POLARIZACION DE UNA ETAPA Y ANALISIS DE SEAL PEQUEA

OBJETIVOS:

a) Seleccionar valores de componentes de circuitos para establecer un punto de

operacin (punto Q) determinado.
b) Observar las variaciones de la localizacin del punto de operacin debido a efectos
de temperatura o cuando se usan diferentes transistores de igual nmero (diversidad
de produccin).
c) Analizar un circuito amplificador de una etapa en la banda media de la respuesta de
frecuencia en configuracin emisor comn sin y con capacitancia de desvo en el
emisor.

TEORIA:

El anlisis y diseo de amplificadores de voltaje, corriente y potencia de seal

pequea usando transistores se efecta en dos partes. La primera consiste en
establecer un punto de operacin en la regin activa normal. La segunda parte incluye
los clculos de ganancia de voltaje, ganancia de potencia, impedancia de entrada y
salida del amplificador especificado.

PROCEDIMIENTO:

1. Polarizacin de un transistor bipolar

Especificaciones: ICQ = 3 mA
VCEQ = 6 V

1.1 En base a esas especificaciones:

a) Seleccione un transistor NPN. De la hoja de datos obtenga = hFE (valor tpico).

b) Calcule y obtenga el valor de cada resistencia (su valor estndar inmediato). Haga
los ajustes y correcciones necesarios.
1.2 Haga las siguientes mediciones:

a) Para el circuito implementado y utilizando el equipo de medicin adecuado mida en

C.D. el punto de operacin del transistor (ICQ y VCEQ).

Circuito (a) Circuito (b)

Simulacin Montaje Simulacin Montaje
ICQ VCEQ ICQ VCEQ ICQ VCEQ ICQ VCEQ
3 mA 5.842 V 2.7 mA 7.069 V

b) Substituya el transistor por otro de igual nmero y compruebe si existe

desplazamiento del punto de operacin.

Circuito (a) Circuito (b)

Simulacin Montaje Simulacin Montaje
ICQ VCEQ ICQ VCEQ ICQ VCEQ ICQ VCEQ
3 mA 5.882 V 2.7 mA 7.08 V

c) Caliente el transistor acercando un cerillo encendido (no por mucho tiempo) y

observe la variacin del punto de operacin. Qu le ocurre a ICQ y VCEQ si el
transistor se calienta? Comente.
El voltaje Vce baja, la corriente aumenta.
2. Amplificador emisor comn sin capacitor de desvo en emisor

Especificaciones: R1 = 3.9 k, R2 = 10 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k

CB = CC 100 F

2.1 Haga las siguientes mediciones:

a) Para el circuito implementado y utilizando el equipo de medicin adecuado mida en

C.D. el punto de operacin del transistor (ICQ y VECQ).
b) Aplique seal sinusoidal en el rango de frecuencia media ( 1 kHz), con un voltaje
pequeo en sus terminales de entrada mida los voltajes de C.A. de entrada (Vi) y
salida (Vo) del amplificador para determinar la ganancia de voltaje.
 Simulacin Montaje
ICQ VECQ Av = Vo/Vi ICQ VECQ Av = Vo/Vi
2.86 mA 8.983 V 2.62

2.2 Amplificador emisor comn con capacitor de desvo en emisor

Especificaciones: R1 = 3.9 k, R2 = 10 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k

CB = CC 100 F, CE 330 F

2.3 Haga las siguientes mediciones:

a) Para el circuito implementado y utilizando el equipo de medicin adecuado mida en

C.D. el punto de operacin del transistor (ICQ y VECQ).
b) Aplique seal sinusoidal en el rango de frecuencia media ( 1 kHz), con un voltaje
pequeo en sus terminales de entrada mida los voltajes de C.A. de entrada (Vi) y
salida (Vo) del amplificador para determinar la ganancia de voltaje.

Simulacin Montaje
ICQ VECQ Av = Vo/Vi ICQ VECQ Av = Vo/Vi
2.86 mA 8.97 V 2.5

INFORME:

a) Un reporte con todos los clculos previos, los criterios de diseo que se siguieron, y
un breve anlisis terico de los circuitos utilizados.
b) Procedimiento seguido en el laboratorio con diagramas y hoja de resultados
(comparados con los tericos).
c) Comentarios y conclusiones.