o modelo exibe alguns problemas na descrio do
comportamento dinmico para tenses de bloqueio elevadas (Busatto 2000).

44
Um modelo referido na literatura com alguma frequncia o modelo de Kraus et al. (Kraus 1998a).
Aqui a derivada temporal da EDA aproximada por um polinmio mas so utilizados parmetros
adicionais de ajuste reduzindo a sua consistncia fsica (Leturcq 1999).

Os modelos de Hefner e Kraus foram comparados em (Githiari 1999). Os modelos revelaram


precises semelhantes mas o modelo de Hefner mostrou-se mais robusto, sendo mais imune a problemas
de convergncia.

O modelo de Kraus foi melhorado em (Azar 2004) incluindo a dependncia trmica de alguns
parmetros fsicos bem como alguns efeitos, como o efeito do dodo p-i-n e o efeito do tiristor parasita. O
efeito do dodo p-i-n aumenta a concentrao de portadores junto regio de acumulao na zona de
sobreposio porta-dreno1. Este aumento deve-se recombinao de electres/lacunas nas proximidades
da juno entre a zona de acumulao e a base n, diminuindo a resistncia no estado de conduo e,
como tal, aumentando a corrente. A caracterstica de sada vem assim afectada, especialmente para IGBTs
com uma zona de acumulao considervel como o caso dos Trench IGBT (Udrea 1995; Azar 2004). O
efeito p-i-n modelado atravs de um parmetro extra definido como a relao entre a rea de
acumulao e a rea total. Este parmetro includo na condio fronteira p+/n, representando a
proporo de lacunas injectadas no emissor que recombinam com electres injectados pela zona de
acumulao, alterando assim eficincia de injeco do emissor.

Os mesmos efeitos 2D so implementados em (Sheng 1999a) mas desta feita resolvendo a EDA a
duas dimenses no espao e em regime estacionrio. Para o regime transitrio o modelo equivalente ao
modelo de Hefner.

Uma ltima aproximao usada por certos autores (Kraus 1993; Sigg 1997) consiste em considerar
um tempo mdio de vida dos portadores infinito, eliminando assim o termo p/ na EDA (2.2). Nestas
condies, a EDA tem a forma da conhecida equao do calor, sendo possvel obter a sua soluo mesmo
para fronteiras mveis (Sigg 1997).

2.2.2.2 Modelos analticos de transformao

Os modelos de transformao so assim designados por utilizarem as conhecidas Transformadas de


Laplace ou de Fourier, para resolver as equaes diferenciais analiticamente. Embora estes mtodos
possam resultar em solues exactas, com algumas restries nas condies fronteira, na prtica as
solues representam uma aproximao uma vez que as solues consistem em sries infinitas. As duas
abordagens so descritas a seguir.

2.2.2.2.1 Modelos analticos com Transformadas de Laplace

Nesta tcnica a equao de difuso convertida para o 'domnio s'. Esta abordagem rigorosa
apenas se a fronteira da regio em causa for fixa (Kraus 1998b; Leturcq 1999). Este o caso em certas

1 Esta regio tambm designada por p-i-g porque a porta actua como uma zona n+.

45
situaes especficas ou durante um curto perodo do estado transitrio. No caso geral, as fronteiras no
so fixas e o seu movimento tem uma influncia importante nas caractersticas do dispositivo.

Esta abordagem foi proposta por Strollo em (Strollo 1994; Strollo 1997a) para dodos p-i-n e em
(Strollo 1997b) para IGBTs. A aplicao da transformada de Laplace EDA em ordem ao tempo resulta
numa equao diferencial ordinria para P(x,s) cuja soluo pode ser representada por uma malha RC. Os
elementos dessa malha (Figura 2.6) so normalmente calculados recorrendo a uma aproximao da
soluo de P(x,s) por expanso em srie de Taylor ou atravs de uma aproximao de Pad.

Figura 2.6 Subcircuito do IGBT do modelo (Strollo 1997b).

O modelo em (Strollo 1997b) composto por 21 parmetros, sendo um nmero bastante elevado
comparativamente a outras abordagens semelhantes.

2.2.2.2.2 Modelos analticos com Transformada de Fourier

(Massol 1993; Gillet 1995) demonstram que a aplicao da transformada discreta de Fourier a p(x,t):

k ( x x1 )
p( x, t ) = v0 (t ) + vk (t ) cos (2.7)
k =1 x2 x1

permite converter a equao de difuso num sistema infinito de equaes diferenciais lineares de 1
ordem para os coeficientes v0,...,vk. Esse conjunto de equaes pode ser representado, atravs de uma
analogia elctrica, por duas linhas com malhas RC correspondendo aos valores pares e mpares de k, em
que a tenses de cada malha representam os coeficientes vk(t) da srie de Fourier (Figura 2.7).

46
v0(t) v2(t) vn(t)

R0 R2 Rn
C0 C2 Cn Rpar
Ipar
I0 I2 In

v1(t) vn-1(t)

R1 Rn-1
C1 Cn-1 Rmpar
Impar
I1 In-1

Figura 2.7 Linhas RC equivalentes EDA do modelo de Fourier.

Cada malha RC constituda por uma resistncia e um condensador varivel, uma vez que estes so
funo da largura da zona de armazenamento de carga (x2 - x1):

x2 x1
C0 = x2 x1 Ck = 2

k =0 k 0 2 1 (2.8)
R0 = x x Rk =
2 1
x2 x1 + k D2
1 2 2

( x2 x1 )

e por uma fonte de corrente representando o deslocamento das fronteiras x1 e x2:

vk d ( x2 x1 )
n 2 v dx k + n dx2
Ik = + 2 n 2 1 ( 1) (2.9)
4 dt n =1 ( n k ) n k dt dt

As duas linhas RC so alimentadas por duas fontes de corrente (Ipar e Impar) cujos valores so
definidos pelas condies fronteira:

p p
I par = D
x x
x2 x1
(2.10)
p p
I mpar = D +
x x
x2 x1

Como a srie (2.7) infinita, em termos prticos a srie truncada de tal forma que a constante de
tempo da ltima malha seja inferior escala de tempo necessria para observar o fenmeno. De forma a
minimizar o erro de truncatura so adicionadas as resistncias Rpar e Rmpar correspondendo ao valor
acumulado das resistncias em falta.

Com esta implementao, para alm das caractersticas elctricas externas, o modelo de Fourier
permite conhecer o comportamento interno do dispositivo analisando a distribuio da concentrao de
portadores na regio da base.

47
Com base nesta abordagem foram desenvolvidos modelos para o dodo (Massol 1993; Leturcq
1996), BJT (Gillet 1995), GTO (Kallala 1994) e para o IGBT (Debrie 1996; Leturcq 1997), todos
implementados no simulador ESACAP.

Esta tcnica tem sido impulsionada nos ltimos anos pelas actividades de investigao
desenvolvidas por um grupo da Universidade da Carolina do Sul (EUA). Palmer et al. (Palmer 2001; Kang
2002a) implementaram o modelo no simulador PSPICE incluindo a dependncia trmica de alguns
parmetros. Vrias estruturas tm sido modeladas, nomeadamente, a estrutura clssica punch-through (Kang
2002a), a estrutura trench-gate (Santi 2001) incluindo efeitos electro-trmicos, a estrutura field-stop (Kang
2003d) e a 5 gerao do IGBT (CSTBT) (Kang 2003b). Outro dispositivo bipolar, o IGCT, foi tambm
modelado por esta tcnica em (Wang 2004a).

Uma questo normalmente relegada para segundo plano no desenvolvimento de modelos fsicos a
determinao dos parmetros do modelo. Uma das mais-valias dos modelos atrs referidos que tm sido
suportados por procedimentos para extraco dos parmetros (Kang 2002b; Bryant 2003; Kang 2003c).
Nesse contexto o modelo de Fourier foi implementado no MATLAB/Simulink (Figura 2.8) (Palmer
2002).

Figura 2.8 Modelo do IGBT implementado no Simulink (Palmer 2002).

Os resultados publicados neste conjunto de literatura tm evidenciado a eficcia desta abordagem


na descrio do comportamento dinmico de vrios semicondutores de potncia. Regra geral, o modelo
tem sido capaz de reproduzir fielmente as caractersticas de tenso e corrente com um bom compromisso
entre preciso e tempo de simulao. Apesar disso, a abordagem tem como ponto fraco o facto de

48
apresentar algumas oscilaes (Figura 2.9) na distribuio da concentrao de portadores no incio da
descida rpida da corrente de colector (Kang 2003a; Palmer 2003).

Figura 2.9 Distribuio dos portadores: (a) modelo de Fourier (b) ATLAS (Palmer 2003).

Esta situao est relacionada com a truncatura da srie de Fourier (fenmeno de Gibb) originando
alguns problemas no clculo da tenso de sada, como os relatados em (Kang 2003a). A Figura 2.10
apresenta o erro no clculo da tenso colector-emissor. O erro evidente, em particular na zona em que a
queda de tenso na base dominante.

De facto, a queda de tenso na base depende de uma correcta modelao do efeito de modulao
da condutividade e, como tal, da preciso com que calculada a distribuio dos portadores.

Figura 2.10 Ilustrao do erro no clculo de Vce no modelo de Fourier: (a) e (b) com diferentes pontos de amostragem
(Kang 2003a).

2.2.2.3 Modelos lumped-charge

A tcnica lumped-charge nasceu da abordagem proposta por Linvill (Linvill 1958) em conjunto com o
mtodo de controlo de carga (Ma 1994). A tcnica foi sendo aplicada ao longo dos anos a diversos
dispositivos, existindo hoje em dia modelos para o dodo, SCR, GTO, MCT, MOSFET e IGCT. No que

49
diz respeito ao IGBT o primeiro modelo foi desenvolvido por Busatto et al. (Busatto 2000; Iannuzzo
2004).

Nesta abordagem a estrutura do dispositivo dividida em regies, caracterizadas por nveis de


dopagem constante e/ou tempo mdio de vida dos portadores constante, cada uma das quais com ns de
armazenamento de carga e ns de ligao (Figura 2.11). O n de armazenamento responsvel pelo
armazenamento e recombinao da carga dos portadores e, normalmente, situa-se no centro da regio; o
n de ligao, relacionando a tenso na juno com o nvel de concentrao de portadores, localiza-se na
fronteira de duas regies.

Figura 2.11 Distribuio dos ns num modelo lumped-charge.

Considerando a equao de densidade de corrente de lacunas:

p
J p = qp p E qD p (2.11)
x

o transporte de lacunas entre os ns 2 e 3 aproximado por (Ma 1994):

p2 + p3 v p p3
J p 23 = q p 23 qD p 2 (2.12)
2 d 23 d 23

Trabalhando a expresso anterior e fazendo:

p2 + p3 d 23 d Dp
p3 ; Tp 23 = ; t = (2.13)
2 Dp p

vem, para a corrente de lacunas entre os ns 2 e 3:

q p 3 v23 q p 2 q p 3
i p 23 = A + (2.14)
Tp 23 t Tp 23

com q p 2 = Adp2 e q p 2 = Adp2 . As restantes correntes so obtidas pelo mesmo processo.

A integrao da equao de continuidade para as lacunas resulta em:

q p 3 Qp 0 dq p 3
i p 23 i p 34 = + (2.15)
p dt

que no mais do que a equao de controlo de carga. A carga total armazenada na regio n

50
aproximada pela carga (qp3) no n de armazenamento 3.

Os ns de carga so relacionados atravs das equaes de neutralidade de carga em conjunto com


as equaes de Boltzmann, de Poisson e as Leis de Kirchoff. Daqui resulta um conjunto de equaes que
no requerem um esforo computacional importante. As equaes so vlidas para todas as reas de
operao e no esto limitadas a casos especiais mas, como um baixo nmero de ns, apenas se consegue
uma preciso mdia.

Em traos gerais esta tcnica corresponde a um esquema de diferenas finitas, dado que a derivada
espacial representada por uma diferena de densidades de carga:

p p
 (2.16)
x x

Comparativamente s restantes tcnicas, e no que diz respeito preciso, esta abordagem situa-se
entre os modelos empricos e os modelos analticos.

Uma das principais vantagens a necessidade de um reduzido nmero de parmetros, embora


sejam necessrios alguns parmetros extra de ajuste, perdendo assim alguma consistncia fsica (Leturcq
1999). Por outro lado, o modelo no permite o acesso s concentraes nos ns, ao contrrio do modelo
de Fourier e do modelo desenvolvido nesta tese.

2.2.3 Modelos numricos

Os modelos numricos so caracterizados por descreverem todo o semicondutor com recurso a


mtodos numricos, nomeadamente o mtodo das diferenas finitas ou o mtodo dos elementos finitos.
Dada a dificuldade de implementao do respectivo conjunto de equaes em simuladores de uso
genrico, foram desenvolvidos no passado simuladores numricos (ATLAS, TAURUS-MEDICI,
PROPHET-PISCES, etc.) com os requisitos necessrios para tal implementao.

Dada a sua capacidade para simular fenmenos 2D e 3D, estes modelos so especialmente usados
no projecto e optimizao do semicondutor, analisando os efeitos causados pela variao da estrutura
fsica e geomtrica do dispositivo e pelas condies de operao. Por outro lado, permitem tambm a
anlise de grandezas no acessveis por medio. A sua natureza totalmente fsica implica um
conhecimento rigoroso de todos os parmetros tecnolgicos como o perfil de dopagem e as vrias
componentes geomtricas.

Estas caractersticas, aliadas aos elevados tempos de simulao, tornam desadequado o uso corrente
desta tcnica, pelo que esta tem estado confinada aos fabricantes para investigao dos seus prprios
produtos (Tan 1999). Alm disso, o output dos referidos simuladores normalmente o potencial e a
distribuio das cargas, pelo que nem sempre disponibilizam directamente os resultados das tenses e
correntes aos terminais do dispositivo.

O facto de, at data, existir apenas um modelo numrico (Li 1998) implementado em simuladores

51
de uso genrico, ilustra bem a dificuldade de implementao atrs referida. Em (Li 1998) um modelo para
dodos p-i-n foi implementado no SABER utilizando um esquema de diferenas finitas.

2.2.4 Modelos hbridos

Os modelos hbridos (ou semi-numricos) tentam combinar as vantagens dos modelos analticos e
dos numricos. A ideia de base usar uma formulao precisa para modelar a zona mais importante dos
semicondutores, a regio menos dopada dos dispositivos bipolares (a base no caso do IGBT), responsvel
pelo suporte da tenso de bloqueio, e equaes analticas para as outras partes do dispositivo. Consegue-se
assim uma simulao precisa do comportamento dinmico, atravs da resoluo numrica da EDA, sem
os longos tempos de simulao caractersticos dos modelos numricos. Esta abordagem eficiente desde
que as rotinas para a resoluo da EDA possam ser incorporadas no cdigo de programao dos
simuladores de uso genrico, o que nem sempre tem sido conseguido.

Para a componente numrica so usadas as duas principais tcnicas neste domnio: o Mtodo das
Diferenas Finitas (MDF) e o Mtodo dos Elementos Finitos (MEF). Uma vez que o modelo
desenvolvido nesta tese um modelo hbrido, nos pontos seguintes feita uma anlise mais detalhada de
cada uma das formulaes e a sua aplicao no contexto da modelao de IGBTs.

2.2.4.1 Modelos hbridos com diferenas finitas

2.2.4.1.1 Teoria

No mtodo das diferenas finitas, como em qualquer mtodo numrico, o objectivo obter a
soluo de determinada equao num conjunto discreto de pontos. Assim, feita uma discretizao do
domnio resultando numa malha. Esta discretizao produz um sistema algbrico de equaes em que as
incgnitas correspondem aos pontos de discretizao.

Todo o esquema numrico caracterizado por trs importantes factores:

Estabilidade: as solues mantm-se dentro de certos limites durante o processo;

Convergncia: a soluo numrica tende para a soluo real medida que o espaamento da
malha e o passo temporal tendem para zero;

Consistncia: o erro de truncatura tende para zero medida que o tamanho da malha e o
passo de tempo tendem para zero.

1) Discretizao espacial

Considerando as seguintes expanses em srie de Taylor:

p
p ( x0 + h ) = p ( x0 ) + h + O ( h2 ) (2.17)
x

52
p
p ( x0 h ) = p ( x0 ) h + O ( h2 ) (2.18)
x

a derivada de ordem um pode ser aproximada usando diversos esquemas:

Diferenas para a frente (progressiva) a partir de (2.17):

p p ( x0 + h ) p ( x0 )
= (2.19)
x h

Diferenas para trs (regressiva) a partir de (2.18):

p p ( x0 ) p ( x0 h )
= (2.20)
x h

Diferenas centrais, subtraindo (2.17) a (2.18):

p p ( x0 + h ) p ( x0 h )
= (2.21)
x 2h

Para a aproximao da 2 derivada faz-se um desenvolvimento anlogo ao anterior, utilizando agora


o polinmio de Taylor de grau 2:

p h 2 2 p
p ( x0 + h ) = p ( x0 ) + h + + O ( h3 ) (2.22)
x 2 x 2

p h 2 2 p
p ( x0 h ) = p ( x0 ) h + + O ( h3 ) (2.23)
x 2 x 2

Somando (2.22) e (2.23):

2 p p ( x0 + h ) 2 p ( x0 ) + p ( x0 h )
= (2.24)
x 2 2h

2) Discretizao temporal

Tambm na discretizao existem vrios esquemas de diferenas finitas consoante o tipo de


aproximao usado para descrever as derivadas temporais. Assim, temos como esquemas mais usados:

Forward Euler (FE)

p p ( ti +1 ) p ( ti )
= (2.25)
t ti t

Backward Euler (BE)

p p ( ti ) p ( ti 1 )
= (2.26)
t ti t

Quando combinados, obtm-se o esquema Crank-Nicholson ou trapezoidal:

53
p 1 1
= FE t + BE t (2.27)
t ti 2 i
2 i +1

ou genericamente:

p
= (1 ) FE t + BE t (2.28)
t ti i i +1

em que:

= 0 FE puro

= Crank-Nicholson

= 1 BE puro

No quadro seguinte apresentam-se as vantagens e desvantagens das vrias abordagens a uma


dimenso (Nakamura 1993).

Tabela 2.2 Caractersticas de alguns esquemas de MDF.

Mtodo Vantagens Desvantagens


Forward Euler Simplicidade. Soluo explcita Limitao de t
Backward Euler Incondicionalmente estvel Soluo implcita
Incondicionalmente estvel.
Crank-Nicholson Oscilaes numricas
Preciso de ordem 2 no tempo.

2.2.4.1.2 Modelao

No modelo desenvolvido em (Goebel 1994), a descrio da regio pouco dopada feita com uma
parte numrica e outra analtica, em que o simulador fornece ao modelo a corrente e recebe como
resposta a tenso. Assim, para o simulador, o modelo funciona como uma fonte de tenso controlada por
corrente. Dependendo da corrente na regio pouco dopada e da distribuio dos portadores no passo
temporal anterior, p(x,t), o algoritmo numrico calcula a nova distribuio dos portadores p(x,t+t). Com
os resultados obtidos as quedas de tenso so calculadas na parte analtica do modelo, recorrendo a
expresses analticas conhecidas.

A parte numrica responsvel por obter a soluo da EDA. As equaes so ento resolvidas pelo
mtodo das diferenas finitas. Os valores da densidade de carga no n r podem ser representados por p(r.h
, t) pr,s, sendo h o espaamento (constante) na direco x e t o espaamento temporal (varivel)
definido pelo simulador. A aproximao para as derivadas feita utilizando um esquema mais complexo
do que o descrito anteriormente:

54
p pr + 2 + 4 pr +1 3 pr
= (2.29)
x r 2h

2 p p 2 pr + pr +1
= r 1 (2.30)
x r
2
h2

p ps +1 ps
= (2.31)
t s +1 t

Relembrando a expresso da EDA:

p 2 p p
=D 2 (2.32)
t x

e substituindo (2.30) e (2.31) em (2.32) obtm-se:

pr , s +1 = C1 ( pr 1, s + pr +1, s ) C2 pr , s (2.33)

com

tD 2tD t
C1 = e C2 = + 1 (2.34)
h2 h2

Este tipo de esquema designado por explcito uma vez que a densidade de carga pr,s+1 dada
explicitamente em funo de pr-1,s, pr,s e pr+1,s do passo de tempo anterior. Evita-se assim a resoluo de um
sistema de equaes como nos esquemas implcitos. No entanto, a estabilidade e convergncia do
algoritmo s assegurada se (Smith 1978; Geral 1999):

h2
t (2.35)
2D

Para uma malha uniforme, t funo da largura W da zona n e do nmero de pontos da malha
N:

W2
t (2.36)
2 DN 2

Considerando os cenrios da Tabela 2.3 e assumindo D = 210-3 m2/s, o passo de tempo mximo
fica limitado a 1 ns em dois cenrios chegando a 0.04 ns num dos cenrios. Estes valores podem limitar
consideravelmente algumas simulaes, em particular se estas forem da ordem de grandeza de algumas
unidades ou dezenas de s.

55
Tabela 2.3 Cenrios para o clculo do passo de tempo mximo.

W (m) N tmax
100 50 1 ns
20 50 0.04 ns
100 10 2.5 s
20 10 1 ns

Esta limitao pode ser minimizada aumentando o nmero de pontos da malha mas, como tal
implica uma malha demasiado fina, o peso computacional continua a ser elevado.

Embora o esquema explcito seja computacionalmente mais simples, apresenta a desvantagem de


implicar um passo de tempo muito baixo para garantir a condio (2.35).

Em (Metzner 1994) tambm foi desenvolvido um modelo semelhante, ou seja, hbrido, mas com
alguns melhoramentos. Como as fronteiras durante os perodos de comutao so variveis, o esquema de
discretizao depende das posies xl(t) e xr(t):

di = xi xi 1 = ai [ xr (t ) xl (t ) ] w
(2.37)
a i =1

As derivadas espaciais so aproximadas por:

p pi +1 pi 1
= (2.38)
x xi di di 1

2 p di 1 pi +1 pi ( di + di 1 ) + di pi 1
=2 (2.39)
x 2 xi
di 1di ( di + di 1 )

e as derivadas temporais por um dos mtodos descritos no ponto 2.2.4.1.1.

Os modelos (Goebel 1994; Metzner 1994) foram implementados no simulador SABER mas a sua
implementao em simuladores normais exigente (Sheng 2000).

2.2.4.2 Modelos hbridos com elementos finitos

Nesta abordagem a funo p(x,t), definida num domnio , aproximada por um conjunto de
funes Ni(x) definidas em subdomnios e, constituindo uma malha de elementos finitos (Figura 2.12).
Consoante a escolha destas funes, definidas custa de um conjunto finito de r valores, assim teremos
diferentes tipos de elementos finitos.

Figura 2.12 Ns e elementos finitos num domnio discretizado.

56
As funes Ni(x) so designadas por funes de base (ou de forma). Na Figura 2.13 ilustram-se a
funes de base lineares associadas ao n n-1 (Zienkiewicz).

Figura 2.13 Funes de base lineares (simplex).

Uma vez que dispomos de uma base constituda por Ni(x), em que i(t) so as coordenadas nessa
base, qualquer funo pe(x,t) definida sobre e pode ser representada por:
r
p e ( x, t ) = ie (t ) N ie ( x) (2.40)
i

A equao (2.40) tem a mesma forma de (2.3) com a diferena de que esta ltima definida para
todo o domnio. Assim, a funo p(x,t) aproximada por:

n n
r
p ( x, t )  p ( x, t ) = p e ( x, t ) = ie N ie
e =1 e =1 i =1
8 (2.41)
p  N

A aplicao do mtodo envolve as seguintes etapas:

1) Discretizao do domnio

Corresponde partio do domnio em subdomnios. Os pontos que separam os subdomnios so


designados por ns e os subdomnios entre cada n so designados por elementos. A criao da
malha envolve a definio do nmero de elementos, o espaamento entre os ns e a respectiva
localizao. Estes factores dependem do conhecimento da forma como a funo p se comporta ao
longo do domnio, uma vez que no h critrios para a tomada de deciso acerca dos aspectos
referidos. Alis, a prpria numerao dos ns tem um papel importante na formulao do mtodo,
uma vez que, com um bom sistema de numerao consegue-se gerar matrizes simtricas ou,
quando tal no possvel, matrizes com bandas. Uma boa referncia sobre assunto (Cook 1989).

2) Interpolao

Corresponde aproximao da funo p, em cada elemento finito, atravs de uma funo


interpoladora (normalmente um polinmio), que no necessita de ser a mesma para todos os
elementos, embora seja necessrio garantir a continuidade entre elementos finitos adjacentes;

57
3) Formao das equaes elementares

Estabelecendo a formulao matemtica do problema, seja pelo mtodo Rayleigh-Ritz que usa o
funcional associado EDA, seja pelo mtodo de Galerkin, atravs da formulao fraca da referida
equao, as aproximaes do passo 2 so substitudas na formulao escolhida obtendo-se as
equaes elemento;

4) Formao do sistema global de equaes

O sistema global de equaes definido combinando as vrias equaes elemento com base em
regras de conectividade simples;

5) Imposio das condies fronteira

Uma vez que as condies fronteira no so, normalmente, includas nas equaes elemento, s
nesta fase que possvel incorpor-las no sistema. Tal feito modificando o sistema de equaes,
introduzindo as equaes associadas s condies fronteira.

6) Resoluo do sistema global de equaes

O sistema global de equaes tipicamente esparso, simtrico e definido positivo (Nikishkov


2004). Para o resolver podem ser usados mtodos directos ou iterativos. A soluo do sistema o
conjunto de valores nodais ie da funo p (Eq. (2.41)).

O mtodo particularmente vantajoso em problemas bi e tri-dimensionais e/ou em domnios com


geometria complexa, fundamentalmente porque proporciona uma tcnica geral e sistemtica para construir
as funes base, o que no acontece nos outros mtodos de aproximao. As principais vantagens so
(Hsu 1996b):

A funo incgnita pode ser aproximada por diferentes funes interpoladoras, evitando
assim utilizar uma nica funo aproximadora para todo o domnio;

As propriedades fsicas dos vrios elementos finitos podem ser diferentes (materiais
anisotrpicos);

O tratamento de geometrias irregulares mais simples (os elementos finitos podem ser
curvilneos nas fronteiras);

Resultados mais precisos do que o MDF para o mesmo nmero de ns;

Fcil incorporao das condies fronteira;

Podem ser usadas aproximaes de ordem superior para melhorar a preciso.

De seguida descrevem-se as duas formulaes possveis: o mtodo Rayleigh-Ritz e o mtodo de


Galerkin.

58
2.2.4.2.1 O mtodo de Galerkin (formulao fraca) aplicado EDA

Recorde-se aqui o problema a estudar:

p 2 p p
=D 2 (2.42)
t x

com condio fronteira:

p J Jp
= n = f +g (2.43)
x 2qDn 2qD p

em que:

Jn Jp
f = e g= (2.44)
2qDn 2qD p

Defina-se o resduo, R(x), como a diferena entre o primeiro e o segundo membro de (2.42):

p 2 p p
R ( x) = D 2 + (2.45)
t x

Substituindo a aproximao (2.41) em R( x) , tenta-se fazer R ( x) = 0 , escolhendo adequadamente os

coeficientes ie em p ( x, t ) . A formulao de Galerkin no contexto do MEF estabelece que a mdia pesada


dos resduos deve ser nula, com a funo peso igual funo base Ni(x) (Zienkiewicz 1983; Gerald 1994).
Assim, numa notao matricial, temos:

xr
T p
2 p p
t x 2 + dx = 0
xl
N D (2.46)

Substituindo ento aproximao (2.41) em (2.46), e integrando por partes o termo de segunda
ordem, temos:

xr x x
p r
NT p r

T p
x x x x N dx = D ( f + g ) N xl
T xr
x t +
T
N dx D dx (2.47)
l l l

Substituindo a aproximao para p(x,t) (2.41) em (2.47) resulta:

x x x
r T r
NT N r T
N Ndx = D ( f + g ) NT
xr

t xl
N Ndx D
xl
x x
dx +
xl xl
(2.48)

que tem a forma genrica:


M + K + F = 0 (2.49)
t

em que:

59
xr

M = NT Ndx
xl
xr x
NT N r
NT N
K = D dx + dx (2.50)
xl
x x xl

F = D ( f + g ) NT
xr

xl

A equao (2.49) representa um sistema finito de equaes diferenciais ordinrias para a


determinao dos coeficientes i(t).

Uma formulao semelhante foi utilizada em (Morel 1994) para desenvolver um modelo de
variveis de estado (mtodo EVIAM) para dodos PiN. A base conceptual a mesma mas com menos
funes de base relativamente ao mtodo dos elementos finitos.

2.2.4.2.2 O mtodo Rayleigh-Ritz (funcional) aplicado EDA

Neste mtodo o objectivo encontrar uma funo , designada por funcional, cuja estacionaridade
seja equivalente soluo do problema original. No caso particular da EDA, o funcional pode ser
definido numa forma integral por (Arajo 1998a):

1 p 2 p2 p p J Jp
=
2 x

+ + d
2 D D t n
2qD
n 2qD p
p d


(2.51)

sendo o domnio do problema e a respectiva fronteira. Como o leitor poder comprovar, a


derivada de em ordem a p equivalente a (2.42) e (2.43). Assim, a soluo do problema original
equivalente soluo de:


=0 (2.52)
p

Utilizando a mesma aproximao (2.41) para p(x,t), a soluo de (2.52) resulta novamente num
sistema da forma (Arajo 1998a):


M + K + F = 0 (2.53)
t

com a propriedade de que as matrizes so simtricas. Tal deve-se ao facto de os polinmios


presentes no funcional (2.51) serem de grau inferior ou igual a dois.

Neste contexto demonstra-se que as matrizes de (2.53) so:

60
xr
1 T
M= N Ndx
xl
D
xr x
NT N r
NT N
K = dx + dx (2.54)
xl
x x xl
D

F = ( f + g ) NT
xr

xl

resultando num sistema equivalente a (2.50).

Esta metodologia foi usada para resolver numericamente a equao de difuso ambipolar, tendo
sido desenvolvido um modelo para o dodo PiN de potncia (Arajo 1997) e para o transstor bipolar de
juno de potncia (Arajo 1998b).

A propriedade de simetria referida permite a implementao em simuladores de circuitos elctricos


de uso genrico, como os da famlia SPICE, atravs de uma analogia entre a concentrao de portadores e
a tenso num circuito constitudo por resistncias, condensadores e fontes de corrente. Por outras
palavras, o sistema representado por (2.53) equivalente ao sistema representado por:

V
C + GV + I = 0 (2.55)
t

em que C representa a matriz das capacidades, G a matriz das condutncias e I a matriz associada
s fontes de corrente. O circuito elctrico correspondente tem a configurao Figura 2.14:

C1,2 Ci,j Cn-1,n

R1,2 Ri,j Rn-1,n


I1 I2
C1 R2 Ci Rj Cn-1 Rn
R1 C2 Ri Cj Rn-1 Cn

Elemento 1 Elemento i Elemento n-1

Figura 2.14 Circuito elctrico equivalente da EDA pelo MEF.

Esta caracterstica , sem dvida, uma das grandes vantagens deste modelo uma vez que,
tradicionalmente, os modelos de elevada preciso exigem uma implementao em simuladores que
forneam algum mecanismo de insero do modelo no cdigo do simulador.

O mtodo tem ainda a virtude de permitir uma modelao modular em que a alterao das
propriedades do domnio feita por alterao dos parmetros de cada circuito elementar e em que a
modelao dos vrios componentes semicondutores efectuada por simples mudana dos parmetros nos
mdulos associados.

Com esta implementao, para alm das caractersticas elctricas externas, o modelo permite
conhecer o comportamento interno do dispositivo atravs da distribuio da concentrao de portadores
na regio da base (acessvel nas tenses dos ns da malha RC).

61
2.3 Anlise qualitativa dos modelos
Aps uma descrio das vrias abordagens de modelao, tenta-se neste ponto fazer uma anlise de
conjunto, comparando as tcnicas segundo vrias perspectivas. Para tal, utilizar-se- um conjunto de
critrios que foram sendo pontualmente referidos em 2.2:

Preciso dos resultados;


Tempo de clculo;
Convergncia;
Numero de parmetros;
Gama de validade;
Facilidade de implementao;
Potencial em termos de desenvolvimento futuro;
Campo de aplicao.

2.3.1 Modelos empricos

A classe dos modelos empricos est especialmente vocacionada para aplicaes especficas, em que
o objectivo consiste no dimensionamento e caracterizao de circuitos de potncia com um nmero
elevado de semicondutores. Se a topologia no variar significativamente e for suficiente uma previso
superficial do comportamento do dispositivo, uma vez ajustados os parmetros topologia, ento os
modelos empricos so uma boa aposta devido rapidez ao nvel de tempo de simulao, sendo esta a sua
principal vantagem. Num estudo efectuado em (Sheng 1996) a relao entre o tempo de simulao do
modelo emprico de (Sheng 1996) e modelos baseados na fsica dos semicondutores foi de 1 para 10.

Nos modelos em que a implementao feita pela associao de modelos convencionais


MOS/BJT, o nmero de parmetros necessrios pode ser excessivo, aumentando o esforo
computacional, especialmente nos dispositivos multi-juno ou dispositivos com estruturas mistas
MOS/BJT, como o IGBT. Por outro lado, o uso destes modelos convencionais no contexto dos
semicondutores de potncia, em particular o uso de modelos BJT para representar a parte p-n-p do IGBT
perdem parcialmente ou totalmente o seu significado fsico. Tal deve-se ao facto dos modelos de BJT de
sinal, apresentarem uma base muito estreita e ganho no unitrio, ao contrrio dos IGBTs de base larga.
Assim, os efeitos de injeco de alto nvel e recombinao na base no so adequadamente representados.
Especialmente, a aproximao quasi-static no se aplica se a durao do ciclo transitrio for semelhante ou
inferior ao tempo de trnsito dos portadores (Leturcq 1999), limitando a gama de validade do modelo, j
de si reduzida.

O principal campo de aplicao enquadra-se pois ao nvel da anlise de sistemas de grande


dimenso, onde os aspectos dinmicos, nomeadamente os associados s comutaes, so pouco
importantes e onde o tempo de clculo um factor preponderante.

No entanto, em termos de potencial futuro esto algo limitados devido, principalmente, fraca

62
preciso da maior parte dos modelos e ao aparecimento de modelos baseados noutras tcnicas, com
relaes preciso/tempo de clculo cada vez mais interessantes e praticveis (Kraus 1998b).

2.3.2 Modelos analticos

Modelos analticos de carga distribuda de transformao

Foram os mtodos que mais contriburam para o avano do estado da arte na rea de modelao de
semicondutores de potncia. Existem j modelos para os principais dispositivos de potncia (dodo,
transstor bipolar, MOSFET, IGBT, tiristor, GTO e MCT) descrevendo os fenmenos bsicos destes
dispositivos, com um custo razovel ao nvel de requisitos computacionais.

No que diz respeito aos parmetros, nos modelos analticos sempre possvel, em geral, comparar
resultados de simulaes com resultados experimentais e, desta forma, estimar os parmetros. No entanto,
se o modelo exigir um conjunto elevado de parmetros (como o IGBT) esta tarefa torna-se fastidiosa,
seno impossvel. Como os parmetros so principalmente de natureza geomtrica e fsica a sua
determinao exige algum esforo.

Em geral so modelos difceis de implementar em simuladores de uso genrico, como os da famlia


SPICE, pelo que, regra geral, tm sido implementados em simuladores especficos ou com mais
capacidades de integrao das equaes do modelo, como o SABER. No entanto, tem-se verificado nos
ltimos anos algum esforo para ultrapassar esta dificuldade.

Dada a sua natureza fsica, so modelos que se podem aplicar a qualquer problema de projecto de
circuitos de potncia, apresentando uma gama de validade extensa. O campo de aplicao mais apropriado
ser o projecto de circuitos de potncia com um nmero baixo/mdio de componentes (Kraus 1998b).

Modelos analticos lumped-charge

Os modelos Lumped, para alm da facilidade de implementao, oferecem normalmente um bom


compromisso entre tempo de simulao e preciso. Este conceito j demonstrou ser capaz de modelar,
pelo menos com um grau moderado de preciso, as importantes caractersticas dos fenmenos fsicos
associados aos semicondutores de potncia (Kraus 1998b). Comparativamente s restantes tcnicas, e no
que diz respeito preciso, esta abordagem situa-se entre os modelos empricos e os restantes modelos
analticos.

Normalmente so necessrios apenas alguns parmetros, que tem que ver principalmente com as
caractersticas elctricas do dispositivo. Assim, a determinao dos parmetros comparativamente menos
exigente (Kraus 1998b; Tan 1999).

Esta uma abordagem vocacionada para a simulao de circuitos de potncia com um nmero
elevado de componentes.

63
2.3.3 Modelos numricos

A modelao numrica o mtodo que permite a obteno de solues mais precisas mas com
longos tempos de simulao (Kraus 1998b). Parte dessa preciso resulta de uma detalhada base fsica que
implica conhecimento rigoroso de todos os parmetros tecnolgicos, como o perfil de dopagem e as
vrias componentes geomtricas. Estas informaes no esto normalmente disponveis para a
comunidade cientfica, razo pela qual os modelos com base fsica, em geral e os modelos numricos, em
particular, no so ainda suficientemente usados no projecto de sistemas de electrnica de potncia. A
dificuldade de implementao em simuladores de uso genrico tambm no ajuda a essa generalizao.

Alguns artigos na literatura tm feito referncia, e de certa forma um apelo, para que os fabricantes
suportem activamente o desenvolvimento dos modelos, fornecendo os parmetros necessrios, no sentido
de promover no seio da comunidade cientfica, na rea de projecto de circuitos, a adopo destes modelos.
Enquanto tal acontece, o uso desta abordagem de modelao tem estado limitada aos fabricantes para
investigao dos seus prprios produtos (Tan 1999).

2.3.4 Modelos hbridos

Os modelos hbridos foram desenvolvidos com o intuito de combinar as vantagens dos modelos
analticos e dos modelos numricos. O uso de uma formulao numrica para obter a soluo da EDA
permite obter resultados precisos mantendo tempos de simulao bastante competitivos. Desta forma
consegue-se obter um bom compromisso entre preciso e tempo de simulao.

Como esta abordagem se suporta na resoluo da EDA, os modelos tm uma base fsica forte e
uma gama de validade importante.

A principal desvantagem que tem sido apontada a esta classe de modelos a difcil implementao
em simuladores de uso genrico (Palmer 1998; Busatto 2000; Sheng 2000). De facto, os modelos
inicialmente desenvolvidos requerem algum esforo na incorporao das rotinas da componente
numrica, razo pela qual tm sido implementados no simulador SABER.

O trabalho de Arajo (Arajo 1998a) veio alterar este panorama uma vez que a formulao
desenvolvida permite uma implementao simples nos simuladores da famlia SPICE. Com esta
implementao, para alm das caractersticas elctricas externas, o modelo permite analisar o
comportamento interno do dispositivo atravs da distribuio da concentrao de portadores na regio da
base.

Estas caractersticas, aliadas ao aumento expectvel das capacidades computacionais a custos cada
vez mais reduzidos, permitem caracterizar esta abordagem como de elevado potencial. O principal campo
de aplicao reside na simulao circuitos com um nmero reduzido de componentes.

64
2.4 Concluses
Relativamente aos vrios mtodos referidos, h hoje em dia trs em posies de destaque: o modelo
hbrido (MEF) e os modelos analticos (Fourier e lumped-charge). Estas trs abordagens, que sobressaram
originalmente nas reas de sistemas com um baixo, mdio e elevado nmero de componentes,
respectivamente, competem hoje em dia pelo alargamento do seu campo de aplicao. Essa evoluo
depender dos esforos dos investigadores, em cada uma das reas, do suporte das empresas de produtos
de simulao, mas est tambm condicionada pelos seguintes factores (Kraus 1998b):

Especificao de requisitos:

Devem ser especificados, por parte dos responsveis por projectos de circuitos de potncia,
requisitos, como por exemplo, a relao preciso/tempo de clculo, de modo que possam ser
desenvolvidos modelos com essas caractersticas. Esse processo de especificao deve decorrer de uma
forma organizada sob pena de ocorrerem desenvolvimentos no desejados;

Extraco de parmetros

Como j foi referido, a determinao de parmetros, especialmente em mtodos de elevada


preciso, uma das questes crticas que urge resolver (Kraus 1998b; Kraus 1998a; Tan 1999). De facto,
estes modelos implicam um conhecimento detalhado acerca dos dispositivos que, na maior parte dos
casos s possvel com a colaborao dos fabricantes. Estes tm, por isso, um papel fundamental no
desenvolvimento do estado da arte. Alis, os limites da preciso da simulao so muitas vezes devidos
reduzida preciso dos parmetros e no ao prprio modelo (Tan 1999), sendo prefervel, nesses casos,
optar por modelos mais simplificados com o consequente ganho em tempo de simulao.

Recursos computacionais

O aumento esperado do poder computacional favorece claramente os mtodos mais precisos


(numricos, hbridos e alguns analticos) e, provavelmente, acabar por determinar qual dos mtodos
dominar a rea da simulao de circuitos no futuro, sem bem que tal no implicar a extino de qualquer
um dos mtodos mas sim uma reformulao dos campos de aplicao de cada um.

Tendo em conta os objectivos propostos para este trabalho e perante o enquadramento realizado
neste captulo, decidiu-se optar pela abordagem hbrida, na vertente do Mtodo dos Elementos Finitos
(MEF), para desenvolver o modelo do IGBT, cuja fundamentao terica e implementao se descrevem
nos captulos seguintes.

65
3 3 Modelao de IGBTs baseada no MEF

Na sequncia da sntese realizada no captulo anterior, desenvolve-se neste captulo o modelo para
o IGBT baseado no MEF, bem como a respectiva implementao no simulador IsSpice4. Esta abordagem
hbrida utiliza uma componente numrica para modelar a zona da base - zona extensa e fracamente
dopada, principal responsvel pelo comportamento dinmico do dispositivo - e uma componente analtica
para as restantes zonas (emissor, regio de depleo, canal MOS e as quedas de tenso), permitindo
descrever com rigor os fenmenos elctricos e fsicos do IGBT.

O ncleo fundamental do modelo reside na soluo da distribuio dos portadores na base do


dispositivo (zona n), a qual obtida pela resoluo da EDA atravs uma abordagem variacional com
posterior minimizao pelo MEF.

O modelo global do IGBT, baseado na fsica dos semicondutores, implementado num simulador
de uso genrico da famlia SPICE: o IsSpice4.

67
3.1 Descrio do IGBT

3.1.1 Histria

O Transstor Bipolar de Porta Isolada, ou IGBT, um semicondutor bipolar de potncia que


combina as caractersticas de entrada de um MOSFET com as caractersticas de sada de um transstor
bipolar de juno (BJT). De facto, o dispositivo controlado entrada pela tenso do MOSFET,
enquanto a corrente de sada determinada pela componente bipolar, resultando daqui a terminologia do
dispositivo.

A combinao de uma baixa resistncia em conduo com a elevada impedncia de entrada uma
das principais vantagens do IGBT. Estas caractersticas, aliadas ao facto de o IGBT ser controlado em
tenso, torna o circuito de comando bastante simples. Por outro lado, a estrutura do IGBT reduz a
capacidade de transferncia inversa (Crss) devido a uma elevada densidade de corrente (Mitter 1995). Como
tal, as necessidades em termos de potncia do circuito de comando so tambm reduzidas. A elevada
densidade de corrente fruto do efeito de modulao da condutividade da base do IGBT, resultando
tambm numa baixa queda de tenso em conduo (baixas perdas de conduo). Outra vantagem, em
condies de corrente elevada, o facto de o IGBT apresentar um coeficiente de temperatura positivo, o
que significa que a resistncia em conduo aumenta com o aumento da temperatura, no existindo o
risco de o dispositivo se destruir por sobreaquecimento.

A principal desvantagem a sua limitao em termos de frequncia e perdas de comutao, devido


ao tempo necessrio para remover toda a carga armazenada durante a fase de conduo, criando o efeito
designado por cauda da corrente.

O IGBT, introduzido no incio da dcada de oitenta, tem vindo a conquistar terreno relativamente
a outros semicondutores, sendo expectvel que substitua dispositivos convencionais como o tiristor, o
GTO ou o triac. Hoje em dia, o IGBT j o semicondutor dominante na zona da mdia e alta tenso.

As suas principais aplicaes incluem o controlo de motores, inversores, fornos micro-ondas,


robtica, indstria automvel, entre muitas outras (Elmazria 1996; Powerex 2005).

68
Figura 3.1 Panorama do domnio de aplicao de vrios semicondutores de potncia (Powerex 2005).

3.1.2 Simbologia

O IGBT pode ser representado simbolicamente por qualquer uma das representaes ilustradas na
Figura 3.2. Para designar os elctrodos so utilizadas trs terminologias, consoante o fabricante (Elmazria
1996):

G (Porta), E (Emissor) e C (Colector);

G (Porta), A (nodo) e K (Ctodo);

G (Porta), S (Fonte) e D (Dreno).

A terminologia mais frequente (a primeira) a utilizada nesta tese por defeito. Excepcionalmente
usar-se- a terceira para tornar mais claro a distino entre os elctrodos do IGBT e do transstor bipolar
interno.

Figura 3.2 Smbolos do IGBT.

3.1.3 Estrutura fsica e circuito equivalente

A Figura 3.3 mostra a estrutura fsica de metade de uma clula de um IGBT e o respectivo circuito

69
equivalente simplificado sobreposto na estrutura. A estrutura do IGBT bastante similar do MOSFET
vertical de potncia (VDMOS), com a excepo de que o contacto de dreno do tipo n+ substitudo por
um substrato do tipo p+ 1. Uma camada epitaxial do tipo n e fracamente dopada (1014 cm-3)
desenvolvida em cima do substrato p+, de modo a ser possvel o bloqueio de tenses elevadas.

Porta
Ctodo
(emissor) Metal

xido

Polisilcio

n+ Fonte
p
p+ Colector(BJT)

J2
Regio
depleo

n-
Base(BJT) Dreno
J1
p+ Emissor(BJT)

(colector)
nodo

Figura 3.3 Estrutura fsica de metade da clula de um NPT-IGBT e respectivo circuito equivalente.

Por estas razes, o IGBT comummente visto como um transstor BJT PNP de base larga
comandado por um transstor MOS de canal n (Figura 3.4).

Figura 3.4 Circuito equivalente simplificado do IGBT.

A estrutura atrs descrita conhecida como Non-Punch-Through (NPT), ou estrutura homognea,

1 O smbolo + colocado para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto o smbolo indica que a regio
fracamente dopada.

70
enquanto a estrutura designada por Punch-Through (PT), ou estrutura epitaxial, caracterizada por possuir
uma camada n+ (buffer layer) altamente dopada, entre o substrato p+ e a base n (Figura 3.5).

NPT PT
Figura 3.5 Estruturas NPT e PT do IGBT.

A designao PT tem que ver com o facto de a largura da zona n ser inferior dos NPT e, como
tal, ser possvel que as junes J1 e J2 coincidam. O objectivo de incluir a buffer layer conseguir
frequncias de comutao mais elevadas. A camada n+ permite, por um lado, limitar a eficincia de
injeco de lacunas, e por outro, armazenar parte da carga durante o estado de conduo. De facto, esta
zona limita a quantidade de lacunas injectadas na base, devido recombinao entre os electres e as
lacunas provenientes do emissor. Por outro lado, como o tempo mdio de vida dos portadores inferior,
a remoo das cargas armazenadas nesta zona mais rpida.

Como resultado, o processo de comutao mais rpido resultando em frequncias de comutao


mais elevadas, como desejado. O reverso da moeda um aumento da resistncia da base devido menor
presena de portadores injectados na base, resultando numa queda de tenso em conduo superior. A
capacidade de bloqueio em tenso vem tambm reduzida devido a uma menor extenso da zona n da
base.

Esta uma das tcnicas utilizadas pelos fabricantes para melhorar a velocidade de comutao do
IGBT. No entanto, outras tcnicas comuns incluem a injeco de materiais, como ouro e platina, na zona
epitaxial ou processos de irradiao de electres ou neutres no silcio (Elmazria 1996).

O modelo desenvolvido nesta tese abrange apenas IGBTs com estruturas planares, nomeadamente
NPT e PT. Para alm destas estruturas mais comuns, existem hoje em dia outras estruturas presentes nos
dispositivos mais recentes (4 e 5 geraes), como por exemplo os trench-gate IGBT (Motto 1998;
Pfaffenlehner 2004; Stockmeier 2004), que permitem densidades de corrente significativamente superiores
e eliminam o efeito do tiristor parasita (Elmazria 1996).

71
3.1.4 Princpio de funcionamento

Aplicando uma tenso na porta, superior tenso limiar de conduo (Vth), os electres so
atrados do p+ body para a superfcie na parte inferior da porta, criando nesta uma zona de inverso, com a
consequente formao um canal do tipo n, estabelecendo uma via para o fluxo de cargas entre a fonte n+ e
a regio da base n.

Em funcionamento normal, o ctodo do IGBT encontra-se ligado massa. Quando uma tenso
positiva aplicada no nodo do IGBT, o emissor p+ injecta portadores minoritrios (lacunas) na regio n
da base. Para uma tenso de nodo suficientemente elevada, a concentrao de lacunas injectadas excede
(100 a 1000 vezes) o nvel de dopagem na base, dando origem ao fenmeno conhecido por modulao da
condutividade, ou seja, uma reduo da resistncia da base. Das lacunas injectadas na base, parte so
recolhidas pelo body, encaminhando-se para o ctodo, enquanto as restantes recombinam-se na base com
electres provenientes da fonte do MOSFET. Os restantes electres so recolhidos no emissor p+. A
soma das correntes de electres e de lacunas constitui a corrente total que fli no dispositivo. O
mecanismo de conduo descrito est ilustrado na Figura 3.6.

Figura 3.6 Circulao de portadores num IGBT (Semikron 2004).

A sada de conduo feita novamente pelo controlo da tenso na porta. Assim, quando esta for
inferior tenso limiar de conduo, a zona de inverso formada na parte inferior da porta no pode ser
mantida, deixando de existir corrente de electres no canal. A corrente de lacunas, relativa carga de
portadores minoritrios armazenados na base do IGBT, requer ainda algum tempo at ser completamente
extinta. A velocidade de comutao dos IGBTs vem assim limitada pela capacidade de extraco da carga
entretanto armazenada na base n durante a fase de conduo. Nesta situao, qualquer tenso de nodo
directa ser suportada pela juno p+ body / base n que se encontra inversamente polarizada.

72
3.2 Modelo do IGBT
Como se viu na Figura 3.3, o IGBT caracterizado por um conjunto de zonas, entre as quais, a
zona n de armazenamento de portadores. Esta descrita pela componente numrica do modelo atravs
da soluo da EDA. A componente analtica responsvel pela modelao das restantes zonas do IGBT,
atravs de abordagens clssicas.

A Figura 3.7 representa o circuito elctrico equivalente do NPT-IGBT. Com base na distribuio da
concentrao de portadores, possvel determinar a queda de tenso na base do IGBT, atravs de Rb. O
conhecimento das fronteiras da zona n, e como de tal, da zona de depleo, permite calcular a queda
nesta ltima (Vsc). A queda total ao longo do IGBT fica completa com Vp+n.

Figura 3.7 Circuito elctrico equivalente do NPT-IGBT.

Relativamente corrente que atravessa o semicondutor, ela dividida nas suas duas componentes.
Assim, do lado do emissor p+, a corrente de electres determinada em funo da concentrao na juno
p+/ n. sada da zona n a corrente de electres determinada pela corrente no canal MOS.

As capacidades MOS (Cgs, Cgd e Cds) completam os fenmenos associados ao comportamento


dinmico do IGBT.

Nos pontos seguintes so apresentados os modelos para as vrias regies que compem o IGBT:

Modelo da regio de armazenamento de portadores (zona n);

Modelo do emissor p+;

Modelo da regio de depleo;

73
Modelo do canal MOS;

Modelo das quedas de tenso

3.2.1 Zona de armazenamento de portadores - resoluo da EDA

3.2.1.1 Modelo para a equao de difuso ambipolar (EDA)

O modelo utilizado nesta tese baseia-se num conjunto clssico de equaes comummente utilizadas
na descrio fsica de dispositivos semicondutores: equaes de continuidade da densidade de corrente,
equaes de densidade de corrente e equao de Poisson.

Admite-se um fluxo de portadores unidimensional (normal ao plano das junes), injeco de alto
nvel (n p) nas zonas fracamente dopadas (com excepo das zonas de depleo) e quasi-neutralidade do
cristal semicondutor. Nestas condies, admite-se que a concentrao em excesso igual concentrao
total (Berraies 1998). Neste contexto, as referidas equaes so expressas por (Shockley 1950; Gray 1967;
Liou 1992):

Equaes da densidade de corrente:

p
J p = qp p E qD p (3.1)
x

n
J n = qnn E + qDn (3.2)
x

com Jp a densidade de corrente de lacunas e Jn a densidade de corrente de electres;

Equaes de continuidade da densidade de corrente:

p p 1 J p
= (3.3)
t q x

n n 1 J n
= + (3.4)
t q x

Equao de Poisson:

d 2V E ( x)
. = = (3.5)
dx 2
x si

com si a permitividade do silcio. A densidade de carga (x) composta por ND e NA,


correspondentes aos dadores e receptores ionizados, e por p e n, correspondentes a lacunas e electres
livres:

( x) = q ( p n + N D N A ) (3.6)

Nestas equaes, os termos relativos s difusibilidades (Dn,p) e s mobilidades (n,p) so consideradas

74
constantes1, e relacionadas pela relao de Einstein:

Dn Dp KT T
= = = VT (3.7)
n p q

Por eliminao do campo elctrico (E) em (3.1) e (3.2) e com injeco de alto nvel (n p) resulta:

Jn J p p
= 2q (3.8)
Dn D p x

A partir (3.3), (3.4) e da derivao de (3.8), com n p, obtm-se a equao de difuso ambipolar
(EDA) que descreve a distribuio dos portadores de carga:

p 2 p p
=D 2 (3.9)
t x

com:

D p Dn
D=2 (3.10)
D p + Dn

A condio fronteira genrica associada a (3.9), descrita por (3.8) em termos de corrente :

p 1 In Ip
= (3.11)
x 2qA Dn D p

em que In/Ip so as correntes de electres/lacunas nas fronteiras da regio n. Como estas fronteiras
so mveis, devido ao desenvolvimento da regio de depleo, (3.9) e (3.11) so vlidas apenas entre xl e
xr (Figura 3.8).

Figura 3.8 Parte bipolar do NPT-IGBT.

A figura apresenta a componente bipolar do modelo 1D do IGBT para uma estrutura NPT. Assim,
as condies fronteira definidas em funo da corrente total (IT = Ip + In) so dadas por:

1 Na verdade, as mobilidades e difusibilidades diminuem com o nvel de dopagem, no entanto, a gama de valores tipicamente
usados ( 1014 cm-3) justifica a aproximao.

75
p 1 IT 2 I nl
= +
x xl 2qA D p D
(3.12)
p 1 IT 2 I nr
x = +
xr 2qA D p D

A corrente I nl corresponde corrente de electres que recombinam no emissor e I nr a corrente

do canal da componente MOS do dispositivo. Assim vem:

1 IT 2qAhp p xl
2

p = +
x 2qA D p D
xl
(3.13)

p 1 IT 2 I mos
= +
x xr 2qA D p D

com I nl = qAhp p 2xl de acordo com o modelo definido em 3.2.3 e I nr = I mos . O modelo para a

corrente no canal Imos apresentado em 3.2.4.

3.2.1.2 Aproximao por elementos finitos

Em (Arajo 1997; Arajo 1998a; Arajo 1998b; Arajo 1998c) mostra-se que a EDA pode ser
resolvida usando uma formulao variacional, com posterior soluo pelo mtodo dos elementos finitos.
De seguida faz-se uma sntese desta formulao. Para uma anlise mais detalhada recomenda-se a leitura
das referncias apontadas, em particular (Arajo 1998a).

Tal como descrito em 2.2.4.2.2, a formulao de Rayleigh-Ritz usa o seguinte funcional associado a
(3.9) e (3.11):

1 p 2 p2 p p J Jp
= +
2 x

+ d
2 D D t 2qD

n
p d
2qD p
(3.14)
n

sendo o domnio do problema e a respectiva fronteira.

A minimizao de atravs do MEF resulta num sistema de equaes diferenciais ordinrias na


forma:

p
M + K [ p ] + F = [ 0] (3.15)
t

com:

76
xr
1 T
M= N Ndx
xl
D
xr x
NT N r
NT N
K = dx + dx (3.16)
xl
x x xl
D

F = ( f + g ) NT
xr

xl

Usando funes de forma lineares obtm-se:

2 1
1 4 1
Al
M= ee % % % (3.17)
6D
1 4 1
1 2

1 1 2 1
1 2 1 1 4 1
A Al
G= e % % % + e e % % % (3.18)
le 6 D
1 2 1 1 4 1
1 1 1 2

L = ( f + g ) A1 0 " 0 ( f + g ) An
T
(3.19)

em que Ae e le so, respectivamente, a rea e a largura de cada elemento finito.

As matrizes (3.17) a (3.19) so obtidas atravs das matrizes elementares associadas a cada elemento
finito:

Ae le 2 1
Me = 1 2 (3.20)
6D

Ae 1 1 Ae le 2 1
Ge = 1 1 + 6 D 1 2 (3.21)
le

e com LEi definida apenas no primeiro e ltimo elementos:

L E1 = ( f + g ) A1 0
T

(3.22)
L En = 0 ( f + g ) An
T

A simetria observada nas matrizes anteriores permite uma implementao no simulador SPICE,
atravs de uma analogia entre as concentraes de portadores e a tenso nos diferentes ns, associados a
um circuito elctrico constitudo por resistncias e condensadores:

77
Cij

Rij

Ci Rj
Ri Cj

Figura 3.9 Circuito elctrico equivalente de um elemento finito.

com:

Ae le Al
Cij = ; Ci = C j = e e
6D 2D
(3.23)
6 D le 2 D
Rij = ; Ri = R j =
6 D Ae Ae le
2
Ae le

A associao em srie de malhas RC, cada uma delas correspondendo a uma parte do domnio, isto
, a um elemento finito, em conjunto com duas fontes de corrente para a implementao das condies
fronteira (matriz L), resulta num sistema de equaes na forma:

V
C + G [V ] + I = [ 0] (3.24)
t

equivalente a (3.15), ou seja, com as matrizes C, G e I dadas por (3.17), (3.18) e (3.19),
respectivamente.

Assim, a soluo da EDA ao longo da base n por ser obtida atravs da soluo do circuito
elctrico da Figura 3.10:

Figura 3.10 Circuito elctrico equivalente da EDA pelo MEF.

A soluo da EDA passa pois pela definio de:

Um subcircuito RC que emula um elemento finito. O nmero de subcircuitos em srie igual ao


nmero de elementos necessrios para a partio do domnio;

Um subcircuito para o clculo da largura de cada elemento le. Essa largura calculada com uma
fonte de corrente de controlo das malhas RC.

De notar que:

78
A largura de cada elemento (le) um parmetro do subcircuito. Assim, possvel associar elementos
mais curtos nas zonas onde a concentrao varia rapidamente e elementos mais longos nas zonas onde a
concentrao muda mais lentamente.

Esta informao comportamental pode ser conhecida priori atravs dos simuladores numricos
de semicondutores, ou ento, atravs deste prprio modelo. De facto, uma vez conhecida a distribuio da
concentrao atravs das tenses nodais, possvel utilizar essa informao para passar de um modelo
com ns equidistantes, para outro com uma distncia nodal adaptada forma da distribuio;

As propriedades do dispositivo representadas por D e so tambm parmetros do subcircuito.


Utilizando valores diferentes em cada regio permite modelar com preciso os fenmenos associados a
materiais heterogneos.

Este aspecto pode ser especialmente til na modelao de dodos com controlo de tempo mdio de
vida (local lifetime control), situao em que funo de x. Para tal basta associar um valor de a cada
elemento, evitando assim alterar a resoluo da EDA como em (Bryant 2005);

O compromisso preciso/tempo de simulao pode ser modificado atravs da adio/remoo de


elementos (malhas RC) e das respectivas componentes no clculo das quedas de tenso.

3.2.2 Modelo para o clculo das fronteiras

No caso da base do IGBT, para alm da regio de armazenamento de carga, pode existir uma regio
de depleo na qual o transporte de carga feito essencialmente por conduo.

A Figura 3.11 ilustra as duas situaes: base saturada e no saturada.

a) Base no saturada b) Base saturada

Figura 3.11 Distribuio dos portadores na fase de desenvolvimento da regio de depleo do IGBT.

As fronteiras da regio de armazenamento, na qual a EDA se aplica, so por isso variveis e so


funo da extenso da regio de depleo. O conhecimento dessas fronteiras essencial para determinar a
largura de cada elemento finito.

Em conduo directa e com a base repleta de portadores (base saturada), as fronteiras so fixas e

79
coincidem com os limites metalrgicos da base (xl = 0 e xr =WB). No incio do regime de desaturao,
aps a sada de conduo do dispositivo, a regio de depleo desenvolve-se e a concentrao de
portadores em xr anula-se, devido ao forte campo elctrico (Berraies 1998), com tendncia para tomar
valores negativos. Como a zona de depleo apenas se desenvolve do lado do ctodo, xl mantm-se fixa.

O clculo das fronteiras um dos pontos-chave (Bonnet 2003) para uma correcta modelao da
dinmica das cargas, uma vez que determina a formao da zona de carga espacial, responsvel pelo
bloqueio em tenso do dispositivo.

O mtodo normalmente utilizado na determinao da evoluo das fronteiras consiste em deslocar


a fronteira, a partir do instante em que a concentrao na mesma tende a tomar valores negativos, impor a
condio de concentrao nula (p(xr) = 0) e iterar com ajustes sucessivos de xr at ser obtida convergncia
(Arajo 1998a).

Determinado xr, a largura da zona de depleo calculada por:

Wsc = WB xr (3.25)

Em termos de implementao, tal conseguido usando um esquema de realimentao de ganho


elevado, conforme descrito no ponto 3.3.3.

3.2.3 Modelo para as zonas emissoras

Os semicondutores bipolares de potncia so constitudos por uma ou mais zonas emissoras


(p+/n+), fortemente dopadas, com o objectivo de injectar portadores maioritrios na zona da base
fracamente dopada (n), e assim diminuir a queda de tenso directa de conduo. No entanto, h sempre
uma fraco de portadores minoritrios que so injectados, limitando assim a eficcia de injeco.

O controlo da eficcia de injeco uma das tcnicas para controlar a durao de vida dos
portadores, alterando desta forma o desempenho esttico e dinmico, durante a fase de concepo do
dispositivo (Berraies 1998).

Estas zonas emissoras so normalmente modeladas como zonas de recombinao, caracterizadas


pelo parmetro de recombinao h (Goebel 1994; Arajo 1998a; Berraies 1998).

p+ n-

Jn n

Jp p

0 we x

Figura 3.12 Fluxo de portadores numa juno p+/n.

80
Para uma juno p+/n como a da Figura 3.12, a densidade de corrente de portadores minoritrios
(electres) representada pela equao:

e
(
J n W = qh pn W
e
) (3.26)

ou, em condies de injeco de alto nvel:

J n W = qh p 2 (3.27)
e We

Considerando algumas aproximaes simplificativas, o valor do parmetro h pode ser calculado por
(Debrie 1996; Arajo 1998a):

h
Dn coth ( )
We
L
(3.28)
NAL

com L = Dn . No entanto, como esta expresso requer o conhecimento das propriedades fsicas
da zona emissora, comum utilizar-se um valor emprico conforme descrito nos pontos seguintes.

Alguns autores usam o parmetro Isne para representar a eficincia do emissor, que se relaciona com
o parmetro h por:

I sne = ni 2 qAh (3.29)

3.2.3.1 Emissores clssicos fortemente dopados

Em termos experimentais verifica-se que o valor de h nos emissores clssicos fortemente dopados
(1018 cm-3), se situa numa gama estreita de 1 a 310-14 cm4/s a 300K, com uma ligeira dependncia da
temperatura e pouco sensvel tecnologia usada1 (Reynes 1986).

Na falta de elementos que permitam definir o parmetro h em cada caso, a norma utilizar por
defeito o valor de 210-14 cm4/s para emissores p+ e 110-14 cm4/s para emissores n+ (Reynes 1986;
Debrie 1996; Bonnet 2004), e eventualmente proceder a um ajustamento para melhorar a concordncia
entre simulao/experincia.

3.2.3.2 Emissores transparentes

Os emissores transparentes so caracterizados por serem moderadamente dopados (1016 a 1018


cm-3) e estreitos (fraces de m a alguns m). Estes emissores so usados em algumas estruturas
bipolares, como dodos rpidos ou IGBTs, como alternativa ao controlo de injeco para diminuir a carga
armazenada na base (Debrie 1996).

A ordem de grandeza de h , de grosso modo, proporcional concentrao dopante NA, pelo que a

1 A explicao reside na conjuno dos efeitos da forte dopagem (recombinao de Auger, reduo da mobilidade, etc.) que
tendem a diminuir a influncia dos parmetros estruturais.

81
gama de variao aproximadamente de 10-11 a 10-13 cm-3 a 300K.

3.2.4 Modelo para o canal MOS

As expresses utilizadas para o MOS existente no IGBT so, de grosso modo, as mesmas da teoria
dos transstores MOS de potncia (VDMOS) (Hefner 1991; Leturcq 1997; Berraies 1998), com a excepo
de que a resistncia de dreno substituda por uma zona de base modulada em condutividade. Estas
expresses, analisadas nos pontos seguintes, so comummente usadas na modelao da componente MOS
do IGBT (Hefner 1994a; Leturcq 1997; Sheng 1999b).

3.2.4.1 Regime permanente

Utilizando um modelo simplificado (semelhante ao nvel 1 do SPICE), a formao do canal para


Vgs > Vth origina uma corrente na regio de trodo dada por:

V2
( )
I mos = K p Vgs Vth Vds ds
2
(3.30)

e na regio de saturao por:

( )
2
K p Vgs Vth
I mos = (3.31)
2

Vth a tenso limiar de conduo e Kp a transcondutncia. Esta ltima pode ser obtida pela frmula
K p = n ZCoxd / L se forem conhecidas algumas propriedades fsicas do canal (Z, L) (Simas 1989; Debrie

1996).

Este modelo bsico pode ser melhorado usando um modelo semi-emprico (semelhante ao nvel 3
do SPICE) que leva em conta alguns fenmenos mais visveis em estruturas de canal curto1 (Shen 1993;
Intusoft 2001) como:

Reduo da transcondutncia na regio de trodo;

Reduo da mobilidade devido ao campo elctrico transversal para tenses de porta elevadas;

Ruptura por avalanche para tenses de dreno elevadas.

Estes efeitos so modelados, respectivamente, por:

Factor K f = K plin K psat que representa a relao entre a transcondutncia na zona de trodo

e na zona de saturao;

Parmetro emprico associado reduo da mobilidade (Simas 1989; Trajkovic 1998)

Factor de multiplicao por avalanche M.

1 Estruturas com comprimento de canal tipicamente inferiores a 1-2 m.

82
Reescrevendo as equaes de corrente no canal temos:

I mos = 0 Vgs > Vth (3.32)



Kf 2 M
I = K K (V V ) V Vds Vds < (Vgs Vth ) K f
1 + (Vgs Vth )
mos p f gs th ds
2

sat



K psat (Vgs Vth )
2
M
I mos = Vds > (Vgs Vth ) K f

2 1 + (Vgs Vth )

com (Sze 1985; Hefner 1992; Bonnet 2004):

1
M= (3.33)
1 (Vds Vbr )
BVn

Vbr = BV f 5,34 1013 N B0,75 (3.34)

Os valores tpicos de BVn e BVf so, respectivamente, 4 e 1.

3.2.4.2 Regime dinmico

O comportamento dinmico governado pelas capacidades entre os terminais MOS como


ilustrado na figura seguinte:

Figura 3.13 Componente MOS do IGBT (notaes MOS).

A Figura 3.14 ilustra a localizao e formao das capacidades MOS na estrutura do IGBT, em
funo das tenses aos terminais MOS.

A capacidade no linear de Miller (Cgd) a mais importante para descrever com rigor o processo de
comutao da componente MOS. Esta capacidade descrita pela associao em srie da capacidade do
xido porta-dreno (Coxd) e da capacidade de depleo porta-dreno (Cgdj):

Coxd Vgd VTd


(3.35)
Coxd C gdj (C
oxd + C gdj ) Vgd > VTd

em que Cgdj definida por:

83
si Agd
C gdj = (3.36)
Wsc'

com:

Wsc' =
(
2 si Vgd + VTd ) (3.37)
qN B

resultando na seguinte expresso para a capacidade de Miller Cgd :

Coxd
C gd = (3.38)
W' C
1 + sc oxd
si Agd

Wsc a largura da zona de depleo formada na parte inferior da porta, ND o nvel de dopagem da
base e Agd a rea da regio MOS. Esta zona de depleo d origem a uma zona de acumulao para Vds
< Vgs VTd.

Vgs > Vth Vds < Vgs VTd Vgs < Vth (Vds > Vgs VTd)

Figura 3.14 Localizao e formao das capacidades MOS em funo das tenses.

A capacidade dreno-fonte (Cds) definida da mesma forma que Cgdj :

si Ads
Cds = (3.39)
Wsc

com:

2 si (Vds + Vbi )
Wsc = . (3.40)
qN B

Wsc a largura total da zona de depleo formada por baixo do substrato p+ e Ads a respectiva

84
rea. De notar que Agd + Ads representa a rea total A do dispositivo. Vbi o potencial interno da juno.

Como as duas zonas de depleo suportam tenses diferentes [(3.37) e (3.40)] e como Vgd = Vds
Vgs, vem:

' (
2 si Vgs +Vbi VTd )
Wsc = 0 Wsc < qN B
(3.41)
W ' = W 2 2 si (Vgs +Vbi VTd ) Wsc >
(
2 si Vgs +Vbi VTd )
sc sc qN B qN B

Note-se que a largura de depleo total Wsc dada por (3.25), resultante do clculo das fronteiras da
regio de armazenamento.

Finalmente, a capacidade porta-fonte (Cgs) normalmente extrada das curvas de capacidade e o uso
de um valor constante produz normalmente bons resultados (Leturcq 1997; Sheng 1999a).

3.2.5 Modelo para as quedas de tenso

Figura 3.15 Ilustrao das quedas de tenso do IGBT.

Como o modelo se comporta globalmente como uma fonte de tenso controlada em corrente,
necessrio calcular as quedas de tenso ao longo das vrias regies do IGBT (Figura 3.15). Desprezando a
contribuio das zonas fortemente dopadas e/ou estreitas (emissor e colector) a queda de tenso total em
conduo directa composta pelas seguintes componentes:

VIGBT = V p+ n + V + Vsc (3.42)

em que:

V p + n- Queda na juno emissor-base

V Queda na regio de armazenamento

Vsc Queda na regio de depleo

85
3.2.5.1 Queda na juno emissor-base

De acordo com a aproximao de Boltzmann, e em condies de alto nvel, a queda na juno p+n
pode ser calculada por:

p2
V p + n = VT ln 02 (3.43)
ni

com p0 a concentrao na respectiva fronteira, correspondente ao valor de concentrao no


primeiro n do primeiro elemento finito.

3.2.5.2 Queda na regio de armazenamento

A queda de tenso na regio n pode ser calculada por integrao do campo elctrico:

xr

V = Edx
xl
(3.44)

Das equaes de densidade de corrente (3.1) e (3.2) e desprezando a componente de difuso1, o


campo elctrico dado por:

J
E (3.45)
q( n n + p p)

Assumindo um nvel de dopagem uniforme e quasi-neutralidade (n = p + NB), resulta da


substituio de (3.45) em (3.44):

xr
1 J
V 
q x p( n + p ) + n N B
dx (3.46)
l

A equao (3.46) pode ser vista como a queda de tenso numa resistncia modulada em
condutividade:

V = IT RB (3.47)

com:

xr
1 dx
RB =
qA x p ( n + p ) + n N B
(3.48)
l

De acordo com a aproximao por elementos finitos, a resistncia RB vem discretizada por:

n
1 dx
RB = qA p
e =1 e l
(e)
( n + p ) + n N B
(3.49)
e

1 Esta simplificao, que corresponde a desprezar a chamada tenso de Dember, justifica-se porque esta apenas contribui com
algumas unidades termodinmicas ( VT).

86
Considerando a aproximao da concentrao de portadores p(x) em coordenadas locais:

x x
p ( e ) = 1 Pe + Pe +1 (3.50)
le le

Substituindo (3.50) em (3.49) e integrando vem (Arajo 1998a):

Pe +1 ( n + p ) + n N B
ln
n
le Pe ( n + p ) + n N B

RB =
e =1

qA e ( Pe+1 Pe ) ( n + p )
(3.51)

De forma a simplificar a integrao de (3.48) pode-se considerar constante a concentrao entre


dois ns consecutivos, o que significa utilizar o valor mdio de p em cada elemento finito (Figura 3.16).
Esta aproximao evita os logaritmos resultantes da integrao de (3.48) e no afecta significativamente a
preciso do modelo (Arajo 1998a).

Figura 3.16 Aproximao de p(x) no clculo da queda de tenso V.

De acordo com a formulao pelo MEF, resulta:

n
le
RB  qA P n + p ) + n N B
(3.52)
e =1 e av (

com:

Pe + Pe +1
Pav = (3.53)
2

ou seja:

n
2le
RB  qA ( P + P ) ( + p ) + 2 n N B
(3.54)
e =1 e e e +1 n

Finalmente, substituindo em (3.47) temos:

87
n
2le
V = IT qA ( P + P ) ( + p ) + 2n N B
(3.55)
e =1 e e e +1 n

3.2.5.3 Queda na regio de depleo

A queda de tenso na regio de carga especial calculada pela integrao da equao de Poisson:

d 2V E ( x)
= = (3.56)
dx 2
x si

com:

( x) = q ( p n + N ( x) ) (3.57)

Considerando fronteiras abruptas, uma base uniformemente dopada e admitindo que os portadores
que atravessam a regio de depleo se deslocam velocidade limite, obtm-se a expresso clssica (Igic
2002):

Vsc = Vds + Vbi =


q Ip In 2 siVbi
N B + qAV psat qAVnsat Wsc + 2 Wsc (3.58)
2 si qN B

Note-se que a largura de depleo total Wsc dada por (3.25), resultante do clculo das fronteiras da
regio de armazenamento.

3.2.6 Modelo da buffer layer

Conforme referido em 3.1.3, a estrutura PT caracterizada por possuir uma camada n+ (buffer layer)
altamente dopada, entre o substrato p+ e a base n. Analisando a Figura 3.17, torna-se claro que esta
camada adicional altera a condio fronteira (em x = 0) associada EDA.

Figura 3.17 Diagrama da parte bipolar do PT-IGBT.

Considerando que a soluo da EDA mais sensvel aos parmetros da zona n e no tanto aos
parmetros da zona n+ (Kang 2003c), optou-se pela utilizao de um modelo simplificado para a descrio
da buffer layer. Desta forma, assume-se que o modelo adoptado para a zona n+ no compromete a preciso
global do modelo do IGBT, evitando problemas adicionais de convergncia e tempos de simulao

88
superiores no caso do uso de modelos mais complexos.

Assim, a abordagem utilizada nesta tese baseia-se no modelo proposto por (Igic 2002) com
pequenas modificaes.

1) Condies fronteira

Uma vez que a buffer layer uma regio fortemente dopada (1016 a 1017 cm-3), a condio de injeco
de baixo nvel sempre vlida e a corrente de portadores minoritrios pode ser obtida integrando a
equao de continuidade da corrente de lacunas:

pH p 1 J p
= H (3.59)
t H q x

Rearranjando e integrando (3.59), temos, em coordenadas locais x*:

1 H J p *
W W W
H
p H
pH *
dx = H dx* dx (3.60)
q x* = 0 x
x* = 0 H x* = 0
t

Utilizando a relao entre a carga e concentrao:

WH

QH = qA
*
pH dx* (3.61)
x =0

a equao (3.60) reduz-se a:

QH dQH
I p1 = I p 0 (3.62)
H dt

com Ip0 e Ip1 as correntes de lacunas, respectivamente, entrada e sada da zona n+, QH a carga
armazenada e H tempo mdio de vida1.

A corrente Ip0 determinada em funo da corrente total IT e usando a teoria dos parmetros h,
como no caso do NPT-IGBT:

I p 0 = IT qAhp N H pH2 0 (3.63)

Assumindo uma distribuio linear da concentrao, a carga armazenada em n+ (QH) determinada


por:

pH 0 + pHW
QH = qAWH (3.64)
2

As concentraes em (3.64) podem ser relacionadas assumindo que a corrente de lacunas fli
apenas por difuso. Usando a aproximao linear, temos:

1 O ndice H nas variveis indicam que estas se referem zona da buffer layer.

89
dp pH 0 pHW
= (3.65)
dx WH

e atravs da equao de densidade de corrente de lacunas:

dp
I p 0 = qAD pH (3.66)
dx

a concentrao de lacunas pH0 expressa por:

I p 0WH
pH 0 = pHW + (3.67)
qAD pH

Finalmente, pHW obtido usando a condio de quase-equilbrio para a juno n+/n em condies
de injeco de alto nvel na base n (Hefner 1995):

pL2 0
pWH = (3.68)
NH

Substituindo (3.63), (3.64), (3.67) e (3.68) em (3.62), Ip1 funo somente de pL0 como no caso
NPT.

Deste modo, o efeito da buffer layer tido em conta usando (3.62) na equao da condio fronteira
esquerda:

p 1 IT I p1 I p1
= (3.69)
x x =0 2qA Dn D p

2) Quedas de tenso

Usando a aproximao de Boltzmann, as quedas de tenso nas junes na n+ so dadas por (Kang
2003d; Wang 2004a):

p N
V p+ n+ = VT ln H 0 2 H (3.70)
ni

N
Vn+ n = VT ln B (3.71)
pL 0

3.3 Implementao do modelo no simulador IsSpice

3.3.1 Introduo

A ferramenta de simulao utilizada nesta tese, o IsSpice4 (Intusoft 2004), um simulador


combinado entre a verso original Berkeley SPICE 3F.5 e o simulador XSPICE. O simulador parte
integrante da aplicao de simulao ICAP/4 da Intusoft.

90
3.3.1.1 Implementao das equaes

A incorporao de modelos analticos no SPICE apresenta algumas restries, e no imediata em


comparao com outros simuladores como, por exemplo, o SABER. No entanto, a insero de expresses
matemticas complexas no SPICE possvel atravs da funcionalidade Analog Behavioral Modeling (ABM)
(Basso 1997; Cotorogea 1998; Intusoft 2004). Esta caracterizada1 pelo uso de fontes lineares
dependentes (de tenso ou corrente E, F, G ou H) ou fontes no lineares dependentes (tipo B), que
permitem definir funes de transferncia no lineares atravs de algumas funes matemticas
(trigonomtricas, exponenciais, etc.), bem como condies if-then-else.

3.3.1.2 Convergncia

A soluo de um problema no linear numa anlise DC ou transitria encontrada atravs de um


algoritmo iterativo. Partindo de uma estimativa inicial das tenses nodais, estas so recalculadas em cada
iterao satisfazendo as Leis de Kirchhoff, at que os respectivos valores estabilizem dentro dos limites de
tolerncia especificados. Estes limites podem ser alterados atravs de parmetros de controlo como
RELTOL, VNTOL e ABSTOL. Numa anlise DC, se as tenses no estabilizarem ao fim de determinado
nmero de iteraes, a simulao abortada. Numa anlise transitria o processo iterativo repetido para
cada passo de tempo. Se as tenses no estabilizarem o passo de tempo reduzido e o processo continua.
Se o passo de tempo for reduzido para alm de uma fraco especfica do tempo de simulao definido, a
simulao abortada com a indesejvel mensagem Time step too small.

A falta de convergncia nas simulaes um dos problemas tipicamente encontrados em circuitos


com um nmero relativamente elevado de componentes, como o caso de um modelo fsico de um
semicondutor de potncia. Este , sem dvida, um factor decisivo para a aceitao de um modelo pela
comunidade cientfica e industrial (Tseng 1997).

Essa fragilidade ainda mais visvel nos simuladores na famlia SPICE que usam algoritmos de
integrao numrica mais rudimentares, como so os casos do mtodo trapezoidal e de Euler (ou Gear).
Por outro lado, como o simulador SPICE foi desenvolvido inicialmente para a rea da microelectrnica,
torna-se necessrio efectuar alguns ajustes quando se pretende simular circuitos de potncia. Assim, a
convergncia do modelo pode ser melhorada, tendo os seguintes cuidados (Intusoft 2004):

Utilizao do mtodo Gear que o mais aconselhvel para circuitos de electrnica de potncia;

Alterao de VNTOL e ABSTOL de acordo com os nveis de tenso/corrente. Estes devem ser
alterados para cerca de oito ordens de grandeza abaixo dos nveis mximos de tenso e corrente;

Diminuir a preciso da simulao (valores de RELTOL mais elevados);

Uso de snubbers RC em paralelo com IGBTs/dodos;

1 Dependendo da compatibilidade do simulador com a verso de Berkeley, a correspondente sintaxe pode variar
significativamente, como o caso do PSPICE.

91
Uso de elementos parasitas (como indutncias) e circuitos realistas (como fontes de alimentao
com tempos de subida e descida);

3.3.2 Circuito da zona de armazenamento

Conforme descrito em 3.2.1, a soluo da EDA obtida pela associao em srie de malhas RC,
com a configurao ilustrada na figura seguinte:

Cij

Rij

Ci Rj
Ri Cj

Figura 3.18 Circuito elctrico equivalente de um elemento finito.

em que:

Ae le Al
Cij = ; Ci = C j = e e
6D 2D
(3.72)
6 D le 2 D
Rij = ; Ri = R j =
6 D Ae Ae le
2
Ae le

Como o comprimento de cada elemento finito (le) varivel no tempo, devido evoluo das
fronteiras, as resistncias e condensadores da malha so tambm variveis. O subcircuito e o respectivo
cdigo associado implementao de uma malha esto representados na figura seguinte:
.SUBCKT RC_VAR_1 1 21 25
*Fonte que mede le
41 41 48 V15 25 0 DC 0
.ENDS
* Implementa Ri
B3 18 0
57
V={2*D*TAU}*I(V8)/({AE}*I(V15)
59 )
V8 1 18 DC 0
* Implementa Ci
56
B4 1 0 I=I(V9)*(I(V15)*1E6-1)
C5 29 0 {1E-6*AE/(2*D)}
V9 1 29 DC 0
46 R35 29 0 100MEG
* Implementa Rj
B5 31 0
V={2*D*TAU}*I(V10)/({AE}*I(V15
47 ))
V10 21 31 DC 0
* Implementa Cj
B6 21 0 I=I(V11)*(I(V15) *1E6-1)
C6 33 0 {1E-6*AE/(2*D)}
V11 21 33 DC 0
R36 21 0 100MEG
49
* Implementa Rij
B7 35 21 V={6*D*TAU}*I(V15)*I(V1)/
+({AE}*({6*D*TAU}-I(V15)^2))
V1 1 35 DC 0
50 * Implementa Cij
B8 1 21 I=I(V13)*(I(V15)*1E6-1)
C7 37 21 {-1E-6*AE/(6*D)}
V2 1 37 DC 0
R47 1 21 100MEG

Figura 3.19 Subcircuito que implementa uma malha RC (um elemento finito).

92
A fonte de tenso V15 mede a largura do elemento finito (resultante do clculo da largura da zona
n). B7 e V1 implementam uma resistncia varivel e B8, C7 e V2 implementam um condensador varivel
(Arajo 1998a).

Uma vez construdo o subcircuito associado a um elemento finito, a implementao no simulador


da EDA, com a preciso desejada, imediata. A Figura 3.20 ilustra a implementao com 9 elementos.

15 23 24 25 34 35

19 28

Figura 3.20 Circuito que implementa a EDA com 9 elementos.

Note-se que, para cada subcircuito, os valores de D, e A so passados como parmetros D, TAU
e AE. Deste modo, e se tal for desejvel, torna-se bastante fcil utilizar valores diferentes para cada parte
do domnio.

Os valores da concentrao so acessveis atravs das tenses nos ns da malha. Uma vez que os
nveis de concentrao atingidos so da ordem de grandeza de 1017 cm-3, estas so normalizadas a 1014 de
modo a manter os valores das tenses numa gama adequada.

3.3.3 Circuito das condies fronteira

Conforme exposto em 3.2.1.2, as condies fronteira associadas EDA so implementadas atravs


de duas fontes de corrente, injectadas no primeiro e ltimo ns, correspondendo matriz:

L = ( f + g ) A1 0 " 0 ( f + g ) An
T
(3.73)

ou seja:

p 1 IT 2qAhp p xl
2

I
l = ( f + g ) 1
A = A I l =
2qA D p
+ A

x xl
D


I = ( f + g ) A = p A 1 IT 2 I mos
r n
x Ir = + A
xr
2qA D p D (3.74)
I Ahp p 2
xl
Il = T Ahp px2l
2qD p D I l = 2.671 IT
18
I = IT I mos I = 2.671 I 3.472 I
r 2qD r T mos
p qD

93
Estas relaes so implementadas no simulador atravs do subcircuito da figura seguinte.

1 4 3 2

37 21

Figura 3.21 Subcircuito que implementa as condies fronteira.

As fontes1 F2 e F3 implementam o termo correspondente corrente total (medido por V5) em


(3.74). A fonte B54 implementa o termo associado concentrao em xl (medida por V(4)) enquanto o
termo da corrente Imos (medida por VIMOS) implementada por F1. As resistncias R5 e R22 efectuam a
medida da corrente associada ao deslocamento das fronteiras (ver ponto seguinte).

3.3.4 Circuito de clculo das fronteiras da zona n

Como referido em 3.2.2, o mtodo normalmente usado para determinar a evoluo das fronteiras
consiste em deslocar a fronteira, a partir do instante em que a concentrao na mesma tende a tomar
valores negativos, impor a condio de concentrao nula (p(xr) = 0) e iterar com ajustes sucessivos de xr
at ser obtida convergncia (Arajo 1998a).

A implementao deste esquema no simulador (Figura 3.22) conseguida atravs de uma malha de
realimentao de ganho elevado (Massol 1993; Arajo 1998a). O processo consiste em medir as
concentraes no primeiro e ltimo ns e, sempre que estas tendam a ser negativas, multiplicar por um
ganho elevado, subtraindo posteriormente largura total da zona n.

1 Fontes tipo F so fontes de corrente controladas em corrente.

94
26 16 30 32

9 27 31 33 17

64 14

44 5 7 10 12 22

6 8 11 13 18

Figura 3.22 Subcircuito que implementa o clculo das fronteiras da zona n.

O valor das correntes nas resistncias R22 e R5 (Figura 3.21) associadas, respectivamente, aos
primeiro e ltimo ns, so medidas e passadas s fontes B40 e B1. Quando a concentrao nesses ns for
negativa, o valor das correntes multiplicado por um ganho elevado e subtrado largura total da base
(I1). A largura da zona n (medida por VWN) passada fonte B15. A largura de cada elemento finito le
calculada pelo divisor resistivo, com valores de resistncias iguais para larguras elementares iguais. A
corrente em cada ramo injectada no n de controlo de cada elemento finito (fonte V15 da Figura 3.19).

3.3.5 Circuito do canal MOS

Recorde-se aqui a expresso para a corrente no canal:

I mos = 0 Vgs > Vth (3.75)



K psat K f Kf 2
I = (Vgs Vth )Vds Vds Vds < (Vgs Vth ) K f
1 + (Vgs Vth )
mos
2


(Vgs Vth )
2
K psat
I mos = 1 + V V Vds > (Vgs Vth ) K f
( gs th ) 2

Estas expresses so representadas com fontes no lineares do tipo B, como se indica na Figura
3.23.

95
43

42

Figura 3.23 Subcircuito que implementa a corrente no canal MOS.

48

55

53

57

Figura 3.24 Subcircuito que implementa as capacidades MOS.

A Figura 3.24 ilustra a implementao das capacidades MOS definidas pelas seguintes equaes:

si Ads
Cds = (3.76)
Wsc

Coxd
C gd = (3.77)
W' C
1 + sc oxd
si Agd

' (
2 si Vgs +Vbi VTd )
Wsc = 0 Wsc < qN B
(3.78)
W ' = W 2 2 si (Vgs +Vbi VTd ) Wsc >
(
2 si Vgs +Vbi VTd )
sc sc qN B qN B

96
C1 representa a capacidade fixa Cgs. As capacidades variveis Cds e Cgd so implementadas com um
subcircuito semelhante ao dos condensadores das malhas RC. A fonte B56 implementa Cds em que a
largura total da zona de depleo (Wsc) medida por VXSC. Relembre-se que esta largura resulta do
clculo das fronteiras da zona n. A capacidade de Miller (Cgd) implementada por B59 com Wsc calculada
com B61 e B68, e medida por V508.

3.3.6 Circuito das quedas de tenso

A queda de tenso ao longo do dispositivo, em conduo directa, dada pelas contribuies:

V p + n- Queda na juno emissor-base

V Queda na regio de armazenamento

Vsc Queda na regio de depleo

com:

p2
V p + n = VT ln 02 (3.79)
ni

n
2le
V = IT qA ( P + P ) ( + p ) + 2n N B
(3.80)
e =1 e e e +1 n

qN B 2 siVbi
Vsc = Wsc + 2 Wsc (3.81)
2 si qN B

Estas equaes tm implementao imediata no simulador atravs de fontes tipo B. O respectivo


cdigo est ilustrado da figura seguinte.
* Implementa Vp+n-
B42 52 0 V=V(4)>0 ? 2*26E-3*LN((V(4)*1E7)/1.45) : 0
* Implementa Vsc
B12 59 0 V=I(V4)>0 ? NBE6*7.6*I(VXSC)*(I(VXSC)+2*SQRT(13.125/NBE8+ VBI)) : 0
* Implementa Vomega
B69 85 0 V=V(4)>0 ? 1/((V(4)+V(15))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B70 87 0 V=V(23)>0 ? 1/((V(23)+V(24))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B71 88 0 V=V(24)>0 ? 1/((V(24)+V(25))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B73 90 0 V=V(25)>0 ? 1/((V(25)+V(34))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B74 91 0 V=V(34)>0 ? 1/((V(34)+V(35))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B75 92 0 V=V(28)>0 ? 1/((V(28)+ V(3))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B76 86 0 V=V(15)>0 ? 1/((V(15)+V(23))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B77 93 0 V=V(35)>0 ? 1/((V(35)+V(19))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
B78 94 0 V=V(19)>0 ? 1/((V(19)+V(28))*1E3*1950+2*NB*1500) : 1/(2*NB*1500)
* =2Le/(Q*A*SUM(PAV*(NIUNP+NIUN)+2*NIUN*NB))
B72 89 0 V=2*I(VWN)/9/(ATOTAL*1.6E-5)*(V(85)+V(86)+V(87)+V(88)+
+ V(90)+V(91)+V(93)+V(94)+V(92))
* Vomega=It*Rb
B79 95 0 V=I(V512)*V(89)

Figura 3.25 Implementao da quedas de tenso ao longo do IGBT.

Note-se que a concentrao na fronteira esquerda medida por V4 e largura da zona de depleo
por VXSC. A corrente total medida em V512.

97
3.3.7 Circuito final

Bloco 1
15 23 24 25 34 35 19 28

Bloco 2 Bloco 3 Bloco 4


26 16 30 32
85 86 87 88 59

9 27 31 33 17

90 91 93 94 52
64 14
1 4 3 2

44 5 7 10 12 22
37 21

92 89 95

6 8 11 13 18

Bloco 5 Bloco 6
48

55 V(29) V(38)
43
GATE ANODO
39 29 36 40 38

20

53
45 42

41 V(41)
CATODO
57

Figura 3.26 Modelo global do NPT-IGBT.

A Figura 3.26 mostra um modelo global de um NPT-IGBT, constitudo pelos vrios subcircuitos
descritos nos pontos anteriores. Assim, temos:

No bloco 1 o circuito associado soluo da EDA na zona de armazenamento n. O acesso ao


valor da concentrao dos portadores imediato atravs de cada um dos 10 ns dos 9 elementos
finitos. Note-se que a largura de cada elemento (calculada no Bloco 2) injectada no respectivo n
de controlo;

No bloco 2 o circuito responsvel pelo clculo da largura da zona de depleo e, por consequncia,
da largura da zona de armazenamento. O divisor resistivo calcula a largura elementar que passada
a cada elemento finito;

No bloco 3 o circuito que implementa as condies fronteira. As concentraes no primeiro e


ltimo ns so aqui medidas (sob a forma de corrente) e realimentadas para o Bloco 2;

No bloco 4 o circuito que calcula as vrias quedas de tenso do dispositivo;

No bloco 5 o circuito associado componente MOS do IGBT. Aqui so calculados os valores das
capacidades do dispositivo, bem como, a corrente do canal e a relao com a corrente total;

No bloco 6 o circuito que implementa a ligao do semicondutor carga e ao circuito de comando.


A implementao usa uma fonte de tenso, equivalente soma todas as quedas de tenso, em srie
com uma fonte de tenso que mede a corrente total do dispositivo. Desta forma, o IGBT visto
como uma fonte de tenso controlada em corrente.

98
3.4 Concluses
Este Captulo apresenta um modelo para o IGBT baseado no MEF, bem como a respectiva
implementao no simulador de circuitos elctricos IsSpice4. O ncleo fundamental do modelo reside na
soluo da distribuio dos portadores na base do dispositivo (zona n), a qual obtida pela resoluo da
EDA atravs de uma abordagem variacional com posterior minimizao pelo MEF. O domnio pois
decomposto em vrias seces, nas quais a concentrao aproximada por funes elementares.

Esta formulao resulta num sistema de equaes diferenciais ordinrias cujas incgnitas so os
valores nodais associados aos vrios elementos finitos. Mostra-se ainda que a soluo deste sistema de
equaes equivalente soluo de um circuito elctrico composto por resistncias e condensadores
variveis (malhas RC), cuja topologia depende do tipo de elementos finitos usados. A distribuio dos
portadores ao longo da base representada pela associao em srie de um conjunto de malhas, cada qual
associada a uma parte do domnio. Deste modo, a alterao do compromisso entre a preciso e o tempo
de clculo feita de forma simples e imediata, sendo suficiente alterar o nmero de malhas em srie. As
condies fronteira associadas EDA so incorporadas por meio de duas fontes de corrente, injectadas
no primeiro e ltimo ns. Adicionando modelos suplementares para as restantes zonas do dispositivo
(emissor, regio de depleo, canal MOS e as quedas de tenso), desenvolveu-se um modelo completo
para o IGBT.

Apresentou-se ainda neste captulo, os detalhes relativos implementao do modelo num


simulador da famlia SPICE. As equaes do modelo so incorporadas no simulador atravs de fontes
controladas de tenso/corrente usando a funcionalidade ABM. Cumpriu-se assim um dos objectivos deste
trabalho: a implementao de um modelo do IGBT, baseado na fsica dos semicondutores, num simulador
de uso genrico.

A abordagem hbrida utilizada, com uma componente numrica para a zona da base e uma
componente analtica para as restantes zonas, permite descrever com rigor o comportamento esttico e
dinmico do dispositivo, evitando os tempos de simulao tpicos das abordagens exclusivamente
numricas. De facto, como se expe no Captulo 5, possvel obter tempos da ordem da dezena de
segundos, para simular um ciclo completo de comutao.

Para alm destas caractersticas, a abordagem utilizada apresenta outros aspectos, no menos
importantes, e que a distinguem de outras alternativas pela sua elevada flexibilidade. Em concreto,
possvel:

Alterar o compromisso entre a preciso e o tempo de clculo. Para isso basta alterar o nmero de
elementos finitos associados soluo da EDA. O mesmo dizer adicionar/retirar malhas RC (Figura
3.19), bem como alterar o nmero de componentes no clculo da queda de tenso e o nmero de
resistncias associadas ao clculo da largura elementar, de forma a reflectir o actual nmero de ns.

99
Melhorar a qualidade da aproximao utilizando elementos finitos com larguras no uniformes1. De
facto, o uso de elementos no equidistantes permite utilizar elementos mais estreitos nas zonas onde a
variao da concentrao mais rpida, ou seja, junto s fronteiras. Esta alterao imediata, bastando
para isso alterar os valores das resistncias no circuito que calcula a largura elementar (Bloco 2 da Figura
3.26).

Implementar um modelo com parmetros fsicos dependentes da posio (ao longo da base), ou
seja, utilizar parmetros no uniformes como tempos mdios de vida, mobilidades, dopagens, etc. Para tal,
basta passar o respectivo valor ao subcircuito correspondente parte do domnio em questo.

Assim, com este modelo, o engenheiro projectista de circuitos com IGBTs ter sua disposio
uma ferramenta de uso simples, capaz de reproduzir fielmente as caractersticas estticas e dinmicas do
semicondutor. Assim, possvel compreender melhor uma dada topologia, optimiz-la por simulao,
analisar condies crticas de funcionamento, estudar a associao em srie ou paralelo e simular
topologias desconhecidas sem os riscos e os custos inerentes a uma abordagem experimental.

1 Note-se que a aproximao pode ainda ser melhorada, mantendo o mesmo nmero de ns, utilizando elementos finitos de
ordem superior a 1, ou seja, com mais do que 2 ns por elemento finito. Esta alterao faz-se substituindo simplesmente o
subcircuito associado a um elemento finito.

100
4
4 Extraco de parmetros

Neste Captulo abordada a questo da extraco de parmetros para modelos fsicos de


semicondutores de potncia. O Captulo comea com uma breve reviso da literatura sobre o assunto, no
domnio dos IGBTs, seguido de uma apresentao de algumas tcnicas clssicas de extraco.

Posteriormente, prope-se e discute-se um novo procedimento de extraco de parmetros. O


procedimento baseia-se num algoritmo de optimizao Simulated Annealing que, por comparao de
resultados experimentais e de simulao, encontra um conjunto ptimo de parmetros que minimiza uma
dada funo objectivo. O mtodo simples de implementar, converge para o mnimo mesmo sem uma
boa estimativa inicial e requer dois ensaios experimentais, com circuitos de teste de pequena
complexidade.

O Captulo com a apresentao da implementao do procedimento e dos resultados obtidos.

101
4.1 Introduo
Os modelos fsicos de semicondutores de potncia, em particular os mais complexos, como o
caso do IGBT, so caracterizados por um nmero de parmetros relativamente elevado. Tal deve-se ao
facto de os parmetros estarem associados a um conjunto de propriedades fsicas do dispositivo,
nomeadamente propriedades geomtricas e tecnolgicas.

Para o modelo do NPT-IGBTm desenvolvido nesta tese, foram identificados 14 parmetros


considerados mais relevantes (Tabela 4.1).

Tabela 4.1 Parmetros do modelo NPT-IGBT.

Smbolo Descrio Unidade


A rea total cm
Agd rea porta-dreno cm
Cgs Capacidade porta-fonte F
Coxd Capacidade de depleo xido porta-dreno F
hp Parmetro de recombinao do emissor cm4/s
Kf Factor de transcondutncia da regio de trodo MOS -
Kp Transcondutncia da regio de saturao MOS A/V
NB Concentrao na base (nvel de dopagem) cm-
Vbi Potencial interno da juno V
VTd Tenso de depleo porta-dreno V
Vth Tenso limiar de conduo V
WB Largura metalrgica da base cm
Factor de reduo da transcondutncia V -
Tempo mdio de vida s

Dada a sua natureza, o processo de extraco destes parmetros normalmente uma tarefa
complexa, sendo uma das desvantagens dos modelos fsicos quando comparados com outras abordagens
de modelao. Esta dificuldade fez com que a questo da extraco de parmetros passasse para segundo
plano, pelo que a grande maioria dos modelos desenvolvidos nas ltimas dcadas, no so suportados por
mecanismos que permitam identificar os parmetros do modelo.

Alguns autores afirmam que os fabricantes deveriam ser a principal fonte de informao e dar mais
suporte ao processo de extraco. No entanto, no estado actual de tecnologia, alguns parmetros so
dificilmente mensurveis, como so no caso do IGBT, a tenso limiar de conduo, Vth, o tempo mdio
de vida dos portadores, , e os correspondentes coeficientes de temperatura (Berraies 1998). Por outro
lado, os fabricantes apenas podem disponibilizar valores mdios, pelo que esta informao sempre
limitada. Alis, isto o que j acontece com as bibliotecas de modelos disponibilizados pelos fabricantes
para a sua famlia de semicondutores (Lauritzen 2001).

102
A crescente utilizao da simulao na rea da electrnica de potncia e o desenvolvimento, nos
ltimos anos, de novos modelos de semicondutores de potncia, levou, inevitavelmente, a comunidade
cientfica a consciencializar-se de que a extraco de parmetros uma questo fulcral e a consider-la
como um dos aspectos decisivos na evoluo da modelao de semicondutores de potncia (Kraus
1998b). De facto, a existncia de um processo sistemtico para a extraco de parmetros fundamental
para que o projecto, de circuitos de electrnica de potncia, se realize atravs da simulao. Este , sem
dvida, um dos aspectos que tem limitado o uso generalizado de modelos fsicos na simulao de circuitos
com dispositivos de potncia (Tseng 1997).

Como consequncia, verificou-se nos ltimos anos uma intensa actividade de investigao
abordando esta questo. Entre os mais recentes destacam-se os trabalhos de (Hefner 2000; Lauritzen
2001; Claudio 2002; Allard 2003; Kang 2003c).

Os mtodos comummente usados na extraco de parmetros baseiam-se em:

Ensaios e medies experimentais;

Extrapolao de dados das folhas de caractersticas;

Equaes que relacionam os parmetros.

Regra geral, os procedimentos de extraco combinam pelo menos duas, seno mesmo todas, as
vertentes atrs referidas. No entanto, cada procedimento d mais importncia a uma ou outra vertente.

A qualidade de um mtodo de extraco fundamental para a qualidade final do modelo, uma vez
que determina a gama de validade do mesmo. No poucas vezes se encontra na literatura o ajuste de um
ou outro parmetro de modo a fazer corresponder os resultados experimentais com os de simulao. Este
um procedimento arriscado porque, a menos que se faa uma validao exaustiva, normalmente apenas
garante a validade do modelo para as condies de operao para as quais foi feito o ajuste.

Os procedimentos fundamentalmente baseados em medies experimentais so usualmente


considerados como os nicos capazes de fornecer resultados precisos (Kraus 1998b). Um dos exemplos
mais conhecidos o procedimento desenvolvido para o modelo do IGBT de Hefner (Hefner 1992;
Hefner 2000). O procedimento implica a existncia de uma estrutura experimental elaborada, com um
digitalizador de formas de onda, fontes de alimentao controlveis, controladores de temperatura,
medidor capacidade-tenso e um traador digital de curvas (curve tracer). Toda esta instrumentao
implementada sobre uma rede IEEE 488, permitindo a realizao controlada de ensaios via PC. Os dados
assim obtidos so posteriormente utilizados em rotinas de ajuste e tratamento matemtico que permitem
extrair os parmetros com preciso. O reverso da medalha evidente. O mtodo complexo e requer
medies precisas, de modo que poucos laboratrios tero a capacidade de implementar tal procedimento
(Hefner 2000; Lauritzen 2001; Kang 2003c).

Tambm em (Claudio 2002) proposto um mtodo dentro da mesma linhas (embora menos
exigente). No entanto tambm pouco prtico, exigindo seis circuitos de teste e seis algoritmos de

103
extraco. Os procedimentos baseados em medies experimentais no servem, por isso, as necessidades
bsicas de simulao que, em entender do autor, pressupem a existncia de uma metodologia de
extraco precisa mas, ao mesmo tempo, simples e rpida de utilizar. Por outro lado, mesmo com estes
mtodos mais precisos, pode ser necessrio um refinamento final dos parmetros para melhorar a preciso
da simulao (Bryant 2003).

Outros autores (Leturcq 1997; Sigg 1997; Kang 2003c) usam uma abordagem na qual os parmetros
so extrados fundamentalmente por extrapolao de dados das folhas de caractersticas e equaes que os
relacionam entre si. Com este mtodo no so esperados grandes resultados uma vez que a informao
disponibilizada nas folhas de caractersticas representam valores mdios e apenas so fornecidos
resultados de ensaios em regime nominal (Lauritzen 2001). Em (Leturcq 1997) e (Sigg 1997) o
procedimento de extraco descrito muito superficialmente e em (Lauritzen 2001) o mtodo aplicvel
apenas a modelos lumped-charge.

Uma outra possibilidade para realizar a extraco dos parmetros, que se distingue dos mtodos
ditos tradicionais (ou clssicos), o uso da optimizao. Esta metodologia de extraco, no seu sentido
mais lato, no de todo original. De facto, este um mtodo usado, principalmente em modelos
empricos (Kang 2004), para determinao dos coeficientes associados a equaes que descrevem o
modelo. Tambm a aplicao IC-CAP (da Agilent Technologies)1, utilizado por alguns autores (Githiari
1999; Igic 2002; Van der Duijn Schouten 2003) para a validao dos modelos desenvolvidos, se baseia na
optimizao de parmetros. No entanto, apresenta os mesmos inconvenientes apontados para o
procedimento de Hefner.

Numa perspectiva mais restrita, o uso da optimizao para a extraco de parmetros em modelos
fsicos, e sem recurso a aplicaes de extraco proprietrias, bastante recente (Allard 2003; Bryant
2005). Em (Allard 2003) os parmetros do modelo de Hefner so extrados com um procedimento de
optimizao que usa um algoritmo de relaxao. O algoritmo rpido e preciso, mas requer uma razovel
estimativa inicial dos parmetros (Allard 2003), o que nem sempre possvel. O algoritmo
implementado em Java e o modelo do IGBT no simulador PACTE atravs do formalismo dos grafos de
ligao (bond graphs).

Em (Palmer 2002; Bryant 2003) usado um algoritmo de pesquisa directa para extrair alguns
parmetros do modelo de Fourier (Leturcq 1997; Palmer 2001) do IGBT e do dodo. No entanto, a
optimizao no baseada em formas de onda tenso/corrente, nem em parmetros tpicos de
comutao. Ela orientada para produzir estimativas precisas de perdas de potncia analisando
directamente a potncia instantnea dissipada. Existe assim um risco potencial de o modelo se tornar
menos fsico (Bryant 2003), devido possibilidade de imprecises nas formas de onda da tenso e da
corrente compensarem-se mutuamente. Por outro lado, alguns parmetros, nomeadamente, os associados

1Embora no referido na literatura, a Synopsys tem um produto semelhante designado Aurora. De referir ainda que nenhuma das
aplicaes suporta a extraco de parmetros de IGBTs, embora permitam a criao de modelos parametrizados.

104
componente MOS do IGBT, no esto includos na optimizao. Eles tm uma influncia significativa,
especialmente na entrada em conduo (Kang 2003a) e na sincronizao1, j que esta pode ficar
comprometida se a estimativa inicial no for boa.

O procedimento proposto neste trabalho segue esta ltima tendncia de extraco de parmetros,
ou seja, a utilizao de um processo sistemtico de extraco baseado em optimizao de parmetros,
combinado com a extraco isolada dos parmetros, de modo a obter uma estimativa inicial com alguma
qualidade. H, no entanto, algumas particularidades que diferem dos trabalhos mais recentes e que sero
discutidas no seguimento deste captulo.

A optimizao consiste na utilizao de um algoritmo, ou metaheurstica, que percorre e analisa as


solues no espao dos parmetros. Assim, em cada iterao, o resultado experimental comparado com
o simulado, dando origem a um valor de erro que desencadeia uma nova pesquisa no espao dos
parmetros, isto , uma variao dos valores dos parmetros de conjunto actual. De acordo com as
caractersticas do algoritmo, o processo de optimizao evolui at convergir para um erro mnimo.

A optimizao de parmetros um processo vantajoso porque permite um ajuste de qualidade


superior s restantes tcnicas, usa um processo sistemtico e requer apenas um conjunto simples de
medies experimentais. Alm disso, possvel incluir na optimizao outras variveis relacionadas com o
circuito, normalmente difceis de estimar, como, por exemplo, as indutncias de fugas.

Por outro lado, como a implementao de um procedimento de optimizao exige apenas alguns
conhecimentos de programao, qualquer pessoa com alguma disponibilidade temporal o pode fazer. A
fase de implementao pode ainda ser mais rpida se forem usados algoritmos j disponveis noutras
aplicaes de uso comum. A integrao entre os simuladores e outras ferramentas computacionais cada
vez maior, facilitando o desenvolvimento de solues integradas. Um bom exemplo a integrao do
simulador PSPICE com o MATLAB/Simulink.

Como desvantagens, pode referir-se um maior esforo na adaptao ao algoritmo de optimizao e


a existncia do risco (embora mnimo) da optimizao tentar compensar falhas de preciso do modelo. No
entanto, tratando-se de modelos baseados na fsica dos semicondutores, esse efeito dificilmente por em
causa a validade dos parmetros extrados.

O ponto seguinte apresenta uma breve descrio de alguns mtodos clssicos de extraco de
parmetros, que servem de ponto de partida para o processo de optimizao.

Finalmente, no seria justo terminar esta introduo, sem referir o esforo que algumas empresas de
produtos de simulao tm realizado, de modo a suprimir esta carncia relativa extraco de parmetros.
De facto, alguns simuladores como o PSPICE e o IsSpice4 possuem mdulos para a criao de modelos
parametrizados, baseados nas tcnicas atrs referidas.

1 Processo de alinhamento entre a curva simulada e a experimental.

105
No IsSpice4, o modelo do IGBT implementado como um macro modelo atravs de um
subcircuito, e a parametrizao feita atravs da ferramenta de edio de modelos a partir de dados
disponveis nas folhas de caractersticas.

No PSPICE, o modelo do IGBT de Hefner (Hefner 1991) faz parte dos modelos primitivos do
simulador e o desenvolvimento de novos componentes realizado atravs de algumas tcnicas do
procedimento de extraco de Hefner (Hefner 1992).

4.2 Mtodos de extraco clssicos

4.2.1 Extraco de A, Agd, NB e WB

Este conjunto de parmetros, fundamentalmente geomtricos, extrado a partir das curvas de


capacidade disponveis nas folhas de caractersticas dos dispositivos e algumas expresses que os
relacionam.

Parmetro A

A rea total (A) do IGBT aproximada, excepcionalmente, por um mtodo emprico. Embora este
parmetro possa ser medido por inspeco visual, tal implica a destruio do dispositivo. Como a rea
directamente proporcional capacidade de conduo de corrente, esta pode ser estimada por (Kang
2002b; Kang 2003b; Wang 2004b):

I Cmax
A= (4.1)
J

em que I Cmax a corrente de colector pulsada ou a corrente nominal mxima fornecida nas folhas de

caractersticas. J a densidade de corrente mxima. A gama de variao normalmente usada para J situa-se
entre 100 a 150 A/cm2.

Parmetro Agd

Para os restantes parmetros so necessrias as capacidades de sada Coss e de transferncia Crss


tambm disponveis nas folhas de caractersticas. Estas capacidades, medidas com Vgs = 0, relacionam-se
da seguinte forma (notaes MOS):

Coss = C gd + Cds (4.2)

Crss = C gd (4.3)

106
Metal

xido

Polisilcio Porta

Cgs Coxd
+
n Fonte
+
p
Cgd

Cds
Wsc Regio Wsc
depleo Cgdj

n- Dreno
+
p
Ads Agd

Figura 4.1 Distribuio das capacidades MOS (Vgs = 0 e Vds elevado).

A Figura 4.1 ilustra a distribuio das capacidades MOS e algumas variveis associados sua
modelao, anteriormente descrita no ponto 3.2.4.2.

Com a porta curto-circuitada fonte e considerando uma tenso Vds relativamente elevada, pode
considerar-se que Cgd Cgdj (uma vez que C gdj Coxd ) e que a zona de depleo tem um perfil uniforme

(W '
sc Wsc ) . Nestas condies (recorde-se (3.36) e (3.39)), pode assumir-se que Cgd proporcional rea

abaixo da porta (Agd) e Cds proporcional rea abaixo do substrato p+ (Ads), ou seja:

Agd Agd C gd
= (4.4)
Ads A Agd Cds

Substituindo (4.2) e (4.3) em (4.4), Agd pode ser extrada atravs da relao:

Agd Crss
(4.5)
A Agd Coss Crss

em que Coss e Crss so extradas a partir do grfico, nas folhas de caractersticas, que relaciona estas
capacidades com a tenso colector-emissor, e para uma tenso suficientemente elevada para garantir a
condio de homogeneidade da zona de depleo (Leturcq 1997; Kang 2003c).

Conhecida Agd, Ads facilmente calculada com:

Ads = A Agd (4.6)

Parmetro NB

107
Para uma extraco rpida, mas pouco precisa, possvel estimar a concentrao de dopagem da
base atravs da sua gama normal de utilizao, que varia entre 0.61014 a 21014 cm-3 (Claudio 2002; Kang
2003c). O valor tpico normalmente usado 11014 cm-3 (Kang 2003c).

Outros autores (Claudio 2002; Kang 2003c) usam a relao entre NB e a tenso de ruptura VBR:

4

( )
3
Eg 2
N B = 60
3
1.1 VBR 1016 (4.7)

No entanto, a definio de VBR tem suscitado interpretaes diferentes na literatura.

Provavelmente, o mtodo mais fivel baseia-se na informao relativa s capacidades. Como visto
no Captulo 3, a capacidade dreno-fonte dada por:

si Ads
Cds = (4.8)
2 siVCE
qN B

Substituindo (4.2) e (4.3) em (4.8), e explicitando VCE, temos:

1 2
= VCE (4.9)
( Coss Crss ) qN B si Ads 2
2

o que significa que a curva capacidade-tenso, fornecida pelos fabricantes, pode ser usada para
extrair NB a partir do declive de (4.9) (Leturcq 1997). Assim, aplicando uma regresso linear a

1 ( Coss Crss ) versus VCE , NB calculado a partir do declive Vdecl:


2

2
NB = (4.10)
Vdecl q si Ads 2

Parmetro WB

Uma alternativa para extrair o comprimento da base (WB) utiliza a equao da largura da zona de
depleo (3.40). Assumindo que a zona de carga espacial se expande em toda a regio n para VCEmax
temos (Kang 2003c):

2 siVCEmax
WB = (4.11)
qN B

4.2.2 Extraco de Cgs e Coxd

Os parmetros relacionados com a componente transitria da parte MOS do dispositivo (Cgs, Coxd)
so comummente extradas a partir da curva de carga da porta (Figura 4.2) fornecida pelos fabricantes
(Hefner 1992).

108
Figura 4.2 Curva tpica de carga da porta (BUP203).

Durante a primeira fase da sada de conduo, Vge aumenta, com declive constante, medida que a
corrente de porta (constante) carrega a capacidade Cgs. Assim, esta capacidade pode ser extrada pela
diviso entre a variao de carga e de tenso, durante a primeira fase:

Q1
C gs = (4.12)
V1

Durante a segunda fase, a capacidade Cgd carregada e a tenso Vce desce. Na terceira fase, Vce j
bastante baixa e praticamente constante, pelo que Cgdj se pode desprezar, o que implica Cgd Coxd.. Deste
modo, durante este perodo, a corrente de porta carrega a soma de Cgs com Coxd., soma esta dada pelo
inverso do declive da recta associada fase 3. Como Cgs j conhecida, vem:

Q3
Coxd = C gs (4.13)
V3

4.2.3 Extraco de Kf, Kp, Vth e

Estes parmetros, relacionados com a componente esttica da parte MOS do semicondutor, so


extrados usando as equaes da corrente no canal MOS, anteriormente definidas em 3.2.4.1:

Kf 2 1
I mos = K p K f (Vgs Vth )Vds Vds Vds < (Vgs Vth ) K f (4.14)
2 1 + (Vgs Vth )

K p (Vgs Vth )
2
1
I mos = Vds > (Vgs Vth ) K f (4.15)
2 1 + (Vgs Vth )

109
Para tal so necessrios alguns pontos da curva caracterstica de sada (Figura 4.3): um da regio de
trodo e trs da regio de saturao. Os parmetros Kp, Vth e so obtidos substituindo os trs pontos da
regio de saturao em (4.15), resolvendo o sistema de equaes. Posteriormente, Kf extrado
substituindo em (4.14) o ponto da regio de trodo, e resolvendo a respectiva equao.

20

Regio Regio de
de trodo saturao Vge = 11 V

15
Ic (A)

10

Vge = 9 V

5
Vge = 8 V

0
0 2 4 6 8 10

Vce (V)

Figura 4.3 Curva caracterstica de sada tpica de um IGBT.

Os pontos da curva caracterstica de sada podem ser retirados das folhas de caractersticas ou
obtidos experimentalmente. Em qualquer dos casos, como existe sempre um erro associado aos valores
obtidos, podem acontecer que, em certos casos, o sistema de equaes relacionado com Kp, Vth e no
tenha soluo. Este problema foi contornado atravs da realizao de uma regresso linear com os trs
pontos originais, substituindo no sistema de equaes os valores associados recta de regresso, em vez
dos valores originais.

Como os valores de corrente lidos so os da corrente de colector (IC), e no os da corrente no canal


(Imos), torna-se necessrio estimar o ganho de corrente bipolar (), de forma a calcular Imos a partir de IC.
pode ser determinado a partir da curva de corrente na sada de conduo por:

Ik
= (4.16)
I max I k

em que Ik a corrente de colector no incio da cauda da corrente (Figura 4.4).

110
Figura 4.4 Determinao do ganho de corrente bipolar .

A corrente Imos ento calculada por:

IC
I mos = (4.17)
1+

4.2.4 Extraco de , hp, Vbi e VTd

Para o tempo mdio de vida (), pode obter-se uma estimativa atravs da constante de tempo da
cauda da corrente na sada de conduo.

Os restantes parmetros so extrados empiricamente com base na sua gama tpica de utilizao.
Assim, devido ao baixo nvel de dopagem da zona n, Vtd pode ser considerado zero, como aproximao
inicial (Hefner 1991). Para Vbi pode usar-se o valor tpico de 0,7.

Finalmente, a maior parte dos autores usa, para o parmetro de recombinao hp, a gama emprica
de variao: 1 a 310-14 cm4.s-1 (Reynes 1986; Kang 2003c). No entanto, como foi referido em 3.2.3, este
parmetro pode ser bastante mais elevado no caso de emissores transparentes, podendo chegar a 110-11
cm4.s-1, conforme confirmam os resultados em (Leturcq 1997; Claudio 2002; Allard 2003; Bryant 2003).
Neste contexto, sugere-se a utilizao do valor intermdio 50010-14 cm4.s-1 como valor inicial.

4.3 Extraco por optimizao de parmetros

4.3.1 Procedimento de optimizao

O procedimento de extraco de parmetros proposto neste trabalho, pode ser representado pelo
diagrama da Figura 4.5. O procedimento decomposto em duas fases: uma primeira fase de inicializao e
uma segunda fase correspondente ao processo de optimizao propriamente dito.

111
Inicializao Optimizao

Medies Comparao Produo de


Informao de
experimentais das formas de um valor de
datasheet
do DUT onda erro

Estimativa Refinamento
inicial dos Simulao dos
parmetros parmetros

Figura 4.5 Diagrama ilustrando o procedimento de extraco.

Qualquer processo de optimizao parte, necessariamente, de uma estimativa inicial dos


parmetros. Essa estimativa pode ser realizada de vrias formas e, no limite, pode ser feita aleatoriamente.
Naturalmente que quanto melhor estimativa inicial, mais rpido ser o processo de optimizao e o
processo convergir mais facilmente para o ptimo global, evitando problemas com ptimos locais.
Assim, no sendo indispensvel, a fase de inicializao aconselhvel de modo a produzir uma razovel
estimativa inicial dos parmetros. Os mtodos de extraco clssicos, abordados no ponto anterior, so
uma boa forma de atingir este objectivo, porque so mtodos rpidos, simples e que produzem resultados
aceitveis para o fim em causa.

Na segunda fase, inicia-se o processo de optimizao. Com base na estimativa inicial dos
parmetros realizada uma primeira simulao. As formas de onda experimentais (previamente
adquiridas) so comparadas com as curvas simuladas, resultando daqui um valor de erro. Este erro
desencadeia uma alterao dos parmetros, com os quais feita uma nova simulao e o ciclo continua at
que os parmetros convirjam para um conjunto de valores que minimize o valor do erro.

A implementao de um processo de optimizao levanta, desde logo, algumas questes de


metodologia, nomeadamente:

Que algoritmo de optimizao usar?

Qual o conjunto de parmetros a extrair e como extrair?

Como avaliar o erro?

Estas questes so discutidas nos pargrafos seguintes.

4.3.1.1 Algoritmos de optimizao

A optimizao o processo de encontrar a melhor soluo (ou soluo ptima) de um conjunto de


solues para um problema. As tcnicas de optimizao devem ser utilizadas quando no existe uma
soluo simples e directamente calculvel para o problema. Isso geralmente ocorre quando a estrutura do

112
problema complexa ou quando existem milhes de solues possveis. Nesses casos, possvel que no
exista nenhum procedimento directo de soluo, de forma que as tcnicas de optimizao podem ser
utilizadas na busca pela melhor soluo para o problema.

A optimizao pode ser dividida em duas classes: global e local. A optimizao global encontra a
melhor soluo do conjunto de todas as solues possveis. A optimizao local encontra a melhor
soluo dentro de um conjunto de solues que est prximo a outro. Na optimizao local, a soluo
encontrada depende da configurao inicial do processo de busca, enquanto na optimizao global, a
melhor soluo possvel encontrada, independentemente das condies de incio do processo de busca,
porm, geralmente, necessita um maior poder computacional. Em alguns casos, encontrar uma soluo
ptima global pode ser praticamente impossvel, enquanto uma soluo ptima local pode ser bastante
eficiente. Por vezes, encontrar rapidamente uma boa soluo (ptimo local) pode ser mais desejvel do
que encontrar demoradamente a melhor soluo possvel.

Existem numerosas tcnicas de optimizao. A aplicao de cada uma delas depende


essencialmente do tipo de problema. No presente caso, recorde-se que o objectivo encontrar o conjunto
ptimo de parmetros que resulte num valor mnimo para a funo objectivo, situao em que o ajuste
entre os resultados experimentais e os simulados o melhor possvel. Neste caso, como em muitos outros,
a funo objectivo no pode ser expressa por uma funo analtica dos parmetros. De facto, no
possvel relacionar os parmetros do modelo (reas, dopagens, etc.) com objectivos como a minimizao
de perdas de comutao ou de erros entre formas de onda. Esta caracterstica restringe o campo de
tcnicas de optimizao aplicveis ao domnio dos Mtodos de Busca Local (Local Search). Em particular,
possvel usar heursticas1 de Pesquisa Directa (Direct Search) ou metaheursticas2, tambm designadas por
Mtodos Estocsticos de Pesquisa Local (Stochastic Local Search).

As estratgias de Pesquisa Directa, so designadas por estratgias de ordem zero por no requerem
qualquer informao relativamente s derivadas da funo objectivo, baseando-se, simplesmente, nos
valores desta. Alguns exemplos so (Schwefel 1995):

Estratgia de coordenada3 (coordinate strategy);

Estratgia de Hooke and Jeeves (pattern search);

Estratgia de Rosenbrock (rotating coordinates);

Estratgia de Davies, Swann e Campey (DSC);

Estratgia Simplex de Nelder e Mead;

Estratgia complexa de Box.

1 Define-se heurstica como uma tcnica que procura boas solues a um custo razovel, sem, no entanto, garantir a capacidade
de atingir o ptimo global, bem como de quo prximo uma determinada soluo est da soluo ptima.
2 Define-se metaheurstica como um mtodo heurstico de carcter geral que integra procedimentos de aperfeioamento local, no

sentido de ultrapassar problemas especficos das heursticas.


3 Este mtodo tambm designado por relaxation, parallel axis search, axial iteration technique, etc.

113
O esquema recursivo da maioria das estratgias, pode ser expresso, genericamente, pela frmula:

x( k +1) = x( k ) + s ( k ) v( k ) (4.18)

O que distingue as vrias estratgias a largura do passo s(k), representada por um escalar, e a
direco da pesquisa v(k), definida por um vector. A lgica genrica de um algoritmo de pesquisa local pode
ser definida como:

Passo 1 Escolher uma soluo inicial S (com f(S) o valor da funo objectivo);

Passo 2 Pesquisar a vizinhana de S por uma soluo S com f(S) < f(S) (supondo minimizao);

Passo 3 Repetir o passo 2 at no encontrar melhor soluo.

A grande vantagem dos algoritmos de pesquisa local sua simplicidade e o facto de se terem
mostrado teis na prtica (Schwefel 1995). No entanto, h duas grandes limitaes (Fouskakis 2002; Souza
2005):

Por definio, so algoritmos que terminam num ptimo local, no havendo geralmente
informao de quo distante o ptimo local est do ptimo global;

Na maioria das vezes, o ptimo local obtido depende da configurao inicial, no existindo linhas
de orientao para a sua definio.

Algumas variantes tentam minimizar estes problemas propondo a reinicializao do algoritmo com
diferentes configuraes ou aumentar o espao de pesquisa, considerando mais solues potenciais em
cada iterao. Apesar disso, nenhuma destas melhorias suficientemente satisfatria para superar as
limitaes dos algoritmos bsicos de pesquisa local (Pahwa 2004).

No sentido de ultrapassar estas limitaes, foram desenvolvidos outros mtodos, resultantes da


reunio de conceitos das reas de Optimizao e Inteligncia Artificial, comummente conhecidos como
metaheursticas. As metaheursticas distinguem-se dos mtodos de pesquisa local tradicionais por usarem
processos estocsticos para a gerao da soluo inicial e para a movimentao no espao dos parmetros,
resultando daqui a designao de Mtodos Estocsticos de Pesquisa Local.

Assim, a grande vantagem das metaheursticas sua capacidade em ultrapassar ptimos locais. Por
outro lado, so tcnicas robustas, simples e potencialmente fceis de paralelizar (Hoos 2004).

As metaheursticas mais comuns e consideradas como mais promissoras so (Voudouris 1997;


Horne 1998; Pham 2000a; Fouskakis 2002; Horne 2004):

114
Recozimento Simulado (Simulated Annealing);

Pesquisa Tabu (Tabu Search);

Algoritmos Genticos1.

Nos prximos pontos faz-se uma breve descrio destas trs importantes estratgias.

4.3.1.1.1 Recozimento Simulado (Simulated Annealing)

Este mtodo no mais do que um algoritmo de Pesquisa Local com a particularidade de, em
certas condies, aceitar solues com pior funo objectivo do que a actual. Partindo de uma
configurao inicial S, o algoritmo gera aleatoriamente uma soluo vizinha S. Se a nova soluo S for
melhor do que a anterior, S aceite como soluo actual e o algoritmo prossegue para a prxima iterao.
Caso contrrio, S pode ainda ser aceite com uma dada probabilidade, que funo da diferena entre as
duas funes objectivo e da temperatura (um parmetro do algoritmo). Esta capacidade de, por vezes,
aceitar solues piores, permite ao algoritmo escapar a ptimos locais e convergir para o ptimo global,
desde que o algoritmo evolua lentamente.

Os principais parmetros do mtodo so: a temperatura inicial e a taxa de arrefecimento.

Como principal desvantagem pode apontar-se o facto de ser computacionalmente exigente, isto , a
qualidade das solues obtidas depende do tempo de pesquisa do mtodo. Como vantagens, uma
tcnica que consegue lidar com modelos no lineares, com dados com rudo e com restries. uma
tcnica robusta e facilmente afinvel. Acima de tudo, um algoritmo simples de implementar e que tem a
capacidade de se aproximar do ptimo global, mesmo sem uma boa estimativa da configurao inicial.

4.3.1.1.2 Pesquisa Tabu

uma tcnica de optimizao originalmente proposta por (Glover 1977), embora a sua forma
actual tenha sido apresentada mais tarde em (Glover 1986). O algoritmo um processo adaptativo dotado
de uma estrutura de memria, que aceita movimentos de piora para escapar a ptimos locais.

Partindo de uma configurao inicial, o algoritmo examina todos os vizinhos e identifica aquele
com melhor funo objectivo, mesmo que esta seja pior do que a actual. De forma a evitar o retorno a
uma soluo j gerada anteriormente, existe uma lista tabu de movimentos proibidos que contm os
movimentos reversos aos ltimos k movimentos realizados. A lista tabu, de tamanho k, funciona num
esquema tpico first-in/first-out.

De forma a evitar a proibio de movimentos para configuraes ainda no visitadas, existe uma
funo de aspirao que permite retirar o estado tabu de um movimento, desde que este seja considerado
suficientemente interessante. O algoritmo termina quando for atingido um nmero mximo de iteraes

1 Os algoritmos genticos fazem parte de uma classe de algoritmos ditos evolucionrios, que incluem outros mtodos como
estratgias de evoluo, programao evolucionria e programao gentica.

115
sem melhorar a melhor soluo.

Os parmetros principais de controlo do algoritmo so: o tamanho da lista tabu, a funo de


aspirao e o nmero mximo de iteraes sem melhoria do ptimo corrente.

Em mtodos de Pesquisa Tabu comum a utilizao de estratgias de intensificao e


diversificao (Souza 2005). As primeiras tm por objectivo concentrar a pesquisa em determinadas
regies consideradas promissoras, enquanto as segundas tentam redireccionar a pesquisa para regies
ainda no suficientemente exploradas. Regra geral, essas estratgias so accionadas quando atingido um
nmero fixo de iteraes sem melhoria no valor da soluo ptima corrente.

Na sua verso original, a tcnica implica a avaliao da funo objectivo em todos os vizinhos da
configurao corrente (Fouskakis 2002). Para problemas de dimenso elevada, esta caracterstica pode
tornar muito lenta evoluo do algoritmo. Esta dificuldade ultrapassada em variantes do mtodo que
utilizam apenas parte da vizinhana. Uma outra desvantagem tem que ver com a representao do espao
dos parmetros. Tipicamente, utilizada uma codificao binria de n bits por cada parmetro e a
vizinhana de uma determinada soluo definida como o conjunto de solues, obtido pela troca de um
bit (10 ou 01). Nos casos em que os parmetros esto definidos no conjunto dos nmeros reais, o
mapeamento entre a codificao binria e a codificao original do problema representa uma dificuldade
adicional, uma vez que valores que estejam prximos na codificao original podem ser muito distantes na
codificao binria.

4.3.1.1.3 Algoritmos Genticos

uma metaheurstica, inicialmente introduzida por (Holland 1975), que se baseia na analogia com
os processos naturais de evoluo, nos quais, dada uma populao, os indivduos com caractersticas
genticas melhores tm maiores chances de sobrevivncia e de produzirem filhos cada vez mais aptos,
enquanto indivduos menos aptos tendem a desaparecer. Nos algoritmos genticos, cada cromossoma
(indivduo da populao) est associado a uma soluo do problema e cada gene est associado a uma
componente da soluo. Um mecanismo de reproduo, baseado em processos evolutivos, aplicado
sobre a populao com o objectivo de explorar o espao de busca e encontrar melhores solues para o
problema.

Os parmetros principais de controlo do algoritmo so: o tamanho da populao, a probabilidade


da operao de crossover, a probabilidade de mutao, o nmero de geraes e o nmero de iteraes sem
melhoria.

semelhana da Pesquisa Tabu, os Algoritmos Genticos apresentam a mesma dificuldade relativa


ao mapeamento entre a codificao original do problema e a codificao binria utilizada no algoritmo.
Por outro lado, alguns casos de estudo, como o conhecido problema do caixeiro viajante, podem ser
representados por permutaes de nmeros inteiros. No entanto, os operadores originais crossover e
mutation no funcionam, sendo necessrio recorrer a operadores modificados (Fouskakis 2002).

116
4.3.1.1.4 Algoritmo adoptado

A comparao entre as vrias metaheursticas referidas uma rea de estudo que se tem
desenvolvido consideravelmente nos ltimos anos. A anlise de alguma literatura (Glass 1996; Franconi
1997; Westhead 1997; Horne 1998; Augugliaro 1999; Fu 2000; Fudo 2000; Pham 2000a; Horne 2004)
permite concluir que nenhuma das tcnicas se consegue destacar de forma sistemtica nas vrias reas de
aplicao. A tcnica com melhor desempenho bastante dependente da especificidade do problema e por
vezes o uso de um algoritmo hbrido, que combine as caractersticas dos vrios mtodos, resulta num
algoritmo com melhor desempenho (Fouskakis 2002).

(Bryant 2003) defende que um algoritmo simples de Pesquisa Directa a escolha adequada para
realizar a extraco dos parmetros do modelo do IGBT, uma vez que a estimativa dos parmetros deve
ser suficientemente boa para conduzir a optimizao directamente para o ptimo global. Este um
argumento discutvel e os resultados apresentados em (Bryant 2003) e (Mi 2002; Allard 2003), de alguma
forma, indicam o contrrio, ou seja, que a funo objectivo deve conter vrios mnimos locais, sendo
desejvel optar por uma estratgia com a capacidade de ultrapassar esses mnimos locais. De facto, em (Mi
2002; Allard 2003; Bryant 2003) so usados algoritmos de Pesquisa Directa, mas os resultados no so
totalmente satisfatrios, apresentando erros relativos que ficam aqum do esperado para um processo de
optimizao. Em (Mi 2002) argumenta-se que a razo para tais desvios se devem a imprecises do modelo
do IGBT, mas o desempenho do algoritmo tem, certamente, um peso importante nos resultados obtidos.

Neste contexto, optou-se por uma metaheurstica que tem a aptido de escapar a mnimos locais. O
algoritmo Simulated Annealing acabou por ser o mtodo escolhido, porque parece ser aquele com melhor
compromisso entre simplicidade e robustez de desempenho.

O algoritmo tem sido aplicado a muitos problemas de optimizao com vrios graus de sucesso. A
rea de CAD em circuitos integrados foi provavelmente a primeira na qual a tcnica foi usada
intensivamente (Otten 1989). Outros exemplos de reas de aplicao j estudadas so a minimizao de
perdas em ligaes por laser e fibra ptica (Pham 2000a), escalonamento de produo e projecto de
sistemas de inspeco (Pham 2000a), optimizao de produo (Pham 2000a; Zolfaghari 2002), gesto de
rotas das companhias de aviao (Pahwa 2004) e optimizao trmica de edifcios (Romero 2001), entre
muitas outras.

Os fundamentos tericos do algoritmo, bem como os aspectos relativos sua implementao, so


descritos em detalhe no ponto 4.3.2.

4.3.1.2 Parmetros a extrair

Como um modelo fsico de um IGBT tem um conjunto numeroso de parmetros (cerca de 14)
uma questo pertinente se o processo de optimizao deve englobar todos os parmetros ou apenas
parte deles (como em (Palmer 2002; Bryant 2003)). Com um conjunto menor de parmetros o processo
naturalmente mais rpido, uma vez que o espao dos parmetros menor. No entanto, tal implica uma

117
boa estimativa para os parmetros no optimizados, sob pena de comprometer a preciso final do modelo.
Por outro lado, o risco de a optimizao tentar compensar imprecises dos parmetros no optimizados
aumenta, podendo diminuir a gama de validade do modelo.

Uma das vantagens da extraco por optimizao que, para alm dos parmetros associados ao
modelo do IGBT, possvel tambm incluir algumas variveis associadas ao circuito como, por exemplo,
as indutncias de fugas. De facto, estas so um factor crucial para o comportamento dinmico do circuito
podendo, em certos casos, determinar se os dispositivos se aproximam dos seus nveis mximos durante a
comutao. Nesta medida, elas so um factor decisivo para uma validao precisa de um modelo e para
uma correcta estimativa das perdas de comutao. Por ser difcil conhecer com rigor os valores das
indutncias de fugas, estas so normalmente includas nos processos de optimizao (Allard 2003; Bryant
2003).

Neste trabalho optou-se por optimizar todos os parmetros, permitindo assim avaliar o
comportamento do algoritmo em condies mais exigentes. No entanto, e como o conjunto de
parmetros a extrair numeroso, pode tambm discutir-se se os parmetros devem ser todos extrados em
simultneo ou por fases. partida, uma optimizao faseada ser a forma mais aconselhvel. Por um lado,
minimiza-se o problema j referido do tamanho do espao dos parmetros, com um consequente ganho
no tempo de convergncia. Por outro lado, a prpria natureza do problema sugere a diviso em duas
fases, na medida em que a validao de um modelo deve contemplar os regimes estacionrio e o
transitrio. A dificuldade desta abordagem reside na associao dos parmetros a cada uma das fases e o
facto de os parmetros de uma fase poderem influenciar os valores optimizados na outra fase.

A soluo faseada foi a adoptada neste trabalho, dividindo os parmetros em dois grupos. Assim,
um conjunto de parmetros optimizado com base no regime estacionrio (optimizao DC) e os
restantes parmetros so optimizados atravs do regime transitrio (optimizao transitria). Por outras
palavras, na optimizao DC so usadas as curvas caractersticas de sada para avaliar a funo objectivo,
enquanto na optimizao transitria a funo objectivo calculada com base nas formas de onda do
regime transitrio.

Como tal, o procedimento (Figura 4.6) inicia-se com a realizao da optimizao DC, com base na
estimativa inicial dos parmetros. De seguida, procede-se optimizao transitria utilizando j o conjunto
ptimo dos parmetros da optimizao DC.

118
Figura 4.6 Componentes DC e transitria do procedimento de extraco.

A Tabela 4.2 ilustra a distribuio dos parmetros por cada uma das fases.

Tabela 4.2 Distribuio dos parmetros pelas duas fases do procedimento de extraco.

Smbolo Descrio
A rea total
hp Parmetro de recombinao do emissor
Kf Factor de transcondutncia da regio de trodo MOS
Optimizao
Kp Transcondutncia da regio de saturao MOS
DC
Vth Tenso limiar de conduo
Factor de reduo da transcondutncia
Tempo mdio de vida
Agd rea porta-dreno
Cgs Capacidade porta-fonte
Coxd Capacidade de depleo xido porta-dreno
Optimizao
NB Concentrao na base (nvel de dopagem)
transitria
Vbi Potencial interno da juno
VTd Tenso de depleo porta-dreno
WB Largura metalrgica da base
L Indutncia parasita

Esta a distribuio inicialmente usada neste trabalho, tambm proposta em (Allard 2003). Embora
discutvel, esta uma distribuio que associa componente DC um conjunto de parmetros que
influencia fortemente o comportamento em regime permanente e que, por outro lado, garante uma

119
distribuio de parmetros equilibrada. Note-se tambm a incluso da indutncia parasita do circuito
como parmetro optimizar. Numa fase mais avanada deste estudo, o parmetro hp foi passado para a
optimizao transitria, uma vez que este parmetro fundamental para uma correcta validao do
fenmeno da cauda da corrente de colector na sada de conduo.

4.3.1.3 Avaliao do erro

A forma intuitiva de avaliar o erro entre os resultados experimentais e simulados comparar as


respectivas formas de onda. Para o regime estacionrio, a soluo comparar, ponto a ponto, as curvas
caractersticas de sada (Figura 4.7), sendo necessrio definir o nmero de curvas a utilizar e o nmero de
pontos por curva.

20

Regio Regio de
de trodo saturao Vge = 11 V

15
Ic (A)

10

Vge = 9 V

5
Vge = 8 V

0
0 2 4 6 8 10

Vce (V)

Figura 4.7 Curva caracterstica de sada tpica de um IGBT.

No regime transitrio, o leque de possibilidades alarga-se. Desde logo, passam a estar disponveis
trs curvas de comutao principais (Figura 4.8): a corrente de sada IC, a tenso de sada VCE e a tenso de
entrada VGE.

VCE

VGE VGE

VCE
IC
IC

tem po (s) tem po (s)

a) b)
Figura 4.8 Curvas de comutao tpicas de um IGBT em a) entrada e b) sada de conduo.

120
Assim, a definio do erro passa pela escolha de uma ou vrias formas de onda, bem como da
janela temporal, isto , se deve incluir todo o ciclo de comutao ou parte dele. Uma alternativa consiste
em usar a curva de potncia instantnea (VCE IC) para calcular o erro (Bryant 2003). Esta abordagem
justificada pelo interesse, do ponto de vista de projecto, no conhecimento preciso das perdas de
comutao. No entanto, existe um risco no desprezvel de imprecises nas formas de onda da tenso e
da corrente se compensarem mutuamente, diminuindo a consistncia fsica do modelo (Bryant 2003).

Uma terceira possibilidade para avaliar o erro consiste em usar parmetros de comutao como a
tenso mxima de colector, tempos de subida/descida de tenso/corrente ou tempos de atraso na
entrada/sada de conduo (Allard 2003). Com esta abordagem evita-se a sincronizao entre as formas de
onda, sendo possvel dar mais ou menos importncia a determinadas fases do ciclo de comutao,
atribuindo pesos diferentes aos vrios parmetros de comutao. Esta a opo mais interessante, do
ponto de vista de projecto de sistemas em electrnica de potncia mas, para garantir um bom acordo em
todo o ciclo de comutao, pode ser necessrio o uso de um nmero elevado de parmetros de
comutao.

Nesta tese utilizou-se o mtodo de comparao, ponto a ponto, das formas de onda de tenso e
corrente. A tenso colector-emissor escolhida para varivel principal de optimizao, uma vez que a
sobretenso tipicamente observada na sada de conduo, de vital importncia em termos de projecto de
circuitos. No entanto foram estudadas outras solues como a tenso de entrada VGE e a corrente de sada
IC, bem como combinaes entre as trs variveis.

A corrente de colector revelou-se inadequada como varivel de optimizao, uma vez que os efeitos
das capacidades (nomeadamente a de Miller) so pouco visveis na forma da curva. A optimizao s com
a tenso colector-emissor revelou-se suficiente para a maioria dos casos estudados. A excepo residiu nos
casos onde o efeito da cauda da corrente sada bastante pronunciado. Nestas situaes, o uso da corrente
fundamental para uma extraco correcta. Em termos globais, possvel concluir que para uma soluo
mais sensata, se deve incluir em conjunto a tenso colector-emissor (VCE) e a corrente de colector (IC).

Outra concluso interessante a retirar dos estudos efectuados, que possvel obter bons
resultados, considerando somente o perodo relativo sada de conduo, mesmo com uma varivel de
optimizao. Por outras palavras, se com um determinado conjunto de parmetros, o acordo na sada de
conduo for bom, ento o acordo na entrada em conduo tambm se verifica. Isto implica o uso de
menos dados a tratar mas, principalmente, evita a necessidade de sincronizar as formas de onda na entrada
em conduo. Como se discute no pargrafo seguinte, a sincronizao pode ser uma dificuldade adicional
no processo de optimizao.

A sincronizao uma fase indispensvel quando se pretende comparar formas de onda.


Tipicamente, o sincronismo feito manualmente atravs do sinal de gerado no circuito de comando.
Como a capacidade de entrada porta-fonte (Cgs) modelada como uma capacidade fixa, a sincronizao

121
pode no ser uma tarefa imediata, principalmente se a estimativa inicial de Cgs no for boa.

No exemplo da Figura 4.9 ilustram-se duas situaes em que, apesar de os sinais de comando
estarem sincronizados, verifica-se um desacordo na tenso porta-emissor (VGE), originando um erro no
atraso da entrada em conduo. Uma situao destas, torna invivel uma sincronizao automtica
baseada nos sinais de comando, como a proposta em (Bryant 2003).

Figura 4.9 Ilustrao de problemas no sincronismo das formas de onda.

Estes exemplos ilustram a necessidade de, em certos casos, se proceder a um sincronismo com base
na forma de onda da tenso porta-emissor (VGE) em vez da tenso de comando, conforme ilustrado na
Figura 4.10. Note-se que, com um ligeiro off-set no sinal de comando, consegue-se um melhor ajuste na
tenso porta-emissor, como pretendido. Esta soluo no de todo desajustada, at porque a prtica
comum, na validao de modelos de semicondutores, consiste no alinhamento pelas variveis principais
VCE e IC, e no pelos sinais de comando.

Figura 4.10 Ilustrao de um sincronismo por VGE.

4.3.2 O algoritmo Simulated Annealing

O algoritmo Simulated Annealing (SA) uma tcnica de optimizao baseada nos princpios da
termodinmica, motivada pelo processo de recozimento (annealing) dos slidos. O recozimento um
processo fsico no qual o metal aquecido a uma temperatura prxima na transio slido-lquido e

122
depois arrefecido lentamente de forma a obter uma estrutura cristalina perfeita. Esta estrutura
corresponde a um estado de equilbrio que minimiza a energia total. Se o arrefecimento no foi
suficientemente lento, podem formar-se irregularidades no cristal, correspondendo a estados semi-estveis
com mnimos locais de energia.

A ideia subjacente ao SA resolver um problema de optimizao combinatria por um processo


anlogo ao processo fsico. Esta analogia, originalmente proposta por (Kirkpatrick 1983; Cerny 1985),
baseada no procedimento estatstico desenvolvido por Metropolis et al. (Metropolis 1953), para a
simulao da movimentao de partculas em materiais, em que as vrias configuraes do sistema
correspondem s solues possveis de um dado problema e a energia do processo fsico funo
objectivo.

No algoritmo de Metropolis, uma nova configurao de partculas gerada pelo mtodo de Monte-
Carlo. A sua energia livre (Enew) comparada com a energia do estado anterior (Eold). Se Enew < Eold, a nova
configurao sobrevive ( aceite) e forma a base para a perturbao seguinte. A nova configurao pode
ainda ser aceite com Enew > Eold, mas apenas com probabilidade P(E), dada pela distribuio de
Boltzmann:

1 E Enew
P(E ) = exp old (4.19)
c kT

em que k a constante de Boltzmann, T a temperatura actual e c uma constante de normalizao.

A adaptao do algoritmo Metropolis aos problemas de optimizao consiste em, para cada
iterao, gerar aleatoriamente uma mudana da soluo corrente, isto , do actual conjunto de parmetros,
atravs de um mecanismo de gerao. A funo objectivo da nova soluo ento calculada. Se esta for
melhor do que a anterior, a nova soluo aceite como soluo actual. Seno, e de acordo com o critrio
de Metropolis, se a diferena entre os valores da funo objectivo da nova soluo e da soluo corrente
for maior ou igual a zero, ento a nova soluo pode ainda ser aceite se < exp(-f/cT), em que um
nmero gerado aleatoriamente entre [0,1] e f a diferena entre os valores da funo objectivo das duas
solues. Caso contrrio a soluo actual mantm-se inalterada.

123
Esta caracterstica, de aceitar solues piores,
permite ao algoritmo escapar a ptimos locais. No
incio do algoritmo, solues significativamente piores
podem ser aceites, uma vez que a temperatura
elevada. medida que o algoritmo evolui, a
temperatura vai diminuindo, reduzindo assim a
probabilidade de aceitar solues piores.

O algoritmo SA (Figura 4.11) composto por


dois ciclos1 (Schwefel 1995):

1) Diminuio da temperatura (ciclo externo) at


ser atingido o estado T = 0;

2) Fase de espera at ser encontrado um estado de


equilbrio (ciclo interno)

- Realizao de algoritmos Metropolis com T


constante at que no ocorram melhores
solues.

Figura 4.11 Algoritmo Simulated Annealing.


Uma das dificuldades do mtodo relaciona-se
precisamente no controlo destes dois ciclos, uma vez que no existem regras sistemticas para definir a
forma de diminuir a temperatura e a durao da fase de equilbrio. Alm disso, ainda necessrio
especificar um mtodo para gerar novas solues, isto , gerao de perturbaes da soluo actual.

Deste modo, o algoritmo SA caracterizado por um conjunto de requisitos:

Populao inicial (estimativa inicial);

Temperatura inicial (T0);

Mecanismo de perturbao dos parmetros um mtodo para gerar um novo conjunto de


valores dos parmetros;

Funo objectivo uma equao escalar para medir a qualidade do ajuste de cada conjunto
de parmetros;

Mecanismo de arrefecimento um mtodo para definir a forma como a temperatura


diminui.

Critrio de paragem um mtodo para controlar a paragem do algoritmo.

1 Por vezes o algoritmo SA descrito na literatura de uma forma simplista, contendo apenas um ciclo, na qual a temperatura
diminui em cada iterao, ou seja, o segundo ciclo tem tamanho 1.

124
Cada um destes requisitos, abordados em detalhe mais frente, definido de forma emprica e em
funo de problema em estudo, ou seja, a soluo adoptada para cada requisito definida especificamente
para o problema. Por outro lado, a subjectividade associada aos parmetros de controlo do algoritmo SA,
torna o processo de optimizao intrinsecamente iterativo, isto , a afinao dos parmetros de controlo
feita por experimentao (Schwefel 1995; Souza 2005), utilizando uma abordagem tentativa-erro atravs
de um conjunto de optimizaes preliminares. Esta uma fase indispensvel para o utilizador avaliar a
sensibilidade dos parmetros de controlo e escolher os valores mais adequados.

4.3.2.1 Populao inicial

A definio da estimativa inicial dos parmetros pode ser feita de vrias formas:

Escolher um conjunto aleatrio de valores, mas com significado fsico. Embora o algoritmo tenha a
capacidade de convergir, mesmo com ms solues iniciais, manda o bom senso que a escolha dos valores
seja feita dentro de uma gama de variao aceitvel;

Escolher alguns valores comparando resultados experimentais com algumas simulaes


preliminares;

Extrair alguns parmetros usando tcnicas clssicas, publicadas na literatura, como as descritas no
ponto 4.2. Esta a abordagem proposta e utilizada neste tese, uma vez que possibilita uma boa estimativa
inicial, diminuindo o tempo de optimizao.

4.3.2.2 Mecanismo de perturbao dos parmetros

Como descrito, em cada iterao do algoritmo, um novo conjunto de parmetros X deve ser
gerado. Esse novo conjunto obtido gerando uma perturbao aleatria no conjunto actual de parmetros
X, ou seja:

X i' = X i + X i (4.20)

Assim, para cada parmetro i gerada uma variao Xi. Uma vez que as gamas de variao
associadas a cada parmetro so bastante heterogneas, optou-se por gerar variaes normalmente
distribudas com mdia zero e um desvio-padro associado a cada parmetro:

X i ( 0, i2 ) (4.21)

Deste modo, o vector = [1, 2, , n,] constitui um dos parmetros de controlo do algoritmo,
determinando o seu desempenho, na medida em que valores elevados de podem produzir variaes
significativas na funo objectivo, tornando mais difcil escapar a ptimos locais, por um lado, e por outro,
dificultando a convergncia para o ptimo global. Em oposio, valores baixos de podem tornar
bastante lenta a pesquisa no espao dos parmetros e, por consequncia, a convergncia do algoritmo.

125
Como todos os outros parmetros de controlo do algoritmo SA, a definio de relativamente
subjectiva e depende da confiana depositada na estimativa inicial do conjunto de parmetros. Se o grau
de certeza relativamente a um valor extrado for elevado, significa que o valor ptimo deve ser prximo da
estimativa inicial, sendo suficiente pequenas perturbaes para esse parmetro.

Uma possvel regra emprica para o clculo de considerar uma percentagem, por exemplo 5%,
da variao admissvel de cada parmetro, ou seja:

i = 0,05 ( X imax X imin ) (4.22)

Os valores mximos e mnimos podem ser meramente indicativos, e usados apenas para determinar
os desvios-padro, ou podem servir para limitar a variao dos parmetros, uma vez excedidos. Neste
trabalho no foram impostos limites quanto variao dos parmetros.

4.3.2.3 Funo objectivo

A finalidade da funo objectivo disponibilizar uma medida da qualidade do ajuste entre os


resultados experimentais e simulados, ou seja, quantificar o erro entre as vrias formas de onda de tenso
e/ou corrente. A funo objectivo foi definida como uma soma quadrtica, ponto a ponto, dos erros
relativos, ou seja:

2
g s ( xi ) g e ( xi )
f obj =
g e ( xi )
(4.23)
c i

sendo c o nmero de curvas e i o nmero de pontos avaliados por curva. O ndice s representa a
curva simulada e e a experimental.

Na optimizao DC (4.23) escrita como:

2
I C s (VCE
i
) I C e (VCE
i
) c = 1, 2, 3
f obj =
I C e (VCE
i
)

i = 1, 2, 3
(4.24)
c i

com IC(VCE) a curva caracterstica de sada, para cada valor da tenso porta-emissor (VGE).

As experincias realizadas permitiram concluir que com um mnimo de 3 curvas (3 valores de VGE)
e 3 pontos por curva, se conseguem bons resultados. Dada a forma das curvas caractersticas de sada
(Figura 4.7) desejvel que dois, dos trs pontos, pertenam regio de trodo e restante regio de
saturao.

Na optimizao transitria, utilizando uma varivel de optimizao, a funo objectivo expressa


por:

2
n
g s (ti ) g e (ti )
f obj =
g e (ti )
(4.25)
i

126
com n o nmero de pontos experimentais. Esta funo objectivo revelou-se adequada em alguns
casos estudados. No entanto, noutras situaes pareceu no ser a mais eficaz.

Esta ineficcia est relacionada com a forma peculiar da curva da tenso colector-emissor (VCE) na
sada de conduo (Figura 4.8-b). De facto, esta caracterizada por um patamar inicial (de alguns volt)
correspondente tenso de conduo. No incio da comutao a tenso sobe com um declive muito baixo
(at poucas dezenas de volt) passando para um declive muito elevado aps o efeito de Miller, ao qual se
segue a tpica sobretenso, que pode atingir vrias centenas de volt.

Dada esta gama alargada de variao de VCE, pode acontecer que na fase inicial se verifiquem erros
baixos em termos de amplitude mas elevados em termos percentuais, enquanto na fase final da
comutao, os erros so grandes em amplitude mas baixos em termos percentuais. Embora seja desejvel
um acordo em todo o domnio temporal, os fenmenos relativos tenso de sada so, sem dvida, mais
importantes aps o efeito de Miller. Assim, a funo objectivo dada por (4.25) tende a dar um peso
superior fase inicial, onde os erros percentuais podem ser mais elevados.

Neste contexto, estudaram-se outras alternativas atravs de expresses como:

n
g s (ti ) g e (ti )
f obj = i g e (ti )
(4.26)

( g )
1 s
2
f obj = (ti ) g e (ti ) (4.27)
n i

n
1
f obj =
n
g i
s
(ti ) g e (ti ) (4.28)

A expresso (4.28) demonstrou ser a mais consistente, e de certa forma, a soluo esperada, na
medida em que avalia directamente a amplitude dos erros.

Em qualquer um dos casos, a optimizao atravs da comparao das formas de onda revelou-se
um pouco ingrata, na medida em que produz, com alguma frequncia, variaes bruscas na funo
objectivo, implicando um controlo mais cuidado do algoritmo. De facto, os declives acentuados de tenso
(VCE) e corrente (IC) implicam que, qualquer variao dos parmetros que implique uma translao
temporal das formas de onda, se traduza em variaes repentinas dos erros e, como tal, da funo
objectivo.

Note-se que, se (4.27) ou (4.28) forem usadas com mais do que uma varivel, por exemplo, VCE e
IC, torna-se necessrio normalizar os respectivos valores uma vez que a gama de variao das variveis
muito distinta. Para tal, podem ser usados para VCE o valor da tenso de alimentao e para IC a corrente
mxima de conduo.

127
4.3.2.4 Mecanismo de arrefecimento

O mecanismo de arrefecimento , provavelmente, a componente mais importante e decisiva para


um bom desempenho do algoritmo SA. O mecanismo composto por vrias vertentes: a temperatura
inicial, o esquema de arrefecimento da temperatura e o nmero de iteraes mesma temperatura na fase
de equilbrio.

Dependendo do esquema de arrefecimento, possvel demonstrar a convergncia do algoritmo. No


entanto, tal resultado de reduzida utilidade prtica, uma vez que implica normalmente um nmero
proibitivo de iteraes do mtodo (Cohn 1999; Souza 2005).

Nos pargrafos seguinte analisam-se as trs componentes atrs referidas.

Temperatura inicial

A temperatura inicial deve ser suficientemente elevada, de modo a permitir ao algoritmo escapar a
ptimos locais, mas suficientemente baixa para no sair do ptimo global. Relembre-se (Equao 4.19)
que no incio do algoritmo, o facto de a temperatura ser elevada, permite que solues piores sejam aceites
com uma probabilidade relativamente elevada mas, medida que a temperatura vai diminuindo, essa
probabilidade vai sendo reduzida.

Na literatura so propostos alguns procedimentos para a determinao da temperatura:

Realizar o algoritmo com uma elevada taxa de arrefecimento (significa usar s baixo em (4.29)) e
escolher para temperatura inicial, aquela para a qual foi encontrada a melhor soluo (Connolly 1990);

Partindo de uma dada soluo, gerar um certo nmero de vizinhos, e tomar como temperatura
inicial o valor mdio da funo objectivo associada a cada vizinho (Souza 2005);

Partindo de uma dada soluo com uma temperatura inicial baixa, contar quantos vizinhos dessa
soluo so aceites, em n iteraes do mtodo nessa temperatura. Caso a taxa de vizinhos aceites seja
elevada (por exemplo 95%), ento retorna-se como temperatura inicial a temperatura corrente. Caso
contrrio, aumenta-se a temperatura segundo uma certa taxa (por exemplo 10%) e repete-se a contagem
nesta temperatura. O procedimento prossegue at ser atingida a taxa mnima de vizinhos aceites (Souza
2005).

Esquema de arrefecimento

O arrefecimento efectivo da temperatura pode ser feito por vrios mecanismos (Osman 1995;
Cohn 1999; Pham 2000a; Fouskakis 2002). O mais comum utiliza uma variao geomtrica:

Ti +1 = sTi (4.29)

em que o factor s varia tipicamente entre 0.8 e 0.99. Outros esquemas possveis so:

Em funo dos limites superior T0 e inferior Tf da temperatura, e do nmero de iteraes N:

128
1
T
N

Ti +1 = Ti 0 (4.30)
T
f

Ti
Ti +1 = (4.31)
1 + Ti

com < 0.2;

c
Ti = (4.32)
ln (1 + i )

onde c da ordem do valor do ptimo local mais profundo1.

Apesar desta variedade de metodologias, a taxa de arrefecimento parece ser o factor mais
importante, do que propriamente o esquema de arrefecimento (Fouskakis 2002), sendo prefervel optar
por um esquema comum, como o dado por (4.29), e concentrar energias na afinao do factor de
arrefecimento s. Esta foi a opo utilizada nesta tese.

Nmero de iteraes a temperatura constante

A estimao do nmero mximo de iteraes numa dada temperatura feita normalmente em


funo das dimenses do problema, seja atravs do tamanho do espao dos parmetros ou do tamanho da
vizinhana (Fouskakis 2002; Souza 2005). Neste caso, a fase de equilbrio tem durao constante.

Alternativamente, a fase de equilbrio pode ser funo da temperatura atravs de um aumento


geomtrico ou aritmtico a cada nova temperatura.

Outro esquema possvel consiste em diminuir a temperatura aps a aceitao de um nmero fixo de
movimentos. Assim, a fase de equilbrio no incio do algoritmo ser curta, uma vez que a temperatura
elevada e a taxa de aceitao tambm mas, por outro lado, a baixas temperaturas, a fase de equilbrio pode
ser demasiadamente longa at que o nmero mnimo de movimentos aceites seja atingido (Fouskakis
2002).

Uma quarta possibilidade consiste em terminar a fase de equilbrio se o mnimo actual no for
melhorado nas ltimas k iteraes. No entanto, a durao da fase de equilbrio depende do instante em
que se faz essa verificao, isto , o algoritmo pode estar continuamente a verificar a condio de
equilbrio (opo usada neste trabalho) ou apenas quando h um movimento rejeitado (como em
(Schwefel 1995)). Na fase mais crtica, a baixas temperaturas, as duas alternativas devero ser equivalentes
uma vez que a frequncia de ptimos encontrados baixa e, como tal, a durao da fase de equilbrio
tende a ser semelhante nas duas alternativas. A temperaturas elevadas, como a taxa de movimentos aceites
elevada (o que implica poucas rejeies), a segunda alternativa tende a apresentar fases de equilbrio mais
longas, o que partida indesejvel.

1 Neste esquema a convergncia garantida quando k tende para infinito.

129
4.3.2.5 Critrio de paragem

Em teoria, a temperatura final deve ser zero. Na prtica suficiente chegar a uma temperatura
prxima de zero, devido preciso limitada da implementao computacional. Alguns critrios possveis
para a paragem do algoritmo, isolados ou combinados, so:

Nmero mximo de iteraes do algoritmo1;

Valor mnimo de temperatura;

Valor mnimo da funo objectivo1;

Valor mnimo da taxa de aceitao de movimentos;

Neste trabalho, a maior parte das experincias foram realizadas especificando um nmero mximo
de iteraes.

4.3.3 Implementao do procedimento

A implementao do procedimento para a extraco dos parmetros do modelo do IGBT tem duas
componentes: a implementao do algoritmo de optimizao SA e a comunicao entre o algoritmo e o
simulador IsSpice4. Relembre-se que, a cada iterao do algoritmo, feita uma chamada ao simulador
IsSpice4, com o actual conjunto de parmetros (soluo actual), no sentido de avaliar a funo objectivo,
por comparao entre os resultados da simulao e os experimentais.

A necessidade de realizar uma simulao em cada iterao do algoritmo, torna este problema
deveras caracterstico, na medida em que o tempo de simulao condiciona decisivamente o tempo total
do processo de optimizao. De facto, uma simulao pode demorar alguns segundos, podendo atingir 10
a 20 segundos noutros casos, enquanto o tempo de processamento do resto do algoritmo representa uma
parte insignificante destes valores. Significa isto que o tempo total de optimizao pode facilmente
ultrapassar uma hora com algumas centenas de iteraes. Esta situao contrasta com uma aplicao
tpica, na qual a avaliao da funo objectivo feita quase instantaneamente, pelo que, numa hora
possvel ter-se milhares de iteraes.

Apesar de tudo, os resultados obtidos foram promissores, reforando a ideia de que uma soluo
ptima local (boa) pode ser bastante eficiente e que, encontrar rapidamente uma boa soluo pode ser
mais desejvel do que encontrar demoradamente a melhor soluo possvel.

Como foi referido, o algoritmo SA muito simples, requerendo apenas algumas linhas de cdigo.
Na Figura 4.12 representa-se o fluxograma e o pseudocdigo do algoritmo.

1 Garantindo que o algoritmo atinja temperaturas baixas.

130
Figura 4.12 Fluxograma e pseudocdigo do algoritmo simulated annealing.

A implementao pode ser feita em qualquer linguagem de programao standard.

A comunicao entre o algoritmo e o simulador representa a componente mais exigente da


implementao. Esta comunicao passa pela transferncia de dados entre o algoritmo e o simulador, bem
como o controlo deste. Neste sentido, optou-se por realizar a implementao em MATLAB, fazendo uso
das suas rotinas incorporadas de acesso a ficheiros de texto e explorando as suas capacidades grficas, por
um lado, para acompanhar visualmente a evoluo do algoritmo e, por outro, para desenvolver toda a
interface grfica com o utilizador.

A interface grfica (Figura 4.13) desenvolvida teve como objectivo principal facilitar a realizao
dos vrios estudos de validao, quer do procedimento de extraco, quer do modelo do IGBT. Assim,
esta no deve ser entendida como um produto acabado, uma vez que no esto implementadas todas as
funcionalidades para um completo controlo do procedimento de extraco. Nomeadamente, quase todas
as tarefas de pr-processamento, como sejam a formatao dos dados experimentais, a formatao do
ficheiro de simulao, a definio da funo objectivo, entre outras, tm de ser introduzidas directamente
no cdigo fonte.

131
Figura 4.13 Interface grfica em MATLAB para a extraco dos parmetros.

No entanto, as funcionalidades principais esto todas implementadas e acessveis atravs da


interface, como por exemplo:

Os valores dos parmetros de controlo do algoritmo;

A definio do comando para a simulao transitria;

A sincronizao dos sinais (experimental e simulado);

A definio dos valores dos parmetros para a configurao inicial e os respectivos desvios-padro
para o calculo das perturbaes dos parmetros;

A visualizao da evoluo do algoritmo;

O controlo global do procedimento.

Detalhando um pouco mais a implementao do procedimento, a comunicao entre o algoritmo e


o simulador feita atravs da passagem de dados entre o MATLAB e dois ficheiros de controlo do
simulador (Figura 4.14).

Sistema de
optimizao
parmetros
do modelo

Resultado da
simulao Simulador

Figura 4.14 Integrao entre o ambiente de optimizao e o simulador.

Uma vez que a verso utilizada do simulador IsSpice4 no possui qualquer funcionalidade de troca
de dados com outras aplicaes externas, a alterao dos parmetros do modelo feita atravs da lista de
componentes do circuito. A lista de componentes (ficheiro de texto com extenso .CIR) o ficheiro

132
principal do simulador, com uma sintaxe prpria, que contm um conjunto de informao que descreve
todo circuito elctrico, ou seja, o tipo de componentes, os seus valores, e a interligao entre os vrios
componentes. tambm aqui que se definem as caractersticas da simulao (anlise DC, anlise
transitria, passo de tempo, etc.), bem como as variveis de sada a monitorizar. Estas so guardadas no
ficheiro de sada do simulador (de extenso .OUT).

Deste modo, consoante o tipo de anlise (DC ou transitria) definida pelo utilizador, os valores dos
parmetros associados a essa escolha so transferidos para a lista de componentes do circuito, bem como
os valores associados ao controlo da simulao. No fim da simulao, os valores que constam no ficheiro
de sada do simulador so passados para o processo de optimizao, no sentido de avaliar a funo
objectivo.

A falta de convergncia de algumas simulaes outra situao que deve ser controlada pelo
processo de optimizao. Normalmente, a falta de convergncia resulta na interrupo da simulao,
sendo gerado um ficheiro de erro (extenso .ERR) com a respectiva informao. O mdulo de
optimizao monitoriza este ficheiro e a simulao ignorada na presena de um erro. O fim da simulao
detectado atravs da monitorizao contnua de uma sequncia especfica de caracteres presente no
ficheiro de sada do simulador.

Assim, em cada iterao do algoritmo, uma nova simulao iniciada atravs de uma chamada ao
sistema operativo. A partir desse instante, o ficheiro de sada do simulador (.OUT) continuamente
monitorizado. A deteco da frase total run time indicativo de que a simulao terminou. Nessa altura, o
ficheiro de erro (.ERR) analisado para verificar a existncia de algum erro. Em condies normais, os
dados com os valores das vrias formas de onda so transferidos para o MATLAB, dando sequncia ao
processo de optimizao.

4.4 Resultados
A validao do procedimento de extraco de parmetros, e por inerncia o modelo do IGBT, foi
realizada utilizando trs IGBTs com caractersticas diferentes:

IGBT A: BUP203 (NPT-IGBT 1000V/23A)

IGBT B: BSM200GA100D (NPT-IGBT 1000V/290A)

IGBT C: IRG4PC50U (PT-IGBT 600V/27A)

Nesta seco apresenta-se as condies nas quais foram realizadas as extraces dos parmetros dos
vrios semicondutores, dando particular ateno ao comportamento do algoritmo durante a optimizao.
Neste contexto, apenas se apresentam os resultados associados s variveis usadas na funo objectivo e
para as condies de funcionamento definidas em cada caso.

A validao, propriamente dita, do modelo do IGBT e do procedimento de extraco realizada no


Captulo 5, onde se faz uma anlise mais detalhada, considerando todas as variveis, tenso colector

133
emissor (VCE), tenso porta-emissor (VGE) e corrente de colector (IC), e analisando o ciclo completo de
comutao em vrias condies de funcionamento.

O circuito de teste utilizado na extraco dos parmetros (para a componente transitria)


corresponde a um circuito de carga resistiva, conforme ilustrado na Figura 4.15.

Figura 4.15 Circuito de teste com carga resisitiva.

Por ltimo, refira-se que todos os estudos foram realizados num PC, com um processador AMD
Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

4.4.1 Resultados do IGBT A

A Tabela 4.3 apresenta os valores dos parmetros utilizados como estimativa inicial. Estes foram
extrados com os procedimentos clssicos de extraco, j apresentados no ponto 4.2.

Tabela 4.3 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT A.

Optimizao DC Optimizao transitria

Parmetro
A hp Kf Kp Vth Agd Cgs Coxd NB Vbi WB
(cm) (cm4.s-1) (A/V) (V) (s) (V-) (cm) (nF) (nF) (cm-) ( V) (cm)
Valor inicial 0.2 50010-14 3.1 0.9 4.73 50 1210-5 0.09 1.8 3.1 0.41014 0.7 0.018

4.4.1.1 Optimizao DC do IGBT A

A funo objectivo fobj usa a equao (4.33) e avaliada com trs curvas da caracterstica de sada
IC = f(VCE), com VGE = 8, 9 e 11 V. Para cada uma das curva usou-se trs pontos. O ndice s representa a
curva simulada e e a experimental.

2
I C s (VCE
i
) I C e (VCE
i
) c = 1, 2, 3
f obj = e i
I C (VCE )

i = 1, 2, 3
(4.33)
c i

134
O critrio de paragem utilizado neste caso o valor da funo objectivo ser inferior a . O nmero
de iteraes necessrias foi de 170 (fobj = 0.465) realizadas em 8.5 minutos1.

As figuras seguintes ilustram a evoluo dos valores da funo objectivo e de alguns parmetros do
modelo do IGBT.

12

10

objective function 8

0 -60 -40 -20 0


10 10 10 10
temperature

Figura 4.16 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT A.

425 0.25

0.24
400

0.23

375
0.22
P

A
H

0.21
350

0.2

325
0.19

300 0.18
0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Iteration Iteration

Figura 4.17 Evoluo dos parmetros hp (10-14 cm4/s) e A (cm2) na optimizao DC do IGBT A.

A Tabela 4.4 lista os valores iniciais dos parmetros, os desvios-padro usados na optimizao e os
valores do conjunto ptimo de parmetros. A Figura 4.18 compara os resultados experimentais e
simulados para o conjunto ptimo de parmetros. Como evidente pela anlise visual da figura, o ajuste
bom.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

135
Tabela 4.4 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT A.

A hp Kf Kp Vth
Parmetro
(cm) (10-14cm4/s) (A/V) (V) (s) (10-5 V-)
Valor inicial 0.200 500 3.10 0.90 4.73 50 12.0
Desvio padro 0.005 10 0.07 0.05 0.02 4 0.5
Valor ptimo 0.239 319 2.17 0.72 4.76 54 8.8

20

18
Vge = 11 V
16

14
Simulado
12
Experimental
Ic (A)

10

8 Vge = 9 V
6

4 Vge = 8 V

0
0 5 10 15 20
Vce (V)

Figura 4.18 Optimizao DC do IGBT A Caracterstica de sada simulada e experimental.

4.4.1.2 Optimizao transitria do IGBT A

A optimizao transitria realizada usando a tenso colector-emissor (VCE) como varivel de


optimizao e considerando apenas a fase de sada de conduo. A respectiva funo objectivo :

1 551 s
( )
2
e
f obj = VCE (ti ) VCE (ti ) (4.34)
551 i =1

em que o ndice s representa a curva simulada e e a experimental.

Os valores dos parmetros de controlo do algoritmo foram: temperatura inicial T0 = 0.1 e taxa de
arrefecimento s = 0.93. Para este caso foi definido como critrio de paragem, um nmero mximo de 150
iteraes, resultando num valor ptimo de 11 para a funo objectivo. As simulaes no IsSpice4 foram
realizadas numa janela temporal de 70s com um passo de tempo de 10ns. A durao mdia de cada
simulao foi cerca de 30 segundos, pelo que o processo de optimizao demorou aproximadamente 75
minutos1.

As figuras seguintes ilustram a evoluo dos valores da funo objectivo e de alguns parmetros do
modelo do IGBT.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

136
150

125

Funo objectivo
100

75

50

25

0
0 25 50 75 100 125 150
Iterao

Figura 4.19 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT A.

19 3,25

18 3,00
W B (10-3 cm2)

Coxd (nF)

17 2,75

16 2,50

15 2,25
0 25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150
Iterao Iterao

Figura 4.20 Evoluo dos parmetros WB e Coxd na optimizao transitria do IGBT A.

Na Tabela 4.5 lista os valores do conjunto ptimo de parmetros, os valores da estimativa inicial e
os desvios-padro usados na optimizao.

Tabela 4.5 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT A.


(VCC = 150 V ; RG = 1340 ; RL = 20 ; Lf = 62 H)
Agd Cgs Coxd hp NB Vbi WB
Parmetro
(cm) (nF) (nF) (10-14 cm4/s) (1014 cm-) (V) (10-3 cm)
Valor inicial 0.090 1.80 3.10 500 0.40 0.70 18.0
Desvio padro 0.007 0.10 0.10 50 0.07 0.04 0.30
Valor ptimo 0.104 1.81 2.50 58.2 0.88 0.54 16.0

A Figura 4.21 compara os resultados experimentais (a carregado) e simulados para o conjunto


ptimo de parmetros. O acordo evidenciado entre os resultados experimentais e simulados valida, por
uma lado, o conjunto de parmetros extrado, e por outro, o modelo do IGBT. Em particular, a figura
valida a implementao da queda de tenso associada componente MOS e a queda de tenso na zona de

137
armazenamento associada modulao em condutividade. De facto, a primeira est relacionada com a
zona correspondente ao declive acentuado da tenso VCE, enquanto a segunda predomina na zona de
menor declive. A fase final da sada de conduo, na qual a tenso estabiliza para a tenso de alimentao,
apresenta um desvio que ter que ver, provavelmente, com uma modelao menos precisa da capacidade
de sada do IGBT.

700

600

500

400
Vce (V)

300

200

100

0
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70
tempo (s)

Figura 4.21 Optimizao transitria do IGBT A VCE simulado e experimental no turn-off.

4.4.2 Resultados do IGBT B

Os valores utilizados para a estimativa inicial, apresentados na Tabela 4.6, so extrados utilizando
os procedimentos clssicos de extraco j apresentados no ponto 4.2.

Tabela 4.6 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT B.

Optimizao DC Optimizao transitria

A Kf Kp Vth Agd Cgs Coxd hp NB Vtd WB


Parmetro
(cm) (A/V) (V) (s) (V-) (cm) (nF) (nF) (cm4.s-1) (cm-) (V) (cm)
Valor inicial 2.67 1.6 39.5 5.45 25 3.310-5 1.33 16 27 50010-14 2.421014 0 10.110-3

4.4.2.1 Optimizao DC do IGBT B

A funo objectivo fobj avaliada com a equao (4.35) usando trs curvas da caracterstica de sada
IC = f(VCE), com VGE = 6.0, 6.3 e 6.6 V, e trs pontos por curva.

2
I C s (VCE
i
) I C e (VCE
i
) c = 1, 2, 3
f obj = e i
I C (VCE )

i = 1, 2, 3
(4.35)
c i

Neste caso definiu-se como critrio de paragem 100 iteraes. O valor ptimo da funo objectivo

138
foi de 0.62. O processo demorou cerca de 5 minutos1.

A Figura 4.22 ilustra a evoluo dos valores da funo objectivo.

25

20

Funao objectivo
15

10

0
0 20 40 60 80 100
Iterao

Figura 4.22 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT B.

A Tabela 4.7 lista os valores iniciais dos parmetros, os desvios-padro usados na optimizao e os
valores do conjunto ptimo de parmetros. A Figura 4.23 compara os resultados experimentais e
simulados para o conjunto ptimo de parmetros. Tal como no caso anterior, a concordncia dos
resultados boa.

Tabela 4.7 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT B.

A Kf Kp Vth
Parmetro
(cm) (A/V) (V) (s) (10-5 V-)
Valor inicial 2.67 1.6 39.5 5.45 25 3.3
Desvio padro 0.05 0.1 1.0 0.02 4 0.5
Valor ptimo 2.76 0.87 32.7 5.51 30 1.15

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

139
25

20

Ic (A)
15

10

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vce (V)

Figura 4.23 Optimizao DC do IGBT B Caracterstica de sada simulada e experimental.

4.4.2.2 Optimizao transitria do IGBT B

A optimizao transitria realizada com VCE e IC como variveis de optimizao, considerando


apenas a fase de sada de conduo. A funo objectivo tem como expresso:

703 s
VCE e
(ti ) VCE (ti ) I Cs (ti ) I Ce (ti )
f obj =

i =1
e
VCE (ti )
+
I Ce (ti )


(4.36)

em que o ndice s representa a curva simulada e e a experimental.

Os valores dos parmetros de controlo do algoritmo so: temperatura inicial T0 = 0.1 e taxa de
arrefecimento s = 0.96. As simulaes no IsSpice4 foram realizadas numa janela temporal de 115s com
um passo de tempo de 20ns. A durao mdia de cada simulao foi cerca de 15 segundos, pelo que o
processo de optimizao demorou aproximadamente 1h40m1.

Durante o processo de afinao do algoritmo, detectou-se que os valores das capacidades de porta-
fonte (Cgs) e do xido (Coxd) evoluam, sistematicamente, para valores muito superiores, evidenciando que a
estimativa inicial era fraca. De facto, j se tinha verificado experimentalmente que estas capacidades
apresentavam valores reais mais elevados do que os extrados pelos mtodos clssicos baseados nas folhas
de caractersticas. O mesmo desacordo foi tambm verificado em (Bonnet 2003) para um dispositivo da
mesma famlia.

Assim, no sentido de agilizar o processo de optimizao, decidiu utilizar-se como estimativa inicial,
uma das solues encontradas durante a fase inicial de afinao (designada por soluo parcial na Tabela
4.8). Para a optimizao final, foi definido como critrio de paragem um nmero mximo de 400 iteraes,
resultando num valor ptimo de 149.3 para a funo objectivo.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

140
A Tabela 4.8 ilustra todos os valores dos parmetros utilizados na optimizao, bem como os
valores finais correspondentes soluo ptima.

Tabela 4.8 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT B.


(VCC = 300 V ; RG = 100 ; RL = 29 )
Agd Cgs Coxd hp Lload NB Vtd WB
Parmetro
(cm) (nF) (nF) (10-14 cm4/s) (H) cm-)
(1014 (V) (10-3 cm)
Valor inicial 1.33 16.0 27.0 500 90.0 2.42 0 10.1
Desvio padro 0.05 0.1 0.3 5 0.5 0.03 0.1 0.2
Soluo parcial 2.20 52.3 77.9 204 91.1 0.74 -2.6 12.0
Valor ptimo 2.17 49.4 85.2 193 93.2 0.72 -3.2 13.9

As figuras seguintes mostram a evoluo dos valores da funo objectivo e de alguns parmetros do
modelo do IGBT.

275
Funo objectivo

225

175

125
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Iterao

Figura 4.24 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT B.

54 88

53 86

84
52
Coxd (nF)
Cgs (nF)

82
51
80
50
78

49 76

48 74
0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 50 100 150 200 250 300 350 400
Iterao Iterao

Figura 4.25 Evoluo dos parmetros Cgs e Coxd na optimizao transitria do IGBT B.

A Figura 4.26 compara os resultados experimentais (a carregado) e simulados para o conjunto

141
ptimo de parmetros. A anlise da figura permite concluir que, a fase inicial da sada de conduo
correspondente aos declives acentuados de tenso e corrente, modelada com bastante preciso.

A fase final, correspondente ao efeito da cauda da corrente de colector, apresenta algumas


discrepncias. No caso da corrente de colector, esses desvios so aceitveis. Para a tenso colector-
emissor, os desvios so mais acentuados, provavelmente devido incompleta estimao da capacidade de
sada do IGBT. Estes desvios originam um erro superior ao desejado para a estimao das perdas de
comutao. Apesar disso, a sobretenso da tenso colector-emissor correctamente estimada, o que, em
termos de projecto, um factor relevante.

12 800

700
10

600
8
500

Vce (V)
Ic (A)

6 400

300
4
200

2
100

0 0

tempo (2 s/div)

Figura 4.26 Optimizao transitria do IGBT B VCE e IC simulados e experimentais no turn-off.

4.4.3 Resultados do IGBT C

Os valores utilizados para a estimativa inicial, representados na Tabela 4.9, so extrados utilizando
os procedimentos clssicos de extraco, j apresentados no ponto 4.2.

Tabela 4.9 Estimativa inicial dos parmetros do modelo do IGBT C.

Optimizao DC Optimizao transitria

A Kf Kp Vth Agd Cgs Coxd hp NB Vtd WB


Parmetro
(cm) (A/V) (V) (s) (V-) (cm) (nF) (nF) (cm4/s) (cm-) (V) (cm)
Valor inicial 0.27 1.8 7.5 5.0 1.0 0.05 0.0675 4 7.1 510-14 1.951014 0 8.710-3

Este IGBT tem uma estrutura PT (Figura 3.5) caracterizada por trs parmetros adicionais relativos
zona da buffer layer : comprimento WH, concentrao do dopante NH e o tempo mdio de vida H.
Embora o procedimento de optimizao possa ser modificado de modo a incluir estes parmetros, optou-
se por utilizar um valor dentro da gama emprica de variao dos mesmos (4 a 10 m para WH e 1016 a
1017 cm-3 para NH), uma vez que eles no tm uma influncia significativa na preciso global do modelo

142
(Kang 2003c).

Neste caso, foram utilizados os valores referidos em (Leturcq 1997) para o mesmo dispositivo:
WH = 7 m, NH =21016 cm-3 e H = 0.17 s.

4.4.3.1 Optimizao DC do IGBT C

A funo objectivo fobj foi avaliada com a equao (4.37) usando trs curvas da caracterstica de
sada (VGE = 7, 8 e 9 V) com trs pontos por curva.

2
I C s (VCE
i
) I C e (VCE
i
) c = 1, 2, 3
f obj = e i
I C (VCE ) i = 1, 2, 3
(4.37)
c i

Neste caso o critrio de paragem um mximo de 180 iteraes. Os valores dos parmetros de
controlo do algoritmo foram: temperatura inicial T0 = 0.002 e taxa de arrefecimento s = 0.93. O valor
ptimo da funo objectivo atingido foi de 0.6. O processo demorou cerca de 20 minutos1.

As figuras seguintes ilustram a evoluo dos valores da funo objectivo e de alguns parmetros do
modelo do IGBT. O padro de evoluo da funo objectivo no tem uma tendncia decrescente,
indicando que a estimativa inicial no estava muito longe do ptimo global, como se verifica pelos
resultados obtidos (Tabela 4.10).

15
Funo objectivo

10

0
0 50 100 150
Iterao

Figura 4.27 Evoluo da funo objectivo na optimizao DC do IGBT C.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

143
7,7 2,2

7,6 2,1

7,5 2,0
Kp (A/V2)

Kf
7,4 1,9

7,3 1,8

7,2 1,7
0 50 100 150 0 50 100 150
Iterao Iterao

Figura 4.28 Evoluo dos parmetros Kp e Kf na optimizao DC do IGBT C.

Tabela 4.10 Condies e resultado final na optimizao DC do IGBT C.

A Kf Kp Vth
Parmetro
(cm) (A/V) (V) (s) (V-)
Valor inicial 0.270 1.80 7.5 5.00 1.0 0.05
Desvio padro 0.015 0.1 0.05 0.02 0.05 0.0025
Valor ptimo 0.283 1.93 7.5 5.25 0.6 0.05

A Figura 4.29 compara os resultados experimentais e simulados para o conjunto ptimo de


parmetros. A concordncia verificada nos resultados , de novo, boa, no s na regio de saturao como
tambm na regio de trodo..

60
Vge = 9 V

40
Ic (A)

Vge = 8 V

20

Vge = 7 V

0
0 1 2 3 4 5

Vce (V)

Figura 4.29 Optimizao DC do IGBT C Caracterstica de sada simulada e experimental.

4.4.3.2 Optimizao transitria do IGBT C

A optimizao transitria foi realizada usando VCE e IC como variveis de optimizao,


considerando apenas a fase de sada de conduo. A funo objectivo tem como expresso:

144
860 VCE
s
(ti ) VCEe
(ti ) I Cs (ti ) I Ce (ti )
f obj =

i =1 VCEe
(ti )
+
I Ce (ti )


(4.38)

em que o ndice s representa a curva simulada e e a experimental.

Os valores dos parmetros de controlo do algoritmo foram: temperatura inicial T0 = 0.3 e taxa de
arrefecimento s = 0.95. As simulaes no IsSpice4 foram realizadas numa janela temporal de 400s com
um passo de tempo de 50ns. A durao mdia de cada simulao foi cerca de 20 segundos. O critrio de
paragem foi um nmero mximo de 400 iteraes, atingidas ao fim de 1h30m1, resultando num valor
ptimo de 322 para a funo objectivo.

A Tabela 4.11 define os valores dos parmetros utilizados na optimizao, bem como os valores
finais correspondentes soluo ptima.

Tabela 4.11 Condies e resultado final na optimizao transitria do IGBT C.


(VCC = 200 V ; RG = 4480 ; RL = 28 )
Agd Cgs Coxd hp Lload NB Vtd WB
Parmetro
(cm) (nF) (nF) (10-14 cm4/s) (H) (1014 cm-) (V) (10-3 cm)
Valor inicial 0.0675 4.0 7.1 5 90.0 1.95 0 8.7
Desvio padro 0.009 0.1 0.3 0.7 0.5 0.05 0.15 0.15
Valor ptimo 0.078 3.13 5.26 6.2 91.2 1.94 -1.9 7.6

As figuras seguintes ilustram a evoluo dos valores da funo objectivo e dos parmetros Coxd e
Vtd. Neste caso evidente a correlao entre a variao dos parmetros referidos e a variao da funo
objectivo, no incio da optimizao. De facto, a correco dos parmetros para valores prximos do
ptimo global implicou uma reduo drstica da funo objectivo, ao que se seguiu uma longa fase na
procura do ptimo global.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

145
7000

6000

5000

Funo objectivo
4000

3000

2000

1000

0
0 50 100 150 200 250
Iterao

Figura 4.30 Evoluo da funo objectivo na optimizao transitria do IGBT C.

8 0,5

0,0
7

-0,5
6
Coxd (nF)

Vtd (V)

-1,0
5
-1,5

4
-2,0

3 -2,5
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
Iterao Iterao

Figura 4.31 Evoluo dos parmetros e Coxd e Vtd na optimizao transitria do IGBT C.

A Figura 4.32 compara os resultados experimentais (a carregado) e simulados para o conjunto


ptimo de parmetros. Os comentrios feitos para os IGBTs anteriores, relativamente concordncia dos
resultados, aplicam-se novamente. Acresce que, neste caso, e no que diz respeito corrente de colector
(IC), o desvio deve-se, em grande parte, ao erro experimental na medida da corrente, para valores de
corrente muito baixos. De facto, verificou-se que a medida da corrente apresenta um off-set de algumas
dcimas de ampere, razo pela qual a corrente no se anula.

146
8 500

400
6

300

Vce (V)
Ic (A)
4

200

2
100

0 0

tempo (5 s/div)

Figura 4.32 Optimizao transitria do IGBT C VCE e IC simulados e experimentais no turn-off.

4.5 Concluses
Neste captulo foi proposto um novo procedimento de extraco de parmetros. O procedimento
baseia-se num algoritmo de optimizao Simulated Annealing que, por comparao entre resultados
experimentais e de simulao, encontra um conjunto ptimo de parmetros que minimiza o erro entre as
formas de onda de tenso/corrente.

A natureza estocstica do algoritmo e a necessidade de limitar a busca no espao dos parmetros,


sob pena de o tempo de optimizao se tornar proibitivo1, no garante que o ptimo global seja alcanado
sempre que se execute o algoritmo. No entanto, esperado que na maior parte das execues, a soluo
corresponda ao ptimo global ou, pelo menos, a um ptimo local muito prximo do ptimo global.

Como j foi referido, por vezes, encontrar rapidamente uma boa soluo (ptimo local) pode ser
mais desejvel do que encontrar demoradamente a melhor soluo possvel. Uma soluo ptima local
boa, em alguns casos, pode ser bastante eficiente.

A afinao dos parmetros de controlo do algoritmo uma fase incontornvel do processo, seja
qual for o algoritmo usado. Esta fase pode consumir algum tempo, uma vez que os parmetros so
definidos de forma emprica e no contexto especfico de problema em estudo. Esta uma das
desvantagens apontadas a este tipo de abordagem. No entanto, estes ensaios preliminares podem servir
para se ter uma ideia da qualidade da estimativa inicial dos parmetros, e fazer alguma correco se tal for
necessrio. Essa correco pode passar por utilizar um ptimo local, alcanado durante a fase de afinao,
como ponto de partida para a optimizao final. Embora o algoritmo tenha a capacidade de escapar a
ptimos locais, esta prtica justifica-se quando o ponto de partida muito desajustado (Pham 2000b).
Como se viu, esta foi a soluo adoptada no caso do IGBT B.

1Relembre-se que a avaliao da funo objectivo, em cada iterao, demora o tempo correspondente a uma simulao que pode
variar, para as situaes estudadas, entre 15 a 30 segundos aproximadamente.

147
Um aspecto interessante a referir, o suposto risco de um processo de extraco de parmetros
baseado em optimizao, tentar compensar imprecises do modelo atravs de variaes nos parmetros.
Se as imprecises forem significativas, as variaes nos parmetros podem ser de tal ordem que
impliquem uma perda de consistncia fsica e, como tal, uma diminuio da gama de validade do modelo.
No caso de modelos com uma base fsica importante, como o caso, opinio do autor que o referido
risco desprezvel. A Figura 4.33 suporta esta concluso. Na figura esto representados os valores
ptimos obtidos dos parmetros NB e WB durante a fase de afinao do algoritmo. Os dois parmetros
esto relacionados pela equao:

2 siVCEmax
WB = (4.39)
qN B

indicando que a sua variao inversamente proporcional. A tendncia dessa relao evidente na
Figura 4.33, confirmando que algoritmo respeita, implicitamente, a fsica intrnseca do modelo.

3
NB (10-14 cm-3)

0
3 5 8 10 13 15
-3
W B (10 cm)

Figura 4.33 Relao entre NB e WB para vrias realizaes do algoritmo.

Globalmente, o algoritmo simples de implementar, converge para uma boa soluo mesmo sem
uma boa estimativa inicial e tem a capacidade de escapar a ptimos locais. Para alm do algoritmo, o
procedimento de extraco requer apenas dois ensaios experimentais, com circuitos de teste simples, de
modo a implementar a funo objectivo. Por outro lado, os resultados obtidos permitem concluir que, em
cerca de uma hora e meia, e com poucas centenas de iteraes, consegue-se obter uma boa soluo para o
conjunto de parmetros do semicondutor.

A crescente capacidade de integrao entre os simuladores de circuitos elctricos e outras aplicaes


de uso genrico, tendem a promover e facilitar a implementao de solues como a proposta nesta tese.
Neste sentido, de esperar que o uso de optimizao para a extraco de parmetros de modelos de
semicondutores de potncia, seja cada vez mais uma realidade.

148
5 5 Validao do modelo

Este Captulo apresenta os resultados relativos validao do modelo do IGBT. Para alm de uma
validao preliminar, apresentado um conjunto de resultados relativamente a trs IGBTs em estudo:

IGBT A: BUP203 (NPT-IGBT 1000V/23A)

IGBT B: BSM200GA100D (NPT-IGBT 1000V/290A)

IGBT C: IRG4PC50U (PT-IGBT 600V/27A)

com base num conjunto de ensaios laboratoriais realizados.

A validao realizada por comparao entre os resultados experimentais e de simulao das vrias
formas de onda. O desempenho do modelo quantificado atravs do erro associado a alguns parmetros
tpicos de comutao. A gama de validade do modelo e a robustez do processo de extraco so aferidas
utilizando vrias condies de funcionamento.

149
5.1 Validao preliminar
Numa primeira fase, o modelo desenvolvido para o IGBT avaliado com base em resultados
experimentais publicados na literatura (e respectivo conjunto de parmetros) e tambm com alguns
resultados experimentais disponibilizados pelo fabricante Siemens.

Com isto, pretendeu-se fazer uma validao inicial do modelo, com um conjunto de parmetros
conhecido, evitando assim os possveis efeitos causados por uma imprecisa extraco dos mesmos.

5.1.1 Comparao com dados de Hefner

Nesta fase inicial de validao foram usados os resultados experimentais disponveis em (Hefner
1994a), para um IGBT que passamos a designar por IGBT 1. O circuito de teste composto por uma
carga resistiva (com indutncia de fugas) e um circuito de comando resistivo. As condies de
funcionamento definidas so: VCC = 300 V, RL = 30 , LL = 80 H, VGG = 0/20 V e RG = 1 k (1),
2 k (2) e 3 k (3).

Figura 5.1 Circuito de teste com carga resisitiva.

A Figura 5.2 apresenta as curvas caractersticas de sada experimentais e simuladas para vrias
tenses de entrada.

10
20 V 12 V
9
9V
8
ANODE CURRENT (A

7
8V
6
5
4 7V
3
2
Vgs = 6 V
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ANODE VOLTAGE (V)

Figura 5.2 Curva caracterstica de sada experimental (esquerda) e simulada (simulada) do IGBT 1.

150
A boa concordncia do modelo com os resultados experimentais evidente. O modelo representa
com preciso o fenmeno de desvio de tenso, devido juno p-n, nodo-camada epitaxial (zona 1), o
fenmeno de conduo na regio de trodo (zona 4), bem como a saturao da corrente no canal (zona 3).

As figuras seguintes ilustram os resultados obtidos em regime transitrio e para as condies de


funcionamento referidas.

20

GATE VOLTAGE (V)


15

10
1
5 2
3
0

5.00U 15.0U 25.0U 35.0U 45.0U


TIME (s)

(a) (b)
Figura 5.3 Tenso porta-emissor experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de porta.

450
ANODE VOLTAGE (V)

350

250
1

150 2

3
50

5.00U 15.0U 25.0U 35.0U 45.0U


TIME (s)

(a) (b)
Figura 5.4 Tenso colector-emissor experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de porta.

12
ANODE CURRENT (A)

6
1
3 2
3

5.00U 15.0U 25.0U 35.0U 45.0U


TIME (s)

(a) (b)
Figura 5.5 Corrente de colector experimental (a) e simulada (b) do IGBT 1 para vrias resistncias de porta.

151
De uma forma geral, a anlise das figuras permite verificar a boa concordncia de modelo. Os
valores mximos da tenso colector-emissor esto um pouco sobrestimados, mas dentro do erro
considerado aceitvel (menor do que 20%) As restantes curvas apresentam uma boa concordncia, pelo
que possvel concluir o bom desempenho do modelo. Em particular, os seguintes efeitos caractersticos
do IGBT so eficazmente representados:

Descida lenta da corrente na fase final da sada de conduo (fenmeno da cauda da corrente de
colector devido componente bipolar do IGBT) (zona 1 da Figura 5.5a);

Controlo do tempo de atraso da sada de conduo atravs da resistncia de porta (zona 3 da Figura
5.4a);

Controlo do tempo de subida da tenso colector-emissor atravs da resistncia de porta (zonas 2 e


4 da Figura 5.4a);

O tempo de simulao de um ciclo completo de comutao foi cerca de 3 segundos1.

5.1.2 Comparao com os dados da Siemens

Neste segundo teste procedeu-se validao do modelo utilizando um conjunto de informao


fornecido pelo fabricante Siemens, relativamente a um mdulo BSM50GD120DN2 (IGBT 2). Este
mdulo de 1200V/78A constitudo por um IGBT e um dodo em antiparalelo.

Alguns dos parmetros do modelo foram fornecidos pelo fabricante, nomeadamente:

rea total: A = 1.13 cm2;

Largura metalrgica da base: WB = 210 m;

Concentrao de dopante na base: NB = 7.51013 cm-3;

Tempo mdio de vida: = 70 s.

Os parmetros associados corrente no canal MOS foram extrados a partir da folha de


caracterstica do IGBT, como descrito no ponto 4.2.3:

Tenso limiar de conduo: Vth = 6 V;

Transcondutncia da regio de saturao: Kpsat = 10.5 A/V2;

Transcondutncia da regio linear: Kplin = 31.5 A/V2;

Coeficiente de modulao da mobilidade: = 0.09 V-1;

Os parmetros associados ao comportamento dinmico da zona MOS, nomeadamente as


capacidades e as respectivas reas, foram extrados usando os procedimentos descritos em 4.2, baseados

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

152
na curva de carga da porta e na curva das capacidades disponveis na folha de caractersticas:

Capacidade de depleo xido porta-dreno: Coxd = 6.7 nF;

Capacidade porta-fonte: Cgs = 3.8 nF;

rea porta-dreno: Agd = 0.51 cm2;

rea dreno-fonte: Ads = 0.62 cm2;

O parmetro de recombinao hp foi ajustado para 810-12 cm4/s e Vbi para 0.6 V.

A Figura 5.6 compara a curva caracterstica de sada do fabricante com a simulada, verificando-se
uma concordncia razovel.

Figura 5.6 Caracterstica de sada do fabricante (esquerda) e simulada (direita) do IGBT 2.

Relativamente ao regime transitrio, foram fornecidos pelo fabricante resultados relativos a um


circuito de teste composto por uma carga indutiva (L = 1 mH), um dodo de roda livre (BYP303) e um
circuito de comando resistivo (RG = 22 ). As indutncias de fugas (Lf = 190 H) estavam tambm
quantificadas. As condies de funcionamento impostas so VCC = 600 V e IC = 50 A.

As figuras seguintes mostram os resultados obtidos no regime transitrio para as condies de


funcionamento referidas. Note-se que, nas simulaes realizadas, quer o dodo, quer o IGBT, so
modelados utilizando os princpios expostos em 3.2.1 para a soluo da EDA.

Os parmetros do modelo do dodo fornecidos pelo fabricante so:

rea total: A = 0.34 cm2;

Largura metalrgica da base: WB = 114 m;

Concentrao de dopante na base: NB = 21014 cm-3;

153
Tempo mdio de vida: = 0.2 s.

3
6
0

1.05U 1.45U 1.85U 2.25U 2.65U


Tempo (s)

Figura 5.7 VGE (1), IC (2) e VCE (3) experimentais e simulados na entrada em conduo (IGBT 2).

4.20U 4.60U 5.00U 5.40U 5.80U


Tempo (s)

Figura 5.8 VGE (1), IC (2) e VCE (3) experimentais e simulados na sada de conduo (IGBT 2).

A capacidade Coxd foi alterada para 24 nF para um melhor ajuste da tenso porta-emissor (VGE). As
restantes diferenas em VGE esto relacionadas com o facto de Cgs ser modelada como uma capacidade
constante e por o comando da porta ser simulado com uma resistncia. Globalmente, o modelo apresenta
uma boa concordncia, com erros inferiores ao limite de referncia (20%).

Com o uso de um modelo preciso para o dodo, conseguiu-se uma correcta descrio do overshoot da
corrente na entrada em conduo, fenmeno associado fase de recuperao inversa. do dodo, quando
este sa de conduo.

O tempo de simulao de um ciclo completo de comutao foi cerca de 30 segundos1.

1 Num PC com um processador AMD Athlom XP 1800, a 1.5 GHz, com 512 kb de RAM.

154
5.2 Validao final
Numa segunda fase, o modelo do IGBT avaliado com base num conjunto de ensaios
laboratoriais, realizados com trs IGBTs:

IGBT A: BUP203 (NPT-IGBT 1000V/23A)

IGBT B: BSM200GA100D (NPT-IGBT 1000V/290A)

IGBT C: IRG4PC50U (PT-IGBT 600V/27A)

Os resultados apresentam-se nos pontos seguintes.

5.2.1 Resultados do IGBT A

O IGBT A um BUP203 (NPT-IGBT 1000V/23A). Os parmetros do modelo para este IGBT


foram extrados utilizando o procedimento de optimizao exposto em 4.3. Os valores ptimos dos
parmetros esto indicados na Tabela 4.4 (pg. 136) e Tabela 4.5 (pg. 137).

Relativamente ao regime permanente, os resultados apresentados aquando da extraco dos


parmetros, demonstra uma boa concordncia entre a curva caracterstica de sada experimental e a
simulada (Figura 4.18).

Quanto ao regime transitrio, apresentam-se seguidamente resultados adicionais, de forma a avaliar


a gama de validade do modelo, para as seguintes condies de funcionamento: VCC = 150 V ; RL = 20 ;
Lf = 62 H. Para a resistncia de porta foram utilizados trs valores: RG1 = 1340 ; RG2 = 2650 e
RG3 = 7920 .

A Figura 5.9 apresenta os resultados experimentais e simulados (a carregado) para as condies


referidas. Os resultados evidenciam o bom desempenho do modelo. De facto, qualquer uma das trs
variveis (VGE, VCE e IC) adequadamente modelada, para todas as condies de funcionamento,
demonstrando quer a qualidade do conjunto de parmetros extrados, quer a qualidade do modelo em si.
Relembre-se que apesar de os parmetros do modelo terem sido extrados, utilizando como referncia a
tenso VCE apenas na fase de sada de conduo, a concordncia entre os resultados verifica-se para todas
as variveis e em todo o ciclo de comutao. As oscilaes observadas na fase da cauda da corrente Ic
(experimental) no correspondem a qualquer fenmeno do IGBT, sendo consequncia de uma impreciso
na medida da corrente.

A Tabela 5.1 apresenta os erros relativos de alguns parmetros de comutao para as trs condies
de funcionamento indicadas.

155
Tabela 5.1 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT A).

Erro (%)
RG1 RG2 RG3
Atraso no turn-off 1.5 1.5 1.2
Tempo de descida 2.4 1.6 0.5
VCE mximo 3.6 3.6 8.9
dIC/dt no turn-off 2.9 1.0 1.5
dVCE/dt no turn-off 5.0 4.2 22.8
Perdas no turn-off 21.9 26.0 11.2

A maioria dos valores inferior ao valor de referncia de 20%, confirmando as concluses j


referidas. Alguns parmetros ultrapassam ligeiramente os 20%, como o caso das perdas de potncia na
sada de conduo. Tal deve-se ao facto de alguma impreciso na modelao de VCE, j depois da fase de
sobretenso. Essa impreciso pode estar relacionada com uma incorrecta modelao da capacidade de
sada do IGBT. Apesar de tudo, uma situao que no compromete em termos de projecto, uma vez que
o principal factor (VCE mximo) correctamente estimado.

Por outro lado, metade dos 18 parmetros apresentam um erro inferior a 3%. Em termos totais o
erro mdio de 6.7%. O erro mdio para cada resistncia de porta de, respectivamente, 6.2, 6.3 e 7.7%,
indicando uma boa consistncia de resultados.

156
12 12

10 10

8 8
Vge (V)

Vge (V)
6 6

4 4

2 2

0 0
100 125 150 175 200 225 250 470 475 480 485 490 495 500
(s ) (s )

175 700

150 600

125 500

100 400
Vce (V)
Vce (V)

75 300

50 200

25 100

0 0
100 125 150 175 200 225 250 470 475 480 485 490 495 500
(s ) (s )

8 8

7 7

6 6

5 5
Ic (A)

Ic (A)

4 4

3 3

2 2

1 1

0 0
100 125 150 175 200 225 250 470 475 480 485 490 495 500
(s ) (s )

a) b)

Figura 5.9 Transitrios de abertura (a) e de fecho (b) experimentais e simulados (carregado) (IGBT A).

A Figura 5.10 e Figura 5.11 ilustram a evoluo da distribuio dos portadores na sada de
conduo (RG = 7.92 k) a 3 e 2 dimenses, respectivamente. Note-se a formao da zona de carga
especial, cujo desenvolvimento funo da tenso colector-emissor como esperado (compare-se com a
forma de onda de VCE na Figura 5.9).

157
0.05

Concentrao (1017 cm-3)


0.04

0.03

0.02

0.01

0
0
0.005 4.7
4.8
0.01
4.9 -4
0.015 5 x 10
0.02 5.1

Figura 5.10 Distribuio 3D da concentrao de portadores no turn-off (RG = 7.92 k).

0.05

0.04
Concentrao (10 cm )
-3
17

0.03

0.02

0.01

0.00
0 5 10 15 20

-3
Largura da base (10 cm)

Figura 5.11 Distribuio 2D da concentrao de portadores no turn-off (RG = 7.92 k).

5.2.2 Resultados do IGBT B

O IGBT B um componente BSM200GA100D (NPT-IGBT 1000V/290A). Os parmetros do


modelo para este IGBT foram extrados utilizando o procedimento de optimizao proposto em 4.3. Os
valores ptimos dos parmetros esto indicados na Tabela 4.7 (pg.139) e Tabela 4.8 (pg. 141).

Relativamente ao regime permanente, os resultados apresentados aquando da extraco dos


parmetros demonstraram uma boa concordncia entre a caracterstica de sada experimental e a simulada
(Figura 4.23). Para o regime transitrio, vamos aqui apresentar resultados adicionais, para outras condies
de funcionamento, de forma a avaliar a gama de validade do modelo.

Nas figuras seguintes so apresentados os resultados experimentais e simulados para as seguintes

158
condies de funcionamento: VCC = 300 V ; RL = 29 . Para a resistncia de porta foram utilizados dois
valores: RG1 = 100 e RG2 = 300 . Note-se que neste caso o valor da indutncia de fugas foi tambm
obtido por optimizao.

350
350 12
12
300
300
10
9
250
250
8
200 6
Vce (V)

Vge (V)
200

Vce (V)

Ic (A)
6
150 150
3
4
100 100
0
50 2
50

0 -3 0 0
(10 s/div) (10 s/div)

Figura 5.12 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados: RG = 100 (IGBT B).

800 800 12
12
700 700
10
600 9 600
8
500 500
6
Vce (V)

Vge (V)

Vce (V)

Ic (A)
400 400 6

300 3 300
4
200 200
0 2
100 100

0 -3 0 0
(2 s/div) (2 s/div)

Figura 5.13 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados: RG = 100 (IGBT B).

Os resultados evidenciam o bom desempenho do modelo. De facto, qualquer uma das trs
variveis (VGE, VCE e IC) adequadamente modelada, para as duas condies de funcionamento,
demonstrando quer a qualidade do conjunto de parmetros extrados, quer a qualidade do modelo em si.
Relembre-se que apesar de os parmetros do modelo terem sido extrados, utilizando como referncia a
VCE e IC somente na fase de sada de conduo, a concordncia entre os resultados verifica-se para todas
as variveis e em durante todo o ciclo de comutao.

159
700 700 12
12
600 600 10
9
500 500
8
400 6 400
Vce (V)

Vce (V)
Vge (V)

Ic (A)
6
300 300
3
4
200 200

0 2
100 100

0 -3 0 0
(5 s/div) (5 s/div)

Figura 5.14 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados: RG = 300 (IGBT B).

350 350 12
12
300 300 10
9
250 250
8
200 200
Vge (V)

6
Vce (V)

Vce (V)

Ic (A)
6
150 150
3
4
100 100

0 2
50 50

0 -3 0 0
(25 s/div) (25 s/div)

Figura 5.15 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados: RG = 300 (IGBT B).

Na Tabela 5.2 esto indicados os erros relativos de alguns parmetros de comutao para as duas
condies de funcionamento indicadas.

Tabela 5.2 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT B).

Erro (%)
RG1 RG2
Atraso no turn-off 2.3 4.0
Tempo de descida 3.9 6.8
VCE mximo 1.7 11.8
dIC/dt no turn-off 3.8 6.4
dVCE/dt no turn-off 13.4 3.8
Perdas no turn-off 44.3 13.5

Com excepo de um parmetro, todos os outros so significativamente inferiores ao valor de


referncia de 20%. Em termos totais o erro mdio de 9.6%. Este erro fortemente influenciado pelos
resultados menos bons relativos s perdas de potncia. Tal deve-se a uma subestimao da tenso VCE e
da corrente IC durante a fase do efeito da cauda da corrente. Esta subestimao simultnea das duas
variveis, condicionada fundamentalmente por uma incorrecta estimao do parmetro de recombinao

160
do emissor (hp), implicou um erro considervel nas perdas de potncia, mais visvel na condio de RG =
100 (Figura 5.16). Apesar disso, os restantes parmetros de comutao esto bem estimados, tendo
associado um erro mdio de 5.9%.

5 3

2
3
P (kW)

P (kW)
2
1

0 0

(2 s/div) (5 s/div)

Figura 5.16 Perdas de potncia instantneas experimentais (a carregado) e simuladas no turn-off para RG = 100
(esquerda) e RG = 300 (direita) (IGBT B).

Na Figura 5.17 analisa-se em detalhe os efeitos associados evoluo da tenso colector-emissor


VCE.

50
50

40 40

30 30
Vce (V)
Vce (V)

20 20

10 10

0 0
(10 s/div) (2 s/div)

Figura 5.17 Detalhe da tenso colector-emissor na entrada (esquerda) e sada (direita) de conduo (IGBT B).

O acordo evidenciado entre os resultados experimentais e simulados valida a implementao da


queda de tenso associada componente MOS e a queda de tenso na zona de armazenamento associada
modulao em condutividade. De facto, a primeira est relacionada com a zona correspondente ao
declive acentuado de VCE, enquanto a segunda predomina na zona de menor declive.

Esta consistncia de resultados foi tambm averiguada para as restantes condies de


funcionamento, no se verificando os problemas (Figura 2.10) referidos em (Kang 2003a) para o modelo
do Fourier, com um nmero equivalente de termos na descrio da EDA.

5.2.3 Resultados do IGBT C

O IGBT C um componente IRG4PC50U (PT-IGBT 600V/27A). Os parmetros do modelo para


este IGBT foram extrados utilizando o procedimento de optimizao proposto em 4.3. Os valores

161
ptimos dos parmetros esto indicados na Tabela 4.10 (pg. 144) e Tabela 4.11 (pg. 145).

Relativamente ao regime permanente, os resultados apresentados aquando da extraco dos


parmetros demonstraram uma boa concordncia entre a caracterstica de sada experimental e a simulada
(Figura 4.29). Para o regime transitrio, vamos aqui apresentar resultados adicionais, para outras condies
de funcionamento, de forma a avaliar a gama de validade do modelo.

Assim, na Figura 5.18 e Figura 5.19 so apresentados os resultados experimentais (a carregado) e


simulados para a seguinte condio de funcionamento: VCC = 200 V ; RG = 4480 ; RL = 28 . Note-se
que neste caso o valor da indutncia de fugas foi tambm obtido por optimizao.

250 13 250 8

200 10 200
6

150 7 150
Vce (V)

Vge(V)

Vce (V)

Ic (A)
4

100 4 100

2
50 1 50

0 -3 0 0
(25 s/div) (25 s/div)

Figura 5.18 Transitrios de abertura experimentais (carregado) e simulados (IGBT C).

500 13 500 8

400 10 400
6

300 7 300
Vce (V)

Vge (V)

Vce (V)

Ic (A)

200 4 200

2
100 1 100

0 -2 0 0
(5 s/div) (5 s/div)

Figura 5.19 Transitrios de fecho experimentais (carregado) e simulados (IGBT C).

Globalmente possvel afirmar que o modelo descreve com exactido o comportamento dinmico
do IGBT. De facto, todas as variveis (VGE, VCE e IC) so adequadamente modeladas. Mais uma vez,
ressalta-se que apesar de os parmetros do modelo terem sido extrados, utilizando como referncia a
tenso VCE e IC somente na fase de sada de conduo, a concordncia entre os resultados verifica-se para
todas as variveis e em todo o ciclo de comutao.

Na Tabela 5.3 esto indicados os erros relativos de alguns parmetros de comutao. Todos os

162
parmetros apresentam um erro consideravelmente inferior ao valor de referncia de 20%. Em termos
totais o erro mdio de 5.1%.

Tabela 5.3 Erro relativo percentual de alguns parmetros de comutao (IGBT C).

Erro (%)
Atraso no turn-off 0.3
Tempo de descida 3.6
VCE mximo 8.4
dIC/dt no turn-off 3.9
dVCE/dt no turn-off 6.5
Perdas no turn-off 8.1

5.3 Concluses
Este Captulo avalia o desempenho do modelo por comparao entre ensaios experimentais e
resultados de simulao. A validao feita para vrios IGBTs e em vrias condies de funcionamento.
A anlise dos resultados obtidos permite concluir que o modelo, em conjunto com os respectivos
parmetros, representa fielmente as caractersticas estticas e dinmicas do IGBT. Nomeadamente, de
realar o acordo entre as simulaes e as medies para:

As formas de onda da tenso porta-emissor (VGE). Esta concordncia valida o modelo


implementado para as capacidades MOS e para a corrente no canal MOS;

A fase da cauda da corrente de colector (IC). Esta concordncia valida o modelo de recombinao
no emissor e o respectivo parmetro hp;

A fase de baixo declive da tenso colector-emissor (VCE), que valida a modelao do efeito de
modulao da condutividade, do clculo da queda de tenso na base, e a modelao da distribuio
dos portadores;

A fase de elevado declive da tenso colector-emissor (VCE), que valida o modelo da zona de
depleo e do movimento das fronteiras da base.

A boa concordncia dos resultados em condies de funcionamento distintas, comprovam a


robustez do conjunto de parmetros extrados e, portanto, a eficcia do procedimento de extraco. Por
outro lado demonstram a consistncia fsica do modelo e uma abrangente gama de validade.

Da anlise dos erros associados a parmetros tpicos de comutao, verifica-se que os erros mdios
relativos situam-se numa gama de 5 a 10%, e portanto abaixo do erro de referncia de 20%. Estes
resultados, em conjunto com baixos tempos de simulao que variam entre 10 a 30 segundos (em alguns
casos menos at), permitem concluir da boa adequao do modelo para o projecto de sistemas de
electrnica de potncia.

163
6 6 Concluses e trabalho futuro

Neste Captulo so apresentadas as concluses do trabalho realizado e alguns assuntos a explorar,


no sentido de melhorar o trabalho, so propostos.

165
6.1 Concluses
Neste trabalho foi desenvolvido um modelo para IGBTs, baseado na fsica dos semicondutores e
compatvel com uma implementao em simuladores genricos de circuitos elctricos. O modelo
constitudo por uma componente numrica para modelar a zona da base zona extensa e fracamente
dopada, principal responsvel pelo comportamento dinmico do dispositivo e uma componente
analtica para modelar as restantes zonas do dispositivo.

O ncleo fundamental do modelo reside no conhecimento da distribuio dos portadores na base


do dispositivo (zona n), a qual descrita equao de difuso ambipolar (EDA). A soluo desta equao
realizada atravs de um princpio variacional, cuja estacionaridade do funcional associado EDA conduz a
uma soluo equivalente soluo do problema original. A estacionaridade do referido funcional foi
efectuada atravs de uma formulao pelo mtodo dos elementos finitos (MEF), reduzindo a equao s
derivadas parciais do problema original a um sistema de equaes diferenciais ordinrias. Esta formulao
permite a implementao do modelo num simulador de circuitos elctricos de uso genrico, atravs da
analogia entre o sistema de equaes resultante do MEF e o sistema de equaes associado a um conjunto
de malhas RC e fontes de corrente. Para as restantes zonas do IGBT, emissor, regio de depleo, canal
MOS e as quedas de tenso so utilizados modelos analticos clssicos.

Esta abordagem hbrida resulta num modelo com um bom compromisso preciso/tempo de
clculo bastante interessante, na medida em que permite descrever com rigor os fenmenos elctricos e
fsicos do IGBT atravs da componente numrica e, simultaneamente, manter tempos de simulao em
nveis aceitveis atravs da componente analtica.

Para alm destas caractersticas, a abordagem utilizada apresenta outros aspectos no menos
importantes, e que a distinguem de outras alternativas pela sua elevada flexibilidade. Em concreto,
possvel:

Alterar o compromisso entre a preciso e o tempo de clculo, alterando o nmero de elementos


finitos associados soluo da EDA. Para tal basta adicionar/retirar malhas RC, bem como alterar o
nmero de componentes no clculo da queda de tenso e o nmero de resistncias associadas ao clculo
da largura elementar, de forma a reflectir o actual nmero de ns;

Melhorar a qualidade da aproximao utilizando elementos finitos com larguras no uniformes. De


facto, o uso de elementos no equidistantes permite utilizar elementos mais estreitos nas zonas onde a
variao da concentrao mais rpida, ou seja, junto s fronteiras. Esta alterao imediata, bastando
para isso alterar os valores das resistncias no circuito que calcula a largura elementar;

Implementar um modelo com parmetros fsicos dependentes da posio (ao longo da base), ou
seja, utilizar parmetros no uniformes como tempos mdios de vida, mobilidades, dopagens, etc. Para tal,

166
basta alterar as propriedades fsicas do semicondutor, passando o respectivo valor ao subcircuito
correspondente parte do domnio em questo;

Melhorar a compreenso dos fenmenos associados s comutaes, atravs da anlise da evoluo


temporal da concentrao de portadores na zona da base (resultante da soluo da EDA) em conjunto
com as respectivas formas de onda de tenso/corrente.

O desempenho do modelo foi avaliado por comparao entre ensaios experimentais e os


respectivos resultados simulados. A anlise dos erros associados a parmetros tpicos de comutao (os
erros mdios relativos situam-se numa gama de 5 a 10%) em conjunto com tempos de simulao que
variam entre 10 a 30 segundos, permitem concluir da adequao do modelo para o projecto de sistemas de
electrnica de potncia.

O modelo do IGBT complementado com um procedimento para a extraco dos parmetros


simples e eficaz. O procedimento desenvolvido utiliza uma estratgia inovadora no domnio da electrnica
de potncia. O mecanismo de extraco baseia-se num algoritmo de optimizao Simulated Annealing
que, por comparao entre resultados experimentais e de simulao, encontra um conjunto ptimo de
parmetros que minimiza o erro entre as formas de onda de tenso/corrente.

Globalmente, o algoritmo simples de implementar, tem a propriedade de convergir para uma boa
soluo mesmo sem uma boa estimativa inicial e tem a capacidade de escapar a ptimos locais. Por outro
lado, o procedimento de extraco requer apenas dois ensaios experimentais, com circuitos de teste
simples, de modo a implementar a funo objectivo.

A crescente capacidade de integrao entre os simuladores de circuitos elctricos e outras aplicaes


de uso genrico, tendem a promover a implementao de solues como a proposta nesta tese. Desta
forma, consegue-se um processo de extraco que garante uma elevada preciso dos parmetros obtidos,
sem a necessidade de realizar ensaios morosos e em instalaes experimentais complexas e exigentes.

Em concluso, o modelo do IGBT em conjunto com o processo de extraco desenvolvidos,


constituem uma ferramenta global de modelao, que rene todas as condies para potenciar o uso da
simulao no projecto de conversores com semicondutores bipolares de potncia.

6.2 Trabalho futuro


Para alm do trabalho desenvolvido nesta tese, h um conjunto de assuntos com um potencial de
desenvolvimento relevante. Relativamente modelao podemos referir:

A adaptao do modelo a outras estruturas mais recentes, como as presentes nas ltimas geraes
do IGBT, nomeadamente a estrutura field-stop (Laska 2000; Kang 2003d) e trench-gate (Motto 1998;
Pfaffenlehner 2004; Stockmeier 2004) na 4 gerao, e o carrier stored trench bipolar transstor (CSTBT)
(Tomomatsu 2001; Yamada 2002; Kang 2003b) na 5 gerao;

A construo de modelos para tirstores, completando assim o conjunto de semicondutores

167
bipolares de potncia modelados com a abordagem proposta originalmente proposta por (Arajo 1998a);

A implementao do modelo desenvolvido noutros simuladores de circuitos elctricos, como por


exemplo o SABER, ou noutras aplicaes de uso generalizado como o MATLAB/Simulink, com o
objectivo de alargar o nmero de potenciais utilizadores, contribuindo para a generalizao do uso da
simulao no domnio da electrnica de potncia;

Desenvolvimento de um modelo electrotrmico, que permita simular em simultneo os efeitos


elctricos e trmicos e as suas interaces. Estes modelos so indispensveis para uma correcta
compreenso do comportamento do semicondutor numa gama alargada de temperatura, no s a
temperaturas elevadas (125C), mas tambm no domnio criognico1 de temperaturas (Wang 2003; Caiafa
2004).

No que diz respeito extraco de parmetros, pode mencionar-se:

Testar outros algoritmos de optimizao e avaliar qual o mtodo, ou combinao de mtodos, que
melhor desempenho apresenta. O sucesso das vrias estratgias de optimizao bastante dependente do
contexto especfico do problema, pelo que apenas com um estudo prtico se pode tirar alguma concluso;

Tentar melhorar a metodologia de extraco, atravs da anlise de diferentes alternativas para


avaliar o erro ou realizar um estudo de sensibilidade para avaliar a influncia de certos parmetros nas
caractersticas estticas e dinmicas.

1O interesse na modelao de semicondutores a temperaturas baixas (uma ou duas centenas de graus negativos) motivado por
aplicaes envolvendo materiais supercondutores, como por exemplo a tecnologia MAGLEV utilizada nos comboios de levitao
magntica, ou aplicaes susceptveis de serem utilizadas em aplicaes espaciais.

168
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